JPWO2020236908A5 - - Google Patents
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本明細書において開示される組成物から形成された複合層は、架橋ネットワークの形成により熱硬化性の特徴を示すことができる。架橋ネットワークの重合の間に、フィルムが軟化し始め、それにつれて最小溶融粘度になり、かつ架橋剤が分子量を上げ始める前の粘度及び温度を求め、対応する温度での組成物の最小溶融粘度とすることができる。組成物は、平行板の振動レオロジーを使用して毎分5℃の昇温で求めて80キロポアズ(kP)以上、又は80~700kPの最小溶融粘度を有することができる。
前述の組成物に由来する複合層は、80キロポアズ以上、又は80~700キロポアズの最小溶融粘度;1センチメートル当たり0.54キログラム以上の銅に対する剥離強度;摂氏150~250度で摂氏温度当たり95百万分率以下、又は摂氏温度当たり90百万分率以下のz-方向の平均熱膨張率;10ギガヘルツで2.5~3.5の誘電率;及び10ギガヘルツで0.0030以下、又は0.0021以下、又は0.001~0.0025の誘電損失を有することができる。低プロフィル銅層等の導電層の低プロフィル側に接着した複合層を含む多層物品が開示される。
実施例において、最小溶融粘度(MMV)は、毎分5℃の昇温で平行板の振動レオロジーを使用して求めた。フィルムが軟化し始め、それにつれて最小溶融粘度になり、かつ架橋剤が分子量を上げ始める前の粘度及び温度を最小溶融粘度及び対応する温度とすることができる。最小溶融粘度の単位はキロポアズ(kP)で示す。
態様17:以下の性質の1つ又は複数を有する態様16に記載の複合層。組成物は、80kP以上又は80~700kPの最小溶融粘度を有することができる。複合層は、0.54kg/cm以上の銅に対する剥離強度を有することができる。複合層は、150~250℃において95ppm/℃以下、又は90ppm/℃以下のz-方向の平均熱膨張率を有することができる。複合層は、10GHzで2.5~3.5の誘電率を有することができる。複合層は、10GHzで0.0030以下、又は0.0021以下、又は0.001~0.0025の誘電損失を有することができる。
Claims (24)
- アルファ-オレフィン及びC4~30シクロアルケンに由来する繰り返し単位を含むヒドロカルビル熱可塑性ポリマー;
フリーラジカル架橋性であって架橋ネットワークを生成する反応性モノマー;
フリーラジカル供給源;並びに
架橋ネットワークに化学的にカップリングすることができる官能化石英ガラス(fused silica)を含む組成物。 - ヒドロカルビル熱可塑性ポリマーが、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロデセン、ノルボルネン、又はアルキル若しくはアリール置換ノルボルネン(5-メチル-2-ノルボルネン、5-ヘキシル-2-ノルボルネン、5-フェニル-2-ノルボルネン、5-エチル-2-ノルボルネン、4,5-ジメチル-2-ノルボルネン、エキソ-1,4,4a,9,9a,10-ヘキサヒドロ-9,10(1',2')-ベンゼノ-l,4-メタノアントラセン、エキソ-ジヒドロジシクロペンタジエン、又はエンド,エキソ-テトラシクロドデセン等)の少なくとも1つに由来する繰り返し単位を含む、請求項1に記載の組成物。
- C4~30シクロアルケン繰り返し単位のアルファ-オレフィン繰り返し単位に対するモル比が、6:1~0.5:1又は6:1~1.5:1.0である、請求項1から3のいずれか一項に記載の組成物。
- ヒドロカルビル熱可塑性ポリマーの重量平均分子量が、ポリスチレン標準に対して1モル当たり500~105,000グラムである、請求項1から4のいずれか一項に記載の組成物。
- 組成物の総体積に対して10~90体積パーセント、又は25~75体積パーセント、又は30~50体積パーセントのヒドロカルビル熱可塑性ポリマーを含む、請求項1から5のいずれか一項に記載の組成物。
- 反応性モノマーが(イソ)シアヌル酸トリアリルを含む、請求項1から6のいずれか一項に記載の組成物。
- 組成物の総体積に対して1~35体積パーセント、又は5~25体積パーセント、又は5~15体積パーセントの反応性モノマーを含む、請求項1から7のいずれか一項に記載の組成物。
- フリーラジカル供給源が、過酸化ジクミル、ジメチルジフェニルヘキサン、メチルエチルケトンペルオキシド、シクロヘキサノンペルオキシド、1,1-ビス(t-ブチルペルオキシ)-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン、2,2-ビス(t-ブチルペルオキシ)ブタン)、t-ブチルヒドロペルオキシド、2,5-ジメチルヘキサン-2,5-ジヒドロペルオキシド、2,5-ジメチル-2,5-ジ(t-ブチルペルオキシ)ヘキシン-3、過安息香酸t-ブチル、α,α'-ジ-(t-ブチルペルオキシ)ジイソプロピルベンゼン、若しくは2,5-ジメチル-2,5-ジ(t-ブチルペルオキシ)-3-ヘキシン、α,α'-ビス(t-ブチルペルオキシ-m-イソプロピル)ベンゼン)、オクタノイルペルオキシド、イソブチリルペルオキシド)、ペルオキシジカルボネート、α,α'-アゾビス(イソブチロニトリル)、レドックス開始剤、アセチルアジド、2,3-ジメチル-2,3-ジフェニルブタン、3,4-ジメチル-3,4-ジフェニルヘキサン若しくは1,4-ジイソプロピルベンゼンの少なくとも1つを含み、及び/又は組成物が、組成物の総質量に対して0.1~2体積パーセント、若しくは0.5~1体積パーセントのフリーラジカル供給源を含む、請求項1から8のいずれか一項に記載の組成物。
- 官能化石英ガラスが1~50マイクロメートル、又は1~10マイクロメートルの平均直径を有する球状形態を有する、請求項1から9のいずれか一項に記載の組成物。
- 組成物の総体積に対して10~70体積パーセント、又は20~60体積パーセントの官能化石英ガラスを含む、請求項1から10のいずれか一項に記載の組成物。
- ポリスチレン標準に対して1モル当たり200~2,000グラムの重量平均分子量を有する炭化水素樹脂希釈剤を更に含む、請求項1から11のいずれか一項に記載の組成物。
- 炭化水素樹脂希釈剤を更に含み、炭化水素樹脂希釈剤がピペリレン及び任意選択で芳香族繰り返し単位に由来し、炭化水素樹脂希釈剤が任意選択で飽和されている、請求項1から12のいずれか一項に記載の組成物。
- 組成物の総体積に対して0~50体積パーセント、又は10~40体積パーセント、又は5~30体積パーセントの炭化水素樹脂希釈剤を含む、請求項1から13のいずれか一項に記載の組成物。
- 組成物の総体積に対して5~25体積パーセント、又は8~20体積パーセントの難燃剤を更に含む、請求項1から14のいずれか一項に記載の組成物。
- 官能化石英ガラスの官能基が、(メタ)アクリレート基、ビニル基、アリル基、プロパルギル基、ブテニル基、又はスチリル基の少なくとも1つを含む、請求項1から15のいずれか一項に記載の組成物。
- 請求項1から16のいずれか一項に記載の組成物に由来する複合層。
- 組成物が、80キロポアズ以上、又は80~700キロポアズの最小溶融粘度を有し;又は複合層が、1センチメートル当たり0.54キログラム以上の銅に対する剥離強度;摂氏150~250度で摂氏温度当たり95百万分率以下、又は摂氏温度当たり90百万分率以下のz-方向の平均熱膨張率;10ギガヘルツで2.5~3.5の誘電率;又は10ギガヘルツで0.0030以下、又は0.0021以下、又は0.001~0.0025の誘電損失の少なくとも1つを有する、請求項17に記載の複合層。
- 請求項17及び18に記載の複合層を作製する方法であって、請求項1から16のいずれか一項に記載の組成物から層を形成する工程、及び組成物中の反応性モノマーを重合して架橋ネットワークを形成する工程を含む方法。
- 重合する工程が、少なくとも1つの層の温度を上げる工程、又は電子ビーム照射に層を曝露する工程を含む、請求項19に記載の方法。
- 層を形成する工程が剥離ライナーに前記組成物をキャストする工程を含む、請求項19又は20に記載の方法。
- 層を形成する工程が、銅又はアルミニウム等の金属箔に前記組成物をキャストする工程を含む、請求項19又は20に記載の方法。
- 層を形成する工程が補強層に前記組成物を含浸させる工程を含む、請求項19から22のいずれか一項に記載の方法。
- 請求項17から23のいずれか一項に記載の複合層を含む多層物品。
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