JPWO2020109225A5

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Publication number: JPWO2020109225A5
Application number: JP2021530830A
Authority: JP
Publication date: 2022-12-05

Claims

投影露光装置（１）の照射光学ユニット（４）用のミラーであって、
１．１．格子構造（３０）の形態の分光フィルタを備え、
１．２．前記格子構造（３０）は複数の格子リッジ（３１）を有し、
１．２．１．前記格子リッジ（３１）は各々、前面（３２）および側壁（３３）を有し、
１．２．２．底部（３５）を有する溝（３４）が、いずれの場合にも２つの格子リッジ（３１）の間に形成され、
１．３．前記格子構造（３０）は、１５°～６０°の範囲内の最大エッジ急峻度（ｂ）を有する、ミラー。
前記格子構造（３０）は、閉じた保護層（３８）によって覆われていることを特徴とする、請求項１に記載のミラー。
前記保護層（３８）は、構成成分としてモリブデンおよび／またはシリコンを含む１つまたは複数の層から成ることを特徴とする、請求項２に記載のミラー。
前記格子構造（３０）は、基板（３７）上に適用されるかまたは基板（３７）内に導入され、前記基板（３７）は、以下の材料、すなわち、非晶質シリコン（ａ－Ｓｉ）、ニッケルリン（ＮｉＰ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ₂）、チタン（Ｔｉ）、プラチナ（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、タンタル（Ｔａ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）のうちの１つもしくは複数、またはこれらの化合物から成ることを特徴とする、請求項１～３のいずれか１項に記載のミラー。
前記格子リッジ（３１）は各々、台形形状の最小凸包絡を有する断面を有することを特徴とする、請求項１～４のいずれか１項に記載のミラー。
投影露光装置（１）の照射光学ユニット（４）用のミラー上に格子構造（３０）の形態の分光フィルタを生成するための方法であって、以下のステップ、すなわち、
６．１．ミラー本体用の基板（３７）を準備するステップ、
６．２．前記基板（３７）上に構造化層（４０）を適用するステップ、
６．３．前記構造化層（４０）を構造化するステップ、
６．４．前記基板（３７）を構造化するステップであって、
６．５．前記基板（３７）を構造化するために、以下の方法選択肢、すなわち、
６．５．１．０°～６０°の範囲内の所定のエッチング角度でエッチングすること、
６．５．２．構造化層（４０）および基板（３７）のエッチングレートが異なる、エッチングすること、
６．５．３．前記構造化層（４０）には前記構造化中に１０°～９０°の範囲内の側壁急峻度が与えられている、エッチングすること、のうちの１つもしくは複数、またはこれらの組合せが使用される、構造化するステップ、
６．６．前記基板（３７）上に、閉じた保護層（３８）を適用するステップ、を含む、方法。
請求項６に記載の方法であって、前記基板（３７）を構造化するために、以下の方法選択肢、すなわち、
７．１．０°～６０°の範囲内の所定のエッチング角度での不活性ドライエッチング法、
７．２．前記構造化層（４０）および前記基板（３７）のエッチングレートが異なる、不活性ドライエッチング法、
７．３．前記構造化層（４０）には前記構造化中に０°～６０°の範囲内の側壁急峻度（ｂ）が与えられている、不活性ドライエッチング法、
７．４．基板（３７）と構造化層（４０）の前記エッチングレートの比がエッチングガスの組成を制御することによって設定される、反応性ドライエッチング法、
７．５．基板（３７）と構造化層（４０）の前記エッチングレートの比がエッチング媒体の組成を制御することによって設定される、湿式化学エッチング法、のうちの１つもしくは複数、またはこれらの組合せが使用される、方法。
前記基板（３７）を構造化するために不活性エッチング法と反応性エッチング法の組合せが使用されることを特徴とする、請求項６または７のいずれかに記載の方法。
前記基板（３７）を構造化するために０°～６０°の範囲内の所定の長手方向のエッチング角度を用いるエッチング法が使用されることを特徴とする、請求項６～８のいずれか１項に記載の方法。
前記基板（３７）を構造化するために０°～６０°の範囲内の所定の横方向のエッチング角度を用いるエッチング法が使用されることを特徴とする、請求項６～９のいずれか１項に記載の方法。
以下のパラメータ、すなわち、前記構造化層（４０）を構造化するためのレーザ光線の収束、前記構造化層（４０）を構造化するためのリソグラフィ工程中の露光の強度、前記構造化層（４０）を構造化するためのリソグラフィ工程の現像の継続時間、ハードベークおよび／またはリフロー、前記構造化層（４０）のその構造化後の温度、のうちの少なくとも１つが、前記構造化層（４０）の前記側壁急峻度を設定するために標的化された方式で制御されることを特徴とする、請求項６～１０のいずれか１項に記載の方法。
前記構造化層の前記側壁急峻度が設定される、請求項６に記載の方法。
請求項１～５のいずれか１項に記載のミラーを少なくとも１つ備える、投影露光装置（１）用の照射光学ユニット（４）。
１４．１．請求項１３に記載の照射光学ユニット（４）と、
１４．２．照射放射線を発生させるための放射線源（３）と、
を備える、投影露光装置（１）用の照射系（２）。
１５．１．照射放射線（１０）を放射線源（３）から、結像されるべき構造を有するレチクル上へと伝達するための、請求項１３に記載の照射光学ユニット（４）と、
１５．２．前記レチクルの前記構造をウエハ上へと結像するための投影光学ユニット（７）と、
を備える、マイクロリソグラフィ投影露光装置（１）。
マイクロ構造化またはナノ構造化構成要素を生成するための方法であって、以下のステップ、すなわち、
－感光材料から成る層が表面に少なくとも部分的に適用される、基板を準備するステップ、
－結像されるべき構造を有するレチクルを準備するステップ、
－請求項１５に記載の投影露光装置（１）を準備するステップ、
－前記投影露光装置（１）を利用して、前記レチクルの少なくとも１つの部分を前記基板の前記感光層の領域上へと投影するステップ、を含む、方法。
請求項１６に記載の方法によって生成される構成要素。