JPWO2021014890A1 - 接触力センサ及び接触力センサを備えた装置 - Google Patents

接触力センサ及び接触力センサを備えた装置 Download PDF

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Abstract

精度及び感度が高く、強度を確保できる接触力センサ及び接触力センサを備えた装置を提供する。半導体材料を加工することによって作製されるセンサ本体(2)を有し、前記センサ本体(2)は、リング状部(21)と、前記リング状部(21)の略中央に形成された中央部(22)と、前記中央部(22)から外側に向かって前記リング状部(21)に連結されたスポーク部(23)と、前記スポーク部(23)の前面側及び背面側の相対向する位置に配設され、前記スポーク部(23)の変位を電気信号に変換する応力電気変換素子(5)と、を具備している。

Description

本発明は、医療機器の分野において用いるのに適する接触力センサ及び接触力センサを備えた装置に関する。
従来、例えば、心房の不整脈の治療のためにアブレーションカテーテルが用いられている。このようなアブレーションカテーテルを用いるアブレーション治療にあたっては、心臓の内壁の異常な部位にアブレーションカテーテルの電極を接触させて、高周波電流を流し焼灼する。
このため、先端部に電極の接触力を感知する接触力センサが設けられたカテーテルが知られている(特許文献1及び特許文献2参照)。
しかしながら、特許文献1に示されたものは、センサ(歪みゲージ)を接着剤によってアーム上に取り付ける構成であり、センサの取り付け位置にばらつきが生じやすく、センサの出力を調整するのが困難となる問題が発生する。また、接着剤が介在した取り付け構成のため、センサの感度が低くなるという課題も生じる。
また、特許文献2に示されたものは、第1のセンサ構成体と第2のセンサ構成体とを、センサ及びリード線を挟むようにして半田付けによって接合する構成のため、第1のセンサ構成体と第2のセンサ構成体との位置がずれる虞がある。また、半田付けによる接合のため、強度的に十分ではないという課題が生じる。
特許第5913812号公報 特許第5697186号公報
本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、精度及び感度が高く、強度を確保できる接触力センサ及び接触力センサを備えた装置を提供することを目的とする。
本発明の実施形態は、接触力センサにおいて、半導体材料を加工することによって作製されるセンサ本体を有し、前記センサ本体は、リング状部と、前記リング状部の略中央に形成された中央部と、前記中央部から外側に向かって前記リング状部に連結されたスポーク部と、前記スポーク部の前面側及び背面側の相対向する位置に配設され、前記スポーク部の変位を電気信号に変換する応力電気変換素子と、を具備することを特徴とする。
かかる構成により、精度及び感度が高く、強度を確保することが可能となる。
また、接触力センサを備えた装置は、前記接触力センサが備えられていることを特徴とする。
接触力センサは、医療機器等の装置に好適に用いられるが、これに限るものではない。小型化を必要とする各種装置へ適用することができ、格別適用される装置が限定されるものではない。
本発明の実施形態によれば、精度及び感度が高く、強度を確保できる接触力センサ及び接触力センサを備えた装置を提供することができる。
本発明の実施形態に係る接触力センサを適用したカテーテルを示す平面図及びカテーテルの先端部における概略を説明するための断面図である。 同接触力センサにおけるセンサ本体の前面側を示す平面図である。 同接触力センサを分解して示す斜視図である。 同接触力センサにおけるセンサ本体の前面側を示す平面図である。 同接触力センサにおけるセンサ本体の背面側を示す平面図である。 図4中、A−A´線に沿う断面図である。 図4中、B−B´線に沿う断面図である。 図4中、C−C´線に沿う断面図である。 接触力センサにおけるセンサ本体の結線関係を説明するための実体的な説明図である。 応力電気変換素子の接続状態を示すブリッジ回路図である。
以下、本発明の実施形態に係る接触力センサについて図1乃至図10を参照して説明する。図1は、接触力センサを適用したカテーテルの概要を示す平面図及びカテーテルの先端部を説明するための断面図であり、図2は、接触力センサを示す斜視図であり、図3は、接触力センサを分解して示す斜視図である。図4は、接触力センサにおけるセンサ本体の前面側を示す平面図であり、図5は、同センサ本体の背面側を示す平面図である。図6は、図4中、A−A´線に沿う断面図、図7は、図4中、B−B´線に沿う断面図、図8は、図4中、C−C´線に沿う断面図である。また、図9は、接触力センサにおけるセンサ本体の結線関係を説明するための実体的な説明図であり、図10は、応力電気変換素子の接続状態を示すブリッジ回路図である。なお、各図では、各部材を認識可能な大きさとするために、各部材の縮尺を適宜変更している。また、カテーテルの先端側を前面側、後端側を背面側と表現する場合がある。
本実施形態の接触力センサは、アブレーションカテーテルに組み込まれ、アブレーション治療のために、心臓の内壁の異常な部位へのアブレーションカテーテルの電極の接触力を測定することにより、診療に応用するものを例示している。
図1に示すように、カテーテル10はアブレーションカテーテルであり、制御ハンドル11と、この制御ハンドル11の一端側から導出されたシャフト12を備えている。また、制御ハンドル11には、偏向部材13が設けられており、シャフト12の先端部12aには、先端電極14が設けられている。さらに、シャフト12の先端部12aにおけるシャフト12内には接触力センサ1が配設されている。
制御ハンドル11に設けられた偏向部材13は、シャフト12の先端部12aを偏向移動操作するための部材であり、シャフト12内に配設された図示しない操作ワイヤを引っ張ることによって、シャフト12の先端部12aを二方向に偏向移動させるものである。
制御ハンドル11の後部からは、高周波発生装置やコントローラに接続されるケーブル15や流体源に接続される灌注チューブ16が導出されている。高周波発生装置は、先端電極14に接続されていて、先端電極14に高周波エネルギーを供給するものである。また、コントローラは、電気的な出力信号や入力信号を制御し、先端電極14への高周波通電の状態を制御したり、接触力センサ1からの出力信号を受信して接触力を測定したりする機能を有している。
シャフト12は、長尺状であって管腔が形成されていて、適度の剛性と可撓性を有している。また、管腔内には、中空状のリード線挿通チューブ17、18が長手方向に沿って配設されている。シャフト12の外径寸法は、8フレンチ以下であり、長さ寸法は、900mm〜1100mmに形成されている。
また、先端電極14は、砲弾型に形成されていて、シャフト12の先端部12aに固定されている。先端電極14は、背面側に円筒状の凹部14aを有している。この凹部14aには、接触力センサ1が連結される。さらに、先端電極14の背面側には、電極リード線14bが接続されている。この電極リード線14bは、リード線挿通チューブ18を挿通して高周波発生装置に接続される。つまり、先端電極14は、高周波発生装置に電気的に接続され、先端電極14には、高周波発生装置から高周波エネルギーが供給されるようになっている。
先端電極14の外径寸法は、シャフト12の外径寸法と略同等であることが好ましく、8フレンチ以下に形成されている。また、先端電極14を構成する材料としては、例えば、白金、金、ステンレス、チタン合金などの熱伝導性が良好な金属材料を用いることができる。
なお、先端電極14には、灌注チューブ16から搬送される生理食塩水などの流体を外部に送出するための図示しない流路が形成されている。
このようなカテーテル10において、先端電極14が心臓の内壁の異常な部位に接触すると、この接触によって先端電極14に加わる応力が接触力センサ1に伝えられて、接触力を測定することができる。
次に、図2及び図3を参照して接触力センサ1について詳細に説明する。
接触力センサ1は、半導体加工プロセスを用いるMEMS(Micro Electro Mechanical System)技術によってシリコン半導体材料から作製されている。接触力センサ1は、センサ本体2と、保持体3と、接触力伝達体4とを備えている。
センサ本体2は、全体的には略短円筒状であり、リング状部21と、リング状部21の略中央に形成された中央部22と、中央部22から外側に向かってリング状部21に連結されたスポーク部23と、スポーク部23に配設されて形成された応力電気変換素子5とを有している。
リング状部21は、センサ本体2の外郭を形成する円筒状の部分である。このリング状部21の内側であって、略中央にはリング状部21より径の小さいリング状の中央部22が形成されている。換言すれば、中央部22には前背方向に開口22aが形成されている。
スポーク部23は、中央部22の外壁側からリング状部21の内壁側に亘って半径方向に形成されている。また、スポーク部23の中間部の両側、具体的には、前記半径方向と交差する周方向上の両側に膨出部23aが形成されるようになっている。スポーク部23は、複数形成されていて、具体的には中央部22を中心とする円周上に、それぞれ90度の間隔を空けて放射状に4つ形成されている。
図4及び図5を併せて参照して示すように、応力電気変換素子5は、スポーク部23の前面側及び背面側の両面に形成されている。説明上、応力電気変換素子5を実線で示しているが、実際には、応力電気変換素子5は、センサ本体2に一体的に内蔵されるように形成されている。応力電気変換素子5は、スポーク部23の変位を電気信号に変換するものであり、ひずみが印加されるとその変位により電気抵抗が変化するひずみゲージの機能を有するピエゾ抵抗素子である。
このピエゾ抵抗素子(S1-a,S1-b)、(S2-a,S2-b)、(S3-a,S3-b)、(S4-a,S4-b)がスポーク部23の一面側、具体的には前面側であって各スポーク部23の中心側と外周側とに配置されている。つまり、ピエゾ抵抗素子(S1-a,S1-b)、(S2-a,S2-b)、(S3-a,S3-b)、(S4-a,S4-b)は、各スポーク部23に一対ずつ配置されている。また、ピエゾ抵抗素子(S1-a,S1-b)、(S2-a,S2-b)、(S3-a,S3-b)、(S4-a,S4-b)が配置されたスポーク部23の膨出部23aには、電極7が形成されるようになっている。この電極7が電源側と電気的に接続される。
さらに、前面側には、導電層である配線パターン6が形成されていて、内周側には、リング状の内側配線パターン61が形成されており、外周側には、同様にリング状の外側配線パターン62が形成されている。
また、スポーク部23の他面側、具体的には背面側の構成は、基本的には前面側と同様である。各スポーク部23の中心側と外周側に、前述した前面側と同様に、ピエゾ抵抗素子(S1-c,S1-d)、(S2-c,S2-d)、(S3-c,S3-d)、(S4-c,S4-d)が一対ずつ配置されている。また、スポーク部23の膨出部23aには、電極7が形成されるようになっている。加えて、同様に配線パターン6が形成されている。
このような応力電気変換素子5は、スポーク部23の前面側及び背面側の相対向する位置に配設されている。例えば、前面側のピエゾ抵抗素子(S1-a,S1-b)と背面側のピエゾ抵抗素子(S1-c,S1-d)とを代表例としてその配置関係を説明すると、ピエゾ抵抗素子(S1-a)と(S1-c)とが相対向する位置に配設され、ピエゾ抵抗素子(S1-b )と(S1-d)とが相対向する位置に配設されるようになる。また、電極7も前面側及び背面側の相対向する位置に配設されている。
以上の配置関係において、図4に示すように、前面側のピエゾ抵抗素子(S1-a)とピエゾ抵抗素子(S1-b )とは、配線パターン6を介して接続されており、ピエゾ抵抗素子(S1-a)とピエゾ抵抗素子(S1-b )との間には電極7が接続されている。さらに、ピエゾ抵抗素子(S1-a)は、内側配線パターン61に接続され、ピエゾ抵抗素子(S1-b)は、外側配線パターン62に接続されている。
このようなピエゾ抵抗素子(S1-a,S1-b)、(S2-a,S2-b)、(S3-a,S3-b)、(S4-a,S4-b)の接続関係によれば、ピエゾ抵抗素子(S1-a,S1-b)、(S2-a,S2-b)、(S3-a,S3-b)、(S4-a,S4-b)は、内側配線パターン61及び外側配線パターン62に共通に接続されるので、リード線を少なくして配線を簡素化することが可能となる。また、図5に示すように、背面側のピエゾ抵抗素子(S1-c,S1-d)、(S2-c,S2-d)、(S3-c,S3-d)、(S4-c,S4-d)についても同様な接続関係となっている。
次に、図6乃至図8を参照して電極とリード線との接続構成について説明する。
センサ本体2には、一面側(前面側)から他面側(背面側)へ向かって貫通孔24が形成されている。貫通孔24は、応力電気変換素子5に電気的に接続されるリード線9が通る孔であり、前面側及び背面側に配設される相対向する電極7間に形成されている。
したがって、貫通孔24は、平面的には図4及び図5に示すように、各ピエゾ抵抗素子(S1-a,S1-b)及び(S1-c,S1-d)、(S2-a,S2-b)及び(S2-c,S2-d)、(S3-a,S3-b)及び(S3-c,S3-d)、(S4-a,S4-b)及び(S4-c,S4-d)の両側、詳しくは半径方向と交差する周方向上の両側に位置して形成されている。また、電源ラインに接続するための貫通孔24aが半径方向に対向して形成されている。具体的には、ピエゾ抵抗素子の両側に形成される貫通孔24が8つ、電源ラインに接続するための貫通孔24aが2つ、合計10個の貫通孔24、24aが形成されている。
貫通孔24の径寸法は、φ40μm〜φ60μm程度が好ましく、本実施形態ではφ50μmに形成されている。
センサ本体2の前面側及び背面側の表面には、導電層として配線パターン6が拡散により形成されている。この導電層は、応力電気変換素子5と電気的に接続されている。
また、貫通孔24の内壁には絶縁層8が形成されていて、その内壁が絶縁層8によって被覆されている。したがって、貫通孔24内は絶縁性が確保された状態となっている。この絶縁層8は、センサ本体2の前面側及び背面側にも延出して形成されている。センサ本体2の前面側及び背面側の絶縁層8にあっては、配線パターン6とリード線9とを電極7を介して電気的に接続するため、導電層として配線パターン6の一部が露出するように配線パターン6を被覆している。なお、絶縁層8は、例えば、二酸化ケイ素の材料から形成されており、厚さ寸法は1μm〜2μmである。
また、貫通孔24の前面側及び背面側の周囲であって、絶縁層8の上には電極層7aがスパッタリング法等の薄膜形成技術によって成膜されている。電極層7aは、一部が露出した部位の配線パターン6に接続され、貫通孔24の内壁側へ僅かに延出して形成されている。電極層7aを形成する材料には、例えば、チタン/銅(Ti/Cu)、アルミニウム・シリコン合金(Al・Si)及びがチタン/タングステン(Ti/W)などが用いられている。三層構造の電極層の場合、チタン/銅/金(Ti/Cu/Au)などがある。
電極7は、リード線9を応力電気変換素子5に電気的に接続するものであり、本実施形態の電極7は、半田めっきのろう材によって構成されている。ろう材としては、例えば、低融点金属の錫(Sn)(融点231.1℃)が用いられている。また、下地めっきには、ニッケル(Ni)が用いられている。なお、ろう材としては、低融点金属のインジウム(In)(融点156.6℃)及び一般的な半田材料を用いることができる。
リード線9は、導体芯線が銅銀合金(Cu−Ag)線から形成された絶縁被覆電線であり、屈曲強度、引張強度が大であり、一般的な導体芯線が銅(Cu)の場合に比較して強度を大幅に改善できるものである。特に銀含有量を3%から15%にすると強度が大幅に向上することが知られている。リード線9は、フッ素樹脂であるパーフルオロアルコキシアルカン(PFA)樹脂の絶縁被覆91を有しており、この絶縁被覆91が剥離され除去された裸の導体芯線部92がセンサ本体2の貫通孔24を通るように導入されていて、先端部は折曲されることなく直線状となっている。
このリード線9の導体芯線部92は、電極層7aに直接的に接触することを妨げるものではないが、電極層7aに直接的に接触することなく、電極7としてのろう材を介して接合されており、このろう材が電極層7aに接合され、配線パターン6、応力電気変換素子5へと接続されている。また、電極7は、貫通孔24の内部の一部分に入り込んで侵入部7bを形成している。このようなリード線9は、センサ本体2の背面側へ導出されており、末端部が制御ハンドル11に接続されている。なお、リード線3の導体芯線部92の径寸法は、φ15μm〜φ30μm程度のものを用いるのが好ましく、本実施形態ではφ25μmのものを用いている。したがって、貫通孔24を通過している導体芯線部92の外周と、貫通孔24の内壁との間には、10μm程度の間隙が形成されるようになる。
また、センサ本体2の背面側から導出されたリード線9は、その導出部分を例えば、エポキシ樹脂等の接着剤で固着するようにしてもよい。
さらに、センサ本体2の外表面及び前記接着剤によって固着された部分の外表面は、防水性、絶縁性及び柔軟性を確保するために可撓性を有する絶縁材料によって絶縁被覆するのが好ましい。この場合、パリレン(登録商標)やシリコーンのコーティング材を好適に用いることができる。なお、絶縁被覆の厚さ寸法は2μm〜3μmとなる。
医療機器であるカテーテル等に用いられる機器では、これらが生体内に露出する危険性が高い場合、使用する材料について生体適合性を考慮した材料で構成することが求められている。少なくともセンサ本体2の外表面をパリレン(登録商標)でコーティングすることにより、また、リード線9は、フッ素樹脂で絶縁被覆91されており、加えて、センサ本体2はシリコン材料が用いられている。これらの材料は生体適合性を有することが確認されており、安全性を確保することができる。
以上のような構成によれば、貫通孔24の内壁には絶縁層8が形成されているので、絶縁被覆91が剥離された裸の導体芯線部92について絶縁性を確保して貫通孔24を通すことができる。したがって、貫通孔24の大きさが極めて小径であるという制限がある中で、絶縁被覆91が剥離されて除去されているので、その分、導体芯線の径が大きな太いリード線9を用いることができる。つまり、貫通孔24の孔径に近い芯線の太いリード線9を用いることが可能となり、引張強度を大きくして信頼性を向上することができる。
リード線9の導体芯線部92を太くできるので、導体芯線部92を貫通孔24に挿入して通した後、電極7としての半田めっきのろう材を溶融することにより、リード線9を電極層7aに接合することができ、接合工程が容易となる。
また、電極7は、貫通孔24の内部に入り込んで侵入部7bを形成しているので、リード線9の接続状態が確実となり、リード線9の接続外れを防止できる。
さらに、リード線9における導体芯線部92の先端部は折曲されることなく直線状になっていて、半田めっきによって電極7が形成されるので、センサ本体2の一面側への突出量を少なくすることができる。また、半田めっきによるろう材の量を少なくすることができ、センサ本体2のスポーク部23にかかる応力を軽減することができる。
再び、図2及び図3を参照して接触力センサ1について説明する。
前述のセンサ本体2は、ベース部材としての保持体3に接着やウエハ接合などにより取り付けられ、また、センサ本体2の前面側には接触力伝達体4が接着やウエハ接合などにより取り付けられて設けられている。
保持体3は、センサ本体2を保持するものであり、中央部が空洞状の略円筒状であり、センサ本体2の外径寸法と略同じ外径寸法で形成されている。また、前面側には一対の爪状部31が形成されていて、保持体3にセンサ本体2を結合した場合にセンサ本体2を支持するようになっている。
接触力伝達体4は、中央部には前背方向に挿通孔4aが形成されていて、小径部41及び大径部42からなる2段状の部材である。この小径部41がセンサ本体2の中央部22の開口22aに嵌合し、大径部42の背面側が中央部22に載置されるように配置されてセンサ本体2に結合される。
また、センサ本体2の外径寸法はφ2.2mm、厚さ寸法は0.20mm、保持体3の外径寸法はφ2.2mm、厚さ寸法は0.35mm、接触力伝達体4の外径寸法はφ1.3mm、厚さ寸法は0.35mm、挿通孔4aの寸法はφ0.4mmに形成されている。なお、センサ本体2、保持体3及び接触力伝達体4の前記各寸法の±20%の範囲で形成するのが望ましい。
次に、図9及び図10を参照して応力電気変換素子(ピエゾ抵抗素子)5の電気的な接続状態について説明する。図9は結線関係を説明するための実体的かつ模式的な説明図であり、センサ本体2の前面側及び背面側、リード線9の接続状態を示している。なお、センサ本体2における背面側のピエゾ抵抗素子や配線パターン6は、前面側から背面側を透視的に見た状態を示している。
前面側のピエゾ抵抗素子(S1-a,S1-b)と背面側のピエゾ抵抗素子(S1-c,S1-d)とを代表例として説明する。図9に示すように前面側のピエゾ抵抗素子(S1-a)及び(S1-b)の中間に接続された電極71a(図示上、右側)に接続されたリード線9は、背面側の電極72a(図示上、右側)に接続されて導出されている。また、前面側の電極71b(図示上、左側)に接続されたリード線9は、背面側の電極72b(図示上、左側)に接続されて導出されている。そして、このリード線9間の電圧を出力電圧Vとして検出する。なお、電極71b及び電極72aは、ピエゾ抵抗素子とは電気的に接続されない絶縁された電極となっている。なお、ピエゾ抵抗素子(S2-a,S2-b)、(S3-a,S3-b)、(S4-a,S4-b)、(S2-c,S2-d)、(S3-c,S3-d)、(S4-c,S4-d)についても同様な接続関係となっている。
また、前面側には電源ラインに接続するための電極73a、73bが形成され、背面側には、同様に電源ラインに接続するための電極74a、74bが形成されている。電極73aに接続されたリード線9は、背面側の電極74aに接続されて導出されている。前面側の電極73bに接続されたリード線9は、背面側の電極74bに接続されて導出されている。そして、このリード線9間には電源Eが接続されるようになっている。なお、電極73a、74aは外側配線パターン62に接続されており、電極73b、74bは内側配線パターン61に接続されている。
図10に示すように、ピエゾ抵抗素子(S1-a,S1-b)及び(S1-c,S1-d)の4つの素子でブリッジ回路(フルブリッジ回路)を構成して出力電圧Vを検出する。同様に、ピエゾ抵抗素子(S2-a,S2-b)及び(S2-c,S2-d)の4つの素子でフルブリッジ回路を構成して出力電圧Vを検出し、ピエゾ抵抗素子(S3-a,S3-b)及び(S3-c,S3-d)の4つの素子でフルブリッジ回路を構成して出力電圧Vを検出し、ピエゾ抵抗素子(S4-a,S4-b)及び(S4-c,S4-d)の4つの素子でフルブリッジ回路を構成して出力電圧Vを検出する。これら4つフルブリッジ回路が並列に接続されている。出力電圧は、ピエゾ抵抗素子にひずみが印加されることに伴い出力され、出力電圧はコントローラへ送信されて演算処理されるようになっている。
以上のように1つのスポーク部23の前面側及び背面側の両面における相対向する位置にそれぞれ2つ形成された合計4つの応力電気変換素子5によりフルブリッジ回路が構成されるようになる。
続いて、上記カテーテル10を用いたアブレーション治療の方法について説明する。アブレーション治療では、予めマッピングにより心臓の異常な部位を特定しておき、その後、心臓の内壁組織の異常な部位を焼灼して凝固壊死させる。
カテーテル10による異常な部位の焼灼にあたっては、カテーテル10を主に足の付け根にある大腿静脈又は大腿動脈から挿通して、カテーテル10の先端をレントゲン撮影で透視しながら心臓内まで到達させる。そして、制御ハンドル11を操作して心臓の内壁組織の異常な部位にカテーテル10の先端電極14を接触させて、先端電極14と患者の背中に位置する対極板との間に例えば、13.56MHzの高周波電流を高周波発生装置から流し異常な部位を焼灼する。
この場合、カテーテル10には、接触力センサ1が設けられているので、心臓の内壁組織に接触する先端電極14の接触力(応力)を検出することができる。具体的には、接触力センサ1に形成された応力電気変換素子(ピエゾ抵抗素子)5は、微小なひずみに反応し、ひずみが印可されることにより電気抵抗が変化する。
先端電極14に接触力が加わると、その接触力は接触力伝達体4、スポーク部23を介して直接的に応力電気変換素子(ピエゾ抵抗素子)5に伝達される。そして、応力電気変換素子(ピエゾ抵抗素子)5は、三次元的に圧縮/伸張のひずみを感知する。
例えば、スポーク部23にある方向から応力が加わった場合、ピエゾ抵抗素子が圧縮される場合は抵抗値が減少し、ピエゾ抵抗素子が伸張される場合は抵抗値が増大する。
したがって、図10に示すブリッジ回路による出力電圧V、V、V及びVによる三次元的な差動出力をコントローラで検出して接触力を測定することができる。このように接触力を測定することにより、アブレーション治療の診療に応用することができる。
以上のように本実施形態の構成によれば、精度及び感度が高く、強度を確保できる接触力センサを実現することができる。
なお、接触力伝達体4には、挿通孔4aが形成されているが、この挿通孔4aの内壁には温度センサや圧力センサ等の物理量センサを配置して設けるようにしてもよい。これにより、接触力に加えて温度や圧力等の物理量を検知することができる。さらに、挿通孔4aには、灌注チューブ16から搬送される流体を送出するための流路部材を挿通させるようにしてもよい。したがって、接触力伝達体4に形成された挿通孔4aの活用は格別限定されるものではなく、適宜有効に機能させることができる。
さらに、例えば、上記実施形態における接触力伝達体は設けることが好ましいが、必ずしも必要ではない。センサ本体で直接的に接触力を感知するようにしてもよい。
また、上記接触力センサは、医療機器としてのアブレーションカテーテルやガイディングカテーテル等の装置に好適に用いられるが、これに限るものではない。医療機器の分野にのみならず接触力センサを備え、小型化を必要とする各種装置への適用を妨げるものではない。格別適用される装置が限定されるものではない。
本発明は、上記実施形態の構成に限定されることなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。また、上記実施形態は、一例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1・・・・接触力センサ
2・・・・センサ本体
21・・・リング状部
22・・・中央部
22a・・開口
23・・・スポーク部
23a・・膨出部
24・・・貫通孔
3・・・・保持体
4・・・・接触力伝達体
4a・・・挿通孔
5・・・・応力電気変換素子(ピエゾ抵抗素子)
6・・・・配線パターン
61・・・内側配線パターン
62・・・外側配線パターン
7・・・・電極
7a・・・電極層
7b・・・侵入部
8・・・・絶縁層
9・・・・リード線
91・・・絶縁被覆
92・・・導体芯線部
10・・・カテーテル
11・・・制御ハンドル
12・・・シャフト
13・・・偏向部材
14・・・先端電極
S1-a〜S4-d・・・ピエゾ抵抗素子
本発明の実施形態は、接触力センサにおいて、半導体材料を加工することによって作製されるセンサ本体を有し、前記センサ本体は、リング状部と、前記リング状部の略中央に形成された中央部と、前記中央部から外側に向かって前記リング状部に連結されたスポーク部と、前記スポーク部の前面側及び背面側の相対向する位置に一体的に内蔵するように形成され、前記スポーク部の変位を電気信号に変換する応力電気変換素子と、を具備することを特徴とする。
かかる構成により、精度及び感度が高く、強度を確保することが可能となる。
また、接触力センサを備えた装置は、前記接触力センサが備えられていることを特徴とする。

Claims (24)

  1. 半導体材料を加工することによって作製されるセンサ本体を有し、
    前記センサ本体は、リング状部と、前記リング状部の略中央に形成された中央部と、前記中央部から外側に向かって前記リング状部に連結されたスポーク部と、前記スポーク部の前面側及び背面側の相対向する位置に配設され、前記スポーク部の変位を電気信号に変換する応力電気変換素子と、を具備することを特徴とする接触力センサ。
  2. 前記スポーク部の前面側及び背面側には、それぞれ2つの応力電気変換素子が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の接触力センサ。
  3. 前記応力電気変換素子は、前記スポーク部の中心側と外周側に配置されていることを特徴とする請求項2に記載の接触力センサ。
  4. 前記スポーク部に配設された応力電気変換素子の両側の周方向上には、電極が形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の接触力センサ。
  5. 前記スポーク部は、複数形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の接触力センサ。
  6. 前記センサ本体には、複数の応力電気変換素子を共通に接続する配線パターンが形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の接触力センサ。
  7. 前記センサ本体の中央部には開口が形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の接触力センサ。
  8. 前記センサ本体を保持する保持体を備えていることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の接触力センサ。
  9. 前記センサ本体には、接触力伝達体が設けられていることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の接触力センサ。
  10. 前記接触力伝達体には、挿通孔が形成されていることを特徴とする請求項9に記載の接触力センサ。
  11. 前記挿通孔には、物理量センサが配置されていることを特徴とする請求項10に記載の接触力センサ。
  12. 前記応力電気変換素子は、ブリッジ接続されてブリッジ回路が構成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項11のいずれか一項に記載の接触力センサ。
  13. 前記センサ本体は、一面側から他面側へ向かって形成され前記応力電気変換素子に電気的に接続されるリード線が通る貫通孔を有し、前記貫通孔の内壁には絶縁層が形成されていること特徴とする請求項1乃至請求項12のいずれか一項に記載の接触力センサ。
  14. 前記貫通孔には、前記応力電気変換素子に電気的に接続されるリード線における絶縁被覆が除去された導体芯線部が通っていることを特徴とする請求項13に記載の接触力センサ。
  15. 前記応力電気変換素子に電気的に接続されるリード線は、ろう材により構成された電極によって接続されていることを特徴とする請求項13又は請求項14に記載の接触力センサ。
  16. 前記電極は、低融点金属であることを特徴とする請求項15に記載の接触力センサ。
  17. 前記電極は、貫通孔の内部に入り込んで侵入部が形成されていることを特徴とする請求項15又は請求項16に記載の接触力センサ。
  18. 前記貫通孔を通る導体芯線部の先端部は、直線状であることを特徴とする請求項14乃至請求項17のいずれか一項に記載の接触力センサ。
  19. 前記リード線における導体芯線は、銅銀合金線から形成されていることを特徴とする請求項14乃至請求項18のいずれか一項に記載の接触力センサ。
  20. 前記貫通孔の周囲及び前記貫通孔の内壁側へ延出して電極層が形成されていることを特徴とする請求項13乃至請求項19のいずれか一項に記載の接触力センサ。
  21. 前記センサ本体の外表面は、絶縁被覆されていることを特徴とする請求項1乃至請求項20のいずれか一項に記載の接触力センサ。
  22. 前記絶縁被覆は、可撓性を有していることを特徴とする請求項21に記載の接触力センサ。
  23. 前記絶縁被覆には、生体適合性を有する材料が用いられていることを特徴とする請求項21又は請求項22に記載の接触力センサ。
  24. 請求項1乃至請求項23のいずれか一項に記載された接触力センサが備えられていることを特徴とする接触力センサを備えた装置。
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