JPWO2020166701A1 - コバルトフェライト磁性粉およびその製造方法、ならびに磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】コバルトフェライト磁性粉は、一軸結晶磁気異方性を有し、コバルトフェライトを含む磁性粒子を含む。ＣｏＫα線を使用した粉末Ｘ線回折測定で（３，１，１）面のピークトップ２θが、４１．３°以上４１．５°以下である。磁性粒子に含まれるＣｏの一部が、Ｆｅ以外の遷移金属元素、ＺｎおよびＧｅからなる群より選ばれる少なくとも１種により置換されている。【選択図】図２

Description

本開示は、コバルトフェライト磁性粉およびその製造方法、ならびに磁気記録媒体に関する。

近年では、塗布型の高密度磁気記録媒体用の磁性粉としてコバルトフェライト磁性粉が期待されている。コバルトフェライト磁性粉の製造方法としては、磁性粉に添加物を導入する方法や、メカニカルミリングにより格子欠陥を磁性粉に導入する方法が提案されている（例えば特許文献１参照）。

Ponce A.S. et al. "High coercivity induced by mechanical milling in cobalt Ferrite powders" Journal of Magnetism and Magnetic Materials Volume 344, October 2013, Pages 182-187

しかしながら、上記提案の製造方法で得られたコバルトフェライト磁性粉では、保磁力Ｈｃのばらつきが大きくなる虞がある。

本開示の目的は、保磁力Ｈｃのばらつきを抑制することができるコバルトフェライト磁性粉およびその製造方法、ならびに磁気記録媒体を提供することにある。

上述の課題を解決するために、第１の開示は、一軸結晶磁気異方性を有し、コバルトフェライトを含む磁性粒子を含み、ＣｏＫα線を使用した粉末Ｘ線回折測定で（３，１，１）面のピークトップ２θが、４１．３°以上４１．５°以下であり、磁性粒子に含まれるＣｏの一部が、Ｆｅ以外の遷移金属元素、ＺｎおよびＧｅからなる群より選ばれる少なくとも１種により置換されているコバルトフェライト磁性粉である。

第２の開示は、ガラスの形成成分とコバルトフェライト磁性粉の形成成分とを溶融後、急冷することによりアモルファス体を作製することと、アモルファス体を熱処理し、コバルトフェライト磁性粉を析出させることとを含み、コバルトフェライト磁性粉は、コバルトフェライトを含む磁性粒子を含み、磁性粒子に含まれるＣｏの一部が、Ｆｅ以外の遷移金属元素、ＺｎおよびＧｅからなる群より選ばれる少なくとも１種により置換されており、熱処理時の酸素分圧が、１．０ｋＰａ以下であるコバルトフェライト磁性粉の製造方法である。

図１は、本開示の第２の実施形態に係る磁気記録媒体の断面図である。 図２Ａは、実施例１の磁性粉のＸ線回折スペクトルを示す図である。図２Ｂは、図２Ａの一部を拡大して表す図である。 図３Ａは、実施例１の磁性粉の磁気トルク波形を示す図である。図３Ｂは、比較例２の磁性粉の磁気トルク波形を示す図である。図３Ｃは、比較例３の磁性粉の磁気トルク波形を示す図である。 図４Ａは、実施例１、比較例１の磁性粉のヒステリシス曲線を示す図である。図４Ｂは、実施例１、比較例１の磁性粉のＳＦＤ曲線を示す図である。

本開示の実施形態について以下の順序で説明する。
１ 第１の実施形態
１．１ 磁性粉
１．２ 磁性粉の製造方法
１．３ 効果
２ 第２の実施形態
２．１ 磁気記録媒体の構成
２．２ 磁性粉の製造方法
２．３ 効果

＜１ 第１の実施形態＞
［１．１ 磁性粉］
まず、本開示の第１の実施形態に係る磁性粉について説明する。磁性粉は、テープ状の磁気記録媒体用の磁性粉であり、コバルトフェライトを主相として含む磁性粒子（以下「コバルトフェライト粒子」という。）を含む。コバルトフェライト粒子は、例えば、立方体状またはほぼ立方体状を有している。コバルトフェライトは、逆スピネル型の結晶構造を有している。なお、以下では、コバルトフェライト粒子を含む磁性粉をコバルトフェライト磁性粉という場合がある。

コバルトフェライト粒子は、一軸結晶磁気異方性を有している。コバルトフェライト粒子が一軸結晶磁気異方性を有することで、第１の実施形態に係る磁性粉を用いて磁気記録媒体を作製する際に、コバルトフェライト粒子を垂直配向させることができる。したがって、磁気記録媒体のノイズを低減することができる。

コバルトフェライト粒子が一軸結晶磁気異方性を有していることは、以下のようにして確認することができる。
（１）まず、磁性粉を用いてテープ状の磁気記録媒体を作製する。なお、磁性層の作製の際に、磁性粉を磁気記録媒体の垂直方向（磁気記録媒体の厚み方向）または磁気記録媒体の長手方向に磁場配向させる。続いて、作製した磁気記録媒体を所定の大きさに３枚切り出す。続いて、それら３枚を重ねて貼ったのち、両面をメンディングテープで貼ることにより積層体を得る。そして、得られた積層体を直径φ＝６．２５の丸いパンチで穴開けすることにより、円形状のサンプルを得る。
（２）次に、得られたサンプルをＡＣ消磁する。この処理は、着磁した状態のサンプルを用いた場合、外部磁場印加時に磁化が飽和しており、トルクの出力数値が正常でなくなる可能性があることを考慮して行われるものである。
（３）次に、サンプルを測定装置にセットする。具体的には、磁性粉が垂直配向されている場合には、印加磁場方向に対してサンプルを垂直にセットする。一方、磁性粉が長手配向されている場合には、印加磁場方向に対してサンプルを水平にセットする。
（４）次に、測定装置（東英工業株式会社製、ＴＲＴ−２形）をゼロ磁場調整したのち、トルク角度測定モードで１５０００Ｏｅの外部磁場を印加し、トルク波形を測定する。測定したトルク波形が１８０°周期で変動している場合には、コバルトフェライト粒子が一軸結晶磁気異方性を有していると判断することができる。

コバルトフェライトに含まれるＣｏの一部が、Ｆｅ以外の遷移金属元素、ＺｎおよびＧｅからなる群より選ばれる少なくとも１種により置換されている。Ｃｏの一部がこのように置換されていることで、保磁力Ｈｃのばらつきを抑制することができる。以下の説明において、コバルトフェライトに含まれるＣｏの一部を置換する元素を“添加元素”という場合がある。保磁力Ｈｃのばらつき抑制効果を向上する観点からすると、遷移金属元素は、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＴａおよびＺｒからなる群より選ばれる１種以上を含むことが好ましく、これら元素のうちでも、Ｃｕを含むことが特に好ましい。また、保磁力Ｈｃのばらつき抑制効果を向上する観点からすると、コバルトフェライトに含まれるＣｏの一部が、Ｃｕと、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｚｒ、ＺｎおよびＧｅからなる群より選ばれる少なくとも１種とにより置換されていることも好ましい。

コバルトフェライトは、例えば、以下の式（１）で表される平均組成を有する。
Ｃｏ_ｘＭ_ｙＦｅ_２Ｏ_Ｚ ・・・（１）
（但し、式（１）中、Ｍは、Ｆｅ以外の遷移金属元素、ＺｎおよびＧｅからなる群より選ばれる少なくとも１種である。遷移金属元素は、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＴａおよびＺｒからなる群より選ばれる１種以上であることが好ましく、これらの元素のうちでも、Ｃｕが特に好ましい。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ、ｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）

（ピークトップ２θ）
ＣｏＫα線（Ｃｏ管球）を使用した粉末Ｘ線回折測定で磁性粉を解析した場合における（３，１，１）面のピークトップ２θが、４１．３°以上４１．５°以下である。コバルトフェライトにひずみが生じていない場合には、上記のピークトップ２θは、４１．３°以上４１．５°以下の範囲内に現れる。一方、コバルトフェライトにひずみが生じている場合には、上記のピークトップ２θは、４１．３°以上４１．５°以下の範囲からずれた位置に現れる。したがって、本実施形態に係る磁性粉における保磁力Ｈｃのばらつき抑制効果の発現は、コバルトフェライトの結晶構造に対する格子欠陥導入（コバルトフェライトの結晶構造の歪みの発生）に起因するものではない。

上記の（３，１，１）面のピークトップ２θは、Ｃｏ管球搭載のＸ線回折装置(X-ray diffraction：ＸＲＤ)を用いて、以下のようにして測定される。まず、粉末Ｘ線回折測定用の試料ホルダーに磁性粉を充填し、測定試料を作製する。この際、ガラス板などで摺り切り試料表面が平らになるようにする。次に、作製した測定用試料を用いて粉末Ｘ線回折測定（集中法、ＣｏＫα線）を行い、磁性粉の（３，１，１）面に起因するピークのピークトップ２θを得る。
以下に、上記測定の条件の詳細を示す。
Ｘ線回折装置：試料水平型多目的Ｘ線回折装置（Ｒｉｇａｋｕ製、Ｕｌｔｉｍａ ＩＶ）
管球：ＣｏＫα線（波長λ＝１．７９Å）
解析ソフト：ＰＤＸＬ−２

（モル比（Ｃｏ／Ｆｅ））
コバルトフェライトに含まれるＦｅに対するＣｏのモル比（Ｃｏ／Ｆｅ）が、好ましくは０．２以上０．５未満、より好ましくは０．２以上０．４５以下、さらにより好ましくは０．２以上０．４以下、特に好ましくは０．２以上０．３５以下である。モル比（Ｃｏ／Ｆｅ）が０．２以上であると、磁性を持つＦｅやＣｏの含有量の減少により保磁力Ｈｃが低下することを抑制することができる。コバルトフェライトに含まれるＣｏの一部がＦｅ以外の遷移金属元素、ＺｎおよびＧｅからなる群より選ばれる少なくとも１種により置換されていると、モル比（Ｃｏ／Ｆｅ）は０．５未満となる。したがって、モル比（Ｃｏ／Ｆｅ）が０．５未満であると、保磁力Ｈｃのばらつきを抑制することができる。

モル比（Ｃｏ／Ｆｅ）は、以下のようにして誘導結合プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ−ＡＥＳ）の解析値より算出される。まず、試料０．１ｇを酸を用いて湿式分解したのち、１００ｍｌにメスアップしたものを試料溶液としてＩＣＰ−ＡＥＳを用いて定性・半定量分析を行う。水で試料と同操作を行って作製したものをブランク試料として用いる。次に、この測定から得られたＦｅおよびＣｏのｍｏｌ濃度から、モル比（Ｃｏ／Ｆｅ）を求める。

（平均粒子サイズ）
磁性粉の平均粒子サイズが、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上２５ｎｍ以下、さらにより好ましくは１０ｎｍ以上２３ｎｍ以下である。平均粒子サイズが１０ｎｍ以上であると、超常磁性の発生を抑制することができる。したがって、磁性粉の磁気特性の低下を抑制することができる。磁気記録媒体１０では、記録波長の１／２のサイズの領域が実際の磁化領域となる。このため、磁性粉の平均粒子サイズを最短記録波長の半分以下に設定することで、良好な電磁変換特性を得ることができる。磁性粉の平均粒子サイズが２５ｎｍ以下である場合には、５０ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成された磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性を得ることができる。本明細書において、電磁変換特性は、例えばＣＮＲ（Carrier to Noise Ratio）等である。

磁性粉の平均粒子サイズは、以下のようにして求められる。まず、磁性粉を走査型透過電子顕微鏡（Scanning Transmission Electron Microscope：ＳＴＥＭ）により観察し、ＳＴＥＭ像を得る。次に、得られたＳＴＥＭ像から３００個のコバルトフェライト粒子を無作為に選び出し、それらの各粒子の面積Ｓを求める。次に、粒子の形状が円形であると仮定して、以下の式（２）から各粒子の粒径（直径）Ｒを粒子サイズとして算出し、磁性粉の粒度分布を得る。
Ｒ＝２×（Ｓ／π）１／２ ・・・（２）
次に、求めた粒度分布からメジアン径（５０％径、Ｄ５０）を求めて、これを平均粒子サイズとする。

（相対標準偏差）
下記の式（３）で表される磁性粉の相対標準偏差が、５０％以下であることが好ましい。
相対標準偏差［％］＝（［粒子サイズの標準偏差］／［平均粒子サイズ］）×１００ ・・・（３）
相対標準偏差が５０％以下であると、磁性粉の粒子サイズのばらつきを抑制することができる。したがって、保磁力Ｈｃ等の磁性粉の磁気特性のばらつきを抑制することができる。

上記の磁性粉の粒子サイズの相対標準偏差は、以下のようにして求められる。まず、上記の平均粒子サイズの算出方法と同様にして平均粒子サイズを求める。次に、平均粒子サイズを求める際に用いた粒度分布から粒子サイズの標準偏差を求める。次に、上述のようにして求めた平均粒子サイズおよび粒子サイズの標準偏差を上記の式（３）に代入することにより、相対標準偏差を求める。

（保磁力Ｈｃ）
磁性粉の保磁力Ｈｃは、２５００Ｏｅ以上、好ましくは２６００Ｏｅ以上３５００Ｏｅ以下である。保磁力Ｈｃが２５００Ｏｅ以上であると、磁性粉を磁気記録媒体に適用した場合に、記録領域を厳密に保持することが可能となり、良好な電磁変換特性を得ることができる。一方、保磁力Ｈｃが３５００Ｏｅ以下であると、記録ヘッドによる飽和記録が可能となり、良好な電磁変換特性を得ることができる。

上記の磁性粉の保磁力Ｈｃは、以下のようにして求められる。まず、所定形状の磁性粉サンプルを作製する。磁性粉サンプルは、測定用カプセルへの圧密、測定用テープへの貼り付け等、測定に影響を及ぼさない範囲で自由に作製することができる。次に、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて、磁性粉サンプルのＭ−Ｈループを得たのち、得られたＭ−Ｈループから保磁力Ｈｃを求める。なお、上記のＭ−Ｈループの測定は、室温（２５℃）の環境下にて行われるものとする。

（ＳＦＤ）
保磁力Ｈｃの分布はＳＦＤ（Switching Field Distribution）によって評価することが可能である。磁性粉のＳＦＤ曲線（図４Ｂ参照）において、メインピークの半価幅（半値全幅）をＨａ、磁性粉の保磁力をＨｃとしたときに、ＳＦＤはＨａ／Ｈｃで求められる。ＳＦＤは好ましくは、２．０以下、より好ましくは１．５以下、さらにより好ましくは１．０以下、特に好ましくは０．５以下である。

ＳＦＤは、上記の保磁力Ｈｃの測定と同様の装置および測定条件にて磁場に対する磁化量を測定し、その微分曲線の半値幅Ｈａを保磁力Ｈｃで規格化することにより求められる。

（飽和磁化σｓ）
磁性粉の飽和磁化σｓの下限値は、例えば５０ｅｍｕ／ｇ以上、好ましくは６０ｅｍｕ／ｇ以上、より好ましくは７０ｅｍｕ／ｇ以上である。飽和磁化σｓが６０ｅｍｕ／ｇ以上であると、磁性層１３が薄くしても、高い出力を得ることができるため、良好な電磁変換特性を得ることができる。なお、このような高い飽和磁化量σｓはコバルトフェライト磁性粉により可能となるものであり、バリウムフェライト磁性粉ではこのような高い飽和磁化量σｓを得ることは困難である。なお、バリウムフェライト磁性粉の飽和磁化量σｓは５０ｅｍｕ／ｇ程度であり、磁性層１３の薄層化に対して飽和磁化量σｓが不足するため、磁化信号の再生出力が弱まり、良好な電磁変換特性が得られなくなる虞がある。

磁性粒子の飽和磁化量σｓの上限値は、好ましくは８５ｅｍｕ／ｇ以下である。飽和磁化量σｓが８５ｅｍｕ／ｇを超えると、磁化信号を読み取るＧＭＲ（Giant Magnetoresistive）、ＴＭＲ（Tunneling Magnetoresistive）ヘッド等が飽和することになるため、電磁変換特性が低下する虞がある。

上記の飽和磁化量σｓは、以下のようにして求められる。すなわち、上述の磁性粉の保磁力Ｈｃの測定方法と同様にして、磁性粉サンプルのＭ−Ｈループを得たのち、得られたＭ−Ｈループから飽和磁化量σｓを求める。

［１．２ 磁性粉の製造方法］
次に、本開示の第１の実施形態に係る磁性粉の製造方法について説明する。この磁性粉の製造方法は、ガラスの形成成分と、コバルトフェライト磁性粉の形成成分（以下単に「磁性粉の形成成分」という。）とを用いてガラス結晶化法により、コバルトフェライト磁性粉を作製するものである。

（原料混合の工程）
まず、ガラスの形成成分と磁性粉の形成成分とを混合し、混合物を得る。

ガラスの形成成分は、ホウ酸ナトリウム（Ｎａ_２Ｂ_４Ｏ_７）を含む。ガラスの形成成分がホウ酸ナトリウムを含むことで、後述の溶融およびアモルファス化の工程において磁性粉の形成成分をガラスに溶かすことができる。また、後述の溶融およびアモルファス化の工程におけるガラス化のための急冷条件が緩和される。これにより、溶融物を双ロール急冷装置により急冷するのではなく、溶融物を水中に投入することで急冷することでも、アモルファス体を得ることができる。さらに、後述の磁性粉取り出しの工程において、熱水等により結晶化ガラス（非磁性成分）を除去し、磁性粉を取り出すことができる。

ガラスの形成成分および磁性粉の形成成分の総量に対するホウ酸ナトリウムの割合は、３５ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。ホウ酸ナトリウムの割合が３５ｍｏｌ％以上であると、均質性の高いアモルファス体を得ることができる。一方、ホウ酸ナトリウムの割合が６０ｍｏｌ％以下であると、得られる磁性粉の量の減少を抑制することができる。

ガラスの形成成分は、アルカリ土類金属の酸化物および当該酸化物の前駆体のうちの少なくとも１種をさらに含むことが好ましい。ガラスの形成成分がアルカリ土類金属の酸化物および当該酸化物の前駆体のうちの少なくとも１種をさらに含む場合、ガラスのガラス軟化点を高めることができ、ガラス軟化点付近で磁性粉の形成成分を結晶化することができる。したがって、磁性粉の形成成分が結晶化する温度に達した時点でガラスが柔らかくなり、析出した磁性粉が焼結してしまうことを抑制することができる。

アルカリ土類金属の酸化物は、例えば、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）および酸化バリウム（ＢａＯ）のうちの少なくとも１種を含み、これらの酸化物のうちでも酸化ストロンチウムおよび酸化バリウムのうちの少なくとも１種を含むことが特に好ましい。酸化ストロンチウムおよび酸化バリウムによるガラス軟化点上昇の効果は、酸化カルシウムによるガラス軟化点上昇の効果に比べて高いからである。なお、アルカリ土類金属の酸化物として酸化カルシウムを用いる場合には、ガラス軟化点を上昇させる観点からすると、酸化カルシウムを酸化ストロンチウムおよび酸化バリウムのうちの少なくとも１種と組み合わせて用いることが好ましい。

アルカリ土類金属の酸化物の前駆体としては、後述する溶融およびアモルファス化の工程における溶融時の加熱によりアルカリ土類金属の酸化物を生成する物質が好ましい。このような物質としては、例えば、アルカリ土類金属の炭酸塩が挙げられるが、特にこれに限定されるものではない。アルカリ土類金属の炭酸塩は、例えば、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ_３）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ_３）および炭酸バリウム（ＢａＣＯ_３）のうちの少なくとも１種を含み、これらの酸化物のうちでも炭酸ストロンチウムおよび炭酸バリウムのうちの少なくとも１種を含むことが特に好ましい。アルカリ土類金属の酸化物は、空気中のＣＯ_２または水分と化合し不安定であるため、ガラスの形成成分としてアルカリ土類金属の酸化物を用いるよりも、アルカリ土類金属の酸化物の前駆体（例えばアルカリ土類金属の炭酸塩）を用いる方が正確な計量が可能である。

ホウ酸ナトリウムに対するアルカリ土類金属の酸化物のｍｏｌ比（アルカリ土類金属の酸化物／ホウ酸ナトリウム）は、０．２５以上０．５以下であることが好ましい。上記ｍｏｌ比が０．２５未満であると、ガラスのガラス軟化点が低くなり、後述の結晶化の工程において磁性粉に十分な結晶性が付与される前に、ガラスが軟化してしまう虞がある。したがって、析出した磁性粉が焼結し、磁性粉の粒子サイズが大きくなってしまう虞がある。一方、上記ｍｏｌ比が０．５を超えると、ガラスのガラス軟化点が高くなり過ぎ、コバルトフェライト磁性粉とともに六方晶フェライト磁性粉が析出し、磁性粉の保磁力Ｈｃのバラツキが大きくなってしまう虞がある。したがって、磁性粉を磁気記録媒体１０に適用した場合に、Ｓ／Ｎが低下してしまう虞がある。

磁性粉の形成成分は、酸化コバルト（ＣｏＯ）および酸化コバルトの前駆体のうちの少なくとも１種と、酸化鉄（Ｆｅ_２Ｏ_３）と、添加元素の化合物とを含む。このように磁性粉の形成成分が添加元素の化合物を含むことで、後述する結晶化の工程（熱処理の工程）において粒子成長の速度を遅くし、粒子サイズの均一性を向上することができる。したがって、保磁力Ｈｃのばらつきを抑制することができる。酸化コバルトの前駆体としては、後述する溶融およびアモルファス化の工程における溶融時の加熱により酸化コバルトを生成する物質が好ましい。このような物質としては、例えば、炭酸コバルト（ＣｏＣＯ_３）が挙げられるが、特にこれに限定されるものではない。

添加元素の化合物は、例えば、ＣｏおよびＦｅ以外の遷移金属元素の酸化物、ＣｏおよびＦｅ以外の遷移金属元素の酸化物の前駆体、酸化亜鉛、酸化亜鉛の前駆体、酸化ゲルマニウムならびに酸化ゲルマニウムの前駆体からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む。

ＣｏおよびＦｅ以外の遷移金属元素の酸化物は、粒子サイズの均一性を向上する観点からすると、酸化マンガン（例えばＭｎＯ）、酸化ニッケル（例えばＮｉＯ_２）、酸化銅（例えばＣｕ_２Ｏ）、酸化タンタル（例えばＴａ_２Ｏ_５）および酸化ジルコニウム（例えばＺｒＯ_２）からなる群より選ばれる少なくとも１種を含むことが好ましく、これらの酸化物のうちでも酸化銅が特に好ましい。

ＣｏおよびＦｅ以外の遷移金属元素の酸化物の前駆体は、後述する溶融およびアモルファス化の工程における溶融時の加熱によりＣｏおよびＦｅ以外の遷移金属元素の酸化物を生成する物質が好ましい。このような物質としては、例えば、ＣｏおよびＦｅ以外の遷移金属元素の炭酸塩が挙げられるが、特にこれに限定されるものではない。ＣｏおよびＦｅ以外の遷移金属元素の炭酸塩は、粒子サイズの均一性を向上する観点からすると、炭酸マンガン、炭酸ニッケル、炭酸銅、炭酸タンタルおよび炭酸ジルコニウムからなる群より選ばれる少なくとも１種を含むことが好ましく、これらの炭酸塩のうちでも、炭酸銅を含むことが特に好ましい。

酸化亜鉛の前駆体は、後述する溶融およびアモルファス化の工程における溶融時の加熱により酸化亜鉛を生成する物質が好ましい。このような物質としては、例えば、炭酸亜鉛が挙げられる。酸化ゲルマニウムの前駆体は、後述する溶融およびアモルファス化の工程における溶融時の加熱により酸化ゲルマニウムを生成する物質が好ましい。このような物質としては、例えば、炭酸ゲルマニウムが挙げられる。

（溶融およびアモルファス化の工程）
次に、得られた混合物を高温（例えば１４００℃程度）で加熱、溶融し溶融物を得たのち、この溶融物を急冷することでアモルファス体（ガラス体）を得る。ここで一部微結晶体が析出していても、後の熱処理の際に粗大にならない程度であれば問題ない。

溶融物の急冷方法としては、例えば、金属双ロール法もしくは単ロール法等の液体急冷法、または溶融物を水中に投入する方法を用いることができるが、製造設備の簡略化の観点からすると、溶融物を水中に投入する方法が好ましい。

（結晶化の工程）
続いて、加熱装置により、アモルファス体を熱処理し結晶化することで、結晶化ガラス中にコバルトフェライト磁性粉を析出させ、磁性粉含有体を得る。この際、磁性粉は結晶化ガラス（非磁性成分）中で析出するため、粒子が互いに焼結することを抑制し、微細粒子サイズの磁性粉を得ることができる。また、アモルファス体を高温で熱処理するため、結晶性が良好な高磁化（σｓ）の磁性粉を得ることができる。

熱処理は、大気雰囲気よりも酸素濃度が低い雰囲気で行われる。このような雰囲気で熱処理が行われることで、磁性粉の保磁力Ｈｃを向上し、かつ、磁性粉に一軸結晶磁気異方性を付与することができる。熱処理時の酸素分圧は、１．０ｋＰａ以下、好ましくは０．９ｋＰａ以下、より好ましくは０．５ｋＰａ以下、さらにより好ましくは０．１ｋＰａ以下である。なお、大気雰囲気の酸素分圧は２１ｋＰａである。熱処理時の酸素分圧が１．０ｋＰａ以下であると、磁性粉の保磁力Ｈｃを２５００Ｏｅ以上にすることができる。熱処理時の雰囲気を大気雰囲気よりも酸素濃度が低いものとするためには、アモルファス体を収容した加熱装置内に窒素、Ａｒガス等の不活性なガスを導入してもよいし、加熱装置内を真空ポンプを用いて真空引きし低圧の状態にしてもよい。

熱処理の温度は、磁性粉のキュリー温度を超えることが好ましく、具体的には、好ましくは５５０℃以上６７０℃以下、より好ましくは５９０℃以上６５０℃以下、例えば６１０℃程度である。熱処理の温度が５５０℃以上であると、コバルトフェライト粒子（コバルトフェライト磁性粉）を析出させるとともに、析出されるコバルトフェライト粒子が含むＣｏの一部を添加元素で置換することができる。一方、６５０℃以下であると、粒度分布がブロードになることを抑制することができる。

熱処理の時間は、好ましくは０．５時間以上２０時間以下、より好ましくは１．０時間以上１０時間以下である。熱処理の時間が０．５時間以上であると、析出されるコバルトフェライト粒子が含むＣｏの一部を添加元素で置換することができる。一方、熱処理の時間が２０時間以下であると、磁性粉の生産性の低下を抑制することができる。

非磁性成分であるガラスのガラス軟化点と磁性粉の形成成分の結晶化温度は近いことが好ましい。ガラス軟化点が低く、ガラス軟化点と結晶化温度とが離れていると、磁性粉の形成成分を結晶化するための温度に達した時点でガラスが柔らかくなり、析出した磁性粉が焼結し易くなり、磁性粉のサイズが大きくなる虞がある。

（磁性粉取り出しの工程）
その後、例えば弱酸または温水により、非磁性成分である結晶化ガラスを除去し、磁性粉を取り出す。これにより、目的とする磁性粉が得られる。

［１．３ 効果］
上述したように、第１の実施形態に係る磁性粉では、コバルトフェライトに含まれるＣｏの一部が、Ｆｅ以外の遷移金属元素、ＺｎおよびＧｅからなる群より選ばれる少なくとも１種により置換されているので、保磁力Ｈｃのばらつきを抑制することができる。

＜２ 第２の実施形態＞
［２．１ 磁気記録媒体の構成］
まず、図１を参照して、本開示の第２の実施形態に係る磁気記録媒体１０の構成について説明する。磁気記録媒体１０は、長尺状の基体１１と、基体１１の一方の主面上に設けられた下地層１２と、下地層１２上に設けられた磁性層１３と、基体１１の他方の主面上に設けられたバック層１４とを備える。なお、下地層１２およびバック層１４は、必要に応じて備えられるものであり、無くてもよい。

磁気記録媒体１０は長尺のテープ状を有し、記録再生の際には長手方向に走行される。磁気記録媒体１０は、記録密度の向上の観点からすると、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは４６ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成されている。磁気記録媒体１０は、磁性粉サイズが転移幅に及ぼす影響を考慮すると、好ましくは３０ｎｍ以上の最短記録波長で信号を記録可能に構成されている。磁気記録媒体１０の線記録密度は、５００ｋｂｐｉ以上８５０ｋｂｐｉ以下であることが好ましい。

磁気記録媒体１０は、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備える記録再生装置で用いられることが好ましい。磁気記録媒体１０は、ライブラリ装置に用いられてもよい。この場合、ライブラリ装置は、上述の記録再生装置を複数備えるものであってもよい。

なお、本明細書において、“垂直方向”とは、平坦な状態の磁気記録媒体１０の表面に対して垂直な方向（すなわち磁気記録媒体１０の厚み方向）を意味し、“長手方向”とは、磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）を意味する。

（基体）
基体１１は、下地層１２および磁性層１３を支持する非磁性支持体である。基体１１は、長尺のフィルム状を有する。基体１１の平均厚みの上限値は、好ましくは４．２μｍ以下、より好ましくは３．８μｍ以下、さらにより好ましくは３．４μｍ以下である。基体１１の平均厚みの上限値が４．２μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気記録媒体よりも高めることができる。基体１１の平均厚みの下限値は、好ましくは３μｍ以上である。基体１１の平均厚みの下限値が３μｍ以上であると、基体１１の強度低下を抑制することができる。

基体１１の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。続いて、サンプルの基体１１以外の層（すなわち下地層１２、磁性層１３およびバック層１４）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージを用いて、サンプル（基体１１）の厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、基体１１の平均厚みを算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。

基体１１は、例えば、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、およびその他の高分子樹脂のうちの少なくとも１種を含む。基体１１が上記材料のうちの２種以上を含む場合、それらの２種以上の材料は混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、積層されていてもよい。

ポリエステル類は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含む。

ポリオレフィン類は、例えば、ＰＥ（ポリエチレン）およびＰＰ（ポリプロピレン）のうちの少なくとも１種を含む。セルロース誘導体は、例えば、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ＣＡＢ（セルロースアセテートブチレート）およびＣＡＰ（セルロースアセテートプロピオネート）のうちの少なくとも１種を含む。ビニル系樹脂は、例えば、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）およびＰＶＤＣ（ポリ塩化ビニリデン）のうちの少なくとも１種を含む。

その他の高分子樹脂は、例えば、ＰＡ（ポリアミド、ナイロン）、芳香族ＰＡ（芳香族ポリアミド、アラミド）、ＰＩ（ポリイミド）、芳香族ＰＩ（芳香族ポリイミド）、ＰＡＩ（ポリアミドイミド）、芳香族ＰＡＩ（芳香族ポリアミドイミド）、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール、例えばザイロン（登録商標））、ポリエーテル、ＰＥＫ（ポリエーテルケトン）、ポリエーテルエステル、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＳＦ（ポリスルフォン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡＲ（ポリアリレート）およびＰＵ（ポリウレタン）のうちの少なくとも１種を含む。

（磁性層）
磁性層１３は、信号を記録するための垂直記録層である。磁性層１３は、垂直方向に一軸磁気異方性を有する。すなわち、磁性層１３の磁化容易軸は、垂直方向に向いている。磁性層１３は、例えば、磁性粉および結着剤を含む。磁性層１３が、必要に応じて、潤滑剤、帯電防止剤、研磨剤、硬化剤、防錆剤および非磁性補強粒子等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。

磁性層１３の平均厚みが、好ましくは４０ｎｍ以上９０ｎｍ以下、より好ましくは４０ｎｍ以上７０ｎｍ以下、さらにより好ましくは４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下、特に好ましくは４０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。磁性層１３の平均厚みｔが４０ｎｍ以上であると、再生ヘッドとしてはＭＲ型ヘッドを用いた場合に、出力を確保できるため、電磁変換特性を向上することができる。一方、磁性層１３の平均厚みが９０ｎｍ以下であると、記録ヘッドとしてリング型ヘッドを用いた場合に、磁性層１３の厚み方向に均一に磁化を記録できるため、電磁変換特性を向上することができる。

磁性層１３の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、ＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により、磁気記録媒体１０をその主面に対して垂直に薄く加工して薄片を作製し、その薄片の断面を透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により観察し、ＴＥＭ像を得る。以下に、装置および観察条件を示す。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製、Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍
次に、得られたＴＥＭ像を用い、磁気記録媒体１０の長手方向に少なくとも１０点以上の位置で磁性層１３の厚みを測定した後、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して磁性層１３の平均厚みを求める。なお、測定位置は、試験片から無作為に選ばれるものとする。

（磁性粉）
磁性粉は、上述の第１の実施形態に係る磁性粉である。磁性粉は、垂直方向に配向している。第１の実施形態に係る磁性粉は、上述のように一軸結晶磁気異方性を有するため、磁性粉を垂直配向させることができる。したがって、磁気記録媒体１０のノイズを低減させることができる。なお、本開示において、“磁性粉の配向方向”とは、磁気記録媒体１０の垂直方向および長手方向のうち、より大きい角形比が得られる方向を意味する。

コバルトフェライト粒子の磁化容易軸は、垂直またはほぼ垂直方向を向いていることが好ましい。すなわち、磁性粉は、コバルトフェライト粒子の正方形状面またはほぼ正方形状面が磁性層１３の厚み方向と垂直またはほぼ垂直となるように、磁性層１３内に分散されていることが好ましい。立方体状またはほぼ立方体状のコバルトフェライト粒子では、六角板状のバリウムフェライト粒子に比べて、媒体の厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制できる。すなわち、磁性粉の分散性を高めることができる。

コバルトフェライト粒子の正方形状面またはほぼ正方形状面が、磁性層１３の表面から露出していることが好ましい。コバルトフェライト粒子の正方形状面またはほぼ正方形状面に磁気ヘッドにより短波長記録を行うことは、同一体積を有する六角板状のバリウムフェライト磁性粉の六角形状面に短波長記録を行う場合に比べて、高密度記録の観点で有利である。磁性層１３の表面には、高密度記録の観点からすると、コバルトフェライト粒子の正方形状面またはほぼ正方形状面が敷き詰められていることが好ましい。

（結着剤）
結着剤としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、反応型樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、塩化ビニル、酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル−エチレン共重合体、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、合成ゴム等が挙げられる。

熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン硬化型樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂等が挙げられる。

上記の全ての結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、−ＳＯ_３Ｍ、−ＯＳＯ_３Ｍ、−ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）_２（但し、式中Ｍは水素原子またはリチウム、カリウム、ナトリウム等のアルカリ金属を表す）や、−ＮＲ１Ｒ２、−ＮＲ１Ｒ２Ｒ３^＋Ｘ⁻で表される末端基を有する側鎖型アミン、＞ＮＲ１Ｒ２^＋Ｘ⁻で表される主鎖型アミン（但し、式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は水素原子または炭化水素基を表し、Ｘ⁻はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン元素イオン、無機イオンまたは有機イオンを表す。）、さらに−ＯＨ、−ＳＨ、−ＣＮ、エポキシ基等の極性官能基が導入されていてもよい。これら極性官能基の結着剤への導入量は、１０^−１〜１０^−８モル／ｇであるのが好ましく、１０^−２〜１０^−６モル／ｇであるのがより好ましい。

（潤滑剤）
潤滑剤としては、例えば、炭素数１０〜２４の一塩基性脂肪酸と、炭素数２〜１２の１価〜６価アルコールのいずれかとのエステル、これらの混合エステル、ジ脂肪酸エステル、トリ脂肪酸エステル等が挙げられる。潤滑剤の具体例としては、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、エライジン酸、ステアリン酸ブチル、ステアリン酸ペンチル、ステアリン酸ヘプチル、ステアリン酸オクチル、ステアリン酸イソオクチル、ミリスチン酸オクチル等が挙げられる。

（帯電防止剤）
帯電防止剤としては、例えば、カーボンブラック、天然界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤等が挙げられる。

（研磨剤）
研磨剤としては、例えば、α化率９０％以上のα−アルミナ、β−アルミナ、γ−アルミナ、炭化ケイ素、酸化クロム、酸化セリウム、α−酸化鉄、コランダム、窒化珪素、チタンカ−バイト、酸化チタン、二酸化珪素、酸化スズ、酸化マグネシウム、酸化タングステン、酸化ジルコニウム、窒化ホウ素、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、２硫化モリブデン、磁性酸化鉄の原料を脱水、アニール処理した針状α酸化鉄、必要によりそれらをアルミおよび／またはシリカで表面処理したもの等が挙げられる。

（硬化剤）
硬化剤としては、例えば、ポリイソシアネート等が挙げられる。ポリイソシアネートとしては、例えば、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の芳香族ポリイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＭＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の脂肪族ポリイソシアネート等が挙げられる。これらポリイソシアネートの重量平均分子量は、１００〜３０００の範囲であることが望ましい。

（防錆剤）
防錆剤としては、例えばフェノール類、ナフトール類、キノン類、窒素原子を含む複素環化合物、酸素原子を含む複素環化合物、硫黄原子を含む複素環化合物等が挙げられる。

（非磁性補強粒子）
非磁性補強粒子として、例えば、酸化アルミニウム（α、βまたはγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）等が挙げられる。

（下地層）
下地層１２は、基体１１の表面の凹凸を緩和し、磁性層１３の表面の凹凸を調整するためのものである。下地層１２が、潤滑剤を含み、磁性層１３の表面に潤滑剤を供給するようにしてもよい。下地層１２は、非磁性粉および結着剤を含む非磁性層である。下地層１２が、必要に応じて、潤滑剤、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。

下地層１２の平均厚みは、好ましくは０．６μｍ以上２．０μｍ以下、より好ましくは０．８μｍ以上１．４μｍ以下である。なお、下地層１２の平均厚みは、磁性層１３の平均厚みと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、下地層１２の厚みに応じて適宜調整される。

（非磁性粉）
非磁性粉は、例えば無機粒子粉または有機粒子粉の少なくとも１種を含む。また、非磁性粉は、カーボンブラック等の炭素粉を含んでいてもよい。なお、１種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、２種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物または金属硫化物等を含む。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、板状等の各種形状が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。

（結着剤）
結着剤は、上述の磁性層１３と同様である。

（添加剤）
潤滑剤、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤はそれぞれ、上述の磁性層１３と同様である。

（バック層）
バック層１４は、結着剤および非磁性粉を含む。バック層１４が、必要に応じて潤滑剤、硬化剤および帯電防止剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。潤滑剤および帯電防止剤は、上述の磁性層１３と同様である。また、非磁性粉は、上述の下地層１２と同様である。

非磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。非磁性粉の平均粒子サイズは、上記の磁性粉の平均粒子サイズと同様にして求められる。非磁性粉が、２以上の粒度分布を有する非磁性粉を含んでいてもよい。

バック層１４の平均厚みの上限値は、好ましくは０．６μｍ以下である。バック層１４の平均厚みの上限値が０．６μｍ以下であると、磁気記録媒体１０の平均厚みが５．６μｍ以下である場合でも、下地層１２や基体１１の厚みを厚く保つことができるので、磁気記録媒体１０の記録再生装置内での走行安定性を保つことができる。バック層１４の平均厚みの下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．２μｍ以上である。

バック層１４の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージを用いて、サンプルの厚みを５点以上で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、磁気記録媒体１０の平均厚みＴ［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。続いて、サンプルのバック層１４をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。その後、再び上記のレーザーホロゲージを用いてサンプルの厚みを５点以上で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、バック層１４を除去した磁気記録媒体１０の平均厚みＴ_１［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。その後、以下の式よりバック層１４の平均厚みｔ［μｍ］を求める。
ｔ［μｍ］＝Ｔ［μｍ］−Ｔ_１［μｍ］

（磁気記録媒体の平均厚み）
磁気記録媒体１０の平均厚み（平均全厚）の上限値が、好ましくは５．６μｍ以下、より好ましくは５．０μｍ以下、さらにより好ましくは４．４μｍ以下である。磁気記録媒体１０の平均厚みが５．６μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気記録媒体よりも高めることができる。磁気記録媒体１０の平均厚みの下限値は特に限定されるものではないが、例えば３．５μｍ以上である。

磁気記録媒体１０の平均厚みは、上述のバック層１４の平均厚みの測定方法において説明した手順により求められる。

（磁性層と下地層の総厚）
磁性層１３と下地層１２の平均厚みの総和は、好ましくは１．１μｍ以下、より好ましくは０．８μｍ以下、さらにより好ましくは０．６μｍ以下である。磁性層１３と下地層１２の平均厚みの総厚が１．１μｍ以下であると、単位体積当たりに含まれる磁性層１３の割合が増加することにより、体積容量を向上させることができる。磁性層１３と下地層１２の平均厚みの総厚の下限値は、下地層１２からの潤滑剤の供給の観点からすると、０．３μｍ以上であることが好ましい。下地層１２および磁性層１３の平均厚みの測定方法は、上述した通りである。

（保磁力Ｈｃ）
磁気記録媒体１０の垂直方向における保磁力Ｈｃが、好ましくは２５００Ｏｅ以上４０００Ｏｅ以下、より好ましくは２５００Ｏｅ以上３５００Ｏｅ以下、さらにより好ましくは２５００Ｏｅ以上３０００Ｏｅ以下である。保磁力Ｈｃが２５００Ｏｅ以上であると、熱擾乱の影響および反磁界の影響による、高温環境下における電磁変換特性の低下を抑制することができる。一方、保磁力Ｈｃが４０００Ｏｅ以下であると、記録ヘッドでの飽和記録が困難となり、記録できない部分が発生することを抑制することができる。したがって、ノイズが増加することを抑制し、結果として電磁変換特性の低下を抑制することができる。

保磁力Ｈｃは以下のようにして求められる。まず、長尺状の磁気記録媒体１０から測定サンプルを切り出し、ＶＳＭを用いて測定サンプルの垂直方向（厚み方向）に測定サンプル全体のＭ−Ｈループを測定する。次に、アセトンまたはエタノール等を用いて塗膜（下地層１２、磁性層１３およびバック層１４等）を払拭し、基体１１のみを残してバックグラウンド補正用のサンプルとし、ＶＳＭを用いて基体１１の垂直方向（厚み方向）に基体１１のＭ−Ｈループを測定する。その後、測定サンプル全体のＭ−Ｈループから基体１１のＭ−Ｈループを引き算して、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループを得る。得られたＭ−Ｈループから保磁力Ｈｃを求める。なお、上記のＭ−Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ−Ｈループを磁気記録媒体１０の垂直方向に測定する際に“反磁界補正”は行わないものとする。

（角形比）
磁気記録媒体１０の垂直方向（厚み方向）における角形比Ｓ_１が、６５％以上、好ましくは７０％以上、より好ましくは７５％以上である。角形比Ｓ_１が６５％以上であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、優れた電磁変換特性を得ることができる。

角形比Ｓ_１は以下のようにして求められる。まず、上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様にして、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループを得る。次に、得られたＭ−Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）および残留磁化Ｍｒ（ｅｍｕ）を以下の式に代入して、角形比Ｓ_１（％）を算出する。
角形比Ｓ_１（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００

磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）における角形比Ｓ_２が、好ましくは３５％以下、より好ましくは３０％以下、さらにより好ましくは２５％以下である。角形比Ｓ_２が３５％以下であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、優れた電磁変換特性を得ることができる。

角形比Ｓ_２は、Ｍ−Ｈループを磁気記録媒体１０および基体１１の長手方向（走行方向）に測定すること以外は角形比Ｓ_１と同様にして求められる。

（比率Ｌ４／Ｌ２）
磁気記録媒体１０のトルク波形をフーリエ変換して得られる一軸結晶磁気異方性の成分Ｌ２と、多軸結晶磁気異方性の成分Ｌ４との比率Ｌ４／Ｌ２は、コバルトフェライト粒子の一軸結晶磁気異方性の強さを表しており、比率Ｌ４／Ｌ２が小さい程、コバルトフェライト粒子の一軸結晶磁気異方性が強くなる。この比率Ｌ４／Ｌ２は、０以上０．２５以下、好ましくは０以上０．２０以下、より好ましくは０以上０．１８以下である。比率Ｌ４／Ｌ２が０以上０．２５以下あると、コバルトフェライト粒子の一軸結晶磁気異方性が十分に強くなるため、ノイズを低減することができる。したがって、電磁変換特性を向上することができる。

上記比率Ｌ４／Ｌ２は、以下のようにして求められる。まず、コバルトフェライト粒子が一軸結晶磁気異方性を有していることを確認する方法（第１の実施形態にて説明した確認方法）と同様にして、トルク波形を測定する。但し、測定サンプルは、第２の実施形態に係る磁気記録媒体１０を用いて作製される。トルク波形の測定後、測定装置が自動的にフーリエ変換して算出表示する一軸結晶磁気異方性の成分Ｌ２と、多軸結晶磁気異方性の成分Ｌ４とを用いて、比率Ｌ４／Ｌ２を求める。

［２．２ 磁気記録媒体の製造方法］
次に、上述の構成を有する磁気記録媒体１０の製造方法について説明する。まず、非磁性粉および結着剤等を溶剤に混練、分散させることにより、下地層形成用塗料を調製する。次に、磁性粉および結着剤等を溶剤に混練、分散させることにより、磁性層形成用塗料を調製する。磁性層形成用塗料および下地層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置および混練装置を用いることができる。

上述の塗料調製に用いられる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、乳酸エチル、エチレングリコールアセテート等のエステル系溶媒、ジエチレングリコールジメチルエーテル、２−エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、適宜混合して用いてもよい。

上述の塗料調製に用いられる混練装置としては、例えば、連続二軸混練機、多段階で希釈可能な連続二軸混練機、ニーダー、加圧ニーダー、ロールニーダー等の混練装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。また、上述の塗料調製に用いられる分散装置としては、例えば、ロールミル、ボールミル、横型サンドミル、縦型サンドミル、スパイクミル、ピンミル、タワーミル、パールミル（例えばアイリッヒ社製「ＤＣＰミル」等）、ホモジナイザー、超音波分散機等の分散装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。

次に、下地層形成用塗料を基体１１の一方の主面に塗布して乾燥させることにより、下地層１２を形成する。続いて、この下地層１２上に磁性層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、磁性層１３を下地層１２上に形成する。なお、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体１１の厚み方向に磁場配向させる。また、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体１１の走行方向（長手方向）に磁場配向させたのちに、基体１１の厚み方向に磁場配向させるようにしてもよい。磁性層１３の形成後、基体１１の他方の主面にバック層１４を形成する。これにより、磁気記録媒体１０が得られる。

その後、得られた磁気記録媒体１０を大径コアに巻き直し、硬化処理を行う。最後に、磁気記録媒体１０に対してカレンダー処理を行った後、所定の幅（例えば１／２インチ幅）に裁断する。以上により、目的とする細長い長尺状の磁気記録媒体１０が得られる。

［２．３ 効果］
上述したように、第２の実施形態に係る磁気記録媒体１０は、第１の実施形態に係る磁性粉を含む磁性層１３を備える。これにより、良好な電磁変換特性を得ることができる。

以下、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

本実施例において、ベースフィルム（基体）の平均厚み、磁性層の平均厚み、下地層の平均厚み、バック層の平均厚み、および磁気テープ（磁気記録媒体）の平均厚みは、上述の第２の実施形態にて説明した測定方法により求められたものである。

［実施例１］
（原料混合の工程）
まず、ガラスの形成成分としての四ホウ酸ナトリウム（Ｎａ_２Ｂ_４Ｏ_７）および炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ_３）と、磁性粉の形成成分としての酸化鉄（Ｆｅ_２Ｏ_３）、塩基性炭酸コバルト（２ＣｏＣＯ_３・３Ｃｏ（ＯＨ）_２）および酸化銅（Ｃｕ_２Ｏ）とを準備した。そして、準備した原料をＮａ_２Ｂ_４Ｏ_７：ＳｒＣＯ_３：Ｆｅ_２Ｏ_３：２ＣｏＣＯ_３・３Ｃｏ（ＯＨ）_２：Ｃｕ_２Ｏがモル比で５１．７：２０．７：２２．４：２．９：２．３となるように混合し、混合物を得た。

（溶融およびアモルファス化の工程）
次に、得られた混合物を１４００℃で１時間加熱し溶融させ溶融物を得たのち、この溶融物を水中に投入しアモルファス体（ガラス体）を得た。なお、上記加熱の際に、炭酸ストロンチウムから炭酸が除去され、酸化ストロンチウムが生成される。また、塩基性炭酸コバルトから炭酸が除去され、酸化コバルトが生成される。

（結晶化の工程）
続いて、得られたアモルファス体を、酸素分圧０．１ｋＰａの雰囲気中で６１０℃、２．５時間、熱処理し結晶化させ、コバルトフェライト磁性粉を析出させた。これにより、結晶化ガラス中にコバルトフェライトが析出された磁性粉含有体が得られた。

（磁性粉取り出しの工程）
その後、非磁性成分である結晶化ガラスを熱水処理により凡そ除去したのち、熱クエン酸処理により極小微粒子と残留ガラスを除去した。そして、遠心力５０００Ｇで１時間、遠心分離をかけ、真空濾過したのち、乾燥させることにより、コバルトフェライト磁性粉（（Ｃｏ_０．７Ｃｕ_０．３）_０．７Ｆｅ_２Ｏ_４）を得た。

（Ｘ線回折による分析）
上述のようにして得られたコバルトフェライト磁性粉を粉末Ｘ線回折測定で解析し、（３，１，１）面のピークトップ２θを測定した。その結果を図２Ａ、図２Ｂに示す。図２Ｂは、図２Ａの２θ＝４０〜４５°の範囲の拡大図である。なお、測定は、第１の実施形態にて説明したピークトップ２θの測定方法により行われた。図２Ａ、図２Ｂから、ピークトップ２θが、４１．３°以上４１．５°以下の範囲内に現れていることが確認される。したがって、実施例１では、コバルトフェライトの結晶構造にひずみが生じていないことがわかる。

［実施例２］
準備した原料をＮａ_２Ｂ_４Ｏ_７：ＳｒＣＯ_３：Ｆｅ_２Ｏ_３：２ＣｏＣＯ_３・３Ｃｏ（ＯＨ）_２：Ｃｕ_２Ｏがモル比で５１．７：２０．７：２２．４：２．７：２．５となるように混合したこと以外は実施例１と同様にしてコバルトフェライト磁性粉（（Ｃｏ_０．６Ｃｕ_０．４）_０．７Ｆｅ_２Ｏ_４）を得た。

［実施例３］
酸化銅（Ｃｕ_２Ｏ）に代えて酸化亜鉛（ＺｎＯ）を準備し、準備した原料をＮａ_２Ｂ_４Ｏ_７：ＳｒＣＯ_３：Ｆｅ_２Ｏ_３：２ＣｏＣＯ_３・３Ｃｏ（ＯＨ）_２：ＺｎＯがモル比で５１．７：２０．７：２２．４：２．９：２．３となるように混合し、混合物を得たこと以外は実施例１と同様にしてコバルトフェライト磁性粉（（Ｃｏ_０．７Ｚｎ_０．３）_０．７Ｆｅ_２Ｏ_４）を得た。

［実施例４］
酸化銅（Ｃｕ_２Ｏ）に代えて炭酸マンガン（ＭｎＣＯ_３）を準備し、準備した原料をＮａ_２Ｂ_４Ｏ_７：ＳｒＣＯ_３：Ｆｅ_２Ｏ_３：２ＣｏＣＯ_３・３Ｃｏ（ＯＨ）_２：ＭｎＣＯ３がモル比で５１．７：２０．７：２２．４：２．９：２．３となるように混合し、混合物を得たこと以外は実施例１と同様にしてコバルトフェライト磁性粉（（Ｃｏ_０．７Ｍｎ_０．３）_０．７Ｆｅ_２Ｏ_４）を得た。

［実施例５］
酸化銅（Ｃｕ_２Ｏ）に代えて酸化ゲルマニウム（ＮｉＯ）を準備し、準備した原料をＮａ_２Ｂ_４Ｏ_７：ＳｒＣＯ_３：Ｆｅ_２Ｏ_３：２ＣｏＣＯ_３・３Ｃｏ（ＯＨ）_２：ＮｉＯがモル比で５１．７：２０．７：２２．４：２．９：２．３となるように混合し、混合物を得たこと以外は実施例１と同様にしてコバルトフェライト磁性粉（（Ｃｏ_０．７Ｎｉ_０．３）_０．７Ｆｅ_２Ｏ_４）を得た。

［実施例６］
酸化銅（Ｃｕ_２Ｏ）に代えて酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ_２）を準備し、準備した原料をＮａ_２Ｂ_４Ｏ_７：ＳｒＣＯ_３：Ｆｅ_２Ｏ_３：２ＣｏＣＯ_３・３Ｃｏ（ＯＨ）_２：ＧｅＯ_２がモル比で５１．７：２０．７：２２．４：２．９：２．３となるように混合し、混合物を得たこと以外は実施例１と同様にしてコバルトフェライト磁性粉（（Ｃｏ_０．７Ｇｅ_０．３）_０．７Ｆｅ_２Ｏ_４）を得た。

［実施例７］
酸化銅（Ｃｕ_２Ｏ）に代えて酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）を準備し、準備した原料をＮａ_２Ｂ_４Ｏ_７：ＳｒＣＯ_３：Ｆｅ_２Ｏ_３：２ＣｏＣＯ_３・３Ｃｏ（ＯＨ）_２：Ｔａ_２Ｏ_５がモル比で５１．７：２０．７：２２．４：２．９：２．３となるように混合し、混合物を得たこと以外は実施例１と同様にしてコバルトフェライト磁性粉（（Ｃｏ_０．７Ｔａ_０．３）_０．７Ｆｅ_２Ｏ_４）を得た。

［実施例８］
酸化銅（Ｃｕ_２Ｏ）に代えて酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）を準備し、準備した原料をＮａ_２Ｂ_４Ｏ_７：ＳｒＣＯ_３：Ｆｅ_２Ｏ_３：２ＣｏＣＯ_３・３Ｃｏ（ＯＨ）_２：ＺｒＯ_２がモル比で５１．７：２０．７：２２．４：２．９：２．３となるように混合し、混合物を得たこと以外は実施例１と同様にしてコバルトフェライト磁性粉（（Ｃｏ_０．７Ｚｒ_０．３）_０．７Ｆｅ_２Ｏ_４）を得た。

［比較例１］
まず、ガラスの形成成分としての四ホウ酸ナトリウム（Ｎａ_２Ｂ_４Ｏ_７）および炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ_３）と、磁性粉の形成成分としての酸化鉄（Ｆｅ_２Ｏ_３）および塩基性炭酸コバルト（２ＣｏＣＯ_３・３Ｃｏ（ＯＨ）_２）とを準備した。そして、準備した原料をＮａ_２Ｂ_４Ｏ_７：ＳｒＣＯ_３：Ｆｅ_２Ｏ_３：２ＣｏＣＯ_３・３Ｃｏ（ＯＨ）_２がモル比で５４．３：１９．０：２３．０：３．７となるように混合し、混合物を得た。
これ以外のことは実施例１と同様にしてコバルトフェライト磁性粉（ＣｏＦｅ_２Ｏ_４）を得た。

［比較例２］
（原料混合の工程）
まず、ガラスの形成成分としての四ホウ酸ナトリウム（Ｎａ_２Ｂ_４Ｏ_７）と、磁性粉の形成成分としての酸化鉄（Ｆｅ_２Ｏ_３）および炭酸バリウム（ＢａＣＯ_３）とを準備した。そして、準備した原料をＮａ_２Ｂ_４Ｏ_７：Ｆｅ_２Ｏ_３：ＢａＣＯ_３：ＴｉＯ_２がモル比で４０．０：３２．２：２２．０：５．８となるように混合し、混合物を得た。

（溶融およびアモルファス化の工程）
次に、得られた混合物を１３５０℃で８０分間加熱し溶融させ溶融物を得たのち、この溶融物を水中に投入しアモルファス体（ガラス体）を得た。なお、上記加熱の際に、炭酸バリウムから炭酸が除去され、酸化バリウムが生成される。

（結晶化の工程）
続いて、得られたアモルファス体を大気中で５７５℃、８時間、熱処理し結晶化させ、バリウムフェライト磁性粉を析出させた。これにより、結晶化ガラス中にバリウムフェライト磁性粉が析出された磁性粉含有体が得られた。

（磁性粉取り出しの工程）
その後、非磁性成分である結晶化ガラスを酢酸洗浄により除去したのち、純粋洗浄した。そして、遠心力５０００Ｇで１時間、遠心分離をかけ、真空濾過したのち、乾燥させることにより、バリウムフェライト磁性粉（ＢａＦｅ_{（１１．０８）}Ｔｉ_０．９２Ｏ_１９）を得た。

［比較例３］
共沈法により、多軸結晶磁気異方性を有するコバルトフェライト粒子粉を作製した。

［磁性粉の評価］
上述のようにして得られた磁性粉のモル比（Ｃｏ／Ｆｅ）、平均粒子サイズ、粒子サイズの相対標準偏差、飽和磁化σｓ、保磁力ＨｃおよびＳＦＤを、上述の第１の実施形態にて説明した方法により測定した。また、上述のようにして得られた磁性粉の角形比Ｒｓを以下のようにして求めた。まず、上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様にして、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループを得た。次に、得られたＭ−Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）および残留磁化Ｍｒ（ｅｍｕ）を用いて、角形比Ｒｓ（＝（Ｍｒ／Ｍｓ））を算出した。さらに、上述のようにして得られた磁性粉の一軸結晶磁気異方性の有無を、上述の第１の実施形態にて説明した方法確認した。これらの測定および確認の結果を表１に示す。

一軸結晶磁気異方性の有無の確認の際に測定した磁気トルク波形を図３Ａ（実施例１）、図３Ｂ（比較例２）、図３Ｃ（比較例３）に示す。磁性粉の保磁力Ｈｃの測定の際に得られたヒステリシス曲線を図４Ａ（実施例１、比較例１）に示す。磁性粉のＳＦＤの測定の際に得られたＳＦＤ曲線を図４Ｂ（実施例１、比較例１）に示す。

実施例１、２、比較例１〜３の磁性粉の原料、製造条件および評価結果を示す。

実施例３〜８の磁性粉の原料、製造条件および評価結果を示す。

表１から以下のことがわかる。
コバルトの一部をＣｕで置換した実施例１、２のコバルトフェライト磁性粉では、コバルトの一部をＣｕで置換していない比較例１のコバルトフェライト磁性粉に比べてＳＦＤを低減することができる。したがって、保磁力Ｈｃのばらつきを抑制することができる。

表２から以下のことがわかる。
コバルトの一部をＺｎ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｇｅ、ＴａまたはＺｒで置換した実施例３〜８のコバルトフェライト磁性粉でも、コバルトの一部をＣｕで置換した実施例１、２のコバルトフェライト磁性粉と同様にＳＦＤを低減することができる。したがって、保磁力Ｈｃのばらつきを抑制することができる。

実施例１〜８におけるＳＦＤの低減効果（すなわち保磁力Ｈｃのバラツキ抑制効果）の発現は、添加元素の導入により、結晶化の工程（アニール工程）における粒子成長の速度が遅くなり、粒子サイズを均一にそろえることができたためと考えられる。

図２Ａ、図２Ｂから、上述のように、実施例１のコバルトフェライト磁性粉では、コバルトフェライトの結晶構造にひずみが生じていないことがわかる。この結果から、実施例１のコバルトフェライト磁性粉における保磁力Ｈｃのばらつき抑制効果の発現は、コバルトフェライトの結晶構造に対する格子欠陥導入（コバルトフェライトの結晶構造の歪み発生）に起因するものではないと推測される。

図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃから以下のことがわかる。
実施例１のコバルトフェライト磁性粉および比較例２のバリウムフェライト磁性粉の磁気トルク波形（図３Ａ、図３Ｂ）では、１８０°周期でトルクが変動している。したがって、実施例１のコバルトフェライト磁性粉および比較例２のバリウムフェライト磁性粉は、一軸結晶磁気異方性を有している。
これに対して、比較例１のコバルトフェライト磁性粉の磁気トルク波形（図３Ｃ）では、９０°周期でトルクが変動している。したがって、比較例１のコバルトフェライト磁性粉は、多軸結晶磁気異方性（三軸結晶軸異方性）を有している。

以上、本開示の実施形態について具体的に説明したが、本開示は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。

また、上述の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

上述の実施形態で段階的に記載された数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値または下限値は、他の段階の数値範囲の上限値または下限値に置き換えてもよい。上述の実施形態に例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。また、化合物等の化学式は代表的なものであって、同じ化合物の一般名称であれば、記載された価数等に限定されない。

第１の実施形態において、ガラスの形成成分は、ホウ酸ナトリウムおよびホウ酸ナトリウムの前駆体の少なくとも１種を含むようにしてもよい。

第１の実施形態において、磁性粉の形成成分は、酸化コバルトおよび酸化コバルトの前駆体のうち少なくとも１種と、酸化鉄および酸化鉄の前駆体のうち少なくとも１種と、添加元素の化合物とを含むようにしてもよい。

第１の実施形態において、磁性粉の製造方法が、結晶化の工程と磁性粉取り出しの工程との間に、以下に説明する磁界中熱処理の工程をさらに含むようにしてもよい。

（磁界中熱処理の工程）
磁界を印加可能なアニール装置により、磁性粉含有体（熱処理後のアモルファス体）を磁界中にて再度熱処理する。すなわち、スピネル型フェライト磁性粉の粒子間に介在物（結晶化ガラス）がある状態で、スピネル型フェライト磁性粉を磁界中にて再度熱処理することも可能である。この磁界中の熱処理により、析出したスピネル型フェライト磁性粉に印加磁場方向の異方性が付与される。

磁界中熱処理は、大気雰囲気よりも酸素濃度が低い雰囲気で行われる。熱処理時の酸素分圧は、好ましくは１．０ｋＰａ以下、より好ましくは０．９ｋＰａ以下、さらに好ましくは０．５ｋＰａ以下、特に好ましくは０．１ｋＰａ以下である。熱処理時の酸素分圧が１．０ｋＰａ以下であると、スピネル型フェライト磁性粉の保磁力Ｈｃを２５００Ｏｅ以上にすることができる。熱処理時の雰囲気を大気雰囲気よりも酸素濃度が低いものとするためには、熱処理後の磁性粉含有体を収容したアニール装置内に窒素、Ａｒガス等の不活性なガスを導入してもよいし、アニール装置内を真空ポンプを用いて真空引きし低圧の状態にしてもよい。

磁界中熱処理の温度は、好ましくは３００℃以上６００℃以下、より好ましくは３５０℃以上５５０℃以下である。磁界中熱処理の時間は、好ましくは１時間以上１０時間以下、より好ましくは２時間以上５時間以下である。

また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）
一軸結晶磁気異方性を有し、コバルトフェライトを含む磁性粒子を含み、
ＣｏＫα線を使用した粉末Ｘ線回折測定で（３，１，１）面のピークトップ２θが、４１．３°以上４１．５°以下であり、
前記コバルトフェライトに含まれるＣｏの一部が、Ｆｅ以外の遷移金属元素、ＺｎおよびＧｅからなる群より選ばれる少なくとも１種により置換されているコバルトフェライト磁性粉。
（２）
Ｆｅに対するＣｏのモル比（Ｃｏ／Ｆｅ）が、０．２以上０．５未満である（１）に記載のコバルトフェライト磁性粉。
（３）
前記遷移金属元素が、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＴａおよびＺｒからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む（１）または（２）に記載のコバルトフェライト磁性粉。
（４）
前記遷移金属元素が、Ｃｕを含む（１）または（２）に記載のコバルトフェライト磁性粉。
（５）
平均粒子サイズが、２５ｎｍ以下である（１）から（４）のいずれかに記載のコバルトフェライト磁性粉。
（６）
粒子サイズの相対標準偏差が、５０％以下である（１）から（５）のいずれかに記載のコバルトフェライト磁性粉。
（７）
保磁力Ｈｃが、２５００Ｏｅ以上である（１）から（６）のいずれかに記載のコバルトフェライト磁性粉。
（８）
ＳＦＤ（Switching Field Distribution）が、２．０以下である（１）から（７）のいずれかに記載のコバルトフェライト磁性粉。
（９）
（１）から（８）のいずれかに記載の前記コバルトフェライト磁性粉を含む磁性層を備えるテープ状の磁気記録媒体。
（１０）
ガラスの形成成分とコバルトフェライト磁性粉の形成成分とを溶融後、急冷することによりアモルファス体を作製することと、
前記アモルファス体を熱処理し、前記コバルトフェライト磁性粉を析出させることと
を含み、
前記コバルトフェライト磁性粉は、コバルトフェライトを含む磁性粒子を含み、
前記コバルトフェライトに含まれるＣｏの一部が、Ｆｅ以外の遷移金属元素、ＺｎおよびＧｅからなる群より選ばれる少なくとも１種により置換されており、
前記熱処理時の酸素分圧が、１．０ｋＰａ以下であるコバルトフェライト磁性粉の製造方法。
（１１）
前記ガラスの形成成分が、ホウ酸ナトリウムを含む（１０）に記載のコバルトフェライト磁性粉の製造方法。
（１２）
前記ガラスの形成成分が、アルカリ土類金属の酸化物および該酸化物の前駆体のうちの少なくとも１種をさらに含む（１１）に記載のコバルトフェライト磁性粉の製造方法。
（１３）
前記アルカリ土類金属の酸化物が、酸化カルシウム、酸化ストロンチウムおよび酸化バリウムのうちの少なくとも１種を含む（１２）に記載のコバルトフェライト磁性粉の製造方法。
（１４）
前記アルカリ土類金属の酸化物が、酸化ストロンチウムおよび酸化バリウムのうちの少なくとも１種を含む（１２）に記載のコバルトフェライト磁性粉の製造方法。
（１５）
前記ガラスの形成成分および前記コバルトフェライト磁性粉の形成成分の総量に対する前記ホウ酸ナトリウムの割合は、３５ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下である（１１）から（１４）のいずれかに記載のコバルトフェライト磁性粉の製造方法。
（１６）
前記コバルトフェライト磁性粉の形成成分が、
酸化コバルトおよび該酸化コバルトの前駆体のうちの少なくとも１種と、
酸化鉄と、
ＣｏおよびＦｅ以外の遷移金属元素の酸化物、ＣｏおよびＦｅ以外の遷移金属元素の酸化物の前駆体、酸化亜鉛、酸化亜鉛の前駆体、酸化ゲルマニウムならびに酸化ゲルマニウムの前駆体からなる群より選ばれる少なくとも１種と
を含む（１０）から（１５）のいずれかに記載のコバルトフェライト磁性粉の製造方法。
（１７）
前記熱処理時の酸素分圧が、０．９ｋＰａ以下である（１０）から（１６）のいずれかに記載のコバルトフェライト磁性粉の製造方法。
（１８）
前記熱処理の温度が、５５０℃以上６７０℃以下である（１０）から（１７）のいずれかに記載のコバルトフェライト磁性粉の製造方法。
（１９）
前記遷移金属元素が、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＴａおよびＺｒからなる群より選ばれる少なくとも１種である（１６）に記載のコバルトフェライト磁性粉の製造方法。

１０ 磁気記録媒体
１１ 基体
１２ 下地層
１３ 磁性層
１４ バック層

Claims (19)

1. 一軸結晶磁気異方性を有し、コバルトフェライトを含む磁性粒子を含み、
   ＣｏＫα線を使用した粉末Ｘ線回折測定で（３，１，１）面のピークトップ２θが、４１．３°以上４１．５°以下であり、
   前記コバルトフェライトに含まれるＣｏの一部が、Ｆｅ以外の遷移金属元素、ＺｎおよびＧｅからなる群より選ばれる少なくとも１種により置換されているコバルトフェライト磁性粉。
2. Ｆｅに対するＣｏのモル比（Ｃｏ／Ｆｅ）が、０．２以上０．５未満である請求項１に記載のコバルトフェライト磁性粉。
3. 前記遷移金属元素が、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＴａおよびＺｒからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む請求項１に記載のコバルトフェライト磁性粉。
4. 前記遷移金属元素が、Ｃｕを含む請求項１に記載のコバルトフェライト磁性粉。
5. 平均粒子サイズが、２５ｎｍ以下である請求項１に記載のコバルトフェライト磁性粉。
6. 粒子サイズの相対標準偏差が、５０％以下である請求項１に記載のコバルトフェライト磁性粉。
7. 保磁力Ｈｃが、２５００Ｏｅ以上である請求項１に記載のコバルトフェライト磁性粉。
8. ＳＦＤ（Switching Field Distribution）が、２．０以下である請求項１に記載のコバルトフェライト磁性粉。
9. 請求項１に記載の前記コバルトフェライト磁性粉を含む磁性層を備えるテープ状の磁気記録媒体。
10. ガラスの形成成分とコバルトフェライト磁性粉の形成成分とを溶融後、急冷することによりアモルファス体を作製することと、
    前記アモルファス体を熱処理し、前記コバルトフェライト磁性粉を析出させることと
    を含み、
    前記コバルトフェライト磁性粉は、コバルトフェライトを含む磁性粒子を含み、
    前記コバルトフェライトに含まれるＣｏの一部が、Ｆｅ以外の遷移金属元素、ＺｎおよびＧｅからなる群より選ばれる少なくとも１種により置換されており、
    前記熱処理時の酸素分圧が、１．０ｋＰａ以下であるコバルトフェライト磁性粉の製造方法。
11. 前記ガラスの形成成分が、ホウ酸ナトリウムを含む請求項１０に記載のコバルトフェライト磁性粉の製造方法。
12. 前記ガラスの形成成分が、アルカリ土類金属の酸化物および該酸化物の前駆体のうちの少なくとも１種をさらに含む請求項１１に記載のコバルトフェライト磁性粉の製造方法。
13. 前記アルカリ土類金属の酸化物が、酸化カルシウム、酸化ストロンチウムおよび酸化バリウムのうちの少なくとも１種を含む請求項１２に記載のコバルトフェライト磁性粉の製造方法。
14. 前記アルカリ土類金属の酸化物が、酸化ストロンチウムおよび酸化バリウムのうちの少なくとも１種を含む請求項１２に記載のコバルトフェライト磁性粉の製造方法。
15. 前記ガラスの形成成分および前記コバルトフェライト磁性粉の形成成分の総量に対する前記ホウ酸ナトリウムの割合は、３５ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下である請求項１１に記載のコバルトフェライト磁性粉の製造方法。
16. 前記コバルトフェライト磁性粉の形成成分が、
    酸化コバルトおよび該酸化コバルトの前駆体のうちの少なくとも１種と、
    酸化鉄と、
    ＣｏおよびＦｅ以外の遷移金属元素の酸化物、ＣｏおよびＦｅ以外の遷移金属元素の酸化物の前駆体、酸化亜鉛、酸化亜鉛の前駆体、酸化ゲルマニウムならびに酸化ゲルマニウムの前駆体からなる群より選ばれる少なくとも１種と
    を含む請求項１０に記載のコバルトフェライト磁性粉の製造方法。
17. 前記熱処理時の酸素分圧が、０．９ｋＰａ以下である請求項１０に記載のコバルトフェライト磁性粉の製造方法。
18. 前記熱処理の温度が、５５０℃以上６７０℃以下である請求項１０に記載のコバルトフェライト磁性粉の製造方法。
19. 前記遷移金属元素が、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＴａおよびＺｒからなる群より選ばれる少なくとも１種である請求項１６に記載のコバルトフェライト磁性粉の製造方法。

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