JPWO2021029321A5 - - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 33
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
Description
また、上記第1~第12いずれかの構成から成る半導体装置において、前記パワー電源端子と前記パワー接地端子は、いずれも前記第3辺または前記第4辺に設けられており、前記パワー接地端子は、前記パワー電源端子よりも前記第2辺側に配列されている構成(第13の構成)にするとよい。
上記第16の構成から成るモジュールにおいて、前記半導体装置は、前記プリント回路基板の第1主面に実装されており、前記パワー電源端子に接続されるパワー電源ライン、前記パワー接地端子に接続されるパワー接地ライン、及び、前記スイッチ出力端子に接続されるスイッチ出力ラインは、前記プリント回路基板の第2主面に敷設されている構成(第17の構成)にしてもよい。
また、上記第17~第19いずれかの構成から成るモジュールにおいて、前記パワー電源ライン及び前記パワー接地ラインの少なくとも一方は、平面視において、前記半導体装置と重なるように敷設されている構成(第20の構成)にするとよい。
37ピン~39ピンには、第1チャンネルのパワー接地端子(PGND1)が割り当てられている。41ピン~43ピンには、第1チャンネルのスイッチ出力端子(SW1)が割り当てられている。45ピンには、第1チャンネルのブートストラップキャパシタ接続端子(BOOT1)が割り当てられている。47ピン及び48ピンには、第1チャンネルの出力電流センス入力端子(SNSN1、SNSP1)が割り当てられている。
スイッチ出力ライン340は、第2チャンネルのスイッチ出力端子(SW2)とスイッチ出力ライン341との間を導通する。スイッチ出力ライン340は、PCB300の第1主面と第2主面との間を貫通するビアやスルーホールなど(不図示)を介してスイッチ出力ライン341と電気的に導通される。図14C及び図14Dに示すレイアウトでは、図14A及び図14Bに示すレイアウトとは異なり、PCB300の平面視においてスイッチ出力ライン341はスイッチ出力端子(SW2)と重ならない。
なお、LEDドライバIC1b(1)~1b(m)では、それぞれ、先出の図11で示したピン配置が採用されている。従って、パワー電源ライン310及びパワー接地ライン320については、それぞれ、先出の図15で示したように、LEDドライバIC1b(1)~1b(m)それぞれの背面を通り抜けるように、x方向(紙面左右方向)に沿って一直線に敷設することができる。
また、LEDドライバIC1b(1)~1b(m)それぞれのスイッチ出力ラインは、いずれも紙面上向きに導出することができるので、チャンネル数が増えても、全チャンネルの発光ダイオードLED1~LED(3m)をx方向(紙面左右方向)に沿って並べることが可能となる。
なお、本図では、LEDドライバIC1b(3ch)の縦列配置を例に挙げたが、LEDドライバIC1a(2ch)の縦列配置についても、上記と同様が言える。
1、1a、1b LEDドライバIC(半導体装置)
2 昇圧回路
3 MCU
11H 上側スイッチ(NMOSFET)
11L 下側スイッチ(NMOSFET)
12H 上側ドライバ
12L 下側ドライバ
13 コントローラ
14 オン時間設定部
15 スロープ電圧生成部
16 センスアンプ
17 エラーアンプ
18 コンパレータ
100 パッケージ
101 第1辺
102 第2辺
103 第3辺
104 第4辺
110 トップ面
111 放熱パッド
112 1ピンマーク
120 ボトム面
130 半導体チップ
140 アイランド
151、152 支持フレーム
200 ヒートシンク
210 基台部
220 放熱フィン
230 放熱グリス
240 延出部
250 放熱グリス
300 プリント回路基板
310 パワー電源ライン(主幹部分)
311、312、313 パワー電源ライン(支線部分)
320 パワー接地ライン(主幹部分)
321、322、323、324、325 パワー接地ライン(支線部分)
330~333、340~343、351~353 スイッチライン
360 電源ライン
C1、C2、C11~C13、C21~C23、C31~C33 キャパシタ
D1、D11、D21 ダイオード
L1、L2、L3 インダクタ
LED1、LED2、LED3 発光ダイオード
R1、R2 抵抗
Rs1、Rs2、Rs3 センス抵抗
W11~W13、W21~W23、W31~W33 ワイヤ
X LEDランプモジュール
2 昇圧回路
3 MCU
11H 上側スイッチ(NMOSFET)
11L 下側スイッチ(NMOSFET)
12H 上側ドライバ
12L 下側ドライバ
13 コントローラ
14 オン時間設定部
15 スロープ電圧生成部
16 センスアンプ
17 エラーアンプ
18 コンパレータ
100 パッケージ
101 第1辺
102 第2辺
103 第3辺
104 第4辺
110 トップ面
111 放熱パッド
112 1ピンマーク
120 ボトム面
130 半導体チップ
140 アイランド
151、152 支持フレーム
200 ヒートシンク
210 基台部
220 放熱フィン
230 放熱グリス
240 延出部
250 放熱グリス
300 プリント回路基板
310 パワー電源ライン(主幹部分)
311、312、313 パワー電源ライン(支線部分)
320 パワー接地ライン(主幹部分)
321、322、323、324、325 パワー接地ライン(支線部分)
330~333、340~343、351~353 スイッチライン
360 電源ライン
C1、C2、C11~C13、C21~C23、C31~C33 キャパシタ
D1、D11、D21 ダイオード
L1、L2、L3 インダクタ
LED1、LED2、LED3 発光ダイオード
R1、R2 抵抗
Rs1、Rs2、Rs3 センス抵抗
W11~W13、W21~W23、W31~W33 ワイヤ
X LEDランプモジュール
Claims (29)
- 第1辺、前記第1辺と平行する第2辺、前記第1辺及び前記第2辺と直交する第3辺、並びに、前記第3辺と平行して前記第1辺及び前記第2辺と直交する第4辺を持つ平面視矩形状のパッケージと;
前記第1辺、若しくは、前記第3辺または前記第4辺に設けられたパワー電源端子と;
前記第2辺、若しくは、前記第3辺または前記第4辺に設けられたパワー接地端子と;
前記第2辺に設けられたスイッチ出力端子と;
前記パワー電源端子と前記スイッチ出力端子との間に接続された上側スイッチと;
前記スイッチ出力端子と前記パワー接地端子との間に接続された下側スイッチと;
を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記上側スイッチ、前記下側スイッチ、及び、前記スイッチ出力端子は、それぞれ、複数のチャンネル毎に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記複数のチャンネル毎に設けられている前記スイッチ出力端子は、少なくとも2つのチャンネル相互間で対称に配置されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記パワー電源端子及び前記パワー接地端子は、それぞれ、前記複数のチャンネル毎に設けられていることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の半導体装置。
- 前記複数のチャンネル毎に設けられている前記パワー電源端子は、少なくとも2つのチャンネル相互間で対称に配置されていることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 前記複数のチャンネル毎に設けられている前記パワー接地端子は、少なくとも2つのチャンネル相互間で対称に配置されていることを特徴とする請求項4または請求項5に記載の半導体装置。
- 前記パワー電源端子及び前記パワー接地端子の少なくとも一方は、前記複数のチャンネルで共用されていることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の半導体装置。
- 前記パッケージのトップ面に露出した放熱パッドをさらに有することを特徴とする請求項1~請求項7のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記パッケージに封止された半導体チップから前記トップ面までの熱抵抗は、前記半導体チップから前記パッケージのボトム面までの熱抵抗よりも小さいことを特徴とする請求項1~請求項8のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記上側スイッチ及び前記下側スイッチは、平面視において、前記第2辺寄りに偏在配置されていることを特徴とする請求項1~請求項9のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記上側スイッチ及び前記下側スイッチは、平面視において、前記第1辺及び前記第2辺の延びる第1方向に直交する第2方向に沿って縦列に配置されていることを特徴とする請求項1~請求項10のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記下側スイッチは、前記上側スイッチよりも素子サイズが大きいことを特徴とする請求項1~請求項11のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記パワー電源端子及び前記パワー接地端子は、いずれも前記第3辺または前記第4辺に設けられており、前記パワー接地端子は、前記パワー電源端子よりも前記第2辺側に配列されていることを特徴とする請求項1~請求項12のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記スイッチ出力端子から負荷に供給される出力電流が所定の目標値と一致するように前記上側スイッチ及び前記下側スイッチを駆動する出力帰還制御部をさらに有することを特徴とする請求項1~請求項13のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記出力帰還制御部は、ボトム検出オン時間固定方式の出力帰還制御を行うことを特徴とする請求項14に記載の半導体装置。
- プリント回路基板と、
請求項1~請求項15のいずれか一項に記載の半導体装置と、
前記半導体装置から出力電流の供給を受ける負荷と、
を有することを特徴とするモジュール。 - 前記半導体装置は、前記プリント回路基板の第1主面に実装されており、
前記パワー電源端子に接続されるパワー電源ライン、前記パワー接地端子に接続されるパワー接地ライン、及び、前記スイッチ出力端子に接続されるスイッチ出力ラインは、前記プリント回路基板の第2主面に敷設されていることを特徴とする請求項16に記載のモジュール。 - 前記パワー電源ライン及び前記パワー接地ラインそれぞれの主幹部分は、平面視において、前記第1辺及び前記第2辺の延びる第1方向に沿って並列に敷設されていることを特徴とする請求項17に記載のモジュール。
- 前記第1主面には、前記第1方向に沿って前記半導体装置が複数実装されていることを特徴とする請求項18に記載のモジュール。
- 前記パワー電源ライン及び前記パワー接地ラインの少なくとも一方は、平面視において、前記半導体装置と重なるように敷設されていることを特徴とする請求項17~請求項19のいずれか一項に記載のモジュール。
- 前記第2主面には、前記パワー電源ラインと前記パワー接地ラインとの間にバイパスキャパシタが接続されていることを特徴とする請求項17~請求項20のいずれか一項に記載のモジュール。
- 前記バイパスキャパシタは、平面視において、前記半導体装置と重なるように実装されていることを特徴とする請求項21に記載のモジュール。
- 前記バイパスキャパシタは、前記上側スイッチ及び前記下側スイッチと共に形成する閉ループが最小となる位置に実装されていることを特徴とする請求項21または請求項22に記載のモジュール。
- 前記複数のチャンネル毎に設けられる前記パワー電源端子、前記スイッチ出力端子、前記パワー接地端子、及び、これらに外付けされるディスクリート部品は、少なくとも2つのチャンネル相互間で対称に配置されていることを特徴とする請求項16~請求項23のいずれか一項に記載のモジュール。
- 前記半導体装置に装着されるヒートシンクをさらに有することを特徴とする請求項16~請求項24のいずれか一項に記載のモジュール。
- 前記半導体装置とこれに外付けされるディスクリート部品の少なくとも一部は、いずれも前記プリント回路基板の同一面に実装されていることを特徴とする請求項16に記載のモジュール。
- 前記プリント回路基板の同一面に実装された前記半導体装置及び前記ディスクリート部品の双方に共通して装着されるヒートシンクをさらに有することを特徴とする請求項26に記載のモジュール。
- バッテリ電圧から昇圧電圧を生成して前記パワー電源端子に供給する昇圧回路をさらに有することを特徴とする請求項16~請求項27のいずれか一項に記載のモジュール。
- 前記負荷は、発光ダイオードであることを特徴とする請求項16~請求項28のいずれか一項に記載のモジュール。
Applications Claiming Priority (2)
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---|---|---|---|
JP2019147638 | 2019-08-09 | ||
PCT/JP2020/030189 WO2021029321A1 (ja) | 2019-08-09 | 2020-08-06 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2021029321A1 JPWO2021029321A1 (ja) | 2021-02-18 |
JPWO2021029321A5 true JPWO2021029321A5 (ja) | 2022-04-25 |
Family
ID=74569370
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021539248A Pending JPWO2021029321A1 (ja) | 2019-08-09 | 2020-08-06 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220319965A1 (ja) |
JP (1) | JPWO2021029321A1 (ja) |
DE (1) | DE112020003807T5 (ja) |
WO (1) | WO2021029321A1 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012143964A1 (ja) * | 2011-04-18 | 2012-10-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びこれを備えたインバータ装置、並びにこれらを備えた車両用回転電機 |
JP2013157550A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-15 | Rohm Co Ltd | パワーモジュール半導体装置およびその製造方法 |
JP6261642B2 (ja) * | 2016-04-04 | 2018-01-17 | 三菱電機株式会社 | 電力半導体装置 |
DE112016007467T5 (de) | 2016-11-22 | 2019-08-14 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitermodul |
JP6640165B2 (ja) * | 2017-09-29 | 2020-02-05 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
JP6366806B1 (ja) * | 2017-10-25 | 2018-08-01 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
-
2020
- 2020-08-06 WO PCT/JP2020/030189 patent/WO2021029321A1/ja active Application Filing
- 2020-08-06 US US17/633,680 patent/US20220319965A1/en active Pending
- 2020-08-06 DE DE112020003807.6T patent/DE112020003807T5/de active Pending
- 2020-08-06 JP JP2021539248A patent/JPWO2021029321A1/ja active Pending
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