JPWO2020242799A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JPWO2020242799A5
JPWO2020242799A5 JP2021569407A JP2021569407A JPWO2020242799A5 JP WO2020242799 A5 JPWO2020242799 A5 JP WO2020242799A5 JP 2021569407 A JP2021569407 A JP 2021569407A JP 2021569407 A JP2021569407 A JP 2021569407A JP WO2020242799 A5 JPWO2020242799 A5 JP WO2020242799A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing chamber
spacer
resonant cavity
coupled
substrate support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2021569407A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022534885A (ja
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/US2020/033377 external-priority patent/WO2020242799A1/en
Publication of JP2022534885A publication Critical patent/JP2022534885A/ja
Publication of JPWO2020242799A5 publication Critical patent/JPWO2020242799A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Claims (20)

  1. 処理チャンバであって、
    リッドアセンブリ;
    スペーサによって前記リッドアセンブリに結合されたチャンバ本体であって、前記スペーサ及び前記チャンバ本体が共振キャビティを画成する、チャンバ本体;
    前記共振キャビティの外側の前記スペーサに結合された回転可能な磁気アセンブリ;及び
    前記共振キャビティ内に配置され、移動可能な基板支持体であって、該基板支持体に結合されたアクチュエータの動作に基づいて屈折する設備ケーブルに結合される、基板支持体
    を含む、処理チャンバ。
  2. 前記リッドアセンブリが熱交換器を含む、請求項1に記載の処理チャンバ。
  3. 前記スペーサがまた、複数のヒータ素子含む、請求項1に記載の処理チャンバ。
  4. 前記スペーサが、前記共振キャビティを取り囲むライナを含む、請求項1に記載の処理チャンバ。
  5. 前記ライナが第1の部分及び第2の部分を含み、前記第2の部分が、前記第1の部分の厚さよりも薄い厚さを含む、請求項4に記載の処理チャンバ。
  6. 前記回転可能な磁気アセンブリが、磁気アクチュエータに結合された複数の磁石を含む、請求項1に記載の処理チャンバ。
  7. 前記チャンバ本体に結合された可変圧力システムをさらに含む、請求項1に記載の処理チャンバ。
  8. 前記可変圧力システムが、第1のポンプ及び第2のポンプを含む、請求項7に記載の処理チャンバ。
  9. 前記設備ケーブルが単一片の導体を含む、請求項1に記載の処理チャンバ。
  10. 処理チャンバであって、
    シャワーヘッドを含むリッドアセンブリ;
    スペーサによって前記リッドアセンブリに結合されたチャンバ本体であって、前記スペーサ及び前記チャンバ本体が共振キャビティを画成する、チャンバ本体;
    前記共振キャビティの外側の前記スペーサに結合された磁気アセンブリ;及び
    前記共振キャビティ内に配置された基板支持体であって、設備ケーブルに結合され、かつ、複数の電極を含むパックを有する静電チャックを含む、基板支持体
    を含む、処理チャンバ。
  11. 前記設備ケーブルが単一片の導体を含む、請求項10に記載の処理チャンバ。
  12. 前記スペーサがまた、複数のヒータ素子含む、請求項10に記載の処理チャンバ。
  13. 前記スペーサが、前記共振キャビティを取り囲むライナを含む、請求項10に記載の処理チャンバ。
  14. 前記ライナが第1の部分及び第2の部分を含み、前記第2の部分が、前記第1の部分の厚さよりも薄い厚さを含む、請求項13に記載の処理チャンバ。
  15. 処理チャンバであって、
    シャワーヘッドを含むリッドアセンブリ;
    スペーサによって前記リッドアセンブリに結合されたチャンバ本体であって、前記スペーサ及び前記チャンバ本体が共振キャビティを画成する、チャンバ本体;
    前記共振キャビティの外側の前記スペーサに結合された磁気アセンブリ;及び
    前記共振キャビティ内に移動可能に配置された基板支持体であって、屈曲部を含む単一片の導体を含む設備ケーブルに結合され、かつ、複数の電極を含むパックを有する静電チャックを含む、基板支持体
    を含む、処理チャンバ。
  16. 前記磁気アセンブリが複数の磁石を含み、前記複数の磁石が、前記共振キャビティの高さに対して垂直方向に該磁石の各々を動かすように構成された磁気アクチュエータに結合される、請求項10に記載の処理チャンバ。
  17. 前記スペーサがまた、複数のヒータ要素を含む、請求項15に記載の処理チャンバ。
  18. 前記スペーサが、前記共振キャビティを取り囲むライナを含む、請求項15に記載の処理チャンバ。
  19. 前記ライナが第1の部分及び第2の部分を含み、前記第2の部分が、前記第1の部分の厚さよりも薄い厚さを含む、請求項18に記載の処理チャンバ。
  20. 前記磁気アセンブリが複数の磁石を含み、前記複数の磁石が、前記共振キャビティの高さに対して垂直方向に該磁石の各々を動かすように構成された磁気アクチュエータに結合される、請求項15に記載の処理チャンバ。
JP2021569407A 2019-05-24 2020-05-18 基板処理チャンバ Pending JP2022534885A (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962852723P 2019-05-24 2019-05-24
US62/852,723 2019-05-24
US201962888666P 2019-08-19 2019-08-19
US62/888,666 2019-08-19
PCT/US2020/033377 WO2020242799A1 (en) 2019-05-24 2020-05-18 Substrate processing chamber

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022534885A JP2022534885A (ja) 2022-08-04
JPWO2020242799A5 true JPWO2020242799A5 (ja) 2023-05-25

Family

ID=73457722

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021569407A Pending JP2022534885A (ja) 2019-05-24 2020-05-18 基板処理チャンバ

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11560626B2 (ja)
JP (1) JP2022534885A (ja)
KR (1) KR20220000408A (ja)
CN (1) CN114072898A (ja)
SG (1) SG11202112769WA (ja)
TW (1) TW202106125A (ja)
WO (1) WO2020242799A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11959174B2 (en) 2020-02-28 2024-04-16 Applied Materials, Inc. Shunt door for magnets in plasma process chamber
US11721545B2 (en) 2020-09-28 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Method of using dual frequency RF power in a process chamber
US11421324B2 (en) 2020-10-21 2022-08-23 Applied Materials, Inc. Hardmasks and processes for forming hardmasks by plasma-enhanced chemical vapor deposition
KR102589182B1 (ko) * 2021-08-31 2023-10-16 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 유전체 판 정렬 방법
CN115261820B (zh) * 2022-09-20 2023-01-20 拓荆科技(上海)有限公司 一种反应腔结构及其半导体设备

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69815163T2 (de) 1997-01-24 2004-05-06 Applied Materials, Inc., Santa Clara Verfahren und Vorrichtung zur Abscheidung von Titanschichten
MY132894A (en) 1997-08-25 2007-10-31 Ibm Layered resist system using tunable amorphous carbon film as a bottom layer and methods of fabrication thereof
US20020069970A1 (en) * 2000-03-07 2002-06-13 Applied Materials, Inc. Temperature controlled semiconductor processing chamber liner
US6863835B1 (en) 2000-04-25 2005-03-08 James D. Carducci Magnetic barrier for plasma in chamber exhaust
JP4812991B2 (ja) * 2001-09-20 2011-11-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US6830939B2 (en) 2002-08-28 2004-12-14 Verity Instruments, Inc. System and method for determining endpoint in etch processes using partial least squares discriminant analysis in the time domain of optical emission spectra
KR100988085B1 (ko) 2003-06-24 2010-10-18 삼성전자주식회사 고밀도 플라즈마 처리 장치
JP4513329B2 (ja) * 2004-01-16 2010-07-28 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US20050217799A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Tokyo Electron Limited Wafer heater assembly
US7556718B2 (en) 2004-06-22 2009-07-07 Tokyo Electron Limited Highly ionized PVD with moving magnetic field envelope for uniform coverage of feature structure and wafer
FR2884079B1 (fr) 2005-03-31 2007-09-07 Valeo Equip Electr Moteur Commande d'un transistor mos
JP4997842B2 (ja) * 2005-10-18 2012-08-08 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US20080062609A1 (en) * 2006-08-10 2008-03-13 Shinji Himori Electrostatic chuck device
KR100941070B1 (ko) 2007-05-10 2010-02-09 세메스 주식회사 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치
US20090029067A1 (en) 2007-06-28 2009-01-29 Sciamanna Steven F Method for producing amorphous carbon coatings on external surfaces using diamondoid precursors
US8133819B2 (en) 2008-02-21 2012-03-13 Applied Materials, Inc. Plasma etching carbonaceous layers with sulfur-based etchants
US20110244142A1 (en) 2010-03-30 2011-10-06 Applied Materials, Inc. Nitrogen doped amorphous carbon hardmask
US8361906B2 (en) 2010-05-20 2013-01-29 Applied Materials, Inc. Ultra high selectivity ashable hard mask film
KR20120121340A (ko) 2011-04-26 2012-11-05 삼성전자주식회사 유도결합 플라즈마를 이용한 탄소계 하드 마스크막 제조 방법 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
JP2013021382A (ja) * 2011-07-07 2013-01-31 Toshiba Corp 同軸ケーブル
US9362133B2 (en) 2012-12-14 2016-06-07 Lam Research Corporation Method for forming a mask by etching conformal film on patterned ashable hardmask
WO2014149175A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Applied Materials, Inc. An amorphous carbon deposition process using dual rf bias frequency applications
US20140335700A1 (en) 2013-05-10 2014-11-13 Infineon Technologies Ag Carbon Layers for High Temperature Processes
US9869013B2 (en) * 2014-04-25 2018-01-16 Applied Materials, Inc. Ion assisted deposition top coat of rare-earth oxide
US9520295B2 (en) 2015-02-03 2016-12-13 Lam Research Corporation Metal doping of amorphous carbon and silicon films used as hardmasks in substrate processing systems
US20170040140A1 (en) 2015-08-06 2017-02-09 Seagate Technology Llc Magnet array for plasma-enhanced chemical vapor deposition
US10879041B2 (en) * 2015-09-04 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Method and apparatus of achieving high input impedance without using ferrite materials for RF filter applications in plasma chambers
US10418243B2 (en) 2015-10-09 2019-09-17 Applied Materials, Inc. Ultra-high modulus and etch selectivity boron-carbon hardmask films
US10249495B2 (en) 2016-06-28 2019-04-02 Applied Materials, Inc. Diamond like carbon layer formed by an electron beam plasma process
US20180274100A1 (en) 2017-03-24 2018-09-27 Applied Materials, Inc. Alternating between deposition and treatment of diamond-like carbon
US20180277340A1 (en) 2017-03-24 2018-09-27 Yang Yang Plasma reactor with electron beam of secondary electrons
WO2018226370A1 (en) 2017-06-08 2018-12-13 Applied Materials, Inc. High-density low temperature carbon films for hardmask and other patterning applications
US10954129B2 (en) 2017-06-08 2021-03-23 Applied Materials, Inc. Diamond-like carbon as mandrel
US11043375B2 (en) 2017-08-16 2021-06-22 Applied Materials, Inc. Plasma deposition of carbon hardmask

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6614536B2 (ja) パネルユニット
JP4884673B2 (ja) フラットパネルスパッタリングの二次元マグネトロン走査
US9812303B2 (en) Configurable variable position closed track magnetron
CN109637921B (zh) 多电极电子光学系统
JP6500103B2 (ja) 基板保持装置及び成膜装置
US10777395B2 (en) Processing apparatus and collimator
JP6118267B2 (ja) スパッタリング装置
US10325763B2 (en) Physical vapor deposition processing systems target cooling
KR20190132561A (ko) 적응형 열 교환 방법 및 균일한 열 교환을 위한 시스템
JPWO2020242799A5 (ja)
TWI730548B (zh) 用於光學設備製造的電子束裝置
JP2013511812A5 (ja)
US20140216923A1 (en) Pvd rf dc open/closed loop selectable magnetron
Garriga-Casanovas et al. Toward a common framework for the design of soft robotic manipulators with fluidic actuation
US20090229977A1 (en) Magnet Structure and Cathode Electrode Unit for Magnetron Sputtering System, and Magnetron Sputtering System
CN101542675A (zh) 具有安装在可移动安装件中的电极的离子束加速设备
TW201432837A (zh) 用於基板處理腔室之鰭片式遮盤
WO2019142812A1 (ja) ヒータベース及び処理装置
JP2006219687A (ja) 成膜装置および成膜方法
JP3908678B2 (ja) ウエハ処理方法
JP7253614B2 (ja) マルチカソード堆積システム
JP2004345009A (ja) 微小立体構造マニピュレータ
JP5425616B2 (ja) スパッタ成膜装置および膜の製造方法
US20070157886A1 (en) Substrate support assembly with thermal isolating plate
JP6356903B2 (ja) 精密駆動装置