JPWO2019216118A1 - レジスト組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

ラインウィズラフネス性能と露光ラチチュード性能とを、温度が変化し得る環境下にて経時保存した場合においても維持可能なレジスト組成物、並びにこれを用いたレジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法を提供する。酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位と、ラクトン構造、スルトン構造、スルホニル構造、及び、カーボネート構造の少なくともいずれかを有する繰り返し単位と、を含む樹脂、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、を含むレジスト組成物であって、上記樹脂の分散度が１．７以下であり、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｗ、Ｖ、Ｂａ、Ａｕ、Ａｓ、Ｃｄ、Ｚｒ及びＭｏの各金属元素の含有量の総和である金属元素含有量が、上記レジスト組成物の全質量に対して、０．０１質量ｐｐｔ以上１質量ｐｐｂ以下である。

Description

本発明は、レジスト組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法に関する。

ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）用レジスト以降、光吸収による感度低下を補うべく、化学増幅を利用したパターン形成方法が用いられている。例えば、ポジ型の化学増幅法では、まず、露光部に含まれる光酸発生剤が、光照射により分解して酸を発生する。そして、露光後のベーク（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）過程等において、発生した酸の触媒作用により、感光性組成物に含まれるアルカリ不溶性の基をアルカリ可溶性の基に変化させる。その後、例えばアルカリ溶液を用いて、現像を行う。これにより、露光部を除去して、所望のパターンを得る。

上記方法において、アルカリ現像液としては、種々のものが提案されている。例えば、このアルカリ現像液として、２．３８質量％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液）の水系アルカリ現像液が汎用的に用いられている。

半導体素子の微細化のために、露光光源の短波長化及び投影レンズの高開口数（高ＮＡ）化が進み、現在では、１９３ｎｍの波長を有するＡｒＦエキシマレーザーを光源とする露光機が開発されている。解像力を更に高める技術として、投影レンズと試料との間に高屈折率の液体（以下、「液浸液」ともいう）を満たす方法（即ち、液浸法）が提唱されている。

ここで、上記パターン形成方法において使用される各種材料は、金属不純物を含まないことが好ましいとされている。

例えば、特許文献１では、レジスト組成物の製造装置を洗浄液で洗浄し、上記洗浄液中に含まれる金属成分の濃度を５ｐｐｂ以下となるまで洗浄して、レジスト組成物を製造する方法が開示されている。

また、例えば、特許文献２の段落＜０２０８＞には、パターン形成方法において使用される各種材料は、金属等の不純物を含まないことが好ましいことが記載されており、特定の濃度以下であることが好ましい旨が記載されている。そして、同段落には、金属等の不純物を除去する方法が例示されている。

特開２０１５−１９７６４６号公報 特開２０１８−４９０９号公報

ところで、パターン形成方法に用いられるレジスト組成物は、レジスト組成物を調製後に、短期間でレジストパターン形成した場合と、レジスト組成物を調製後、一定期間を経てレジストパターンを形成した場合とで、性能に差が生じにくいものが好ましい。

レジスト組成物は、例えば、使用する場合は室温で用いられ、保存は冷蔵下で行われるため、一定期間の保存における温度などの環境が変化したとしても、上記性能の差を生じにくいものが好ましい。

しかしながら、本発明者らが検討したところ、例えば、従来周知の方法により可能な限り金属不純物の低減を図ったレジスト組成物を使用した場合においても、上記の差、具体的には、特に、レジスト組成物を経時保存した場合におけるラインウィズラフネス（ＬＷＲ）性能及び露光ラチチュード（ＥＬ）性能の劣化を抑制することは困難であった。

そこで、本発明は、優れたラインウィズラフネス（ＬＷＲ）性能と優れた露光ラチチュード（ＥＬ）性能とを、レジスト組成物を、温度が変化し得る環境下にて経時保存した場合においても維持可能なレジスト組成物、並びに、これを用いた、レジスト膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。

先ず、本発明者らは、金属不純物の更なる低減化を検討したところ、特定の方法を用いることで、金属不純物を大幅に低減できることを見出した。

そして、本発明者らは、大幅に低減化された金属不純物の濃度と、レジスト組成物を温度が変化し得る環境下にて経時保存した場合におけるＬＷＲ性能及びＥＬ性能の劣化の抑制との関係について検討したところ、金属不純物の濃度は、一定以下である必要がありつつも、一定以上である必要もあることを見出した。また、本発明者らは、上記ＬＷＲ性能及びＥＬ性能の劣化の抑制には、レジスト組成物に含有される樹脂の分散度も、一定以下であることを見出し、本発明を完成させたものである。

すなわち、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。

［１］

（Ａ）酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位と、ラクトン構造、スルトン構造、スルホニル構造、及び、カーボネート構造の少なくともいずれかを有する繰り返し単位と、を含む樹脂、及び

（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、を含むレジスト組成物であって、

上記樹脂（Ａ）の分散度が１．７以下であり、

Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｗ、Ｖ、Ｂａ、Ａｕ、Ａｓ、Ｃｄ、Ｚｒ及びＭｏの各金属元素の含有量の総和である金属元素含有量が、上記レジスト組成物の全質量に対して、０．０１質量ｐｐｔ以上１質量ｐｐｂ以下である、レジスト組成物。

［２］

樹脂（Ａ）の分散度が１．６以下である、［１］に記載のレジスト組成物。

［３］

樹脂（Ａ）の分散度が１．５以下である、［１］又は［２］に記載のレジスト組成物。

［４］

樹脂（Ａ）の分散度が１．３以上である、［１］〜［３］のいずれか１項に記載のレジスト組成物。

［５］

上記金属元素含有量が０．０１質量ｐｐｔ以上０．１質量ｐｐｂ以下である、［１］〜［４］のいずれか１項に記載のレジスト組成物。

［６］

上記金属元素含有量が０．０１質量ｐｐｔ以上０．０１質量ｐｐｂ以下である、［１］〜［５］のいずれか１項に記載のレジスト組成物。

［７］

樹脂（Ａ）が、下記一般式（Ａ−１）で表される繰り返し単位を含む、［１］〜［６］のいずれか１項に記載のレジスト組成物。

一般式（Ａ−１）中、

Ｒ_１は、水素原子又は１価の有機基を表す。

Ｌ_１は、２価の連結基を表す。

ｎは、１〜３の整数を表す。ｎが２以上の場合は、複数のＬ_１は、互いに同じであっても異なっていてもよい。

Ｒ_２は、下記一般式（Ａ１−１）〜（Ａ１−４）のいずれかで表される基を表す。

一般式（Ａ１−１）中、

Ｒａ_１及びＲａ_２は、各々独立に、水素原子、１価の有機基、ハロゲン原子、水酸基、−ＣＯＯＲ’’、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ’’、またはシアノ基を表す。Ｒ’’は、水素原子、アルキル基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は−ＳＯ_２−含有環式基を表す。

Ａ’は、酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよいアルキレン基、酸素原子または硫黄原子を表す。

＊は結合手を表す。

一般式（Ａ１−２）中、

Ｒａ_１１及びＲａ_１２は、各々独立に、水素原子、１価の有機基、ハロゲン原子、水酸基、−ＣＯＯＲ_１’’、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ_１’’、またはシアノ基を表す。Ｒ_１’’は、水素原子、アルキル基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は−ＳＯ_２−含有環式基を表す。

Ａ’’は、酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよいアルキレン基、酸素原子または硫黄原子を表す。

＊は結合手を表す。

一般式（Ａ１−３）中、

Ｒａ_２１及びＲａ_２２は、各々独立に、水素原子、１価の有機基、ハロゲン原子、水酸基、−ＣＯＯＲ_２’’、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ_２’’、またはシアノ基を表す。Ｒ_２’’は、水素原子、アルキル基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は−ＳＯ_２−含有環式基を表す。

ｎ１は、０〜２の整数を表す。

＊は結合手を表す。

一般式（Ａ１−４）中、

Ｒａ_３１及びＲａ_３２は、各々独立に、水素原子、１価の有機基、ハロゲン原子、水酸基、−ＣＯＯＲ_３’’、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ_３’’、またはシアノ基を表す。Ｒ_３’’は、水素原子、アルキル基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は−ＳＯ_２−含有環式基を表す。

ｎ２は、０〜２の整数を表す。

＊は結合手を表す。

［８］

上記一般式（Ａ−１）で表される繰り返し単位が、下記一般式（Ａ−２）で表される繰り返し単位である、［７］に記載のレジスト組成物。

一般式（Ａ−２）中、

Ｌ_２は、２価の連結基を表す。

ｎ３は、１〜３の整数を表す。ｎ３が２以上の場合は、複数のＬ_２は、互いに同じであっても異なっていてもよい。

Ｒ_３は、水素原子又は１価の有機基を表す。

［９］

樹脂（Ａ）が、下記一般式（Ａ２−１）で表される繰り返し単位を有する、［１］〜［６］のいずれか１項に記載のレジスト組成物。

一般式（Ａ２−１）中、

Ｒ_２１は、水素原子又は１価の有機基を表す。

Ｒ_２２〜Ｒ_２５は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、ヒドロキシ基又は１価の有機基を表す。

ａは、１〜６の整数を表す。ａが２以上の場合は、複数のＲ_２２は、互いに同じであっても異なっていてもよい。ａが２以上の場合は、複数のＲ_２３は、互いに同じであっても異なっていてもよい。但し、Ｒ_２２とＲ_２３、及びＲ_２４とＲ_２５は、各々互いに結合して、これらが結合している炭素原子と共に環構造を形成していてもよい。

［１０］

上記一般式（Ａ２−１）で表される繰り返し単位が、下記一般式（Ａ２−２）で表される繰り返し単位である、［９］に記載のレジスト組成物。

一般式（Ａ２−２）中、

Ｒ_２０１、Ｒ_２０２、Ｒ_２０３は各々独立に、水素原子又は１価の有機基を表す。

Ｒ_２０１及びＲ_２０２は、互いに結合して環構造を形成してもよい。

［１１］

樹脂（Ａ）が、下記一般式（Ａ３−１）で表される繰り返し単位を有する、［１］〜［６］のいずれか１項に記載のレジスト組成物。

一般式（Ａ３−１）中、

Ｒ_３１は、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基を表す。

Ｌ_３及びＬ_４は、各々独立に、２価の連結基を表す。

Ｒ_３２は、カルボキシル基、シアノ基、又は１価の有機基を表す。

ｏは、１〜３の整数を表す。ｏが２以上の場合は、複数のＬ_３は、互いに同じであっても異なっていてもよい。

ｐは、０〜３の整数を表す。

ｑは、０〜３の整数を表す。ｑが２以上の場合は、複数のＬ_４は、互いに同じであっても異なっていてもよい。

ｒは、０〜３の整数を表す。ｒが２以上の場合は、複数のＲ_３２は、互いに同じであっても異なっていてもよい。

［１２］

樹脂（Ａ）が、下記一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位を有する、請求項1〜６のいずれか１項に記載のレジスト組成物。

一般式（ＡＩ）中、

Ｘａ_１は、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基を表す。

Ｔは、単結合又は２価の連結基を表す。

Ｒｘ_１〜Ｒｘ_３は、それぞれ独立に、１価の有機基を表し、ヘテロ原子を含んでいてもよい。

Ｒｘ_１〜Ｒｘ_３のいずれか２つが結合して環構造を形成してもよい。

［１３］

上記一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位が、下記一般式（Ａ４−１）で表される繰り返し単位である、［１２］に記載のレジスト組成物。

一般式（Ａ４−１）中、

Ｌ_５は、−Ｌ_６−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（Ｌ_６は、２価の連結基を表す）を表す、

ｓは、１〜３の整数を表す。ｓが２以上の場合は、複数のＬ_５は、互いに同じであっても異なっていてもよい。

Ｒ_４１、Ｒ_４２、Ｒ_４３は、各々独立に、水素原子又は１価の有機基を表す。

Ｒ_４１及びＲ_４２は、互いに結合して、環構造を形成してもよい。

［１４］

［１］〜［１３］のいずれか１項に記載のレジスト組成物により形成されたレジスト膜。

［１５］

（ｉ）［１］〜［１３］のいずれか１項に記載のレジスト組成物によってレジスト膜を形成する工程、（ｉｉ）上記レジスト膜に活性光線又は放射線を照射する工程、及び、（ｉｉｉ）上記レジスト膜を、現像液を用いて現像する工程、を有するパターン形成方法。

［１６］

［１５］に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。

本発明によれば、優れたラインウィズラフネス（ＬＷＲ）性能と優れた露光ラチチュード（ＥＬ）性能とを、レジスト組成物を温度が変化し得る環境下にて経時保存した場合においても維持可能なレジスト組成物、並びに、これを用いた、レジスト膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法を提供できる。

以下、本発明について詳細に説明する。

以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されない。

本明細書中における基（原子団）の表記について、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含する。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含する。また、本明細書中における「有機基」とは、少なくとも１個の炭素原子を含む基をいう。

本明細書中における「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ光: Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）、Ｘ線、及び電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ）等を意味する。本明細書中における「光」とは、活性光線又は放射線を意味する。

本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線、Ｘ線、及びＥＵＶ光等による露光のみならず、電子線、及びイオンビーム等の粒子線による描画も含む。

本明細書において、「〜」とはその前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。

本明細書において、（メタ）アクリレートはアクリレート及びメタクリレートを表し、（メタ）アクリルはアクリル及びメタクリルを表す。

本明細書において、樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）、及び分散度（分子量分布ともいう）（Ｍｗ／Ｍｎ）は、ＧＰＣ（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）装置（東ソー社製ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ）によるＧＰＣ測定（溶媒：テトラヒドロフラン、流量（サンプル注入量）：１０μＬ、カラム：東ソー社製ＴＳＫ ｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ−Ｍ、カラム温度：４０℃、流速：１．０ｍＬ／分、検出器：示差屈折率検出器(Ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ Ｉｎｄｅｘ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）)によるポリスチレン換算値として定義される。

〔レジスト組成物〕

本発明のレジスト組成物について説明する。

本発明のレジスト組成物は、ポジ型のレジスト組成物であっても、ネガ型のレジスト組成物であってもよい。また、アルカリ現像用のレジスト組成物であっても、有機溶剤現像用のレジスト組成物であってもよい。

本発明のレジスト組成物は、典型的には、化学増幅型のレジスト組成物である。

本発明のレジスト組成物（以下、「本発明の組成物」ともいう）は、（Ａ）酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位と、ラクトン構造、スルトン構造、スルホニル構造、及び、カーボネート構造の少なくともいずれかを有する繰り返し単位と、を含む樹脂、及び、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、を含むレジスト組成物であって、

上記樹脂（Ａ）の分散度が１．７以下であり、

Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｗ、Ｖ、Ｂａ、Ａｕ、Ａｓ、Ｃｄ、Ｚｒ及びＭｏの各金属元素の含有量の総和である金属元素含有量（以下、単に、「金属元素含有量」ともいう）が、上記レジスト組成物の全質量に対して、０．０１質量ｐｐｔ以上１質量ｐｐｂ以下である、レジスト組成物である。

これらの金属元素は、通常、レジスト組成物の製造過程で混入するものであり、一般には、レジスト組成物に含まれる各成分（樹脂、光酸発生剤、溶剤等）の製造における環境、装置、原材料等に由来するものである。そして、金属元素は、典型的には、金属イオン、又は、固体（金属単体や粒子状の金属含有化合物等）の形態として含有されている。

従来より、レジスト組成物における金属不純物の存在が問題となっており、金属不純物の低減化方法としては、各種フィルタを用いたろ過などが一般的に行われていたが、金属元素含有量は、レジスト組成物の全質量に対して、数質量ｐｐｂの水準までにしか低減できないのが実情である。

一方、本発明者らの鋭意検討の結果、本発明のレジスト組成物の「金属元素含有量が、レジスト組成物の全質量に対して、１質量ｐｐｂ以下」は、レジスト組成物の各成分を溶剤に溶解させたレジスト組成物調製液を、金属イオン吸着フィルタに複数回で通過させることにより、好適に達成することができる。

ここで、金属イオン吸着フィルタに複数回で通過させる方法としては、特に限定されないが、例えば、レジスト組成物調製液を複数個の金属イオン吸着フィルタに通過させる方法、レジスト組成物調製液を１個の金属イオン吸着フィルタに循環して通過させる方法（いわゆる循環ろ過）、レジスト組成物調製液を複数個の金属イオン吸着フィルタを含むフィルタ群に循環して通過させる方法（いわゆる循環ろ過）等が挙げられる。複数個の金属イオン吸着フィルタを使用する場合、金属イオン吸着フィルタは同種類であっても、異種類であってもよい。

金属イオン吸着フィルタとしては、例えば樹脂の基材の表面に酸基を有するフィルタ、が挙げられ、フッ素樹脂（例えば、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン））製の基材の表面にスルホ基を有するフィルタであることが好ましい。

金属イオン吸着フィルタの孔径は、１．０μｍ以下であること好ましく、０．５μｍ以下がより好ましく、０．１μｍ以下が更に好ましい。金属イオン吸着フィルタの孔径は、典型的には、０．００１μｍ以上である。

レジスト組成物調製液を金属イオン吸着フィルタに通過させる際の圧力（ろ過圧力）は特に制限されないが、０．００１〜１．０ＭＰａが好ましく、０．００３〜０．５ＭＰａがより好ましく、０．００５〜０．３ＭＰａが更に好ましい。

２個以上の金属イオン吸着フィルタを用いる場合、それぞれのフィルタに通過させる前後の差圧（以下、「ろ過差圧」ともいう。）としては特に制限されないが、２５０ｋＰａ以下が好ましく、２００ｋＰａ以下が好ましい。下限としては特に制限されないが、２０ｋＰａ以上が好ましい。ろ過差圧が２５０ｋＰａ以下であると、フィルタに過剰な圧が掛かるのを防止できるため溶出物の低減が期待できる。

「金属元素含有量が、レジスト組成物の全質量に対して、０．０１質量ｐｐｔ以上」は、レジスト組成物調製液の金属イオン吸着フィルタに対する通過回数を調整することにより、好適に達成することができる。すなわち、金属元素含有量が、レジスト組成物の全質量に対して、０．０１質量ｐｐｔを下回らない程度に、上記通過回数を選択する。

また、金属イオン吸着フィルタによる濾過により、一旦、金属元素含有量を、０．０１質量ｐｐｔを下回るようにした後に、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｗ、Ｖ、Ｂａ、Ａｕ、Ａｓ、Ｃｄ、Ｚｒ及びＭｏからなる群より選択される１種以上の金属のイオンを含む化合物を、微量で、レジスト組成物に含有させることにより、金属元素含有量を、０．０１質量ｐｐｔ以上としても良い。

レジスト組成物から、金属元素を含む固体（金属単体や粒子状の金属含有化合物等）及びその他の不純物を積極的に除去したい場合には、上記した金属イオン吸着フィルタによる精製に加えて、更に、金属イオン吸着フィルタによる精製工程以外のフィルタリング工程（以下、「その他のフィルタリング工程」とも言う）を施しても良い。その他のフィルタリング工程は、金属イオン吸着フィルタによる精製の前に実施しても、後に実施しても良い。

その他のフィルタリング工程で用いられるフィルタは特に制限されず、公知のフィルタを用いることができる。

その他のフィルタリング工程で用いられるフィルタの材料としては、例えば、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等のフッ素樹脂、ナイロン等のポリアミド系樹脂、並びに、ポリエチレン及びポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン樹脂（高密度、超高分子量を含む）等が挙げられる。なかでも、ポリアミド系樹脂、ＰＴＦＥ、又は、ポリプロピレン（高密度ポリプロピレンを含む）が好ましく、これらの素材により形成されたフィルタを使用することで、レジスト組成物中の金属元素含有量をより効率的に減らすことができる。

その他のフィルタリング工程において、フィルタの孔径は、０．１μｍ以下であることが好ましく、０．０５μｍ以下がより好ましく、０．０４μｍ以下が更に好ましく、０．０２μｍ以下がより一層好ましく、０．０１μｍ以下が特に好ましく、０．００５μｍ以下が最も好ましい。フィルタの孔径を上記範囲とすることで、ろ過詰まりを抑えつつ、被精製物に含まれる微細な異物を確実に除去できる。

その他のフィルタリング工程において、フィルタを使用する際、異なるフィルタを組み合わせてもよい。その際、第１のフィルタでのフィルタリングは、１回のみでもよいし、２回以上行ってもよい。異なるフィルタを組み合わせて２回以上フィルタリングを行う場合には、各フィルタは、互いに同じ種類のものであってもよいし、互いに種類の異なるものであってもよいが、互いに種類の異なるものであることが好ましい。典型的には、第１のフィルタと第２フィルタとは、孔径及び構成素材のうちの少なくとも一方が異なっていることが好ましい。

１回目のフィルタリングの孔径より２回目以降の孔径が同じ、又は、小さい方が好ましい。また、上述した範囲内で異なる孔径の第１のフィルタを組み合わせてもよい。ここでの孔径は、フィルタメーカーの公称値を参照できる。市販のフィルタとしては、例えば、日本ポール株式会社、アドバンテック東洋株式会社、日本インテグリス株式会社（旧日本マイクロリス株式会社）又は株式会社キッツマイクロフィルタ等が提供する各種フィルタの中から選択できる。また、ポリアミド製の「Ｐ−ナイロンフィルター（孔径０．０２μｍ）」；（日本ポール株式会社製）、高密度ポリエチレン製の「ＰＥ・クリーンフィルタ（孔径０．０２μｍ）」；（日本ポール株式会社製）、及び高密度ポリエチレン製の「ＰＥ・クリーンフィルタ（孔径０．０１μｍ）」；（日本ポール株式会社製）も使用することができる。

好ましい態様としては、直列で複数のフィルタを使用して、その内の１つがナイロンフィルターである態様が挙げられる。

ろ過圧力はろ過精度に影響を与えることから、ろ過時における圧力の脈動は可能な限り少ない方が好ましい。

２つ以上のフィルタを用いる場合、それぞれのフィルタに通過させる前後の差圧（以下、「ろ過差圧」ともいう。）としては特に制限されないが、２５０ｋＰａ以下が好ましく、２００ｋＰａ以下が好ましい。下限としては特に制限されないが、２０ｋＰａ以上が好ましい。ろ過差圧が２５０ｋＰａ以下であると、フィルタに過剰な圧が掛かるのを防止できるため溶出物の低減が期待できる。

レジスト組成物の調製方法において、ろ過圧力は特に制限されないが、０．００１〜１．０ＭＰａが好ましく、０．００３〜０．５ＭＰａがより好ましく、０．００５〜０．３ＭＰａが更に好ましい。特に、孔径が小さいフィルタを使用する場合には、ろ過の圧力を上げることで被精製物中に溶解している粒子状の異物又は不純物の量を効率的に低下させることができる。孔径が２０ｎｍより小さいフィルタを使用する場合には、ろ過の圧力は、０．００５〜０．３ＭＰａであることが特に好ましい。

また、ろ過フィルタのポアサイズが小さくなるとろ過速度が低下する。しかし、同種のろ過フィルタを、複数個で、並列に接続することでろ過面積が拡大してろ過圧力が下がるので、これにより、ろ過速度低下を補償することが可能になる。

金属元素含有量は、レジスト組成物の全質量に対して、０．１質量ｐｐｂ以下であることがより好ましく、０．０１質量ｐｐｂ以下であることが更に好ましい。

また、金属元素含有量は、レジスト組成物の全質量に対して、０．１質量ｐｐｔ以上であることがより好ましく、０．５質量ｐｐｔ以上であることが更に好ましい。

本発明のレジスト組成物が、優れたＬＷＲ性能と優れたＥＬ性能とを、レジスト組成物を、温度が変化し得る環境下にて経時保存した場合においても維持可能である理由は明らかではないが、以下の通りと推測される。

先ず、金属元素含有量が、レジスト組成物の全質量に対して、微量（０．０１質量ｐｐｔ以上）レジスト組成物中に含まれていることにより、温度が変化し得る環境下にてレジスト液を経時保存した場合であっても、上記微量の金属元素が、レジスト組成物中（典型的には、レジスト液中）で、各種成分を安定的に存在させることで、各種成分の凝集が抑制され、レジスト液の性能が維持され、ひいては、優れたＬＷＲ性能と優れたＥＬ性能も維持されたものと考えられる。

また、金属元素含有量が、レジスト組成物の全質量に対して、１質量ｐｐｂ以下とされていることにより、温度が変化し得る環境下にてレジスト液を経時保存した場合であっても、金属元素を含む成分の凝集が起こりにくい。そのため、形成されるパターンに、金属元素に由来する欠陥等の不具合が生じにくく、優れたＬＷＲ性能と優れたＥＬ性能も維持されたものと考えられる。

更に、レジスト組成物に含まれる樹脂の分散度が１．７以下であることにより、程良い分散が得られるため、優れたＬＷＲ性能と優れたＥＬ性能が維持されたものと考えられる。

以下、本発明のレジスト組成物（以下、「本発明の組成物」ともいう）に含まれる成分について詳述する。

＜樹脂（Ａ）＞

本発明のレジスト組成物は、酸の作用により分解し極性が増大する基（以下、「酸分解性基」とも言う）を有する樹脂（以下、「酸分解性樹脂」又は「樹脂（Ａ）」ともいう）を含有する。

この場合、本発明のパターン形成方法において、典型的には、現像液としてアルカリ現像液を採用した場合には、ポジ型パターンが好適に形成され、現像液として有機系現像液を採用した場合には、ネガ型パターンが好適に形成される。

樹脂（Ａ）としては、公知の樹脂を適宜使用することができる。例えば、米国特許出願公開２０１６／０２７４４５８Ａ１号明細書の段落＜００５５＞〜＜０１９１＞、米国特許出願公開２０１５／０００４５４４Ａ１号明細書の段落＜００３５＞〜＜００８５＞、米国特許出願公開２０１６／０１４７１５０Ａ１号明細書の段落＜００４５＞〜［００９０］に開示された公知の樹脂を樹脂（Ａ）として好適に使用できる。

酸分解性基は、極性基が酸の作用により分解し脱離する基（脱離基）で保護された構造を有することが好ましい。

極性基としては、カルボキシル基、フェノール性水酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）メチレン基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルカルボニル）メチレン基、ビス（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルスルホニル）メチレン基、ビス（アルキルスルホニル）イミド基、トリス（アルキルカルボニル）メチレン基、及びトリス（アルキルスルホニル）メチレン基等の酸性基（２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液中で解離する基）、ならびにアルコール性水酸基等が挙げられる。

なお、アルコール性水酸基とは、炭化水素基に結合した水酸基であって、芳香環上に直接結合した水酸基（フェノール性水酸基）以外の水酸基をいい、水酸基としてα位がフッ素原子などの電子求引性基で置換された脂肪族アルコール（例えば、ヘキサフルオロイソプロパノール基など）は除く。アルコール性水酸基としては、ｐＫａ（酸解離定数）が１２以上２０以下の水酸基であることが好ましい。

好ましい極性基としては、カルボキシル基、フェノール性水酸基、フッ素化アルコール基（好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール基）、及びスルホン酸基が挙げられる。

酸分解性基として好ましい基は、これらの基の水素原子を酸の作用により脱離する基（脱離基）で置換した基である。

酸の作用により脱離する基（脱離基）としては、例えば、−Ｃ（Ｒ_３６）（Ｒ_３７）（Ｒ_３８）、−Ｃ（Ｒ_３６）（Ｒ_３７）（ＯＲ_３９）、及び−Ｃ（Ｒ_０１）（Ｒ_０２）（ＯＲ_３９）等を挙げることができる。

式中、Ｒ_３６〜Ｒ_３９は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。Ｒ_３６とＲ_３７とは、互いに結合して環を形成してもよい。

Ｒ_０１及びＲ_０２は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。

Ｒ_３６〜Ｒ_３９、Ｒ_０１及びＲ_０２のアルキル基は、炭素数１〜８のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、へキシル基、及びオクチル基等を挙げることができる。

Ｒ_３６〜Ｒ_３９、Ｒ_０１及びＲ_０２のシクロアルキル基は、単環型でも、多環型でもよい。単環型としては、炭素数３〜８のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、及びシクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数６〜２０のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネン基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基、及びアンドロスタニル基等を挙げることができる。なお、シクロアルキル基中の少なくとも１つの炭素原子が酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。

Ｒ_３６〜Ｒ_３９、Ｒ_０１及びＲ_０２のアリール基は、炭素数６〜１０のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、及びアントリル基等を挙げることができる。

Ｒ_３６〜Ｒ_３９、Ｒ_０１及びＲ_０２のアラルキル基は、炭素数７〜１２のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基、及びナフチルメチル基等を挙げることができる。

Ｒ_３６〜Ｒ_３９、Ｒ_０１及びＲ_０２のアルケニル基は、炭素数２〜８のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基、及びシクロへキセニル基等を挙げることができる。

Ｒ_３６とＲ_３７とが互いに結合して形成される環としては、シクロアルキル基（単環又は多環）であることが好ましい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、又はノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。

酸分解性基として、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、又は第３級のアルキルエステル基等が好ましく、アセタールエステル基、又は第３級アルキルエステル基がより好ましい。

樹脂（Ａ）は、酸分解性基を有する繰り返し単位として、下記一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位を有することが好ましい。

一般式（ＡＩ）に於いて、

Ｘａ_１は、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基を表す。

Ｔは、単結合又は２価の連結基を表す。

Ｒｘ_１〜Ｒｘ_３は、それぞれ独立に、１価の有機基を表し、ヘテロ原子を含んでいても良い。ヘテロ原子としては、例えば、酸素原子、硫黄原子、窒素原子又はフッ素原子が挙げられる。

Ｒｘ_１〜Ｒｘ_３のいずれか２つが結合して環構造を形成してもよく、形成しなくてもよい。

Ｔの２価の連結基としては、アルキレン基、アリーレン基、−ＣＯＯ−Ｒｔ−、及び−Ｏ−Ｒｔ−等が挙げられる。式中、Ｒｔは、アルキレン基、シクロアルキレン基又はアリーレン基を表す。

Ｔ、Ｒｔのアルキレン基としては、炭素数１〜１０のアルキレン基が好ましい。

Ｔ、Ｒｔのアリーレン基としては、炭素数６〜１０のアリーレン基が好ましい。

Ｒｔのシクロアルキレン基としては、炭素数３〜１０のシクロアルキレン基が好ましい。

Ｔは、単結合又は−ＣＯＯ−Ｒｔ−が好ましい。Ｒｔは、炭素数１〜５の鎖状アルキレン基が好ましく、−ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_２−、又は−（ＣＨ_２）_３−がより好ましい。Ｔは、単結合であることがより好ましい。

Ｘａ_１は、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。

Ｘａ_１のアルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、水酸基、及びハロゲン原子（好ましくは、フッ素原子）が挙げられる。

Ｘａ_１のアルキル基は、炭素数１〜４が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基及びトリフルオロメチル基等が挙げられる。Ｘａ_１のアルキル基は、メチル基であることが好ましい。

Ｒｘ_１〜Ｒｘ_３の１価の有機基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアルケニル基を表す。

アルキル基としては、直鎖状であっても、分岐状であってもよく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、及びｔ−ブチル基などが好ましく挙げられる。アルキル基の炭素数としては、１〜１０が好ましく、１〜５がより好ましく、１〜３が更に好ましい。Ｒｘ_１、Ｒｘ_２及びＲｘ_３のアルキル基は、炭素間結合の一部が二重結合であってもよい。

シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、又はノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。

アリール基としては、炭素数６〜１０のアリール基が好ましく、フェニル基、ナフチル基が更に好ましい。

アルケニル基としては、炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルケニル基が挙げられ、炭素数２〜６のアルケニル基が好ましい。

Ｒｘ_１、Ｒｘ_２及びＲｘ_３の２つが結合して形成する環構造としては、シクロペンチル環、シクロヘキシル環、シクロヘプチル環、及びシクロオクタン環などの単環のシクロアルカン環、又はノルボルナン環、テトラシクロデカン環、テトラシクロドデカン環、及びアダマンタン環などの多環のシクロアルキル環が好ましい。シクロペンチル環、シクロヘキシル環、又はアダマンタン環がより好ましい。Ｒｘ_１、Ｒｘ_２及びＲｘ_３の２つが結合して形成する環構造としては、下記に示す構造も好ましい。

上記一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位は、下記一般式（Ａ４−１）で表される繰り返し単位であることが好ましい。

一般式（Ａ４−１）中、

Ｌ_５は、−Ｌ_６−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（Ｌ_６は、２価の連結基を表す）を表す。

ｓは、１〜３の整数を表す。ｓが２以上の場合は、複数のＬ_５は、互いに同じであっても異なっていてもよい。

Ｒ_４１、Ｒ_４２、Ｒ_４３は、各々独立に、水素原子又は１価の有機基を表す。

Ｒ_４１及びＲ_４２は、互いに結合して、環構造を形成してもよい。

Ｌ_６の２価の連結基としては、アルキレン基、アリーレン基等が挙げられる。

Ｌ_６のアルキレン基としては、炭素数１〜１０のアルキレン基が好ましい。

Ｌ_６のアリーレン基としては、炭素数６〜１０のアリーレン基が好ましい。

Ｒ_４１〜Ｒ_４３の１価の有機基としては、それぞれ、Ｒｘ_１〜Ｒｘ_３の１価の有機基として説明したものと同様であり、好ましい範囲も同様である。

Ｒ_４１及びＲ_４２は、互いに結合して形成する環構造としては、Ｒｘ_１、Ｒｘ_２及びＲｘ_３の２つが結合して形成する環構造として説明したものと同様であり、好ましい範囲も同様である。

以下に一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位に相当するモノマーの具体例を挙げるが、本発明は、これらの具体例に限定されない。下記の具体例は、一般式（ＡＩ）におけるＸａ_１がメチル基である場合に相当するが、Ｘａ_１は、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基に任意に置換することができる。

樹脂（Ａ）は、酸分解性基を有する繰り返し単位として、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落＜０３３６＞〜＜０３６９＞に記載の繰り返し単位を有することも好ましい。

また、樹脂（Ａ）は、酸分解性基を有する繰り返し単位として、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落＜０３６３＞〜＜０３６４＞に記載された酸の作用により分解してアルコール性水酸基を生じる基を含む繰り返し単位を有していてもよい。

樹脂（Ａ）は、酸分解性基を有する繰り返し単位を、１種単独で含んでもよく、２種以上を併用して含んでもよい。

樹脂（Ａ）に含まれる酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量（酸分解性基を有する繰り返し単位が複数存在する場合はその合計）は、樹脂（Ａ）の全繰り返し単位に対して、１０〜９０モル％が好ましく、２０〜８０モル％がより好ましく、３０〜７０モル％が更に好ましい。

樹脂（Ａ）は、ラクトン構造、スルトン構造、スルホニル構造、及びカーボネート構造からなる群から選択される少なくとも１種を有する繰り返し単位を有する。

ラクトン構造又はスルトン構造としては、ラクトン構造又はスルトン構造を有していればいずれでも用いることができるが、好ましくは５〜７員環ラクトン構造又は５〜７員環スルトン構造であり、５〜７員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているもの、又は５〜７員環スルトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているもの、がより好ましい。また、ラクトン構造又はスルトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。

スルホニル構造は、−ＳＯ_２−で表される構造である。

樹脂（Ａ）が、下記一般式（Ａ−１）で表される繰り返し単位を含むことが好ましい。

一般式（Ａ−１）中、

Ｒ_１は、水素原子又は１価の有機基を表す。

Ｌ_１は、２価の連結基を表す。

ｎは、１〜３の整数を表す。ｎが２以上の場合は、複数のＬ_１は、互いに同じであっても異なっていてもよい。

Ｒ_２は、下記一般式（Ａ１−１）〜（Ａ１−４）のいずれかで表される基を表す。

一般式（Ａ１−１）中、

Ｒａ_１及びＲａ_２は、各々独立に、水素原子、１価の有機基、ハロゲン原子、水酸基、−ＣＯＯＲ’’、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ’’、またはシアノ基を表す。Ｒ’’は、水素原子、アルキル基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は−ＳＯ_２−含有環式基を表す。

Ａ’は、酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよいアルキレン基、酸素原子または硫黄原子を表す。

＊は結合手を表す。

一般式（Ａ１−２）中、

Ｒａ_１１及びＲａ_１２は、各々独立に、水素原子、１価の有機基、ハロゲン原子、水酸基、−ＣＯＯＲ_１’’、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ_１’’、またはシアノ基を表す。Ｒ_１’’は、水素原子、アルキル基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は−ＳＯ_２−含有環式基を表す。

Ａ’’は、酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよいアルキレン基、酸素原子または硫黄原子を表す。

＊は結合手を表す。

一般式（Ａ１−３）中、

Ｒａ_２１及びＲａ_２２は、各々独立に、水素原子、１価の有機基、ハロゲン原子、水酸基、−ＣＯＯＲ_２’’、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ_２’’、またはシアノ基を表す。Ｒ_２’’は、水素原子、アルキル基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は−ＳＯ_２−含有環式基を表す。

ｎ１は、０〜２の整数を表す。

＊は結合手を表す。

一般式（Ａ１−４）中、

Ｒａ_３１及びＲａ_３２は、各々独立に、水素原子、１価の有機基、ハロゲン原子、水酸基、−ＣＯＯＲ_３’’、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ_３’’、またはシアノ基を表す。Ｒ_３’’は、水素原子、アルキル基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は−ＳＯ_２−含有環式基を表す。

ｎ２は、０〜２の整数を表す。

＊は結合手を表す。

Ｒ_１の１価の有機基としては、例えばアルキル基が挙げられる。

Ｒ_１は、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。

Ｒ_１のアルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、水酸基、及びハロゲン原子（好ましくは、フッ素原子）が挙げられる。

Ｒ_１のアルキル基は、炭素数１〜４が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基及びトリフルオロメチル基等が挙げられる。Ｒ_１のアルキル基は、メチル基であることが好ましい。

Ｌ_１の２価の連結基としては、エステル結合、アミド結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、エーテル結合、ウレタン結合又はウレア結合、又はそれらを組み合わせてなる基が挙げられ、エステル結合が好ましい。

Ｒａ_１及びＲａ_２の、１価の有機基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ヒドロキシアルキル基等が挙げられる。

アルキル基としては、炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、炭素数１〜８のアルキル基がより好ましい。

アルコキシ基としては、炭素数１〜２０のアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜８のアルコキシ基がより好ましい。

ハロゲン化アルキル基としては、上記Ｒａ_１及びＲａ_２の、１価の有機基として挙げたアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられる。ハロゲン原子としては、好ましくはフッ素原子が挙げられる。

ヒドロキシアルキル基としては、炭素数が１〜６であるものが好ましく、具体的には、上記Ｒａ_１及びＲａ_２の、１価の有機基として挙げたアルキル基の水素原子の一部が水酸基で置換された基が挙げられる。

Ｒ’’は、水素原子、アルキル基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は−ＳＯ_２−含有環式基を表す。

Ｒ’’のアルキル基としては、上記Ｒａ_１及びＲａ_２におけるアルキル基と同様のものがあげられ、好ましい範囲も同様である。

ラクトン含有環式基とは、その環骨格中に−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−を含む環（ラクトン環）を含有する環式基を示す。ラクトン環をひとつ目の環として数え、ラクトン環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。

ラクトン含有環式基は、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。

「カーボネート含有環式基」とは、その環骨格中に−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−を含む環（カーボネート環）を含有する環式基を示す。カーボネート環をひとつ目の環として数え、カーボネート環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。カーボネート含有環式基は、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。

「−ＳＯ_２−含有環式基」とは、その環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環を含有する環式基を示し、具体的には、−ＳＯ_２−における硫黄原子（Ｓ）が環式基の環骨格の一部を形成する環式基である。その環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環をひとつ目の環として数え、該環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。−ＳＯ_２−含有環式基は、単環式基であってもよく多環式基であってもよい。

−ＳＯ_２−含有環式基は、特に、その環骨格中に−Ｏ−ＳＯ_２−を含む環式基、すなわち−Ｏ−ＳＯ_２−中の−Ｏ−Ｓ−が環骨格の一部を形成するスルトン（ｓｕｌｔｏｎｅ）環を含有する環式基であることが好ましい。

Ａ’は、好ましくは、酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数１〜５のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子である。

一般式（Ａ１−２）におけるＲａ_１１、Ｒａ_１２、Ａ’’及びＲ_１’’は、それぞれ一般式（Ａ１−１）におけるＲａ_１、Ｒａ_２、Ａ’、及びＲ’’として記載したものと同様であり、好ましい範囲も同様である。

一般式（Ａ１−３）におけるＲａ_２１、Ｒａ_２２、及びＲ_２’’は、それぞれ一般式（Ａ１−１）におけるＲａ_１、Ｒａ_２、及びＲ’’として記載したものと同様であり、好ましい範囲も同様である。

一般式（Ａ１−４）におけるＲａ_３１、Ｒａ_３２、及びＲ_３’’は、それぞれ一般式（Ａ１−１）におけるＲａ_１、Ｒａ_２、及びＲ’’として記載したものと同様であり、好ましい範囲も同様である。

下記に下記一般式（Ａ１−１）〜（Ａ１−４）のいずれかで表される基の具体例を挙げる。式中の「Ａｃ」は、アセチル基を示す。

上記一般式（Ａ−１）で表される繰り返し単位が、下記一般式（Ａ−２）で表される繰り返し単位であることが好ましい。

一般式（Ａ−２）中、

Ｌ_２は、２価の連結基を表す。

ｎ３は、１〜３の整数を表す。ｎ３が２以上の場合は、複数のＬ_２は、互いに同じであっても異なっていてもよい。

Ｒ_３は、水素原子又は１価の有機基を表す。

Ｌ_２の２価の連結基としては、上記一般式（Ａ−１）におけるＬ_１の２価の連結基として記載したものと同様であり、好ましい範囲も同様である。

一般式（Ａ−２）におけるＲ_３の１価の有機基としては、一般式（Ａ１−１）におけるＲａ_１の１価の有機基として記載したものと同様であり、好ましい範囲も同様である。

樹脂（Ａ）が、下記一般式（Ａ３−１）で表される繰り返し単位を有することが好ましい。

一般式（Ａ３−１）中、

Ｒ_３１は、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基を表す。

Ｌ_３及びＬ_４は、各々独立に、２価の連結基を表す。

Ｒ_３２は、カルボキシル基、シアノ基、又は１価の有機基を表す。

ｏは、１〜３の整数を表す。ｏが２以上の場合は、複数のＬ_３は、互いに同じであっても異なっていてもよい。

ｐは、０〜３の整数を表す。

ｑは、０〜３の整数を表す。ｑが２以上の場合は、複数のＬ_４は、互いに同じであっても異なっていてもよい。

ｒは、０〜３の整数を表す。ｒが２以上の場合は、複数のＲ_３２は、互いに同じであっても異なっていてもよい。

Ｒ_３１のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。

Ｒ_３１の１価の有機基としては、アルキル基が好ましい。Ｒ_３１のアルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、水酸基、及びハロゲン原子（好ましくは、フッ素原子）が挙げられる。

Ｒ_３１のアルキル基は、炭素数１〜４が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基及びトリフルオロメチル基等が挙げられる。Ｒ_３１のアルキル基は、メチル基であることが好ましい。

Ｌ_３及びＬ_４の２価の連結基としては、アルキレン基、エーテル結合、エステル結合、又はそれらを組み合わせてなる基が挙げられ、エステル結合が好ましい。

Ｒ_３２の１価の有機基としては、一般式（Ａ１−１）におけるＲａ_１及びＲａ_２の１価の有機基として記載したものと同様であり、好ましい範囲も同様である。

上記一般式（Ａ３−１）で表される繰り返し単位の具体例を示すが、本発明は、これらの具体例に限定されない。なお、以下の具体例において、Ｒ_３１に相当するメチル基が水素原子に置き換わった化合物も、一般式（Ａ３−１）の具体例として挙げることができる。

一般式（Ａ３−１）で表される繰り返し単位に相当するモノマーとしては、特開２０１２−４１２７４号の一般式（Ｉ）で表される化合物も使用することができる。

また、樹脂（Ａ）は、下記一般式（Ａ２−１）で表される繰り返し単位を有することが好ましい。

一般式（Ａ２−１）中、

Ｒ_２１は、水素原子又は１価の有機基を表す。

Ｒ_２２〜Ｒ_２５は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、ヒドロキシ基又は１価の有機基を表す。

ａは、１〜６の整数を表す。ａが２以上の場合は、複数のＲ_２２は、互いに同じであっても異なっていてもよい。ａが２以上の場合は、複数のＲ_２３は、互いに同じであっても異なっていてもよい。但し、Ｒ_２２とＲ_２３、及びＲ_２４とＲ_２５は、各々互いに結合して、これらが結合している炭素原子と共に環構造を形成していてもよい。

一般式（Ａ２−１）中、Ｒ_２１は、水素原子又は１価の有機基を表す。

一般式（Ａ２−１）中のＲ_２１が表す１価の有機基としては、炭素数１〜２０の１価の有機基が好ましく、例えば、炭素数１〜２０の鎖状炭化水素基、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基、環員数３〜１０の複素環基、エポキシ基、シアノ基、カルボキシ基、−Ｒ’−Ｑ−Ｒ’’で表される基等が挙げられる。但し、Ｒ’は、単結合又は炭素数１〜２０の炭化水素基である。Ｒ’’は、置換されていてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基又は環員数３〜１０の複素環基である。Ｑは、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ−又はこれらを組み合わせてなる基である。上記鎖状炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部は、例えば、フッ素原子などのハロゲン原子；シアノ基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、チオール基、トリアルキルシリル基などの置換基；等で置換されていてもよい。

上記炭素数１〜２０の鎖状炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、へキシル基、オクチル基、デシル基、ビニル基、イソプロペニル基等が挙げられる。これらのうち、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましい。

上記炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロへキシル基、シクロオクチル基、シクロデシル基などの単環の脂環式炭化水素基；ノルボルニル基、アダマンチル基などの多環の脂環式炭化水素基；等が挙げられる。

上記炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。

上記環員数３〜１０の複素環基を構成する複素環としては、例えば、ラクトン環、環状カーボネート、スルトン環、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ピリジン環等が挙げられる。これらのうち、ラクトン環、環状カーボネート、スルトン環が好ましく、ラクトン環がより好ましい。

上記−Ｒ’−Ｑ−Ｒ’’におけるＲ’及びＲ’’で表される炭素数１〜２０の炭化水素基としては、例えば、炭素数１〜２０の鎖状炭化水素基、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基等が挙げられる。それぞれについては、上記Ｒ_２１で表される炭素数１〜２０の有機基として例示した基と同様の基を挙げることができる。また、Ｒ’’で表される環員数３〜１０の複素環基については、上記Ｒ_２１で表される環員数３〜１０の複素環基の説明を適用できる。

一般式（Ａ２−１）中、Ｒ_２１としては、水素原子が好ましい。

一般式（Ａ２−１）中、Ｒ_２２〜Ｒ_２５は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、ヒドロキシ基又は１価の有機基を表す。

一般式（Ａ２−１）中のＲ_２２〜Ｒ_２５が表す１価の有機基の具体例および好適な態様は、上述した一般式（Ａ２−１）中のＲ_２１が表す１価の有機基と同じである。

一般式（Ａ２−１）中、Ｒ_２２とＲ_２３、及びＲ_２４とＲ_２５は、互いに結合して、これらが結合している炭素原子と共に環構造を形成していてもよい。

Ｒ_２２とＲ_２３、及びＲ_２４とＲ_２５が、互いに結合して、これらが結合している炭素原子と共にそれぞれ形成していてもよい環員数３〜１０の環構造としては、環員数３〜１０の環構造が好ましく、例えば、シクロプロパン、シクロペンタン、シクロヘキサン、ノルボルナン、アダマンタンなどの脂環を有する脂環式構造；ヘテロ原子を含む環を有する複素環構造；等が挙げられる。

ヘテロ原子を含む環を有する複素環構造としては、例えば、環状エーテル、ラクトン環、又はスルトン環を有する複素環構造が挙げられ、その他の具体例としては、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、γ−ブチロラクトン、δ−バレロラクトン、オキソラン、ジオキサンなどの酸素原子を含む環を有する複素環構造；テトラヒドロチオフェン、テトラヒドロチオピラン、テトラヒドロチオフェン−１，１−ジオキシド、テトラヒドロチオピラン−１，１−ジオキシド、シクロペンタンチオン、シクロヘキサンチオンなどの硫黄原子を含む環を有する複素環構造；ピペリジンなどの窒素原子を含む環を有する複素環構造；等が挙げられる。

これらのうち、シクロペンタン、シクロヘキサン、又はアダマンタンを有する脂環式構造、及び、環状エーテル、ラクトン環、又はスルトン環を有する複素環構造が好ましい。

ここで、Ｒ_２２とＲ_２３、及びＲ_２４とＲ_２５が、互いに結合して、これらが結合している炭素原子と共にそれぞれ形成していてもよい環構造（好ましくは環員数３〜１０）における「環構造」とは、環を含む構造をいい、環のみから形成されていてもよいし、環と置換基等の他の基とから形成されていてもよい。なお、Ｒ_２２とＲ_２３、及びＲ_２４とＲ_２５が、互いに結合している場合における上記結合は、化学反応を経由した結合に限定されない。

一般式（Ａ２−１）中、ａは、１〜６の整数を表す。ａとしては１〜３の整数が好ましく、１又は２がより好ましく、１がさらに好ましい。

なお、一般式（Ａ２−１）中、ａが２以上の場合、複数のＲ_２２及びＲ_２３はそれぞれ同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ_２２及びＲ_２３としては、水素原子、炭素数１〜２０の鎖状炭化水素基が好ましく、水素原子がより好ましい。

Ｒ_２４及びＲ_２５としては、水素原子、炭素数１〜２０の鎖状炭化水素基、若しくは、環員数３〜１０の複素環基であること、又は、互いに結合して、これらが結合している炭素原子と共に環員数３〜１０の環構造を形成していていることが好ましい。

上記一般式（Ａ２−１）で表される繰り返し単位は、下記一般式（Ａ２−２）で表される繰り返し単位であることが好ましい。

一般式（Ａ２−２）中、

Ｒ_２０１、Ｒ_２０２、Ｒ_２０３は各々独立に、水素原子又は１価の有機基を表す。

Ｒ_２０１及びＲ_２０２は、互いに結合して環構造を形成してもよい。

一般式（Ａ２−２）におけるＲ_２０１〜Ｒ_２０３の１価の有機基としては、一般式（Ａ２−１）におけるＲ_２２〜Ｒ_２５の１価の有機基として記載したものと同様であり、好ましい範囲も同様である。

一般式（Ａ２−１）で表される繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。なお、下記式中のＲ^１は、一般式（Ａ２−１）中のＲ_２１と同義である。

一般式（Ａ２−１）で表される繰り返し単位としては、特開２０１３−２５４０８４号の式（１）で表される構造単位、又は特開２０１３−５７９２５号の式（１）で表される構造単位も使用することができる。

カーボネート構造は、環状炭酸エステル構造であることが好ましい。

環状炭酸エステル構造を有する繰り返し単位は、下記一般式（Ａ−１）で表される繰り返し単位であることが好ましい。

一般式（Ａ−１）中、Ｒ_Ａ ^１は、水素原子、ハロゲン原子又は１価の有機基(好ましくはメチル基)を表す。

ｎは０以上の整数を表す。

Ｒ_Ａ ^２は、置換基を表す。Ｒ_Ａ ^２は、ｎが２以上の場合は各々独立して、置換基を表す。

Ａは、単結合、又は２価の連結基を表す。

Ｚは、式中の−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−で表される基と共に単環構造又は多環構造を形成する原子団を表す。

樹脂（Ａ）は、ラクトン構造、スルトン構造、スルホニル構造、及びカーボネート構造からなる群から選択される少なくとも１種を有する繰り返し単位として、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落＜０３７０＞〜＜０４１４＞に記載の繰り返し単位を有することも好ましい。

樹脂（Ａ）は、ラクトン構造、スルトン構造、スルホニル構造、及びカーボネート構造からなる群から選択される少なくとも１種を有する繰り返し単位を、１種単独で含んでもよく、２種以上を併用して含んでもよい。

樹脂（Ａ）に含まれるラクトン構造、スルトン構造、スルホニル構造、及びカーボネート構造からなる群から選択される少なくとも１種を有する繰り返し単位の含有量（ラクトン構造、スルトン構造、スルホニル構造、及びカーボネート構造からなる群から選択される少なくとも１種を有する繰り返し単位が複数存在する場合はその合計）は、樹脂（Ａ）の全繰り返し単位に対して、５〜７０モル％であることが好ましく、１０〜６５モル％であることがより好ましく、２０〜６０モル％であることが更に好ましい。

以下にラクトン構造、スルトン構造、スルホニル構造、及びカーボネート構造からなる群から選択される少なくとも１種を有する繰り返し単位に相当するモノマーの具体例を挙げるが、本発明は、これらの具体例に限定されない。

上記モノマーの他に、下記に示すモノマーも樹脂（Ａ）の原料として好適に用いられる。

樹脂（Ａ）は、極性基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。

極性基としては、水酸基、シアノ基、カルボキシル基、及びフッ素化アルコール基等が挙げられる。

極性基を有する繰り返し単位は、極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましい。また、極性基を有する繰り返し単位は、酸分解性基を有さないことが好ましい。極性基で置換された脂環炭化水素構造における、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、又はノルボルナン基が好ましい。

以下に極性基を有する繰り返し単位に相当するモノマーの具体例を挙げるが、本発明は、これらの具体例に限定されない。

この他にも、極性基を有する繰り返し単位の具体例としては、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落＜０４１５＞〜＜０４３３＞に開示された繰り返し単位を挙げることができる。

樹脂（Ａ）は、極性基を有する繰り返し単位を、１種単独で含んでもよく、２種以上を併用して含んでもよい。

極性基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、５〜４０モル％が好ましく、５〜３０モル％がより好ましく、１０〜２５モル％が更に好ましい。

樹脂（Ａ）は、更に、酸分解性基及び極性基のいずれも有さない繰り返し単位を有することができる。酸分解性基及び極性基のいずれも有さない繰り返し単位は、脂環炭化水素構造を有することが好ましい。酸分解性基及び極性基のいずれも有さない繰り返し単位としては、例えば、米国特許出願公開２０１６／００２６０８３Ａ１号明細書の段落［０２３６］〜＜０２３７＞に記載された繰り返し単位が挙げられる。酸分解性基及び極性基のいずれも有さない繰り返し単位に相当するモノマーの好ましい例を以下に示す。

この他にも、酸分解性基及び極性基のいずれも有さない繰り返し単位の具体例としては、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落＜０４３３＞に開示された繰り返し単位を挙げることができる。

樹脂（Ａ）は、酸分解性基及び極性基のいずれも有さない繰り返し単位を、１種単独で含んでもよく、２種以上を併用して含んでもよい。

酸分解性基及び極性基のいずれも有さない繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、５〜４０モル％が好ましく、５〜３０モル％がより好ましく、５〜２５モル％が更に好ましい。

樹脂（Ａ）は、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有することができる。このような繰り返し構造単位としては、単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されない。

単量体としては、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、及びビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を１個有する化合物等を挙げることができる。

その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。

樹脂（Ａ）において、各繰り返し構造単位の含有モル比は、種々の性能を調節するために適宜設定される。

本発明の組成物が、ＡｒＦ露光用であるとき、ＡｒＦ光の透過性の観点から樹脂（Ａ）は実質的には芳香族基を有さないことが好ましい。より具体的には、樹脂（Ａ）の全繰り返し単位中、芳香族基を有する繰り返し単位が全体の５モル％以下であることが好ましく、３モル％以下であることがより好ましく、理想的には０モル％、すなわち芳香族基を有する繰り返し単位を有さないことが更に好ましい。また、樹脂（Ａ）は単環又は多環の脂環炭化水素構造を有することが好ましい。

樹脂（Ａ）は、繰り返し単位のすべてが（メタ）アクリレート系繰り返し単位で構成されることが好ましい。この場合、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがアクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位とアクリレート系繰り返し単位とによるもののいずれのものでも用いることができるが、アクリレート系繰り返し単位が樹脂（Ａ）の全繰り返し単位に対して５０モル％以下であることが好ましい。

本発明の組成物が、ＫｒＦ露光用、ＥＢ露光用又はＥＵＶ露光用であるとき、樹脂（Ａ）は芳香族炭化水素基を有する繰り返し単位を含むことが好ましい。樹脂（Ａ）がフェノール性水酸基を含む繰り返し単位を含むことがより好ましい。フェノール性水酸基を含む繰り返し単位としては、ヒドロキシスチレン繰り返し単位やヒドロキシスチレン(メタ)アクリレート繰り返し単位を挙げることができる。

本発明の組成物が、ＫｒＦ露光用、ＥＢ露光用又はＥＵＶ露光用であるとき、樹脂（Ａ）は、フェノール性水酸基の水素原子が酸の作用により分解し脱離する基（脱離基）で保護された構造を有することが好ましい。

樹脂（Ａ）に含まれる芳香族炭化水素基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して、３０〜１００モル％が好ましく、４０〜１００モル％がより好ましく、５０〜１００モル％が更に好ましい。

樹脂（Ａ）の重量平均分子量は、１，０００〜２００，０００が好ましく、２，０００〜２０，０００がより好ましく、３，０００〜１５，０００が更に好ましく、３，０００〜１１，０００が特に好ましい。分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、１．７以下であり、１．６以下が好ましく、１．５以下がより好ましい。また、分散度は、１．０以上が好ましく、１．１以上がより好ましく、１．３以上が更に好ましい。

樹脂（Ａ）は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

本発明の組成物の全固形分中の樹脂（Ａ）の含有量は、一般的に２０質量％以上である。４０質量％以上が好ましく、６０質量％以上がより好ましく、７０質量％以上が更に好ましい。上限は特に制限されないが、９９．５質量％以下が好ましく、９９質量％以下がより好ましく、９７質量％以下が更に好ましい。

＜光酸発生剤（Ｃ）＞

本発明の組成物は、典型的には、光酸発生剤（以下、「光酸発生剤（Ｃ）」ともいう）を含有する。

光酸発生剤は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物である。

光酸発生剤としては、活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物が好ましい。例えば、スルホニウム塩化合物、ヨードニウム塩化合物、ジアゾニウム塩化合物、ホスホニウム塩化合物、イミドスルホネート化合物、オキシムスルホネート化合物、ジアゾジスルホン化合物、ジスルホン化合物、及びｏ−ニトロベンジルスルホネート化合物を挙げることができる。

光酸発生剤としては、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物を、単独又はそれらの混合物として適宜選択して使用することができる。例えば、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落＜０１２５＞〜＜０３１９＞、米国特許出願公開２０１５／０００４５４４Ａ１号明細書の段落＜００８６＞〜＜００９４＞、米国特許出願公開２０１６／０２３７１９０Ａ１号明細書の段落＜０３２３＞〜［０４０２］に開示された公知の化合物を光酸発生剤（Ｃ）として好適に使用できる。

光酸発生剤（Ｃ）の好適な態様としては、例えば、下記一般式（ＺＩ）、（ＺＩＩ）及び（ＺＩＩＩ）で表される化合物が挙げられる。

上記一般式（ＺＩ）において、

Ｒ_２０１、Ｒ_２０２及びＲ_２０３は、各々独立に、有機基を表す。

Ｒ_２０１、Ｒ_２０２及びＲ_２０３としての有機基の炭素数は、一般的に１〜３０であり、好ましくは１〜２０である。

また、Ｒ_２０１〜Ｒ_２０３のうち２つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、又はカルボニル基を含んでいてもよい。Ｒ_２０１〜Ｒ_２０３の内の２つが結合して形成する基としては、アルキレン基（例えば、ブチレン基、ペンチレン基）及び−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−を挙げることができる。

Ｚ^-は、アニオンを表す。

一般式（ＺＩ）におけるカチオンの好適な態様としては、後述する化合物（ＺＩ−１）、（ＺＩ−２）、（ＺＩ−３）及び（ＺＩ−４）における対応する基を挙げることができる。

なお、光酸発生剤（Ｃ）は、一般式（ＺＩ）で表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式（ＺＩ）で表される化合物のＲ_２０１〜Ｒ_２０３の少なくとも１つと、一般式（ＺＩ）で表されるもうひとつの化合物のＲ_２０１〜Ｒ_２０３の少なくとも一つとが、単結合又は連結基を介して結合した構造を有する化合物であってもよい。

まず、化合物（ＺＩ−１）について説明する。

化合物（ＺＩ−１）は、上記一般式（ＺＩ）のＲ_２０１〜Ｒ_２０３の少なくとも１つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、すなわち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。

アリールスルホニウム化合物は、Ｒ_２０１〜Ｒ_２０３の全てがアリール基でもよいし、Ｒ_２０１〜Ｒ_２０３の一部がアリール基であり、残りがアルキル基又はシクロアルキル基であってもよい。

アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、及びアリールジシクロアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。

アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、又はナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。アリール基は、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、ピロール残基、フラン残基、チオフェン残基、インドール残基、ベンゾフラン残基、及びベンゾチオフェン残基等が挙げられる。アリールスルホニウム化合物が２つ以上のアリール基を有する場合に、２つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。

アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数１〜１５の直鎖アルキル基、炭素数３〜１５の分岐アルキル基、又は炭素数３〜１５のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、及びシクロヘキシル基等を挙げることができる。

Ｒ_２０１〜Ｒ_２０３のアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基は、各々独立にアルキル基（例えば炭素数１〜１５）、シクロアルキル基（例えば炭素数３〜１５）、アリール基（例えば炭素数６〜１４）、アルコキシ基（例えば炭素数１〜１５）、ハロゲン原子、水酸基、又はフェニルチオ基を置換基として有してもよい。

次に、化合物（ＺＩ−２）について説明する。

化合物（ＺＩ−２）は、式（ＺＩ）におけるＲ_２０１〜Ｒ_２０３が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含する。

Ｒ_２０１〜Ｒ_２０３としての芳香環を有さない有機基は、一般的に炭素数１〜３０であり、好ましくは炭素数１〜２０である。

Ｒ_２０１〜Ｒ_２０３は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、又はビニル基であり、より好ましくは直鎖又は分岐の２−オキソアルキル基、２−オキソシクロアルキル基、又はアルコキシカルボニルメチル基、さらに好ましくは直鎖又は分岐２−オキソアルキル基である。

Ｒ_２０１〜Ｒ_２０３のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数１〜１０の直鎖アルキル基又は炭素数３〜１０の分岐アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、及びペンチル基）、ならびに炭素数３〜１０のシクロアルキル基（例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びノルボルニル基）を挙げることができる。

Ｒ_２０１〜Ｒ_２０３は、ハロゲン原子、アルコキシ基（例えば炭素数１〜５）、水酸基、シアノ基、又はニトロ基によって更に置換されていてもよい。

次に、化合物（ＺＩ−３）について説明する。

化合物（ＺＩ−３）は、下記一般式（ＺＩ−３）で表され、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。

一般式（ＺＩ−３）中、

Ｒ_１ｃ〜Ｒ_５ｃは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表す。

Ｒ_６ｃ及びＲ_７ｃは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアリール基を表す。

Ｒ_ｘ及びＲ_ｙは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、２−オキソアルキル基、２−オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。

Ｒ_１ｃ〜Ｒ_５ｃ中のいずれか２つ以上、Ｒ_５ｃとＲ_６ｃ、Ｒ_６ｃとＲ_７ｃ、Ｒ_５ｃとＲ_ｘ、及びＲ_ｘとＲ_ｙは、各々結合して環構造を形成してもよく、この環構造は、各々独立に酸素原子、硫黄原子、ケトン基、エステル結合、又はアミド結合を含んでいてもよい。

上記環構造としては、芳香族若しくは非芳香族の炭化水素環、芳香族若しくは非芳香族の複素環、及びこれらの環が２つ以上組み合わされてなる多環縮合環を挙げることができる。環構造としては、３〜１０員環を挙げることができ、４〜８員環が好ましく、５又は６員環がより好ましい。

Ｒ_１ｃ〜Ｒ_５ｃ中のいずれか２つ以上、Ｒ_６ｃとＲ_７ｃ、及びＲ_ｘとＲ_ｙが結合して形成する基としては、ブチレン基、及びペンチレン基等を挙げることができる。

Ｒ_５ｃとＲ_６ｃ、及びＲ_５ｃとＲ_ｘが結合して形成する基としては、単結合又はアルキレン基であることが好ましい。アルキレン基としては、メチレン基、及びエチレン基等を挙げることができる。

Ｚｃ⁻は、アニオンを表す。

次に、化合物（ＺＩ−４）について説明する。

化合物（ＺＩ−４）は、下記一般式（ＺＩ−４）で表される。

一般式（ＺＩ−４）中、

ｌは０〜２の整数を表す。

ｒは０〜８の整数を表す。

Ｒ_１３は水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。

Ｒ_１４は、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。Ｒ_１４は、複数存在する場合は各々独立して、水酸基などの上記基を表す。

Ｒ_１５は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基又はナフチル基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。２つのＲ_１５が互いに結合して環を形成してもよい。２つのＲ_１５が互いに結合して環を形成するとき、環骨格内に、酸素原子、又は窒素原子などのヘテロ原子を含んでもよい。一態様において、２つのＲ_１５がアルキレン基であり、互いに結合して環構造を形成することが好ましい。

Ｚ⁻は、アニオンを表す。

一般式（ＺＩ−４）において、Ｒ_１３、Ｒ_１４及びＲ_１５のアルキル基は、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数１〜１０のものが好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、又はｔ−ブチル基等がより好ましい。

次に、一般式（ＺＩＩ）、及び（ＺＩＩＩ）について説明する。

一般式（ＺＩＩ）、及び（ＺＩＩＩ）中、Ｒ_２０４〜Ｒ_２０７は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。

Ｒ_２０４〜Ｒ_２０７のアリール基としてはフェニル基、又はナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。Ｒ_２０４〜Ｒ_２０７のアリール基は、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造を有するアリール基の骨格としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、及びベンゾチオフェン等を挙げることができる。

Ｒ_２０４〜Ｒ_２０７のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数１〜１０の直鎖アルキル基又は炭素数３〜１０の分岐アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、及びペンチル基）、炭素数３〜１０のシクロアルキル基

（例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びノルボルニル基）を挙げることができる。

Ｒ_２０４〜Ｒ_２０７のアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基は、各々独立に置換基を有していてもよい。Ｒ_２０４〜Ｒ_２０７のアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基（例えば炭素数１〜１５）、シクロアルキル基（例えば炭素数３〜１５）、アリール基（例えば炭素数６〜１５）、アルコキシ基（例えば炭素数１〜１５）、ハロゲン原子、水酸基、及びフェニルチオ基等を挙げることができる。

Ｚ⁻は、アニオンを表す。

一般式（ＺＩ）におけるＺ^-、一般式（ＺＩＩ）におけるＺ^-、一般式（ＺＩ−３）におけるＺｃ⁻、及び一般式（ＺＩ−４）におけるＺ^-としては、下記一般式（３）で表されるアニオンが好ましい。

一般式（３）中、

ｏは、１〜３の整数を表す。ｐは、０〜１０の整数を表す。ｑは、０〜１０の整数を表す。

Ｘｆは、各々独立に、フッ素原子、又は、少なくとも一つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。

Ｒ_４及びＲ_５は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、又は、少なくとも一つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表し、複数存在する場合のＲ_４、Ｒ_５は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。

Ｌは、２価の連結基を表し、複数存在する場合のＬは、それぞれ同一でも異なっていてもよい。

Ｗは、環状構造を含む有機基を表す。

Ｘｆは、フッ素原子、又は少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。このアルキル基の炭素数は、１〜１０が好ましく、１〜４がより好ましい。また、少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基が好ましい。

Ｘｆは、好ましくは、フッ素原子又は炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基である。Ｘｆは、フッ素原子又はＣＦ_３であることがより好ましい。特に、双方のＸｆがフッ素原子であることが好ましい。

Ｒ_４及びＲ_５は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、又は少なくとも一つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。複数存在する場合のＲ_４及びＲ_５は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。

Ｒ_４及びＲ_５としてのアルキル基は、置換基を有していてもよく、炭素数１〜４が好ましい。Ｒ_４及びＲ_５は、好ましくは水素原子である。

少なくとも一つのフッ素原子で置換されたアルキル基の具体例および好適な態様は一般式（３）中のＸｆの具体例および好適な態様と同じである。

Ｌは、２価の連結基を表し、複数存在する場合のＬは、それぞれ同一でも異なっていてもよい。

２価の連結基としては、例えば、−ＣＯＯ−（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、アルキレン基（好ましくは炭素数１〜６）、シクロアルキレン基（好ましくは炭素数３〜１５）、アルケニレン基（好ましくは炭素数２〜６）及びこれらの複数を組み合わせた２価の連結基などが挙げられる。これらの中でも、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−ＳＯ_２−、−ＣＯＯ−アルキレン基−、−ＯＣＯ−アルキレン基−、−ＣＯＮＨ−アルキレン基−又は−ＮＨＣＯ−アルキレン基−が好ましく、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＳＯ_２−、−ＣＯＯ−アルキレン基−又は−ＯＣＯ−アルキレン基−がより好ましい。

Ｗは、環状構造を含む有機基を表す。これらの中でも、環状の有機基であることが好ましい。

環状の有機基としては、例えば、脂環基、アリール基、及び複素環基が挙げられる。

脂環基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。単環式の脂環基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びシクロオクチル基などの単環のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環基としては、例えば、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が挙げられる。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基などの炭素数７以上のかさ高い構造を有する脂環基が好ましい。

アリール基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。このアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基及びアントリル基が挙げられる。

複素環基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。多環式の方がより酸の拡散を抑制可能である。また、複素環基は、芳香族性を有していてもよいし、芳香族性を有していなくてもよい。芳香族性を有している複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、及びピリジン環が挙げられる。芳香族性を有していない複素環としては、例えば、テトラヒドロピラン環、ラクトン環、スルトン環及びデカヒドロイソキノリン環が挙げられる。ラクトン環及びスルトン環の例としては、前述の樹脂において例示したラクトン構造及びスルトン構造が挙げられる。複素環基における複素環としては、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、又はデカヒドロイソキノリン環が特に好ましい。

上記環状の有機基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基（直鎖、分岐のいずれであってもよく、炭素数１〜１２が好ましい）、シクロアルキル基（単環、多環、スピロ環のいずれであってもよく、炭素数３〜２０が好ましい）、アリール基（炭素数６〜１４が好ましい）、水酸基、アルコキシ基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基、チオエーテル基、スルホンアミド基、及びスルホン酸エステル基が挙げられる。なお、環状の有機基を構成する炭素（環形成に寄与する炭素）はカルボニル炭素であってもよい。

一般式（３）で表されるアニオンとしては、ＳＯ_３ ⁻−ＣＦ_２−ＣＨ_２−ＯＣＯ−(Ｌ)q’−Ｗ、ＳＯ_３ ⁻−ＣＦ_２−ＣＨＦ−ＣＨ_２−ＯＣＯ−(Ｌ)q’−Ｗ、ＳＯ_３ ⁻−ＣＦ_２−ＣＯＯ−(Ｌ)q’−Ｗ、ＳＯ_３ ⁻−ＣＦ_２−ＣＦ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−(Ｌ)q−Ｗ、ＳＯ_３ ⁻−ＣＦ_２−ＣＨ（ＣＦ_３）−ＯＣＯ−(Ｌ)q’−Ｗが好ましいものとして挙げられる。ここで、Ｌ、ｑ及びＷは、一般式（３）と同様である。q’は、０〜１０の整数を表す。

一態様において、一般式（ＺＩ）におけるＺ^-、一般式（ＺＩＩ）におけるＺ^-、一般式（ＺＩ−３）におけるＺｃ⁻、及び一般式（ＺＩ−４）におけるＺ^-としては、下記の一般式（４）で表されるアニオンも好ましい。

一般式（４）中、

Ｘ^Ｂ１及びＸ^Ｂ２は、各々独立に、水素原子、又はフッ素原子を有さない１価の有機基を表す。Ｘ^Ｂ１及びＸ^Ｂ２は、水素原子であることが好ましい。

Ｘ^Ｂ３及びＸ^Ｂ４は、各々独立に、水素原子、又は１価の有機基を表す。Ｘ^Ｂ３及びＸ^Ｂ４の少なくとも一方がフッ素原子又はフッ素原子を有する１価の有機基であることが好ましく、Ｘ^Ｂ３及びＸ^Ｂ４の両方がフッ素原子又はフッ素原子を有する１価の有機基であることがより好ましい。Ｘ^Ｂ３及びＸ^Ｂ４の両方が、フッ素で置換されたアルキル基であることが更に好ましい。

Ｌ、ｑ及びＷは、一般式（３）と同様である。

一般式（ＺＩ）におけるＺ^-、一般式（ＺＩＩ）におけるＺ^-、一般式（ＺＩ−３）におけるＺｃ⁻、及び一般式（ＺＩ−４）におけるＺ^-としては、下記一般式（５）で表されるアニオンが好ましい。

一般式（５）において、Ｘａは、各々独立に、フッ素原子、又は、少なくとも一つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。Ｘｂは、各々独立に、水素原子又はフッ素原子を有さない有機基を表す。ｏ、ｐ、ｑ、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｌ、及びＷの定義及び好ましい態様は、一般式（３）と同様である。

一般式（ＺＩ）におけるＺ^-、一般式（ＺＩＩ）におけるＺ^-、一般式（ＺＩ−３）におけるＺｃ⁻、及び一般式（ＺＩ−４）におけるＺ^-は、ベンゼンスルホン酸アニオンであってもよく、分岐アルキル基又はシクロアルキル基によって置換されたベンゼンスルホン酸アニオンであることが好ましい。

一般式（ＺＩ）におけるＺ^-、一般式（ＺＩＩ）におけるＺ^-、一般式（ＺＩ−３）におけるＺｃ⁻、及び一般式（ＺＩ−４）におけるＺ^-としては、下記の一般式（ＳＡ１）で表される芳香族スルホン酸アニオンも好ましい。

式（ＳＡ１）中、

Ａｒは、アリール基を表し、スルホン酸アニオン及び−（Ｄ−Ｂ）基以外の置換基を更に有していてもよい。更に有しても良い置換基としては、フッ素原子、水酸基などが挙げられる。

ｎは、０以上の整数を表す。ｎは、好ましくは１〜４であり、より好ましくは２〜３であり、最も好ましくは３である。

Ｄは、単結合又は２価の連結基を表す。この２価の連結基としては、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、スルホキシド基、スルホン基、スルホン酸エステル基、エステル基、及び、これらの２種以上の組み合わせからなる基等を挙げることができる。

Ｂは、炭化水素基を表す。

好ましくは、Ｄは単結合であり、Ｂは脂肪族炭化水素構造である。Ｂは、イソプロピル基又はシクロヘキシル基がより好ましい。

一般式（ＺＩ）におけるスルホニウムカチオン、及び一般式（ＺＩＩ）におけるヨードニウムカチオンの好ましい例を以下に示す。

一般式（ＺＩ）、一般式（ＺＩＩ）におけるアニオンＺ^-、一般式（ＺＩ−３）におけるＺｃ⁻、及び一般式（ＺＩ−４）におけるＺ^-の好ましい例を以下に示す。

上記のカチオン及びアニオンを任意に組みわせて光酸発生剤として使用することができる。

また、光酸発生剤（Ｃ）の好適な態様としては、例えば、下記一般式（ＺＡ）で表される化合物が挙げられる。

一般式（ＺＡ）中、

Ｒ^３００及びＲ^３１０は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜３０の直鎖状、分岐状又は環状の１価炭化水素基を表す。

Ｒ^３２０は、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜３０の直鎖状、分岐状又は環状の２価炭化水素基を表す。また、Ｒ^３００、Ｒ^３１０及びＲ^３２０のうちのいずれか２つ以上が、互いに結合してこれらが結合する硫黄原子と共に環を形成してもよい。

Ｌ^Ａは、単結合、エーテル基、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状若しくは環状の２価炭化水素基を表す。Ｘ^Ａ、Ｘ^Ｂ、Ｘ^Ｃ及びＸ^Ｄは、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。ただし、Ｘ^Ａ、Ｘ^Ｂ、Ｘ^Ｃ及びＸ^Ｄのうち少なくとも１つは、水素原子以外の置換基を表す。

上記１価炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、３−シクロヘキセニル基、ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、ウンデシル基、トリデシル基、ペンタデシル基、ヘプタデシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−アダマンチルメチル基、ノルボルニル基、ノルボルニルメチル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、テトラシクロドデカニルメチル基、ジシクロヘキシルメチル基、イコサニル基、アリル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基、テトラヒドロフリル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、メチルチオメチル基、アセトアミドメチル基、トリフルオロエチル基、(２−メトキシエトキシ)メチル基、アセトキシメチル基、２−カルボキシ−１−シクロヘキシル基、２−オキソプロピル基、４−オキソ−１−アダマンチル基、３−オキソシクロヘキシル基等が挙げられる。また、これらの基の水素原子の一部が、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、ハロゲン原子等のヘテロ原子含有基で置換されていてもよく、あるいはこれらの基の一部の炭素原子間に酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子含有基が介在していてもよく、その結果、ヒドロキシ基、シアノ基、カルボニル基、エーテル基、エステル基、スルホン酸エステル基、カーボネート基、ラクトン環、スルトン環、カルボン酸無水物、ハロアルキル基等を含んでいてもよい。

上記２価炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１,３−ジイル基、ブタン−１,４−ジイル基、ペンタン−１,５−ジイル基、ヘキサン−１,６−ジイル基、ヘプタン−１,７−ジイル基、オクタン−１,８−ジイル基、ノナン−１,９−ジイル基、デカン−１,１０−ジイル基、ウンデカン−１,１１−ジイル基、ドデカン−１,１２−ジイル基、トリデカン−１,１３−ジイル基、テトラデカン−１,１４−ジイル基、ペンタデカン−１,１５−ジイル基、ヘキサデカン−１,１６−ジイル基、ヘプタデカン−１,１７−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、ノルボルナンジイル基、アダマンタンジイル基等の飽和環状２価炭化水素基；フェニレン基、ナフチレン基等の不飽和環状２価炭化水素基等が挙げられる。また、これらの基の水素原子の一部が、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基等のアルキル基で置換されていてもよい。また、これらの基の水素原子の一部が、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、ハロゲン原子等のヘテロ原子含有基で置換されていてもよく、あるいはこれらの基の一部の炭素原子間に酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子含有基が介在していてもよく、その結果、ヒドロキシ基、シアノ基、カルボニル基、エーテル基、エステル基、スルホン酸エステル基、カーボネート基、ラクトン環、スルトン環、カルボン酸無水物、ハロアルキル基等を含んでいてもよい。上記ヘテロ原子としては、酸素原子が好ましい。

上記一般式（ＺＡ）で表される化合物は、下記の一般式（ＺＡ１）で表される化合物であることが好ましい。

一般式（ＺＡ１）中、

Ｌ^Ａは、一般式（ＺＡ）のＬ^Ａと同じである。

Ａは、水素原子又はトリフルオロメチル基を表し、好ましくはトリフルオロメチル基である。

Ｒ^３０１、Ｒ^３０２及びＲ^３０３は、それぞれ独立に、水素原子、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状の１価炭化水素基を表す。

上記１価炭化水素基としては、上記Ｒ^３００及びＲ^３１０の、１価炭化水素基の説明において挙げたものと同様のものが挙げられる。

ｑ及びｒは、それぞれ独立に、０〜５の整数を表し、ｐは、０〜４の整数を表す。

一般式（ＺＡ）で表される光酸発生剤としては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。なお、下記式中、Ａは上記と同じであり、Ｍｅはメチル基を表す。

光酸発生剤は、低分子化合物の形態であってもよく、重合体の一部に組み込まれた形態であってもよい。また、低分子化合物の形態と重合体の一部に組み込まれた形態を併用してもよい。

光酸発生剤は、低分子化合物の形態であることが好ましい。

光酸発生剤が、低分子化合物の形態である場合、分子量は３，０００以下が好ましく、２，０００以下がより好ましく、１，０００以下が更に好ましい。

光酸発生剤が、重合体の一部に組み込まれた形態である場合、前述した樹脂（Ａ）の一部に組み込まれてもよく、樹脂（Ａ）とは異なる樹脂に組み込まれてもよい。

光酸発生剤は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

光酸発生剤の組成物中の含有量（複数種存在する場合はその合計）は、組成物の全固形分を基準として、０．１〜３５質量％が好ましく、０．５〜３０質量％がより好ましく、３〜３０質量％が更に好ましく、３〜２５質量％が特に好ましい。

光酸発生剤として、上記一般式（ＺＩ−３）又は（ＺＩ−４）で表される化合物を含む場合、組成物中に含まれる光酸発生剤の含有量（複数種存在する場合はその合計）は、組成物の全固形分を基準として、５〜３５質量％が好ましく、７〜３０質量％がより好ましい。

＜酸拡散制御剤（Ｄ）＞

本発明の組成物は、酸拡散制御剤（Ｄ）を含有することが好ましい。酸拡散制御剤（Ｄ）は、露光時に酸発生剤等から発生する酸をトラップし、余分な発生酸による、未露光部における酸分解性樹脂の反応を抑制するクエンチャーとして作用するものである。例えば、塩基性化合物(ＤＡ)、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下又は消失する塩基性化合物（ＤＢ）、酸発生剤に対して相対的に弱酸となるオニウム塩（ＤＣ）、窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物（ＤＤ）、又はカチオン部に窒素原子を有するオニウム塩化合物（ＤＥ）等を酸拡散制御剤として使用することができる。本発明の組成物においては、公知の酸拡散制御剤を適宜使用することができる。例えば、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落＜０６２７＞〜［０６６４］、米国特許出願公開２０１５／０００４５４４Ａ１号明細書の段落＜００９５＞〜＜０１８７＞、米国特許出願公開２０１６／０２３７１９０Ａ１号明細書の段落［０４０３］〜＜０４２３＞、米国特許出願公開２０１６／０２７４４５８Ａ１号明細書の段落＜０２５９＞〜＜０３２８＞に開示された公知の化合物を酸拡散制御剤（Ｄ）として好適に使用できる。

塩基性化合物（ＤＡ）としては、好ましくは、下記式（Ａ）〜（Ｅ）で示される構造を有する化合物を挙げることができる。

一般式（Ａ）及び（Ｅ）中、

Ｒ^２００、Ｒ^２０１及びＲ^２０２は、同一でも異なってもよく、各々独立に、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜２０）又はアリール基（炭素数６〜２０）を表す。Ｒ^２０１とＲ^２０２は、互いに結合して環を形成してもよい。

Ｒ^２０３、Ｒ^２０４、Ｒ^２０５及びＲ^２０６は、同一でも異なってもよく、各々独立に、炭素数１〜２０個のアルキル基を表す。

一般式（Ａ）及び（Ｅ）中のアルキル基は、置換基を有していても無置換であってもよい。

上記アルキル基について、置換基を有するアルキル基としては、炭素数１〜２０のアミノアルキル基、炭素数１〜２０のヒドロキシアルキル基、又は炭素数１〜２０のシアノアルキル基が好ましい。

一般式（Ａ）及び（Ｅ）中のアルキル基は、無置換であることがより好ましい。

塩基性化合物（ＤＡ）としては、グアニジン、アミノピロリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン、アミノアルキルモルフォリン、又はピペリジン等が好ましく、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウムカルボキシレート構造、トリアルキルアミン構造、アニリン構造若しくはピリジン構造を有する化合物、水酸基及び／若しくはエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体、又は水酸基及び／若しくはエーテル結合を有するアニリン誘導体等がより好ましい。

活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下又は消失する塩基性化合物（ＤＢ）（以下、「化合物（ＤＢ）」ともいう。）は、プロトンアクセプター性官能基を有し、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解して、プロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化する化合物である。

プロトンアクセプター性官能基とは、プロトンと静電的に相互作用し得る基又は電子を有する官能基であって、例えば、環状ポリエーテル等のマクロサイクリック構造を有する官能基や、π共役に寄与しない非共有電子対をもった窒素原子を有する官能基を意味する。π共役に寄与しない非共有電子対を有する窒素原子とは、例えば、下記式に示す部分構造を有する窒素原子である。

プロトンアクセプター性官能基の好ましい部分構造として、例えば、クラウンエーテル、アザクラウンエーテル、１〜３級アミン、ピリジン、イミダゾール、及びピラジン構造などを挙げることができる。

化合物（ＤＢ）は、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下若しくは消失し、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する。ここでプロトンアクセプター性の低下若しくは消失、又はプロトンアクセプター性から酸性への変化とは、プロトンアクセプター性官能基にプロトンが付加することに起因するプロトンアクセプター性の変化であり、具体的には、プロトンアクセプター性官能基を有する化合物（ＤＢ）とプロトンとからプロトン付加体が生成するとき、その化学平衡における平衡定数が減少することを意味する。

プロトンアクセプター性は、ｐＨ測定を行うことによって確認することができる。

活性光線又は放射線の照射により化合物（ＤＢ）が分解して発生する化合物の酸解離定数ｐＫａは、ｐＫａ＜−１を満たすことが好ましく、−１３＜ｐＫａ＜−１がより好ましく、−１３＜ｐＫａ＜−３が更に好ましい。

酸解離定数ｐＫａとは、水溶液中での酸解離定数ｐＫａのことを表し、例えば、化学便覧（ＩＩ）（改訂４版、１９９３年、日本化学会編、丸善株式会社）に定義される。酸解離定数ｐＫａの値が低いほど酸強度が大きいことを示す。水溶液中での酸解離定数ｐＫａは、具体的には、無限希釈水溶液を用い、２５℃での酸解離定数を測定することにより実測できる。あるいは、下記ソフトウェアパッケージ１を用いて、ハメットの置換基定数及び公知文献値のデータベースに基づいた値を、計算により求めることもできる。本明細書中に記載したｐＫａの値は、全て、このソフトウェアパッケージを用いて計算により求めた値を示す。

ソフトウェアパッケージ１： Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ （ＡＣＤ／Ｌａｂｓ） Ｓｏｆｔｗａｒｅ Ｖ８．１４ ｆｏｒ Ｓｏｌａｒｉｓ （１９９４−２００７ ＡＣＤ／Ｌａｂｓ）。

本発明の組成物では、酸発生剤に対して相対的に弱酸となるオニウム塩（ＤＣ）を酸拡散制御剤として使用することができる。

酸発生剤と、酸発生剤から生じた酸に対して相対的に弱酸である酸を発生するオニウム塩とを混合して用いた場合、活性光線性又は放射線の照射により酸発生剤から生じた酸が未反応の弱酸アニオンを有するオニウム塩と衝突すると、塩交換により弱酸を放出して強酸アニオンを有するオニウム塩を生じる。この過程で強酸がより触媒能の低い弱酸に交換されるため、見かけ上、酸が失活して酸拡散の制御を行うことができる。

酸発生剤に対して相対的に弱酸となるオニウム塩としては、下記一般式（ｄ１−１）〜（ｄ１−３）で表される化合物であることが好ましい。

式中、Ｒ^５１は置換基を有していてもよい炭化水素基であり、Ｚ^２ｃは置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の炭化水素基（ただし、Ｓに隣接する炭素にはフッ素原子は置換されていないものとする）であり、Ｒ^５２は有機基であり、Ｙ^３は直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキレン基又はアリーレン基であり、Ｒｆはフッ素原子を含む炭化水素基であり、Ｍ^＋は各々独立に、アンモニウムカチオン、スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンである。

Ｍ^＋として表されるスルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンの好ましい例としては、一般式（ＺＩ）で例示したスルホニウムカチオン及び一般式（ＺＩＩ）で例示したヨードニウムカチオンを挙げることができる。

酸発生剤に対して相対的に弱酸となるオニウム塩（ＤＣ）は、カチオン部位とアニオン部位を同一分子内に有し、かつ、該カチオン部位とアニオン部位が共有結合により連結している化合物（以下、「化合物（ＤＣＡ）」ともいう。）であってもよい。

化合物（ＤＣＡ）としては、下記一般式（Ｃ−１）〜（Ｃ−３）のいずれかで表される化合物であることが好ましい。

一般式（Ｃ−１）〜（Ｃ−３）中、

Ｒ_１、Ｒ_２、及びＲ_３は、各々独立に炭素数１以上の置換基を表す。

Ｌ_１は、カチオン部位とアニオン部位とを連結する２価の連結基又は単結合を表す。

−Ｘ⁻は、−ＣＯＯ⁻、−ＳＯ_３ ⁻、−ＳＯ_２ ⁻、及び−Ｎ⁻−Ｒ_４から選択されるアニオン部位を表す。Ｒ_４は、隣接するＮ原子との連結部位に、カルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）−）、スルホニル基（−Ｓ（＝Ｏ）_２−）、及びスルフィニル基（−Ｓ（＝Ｏ）−）のうち少なくとも１つを有する１価の置換基を表す。

Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、及びＬ_１は、互いに結合して環構造を形成してもよい。また、一般式（Ｃ−３）において、Ｒ_１〜Ｒ_３のうち２つを合わせて１つの２価の置換基を表し、Ｎ原子と２重結合により結合していてもよい。

Ｒ_１〜Ｒ_３における炭素数１以上の置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキルオキシカルボニル基、シクロアルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルアミノカルボニル基、シクロアルキルアミノカルボニル基、及びアリールアミノカルボニル基などが挙げられる。好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基である。

２価の連結基としてのＬ_１は、直鎖若しくは分岐鎖状アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、カルボニル基、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、ウレア結合、及びこれらの２種以上を組み合わせてなる基等が挙げられる。Ｌ_１は、好ましくは、アルキレン基、アリーレン基、エーテル結合、エステル結合、又はこれらの２種以上を組み合わせてなる基である。

窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物（ＤＤ）（以下、「化合物（ＤＤ）」ともいう。）は、酸の作用により脱離する基を窒素原子上に有するアミン誘導体であることが好ましい。

酸の作用により脱離する基としては、アセタール基、カルボネート基、カルバメート基、３級エステル基、３級水酸基、又はヘミアミナールエーテル基が好ましく、カルバメート基、又はヘミアミナールエーテル基がより好ましい。

化合物（ＤＤ）の分子量は、１００〜１０００が好ましく、１００〜７００がより好ましく、１００〜５００が更に好ましい。

化合物（ＤＤ）は、窒素原子上に保護基を有するカルバメート基を有してもよい。カルバメート基を構成する保護基としては、下記一般式（ｄ−１）で表すことができる。

一般式（ｄ−１）において、

Ｒｂは、各々独立に、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜１０）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜３０）、アリール基（好ましくは炭素数３〜３０）、アラルキル基（好ましくは炭素数１〜１０）、又はアルコキシアルキル基（好ましくは炭素数１〜１０）を表す。Ｒｂは相互に連結して環を形成していてもよい。

Ｒｂが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、各々独立にヒドロキシ基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基、アルコキシ基、又はハロゲン原子で置換されていてもよい。Ｒｂが示すアルコキシアルキル基についても同様である。

Ｒｂとしては、直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基が好ましく、直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又はシクロアルキル基がより好ましい。

２つのＲｂが相互に連結して形成する環としては、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、複素環式炭化水素及びその誘導体等が挙げられる。

一般式（ｄ−１）で表される基の具体的な構造としては、米国特許公報ＵＳ２０１２／０１３５３４８Ａ１号明細書の段落＜０４６６＞に開示された構造を挙げることができるが、これに限定されない。

化合物（ＤＤ）は、下記一般式（６）で表される構造を有するものであることが好ましい。

一般式（６）において、

ｌは０〜２の整数を表し、ｍは１〜３の整数を表し、ｌ＋ｍ＝３を満たす。

Ｒａは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。ｌが２のとき、２つのＲａは同じでも異なっていてもよく、２つのＲａは相互に連結して式中の窒素原子と共に複素環を形成していてもよい。この複素環には式中の窒素原子以外のヘテロ原子を含んでいてもよい。

Ｒｂは、上記一般式（ｄ−１）におけるＲｂと同義であり、好ましい例も同様である。

一般式（６）において、Ｒａとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、各々独立にＲｂとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基が置換されていてもよい基として前述した基と同様な基で置換されていてもよい。

上記Ｒａのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基（これらの基は、上記基で置換されていてもよい）の具体例としては、Ｒｂについて前述した具体例と同様な基が挙げられる。

本発明における特に好ましい化合物（ＤＤ）の具体的な構造としては、米国特許出願公開２０１２／０１３５３４８Ａ１号明細書の段落＜０４７５＞に開示された化合物を挙げることができるが、これに限定されるものではない。

カチオン部に窒素原子を有するオニウム塩化合物（ＤＥ）（以下、「化合物（ＤＥ）」

ともいう。）は、カチオン部に窒素原子を含む塩基性部位を有する化合物であることが好ましい。塩基性部位は、アミノ基であることが好ましく、脂肪族アミノ基であることがより好ましい。塩基性部位中の窒素原子に隣接する原子の全てが、水素原子又は炭素原子であることが更に好ましい。また、塩基性向上の観点から、窒素原子に対して、電子求引性の官能基（カルボニル基、スルホニル基、シアノ基、及びハロゲン原子など）が直結していないことが好ましい。

化合物（ＤＥ）の好ましい具体的な構造としては、米国特許出願公開２０１５／０３０９４０８Ａ１号明細書の段落＜０２０３＞に開示された化合物を挙げることができるが、これに限定されない。

酸拡散制御剤（Ｄ）の好ましい例を以下に示すが、本発明は、これらに限定されるものではない。

本発明の組成物において、酸拡散制御剤（Ｄ）は１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

酸拡散制御剤（Ｄ）の組成物中の含有量（複数種存在する場合はその合計）は、組成物の全固形分を基準として、０．１〜１５質量％が好ましく、０．１〜１０質量％、がより好ましい。

＜疎水性樹脂（Ｅ）＞

本発明の組成物は、疎水性樹脂（Ｅ）（以下、樹脂（Ｅ）ともいう）を含有してもよい。なお、疎水性樹脂（Ｅ）は、樹脂（Ａ）とは異なる樹脂であることが好ましい。

本発明の組成物が、疎水性樹脂（Ｅ）を含有することにより、レジスト膜の表面における静的／動的な接触角を制御することができる。これにより、現像特性の改善、アウトガスの抑制、液浸露光における液浸液追随性の向上、及び液浸欠陥の低減等が可能となる。

疎水性樹脂（Ｅ）は、レジスト膜の表面に偏在するように設計されることが好ましいが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性／非極性物質を均一に混合することに寄与しなくてもよい。

疎水性樹脂（Ｅ）は、膜表層への偏在化の観点から、“フッ素原子”、“ケイ素原子”、及び“樹脂の側鎖部分に含有されたＣＨ_３部分構造”からなる群から選択される少なくとも１種を有する繰り返し単位を含む樹脂であることが好ましい。

疎水性樹脂（Ｅ）が、フッ素原子及び／又はケイ素原子を含む場合、疎水性樹脂（Ｅ）における上記フッ素原子及び／又はケイ素原子は、樹脂の主鎖中に含まれていてもよく、側鎖中に含まれていてもよい。

疎水性樹脂（Ｅ）がフッ素原子を含む場合、フッ素原子を有する部分構造として、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又はフッ素原子を有するアリール基を有する樹脂であることが好ましい。

疎水性樹脂（Ｅ）は、下記（ｘ）〜（ｚ）の群から選ばれる基を少なくとも１つを有することが好ましい。

（ｘ）酸基

（ｙ）アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基（以下、極性変換基ともいう）

（ｚ）酸の作用により分解する基

酸基（ｘ）としては、フェノール性水酸基、カルボン酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）メチレン基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルカルボニル）メチレン基、ビス（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルスルホニル）メチレン基、ビス（アルキルスルホニル）イミド基、トリス（アルキルカルボニル）メチレン基、及びトリス（アルキルスルホニル）メチレン基等が挙げられる。

酸基としては、フッ素化アルコール基（好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール）、スルホンイミド基、又はビス（アルキルカルボニル）メチレン基が好ましい。

アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基（ｙ）としては、例えば、ラクトン基、カルボン酸エステル基（−ＣＯＯ−）、酸無水物基（−Ｃ（Ｏ）ＯＣ（Ｏ）−）、酸イミド基（−ＮＨＣＯＮＨ−）、カルボン酸チオエステル基（−ＣＯＳ−）、炭酸エステル基（−ＯＣ（Ｏ）Ｏ−）、硫酸エステル基（−ＯＳＯ_２Ｏ−）、及びスルホン酸エステル基（−ＳＯ_２Ｏ−）などが挙げられ、ラクトン基又はカルボン酸エステル基（−ＣＯＯ−）が好ましい。

これらの基を含んだ繰り返し単位は、樹脂の主鎖にこれらの基が直接結合している繰り返し単位であり、例えば、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルによる繰り返し単位等が挙げられる。この繰り返し単位は、これらの基が連結基を介して樹脂の主鎖に結合していてもよい。あるいは、この繰り返し単位は、これらの基を有する重合開始剤又は連鎖移動剤を重合時に用いて、樹脂の末端に導入されていてもよい。

ラクトン基を有する繰り返し単位としては、例えば、先に樹脂（Ａ）の項で説明したラクトン構造を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。

アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基（ｙ）を有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂（Ｅ）中の全繰り返し単位を基準として、１〜１００モル％が好ましく、３〜９８モル％がより好ましく、５〜９５モル％が更に好ましい。

疎水性樹脂（Ｅ）における、酸の作用により分解する基（ｚ）を有する繰り返し単位は、樹脂（Ａ）で挙げた酸分解性基を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。酸の作用により分解する基（ｚ）を有する繰り返し単位は、フッ素原子及びケイ素原子の少なくともいずれかを有していてもよい。酸の作用により分解する基（ｚ）を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ｅ）中の全繰り返し単位に対して、１〜８０モル％が好ましく、１０〜８０モル％がより好ましく、２０〜６０モル％が更に好ましい。

疎水性樹脂（Ｅ）は、更に、上述した繰り返し単位とは別の繰り返し単位を有していてもよい。

フッ素原子を含む繰り返し単位は、疎水性樹脂（Ｅ）に含まれる全繰り返し単位に対して、１０〜１００モル％が好ましく、３０〜１００モル％がより好ましい。また、ケイ素原子を含む繰り返し単位は、疎水性樹脂（Ｅ）に含まれる全繰り返し単位に対して、１０〜１００モル％が好ましく、２０〜１００モル％がより好ましい。

一方、特に疎水性樹脂（Ｅ）が側鎖部分にＣＨ_３部分構造を含む場合においては、疎水性樹脂（Ｅ）が、フッ素原子及びケイ素原子を実質的に含有しない形態も好ましい。また、疎水性樹脂（Ｅ）は、炭素原子、酸素原子、水素原子、窒素原子及び硫黄原子から選ばれる原子のみによって構成された繰り返し単位のみで実質的に構成されることが好ましい。

疎水性樹脂（Ｅ）の標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、１，０００〜１００，０００が好ましく、１，０００〜５０，０００がより好ましい。

疎水性樹脂（Ｅ）に含まれる残存モノマー及び／又はオリゴマー成分の合計含有量は、０．０１〜５質量％が好ましく、０．０１〜３質量％がより好ましい。また、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、１〜５の範囲が好ましく、より好ましくは１〜３の範囲である。

疎水性樹脂（Ｅ）としては、公知の樹脂を、単独又はそれらの混合物として適宜に選択して使用することができる。例えば、米国特許出願公開２０１５／０１６８８３０Ａ１号明細書の段落＜０４５１＞〜＜０７０４＞、米国特許出願公開２０１６／０２７４４５８Ａ１号明細書の段落＜０３４０＞〜＜０３５６＞に開示された公知の樹脂を疎水性樹脂（Ｅ）として好適に使用できる。また、米国特許出願公開２０１６／０２３７１９０Ａ１号明細書の段落＜０１７７＞〜＜０２５８＞に開示された繰り返し単位も、疎水性樹脂（Ｅ）を構成する繰り返し単位として好ましい。

疎水性樹脂（Ｅ）を構成する繰り返し単位の好ましい例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

疎水性樹脂（Ｅ）は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

表面エネルギーが異なる２種以上の疎水性樹脂（Ｅ）を混合して使用することが、液浸露光における液浸液追随性と現像特性の両立の観点から好ましい。

疎水性樹脂（Ｅ）の組成物中の含有量は、本発明の組成物中の全固形分に対し、０．０１〜１０質量％が好ましく、０．０５〜８質量％がより好ましい。

＜溶剤（Ｆ）＞

本発明の組成物は、通常、溶剤を含有する。

本発明の組成物においては、公知のレジスト溶剤を適宜使用することができる。例えば、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落＜０６６５＞〜［０６７０］、米国特許出願公開２０１５／０００４５４４Ａ１号明細書の段落＜０２１０＞〜＜０２３５＞、米国特許出願公開２０１６／０２３７１９０Ａ１号明細書の段落［０４２４］〜＜０４２６＞、米国特許出願公開２０１６／０２７４４５８Ａ１号明細書の段落＜０３５７＞〜＜０３６６＞に開示された公知の溶剤を好適に使用できる。

組成物を調製する際に使用できる溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン（好ましくは炭素数４〜１０）、環を有してもよいモノケトン化合物（好ましくは炭素数４〜１０）、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、及びピルビン酸アルキル等の有機溶剤が挙げられる。

有機溶剤として、構造中に水酸基を含有する溶剤と、水酸基を含有しない溶剤とを混合した混合溶剤を使用してもよい。

水酸基を含有する溶剤、及び水酸基を含有しない溶剤としては、前述の例示化合物を適宜選択できるが、水酸基を含有する溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、又は乳酸アルキル等が好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＥＥ）、２−ヒドロキシイソ酪酸メチル、又は乳酸エチルがより好ましい。また、水酸基を含有しない溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、アルキルアルコキシプロピオネート、環を含有してもよいモノケトン化合物、環状ラクトン、又は酢酸アルキル等が好ましく、これらの中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、エチルエトキシプロピオネート、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン又は酢酸ブチルがより好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン、エチルエトキシプロピオネート、シクロヘキサノン、シクロペンタノン又は２−ヘプタノンが更に好ましい。水酸基を含有しない溶剤としては、プロピレンカーボネートも好ましい。

水酸基を含有する溶剤と水酸基を含有しない溶剤との混合比（質量比）は、１／９９〜９９／１であり、１０／９０〜９０／１０が好ましく、２０／８０〜６０／４０がより好ましい。水酸基を含有しない溶剤を５０質量％以上含有する混合溶剤が、塗布均一性の点で好ましい。

溶剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含むことが好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート単独溶剤でもよいし、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する２種類以上の混合溶剤でもよい。

＜界面活性剤(Ｈ)＞

本発明の組成物は、界面活性剤を含有してもよいし、含有しなくてもよい。界面活性剤を含有する場合、フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤（具体的には、フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、又はフッ素原子とケイ素原子との両方を有する界面活性剤）が好ましい。

本発明の組成物が界面活性剤を含有することにより、２５０ｎｍ以下、特に２２０ｎｍ以下の露光光源を使用した場合に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥の少ないレジストパターンを得ることができる。

フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤として、米国特許出願公開第２００８／０２４８４２５号明細書の段落＜０２７６＞に記載の界面活性剤が挙げることができる。

また、米国特許出願公開第２００８／０２４８４２５号明細書の段落＜０２８０＞に記載の、フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。

これらの界面活性剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

本発明の組成物が界面活性剤を含有する場合、界面活性剤の含有量は、組成物の全固形分に対して、０．０００１〜２質量％が好ましく、０．０００５〜１質量％がより好ましい。

一方、界面活性剤の含有量が、組成物の全固形分に対して１０ｐｐｍ以上とすることにより、疎水性樹脂の表面偏在性が上がる。それにより、レジスト膜の表面をより疎水的にすることができ、液浸露光時の水追随性が向上する。

（その他の添加剤）

本発明の組成物は、更に、酸増殖剤、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、アルカリ可溶性樹脂、溶解阻止剤、又は溶解促進剤等を含有してもよい。

＜調製方法＞

本発明の組成物において、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｗ、Ｖ、Ｂａ、Ａｕ、Ａｓ、Ｃｄ、Ｚｒ及びＭｏの各金属元素の含有量の総和である金属元素含有量が、上記レジスト組成物の全質量に対して、０．０１質量ｐｐｔ以上１質量ｐｐｂ以下である。

上述の通り、本発明の組成物の各成分を溶剤に溶解させたレジスト組成物調製液を、金属イオン吸着フィルタに複数回で通過させることにより、上記金属元素含有量を好適に達成することができ、レジスト組成物を調製することができる。

レジスト組成物の各成分及び各成分を合成するための原材料は、できるだけ高純度のものを使用することが好ましく、これにより、レジスト組成物調製液の金属イオン吸着フィルタに対する通過回数が多くなり過ぎることを抑制できる。例えば、レジスト組成物における溶剤の調達等は、特に限定されないが、上市されている溶剤を入手する場合においては、上述の金属不純物の含有量が少ないもの（例えば、有機溶剤の含有量が９９質量％以上のもの）を入手することが好ましい。そのような有機溶剤の市販品としては、例えば、「高純度グレード品」と呼ばれるものが挙げられる。

金属イオン吸着フィルタとしては、例えば樹脂の基材の表面に酸基を有するフィルタ、が挙げられ、フッ素樹脂（例えば、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン））製の基材の表面にスルホ基を有するフィルタであることが好ましい。金属イオン吸着フィルタとしては、具体的には、金属イオン吸着フィルタ（Ｅｎｔｅｇｒｉｓ社製の１５ｎｍ ＩＥＸ ＰＴＦＥ（ＰＴＦＥ製の基材の表面にスルホ基を有する孔径１５ｎｍのフィルタ)）を挙げることができる。

本発明の組成物における金属元素含有量（すなわち、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｗ、Ｖ、Ｂａ、Ａｕ、Ａｓ、Ｃｄ、Ｚｒ及びＭｏの各金属元素の含有量の総和）は、Ａｇｉｌｅｎｔ ８８００ トリプル四重極ＩＣＰ−ＭＳ（半導体分析用、オプション＃２００）を用いて測定した。

なお、レジスト組成物から、金属元素を含む固体（金属単体や粒子状の金属含有化合物等）、その他の不純物を積極的に除去したい場合には、上記した金属イオン吸着フィルタによる精製に加えて、上述のその他のフィルタリング工程を施しても良い。

本発明の組成物からなる感活性光線性膜又は感放射線性膜の膜厚は、解像力向上の観点から、９０ｎｍ以下が好ましく、８５ｎｍ以下がより好ましい。組成物中の固形分濃度を適切な範囲に設定して適度な粘度をもたせ、塗布性又は製膜性を向上させることにより、このような膜厚とすることができる。

本発明の組成物の固形分濃度は、通常１．０〜１０質量％であり、２．０〜５．７質量％が好ましく、２．０〜５．３質量％がより好ましい。固形分濃度とは、組成物の総質量に対する、溶剤を除く他のレジスト成分の質量の質量百分率である。

本発明の組成物は、所定の支持体（基板）上に塗布して用いる。

＜用途＞

本発明の組成物は、活性光線又は放射線の照射により反応して性質が変化するレジスト組成物に関する。更に詳しくは、本発明の組成物は、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の半導体製造工程、液晶若しくはサーマルヘッド等の回路基板の製造、インプリント用モールド構造体の作製、その他のフォトファブリケーション工程、又は平版印刷版、若しくは酸硬化性組成物の製造に使用されるレジスト組成物に関する。本発明において形成されるレジストパターンは、エッチング工程、イオンインプランテーション工程、バンプ電極形成工程、再配線形成工程、及びＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）等において使用することができる。

〔パターン形成方法〕

本発明は上記レジスト組成物を用いたパターン形成方法にも関する。以下、本発明のパターン形成方法について説明する。また、パターン形成方法の説明と併せて、本発明のレジスト膜についても説明する。

本発明のパターン形成方法は、

（ｉ）上述したレジスト組成物によってレジスト膜を支持体上に形成する工程（成膜工程）、

（ｉｉ）上記レジスト膜に活性光線又は放射線を照射する工程（露光工程）、及び、

（ｉｉｉ）上記活性光線又は放射線が照射されたレジスト膜を、現像液を用いて現像する工程(現像工程)、を有する。

本発明のパターン形成方法は、上記（ｉ）〜（ｉｉｉ）の工程を含んでいれば特に限定されず、更に下記の工程を有していてもよい。

本発明のパターン形成方法は、（ｉｉ）露光工程における露光方法が、液浸露光であってもよい。

本発明のパターン形成方法は、（ｉｉ）露光工程の前に、（ｉｖ）前加熱(ＰＢ：ＰｒｅＢａｋｅ)工程を含むことが好ましい。

本発明のパターン形成方法は、（ｉｉ）露光工程の後、かつ、（ｉｉｉ）現像工程の前に、（ｖ）露光後加熱(ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ)工程を含むことが好ましい。

本発明のパターン形成方法は、（ｉｉ）露光工程を、複数回含んでいてもよい。

本発明のパターン形成方法は、（ｉｖ）前加熱工程を、複数回含んでいてもよい。

本発明のパターン形成方法は、（ｖ）露光後加熱工程を、複数回含んでいてもよい。

本発明のパターン形成方法において、上述した（ｉ）成膜工程、（ｉｉ）露光工程、及び（ｉｉｉ）現像工程は、一般的に知られている方法により行うことができる。

また、必要に応じて、レジスト膜と支持体との間にレジスト下層膜(例えば、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）、ＳＯＣ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｃａｒｂｏｎ）、反射防止膜)を形成してもよい。レジスト下層膜としては、公知の有機系又は無機系の材料を適宜用いることができる。

レジスト膜の上層に、保護膜(トップコート)を形成してもよい。保護膜としては、公知の材料を適宜用いることができる。例えば、米国特許出願公開第２００７／０１７８４０７号明細書、米国特許出願公開第２００８／００８５４６６号明細書、米国特許出願公開第２００７／０２７５３２６号明細書、米国特許出願公開第２０１６／０２９９４３２号明細書、米国特許出願公開第２０１３／０２４４４３８号明細書、国際特許出願公開第２０１６／１５７９８８Ａ号明細書に開示された保護膜形成用組成物を好適に使用することができる。保護膜形成用組成物としては、上述した酸拡散制御剤を含むものが好ましい。

上述した疎水性樹脂を含有するレジスト膜の上層に保護膜を形成してもよい。

支持体は、特に限定されるものではなく、ＩＣ等の半導体の製造工程、又は液晶若しくはサーマルヘッド等の回路基板の製造工程のほか、その他のフォトファブリケーションのリソグラフィー工程等で一般的に用いられる基板を用いることができる。支持体の具体例としては、シリコン、ＳｉＯ₂、及びＳｉＮ等の無機基板等が挙げられる。

加熱温度は、（ｉｖ）前加熱工程及び（ｖ）露光後加熱工程のいずれにおいても、７０〜１３０℃が好ましく、８０〜１２０℃がより好ましい。

加熱時間は、（ｉｖ）前加熱工程及び（ｖ）露光後加熱工程のいずれにおいても、３０〜３００秒が好ましく、３０〜１８０秒がより好ましく、３０〜９０秒が更に好ましい。

加熱は、露光装置及び現像装置に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行ってもよい。

露光工程に用いられる光源波長に制限はないが、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、極紫外光(ＥＵＶ)、Ｘ線、及び電子線等を挙げることができる。これらの中でも遠紫外光が好ましく、その波長は２５０ｎｍ以下が好ましく、２２０ｎｍ以下がより好ましく、１〜２００ｎｍが更に好ましい。具体的には、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）、Ｆ_２エキシマレーザー（１５７ｎｍ）、Ｘ線、ＥＵＶ（１３ｎｍ）、又は電子線等であり、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、ＥＵＶ又は電子線が好ましい。

（ｉｉｉ）現像工程においては、アルカリ現像液であっても、有機溶剤を含有する現像液（以下、有機系現像液ともいう）であってもよい。

アルカリ現像液としては、通常、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドに代表される４級アンモニウム塩が用いられるが、これ以外にも無機アルカリ、１〜３級アミン、アルコールアミン、及び環状アミン等のアルカリ水溶液も使用可能である。

さらに、上記アルカリ現像液は、アルコール類、及び／又は界面活性剤を適当量含有してもよい。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常０．１〜２０質量％である。アルカリ現像液のｐＨは、通常１０〜１５である。

アルカリ現像液を用いて現像を行う時間は、通常１０〜３００秒である。

アルカリ現像液のアルカリ濃度、ｐＨ、及び現像時間は、形成するパターンに応じて、適宜調整することができる。

有機系現像液は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤、及び炭化水素系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種の有機溶剤を含有する現像液であるのが好ましい。

ケトン系溶剤としては、例えば、１−オクタノン、２−オクタノン、１−ノナノン、２−ノナノン、アセトン、２−ヘプタノン（メチルアミルケトン）、４−ヘプタノン、１−ヘキサノン、２−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、及びプロピレンカーボネート等を挙げることができる。

エステル系溶剤としては、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルー３−エトキシプロピオネート、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル、ブタン酸ブチル、２−ヒドロキシイソ酪酸メチル、酢酸イソアミル、イソ酪酸イソブチル、及びプロピオン酸ブチル等を挙げることができる。

アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤、及び炭化水素系溶剤としては、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落＜０７１５＞〜＜０７１８＞に開示された溶剤を使用できる。

上記の溶剤は、複数混合してもよいし、上記以外の溶剤又は水と混合してもよい。現像液全体としての含水率は、５０質量％未満が好ましく、２０質量％未満がより好ましく、１０質量％未満であることが更に好ましく、実質的に水分を含有しないことが特に好ましい。

有機系現像液に対する有機溶剤の含有量は、現像液の全量に対して、５０質量％以上１００質量％以下が好ましく、８０質量％以上１００質量％以下がより好ましく、９０質量％以上１００質量％以下が更に好ましく、９５質量％以上１００質量％以下が特に好ましい。

有機系現像液は、必要に応じて公知の界面活性剤を適当量含有できる。

界面活性剤の含有量は現像液の全量に対して、通常０．００１〜５質量％であり、０．００５〜２質量％が好ましく、０．０１〜０．５質量％がより好ましい。

有機系現像液は、上述した酸拡散制御剤を含んでいてもよい。

現像方法としては、例えば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止する方法（パドル法）、基板表面に現像液を噴霧する方法（スプレー法）、又は一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法（ダイナミックディスペンス法）等を適用することができる。

アルカリ水溶液を用いて現像を行う工程（アルカリ現像工程）、及び有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程（有機溶剤現像工程）を組み合わせてもよい。これにより、中間的な露光強度の領域のみを溶解させずにパターン形成が行えるので、より微細なパターンを形成することができる。

（ｉｉｉ）現像工程の後に、リンス液を用いて洗浄する工程（リンス工程）を含むことが好ましい。

アルカリ現像液を用いた現像工程の後のリンス工程に用いるリンス液は、例えば純水を使用できる。純水は、界面活性剤を適当量含有してもよい。この場合、現像工程又はリンス工程の後に、パターン上に付着している現像液又はリンス液を超臨界流体により除去する処理を追加してもよい。更に、リンス処理又は超臨界流体による処理の後、パターン中に残存する水分を除去するために加熱処理を行ってもよい。

有機溶剤を含む現像液を用いた現像工程の後のリンス工程に用いるリンス液は、レジストパターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用できる。リンス液としては、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種の有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。

炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、及びエーテル系溶剤の具体例としては、有機溶剤を含む現像液において説明したものと同様のものが挙げられる。

この場合のリンス工程に用いるリンス液としては、１価アルコールを含有するリンス液がより好ましい。

リンス工程で用いられる１価アルコールとしては、直鎖状、分岐状、又は環状の１価アルコールが挙げられる。具体的には、１−ブタノール、２−ブタノール、３−メチル−１−ブタノール、ｔｅｒｔ―ブチルアルコール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、１−ヘキサノール、４−メチル−２−ペンタノール、１−ヘプタノール、１−オクタノール、２−ヘキサノール、シクロペンタノール、２−ヘプタノール、２−オクタノール、３−ヘキサノール、３−ヘプタノール、３−オクタノール、４−オクタノール、及びメチルイソブチルカルビノールが挙げられる。炭素数５以上の１価アルコールとしては、１−ヘキサノール、２−ヘキサノール、４−メチル−２−ペンタノール、１−ペンタノール、３−メチル−１−ブタノール、及びメチルイソブチルカルビノール等が挙げられる。

各成分は、複数混合してもよいし、上記以外の有機溶剤と混合して使用してもよい。

リンス液中の含水率は、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、３質量％以下が更に好ましい。含水率を１０質量％以下とすることで、良好な現像特性が得られる。

リンス液は、界面活性剤を適当量含有してもよい。

リンス工程においては、有機系現像液を用いる現像を行った基板を、有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄処理する。洗浄処理の方法は特に限定されないが、例えば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法（回転塗布法）、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、又は基板表面にリンス液を噴霧する方法（スプレー法）等を適用することができる。中でも、回転塗布法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を２，０００〜４，０００ｒｐｍの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。また、リンス工程の後に加熱工程（Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）を含むことも好ましい。この加熱工程によりパターン間及びパターン内部に残留した現像液及びリンス液が除去される。リンス工程の後の加熱工程において、加熱温度は通常４０〜１６０℃であり、７０〜９５℃が好ましく、加熱時間は通常１０秒〜３分であり、３０秒〜９０秒が好ましい。

上記の各種材料は、不純物の混入を防止するために、米国特許出願公開第２０１５／０２２７０４９号明細書、日本国特許出願公開第２０１５−１２３３５１号明細書（特開２０１５−１２３３５１）、日本国特許出願公開第２０１７−１３８０４号明細書（特開２０１７−１３８０４）等に記載された容器に保存されることが好ましい。

本発明のパターン形成方法により形成されるパターンに、パターンの表面荒れを改善する方法を適用してもよい。パターンの表面荒れを改善する方法としては、例えば、米国特許出願公開第２０１５／０１０４９５７号明細書に開示された、水素を含有するガスのプラズマによってレジストパターンを処理する方法が挙げられる。その他にも、日本国特許出願公開第２００４−２３５４６８号明細書（特開２００４−２３５４６８）、米国特許出願公開第２０１０／００２０２９７号明細書、Ｐｒｏｃ． ｏｆ ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．８３２８ ８３２８０Ｎ−１“ＥＵＶ Ｒｅｓｉｓｔ Ｃｕｒｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ ｆｏｒ ＬＷＲ Ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ ａｎｄ Ｅｔｃｈ Ｓｅｌｅｃｔｉｖｉｔｙ Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ”に記載されるような公知の方法を適用してもよい。

また、上記の方法によって形成されたレジストパターンは、例えば日本国特許出願公開第１９９１−２７０２２７号明細書（特開平３−２７０２２７）及び米国特許出願公開第２０１３／０２０９９４１号明細書に開示されたスペーサープロセスの芯材（Ｃｏｒｅ）として使用できる。

〔電子デバイスの製造方法〕

また、本発明は、上記したパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法にも関する。本発明の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイスは、電気電子機器（例えば、家電、ＯＡ（Ｏｆｆｉｃｅ Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ）関連機器、メディア関連機器、光学用機器、及び通信機器等）に、好適に搭載される。

以下に、実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されない。なお、特に断りのない限り、「％」、「ｐｐｔ」及び「ｐｐｂ」は質量基準である。

＜合成例１：樹脂（Ａ−１ａ）の合成＞

窒素気流下、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）８．６ｇを３つ口フラスコに入れ、これを８０℃に加熱した。これに下記（ａ）１０．３ｇ、下記（ｂ）２．４ｇ、下記（ｃ）１．１ｇ、下記（ｄ）１２．４ｇ、重合開始剤Ｖ−６０１（和光純薬工業（株）製）をモノマーに対し８ｍｏｌ％をプロピレングリコールモノメチルエーテル

（ＰＧＭＥ）７９ｇに溶解させた溶液を６時間かけて滴下した。滴下終了後、更に８０℃で２時間反応させた。反応液を放冷後ヘキサン８００ｍ／酢酸エチル２００ｍｌの混合液に２０分かけて滴下し、析出した粉体をろ取、乾燥すると、樹脂（Ａ−１ａ）が２５ｇ得られた。得られた樹脂の重量平均分子量は、標準ポリスチレン換算で８０００、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．５であった。

同様にして、以下に示す他の樹脂（Ａ）を合成した。

実施例で用いた樹脂（Ａ）の構造を以下に示す。また、下記表１に、各樹脂における繰り返し単位のモル比率（構造式における左から順）、重量平均分子量（Ｍｗ）、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）を示す。

＜合成例２：樹脂（Ｅ−１）の合成＞

窒素気流下、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）１０．０ｇを３つ口フラスコに入れ、これを８０℃に加熱した。これに下記（ｅ）１９．０ｇ、重合開始剤Ｖ−６０１（和光純薬工業（株）製）を下記（ｅ）に対し８ｍｏｌ％をプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）７９ｇに溶解させた溶液を６時間かけて滴下した。

滴下終了後、更に８０℃で２時間反応させた。反応液を放冷後ヘキサン８００ｍ／酢酸エチル２００ｍｌの混合液に２０分かけて滴下し、析出した粉体をろ取、乾燥すると、樹脂

（Ｅ−１）が１７．２ｇ得られた。得られた樹脂（Ｅ−１）の重量平均分子量は、標準ポリスチレン換算で８５００、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．７であった。

〔実施例１〜７２、比較例１〜２８（ＡｒＦ液浸露光、アルカリ現像）〕

（１）レジスト組成物の調製

表２に示した各成分を表２に記載の溶剤に溶解させて、固形分濃度４．０質量％の溶液を調製し、孔径５０ｎｍのポリエチレン製フィルターでろ過して、次に、孔径１０ｎｎのナイロン製フィルターでろ過して、レジスト組成物調製液を調製した。

得られたレジスト組成物調製液を、以下の２つの金属イオン吸着フィルタに通過させた。

・第１金属イオン吸着フィルタ（Ｅｎｔｅｇｒｉｓ社製の１５ｎｍ ＩＥＸ ＰＴＥＥ（ＰＴＦＥ製の基材の表面にスルホ基を有する系１５ｎｍのフィルタ)）

・第２金属イオン吸着フィルタ（Ｅｎｔｅｇｒｉｓ社製の１５ｎｍ ＩＥＸ ＰＴＥＥ（ＰＴＦＥ製の基材の表面にスルホ基を有する径系１５ｎｍのフィルタ)）

上記２つの金属イオン吸着フィルタの通過回数を調整することにより、実施例及び比較例の組成のレジスト組成物をそれぞれ調製した。

また、実施例及び比較例のレジスト組成物の調製にあたって、レジスト組成物の調製、充填、保管及び分析測定は、全てＩＳＯクラス２以下を満たすレベルのクリーンルームで行った。

なお、各実施例及び比較例で作製したレジスト組成物中の全質量に対する金属元素含有量は、Ａｇｉｌｅｎｔ ８８００ トリプル四重極ＩＣＰ−ＭＳ（半導体分析用、オプション＃２００）を用いて測定した。金属元素含有量を表２中に示す。

（２）レジスト組成物の塗設

シリコンウエハ上に有機反射防止膜ＡＲＣ２９ＳＲ（Ｂｒｅｗｅｒ社製）を塗布し、２０５℃で６０秒間ベークを行い膜厚９８ｎｍの反射防止膜を形成した。その上に、上記に示すレジスト組成物を塗布し、１００℃で６０秒間に亘ってベークを行い、膜厚９０ｎｍのレジスト膜を形成した。

（３）ＡｒＦ露光及び現像

ＡｒＦエキシマレーザー液浸スキャナー（ＡＳＭＬ社製；ＸＴ１７００ｉ、ＮＡ１．２０、Ｃ−Ｑｕａｄ、アウターシグマ０．７３０、インナーシグマ０．６３０、ＸＹ偏向）を用い、線幅７５ｎｍの１：１ラインアンドスペースパターンの６％ハーフトーンマスクを通して露光した。液浸液としては超純水を使用した。その後１２０℃で、６０秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液（２．３８質量％）で３０秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥してレジストパターンを得た。

（４）レジストパターンの評価

得られたレジストパターンを下記の方法で、ラインウィズラフネス（ＬＷＲ）の経時安定性、露光ラチチュード（ＥＬ）の経時安定性について評価した。結果を表２に示す。

〔ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）の経時安定性〕

調製後３日以内（室温（２５℃）保存）の上記レジスト組成物を用いて、線幅７５ｎｍの１：１ラインアンドスペースパターンを解像する時の照射エネルギーを最適露光量とし、最適露光量にて解像した線幅７５ｎｍの１：１ラインアンドスペースのレジストパターンに対して、測長走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ（（株）日立製作所Ｓ−９３８０ＩＩ））を使用してパターン上部から観察する際、長手方向０．５μｍの任意の５０点について、線幅を計測し、その測定ばらつきを３σ（ｎｍ）で評価した（初期ＬＷＲ）。

その後、上記レジスト組成物を室温１週間、次いで冷蔵（４℃）１週間のサイクルを６ヶ月繰り返す経時保存を行った後、同様にレジストパターンを作成し、上記評価を行った

（経時後ＬＷＲ）。ＬＷＲの経時安定性を下記基準により評価した。

（経時後ＬＷＲ）―（初期ＬＷＲ） ＝ ＸＡ： Ｘ≦０．１Ｂ： ０．１＜Ｘ≦０．３Ｃ： ０．３＜Ｘ≦０．５Ｄ： ０．５＜Ｘ≦１．０Ｅ： １．０＜Ｘ

なお、実施例の初期ＬＷＲは実用上問題ない値であった。

上記評価がＤ以上であると実用上問題ない。

〔露光ラチチュード（ＥＬ、％）〕

調製後３日以内（室温（２５℃）保存）の上記レジスト組成物を用いてホールパターンを作成し、測長走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ（株）日立製作所Ｓ−９３８０ＩＩ）によりホールサイズを観察し、ホールサイズが平均４５ｎｍのコンタクトホールパターンを解像する時の最適露光量を感度（Ｅ_ｏｐｔ）（ｍＪ／ｃｍ^２）とした。求めた最適露光量（Ｅ_ｏｐｔ）を基準とし、次いでホールサイズが目的の値である４５ｎｍの±１０％（即ち、４０．５ｎｍ及び４９．５ｎｍ）となるときの露光量を求めた。そして、次式で定義される露光ラチチュード（ＥＬ、％）を算出した（初期ＥＬ）。

［ＥＬ（％）］＝［（ホールサイズが４０．５ｎｍとなる露光量）−（ホールサイズが４９．５ｎｍとなる露光量）］／Ｅ_ｏｐｔ ×１００

その後、上記レジスト組成物を室温１週間、次いで冷蔵（４℃）１週間のサイクルを６ヶ月繰り返す経時保存を行った後、同様にホールパターンを作成し、上記評価を行った（経時後ＥＬ）。ＥＬの経時安定性を下記基準により評価した。

（初期ＥＬ）―（経時後ＥＬ） = ＹＡ： Ｙ≦１Ｂ： １＜Ｙ≦２Ｃ： ２＜Ｙ≦３Ｄ： ３＜Ｙ≦４Ｅ： ４＜Ｙ

なお、実施例の初期ＥＬは実用上問題ない値であった。

上記評価がＤ以上であると実用上問題ない。

表２における各成分のレジスト組成物中の濃度は下記の通りである。

樹脂（Ａ）： ３質量％

光酸発生剤： ０．８質量％

酸拡散制御剤： ０．１２質量％

樹脂（Ｅ）： ０．０８質量％溶剤（ＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥ＝８０／２０（質量比）)： ９６質量％

なお、溶剤おけるＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥは下記の通りである。

ＰＧＭＥＡ： プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート

ＰＧＭＥ： プロピレングリコールモノメチルエーテル

表２におけるレジスト組成物中の光酸発生剤、酸拡散制御剤は下記の通りである。

〔酸拡散制御剤〕

なお、Ｍｅはメチル基を表し、Ｔｆはトリフルオロメチルスルホニル基を表す。

なお、表中、金属元素含有量が０．００１ｐｐｔ未満の場合は、「検出限界以下」と記載をする。

表２より、本発明のレジスト組成物を用いた実施例は、ＬＷＲの経時安定性及びＥＬの経時安定性が優れていた。

〔実施例１０１〜１７５、比較例１０１〜１２８（ＡｒＦ液浸露光、有機溶剤現像）〕

（１）レジスト組成物の調製

表３に示した各成分を表３に記載の溶剤に溶解させて、固形分濃度４．０質量％の溶液を調製し、孔径５０ｎｍのポリエチレン製フィルターでろ過して、次に、孔径１０ｎｎのナイロン製フィルターでろ過して、レジスト組成物調製液を調製した。

得られたレジスト組成物調製液を、以下の２つの金属イオン吸着フィルタに通過させた。

・第１金属イオン吸着フィルタ（Ｅｎｔｅｇｒｉｓ社製の１５ｎｍ ＩＥＸ ＰＴＥＥ（ＰＴＦＥ製の基材の表面にスルホ基を有する系１５ｎｍのフィルタ)）

・第２金属イオン吸着フィルタ（Ｅｎｔｅｇｒｉｓ社製の１５ｎｍ ＩＥＸ ＰＴＥＥ（ＰＴＦＥ製の基材の表面にスルホ基を有する径系１５ｎｍのフィルタ)）

上記２つの金属イオン吸着フィルタの通過回数を調整することにより、実施例及び比較例の組成のレジスト組成物をそれぞれ調製した。

また、実施例及び比較例のレジスト組成物の調製にあたって、レジスト組成物の調製、充填、保管及び分析測定は、全てＩＳＯクラス２以下を満たすレベルのクリーンルームで行った。

なお、各実施例及び比較例で作製したレジスト組成物中の全質量に対する金属元素含有量は、Ａｇｉｌｅｎｔ ８８００ トリプル四重極ＩＣＰ−ＭＳ（半導体分析用、オプション＃２００）を用いて測定した。金属元素含有量を表３中に示す。

（２）レジスト組成物の塗設

シリコンウエハ上に有機反射防止膜ＡＲＣ２９ＳＲ（Ｂｒｅｗｅｒ社製）を塗布し、２０５℃で６０秒間ベークを行い膜厚９８ｎｍの反射防止膜を形成した。その上に、上記に示すレジスト組成物を塗布し、１００℃で６０秒間に亘ってベークを行い、膜厚９０ｎｍのレジスト膜を形成した。

（３）ＡｒＦ露光及び現像

ＡｒＦエキシマレーザー液浸スキャナー（ＡＳＭＬ社製；ＸＴ１７００ｉ、ＮＡ１．２０、Ｃ−Ｑｕａｄ、アウターシグマ０．７３０、インナーシグマ０．６３０、ＸＹ偏向）を用い、線幅７５ｎｍの１：１ラインアンドスペースパターンの６％ハーフトーンマスクを通して露光した。液浸液としては超純水を使用した。その後１２０℃で、６０秒間加熱した後、酢酸ブチルで３０秒間現像し、スピン乾燥してレジストパターンを得た。

（４）レジストパターンの評価

得られたレジストパターンのＬＷＲとＥＬの経時安定性について上記と同様の方法で評価した。結果を表３に示す。

表３より、本発明のレジスト組成物を用いた実施例は、ＬＷＲの経時安定性及びＥＬの経時安定性が優れていた。

Claims (16)

1. 
   （Ａ）酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位と、ラクトン構造、スルトン構造、スルホニル構造、及び、カーボネート構造の少なくともいずれかを有する繰り返し単位と、を含む樹脂、及び
   
   （Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、を含むレジスト組成物であって、
   
   前記樹脂（Ａ）の分散度が１．７以下であり、
   
   Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｗ、Ｖ、Ｂａ、Ａｕ、Ａｓ、Ｃｄ、Ｚｒ及びＭｏの各金属元素の含有量の総和である金属元素含有量が、前記レジスト組成物の全質量に対して、０．０１質量ｐｐｔ以上１質量ｐｐｂ以下である、レジスト組成物。
   
2. 
   樹脂（Ａ）の分散度が１．６以下である、請求項１に記載のレジスト組成物。
   
3. 
   樹脂（Ａ）の分散度が１．５以下である、請求項１又は２に記載のレジスト組成物。
   
4. 
   樹脂（Ａ）の分散度が１．３以上である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
   
5. 
   前記金属元素含有量が０．０１質量ｐｐｔ以上０．１質量ｐｐｂ以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
   
6. 
   前記金属元素含有量が０．０１質量ｐｐｔ以上０．０１質量ｐｐｂ以下である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
   
7. 
   樹脂（Ａ）が、下記一般式（Ａ−１）で表される繰り返し単位を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
   
   

   

   
   一般式（Ａ−１）中、
   
   Ｒ_１は、水素原子又は１価の有機基を表す。
   
   Ｌ_１は、２価の連結基を表す。
   
   ｎは、１〜３の整数を表す。ｎが２以上の場合は、複数のＬ_１は、互いに同じであっても異なっていてもよい。
   
   Ｒ_２は、下記一般式（Ａ１−１）〜（Ａ１−４）のいずれかで表される基を表す。
   
   

   

   
   一般式（Ａ１−１）中、
   
   Ｒａ_１及びＲａ_２は、各々独立に、水素原子、１価の有機基、ハロゲン原子、水酸基、−ＣＯＯＲ’’、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ’’、またはシアノ基を表す。Ｒ’’は、水素原子、アルキル基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は−ＳＯ_２−含有環式基を表す。
   
   Ａ’は、酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよいアルキレン基、酸素原子または硫黄原子を表す。
   
   ＊は結合手を表す。
   
   一般式（Ａ１−２）中、
   
   Ｒａ_１１及びＲａ_１２は、各々独立に、水素原子、１価の有機基、ハロゲン原子、水酸基、−ＣＯＯＲ_１’’、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ_１’’、またはシアノ基を表す。Ｒ_１’’は、水素原子、アルキル基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は−ＳＯ_２−含有環式基を表す。
   
   Ａ’’は、酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよいアルキレン基、酸素原子または硫黄原子を表す。
   
   ＊は結合手を表す。
   
   一般式（Ａ１−３）中、
   
   Ｒａ_２１及びＲａ_２２は、各々独立に、水素原子、１価の有機基、ハロゲン原子、水酸基、−ＣＯＯＲ_２’’、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ_２’’、またはシアノ基を表す。Ｒ_２’’は、水素原子、アルキル基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は−ＳＯ_２−含有環式基を表す。
   
   ｎ１は、０〜２の整数を表す。
   
   ＊は結合手を表す。
   
   一般式（Ａ１−４）中、
   
   Ｒａ_３１及びＲａ_３２は、各々独立に、水素原子、１価の有機基、ハロゲン原子、水酸基、−ＣＯＯＲ_３’’、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ_３’’、またはシアノ基を表す。Ｒ_３’’は、水素原子、アルキル基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は−ＳＯ_２−含有環式基を表す。
   
   ｎ２は、０〜２の整数を表す。
   
   ＊は結合手を表す。
   
8. 
   前記一般式（Ａ−１）で表される繰り返し単位が、下記一般式（Ａ−２）で表される繰り返し単位である、請求項７に記載のレジスト組成物。
   
   

   

   
   一般式（Ａ−２）中、
   
   Ｌ_２は、２価の連結基を表す。
   
   ｎ３は、１〜３の整数を表す。ｎ３が２以上の場合は、複数のＬ_２は、互いに同じであっても異なっていてもよい。
   
   Ｒ_３は、水素原子又は１価の有機基を表す。
   
9. 
   樹脂（Ａ）が、下記一般式（Ａ２−１）で表される繰り返し単位を有する、請求項1〜６のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
   
   

   

   
   一般式（Ａ２−１）中、
   
   Ｒ_２１は、水素原子又は１価の有機基を表す。
   
   Ｒ_２２〜Ｒ_２５は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、ヒドロキシ基又は１価の有機基を表す。
   
   ａは、１〜６の整数を表す。ａが２以上の場合は、複数のＲ_２２は、互いに同じであっても異なっていてもよい。ａが２以上の場合は、複数のＲ_２３は、互いに同じであっても異なっていてもよい。但し、Ｒ_２２とＲ_２３、及びＲ_２４とＲ_２５は、各々互いに結合して、これらが結合している炭素原子と共に環構造を形成していてもよい。
   
10. 
    前記一般式（Ａ２−１）で表される繰り返し単位が、下記一般式（Ａ２−２）で表される繰り返し単位である、請求項９に記載のレジスト組成物。
    
    

    

    
    一般式（Ａ２−２）中、
    
    Ｒ_２０１、Ｒ_２０２、Ｒ_２０３は各々独立に、水素原子又は１価の有機基を表す。
    
    Ｒ_２０１及びＲ_２０２は、互いに結合して環構造を形成してもよい。
    
11. 
    樹脂（Ａ）が、下記一般式（Ａ３−１）で表される繰り返し単位を有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
    
    

    

    
    一般式（Ａ３−１）中、
    
    Ｒ_３１は、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基を表す。
    
    Ｌ_３及びＬ_４は、各々独立に、２価の連結基を表す。
    
    Ｒ_３２は、カルボキシル基、シアノ基、又は１価の有機基を表す。
    
    ｏは、１〜３の整数を表す。ｏが２以上の場合は、複数のＬ_３は、互いに同じであっても異なっていてもよい。
    
    ｐは、０〜３の整数を表す。
    
    ｑは、０〜３の整数を表す。ｑが２以上の場合は、複数のＬ_４は、互いに同じであっても異なっていてもよい。
    
    ｒは、０〜３の整数を表す。ｒが２以上の場合は、複数のＲ_３２は、互いに同じであっても異なっていてもよい。
    
12. 
    樹脂（Ａ）が、下記一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位を有する、請求項1〜６のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
    
    

    

    
    一般式（ＡＩ）中、
    
    Ｘａ_１は、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基を表す。
    
    Ｔは、単結合又は２価の連結基を表す。
    
    Ｒｘ_１〜Ｒｘ_３は、それぞれ独立に、１価の有機基を表し、ヘテロ原子を含んでいてもよい。
    
    Ｒｘ_１〜Ｒｘ_３のいずれか２つが結合して環構造を形成してもよい。
    
13. 
    前記一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位が、下記一般式（Ａ４−１）で表される繰り返し単位である、請求項１２に記載のレジスト組成物。
    
    

    

    
    一般式（Ａ４−１）中、
    
    Ｌ_５は、−Ｌ_６−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（Ｌ_６は、２価の連結基を表す）を表す、
    
    ｓは、１〜３の整数を表す。ｓが２以上の場合は、複数のＬ_５は、互いに同じであっても異なっていてもよい。
    
    Ｒ_４１、Ｒ_４２、Ｒ_４３は、各々独立に、水素原子又は１価の有機基を表す。
    
    Ｒ_４１及びＲ_４２は、互いに結合して、環構造を形成してもよい。
    
14. 
    請求項１〜１３のいずれか１項に記載のレジスト組成物により形成されたレジスト膜。
    
15. 
    （ｉ）請求項１〜１３のいずれか１項に記載のレジスト組成物によってレジスト膜を形成する工程、
    
    （ｉｉ）前記レジスト膜に活性光線又は放射線を照射する工程、及び、
    
    （ｉｉｉ）前記レジスト膜を、現像液を用いて現像する工程、
    
    を有するパターン形成方法。
    
16. 
    請求項１５に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。