JPWO2020080463A1 - 弾性波装置、帯域通過型フィルタ、デュプレクサ及びマルチプレクサ - Google Patents
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Abstract
Description
低音速膜:材料酸化ケイ素(SiO2)、膜厚400nm
高音速膜:材料窒化ケイ素(SiN)、膜厚500nm
支持基板:材料シリコン(Si)
IDT電極の各金属層の膜厚:Ti層の膜厚4nm、Al層の膜厚100nm、Ti層の膜厚4nm
IDT電極の波長:2μm
IDT電極の交差幅:20μm
IDT電極の電極指の対数、本数:50対、101本
IDT電極の電極指の幅:0.5μm
反射器の各金属層の膜厚:Ti層の膜厚4nm、Al層の膜厚100nm、Ti層の膜厚4nm
反射器の波長:2μm
反射器の電極指の本数:21本
第1の電極指の幅:0.5μm
(b)第2の電極指8b、第1の電極指8a、第1の電極指8a、第2の電極指8b
(c)第1の電極指8a、第2の電極指8b、第1の電極指8a、第2の電極指8b
(d)第2の電極指8b、第1の電極指8a、第2の電極指8b、第1の電極指8a
(e)第1の電極指8a、第1の電極指8a、第2の電極指8b、第2の電極指8b
(f)第2の電極指8b、第2の電極指8b、第1の電極指8a、第1の電極指8a
(g)第1の電極指8a、第1の電極指8a、第2の電極指8b、第1の電極指8a
(h)第2の電極指8b、第1の電極指8a、第1の電極指8a、第1の電極指8a
(i)第1の電極指8a、第2の電極指8b、第1の電極指8a、第1の電極指8a
(j)第1の電極指8a、第1の電極指8a、第1の電極指8a、第2の電極指8b
(k)第2の電極指8b、第2の電極指8b、第1の電極指8a、第2の電極指8b
(l)第1の電極指8a、第2の電極指8b、第2の電極指8b、第2の電極指8b
(m)第2の電極指8b、第1の電極指8a、第2の電極指8b、第2の電極指8b
(n)第2の電極指8b、第2の電極指8b、第2の電極指8b、第1の電極指8a
2…圧電性基板
3…支持基板
4…高音速膜
5…低音速膜
6…圧電体層
7…IDT電極
7a…電極指
7c〜7e…第1〜第3の金属層
8,9…反射器
8a,9a…第1の電極指
8b,9b…第2の電極指
13…高音速基板
14〜16…圧電性基板
28,29,38,39,48,49…反射器
50…帯域通過型フィルタ
55…信号端子
56…アンテナ端子
60…デュプレクサ
61A,61B…第1,第2の帯域通過型フィルタ
70…マルチプレクサ
71B,71C…第2,第3の帯域通過型フィルタ
P1〜P3…並列腕共振子
S1〜S4…直列腕共振子
Claims (13)
- タンタル酸リチウムからなる圧電体層を含む圧電性基板と、
前記圧電性基板上に設けられているIDT電極と、
前記圧電性基板上における、前記IDT電極の弾性波伝搬方向両側に設けられている一対の反射器と、
を備え、
SH波を主モードとして利用しており、
前記IDT電極及び前記反射器がそれぞれ複数の電極指を有し、
前記電極指が延びる方向に直交する方向に沿う長さを幅としたときに、前記反射器が、幅が異なる第1の電極指と第2の電極指と、を有し、
前記反射器の任意の部分において連続した4本の前記電極指が、前記第1の電極指及び前記第2の電極指の両方を含み、かつ前記連続した4本の電極指の電極指中心間距離が同じである、弾性波装置。 - 前記反射器における前記第1の電極指及び前記第2の電極指を含む連続した前記4本の電極指の配列を1組の電極指の配列としたときに、前記反射器において前記1組の電極指の配列が周期的に配置されている、請求項1に記載の弾性波装置。
- 前記反射器における前記第1の電極指及び前記第2の電極指を含む連続した3本の前記電極指の配列を1組の電極指の配列としたときに、前記反射器において前記1組の電極指の配列が周期的に配置されている、請求項1に記載の弾性波装置。
- 前記IDT電極の電極指中心間距離が全て同じであり、前記反射器の電極指中心間距離が全て同じである、請求項1〜3のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記IDT電極の電極指中心間距離と、前記反射器の電極指中心間距離とが同じである、請求項4に記載の弾性波装置。
- 前記IDT電極の前記複数の電極指の幅が全て同じである、請求項1〜5のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記圧電性基板が高音速基板を有し、
前記高音速基板上に、直接的または間接的に前記圧電体層が設けられており、
前記高音速基板を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも高い、請求項1〜6のいずれか1項に記載の弾性波装置。 - 前記圧電性基板が、前記高音速基板と前記圧電体層との間に設けられている低音速膜を有し、
前記低音速膜を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも低い、請求項7に記載の弾性波装置。 - 前記圧電性基板が、支持基板と、前記支持基板上に設けられている高音速膜と、前記高音速膜上に設けられている低音速膜と、を有し、
前記低音速膜上に前記圧電体層が設けられており、
前記低音速膜を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも低く、
前記高音速膜を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも高い、請求項1〜6のいずれか1項に記載の弾性波装置。 - 直列腕共振子及び並列腕共振子を含む複数の弾性波共振子を備え、
前記複数の弾性波共振子のうち少なくとも1つが請求項1〜9のいずれか1項に記載の弾性波装置である、帯域通過型フィルタ。 - アンテナに接続される帯域通過型フィルタであって、
前記複数の弾性波共振子のうち最もアンテナ端側に配置されている前記弾性波共振子が、前記弾性波装置である、請求項10に記載の帯域通過型フィルタ。 - アンテナに接続されるアンテナ端子と、
前記アンテナ端子に共通接続されており、かつ通過帯域が異なる第1の帯域通過型フィルタ及び第2の帯域通過型フィルタと、
を備え、
前記第1の帯域通過型フィルタ及び前記第2の帯域通過型フィルタのうち少なくとも一方が請求項10または11に記載した帯域通過型フィルタである、デュプレクサ。 - アンテナに接続されるアンテナ端子と、
前記アンテナ端子に共通接続されており、かつ通過帯域が異なる複数の帯域通過型フィルタと、
を備え、
前記複数の帯域通過型フィルタのうち少なくとも1つが請求項10または11に記載した帯域通過型フィルタである、マルチプレクサ。
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