JPWO2020137282A5

JPWO2020137282A5 -

Info

Publication number: JPWO2020137282A5
Application number: JP2020562933A
Authority: JP
Filing date: 2019-11-22
Publication date: 2022-11-17

Description

なお、本開示は、以下のような構成であってもよい。以下の構成の本技術によれば、化合物半導体材料を含む光電変換部を間に対向配置される第１電極および第２電極のうち、第１電極を、アモルファス状態を有する酸化物半導体材料を用いて形成するようにしたので、第１電極による赤外領域以下の波長の吸収が低減する。よって、優れた感度を有する撮像素子を提供することが可能となる。
（１）
アモルファス状態を有する酸化物半導体材料を含む第１電極と、
前記第１電極と対向配置された第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に設けられると共に、化合物半導体材料を含む光電変換部と
を備えた撮像素子。
（２）
前記酸化物半導体材料は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）である、前記（１）に記載の撮像素子。
（３）
前記第１電極は、前記光電変換部の光入射面側に配置されている、前記（１）または（２）に記載の撮像素子。
（４）
前記第１電極は、前記酸化物半導体材料からなる第１の電極層を含み、前記第１の電極層の膜厚は１ｎｍ以上５０ｎｍ以下である、前記（１）乃至（３）のうちのいずれかに記載の撮像素子。
（５）
前記第１電極は、前記第１の電極層上に前記第１の電極層とは材料の異なる第２の電極層がさらに積層されている、前記（４）に記載の撮像素子。
（６）
前記第２の電極層は、酸化チタン、酸化インジウム・酸化亜鉛（ＩＺＯ）およびＩＧＺＯのうちの少なくとも１種を含む、前記（５）に記載の撮像素子。
（７）
複数の画素をさらに有し、
前記第１電極は、前記複数の画素に対する共通層として設けられている、前記（１）乃至（６）のうちのいずれかに記載の撮像素子。
（８）
前記光電変換部は、光電変換層と、前記光電変換層と前記第１電極との間に設けられた第１のコンタクト層と、前記光電変換層の前記第１のコンタクト層とは反対側に設けられた第２のコンタクト層とを有する、前記（７）に記載の撮像素子。
（９）
前記第２のコンタクト層は、前記複数の画素にそれぞれ対向する領域に設けられた第１導電型領域と、前記第１導電型領域の周囲に第２導電型領域とを有する、前記（８）に記載の撮像素子。
（１０）
前記光電変換層は、少なくとも赤外領域の波長を吸収して電荷を発生する、前記（８）または（９）に記載の撮像素子。
（１１）
前記光電変換部を構成する前記光電変換層、前記第１のコンタクト層および前記第２のコンタクト層は、ＩＩＩ－Ｖ族半導体材料を含んで構成されている、前記（８）乃至（１０）のうちのいずれかに記載の撮像素子。
（１２）
前記光電変換層は、ＩｎＧａＡｓから構成され、
前記第１のコンタクト層および前記第２のコンタクト層は、ＩｎＰまたはＩｎＧａＡｓから構成されている、前記（１１）に記載の撮像素子。
（１３）
前記第１のコンタクト層は、前記光電変換層の光入射面側に設けられると共に一の導電型を有し、
前記第２のコンタクト層は、前記光電変換層の前記光入射面とは反対側に設けられると共に、一の導電型の層内に他の導電型領域を前記画素毎に有する、前記（１１）または（１２）に記載の撮像素子。
（１４）
アモルファス状態を有する酸化物半導体材料を含む第１電極と、
前記第１電極と対向配置された第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に設けられると共に、化合物半導体材料を含む光電変換部とを備えた
撮像素子を有する電子機器。

Claims

アモルファス状態を有する酸化物半導体材料を含む第１電極と、
前記第１電極と対向配置された第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に設けられると共に、化合物半導体材料を含む光電変換部と
を備えた撮像素子。
前記酸化物半導体材料は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）である、請求項１に記載の撮像素子。
前記第１電極は、前記光電変換部の光入射面側に配置されている、請求項１に記載の撮像素子。
前記第１電極は、前記酸化物半導体材料からなる第１の電極層を含み、前記第１の電極層の膜厚は１ｎｍ以上５０ｎｍ以下である、請求項１に記載の撮像素子。
前記第１電極は、前記第１の電極層上に前記第１の電極層とは材料の異なる第２の電極層がさらに積層されている、請求項４に記載の撮像素子。
前記第２の電極層は、酸化チタン、酸化インジウム・酸化亜鉛（ＩＺＯ）およびＩＧＺＯのうちの少なくとも１種を含む、請求項５に記載の撮像素子。
複数の画素をさらに有し、
前記第１電極は、前記複数の画素に対する共通層として設けられている、請求項１に記載の撮像素子。
前記光電変換部は、光電変換層と、前記光電変換層と前記第１電極との間に設けられた第１のコンタクト層と、前記光電変換層の前記第１のコンタクト層とは反対側に設けられた第２のコンタクト層とを有する、請求項７に記載の撮像素子。
前記第２のコンタクト層は、前記複数の画素にそれぞれ対向する領域に設けられた第１導電型領域と、前記第１導電型領域の周囲に第２導電型領域とを有する、請求項８に記載の撮像素子。
前記光電変換層は、少なくとも赤外領域の波長を吸収して電荷を発生する、請求項８に記載の撮像素子。
前記光電変換部を構成する前記光電変換層、前記第１のコンタクト層および前記第２のコンタクト層は、ＩＩＩ－Ｖ族半導体材料を含んで構成されている、請求項８に記載の撮像素子。
前記光電変換層は、ＩｎＧａＡｓから構成され、
前記第１のコンタクト層および前記第２のコンタクト層は、ＩｎＰまたはＩｎＧａＡｓから構成されている、請求項１１に記載の撮像素子。
前記第１のコンタクト層は、前記光電変換層の光入射面側に設けられると共に一の導電型を有し、
前記第２のコンタクト層は、前記光電変換層の前記光入射面とは反対側に設けられると共に、一の導電型の層内に他の導電型領域を前記画素毎に有する、請求項１１に記載の撮像素子。
アモルファス状態を有する酸化物半導体材料を含む第１電極と、
前記第１電極と対向配置された第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に設けられると共に、化合物半導体材料を含む光電変換部とを備えた
撮像素子を有する電子機器。