KR102657362B1 - Iii족 질화물 반도체 성장 속도를 증가 및 이온 플럭스 훼손의 감소를 위한 시스템 및 방법 - Google Patents

Iii족 질화물 반도체 성장 속도를 증가 및 이온 플럭스 훼손의 감소를 위한 시스템 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102657362B1
KR102657362B1 KR1020187001465A KR20187001465A KR102657362B1 KR 102657362 B1 KR102657362 B1 KR 102657362B1 KR 1020187001465 A KR1020187001465 A KR 1020187001465A KR 20187001465 A KR20187001465 A KR 20187001465A KR 102657362 B1 KR102657362 B1 KR 102657362B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plasma
nitrogen
hour
sccm
mtorr
Prior art date
Application number
KR1020187001465A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180030051A (ko
Inventor
윌리엄 앨런 둘리틀
에반 에이. 클린턴
클로에 에이.엠. 파비앙
브렌단 패트릭 거닝
조셉 제이. 메롤라
Original Assignee
조지아 테크 리서치 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 조지아 테크 리서치 코포레이션 filed Critical 조지아 테크 리서치 코포레이션
Publication of KR20180030051A publication Critical patent/KR20180030051A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102657362B1 publication Critical patent/KR102657362B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B23/025—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0641—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/221—Ion beam deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/301—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C23C16/303—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • C30B29/406—Gallium nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/0242—Crystalline insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02455—Group 13/15 materials
    • H01L21/02458—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02576—N-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

플라즈마 지원 분자 빔 에피택시를 사용하는 Ⅲ족 금속 질화물들의 빠른 성장을 위한 시스템들, 및 방법들이 개시되어 있다. 본 개시내용은 플라즈마 내의 질소의 더 높은 압력, 및 유량들, 및 질소와 비활성 기체의 혼합물들의 응용을 포함한다. 8㎛/시간을 초과하는 성장 속도들이 달성될 수 있다.

Description

Ⅲ족 질화물 반도체 성장 속도를 증가시키고 이온 플럭스 훼손을 감소시키기 위한 시스템, 및 방법
관련 출원들의 상호 참조
2016년 6월 16일자로 출원된 본 출원은 2015년 6월 16일자로 "Method of Increasing Ⅲ-Nitride Semiconductor Growth Rate and Reduced Damaging Ion Flux Content"라는 명칭으로 출원된 미국 가출원 62/180,167에 대한 우선권을 청구하며, 그 전체 내용들, 및 실체는 아래에 전체가 제시된 것처럼 본 명세서에서 참조로 포함된다.
연방 정부 후원 연구의 성명(STATEMENT OF FEDERALLY SPONSORED RESEARCH
)
본 개시내용의 일부는 허가 번호(Grant Number) EEC1041895 정부 지원으로 만들어졌다. 정부는 본 개시내용에 소정의 권리를 가질 수 있다.
기술분야
본 개시내용의 다양한 실시예들은 일반적으로 플라즈마-지원(plasma-assisted) 분자 빔 에피택시(molecular beam epitaxy)(MBE)를 위한 프로세스들, 방법들, 및 시스템들과 관련된다. 그것은 특히 Ⅲ족 질화물 반도체들의 빠른 생산에 유용하다.
Ⅲ족 질화물 반도체들은 고체 상태 조명(solid state lighting), 및 파워 일렉트로닉스(power electronics)에서 최근 수년간 엄청난 상업적 성장을 보았다. 대다수의 발광 다이오드들(light emitting diodes)(LED들)은 금속유기 화학적 기상 증착(metalorganic chemical vapor deposition)(MOCVD)에 의해 성장되는 데 반하여, 분자 빔 에피택시(MBE)는 고 전자 이동도 트랜지스터들(high electron mobility transistors)(HEMT들)의 성장에 대한 파워 일렉트로닉스 시장에서 성공을 보았고 현재 MOCVD에 도전하는 파장들에 대해 광 방출기들(light emitters)의 확장을 약속한다. 플라즈마-지원 분자 빔 에피택시(plasma-assisted MBE)(PAMBE)는 전형적으로 비활성 질소 기체로부터 반응성 질소종(reactive nitrogen species)을 생성하기 위해 무선 주파수(radio frequency)(RF) 플라즈마를 사용한다. RF 플라즈마를 사용하는 PAMBE는 성장 동안의 더 낮은 이온 함량, 및 감소된 표면 손상으로 인하여 다른 플라즈마 기법들과 비교하여, 더 빠른 성장 속도들과 개선된 표면 형태(surface morphology)를 야기하는 것으로 밝혀졌다.
그럼에도 불구하고, PAMBE는 일반적으로 1-3㎛/시간을 초과하는 GaN의 MOCVD 성장에 전형적으로 사용되는 성장 속도들보다 실질적으로 더 낮은, 0.1 내지 1㎛/시간 정도의 성장 속도들에서 전형적으로 수행된다. 이것들의 상대적으로 낮은 성장 속도들은 헤테로에피택시(heteroepitaxy)로부터 발생한 결함 밀도들(defect densities)을 감소시키기 위해 두꺼운 버퍼 층(buffer layer)을 필요로 하는 많은 디바이스 구조들을 위한 PAMBE의 적용가능성을 제한한다. MBE의 초청정(ultra clean) 환경은 p-i-n 정류기들, 또는 LED들의 두껍고 도핑되지 않은(undoped) 드리프트 영역들에 이로울 수 있음에도 불구하고, 느린 성장 속도들은 여전히 이러한 디바이스들에 대해 MBE의 사용을 배제한다. 마지막으로, 조정가능 밴드갭(tunable band gap), 및 강한 광 흡수(light absorption)를 갖는 Ⅲ족 질화물들이 태양광 응용(solar application)들에 실용적이게 되기 위해서는, 결함 밀도들을 감소시키기 위해 두꺼운 인듐 함유 층(indium-bearing layer)들이 입증되어야 한다. 높은 인듐 몰분율(mole fraction)들을 갖는 이러한 층들은 암모니아 분해를 위해 높은 온도들이 요구되는 반면에, 인듐 함유 합금들을 성장시키기 위한 낮은 온도 요건들 때문에 MOCVD에서 비실용적이다. InGaN의 대부분의 MOCVD 성장에 대한 결과는 매우 낮은 성장 속도들과 크게 비효율적인 프리커서(precursor) 사용이다. 반대로, 이것들의 높은 인듐 조성 합금(high indium composition alloy)들은 적절한 인듐 혼입을 용이하게 하기 위해 기판 온도들이 감소될 수 있고 암모니아 분해가 요구되지 않는 PAMBE에 획기적으로 더 적합하다. 인듐 함유 층들의 급속한 성장이 달성될 수 있다면, 태양광발전(photovoltaics)을 위한 Ⅲ족 질화물들의 잠재력은 획기적으로 개선된다.
본 개시내용의 다양한 실시예들은 일반적으로 PAMBE 프로세스에서 Ⅲ족 금속 질화물들을 빠르게 성장시키는 프로세스들, 방법들, 및 시스템들에 관련된다.
본 개시내용의 실시예는 그 안에 기판을 갖는 성장 챔버(growth chamber), 원격 플라즈마 챔버(remote plasma chamber), 및 플라즈마 챔버를 성장 챔버로부터 분리시키는 기체-컨덕턴스 배리어(gas-conductance barrier)를 갖는 PAMBE 시스템일 수 있다. 플라즈마는 질소, 및 비활성 기체 혼합물을 함유할 수 있다. 성장 챔버는 압력 Pg를 가질 수 있고, 플라즈마 챔버는 압력 Pp를 가질 수 있고, 기체 컨덕턴스 배리어는 압력 Pg가 그 Pp보다 더 낮을 것을 허락한다.
몇몇 실시예들에서, Pp는 적어도 0.1mTorr, 적어도 1mTorr, 적어도 10mTorr, 또는 적어도 100mTorr일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, Pg는 약 0.1mTorr보다 작거나 약 0.05mTorr보다 작을 수 있다. 일례에서, Pp는 적어도 5mTorr일 수 있고, Pg는 약 0.1mTorr보다 작을 수 있다.
몇몇 실시예에서, 플라즈마의 질소 기체 흐름은 2인치 직경의 기판에 기초하여 적어도 3sccm일 수 있다. 질소 기체 흐름은 수학식 SCCM=(GR)*(AREA)/SCALE에 기초하여 더 큰 시스템들로 스케일링될 수 있으며, GR은 ㎛/시간 단위의 성장 속도이고, AREA는 제곱 인치 단위의 기판의 크기이고, SCALE은 (㎛ 인치^2)/(SCCM-시간) 단위를 갖는 팩터이며, 여기서 SCALE은 0.1과 50 사이, 1과 50 사이, 또는 1과 20 사이이다.
몇몇 실시예들에서, 플라즈마는 질소 기체, 및 비활성 기체를 함유할 수 있다. 비활성 기체는 헬륨, 네온, 아르곤, 크세논, 및 크립톤으로부터 선택될 수 있으며, 바람직하게는 헬륨, 네온, 아르곤, 및 크세논으로부터 선택될 수 있다. 비활성 기체는 아르곤, 및 크세논으로 구성되는 군으로부터 선택될 수 있다. 플라즈마는 질소 기체, 및 아르곤을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 질소 대 비활성 기체 비율은 1:20 내지 20:1, 또는 1:1 내지 10:1일 수 있다.
몇몇 실시예들에서, 기체-컨덕턴스 배리어는 적어도 약 7L/초, 약 10L/초, 또는 약 15L/초의 컨덕턴스 값을 갖는다. 몇몇 실시예들에서, 기체-컨덕턴스 배리어는 적어도 약 5L/초, 또는 10L/초의 컨덕턴스 값을 가질 수 있다. 컨덕턴스 값은 r2에 의해 스케일링될 수 있으며, r은 멀티-웨이퍼 시스템(multi-wafer system)에서의 플래터(platter) 크기, 또는 싱글 웨이퍼 시스템(single wafer system)에서의 웨이퍼 크기이다.
몇몇 실시예들에서, 기판은 Ⅲ족 금속 질화물을 포함할 수 있다. Ⅲ족 금속 질화물은 GaN, InN, AlN, 또는 이들의 조합들을 포함할 수 있다. 기판은 적어도 3㎛/시간의 속도로, 적어도 4㎛/시간의 속도로, 또는 적어도 약 8㎛/시간의 속도로 성장하는 Ⅲ족 금속 질화물을 포함할 수 있다. 기판은 또한 게르마늄과 같은 n형 도펀트(n-type dopant)를 포함할 수 있다.
본 개시내용의 다른 실시예는 Ⅲ족 금속 질화물들을 성장시키는 방법일 수 있으며, 방법은 원격 플라즈마 챔버에서 플라즈마를 생성하는 단계; 플라즈마를 기체-컨덕턴스 배리어를 통해 성장 챔버 내로 흐르게 하는 단계; 및 성장 챔버 내의 기판 상에 Ⅲ족 금속 질화물 생성물을 성장시키는 단계를 포함한다. Ⅲ족 금속 질화물 생성물의 성장 속도는 1㎛/시간보다 크거나, 3㎛/시간보다 크거나, 4㎛/시간보다 크거나, 8㎛/시간보다 클 수 있다.
몇몇 실시예에서, 플라즈마는 질소, 및 비활성 기체의 조합을 함유할 수 있다. 비활성 기체는 헬륨, 네온, 아르곤, 크세논, 및 크립톤으로부터 선택될 수 있으며, 바람직하게는 네온, 아르곤, 및 크세논으로부터 선택될 수 있다. 비활성 기체는 아르곤, 및 크세논으로 구성되는 군으로부터 선택될 수 있다. 플라즈마는 질소 기체, 및 아르곤을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 질소 대 비활성 기체 비율은 1:20 내지 20:1, 또는 1:1 내지 10:1일 수 있다.
방법에서, 플라즈마의 질소 기체 흐름은 2인치 직경의 기판에 기초하여 적어도 3sccm일 수 있다. 질소 기체 흐름은 수학식 SCCM=(GR)*(AREA)/SCALE에 기초하여 큰 시스템들로 스케일링될 수 있으며, GR은 ㎛/시간 단위의 성장 속도이고, AREA는 제곱 인치 단위의 기판의 크기이고, SCALE은 (㎛ 인치^2)/(SCCM-시간) 단위를 갖는 팩터이다. SCALE은 0.1과 50 사이, 1과 50 사이, 또는 약 1과 20 사이일 수 있다.
몇몇 실시예들에서, Pp는 적어도 0.1mTorr, 적어도 1mTorr, 적어도 10mTorr, 또는 적어도 100mTorr일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, Pg는 약 0.1mTorr보다 작거나, 약 0.05mTorr보다 작을 수 있다. 일례에서, Pp는 적어도 5mTorr일 수 있고, Pg는 약 0.1mTorr보다 작을 수 있다.
몇몇 실시예들에서, 기체-컨덕턴스 배리어는 적어도 약 5L/초, 7L/초, 또는 10L/초의 컨덕턴스 값을 가질 수 있다. 컨덕턴스 값은 r2에 의해 스케일링될 수 있으며, r은 멀티-웨이퍼 시스템에서의 플래터 크기, 또는 싱글 웨이퍼 시스템에서의 웨이퍼 크기이다.
몇몇 실시예들에서, 방법은 GaN, InN, AlN, 또는 이들의 조합들을 포함하는 Ⅲ족 금속 질화물을 성장시키는 것을 포함할 수 있다. Ⅲ족 금속 질화물은 적어도 3㎛/시간의 속도로, 4㎛/시간의 속도로, 또는 적어도 약 8㎛/시간으로 성장될 수 있다.
일부 실시예들에서, 방법은 Ⅲ족 금속 질화물을 게르마늄으로 도핑하는 것을 포함하여, n형 도펀트로 도핑하는 것을 더 포함할 수 있다.
본 개시내용의 실시예는 플라즈마-지원 MBE에서 Ⅲ족 질화물들의 성장 속도를 증가시키는 방법을 포함할 수 있고, 여기서 질소 플라즈마는 비활성 기체에 의해 시드될(seeded) 수 있고, 질소 유량은 적어도 5sccm이다. 질소 기체 흐름은 수학식 SCCM=(GR)*(AREA)/SCALE에 기초하여 큰 시스템들로 스케일링될 수 있으며, GR은 ㎛/시간 단위의 성장 속도이고, AREA는 제곱 인치 단위의 기판의 크기이고, SCALE은 (㎛ 인치^2)/(SCCM-시간) 단위를 갖는 팩터이다. SCALE은 0.1과 50 사이, 1과 50 사이, 또는 약 1과 20 사이일 수 있다. 비활성 기체는 헬륨, 네온, 아르곤, 및 크세논으로 구성되는 군으로부터 선택될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 질소 대 비활성 기체의 비율은 적어도 5:1, 또는 적어도 10:1일 수 있다. 질소 대 비활성 기체의 비율은 약 5:1 내지 약 20:1일 수 있다.
본 개시내용의 실시예는 플라즈마에서 질소 기체를 사용하는 플라즈마-지원 MBE에 의해 Ⅲ족 금속 질화물들을 성장시키는 방법에 있어서, 플라즈마의 압력을 적어도 약 1mTorr로 증가시키는 것에 의해 플라즈마의 이온 함량을 감소시키는 것을 포함하는 개선을 포함할 수 있다. 방법은 헬륨, 네온, 아르곤, 및 크세논으로 구성되는 군으로부터 선택된 것이거나 아르곤일 수 있는 비활성 기체를 질소 플라즈마에 첨가하는 것을 더 포함할 수 있다. 비활성 기체의 비율은 적어도 약 5:1, 또는 적어도 약 10:1일 수 있다. 질소 대 비활성 기체의 비율은 약 5:1 내지 약 20:1일 수 있다. 질소 유량은 적어도 5sccm일 수 있고, 본 명세서에서 기술되는 것과 같이, 수학식 SCCM=(GR)*(AREA)/SCALE에 기초하여 스케일링될 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 본 개시내용의 예시적인 실시예에 따라, 다양한 조건들 하에서 질화 갈륨의 성장 속도들을 도시한다.
도 2a 및 도 2b는 본 개시내용의 예시적인 실시예에 따라, 질화 갈륨 표면들을 도시한다.
도 3a 및 도 3b는 본 개시내용의 예시적인 실시예에 따라, 플라즈마 기체의 플라즈마 방출 스펙트럼들을 도시한다.
도 4는 본 개시내용의 예시적인 실시예에 따라, 다양한 압력의 양들, 및 기체 조합들에 대한 탐침 전류(probe current)에 기초한 이온 감소들을 도시한다.
도 5a 및 도 5b는 본 개시내용의 예시적인 실시예에 따라, 변화하는 압력, 및 기체 조합들에 따라 분자 질소(molecular nitrogen), 및 원자 질소(atomic nitrogen) 플라즈마 방출 강도들을 도시한다.
도 6은 본 개시내용의 예시적인 실시예에 따라, 다양한 조건들 하에서 질화 갈륨의 게르마늄 도핑에 대한 전자 농도, 및 이동도를 도시한다.
본 개시내용의 바람직한 실시예들이 상세하게 설명되었음에도 불구하고, 다른 실시예들이 고려된다는 것을 이해해야 한다. 따라서, 본 개시내용은 그 범위에 있어서 다음에 나오는 상세한 설명에서 제공되거나 도면들에서 도시된 구성요소들의 구성 및 배치의 세부 내용으로 한정되는 것으로 의도되지 않는다. 본 개시내용은 다른 실시예들이 가능하고 다양한 방식들로 실시되거나 수행될 수 있다. 또한, 바람직한 실시예들을 기술할 때, 명료함을 위해 특정 용어에 의지할 것이다.
명세서, 및 첨부 청구항에서 사용되는 것과 같이, 단수 형태들 "하나(a, an, 및 the)"는 문맥상 명백하게 달리 쓰여있지 않으면 복수의 대상을 포함한다는 것 또한 주목해야 한다.
또한, 바람직한 실시예들을 기술할 때, 명료함을 위해 용어들에 의지할 것이다. 각각의 용어는 통상의 기술자들에 의해 이해되는 대로 용어의 가장 넓은 의미를 고려하고, 유사한 목적을 달성하기 위해 유사한 방식으로 동작하는 모든 기술적 등가물들을 포함하는 것으로 의도된다.
범위들은 본 명세서에서 "약" 또는 "대략" 하나의 특정 값으로부터 및/또는 "약" 또는 "대략" 또 다른 특정 값까지로 표현될 수 있다. 그러한 범위가 표현될 때, 또 다른 실시예는 하나의 특정 값으로부터, 및/또는 다른 특정 값까지를 포함한다.
"구성하는(comprising)" 또는 "포함하는(comprising 또는 including)"은 적어도 명명된 화합물, 원소, 입자, 또는 방법 단계가 조성물(composition) 또는 물품(article) 또는 방법에 존재하지만, 비록 다른 화합물들, 재료, 입자들, 방법 단계들이 명명된 것과 동일한 기능을 갖는다고 하더라도, 다른 그러한 화합물들, 재료들, 입자들, 방법 단계들의 존재를 배제하지 않는다는 것을 의미한다.
하나 이상의 방법 단계들의 언급이 명시적으로 식별되는 단계들 사이에 추가적인 방법 단계들, 또는 중간 방법 단계들(intervening method steps)의 존재를 배제하지 않는 것으로 또한 이해되어야 한다. 유사하게, 디바이스, 또는 시스템내의 하나 이상의 구성요소들의 언급이 명시적으로 식별되는 구성요소들 사이에 추가적인 구성요소들, 또는 중간 구성요소들의 존재를 배제하지 않는다는 것으로 또한 이해되어야 한다.
본 개시내용은 매끄러운 표면 미세구조(smooth surface microstructure)를 유지하면서, 예를 들어 GaN을 포함하는 Ⅲ족 금속 질화물들의 PAMBE 성장에서 극히 빠른 성장 속도들을 위한 기법을 포함한다. 혼합 화학 플라즈마(mixed chemistry plasma)가 성장 속도의 추가의 향상을 보여주는 한편, 펌핑 용량(pumping capacity), 및 사소한 수정을 플라즈마 소스에 추가함으로써, 성장 속도들의 넓은 범위가 달성될 수 있다. 이온 함량의 억제는 더 높은 플라즈마 압력에 의해, 그리고 아르곤 희석을 통해 달성될 수 있다. 예시적인 시스템에서 9.8㎛/시간의 성장 속도는 MBE의 전통적인 성장 속도에 비해 10배가 넘는(more than an order of magnitude) 증가를 나타내고, 심지어 MOCVD에서 일반적으로 사용되는 성장 속도들을 초과한다.
본 개시내용은 성장 챔버, 원격 플라즈마 챔버, 및 성장 챔버와 플라즈마 챔버를 분리하는 기체 컨덕턴스 배리어를 갖는 PAMBE 시스템을 포함한다. 성장 챔버는 압력 Pg에서 동작하고, 플라즈마 챔버는 압력 Pp에서 동작한다. 그러나 이전의 시스템들과는 달리, 기체 컨덕턴스 배리어, 또는 개구(aperture)는 두 챔버들 사이에 훨씬 더 큰 기체 흐름의 컨덕턴스를 제공한다. 기체 컨덕턴스 배리어는 전통적인 시스템의 컨덕턴스의 적어도 3배, 전통적인 시스템의 컨덕턴스의 적어도 4배, 또는 전통적인 시스템의 컨덕턴스의 적어도 5배일 수 있다. 배리어의 컨덕턴스를 증가시킴으로써, 플라즈마 내로의 더 큰 기체 유량이 달성될 수 있고, 이는 증가되는 성장 속도들로 이어진다. 두 챔버들의 압력 차이는 시스템에서 여전히 유지되어야 한다.
다음으로, 본 개시내용의 일 실시예는 Pp로 지정된, 플라즈마 챔버의 압력을 포함한다. 플라즈마 챔버 압력은 적어도 약 0.1mTorr, 적어도 약 1mTorr, 적어도 약 10mTorr, 적어도 약 50mTorr, 적어도 약 100mTorr, 또는 적어도 약 250mTorr일 수 있다. 플라즈마 챔버 압력의 상한(upper limit)은 플라즈마 챔버의 속성, 및 사용되는 RF 전력에 좌우될 수 있다. 그러나, 통상의 기술자는 상한이 "밝은 모드(bright mode)" (흔히 유도 모드(inductive mode)로 지칭됨)로, 즉 그것이 "희미한 모드(dim mode)" (흔히 용량성 모드(capacitive mode)로 지칭됨)로 전환되거나 완전히 소멸되기 전으로 플라즈마를 유지하는 데 충분한 압력일 수 있다는 것을 이해할 것이다. 그러므로 플라즈마 챔버 압력은 3Torr보다 적거나, 2Torr보다 적거나, 약 1Torr보다 적을 수 있다.
다음으로, 본 개시내용의 일 실시예는 Pg로 지정된, 성장 챔버의 압력을 포함한다. 성장 챔버 압력은 Pp보다 작거나, 약 0.1mTorr보다 작거나, 약 0.08mTorr보다 작거나, 약 0.07mTorr보다 작거나, 약 0.05mTorr보다 작을 수 있다. 성장 챔버 압력은 약 0.005mTorr보다 클 수 있다.
본 개시내용에서 기체 흐름은 플라즈마를 유지하고 바람직한 성장 속도들을 만들기에 충분히 빠른 속도로 유지될 수 있다. 통상의 기술자는 흐름 (Q, torr-liters/초), 컨덕턴스 (C, liters/초), 및 압력들 (Pp, 및 Pg, torr)은 Pp>>Pg일 때, 종종 Q=CPp로 근사되는, 관계 Q=C(Pp-Pg)에 의해 지배를 받는다는 것을 인식할 것이다. 2인치 기판에 기초한 예시적인 시스템에서, 질소 기체 유량은 3sccm보다 크거나, 4sccm보다 크거나, 5sccm보다 클 수 있다. 질소 기체 유량은 8sccm보다 크거나, 9sccm보다 크거나, 10sccm보다 클 수 있다. 2인치 기판에 대한 예시적인 시스템에서 질소 기체 유량은 50sccm보다 작거나, 45sccm보다 작거나, 40sccm보다 작을 수 있다. 2인치 기판에 대한 예시적인 시스템에서, 질소 기체 유량은 약 3sccm과 약 40sccm 사이, 약 3sccm과 약 35sccm 사이, 약 8과 약 35sccm 사이, 또는 약 10과 약 35sccm 사이일 수 있다.
본 기술분야의 통상의 기술자는 앞서 기술되는 질소 기체 유량들이, 유사한 시스템에서 1 내지 약 3sccm보다 작은 전통적인 범위보다 여전히 많으면서도, 기체가 인가되고 있는 시스템의 크기에 전적으로 좌우될 것을 인식할 것인데, 더 큰 시스템이 본질적으로 더 큰 유량을 가질 것이다. 게다가, PAMBE의 수 개의 실용적인 양태들은, 특히 기판을 지나는 스프레이의 양, 기판으로부터 질소의 순 탈착(net desorption) (넌-스틱(non-stick) 질소), 및 반응성 종(reactive species)을 생성하는 데에 있어서의 플라즈마의 효율을 포함하여, 값에 약간의 오차를 더한다. 그럼에도 불구하고, 앞의 유량들은 그들이 적용되는 시스템에 따라 스케일링될 수 있다. 시스템의 대량 수송(mass transport), 즉, 표준 분당 세제곱 센티미터(standard cubic centimeters per minute)(sccm) 단위의 SCCM은 수학식 SCCM=(GR)*(AREA)/SCALE에 따라 스케일링될 수 있고, GR은 ㎛/시간 단위의 성장 속도, AREA는 제곱 인치 단위의 기판의 크기이고, SCALE은 (㎛ 인치^2)/(SCCM-시간) 단위를 갖는 팩터로서, 모든 기체가 성장 막(growing film)에 포함되는 것은 아니며, 몇몇은 기판을 빗나가고, 몇몇은 기판으로부터 탈착된다는 사실을 설명하고, 또한 플라즈마의 활성화 백분율(percent activation)을 설명하는 것이다. SCALE은 약 0.1 내지 50, 약 1 내지 50, 약 1 내지 20, 약 1 내지 10, 약 2 내지 10, 또는 약 1 내지 약 5일 수 있다.
본 개시내용의 다른 양태는 플라즈마 챔버를 성장 챔버로부터 분리시키는 기체 컨덕턴스 배리어이다. 기체 컨덕턴스 배리어는 그것과 관련이 있는 컨덕턴스를 가지며, 그 컨덕턴스는 시스템의 크기에 따라 변한다. 본 개시내용의 실시예에서, 배리어의 컨덕턴스는 약 1L/초와 100L/초 사이일 수 있다. 컨덕턴스는 약 2L/초보다 크거나, 약 3L/초보다 크거나, 약 5L/초보다 클 수 있다. 컨덕턴스는 약 7L/초보다 크거나, 약 10L/초보다 크거나, 약 15L/초보다 클 수 있다. 컨덕턴스는 약 90L/초보다 작거나, 약 75L/초보다 작거나, 약 50L/초보다 작을 수 있다. 일 실시예에서, 컨덕턴스는 약 2L/초 내지 약 90L/초, 약 3L/초 내지 약 75L/초, 약 4L/초 내지 약 60L/초, 약 5L/초 내지 약 50L/초일 수 있다. 실시예에서, 컨덕턴스는 약 10L/초 내지 약 90L/초, 약 10L/초 내지 약 75L/초, 약 10L/초 내지 약 60L/초, 또는 약 10L/초 내지 약 50L/초일 수 있다. 본 기술분야의 통상의 기술자는 더 큰 시스템은 더 큰 컨덕턴스 값들을 위해 스케일링될 수 있다는 것을 인식할 것이다. 기체 흐름과 같이, 그 컨덕턴스 값은 r2으로 증가할 수 있고, r은 멀티-웨이퍼 시스템에서의 플래터 크기, 또는 싱글 웨이퍼 시스템에서의 웨이퍼 크기이다.
아래에 더 상세하게 입증되는 바와 같이, Ⅲ족 금속 질화물 구조물들의 빠른 성장 속도, 및 높은 품질은 순수한 질소 플라즈마를 사용하는 것으로 달성될 수 있다. 그러나, 줄어드는 기체 흐름으로부터 압력이 더 줄어듦에 따라, 더 낮은 질소 압력들에서 동작할 때 생성되는 높은 에너지 종(energy species) 때문에 기판들에 유해한 효과들이 관찰될 수 있다. 높은 품질의 Ⅲ족 질화물들을 달성하기 위해서는 이 이온 함량이 조절되어야 한다. 질소 스트림에 비활성 기체 흐름을 포함시킴으로써, 플라즈마의 전자 온도를 변경하는 것에 의해, 또는 다른 경우들에서는, 충돌들 사이의 평균 자유 경로(mean free path)가 최소화되는 더 높은 플라즈마 압력에서 동작하는 것에 의해, 이온 함량이 감소될 수 있고, 훨씬 더 빠른 성장 속도들이 달성될 수 있다. 마지막 특징은 비활성 기체가 존재할 때 플라즈마의 효과적인 더 높은 전자 온도 때문인 것 같다. 그러므로, 본 개시내용의 실시예는 질소 기체, 및 비활성 기체를 포함하는 플라즈마를 포함한다. 비활성 기체는 헬륨, 네온, 아르곤 크세논, 또는 크립톤일 수 있다. 비활성 기체는 네온, 아르곤, 또는 크세논일 수 있다. 비활성 기체는 아르곤 또는 크세논, 또는 아르곤 또는 헬륨일 수 있거나, 또는 아르곤일 수 있거나, 헬륨일 수 있다. 질소 대 비활성 기체의 기체 흐름들의 비율은 99:1 내지 1:99일 수 있다. 질소 대 비활성 기체의 비율은 20:1 내지 1:20, 10:1 내지 1:10, 또는 5:1 내지 1:5일 수 있다. 질소 대 비활성 기체의 비율은 20:1 내지 1:1일 수 있다. 질소 대 비활성 기체의 비율은 20:1 내지 3:2, 또는 20:1 내지 2:1일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 질소 대 비활성 기체 비율은 3:2보다 크거나, 2:1보다 크거나, 3:1보다 크거나, 4:1보다 크거나, 5:1보다 크다. 본원에서 사용되는 바와 같이, 비율은 질소와 비활성 기체의 기체 흐름들에 대한 비율, 예를 들어 sccm N2: sccm 비활성 기체이다. 비활성 기체에서 크게 희석된 질소의 사용은 반대의 효과를 가지며, 성장 속도들을 감소시키며, 순 성장 속도 범위를 더 넓게 한다.
RF 전력은 플라즈마를 생성하기 위해 사용되는 임의의 RF 전력일 수 있다. 실시예에서, RF 전력은 약 300W와 약 650W 사이, 약 350W와 약 650W 사이, 또는 약 350W와 약 600W 사이일 수 있다. 이들 전력들에 대해 중요한 것은 절대 전력이 아니라 전력 밀도라는 것이 관련 기술분야에서 공지되어있다. 그러므로, 더 큰 시스템들의 경우, 이러한 전력들은 플라즈마 챔버의 체적(volume)에 따라 스케일링 되며, 본 실시예의 현재 플라즈마 챔버는 직경 ~1인치 x 길이 4인치의 원통형이다.
본 명세서에서 기술되는 몇몇 실시예들에서, 약 300℃ 내지 약 1400℃의 기판 온도들에 대해 빠른 성장 속도들이 달성될 수 있다. 기판 온도는 약 300과 약 800℃ 사이, 약 300과 약 650℃ 사이, 약 300과 약 1000℃ 사이, 약 500과 약 1200℃ 사이, 약 500과 약 800℃ 사이, 약 600과 약 1000℃ 사이일 수 있다.
본 명세서의 개시내용은 Ⅲ족 금속 질화물 구조물들을 빠르게 성장시키기 위해 사용될 수 있다. Ⅲ족 금속 질화물은 AlN, GaN, 또는 InN, 및 InGaN, AlGaN, 또는 InGaAlN과 같은 이들의 혼합 금속 조합들일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, Ⅲ족 금속 질화물은 InN, 또는 GaN을 포함할 수 있거나, GaN일 수 있다.
본 명세서의 개시내용은 전통적인 MBE 속도들보다 실질적으로 빠른 Ⅲ족 금속 질화물들의 성장 속도들을 포함한다. 성장 속도는 적어도 약 1㎛/시간, 적어도 약 2㎛/시간, 또는 적어도 약 3㎛/시간일 수 있다. 성장 속도는 적어도 약 5㎛/시간, 또는 적어도 약 8㎛/시간일 수 있다.
이와 같이, 본 개시내용의 수 개의 상이한 양태들이 논의될 수 있다. 본 개시내용의 일 실시예는 PAMBE를 수행하기 위한 시스템을 포함할 수 있으며, 시스템은 그 안에 탑재되는 기판을 갖는 성장 챔버; 성장 챔버로부터 분리되는 플라즈마 챔버, 및 플라즈마 챔버와 성장 챔버를 분리하는 기체 컨덕턴스 배리어를 포함한다. 2개의 챔버의 압력들, 배리어의 컨덕턴스, 및 플라즈마를 생성하기 위해 사용되는 기체들은 앞서 기술되는 것과 같다.
다른 실시예는 Ⅲ족 금속 질화물의 빠른 성장 PAMBE 시스템일 수 있다. 시스템은 그 안에 탑재되는 기판 상에 Ⅲ족 금속 질화물을 성장시키는 성장 챔버를 가질 수 있다. 시스템은 성장 챔버로부터 분리되는 질소 기체 플라즈마 챔버, 및 플라즈마 챔버와 성장 챔버를 분리하는 기체 컨덕턴스 배리어를 가질 수 있다. 2개의 챔버의 압력들, 배리어의 컨덕턴스, 및 플라즈마를 생성하기 위해 사용되는 기체들은 앞서 기술되는 것과 같다. 빠른 성장은 적어도 약 1㎛/시간, 적어도 약 2㎛/시간, 또는 적어도 약 3㎛/시간의 속도일 수 있다. 성장 속도는 적어도 약 5㎛/시간, 적어도 약 7㎛/시간, 적어도 약 8㎛/시간, 또는 적어도 약 9㎛/시간일 수 있다. Ⅲ족 금속 질화물은 AlN, GaN, 또는 InN, 및 InGaN, AlGaN, 또는 InGaAlN과 같은 이들의 혼합 금속 조합들; 바람직하게는 InN, 또는 GaN일 수 있거나, GaN일 수 있다.
본 개시내용은 또한 Ⅲ족 금속 질화물들을 성장시키는 방법을 제공하고, 방법은 PAMBE 시스템에서 플라즈마를 생성하는 단계, 기체 컨덕턴스 배리어를 통해 플라즈마를 성장 챔버 내로 흐르게 하는 단계, 및 성장 챔버에서 기판 상에 Ⅲ족 금속 질화물을 성장시키는 단계를 포함한다. Ⅲ족 금속 질화물의 성장 속도는 1㎛/시간보다 크거나, 약 2㎛/시간보다 크거나, 약 3㎛/시간보다 클 수 있다. 성장 속도는 적어도 약 5㎛/시간, 또는 적어도 약 8㎛/시간일 수 있다.
방법에서 플라즈마는 질소 기체를 포함할 수 있거나, 질소, 및 비활성 기체 혼합물의 조합을 포함할 수 있다. 비활성 기체, 질소 대 비활성 기체의 비율, 및 기체의 유량은 앞서 기술되는 것과 같을 수 있다.
방법은 플라즈마 챔버 내의 압력을 포함하고, 그 압력은 Pp로 정의될 수 있고 앞서 기술되는 바와 같다. 유사하게, 방법은 앞서 기술되는 바와 같이 성장 챔버 내의 압력 Pg를 포함한다. 성장 챔버 내의 기판은 앞서 기술되는 바와 같은 기판 온도에 있을 수 있다.
본 개시내용의 다른 실시예는 PAMBE 시스템에서 질소 플라즈마의 이온 함량을 감소시키는 방법을 포함한다. 방법은 플라즈마의 압력을 적어도 1mTorr, 또는 적어도 10mTorr, 또는 적어도 100mTorr로 증가시키는 것을 포함한다. 방법은 비활성 기체를 99:1 내지 1:99의 질소 대 비활성 기체의 비율로 질소 플라즈마에 공급하는 것을 포함한다. 질소 대 비활성 기체의 비율은 20:1 내지 1:20, 10:1 내지 1:10, 또는 5:1 내지 1:5일 수 있다. 질소 대 비활성 기체의 비율은 20:1 내지 1:1일 수 있다. 질소 대 비활성 기체의 비율은 20:1 내지 3:2, 또는 20:1 내지 2:1일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 질소 대 비활성 기체 비율은 3:2보다 크거나, 2:1보다 크거나, 3:1보다 크거나, 4:1보다 크거나, 5:1보다 크다. 질소 플라즈마에서 이온 함량을 감소시키는 방법은 플라즈마 챔버에 플라즈마를 형성하는 단계, 기체 컨덕턴스 배리어를 통해 플라즈마를 성장 챔버 내로 흐르게 하는 단계, 및 성장 챔버에서 기판 상에 Ⅲ족 금속 질화물을 성장시키는 단계를 포함할 수 있다. Ⅲ족 금속 질화물의 성장 속도는 1㎛/시간보다 크거나, 약 2㎛/시간보다 크거나, 약 3㎛/시간보다 클 수 있다. 성장 속도는 적어도 약 5㎛/시간, 또는 적어도 약 8㎛/시간일 수 있다.
다음으로, 시스템들, 및 방법들의 몇몇 예시적인 실시예들이 기술될 수 있다. 시스템, 및/또는 방법은 10:1과 1:1 사이의 질소:비활성 기체 혼합물, 적어도 3㎛/시간의 Ⅲ족 금속 질화물의 성장 속도, 및 GaN을 포함하는 금속 질화물을 포함할 수 있다. 시스템, 및/또는 방법은 10:1과 2:1 사이의 질소:비활성 기체 혼합물, 적어도 3㎛/시간의 Ⅲ족 금속 질화물의 성장 속도, 및 GaN을 포함하는 금속 질화물을 포함할 수 있다. 시스템 또는 방법은 2인치 기판에 대해 적어도 약 7sccm, 적어도 약 10sccm, 또는 적어도 약 15sccm의 질소 기체 유량을 포함할 수 있다. Ⅲ족 금속 질화물의 성장 속도는 적어도 5㎛/시간, 적어도 6㎛/시간, 적어도 7㎛/시간, 또는 적어도 8㎛/시간일 수 있다. 탐침 전류에 기초한 이온 함량은 적어도 약 15%, 적어도 약 25%, 적어도 약 33%, 적어도 약 50%, 적어도 약 66%, 또는 적어도 약 75%만큼 감소될 수 있다.
앞서 기술되는 시스템, 및 방법은 또한 PAMBE 시스템에서 n형 도펀트를 빠르게 성장하는 Ⅲ족 금속 질화물에 첨가하기 위해 사용될 수 있다. 방법들은 성장하는 금속 질화물을 n형 도펀트로 더 도핑하는 단계를 포함할 수 있다. 시스템들은 n형 도펀트를 더 포함하는, 기판 상에 성장된 금속 질화물을 포함할 수 있다. n형 도펀트는 PAMBE 프로세스에 적용 가능한 임의의 금속이다. n형 도펀트는 바람직하게는 게르마늄일 수 있다.
변형된 질소 플라즈마 소스를 이용하여, GaN에서 더 빠른 성장 속도들을 달성하기 위해 플라즈마 지원 분자 빔 에피택시(PAMBE)가 사용되어 왔다. 변형된 컨덕턴스 개구 플레이트(modified conductance aperture plate)는, 더 빠른 질소 흐름과 결합되고 펌핑 용량이 첨가되어, 여전히 허용 가능하게 낮은 동작 압력을 유지하면서 34sccm의 N2를 사용하여 8.4㎛/시간까지 획기적으로 증가되는 성장 속도들을 야기했다. 600W RF 전력에서 20sccm의 N2, 및 7.7sccm의 아르곤 흐름들을 사용하여 달성된 9.8㎛/시간까지 성장 속도들을 향상시키기 위해, 아르곤이 플라즈마 기체에 첨가될 수 있다는 것이 더 발견되었다. 플럭스 게이지(flux gauge)를 이용하는 원격 Langmuir 방식 탐침(remote Langmuir style probe)이 플라즈마의 상대적인 이온 함량을 간접적으로 측정하기 위해 사용되었다. 플라즈마 기체의 화학적 성질에 관계 없이 높은 플라즈마 압력들이 이온 함량을 억제한 한편, 낮은 플라즈마 압력들에서의 아르곤 희석의 사용은 플라즈마 이온 전류를 절반 넘게 획기적으로 감소시켰다. 게다가, 플라즈마 내의 압력, 및 질소 조성을 변화시킴으로써 생성되는 분자, 및 원자 질소종에 대해 상이한 경향들이 명백하다. (도 4 참조.) 아르곤 희석은 1㎛/시간으로부터 거의 10㎛/시간에 이르는 거의 한자릿수의 달성 가능한 성장 속도 범위를 야기했다. 6㎛/시간보다 빨리 성장되는 막들에 대해서도, 표면 형태(surface morphology)는 매끄러운 채 남아있으며, 1nm보다 작은 제곱 평균 제곱근 거칠기(root mean square roughness)를 가지는 명확한 원자 계단들(atomic steps)을 나타냈다. Si의 낮은 증기압 때문에, 빠른 성장 속도 응용들을 위한 대안적인 n형 도펀트로서 Ge가 연구되었다. 2.2x1016 내지 3.8x1019cm-3의 전자농도가 GaN에서 Ge 도핑을 사용하여 달성되었고, 의도하지 않게 도핑되는 GaN 막들은 단지 1-2x1015cm-3의 낮은 백그라운드 전자 농도(background electron concentration)들을 보였다. 가장 빠른 성장 속도들은 여전히 다루어져야하는 공학 과제인 Ga 셀 분출(cell spitting) 때문에 매크로스코픽 표면 피쳐(macroscopic surface feature)들을 야기했다. 그럼에도 불구하고, 획기적으로 향상되는 성장 속도들은 PAMBE에 의해 성장되는 Ⅲ족 질화물 디바이스들의 미래에 대해 대단한 가능성을 입증했다.
예
기판, 장치, 및 성장 기법(growth technique)
모든 막들은, 달리 명시되지 않으면, 대략 8x10-11Torr의 베이스 압력(base pressure)을 갖는 Riber 32 MBE 시스템에서 성장되었다. 기판들은 단면 연마(single-side polished) 1x1cm 사파이어, 1x1cm GaN 템플릿들, 또는 2” 사파이어 웨이퍼들이었다. 모든 기판들은 열 흡수, 및 확산(heat absorption and spreading)을 위해 후면 상에 2㎛의 탄탈륨으로 스퍼터 코팅(sputter coated)되었다. H2SO4:H2O2의 4:1 용액에서 세정한 후, 기판들은 인듐이 없는 몰리브덴 블록 상에서 도입 챔버(introductory chamber)내에 로딩되었고, 이후 150℃에서 20분 동안 기체가 제거되었다(outgassed). 샘플들은 이후 성장 챔버로 옮겨졌고, GaN 템플릿 기판(GaN template substrate)들의 경우 600℃에서, 또는 사파이어 기판들의 경우 850℃에서, 추가 10분 동안 기체가 제거되었다. 본 명세서에 열거되는 임의의 기판 온도들은 열전대(thermocouple)로 측정된 것들이었다. 모든 막 성장들에 대해, 질소는 Veeco UNI-Bulb RF 플라즈마 소스에 의해 공급되었으며, 이후에 기술될 수 개의 수정들(modifications)이 있다. 기체 흐름, 및 RF 전력은 바람직한 표면 조건들을 달성하고, 또한 성장 속도에 대한 그것들의 효과들을 연구하기 위해, 연구 전반에 걸쳐 변화되었다. 알루미늄은 콜드-립 이퓨젼 셀(cold-lip effusion cell)에 의해 공급되었고, 갈륨은 표준 이퓨젼 셀, 및/또는 Veeco 듀얼-필라멘트 SUMO 셀(Veeco dual-filament SUMO cell)에 의해 공급되었고, 게르마늄은 n형 도핑을 위해 표준 이퓨젼 셀에 의해 공급되었다. 이 연구에서 사용되는 총 Ga 플럭스들은 ~8x10-7Torr 빔 등가 압력(beam equivalent pressure)(BEP)에서 ~3.6x10-6Torr BEP까지 다양했다.
본 명세서에서 이용되는 성장 기법들은 전통적인 MBE, 및 금속-변조된 에피택시(Metal-Modulated Epitaxy)(MME)라 불리는 MBE의 셔터드 변동(shuttered variation)의 조합이었다. 사파이어 기판들의 경우, 저온 질화가 200℃에서 1시간 동안 수행되었고, 후속하여 700℃에서 N풍부 조건들 (III/V
Figure 112018016517812-pct00001
0.7) 하에서 10nm AlN 핵화층(nucleation layer)이 수행되었다. 이후, 더 두꺼운 AlN 버퍼 층은 Al풍부 조건들(III/V
Figure 112018016517812-pct00002
1.5) 하에서 850℃에서 MME를 사용하여 성장되는 한편, GaN 성장 동안의 기판 온도들은 전형적으로 600 내지 650℃였다. 이 MME 기법은 InGaN에서 극히 높은 p형 도핑을 달성하고, 상 분리(phase separation)를 제어하고, 종래의 PAMBE보다 실질적으로 더 낮은 온도 때문에 우수한 균일성과 재료 이용률(material utilization)을 야기하는 것으로 밝혀졌다.
막 성장은 반사 고에너지 전자 회절(reflection high energy electron diffraction)(RHEED)에 의해 인 시츄 모니터링되었고(monitored in situ), 플라즈마 방출 스펙트럼들은 200-1100nm의 파장 범위에서 Ocean Optics HR-2000+ES 분광계를 사용하여 열 분해 붕소 질화물(pyrolytic boron nitride)(PBN) 벌브를 통해 보는 플라즈마 소스의 리어 윈도우(rear window)를 통해 모니터링되었다. 성장 후 구조 분석은 Philips X'Pert Pro MRD를 사용하여 X선 회절(x-ray diffraction)(XRD)에 의해 수행되었고, 막들의 표면 형태는 태핑 모드(tapping mode)에서 동작되는 Veeco Dimension 3100 원자력 현미경(atomic force microscope)(AFM)으로 특정지어졌다. 막 두께는 접촉 표면형상 측정법(contact profilometry), 또는 분광 타원법(spectroscopic ellipsometry)에 의해 확인되었다. 홀 효과(Hall Effect)는 0.3T 고정 자석(fixed magnet), 또는 1.5T 전자석이 있는 커스텀 홀 효과 시스템(custom Hall effect system)을 사용하여 선택 막들의 전기적 특성들을 결정하기 위해 이용되었다.
플라즈마, 및 챔버에 대한 수정들
성장 챔버를 위한 전체적인 펌핑 시스템은 모두 성장 중에 사용되는 하나의 CTI-8 크라이오(cryo) 펌프, 2개의 CTI-10 크라이오 펌프, 및 성장하지 않을 때 사용되는 하나의 이온 펌프, 및 티타늄 승화 펌프로 구성되었다. 추가되는 크라이오 펌프들을 사용하여, 성장 동안의 펌핑 용량은 이전의 단일 크라이오 펌프 구성(configuration)에 비교하여 3배보다 많았다. 이 증가되는 용량은 성장 동안 챔버 압력의 상당한 감소를 야기했고, 30sccm(standard cubic centimeters per minute)보다 많은 N2 흐름에 대해서도 10-4Torr를 초과하지 않았다. 더 낮은 챔버 압력은 이퓨젼 셀 필라멘트들의 마모를 감소시키고, 성장 속도들을 개선시키기 위해 입사 플럭스(incident flux)의 산란을 줄이는 역할을 할 수 있다.
추가되는 펌핑 용량에 더하여, 플라즈마 소스 자체 또한 약간 수정되었다. 올바른 플라즈마 모드를 유지하면서 더 빠른 기체 흐름을 허용하기 위해 원래의 플라즈마 개구(표 1)는 커스텀의 5.6X 더 높은 컨덕턴스 개구(custom 5.6X higher conductance aperture)(표 2)로 교체되었다. 원래의 개구에서, 플라즈마는 단지 3.25sccm의 질소 흐름으로도 개구 뒤의 과도한 배압(back pressure)으로 인해 희미한 모드로 스위칭되었지만, 1sccm 보다 적은 흐름에서는 밝은 모드로 밝혀진 채 남아있었다. 새로운 고 컨덕턴스 개구를 사용할 때, 플라즈마는 점화된 채 남아있기 위해 적어도 3sccm의 실질적으로 더 빠른 질소 흐름을 요구했지만, 34sccm의 최대 테스트 질소 흐름까지 밝은 모드에서 계속되었다.
Figure 112018016517812-pct00003
Figure 112018016517812-pct00004
혼합된 질소, 및 아르곤 기체를 사용하는 GaN의 성장 속도
초기에 플라즈마 소스를 특정짓기 위해, GaN 성장 속도는 순간적 RHEED 분석(transient RHEED analysis)에 의해 Ⅲ/V 플럭스 비들의 인 시츄 추정(in situ estimation)과 결합되는 성장 후 두께 측정치들을 사용하여 결정되었다. RHEED, 및 성장 후 방법들은 모든 경우들에서 5%보다 작은 정밀도로 일치했다. Ga 플럭스의 탈착을 피하기 위해, 성장 속도 결정을 위해 사용되는 샘플들은 금속풍부 조건들 하에서 600℃의 낮은 기판 온도에서 성장되었다. 질소 흐름은 초기에 350W의 고정 전력에서 3sccm로부터 17sccm로 변화되었고, 이후 15sccm의 고정 질소 흐름을 가지면서, 플라즈마 전력이 350W로부터 500W로 변화되었다. 이것은 1.5㎛/시간 내지 6.1㎛/시간의 성장 속도를 야기했다. 500W RF 전력에서 순수한 질소를 사용하고 제2 질량 흐름 제어기(second mass flow controller)를 사용하여 흐름을 34sccm으로 증가시키면, 8.4㎛/시간의 성장 속도가 산출되었다.
시스템을 베이킹(baking)한 후 플라즈마의 초기 발생(striking)을 돕기 위해, 순수 질소보다 점화하기 더 쉬운 아르곤 기체의 약한 흐름이 첨가되었다. 플라즈마가 점화된 후, 아르곤 흐름이 차단되고 플라즈마가 순수 질소로 전이되었다. 그러나, 이 절차가 아르곤의 사용 직후 성장되는 막들에 대한 활성 질소 플럭스(active nitrogen flux)의 증가를 야기했다는 것이 관찰되었다. 그러므로, 다양한 조건들에 대해서 성장 속도에 대한 아르곤의 영향을 결정하기 위해, 다른 테스트가 수행되었다. 이 테스트로부터, 플라즈마에 7.7sccm의 아르곤을 첨가하여, 고 질소, 및 저 질소 흐름들에서 성장 속도가 각각 대략 20 내지 50%만큼 증가했다는 것이 발견되었다. 도 1a 및 도 1b는 다양한 전력 조건들에 대한 N2 흐름의 함수로서(A), 또는 15sccm의 N2 흐름에 대한 RF 전력의 함수로서(B) 종합적인 성장 속도를 보여준다. 성장 속도들은 대략 1.5㎛/시간 내지 9.8㎛/시간의 범위이다.
최대 성장 속도는 20sccm의 질소, 및 7.7sccm의 아르곤 흐름들과 함께 600W RF 전력을 사용하여 달성되었고, 이것은 우리의 현재의 질량 흐름 제어기 하드웨어 구성에 의해 제한된 것이다. 더 높은 질량 흐름 제어기를 이용하면 더 높은 유량, 및 그에 따른 더 빠른 성장 속도가 달성될 수 있기 때문에, 이것이 우리의 실시예에서의 궁극적인 한계로 간주되어서는 안 된다. 이 조건은, 우리가 아는 바로는 MBE에 의해 성장되는 GaN에 대해 지금까지 보고된 가장 빠른 속도인 9.8㎛/시간의 극히 빠른 성장속도를 야기했다. 아르곤 없이 20sccm 질소를 사용하는 동일한 조건 하에서, 성장 속도는 8.2㎛/시간으로 떨어졌다.
빠른 성장 속도들의 입증은 장래의 응용에 이로운 한편, 막들은 유용하기 위해 충분히 높은 품질로 남아있어야 한다. 도 2a 및 도 2b는 성장 동안의 대표적인 RHEED 이미지(A)뿐만 아니라 600℃의 기판 온도에서 6.1㎛/시간으로 성장되는 막에 대한 2x2㎛ AFM 이미지(B)를 보여준다. 600℃의 금속 풍부 조건들 하에서의 이러한 막들의 성장 동안, RHEED 패턴들은 줄무늬가 있는 채로 남아있고, 2x2 재구성이 관찰되었으며, 이는 부드러운 성장 표면을 나타낸다. AFM 이미지는 명확한 원자 계단들, 및 나선형 언덕들(spiral hillocks), 및 단지 0.8nm의 제곱 평균 제곱근(root mean square)(RMS) 거칠기가 있는 우수한 전위 중재 스텝 플로우(dislocation-mediated step-flow) 형태를 보여준다. 이러한 표면 구조는 MBE에 의해 성장되는 높은 품질의 GaN에 대해 전형적이고, 훨씬 더 낮은 성장 속도들에서 또한 보여진다. 이 관찰은 2D 성장 모드가 GaN MBE에서 일반적으로 사용되는 것보다 10배 넘게 빠른 성장 속도들에서도 보존된다는 것을 확인한다.
플라즈마 품질 / 특징화
플라즈마 방출 스펙트럼들은 리어 플라즈마 윈도우(rear plasma window) 상의 단순한 섬유-결합 분광기(simple fiber-coupled spectrometer)를 사용하여 비교되었다. 모든 경우들에서 350W의 RF 전력을 사용하여 도 3a 및 도 3b의 스펙트럼들은 20sccm의 순수한 N2(흑색), 7.7sccm의 Ar과 함께 20sccm의 N2를 사용하는 혼합 플라즈마(적색), 및 최종적으로 순수한 7.7sccm의 Ar(청색)을 나타낸다. 전체 파장 범위(A)는 플라즈마 MBE에서 Ⅲ족 질화물들의 성장 속도에 직접 영향을 미치는 것으로 보여진 여기된 분자 질소(excited molecular nitrogen)(N2 *)에 상응하는 550nm 내지 690nm 영역의 줌(zoom)(B)과 함께 보여진다.
도 3b로부터, 혼합된 N2/Ar 플라즈마를 사용하는 다른 결과들(findings)과는 대조적으로, 아르곤의 첨가는 여기된 분자 질소 밴드들(excited molecular nitrogen bands)에 유의미한 영향을 미치지 않았다는 것이 명백하다. 그러나, 혼합 플라즈마에서 아르곤-관련 방출선들의 강도들은 순수 아르곤 플라즈마에 비교하여 3 내지 4 배만큼 획기적으로 감소되었다. 그러므로, 혼합 플라즈마에서의 아르곤-관련 방출 강도의 감소는 아르곤 종으로부터 질소 종으로의 운동 에너지의 전달에 기인할 수 있으며, 분자 종 외에 다른 활성 질소 종의 형성을 향상시키고 성장 속도를 증가시킨다.
플라즈마에서의 아르곤의 영향들을 더 연구하기 위해, 조작기(manipulator)가 플럭스 측정 위치에 놓아지고, 컬렉터 바이어스를 0V로 유지되게 하면서 Keithley 6517B 전위계를 사용하여 컬렉터 전류를 측정했다. 측정 동안, 계통 전압은 0V로 설정되었고 플럭스 게이지 필라멘트는 플라즈마 소스를 향한 작은 개구부(opening)를 제외하고 컬렉터가 접지로 차폐되어(shielded) 오프되었다. 이것은 콜렉터에 도달하는 유일한 이온화되는/하전되는 종은 플라즈마 소스 자체로부터 오는 것, 및/또는 이온 게이지의 컬렉터 근처에서 생성되는 종들이었다는 것을 보장한다. 그러므로, 컬렉터는 컬렉터 전류가 아래에 논의되는 바와 같이 비록 간접적이긴해도 플라즈마의 이온 함량과 관련이 있는 Langmuir 탐침과 유사하게 기능했다. 도 4는 300W RF 전력에서 이 실험으로부터 얻은 탐침 전류를 질소/아르곤 플라즈마 조성들의 함수로뿐만 아니라, 질량 흐름률(mass flow rate), 및 개구 플레이트의 이론적 컨덕턴스에 의해 계산되는 플라즈마 벌브 내부의 (즉 개구 플레이트 뒤의) 대략적인 압력에 대한 함수로 보여준다.
제로 바이어스(zero bias)를 갖는 이 실험적 구성은 전자, 및 이온 둘 다의 컬렉션을 야기할 것이고, 그러므로 이온 함량과 관련되지만 동일하지는 않다는 것이 먼저 강조되어야 한다. 양의 바이어스가 계통(grid)에 인가되면, 양으로 하전된 일차 이온들(primary ions)은 배제되고 음으로 하전된 일차 전자들(primary electrons)은 끌어당겨지거나, 계통 상에 음의 바이어스에 대해서는 그 반대이다. 그러나, 이 실험에서 탐침 전류는 ±20V까지의 인가된 계통 바이어스에 관계없이 적어도 10nA의 크기로 항상 음의 값이었음을 확인했다. 플라즈마가 오프되어 있는 동안 탐침 전류가 10pA보다 작으므로, 이것은 측정 오프셋 오차가 아니었다. 그러므로, 이 지속적인 큰 음의 전류에 대한 유일한 합리적인 설명은 플라즈마 자체로부터의 일차 이온, 및 전자 전류들을 압도하는 일차 고 에너지 종(플라즈마로부터의 이온들, 및/또는 전자들)에 의해 생성되는 고밀도의 이차 전자들(secondary electrons)의 존재이다. 이차 전자들은 충돌 이온화(impact ionization), 또는 광전자 방출(photoemission)을 통해 인근의(nearby) 표면들로부터 생성될 수 있으며, 후자는 복잡하게 하는 요소로 인정되어 왔지만 이전의 더 상세한 특징화 노력들(characterization efforts)에서와 같이 여기에서는 무시되었다(discounted). 광 강도(optical intensity)의 경향들(이후 기술됨)은 탐침 전류의 경향들을 따르지 않기 때문에, 광전자 방출의 역할은 본 경우에서 무시할 수 있다고 가정된다. 그러나, 이러한 메커니즘들(충돌 이온화 및 광전자 방출) 둘 다는 플라즈마가 이온화를 초래하기에 충분히 높은 에너지의 일차 종을 생산하고, 그러므로, 성장 동안 샘플에 잠재적인 이온화 훼손을 생성한다는 것을 시사한다. 그러므로, 우리는 측정되는 컬렉터 전류들을 이온 전류의 직접적인 측정치로 취급하지 않고, 대신에 충돌 이온화가 이온 전류와 동일하지 않지만 관련이 있는 전류를 향상시켰다. 그러므로 전류의 부호와 상관없이, 전류의 변화들은 높은 에너지의, 잠재적으로 훼손하는 일차 플라즈마 종의 변화들로부터 유래하는 것으로 가정된다.
도 4로부터, 더 낮은 압력 영역(regime)에서, 순수 질소 플라즈마는 순수 아르곤 플라즈마와 비교하여 탐침 전류에서 100%보다 많은 획기적인 증가를 야기한다는 것이 명백하다. 게다가, 더 낮은 압력/흐름에서 아르곤으로 질소를 적절하게 희석하면, 샘플 표면에 충격을 가하고(bombarding) 훼손을 초래하는 고 에너지 종의 임의의 유해한 효과를 최소화하기 위해, 탐침 전류 및 이것에 의해 추론되는 이온/전자 일차 플럭스가 획기적으로 감소될 수 있다. 더 높은 플라즈마 압력은 이온 함량을 억제하여, 이온 함량이 플라즈마 조성에 상대적으로 영향을 받지 않게 만든다. 탐침 전류의 이러한 관찰은 고 에너지 종으로 인한 플라즈마 훼손을 제어하는 두 가지 메커니즘을 보여준다: 더 낮은 흐름 영역에서의 아르곤 희석에 의한 것 및 더 높은 흐름 영역에서의 압력을 통한 것.
도 5a 및 도 5b에서 분자 질소(A) 및 원자 질소(B) 전이들과 관련되는 650nm 및 821nm 플라즈마 방출선들에 대해 300W RF 전력에서의 방출 강도들이 보여진다. 도 5a에서의 여기된 분자 전이들로부터의 650nm 방출은 플라즈마 내의 질소 조성의 증가에 대해, 그리고 증가하는 압력에 대해 강도의 단조 증가를 보여준다. 흥미롭게도, 강도 경향들이 650nm 분자 증가들을 따르지 않는 도 5b의 821nm 원자 방출에서 실질적으로 상이한 경향이 보여질 수 있다. 25%, 및 50%의 더 낮은 질소 조성들에서, 원자 질소 강도는 증가하는 압력에 대해 증가한다. 그러나, 50%보다 많은 질소에서는 ~10mTorr에서 원자 방출 강도의 피크(peak)가 있으며, 이는 이후 더 높은 압력에서 감소한다. 순수 질소 플라즈마의 경우, 원자 방출 강도는 20mTorr에 비교하여 10mTorr에서 거의 55% 더 높다. 전체적인 원자 질소 강도는 20mTorr에서 질소가 단지 50%인 희석되는 플라즈마에 대해 가장 높다.
원자 질소 강도에서의 이러한 경향들은 이전에 기술되고 도 1a에 보여지는 것과 같이 아르곤을 이용하여 증가되는 성장 속도를 더 설명할 수 있다. 문헌에서, Ⅲ족 질화물들의 PAMBE 동안 질소 종(원자, 또는 분자)이 성장에 대한 주요 기여자(contributor)라는 명백한 합의(consensus)가 없다. 이 연구에서, 성장 속도가 가장 빠른 더 높은 플라즈마 압력에서, 분자 질소와 비교하여 원자 질소 강도의 경향들에 상당한 변이가 있다. 높은 압력/흐름의 경우, ~25-50%의 아르곤에 의한 희석은 분자 방출을 최소한으로 감소시키지만 플라즈마의 원자 방출 강도를 실질적으로 증가시킨다. 그러므로, 도 1a에서 관찰되는 성장 속도의 20-25% 증가는 전통적으로 가정되는 여기된 분자 종이 아니라, 원자 질소의 향상에 기인한다고 추정할 것이다. 10mTorr 이하의 더 낮은 플라즈마 챔버 압력들에서, 순수 질소 플라즈마를 사용할 때 분자, 및 원자 질소 둘 다의 강도들이 가장 높다. 하지만, 6㎛/시간보다 빠른 성장 속도들을 달성하기 위해 사용되는 것들과 같은 더 높은 압력들에서, ~50%의 아르곤 희석을 갖는 혼합 화학 플라즈마에 대해 원자 질소가 최대화된다. 여기서 보고되는 9.8㎛/시간의 최대 성장 속도는 ~30mTorr의 압력에서 ~72%의 질소 조성으로 달성되었다. 성장 속도, 및 구조/광 품질에 대한 원자, 및 분자 질소, 및 다양한 플라즈마 조건들의 상대적인 영향들을 연구하기 위해 더 심층적인 연구가 현재 진행 중이다. 그러나 플라즈마의 이러한 예비적 평가(preliminary characterization)로부터, 특히 본 명세서에서 보고되는 극히 빠른 성장 속도들에서, 원자, 및 분자 질소 종 둘 다가 중요하게 고려된다는 것은 명백하다.
이 연구에서, 달성되는 최대 성장 속도는 플라즈마 소스에 의해서는 제한되지 않았지만, 오히려 훨씬 더 빠른 성장 속도들이 가능해야 함을 나타내는 20sccm 질소 질량 흐름 제어기에 의해 제한되었다. 게다가, 질소, 및 아르곤을 낮은 유량들로 변화시킴으로써 성장 속도가 감소될 수 있다. 순수 질소에 대해, 플라즈마는 불충분한 배압 때문에 ~3sccm의 흐름에서 소멸되었다. 그러나, 그것은 1sccm의 질소와 7.7sccm의 아르곤의 조합을 사용함으로써 지속될 수 있고, 이는 1㎛/시간에 더 가까운 더 전통적인 성장 속도를 야기한다. 아르곤 함량을 더 낮춤으로써, 가능한 성장 속도들의 범위를 확대하기 위한 성장 속도의 추가적인 감소가 또한 달성 가능할 수 있다. ~1㎛/시간에서 9.8㎛/시간까지의 다양한 성장 속도는 두꺼운 버퍼층들, 또는 정밀하게 제어되는 양자 우물(quantum well)들의 빠른 성장을 위해 조정될(tuned) 수 있는 거의 10배의 달성 가능한 범위의 성장 속도들을 나타낸다.
Ge 대 Si 도핑
이러한 상승되는(elevated) 성장 속도들에서 충분한 n형 도핑을 달성하기 위해, Si 도핑 방법의 어떤 재검토가 필요하다. 전형적으로, Si를 사용하는 MOCVD 성장에서의 n형 도핑은 더 높은 Si 농도들에서의 형태적 열화(morphological degradation)뿐만 아니라, 냉각 동안의 인장 응력(tensile stress) 및 막 균열로 인해 낮은 또는 중간의 1019cm-3 레인지(low or mid 1019cm-3 range)로 제한된다. MBE에서, 주로 더 낮은 기판 온도로 인해, 이는 덜 중요한 문제이다. MME를 사용하여, RMS 거칠기가 단지 0.3nm인 900nm 두께의 막에 대해, 전자 농도는 2.5x1020cm-3까지이며 비저항(resistivity)은 5x10-4 Ω-cm 인 극히 높은 Si 도핑을 이전에 달성했다. 이 막은 ~1㎛/시간으로 성장되었고, Si 도펀트 셀은 1200℃를 넘는 온도를 요구했다. 그러나, 상승되는 성장 속도들에서 이러한 높은 수준의 도핑을 달성하기 위해서는, 훨씬 더 높은 셀 온도가 요구되어, 셀의 전력 한계들에 영향을 미치고(pushing) 이퓨젼 셀, 및/또는 도가니 수명을 감소시킬 것이다.
빠른 성장 속도들에서 이 도핑 과제를 피하기 위해, Ge의 사용이 대안으로 연구되었다. Si와 비교하여, Ge는 동일한 온도에서 대략 100배 더 높은(approximately two orders of magnitude higher) 증기압을 갖는다. 또는, Si와 동일한 증기압을 달성하기 위해, Ge 셀은 대략 200℃ 더 낮은 온도에서 작동될 수 있다. Ge는 GaN에서 Si와 유사한 활성화 에너지(activation energy)를 갖는 것으로 밝혀졌고, 격자에서 그것이 치환하는 Ga 원자에 더 가까운 원자 크기 일치로 인해, 결정에 실질적으로 더 적은 응력을 유도한다. 비슷한 활성화와 함께 더 낮은 온도 요구사항들을 고려하면, Ge는 빠른 성장속도의 GaN에 대해 우수한 대안으로 보일 것이다. 고정된 성장 속도, 및 Ga 플럭스와 함께 Ge 셀 온도를 760℃에서 1000℃로 변화시킴으로써 Ge의 사용을 조사했다. 도 6은 Ge 셀 온도의 함수로서 전자 농도(흑색 - 더 낮은 선)와 이동도(청색 -더 높은 선)를 보여준다. 이 연구에서 완전한 전기적 절연을 제공하고 표면 오염의 효과를 최소화하기 위해 사파이어 기판들을 사용했다. 저온 질화(nitridation) 후 ~500nm 두께의 AlN 버퍼층이 MME에 의해 성장되었다. 거의 2㎛/시간으로 성장되는 결과적인 AlN은 ~0.5nm의 RMS 거칠기와 함께, 대략 80arcsec의 (002) 로킹 커브(rocking curve) (오메가 스캔) 반치전폭(full width at half maximum)(FWHM)을 보였다. 650℃에서 성장된 Ge 도핑되는 GaN에 대해, 대략 1.8의 Ⅲ/V 비율과 함께 10초 개방 / 10초 폐쇄 셔터 변조(10s open / 10s closed shutter modulation)를 사용하는 MME가 이용되었고, Ge, 및 Ga 둘 다는 동시에 폐쇄되었다. 이러한 막들에 대한 플라즈마 조건은 4sccm의 N2 흐름과 함께 350W RF 전력에서 고정되었으며, 대략 2㎛/시간의 성장 속도를 산출했다.
도 6에서 전자 농도는 Ge 셀 온도에 대해 크게 예측 가능한(highly predictable) 지수적 의존성을 보인다. 달성되는 전자 농도는 760℃의 Ge 셀 온도에서의 2.2x1016cm-3으로부터 999℃의 Ge 셀 온도에서의 3.8x1019cm-3까지 다양했다. 이러한 낮은 도펀트 셀 온도들은 셀, 및 도가니의 마모를 감소시키는 동시에, 빠른 성장 속도들에서의 높은 n형 도핑을 위한 상당한 헤드룸(headroom)을 남긴다. 기준값으로서, 백그라운드 전자 농도를 특징화하기 위해 수 개의 의도하지 않게 도핑된(unintentionally doped)(UID) GaN 막들을 MME로 성장시켰다. MBE 성장 막들은 성장 속도에 반비례하는 백그라운드 불순물 농도(background impurity concentration)들을 가지기 때문에, 이러한 빠른 성장 속도들에서는 낮은 백그라운드 불순물 농도가 예상된다. 실제로, 앞서 논의되는 것과 동일한 조건들에서, UID GaN 막들은 50-100 Ω-cm 정도의 비저항과 함께 1-2x1015cm-3의 반복 가능한 백그라운드 전자 농도들을 보였다. 도 6에서 청색으로 보여지는 이동도는, Ge 셀 온도가 증가함에 따라 초기에 상승하고, 이후 일단 전자 농도가 ~4x1018cm-3을 초과하면 하강하기 시작한다. 비교적 낮은 전체적인 이동도와 함께, 이 경향은, 이러한 초기의 빠른 성장 속도에 대한 연구들의 미성숙한 성질에 기인하는 비교적 높은 전위 밀도(dislocation density)의 맥락에서 설명될 수 있다.
사파이어 상의 AlN 완충층들 상에 성장되는 이러한 최적화되지 않은(non-optimized) 1.8㎛ 두께 GaN 막들에서, XRD GaN (002), 및 (102) 오메가 로킹 커브 FWHM은 전형적으로, 각각 250arcsec, 및 1500arcsec 정도이다. 이 두 로킹 커브들로부터의 간단한 추정들에 기초하여, 이러한 Ge-도핑되는 막들의 스레딩 전위 밀도(threading dislocation density)는 5x109 내지 1x1010cm-2 정도일 것으로 예상된다. 이러한 비교적 높은 전위 밀도들에 대해, 이동도는 낮은 캐리어 농도들에서 전위 산란(dislocation scattering)에 의해 강하게 영향을 받는다. 더 높은 캐리어 농도들에서는 전하 스크리닝(charge screening)으로 인해 전위 산란이 최소화되는 한편, 매우 높은 도핑 농도들에서는 이온화되는 불순물 산란으로 인해 이동도가 다시 줄어든다. 그러므로, 이러한 Ge-도핑되는 샘플들에서의 이동도는 비교적 낮은 한편, 물리적 모델들에 의해 잘 기술되고 전위 밀도에 의해 제한된다. 이동도는 더 낮은 전위 밀도의 GaN 템플릿들, 또는 독립형(freestanding) GaN에서 성장될 때 실질적으로 더 높을 것이 예상된다.
본 명세서에 개시되는 실시예들, 및 청구항들은 설명에서 제공되고 도면들에서 도시되는 구성 요소들의 구성, 및 배치의 세부 내용들에 대한 그들의 응용에서 제한되지 않는다는 것을 이해해야 한다. 오히려, 설명, 및 도면들은 구상되는 실시예들의 예시들을 제공한다. 본 명세서에 개시되는 실시예들, 및 청구항들은 다른 실시예들을 더(further) 가능하게 할 수 있고, 다양한 방식들로 실시되고 수행될 수 있다. 또한, 본 명세서에 이용되는 어구 및 용어는 설명의 목적이며 청구항들을 제한하는 것으로 간주되어서는 안 되는 점을 이해해야 한다.
따라서, 본 기술분야의 통상의 기술자는 출원 및 청구항들이 기초하는 개념이 본 출원에 제시되는 실시예들 및 청구항들의 수 개의 목적을 수행하기 위한 다른 구조들, 방법들, 및 시스템들의 설계를 위한 기초로서 쉽게 이용될 수 있다는 것을 인식할 것이다. 그러므로, 청구항들이 그러한 동등한 구성들을 포함하는 것으로 간주되는 것이 중요하다.

Claims (71)

  1. 플라즈마 지원(plasma assisted) MBE 시스템으로서,
    기판을 갖는 성장 챔버;
    원격 플라즈마 챔버; 및
    상기 플라즈마 챔버를 상기 성장 챔버로부터 분리시키는 기체-컨덕턴스 배리어(gas-conductance barrier)
    를 포함하고,
    상기 성장 챔버는 압력 Pg를 갖고, 상기 플라즈마 챔버는 압력 Pp를 갖고, 상기 기체 컨덕턴스 배리어는 상기 압력 Pg가 상기 Pp보다 더 낮을 것을 허용하고;
    상기 시스템은 플라즈마의 질소 기체 흐름이 수학식 SCCM=(GR)*(AREA)/SCALE에 기초하여 스케일링되도록 구성되고,
    GR은 ㎛/시간 단위의 성장 속도;
    AREA는 인치^2 단위의 상기 기판의 크기; 및
    SCALE은 0.1과 50 사이에서 (㎛ 인치^2)/(SCCM-시간) 단위를 갖는 팩터인, 플라즈마 지원 MBE 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 Pp는 적어도 0.1mTorr인, 플라즈마 지원 MBE 시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 Pp는 적어도 1mTorr인, 플라즈마 지원 MBE 시스템.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 Pp는 적어도 10mTorr인, 플라즈마 지원 MBE 시스템.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 Pp는 적어도 100mTorr인, 플라즈마 지원 MBE 시스템.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 Pg는 0.1mTorr보다 작은, 플라즈마 지원 MBE 시스템.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 Pg는 0.05mTorr보다 작은, 플라즈마 지원 MBE 시스템.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 Pp는 적어도 5mTorr이고, 상기 Pg는 0.1mTorr보다 작은, 플라즈마 지원 MBE 시스템.
  9. 제1항 내지 제5항 또는 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플라즈마 챔버는 질소 및 비활성 기체 혼합물을 포함하는 플라즈마를 함유하고,
    상기 시스템은 상기 플라즈마의 질소 기체 흐름이 직경 2인치의 기판에 기초하여 적어도 3SCCM이도록 구성되는, 플라즈마 지원 MBE 시스템.
  10. 반도체 재료를 성장시키기 위한 진공 증착 시스템으로서,
    상기 반도체 재료를 성장시키기 위한 기판을 갖는 성장 챔버;
    원격 진공 챔버; 및
    상기 진공 챔버를 상기 성장 챔버로부터 분리시키는 기체-컨덕턴스 배리어
    를 포함하고;
    질소 기체 흐름은 수학식 SCCM=(GR)*(AREA)/SCALE에 기초하여 스케일링되고,
    GR은 ㎛/시간 단위의 성장 속도;
    AREA는 인치^2 단위의 기판의 크기; 및
    SCALE은 0.1과 50 사이에서 (㎛ 인치^2)/(SCCM-시간) 단위를 갖는 팩터인, 시스템.
  11. 제10항에 있어서,
    SCALE은 1과 20사이인, 시스템.
  12. 제1항 내지 제5항 또는 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플라즈마는 질소 기체, 및 헬륨, 네온, 아르곤 및 크세논으로 구성되는 군으로부터 선택되는 비활성 기체를 포함하는, 플라즈마 지원 MBE 시스템.
  13. 제1항 내지 제5항 또는 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플라즈마는 질소 기체, 및 아르곤 및 크세논으로 구성되는 군으로부터 선택되는 비활성 기체를 포함하는, 플라즈마 지원 MBE 시스템.
  14. 제1항 내지 제5항 또는 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플라즈마는 질소 기체, 및 아르곤을 포함하는, 플라즈마 지원 MBE 시스템.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 질소 대 비활성 기체의 비율은 1:20 내지 20:1인, 플라즈마 지원 MBE 시스템.
  16. 제9항에 있어서,
    상기 질소 대 비활성 기체의 비율은 1:1 내지 10:1인, 플라즈마 지원 MBE 시스템.
  17. 제1항 내지 제5항 또는 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 시스템은 상기 기체-컨덕턴스 배리어가 적어도 5L/초의 컨덕턴스 값을 갖도록 구성되는, 플라즈마 지원 MBE 시스템.
  18. 제1항 내지 제5항 또는 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 시스템은 상기 기체-컨덕턴스 배리어가 적어도 10L/초의 컨덕턴스 값을 갖도록 구성되는, 플라즈마 지원 MBE 시스템.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 컨덕턴스 값은 r2에 의해 스케일링되고, r은 멀티-웨이퍼 시스템(multi-wafer system)에서의 플래터(platter) 크기, 또는 싱글 웨이퍼 시스템(single wafer system)에서의 웨이퍼 크기인, 플라즈마 지원 MBE 시스템.
  20. 제1항 내지 제5항 또는 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은 Ⅲ족 금속 질화물을 포함하는, 플라즈마 지원 MBE 시스템.
  21. 제1항 내지 제5항 또는 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은 적어도 3㎛/시간의 속도로 성장하는 Ⅲ족 금속 질화물을 포함하는, 플라즈마 지원 MBE 시스템.
  22. 제1항 내지 제5항 또는 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은 적어도 8㎛/시간의 속도로 성장하는 Ⅲ족 금속 질화물을 포함하는, 플라즈마 지원 MBE 시스템.
  23. 제1항 내지 제5항 또는 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은 n형 도펀트로서 게르마늄을 포함하는, 플라즈마 지원 MBE 시스템.
  24. 제1항의 상기 시스템으로 Ⅲ족 금속 질화물 생성물을 성장시키기 위한 방법으로서,
    상기 기판 상에 III족 금속 질화물 생성물을 증착하는 단계;
    상기 원격 플라즈마 챔버로부터 상기 기체-컨덕턴스 배리어를 통해 상기 성장 챔버 내로 상기 플라즈마를 흐르게 하는 단계;
    상기 플라즈마의 이온 함량을 감소시키는 단계; 및
    상기 성장 챔버 내의 상기 기판 상에 3㎛/시간보다 큰 성장 속도로 상기 III족 금속 질화물 생성물의 두께를 성장시키는 단계
    를 포함하는, 방법.
  25. 제24항에 있어서, 상기 플라즈마의 이온 함량을 감소시키는 단계는 적어도 1mTorr의 상기 압력 Pg를 갖는 플라즈마를 제공하는 단계를 포함하는, 방법.
  26. 제24항 또는 제25항에 있어서, 상기 플라즈마의 이온 함량을 감소시키는 단계는 상기 플라즈마를 비활성 기체로 시드(seed)하는 단계를 포함하는, 방법.
  27. 제24항 또는 제25항에 있어서,
    상기 플라즈마는 질소, 및 네온, 아르곤 및 크세논으로 구성되는 군으로부터 선택되는 비활성 기체의 조합을 포함하는, 방법.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 플라즈마의 질소 기체 흐름은 직경 2인치의 기판에 기초하여 적어도 3SCCM인, 방법.
  29. 제27항에 있어서,
    상기 질소 기체 흐름은 수학식 SCCM=(GR)*(AREA)/SCALE에 기초하여 스케일링되고,
    GR은 ㎛/시간 단위의 성장 속도;
    AREA는 인치^2 단위의 기판의 크기; 및
    SCALE은 0.1과 50 사이에서 (㎛ 인치^2)/(SCCM-시간) 단위를 갖는 팩터인, 방법.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 SCALE은 1과 20 사이인, 방법.
  31. 제27항에 있어서,
    상기 질소 대 비활성 기체의 비율은 1:20 내지 20:1인, 방법.
  32. 제27항에 있어서,
    상기 질소 대 비활성 기체의 비율은 1:1 내지 10:1인, 방법.
  33. 제24항 또는 제25항에 있어서, 상기 Pp는 적어도 0.1mTorr인, 방법.
  34. 제33항에 있어서,
    Pp는 적어도 1mTorr인, 방법.
  35. 제33항에 있어서,
    Pp는 적어도 10mTorr인, 방법.
  36. 제33항에 있어서,
    Pp는 적어도 100mTorr인, 방법.
  37. 제33항에 있어서,
    Pg는 0.1mTorr보다 작은, 방법.
  38. 제33항에 있어서,
    Pg는 0.05mTorr보다 작은, 방법.
  39. 제33항에 있어서,
    Pp는 적어도 5mTorr이며, Pg는 0.1mTorr보다 작은, 방법.
  40. 제24항 또는 제25항에 있어서,
    기체-컨덕턴스 배리어는 적어도 5L/초의 컨덕턴스 값을 갖는, 방법.
  41. 제40항에 있어서,
    상기 컨덕턴스 값은 r2에 의해 스케일링되고, r은 멀티-웨이퍼 시스템에서의 플래터 크기, 또는 싱글 웨이퍼 시스템에서의 웨이퍼 크기인, 방법.
  42. 제24항 또는 제25항에 있어서,
    상기 Ⅲ족 금속 질화물 생성물의 성장 속도가 적어도 8㎛/시간인, 방법.
  43. 제24항 또는 제25항에 있어서,
    상기 Ⅲ족 금속 질화물 생성물을 n형 도펀트로 도핑하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  44. 제24항 또는 제25항에 있어서,
    상기 Ⅲ족 금속 질화물 생성물을 게르마늄으로 도핑하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  45. 플라즈마-지원 MBE에서 Ⅲ족 질화물들의 성장 속도를 증가시키는 방법으로서,
    질소 플라즈마가 비활성 기체에 의해 시드되고(seeded), 질소 유량이 적어도 5SCCM이고;
    상기 질소 기체 흐름은 수학식 SCCM=(GR)*(AREA)/SCALE에 기초하여 스케일링되고,
    GR은 ㎛/시간 단위의 성장 속도;
    AREA는 인치^2 단위의 기판의 크기; 및
    SCALE은 0.1과 50 사이에서 (㎛ 인치^2)/(SCCM-시간) 단위를 갖는 팩터인, 방법.
  46. 제45항에 있어서, 상기 SCALE은 1과 20 사이인, 방법.
  47. 제45항에 있어서, 상기 플라즈마의 압력은 적어도 1mTorr인, 방법.
  48. 제45항 내지 제47항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 비활성 기체는 헬륨, 네온, 아르곤, 및 크세논으로 구성되는 군으로부터 선택되는, 방법.
  49. 제45항 내지 제47항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플라즈마는 질소를 비활성 기체보다 적어도 5배 더 갖는, 방법.
  50. 제45항 내지 제47항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플라즈마는 질소를 비활성 기체보다 적어도 10배 더 갖는, 방법.
  51. 제45항 내지 제47항 중 어느 한 항에 있어서,
    질소 대 비활성 기체의 비율은 5:1 내지 20:1인, 방법.
  52. 플라즈마에서 질소 기체를 사용하는 플라즈마-지원 MBE에 의해 Ⅲ족 금속 질화물들을 성장시키는 방법으로서,
    플라즈마의 압력을 적어도 1mTorr로 증가시킴으로써 플라즈마의 이온 함량을 감소시키는 단계를 포함하고;
    상기 질소 기체 흐름은 수학식 SCCM=(GR)*(AREA)/SCALE에 기초하여 스케일링되고,
    GR은 ㎛/시간 단위의 성장 속도;
    AREA는 인치^2 단위의 기판의 크기; 및
    SCALE은 0.1과 50 사이에서 (㎛ 인치^2)/(SCCM-시간) 단위를 갖는 팩터인, 방법.
  53. 제52항에 있어서,
    헬륨, 네온, 아르곤, 및 크세논으로 구성되는 군으로부터 선택되는 비활성 기체를 질소 플라즈마에 첨가하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  54. 제52항에 있어서,
    아르곤을 포함하는 비활성 기체를 질소 플라즈마에 첨가하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  55. 제53항 또는 제54항에 있어서,
    상기 플라즈마는 질소를 비활성 기체보다 적어도 5배 더 갖는, 방법.
  56. 제53항 또는 제54항에 있어서,
    질소 유량은 적어도 5SCCM인, 방법.
  57. 제52항 내지 제54항 어느 하나 항에 있어서,
    상기 SCALE은 1과 20 사이인, 방법.
  58. 제10항의 상기 시스템으로 반도체 재료를 성장시키기 위한 진공 증착 방법으로서,
    상기 원격 진공 챔버로부터 상기 기체-컨덕턴스 배리어를 통해 상기 성장 챔버 내로 플라즈마를 흐르게 하는 단계; 및
    상기 성장 챔버에서 상기 반도체 재료를 성장시키는 단계
    를 포함하고;
    상기 플라즈마의 압력은 적어도 1mTorr인, 방법.
  59. 제58항에 있어서, 상기 반도체 재료의 성장 속도는 3㎛/시간보다 큰, 방법.
  60. 제58항에 있어서, 상기 반도체 재료의 성장 속도는 4㎛/시간보다 큰, 방법.
  61. 제58항에 있어서, 상기 반도체 재료의 성장 속도는 8㎛/시간보다 큰, 방법.
  62. III족 금속 질화물 생성물을 성장시키기 위한 방법으로서,
    질소 및 비활성 기체를 포함하는 플라즈마를 원격 플라즈마 챔버로부터 기체-컨덕턴스 배리어를 통해 성장 챔버 내로 흐르게 하는 단계; 및
    적어도 3㎛/시간의 성장 속도로 상기 성장 챔버 내의 기판 상에 III족 금속 질화물 생성물을 성장시키는 단계
    를 포함하고,
    상기 질소 기체 흐름은 수학식 SCCM=(GR)*(AREA)/SCALE에 기초하여 스케일링되고,
    GR은 ㎛/시간 단위의 성장 속도;
    AREA는 인치^2 단위의 기판의 크기; 및
    SCALE은 0.1과 50 사이에서 (㎛ 인치^2)/(SCCM-시간) 단위를 갖는 팩터인, 방법.
  63. 제62항에 있어서, 상기 플라즈마의 상기 질소 가스 흐름은 2인치 직경의 기판에 기초하여 적어도 3SCCM인, 방법.
  64. 제62항 또는 제63항에 있어서, 상기 질소 대 비활성 기체의 비율은 1:20 내지 20:1인, 방법.
  65. 제62항 또는 제63항에 있어서, 상기 질소 대 비활성 기체의 비율은 1:1 내지 10:1인, 방법.
  66. 제62항 또는 제63항에 있어서, 상기 성장 챔버는 압력 Pg를 갖고, 상기 플라즈마 챔버는 압력 Pp를 갖고, 상기 기체 컨덕턴스 배리어는 상기 압력 Pg가 상기 Pp보다 더 낮도록 허용하고;
    Pp는 적어도 0.1 mTorr인, 방법.
  67. 제62항 또는 제63항에 있어서, 상기 성장 챔버는 압력 Pg를 갖고, 상기 플라즈마 챔버는 압력 Pp를 갖고, 상기 기체 컨덕턴스 배리어는 상기 압력 Pg가 상기 Pp보다 더 낮도록 허용하고;
    Pp는 적어도 100 mTorr인, 방법.
  68. 제62항 또는 제63항에 있어서, 상기 성장 챔버는 압력 Pg를 갖고, 상기 플라즈마 챔버는 압력 Pp를 갖고, 상기 기체 컨덕턴스 배리어는 상기 압력 Pg가 상기 Pp보다 더 낮도록 허용하고;
    Pg는 0.1mTorr보다 작은, 방법.
  69. 제62항 또는 제63항에 있어서, 상기 기체-컨덕턴스 배리어는 적어도 5L/초의 컨덕턴스 값을 갖는, 방법.
  70. 제62항 또는 제63항에 있어서, 상기 III족 금속 질화물 생성물의 성장 속도는 적어도 8㎛/시간인, 방법.
  71. 제62항 또는 제63항에 있어서, 상기 III족 금속 질화물 생성물을 n형 도펀트로 도핑하는 단계를 더 포함하는, 방법.
KR1020187001465A 2015-06-16 2016-06-16 Iii족 질화물 반도체 성장 속도를 증가 및 이온 플럭스 훼손의 감소를 위한 시스템 및 방법 KR102657362B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562180167P 2015-06-16 2015-06-16
US62/180,167 2015-06-16
PCT/US2016/037930 WO2016205562A1 (en) 2015-06-16 2016-06-16 System and method for increasing iii-nitride semiconductor growth rate and reducing damaging ion flux

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180030051A KR20180030051A (ko) 2018-03-21
KR102657362B1 true KR102657362B1 (ko) 2024-04-16

Family

ID=57546331

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187001465A KR102657362B1 (ko) 2015-06-16 2016-06-16 Iii족 질화물 반도체 성장 속도를 증가 및 이온 플럭스 훼손의 감소를 위한 시스템 및 방법

Country Status (4)

Country Link
US (2) US10526723B2 (ko)
EP (1) EP3311395A4 (ko)
KR (1) KR102657362B1 (ko)
WO (1) WO2016205562A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6123019B2 (ja) * 2014-03-03 2017-04-26 株式会社村田製作所 窒化アルミニウム圧電薄膜、圧電材、圧電部品及び窒化アルミニウム圧電薄膜の製造方法
EP3311395A4 (en) * 2015-06-16 2019-01-23 Georgia Tech Research Corporation SYSTEM AND METHOD FOR INCREASING NITRIDE III SEMICONDUCTOR GROWTH SPEED AND DAMAGING ION CURRENT REDUCTION
US10283349B2 (en) * 2016-05-27 2019-05-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Single-crystal rare earth oxide grown on III-V compound

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100277833B1 (ko) * 1998-10-09 2001-01-15 정선종 라디오파 유도 플라즈마 소스 발생장치
US20040072425A1 (en) 2002-03-14 2004-04-15 Yongijie Cui Mbe-method for production of a gallium manganese nitride ferromagnetic film

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5248631A (en) * 1990-08-24 1993-09-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Doping of iib-via semiconductors during molecular beam epitaxy using neutral free radicals
US5291507A (en) * 1991-05-15 1994-03-01 Minnesota Mining And Manufacturing Company Blue-green laser diode
WO2006034540A1 (en) 2004-09-27 2006-04-06 Gallium Enterprises Pty Ltd Method and apparatus for growing a group (iii) metal nitride film and a group (iii) metal nitride film
FR2981952B1 (fr) * 2011-11-02 2015-01-02 Fabien Gaben Procede de realisation de couches minces denses par electrophorese
EP3311395A4 (en) * 2015-06-16 2019-01-23 Georgia Tech Research Corporation SYSTEM AND METHOD FOR INCREASING NITRIDE III SEMICONDUCTOR GROWTH SPEED AND DAMAGING ION CURRENT REDUCTION

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100277833B1 (ko) * 1998-10-09 2001-01-15 정선종 라디오파 유도 플라즈마 소스 발생장치
US20040072425A1 (en) 2002-03-14 2004-04-15 Yongijie Cui Mbe-method for production of a gallium manganese nitride ferromagnetic film

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Brian M. M. 외 4, Plasma assisted molecular beam epitaxy of GaN with growth rates>2.6㎛/h, Journal of Crystal Growth 386(2014) 168-174.*

Also Published As

Publication number Publication date
EP3311395A4 (en) 2019-01-23
US11319644B2 (en) 2022-05-03
EP3311395A1 (en) 2018-04-25
US20180135202A1 (en) 2018-05-17
KR20180030051A (ko) 2018-03-21
US20200141026A1 (en) 2020-05-07
US10526723B2 (en) 2020-01-07
WO2016205562A1 (en) 2016-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20100289030A9 (en) Diamond semiconductor element and process for producing the same
Gunning et al. Control of ion content and nitrogen species using a mixed chemistry plasma for GaN grown at extremely high growth rates> 9 μm/h by plasma-assisted molecular beam epitaxy
US11319644B2 (en) System and method for increasing group III-nitride semiconductor growth rate and reducing damaging ion flux
JP2022105014A (ja) Ｉｉｉａ族窒化物成長システムおよび方法
US10000381B2 (en) Systems and methods for growing a non-phase separated group-III nitride semiconductor alloy
US20120204957A1 (en) METHOD FOR GROWING AlInGaN LAYER
JP2020037507A (ja) 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板
Zhong et al. Low-temperature growth of high c-orientated crystalline GaN films on amorphous Ni/glass substrates with ECR-PEMOCVD
US6869806B2 (en) Method and apparatus for the production of a semiconductor compatible ferromagnetic film
Liu et al. Low-temperature growth of highly c-oriented GaN films on Cu coated glass substrates with ECR-PEMOCVD
Cheng et al. Fabrication of tunable n-Zn1-xCdxO/p-GaN heterojunction light-emitting diodes
JP7296614B2 (ja) 窒化物半導体の製造方法、窒化物半導体、及び発光素子
US20150162186A1 (en) Method for producing a layer of a compound semiconductor
Koblmüller et al. Molecular beam epitaxy of nitrides for advanced electronic materials
Mamutin et al. MBE GaN grown on (101) NdGaO3 substrates
JP2006140397A (ja) 窒化物系化合物半導体製造装置
US20230039342A1 (en) Heteroepitaxial growth method of compound semiconductor materials on multi-oriented semiconductor substrates and devices
JP5076236B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
Gunning et al. Control of Ion Content and Nitrogen Species Using a Mixed Chemistry Plasma for GaN Grown at Extremely High Growth Rates> 9µm/hour by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
JP7037991B2 (ja) 導電層を備える積層体、および、半導体装置
Wang et al. Improved GaN x As 1− x quality grown by molecular beam epitaxy with dispersive nitrogen source
Novikov et al. Molecular beam epitaxy of free‐standing bulk wurtzite AlxGa1‐xN layers using a highly efficient RF plasma source
Novikov et al. MBE of GaN with DC-plasma source for nitrogen activation
Kim et al. Effect of nitrogen species and energy on the crystallinity and luminescent properties of GaN films grown by the reactive neutral beam-assisted evaporation process
Rangaswamy Epitaxial growth of p-type doped III-V nitride semiconductor on sapphire substrate using remote plasma metal organic chemical vapor deposition

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant