JPWO2020013327A1 - 電気化学デバイス用電極材およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
電気化学的に活性なマグネシウム金属製電気化学デバイス用電極材を提供することを目的とする。化学成分を調整する方法と製造工程を工夫することによって電気化学デバイス用電極材の主たる反応面と（０００１）面とを傾斜させて配置することを特徴とする電気化学デバイス用電極材及びその製造方法により、上記課題が解決される。
Description
本発明は、電気化学デバイス用電極材に関するものである。
電気化学デバイス用電極材は、たとえば２次電池の負極に用いる場合、マグネシウム金属が高い理論容量（３８３０Ａｈｄｍ-3、リチウム金属：２０６０Ａｈｄｍ-3）を有し、正負極が短絡するデンドライトが起こりにくく、大気中でハンドリングしやすいこと等から、実用的な高容量電気化学デバイス用電極材として期待されている。しかしながら、マグネシウム金属あるいはマグネシウム金属（以下、合金も含めてマグネシウム金属と呼ぶ）電極の表面には不働態被膜が形成されやすく、充放電サイクルが著しく劣化することが知られている。
この課題を解決する方法として、特許文献１には、この不働態被膜を電池駆動中に除去する方法が記載されている。特許文献２には、溶液に浸漬して、不働態被膜を除去する方法が記載されている。特許文献３には、働態化被膜を形成する電解液が記載されている。
従来のマグネシウム金属電極（合金を含む）には、前記不働態被膜が形成する課題に加えて、電流密度が低い、すなわち、電気化学的な活性が低いことに課題があった。このため、電気化学デバイスは高出力や急速充電が必要となる用途では、実施を期待することができなかった。これは以下の理由によると推察される。マグネシウム合金の板材として用いられる最も一般的なＡＺ３１合金（質量％でＡｌを３％、Ｚｎを１％含有）は、特許文献４の比較例１〜３の図１１〜１３に示されるように、ＸＲＤで測定した（０００２）面極点図において中心部に極大値を持つ部分が存在し、これはすなわち、六方晶の底面である（０００１）面が表面に平行に配列する集合組織が形成されていることを意味する。この六方晶の底面は酸化還元に対して安定となる、すなわち、電気化学的に不活性となるためと推察された。
先行技術文献である特許文献１〜３にはいずれも形成された不働態被膜を除去する方法もしくは電解液により不働態化を防ぐ方法が開示されている。しかしながら、これらの方法は充放電時に繰り返し不働態被膜を除去したり、使用前に不働態被膜を除去したりするものであり、継続的にマグネシウム金属電極自体の電流密度を増大させ、電気化学的に活性化するものではなかった。
本発明は、マグネシウム金属電極の電流密度が低い、すなわち電気化学的な活性が低いという課題を解決するためになされたものである。本発明は、電気化学的に活性な、マグネシウム金属製電気化学デバイス用電極材を提供することを目的とする。
先行技術文献である特許文献１〜３にはいずれも形成された不働態被膜を除去する方法もしくは電解液により不働態化を防ぐ方法が開示されている。しかしながら、これらの方法は充放電時に繰り返し不働態被膜を除去したり、使用前に不働態被膜を除去したりするものであり、継続的にマグネシウム金属電極自体の電流密度を増大させ、電気化学的に活性化するものではなかった。
本発明は、マグネシウム金属電極の電流密度が低い、すなわち電気化学的な活性が低いという課題を解決するためになされたものである。本発明は、電気化学的に活性な、マグネシウム金属製電気化学デバイス用電極材を提供することを目的とする。
本発明者らは、前記特許文献とは視点を変え、マグネシウム金属の集合組織を変えることにより電気化学的に活性化する方法を検討した。この結果、電気化学デバイス用電極材の主たる反応面とマグネシウム金属の（０００１）面を傾斜させることにより電気化学デバイスとしての性能が格段に向上することを見出した。
ここでいう主たる反応面とは、電気化学反応に主として係る面を指し、たとえば通常の板のように６面で構成される電極では最も面積の大きい面を指し、円筒状の電極では円筒の端面ではなく側面の面積の広い面を指し、円盤状の電極では側面ではなく上下の円形の面などを指す。
本発明は、この際の知見に基づいてなされたものであり、その技術的特徴は、電気化学デバイスとして用いる際の電極材の主たる反応面をＸＲＤにより測定した（０００２）面極点図において、表面の法線方向に極大値を持たないマグネシウム金属を電気化学デバイス用電極材として用いることにある。これは、すなわち電気化学デバイス用電極材の主たる反応面とマグネシウム金属の（０００１）面を傾斜するように配置することと同義である。
一般にマグネシウム金属の板材などは、特許文献４の図１１および図１２に示されるように、（０００２）面極点図においてその中心に極大値を持つ集合組織が形成される。これは、表面の法線方向に［０００１］方向が一致していること、すなわち表面と（０００１）面が平行に配置されていることを意味する。本発明者らは、極点図上の極大値の位置を中心からずらすこと、すなわち表面と（０００１）面を傾斜させて存在させると電気化学デバイスとしての性能が格段に向上することを見出した。本発明は、この知見に基づいてなされたものである。電気化学デバイス用電極材の主たる反応面とマグネシウム金属の（０００１）面を傾斜させることの効果としては以下のように考えられる。
ここでいう主たる反応面とは、電気化学反応に主として係る面を指し、たとえば通常の板のように６面で構成される電極では最も面積の大きい面を指し、円筒状の電極では円筒の端面ではなく側面の面積の広い面を指し、円盤状の電極では側面ではなく上下の円形の面などを指す。
本発明は、この際の知見に基づいてなされたものであり、その技術的特徴は、電気化学デバイスとして用いる際の電極材の主たる反応面をＸＲＤにより測定した（０００２）面極点図において、表面の法線方向に極大値を持たないマグネシウム金属を電気化学デバイス用電極材として用いることにある。これは、すなわち電気化学デバイス用電極材の主たる反応面とマグネシウム金属の（０００１）面を傾斜するように配置することと同義である。
一般にマグネシウム金属の板材などは、特許文献４の図１１および図１２に示されるように、（０００２）面極点図においてその中心に極大値を持つ集合組織が形成される。これは、表面の法線方向に［０００１］方向が一致していること、すなわち表面と（０００１）面が平行に配置されていることを意味する。本発明者らは、極点図上の極大値の位置を中心からずらすこと、すなわち表面と（０００１）面を傾斜させて存在させると電気化学デバイスとしての性能が格段に向上することを見出した。本発明は、この知見に基づいてなされたものである。電気化学デバイス用電極材の主たる反応面とマグネシウム金属の（０００１）面を傾斜させることの効果としては以下のように考えられる。
通常、マグネシウム金属において、圧延板を製造すると安定な稠密六方晶の底面である（０００１）面が板表面と平行になる。この様子を模式図で示すと図１（ａ）ようになる。この様子をＸＲＤ法で測定した（０００２）面極点図で表すと図２（ａ）に示すようになる。図２（ａ）は、通常のマグネシウム金属板の（０００２）面の配向を示すが、その法線方向である［０００１］方向の極大値は厳密に板表面の法線方向（以下ＮＤ方向と称す）に完全に一致しているものではないが、ＮＤ方向から１０度未満の傾きをもって分布している。これが、通常のマグネシウム金属板あるいはビレット等の塊状材料の表面の（０００１）面の配向である。すなわち通常の方法で製造されたマグネシウム金属は図２（ａ）に示す集合組織を呈し、金属表面にはほとんど（０００１）面が現れている。
本発明者らは、マグネシウムの結晶面と電気化学反応との関係について鋭意検討した結果、マグネシウムは、他の金属とは異なり、この六方晶の底面すなわち（０００１）面が酸化還元に対して安定であることを見出した。一般的な金属では、原子配列の最密面が電気化学的に活性であることが確認されるが、マグネシウムは一般の金属とは異なり、原子配列の最密面である（０００１）面が電気化学反応においては安定であることを見いだした。（０００１）面が反応面に現れている状態で電気化学デバイスの電極を形成すると、電極面は酸化還元反応が起こりにくい、すなわち、電気化学的な活性が低い（電流密度が低い）ものとなる。この原因としては、（０００１）面には容易に不導体被膜が形成されるためと考えられた。
これに対して、図１（ｂ）に示すように反応面に（０００１）面以外の面を露出することができれば、不働態被膜の形成が抑制され、電気化学的に活性化し、電気化学デバイスとしての充放電時間が短縮できる、すなわち、高出力化および急速充電が可能となるものと推察される。図１（ｂ）の状態を（０００２）面極点図で示すと図２（ｂ）、（ｃ）のようになる。
本発明者らは、マグネシウムの結晶面と電気化学反応との関係について鋭意検討した結果、マグネシウムは、他の金属とは異なり、この六方晶の底面すなわち（０００１）面が酸化還元に対して安定であることを見出した。一般的な金属では、原子配列の最密面が電気化学的に活性であることが確認されるが、マグネシウムは一般の金属とは異なり、原子配列の最密面である（０００１）面が電気化学反応においては安定であることを見いだした。（０００１）面が反応面に現れている状態で電気化学デバイスの電極を形成すると、電極面は酸化還元反応が起こりにくい、すなわち、電気化学的な活性が低い（電流密度が低い）ものとなる。この原因としては、（０００１）面には容易に不導体被膜が形成されるためと考えられた。
これに対して、図１（ｂ）に示すように反応面に（０００１）面以外の面を露出することができれば、不働態被膜の形成が抑制され、電気化学的に活性化し、電気化学デバイスとしての充放電時間が短縮できる、すなわち、高出力化および急速充電が可能となるものと推察される。図１（ｂ）の状態を（０００２）面極点図で示すと図２（ｂ）、（ｃ）のようになる。
本発明は、前記知見に基づいてなされたものであり、以下の技術要素から構成される。
（１）電気化学デバイスとして用いたときの電気化学デバイス用電極の主たる反応面の表面からＸＲＤにより測定した（０００２）面極点図において、表面の法線方向に極大値を持たないマグネシウム金属からなる電気化学デバイス用電極材。
（２）質量％でＣａを０．０１〜０．７０％およびＺｎを０．１〜４．０％の少なくとも一方を含有する（１）記載の電気化学デバイス用電極材。
（３）Ｃ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｇｅ，Ｓｎ、およびＰｂからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の周期律表の４Ｂ族元素を質量％で合計０．０１〜５．０％含有する（１）または（２）記載の電気化学デバイス用電極材。
（４）Ｓｃ，Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ，Ｎｄ、及びＳｍからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の希土類元素を質量％で合計０．０１〜３．０％を含有する（１）から（３）のいずれか一記載の電気化学デバイス用電極材。
（５）希土類元素を、ミッシュメタルの形態で含有し、ミッシュメタルの含有量が質量％で０．０１〜３．０％である（４）記載の電気化学デバイス用電極材。
（６）ＭｎおよびＺｒの少なくとも一方を質量％で０．２〜３．０％含有する（１）から（５）のいずれか一記載の電気化学デバイス用電極材。
（７）Ａｌを質量％で１２．０％以下の量で含有する、（１）から（６）のいずれか一記載の電気化学デバイス用電極材。（８）（２）から（７）のいずれか一に記載の化学成分の１種以上を含有するマグネシウム金属を板状とし、その後室温での曲げ変形を与える工程と再結晶熱処理とをそれぞれ１回以上行うことを特徴とする（１）から（７）のいずれか一記載の電気化学デバイス用電極材の製造方法。
（９）マグネシウム金属を塊状または厚板状とし、表面から測定した（０００２）面極点図において、表面の法線方向に極大値を持つ面を選び、この面の法線方向から１０度以上傾いた軸を含む面で切断して得られる表面を電気化学デバイス用電極材の主たる反応面とすることを特徴とする（１）から（７）のいずれか一記載の電気化学デバイス用電極材の製造方法。
（１０）粉末状のマグネシウム金属を焼結して、前記焼結されたマグネシウム金属を圧延するかあるいは切断して製造したマグネシウム金属を用いることを特徴とする（１）から（７）のいずれか一記載の電気化学デバイス用電極材の製造方法。
（１）電気化学デバイスとして用いたときの電気化学デバイス用電極の主たる反応面の表面からＸＲＤにより測定した（０００２）面極点図において、表面の法線方向に極大値を持たないマグネシウム金属からなる電気化学デバイス用電極材。
（２）質量％でＣａを０．０１〜０．７０％およびＺｎを０．１〜４．０％の少なくとも一方を含有する（１）記載の電気化学デバイス用電極材。
（３）Ｃ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｇｅ，Ｓｎ、およびＰｂからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の周期律表の４Ｂ族元素を質量％で合計０．０１〜５．０％含有する（１）または（２）記載の電気化学デバイス用電極材。
（４）Ｓｃ，Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ，Ｎｄ、及びＳｍからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の希土類元素を質量％で合計０．０１〜３．０％を含有する（１）から（３）のいずれか一記載の電気化学デバイス用電極材。
（５）希土類元素を、ミッシュメタルの形態で含有し、ミッシュメタルの含有量が質量％で０．０１〜３．０％である（４）記載の電気化学デバイス用電極材。
（６）ＭｎおよびＺｒの少なくとも一方を質量％で０．２〜３．０％含有する（１）から（５）のいずれか一記載の電気化学デバイス用電極材。
（７）Ａｌを質量％で１２．０％以下の量で含有する、（１）から（６）のいずれか一記載の電気化学デバイス用電極材。（８）（２）から（７）のいずれか一に記載の化学成分の１種以上を含有するマグネシウム金属を板状とし、その後室温での曲げ変形を与える工程と再結晶熱処理とをそれぞれ１回以上行うことを特徴とする（１）から（７）のいずれか一記載の電気化学デバイス用電極材の製造方法。
（９）マグネシウム金属を塊状または厚板状とし、表面から測定した（０００２）面極点図において、表面の法線方向に極大値を持つ面を選び、この面の法線方向から１０度以上傾いた軸を含む面で切断して得られる表面を電気化学デバイス用電極材の主たる反応面とすることを特徴とする（１）から（７）のいずれか一記載の電気化学デバイス用電極材の製造方法。
（１０）粉末状のマグネシウム金属を焼結して、前記焼結されたマグネシウム金属を圧延するかあるいは切断して製造したマグネシウム金属を用いることを特徴とする（１）から（７）のいずれか一記載の電気化学デバイス用電極材の製造方法。
本発明の他の好ましい実施態様としては以下が挙げられる。
（１）電気化学デバイスとして用いたときの電極材の主たる反応面の表面からＸＲＤにより測定した（０００２）面極点図において、表面の法線方向に極大値を持たないマグネシウム金属からなる電極材。
（２）質量％でＣａを０．０１〜０．７０％およびＺｎを０．１〜４．０％の少なくとも一方を含有する（１）記載の電極材。
（３）Ｃ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｇｅ，Ｓｎ、およびＰｂからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の周期律表の４Ｂ族元素を質量％で合計０．０１〜５．０％含有する（１）または（２）記載の電極材。
（４）Ｓｃ，Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ，Ｎｄ、及びＳｍからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の希土類元素を質量％で合計０．０１〜３．０％を含有する（１）から（３）のいずれか一記載の電極材。
（５）希土類元素を、ミッシュメタルの形態で含有し、ミッシュメタルの含有量が質量％で０．０１〜３．０％である（４）記載の電極材。
（６）さらに、ＭｎおよびＺｒの少なくとも一方を質量％で０．２〜３．０％含有する（１）から（５）のいずれか一記載の電極材。
（７）Ａｌを質量％で１２．０％以下の量で含有する、（１）から（６）のいずれか一記載の電極材。
（８）（１）から（７）のいずれか一記載の電極材を含む電気化学デバイス。
（１）電気化学デバイスとして用いたときの電極材の主たる反応面の表面からＸＲＤにより測定した（０００２）面極点図において、表面の法線方向に極大値を持たないマグネシウム金属からなる電極材。
（２）質量％でＣａを０．０１〜０．７０％およびＺｎを０．１〜４．０％の少なくとも一方を含有する（１）記載の電極材。
（３）Ｃ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｇｅ，Ｓｎ、およびＰｂからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の周期律表の４Ｂ族元素を質量％で合計０．０１〜５．０％含有する（１）または（２）記載の電極材。
（４）Ｓｃ，Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ，Ｎｄ、及びＳｍからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の希土類元素を質量％で合計０．０１〜３．０％を含有する（１）から（３）のいずれか一記載の電極材。
（５）希土類元素を、ミッシュメタルの形態で含有し、ミッシュメタルの含有量が質量％で０．０１〜３．０％である（４）記載の電極材。
（６）さらに、ＭｎおよびＺｒの少なくとも一方を質量％で０．２〜３．０％含有する（１）から（５）のいずれか一記載の電極材。
（７）Ａｌを質量％で１２．０％以下の量で含有する、（１）から（６）のいずれか一記載の電極材。
（８）（１）から（７）のいずれか一記載の電極材を含む電気化学デバイス。
本発明のマグネシウム金属を用いた電気化学デバイス用電極材は、２次電池、キャパシタ等の電気化学デバイスに用いたときに、高い電流密度を得ることができる。不働態被膜が形成されにくくなり、充放電の回数を伸ばすことができたものと考えられる。
次に、本発明について詳細に説明する。
本発明の特徴は、電気化学デバイス用電極材の主たる反応面の表面からＸＲＤにより測定した（０００２）面極点図において、表面の法線方向に極大値を持たないマグネシウム金属からなる電気化学デバイス用電極材にある。表面の法線方向に極大値を持たないとは、ＸＲＤにより測定した（０００２）面極点図において、中心から１０度未満の位置に極大値を持たないことを意味する。すなわち、（０００２）面極点図には、縦横の軸に１０度ごとに目盛が振られているので、中心から１目盛の半径で描いた円の内側にＸ線強度の極大値が存在しないことである。表面の法線方向に極大値がなければ、極の数は２でも４であっても構わない。ここで極とは、ＸＲＤで測定したＸ線強度が周りよりも高い部分をいう。極が２である例が特許文献４の図９に、また４である例が同文献図１０に示されている。
電気化学デバイス用電極材の主たる反応面とマグネシウム金属の（０００１）面を傾斜するように配置するとは、図１（ｂ）に示すように六方晶底面の法線方向の配向が主たる反応面の法線方向に対して傾いていることをいい、さらに詳細には、表面からＸＲＤにより測定した（０００２）面極点図において、表面の法線方向から１０度未満の方向に極大値を持たないことを意味する。
本明細書においてマグネシウム金属とは純マグネシウムおよびマグネシウム合金を含んだ総称である。
本明細書においてマグネシウム金属は、マグネシウムを質量％で５０％以上含有する金属を指す。好ましくは７０％以上、さらに好ましくは８０％以上である。
本明細書においてマグネシウム合金とは、純マグネシウムにさらに任意の金属元素を含む合金である。例えば、マグネシウムを質量％で９９．９９％以上含有する純マグネシウムに、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｐｂなどのマグネシウム以外の元素及びＳｃ、Ｙ、Ｌａ，Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍなどの希土類元素から選択される金属元素を、例えば、質量％で０．０１％以上添加した合金であってもよい。Ｃｕを含む場合には、質量％で１５％以下であることが好ましく、より好ましくは１．５〜１３．０％である。
本発明の特徴は、電気化学デバイス用電極材の主たる反応面の表面からＸＲＤにより測定した（０００２）面極点図において、表面の法線方向に極大値を持たないマグネシウム金属からなる電気化学デバイス用電極材にある。表面の法線方向に極大値を持たないとは、ＸＲＤにより測定した（０００２）面極点図において、中心から１０度未満の位置に極大値を持たないことを意味する。すなわち、（０００２）面極点図には、縦横の軸に１０度ごとに目盛が振られているので、中心から１目盛の半径で描いた円の内側にＸ線強度の極大値が存在しないことである。表面の法線方向に極大値がなければ、極の数は２でも４であっても構わない。ここで極とは、ＸＲＤで測定したＸ線強度が周りよりも高い部分をいう。極が２である例が特許文献４の図９に、また４である例が同文献図１０に示されている。
電気化学デバイス用電極材の主たる反応面とマグネシウム金属の（０００１）面を傾斜するように配置するとは、図１（ｂ）に示すように六方晶底面の法線方向の配向が主たる反応面の法線方向に対して傾いていることをいい、さらに詳細には、表面からＸＲＤにより測定した（０００２）面極点図において、表面の法線方向から１０度未満の方向に極大値を持たないことを意味する。
本明細書においてマグネシウム金属とは純マグネシウムおよびマグネシウム合金を含んだ総称である。
本明細書においてマグネシウム金属は、マグネシウムを質量％で５０％以上含有する金属を指す。好ましくは７０％以上、さらに好ましくは８０％以上である。
本明細書においてマグネシウム合金とは、純マグネシウムにさらに任意の金属元素を含む合金である。例えば、マグネシウムを質量％で９９．９９％以上含有する純マグネシウムに、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｐｂなどのマグネシウム以外の元素及びＳｃ、Ｙ、Ｌａ，Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍなどの希土類元素から選択される金属元素を、例えば、質量％で０．０１％以上添加した合金であってもよい。Ｃｕを含む場合には、質量％で１５％以下であることが好ましく、より好ましくは１．５〜１３．０％である。
電気化学デバイス用電極材の主たる反応面の表面からＸＲＤにより測定した（０００２）面極点図において、表面の法線方向に極大値を持たないマグネシウム金属を得る方法として、化学成分を調整する方法が考えられる。
以下（１）から（５）はその方法と含有する化学成分の限定理由である。
以下（１）から（５）はその方法と含有する化学成分の限定理由である。
（１）質量％でＣａを０．０５〜１．０％およびＺｎを０．１〜３．５％の少なくとも一方を含有させることが好ましい。Ｃａを０．０５％以上１．０％以下およびＺｎを０．１％以上３．５％以下の少なくとも一方を含有させることにより、表面からＸＲＤにより測定した（０００２）面極点図において、（０００２）面の極大値がＮＤ方向より１０度以上傾くためである。Ｃａが０．０５％未満ではこの効果が小さくなり、また、１．０％を超えて含有すると板状の材料の製造が困難になるので％を上限とすることが好ましい。Ｚｎは０．１％未満ではこの効果が小さくなり、３．５％を超えて含有するとマグネシウム金属の鋳造が困難になる傾向にあるので３．５％を上限とすることが好ましい。
Ｚｎのより好ましい含有量は０．５〜２．５％であり、さらに好ましい含有量は１．０〜２．０％である。Ｃａのより好ましい含有量は０．１〜０．９％である。
（２）周期律表の４Ｂ族元素であるＣ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｇｅ，Ｓｎ、Ｐｂから選ばれる少なくとも１種以上の元素を質量％で合計０．０１〜５．０％含有させることが好ましい。いずれの元素も表面からＸＲＤにより測定した（０００２）面極点図において、（０００２）面の極大値をＮＤ方向より１０度以上傾ける効果があるので、単独または総量で０．０１〜５．０％含有させることが好ましい。０．０１％未満では、その効果が小さくなり、５．０％を超えると材料の製造が困難になる傾向にあるので５．０％を上限とすることが好ましい。Ｃは通常溶製によって金属中に含有させることは困難であるが、粉末状のマグネシウムにＣを混ぜ、これをチクソモールド法などにより塊状とすれば、マグネシウム金属中に含有させることができる。より好ましい範囲としては合計０．１〜２．０％である。
（３）希土類元素であるＳｃ，Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ，Ｎｄ、Ｓｍの中から選ばれる少なくとも１種以上の元素を質量％で合計０．０１〜３．０％を含有させることが好ましい。いずれの元素も表面からＸＲＤにより測定した（０００２）面極点図において、（０００２）面の極大値をＮＤ方向より１０度以上傾ける効果があるので、単独または総量で０．０１〜３．０％含有させることが好ましい。０．０１％未満では、その効果が小さくなり、３．０％を超えると材料の製造が困難になる傾向にあるので３．０％を上限とすることが好ましい。より好ましい範囲としては、合計で０．１〜２．０％である。
（４）前記（３）記載の元素を添加する際に、希土類元素の混合物であるミッシュメタルを使用してもよく、そのとき、ミッシュメタルの含有量は質量％で０．０１〜３．０％であることが好ましい。ミッシュメタルによる添加も表面からＸＲＤにより測定した（０００２）面極点図において、（０００２）面の極大値をＮＤ方向より１０度以上傾ける効果があるので、０．０１〜３．０％含有させることが好ましい。０．０１％未満では、その効果が小さくなり、３．０％を超えると材料の製造が困難になる傾向にあるので３．０％を上限とすることが好ましい。より好ましい範囲としては、０．１〜２．０％である。
（５）前記（１）から（４）記載のいずれかの化学成分に加えて、ＭｎおよびＺｒの少なくとも一方を質量％で０．２〜３．０％含有させることが好ましい。前記（１）から（４）記載の電気化学デバイスにおける効果を高めるには結晶粒径は小さい方が有利であり、このためＭｎおよびＺｒを添加することが好ましい。それぞれ、０．２％未満ではこの効果が小さくなり、また３．０％を超えると材料の製造が困難になる傾向にあるので３．０％を上限とすることが好ましい。より好ましい範囲としては、０．２〜２．０％である。
（６）前記（１）から（５）記載のいずれかの科学成分に加えて、Ａｌを質量％で１２．０％以下含むことが好ましい。より好ましくは０．０１〜１０．０％の範囲である
Ｚｎのより好ましい含有量は０．５〜２．５％であり、さらに好ましい含有量は１．０〜２．０％である。Ｃａのより好ましい含有量は０．１〜０．９％である。
（２）周期律表の４Ｂ族元素であるＣ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｇｅ，Ｓｎ、Ｐｂから選ばれる少なくとも１種以上の元素を質量％で合計０．０１〜５．０％含有させることが好ましい。いずれの元素も表面からＸＲＤにより測定した（０００２）面極点図において、（０００２）面の極大値をＮＤ方向より１０度以上傾ける効果があるので、単独または総量で０．０１〜５．０％含有させることが好ましい。０．０１％未満では、その効果が小さくなり、５．０％を超えると材料の製造が困難になる傾向にあるので５．０％を上限とすることが好ましい。Ｃは通常溶製によって金属中に含有させることは困難であるが、粉末状のマグネシウムにＣを混ぜ、これをチクソモールド法などにより塊状とすれば、マグネシウム金属中に含有させることができる。より好ましい範囲としては合計０．１〜２．０％である。
（３）希土類元素であるＳｃ，Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ，Ｎｄ、Ｓｍの中から選ばれる少なくとも１種以上の元素を質量％で合計０．０１〜３．０％を含有させることが好ましい。いずれの元素も表面からＸＲＤにより測定した（０００２）面極点図において、（０００２）面の極大値をＮＤ方向より１０度以上傾ける効果があるので、単独または総量で０．０１〜３．０％含有させることが好ましい。０．０１％未満では、その効果が小さくなり、３．０％を超えると材料の製造が困難になる傾向にあるので３．０％を上限とすることが好ましい。より好ましい範囲としては、合計で０．１〜２．０％である。
（４）前記（３）記載の元素を添加する際に、希土類元素の混合物であるミッシュメタルを使用してもよく、そのとき、ミッシュメタルの含有量は質量％で０．０１〜３．０％であることが好ましい。ミッシュメタルによる添加も表面からＸＲＤにより測定した（０００２）面極点図において、（０００２）面の極大値をＮＤ方向より１０度以上傾ける効果があるので、０．０１〜３．０％含有させることが好ましい。０．０１％未満では、その効果が小さくなり、３．０％を超えると材料の製造が困難になる傾向にあるので３．０％を上限とすることが好ましい。より好ましい範囲としては、０．１〜２．０％である。
（５）前記（１）から（４）記載のいずれかの化学成分に加えて、ＭｎおよびＺｒの少なくとも一方を質量％で０．２〜３．０％含有させることが好ましい。前記（１）から（４）記載の電気化学デバイスにおける効果を高めるには結晶粒径は小さい方が有利であり、このためＭｎおよびＺｒを添加することが好ましい。それぞれ、０．２％未満ではこの効果が小さくなり、また３．０％を超えると材料の製造が困難になる傾向にあるので３．０％を上限とすることが好ましい。より好ましい範囲としては、０．２〜２．０％である。
（６）前記（１）から（５）記載のいずれかの科学成分に加えて、Ａｌを質量％で１２．０％以下含むことが好ましい。より好ましくは０．０１〜１０．０％の範囲である
以上の化学成分を調整して電気化学デバイス用電極材の主たる反応面の表面からＸＲＤにより測定した（０００２）面極点図において、表面の法線方向に極大値を持たないマグネシウム金属を得る方法以外に所定の製造方法によりこれを実現する方法がある。
以下、その方法の説明である。
（７）前記（１）から（６）記載のいずれか一に記載の元素の１種以上を含有するマグネシウム金属を板状とし、その後室温での曲げ変形を与える工程と再結晶熱処理とをそれぞれ１回以上行うことが好ましい。本発明においては、前記化学成分を有するマグネシウム金属を例えば押し出しや圧延等により切り板状あるいはコイル状とした後、曲げ変形を加え、その後再結晶熱処理を施してもよい。この「曲げ変形＋再結晶熱処理」は少なくとも１回は施すことが好ましい。さらに成形性を向上させるために、複数回処理を施すこともできる。この方法により、表面からＸＲＤにより測定した（０００２）面極点図において、表面の法線方向に極大値を持たないマグネシウム金属を製造することができる。
（８）任意の化学成分を含有するマグネシウム金属を塊状または厚板状とし、表面から測定した（０００２）面極点図において、表面の法線方向に極大値を持つ面を選び、この面の法線方向から１０度以上傾いた軸を含む面で切断した面を電気化学デバイス用電極材の主たる反応面としてもよい。電気化学デバイス用電極材の主たる反応面とマグネシウム金属の（０００１）面を傾斜させて配置する方法として最も簡便な方法は、マグネシウム金属を塊状または厚板状とし、前記のように表面の法線方向に極大値を持つ面の表面から測定した（０００２）面極点図において、この面の法線方向から１０度以上傾いた軸を含む面で切断し、新たに現れた面を電気化学デバイス用電極材の主たる反応面とする。しかし、この方法では薄板を製造することが困難なため、専ら大型の電気化学デバイスに用いることが好ましい。
（９）粉末状のマグネシウム金属を焼結して、前記焼結されたマグネシウム金属を圧延するかあるいは切断して製造したマグネシウム金属においても、電気化学デバイス用電極材の主たる反応面の表面からＸＲＤにより測定した（０００２）面極点図において、表面の法線方向に極大値を持たないマグネシウム金属を得ることができる。粉末状のマグネシウム金属の各粉末はそれぞれ異なった集合組織を有しており、これを焼結することにより本発明の特徴を有するマグネシウム金属を得ることができる。
以下、その方法の説明である。
（７）前記（１）から（６）記載のいずれか一に記載の元素の１種以上を含有するマグネシウム金属を板状とし、その後室温での曲げ変形を与える工程と再結晶熱処理とをそれぞれ１回以上行うことが好ましい。本発明においては、前記化学成分を有するマグネシウム金属を例えば押し出しや圧延等により切り板状あるいはコイル状とした後、曲げ変形を加え、その後再結晶熱処理を施してもよい。この「曲げ変形＋再結晶熱処理」は少なくとも１回は施すことが好ましい。さらに成形性を向上させるために、複数回処理を施すこともできる。この方法により、表面からＸＲＤにより測定した（０００２）面極点図において、表面の法線方向に極大値を持たないマグネシウム金属を製造することができる。
（８）任意の化学成分を含有するマグネシウム金属を塊状または厚板状とし、表面から測定した（０００２）面極点図において、表面の法線方向に極大値を持つ面を選び、この面の法線方向から１０度以上傾いた軸を含む面で切断した面を電気化学デバイス用電極材の主たる反応面としてもよい。電気化学デバイス用電極材の主たる反応面とマグネシウム金属の（０００１）面を傾斜させて配置する方法として最も簡便な方法は、マグネシウム金属を塊状または厚板状とし、前記のように表面の法線方向に極大値を持つ面の表面から測定した（０００２）面極点図において、この面の法線方向から１０度以上傾いた軸を含む面で切断し、新たに現れた面を電気化学デバイス用電極材の主たる反応面とする。しかし、この方法では薄板を製造することが困難なため、専ら大型の電気化学デバイスに用いることが好ましい。
（９）粉末状のマグネシウム金属を焼結して、前記焼結されたマグネシウム金属を圧延するかあるいは切断して製造したマグネシウム金属においても、電気化学デバイス用電極材の主たる反応面の表面からＸＲＤにより測定した（０００２）面極点図において、表面の法線方向に極大値を持たないマグネシウム金属を得ることができる。粉末状のマグネシウム金属の各粉末はそれぞれ異なった集合組織を有しており、これを焼結することにより本発明の特徴を有するマグネシウム金属を得ることができる。
前記のマグネシウム金属を電気化学デバイス用電極材として用いることができる。
本明細書において電気化学デバイスとは、電気エネルギーと化学エネルギーを変換するデバイスであり、具体的には、１次電池、２次電池、燃料電池などが挙げられる。電気化学デバイスが２次電池である場合には、２つの電極、セパレータおよび電解液から構成されていてもよい。
本発明に係る電極に対する対極は、活物質、導電助剤、バインダーを混錬して、集電箔に塗工して作製されてもよい。活物質は、マグネシウムイオンを吸蔵放出可能な物質、例えば、五酸化バナジウムや活性炭を用いることができる。
セパレータは、電解液が濡れるもので、マグネシウムイオンを透過できるものが好ましく、ポリプロピレン等を利用することができる。
電解液は、マグネシウム金属表面にマグネシウムイオンが透過可能な被膜が形成されるもので、例えば、無水こはく酸添加グライム電解液（特許文献３）を利用することができる。この電解液を用いることにより、マグネシウム金属の不働態化を抑制することができる。
本明細書において電気化学デバイスとは、電気エネルギーと化学エネルギーを変換するデバイスであり、具体的には、１次電池、２次電池、燃料電池などが挙げられる。電気化学デバイスが２次電池である場合には、２つの電極、セパレータおよび電解液から構成されていてもよい。
本発明に係る電極に対する対極は、活物質、導電助剤、バインダーを混錬して、集電箔に塗工して作製されてもよい。活物質は、マグネシウムイオンを吸蔵放出可能な物質、例えば、五酸化バナジウムや活性炭を用いることができる。
セパレータは、電解液が濡れるもので、マグネシウムイオンを透過できるものが好ましく、ポリプロピレン等を利用することができる。
電解液は、マグネシウム金属表面にマグネシウムイオンが透過可能な被膜が形成されるもので、例えば、無水こはく酸添加グライム電解液（特許文献３）を利用することができる。この電解液を用いることにより、マグネシウム金属の不働態化を抑制することができる。
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。
以下において「％」は特に示さない限り「質量％」を意味する。
電気化学的な評価は、ビーカー式３極セルを用いて行った。作用極に、マグネシウム合金、対極に活性炭電極、参照極に銀電極、電解液には無水こはく酸添加グライム電解液（特開２０１７−０２２０２４）を用いた。３５℃で、所定電流を印加したときのマグネシウム合金の酸化還元電位を測定した。電流を流し続けた時にフラットな電位が確保できるかで電気化学デバイスとしての性能を評価した。ここでいうフラットな電圧が維持できる状態とは、酸化還元電流密度と電位の関係を測定した結果の図において、横軸のＣａｐａｃｉｔｙが２０μＡｈと１２０μＡｈのときの電圧を比較して、その差が０．１Ｖ以内の状態を指す。特に、還元側が律速になるので、高い還元電流密度までフラットな電圧が維持できた方が電気化学デバイスとして優れていると判断した。
ＸＲＤによる極点図の測定は、株式会社リガク製Ｘ線回折装置 ＲＩＮＴ２０００／ＰＣを用いて、シュルツ反射法により行った。測定面を（０００２）面とし、管電流４０ｍＡ、管電圧４０ＫＶにて測定した。（０００２）面のＸ線反射強度は、２θ＝３４．５度付近にピークが出るが、２θ＝３０度では反射強度のピークを現れないので、この角度で測定した値をバックグラウンドの値とした。
以下において「％」は特に示さない限り「質量％」を意味する。
電気化学的な評価は、ビーカー式３極セルを用いて行った。作用極に、マグネシウム合金、対極に活性炭電極、参照極に銀電極、電解液には無水こはく酸添加グライム電解液（特開２０１７−０２２０２４）を用いた。３５℃で、所定電流を印加したときのマグネシウム合金の酸化還元電位を測定した。電流を流し続けた時にフラットな電位が確保できるかで電気化学デバイスとしての性能を評価した。ここでいうフラットな電圧が維持できる状態とは、酸化還元電流密度と電位の関係を測定した結果の図において、横軸のＣａｐａｃｉｔｙが２０μＡｈと１２０μＡｈのときの電圧を比較して、その差が０．１Ｖ以内の状態を指す。特に、還元側が律速になるので、高い還元電流密度までフラットな電圧が維持できた方が電気化学デバイスとして優れていると判断した。
ＸＲＤによる極点図の測定は、株式会社リガク製Ｘ線回折装置 ＲＩＮＴ２０００／ＰＣを用いて、シュルツ反射法により行った。測定面を（０００２）面とし、管電流４０ｍＡ、管電圧４０ＫＶにて測定した。（０００２）面のＸ線反射強度は、２θ＝３４．５度付近にピークが出るが、２θ＝３０度では反射強度のピークを現れないので、この角度で測定した値をバックグラウンドの値とした。
（比較例１）
電気化学デバイス用電極材の主たる反応面の表面からＸＲＤにより測定した（０００２）面極点図において、表面の法線方向に極大値を持つ例として、一般的な圧延材として知られるＡｌを２．９％、Ｚｎを１．０％含有するＡＺ３１合金を用いて酸化還元電位を測定した。具体的には、Ａｌを２．９％、Ｚｎを１．０％を含有するマグネシウム合金を溶解鋳造し、ビレットとなし、ついで押し出しにより板厚４ｍｍの板とし、その後温間圧延により板厚０．４ｍｍの板としてＡＺ３１合金を得た。図３に電気化学デバイス用電極材の主たる反応面とした圧延面からＸＲＤにより測定した（０００２）面の極点図を示す。圧延面の法線方向に極大値を有する結果が得られている。
この材料を用いて酸化還元電流密度と酸化還元電位との関係を測定した結果を図４に示す。還元電流密度が６０μＡｃｍ-2を超えると、還元電位が増大し、フラット電位が継続しなくなった。これは印加した電流密度に対して電極反応が間に合わない、すなわち、電極の電気化学的に活性なサイト数が不足していることを示唆している。特に還元反応は酸化反応に比べて遅いため、この活性サイト数不足が顕著となる。フラット電位が継続しない状態では、電解液の分解が進行し、電極は不働態化するので、電気化学デバイスとして安定して動作させるには、フラット電位が維持できる電流密度３０μＡｃｍ-2以下にしなければならない。これは、電流密度としては実用上極めて小さい値であり、実使用に耐えられない材料であるといえる。
電気化学デバイス用電極材の主たる反応面の表面からＸＲＤにより測定した（０００２）面極点図において、表面の法線方向に極大値を持つ例として、一般的な圧延材として知られるＡｌを２．９％、Ｚｎを１．０％含有するＡＺ３１合金を用いて酸化還元電位を測定した。具体的には、Ａｌを２．９％、Ｚｎを１．０％を含有するマグネシウム合金を溶解鋳造し、ビレットとなし、ついで押し出しにより板厚４ｍｍの板とし、その後温間圧延により板厚０．４ｍｍの板としてＡＺ３１合金を得た。図３に電気化学デバイス用電極材の主たる反応面とした圧延面からＸＲＤにより測定した（０００２）面の極点図を示す。圧延面の法線方向に極大値を有する結果が得られている。
この材料を用いて酸化還元電流密度と酸化還元電位との関係を測定した結果を図４に示す。還元電流密度が６０μＡｃｍ-2を超えると、還元電位が増大し、フラット電位が継続しなくなった。これは印加した電流密度に対して電極反応が間に合わない、すなわち、電極の電気化学的に活性なサイト数が不足していることを示唆している。特に還元反応は酸化反応に比べて遅いため、この活性サイト数不足が顕著となる。フラット電位が継続しない状態では、電解液の分解が進行し、電極は不働態化するので、電気化学デバイスとして安定して動作させるには、フラット電位が維持できる電流密度３０μＡｃｍ-2以下にしなければならない。これは、電流密度としては実用上極めて小さい値であり、実使用に耐えられない材料であるといえる。
（実施例１）
Ｚｎ１．５％およびＣａ０．１０％を含有し、その他の成分としてＣｕを３．０％含有するマグネシウム合金を溶解鋳造し、ビレットとなし、ついで押し出しにより板厚４ｍｍの板とし、その後温間圧延により板厚０．４ｍｍの板とした。この板を用いて、極点図の測定を行った。板の圧延面から測定した（０００２）面極点図を図５に示す。この図から、この材料は圧延方向に２つの極大値を持ち、圧延面の法線方向に（０００２）面の極大値を持たないことがわかる。この材料を用いて、酸化還元電流密度と酸化還元電位の関係を測定した。その結果を図６に示す。比較例１の従来のマグネシウム合金に比べて、還元電流密度１８０μＡｃｍ-2までフラット電位が維持され、過電圧も抑制される結果が得られている。これは高電流を印加しても安定して充放電できることを示唆している。
Ｚｎ１．５％およびＣａ０．１０％を含有し、その他の成分としてＣｕを３．０％含有するマグネシウム合金を溶解鋳造し、ビレットとなし、ついで押し出しにより板厚４ｍｍの板とし、その後温間圧延により板厚０．４ｍｍの板とした。この板を用いて、極点図の測定を行った。板の圧延面から測定した（０００２）面極点図を図５に示す。この図から、この材料は圧延方向に２つの極大値を持ち、圧延面の法線方向に（０００２）面の極大値を持たないことがわかる。この材料を用いて、酸化還元電流密度と酸化還元電位の関係を測定した。その結果を図６に示す。比較例１の従来のマグネシウム合金に比べて、還元電流密度１８０μＡｃｍ-2までフラット電位が維持され、過電圧も抑制される結果が得られている。これは高電流を印加しても安定して充放電できることを示唆している。
（実施例２）
Ｓｎを１．５％、その他の成分としてＣｕを３．１８％含有するマグネシウム合金を実施例１と同様の方法で板厚０．４ｍｍの板とした。圧延面の法線方向に極大値をもたない結果が得られている（データは示していない）。この板の酸化還元電流密度と酸化還元電位の関係を図７に示す。比較例１の従来のマグネシウム合金に比べて、より高い還元電流密度までフラット電位が維持され、過電圧も抑制される結果が得られている。これは高電流を印加しても安定して充放電できることを示唆している。
Ｓｎを１．５％、その他の成分としてＣｕを３．１８％含有するマグネシウム合金を実施例１と同様の方法で板厚０．４ｍｍの板とした。圧延面の法線方向に極大値をもたない結果が得られている（データは示していない）。この板の酸化還元電流密度と酸化還元電位の関係を図７に示す。比較例１の従来のマグネシウム合金に比べて、より高い還元電流密度までフラット電位が維持され、過電圧も抑制される結果が得られている。これは高電流を印加しても安定して充放電できることを示唆している。
（実施例３）
Ｓｉを０．８９％、Ｚｎを１．５９％、Ｃａを０．１３％、Ｃｕを３．２％含有するマグネシウム合金を実施例１と同様の方法で板厚０．４ｍｍの板とした。この板の酸化還元電流密度と酸化還元電位の関係を図８に示す。比較例１の従来のマグネシウム合金に比べて、より高い還元電流密度までフラット電位が維持され、過電圧も抑制される結果が得られている。これは高電流を印加しても安定して充放電できることを示唆している。
Ｓｉを０．８９％、Ｚｎを１．５９％、Ｃａを０．１３％、Ｃｕを３．２％含有するマグネシウム合金を実施例１と同様の方法で板厚０．４ｍｍの板とした。この板の酸化還元電流密度と酸化還元電位の関係を図８に示す。比較例１の従来のマグネシウム合金に比べて、より高い還元電流密度までフラット電位が維持され、過電圧も抑制される結果が得られている。これは高電流を印加しても安定して充放電できることを示唆している。
（実施例４）
レアアースを添加した例としてＣｅ０．７７％、Ｌａ０．３２％を含有し、その他Ｃｕ３．２％、Ｚｎ１．５９％、Ｃａ０．１２％を含有するマグネシウム合金を実施例１と同様の方法で板厚０．４ｍｍの板とした。この板の酸化還元電流密度と酸化還元電位との関係を図９に示す。比較例１の従来のマグネシウム合金に比べて、より高い還元電流密度９０μＡｃｍ-2までフラット電位が維持され、過電圧も抑制される結果が得られている。これは高電流を印加しても安定して充放電できることを示唆している。
レアアースを添加した例としてＣｅ０．７７％、Ｌａ０．３２％を含有し、その他Ｃｕ３．２％、Ｚｎ１．５９％、Ｃａ０．１２％を含有するマグネシウム合金を実施例１と同様の方法で板厚０．４ｍｍの板とした。この板の酸化還元電流密度と酸化還元電位との関係を図９に示す。比較例１の従来のマグネシウム合金に比べて、より高い還元電流密度９０μＡｃｍ-2までフラット電位が維持され、過電圧も抑制される結果が得られている。これは高電流を印加しても安定して充放電できることを示唆している。
（実施例５）
比較例１と同じ成分であるＡｌ２．９％およびＺｎ１．０％を含有するマグネシウム合金を溶解鋳造法によりビレットとし、その後押し出し加工により板厚４ｍｍの板とし、ついで温間圧延を施して板厚０．４ｍｍの板を得た。この板を用いて、「曲げ変形＋再結晶熱処理」を施した。曲げ変形の付与はローラレベラにて行った。その後３００℃で再結晶熱処理を施し、板状の材料を得た。この板の極点図を図１０に示す。圧延面の法線方向に極大値をもたない結果が得られている。この板の酸化還元電流密度と酸化還元電位との関係を図１１に示す。還元電流密度６０μＡｃｍ-2までフラット電位が維持され、過電圧も抑制される結果が得られている。これは高電流を印加しても安定して充放電できることを示唆している。
この結果と同一成分を有する比較例１の結果とを比べてみると、比較例１では、還元電流密度が６０μＡｃｍ-2を超えると、還元電位が増大し、フラット電位が継続しなくなったが、「曲げ変形＋再結晶熱処理」を施し、圧延面の法線方向に極大値をもたないマグネシウム合金は比較例１よりも高い還元電流密度（６０μＡｃｍ-2）までフラット電位が維持される結果が得られている。また、電流密度を上げたときの酸化電位と還元電位の差も小さい。これは、集合組織を制御した合金は、一般的なＡＺ３１合金より電気化学的に活性なサイトが多く、電流密度２倍以上の高い電流を印加しても安定して充放電できることを示唆している。したがって、電気化学デバイス用電極材の主たる反応面の表面からＸＲＤにより測定した（０００２）面極点図において、表面の法線方向に極大値を持たないように結晶方位を制御したマグネシウム合金を用いると高出力で急速充電が可能な電気化学デバイスが実現できることを示している。
比較例１と同じ成分であるＡｌ２．９％およびＺｎ１．０％を含有するマグネシウム合金を溶解鋳造法によりビレットとし、その後押し出し加工により板厚４ｍｍの板とし、ついで温間圧延を施して板厚０．４ｍｍの板を得た。この板を用いて、「曲げ変形＋再結晶熱処理」を施した。曲げ変形の付与はローラレベラにて行った。その後３００℃で再結晶熱処理を施し、板状の材料を得た。この板の極点図を図１０に示す。圧延面の法線方向に極大値をもたない結果が得られている。この板の酸化還元電流密度と酸化還元電位との関係を図１１に示す。還元電流密度６０μＡｃｍ-2までフラット電位が維持され、過電圧も抑制される結果が得られている。これは高電流を印加しても安定して充放電できることを示唆している。
この結果と同一成分を有する比較例１の結果とを比べてみると、比較例１では、還元電流密度が６０μＡｃｍ-2を超えると、還元電位が増大し、フラット電位が継続しなくなったが、「曲げ変形＋再結晶熱処理」を施し、圧延面の法線方向に極大値をもたないマグネシウム合金は比較例１よりも高い還元電流密度（６０μＡｃｍ-2）までフラット電位が維持される結果が得られている。また、電流密度を上げたときの酸化電位と還元電位の差も小さい。これは、集合組織を制御した合金は、一般的なＡＺ３１合金より電気化学的に活性なサイトが多く、電流密度２倍以上の高い電流を印加しても安定して充放電できることを示唆している。したがって、電気化学デバイス用電極材の主たる反応面の表面からＸＲＤにより測定した（０００２）面極点図において、表面の法線方向に極大値を持たないように結晶方位を制御したマグネシウム合金を用いると高出力で急速充電が可能な電気化学デバイスが実現できることを示している。
（実施例６）
マグネシウム金属を塊状または厚板状とし、ある面の表面から測定した（０００２）面極点図において、極大値を示す方向から１０度以上傾いた軸を含む面で切断した面を電気化学デバイス用電極材の主たる反応面とする電気化学デバイス用電極材の製造方法の例として、純度９９．９９％の純マグネシウム圧延板の圧延面に（０００２）面の極大値を持つ純マグネシウム板を用いて、図１２の（ａ）に示すように切り込みを入れ、板の側面を全表面積の７０％現出させ、図１２（ｂ）に示すように電解液に浸漬し、電気化学デバイス用電極材の主たる反応面を板の側面、すなわち、（０００２）面の極大値を持たない面として酸化還元電流密度と酸化還元電位との関係を測定した。切り込みを入れないで測定した結果を図１３に、切り込みを入れて測定した結果を図１４に示す。フラットな特性を示す還元電流密度６０μＡｃｍ-2から１８０μＡｃｍ-2に増加していることがわかる。これらの結果から、電気化学デバイス用電極材の主たる反応面に（０００１）面が存在していない方が、より高い電気化学的活性を有することがわかる。
マグネシウム金属を塊状または厚板状とし、ある面の表面から測定した（０００２）面極点図において、極大値を示す方向から１０度以上傾いた軸を含む面で切断した面を電気化学デバイス用電極材の主たる反応面とする電気化学デバイス用電極材の製造方法の例として、純度９９．９９％の純マグネシウム圧延板の圧延面に（０００２）面の極大値を持つ純マグネシウム板を用いて、図１２の（ａ）に示すように切り込みを入れ、板の側面を全表面積の７０％現出させ、図１２（ｂ）に示すように電解液に浸漬し、電気化学デバイス用電極材の主たる反応面を板の側面、すなわち、（０００２）面の極大値を持たない面として酸化還元電流密度と酸化還元電位との関係を測定した。切り込みを入れないで測定した結果を図１３に、切り込みを入れて測定した結果を図１４に示す。フラットな特性を示す還元電流密度６０μＡｃｍ-2から１８０μＡｃｍ-2に増加していることがわかる。これらの結果から、電気化学デバイス用電極材の主たる反応面に（０００１）面が存在していない方が、より高い電気化学的活性を有することがわかる。
本発明の電極材は、電気化学デバイスすなわち１次電池、２次電池、およびキャパシタなどに適用することができる。本発明は、マグネシウムを用いているため、安全でかつ資源の確保も容易であり、工業的かつ社会的に極めて有効である。
Claims (10)
- 電気化学デバイスとして用いたときの電気化学デバイス用電極材の主たる反応面の表面からＸＲＤにより測定した（０００２）面極点図において、表面の法線方向に極大値を持たないマグネシウム金属からなる電気化学デバイス用電極材。
- 質量％でＣａを０．０１〜０．７０％およびＺｎを０．１〜４．０％の少なくとも一方を含有する請求項１記載の電気化学デバイス用電極材。
- Ｃ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｇｅ，Ｓｎ、およびＰｂからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の周期律表の４Ｂ族元素を質量％で合計０．０１〜５．０％含有する請求項１または２記載の電気化学デバイス用電極材。
- Ｓｃ，Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ，Ｎｄ、およびＳｍからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の希土類元素を質量％で合計０．０１〜３．０％を含有する請求項１から３のいずれか一項記載の電気化学デバイス用電極材。
- 希土類元素を、ミッシュメタルの形態で含有し、ミッシュメタルの含有量が質量％で０．０１〜３．０％である請求項４記載の電気化学デバイス用電極材。
- ＭｎおよびＺｒの少なくとも一方を質量％で０．２〜３．０％含有する請求項１から５のいずれか一項記載の電気化学デバイス用電極材。
- Ａｌを質量％で１２．０％以下の量で含有する、請求項１から６のいずれか一項記載の電気化学デバイス用電極材。
- 請求項２から７のいずれか一項に記載の元素の１種以上を含有するマグネシウム金属を板状とし、その後室温での曲げ変形を与える工程と再結晶熱処理とをそれぞれ１回以上行うことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項記載の電気化学デバイス用電極材の製造方法。
- マグネシウム金属を塊状または厚板状とし、表面から測定した（０００２）面極点図において、表面の法線方向に極大値を持つ面を選び、この面の法線方向から１０度以上傾いた軸を含む面で切断して得られる表面を電気化学デバイス用電極材の主たる反応面とすることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項記載の電気化学デバイス用電極材の製造方法。
- 粉末状のマグネシウム金属を焼結して、前記焼結されたマグネシウム金属を圧延するかあるいは切断して製造したマグネシウム金属を用いることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項記載の電気化学デバイス用電極材の製造方法。
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