JPWO2020085382A1 - 半導体パッケージ用配線基板、および半導体パッケージ用配線基板の製造方法 - Google Patents
半導体パッケージ用配線基板、および半導体パッケージ用配線基板の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
図1は、本実施形態にかかる配線基板に半導体チップを実装した半導体パッケージの一例を示す断面図である。
本実施形態に係る半導体パッケージは、FCBGA用配線基板1(第1配線基板とも称する)の一方の面に、インターポーザ25が半田バンプ24を介して接合されている。半田バンプ24の代わりに銅ポスト(Cuピラー)または金バンプ31を使用しても良い。更に、インターポーザ25に半導体チップ4がフリップチップ実装された後、半導体チップ4とインターポーザ25の間にアンダーフィル2が挿入され、半導体パッケージ30となる。ここでは、半導体チップ4が実装される前のFCBGA用配線基板1とインターポーザ25とが、半導体パッケージ用配線基板を構成する。インターポーザ25は、樹脂と配線とが積層されてなるビルドアップ配線層のみで形成された微細配線層を備えた薄い多層配線層を備える第2配線基板3を含む。
アンダーフィル2は、FCBGA用配線基板1とインターポーザ25とを固定及び封止するために用いられる接着剤である。アンダーフィル2としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコン樹脂、ポリエステル樹脂、オキセタン樹脂、及びマレイミド樹脂の内の1種またはこれらの樹脂の2種以上が混合された樹脂に、フィラーとしてシリカ、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、又は酸化亜鉛等を加えた材料が用いられる。アンダーフィル2は、液状の樹脂を充填させることで形成してもよい。またアンダーフィル2の代わりに、絶縁性の接着部材として異方性導電フィルム(ACF)または接着及び絶縁の機能を同時に持つフィルム状接続材料(NCF)を用いることで、FCBGA用配線基板1とインターポーザ25とを固定し、これらの間を封止しても良い。
図2Aは、本発明の一実施形態に係るキャリア基板を備えた状態の第2配線基板の一例を示す断面図である。図2Bは、図2Aの半田バンプ24を含む一部分を拡大したものである。図2A、図2Bに示すように、第2配線基板3は、ガラス基板などの薄くて平坦性が良好であり、且つ熱膨張係数がシリコンウェハに近い材料を使用したキャリア基板5上に、まず剥離層6を形成し、その剥離層6の上に多層配線層25aを形成したものである。第2配線基板3のキャリア基板5と反対側の最表面の絶縁樹脂層21a(図4I参照)に形成された開口部の底面には、導通ビア17が露出しており、その表面はパッド表面処理層23が形成される。これにより半田バンプ24を形成可能となる。半田バンプ24の代わりに金バンプ又は銅バンプを用いることもできる。
図3A〜図3Eを用いて、第2配線基板をFCBGA用配線基板に転写接合する製造工程の一例を説明する。
図3Aに示すように、このキャリア基板5に形成された、半田バンプ24を備えた第2配線基板3の多層配線層25aを、別に製造したFCBGA用配線基板1にフリップチップ実装可能な位置に配置する。そして、図3Bに示すように、フリップチップ実装した後、FCBGA用配線基板1と第2配線基板3の多層配線層25aとの間に、アンダーフィル2等の樹脂を充填し固める。その後、図3Cに示すように、レーザ光Lの照射により剥離層6を分解し、図3Dに示すように、キャリア基板5を第2配線基板3の多層配線層25aから剥離し、取り除く。
次に、本実施形態に係る第2配線基板3を備えた半導体パッケージ用配線基板100の製造工程の一例を説明する。
キャリア基板5としては、例えば、ガラス基板を用いることができる。ガラス基板は平滑性に優れており、低膨張ガラスであればCTEがシリコンウェハに近く、第2配線基板3の多層配線層25aの微細なパターンを、半導体チップに近いパターン配置精度で形成するのに適している。また、キャリア基板5は、FCBGA用配線基板1と接合した時の平坦性の確保に効果がある。キャリア基板5としてガラス基板を用いた場合、ガラス基板の厚さは、製造プロセスにおける反りの発生を抑制する観点から厚い方が望ましく、例えば0.7mm以上であれば第2配線基板3の厚みの10倍程度の厚みになり、各絶縁樹脂や配線層の応力の総和による反りを押さえ込める。一方、ガラス基板の厚みが厚過ぎると、第2配線基板3とキャリア基板5の総重量が大きくなり、搬送しづらくなると共に、加工サイズに個片化することが難しくなるため、1.1mm程度以下の厚さが好ましい。また、ガラスのCTEは3〜9ppm/℃程度のものが好ましい。
図4A〜図4Jを用いて第2配線基板の第一の製造方法を説明する。
まず、第2配線基板3(図1参照)となる配線基板を作製する。図4Aに示すように、キャリア基板5の一方の面に、後工程で、キャリア基板5を剥離するための剥離層6を形成する。
剥離層6は、赤外線ないし紫外線のレーザで分解し層間剥離を生じさせる材料であり、例えば、アモルファスシリコンやカーボン分散アクリル樹脂などを好適に使用することができる。アモルファスシリコンはUV−YAGレーザの照射により分解でき、カーボン分散アクリル樹脂は赤外線レーザの照射により分解することができる。
微細パターン7の形成方法としては、パターン化された絶縁樹脂15の表面に微細パターン7となるトレンチ12を形成し、導通ビア17とトレンチ12を電解銅めっき10bで被覆充填したのち、絶縁樹脂15の表面に乗った不要な銅めっき10bをCMPないし、グラインダなどの表面切削手段により切断ラインまで除去し、形成することができる(図4E〜図4F参照)。
更に図6C、図6Dに示すように、電解銅めっきで開口部19aと開口部13に電解銅めっき10bを形成し、図6Eに示すように、前記電解銅めっき10bの表面をCMPないし、グラインダなどの表面切削手段により切断ラインまで削り、所望の配線厚に調整する。その後、感光性レジスト19を除去する。さらに、図6Fに示すように、シード層18である導電層13bと無機密着層9b(図6B参照)をウェットエッチングまたは反応性ガスによるドライエッチングによる除去することにより、銅ポスト14と電気的に接続した微細パターン7を形成することができる。なお、本実施形態においては、微細パターン7として、L(ライン)/S(スペース)において、ラインが5μm以下、スペースが5μm以下のパターンを指すものとする。
微細パターン7の形成方法は、上記いずれかを用いれば良い。
次に、半導体パッケージ用配線基板について図3A〜図3Eを使用して説明する。
上述のようにして得られたキャリア基板5が付随した多層配線層25aを含む第2配線基板3を、図3Aから図3Eに示すように、FCBGA用配線基板1(第1配線基板)にフリップチップ実装技術などで接合することにより、半導体パッケージ用配線基板100を得ることができる。この際、FCBGA用配線基板1(第1配線基板)と第2配線基板3として、共に良品を使用することにより、どちらか一方が不良品であったり、両方とも不良品である場合のフリップチップ実装工程を実施しなくて済むため、この工程の効率化を行う事ができる。
予め、良品であるFCBGA用配線基板1と、第2配線基板3を用意しておく。
まず、図3A、図3Bに示すようにキャリア基板5が付随した第2配線基板3の端子、つまり、半田バンプ24の位置に合わせて設計、製造したFCBGA用配線基板1に、フリップチップ実装技術によりキャリア基板5が付随した第2配線基板3を接合し、両基板の間に形成された隙間をアンダーフィル2で充填し、固める。
本実施形態では、銅ポスト14の表面に半田ペースト層を形成し、この半導体パッケージ用配線基板100の第2配線基板3の多層配線層25a側に半田ペーストを介して半導体チップ4を搭載しリフローにより半田付けし、更に第2配線基板3の多層配線層25aと半導体チップ4との間にアンダーフィル32を充填することによって、図1に示すような半導体パッケージ30を作ることができる。
次に、図5A〜図5Fにて、本実施形態に係る第2配線基板3の多層配線層25aを備えた半導体パッケージ用配線基板100の第二の製造方法を説明する。
次に、図4Gから図4Jに示した工程と同様な工程を経て、最表面の絶縁樹脂層とパッド表面処理と半田バンプを形成すればよい。
このように、本実施形態によれば、FCBGA用配線基板(第1配線基板)1と、第2配線基板3となる、キャリア基板5上に形成した第2配線基板3の多層配線層25aと、を別々に製造し、これらを接合することで、インターポーザ25(すなわち第2配線基板3の多層配線層25a)が付随した半導体パッケージ用配線基板100(図3E)を製造することができる。FCBGA用配線基板1と、キャリア基板5を備えた第2配線基板3の多層配線層25aとを接合する際に、それぞれの良品のみを選定し、良品どうしを接合して半導体パッケージ用配線基板100を形成することによって、収率の低下を防止することができる。
Claims (7)
- 半導体チップを搭載する第1配線基板と、
前記第1配線基板の半導体チップを搭載する面に配置され、絶縁樹脂層と配線層とを形成したビルドアップ層からなる第2配線基板と、を有し、
前記第1配線基板と前記第2配線基板とが、その面に備えられたパッド電極上の突起電極を介して電気的に接続されており、前記第1配線基板と前記第2配線基板との間にはアンダーフィルが備えられている半導体パッケージ用配線基板であって、
前記第2配線基板の厚さは10μm〜100μmであり、
前記第2配線基板の半導体チップを実装する面には銅ポストが設けられていることを特徴とする半導体パッケージ用配線基板。 - 前記突起電極が、半田バンプまたは銅ポストまたは金バンプのいずれかであることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ用配線基板。
- 前記第2配線基板の配線層は、前記第1配線基板に接近するにしたがって、その断面形状が大きくなることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体パッケージ用配線基板。
- 前記第1配線基板はFCBGA用配線基板であり、前記第2配線基板はインターポーザであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体パッケージ用配線基板。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体パッケージ用配線基板の製造方法であって、
除去層に覆われた銅ポストを備えた前記第2配線基板を、ガラスからなるキャリア基板上に形成し、
前記キャリア基板とともに、前記第2配線基板を前記第1配線基板に電気接続可能に接合し、
前記第2配線基板から前記キャリア基板を分離し、
前記第2配線基板から前記除去層を除去することにより、前記銅ポストの外周面を露出させる、ことを特徴とする半導体パッケージ用配線基板の製造方法。 - 請求項4に記載の半導体パッケージ用配線基板の製造方法であって、
前記インターポーザの製造工程と、前記FCBGA用配線基板に前記インターポーザを接続する工程と、を備えており、
前記インターポーザの製造工程は、
支持体であるガラスからなるキャリア基板の表面に、剥離層と、感光性樹脂からなる中間層と、を形成する工程と、
フォトリソ工程によって、中間層のパターン化を行う工程と、
パターン化された中間層と露出した剥離層の表面に、無機密着層と導電層をこの順に積層したシード層を形成した後、シード層の上に中間層以上の厚さの電解銅めっきを形成する工程と、
中間層の厚さと同等の厚さの電解銅めっきを残す様に、電解銅めっきと中間層を切削加工することにより、銅ポストと同じ高さの中間層を形成する工程と、
銅ポストまたは導通ビアの上を開口部とした絶縁樹脂パターンを形成し、絶縁樹脂パターンの頭頂部に配線パターンとなるトレンチを形成し、銅ポストまたは導通ビアと絶縁樹脂パターンの上に無機密着層と導電層を形成した後、絶縁樹脂パターンより厚く電解銅めっきし、絶縁樹脂パターンの頭頂部が露出する様に、電解銅めっきを切削加工することにより、絶縁樹脂パターンの頭頂部のトレンチに電解銅めっきが充填された配線パターンと銅ポストまたは導通ビアの上に導通ビアを形成する配線作成工程と、
必要な配線パターンの層数に従って前記配線作成工程を繰り返すことにより、最上層にパッド電極が露出した多層配線層を形成する工程と、
多層配線層の最上層に感光性絶縁樹脂層を形成後、フォトリソ工程により、パッド電極上に導通ビアを形成する開口部を備えた絶縁樹脂パターンを形成する工程と、
パッド電極にパッド表面処理層を形成する工程と、
パッド表面処理層の上に、突起電極を形成する工程と、を備えており、
前記FCBGA用配線基板に前記インターポーザを接続する工程は、
前記FCBGA用配線基板と、前記キャリア基板が付随した前記インターポーザを位置合わせした後、フリップチップ実装する工程と、
前記インターポーザのキャリア基板側から剥離層にレーザ光を照射することにより、キャリア基板を剥離可能とする工程と、
キャリア基板を前記インターポーザより剥離し除去する工程と、
キャリア基板を剥離したことにより露出した中間層を除去する工程と、
中間層を除去する事により露出した銅ポスト表面の無機密着層と導電層を除去し、銅ポストを露出する工程と、を備えていることを特徴とする半導体パッケージ用配線基板の製造方法。 - 請求項4に記載の半導体パッケージ用配線基板の製造方法であって、
前記インターポーザの製造工程と、前記FCBGA用配線基板に前記インターポーザを接続する工程と、を備えており、
前記インターポーザの製造工程は、
支持体であるガラスからなるキャリア基板の表面に、剥離層と、感光性樹脂からなる1層目の中間層と、無機密着層と導電層をこの順に積層したシード層と、をこの順に形成する工程と、
シード層の上に2層目の感光性樹脂からなる中間層を形成後、フォトリソ工程によって、2層目の中間層のパターン化を行う工程と、
パターン化された2層目の中間層をめっきマスクとして電解銅めっきする工程と、
予め設定した電解銅めっきの厚さを残す様に、電解銅めっきと中間層を切削加工することにより、銅ポストと同じ高さの中間層を形成する工程と、
銅ポストまたは導通ビアの上部を開口部とした絶縁樹脂パターンを形成し、絶縁樹脂パターンの頭頂部に配線パターンとなるトレンチを形成し、銅ポストまたは導通ビアと絶縁樹脂パターンの上に無機密着層と導電層を形成した後、絶縁樹脂パターンより厚く電解銅めっきし、絶縁樹脂パターンの頭頂部が露出する様に、電解銅めっきを切削加工することにより、絶縁樹脂パターンの頭頂部のトレンチに電解銅めっきが充填された配線パターンと銅ポストまたは導通ビア上に導通ビアを形成する配線作成工程と、
必要な配線の層数に対応して前記配線作成工程を繰り返すことにより、最上層にパッド電極が露出した多層配線層を形成する工程と、
多層配線層の最上層に感光性絶縁樹脂層を形成後、フォトリソ工程により、パッド電極上に導通ビアを形成する開口部を備えた絶縁樹脂パターンを形成する工程と、
パッド電極にパッド表面処理層を形成する工程と、
パッド表面処理層の上に、突起電極を形成する工程と、を備えており、
前記FCBGA用配線基板に前記インターポーザを接続する工程は、
前記FCBGA用配線基板と、前記キャリア基板が付随した前記インターポーザを位置合わせした後、フリップチップ実装する工程と、
前記インターポーザのキャリア基板側から剥離層にレーザ光を照射することにより、キャリア基板を剥離可能とする工程と、
キャリア基板を前記インターポーザより剥離し除去する工程と、
キャリア基板を剥離したことにより露出した中間層を除去する工程と、
中間層を除去する事により露出した銅ポスト表面の無機密着層と導電層を除去し、銅ポストを露出する工程と、を備えていることを特徴とする半導体パッケージ用配線基板の製造方法。
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