JPWO2019059077A1 - 近赤外線カットフィルタの製造方法、積層体およびキット - Google Patents

Abstract

平面性の高い近赤外線カットフィルタを生産性よく製造できる近赤外線カットフィルタの製造方法、積層体およびキットを提供する。この近赤外線カットフィルタの製造方法は、基板の表面に支持体層を形成する工程と、支持体層の表面に、近赤外線吸収剤を含む近赤外線吸収組成物を塗布して近赤外線吸収組成物層を形成する工程と、近赤外線吸収組成物層を硬化処理して近赤外線カットフィルタ層を形成する工程と、基板から、支持体と近赤外線カットフィルタ層との積層体を剥離する工程と、基板から剥離した積層体から支持体層を剥離する工程と、を含む。

Description

本発明は、近赤外線カットフィルタの製造方法に関する。また近赤外線カットフィルタの製造方法に用いられる積層体およびキットに関する。

ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、カメラ機能付き携帯電話などにはカラー画像の固体撮像素子である、電荷結合素子（ＣＣＤ）や、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）などが用いられている。これら固体撮像素子は、その受光部において近赤外線に感度を有するシリコンフォトダイオードを使用しているために、視感度補正を行うことが必要であり、近赤外線カットフィルタを用いることが多い。

近赤外線カットフィルタとしては、ガラス基板などの剛性の高い基板上に近赤外線吸収剤を含む組成物を塗布して製膜したものなどが用いられている。

例えば、特許文献１には、基板と、基板上に配設された、テトラアザポルフィリン系色素と、ジイモニウム塩の非晶質体からなるジイモニウム系近赤外線吸収色素と、紫外線吸収剤と、銅錯体またはニッケル錯体からなる光安定剤と、アクリル系粘着剤を含有する粘着層と、を備える光学フィルタが記載されている。また、段落番号０１７４〜０１７７には、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムの表面にシリコーン樹脂層を形成した剥離フィルム上に、粘着剤組成物を塗布し、乾燥して厚さ２５μｍの近赤外線吸収粘着層を形成して粘着フィルムを製造し、得られた粘着フィルムを反射防止フィルムに貼り合わせた後、剥離フィルムを剥がし、これをガラス基板に貼り合わせて光学フィルタを製造することが記載されている。

特許文献２には、透明基材と、極大吸収波長が７５０ｎｍ〜９２０ｎｍである近赤外線吸収剤を含む近赤外線吸収層と、コレステリック液晶相を固定化してなる少なくとも１層の近赤外線反射層とを有する赤外線カットフィルムが記載されている。

特開２０１５−１６４９号公報 特開２０１４−７１３５６号公報

近赤外線吸収剤を含む組成物を用いて膜を形成する際において、膜の平面性や厚みムラなどを抑制するためガラス基板などの剛性の高い基板上に近赤外線吸収剤を含む組成物を塗布して製膜されている。従来より近赤外線カットフィルタとしては、前述の膜をガラス基板などに積層した状態で用いられていたが、近年では前述の膜自体に剛性を付与して自己支持性（自立性）を有する膜とし、製膜後の膜を基板などから剥離して用いることが検討されている。

しかしながら、本発明者の検討によれば、製膜後の膜を基板などから剥離する際において、膜に亀裂や割れなどが生じることがあった。特に膜の剛性が高い場合においては、基板からの剥離が困難な場合があり、剥離時に膜に亀裂や割れなどが生じやすかった。剥離時に膜に亀裂や割れなどが生じると、製品の歩留まりが低下するので生産性の低下につながる。

なお、特許文献１、２は、近赤外線吸収剤を含む組成物を用いて得られる膜を基板に積層して用いたり、他の部材に貼り付けたりラミネートして用いているが、基板などから近赤外線吸収剤を含む組成物を用いて得られる膜のみを剥離することについての記載はない。

よって、本発明の目的は、平面性の高い近赤外線カットフィルタを生産性よく製造できる近赤外線カットフィルタの製造方法、積層体およびキットを提供することにある。

本発明者らが鋭意検討を行った結果、後述する工程を経ることにより、平面性の高い近赤外線カットフィルタを生産性よく製造できることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明は、以下を提供する。
＜１＞ 基板の表面に支持体層を形成する工程と、
支持体層の表面に、近赤外線吸収剤を含む近赤外線吸収組成物を塗布して近赤外線吸収組成物層を形成する工程と、
近赤外線吸収組成物層を硬化処理して近赤外線カットフィルタ層を形成する工程と、
基板から、支持体層と近赤外線カットフィルタ層との積層体を剥離する工程と、
基板から剥離した積層体から支持体層を剥離する工程と、
を含む、近赤外線カットフィルタの製造方法。
＜２＞ 基板の平面度が１４μｍ以下で、２３℃での幅１ｍｍあたりの曲げ剛性が支持体層よりも大きい、＜１＞に記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
＜３＞ 支持体層は高分子フィルムを含む、＜１＞または＜２＞に記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
＜４＞ 高分子フィルムの軟化温度が、近赤外線吸収組成物層の硬化処理時の最高到達温度よりも高い、＜３＞に記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
＜５＞ 高分子フィルムの２３℃での破断伸び率が５％以上であって、かつ、近赤外線カットフィルタ層の破断伸び率よりも大きく、
高分子フィルムの２３℃での幅１ｍｍあたりの曲げ剛性が４×１０^−６Ｐａ・ｍ^４以下で、かつ、近赤外線カットフィルタ層の幅１ｍｍあたりの曲げ剛性よりも小さい、＜３＞または＜４＞に記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
＜６＞ 支持体層は、近赤外線カットフィルタ層側の剥離力が９Ｎ／２５ｍｍ以下である、＜１＞〜＜５＞のいずれかに記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
＜７＞ 支持体層は、基板側の剥離力が１５．５Ｎ／２５ｍｍ以下である、＜１＞〜＜６＞のいずれかに記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
＜８＞ 支持体層の近赤外線カットフィルタ層側の剥離力が、基板側の剥離力よりも大きい、＜１＞〜＜７＞のいずれかに記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
＜９＞ 支持体層の近赤外線カットフィルタ層側の剥離力が、基板側の剥離力よりも小さい、＜１＞〜＜７＞のいずれかに記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
＜１０＞ 支持体層の近赤外線カットフィルタ層側の剥離力が、基板側の剥離力と同じである、＜１＞〜＜７＞のいずれかに記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
＜１１＞ 近赤外線吸収組成物層を形成する工程は、支持体層の表面に近赤外線吸収組成物を塗布して近赤外線吸収組成物層を形成するとともに、支持体層の表面の少なくとも一部に近赤外線吸収組成物層が設けられていない余白部を形成する、＜１＞〜＜１０＞のいずれかに記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
＜１２＞ 支持体層の膜厚が１〜１０００μｍである、＜１＞〜＜１１＞のいずれかに記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
＜１３＞ 近赤外線カットフィルタ層の膜厚が１〜５００μｍである、＜１＞〜＜１２＞のいずれかに記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
＜１４＞ 近赤外線カットフィルタ層は、２３℃での幅１ｍｍあたりの曲げ剛性が５×１０^−６Ｐａ・ｍ^４以下で、２３℃での破断伸び率が１０％以下である、＜１＞〜＜１３＞のいずれかに記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
＜１５＞ 近赤外線吸収組成物は、銅錯体と樹脂とを含む、＜１＞〜＜１４＞のいずれかに記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
＜１６＞ 樹脂は、架橋性基を有する樹脂を含む、＜１５＞に記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
＜１７＞ 近赤外線吸収組成物は、架橋性基を有するモノマーを含む、＜１５＞または＜１６＞に記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
＜１８＞ 基板と、支持体層と、近赤外線吸収剤を含む近赤外線カットフィルタ層とを有し、
支持体層の一方の面が基板と接しており、支持体層の他方の面が近赤外線カットフィルタ層と接しており、
支持体層は、高分子フィルムを有し、
基板は、平面度が１４μｍ以下で、２３℃での幅１ｍｍあたりの曲げ剛性が支持体層よりも大きい、積層体。
＜１９＞ ＜１＞〜＜１７＞のいずれかに記載の近赤外線カットフィルタの製造方法に用いられるキットであって、
高分子フィルムを有する支持体層と、
平面度が１４μｍ以下で、２３℃での幅１ｍｍあたりの曲げ剛性が支持体層よりも大きい基板と、
近赤外線吸収剤を含む近赤外線吸収組成物と、を有するキット。

本発明によれば、平面性の高い近赤外線カットフィルタを生産性よく製造できる近赤外線カットフィルタの製造方法、積層体およびキットを提供することができる。

近赤外線カットフィルタの製造方法における支持層を形成する工程を示す図面である。 図１の平面図であって、基板１０に対して垂直方向下面側から見た平面図である。 近赤外線カットフィルタの製造方法における近赤外線吸収組成物層を形成する工程を示す図面である。 図３の平面図であって、基板１０に対して垂直方向上面側から見た平面図である。 近赤外線カットフィルタの製造方法における近赤外線カットフィルタ層を形成する工程を示す図面である。 近赤外線カットフィルタの製造方法における積層体を剥離する工程（第一剥離工程）を示す図面である。 近赤外線カットフィルタの製造方法における近赤外線カットフィルタ層を剥離する工程（第二剥離工程）を示す図面である。 近赤外線カットフィルタの製造方法における剥離準備工程を示す図面である。

以下において、本発明の内容について詳細に説明する。
本明細書において「〜」とはその前後に記載される数値を下限値および上限値として含む意味で使用される。
本明細書において、「（メタ）アクリレート」は、アクリレートおよびメタクリレートを表し、「（メタ）アリル」は、アリルおよびメタリルを表し、「（メタ）アクリル」は、アクリルおよびメタクリルを表し、「（メタ）アクリロイル」は、アクリロイルおよびメタクリロイルを表す。
本明細書における基（原子団）の表記において、置換および無置換を記していない表記は置換基を有さない基（原子団）と共に置換基を有する基（原子団）をも包含する。
本明細書において、化学式中のＭｅはメチル基を、Ｅｔはエチル基を、Ｐｒはプロピル基を、Ｂｕはブチル基を、Ｐｈはフェニル基をそれぞれ示す。
本明細書において、近赤外線とは、波長領域が７００〜２５００ｎｍの光（電磁波）をいう。
本明細書において、全固形分とは、組成物の全成分から溶剤を除いた成分の総質量をいう。
本明細書において、重量平均分子量および数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）測定によるポリスチレン換算値として定義される。

＜近赤外線カットフィルタの製造方法＞
本発明の近赤外線カットフィルタの製造方法について、図面を用いて説明する。図１〜５は、本発明の近赤外線カットフィルタの製造方法の工程を示す図である。
本発明の近赤外線カットフィルタの製造方法は、
基板１０の表面に支持体層２０を形成する工程（図１、２参照）と、
支持体層２０の表面に、近赤外線吸収剤を含む近赤外線吸収組成物を塗布して近赤外線吸収組成物層３０を形成する工程（図３、４参照）と、
近赤外線吸収組成物層３０を硬化処理して近赤外線カットフィルタ層３１を形成する工程（図５参照）と、
基板１０から、支持体層２０と近赤外線カットフィルタ層３１との積層体４０を剥離する工程（図６参照）と、
基板から剥離した上記の積層体４０から支持体層２０を剥離する工程（図７参照）と、
を含むことを特徴とする。

本発明の近赤外線カットフィルタの製造方法によれば、平面性の高い近赤外線カットフィルタを生産性よく製造できる。
すなわち、表面に支持体層２０が形成された基板１０上に近赤外線吸収組成物を塗布して近赤外線吸収組成物層３０を形成するので、近赤外線吸収組成物の塗布性が良好であり、塗布ムラや製膜時の厚みムラの発生を効果的に抑制できる。このため、平面性の高い近赤外線カットフィルタを形成することができる。
そして、図５〜７に示すように、支持体層２０の表面に形成した近赤外線吸収組成物層３０を硬化処理して近赤外線カットフィルタ層３１を形成した後、この基板１０と支持体層２０と近赤外線カットフィルタ層３１との積層体から、支持体層２０と近赤外線カットフィルタ層３１との積層体４０を剥離して、積層体４０と、基板１０とに分離し、次いで、積層体４０から支持体層２０を剥離して、支持体層２０と近赤外線カットフィルタ層３１とに分離することにより、近赤外線カットフィルタ層３１の剥離時において、近赤外線カットフィルタ層３１の曲率を抑えて剥離することができる。このため、剥離時における近赤外線カットフィルタ層３１の割れ等の発生を効果的に抑制できる。このため、本発明によれば、平面性の高い近赤外線カットフィルタを生産性よく製造できる。以下、本発明の近赤外線カットフィルタの製造方法の各工程について詳細に説明する。

（支持体層を形成する工程）
図１、２に示すように、まず、基板１０の表面に支持体層２０を形成する。基板１０の表面に支持体層２０を押圧、転圧等の方法で積層することで、基板１０の表面に支持体層２０を形成することができる。なお、図２に示すように、この実施形態では、基板１０の表面に形成された支持体層２０の平面面積が基板１０の平面面積より大きく、支持体層２０の基板１０より外側に基板１０が存在しない余白部が設けられているが、基板１０の表面に形成された支持体層２０の平面面積は、基板１０の平面面積と同じであってもよく、基板１０の平面面積の方が大きくてもよい。剥離性の観点から、支持体層２０は、基板１０より外側に余白部が設けられていることが好ましい。この態様によれば、後述の図６に示す工程にて、支持体層２０の余白部を把持して上述の積層体４０を基板１０から剥離することができ、剥離時の作業性が良好である。

基板１０の材質としては、特に限定はなく、ガラス、セラミックス、金属等が挙げられる。基板１０は、平面度および曲げ剛性の高いことが好ましい。曲げ剛性および平面度の高い基板を用いることで、塗布ムラや、厚みムラのより少ない近赤外線吸収組成物層を形成することができる。このため、より平面度の高い近赤外線カットフィルタを製造することができる。また、曲げ剛性の高い基板は湾曲させにくいが、このような曲げ剛性の高い基板を用いた場合であっても、本発明によれば、基板１０の剥離時における近赤外線カットフィルタ層３１の曲率を小さくできる。このため、割れ等が生じることなく近赤外線カットフィルタ層３１を基板１０から分離でき、本発明の効果がより顕著である。

基板１０の平面度は、１４μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以下であることがより好ましく、７μｍ以下であることが更に好ましい。なお、基板の平面度は平面測定用フィゾー干渉計を用い、直径６０ｍｍ範囲の干渉縞をカウントして測定した値である。
測定装置としては、「Ｆ６０１」（富士フイルム（株）製）を用いることができる。

基板１０の幅１ｍｍあたりの曲げ剛性は、支持体層よりも大きいことが好ましい。ここで、曲げ剛性とは、ある力を加えた際にどの程度曲がるかを示す値であり、曲げ剛性の値が大きいほど、曲がりにくいことを表している。このような曲げにくい基板を用いた場合においても、本発明によれば基板１０の剥離時における近赤外線カットフィルタ層の曲率を抑えて剥離することができ、本発明の効果がより顕著である。基板１０の幅１ｍｍあたりの曲げ剛性は、６×１０^−６Ｐａ・ｍ^４以上であることが好ましく、２×１０^−５Ｐａ・ｍ^４以上であることがより好ましく、９×１０^−５Ｐａ・ｍ^４以上であることが更に好ましい。なお、基板の曲げ剛性はＪＩＳ Ｋ ７１７１に準拠した方法に基づき２３℃で測定したヤング率及び使用する基板形状から算出される断面二次モーメントに基づいた計算値である。

基板１０の厚さは、０．１〜１０ｍｍであることが好ましい。上限は８ｍｍ以下であることが好ましく、５ｍｍ以下であることがより好ましい。下限は０．２ｍｍ以上であることが好ましく、０．５ｍｍ以上であることがより好ましい。厚みの大きい基板は湾曲させにくい傾向にあるが、本発明によれば、厚みの大きい基板を用いた場合であっても、支持体層２０が介在していることによって基板１０の剥離時における近赤外線カットフィルタ層３１の曲率を小さくすることができるので、割れ等が生じることなく近赤外線カットフィルタ層３１を基板１０から分離でき、本発明の効果がより顕著である。

支持体層２０の膜厚は１〜１０００μｍであることが好ましい。上限は９００μｍ以下であることが好ましく、８００μｍ以下であることがより好ましい。下限は２５μｍ以上であることが好ましく、４０μｍ以上であることがより好ましい。

支持体層２０としては、高分子フィルムを含むことが好ましい。高分子フィルムとしては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ４−メチルペンテン−１、ポリブテン−１等のポリオレフィン樹脂；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル樹脂；ポリカーボネート樹脂；ポリ塩化ビニル樹脂；ポリフェニレンスルフィド樹脂；ポリエーテルスルホン樹脂；ポリエチレンスルフィド樹脂；ポリフェニレンエーテル樹脂；スチレン樹脂；（メタ）アクリル樹脂；ポリアミド樹脂；ポリイミド樹脂；セルロースアセテート等のセルロース樹脂などの素材からなるフィルム又はこれらの積層フィルムが挙げられる。

高分子フィルムの軟化温度は、近赤外線吸収組成物層３０の硬化処理時の最高到達温度よりも高いことが好ましく、２０℃以上高いことがより好ましく、４０℃以上高いことが更に好ましい。この態様によれば、近赤外線吸収組成物層の硬化処理において、支持体層２０の変形などを効果的に抑制できる。その結果、厚みムラのより少ない近赤外線カットフィルタ層を形成し易く、より平面性の高い近赤外線カットフィルタが得られやすい。また、高分子フィルムの軟化温度は１００℃以上であることが好ましく、１５０℃以上であることがより好ましい。なお、高分子フィルムの軟化温度はＪＩＳ Ｋ ７１９６に準拠した方法で測定した値である。また、硬化処理時の最高到達温度とは、近赤外線吸収組成物層３０の硬化処理時において、近赤外線吸収組成物層３０の温度の表面温度が最高点に到達した時点での温度の値を指す。

高分子フィルムは、破断伸び率が５％以上であって、かつ、近赤外線カットフィルタ層３１の破断伸び率よりも大きく、幅１ｍｍあたりの曲げ剛性が４×１０^−６Ｐａ・ｍ^４以下で、かつ、近赤外線カットフィルタ層の幅１ｍｍあたりの曲げ剛性よりも小さいことが好ましい。破断伸び率はＪＩＳ Ｋ ７１６１の方法で測定した２３℃での値である。幅あたりの曲げ剛性はＪＩＳ Ｋ ７１７１に基づき２３℃で測定したヤング率及び使用する高分子フィルムの形状から算出される断面二次モーメントに基づいた計算値である。このような高分子フィルムを含む支持体層を用いることで、剥離時における近赤外線カットフィルタ層３１の割れ等の発生を効果的に抑制できる。

高分子フィルムの膜厚は、１〜１０００μｍであることが好ましい。上限は９００μｍ以下であることが好ましく、８００μｍ以下であることがより好ましい。下限は２５μｍ以上であることが好ましく、４０μｍ以上であることがより好ましい。

支持体層２０は、高分子フィルムのみで構成されていてもよく、高分子フィルムの表面に離型層が形成されていてもよいが、剥離性の観点から高分子フィルムの表面に離型層が形成されていることが好ましく、高分子フィルムの両面に離型層が形成されていることがより好ましい。高分子フィルムの表面に離型層を形成する方法としては、高分子フィルムの表面に離型剤を含む離型層形成用組成物を塗布および乾燥して離型層を形成する方法、高分子フィルムの表面に離型フィルムを貼付して離型層を形成する方法などが挙げられる。離型層形成用組成物に用いられる離型剤としては、シリコーン系離型剤、フッ素系離型剤などが挙げられる。離型フィルムとしては、例えば、ＳＧ−１、ＳＧ−２Ｓ、ＴＰ−０３、ＰＸ１２５Ｈ８Ｃ５０、ＰＸ１２５ＡＦＰ２ＳＫＢ５０（以上、パナック（株）製）などが挙げられる。

支持体層２０の近赤外線カットフィルタ層３１側の剥離力は、９Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましく、７Ｎ／２５ｍｍ以下であることがより好ましく、５Ｎ／２５ｍｍ以下であることが更に好ましい。また、支持体層２０の基板１０側の剥離力は、１５．５Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましく、１０Ｎ／２５ｍｍ以下であることがより好ましく、５Ｎ／２５ｍｍ以下であることが更に好ましく、２Ｎ／２５ｍｍ以下であることが更により好ましく、０．５Ｎ／２５ｍｍ以下であることがより一層好ましく、０．２Ｎ／２５ｍｍ以下であることが更に一層好ましく、０．１５Ｎ／２５ｍｍ以下であることが特に一層好ましく、０．１Ｎ／２５ｍｍ以下であることが最も一層好ましい。支持体層２０の剥離力が上記範囲であれば、剥離性が良好であり、剥離時における近赤外線カットフィルタ層３１の割れ等の発生を効果的に抑制できる。なお、剥離力は接着対象に３１Ｂテープ（日東電工（株）製）を用い、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、剥離角度１８０度とし、その他はＪＩＳ Ｚ ０２３７に準拠した方法で測定した値である。

支持体層２０の近赤外線カットフィルタ層３１側の剥離力は、支持体層２０の基板１０側の剥離力と同じであってもよく、支持体層２０の基板１０側の剥離力よりも小さくてもよく、支持体層２０の基板１０側の剥離力よりも大きくてもよい。支持体層２０の近赤外線カットフィルタ層３１側の剥離力が支持体層２０の基板１０側の剥離力よりも大きい場合は、後述の第一剥離工程で積層体４０を剥がす際、支持体層２０から近赤外線カットフィルタ層３１が剥離しにくく、近赤外線カットフィルタ層に意図しない曲げ応力がかかりにくくできるので、近赤外線カットフィルタ層に割れ等がより発生しにくくできる。支持体層２０の剥離力は、支持体層２０を構成する素材や製造条件などを適宜変更することで調整できる。例えば、支持体層２０が高分子フィルムのみからなる場合においては、高分子フィルムの素材や製造条件などを適宜変更することで調整できる。また、高分子フィルムの表面に離型層を有する場合においては、離型層を形成する材料を適宜選択することで調整できる。

（近赤外線吸収組成物層を形成する工程、近赤外線カットフィルタ層を形成する工程）
次に、支持体層の表面に、近赤外線吸収剤を含む近赤外線吸収組成物を塗布して近赤外線吸収組成物層を形成する（図３、４参照）。次いで、近赤外線吸収組成物層を加熱硬化して近赤外線カットフィルタ層を形成する（図５参照）。近赤外線吸収組成物については後述する。なお、図４に示すように、この実施形態では、支持体層２０の表面に形成された近赤外線吸収組成物層３０の平面面積が、支持体層２０の平面面積未満であり、支持体層２０の一部が近赤外線吸収組成物層３０の設けられていない余白部をなしているが、近赤外線吸収組成物層３０の平面面積は、支持体層２０の平面面積と同じであってもよい。剥離性の観点から、前述の余白部が設けられていることが好ましい。また、前述の余白部は、支持体層２０の端部の少なくとも一部に設けられていることが好ましい。この態様によれば、後述の図７に示す工程にて、前述の余白部の支持体層２０を把持して近赤外線カットフィルタ層３１から支持体層２０を剥離することができ、剥離時の作業性が良好である。すなわち、本発明において、近赤外線吸収組成物層を形成する工程は、支持体層２０の表面に近赤外線吸収組成物を塗布して近赤外線吸収組成物層３０を形成するとともに、支持体層２０の表面の少なくとも一部に近赤外線吸収組成物層３０が設けられていない余白部を形成することが好ましく、支持体層２０の端部から１〜５ｍｍの範囲に前述の余白部を形成することが好ましい。

近赤外線吸収組成物層を形成する工程において、近赤外線吸収組成物の適用方法としては、公知の方法を用いることができる。例えば、滴下法（ドロップキャスト）；スリットコート法；スプレー法；ロールコート法；回転塗布法（スピンコーティング）；流延塗布法；スリットアンドスピン法；プリウェット法（たとえば、特開２００９−１４５３９５号公報に記載されている方法）；インクジェット（例えばオンデマンド方式、ピエゾ方式、サーマル方式）、ノズルジェット等の吐出系印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷、反転オフセット印刷、メタルマスク印刷法などの各種印刷法；金型等を用いた転写法；ナノインプリント法；ブレードコート法；バーコート法；アプリケーター塗布法などが挙げられる。インクジェットによる適用方法としては、組成物を吐出可能な方法であれば特に限定されず、例えば「広がる・使えるインクジェット−特許に見る無限の可能性−、２００５年２月発行、住べテクノリサーチ」に示された特許公報に記載の方法（特に１１５ページ〜１３３ページ）や、特開２００３−２６２７１６号公報、特開２００３−１８５８３１号公報、特開２００３−２６１８２７号公報、特開２０１２−１２６８３０号公報、特開２００６−１６９３２５号公報などに記載の方法を用いることができる。

近赤外線吸収組成物層を形成した後、硬化処理を行う前に、乾燥処理を行ってもよい。乾燥条件としては、近赤外線吸収組成物に含まれる各成分の種類や含有量等によっても異なる。例えば、乾燥温度としては、４０〜１６０℃が好ましい。下限は６０℃以上が好ましく、８０℃以上がより好ましい。上限は１４０℃以下が好ましく、１２０℃以下がより好ましい。加熱時間としては、１〜６００分が好ましい。下限は１０分以上が好ましく、３０分以上がより好ましい。上限は３００分以下が好ましく、１８０分以下がより好ましい。また、室温（例えば２５℃）から一定の昇温速度で所定の乾燥温度まで昇温し、その温度に保持して乾燥する方法も挙げられる。昇温温度としては、０．５〜１０℃／分が好ましく、１．０〜５℃／分がより好ましい。

近赤外線吸収組成物層を硬化処理する工程において、近赤外線吸収組成物層の硬化処理方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、露光処理、加熱処理などが挙げられ、機械物性に優れた近赤外線カットフィルタ層が得られやすいという理由から加熱処理が好ましい。ここで、本発明において「露光」とは、各種波長の光のみならず、電子線、Ｘ線などの放射線照射をも包含する意味で用いられる。

近赤外線吸収組成物として、架橋性基を有する樹脂や架橋性基を有するモノマーを含む組成物を用いた場合、近赤外線吸収組成物層の硬化処理においては、近赤外線吸収組成物層の架橋率が、５０〜９０％となる条件で行うことが好ましい。ここで、架橋率とは、架橋した架橋性基の数／架橋性基の総数のことであり、ＮＭＲ（核磁気共鳴）等の方法で測定することができる。

露光処理としては、近赤外線吸収組成物層に対して放射線を照射して行うことが好ましい。放射線としては、電子線、ＫｒＦ、ＡｒＦ、ｇ線、ｈ線、ｉ線等の紫外線が好ましい。露光方式としては、ステッパー露光や、高圧水銀灯を用いた露光などが挙げられる。露光量は５〜３０００ｍＪ／ｃｍ^２が好ましい。上限は、２０００ｍＪ／ｃｍ^２以下が好ましく、１０００ｍＪ／ｃｍ^２以下がより好ましい。下限は、１０ｍＪ／ｃｍ^２以上が好ましく、５０ｍＪ／ｃｍ^２以上がより好ましい。露光装置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、超高圧水銀灯などの紫外線露光機が挙げられる。

加熱処理における加熱温度としては、１００〜１８０℃が好ましい。下限は１２０℃以上が好ましく、１４０℃以上がより好ましい。上限は１７０℃以下が好ましく、１６０℃以下がより好ましい。加熱時間としては、０．５〜４８時間が好ましい。下限は１時間以上が好ましく、１．５時間以上がより好ましい。上限は２４時間以下が好ましく、６時間以下がより好ましい。加熱装置としては、特に制限はなく、公知の装置の中から、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、熱風乾燥器、ドライオーブン、ホットプレート、赤外線ヒーター、波長制御乾燥機などが挙げられる。

また、硬化処理後の近赤外線吸収組成物層（近赤外線カットフィルタ層）に対してエージングを行ってもよい。エージングにおいては、近赤外線吸収組成物層（近赤外線カットフィルタ層）を高温高湿処理することが好ましい。エージング温度としては、６０〜１５０℃が好ましい。下限は７０℃以上が好ましく、８０℃以上がより好ましい。上限は１４０℃以下が好ましく、１３０℃以下がより好ましい。湿度としては、３０〜１００％が好ましい。下限は４０％以上が好ましく、５０％以上がより好ましい。上限は９５％以下が好ましく、９０％以下がより好ましい。エージング時間としては、０．５〜１００時間が好ましい。下限は１時間以上が好ましく、２時間以上がより好ましい。上限は５０時間以下が好ましく、２５時間以下がより好ましい。エージング装置としては、特に制限はなく、公知の装置の中から、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、高温高湿炉などが挙げられる。

また、近赤外線吸収組成物を支持体層の表面に適用して形成した近赤外線吸収組成物層に対し、上述した硬化工程を経ずに上述したエージングを行ってもよい。この態様においては、エージングが硬化工程を兼ねている。

近赤外線カットフィルタ層３１の膜厚は、１〜５００μｍであることが好ましい。上限は、４５０μｍ以下であることが好ましく、４００μｍ以下であることがより好ましい。下限は、５μｍ以上がより好ましく、１０μｍ以上がより好ましく、２５μｍ以上が更に好ましく、５０μｍ以上がより一層好ましく、６０μｍ以上が特に好ましい。従来は、近赤外線カットフィルタ層３１の膜厚が大きくなるに伴い、剥離時に近赤外線カットフィルタ層３１に割れ等が生じやすい傾向にあったが、本発明によれば、近赤外線カットフィルタ層３１の膜厚が大きくても、剥離時における割れ等の発生を効果的に抑制できる。

本発明における近赤外線カットフィルタ層３１は、曲げ剛性および破断伸び率が小さい場合において特に効果的である。曲げ剛性および破断伸び率が小さい近赤外線カットフィルタ層は、曲げ応力に対して弱く、従来の方法では剥離が困難であったが、本発明によれば、このような機械物性を有する近赤外線カットフィルタ層３１であっても、割れ等を生じることなく、剥離することができる。
本発明で用いられる近赤外線カットフィルタ層３１は、幅１ｍｍあたりの曲げ剛性が５×１０^−６Ｐａ・ｍ^４以下で破断伸び率が１０％以下である場合において特に効果的である。近赤外線カットフィルタ層３１の曲げ強度は、３×１０^−６Ｐａ・ｍ^４以下である場合がより効果であり、９×１０^−７Ｐａ・ｍ^４以下である場合が更に効果的である。また、近赤外線カットフィルタ層３１の破断伸び率は、８％以下である場合がより効果的であり、６％以下である場合が更に効果的である。なお、近赤外線カットフィルタ層３１の曲げ剛性はＪＩＳ Ｋ ７１７１に基づき２３℃で測定したヤング率及び近赤外線カットフィルタ層の形状から算出される断面二次モーメントに基づいた計算値であり、破断伸び率は、ＪＩＳ Ｋ ７１７１に準拠した方法で測定した２３℃での値である。このような機械物性を有する近赤外線カットフィルタ層は、曲げ応力に対して弱い傾向にあるが、本発明によれば、このような機械物性を有する近赤外線カットフィルタ層３１であっても、割れ等を生じることなく、剥離することができるので本発明の効果がより顕著である。また、上記の機械物性を有する近赤外線カットフィルタ層３１は、自己支持膜としての特性も有している。ここで、自己支持膜とは、膜自体が自立性を有している膜のことであり、基板などが存在していなくても、膜としての形状を保つことができる膜を意味する。より具体的には、膜の自重によって発生する鉛直下向きの力に対抗して、膜の強度によってその形状を保つことができる膜を意味する。

近赤外線カットフィルタ層３１の上記機械物性は、いかなる手段によって達成されてもよいが、近赤外線カットフィルタ層３１の製造において、近赤外線吸収組成物の樹脂などの成分の種類、含有量、および、製膜条件（例えば、乾燥条件、硬化条件、架橋率の調整）などを適宜調整することで達成できる。例えば、架橋性基を有する樹脂、および／または、架橋性基を有するモノマーを含有する近赤外線吸収組成物を用いて、近赤外線カットフィルタ層３１を形成する方法が一例として挙げられる。架橋性基を有する樹脂と、架橋性基を有するモノマーとを併用することが好ましい。この場合においては、近赤外線吸収組成物が架橋性基を有する樹脂１００質量部に対して架橋性基を有するモノマーを１〜３０質量部含有することが好ましく、３〜２０質量部含有することがより好ましく、５〜１５質量部含有することが更に好ましい。また、近赤外線吸収組成物の乾燥温度、硬化条件などを適宜調整して、樹脂膜の架橋率を５０〜９０％とすることも好ましい。ここで、架橋率とは、架橋した架橋性基の数／架橋性基の総数のことであり、ＮＭＲ（核磁気共鳴）などの方法で測定することができる。

本発明の近赤外線カットフィルタの製造方法においては、近赤外線カットフィルタ層３１を形成した後、更に、近赤外線カットフィルタ層３１の表面に各種の機能層を形成してもよい。機能層としては、誘電体多層膜等の無機膜や、紫外線吸収層などが挙げられる。なお、これらの機能層は、以下の図５の工程後、図６の工程前に形成してもよく、図６の工程後、図７の工程前に形成してもよく、図７の工程後に形成してもよい。図８の工程を経る場合は、図８の工程後、図７の工程前に形成してもよい。

（積層体を剥離する工程（第一剥離工程））
次に、図６に示すように、基板１０から、支持体層２０と近赤外線カットフィルタ層３１との積層体を剥離する。積層体４０の剥離方法としては、特に限定はない。近赤外線カットフィルタ層３１に曲げ応力がかからないように剥離することが好ましい。例えば、支持体を把持し、近赤外線カットフィルタ層３１に曲げ応力がかからないよう水平に近い角度で引っ張って剥離する方法や、剥離点付近を順次適当な力で真空吸引して剥離する方法などが挙げられる。

（近赤外線カットフィルタ層を剥離する工程（第二剥離工程））
次に、図７に示すように、上記の基板１０から剥離した積層体４０から、支持体層２０を剥離して、支持体層２０と近赤外線カットフィルタ層３１とに分離する。このようにして、近赤外線カットフィルタ層３１の単独膜からなる近赤外線カットフィルタ、または、近赤外線カットフィルタ層３１の表面に更に機能層を有する場合においては、近赤外線カットフィルタ層３１と他の機能層との積層膜からなる近赤外線カットフィルタが得られる。

支持体層２０の剥離方法としては、特に限定はない。近赤外線カットフィルタ層３１に曲げ応力がかからないように剥離することが好ましい。例えば、支持体層２０側を大きく曲げ近赤外線カットフィルタ３１側に曲げ応力がかからないよう剥離する方法や、近赤外線カットフィルタ３１全面を真空吸着等で固定し支持体層２０側を剥離する方法が挙げられる。

また、図８に示すように、近赤外線カットフィルタ層３１の端部近傍に切り込み３２を形成した後、近赤外線カットフィルタ層３１を支持体層２０から剥離することも好ましい。この態様によれば、支持体層２０からの近赤外線カットフィルタ層３１の剥離性が良好で、近赤外線カットフィルタ層３１の割れ等の発生をより効果的に抑制できる。また、塗布形成した近赤外線カットフィルタ層３１の厚さは端部において薄くなってしまうことがあるが、そうした場合においては、切り込みを入れることがより効果的である。近赤外線カットフィルタ層３１の端部近傍に切り込み３２を形成する場合、支持体層２０の端部から１〜５ｍｍの範囲に前述の切り込み３２を形成することが好ましい。

本発明によって得られる近赤外線カットフィルタは、ＣＣＤ（電荷結合素子）やＣＭＯＳ（相補型金属酸化膜半導体）などの固体撮像素子や、赤外線センサ、画像表示装置などの各種装置に用いることができる。

＜近赤外線吸収組成物＞
次に、本発明の近赤外線カットフィルタの製造方法に用いられる近赤外線吸収組成物について説明する。

近赤外線吸収組成物は近赤外線吸収剤を含む。近赤外線吸収剤としては、波長７００〜１５００ｎｍの範囲に極大吸収波長を有する化合物などが挙げられる。近赤外線吸収剤は、波長７００〜１３００ｎｍの範囲に極大吸収波長を有する化合物がより好ましく、波長７００〜１２００ｎｍの範囲に極大吸収波長を有する化合物が更に好ましい。近赤外線吸収剤としては、銅錯体、ピロロピロール化合物、シアニン化合物、スクアリリウム化合物、フタロシアニン化合物、ナフタロシアニン化合物、クアテリレン化合物、メロシアニン化合物、クロコニウム化合物、オキソノール化合物、ジイモニウム化合物、ジチオール化合物、トリアリールメタン化合物、ピロメテン化合物、アゾメチン化合物、アントラキノン化合物、ジベンゾフラノン化合物などが挙げられる。ピロロピロール化合物としては、特開２００９−２６３６１４号公報の段落番号００１６〜００５８に記載の化合物、特開２０１１−６８７３１号公報の段落番号００３７〜００５２に記載の化合物、国際公開ＷＯ２０１５／１６６８７３号公報の段落番号００１０〜００３３に記載の化合物などが挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。シアニン化合物としては、特開２００９−１０８２６７号公報の段落番号００４４〜００４５に記載の化合物、特開２００２−１９４０４０号公報の段落番号００２６〜００３０に記載の化合物、特開２０１５−１７２００４号公報に記載の化合物、特開２０１５−１７２１０２号公報に記載の化合物、特開２００８−８８４２６号公報に記載の化合物、特開２０１７−０３１３９４号公報に記載の化合物などが挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。スクアリリウム化合物としては、特開２０１１−２０８１０１号公報の段落番号００４４〜００４９に記載の化合物、特許第６０６５１６９号公報の段落番号００６０〜００６１に記載の化合物、国際公開ＷＯ２０１６／１８１９８７号公報の段落番号００４０に記載の化合物、国際公開ＷＯ２０１３／１３３０９９号公報に記載の化合物、国際公開ＷＯ２０１４／０８８０６３号公報に記載の化合物、特開２０１４−１２６６４２号公報に記載の化合物、特開２０１６−１４６６１９号公報に記載の化合物、特開２０１５−１７６０４６号公報に記載の化合物、特開２０１７−２５３１１号公報に記載の化合物、国際公開ＷＯ２０１６／１５４７８２号公報に記載の化合物、特許５８８４９５３号公報に記載の化合物、特許６０３６６８９号公報に記載の化合物、特許５８１０６０４号公報に記載の化合物、特開２０１７−０６８１２０号公報に記載の化合物などが挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。フタロシアニン化合物としては、例えば、特開２０１２−７７１５３号公報の段落番号００９３に記載の化合物、特開２００６−３４３６３１号公報に記載のオキシチタニウムフタロシアニン、特開２０１３−１９５４８０号公報の段落番号００１３〜００２９に記載の化合物、特許第６０８１７７１号公報に記載のバナジウムフタロシアニンが挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。ナフタロシアニン化合物としては、例えば、特開２０１２−７７１５３号公報の段落番号００９３に記載の化合物が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。ジイモニウム化合物としては、例えば、特表２００８−５２８７０６号公報に記載の化合物が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。

近赤外線吸収組成物に用いられる近赤外線吸収剤は、銅錯体であることが好ましい。銅錯体としては、銅と、銅に対する配位部位を有する化合物（配位子）との錯体が好ましい。銅に対する配位部位としては、アニオンで配位する配位部位、非共有電子対で配位する配位原子が挙げられる。銅錯体は、配位子を２つ以上有していてもよい。配位子を２つ以上有する場合は、それぞれの配位子は同一であってもよく、異なっていてもよい。銅錯体は、４配位、５配位および６配位が例示され、４配位および５配位がより好ましく、５配位がさらに好ましい。また、銅錯体は、銅と配位子によって、５員環および／または６員環が形成されていることが好ましい。このような銅錯体は、形状が安定であり、安定性に優れる。

銅錯体は、フタロシアニン銅錯体以外の銅錯体であることも好ましい。ここで、フタロシアニン銅錯体とは、フタロシアニン骨格を有する化合物を配位子とする銅錯体である。フタロシアニン骨格を有する化合物は、分子全体にπ電子共役系が広がり、平面構造を取る。フタロシアニン銅錯体は、π−π＊遷移で光を吸収する。π−π＊遷移で近赤外領域の光を吸収するには、配位子をなす化合物が長い共役構造をとる必要がある。しかしながら、配位子の共役構造を長くすると、可視透明性が低下する傾向にある。このため、フタロシアニン銅錯体は、可視透明性が不十分な場合がある。
また、銅錯体は、４００〜６００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有さない化合物を配位子とする銅錯体であることも好ましい。４００〜６００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有する化合物を配位子とする銅錯体は、可視領域（例えば、４００〜６００ｎｍの波長領域）に吸収を有するため、可視透明性が不十分な場合がある。４００〜６００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有する化合物としては、長い共役構造を有し、π−π＊遷移の光の吸収の大きい化合物が挙げられる。具体的には、フタロシアニン骨格を有する化合物が挙げられる。

銅錯体は、例えば銅成分（銅または銅を含む化合物）に対して、銅に対する配位部位を有する化合物（配位子）を混合・反応等させて得ることができる。銅に対する配位部位を有する化合物（配位子）は、低分子化合物であってもよく、ポリマーであってもよい。両者を併用することもできる。

銅成分は、２価の銅を含む化合物が好ましい。銅成分は、１種のみを用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。銅成分としては、例えば、酸化銅や銅塩を用いることができる。銅塩は、例えば、カルボン酸銅（例えば、酢酸銅、エチルアセト酢酸銅、ギ酸銅、安息香酸銅、ステアリン酸銅、ナフテン酸銅、クエン酸銅、２−エチルヘキサン酸銅など）、スルホン酸銅（例えば、メタンスルホン酸銅など）、リン酸銅、リン酸エステル銅、ホスホン酸銅、ホスホン酸エステル銅、ホスフィン酸銅、アミド銅、スルホンアミド銅、イミド銅、アシルスルホンイミド銅、ビススルホンイミド銅、メチド銅、アルコキシ銅、フェノキシ銅、水酸化銅、炭酸銅、硫酸銅、硝酸銅、過塩素酸銅、フッ化銅、塩化銅、臭化銅が好ましく、カルボン酸銅、スルホン酸銅、スルホンアミド銅、イミド銅、アシルスルホンイミド銅、ビススルホンイミド銅、アルコキシ銅、フェノキシ銅、水酸化銅、炭酸銅、フッ化銅、塩化銅、硫酸銅、硝酸銅がより好ましく、カルボン酸銅、アシルスルホンイミド銅、フェノキシ銅、塩化銅、硫酸銅、硝酸銅が更に好ましく、カルボン酸銅、アシルスルホンイミド銅、塩化銅、硫酸銅が特に好ましい。

（低分子タイプの銅錯体）
低分子タイプの銅錯体としては、例えば、式（Ｃｕ−１）で表される銅錯体を用いることができる。この銅錯体は、中心金属の銅に配位子Ｌが配位した銅錯体であり、銅は、通常２価の銅である。この銅錯体は、例えば銅成分に対して、配位子Ｌとなる化合物またはその塩を反応等させて得ることができる。
Ｃｕ（Ｌ）_ｎ１・（Ｘ）_ｎ２ 式（Ｃｕ−１）
上記式中、Ｌは、銅に配位する配位子を表し、Ｘは、対イオンを表す。ｎ１は、１〜４の整数を表す。ｎ２は、０〜４の整数を表す。

Ｘは、対イオンを表す。銅錯体は、電荷を持たない中性錯体のほか、カチオン錯体、アニオン錯体になることもある。この場合、銅錯体の電荷を中和するよう、必要に応じて対イオンが存在する。
対イオンが負の電荷をもつ対イオン（対アニオン）の場合、例えば、無機陰イオンでもよく、有機陰イオンでもよい。例えば、対イオンとしては、水酸化物イオン、ハロゲン陰イオン、置換または無置換のアルキルカルボン酸イオン、置換または無置換のアリールカルボン酸イオン、置換もしくは無置換のアルキルスルホン酸イオン、置換もしくは無置換のアリールスルホン酸イオン、アリールジスルホン酸イオン、アルキル硫酸イオン、硫酸イオン、チオシアン酸イオン、硝酸イオン、過塩素酸イオン、ホウ素酸イオン、スルホネートイオン、イミドイオン、ホスフェートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、ピクリン酸イオン、アミドイオン（アシル基やスルホニル基で置換されたアミドを含む）、メチドイオン（アシル基やスルホニル基で置換されたメチドを含む）が挙げられる。対アニオンの詳細については、特開２０１７−０６７８２４号公報の段落番号００２４の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
対イオンが正の電荷をもつ対イオン（対カチオン）の場合、例えば、無機もしくは有機のアンモニウムイオン（例えば、テトラブチルアンモニウムイオンなどのテトラアルキルアンモニウムイオン、トリエチルベンジルアンモニウムイオン、ピリジニウムイオン等）、ホスホニウムイオン（例えば、テトラブチルホスホニウムイオンなどのテトラアルキルホスホニウムイオン、アルキルトリフェニルホスホニウムイオン、トリエチルフェニルホスホニウムイオン等）、アルカリ金属イオンまたはプロトンが挙げられる。
また、対イオンは金属錯体イオン（例えば銅錯体イオンなど）であってもよい。

配位子Ｌは、銅に対する配位部位を有する化合物であり、銅に対しアニオンで配位する配位部位、および、銅に対し非共有電子対で配位する配位原子から選ばれる１種以上を有する化合物が挙げられる。アニオンで配位する配位部位は、解離していてもよく、非解離でも良い。配位子Ｌは、銅に対する配位部位を２個以上有する化合物（多座配位子）が好ましい。また、配位子Ｌは、可視透明性を向上させるために、芳香族などのπ共役系が連続して複数結合していないことが好ましい。配位子Ｌは、銅に対する配位部位を１個有する化合物（単座配位子）と、銅に対する配位部位を２個以上有する化合物（多座配位子）とを併用することもできる。単座配位子としては、銅に対しアニオンで配位する配位部位を１個有する化合物であるアニオンで配位する単座配位子や、銅に対し非共有電子対で配位する配位原子を１個有する化合物である非共有電子対で配位する単座配位子が挙げられる。単座配位子の具体例としては、特開２０１７−０６７８２４号公報の段落番号００２５の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。

配位子Ｌが有するアニオンとしては、銅原子に配位可能なものであればよく、酸素アニオン、窒素アニオンまたは硫黄アニオンが好ましい。アニオンで配位する配位部位は、以下の１価の官能基群（ＡＮ−１）、または、２価の官能基群（ＡＮ−２）から選択される少なくとも１種であることが好ましい。なお、以下の構造式における波線は、配位子を構成する原子団との結合位置である。

群（ＡＮ−１）

群（ＡＮ−２）

上記式中、Ｘは、ＮまたはＣＲを表し、Ｒは、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基またはヘテロアリール基を表す。上記式の詳細については、特開２０１７−０６７８２４号公報の段落番号００２９の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。

配位子Ｌが有する非共有電子対で配位する配位原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子またはリン原子が好ましく、酸素原子、窒素原子または硫黄原子がより好ましく、酸素原子、窒素原子がさらに好ましく、窒素原子が特に好ましい。非共有電子対で配位する配位原子が窒素原子である場合、窒素原子に隣接する原子が炭素原子、または、窒素原子であることが好ましく、炭素原子がより好ましい。

非共有電子対で配位する配位原子は、環に含まれるか、または、以下の１価の官能基群（ＵＥ−１）、２価の官能基群（ＵＥ−２）、３価の官能基群（ＵＥ−３）から選択される少なくとも１種の部分構造に含まれることが好ましい。なお、以下の構造式における波線は、配位子を構成する原子団との結合位置である。
群（ＵＥ−１）

群（ＵＥ−２）

群（ＵＥ−３）

群（ＵＥ−１）〜（ＵＥ−３）中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基またはヘテロアリール基を表し、Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アミノ基またはアシル基を表す。上記式の詳細については、特開２０１７−０６７８２４号公報の段落番号００３７の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。

非共有電子対で配位する配位原子は、環に含まれていてもよい。非共有電子対で配位する配位原子が環に含まれる場合、非共有電子対で配位する配位原子を含む環は、単環であっても多環であってもよく、また、芳香族であっても非芳香族であってもよい。非共有電子対で配位する配位原子を含む環は、５〜１２員環が好ましく、５〜７員環がより好ましい。

配位子Ｌは、少なくとも２個の配位部位を有する化合物（多座配位子ともいう）が好ましい。配位子Ｌは、配位部位を少なくとも３個有することがより好ましく、３〜５個有することが更に好ましく、４〜５個有することが特に好ましい。多座配位子は、銅成分に対し、キレート配位子として働く。すなわち、多座配位子が有する少なくとも２つの配位部位が、銅とキレート配位することにより、銅錯体の構造が歪んで、優れた可視透明性が得られ、更には、赤外線の吸光能力を向上でき、色価も向上すると考えられる。また、多座配位子は、非共有電子対で配位する配位原子を含む化合物であることが好ましく、非共有電子対で配位する配位原子として窒素原子を含む化合物であることがより好ましく、非共有電子対で配位する配位原子として窒素原子を含み、この窒素原子にアルキル基（好ましくはメチル基）が置換されている化合物であることがより好ましい。多座配位子の詳細については、特開２０１７−０６７８２４号公報の段落番号００４２〜００４３の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。

配位子をなす化合物の具体例としては、特開２０１４−４１３１８号公報の段落００２２〜００４２、特開２０１５−４３０６３号公報の段落００２１〜００３９、特開２０１６−００６４７６号公報の段落００４９、特開２０１７−０６７８２４号公報の段落番号００４５、００５２に記載された化合物が挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。

銅錯体は、例えば、以下の（１）〜（５）の態様が好ましい一例として挙げられ、（２）〜（５）がより好ましく、（３）〜（５）が更に好ましく、（４）または（５）が一層好ましい。これらの詳細については、特開２０１７−０６７８２４号公報の段落番号００４７〜００５１の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
（１）２つの配位部位を有する化合物の１つまたは２つを配位子として有する銅錯体。
（２）３つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体。
（３）３つの配位部位を有する化合物と２つの配位部位を有する化合物とを配位子として有する銅錯体。
（４）４つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体。
（５）５つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体。

（ポリマータイプの銅錯体）
ポリマータイプの銅錯体としては、側鎖に銅錯体部位を有する銅含有ポリマーなどが挙げられる。銅錯体部位としては、銅と、銅に対して配位する部位（配位部位）とを有するものが挙げられる。銅に対して配位する部位としては、アニオンまたは非共有電子対で配位する部位が挙げられる。また、銅錯体部位は、銅に対して４座配位または５座配位する部位を有することが好ましい。配位部位の詳細については、上述した低分子タイプの銅化合物で説明したものが挙げられ、好ましい範囲も同様である。

銅含有ポリマーは、配位部位を含むポリマー（ポリマー（Ｂ１）ともいう）と、銅成分との反応で得られるポリマーや、ポリマー側鎖に反応性部位を有するポリマー（以下ポリマー（Ｂ２）ともいう）と、ポリマー（Ｂ２）が有する反応性部位と反応可能な官能基を有する銅錯体とを反応させて得られるポリマーが挙げられる。銅含有ポリマーの重量平均分子量は、２０００以上が好ましく、２０００〜２００万がより好ましく、６０００〜２００，０００がさらに好ましい。

銅含有ポリマーは、銅錯体部位を有する繰り返し単位の他に、他の繰り返し単位を含有していてもよい。他の繰り返し単位としては、架橋性基を有する繰り返し単位などが挙げられる。

近赤外線吸収剤の含有量は、近赤外線吸収組成物の全固形分に対して５〜９０質量％であることが好ましい。下限は１０質量％以上が好ましく、１５質量％以上がより好ましく、２０質量％以上が更に好ましい。上限は、７０質量％以下が好ましく、６０質量％以下がより好ましく、５０質量％以下が更に好ましい。銅錯体は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用することもできる。銅錯体を２種以上併用する場合は、合計量が上記範囲であることが好ましい。近赤外線吸収剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用することもできる。近赤外線吸収剤を２種以上併用する場合は、それらの合計量が上記範囲であることが好ましい。
近赤外線吸収剤は銅錯体を５０質量％以上含有することが好ましく、６０質量％以上含有することがより好ましく、７０質量％以上含有することが更に好ましい。
銅錯体の含有量は、近赤外線吸収組成物の全固形分に対して５〜９０質量％であることが好ましい。下限は１０質量％以上が好ましく、１５質量％以上がより好ましく、２０質量％以上が更に好ましい。上限は、７０質量％以下が好ましく、６０質量％以下がより好ましく、５０質量％以下が更に好ましい。銅錯体は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用することもできる。銅錯体を２種以上併用する場合は、それらの合計量が上記範囲であることが好ましい。

近赤外線吸収組成物は、樹脂を含有することが好ましい。樹脂の種類としては、光学材料に使用しうるものであれば特に制限されない。樹脂は透明性の高い樹脂が好ましい。具体的にはポリエチレン、ポリプロピレン、カルボキシル化ポリオレフィン、塩素化ポリオレフィン、シクロオレフィンポリマー等のポリオレフィン樹脂；ポリスチレン樹脂；（メタ）アクリル樹脂；酢酸ビニル樹脂；ハロゲン化ビニル樹脂；ポリビニルアルコール樹脂；ポリアミド樹脂；ポリウレタン樹脂；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリアリレート（ＰＡＲ）等のポリエステル樹脂；ポリカーボネート樹脂；エポキシ樹脂；ポリマレイミド樹脂；ポリウレア樹脂；ポリビニルブチラール樹脂等のポリビニルアセタール樹脂等が挙げられる。なかでも、（メタ）アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリマレイミド樹脂、ポリウレア樹脂が好ましく、（メタ）アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂がさらに好ましい。また、樹脂として、アルコキシシリル基を有する化合物のゾルゲル硬化物を用いることも好ましい。アルコキシシリル基を有する化合物としては、後述する架橋性化合物として説明する材料が挙げられる。樹脂の重量平均分子量は、１０００〜３００，０００が好ましい。下限は、２０００以上がより好ましく、３０００以上がさらに好ましく、５０００以上が特に好ましい。上限は、１００，０００以下がより好ましく、５０，０００以下がさらに好ましい。樹脂の数平均分子量は、５００〜１５０，０００が好ましい。下限は、１０００以上がより好ましく、２，０００以上がさらに好ましい。上限は、１００，０００以下が好ましい。

樹脂は、下記式（Ａ１−１）〜（Ａ１−７）で表される繰り返し単位の少なくとも１種を有する樹脂であることも好ましい。

式中、Ｒ^１は水素原子またはアルキル基を表し、Ｌ^１〜Ｌ^４はそれぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表し、Ｒ^１０〜Ｒ^１３はそれぞれ独立にアルキル基またはアリール基を表す。Ｒ^１４およびＲ^１５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。

Ｒ^１が表すアルキル基の炭素数は、１〜５が好ましく、１〜３がさらに好ましく、１が特に好ましい。Ｒ^１は、水素原子またはメチル基が好ましい。

Ｌ^１〜Ｌ^４が表す２価の連結基としては、アルキレン基、アリーレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ_２−、−ＮＲ^ａ−（Ｒ^ａは水素原子あるいはアルキル基を表す）、または、これらの組み合わせからなる基が挙げられる。アルキレン基の炭素数は、１〜３０が好ましく、１〜１５がより好ましく、１〜１０がさらに好ましい。アルキレン基は、置換基を有していてもよいが、無置換が好ましい。アルキレン基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよい。また、環状のアルキレン基は、単環、多環のいずれであってもよい。アリーレン基の炭素数は、６〜１８が好ましく、６〜１４がより好ましく、６〜１０がさらに好ましい。

Ｒ^１０〜Ｒ^１３が表すアルキル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよい。アルキル基は置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。アルキル基の炭素数は、１〜３０が好ましく、１〜２０がより好ましく、１〜１０がさらに好ましい。Ｒ^１０〜Ｒ^１３が表すアリール基の炭素数は６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましく、６がさらに好ましい。
Ｒ^１０は、直鎖もしくは分岐のアルキル基またはアリール基であることが好ましく、直鎖もしくは分岐のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ^１１およびＲ^１２は、それぞれ独立して直鎖または分岐のアルキル基であることが好ましく、直鎖のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ^１３は、直鎖もしくは分岐のアルキル基またはアリール基であることが好ましい。

Ｒ^１４およびＲ^１５が表す置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリーロキシ基、ヘテロアリーロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、−ＮＲ^ａ１Ｒ^ａ２、−ＣＯＲ^ａ３、−ＣＯＯＲ^ａ４、−ＯＣＯＲ^ａ５、−ＮＨＣＯＲ^ａ６、−ＣＯＮＲ^ａ７Ｒ^ａ８、−ＮＨＣＯＮＲ^ａ９Ｒ^ａ１０、−ＮＨＣＯＯＲ^ａ１１、−ＳＯ_２Ｒ^ａ１２、−ＳＯ_２ＯＲ^ａ１３、−ＮＨＳＯ_２Ｒ^ａ１４または−ＳＯ_２ＮＲ^ａ１５Ｒ^ａ１６が挙げられる。Ｒ^ａ１〜Ｒ^ａ１６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す。なかでも、Ｒ^１４およびＲ^１５の少なくとも一方は、シアノ基または−ＣＯＯＲ^ａ４を表すことが好ましい。Ｒ^ａ４は、水素原子、アルキル基またはアリール基を表すことが好ましい。

式（Ａ１−７）で表される繰り返し単位を有する樹脂の市販品としては、ＡＲＴＯＮ Ｆ４５２０（ＪＳＲ（株）製）などが挙げられる。また、式（Ａ１−７）で表される繰り返し単位を有する樹脂の詳細については、特開２０１１−１０００８４号公報の段落番号００５３〜００７５、０１２７〜０１３０の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。

樹脂としては、式（Ａ１−４）で表される繰り返し単位を有する樹脂であることが好ましく、式（Ａ１−１）で表される繰り返し単位と、式（Ａ１−４）で表される繰り返し単位とを有する樹脂であることがより好ましい。この態様によれば、耐熱衝撃性に優れた近赤外線カットフィルタを製造できる。更には、銅錯体と樹脂との相溶性が向上し、析出物などの少ない近赤外線カットフィルタが得られやすい。

樹脂は、架橋性基を有することも好ましい。架橋性基は、エチレン性不飽和結合を有する基、環状エーテル基、メチロール基、アルコキシシリル基が好ましく、エチレン性不飽和結合を有する基、環状エーテル基、アルコキシシリル基がより好ましく、環状エーテル基、アルコキシシリル基が更に好ましく、アルコキシシリル基が特に好ましい。エチレン性不飽和結合を有する基としては、ビニル基、（メタ）アリル基、（メタ）アクリロイル基などが挙げられる。環状エーテル基としては、エポキシ基（オキシラニル基）、オキセタニル基、脂環エポキシ基などが挙げられる。アルコキシシリル基としては、モノアルコキシシリル基、ジアルコキシシリル基、トリアルコキシシリル基が挙げられる。

架橋性基を有する樹脂においては、樹脂の架橋性基価は０．５〜４ｍｍｏｌ／ｇであることが好ましい。下限は、０．６ｍｍｏｌ／ｇ以上であることが好ましく、０．８ｍｍｏｌ／ｇ以上であることがより好ましく、１ｍｍｏｌ／ｇ以上であることが更に好ましい。上限は、３．５ｍｍｏｌ／ｇ以下であることが好ましく、３ｍｍｏｌ／ｇ以下であることがより好ましく、２ｍｍｏｌ／ｇ以下であることが更に好ましい。なお、樹脂の架橋性基価は、樹脂１ｇ中に含まれる架橋性基の当量のことである。樹脂の架橋性基価は、滴定等の方法で測定することができる。

樹脂が有する架橋性基がアルコキシシリル基である場合、樹脂のＳｉ価は０．５〜４ｍｍｏｌ／ｇであることが好ましい。下限は、０．６ｍｍｏｌ／ｇ以上であることが好ましく、０．８ｍｍｏｌ／ｇ以上であることがより好ましく、１ｍｍｏｌ／ｇ以上であることが更に好ましい。上限は、３．５ｍｍｏｌ／ｇ以下であることが好ましく、３ｍｍｏｌ／ｇ以下であることがより好ましく、２ｍｍｏｌ／ｇ以下であることが更に好ましい。なお、樹脂のＳｉ価は、樹脂１ｇ中に含まれるアルコキシシリル基の当量のことである。樹脂のＳｉ価は、滴定等の方法で測定することができる。

架橋性基を有する樹脂としては、架橋性基を有する繰り返し単位を含む樹脂であることが好ましく、式（Ａ１−１）および／または式（Ａ１−４）で表される繰り返し単位と、架橋性基を有する繰り返し単位とを含む樹脂が好ましい。

架橋性基を有する繰り返し単位としては、下記式（Ａ２−１）〜（Ａ２−４）で表される繰り返し単位等が挙げられ、式（Ａ２−１）〜（Ａ２−３）で表される繰り返し単位が好ましい。

Ｒ^２は、水素原子またはアルキル基を表す。アルキル基の炭素数は、１〜５が好ましく、１〜３がさらに好ましく、１が特に好ましい。Ｒ^２は、水素原子またはメチル基が好ましい。

Ｌ^５１は、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては、上記式（Ａ１−１）〜（Ａ１−７）のＬ^１〜Ｌ^４で説明した２価の連結基が挙げられる。Ｌ^５１は、アルキレン基または、アルキレン基と−Ｏ−とを組み合わせてなる基が好ましい。Ｌ^５１の鎖を構成する原子の数は、２以上が好ましく、３以上がより好ましく、４以上がさらに好ましい。上限は、例えば２００以下とすることができる。

Ｐ^１は、架橋性基を表す。架橋性基としては、エチレン性不飽和結合を有する基、環状エーテル基、メチロール基、アルコキシシリル基等が挙げられ、エチレン性不飽和結合を有する基、環状エーテル基、アルコキシシリル基が好ましく、環状エーテル基、アルコキシシリル基がより好ましく、アルコキシシリル基が更に好ましい。エチレン性不飽和結合を有する基、環状エーテル基、アルコキシシリル基の詳細については上述した通りである。アルコキシシリル基におけるアルコキシ基の炭素数は、１〜５が好ましく、１〜３がより好ましく、１または２が特に好ましい。

樹脂が、架橋性基を有する繰り返し単位を含む樹脂である場合、樹脂は、架橋性基を有する繰り返し単位を、樹脂の全繰り返し単位中５〜１００モル％含有することが好ましい。下限は、６モル％以上が好ましく、８モル％以上がより好ましく、１０モル％以上が更に好ましい。上限は、９５モル％以下が好ましく、８０モル％以下がより好ましく、６０モル％以下が更に好ましい。この態様によれば、機械特性に優れた樹脂層を形成し易い。

樹脂は、上述した繰り返し単位の他に、他の繰り返し単位を含有していてもよい。他の繰り返し単位を構成する成分については、特開２０１０−１０６２６８号公報の段落番号００６８〜００７５（対応する米国特許出願公開第２０１１／０１２４８２４号明細書の段落番号０１１２〜０１１８）の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。

樹脂の具体例としては、以下に示す構造の樹脂が挙げられる。

近赤外線吸収組成物が樹脂を含有する場合、樹脂の含有量は、近赤外線吸収組成物の全固形分に対して、１０〜９０質量％であることが好ましい。下限は３０質量％以上であることが好ましく、３５質量％以上がより好ましく、４０質量％以上がさらに好ましく、５０質量％以上が特に好ましい。上限は、８５質量％以下が好ましく、８０質量％以下がより好ましく、７０質量％以下が更に好ましい。また、樹脂の全量中における架橋性基を有する樹脂の含有量は、５〜１００質量％であることが好ましく、８〜１００質量％であることがより好ましく、１０〜１００質量％であることが更に好ましい。樹脂は、１種類のみでもよく、２種類以上でもよい。２種類以上の場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。

近赤外線吸収組成物は、架橋性基を有するモノマー（以下、架橋剤ともいう）を含有することが好ましい。架橋性基の種類としては、エチレン性不飽和結合を有する基、環状エーテル基、メチロール基、アルコキシシリル基等が挙げられ、エチレン性不飽和結合を有する基、環状エーテル基、アルコキシシリル基が好ましく、環状エーテル基、アルコキシシリル基がより好ましく、アルコキシシリル基が更に好ましい。エチレン性不飽和結合を有する基、環状エーテル基、アルコキシシリル基の詳細については、架橋性基を有する樹脂で説明した基が挙げられる。

架橋剤の分子量は、１００〜３０００であることが好ましい。上限は、２０００以下が好ましく、１５００以下が更に好ましい。下限は、１５０以上が好ましく、２５０以上が更に好ましい。

架橋剤の架橋性基価は、３〜２０ｍｍｏｌ／ｇであることが好ましい。下限は、３．５ｍｍｏｌ／ｇ以上であることが好ましく、４ｍｍｏｌ／ｇ以上であることがより好ましく、５ｍｍｏｌ／ｇ以上であることが更に好ましい。上限は、１９ｍｍｏｌ／ｇ以下であることが好ましく、１７ｍｍｏｌ／ｇ以下であることがより好ましく、１５ｍｍｏｌ／ｇ以下であることが更に好ましい。なお、架橋剤の架橋性基価とは、架橋剤１ｇ中に含まれる架橋性基の当量のことである。架橋剤の架橋性基価は、滴定等の方法で測定することができる。

架橋剤は、１分子中に架橋性基を２〜５個有する化合物であることが好ましい。架橋性基の数の上限は、４個以下が好ましく、３個以下がより好ましい。また、架橋剤は、１分子中にＳｉ原子を２〜５個以上含む化合物であることが好ましい。Ｓｉ原子の数の上限は、４個以下が好ましく、３個以下がより好ましい。架橋剤におけるＳｉ原子の数は２個であることが好ましい。また、架橋剤は、１分子中にアルコキシシリル基を２〜５個以上含む化合物であることが好ましい。アルコキシシリル基の数の上限は、４個以下が好ましく、３個以下がより好ましい。アルコキシシリル基の数は２個であることが好ましい。アルコキシシリル基は、ジアルコキシシリル基またはトリアルコキシシリル基であることが好ましく、トリアルコキシシリル基であることがより好ましい。また架橋剤が有する２個のアルコキシシリル基は、２〜１０個の原子を隔てて結合していることが好ましく、３〜９個の原子を隔てて結合していることがより好ましく、４〜８個の原子を隔てて結合していることが更に好ましい。また、２個のアルコキシシリル基は、炭素数２〜１０のアルキレン基を介して結合していることが好ましく、炭素数３〜９のアルキレン基を介して結合していることがより好ましく、炭素数４〜８のアルキレン基を介して結合していることが更に好ましい。

架橋剤がアルコキシシリル基を有する化合物である場合においては、架橋剤のＳｉ価は３〜２０ｍｍｏｌ／ｇであることが好ましい。Ｓｉ価の下限は、３．５ｍｍｏｌ／ｇ以上であることが好ましく、４ｍｍｏｌ／ｇ以上であることがより好ましく、５ｍｍｏｌ／ｇ以上であることが更に好ましい。Ｓｉ価の上限は、１９ｍｍｏｌ／ｇ以下であることが好ましく、１７ｍｍｏｌ／ｇ以下であることがより好ましく、１５ｍｍｏｌ／ｇ以下であることが更に好ましい。なお、架橋剤のＳｉ価は、架橋剤１ｇ中に含まれる架橋性基の当量のことである。架橋剤のＳｉ価は、滴定等の方法で測定することができる。

アルコキシシリル基を有する化合物としては、特開２０１７−０６７８２４号公報の段落番号０１６７に記載された化合物を用いることができ、この内容は本明細書に組み込まれる。エチレン性不飽和結合を有する基を有する化合物としては、特開２０１７−０６７８２４号公報の段落番号０１５０〜０１５２に記載された化合物を用いることができ、この内容は本明細書に組み込まれる。環状エーテル基を有する化合物としては、特開２０１３−０１１８６９号公報の段落番号００３４〜００３６、特開２０１４−０４３５５６号公報の段落番号０１４７〜０１５６、特開２０１４−０８９４０８号公報の段落番号００８５〜００９２に記載された化合物を用いることができ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。

近赤外線吸収組成物が架橋剤を含有する場合、近赤外線吸収組成物は、樹脂１００質量部に対して架橋剤を３〜３０質量部含有することが好ましく、５〜２０質量部含有することがより好ましく、７〜１５質量部含有することが更に好ましい。また、近赤外線吸収組成物は、架橋性基を有する樹脂１００質量部に対して架橋剤を３〜３０質量部含有することが好ましく、５〜２０質量部含有することがより好ましく、７〜１５質量部含有することが更に好ましい。架橋剤は、１種類のみでもよく、２種類以上でもよい。２種類以上の場合は、それらの合計量が上記範囲となることが好ましい。

近赤外線吸収組成物は重合開始剤を含有することができる。重合開始剤としては、光、熱のいずれか或いはその双方により、架橋性基を有する樹脂や架橋剤の架橋を開始する能力を有する限り、特に制限はない。光で架橋させる場合、紫外領域から可視領域の光線に対して感光性を有する重合開始剤が好ましい。また、熱で架橋させる場合には、１５０〜２５０℃で分解する重合開始剤が好ましい。

重合開始剤としては、芳香族基を有する化合物が好ましい。例えば、アシルホスフィン化合物、アセトフェノン化合物、α−ヒドロキシケトン化合物、α−アミノケトン化合物、ベンゾフェノン化合物、ベンゾインエーテル化合物、チオキサントン化合物、オキシム化合物、ヘキサアリールビイミダゾール化合物、トリハロメチル化合物、アゾ化合物、有機過酸化物、ジアゾニウム化合物、ヨードニウム化合物、スルホニウム化合物、アジニウム化合物、メタロセン化合物等のオニウム塩化合物、有機硼素塩化合物、ジスルホン化合物、チオール化合物などが挙げられる。重合開始剤は、オキシム化合物、α−ヒドロキシケトン化合物、α−アミノケトン化合物、及び、アシルホスフィン化合物が好ましい。オキシム化合物としては、後述するラジカルトラップ剤で挙げたオキシム化合物などを使用することもできる。重合開始剤は、特開２０１３−２５３２２４号公報の段落０２１７〜０２２８の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。

近赤外線吸収組成物が重合開始剤を含有する場合、重合開始剤の含有量は、近赤外線吸収組成物の全固形分に対して、０．０１〜３０質量％が好ましい。下限は、０．１質量％以上が好ましい。上限は、２０質量％以下が好ましく、１５質量％以下がより好ましい。重合開始剤は１種類のみでも、２種類以上でもよい。２種類以上の場合は、それらの合計量が上記範囲となることが好ましい。

近赤外線吸収組成物は、溶剤を含有することができる。溶剤としては、有機溶剤が挙げられる。溶剤の種類は、各成分の溶解性や組成物の塗布性を満足すれば基本的には特に制限はない。有機溶剤の例としては、例えば、エステル類、エーテル類、ケトン類、芳香族炭化水素類などが挙げられる。これらの詳細については、国際公開ＷＯ２０１５／１６６７７９号公報の段落番号０２２３を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。また、環状アルキル基が置換したエステル系溶剤、環状アルキル基が置換したケトン系溶剤を好ましく用いることもできる。有機溶剤の具体例としては、ジクロロメタン、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、エチルセロソルブアセテート、乳酸エチル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、酢酸ブチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン、酢酸シクロヘキシル、シクロペンタノン、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどが挙げられる。また、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、３−ブトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミドも溶解性向上の観点から好ましい。本発明において有機溶剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。ただし溶剤としての芳香族炭化水素類（ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等）は、環境面等の理由により低減したほうがよい場合がある（例えば、有機溶剤全量に対して、５０質量ｐｐｍ（ｐａｒｔｓ ｐｅｒ ｍｉｌｌｉｏｎ）以下とすることもでき、１０質量ｐｐｍ以下とすることもでき、１質量ｐｐｍ以下とすることもできる）。

溶剤の含有量は、近赤外線吸収組成物の固形分濃度（全固形分）が５〜８０質量％となる量が好ましい。下限は、１０質量％以上が好ましく、２０質量％以上がより好ましく、３０質量％以上が更に好ましく、５０質量％以上がより一層好ましく、５５質量％以上が更に一層好ましく、６０質量％以上が特に好ましい。上限は、７５質量％以下が好ましく、７０質量％以下がより好ましい。近赤外線吸収組成物の固形分濃度（全固形分）を高めることで、一回の塗布で厚みのある近赤外線吸収組成物層を形成することができる。例えば、近赤外線吸収組成物の全固形分を５０質量％以上とすることで、一回の塗布で５〜４０μｍの厚みの近赤外線吸収組成物層を形成することができる。また、近赤外線吸収組成物の全固形分が８０質量％以下であれば、近赤外線吸収組成物中の成分の溶解性が良好である。溶剤は１種類のみでも、２種類以上でもよく、２種類以上の場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。

近赤外線吸収組成物は、触媒を含んでもよい。例えば、アルコキシシリル基等の架橋性基を有する樹脂を用いた場合や、架橋剤を用いた場合においては、近赤外線吸収組成物が触媒を含有することで、架橋性基の架橋反応を促進して、機械物性、耐溶剤性、耐熱性などに優れた近赤外線カットフィルタが得られ易い。触媒としては、有機金属系触媒、酸系触媒、アミン系触媒などが挙げられ、有機金属系触媒が好ましい。有機金属系触媒は、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、及びＢｉからなる群より選択される少なくとも１つの金属を含む、酸化物、硫化物、ハロゲン化物、炭酸塩、カルボン酸塩、スルホン酸塩、リン酸塩、硝酸塩、硫酸塩、アルコキシド、水酸化物、及び置換基を有していてもよいアセチルアセトナート錯体からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。なかでも、上記金属の、ハロゲン化物、カルボン酸塩、硝酸塩、硫酸塩、水酸化物、及び置換基を有していてもよいアセチルアセトナート錯体からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましく、アセチルアセトナート錯体が更に好ましい。有機金属系触媒の具体例としては、例えば、トリス（２，４−ペンタンジオナト）アルミニウムなどが挙げられる。近赤外線吸収組成物が、触媒を含有する場合、触媒の含有量は、近赤外線吸収組成物の全固形分に対して０．０１〜５質量％が好ましい。上限は、３質量％以下が好ましく、１質量％以下が更に好ましい。下限は、０．０５質量％以上が好ましい。

近赤外線吸収組成物は、ラジカルトラップ剤を含有することもできる。ラジカルトラップ剤としてはオキシム化合物が挙げられる。オキシム化合物の市販品としては、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０１、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０２、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０３、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０４（以上、ＢＡＳＦ社製）、ＴＲ−ＰＢＧ−３０４（常州強力電子新材料有限公司製）、アデカアークルズＮＣＩ−８３１（（株）ＡＤＥＫＡ製）、アデカアークルズＮＣＩ−９３０（（株）ＡＤＥＫＡ製）、アデカオプトマーＮ−１９１９（（株）ＡＤＥＫＡ製、特開２０１２−１４０５２号公報に記載の光重合開始剤２）等を用いることができる。また、オキシム化合物として、フッ素原子を有するオキシム化合物を用いることもできる。フッ素原子を有するオキシム化合物の具体例としては、特開２０１０−２６２０２８号公報に記載の化合物、特表２０１４−５００８５２号公報に記載の化合物２４、３６〜４０、特開２０１３−１６４４７１号公報に記載の化合物（Ｃ−３）などが挙げられる。この内容は本明細書に組み込まれる。また、オキシム化合物として、ニトロ基を有するオキシム化合物を用いることができる。ニトロ基を有するオキシム化合物は、二量体とすることも好ましい。ニトロ基を有するオキシム化合物の具体例としては、特開２０１３−１１４２４９号公報の段落番号００３１〜００４７、特開２０１４−１３７４６６号公報の段落番号０００８〜００１２、００７０〜００７９に記載されている化合物、特許４２２３０７１号公報の段落番号０００７〜００２５に記載されている化合物、アデカアークルズＮＣＩ−８３１（（株）ＡＤＥＫＡ製）が挙げられる。また、オキシム化合物として、フルオレン環を有するオキシム化合物を用いることもできる。フルオレン環を有するオキシム化合物の具体例としては、特開２０１４−１３７４６６号公報に記載の化合物が挙げられる。この内容は本明細書に組み込まれる。また、オキシム化合物として、ベンゾフラン骨格を有するオキシム化合物を用いることもできる。具体例としては、国際公開ＷＯ２０１５／０３６９１０号公報に記載されている化合物ＯＥ−０１〜ＯＥ−７５が挙げられる。

近赤外線吸収組成物がラジカルトラップ剤を含有する場合、ラジカルトラップ剤の含有量は、近赤外線吸収組成物の全固形分に対して、０．０１〜３０質量％が好ましい。下限は、０．１質量％以上が好ましい。上限は、２０質量％以下が好ましく、１０質量％以下がより好ましい。

近赤外線吸収組成物は、界面活性剤を含有することもできる。界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤などの各種界面活性剤を使用でき、フッ素系界面活性剤およびシリコーン系界面活性剤が好ましく、フッ素系界面活性剤がより好ましい。フッ素系界面活性剤におけるフッ素含有率は、３〜４０質量％が好ましい。下限は、５質量％以上が好ましく、７質量％以上が更に好ましい。上限は、３０質量％以下が好ましく、２５質量％以下が更に好ましい。フッ素系界面活性剤におけるフッ素含有率が上述した範囲であれば、塗布膜の厚さの均一性や省液性の点で効果的である。フッ素系界面活性剤としては、下記構造の化合物などが挙げられる。

上記の化合物の重量平均分子量は、好ましくは３，０００〜５０，０００であり、例えば、１４，０００である。上記の化合物中、繰り返し単位の割合を示す％はモル％である。

界面活性剤については、特開２０１７−０６７８２４号公報の段落番号０１８７〜０１８９の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。

近赤外線吸収組成物が界面活性剤を含有する場合、界面活性剤の含有量は、近赤外線吸収組成物の全固形分に対して、０．０００１〜５質量％が好ましい。下限は、０．００５質量％以上が好ましく、０．０１質量％以上がより好ましい。上限は、２質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましい。
界面活性剤は、１種のみを用いてもよいし、２種類以上を組み合わせてもよい。

近赤外線吸収組成物は、さらに、紫外線吸収剤、酸化防止剤、分散剤、増感剤、硬化促進剤、フィラー、熱硬化促進剤、熱重合禁止剤、可塑剤、密着促進剤及びその他の助剤類（例えば、導電性粒子、充填剤、消泡剤、難燃剤、レベリング剤、剥離促進剤、香料、表面張力調整剤、連鎖移動剤など）を含んでいてもよい。これらの成分は、特開２０１７−０６７８２４号公報の段落番号０１９１〜０１９６、特開２０１２−２０８３７４号公報の段落番号００５２〜００７２、特開２０１３−６８８１４号公報の段落番号０３１７〜０３３４、特開２００８−２５００７４号公報の段落番号０１０１〜０１０４、０１０７〜０１０９の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。

近赤外線吸収組成物は、上述した各成分を混合して調製できる。近赤外線吸収組成物の調製に際しては、近赤外線吸収組成物を構成する各成分を一括配合してもよいし、各成分を溶剤に溶解および／または分散した後に逐次配合してもよい。また、配合する際の投入順序や作業条件は特に制約を受けない。

近赤外線吸収組成物の粘度は、１〜３０００ｍＰａ・ｓであることが好ましい。下限は、１０ｍＰａ・ｓ以上が好ましく、１００ｍＰａ・ｓ以上が更に好ましい。上限は、２０００ｍＰａ・ｓ以下が好ましく、１５００ｍＰａ・ｓ以下が更に好ましい。

＜積層体＞
次に、本発明の積層体について説明する。
本発明の積層体は、基板と、支持体層と、近赤外線吸収剤を含む近赤外線カットフィルタ層とを有し、
支持体層の一方の面が基板と接しており、支持体層の他方の面が近赤外線カットフィルタ層と接しており、
支持体層は、高分子フィルムを有し、
基板は、平面度が１４μｍ以下で、２３℃での幅１ｍｍあたりの曲げ剛性が支持体層よりも大きいことを特徴とする。

積層体に用いられる基板、支持体層および近赤外線カットフィルタ層の好ましい範囲については、上述した範囲と同様であり、好ましい範囲も同様である。

＜キット＞
次に、本発明のキットについて説明する。
本発明のキットは、上述した本発明の近赤外線カットフィルタの製造方法に用いられるキットであって、
高分子フィルムを有する支持体層と、
平面度が１４μｍ以下で、２３℃での幅１ｍｍあたりの曲げ剛性が支持体よりも大きい基板と、
近赤外線吸収剤を含む近赤外線吸収組成物と、を有する。

基板、支持体層および近赤外線吸収組成物の好ましい範囲については、上述した範囲と同様であり、好ましい範囲も同様である。

以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。なお、特に断りのない限り、「部」、「％」は、質量基準である。

＜重量平均分子量（Ｍｗ）＞
重量平均分子量（Ｍｗ）は、以下の方法で、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）にて測定した。
装置：ＨＬＣ−８２２０ ＧＰＣ（東ソー株式会社製）
検出器：ＲＩ（Ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ Ｉｎｄｅｘ）検出器
カラム：ガードカラム ＨＺ−Ｌと、ＴＳＫ ｇｅｌ Ｓｕｐｅｒ ＨＺＭ−Ｍと、ＴＳＫ ｇｅｌ Ｓｕｐｅｒ ＨＺ４０００と、ＴＳＫ ｇｅｌ Ｓｕｐｅｒ ＨＺ３０００と、ＴＳＫ ｇｅｌ Ｓｕｐｅｒ ＨＺ２０００（東ソー株式会社製）とを連結したカラム
溶離液：テトラヒドロフラン（安定剤含有）
カラム温度：４０℃
注入量：１０μＬ
分析時間：２６ｍｉｎ．
流量：流速 ０．３５ｍＬ／ｍｉｎ．（サンプルポンプ） ０．２０ｍＬ／ｍｉｎ．（リファレンスポンプ）
検量線ベース樹脂：ポリスチレン

＜曲げ剛性の測定＞
ガラス基板、支持体層および近赤外線カットフィルタ層の曲げ剛性は、ＪＩＳ Ｋ ７１７１に準じた方法に基づき２３℃で測定したヤング率及びガラス基板、支持体層または近赤外線カットフィルタ層の形状から算出される断面二次モーメントに基づいて算出した。
曲げ剛性＝Ｅ×Ｉ
Ｅ：ヤング率［Ｐａ］、Ｉ：断面二次モーメント［ｍ^４］
計算するガラス基板、支持体層及び近赤外線カットフィルタ層の形状は矩形とみなし、その断面二次モーメントは以下の式から算出した。
断面二次モーメントＩ＝ｂ×ｈ^３／１２
ｂ：幅［ｍ］、ｈ＝厚さ／２［ｍ］

＜破断伸び率の測定＞
破断伸び率はＪＩＳ Ｋ ７１６１に準拠した方法で測定した。破断伸び率の値は２３℃での値である。

＜近赤外線吸収組成物の調製＞
下記原料を混合して固形分濃度６２質量％の近赤外線吸収組成物を調製した。
・近赤外線吸収剤（下記構造の銅錯体） ・・・４０質量部

・樹脂（下記構造の樹脂、Ｍｗ＝１５０００、側鎖に付記した数値はモル比である） ・・・４９質量部

・架橋剤（ＫＢＭ−３０６６、信越シリコーン（株）製、１，６−ビス（トリメトキシシリル）ヘキサン） ・・・６質量部
・ラジカルトラップ剤（下記構造の化合物） ・・・５質量部

・触媒（トリス（２，４−ペンタンジオナト）アルミニウム（ＩＩＩ）） ・・・０．０３質量部
・界面活性剤（下記化合物、Ｍｗ＝１４，０００、繰り返し単位の割合を示す％はモル％である。） ・・・０．０１質量部

・シクロペンタノン ・・・残部

＜支持体層の製造＞
（支持体層１〜５）
厚さ２５μｍの光学粘着フィルム（製品名ＰＤ―Ｓ１、パナック（株）製）を用いて、下記表に記載のフィルムの離型層を外側に向けてローラを用いて転圧し支持体層を形成した。また、支持体層表面の剥離力についても併せて以下の表に記載する。なお、表中に記載の剥離力の値は、接着対象に３１Ｂテープ（日東電工（株）製）を用い、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、剥離角度１８０度とし、その他はＪＩＳ Ｚ ０２３７に準拠した方法で測定した値である。支持体層６、７の剥離力についても同じである。

（支持体層６）
厚さ２５μｍの光学粘着フィルム（製品名ＰＤ−Ｓ１、パナック（株）製）の片面から離型紙を剥離し、これを支持体層とした。この支持体層表面（離型紙を剥離した側の面）の剥離力は、１５．５Ｎ／２５ｍｍであった。

（支持体層７）
ＳＧ−２Ｓを支持体層とした。この支持体層表面の剥離力は、４Ｎ／２５ｍｍであった。

＜近赤外線カットフィルタの製造＞
（実施例１〜５）
厚さ１ｍｍのガラス基板（平面度７μｍ）の表面に、下記表に記載の支持体層を積層した。次に、支持体層の表面に、近赤外線吸収組成物をスピンコートして、近赤外線吸収組成物層を形成した。次いで、ホットプレートを用いて近赤外線吸収組成物層を１００℃で１時間乾燥したのち、ホットプレートを用いて近赤外線吸収組成物層を１５０℃で１．５時間加熱して厚さ２００μｍの近赤外線カットフィルタ層を形成した。
次に、ガラス基板から、支持体層と近赤外線カットフィルタ層との積層体を剥離し、ついで、基板から剥離した前述の積層体から支持体層を剥離して、近赤外線カットフィルタ（近赤外線カットフィルタ層）を得た。
このガラス基板の２３℃での幅１ｍｍあたりの曲げ剛性は、支持体層１〜６の曲げ剛性よりも大きかった。また、得られた近赤外線カットフィルタ（近赤外線カットフィルタ層）は、２３℃での幅１ｍｍあたりの曲げ剛性が５×１０^−６Ｐａ・ｍ^４以下で、２３℃での破断伸び率が１０％以下であった。また、実施例で用いた支持体層は、２３℃での破断伸び率が５％以上であって、かつ、近赤外線カットフィルタ層の破断伸び率よりも大きかった。また、支持体層の２３℃での幅１ｍｍあたりの曲げ剛性は、４×１０^−６Ｐａ・ｍ^４以下で、かつ、近赤外線カットフィルタ層の幅１ｍｍあたりの曲げ剛性よりも小さかった。

（比較例１）
支持体層を用いなかった以外は、実施例１〜５と同様の工程を経て近赤外線カットフィルタ（近赤外線カットフィルタ層）を得た。

（比較例２、３）
基板を用いなかった以外は、実施例１〜５と同様の工程を経て近赤外線カットフィルタ（近赤外線カットフィルタ層）を得た。

＜平面性の評価＞
得られた近赤外線カットフィルタの膜厚分布を、近赤外線カットフィルタ層形成範囲の外側１０ｍｍを除いた範囲を９分割し、各エリアの中心点を接触式膜厚計で測定し、以下の基準で平面性を評価した。
Ａ：膜厚の分布が、平均膜厚の９５〜１０５％の範囲である。
Ｂ：膜厚の分布が平均膜厚の９５％未満であるもの、あるいは、１０５％を超えるものが存在している。

＜剥離品質の評価＞
基板の剥離時および支持体層の剥離時の近赤外線カットフィルタ（近赤外線カットフィルタ層）の表面の割れの有無を目視で観察し、以下の基準で剥離品質を評価した。
Ａ：割れが存在していない。
Ｂ：一部に割れが存在しているが使用可能な部分があった
Ｃ：全面に割れが存在し使用不可能、または、下層から近赤外線カットフィルタ層を剥離できなかった

上記表に示すように、実施例は、平面性が良好で、割れ等のない近赤外線カットフィルタを得ることができた。このため、実施例においては、平面性の高い近赤外線カットフィルタを生産性よく製造できた。

１０：基板
２０：支持体層
３０：近赤外線吸収組成物層
３１：近赤外線カットフィルタ層
３２：切り込み
４０：積層体

Claims (19)

1. 基板の表面に支持体層を形成する工程と、
   前記支持体層の表面に、近赤外線吸収剤を含む近赤外線吸収組成物を塗布して近赤外線吸収組成物層を形成する工程と、
   前記近赤外線吸収組成物層を硬化処理して近赤外線カットフィルタ層を形成する工程と、
   前記基板から、前記支持体層と前記近赤外線カットフィルタ層との積層体を剥離する工程と、
   前記基板から剥離した積層体から前記支持体層を剥離する工程と、
   を含む、近赤外線カットフィルタの製造方法。
2. 前記基板の平面度が１４μｍ以下で、２３℃での幅１ｍｍあたりの曲げ剛性が前記支持体層よりも大きい、請求項１に記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
3. 前記支持体層は高分子フィルムを含む、請求項１または２に記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
4. 前記高分子フィルムの軟化温度が、前記近赤外線吸収組成物層の硬化処理時の最高到達温度よりも高い、請求項３に記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
5. 前記高分子フィルムの２３℃での破断伸び率が５％以上であって、かつ、近赤外線カットフィルタ層の破断伸び率よりも大きく、
   前記高分子フィルムの２３℃での幅１ｍｍあたりの曲げ剛性が４×１０^−６Ｐａ・ｍ^４以下で、かつ、近赤外線カットフィルタ層の幅１ｍｍあたりの曲げ剛性よりも小さい、請求項３または４に記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
6. 前記支持体層は、近赤外線カットフィルタ層側の剥離力が９Ｎ／２５ｍｍ以下である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
7. 前記支持体層は、前記基板側の剥離力が１５．５Ｎ／２５ｍｍ以下である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
8. 前記支持体層の前記近赤外線カットフィルタ層側の剥離力が、前記基板側の剥離力よりも大きい、請求項１〜７のいずれか１項に記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
9. 前記支持体層の前記近赤外線カットフィルタ層側の剥離力が、前記基板側の剥離力よりも小さい、請求項１〜７のいずれか１項に記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
10. 前記支持体層の前記近赤外線カットフィルタ層側の剥離力が、前記基板側の剥離力と同じである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
11. 前記近赤外線吸収組成物層を形成する工程は、前記支持体層の表面に近赤外線吸収組成物を塗布して近赤外線吸収組成物層を形成するとともに、前記支持体層の表面の少なくとも一部に前記近赤外線吸収組成物層が設けられていない余白部を形成する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
12. 前記支持体層の膜厚が１〜１０００μｍである、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
13. 前記近赤外線カットフィルタ層の膜厚が１〜５００μｍである、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
14. 前記近赤外線カットフィルタ層は、２３℃での幅１ｍｍあたりの曲げ剛性が５×１０^−６Ｐａ・ｍ^４以下で、２３℃での破断伸び率が１０％以下である、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
15. 前記近赤外線吸収組成物は、銅錯体と樹脂とを含む、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
16. 前記樹脂は、架橋性基を有する樹脂を含む、請求項１５に記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
17. 前記近赤外線吸収組成物は、架橋性基を有するモノマーを含む、請求項１５または１６に記載の近赤外線カットフィルタの製造方法。
18. 基板と、支持体層と、近赤外線吸収剤を含む近赤外線カットフィルタ層とを有し、
    前記支持体層の一方の面が前記基板と接しており、前記支持体層の他方の面が前記近赤外線カットフィルタ層と接しており、
    前記支持体層は、高分子フィルムを有し、
    前記基板は、平面度が１４μｍ以下で、２３℃での幅１ｍｍあたりの曲げ剛性が前記支持体層よりも大きい、積層体。
19. 請求項１〜１７のいずれか１項に記載の近赤外線カットフィルタの製造方法に用いられるキットであって、
    高分子フィルムを有する支持体層と、
    平面度が１４μｍ以下で、２３℃での幅１ｍｍあたりの曲げ剛性が前記支持体層よりも大きい基板と、
    近赤外線吸収剤を含む近赤外線吸収組成物と、を有するキット。

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