JPWO2018220731A1

JPWO2018220731A1 - 処理装置

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Publication number: JPWO2018220731A1
Application number: JP2019521584A
Authority: JP
Inventors: 川邉　丈晴; 丈晴川邉; 本多　祐二; 祐二本多; 健木島; 哲平鈴木
Original assignee: ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGIES INC.
Current assignee: ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGIES INC.
Priority date: 2017-05-31
Filing date: 2017-05-31
Publication date: 2020-05-21
Also published as: WO2018220731A1

Abstract

【課題】処理室の数が増えても搬送ロボットが基板を処理室から処理室へ搬送する際の待ち時間を少なくできる処理装置を提供する。【解決手段】本発明の一態様は、第１の受渡室２３１と、基板を保持する第１のステージ２４１と、前記第１の受渡室に第１のゲートバルブ２２２を介して接続された第１の搬送室２６１と、第１の搬送ロボット２６１ａと、前記第１の搬送室に第２のゲートバルブ２２３を介して接続された第１の処理室２１２と、基板を保持する第２のステージ２４２と、前記第１の搬送室に第３のゲートバルブ２２４を介して接続された第２の処理室２１３と、基板を保持する第３のステージ２４３と、前記第１の搬送室に第１の開口２７１を介して接続された第２の受渡室２３２と、基板を保持する第４のステージ２４４を具備する処理装置である。【選択図】図１

Description

本発明は、処理装置に関する。

図９は、従来の処理装置を模式的に示す平面図である。
処理装置は、ロードロック室１０１と、搬送室１０２と、搬送ロボット１０３と、ＹＳＺスパッタ室１０４と、磁性を持つ物質のスパッタ室１０５と、特定の格子定数を持つ物質のスパッタ室１０６と、ＰＺＴスパッタ室１０７とを有している。

ロードロック室１０１には真空ポンプ（図示せず）が接続されており、成膜処理を施すＳｉ基板（例えばＳｉウエハ）をロードロック室１０１内に導入し、真空ポンプによってロードロック室１０１内が真空排気されるようになっている。

搬送室１０２は、ゲートバルブ１５１を介してロードロック室１０１に接続されている。搬送室１０２内には搬送ロボット１０３が配置されている。搬送室１０２には真空ポンプ（図示せず）が接続されており、その真空ポンプによって搬送室１０２内が真空排気されるようになっている。

ＹＳＺスパッタ室１０４は、Ｓｉウエハ（Ｓｉ基板ともいう）１２３上にＹＳＺ膜を反応性スパッタリングによって成膜するものであり、ゲートバルブ１５１を介して搬送室１０２に接続されている。ＹＳＺスパッタ室１０４は第１のチャンバーを有しており、処理装置は第１のチャンバーを有する第１のスパッタリング装置（図示せず）を有している。搬送ロボット１０３によってＳｉウエハ１２３をロードロック室１０１内から搬送室１０２を通ってＹＳＺスパッタ室１０４の第１のチャンバーに搬送するようになっている。

磁性を持つ物質のスパッタ室１０５は、Ｓｉウエハ１２３上に磁性を持つ物質を含む導電膜をスパッタリングによって成膜するものであり、ゲートバルブ１５１を介して搬送室１０２に接続されている。スパッタ室１０５は、第２のチャンバーを有する第２のスパッタリング装置（図示せず）を有している。搬送ロボット１０３によってＳｉウエハ１２３をＹＳＺスパッタ１０室４の第１のチャンバー内から搬送室１０２を通ってスパッタ室１０５の第２のチャンバー内に搬送するようになっている。

特定の格子定数を持つ物質のスパッタ室１０６は、Ｓｉウエハ１２３上に特定の格子定数を持つ物質を含む導電膜をスパッタリングによって成膜するものであり、ゲートバルブ１５１を介して搬送室１０２に接続されている。スパッタ室１０６は、第３のチャンバーを有する第３のスパッタリング装置（図示せず）を有している。搬送ロボット１０３によってＳｉウエハ１２３をスパッタ室１０５の第２のチャンバー内から搬送室１０２を通ってスパッタ室１０６の第３のチャンバー内に搬送するようになっている。

ＰＺＴスパッタ室１０７は、Ｓｉウエハ１２３上にＰＺＴ膜をスパッタリングによって成膜するものであり、ゲートバルブ１５１を介して搬送室１０２に接続されている。ＰＺＴスパッタ室１０７は、第４のチャンバーを有する第４のスパッタリング装置（図示せず）を有している。搬送ロボット１０３によってＳｉウエハ１２３をスパッタ室１０６の第３のチャンバー内から搬送室１０２を通ってスパッタ室１０７の第４のチャンバー内に搬送するようになっている（例えば特許文献１参照）。

上記従来の処理装置では、一つの搬送ロボット１０３を有する一つの搬送室１０２の周囲に複数の処理室を配置しているため、処理室の数が増えると、搬送ロボット１０３がＳｉ基板を処理室から処理室へ搬送する際の待ち時間が増加する。その結果、スループットが低下するという問題が生じる。また、上記従来の処理装置では、処理室の数が増えると処理室の相互間隔が狭くなり、処理室内のメンテナンスが困難になるという問題が発生する。

特開２０１４−１７０７８４号公報

本発明の一態様は、処理室の数が増えても搬送ロボットが基板を処理室から処理室へ搬送する際の待ち時間を少なくできる処理装置を提供することを課題とする。

以下に、本発明の種々の態様について説明する。
［１］第１の受渡室と、
前記第１の受渡室内に配置され、基板を保持する第１のステージと、
前記第１の受渡室に第１のゲートバルブを介して接続された第１の搬送室と、
前記第１の搬送室内に配置された第１の搬送ロボットと、
前記第１の搬送室に第２のゲートバルブを介して接続された第１の処理室と、
前記第１の処理室内に配置され、前記基板を保持する第２のステージと、
前記第１の搬送室に第３のゲートバルブを介して接続された第２の処理室と、
前記第２の処理室内に配置され、前記基板を保持する第３のステージと、
前記第１の搬送室に第１の開口を介して接続された第２の受渡室と、
前記第２の受渡室内に配置され、前記基板を保持する第４のステージと、
前記第２の受渡室に第２の開口を介して接続された第２の搬送室と、
前記第２の搬送室内に配置された第２の搬送ロボットと、
前記第２の搬送室に第４のゲートバルブを介して接続された第３の処理室と、
前記第３の処理室内に配置され、前記基板を保持する第５のステージと、
前記第２の搬送室に第５のゲートバルブを介して接続された第４の処理室と、
前記第４の処理室内に配置され、前記基板を保持する第６のステージと、
前記第２の搬送室に第３の開口を介して接続された第３の受渡室と、
前記第３の受渡室内に配置され、前記基板を保持する第７のステージと、
前記第３の受渡室に第４の開口を介して接続された第３の搬送室と、
前記第３の搬送室内に配置された第３の搬送ロボットと、
前記第３の搬送室に第６のゲートバルブを介して接続された第５の処理室と、
前記第５の処理室内に配置され、前記基板を保持する第８のステージと、
前記第３の搬送室に第７のゲートバルブを介して接続された第６の処理室と、
前記第６の処理室内に配置され、前記基板を保持する第９のステージと、
を具備し、
前記第１の搬送ロボットは、前記第１のステージと前記第２のステージの間、前記第２のステージと前記第４のステージの間、前記第４のステージと前記第３のステージの間、前記第３のステージと前記第１のステージの間で前記基板を搬送する機能を有し、
前記第２の搬送ロボットは、前記第４のステージと前記第５のステージの間、前記第５のステージと前記第７のステージの間、前記第７のステージと前記第６のステージの間、前記第６のステージと前記第４のステージの間で前記基板を搬送する機能を有し、
前記第３の搬送ロボットは、前記第７のステージと前記第８のステージの間、前記第８のステージと前記第９のステージの間、前記第９のステージと前記第７のステージの間で前記基板を搬送する機能を有することを特徴とする処理装置。

［２］上記［１］において、
前記第１の受渡室内に配置され、前記基板を保持する第１０のステージと、
前記第２の受渡室内に配置され、前記基板を保持する第１１のステージと、
前記第３の受渡室内に配置され、前記基板を保持する第１２のステージと、
を有することを特徴とする処理装置。

［３］上記［１］または［２］において、
前記第１の受渡室、前記第２の受渡室及び前記第３の受渡室の少なくとも一つに配置された前記基板を加熱するヒータを有することを特徴とする処理装置。

［４］上記［１］乃至［３］のいずれか一項において、
前記第１の処理室は、前記第２のステージに保持された前記基板に蒸着法により膜を成膜する処理室であることを特徴とする処理装置。

［５］上記［４］において、
前記第１の処理室と前記第３の処理室の間の距離は５００ｍｍ以下であり、
前記第３の処理室と前記第５の処理室の間の距離は５００ｍｍ以下であり、
前記第２の処理室と前記第４の処理室の間の距離は５００ｍｍ以下であり、
前記第４の処理室と前記第６の処理室の間の距離は５００ｍｍ以下であることを特徴とする処理装置。

［６］上記［４］または［５］において、
前記第３の処理室内に加圧されたガスを導入するガス導入機構と、
前記第３の処理室内のガスを排気するガス排気機構と、
前記第５のステージに保持された前記基板にランプ光を照射するランプヒータと、
を具備することを特徴とする処理装置。

［７］上記［６］において、
前記第１の処理室で成膜される前記膜はＺｒ膜であり、
前記第３の処理室内に導入される前記ガスは酸素であり、
前記第５の処理室は、前記第８のステージに保持された前記基板を反転させる機構を有し、
前記第６の処理室は、前記第９のステージに保持された前記基板にスパッタリングによりＰｔ膜を成膜する処理室であり、
前記第３の受渡室に配置された前記基板を加熱するヒータを有し、
前記第４の処理室は、前記第６のステージに保持された前記基板にスパッタリングによりＳＲＯ膜を成膜する処理室であり、
前記第２の処理室は、前記第３のステージに保持された前記基板にスパッタリングによりＰＺＴ膜を成膜する処理室であることを特徴とする処理装置。

［８］上記［７］において、
前記第１の処理室内で前記第２のステージに保持された前記基板上にＺｒ膜が成膜され、
前記第３の処理室内で加圧酸素雰囲気により前記Ｚｒ膜に前記ランプ光を照射することで、前記Ｚｒ膜の一部を酸化させ、Ｚｒ膜とＺｒＯ_２膜の積層膜を形成することを特徴とする処理装置。

［９］上記［１］乃至［８］のいずれか一項において、
前記第３の搬送室には第５の開口が形成され、前記第５の開口が蓋により塞がれていることを特徴とする処理装置。
なお、第５の開口は、第４の受渡室を接続して処理室をさらに増設させるためのものである。これにより、必要に応じて処理室を簡単に増やすことができる。

［１０］第３の処理室と、
前記第３の処理室内に配置され、Ｚｒ膜が成膜された基板を保持する第５のステージと、
前記第３の処理室内に加圧された酸素ガスを導入するガス導入機構と、
前記第３の処理室内のガスを排気するガス排気機構と、
前記第５のステージに保持された前記基板にランプ光を照射するランプヒータと、
を具備し、
加圧酸素雰囲気で前記Ｚｒ膜に前記ランプ光を照射することで、前記Ｚｒ膜の一部を酸化させ、Ｚｒ膜とＺｒＯ_２膜の積層膜を形成することを特徴とする処理装置。

本発明の一態様によれば、処理室の数が増えても搬送ロボットが基板を処理室から処理室へ搬送する際の待ち時間を少なくできる処理装置を提供することができる。

本発明の一態様に係る処理装置を模式的に示す平面図である。図１に示す第３の受渡室２３３の内部構造を模式的に示す断面図である。図１に示す第１の処理室２１２の内部構造を模式的に示す断面図である。図１に示す第３の処理室２１４の内部構造を模式的に示す断面図である。図４に示すＡ−Ａ'部の断面図である。図４に示すＢ−Ｂ'部の断面図である。図１に示す第２の処理室２１３の内部構造を模式的に示す断面図である。図１の処理装置を用いてＳｉ基板上に膜を成膜した膜構造を示す断面図である。従来の処理装置を模式的に示す平面図である。

以下では、本発明の実施形態及び実施例について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施形態の記載内容及び実施例に限定して解釈されるものではない。

図１は、本発明の一態様に係る処理装置を模式的に示す平面図である。この処理装置は大気搬送システム２１１を有し、この大気搬送システム２１１はゲートバルブ２２１を介して第１の受渡室２３１に接続されている。第１の受渡室２３１内には基板２５１を保持する第１のステージ２４１が配置されている。

第１の受渡室２３１は第１のゲートバルブ２２２を介して第１の搬送室２６１に接続されており、第１の搬送室２６１内には第１の真空搬送ロボット２６１ａが配置されている。第１の搬送室２６１は第２のゲートバルブ２２３を介して第１の処理室２１２に接続されており、第１の処理室２１２内には基板２５１を保持する第２のステージ２４２が配置されている。

第１の搬送室２６１は第３のゲートバルブ２２４を介して第２の処理室２１３に接続されており、第２の処理室２１３内には基板２５１を保持する第３のステージ２４３が配置されている。第１の搬送室２６１は第１の開口２７１を介して第２の受渡室２３２に接続されており、第２の受渡室２３２内には基板２５１を保持する第４のステージ２４４が配置されている。

第２の受渡室２３２は第２の開口２７２を介して第２の搬送室２６２に接続されており、第２の搬送室２６２内には第２の真空搬送ロボット２６２ａが配置されている。第２の搬送室２６２は第４のゲートバルブ２２５を介して第３の処理室２１４に接続されており、第３の処理室２１４内には基板２５１を保持する第５のステージ２４５配置されている。

第２の搬送室２６２は第５のゲートバルブ２２６を介して第４の処理室２１５に接続されており、第４の処理室２１５内には基板２５１を保持する第６のステージ２４６が配置されている。第２の搬送室２６２は第３の開口２７３を介して第３の受渡室２３３に接続されており、第３の受渡室２３３内には基板２５１を保持する第７のステージ２４７が配置されている。なお、第４の処理室２１５は、第６のステージ２４６に保持された基板２５１にスパッタリングによりＳｒＲｕＯ_３膜（ＳＲＯ膜ともいう。）を成膜する処理室であるとよい。

第３の受渡室２３３は第４の開口２７４を介して第３の搬送室２６３に接続されており、第３の搬送室２６３内には第３の搬送ロボット２６３ａが配置されている。第３の搬送室２６３は第６のゲートバルブ２２７を介して第５の処理室２１６に接続されており、第５の処理室２１６内には基板２５１を保持する第８のステージ２４８が配置されている。なお、第５の処理室２１６は、第８のステージ２４８上に保持された基板２５１を反転させる機構を有するとよい。

第３の搬送室２６３は第７のゲートバルブ２２８を介して第６の処理室２１７に接続されており、第６の処理室２１７内には基板２５１を保持する第９のステージ２４９が配置されている。なお、第６の処理室２１７は、第９のステージ２４９に保持された基板２５１にスパッタリングによりＰｔ膜を成膜する処理室であるとよい。

第１の搬送ロボット２６１ａは、第１のゲートバルブ２２２、第１の搬送室２６１及び第２のゲートバルブ２２３を通って、第１のステージ２４１と第２のステージ２４２の間で基板２５１を搬送する機能を有し、第２のゲートバルブ２２３、第１の搬送室２６１及び第１の開口２７１を通って、第２のステージ２４２と第４のステージ２４４の間で基板２５１を搬送する機能を有し、第１の開口２７１、第１の搬送室２６１及び第３のゲートバルブ２２４を通って、第４のステージ２４４と第３のステージ２４３の間で基板２５１を搬送する機能を有し、第３のゲートバルブ２２４、第１の搬送室２６１及び第１のゲートバルブ２２２を通って、第３のステージ２４３と第１のステージ２４１の間で基板２５１を搬送する機能を有する。

第２の搬送ロボット２６２ａは、第２の開口２７２、第２の搬送室２６２及び第４のゲートバルブ２２５を通って、第４のステージ２４４と第５のステージ２４５の間で基板２５１を搬送する機能を有し、第４のゲートバルブ２２５、第２の搬送室２６２及び第３の開口２７３を通って、第５のステージ２４５と第７のステージ２４７の間で基板２５１を搬送する機能を有し、第３の開口２７３、第２の搬送室２６２及び第５のゲートバルブ２２６を通って、第７のステージ２４７と第６のステージ２４６の間で基板２５１を搬送する機能を有し、第５のゲートバルブ２２６、第２の搬送室２６２及び第２の開口２７２を通って、第６のステージ２４６と第４のステージ２４４の間で基板を搬送する機能を有する。

第３の搬送ロボット２６３ａは、第４の開口２７４、第３の搬送室２６３及び第６のゲートバルブ２２７を通って、第７のステージ２４７と第８のステージ２４８の間で基板２５１を搬送する機能を有し、第６のゲートバルブ２２７、第３の搬送室２６３及び第７のゲートバルブ２２８を通って、第８のステージ２４８と第９のステージ２４９の間で基板２５１を搬送する機能を有し、第７のゲートバルブ２２８、第３の搬送室２６３及び第４の開口２７４を通って、第９のステージ２４９と第７のステージ２４７の間で基板を搬送する機能を有する。

大気搬送システム２１１は扉２１１ａを備えたチャンバー２１１ｂを有し、このチャンバー２１１ｂ内には複数の基板を保持するカセット（図示せず）が配置されている。このカセットに保持された基板を、第１の受渡室２３１内の第１のステージ２４１にゲートバルブ２２１を通って搬送する機能を大気搬送システムは有している。

第１の処理室２１２と第３の処理室２１４の間の距離２００は５００ｍｍ以下であり、第３の処理室２１４と第５の処理室２１６の間の距離は５００ｍｍ以下である。第２の処理室２１３と第４の処理室２１５の間の距離は５００ｍｍ以下であり、記第４の処理室２１５と第６の処理室２１７の間の距離は５００ｍｍ以下である。このようにすることで、フットプリントを縮小することができる。

第１〜第３の受渡室２３１〜２３３、第１〜第３の搬送室２６１〜２６３及び第１〜第６の処理室２１２〜２１７は、それぞれ図示せぬ真空排気機構に接続されている。

図１の処理装置によれば、処理室の数が増えても搬送ロボットが基板を処理室から処理室へ搬送する際の待ち時間を図９に示す処理装置に比べて少なくすることができる。その結果、スループットの低下を抑制することができる。

第３の搬送室２６３には、第４の開口２７４と反対側に位置する第５の開口２７５が形成されており、この第５の開口２７５が蓋（図示せず）により塞がれているとよい。このようにしておけば、第３の搬送室２６３の第５の開口２７５側に、第３の受渡室２３３と同様の受渡室、第３の搬送室２６３と同様の搬送室、第１〜第６の処理室２１２〜２１７と同様の処理室を、図１に示すように増設することが容易となる。但し、増設する処理室の内部は第１〜第６の処理室２１２〜２１７と全く同様である必要はなく、適切なものに適宜変更して実施することも可能である。

図２は、図１に示す第３の受渡室２３３の内部構造を模式的に示す断面図である。第３の受渡室２３３はチャンバー２３３ａを有し、チャンバー２３３ａには第３の開口２７３及び第４の開口２７４が形成されている。チャンバー２３３ａ内には第７のステージ２４７の下に第１２のステージ２４７ａが配置されており、第７のステージ２４７及び第１２のステージ２４７ａは上下移動機構（図示せず）により矢印２４７ｂのように上下移動可能に構成されている。ま

また、第３の受渡室２３３は、第７のステージ２４７に保持された基板２５１を加熱するランプヒータ２０１と、第１２のステージ２４７ａに保持された基板２５１ａを加熱するランプヒータ２０２を有している。

第２の搬送ロボット２６２ａの搬送アーム２６２ｂは、矢印２６２ｃのように移動することで、第３の開口２７３を通って基板２５１ａを第１２のステージ２４７ａ上に搬送すること、または基板２５１ａを第１２のステージ２４７ａから別のステージへ搬送することができるようになっている。また、第３の搬送ロボット２６３ａの搬送アーム２６３ｂは、矢印２６３ｃのように移動することで、第４の開口２７４を通って基板２５１を第７のステージ２４７上に搬送すること、または基板２５１を第７のステージ２４７から別のステージへ搬送することができるようになっている。

第１の受渡室２３１及び第２の受渡室２３２それぞれの内部構造は、第３の受渡室２３３と同様とするとよい。但し、第１〜第３の受渡室２３１〜２３３それぞれの内部構造は、図２に示す構造から適宜変更することが可能であり、例えば、ステージを２段ではなく１段にしても良いし、ランプヒータ２０１，２０２を一方のみにしても良いし、ランプヒータを無くしてもよい。

第１〜第３の受渡室２３１〜２３３が図２に示すように２段のステージを備えることで、例えば、第１の処理室２１２、第３の処理室２１４、第５の処理室２１６、第６の処理室２１７、第４の処理室２１５、第２の処理室２１３の順に基板を連続的に処理して搬送する際に、受渡室のステージが空いていないことによる搬送待ちの時間をほとんど無くすことができる。つまり、処理室を無駄なく使用して複数の基板を同時に処理する場合でも、受渡室のステージが空いていないことによる搬送待ちの時間をほとんど無くすことができる。従って、基板の処理時間を削減することができる。
なお、第３の搬送室２６３に第５の開口２７５を介して接続された第４の受渡室を設け、第４の受渡室内には基板２５１を保持する第１０のステージが配置されているとよい。この第４の受渡室は、受渡室のステージが空いていないことによる搬送待ちの時間を削減することに役立つ。また、第４の受渡室の内部構造は図２に示す構造と同様であってもよい。

図３は、図１に示す第１の処理室２１２の構造の詳細を模式的に示す断面図であり、第２のステージ２４２に保持された基板２５１に蒸着法によりＺｒ膜を成膜するエピタキシャル蒸着装置である。チャンバー３０１内には基板２５１を保持する第２のステージ２４２が配置されており、基板２５１は第２のゲートバルブ２２３を通して搬送される。基板２５１上にはハロゲンランプヒータ３０２が配置されており、このハロゲンランプヒータ３０２によって基板２５１が加熱されるようになっている。ハロゲンランプヒータ３０２はモーターＭによって矢印のように回転されるように構成されており、ハロゲンランプヒータ３０２にはヒータ電源及び温調器３０３が接続されている。基板２５１の近傍にはロータリーセンサー式膜厚モニター３０４が配置されており、この膜厚モニター３０４はクリスタル４枚切替部３０５を備えている。

基板２５１の下方にはＥＢガン３０６を備えた蒸着源３０７が配置されており、蒸着源３０７と基板２５１との間にはシャッター３０８が配置されている。シャッターは駆動部３０９によって開閉可能に構成されている。また、チャンバー３０１内にＡｒガスを導入するガス導入機構がチャンバー３０１に取り付けられている。なお、チャンバー３０１内にＯ_２ガスを導入するガス導入機構もチャンバー３０１に取り付けられていてもよい。

第１の処理室２１２は、図１に示すようにチャンバー３０１の内部をオペレータ３１１がメンテナンスするための扉３１０を有している。フットプリントを縮小するために処理室の相互間の距離２００を５００ｍｍ以下とすると、メンテナンスのための大きな扉３１０を設けた蒸着装置は第１の処理室２１２に配置することが好ましい。この扉３１０は５００ｍｍの間隔ではオペレータ３１１が作業する空間を十分に確保できないからである。

図４は、図１に示す第３の処理室２１４の内部構造を模式的に示す断面図であり、第５のステージ２４５に保持された基板２５１にランプ光を照射するランプヒータを有する加圧式ランプアニール装置である。図５は、図４に示すＡ−Ａ'部の断面図である。図６は、図４に示すＢ−Ｂ'部の断面図である。

図４乃至図６に示すように、加圧式ランプアニール装置はＡｌ製のチャンバー２１を有しており、このチャンバー２１の内部によって第３の処理室２１４が形成されている。チャンバー２１の内表面２１ａには表面処理が施されている。つまり、チャンバー２１の内表面２１ａには反射膜が形成されている。具体的な表面処理としては、Ａｕメッキ処理又はシュウ酸アルマイト処理を用いることが可能である。これにより、チャンバー２１の内表面２１ａにはＡｕメッキ膜又はシュウ酸アルマイト膜が形成され、このＡｕメッキ膜又はシュウ酸アルマイト膜でランプ光を反射させることができる。その結果、昇温レートを上げることができる。また、消費電力を少なくすることができる。また、チャンバー２１は図示せぬ冷却機構によって水冷されるように構成されている。

尚、本実施形態では、前記表面処理としてＡｕメッキ処理又はシュウ酸アルマイト処理を用いているが、本発明はこれに限定されるものではなく、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｔｉからなる群から選択された一の金属を主成分としたコーティング膜を用いることも可能である。

チャンバー２１内には基板２５１としてのウエハを保持する第５のステージ２４５が設けられている。第５のステージ２４５はランプ光が透過する材料、例えば石英で形成されている。第５のステージ２４５の下方には複数の透明管２０が配置されており、これら透明管２０はランプ光が透過する材料、例えば石英で形成されている。複数の透明管２０それぞれの内部にはランプヒータ１９が配置されている。

チャンバー２１の上部内壁２１ｂには溝１８が形成されており、この溝１８の内壁は、透明管２０の外表面に沿った曲面を有している。これにより、透明管２０を、その外表面が溝１８の内壁の曲面に接触した状態で溝１８内に配置することができる。ランプヒータ１９のランプ光は、第５のステージ２４５に保持された基板２５１に透明管２０を通して照射されるようになっている。

図５及び図６に示すように、透明管２０の一方端２０ａはチャンバー２１の外側に位置する金属製の第１の筐体２６ａの内部に繋げられており、透明管２０の他方端２０ｂはチャンバー２１の外側に位置する金属製の第２の筐体２６ｂの内部に繋げられている。第１の筐体２６ａには排気ダクト（図示せず）が接続されており、この排気ダクトは第１の筐体２６ａ、透明管２０及び第２の筐体２６ｂそれぞれの内部の熱を排気するものである。

透明管２０の両端２０ａ，２０ｂそれぞれとチャンバー２１との間には白色のＯリング２８が配置されている。これらのＯリング２８は第３の処理室２１４内の気密性を保持するものである。白色のＯリング２８を用いる理由は、例えば黒色のＯリングを用いるとランプヒータ１９からのランプ光によってＯリングが融けてしまうが、白色のＯリングを用いるとランプ光によってＯリングが融けることを抑制できるからである。

第５のステージ２４５の上方に位置するチャンバー２１の上部には窓が設けられており、この窓にはフッ化カルシウム８が配置されている。フッ化カルシウム８の上方には放射温度計９が配置されている。フッ化カルシウム８は、放射温度計９で基板の温度を測定するために、測定する波長領域の光（波長５μｍの赤外線）を取り込むために配置している。

チャンバー２１内に形成される第３の処理室２１４は狭い方が好ましい。その理由は、所定の圧力まで加圧又は減圧するのに必要な時間を短くすることができるからである。また、第３の処理室２１４内の高さは低い方が好ましい。その理由は、第３の処理室２１４内に配置された基板２５１とランプヒータ１９との間の距離を短くでき、それによって昇温レートを上げることができるからである。

チャンバー２１内の第３の処理室２１４は加圧ライン（加圧機構）１２に接続されている。加圧ライン１２は、アルゴンガスによる加圧ライン、酸素ガスによる加圧ライン及び窒素ガスによる加圧ラインを有している。

アルゴンガスによる加圧ラインはアルゴンガス供給源１３を備え、このアルゴンガス供給源１３は配管を介して逆止弁１４に接続されており、この逆止弁１４は配管を介して不純物を除去するためのフィルタ１７に接続されている。このフィルタ１７は配管を介してバルブ５０に接続されており、この配管は圧力計４７に接続されている。バルブ５０は配管を介してレギュレータ５３に接続されており、このレギュレータ５３は配管を介してマスフローコントローラ３１に接続されている。レギュレータ５３は、ガスの圧力を徐々に上げることによりマスフローコントローラ３１の上流側と下流側の差圧を所定圧に設定するものである。マスフローコントローラ３１は配管を介してバルブ３４に接続されており、このバルブ３４は配管を介して加熱ユニット３７に接続されている。加熱ユニット３７は、プロセスを安定させるためにガス温度を一定（例えば４０〜５０℃程度）にするものである。加熱ユニット３７は配管５１を介してチャンバー２１内の第３の処理室２１４に接続されている。

酸素ガスによる加圧ラインは、アルゴンガスによる加圧ラインと同様に構成されている。詳細には、酸素ガスによる加圧ラインは酸素ガス供給源２９を備え、この酸素ガス供給源２９は配管を介して逆止弁１５に接続されており、この逆止弁１５は配管を介して不純物を除去するためのフィルタ３０に接続されている。このフィルタ３０は配管を介してバルブ２４に接続されており、この配管は圧力計４８に接続されている。バルブ２４は配管を介してレギュレータ２７に接続されており、このレギュレータ２７は配管を介してマスフローコントローラ３２に接続されている。マスフローコントローラ３２は配管を介してバルブ３５に接続されており、このバルブ３５は配管を介して加熱ユニット３７に接続されている。加熱ユニット３７は配管５１を介してチャンバー２１内の第３の処理室２１４に接続されている。

窒素ガスによる加圧ラインは、アルゴンガスによる加圧ラインと同様に構成されている。詳細には、窒素ガスによる加圧ラインは窒素ガス供給源３８を備え、この窒素ガス供給源３８は配管を介して逆止弁１６に接続されており、この逆止弁１６は配管を介して不純物を除去するためのフィルタ４６ａに接続されている。このフィルタ４６ａは配管を介してバルブ５３ａに接続されており、この配管は圧力計４９に接続されている。バルブ５３ａは配管を介してレギュレータ５４に接続されており、このレギュレータ５４は配管を介してマスフローコントローラ３３に接続されている。マスフローコントローラ３３は配管を介してバルブ３６に接続されており、このバルブ３６は配管を介して加熱ユニット３７に接続されている。加熱ユニット３７は配管５１を介してチャンバー２１内の第３の処理室２１４に接続されている。

また、チャンバー２１内の第３の処理室２１４は圧力調整ラインに接続されている。この圧力調整ライン及び加圧ライン１２によってチャンバー２１内の第３の処理室２１４を所定の圧力（例えば１ＭＰａ未満）に加圧できるようになっている。前記圧力調整ラインは可変バルブ３９を備えており、この可変バルブ３９の一方側は配管５２を介してチャンバー２１内の第３の処理室２１４に接続されている。配管５２は圧力計４０に接続されており、この圧力計４０によって第３の処理室２１４内の圧力を測定できるようになっている。可変バルブ３９の他方側は配管に接続されている。

また、チャンバー２１内の第３の処理室２１４は安全ラインに接続されている。この安全ラインは、第３の処理室２１４内が異常に加圧され過ぎてある一定の圧力以上になった時に処理室内を大気圧まで下げるためのものである。安全ラインは開放バルブ４１を備えている。この開放バルブ４１の一方側は配管５２を介してチャンバー２１内の第３の処理室２１４に接続されており、開放バルブ４１の他方側は配管に接続されている。開放バルブ４１はある一定の圧力がかかるとガスが流れるようになっている。

また、チャンバー２１内の第３の処理室２１４は大気開放ラインに接続されている。この大気開放ラインは、正常に加圧された第３の処理室２１４内を大気圧に戻すものである。大気開放ラインは開放バルブ４２を備えている。この開放バルブ４２の一方側は配管５２を介してチャンバー２１内の第３の処理室２１４に接続されており、開放バルブ４２の他方側は配管に接続されている。開放バルブ４２は、第３の処理室２１４内を大気圧に戻すために該第３の処理室２１４内のガスを徐々に流すようになっている。

また、チャンバー２１内の第３の処理室２１４は減圧状態から大気圧に戻すラインに接続されている。このラインは、第３の処理室２１４内が減圧状態（真空状態）となっている場合に、減圧状態から大気圧に戻すものである。前記ラインはリークバルブ４３を備えている。このリークバルブ４３の一方側は配管５２を介してチャンバー２１内の第３の処理室２１４に接続されており、リークバルブ４３の他方側は配管を介して逆止弁４４に接続されている。この逆止弁４４は配管を介して窒素ガス供給源４５に接続されている。つまり、前記ラインは、窒素ガス供給源４５から逆止弁４４、リークバルブ４３を介して第３の処理室２１４内に窒素ガスを徐々に導入することにより処理室内を大気圧に戻すようになっている。

また、チャンバー２１内の第３の処理室２１４は、該第３の処理室２１４内を減圧状態にするための真空排気ラインに接続されている。この真空排気ラインはバルブ６９を有しており、このバルブ６９の一端は配管を介して第３の処理室２１４に接続されている。バルブ６９の他端は配管を介して真空ポンプ７０に接続されている。この真空排気ラインは、例えば減圧雰囲気で加圧ＲＴＡを行う場合などに使用される。

第１及び第２の筐体２６ａ，２６ｂ、透明管２０内のランプヒータ１９それぞれは配管を介してドライエアー供給源（図示せず）又は窒素ガス供給源（図示せず）に接続されている。ドライエアー供給源又は窒素ガス供給源からドライエアー又は窒素ガスを第１及び第２の筐体２６ａ，２６ｂ内及び透明管２０内に導入することにより、ランプヒータ１９を冷却し、筐体内及び透明管２０内に溜まる熱を前記排気ダクトから排気することができる。

加圧ライン１２から導入されるアルゴンガス、酸素ガス及び窒素ガスそれぞれは、基板２５１の表面と略平行方向にシャワー状に分散させながら基板２５１上に供給されるようになっている。このウエハ上に供給されたガスは、基板２５１の表面と略平行方向に並べられた第２のシャワー状ガス通路（図示せず）から排気されるようになっている。詳細には、配管５１は第１のシャワー状ガス通路（図示せず）に接続されており、配管５２は第２のシャワー状ガス通路に接続されている。第１及び第２のシャワー状ガス通路はチャンバー２１に形成されている。このようにガスをシャワー状に分散させながら流し、且つ第２のシャワー状ガス通路を通して排気することにより、基板２５１上に均一性よくガスを供給することが可能となる。

チャンバー２１の一方側にはゲートバルブ（図示せず）が配置されており、このゲートバルブの近傍にはウエハを搬送する搬送ロボット（図示せず）が配置されている。この搬送ロボットの近傍にはウエハを収容するカセット（図示せず）が配置されている。ゲートバルブを開いた状態で、チャンバー２１内の第３の処理室２１４に基板２５１を搬送ロボットにより搬入、搬出するようになっている。

次に、上記加圧式ランプアニール装置を使用する方法について説明する。
上記加圧式ランプアニール装置は、基板２５１に加圧アニール処理を行うことが可能である。

加圧アニール処理について説明する。
チャンバーの第３の処理室２１４内を加圧雰囲気とする。詳細には、例えば加圧ライン１２の酸素ガス供給源２９から逆止弁１５、フィルタ３０、バルブ２４、レギュレータ２７、マスフローコントローラ３２、バルブ３５、加熱ユニット３７、配管５１を通して酸素ガスを第３の処理室２１４内に導入する。これと共に、圧力調整ラインの可変バルブ３９を徐々に閉じていくことにより、第３の処理室２１４内を酸素雰囲気としながら徐々に加圧する。そして、第３の処理室２１４内は１ＭＰａ未満の所定の圧力まで加圧され、その圧力で維持される。次いで、ランプヒータ１９から透明管２０を通してランプ光を基板２５１に照射することにより、基板２５１に加圧酸素雰囲気でアニール処理が施される。

図７は、図１に示す第２の処理室２１３の構造の詳細を模式的に示す断面図であり、第３のステージ２４３に保持された基板２５１にスパッタリングによりＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３膜（ＰＺＴ膜ともいう。）を成膜するスパッタリング装置である。チャンバー４０１内には基板２５１を保持する第３のステージ２４３が配置されており、基板２５１は第３のゲートバルブ２２４を通して搬送される。基板２５１の下にはハロゲンランプヒータ４０２が配置されており、このハロゲンランプヒータ４０２によって基板２５１が加熱されるようになっている。ハロゲンランプヒータ４０２にはヒータ電源及び温調器４０３が接続されている。また、基板２５１の温度を測定する放射温度計４１０をスパッタリング装置は備えている。

基板２５１の上方にはロータリーマグネットカソードが配置されており、ロータリーマグネットカソードはスパッタリングターゲット４１１を有する。スパッタリングターゲット４１１にはパルス状のＲＦ（高周波）４１２がマッチングボックスＭＢを通して供給されるようになっている。スパッタリングターゲット４１１と基板２５１との間にはシャッター４０８が配置されている。シャッター４０８は駆動部４０９によって開閉可能に構成されている。また、チャンバー４０１内にＡｒガスを導入するガス導入機構がチャンバー３０１に取り付けられている。また、チャンバー４０１内にＯ_２ガスを導入するガス導入機構がチャンバー４０１に取り付けられている。

次に、図１の処理装置を用いて図８に示す膜を成膜する方法について説明する。なお、基板はＳｉ基板を用いる。Ｓｉ基板２５１にはＳｉの自然酸化膜５０１が数ｎｍ形成されている。

図１に示す大気搬送システム２１１内のＳｉ基板２５１を、ゲートバルブ２２１を開いて第１の受渡室２３１に搬送し、第１の受渡室２３１内の第１のステージ２４１に保持する。そして、ゲートバルブ２２１を閉じる。次いで、第１の受渡室２３１内を真空排気する。第１〜第３の搬送室２６１〜２６３、第２の受渡室２３２及び第３の受渡室２３３それぞれの内部も真空排気する。

次いで、第１のゲートバルブ２２２及び第２のゲートバルブ２２３を開き、第１の搬送ロボット２６１ａにより第１の受渡室２３１内の第１のステージ２４１上の基板２５１を第１の処理室２１２内の第２のステージ２４２上に搬送する。そして、第１及び第２のゲートバルブ２２２，２２３を閉じる。

次に、第１の処理室２１２の図３に示すデポアップ方式の蒸着装置により自然酸化膜５０１上にＺｒ膜を３７．５ｎｍの膜厚で成膜する。この際の成膜時間は１２．５分である。なお、この成膜時間と基板の搬送等の時間との合計は３０分程度である。

次いで、第２のゲートバルブ２２３及び第４のゲートバルブ２２５を開き、第１の搬送ロボット２６１ａにより第１の処理室２１２内の第２のステージ２４２上の基板２５１を第２の受渡室２３２内の第４のステージ２４４上に搬送する。次いで、第２の搬送ロボット２６２ａにより第２の受渡室２３２内の第４のステージ２４４上の基板２５１を第３の処理室２１４内の第５のステージ２４５に搬送する。そして、第２及び第４のゲートバルブ２２３，２２５を閉じる。

次に、図４〜図６に示すデポアップ方式の加圧式ランプアニール装置により基板２５１上のＺｒ膜に加圧酸素雰囲気でランプ光を照射することで、Ｚｒ膜の一部を酸化させ、Ｚｒ膜とＺｒＯ_２膜の積層膜を形成する。これにより、図８に示すように、自然酸化膜５０１上に膜厚が約３ｎｍのＺｒ膜５０２が形成され、Ｚｒ膜５０２上に膜厚が約４７ｎｍのＺｒＯ_２膜５０３が形成される。なお、基板の搬送と加圧式ランプアニール処理の合計時間は１１分程度である。従って、ＺｒＯ_２膜５０３まで形成する工程の合計時間は４１分程度となる。

上記のＺｒＯ_２膜５０３まで形成する工程を、加圧式ランプアニール装置を用いずに、図３に示す蒸着装置のみで形成することも可能であるが、その場合、処理時間が格段に長くなってしまう。詳細には、図３に示す蒸着装置でＺｒＯ_２膜５０３を成膜する場合は、チャンバー内にＯ_２ガスを導入し、Ｚｒの蒸着物を生成しながらＺｒＯ_２を合成してＺｒ膜５０２上に堆積させるため、ＺｒＯ_２膜の成膜レートが低くなり、その結果、処理時間が長くなる。従って、ＺｒＯ_２膜まで形成する工程の合計時間は６０分程度となり、加圧式ランプアニール装置を用いた場合より１９分程度長くなる。

この後、第４のゲートバルブ２２５及び第６のゲートバルブ２２７を開き、第２の搬送ロボット２６２ａにより第３の処理室２１４内の第５のステージ２４５上の基板２５１を第３の受渡室２３３内の第７のステージ２４７上に搬送する。次いで、第３の搬送ロボット２６３ａにより第３の受渡室２３３内の第７のステージ２４７上の基板２５１を第５の処理室２１６内の第８のステージ２４８に搬送する。そして、第４及び第６のゲートバルブ２２５，２２７を閉じる。

次いで、第５の処理室２１６内で第８のステージ２４８上に保持された基板２５１を反転させる。

この後、第６のゲートバルブ２２７及び第７のゲートバルブ２２８を開き、第３の搬送ロボット２６３ａにより第５の処理室２１６内の第８のステージ２４８上の基板２５１を第３の受渡室２３３内の第７のステージ２４７上に搬送する。次いで、第３の搬送ロボット２６３ａにより第３の受渡室２３３内の第７のステージ２４７上の基板２５１を第６の処理室２１７内の第９のステージ２４９に搬送する。そして、第６及び第７のゲートバルブ２２７，２２８を閉じる。
なお、本実施の形態では、上記のように一旦第７のステージ２４７に基板２５１を搬送してから第９のステージ２４９に搬送しているが、第６の処理室２１７で別の基板の処理が終了していて第６の処理室２１７が空いている場合は、基板２５１を第８のステージ２４８から第９のステージ２４９に直接搬送してもよい。

次に、第６の処理室２１７のデポダウン方式のＤＣスパッタリング装置によりＺｒＯ_２膜５０３上にＰｔ膜５０４を１５０ｎｍの膜厚で成膜する。この際の成膜温度は６５０℃程度である。

この後、第７のゲートバルブ２２８を開き、第３の搬送ロボット２６３ａにより第６の処理室２１７内の第９のステージ２４９上の基板２５１を第３の受渡室２３３内の第７のステージ２４７上に搬送する。そして、第７のゲートバルブ２２８を閉じる。

次に、第３の受渡室２３３内の図２に示すランプヒータ２０１により４５０℃程度の温度で熱処理を行う。

この後、第５のゲートバルブ２２６を開き、第２の搬送ロボット２６２ａにより第３の受渡室２３３内の第７のステージ２４７上の基板２５１を第４の処理室２１５内の第６のステージ２４６上に搬送する。そして、第５のゲートバルブ２２６を閉じる。

次に、第４の処理室２１５のデポダウン方式のＲＦスパッタリング装置によりＰｔ膜５０４上にＳｒＲｕＯ_３膜（ＳＲＯ膜）５０５を７ｎｍ程度の膜厚で成膜する。

この後、第３のゲートバルブ２２４及び第５のゲートバルブ２２６を開き、第２の搬送ロボット２６２ａにより第４の処理室２１５内の第６のステージ２４６上の基板２５１を第２の受渡室２３２内の第４のステージ２４４上に搬送する。次いで、第１の搬送ロボット２６１ａにより第２の受渡室２３２内の第４のステージ２４４上の基板２５１を第２の処理室２１３内の第３のステージ２４３に搬送する。そして、第３及び第５のゲートバルブ２２４，２２６を閉じる。

次に、第２の処理室２１３の図７に示すデポダウン方式のスパッタリング装置によりＳＲＯ膜５０５上にＰＺＴ膜５０６を１０００ｎｍの膜厚で成膜する。
なお、第１〜第９のステージ２４１〜２４９それぞれは、基板を保持する機構を有するものであれば、テーブル状のステージに限定されるものではなく、種々のステージを用いることが可能であり、例えば、図２に示すようなピン上に保持するものでもよい。

８フッ化カルシウム
９放射温度計
１２加圧ライン
１３アルゴンガス供給源
１４〜１６逆止弁
１７フィルタ
１８溝
１９ランプヒータ
２０透明管
２０ａ透明管の一方端
２０ｂ透明管の他方端
２１チャンバー
２１ａチャンバーの内表面
２１ｂ上部内壁
２４バルブ
２６ａ第１の筐体
２６ｂ第２の筐体
２７レギュレータ
２８Ｏリング
２９酸素ガス供給源
３０フィルタ
３１〜３３マスフローコントローラ
３４〜３６バルブ
３７加熱ユニット
３８窒素ガス供給源
３９可変バルブ
４０圧力計
４１，４２開放バルブ
４３リークバルブ
４４逆止弁
４５窒素ガス供給源
４６ａフィルタ
４７〜４９圧力計
５０バルブ
５１，５２配管
５３，５４レギュレータ
５３ａ，６９バルブ
７０真空ポンプ
２０１，２０２ランプヒータ
２１１大気搬送システム
２１１ａ扉
２１１ｂチャンバー
２１２第１の処理室
２１３第２の処理室
２１４第３の処理室
２１５第４の処理室
２１６第５の処理室
２１７第６の処理室
２２１ゲートバルブ
２２２第１のゲートバルブ
２２３第２のゲートバルブ
２２４第３のゲートバルブ
２２５第４のゲートバルブ
２２６第５のゲートバルブ
２２７第６のゲートバルブ
２２８第７のゲートバルブ
２３１第１の受渡室
２３２第２の受渡室
２３３第３の受渡室
２３３ａチャンバー
２４１第１のステージ
２４２第２のステージ
２４３第３のステージ
２４４第４のステージ
２４５第５のステージ
２４６第６のステージ
２４７第７のステージ
２４７ａ第１２のステージ
２４７ｂ矢印
２４８第８のステージ
２４９第９のステージ
２５１，２５１ａ基板
２６１第１の搬送室
２６１ａ第１の搬送ロボット
２６２第２の搬送室
２６２ａ第２の搬送ロボット
２６２ｂ第２の搬送ロボットの搬送アーム
２６２ｃ矢印
２６３第３の搬送室
２６３ａ第３の搬送ロボット
２６３ｂ第３の搬送ロボットの搬送アーム
２６３ｃ矢印
２７１第１の開口
２７２第２の開口
２７３第３の開口
２７４第４の開口
２７５第５の開口
３０１チャンバー
３０２ハロゲンランプヒータ
３０３ヒータ電源及び温調器
３０４ロータリーセンサー式膜厚モニター
３０５クリスタル４枚切替部
３０６ＥＢガン
３０７蒸着源
３０８シャッター
３０９駆動部
３１０扉
３１１オペレータ
４０１チャンバー
４０２ハロゲンランプヒータ
４０３ヒータ電源及び温調器
４０８シャッター
４０９駆動部
４１０放射温度計
４１１スパッタリングターゲット
４１２パルス状のＲＦ（高周波）
５０１Ｓｉの自然酸化膜
５０２Ｚｒ膜
５０３ＺｒＯ_２膜
５０４Ｐｔ膜
５０５ＳｒＲｕＯ_３膜（ＳＲＯ膜）
５０６ＰＺＴ膜

Claims

第１の受渡室と、
前記第１の受渡室内に配置され、基板を保持する第１のステージと、
前記第１の受渡室に第１のゲートバルブを介して接続された第１の搬送室と、
前記第１の搬送室内に配置された第１の搬送ロボットと、
前記第１の搬送室に第２のゲートバルブを介して接続された第１の処理室と、
前記第１の処理室内に配置され、前記基板を保持する第２のステージと、
前記第１の搬送室に第３のゲートバルブを介して接続された第２の処理室と、
前記第２の処理室内に配置され、前記基板を保持する第３のステージと、
前記第１の搬送室に第１の開口を介して接続された第２の受渡室と、
前記第２の受渡室内に配置され、前記基板を保持する第４のステージと、
前記第２の受渡室に第２の開口を介して接続された第２の搬送室と、
前記第２の搬送室内に配置された第２の搬送ロボットと、
前記第２の搬送室に第４のゲートバルブを介して接続された第３の処理室と、
前記第３の処理室内に配置され、前記基板を保持する第５のステージと、
前記第２の搬送室に第５のゲートバルブを介して接続された第４の処理室と、
前記第４の処理室内に配置され、前記基板を保持する第６のステージと、
前記第２の搬送室に第３の開口を介して接続された第３の受渡室と、
前記第３の受渡室内に配置され、前記基板を保持する第７のステージと、
前記第３の受渡室に第４の開口を介して接続された第３の搬送室と、
前記第３の搬送室内に配置された第３の搬送ロボットと、
前記第３の搬送室に第６のゲートバルブを介して接続された第５の処理室と、
前記第５の処理室内に配置され、前記基板を保持する第８のステージと、
前記第３の搬送室に第７のゲートバルブを介して接続された第６の処理室と、
前記第６の処理室内に配置され、前記基板を保持する第９のステージと、
を具備し、
前記第１の搬送ロボットは、前記第１のステージと前記第２のステージの間、前記第２のステージと前記第４のステージの間、前記第４のステージと前記第３のステージの間、前記第３のステージと前記第１のステージの間で前記基板を搬送する機能を有し、
前記第２の搬送ロボットは、前記第４のステージと前記第５のステージの間、前記第５のステージと前記第７のステージの間、前記第７のステージと前記第６のステージの間、前記第６のステージと前記第４のステージの間で前記基板を搬送する機能を有し、
前記第３の搬送ロボットは、前記第７のステージと前記第８のステージの間、前記第８のステージと前記第９のステージの間、前記第９のステージと前記第７のステージの間で前記基板を搬送する機能を有することを特徴とする処理装置。
請求項１において、
前記第１の受渡室内に配置され、前記基板を保持する第１０のステージと、
前記第２の受渡室内に配置され、前記基板を保持する第１１のステージと、
前記第３の受渡室内に配置され、前記基板を保持する第１２のステージと、
を有することを特徴とする処理装置。
請求項１または２において、
前記第１の受渡室、前記第２の受渡室及び前記第３の受渡室の少なくとも一つに配置された前記基板を加熱するヒータを有することを特徴とする処理装置。
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第１の処理室は、前記第２のステージに保持された前記基板に蒸着法により膜を成膜する処理室であることを特徴とする処理装置。
請求項４において、
前記第１の処理室と前記第３の処理室の間の距離は５００ｍｍ以下であり、
前記第３の処理室と前記第５の処理室の間の距離は５００ｍｍ以下であり、
前記第２の処理室と前記第４の処理室の間の距離は５００ｍｍ以下であり、
前記第４の処理室と前記第６の処理室の間の距離は５００ｍｍ以下であることを特徴とする処理装置。
請求項４または５において、
前記第３の処理室内に加圧されたガスを導入するガス導入機構と、
前記第３の処理室内のガスを排気するガス排気機構と、
前記第５のステージに保持された前記基板にランプ光を照射するランプヒータと、
を具備することを特徴とする処理装置。
請求項６において、
前記第１の処理室で成膜される前記膜はＺｒ膜であり、
前記第３の処理室内に導入される前記ガスは酸素であり、
前記第５の処理室は、前記第８のステージに保持された前記基板を反転させる機構を有し、
前記第６の処理室は、前記第９のステージに保持された前記基板にスパッタリングによりＰｔ膜を成膜する処理室であり、
前記第３の受渡室に配置された前記基板を加熱するヒータを有し、
前記第４の処理室は、前記第６のステージに保持された前記基板にスパッタリングによりＳＲＯ膜を成膜する処理室であり、
前記第２の処理室は、前記第３のステージに保持された前記基板にスパッタリングによりＰＺＴ膜を成膜する処理室であることを特徴とする処理装置。
請求項７において、
前記第１の処理室内で前記第２のステージに保持された前記基板上にＺｒ膜が成膜され、
前記第３の処理室内で加圧酸素雰囲気により前記Ｚｒ膜に前記ランプ光を照射することで、前記Ｚｒ膜の一部を酸化させ、Ｚｒ膜とＺｒＯ_２膜の積層膜を形成することを特徴とする処理装置。
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記第３の搬送室には第５の開口が形成され、前記第５の開口が蓋により塞がれていることを特徴とする処理装置。
第３の処理室と、
前記第３の処理室内に配置され、Ｚｒ膜が成膜された基板を保持する第５のステージと、
前記第３の処理室内に加圧された酸素ガスを導入するガス導入機構と、
前記第３の処理室内のガスを排気するガス排気機構と、
前記第５のステージに保持された前記基板にランプ光を照射するランプヒータと、
を具備し、
加圧酸素雰囲気で前記Ｚｒ膜に前記ランプ光を照射することで、前記Ｚｒ膜の一部を酸化させ、Ｚｒ膜とＺｒＯ_２膜の積層膜を形成することを特徴とする処理装置。