JPWO2020039575A1 - 三次元計測装置、三次元計測方法 - Google Patents

三次元計測装置、三次元計測方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2020039575A1
JPWO2020039575A1 JP2020537988A JP2020537988A JPWO2020039575A1 JP WO2020039575 A1 JPWO2020039575 A1 JP WO2020039575A1 JP 2020537988 A JP2020537988 A JP 2020537988A JP 2020537988 A JP2020537988 A JP 2020537988A JP WO2020039575 A1 JPWO2020039575 A1 JP WO2020039575A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pixel
sensitivity
pixels
low
pixel value
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020537988A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7051260B2 (ja
Inventor
伸章 田端
伸章 田端
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yamaha Motor Co Ltd
Original Assignee
Yamaha Motor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yamaha Motor Co Ltd filed Critical Yamaha Motor Co Ltd
Publication of JPWO2020039575A1 publication Critical patent/JPWO2020039575A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7051260B2 publication Critical patent/JP7051260B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
    • G01B11/25Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures by projecting a pattern, e.g. one or more lines, moiré fringes on the object
    • G01B11/2518Projection by scanning of the object
    • G01B11/2527Projection by scanning of the object with phase change by in-plane movement of the patern
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/002Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring two or more coordinates
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
    • G01B11/25Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures by projecting a pattern, e.g. one or more lines, moiré fringes on the object
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
    • G01B11/25Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures by projecting a pattern, e.g. one or more lines, moiré fringes on the object
    • G01B11/2509Color coding
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
    • G01B11/25Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures by projecting a pattern, e.g. one or more lines, moiré fringes on the object
    • G01B11/2513Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures by projecting a pattern, e.g. one or more lines, moiré fringes on the object with several lines being projected in more than one direction, e.g. grids, patterns
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B2210/00Aspects not specifically covered by any group under G01B, e.g. of wheel alignment, caliper-like sensors
    • G01B2210/56Measuring geometric parameters of semiconductor structures, e.g. profile, critical dimensions or trench depth

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Studio Devices (AREA)

Abstract

撮像カメラ31は、半田B(対象物)に照射される波長λgの光に対して、高い感度を持つ分光感度特性SP(G)を有する高感度画素Phと、低い感度を持つ分光感度特性SP(R)、SP(B)を有する低感度画素Plとを備える。したがって、半田Bの表面うち、高反射領域Ahで反射されたパターン光L(S)は、低感度画素Plにより適切な画素値Vに変換でき、低反射領域Alで反射されたパターン光L(S)は、高感度画素Phにより適切な画素値Vに変換できる。つまり、高反射領域Ahおよび低感度画素Plで反射されたパターン光L(S)の両方を、適切な画素値Vに変換できる。こうして、高反射領域Ahと低感度画素Plとが半田Bに混在する場合であっても、両領域Ah、Alについて正確な画素値Vを取得することが可能となっている。

Description

この発明は、対象物の三次元形状を計測する技術に関する。
特許文献1では、プリント基板の電極に印刷された半田等の対象物の三次元形状を計測する三次元計測装置が記載されている。この三次元計測装置は、白色の光を対象物に照射し、対象物で反射された光を撮像した画像に基づき、対象物の三次元形状を計測する。また、このような三次元計測装置では、入射した光の強度に応じた画素値をそれぞれ出力する複数の画素を有する撮像カメラが、対象物で反射された光の撮像に使用することができる。
特許第4256059号公報
なお、撮像カメラの各画素はダイナミックレンジを有しており、ダイナミックレンジよりも暗いあるいは明るい光に対しては、正確な画素値を出力することができない。そこで、対象物の反射率が低い場合には、対象物に照射する光の強度を高くする一方、対象物の反射率が高い場合には、対象物に照射する光の強度を低くするといった手法が考えられる。しかしながら、反射率の低い領域と反射率の高い領域とが対象物に混在する場合、光の強度を高くすると反射率の高い領域について正確な画素値が得られず、光の強度を低くすると反射率の低い領域について正確な画素値が得られない。そのため、かかる手法は必ずしも有効ではなかった。
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、反射率の低い領域と反射率の高い領域とが対象物に混在する場合であっても、両領域について正確な画素値を取得することを可能とする技術の提供を目的とする。
本発明に係る三次元計測装置は、所定波長の光を対象物に照射するプロジェクターと、 対象物で反射された光が入射する複数の画素を有し、複数の画素のそれぞれは入射した光の強度に応じた画素値を出力する撮像カメラと、画素値に基づき対象物の三次元形状の形状算出を実行する制御部とを備え、複数の画素は、複数の高感度画素と、高感度画素が有する分光感度特性と比較して所定波長の入力に対する出力の比が低い分光感度特性を有する複数の低感度画素とを含む。
本発明に係る三次元計測方法は、所定波長の光を対象物に照射する工程と、対象物で反射された光を複数の画素に入射させ、複数の画素が入射した光の強度に応じた画素値を出力する工程と、画素値に基づき対象物の三次元形状の形状算出を実行する工程とを備え、複数の画素は、複数の高感度画素と、高感度画素が有する分光感度特性と比較して所定波長の入力に対する出力の比が低い分光感度特性を有する複数の低感度画素とを含む。
このように構成された本発明(三次元計測装置、三次元計測方法)では、撮像カメラは、高感度画素と、当該高感度画素の分光感度特性と比較して所定波長の入力に対する出力の比が低い分光感度特性を有する低感度画素とを有する。すなわち、対象物に照射される所定波長の光に対して、高い感度を持つ分光感度特性を有する高感度画素と、高感度画外比較して低い感度を持つ分光感度特性を有する低感度画素とが具備される。したがって、対象物のうち、反射率の高い領域で反射された光は、低感度画素により適切な画素値に変換でき、反射率の低い領域で反射された光は、高感度画素により適切な画素値に変換できる。つまり、反射率の高い領域で反射された光および反射率の低い領域で反射された光の両方を、適切な画素値に変換できる。こうして、反射率の低い領域と反射率の高い領域とが対象物に混在する場合であっても、両領域について正確な画素値を取得することが可能となっている。
また、高感度画素と低感度画素とが交互に配列されているように、三次元計測装置を構成しても良い。かかる構成では、高感度画素と低感度画素とが互いに隣接しつつ均一に配置されるため、低い反射率で反射された光を高感度画素で的確に捉えつつ、高い反射率で反射された光を低感度画素で的確に捉えることができる。その結果、反射率の低い領域と反射率の高い領域とが対象物に混在する場合であっても、両領域について正確な画素値を取得することが可能となる。
また、複数の画素は、高感度画素と低感度画素とを同じ比率で含むように、三次元計測装置を構成しても良い。かかる構成では、高い反射率の領域で反射された光と、低い反射率の領域で反射された光の一方に偏ることなく、これらを適切な画素値に変換することができる。その結果、反射率の低い領域と反射率の高い領域とが対象物に混在する場合であっても、両領域について正確な画素値を取得することが可能となる。
また、所定波長は、緑色の波長であり、複数の画素は、赤色、緑色および青色を所定のパターンで配列したベイヤー配列により配列され、複数の高感度画素のそれぞれは、ベイヤー配列における緑色の画素であり、複数の低感度画素は、ベイヤー配列における青色の画素と赤色の画素とを同数ずつ含むように、三次元計測装置を構成しても良い。かかる構成では、緑色の高感度画素と赤色あるいは青色の低感度画素とが互いに隣接しつつ均一に配置されるため、低い反射率で反射された光を高感度画素で的確に捉えつつ、高い反射率で反射された光を低感度画素で的確に捉えることができる。その結果、反射率の低い領域と反射率の高い領域とが対象物に混在する場合であっても、両領域について正確な画素値を取得することが可能となる。
なお、反射率の高い領域で反射されて高感度画素に入射した光や、反射率の低い領域で反射されて低感度画素に入射した光を変換した画素値は、不適切である可能性が高い。そこで、制御部は、画素から出力される画素値が適切か否かを画素値に基づき判定する判定処理を複数の画素のそれぞれについて実行し、判定処理での判定結果に基づき形状算出を実行するように、三次元計測装置を構成しても良い。かかる構成では、不適切な画素値の影響を抑えつつ適切な画素値を用いて形状算出を実行できる。そのため、反射率の低い領域と反射率の高い領域とが対象物に混在する場合であっても、対象物の三次元形状を正確に算出することが可能となる。
また、制御部は、判定処理で画素値が不適切と判定された高感度画素に対して、当該高感度画素から所定範囲内に位置する低感度画素の画素値による補間を実行し、あるいは判定処理で画素値が不適切と判定された低感度画素に対して、当該低感度画素から所定範囲内に位置する高感度画素の画素値による補間を実行した結果に基づき形状算出を実行するように、三次元計測装置を構成しても良い。かかる構成では、判定処理で不適切と判定された画素の画素値を当該画素から所定範囲内に位置する画素の画素値により補間し、その結果に基づき形状算出を実行できる。その結果、反射率の低い領域と反射率の高い領域とが対象物に混在する場合であっても、対象物の三次元形状を正確に算出することが可能となる。
また、プロジェクターは、所定波長を有して、互いに異なる位相を有する複数の縞パターンの光を対象物に照射し、制御部は、位相シフト法によって形状算出を実行するように、三次元計測装置を構成しても良い。かかる構成では、反射率の低い領域と反射率の高い領域とが対象物に混在する場合であっても、対象物の三次元形状を位相シフト法によって適切に算出することが可能となる。
本発明によれば、こうして、反射率の低い領域と反射率の高い領域とが対象物に混在する場合であっても、両領域について正確な画素値を取得することが可能となる。
本発明に係る外観検査装置を模式的に例示するブロック図。 撮像ユニットの構成を模式的に示す図。 撮像ユニットが有する画素の分光感度特性を模式的に示す図。 高反射領域および低反射領域それぞれで反射された光と画素値との関係を模式的に示す図。 外観検査装置が実行する三次元計測の一例を示すフローチャート。 図5の三次元計測で実行される不適画素の補間の一例を示すフローチャート。 図5の三次元計測で実行される演算の内容を説明する図。 不適画素の補間の一例を示す図。
図1は本発明に係る外観検査装置を模式的に例示するブロック図である。同図および以下の図では、鉛直方向に平行なZ方向、水平方向に平行なX方向およびY方向で構成されるXYZ直交座標を適宜示す。図1の外観検査装置1は、制御装置100によって搬送コンベア2、検査ヘッド3および駆動機構4を制御することで、基板10(プリント基板)に部品(電子部品)を接合する半田Bの状態の良否を検査する。
搬送コンベア2は、基板10を所定の搬送経路に沿って搬送する。具体的には、搬送コンベア2は、検査前の基板10を外観検査装置1内の検査位置に搬入し、基板10を検査位置で水平に保持する。また、検査位置における基板10への検査が終了すると、搬送コンベア2は、検査後の基板10を外観検査装置1の外へ搬出する。
検査ヘッド3は、撮像視野V31内を上方から撮像する撮像カメラ31を有しており、検査位置に搬入された基板10の半田Bを撮像視野V31に収めて撮像カメラ31によって撮像する。撮像カメラ31は、半田Bからの反射光を撮像する平板形状の撮像ユニット311を有する。この撮像ユニット311の詳細は、図2を用いて後述する。さらに、検査ヘッド3は、光強度分布が正弦波状に変化する縞状のパターン光L(S)を撮像視野V31に投影するプロジェクター32を有する。プロジェクター32は、LED(Light Emitting Diode)等の光源と、光源からの光を撮像視野V31へ向けて反射するデジタル・マイクロミラー・デバイスとを有している。かかるプロジェクター32は、デジタル・マイクロミラー・デバイスの各マイクロミラーの角度を調整することで、互いに位相の異なる複数種のパターン光L(S)を撮像視野V31に投影できる。つまり、検査ヘッド3は、プロジェクター32から投影するパターン光L(S)の位相を変化させながら撮像カメラ31により撮像を行うことで、位相シフト法によって撮像視野V31内の半田Bの三次元形状Bsを計測することができる。
ちなみに、検査ヘッド3は、8個のプロジェクター32を有している(図1では、図示を簡便化するために2個のプロジェクター32が代表して示されている)。8個のプロジェクター32は、撮像カメラ31の周囲を囲むように配置されており、鉛直方向Zを中心として円周状に等ピッチで並ぶ。そして、各プロジェクター32は、撮像カメラ31の撮像視野V31に対して斜め上方からパターン光L(S)を投影する。したがって、複数の方プロジェクター32のうち、半田Bとの位置関係が適切な一のプロジェクター32から、撮像視野V31にパターン光L(S)を投影することができる。
駆動機構4は、検査ヘッド3を支持しつつ、モーターによって水平方向および鉛直方向へ検査ヘッド3を駆動させる。この駆動機構4の駆動によって、検査ヘッド3は半田Bの上方に移動して、半田Bを撮像視野V31内に捉えることができ、撮像視野V31内の半田Bの三次元形状Bsを計測できる。
制御装置100は、CPU(Central Processing Unit)およびメモリーで構成されたプロセッサーである主制御部110を有しており、主制御部110が装置各部の制御を統括することで、検査が実行される。また。制御装置100は、ディスプレイ、キーボードおよびマウス等の入出力機器で構成されたユーザーインターフェース200を有しており、ユーザーは、ユーザーインターフェース200を介して制御装置100に指令を入力したり、制御装置100による検査結果を確認したりすることができる。さらに、制御装置100は、プロジェクター32を制御する投影制御部120、撮像カメラ31を制御する撮像制御部130および駆動機構4を制御する駆動制御部140を有する。搬送コンベア2が検査位置に基板10を搬入すると、主制御部110は、駆動制御部140により駆動機構4を制御して、基板10の半田Bの上方へ検査ヘッド3を移動させる。これによって、撮像カメラ31の撮像視野V31内に半田Bが収まる。
続いて、主制御部110は、プロジェクター32から半田Bを含む撮像視野V31へパターン光L(S)を投影しつつ撮像視野V31に投影されたパターン光L(S)を撮像カメラ31により撮像する(パターン撮像動作)。具体的には、主制御部110は、不揮発性メモリーで構成された記憶部150を有しており、記憶部150に記憶された投影パターンT(S)を読み出す。そして、主制御部110は、記憶部150から読み出した投影パターンT(S)に基づいて投影制御部120を制御することで、プロジェクター32のデジタル・マイクロミラー・デバイスの各マイクロミラーの角度を投影パターンT(S)に応じて調整する。こうして、撮像視野V31には、投影パターンT(S)を有するパターン光L(S)が投影される。さらに、主制御部110は、撮像制御部130を制御することで、撮像視野V31に投影されたパターン光L(S)を撮像カメラ31により撮像して撮像画像I(S)を取得する。この撮像画像Iは、記憶部150に記憶される。なお、記憶部150には、互いに90度ずつ位相の異なる4種類の投影パターンT(S)が記憶されており、パターン撮像動作は、投影パターンT(S)を変えながら4回実行される(S=1、2、3、4)。その結果、それぞれ90度ずつ位相の異なるパターン光L(S)を撮像した4種類の撮像画像I(S)が取得される。
主制御部110は、こうして取得された4種類の撮像画像I(S)から、位相シフト法によって、撮像視野V31の高さを撮像カメラ31の画素毎に求める。これによって、半田Bの表面の高さが撮像カメラ31の画素毎に求められることとなる。
図2は撮像ユニットの構成を模式的に示す図である。撮像ユニット311は例えばCCD(Charge Coupled Device)イメージセンサー等の固体撮像素子312と、固体撮像素子312に重ねられたカラーフィルター313とを有する。固体撮像素子312は、X方向およびY方向のそれぞれに一定の配列ピッチΔPで配列された複数の受光画素Piを有する。つまり、固体撮像素子312では、複数の受光画素Piが二次元的に配列されている。また、カラーフィルター313は、X方向およびY方向のそれぞれに配列ピッチΔPで配列された複数のフィルター画素Pfを有する。つまり、カラーフィルター313では、複数のフィルター画素Pfが二次元的に配列されている。
このように、複数の受光画素Piと複数のフィルター画素Pfとが一対一の対応関係で設けられ、互いに対応する受光画素Piとフィルター画素Pfとが対向する。換言すれば、撮像ユニット311では、互いに対向する受光画素Piとフィルター画素Pfとで画素Pxが構成され、複数の画素PxがX方向およびY方向のそれぞれに配列ピッチΔPで配列される。そして、各画素Pxは、フィルター画素Pfを透過して受光画素Piに入射した光の強度に応じた画素値V(図3)を、受光画素Piから出力する。
図2に示すように、カラーフィルター313では、複数のフィルター画素Pfがベイヤー配列に従って配列されており、各フィルター画素Pfは、赤(R)、緑(G)および青(B)のうち、その配列位置に応じた色の光の透過を許容し、配列位置に応じた色とは異なる色の光の透過を制限する。したがって、撮像ユニット311の各画素Pxは、そのフィルター画素Pfが透過を許容する光の色に応じた分光感度特性を有する。
図3は撮像ユニットが有する画素の分光感度特性を模式的に示す図である。図3では、横軸に光の波長を示すとともに縦軸に画素値Vを示すグラフにおいて、赤(R)の透過を許容するフィルター画素Pfを有する画素Px(以下、「赤の画素Px」と適宜称する)の分光感度特性SP(R)が二点鎖線で示され、緑(G)の透過を許容するフィルター画素Pfを有する画素Px(以下、「緑の画素Px」と適宜称する)の分光感度特性SP(G)が破線で示され、青(B)の透過を許容するフィルター画素Pfを有する画素Px(以下、「青の画素Px」と適宜称する)の分光感度特性SP(B)が一点鎖線で示される。また、図3では、プロジェクター32から投影されるパターン光L(S)の波長分布が実線で併記されている。
つまり、本実施形態では、パターン光L(S)は、緑色の波長λgにピークを有する波長分布を有する(換言すれば、緑色の発光スペクトルを有する)。これに対して、緑の画素Pxは、パターン光L(S)の波長λgに対して高い感度を持つ分光感度特性SP(G)を有する。赤の画素Pxは、波長λgよりも長い波長にピークを持つ分光感度特性SP(R)を有し、パターン光L(S)の波長λgに対して緑の画素Pxよりも低い感度を有する。青の画素Pxは、波長λgよりも短い波長にピークを持つ分光感度特性SP(B)を有し、パターン光L(S)の波長λgに対して緑の画素Pxよりも低い感度を有する。
つまり、図2に示すように、撮像ユニット311が有する複数の画素Pxのうち、緑の画素Pxが波長λgに対して高い感度を示す高感度画素Phとして機能し、赤の画素Pxおよび青の画素Pxのそれぞれが波長λgに対して高感度画素Phより低い感度を示す低感度画素Plとして機能する。そして、高感度画素Ph(緑の画素Px)と低感度画素Pl(赤の画素Px)がY方向に交互に並ぶとともに、高感度画素Ph(緑の画素Px)と低感度画素Pl(青の画素Px)がX方向に交互に並ぶ。こうして、高感度画素Ph(緑の画素Px)に対して低感度画素Pl(赤の画素Px)がY方向の両側で隣接し、高感度画素Ph(緑の画素Px)に対して低感度画素Pl(青の画素Px)がX方向の両側で隣接する。換言すれば、高感度画素Phには4方向から低感度画素Plが隣接し、低感度画素Plには、4方向から高感度画素Phが隣接する。なお、ここで、画素Pxが隣接するとは、対象の2個の画素Pxが配列ピッチΔPで配置された状態を示すものとする。
かかる構成では、図4に示すように、半田Bの表面のうち、高い反射率を有する高反射領域Ahで反射された光および低い反射率を有する低反射領域Alで反射された光の両方を、画素Pxによって正確な画素値Vに変換することができる。
図4は高反射領域および低反射領域それぞれで反射された光と画素値との関係を模式的に示す図である。同図は、正弦波であるパターン光L(S)を高反射領域Ahおよび低反射領域Alのそれぞれに投影して、各領域Ah、Alで反射された光を赤(R)、緑(G)、青(B)の画素Pxで検知した際に、これらの画素Pxが出力する画素値Vを模式的に示す。なお、実際には、画素Pxから出力される画素値VはダイナミックレンジDから外れた値となることはできないため、画素値Vの波形がつぶれるが、ここでは波形をつぶさずに示した。
高反射領域Ahで反射されたパターン光L(S)を検知した緑Gの画素Px(高感度画素Ph)が出力する画素値Vは、画素PxのダイナミックレンジD(換言すれば受光画素PiのダイナミックレンジD)の上限を一部で超える。したがって、緑の画素Pxは、高反射領域Ahで反射されたパターン光L(S)を正確な画素値Vに変換することができない。一方、高反射領域Ahで反射されたパターン光L(S)を検知した赤(R)および青(B)の画素Px(低感度画素Pl)が出力する画素値Vは、画素PxのダイナミックレンジDに収まる。したがって、赤(R)あるいは青(B)の画素Pxは、高反射領域Ahで反射されたパターン光L(S)を正確な画素値Vに変換することができる。
低反射領域Alで反射されたパターン光L(S)を検知した赤(R)および青(B)の画素Px(低感度画素Pl)が出力する画素値Vは、画素PxのダイナミックレンジDの下限を一部で超える。したがって、赤(R)および青(B)の画素Pxは、低反射領域Alで反射されたパターン光L(S)を正確な画素値Vに変換することができない。一方、低反射領域Alで反射されたパターン光L(S)を検知した緑(G)の画素Px(高感度画素Ph)が出力する画素値Vは、画素PxのダイナミックレンジDに収まる。したがって、緑(G)の画素Pxは、低反射領域Alで反射されたパターン光L(S)を正確な画素値Vに変換することができる。
つまり、高反射領域Ahで反射されたパターン光L(S)は、赤(R)および青(B)の画素Px(低感度画素Pl)によって正確な画素値Vに変換でき、低反射領域Alで反射されたパターン光L(S)は、緑(G)の画素Px(高感度画素Ph)によって正確な画素値Vに変換できる。
図5は外観検査装置が実行する三次元計測の一例を示すフローチャートであり、図6は図5の三次元計測で実行される不適画素の補間の一例を示すフローチャートであり、図7は図5の三次元計測で実行される演算の内容を説明する図である。図5および図6は主制御部110の制御によって実行される。
ステップS101では、半田Bにパターン光L(S)を投影しつつ撮像カメラ31によりパターン光L(S)を撮像するパターン撮像動作を、パターン光L(S)の位相を90度ずつ変更しつつ繰り返し実行することで、90度ずつ位相が異なる4つの撮像画像I(S)が取得される(S=1、2、3、4)。
ステップS102では、主制御部110は、位相シフト法に基づき、これら撮像画像I(S)から半田Bの三次元形状Bsを示す三次元画像を算出する。具体的には、図7の式1に基づいて、4つの撮像画像I(S)の画素値V0〜V3から角度θを求める演算を、複数の画素Pxのそれぞれについて実行することで、三次元画像が得られる。
ステップS103では、主制御部110は、複数の画素Pxそれぞれの画素値Vの信頼度を示す信頼度画像を算出する。この信頼度は、画素Pxの画素値VがダイナミックレンジDに収まっているか否かを示す。つまり、画素Pxの画素値Vが明るすぎるあるいは暗すぎる場合には、信頼度が低くなる。具体的には、図7の式2に基づいて、4つの撮像画像I(S)の画素値V0〜V3から信頼度を求める演算を、複数の画素Pxのそれぞれについて実行することで、信頼度画像が得られる。なお、これらの画素値V0〜V3のうちに、飽和した画素値(すなわち、8bitで表した場合には「255」を示す画素値)が存在する場合には、図7の式2によらずに画素値Vの信頼度を「0」にする。
ステップS104では、図6に示す不適画素の補間が実行される。ステップS201で、複数の画素Pxを識別するためのカウント値Nがゼロにリセットされ、ステップS202で、カウント値Nがインクリメントされる。そして、カウント値Nの画素Pxの画素値Vの信頼度が閾値以上であるか否かが判断される(ステップS203)。信頼度が閾値以上である場合(ステップS203で「YES」の場合)には、ステップS202に戻ってカウント値Nがインクリメントされる。
信頼度が閾値未満である場合(ステップS203で「NO」の場合)には、このカウント値Nの画素Px(不適画素)から配列ピッチΔP以内に位置する画素Px、すなわち不適画素に隣接する4個の画素Pxの画素値Vによって、不適画素の画素値Vを補間可能であるかが判断される(ステップS204)。具体的には、これら4個の画素Pxのうちに閾値未満の信頼度を有する画素Pxが在る場合には、補間不能と判断され、これら4個の画素Pxの画素値Vの全てが閾値以上の信頼度を有する場合には、補間可能と判断される。
補間不能の場合(ステップS204で「NO」の場合)には、ステップS202に戻ってカウント値Nがインクリメントされる。補間可能の場合(ステップS204で「YES」の場合)には、補間演算が実行されて、不適画素の画素値Vが、当該不適画素に隣接する4個の画素Pxの画素値Vによって補間される(ステップS205)。つまり、隣接する4個の画素Pxの画素値V0によって、対象となる画素Pxの画素値V0が補間され、画素値V1〜V3についても同様に補間される。かかる補間演算は、線形補間あるいは多項式補間等、周知の補間方法を用いて実行できる。また、ステップS205では、図7の式1に基づき、補間された画素値V(V0〜V3)から角度θが算出され、ステップS102で算出された三次元画像における該当画素Px(すなわち、ステップS205の補間対象となった画素Px)として採用される。そして、カウント値Nが最大値となるまで(ステップS206で「YES」となるまで)ステップS202〜S205が実行される。
以上に説明した実施形態では、撮像カメラ31は、半田B(対象物)に照射される波長λgの光に対して、高い感度を持つ分光感度特性SP(G)を有する高感度画素Phと、低い感度を持つ分光感度特性SP(R)、SP(B)を有する低感度画素Plとを備える。したがって、半田Bの表面うち、高反射領域Ahで反射されたパターン光L(S)は、低感度画素Plにより適切な画素値Vに変換でき、低反射領域Alで反射されたパターン光L(S)は、高感度画素Phにより適切な画素値Vに変換できる。つまり、高反射領域Ahおよび低感度画素Plで反射されたパターン光L(S)の両方を、適切な画素値Vに変換できる。こうして、高反射領域Ahと低感度画素Plとが半田Bに混在する場合であっても、両領域Ah、Alについて正確な画素値Vを取得することが可能となっている。
また、高感度画素Phと低感度画素Plとが交互に配列されている。かかる構成では、高感度画素Phと低感度画素Plとが互いに隣接しつつ均一に配置されるため、低反射領域Alで反射されたパターン光L(S)を高感度画素Phで的確に捉えつつ、高反射領域Ahで反射されたパターン光L(S)を低感度画素Plで的確に捉えることができる。その結果、高反射領域Ahと低感度画素Plとが半田Bに混在する場合であっても、両領域Ah、Alについて正確な画素値Vを取得することが可能となる。
また、高感度画素Phと低感度画素Plとが同じ比率で含まれている。かかる構成では、高反射領域Ahで反射されたパターン光L(S)と、低反射領域Alで反射されたパターン光L(S)の一方に偏ることなく、これらを適切な画素値Vに変換することができる。その結果、高反射領域Ahと低感度画素Plとが半田Bに混在する場合であっても、両領域Ah、Alについて正確な画素値Vを取得することが可能となる。
また、波長λgは、緑色の波長であり、複数の画素Pxは、ベイヤー配列により配列されている。そして、複数の高感度画素Phのそれぞれは、ベイヤー配列における緑色の画素Pxであり、複数の低感度画素Plは、ベイヤー配列における青色の画素Pxと赤色の画素Pxとを同数ずつ含む。かかる構成では、緑色の高感度画素Phと赤色あるいは青色の低感度画素Plとが互いに隣接しつつ均一に配置されるため、低反射領域Alで反射されたパターン光L(S)を高感度画素Phで的確に捉えつつ、高反射領域Ahで反射されたパターン光L(S)を低感度画素Plで的確に捉えることができる。その結果、高反射領域Ahと低感度画素Plとが半田Bに混在する場合であっても、両領域Ah、Alについて正確な画素値Vを取得することが可能となる。
なお、高反射領域Ahで反射されて高感度画素Phに入射したパターン光L(S)や、低反射領域Alで反射されて低感度画素Plに入射したパターン光L(S)を変換した画素値Vは、不適切である可能性が高い。そこで、主制御部110は、画素Pxから出力される画素値Vが適切か否かを画素値Vに基づき判定する判定処理(ステップS203)を複数の画素Pxのそれぞれについて実行する。そして、判定処理(ステップS203)での判定結果に基づき形状算出が実行される(ステップS205)。かかる構成では、不適切な画素値Vの影響を抑えつつ適切な画素値Vを用いて形状算出を実行できる(ステップS102、S205)。そのため、高反射領域Ahと低感度画素Plとが半田Bに混在する場合であっても、半田Bの三次元形状Bsを正確に算出することが可能となる。
また、主制御部110は、判定処理(ステップS203)で半田Bが不適切と判定された高感度画素Phに対して、当該高感度画素Phから配列ピッチΔPの範囲内に位置する低感度画素Plの画素値Vによる補間を実行し、あるいは判定処理(ステップS203)で画素値Vが不適切と判定された低感度画素Plに対して、当該低感度画素Plから配列ピッチΔPの範囲内に位置する高感度画素Phの画素値Vによる補間を実行した結果に基づき形状算出(ステップS102、S205)を実行する。かかる構成では、判定処理(ステップS203)で不適切と判定された不適画素Pxの画素値Vを当該不適画素Pxから配列ピッチΔPの範囲内に位置する画素Pxの画素値Vにより補間し、その結果に基づき形状算出(ステップS102、S205)を実行できる。したがって、高反射領域Ahと低反射領域Alとが半田Bに混在する場合であっても、半田Bの三次元形状Bsを正確に算出することが可能となる。
また、プロジェクター32は、波長λgを有して、互いに異なる位相を有する4つの投影パターンT(S)のパターン光L(S)を半田Bに照射する。そして、主制御部110は、位相シフト法によって形状算出を実行する(ステップS102、S205)。かかる構成では、高反射領域Ahと低反射領域Alとが半田Bに混在する場合であっても、半田Bの三次元形状Bsを位相シフト法によって適切に算出することが可能となる。
このように本実施形態では、外観検査装置1が本発明の「三次元計測装置」の一例に相当し、プロジェクター32が本発明の「プロジェクター」の一例に相当し、撮像カメラ31が本発明の「撮像カメラ」の一例に相当し、制御装置100が本発明の「制御部」の一例に相当し、パターン光L(S)が本発明の「光」の一例の相当し、投影パターンT(S)が本発明の「縞パターン」の一例に相当し、波長λgが本発明の「所定波長」の一例に相当し、半田Bが本発明の「対象物」の一例に相当し、三次元形状Bsが本発明の「三次元形状」の一例に相当し、画素Pxが本発明の「画素」の一例に相当し、高感度画素Phが本発明の「高感度画素」の一例に相当し、低感度画素Plが本発明の「低感度画素」の一例に相当し、配列ピッチΔPが本発明の「所定範囲」の一例に相当し、分光感度特性SP(R)、SP(B)、SP(G)が本発明の「分光感度特性」の一例に相当し、画素値Vが本発明の「画素値」の一例に相当し、ステップS203が本発明の「判定処理」の一例に相当する。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したものに対して種々の変更を加えることが可能である。例えば、複数の画素Pxをベイヤー配列に従って配列する必要は必ずしもない。例えば、青(B)の画素Pxに代えて赤(R)の画素Pxを配置しても良い。この場合、プロジェクター32から赤(R)の波長のパターン光L(S)を投影しても良い。あるいは、赤(R)の画素Pxに代えて青(B)の画素Pxを配置しても良い。この場合、プロジェクター32から青(G)の波長のパターン光L(S)を投影しても良い。
また、高感度画素Phと低感度画素Plとの個数の比率や、配列パターン等も適宜変更できる。
また、上記のステップS204において補間の可否を判断する具体的手法は上記の例に限られない。つまり、不適画素を挟んでX方向に並ぶ2個の画素Pxのペアおよび不適画素を挟んでY方向に並ぶ2個の画素Pxのペアのうち、いずれか一方のペアを構成する2個の画素Pxの信頼度が閾値以上、すなわち有効であれば、補間可能と判断しても良い。かかる例では、ステップS205の補間演算を次のように行えば良い。つまり、信頼度が有効なペアが1組のみの場合には、当該ペアを構成する2個の画素Pxの画素値Vの平均値により、不適画素の画素値Vが補間される。また、信頼度が有効なペアが2組ある場合には、これら2組のペアのうち、ペアを構成する2個の画素Pxの画素値Vの差(輝度差)の絶対値が小さい方のペアを構成する2個の画素Pxの画素値Vの平均値により、不適画素の画素値Vが補間される。図8は不適画素の補間の一例を示す図である。図8に示すように、不適画素Pxnを挟む2個の画素Pxgの画素値Vgの平均値によって、不適画素Pxnの画素値Vnを補間できる(線形補間)。これらの手法によれば、不適画素が高反射領域Ahと低反射領域Alの境界に位置する場合であっても、補間された画素値Vの誤差を抑えることができる。ただし、補間演算は、ここで例示した線形補間に限られず、他の周知の補間方法を用いて実行できる点は、上述と同様である。
また、上記の例では、パターン光L(S)を撮像した撮像画像I(S)の画素Pxの画素値Vに対して補間を実行している。しかしながら、4つの撮像画像I(S)の画素値V0〜V3から算出される各画素Pxの角度θに対して補間を実行しても良い。あるいは、この角度θから算出される各画素Pxの高さに対して補間を実行しても良い。こうして、閾値以上の信頼度を有する画素値Vに基づき不適画素を補間しつつ、半田Bの三次元形状を算出することができる。
また、信頼度の算出方法は、上記の例に限られない。例えば、特開2014−119442号公報あるいは特許第3996560号公報に記載の方法によって信頼度を算出しても良い。
また、三次元計測の対象物は、半田Bに限られない。
1…外観検査装置(三次元計測装置)
31…撮像カメラ
32…プロジェクター
100…制御装置(制御部)
B…半田(対象物)
Bs…三次元形状
L(S)…パターン光(光)
Px…画素
Ph…高感度画素
Pl…低感度画素
ΔP…配列ピッチ(所定範囲)
SP(R)、SP(B)、SP(G)…分光感度特性
T(S)…投影パターン(縞パターン)
V…画素値
λg…緑色の波長(所定波長)
S203…判定処理

Claims (8)

  1. 所定波長の光を対象物に照射するプロジェクターと、
    前記対象物で反射された光が入射する複数の画素を有し、前記複数の画素のそれぞれは入射した光の強度に応じた画素値を出力する撮像カメラと、
    前記画素値に基づき前記対象物の三次元形状の形状算出を実行する制御部と
    を備え、
    前記複数の画素は、複数の高感度画素と、前記高感度画素が有する分光感度特性と比較して前記所定波長の入力に対する出力の比が低い分光感度特性を有する複数の低感度画素とを含む三次元計測装置。
  2. 前記高感度画素と前記低感度画素とが交互に配列されている請求項1に記載の三次元計測装置。
  3. 前記複数の画素は、前記高感度画素と前記低感度画素とを同じ比率で含む請求項2に記載の三次元計測装置。
  4. 前記所定波長は、緑色の波長であり、
    前記複数の画素は、赤色、緑色および青色を所定のパターンで配列したベイヤー配列により配列され、
    前記複数の高感度画素のそれぞれは、ベイヤー配列における緑色の画素であり、
    前記複数の低感度画素は、ベイヤー配列における青色の画素と赤色の画素とを同数ずつ含む請求項3に記載の三次元計測装置。
  5. 前記制御部は、前記画素から出力される前記画素値が適切か否かを前記画素値に基づき判定する判定処理を前記複数の画素のそれぞれについて実行し、前記判定処理での判定結果に基づき前記形状算出を実行する請求項1ないし4のいずれか一項に記載の三次元計測装置。
  6. 前記制御部は、前記判定処理で前記画素値が不適切と判定された前記高感度画素に対して、当該高感度画素から所定範囲内に位置する前記低感度画素の前記画素値による補間を実行し、あるいは前記判定処理で前記画素値が不適切と判定された前記低感度画素に対して、当該低感度画素から前記所定範囲内に位置する前記高感度画素の前記画素値による補間を実行した結果に基づき前記形状算出を実行する請求項5に記載の三次元計測装置。
  7. 前記プロジェクターは、前記所定波長を有して、互いに異なる位相を有する複数の縞パターンの光を前記対象物に照射し、
    前記制御部は、位相シフト法によって前記形状算出を実行する請求項1ないし6のいずれか一項に記載の三次元計測装置。
  8. 所定波長の光を対象物に照射する工程と、
    前記対象物で反射された光を複数の画素に入射させ、前記複数の画素が入射した光の強度に応じた画素値を出力する工程と、
    前記画素値に基づき前記対象物の三次元形状の形状算出を実行する工程と
    を備え、
    前記複数の画素は、複数の高感度画素と、前記高感度画素が有する分光感度特性と比較して前記所定波長の入力に対する出力の比が低い分光感度特性を有する複数の低感度画素とを含む三次元計測方法。
JP2020537988A 2018-08-24 2018-08-24 三次元計測装置、三次元計測方法 Active JP7051260B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2018/031331 WO2020039575A1 (ja) 2018-08-24 2018-08-24 三次元計測装置、三次元計測方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2020039575A1 true JPWO2020039575A1 (ja) 2021-09-16
JP7051260B2 JP7051260B2 (ja) 2022-04-11

Family

ID=69592824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020537988A Active JP7051260B2 (ja) 2018-08-24 2018-08-24 三次元計測装置、三次元計測方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11796308B2 (ja)
JP (1) JP7051260B2 (ja)
KR (1) KR102513710B1 (ja)
CN (1) CN112567199B (ja)
DE (1) DE112018007930T5 (ja)
WO (1) WO2020039575A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3134448B1 (fr) * 2022-04-11 2024-04-12 Insidix Procédé de mesure topographique et machine de mesure topographique
WO2024062809A1 (ja) * 2022-09-21 2024-03-28 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置、および光検出システム

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003014422A (ja) * 2002-05-10 2003-01-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 実時間レンジファインダ
JP2006162386A (ja) * 2004-12-06 2006-06-22 Canon Inc 3次元モデル生成装置、3次元モデル生成システム及び3次元モデル生成プログラム
JP2009085739A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Sunx Ltd 形状測定装置、形状測定方法
WO2016136085A1 (ja) * 2015-02-27 2016-09-01 ソニー株式会社 画像処理装置と画像処理方法および撮像素子
JP2017173259A (ja) * 2016-03-25 2017-09-28 キヤノン株式会社 計測装置、システム及び物品の製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3414624B2 (ja) * 1997-09-16 2003-06-09 松下電器産業株式会社 実時間レンジファインダ
JP4256059B2 (ja) 2000-10-04 2009-04-22 シーケーディ株式会社 三次元計測装置
JP3996560B2 (ja) 2003-08-18 2007-10-24 株式会社リコー 物体形状測定装置
JP2009031150A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Omron Corp 三次元形状計測装置、三次元形状計測方法、三次元形状計測プログラム、および記録媒体
JP5765651B2 (ja) * 2011-02-01 2015-08-19 Jukiオートメーションシステムズ株式会社 3次元測定装置
JP6238521B2 (ja) 2012-12-19 2017-11-29 キヤノン株式会社 3次元計測装置およびその制御方法
JP6331308B2 (ja) * 2013-09-26 2018-05-30 株式会社ニコン 形状測定装置、構造物製造システム及び形状測定用コンピュータプログラム
JP6364777B2 (ja) * 2014-01-10 2018-08-01 凸版印刷株式会社 画像データ取得システム及び画像データ取得方法
JP6544600B2 (ja) * 2015-02-24 2019-07-17 国立大学法人 東京大学 動的高速高感度イメージング装置及びイメージング方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003014422A (ja) * 2002-05-10 2003-01-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 実時間レンジファインダ
JP2006162386A (ja) * 2004-12-06 2006-06-22 Canon Inc 3次元モデル生成装置、3次元モデル生成システム及び3次元モデル生成プログラム
JP2009085739A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Sunx Ltd 形状測定装置、形状測定方法
WO2016136085A1 (ja) * 2015-02-27 2016-09-01 ソニー株式会社 画像処理装置と画像処理方法および撮像素子
JP2017173259A (ja) * 2016-03-25 2017-09-28 キヤノン株式会社 計測装置、システム及び物品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11796308B2 (en) 2023-10-24
DE112018007930T5 (de) 2021-05-06
CN112567199B (zh) 2022-11-08
US20210310791A1 (en) 2021-10-07
KR102513710B1 (ko) 2023-03-24
KR20210031967A (ko) 2021-03-23
CN112567199A (zh) 2021-03-26
WO2020039575A1 (ja) 2020-02-27
JP7051260B2 (ja) 2022-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5162702B2 (ja) 表面形状測定装置
JP6184289B2 (ja) 三次元画像処理装置、三次元画像処理方法、三次元画像処理プログラム及びコンピュータで読み取り可能な記録媒体並びに記録した機器
US8199335B2 (en) Three-dimensional shape measuring apparatus, three-dimensional shape measuring method, three-dimensional shape measuring program, and recording medium
JP5443303B2 (ja) 外観検査装置及び外観検査方法
TWI582383B (zh) 三維測量裝置
JP6322335B2 (ja) 外観検査装置
JP2015045587A (ja) 三次元画像処理装置、三次元画像処理装置の状態変化判定方法、三次元画像処理装置の状態変化判定プログラム及びコンピュータで読み取り可能な記録媒体並びに記録した機器
US9243899B2 (en) Method of measuring a height of 3-dimensional shape measurement apparatus
KR101659302B1 (ko) 3차원 형상 측정장치
JP3878165B2 (ja) 三次元計測装置
TWI580926B (zh) Three - dimensional measuring device
JP7051260B2 (ja) 三次元計測装置、三次元計測方法
KR101766468B1 (ko) 트리플 주파수 패턴을 이용한 3차원 형상 측정 방법
JP2009180689A (ja) 三次元形状測定装置
KR101311215B1 (ko) 기판 검사방법
JP2010281778A (ja) 三次元形状計測装置
JP2009139285A (ja) 半田ボール検査装置、及びその検査方法、並びに形状検査装置
KR101017300B1 (ko) 표면형상 측정장치
JP2009210509A (ja) 3次元形状測定装置および3次元形状測定コンピュータプログラム
KR101750883B1 (ko) 비전 검사 시스템의 3차원 형상 측정 방법
JP6126640B2 (ja) 三次元計測装置及び三次元計測方法
WO2023170814A1 (ja) 三次元計測用演算装置、三次元計測用プログラム、記録媒体、三次元計測装置および三次元計測用演算方法
JP7074400B2 (ja) 光学測定装置
TW201719112A (zh) 三維測量裝置
JP2022049269A (ja) 三次元形状計測方法および三次元形状計測装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210217

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210217

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220329

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220329

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7051260

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150