JPWO2018150902A1 - 撮像素子および電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
図1を参照して、本技術を適用した撮像素子の第1の実施の形態について説明する。
図9は、撮像素子の第2の実施の形態の構成例を示す図である。
図11は、撮像素子の第3の実施の形態の構成例を示す図である。
図13は、撮像素子の第4の実施の形態の構成例を示す図である。
図15および図16は、撮像素子の第5および第6の実施の形態の構成例を示す図である。
なお、上述したような撮像素子11は、例えば、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどの撮像システム、撮像機能を備えた携帯電話機、または、撮像機能を備えた他の機器といった各種の電子機器に適用することができる。
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
(1)
画素ごとに半導体基板に設けられ、所定の波長域の光を透過するフィルタ層を介して入射する光を光電変換する光電変換部と、
前記半導体基板において、隣接する前記画素どうしの前記光電変換部の間を分離する素子分離部と、
前記半導体基板および前記フィルタ層の間に設けられる層における前記画素どうしの間に、前記半導体基板の受光面から所定の間隔を隔てて配置される画素間遮光部と
を備え、
前記半導体基板の受光面と前記画素間遮光部の先端面との間隔が、前記画素間遮光部の先端面の幅よりも狭く設定される
撮像素子。
(2)
前記素子分離部の幅が、前記画素間遮光部の先端面の幅よりも狭く設定される
上記(1)に記載の撮像素子。
(3)
前記素子分離部は、前記半導体基板を貫通して設けられる
上記(1)または(2)に記載の撮像素子。
(4)
前記半導体基板の受光面に対して反対側の面に積層される配線層における前記素子分離部の先端側となる箇所であって、前記配線層に形成される配線よりも前記素子分離部に対して近傍となる箇所に、光を反射する反射部材が配置される
上記(1)から(3)までのいずれかに記載の撮像素子。
(5)
前記反射部材は、前記半導体基板に形成されるトレンチ内に設けられる前記素子分離部と接するように配置される
上記(4)に記載の撮像素子。
(6)
前記反射部材は、その一部分が、前記素子分離部を形成するために前記半導体基板に形成されたトレンチの内部に埋め込まれた形状とされる
上記(4)に記載の撮像素子。
(7)
前記反射部材の前記トレンチの内部に埋め込まれた一部分は、前記画素が備えるトランジスタのSTI(Shallow Trench Isolation)よりも深く形成される
上記(6)に記載の撮像素子。
(8)
前記半導体基板の受光面に対して反対側の面に積層される配線層における前記素子分離部の先端に対して側方となる箇所であって、前記配線層に形成される配線よりも前記素子分離部に対して近傍となる箇所に、光を反射する反射部材が配置される
上記(1)から(3)までのいずれかに記載の撮像素子。
(9)
前記画素は、前記撮像素子の像面における位相差を検出するための位相差遮光膜を有した像面位相差画素であり、その像面位相差画素の前記光電変換部を囲うように受光面側から埋め込まれた埋め込み遮光膜が設けられる
上記(1)から(8)までのいずれかに記載の撮像素子。
(10)
画素ごとに半導体基板に設けられ、所定の波長域の光を透過するフィルタ層を介して入射する光を光電変換する光電変換部と、
前記半導体基板において、隣接する前記画素どうしの前記光電変換部の間を分離する素子分離部と、
前記半導体基板および前記フィルタ層の間に設けられる層における前記画素どうしの間に、前記半導体基板の受光面から所定の間隔を隔てて配置される画素間遮光部と
を有し、
前記半導体基板の受光面と前記画素間遮光部の先端面との間隔が、前記画素間遮光部の先端面の幅よりも狭く設定される
撮像素子を備える電子機器。
Claims (10)
- 画素ごとに半導体基板に設けられ、所定の波長域の光を透過するフィルタ層を介して入射する光を光電変換する光電変換部と、
前記半導体基板において、隣接する前記画素どうしの前記光電変換部の間を分離する素子分離部と、
前記半導体基板および前記フィルタ層の間に設けられる層における前記画素どうしの間に、前記半導体基板の受光面から所定の間隔を隔てて配置される画素間遮光部と
を備え、
前記半導体基板の受光面と前記画素間遮光部の先端面との間隔が、前記画素間遮光部の先端面の幅よりも狭く設定される
撮像素子。 - 前記素子分離部の幅が、前記画素間遮光部の先端面の幅よりも狭く設定される
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記素子分離部は、前記半導体基板を貫通して設けられる
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記半導体基板の受光面に対して反対側の面に積層される配線層における前記素子分離部の先端側となる箇所であって、前記配線層に形成される配線よりも前記素子分離部に対して近傍となる箇所に、光を反射する反射部材が配置される
請求項3に記載の撮像素子。 - 前記反射部材は、前記半導体基板に形成されるトレンチ内に設けられる前記素子分離部と接するように配置される
請求項4に記載の撮像素子。 - 前記反射部材は、その一部分が、前記素子分離部を形成するために前記半導体基板に形成されたトレンチの内部に埋め込まれた形状とされる
請求項4に記載の撮像素子。 - 前記反射部材の前記トレンチの内部に埋め込まれた一部分は、前記画素が備えるトランジスタのSTI(Shallow Trench Isolation)よりも深く形成される
請求項6に記載の撮像素子。 - 前記半導体基板の受光面に対して反対側の面に積層される配線層における前記素子分離部の先端に対して側方となる箇所であって、前記配線層に形成される配線よりも前記素子分離部に対して近傍となる箇所に、光を反射する反射部材が配置される
請求項3に記載の撮像素子。 - 前記画素は、前記撮像素子の像面における位相差を検出するための位相差遮光膜を有した像面位相差画素であり、その像面位相差画素の前記光電変換部を囲うように受光面側から埋め込まれた埋め込み遮光膜が設けられる
請求項1に記載の撮像素子。 - 画素ごとに半導体基板に設けられ、所定の波長域の光を透過するフィルタ層を介して入射する光を光電変換する光電変換部と、
前記半導体基板において、隣接する前記画素どうしの前記光電変換部の間を分離する素子分離部と、
前記半導体基板および前記フィルタ層の間に設けられる層における前記画素どうしの間に、前記半導体基板の受光面から所定の間隔を隔てて配置される画素間遮光部と
を有し、
前記半導体基板の受光面と前記画素間遮光部の先端面との間隔が、前記画素間遮光部の先端面の幅よりも狭く設定される
撮像素子を備える電子機器。
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