JPWO2019176552A1 - 酸化物薄膜及び該薄膜を製造するためのスパッタリングターゲット用酸化物焼結体 - Google Patents
酸化物薄膜及び該薄膜を製造するためのスパッタリングターゲット用酸化物焼結体 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2019176552A1 JPWO2019176552A1 JP2019528772A JP2019528772A JPWO2019176552A1 JP WO2019176552 A1 JPWO2019176552 A1 JP WO2019176552A1 JP 2019528772 A JP2019528772 A JP 2019528772A JP 2019528772 A JP2019528772 A JP 2019528772A JP WO2019176552 A1 JPWO2019176552 A1 JP WO2019176552A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film
- oxide
- sintered body
- oxide thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G33/00—Compounds of niobium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G39/00—Compounds of molybdenum
- C01G39/02—Oxides; Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
- H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/77—Density
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
また、本発明の実施形態に酸化物焼結体は、Nb、Mo、O(酸素)からなり、NbとMoの含有比率(原子比)が0.1≦Nb/(Nb+Mo)≦0.8、Oとメタル(Nb+Mo)の含有比率(原子比)が1.5<O/(Nb+Mo)<2.1、MoO2相の(−111)面に帰属するXRDピーク強度IMoO2とバックグラウンド強度IBGとの関係がIMoO2/IBG>3を満たす、ところに要旨を有する。
反射率には、図1に示すような、薄膜側から入射した光の反射率(膜側反射率)と、図2に示すような、ガラス基板側から入射した光の反射率(基板側反射率)とがあるが、本開示では、反射率は、膜側反射率のみを意味する。また、反射光には、鏡面反射光と拡散反射光とがあるが、本開示では、鏡面反射光と拡散反射光とを合わせた相対全光線反射率を意味する。
このレベルの反射率及び透過率であれば、ディスプレイやパネル内部における金属配線(銅箔等)から反射された光を十分に吸収することができ、視認性の低下を抑制することができる。さらには、位相シフト型フォトマスク用途として求められる低い反射率を満たすことができる。
ここで、本開示における恒温恒湿試験は、基板上に成膜した酸化物薄膜サンプルを、室内A(温度40℃−湿度90%)、室内B(温度85℃−湿度85%)に放置して、120時間経過後、500時間経過後及び1000時間経過後の、透過率、反射率及び表面抵抗率を測定し、成膜直後の各測定値と対比して、その変化率を調べたものである。
本発明の実施形態に係る酸化物焼結体は、Nb、Mo、O(酸素)からなり、NbとMoの含有比率(原子比)が0.1≦Nb/(Nb+Mo)≦0.8、Oとメタル(Nb+Mo)の含有比率(原子比)が1.5<O/(Nb+Mo)<2.1、MoO2相の(−111)面に帰属するXRDピーク強度IMoO2と、バックグラウンド強度IBGとの関係が、IMoO2/IBG>3を満たすことを特徴とする。このような特性を備えた酸化物焼結体は、スパッタリングターゲットとして使用することができる。
また、本発明の実施形態に係る酸化物焼結体は、バルク抵抗率が100mΩ・cm以下であることが好ましい。バルク抵抗率の低下により、DCスパッタによる成膜が可能となる。DCスパッタリングはRFスパッタリングに比べて、成膜速度が速く、スパッタ効率が優れており、スループットを向上できる。なお、製造条件によってはRFスパッタリングを行うことも場合もあるが、その場合でも、成膜速度の向上がある。
NbO2粉末、MoO2粉末の原料粉末を所望の組成となるように、秤量、混合する。原料粉末は純度が99.9%以上、粒子径(D50)が0.5〜10μmのものを使用することが好ましい。混合方法としては、ボールミルなどを用いて粉砕を兼ねて、混合することが好ましい。原料粉として、Nb2O5粉末とMo粉末を使用することも考えられるが、Nb2O5とMoとは焼結温度が大きく異なることから、高密度化が困難である。
次に、混合粉末をAr雰囲気中、1100℃以上1200℃以下、加圧力250MPa以上、5〜10時間、ホットプレス(一軸加圧焼結)を行う。これにより、相対密度80%以上のNb、Mo、Oからなる酸化物焼結体を得ることができる。また、得られた酸化物焼結体を切削、研磨などして、スパッタリングターゲットに加工することができる。
NbO2スパッタリングターゲット、MoO2スパッタリングターゲットをスパッタ装置に設置し、同時スパッタを行って、基板上にNbO2とMoO2の混合膜を成膜する。このとき、スパッタ時のそれぞれのスパッタパワーを変化させることで、膜組成を変えることができる。
又は、上述した方法によって作製されたスパッタリングターゲットをスパッタ装置に設置し、スパッタを実施して、基板上にNbO2とMoO2の混合膜を成膜する。このとき、スパッタリングターゲットの組成は、膜の組成と完全に同一となることはないが、それに近似した組成となる。ターゲットの組成と膜の組成とは関係性があるので、条件出しを行って所望の膜組成を得ることができるターゲットの組成を把握することが可能となる。また、スパッタ時に導入する酸素流量を調整することで、膜中の酸素量を調整することもできる。
<成膜条件>
スパッタ装置:ANELVA SPL−500
基板温度:室温(基板無加熱)
成膜雰囲気:Ar またはAr+O2
ガス圧:0.2〜2.0Pa
ガス流量:50〜100sccm
パワー:100〜1000W(DC、RF)
基板:コーニング製 EagleXG(φ4mm×0.7mm)
(透過率、反射率について)
装置:SHIMADZU社製 分光光度計 UV−2450
測定サンプル:
厚さ0.7mmのガラス基板上に、膜厚100±10nmで成膜したサンプル、及び、未成膜ガラス基板
測定方法:
(反射率)積分球(基準サンプル;鏡面ミラー)を用いた相対全光線反射率。
薄膜側から入射した光の反射率(膜側反射率)には、薄膜面からの反射率だけでなく、薄膜との界面にあるガラス基板(表面)からの反射率、ガラス基板の裏面からの反射率を含む。
ガラス基板側から入射した光の反射率(基板側反射率)には、
ガラス基板面からの反射率とガラス基板との界面にある薄膜からの反射
率を含む。
(透過率)基準サンプルにガラス基板を使用した、相対透過率。
装置:JEOL製JXA−8500F
方法:EPMA(電子線マイクロアナライザー)
加速電圧:5〜10keV
照射電流:1.0×10−8〜1.0〜10−9A
プローブ径10μmで、5点、ゴミの付着がなく、基板面がみえていない、平滑な成膜部分を選択し、点分析を行い、それらの平均組成を算出した。
装置:NPS社製 抵抗率測定器 Σ−5+
方法:直流4探針法
成膜サンプルのX線回折による回折ピークの有無で判断した。下記条件での測定にて膜材料に起因する回折ピークが見られない場合、アモルファス膜と判断する。ここで、回折ピークが存在しないとは、2θ=10°〜60°における最大ピーク強度をImax、2θ=20°〜25°の平均ピーク強度をIBGとしたときに、Imax/IBG < 5 である場合を意味する。また、表において、アモルファス性の判定基準として、Imax/IBG < 5を満たす場合を○、満たさない場合を×とした。
装置:リガク社製 Smart Lab
管球:Cu−Kα線
管電圧:40kV
電流:30mA
測定方法:2θ−θ反射法
スキャン速度:20°/min
サンプリング間隔:0.02°
測定範囲:10°〜60°
測定サンプル:ガラス基板(EagleXG)上の成膜サンプル(膜厚100nm以上)
触針式段差計 Veeco製 Dektak8
方法;成膜されたガラス基板の成膜面と未成膜面の段差から膜厚を測定。
エッチング液は過酸化水素(H2O2)系の薬液を用いた。エッチング判定は、エッチングレートが速い場合を○、遅い場合を△、ほとんど溶けない場合を×とした。
装置:SII社製SPS3500DD
方法:ICP-OES(高周波誘導結合プラズマ発光分析法)
焼結体の寸法(ノギスを使用)と重量を測定して寸法密度を算出し、その寸法密度と焼結体の理論密度から、相対密度(%)=寸法密度/理論密度×100を算出する。
理論密度は、各酸化物の配合比とそれぞれの理論密度から計算する。
NbO2重量をa(wt%)、MoO2重量をb(wt%)としたとき、
理論密度=100/(a/5.90+b/6.44)
NbO2の理論密度:5.90g/cm3、MoO2の理論密度:6.44g/cm3
装置:リガク社製 Smart Lab
管球:Cu−Kα線
管電圧:40kV
電流:30mA
測定方法:2θ−θ反射法
スキャン速度:20°/min
サンプリング間隔:0.02°
測定範囲:10°〜60°
サンプル測定箇所:スパッタ面
なおMoO2相の(−1 1 1)面に帰属するXRDピークIMoO2を以下に定義する。
IMoO2=IMoO2´/IMoO2−BG
IMoO2´:25.5°≦2θ≦26.5°の範囲におけるXRDピーク強度
IMoO2−BG:19.5°≦2θ<20.5°の範囲におけるXRD平均強度。
装置:NPS社製 抵抗率測定器 Σ−5+
方法:直流4探針法
NbO2ターゲット(φ6inch)とMoO2ターゲット(φ6inch)をスパッタ装置(ANELVA SPL−500)に設置して、同時スパッタによって、ガラス基板(EagleXG,φ4inch)上にNbO2とMoO2の混合膜を形成した。成膜条件は上述の通りとし、表1の通り、スパッタ時のそれぞれのターゲットのパワーを変化させて、表1記載の組成の膜を作製した。なお、比較例1−1は、MoO2ターゲットのみをスパッタして、MoO2膜を成膜したものであり、比較例1−2は、NbO2ターゲットのみをスパッタして、NbO2膜を成膜したものである。その後、組成をそれぞれ変化させた各酸化物薄膜について、成膜直後(室温)における透過率、表反射率・裏反射率、及び表面抵抗率を測定し、さらにエッチング性について調べた。その結果を表1に示す。
一方、Moのみを含有する酸化物薄膜(比較例1−1)は、耐候性が劣るものであり、時間の経過に伴い、透過率等が著しく上昇した。また、Nbのみを含有する酸化物薄膜(比較例1−3)は、エッチング液にほとんど溶けなかった。
原料粉末として、純度99.9%以上、粒径0.5〜10μmのNbO2粉とMoO2粉を準備し、これらの粉末を表3に記載する所定の比率となるように秤量し、ボールミルによる混合・粉砕を実施した。次に、得られた混合粉末をアルゴン雰囲気中、焼結温度1200℃、面圧250kgf/cm2にてホットプレス焼結して、酸化物焼結体を作製した。なお、秤量比のみを調整した以外、いずれも同様の条件で混合・粉砕、焼結を実施した。 得られた酸化物焼結体の評価結果を表3に示す。表3に示されるように、いずれの実施例もMoO2相の(−111)面に帰属するXRDピーク強度IMoO2とバックグラウンド強度IBGとの関係がIMoO2/IBG>3を満たし、また、相対密度が80%以上であり、バルク抵抗率は100mΩcm以下であった。一方、比較例2−1については、MoO2相のXRDピーク強度比が1.7であり、MoO2が消失していた。
次に、実施例、比較例で得られた酸化物焼結体をスパッタリングターゲットに加工し、該ターゲットを用いてスパッタ成膜した。得られたスパッタ膜の光学特性を表3に示す。実施例で得られた酸化物焼結体を用いてスパッタ成膜した膜は、いずれも平均透過率及び平均反射率が低く、優れた光吸収能を示した。
Claims (12)
- Nb、Mo、Oからなる酸化物薄膜であって、NbとMoの含有比率(原子比)が0.1≦Nb/(Nb+Mo)≦0.8、Oとメタル(Mb+Mo)の含有比率(原子比)が1.5<O/(Nb+Mo)<2.0であることを特徴とする酸化物薄膜。
- 可視光域(波長:380〜780nm)における平均反射率が30%以下であることを特徴とする請求項1記載の酸化物薄膜。
- 可視光域(波長:380〜780nm)における平均透過率が20%以下であることを特徴とする請求項1又は2記載の酸化物薄膜。
- 表面抵抗率が1.0×105Ω/sq以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の酸化物薄膜。
- 恒温恒湿試験前後の可視光域(波長:380〜780nm)における平均反射率の変化率が30%以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の酸化物薄膜。
- 恒温恒湿試験前後の可視光域(波長:380〜780nm)における平均透過率の変化率が30%以下であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の酸化物薄膜。
- 恒温恒湿試験前後の表面抵抗率の変化率が30%以下であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の酸化物薄膜。
- 膜厚が20〜2000nmであることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の酸化物薄膜。
- アモルファスであることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の酸化物薄膜。
- Nb、Mo、Oからなる酸化物焼結体であって、NbとMoの含有比率(原子比)が0.1≦Nb/(Nb+Mo)≦0.8、Oとメタル(Mb+Mo)の含有比率(原子比)が1.5<O/(Nb+Mo)<2.1、MoO2相の(−111)面に帰属するXRDピーク強度IMoO2とバックグラウンド強度IBGとの関係がIMoO2/IBG>3を満たすことを特徴とする酸化物焼結体。
- 相対密度が80%以上であることを特徴とする請求項10記載の酸化物焼結体。
- バルク抵抗率が100mΩ・cm以下であることを特徴とする請求項10又は11に記載の酸化物焼結体。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018045605 | 2018-03-13 | ||
JP2018045605 | 2018-03-13 | ||
PCT/JP2019/007733 WO2019176552A1 (ja) | 2018-03-13 | 2019-02-28 | 酸化物薄膜及び該薄膜を製造するためのスパッタリングターゲット用酸化物焼結体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019176552A1 true JPWO2019176552A1 (ja) | 2020-04-16 |
JP6767723B2 JP6767723B2 (ja) | 2020-10-14 |
Family
ID=67908233
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019528772A Active JP6767723B2 (ja) | 2018-03-13 | 2019-02-28 | 酸化物薄膜及び該薄膜を製造するためのスパッタリングターゲット用酸化物焼結体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6767723B2 (ja) |
KR (2) | KR102225493B1 (ja) |
CN (1) | CN110637102B (ja) |
TW (1) | TWI700382B (ja) |
WO (1) | WO2019176552A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021125113A1 (ja) * | 2019-12-18 | 2021-06-24 | Agc株式会社 | 多層膜付き透明基体 |
KR102315308B1 (ko) * | 2020-12-10 | 2021-10-21 | 엘티메탈 주식회사 | 몰리브덴 산화물을 주된 성분으로 하는 금속 산화물 소결체 및 이를 포함하는 스퍼터링 타겟 |
CN114916228B (zh) * | 2020-12-10 | 2023-08-15 | Lt金属株式会社 | 以钼氧化物为主成分的金属氧化物烧结体及包含其的溅射靶材 |
KR102315283B1 (ko) * | 2020-12-10 | 2021-10-21 | 엘티메탈 주식회사 | 몰리브덴 산화물을 주된 성분으로 하는 금속 산화물 박막 및 이러한 박막이 형성된 박막트랜지스터와 디스플레이 장치 |
KR102646917B1 (ko) * | 2021-09-16 | 2024-03-13 | 엘티메탈 주식회사 | 몰리브덴 산화물계 소결체, 상기 소결체를 이용한 박막, 상기 박막을 포함하는 박막트랜지스터 및 디스플레이 장치 |
CN115925414B (zh) * | 2021-10-06 | 2024-04-23 | Lt金属株式会社 | 氧化钼基烧结体、使用该烧结体的薄膜、包含该薄膜的薄膜晶体管及显示装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000214309A (ja) * | 1999-01-25 | 2000-08-04 | Asahi Glass Co Ltd | ブラックマトリックス薄膜付き基板、カラ―フィルタ基板、ブラックマトリックス薄膜形成用タ―ゲットおよび基板の製造方法 |
JP2000214308A (ja) * | 1999-01-25 | 2000-08-04 | Asahi Glass Co Ltd | ブラックマトリックス薄膜、多層ブラックマトリックス、カラ―フィルタ基板、ブラックマトリックス薄膜形成用タ―ゲットおよび基板の製造方法 |
JP2016502592A (ja) * | 2012-10-23 | 2016-01-28 | ヘレーウス ドイチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテルハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトHeraeus Deutschland GmbH&Co.KG | 光を吸収する層系及びその製造並びにそのために適したスパッタターゲット |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1452622A3 (en) * | 1995-08-23 | 2004-09-29 | Asahi Glass Ceramics Co., Ltd. | Target and process for its production, and method for forming a film having a high refractive index |
JP2001073125A (ja) * | 1999-09-08 | 2001-03-21 | Nikko Materials Co Ltd | Co−Ta系合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
CN100558552C (zh) * | 2006-08-09 | 2009-11-11 | 株式会社神户制钢所 | 硬质皮膜及硬质皮膜被覆材 |
DE102013103679A1 (de) | 2013-04-11 | 2014-10-30 | Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg | Licht absorbierende Schicht und die Schicht enthaltendes Schichtsystem, Verfahren zur dessen Herstellung und dafür geeignetes Sputtertarget |
JP6394437B2 (ja) | 2015-02-27 | 2018-09-26 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット |
JP6528597B2 (ja) | 2015-08-20 | 2019-06-12 | 住友金属鉱山株式会社 | 導電性基板、および導電性基板の製造方法 |
-
2019
- 2019-02-28 CN CN201980002388.XA patent/CN110637102B/zh active Active
- 2019-02-28 JP JP2019528772A patent/JP6767723B2/ja active Active
- 2019-02-28 KR KR1020197027207A patent/KR102225493B1/ko active IP Right Grant
- 2019-02-28 KR KR1020217004031A patent/KR102315765B1/ko active IP Right Grant
- 2019-02-28 WO PCT/JP2019/007733 patent/WO2019176552A1/ja active Application Filing
- 2019-03-05 TW TW108107194A patent/TWI700382B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000214309A (ja) * | 1999-01-25 | 2000-08-04 | Asahi Glass Co Ltd | ブラックマトリックス薄膜付き基板、カラ―フィルタ基板、ブラックマトリックス薄膜形成用タ―ゲットおよび基板の製造方法 |
JP2000214308A (ja) * | 1999-01-25 | 2000-08-04 | Asahi Glass Co Ltd | ブラックマトリックス薄膜、多層ブラックマトリックス、カラ―フィルタ基板、ブラックマトリックス薄膜形成用タ―ゲットおよび基板の製造方法 |
JP2016502592A (ja) * | 2012-10-23 | 2016-01-28 | ヘレーウス ドイチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテルハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトHeraeus Deutschland GmbH&Co.KG | 光を吸収する層系及びその製造並びにそのために適したスパッタターゲット |
JP2016504484A (ja) * | 2012-10-23 | 2016-02-12 | ヘレーウス ドイチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテルハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトHeraeus Deutschland GmbH&Co.KG | 高吸収性層系、この層系の製造方法及びこのために適したスパッタターゲット |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
MURPHY, NEIL R. ET AL.: "Hybrid co-deposition of molybdenum doped niobium pentoxide (NbxMoyOz) thin films", JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, vol. 681, JPN6019012921, 2016, pages 350 - 358, XP029552871, ISSN: 0004236598, DOI: 10.1016/j.jallcom.2016.04.233 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102225493B1 (ko) | 2021-03-10 |
CN110637102A (zh) | 2019-12-31 |
CN110637102B (zh) | 2021-08-20 |
JP6767723B2 (ja) | 2020-10-14 |
TW201938823A (zh) | 2019-10-01 |
KR102315765B1 (ko) | 2021-10-22 |
KR20210019126A (ko) | 2021-02-19 |
WO2019176552A1 (ja) | 2019-09-19 |
KR20190120272A (ko) | 2019-10-23 |
TWI700382B (zh) | 2020-08-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6767723B2 (ja) | 酸化物薄膜及び該薄膜を製造するためのスパッタリングターゲット用酸化物焼結体 | |
TWI506154B (zh) | 吸光層系統,彼之製法以及適合彼所用之濺射靶材 | |
US20160070033A1 (en) | Light-absorbing layer and layer system containing the layer, method for producing the layer system and a sputter target suited therefor | |
JP4098345B2 (ja) | 酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット、透明導電膜の形成方法及び透明導電膜 | |
TWI525060B (zh) | An oxide sintered body, a sputtering target, a thin film, and an oxide sintered body | |
JP5735190B1 (ja) | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及び酸化物薄膜 | |
JP5000230B2 (ja) | 酸化ランタン含有酸化物ターゲット | |
JP5392633B2 (ja) | ZnO系透明導電膜用ターゲットおよびその製造方法 | |
JP2020033583A (ja) | スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP2007314812A (ja) | スパッタリングターゲットおよび成膜方法 | |
JP2015124145A (ja) | 酸化インジウム系酸化物焼結体およびその製造方法 | |
JP5913523B2 (ja) | 酸化物焼結体、酸化物スパッタリングターゲット及び高屈折率の導電性酸化物薄膜並びに酸化物焼結体の製造方法 | |
JP2016191090A (ja) | スパッタリングターゲット材、その製造方法、及び光学機能膜 | |
JP2020041217A (ja) | 光学機能膜、スパッタリングターゲット、及び、スパッタリングターゲットの製造方法 | |
CN115819083B (zh) | 氧化钼基烧结体、使用该烧结体的薄膜、包含该薄膜的薄膜晶体管及显示装置 | |
CN115925414B (zh) | 氧化钼基烧结体、使用该烧结体的薄膜、包含该薄膜的薄膜晶体管及显示装置 | |
WO2021241687A1 (ja) | スパッタリングターゲット、および、光学機能膜 | |
WO2020050421A1 (ja) | 光学機能膜、スパッタリングターゲット、及び、スパッタリングターゲットの製造方法 | |
WO2021090662A1 (ja) | スパッタリングターゲット、光学機能膜、及び、スパッタリングターゲットの製造方法 | |
WO2022097635A1 (ja) | スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲットの製造方法、および、光学機能膜 | |
JP2021188133A (ja) | スパッタリングターゲット、および、光学機能膜 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190528 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200317 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200324 |
|
AA91 | Notification that invitation to amend document was cancelled |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971091 Effective date: 20200512 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200908 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200916 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6767723 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |