JPWO2019167715A1 - 窒化ガリウム薄膜の製造方法 - Google Patents
窒化ガリウム薄膜の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2019167715A1 JPWO2019167715A1 JP2019537199A JP2019537199A JPWO2019167715A1 JP WO2019167715 A1 JPWO2019167715 A1 JP WO2019167715A1 JP 2019537199 A JP2019537199 A JP 2019537199A JP 2019537199 A JP2019537199 A JP 2019537199A JP WO2019167715 A1 JPWO2019167715 A1 JP WO2019167715A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- thin film
- gallium nitride
- partial pressure
- nitride thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 96
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 66
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 86
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 40
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 claims abstract description 22
- 150000002831 nitrogen free-radicals Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 18
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 3
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 claims 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 16
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- -1 nitrogen gas radicals Chemical class 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 150000002681 magnesium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen(.) Chemical compound [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007348 radical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02458—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0617—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/0254—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02494—Structure
- H01L21/02496—Layer structure
- H01L21/02505—Layer structure consisting of more than two layers
- H01L21/02507—Alternating layers, e.g. superlattice
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
図7は、金属ガリウムターゲットをスパッタリングして窒化ガリウム薄膜を形成する際の、窒素ガス分圧と形成される薄膜の窒素含有量との関係を示すグラフで有り、領域Aの窒素ガス分圧ではラジカル反応が支配的で、形成される薄膜はガリウム薄膜であり、領域Bの窒素ガス分圧では、リアクティブスパッタ反応が支配的であり、形成される薄膜は窒化ガリウム薄膜であるが配向性に劣っている。
本発明は、前記ターゲットは前記基板と対面するようにして防着板容器の中に配置し、前記防着板容器の中に前記スパッタリングガスと前記窒素ガスとを導入する窒化ガリウム薄膜の製造方法である。
本発明は、前記放出口には、窒素ガスのイオンを除去するフィルタを配置する窒化ガリウム薄膜の製造方法である。
本発明は、前記ラジカルガン部に導入された窒素ガスの前記真空槽内部での分圧値である原料ガス分圧の値は、前記混合ガスに含有される窒素ガスの分圧値である反応ガス分圧の値と前記原料ガス分圧の値とを合計した合計値に対して38%以上63%以下の範囲にする窒化ガリウム薄膜の製造方法である。
本発明は、前記基板を300℃以上500℃以下に昇温させたときに、前記ラジカルガン部に導入された窒素ガスの前記真空槽内部での分圧値である原料ガス分圧の値は、前記混合ガスに含有される窒素ガスの分圧値である反応ガス分圧の値と前記原料ガス分圧の値とを合計した合計値に対して38%以上50%以下の範囲にする窒化ガリウム薄膜の製造方法である。
真空槽10の内部には、基板配置部20と、リアクティブスパッタ部30と、ラジカルガン部40と、を有している。
基板ホルダ21は真空槽10の天井に設けられ、ヒータ23は、基板ホルダ21に配置された基板22の裏面と天井との間に位置するように天井に固定されている。
スパッタ電極32はスパッタ電源35に接続され、真空槽10は接地電位に接続されており、スパッタ電源35が動作するとスパッタ電極32にスパッタ電圧が印加され、加熱電源28が動作するとヒータ23が通電されて発熱する。
真空槽10の内部に真空雰囲気が形成された後、ガス供給装置15の混合器36から防着板容器31の内部に混合ガスが導入されながらスパッタ電源35が起動されてスパッタ電極32に交流のスパッタ電圧が印加されると、アルゴンガスのプラズマと窒素ガスのプラズマとを含む混合ガスのプラズマがターゲット33の表面上に形成され、アルゴンガスプラズマによってターゲット33の表面がスパッタリングされる。
真空槽10には、装置用容器42が設けられており、反応筒44は、装置用容器42の内部に配置されている。
基板22の表面に到達したスパッタリング粒子38のうち、窒素が不足するスパッタリング粒子38中のガリウムは窒素ラジカル48と反応し、窒素の割合が大きくなった窒化ガリウム結晶が形成され、基板22の表面に窒化ガリウム薄膜が成長する。
アルゴンから成るスパッタリングガスの圧力(スパッタリングガス分圧)は一定値の0.130Paに維持しており、ラジカルガン部40に導入される原料ガスである窒素ガスの真空槽10中の圧力(原料ガス分圧)も、一定値の0.030Paに維持しており、その状態で、スパッタリングガスと混合される反応ガスである窒素ガスの真空槽10中の圧力(反応ガス分圧)を変化させている。
原料ガス分圧RG(Pa)と反応ガス分圧RE(Pa)とは、真空槽10内の基板22が配置された雰囲気の圧力を全圧としたときの、真空槽10の内部での分圧値である。
窒素比率1=RG/(RG+RE)
窒素比率2=(RG+RE)/(RG+RE+SP)
測定結果を表2〜4に示す。スパッタリングガスにはアルゴンガスを用いた。
表4中の「◎」は成膜速度が大きい測定結果を示しており、「○」と「△」と「×」とは成膜速度の値がこの順序で小さくなっている。「×」が記載された条件の成膜速度は小さく、薄膜形成に長時間を要するため実使用に適していないが、「◎」が記載された条件と、「○」が記載された条件と、「△」が記載された条件との成膜速度は実使用可能な条件である。
なお、表2〜4中、「−」は薄膜が形成できなかった条件である。「Metal」は窒化ガリウム薄膜は形成されず金属ガリウム薄膜が形成された条件に記載されている。
以上の表2〜4の測定結果から、300℃以上900℃未満の温度範囲において、窒素比率1は、RG=0.03Pa、RE=0.05の時の値0.375(=0.03(0.03+0.05):表中では38%)が良品が得られる最低値となっている。
300℃以上500℃以下の温度範囲で良品を得るときの窒素比率1の最大値は0.5である。
次に、図5は、本発明によって形成された窒化ガリウム薄膜6が用いられた発光素子(LED)50であり、アノード電極61とカソード電極62の間に電流を流すと発光層53が発光する。
補助スパッタ電極32bは補助スパッタ電源35bに接続され、真空槽10は接地電位に接続されており、補助スパッタ電源35bが動作すると補助スパッタ電極32bにスパッタ電圧が印加される。
22……基板
31……防着板容器
33……ターゲット
38……スパッタリング粒子
40……ラジカルガン部
48……窒素ラジカル
49……放出口
50……発光素子
53……発光層
Claims (5)
- ラジカルガン部の放出口から真空槽内に配置された基板に窒素ラジカルを照射しながら金属ガリウムのターゲットを窒素ガスとスパッタリングガスとを含有する混合ガスのプラズマによってスパッタリングして生成されたスパッタリング粒子を基板に到達させ、窒化ガリウム薄膜を形成する窒化ガリウム薄膜の製造方法。
- 前記ターゲットは前記基板と対面するようにして防着板容器の中に配置し、
前記防着板容器の中に前記スパッタリングガスと前記窒素ガスとを導入する請求項1記載の窒化ガリウム薄膜の製造方法。 - 前記放出口には、窒素ガスのイオンを除去するフィルタを配置する請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の窒化ガリウム薄膜の製造方法。
- 前記ラジカルガン部に導入された窒素ガスの前記真空槽内部での分圧値である原料ガス分圧の値は、前記混合ガスに含有される窒素ガスの分圧値である反応ガス分圧の値と前記原料ガス分圧の値とを合計した合計値に対して38%以上63%以下の範囲にする請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の窒化ガリウム薄膜の製造方法。
- 前記基板を300℃以上500℃以下に昇温させたときに、前記ラジカルガン部に導入された窒素ガスの前記真空槽内部での分圧値である原料ガス分圧の値は、前記混合ガスに含有される窒素ガスの分圧値である反応ガス分圧の値と前記原料ガス分圧の値とを合計した合計値に対して38%以上50%以下の範囲にする請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の窒化ガリウム薄膜の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018036733 | 2018-03-01 | ||
JP2018036733 | 2018-03-01 | ||
PCT/JP2019/006012 WO2019167715A1 (ja) | 2018-03-01 | 2019-02-19 | 窒化ガリウム薄膜の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019167715A1 true JPWO2019167715A1 (ja) | 2020-04-16 |
JP6722361B2 JP6722361B2 (ja) | 2020-07-15 |
Family
ID=67806164
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019537199A Active JP6722361B2 (ja) | 2018-03-01 | 2019-02-19 | 窒化ガリウム薄膜の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6722361B2 (ja) |
KR (1) | KR102211304B1 (ja) |
CN (1) | CN110574144B (ja) |
TW (1) | TWI720431B (ja) |
WO (1) | WO2019167715A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4130331A4 (en) * | 2020-03-30 | 2023-08-16 | Tosoh Corporation | FILM LAMINATE, STRUCTURE COMPRISING FILM LAMINATE, SEMICONDUCTOR ELEMENT, ELECTRONIC DEVICE, AND FILM LAMINATE PRODUCTION METHOD |
JPWO2022176422A1 (ja) * | 2021-02-19 | 2022-08-25 | ||
US20240194829A1 (en) * | 2021-04-05 | 2024-06-13 | Tosoh Corporation | Multilayer film structure and method for producing the same |
WO2023218840A1 (ja) * | 2022-05-10 | 2023-11-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 成膜装置および窒化ガリウム膜の成膜方法 |
WO2024024267A1 (ja) * | 2022-07-25 | 2024-02-01 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 成膜装置および窒化ガリウム膜の成膜方法 |
WO2024024268A1 (ja) * | 2022-07-25 | 2024-02-01 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 成膜装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004146483A (ja) * | 2002-10-23 | 2004-05-20 | Fujikura Ltd | 窒化ガリウム系固溶体薄膜の製造方法 |
JP2006237556A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-09-07 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | GaN膜生成方法及び半導体素子並びにIII族窒化物の薄膜生成方法及びIII族窒化物の薄膜を有する半導体素子 |
WO2007119433A1 (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-25 | Kanagawa Academy Of Science And Technology | Iii-v族窒化物層およびその製造方法 |
JP2009215628A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体層の製造方法、iii族窒化物半導体発光素子の製造方法、及びiii族窒化物半導体発光素子、並びにランプ |
JP2013125851A (ja) * | 2011-12-14 | 2013-06-24 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4850901B2 (ja) | 2006-03-17 | 2012-01-11 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 酸化亜鉛系透明導電体及び同透明導電体形成用スパッタリングターゲット |
JP2017201050A (ja) | 2016-05-06 | 2017-11-09 | 学校法人早稲田大学 | 圧電体薄膜及びそれを用いた圧電素子 |
-
2019
- 2019-02-19 CN CN201980002104.7A patent/CN110574144B/zh active Active
- 2019-02-19 JP JP2019537199A patent/JP6722361B2/ja active Active
- 2019-02-19 KR KR1020197031371A patent/KR102211304B1/ko active IP Right Grant
- 2019-02-19 WO PCT/JP2019/006012 patent/WO2019167715A1/ja active Application Filing
- 2019-02-26 TW TW108106445A patent/TWI720431B/zh active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004146483A (ja) * | 2002-10-23 | 2004-05-20 | Fujikura Ltd | 窒化ガリウム系固溶体薄膜の製造方法 |
JP2006237556A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-09-07 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | GaN膜生成方法及び半導体素子並びにIII族窒化物の薄膜生成方法及びIII族窒化物の薄膜を有する半導体素子 |
WO2007119433A1 (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-25 | Kanagawa Academy Of Science And Technology | Iii-v族窒化物層およびその製造方法 |
JP2009215628A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体層の製造方法、iii族窒化物半導体発光素子の製造方法、及びiii族窒化物半導体発光素子、並びにランプ |
JP2013125851A (ja) * | 2011-12-14 | 2013-06-24 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
白井雅紀,山本拓司,高澤悟,石橋暁: "N*ラジカル源を用いた反応性スパッタ法によるGaN形成", 第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集, JPN6019016003, September 2017 (2017-09-01), pages 13 - 217, ISSN: 0004266744 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110574144A (zh) | 2019-12-13 |
CN110574144B (zh) | 2023-05-12 |
WO2019167715A1 (ja) | 2019-09-06 |
KR20190131541A (ko) | 2019-11-26 |
KR102211304B1 (ko) | 2021-02-03 |
JP6722361B2 (ja) | 2020-07-15 |
TWI720431B (zh) | 2021-03-01 |
TW201938829A (zh) | 2019-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6722361B2 (ja) | 窒化ガリウム薄膜の製造方法 | |
TWI575772B (zh) | 沉積iii族氮化物半導體薄膜的方法 | |
CN107492490B (zh) | 半导体设备的成膜方法、氮化铝成膜方法以及电子装置 | |
JP5072397B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法 | |
CN112771647B (zh) | 氮化物半导体膜的形成方法 | |
WO2018230150A1 (ja) | 窒化物半導体積層物、半導体装置、窒化物半導体積層物の製造方法、窒化物半導体自立基板の製造方法および半導体装置の製造方法 | |
US10640862B2 (en) | Method for forming film and method for forming aluminum nitride film | |
JP2020050963A (ja) | 窒化ガリウム系膜ならびにその製造方法 | |
US10643843B2 (en) | Film forming method and aluminum nitride film forming method for semiconductor apparatus | |
JP2013125851A (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
KR102657362B1 (ko) | Iii족 질화물 반도체 성장 속도를 증가 및 이온 플럭스 훼손의 감소를 위한 시스템 및 방법 | |
TWI601855B (zh) | 沉積氮化鋁層的方法 | |
TW201308399A (zh) | 氮化物半導體之製造方法、氮化物半導體及三五族氮化物之成膜方法 | |
US7604697B2 (en) | Heteroepitaxial growth method for gallium nitride | |
JP2010021439A (ja) | Iii族窒化物半導体積層構造体およびその製造方法 | |
JP7061478B2 (ja) | 窒化ガリウム薄膜の製造方法 | |
JP2007246993A (ja) | 酸化銅薄膜の形成方法 | |
JPH07291790A (ja) | 分子線エピタキシー装置 | |
JP2019149429A (ja) | 成膜方法、半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス | |
KR101174648B1 (ko) | 펄스상의 dc 바이어스 기판 적용에 의한 3족 질화물의 상온 스퍼터링 방법 | |
TW202330966A (zh) | 濺鍍裝置及成膜方法 | |
JP5441321B2 (ja) | 蛍光体積層膜の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190708 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200526 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200603 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20200603 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200617 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200619 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6722361 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |