JPWO2018142478A1 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
Description
互いに直交する複数のビット線及び複数のワード線に沿って配列された複数のメモリセルを含む少なくとも1つのメモリセルアレイを備える半導体記憶装置において、
前記半導体記憶装置は、
前記各ワード線の活性又は非活性の状態に応じて、前記各ワード線に沿って配列された各メモリセルを、前記各ビット線にそれぞれ接続又は切断する複数のスイッチング素子と、
前記複数のビット線にそれぞれ接続された複数のセンスアンプと、
前記各ワード線及び前記各センスアンプを活性化又は非活性化する制御回路とを備え、
前記各ビット線に沿って、前記複数のメモリセルのうちの第1〜第4のメモリセルを含む少なくとも4つずつのメモリセルが配列され、前記第1〜第4のメモリセルは、前記複数のワード線のうちの第1〜第4のワード線の活性又は非活性の状態に応じて、前記複数のスイッチング素子のうちの第1〜第4のスイッチング素子により1つのビット線にそれぞれ接続又は切断され、前記第1のメモリセルは第1のビット値を格納し、前記第2のメモリセルは第2のビット値を格納し、前記第3及び第4のメモリセルは第3のビット値をそれぞれ格納し、
前記制御回路は、前記第3及び第4のワード線を活性化した後に非活性化し、次いで、前記第1及び第2のワード線を活性化し、次いで、前記センスアンプを活性化することにより、前記第3のビット値によって指定される論理積演算又は論理和演算を前記第1及び第2のビット値に対して行う。
互いに直交する複数のビット線及び複数のワード線に沿って配列された複数のメモリセルを含む少なくとも1つのメモリセルアレイを備える半導体記憶装置において、
前記複数のビット線は複数の第1のビット線及び複数の第2のビット線を含み、
前記半導体記憶装置は、
前記各ワード線の活性又は非活性の状態に応じて、前記各ワード線に沿って配列された各メモリセルを、前記各ワード線に沿って設けられた各第1のビット線又は各第2のビット線にそれぞれ接続又は切断する複数のスイッチング素子と、
前記複数の第1のビット線のうちの1つずつ及び前記複数の第2のビット線のうちの1つずつにそれぞれ接続された複数のセンスアンプと、
前記各ワード線及び前記各センスアンプを活性化又は非活性化する制御回路とを備え、
前記各ビット線及び前記各逆ビット線に沿って、前記複数のメモリセルのうちの第1〜第3のメモリセルを含む少なくとも3つずつのメモリセルが配列され、前記第1及び第2のメモリセルは、前記複数のワード線のうちの第1及び第2のワード線の活性又は非活性の状態に応じて、前記複数のスイッチング素子のうちの第1及び第2のスイッチング素子により前記第1のビット線にそれぞれ接続又は切断され、前記第3のメモリセルは、前記複数のワード線のうちの第3のワード線の活性又は非活性の状態に応じて、前記複数のスイッチング素子のうちの第3のスイッチング素子により前記第2のビット線に接続又は切断され、前記第1のメモリセルは第1のビット値を格納し、前記第2のメモリセルは第2のビット値を格納し、前記第3のメモリセルは第3のビット値を格納し、
前記制御回路は、前記第1〜第3のワード線を活性化し、次いで、前記センスアンプを活性化することにより、前記第1〜第3のビット値のうちの1つによって指定される論理積演算又は論理和演算を前記第1〜第3のビット値のうちの残りの2つに対して行う。
前記制御回路は、
前記複数のワード線を個別に選択する複数ビットのロウアドレスを受信し、
前記ロウアドレスの少なくとも1つのビットを無視することにより、予め決められた複数のワード線を同時に活性化又は非活性化する。
前記制御回路は、複数のワード線が同時に活性化された状態にあるとき、前記センスアンプを活性化する前に、活性化されている前記複数のワード線のうちの少なくとも1つを非活性化する。
前記制御回路は、前記複数のワード線のうちの1つを活性化した後に前記センスアンプを活性化する第1のアクティブコマンドと、前記複数のワード線のうちの少なくとも2つを活性化した後に前記センスアンプを活性化する第2のアクティブコマンドとの両方に応じて動作する。
前記制御回路は、前記複数のワード線のうちの1つを活性化した後に自動的に前記センスアンプを活性化しない第3のアクティブコマンドと、前記複数のワード線のうちの少なくとも2つを活性化した後に自動的に前記センスアンプを活性化しない第4のアクティブコマンドとの両方に応じて動作する。
前記制御回路は、予め決められた個数の複数のビット線に沿って配列された複数のメモリセルに格納されたビット値に対して同時に演算を行う。
前記複数のビット線は、複数の第1のビット線及び複数の第2のビット線を含み、
前記複数のセンスアンプのうちの各1つのセンスアンプは、前記複数の第1のビット線のうちの1つ及び前記複数の第2のビット線のうちの1つにそれぞれ接続され、
前記制御回路は、前記センスアンプが第1のビット値を生成した後に前記センスアンプを非活性化し、次いで、前記第1及び第2のビット線を独立にプリチャージして前記第1及び第2のビット線の電位を変化させ、次いで、前記センスアンプを活性化して前記第1のビット値を反転したビット値を生成する。
前記半導体記憶装置は、
複数のメモリセルアレイと、
複数のセンスアンプを配列した少なくとも1つのセンスアンプ列とを備え、
前記複数のメモリセルアレイは、互いに隣接する任意の2つのメモリセルの間に1つのセンスアンプ列が位置するように配列され、
前記各メモリセルアレイの少なくとも1つのワード線と、前記少なくとも1つのワード線に沿って配列された複数のメモリセル及び複数のスイッチング素子とをそれぞれ含む、前記各メモリセルアレイに少なくとも1つずつ設けられた冗長回路とを備える。
前記制御回路は、前記複数のメモリセルアレイのうちの各1つのメモリセルアレイにおいて、
当該1つのメモリセルアレイにおける故障を当該1つのメモリセルアレイの冗長回路によって救済したとき、当該1つのメモリセルアレイを演算回路として動作させ、
当該1つのメモリセルアレイにおける故障を他のメモリセルアレイの冗長回路によって救済したとき、当該1つのメモリセルアレイの演算回路としての動作を中止する。
前記半導体記憶装置の外部から読み出し可能なレジスタであって、前記複数のメモリセルアレイのうち互いに隣接する任意の2つのメモリセルの間の1つのセンスアンプ列の位置を指定するロウアドレスを格納するレジスタを備える。
前記各ビット線ごとに、少なくとも1つの属性を示す複数のビット値をそれぞれ含むレコードを、前記ビット線に沿って配列された複数のメモリセルに格納する。
前記検索キーのビット値「1」の位置に対応するメモリセルに格納されたビット値に対して論理積演算を行い、
前記検索キーのビット値「0」の位置に対応するメモリセルに格納されたビット値に対して論理和演算を行い、
これにより、前記半導体記憶装置に格納されたレコードから、前記検索キーに一致するレコードを検索する。
前記制御回路は、複数のビット値を含む検索キーが入力されたとき、前記検索キーと前記半導体記憶装置に格納されたレコードとの排他的論理和演算又は否定排他的論理和演算を行い、これにより、前記半導体記憶装置に格納されたレコードから、前記検索キーに一致するレコードを検索する。
前記制御回路は、複数のビット値を含む検索キーが入力されたとき、
前記半導体記憶装置に格納された第1のレコードから、前記検索キーに一致するレコードを検索し、
前記各ビット線ごとに、前記第1のレコードの各ビットと前記検索キーの各ビットとの一致又は不一致を示す複数のビット値を含む第2のレコードを生成し、
前記第2のレコードの各ビットをソートして、前記第1のレコードと前記検索キーの一致度を判定する。
互いに直交する複数のビット線及び複数のワード線に沿って配列された複数のメモリセルを含む少なくとも1つのメモリセルアレイを備える半導体記憶装置の製造方法において、
前記製造方法は、
前記複数のビット線を形成するステップと、
前記複数のワード線を形成するステップと、
前記複数のメモリセルを形成するステップと、
前記各ワード線の活性又は非活性の状態に応じて、前記各ワード線に沿って配列された各メモリセルを、前記各ビット線にそれぞれ接続又は切断する複数のスイッチング素子を形成するステップと、
前記複数のビット線にそれぞれ接続された複数のセンスアンプを形成するステップと、
前記各ワード線及び前記各センスアンプを活性化又は非活性化する制御回路を形成するステップとを含み、
前記各ビット線に沿って、前記複数のメモリセルのうちの第1〜第4のメモリセルを含む少なくとも4つずつのメモリセルが配列され、前記第1〜第4のメモリセルは、前記複数のワード線のうちの第1〜第4のワード線の活性又は非活性の状態に応じて、前記複数のスイッチング素子のうちの第1〜第4のスイッチング素子により1つのビット線にそれぞれ接続又は切断され、前記第1のメモリセルは第1のビット値を格納し、前記第2のメモリセルは第2のビット値を格納し、前記第3及び第4のメモリセルは第3のビット値をそれぞれ格納し、
前記制御回路は、前記第3及び第4のワード線を活性化した後に非活性化し、次いで、前記第1及び第2のワード線を活性化し、次いで、前記センスアンプを活性化することにより、前記第3のビット値によって指定される論理積演算又は論理和演算を前記第1及び第2のビット値に対して行う。
前記半導体記憶装置の製造方法は、
互いに隣接する任意の2つのメモリセルの間に1つのセンスアンプ列が位置するように、複数のメモリセルアレイと、複数のセンスアンプを配列した少なくとも1つのセンスアンプ列とを形成するステップと、
前記各メモリセルアレイの少なくとも1つのワード線と、前記少なくとも1つのワード線に沿って配列された複数のメモリセル及び複数のスイッチング素子とをそれぞれ含む、前記各メモリセルアレイに少なくとも1つずつ設けられた冗長回路を形成するステップと、
前記複数のメモリセルアレイのうちの各1つのメモリセルアレイにおいて、当該1つのメモリセルアレイにおける故障を当該1つのメモリセルアレイの冗長回路によって救済したとき、当該1つのメモリセルアレイを演算回路として動作させるステップと、
前記複数のメモリセルアレイのうちの各1つのメモリセルアレイにおいて、当該1つのメモリセルアレイにおける故障を他のメモリセルアレイの冗長回路によって救済したとき、当該1つのメモリセルアレイの演算回路としての動作を中止するステップとを含む。
第1〜第15の態様のうちの1つに係る半導体記憶装置を用いたデータ処理方法であって、前記各ビット線ごとに、少なくとも1つの属性を示す複数のビット値をそれぞれ含むレコードを、前記ビット線に沿って配列された複数のメモリセルに格納するステップを含む。
複数のビット値を含む検索キーを受信するステップと、
前記検索キーのビット値「1」の位置に対応するメモリセルに格納されたビット値に対して論理積演算を行うステップと、
前記検索キーのビット値「0」の位置に対応するメモリセルに格納されたビット値に対して論理和演算を行うステップとを含む。
複数のビット値を含む検索キーを受信するステップと、
前記検索キーと前記半導体記憶装置に格納されたレコードとの排他的論理和演算又は否定排他的論理和演算を行うステップとを含む。
複数のビット値を含む検索キーを受信するステップと、
前記半導体記憶装置に格納された第1のレコードから、前記検索キーに一致するレコードを検索するステップと、
前記各ビット線ごとに、前記第1のレコードの各ビットと前記検索キーの各ビットとの一致又は不一致を示す複数のビット値を含む第2のレコードを生成するステップと、
前記第2のレコードの各ビットをソートして、前記第1のレコードと前記検索キーの一致度を判定するステップとを含む。
図1は、実施形態1に係るDRAMチップ1を含むデータ処理装置の構成を示すブロック図である。図1のデータ処理装置は、DRAMチップ1、メモリコントローラ2、及びプロセッサ3を備える。
図7は、実施形態2に係るDRAMチップのワード線デコード回路17を示す回路図である。図7は、2つのワード線を同時に活性化及び非活性化する機能を持ったワード線デコード回路17の一部を示す。実施形態2に係るDRAMチップは、ワード線デコード回路17を除いて、実施形態1に係るDRAMチップ1と同様に構成される。
図9は、実施形態3に係るDRAMチップにおけるメモリセルアレイのカラム回路の動作を示すタイミングチャートである。実施形態3に係るDRAMチップは、実施形態1に係るDRAMチップ1と同様に構成される。
図10は、実施形態4及び5に係るDRAMチップにおけるメモリセルアレイの1つのカラム回路を示す回路図である。実施形態4に係るDRAMチップは、メモリセルアレイを除いて、実施形態1に係るDRAMチップ1と同様に構成される。図10は、メモリセルアレイのうち、1つの共通のセンスアンプ14に接続されたビット線13a及び逆ビット線13bに沿って配列された複数のメモリセルに関連する部分を示す。
実施形態4において、3つのワード線は1つずつ、活性化、電荷再分配、及び非活性化を行い、3つ目のワード線の電荷再分配が終了した後に、センスアンプ14は電荷を増幅し、そのワード線に対応するメモリセルに演算結果を格納してもよい。これにより、1つのカラム回路においてある時点で活性化されているワード線は常に1つのみとなり、図8のワード線デコード回路17Aを使用可能である。図7のワード線デコード回路17を使用していても、通常動作ビットを「1」のままにすることができる。先に活性化されたワード線は、後から活性化されるワード線の活性化と同時に非活性化される。同時に非活性化されない場合は、コマンドWPLによって非活性化されてもよい。
図12は、実施形態6〜8に係るDRAMチップのセンスアンプ14を示す回路図である。実施形態6では、格納したデータに対して否定演算(NOT)を実行可能なセンスアンプ14について説明する。実施形態6に係るDRAMチップは、センスアンプ14を除いて、実施形態1に係るDRAMチップ1と同様に構成される。
図14は、実施形態7に係るセンスアンプ14の動作を示すシーケンス図である。実施形態7では、図12のセンスアンプ14について、実施形態6とは異なる動作について説明する。
図15は、実施形態8に係るセンスアンプ14の動作を示すシーケンス図である。実施形態8では、図12のセンスアンプ14について、実施形態6及び7とは異なる動作について説明する。
図16は、実施形態9及び10に係るDRAMチップの複数のメモリセルアレイ10−1〜10−4の構成を示す概略図である。DRAMチップは複数のメモリセルアレイを備えてもよく、各メモリセルアレイは、少なくとも1つの予備のワード線と、このワード線に沿って配列された複数の予備のメモリセル及び複数の予備のスイッチング素子とを含む冗長回路を備えてもよい。
前述のように、図16のDRAMチップにおいて、メモリセルアレイ10−2のワード線15を含むロウ回路に故障がある場合、他のメモリセルアレイ10−4のワード線15a−2を含む冗長回路で置換してもよい。
実施形態11〜13では、JEDECにおいて標準化される、Low−Power DDR4 SDRAM(LPDDR4)のアクティブコマンドを用いて、本発明の各実施形態に従ってデータを演算するために使用されるコマンドを組み込んだ例を示す。
図19は、実施形態12に係るDRAMチップに発行されるコマンドを示す表である。図19は、本発明の各実施形態に従ってデータを演算するために使用されるコマンドをLPDDR4のコマンドに組み込む他の例を示す。図19によれば、JEDECの規格においてRFU(Reserved for Future Use)とされているコマンドをアクティブセレクトコマンドASELとして使用する。このコマンドASELのチップセレクトラインCS=LのビットCA0,CA1に、実施形態11で説明したビットS0,S1をそれぞれ割り当てる。3つのコマンドASEL,ACT−1,ACT−2のシーケンスのうち、コマンドASELによりコマンドACT、ACT2、WLA、及びWLA2のうちの1つを指定し、続くコマンドACT−1,ACT−2によりバンクアドレス及びロウアドレスを指定することが可能となる。
図20は、実施形態13に係るDRAMチップに発行されるコマンドを示す表である。図20は、本発明の各実施形態に従ってデータを演算するために使用されるコマンドをLPDDR4のコマンドに組み込む他の例を示す。図20によれば、JEDECの規格においてRFUとされている3つのコマンドをアクティブセレクトコマンドASEL−1〜ASEL−3として使用する。コマンドASEL−3のチップセレクトラインCS=LのビットCA0,CA1に、実施形態11で説明したビットS0,S1をそれぞれ割り当てる。3つのコマンドASEL−1〜ASEL−3のシーケンスのうち、コマンドASEL−1〜ASEL−3によりバンクアドレス及びロウアドレスを指定し、コマンドASEL−3によりコマンドACT、ACT2、WLA、及びWLA2のうちの1つを指定することが可能となる。
図16に示すようにDRAMチップが複数のメモリセルアレイを含む場合、本発明の各実施形態に従ってロウアクセスされる単位で演算を行うためには、複数のメモリセルが同一のビット線の側にあるか、それとも、センスアンプを共有する逆ビット線の側にあるが認識されている必要がある。すなわち、メモリコントローラは、メモリセルアレイ間の境界が、いかなるロウアドレス値で特定されるのかを認識していなければならない。
実施形態15では、本発明の各実施形態に係る演算を行って、ビットマップインデックスのデータを高速に検索する処理について説明する。
図23において、レコード名及びキー項目によって特定される各欄は、1つのメモリセルに格納されるビット値を示す。レコード名「A」〜「J」は、例えば、氏名を示す。10ビットのキー項目「0」〜「9」は、例えば、レコード名で特定される人物の性別、年齢等の属性を示す。レコード名をワード線方向に配列し、キー項目をビット線方向に配列する。
実施形態16では、本発明の各実施形態に係る演算を行って、ビットマップインデックスのデータを高速に検索する他の処理について説明する。
実施形態17では、本発明の各実施形態に係る演算を行って、ビットマップインデックスのデータを検索して、検索キーとレコードとの一致度を判定する処理について説明する。
2,2A…メモリコントローラ、
3…プロセッサ、
10,10−1〜10−4…メモリセルアレイ、
11,11−1〜11−4…メモリセル、
12,12−1〜12−4…スイッチング素子、
13,13a…ビット線、
13b…逆ビット線、
14…センスアンプ、
14A,14A−1〜14A−5…センスアンプ列、
15,15−1〜15−8,15a−1,15a−2…ワード線、
16…カラム選択線、
17,17A…ワード線デコード回路、
18…カラム選択線デコード回路、
19…セルプレート、
21,21…コマンド入力回路、
22,22A…メモリセルアレイ制御回路、
23…データ入出力回路、
24…内部データバス、
25…データ処理回路、
26…内部データバス、
31…ビット線プリチャージ回路、
32…逆ビット線プリチャージ回路、
33…ビット線イコライズ回路、
MR…モードレジスタ、
Vpcg…ビット線プリチャージ電圧。
Claims (21)
- 互いに直交する複数のビット線及び複数のワード線に沿って配列された複数のメモリセルを含む少なくとも1つのメモリセルアレイを備える半導体記憶装置において、
前記半導体記憶装置は、
前記各ワード線の活性又は非活性の状態に応じて、前記各ワード線に沿って配列された各メモリセルを、前記各ビット線にそれぞれ接続又は切断する複数のスイッチング素子と、
前記複数のビット線にそれぞれ接続された複数のセンスアンプと、
前記各ワード線及び前記各センスアンプを活性化又は非活性化する制御回路とを備え、
前記各ビット線に沿って、前記複数のメモリセルのうちの第1〜第4のメモリセルを含む少なくとも4つずつのメモリセルが配列され、前記第1〜第4のメモリセルは、前記複数のワード線のうちの第1〜第4のワード線の活性又は非活性の状態に応じて、前記複数のスイッチング素子のうちの第1〜第4のスイッチング素子により1つのビット線にそれぞれ接続又は切断され、前記第1のメモリセルは第1のビット値を格納し、前記第2のメモリセルは第2のビット値を格納し、前記第3及び第4のメモリセルは第3のビット値をそれぞれ格納し、
前記制御回路は、前記第3及び第4のワード線を活性化した後に非活性化し、次いで、前記第1及び第2のワード線を活性化し、次いで、前記センスアンプを活性化することにより、前記第3のビット値によって指定される論理積演算又は論理和演算を前記第1及び第2のビット値に対して行う半導体記憶装置。 - 互いに直交する複数のビット線及び複数のワード線に沿って配列された複数のメモリセルを含む少なくとも1つのメモリセルアレイを備える半導体記憶装置において、
前記複数のビット線は複数の第1のビット線及び複数の第2のビット線を含み、
前記半導体記憶装置は、
前記各ワード線の活性又は非活性の状態に応じて、前記各ワード線に沿って配列された各メモリセルを、前記各ワード線に沿って設けられた各第1のビット線又は各第2のビット線にそれぞれ接続又は切断する複数のスイッチング素子と、
前記複数の第1のビット線のうちの1つずつ及び前記複数の第2のビット線のうちの1つずつにそれぞれ接続された複数のセンスアンプと、
前記各ワード線及び前記各センスアンプを活性化又は非活性化する制御回路とを備え、
前記各ビット線及び前記各逆ビット線に沿って、前記複数のメモリセルのうちの第1〜第3のメモリセルを含む少なくとも3つずつのメモリセルが配列され、前記第1及び第2のメモリセルは、前記複数のワード線のうちの第1及び第2のワード線の活性又は非活性の状態に応じて、前記複数のスイッチング素子のうちの第1及び第2のスイッチング素子により前記第1のビット線にそれぞれ接続又は切断され、前記第3のメモリセルは、前記複数のワード線のうちの第3のワード線の活性又は非活性の状態に応じて、前記複数のスイッチング素子のうちの第3のスイッチング素子により前記第2のビット線に接続又は切断され、前記第1のメモリセルは第1のビット値を格納し、前記第2のメモリセルは第2のビット値を格納し、前記第3のメモリセルは第3のビット値を格納し、
前記制御回路は、前記第1〜第3のワード線を活性化し、次いで、前記センスアンプを活性化することにより、前記第1〜第3のビット値のうちの1つによって指定される論理積演算又は論理和演算を前記第1〜第3のビット値のうちの残りの2つに対して行う半導体記憶装置。 - 前記制御回路は、
前記複数のワード線を個別に選択する複数ビットのロウアドレスを受信し、
前記ロウアドレスの少なくとも1つのビットを無視することにより、予め決められた複数のワード線を同時に活性化又は非活性化する請求項1又は2記載の半導体記憶装置。 - 前記制御回路は、複数のワード線が同時に活性化された状態にあるとき、前記センスアンプを活性化する前に、活性化されている前記複数のワード線のうちの少なくとも1つを非活性化する請求項1又は2記載の半導体記憶装置。
- 前記制御回路は、前記複数のワード線のうちの1つを活性化した後に前記センスアンプを活性化する第1のアクティブコマンドと、前記複数のワード線のうちの少なくとも2つを活性化した後に前記センスアンプを活性化する第2のアクティブコマンドとの両方に応じて動作する請求項1〜4のうちの1つに記載の半導体記憶装置。
- 前記制御回路は、前記複数のワード線のうちの1つを活性化した後に自動的に前記センスアンプを活性化しない第3のアクティブコマンドと、前記複数のワード線のうちの少なくとも2つを活性化した後に自動的に前記センスアンプを活性化しない第4のアクティブコマンドとの両方に応じて動作する請求項1〜5のうちの1つに記載の半導体記憶装置。
- 前記制御回路は、予め決められた個数の複数のビット線に沿って配列された複数のメモリセルに格納されたビット値に対して同時に演算を行う請求項1〜6のうちの1つに記載の半導体記憶装置。
- 前記複数のビット線は、複数の第1のビット線及び複数の第2のビット線を含み、
前記複数のセンスアンプのうちの各1つのセンスアンプは、前記複数の第1のビット線のうちの1つ及び前記複数の第2のビット線のうちの1つにそれぞれ接続され、
前記制御回路は、前記センスアンプが第1のビット値を生成した後に前記センスアンプを非活性化し、次いで、前記第1及び第2のビット線を独立にプリチャージして前記第1及び第2のビット線の電位を変化させ、次いで、前記センスアンプを活性化して前記第1のビット値を反転したビット値を生成する請求項1〜7のうちの1つに記載の半導体記憶装置。 - 前記半導体記憶装置は、
複数のメモリセルアレイと、
複数のセンスアンプを配列した少なくとも1つのセンスアンプ列とを備え、
前記複数のメモリセルアレイは、互いに隣接する任意の2つのメモリセルの間に1つのセンスアンプ列が位置するように配列され、
前記各メモリセルアレイの少なくとも1つのワード線と、前記少なくとも1つのワード線に沿って配列された複数のメモリセル及び複数のスイッチング素子とをそれぞれ含む、前記各メモリセルアレイに少なくとも1つずつ設けられた冗長回路とを備える請求項1〜8のうちの1つに記載の半導体記憶装置。 - 前記制御回路は、前記複数のメモリセルアレイのうちの各1つのメモリセルアレイにおいて、
当該1つのメモリセルアレイにおける故障を当該1つのメモリセルアレイの冗長回路によって救済したとき、当該1つのメモリセルアレイを演算回路として動作させ、
当該1つのメモリセルアレイにおける故障を他のメモリセルアレイの冗長回路によって救済したとき、当該1つのメモリセルアレイの演算回路としての動作を中止する請求項9記載の半導体記憶装置。 - 前記半導体記憶装置の外部から読み出し可能なレジスタであって、前記複数のメモリセルアレイのうち互いに隣接する任意の2つのメモリセルの間の1つのセンスアンプ列の位置を指定するロウアドレスを格納するレジスタを備える請求項9又は10記載の半導体記憶装置。
- 前記各ビット線ごとに、少なくとも1つの属性を示す複数のビット値をそれぞれ含むレコードを、前記ビット線に沿って配列された複数のメモリセルに格納する請求項1〜11のうちの1つに記載の半導体記憶装置。
- 前記制御回路は、複数のビット値を含む検索キーが入力されたとき、
前記検索キーのビット値「1」の位置に対応するメモリセルに格納されたビット値に対して論理積演算を行い、
前記検索キーのビット値「0」の位置に対応するメモリセルに格納されたビット値に対して論理和演算を行い、
これにより、前記半導体記憶装置に格納されたレコードから、前記検索キーに一致するレコードを検索する請求項12記載の半導体記憶装置。 - 前記制御回路は、複数のビット値を含む検索キーが入力されたとき、前記検索キーと前記半導体記憶装置に格納されたレコードとの排他的論理和演算又は否定排他的論理和演算を行い、これにより、前記半導体記憶装置に格納されたレコードから、前記検索キーに一致するレコードを検索する請求項12記載の半導体記憶装置。
- 前記制御回路は、複数のビット値を含む検索キーが入力されたとき、
前記半導体記憶装置に格納された第1のレコードから、前記検索キーに一致するレコードを検索し、
前記各ビット線ごとに、前記第1のレコードの各ビットと前記検索キーの各ビットとの一致又は不一致を示す複数のビット値を含む第2のレコードを生成し、
前記第2のレコードの各ビットをソートして、前記第1のレコードと前記検索キーの一致度を判定する請求項12記載の半導体記憶装置。 - 互いに直交する複数のビット線及び複数のワード線に沿って配列された複数のメモリセルを含む少なくとも1つのメモリセルアレイを備える半導体記憶装置の製造方法において、
前記製造方法は、
前記複数のビット線を形成するステップと、
前記複数のワード線を形成するステップと、
前記複数のメモリセルを形成するステップと、
前記各ワード線の活性又は非活性の状態に応じて、前記各ワード線に沿って配列された各メモリセルを、前記各ビット線にそれぞれ接続又は切断する複数のスイッチング素子を形成するステップと、
前記複数のビット線にそれぞれ接続された複数のセンスアンプを形成するステップと、
前記各ワード線及び前記各センスアンプを活性化又は非活性化する制御回路を形成するステップとを含み、
前記各ビット線に沿って、前記複数のメモリセルのうちの第1〜第4のメモリセルを含む少なくとも4つずつのメモリセルが配列され、前記第1〜第4のメモリセルは、前記複数のワード線のうちの第1〜第4のワード線の活性又は非活性の状態に応じて、前記複数のスイッチング素子のうちの第1〜第4のスイッチング素子により1つのビット線にそれぞれ接続又は切断され、前記第1のメモリセルは第1のビット値を格納し、前記第2のメモリセルは第2のビット値を格納し、前記第3及び第4のメモリセルは第3のビット値をそれぞれ格納し、
前記制御回路は、前記第3及び第4のワード線を活性化した後に非活性化し、次いで、前記第1及び第2のワード線を活性化し、次いで、前記センスアンプを活性化することにより、前記第3のビット値によって指定される論理積演算又は論理和演算を前記第1及び第2のビット値に対して行う半導体記憶装置の製造方法。 - 前記半導体記憶装置の製造方法は、
互いに隣接する任意の2つのメモリセルの間に1つのセンスアンプ列が位置するように、複数のメモリセルアレイと、複数のセンスアンプを配列した少なくとも1つのセンスアンプ列とを形成するステップと、
前記各メモリセルアレイの少なくとも1つのワード線と、前記少なくとも1つのワード線に沿って配列された複数のメモリセル及び複数のスイッチング素子とをそれぞれ含む、前記各メモリセルアレイに少なくとも1つずつ設けられた冗長回路を形成するステップと、
前記複数のメモリセルアレイのうちの各1つのメモリセルアレイにおいて、当該1つのメモリセルアレイにおける故障を当該1つのメモリセルアレイの冗長回路によって救済したとき、当該1つのメモリセルアレイを演算回路として動作させるステップと、
前記複数のメモリセルアレイのうちの各1つのメモリセルアレイにおいて、当該1つのメモリセルアレイにおける故障を他のメモリセルアレイの冗長回路によって救済したとき、当該1つのメモリセルアレイの演算回路としての動作を中止するステップとを含む請求項16記載の半導体記憶装置の製造方法。 - 請求項1〜15のうちの1つに記載の半導体記憶装置を用いたデータ処理方法であって、前記各ビット線ごとに、少なくとも1つの属性を示す複数のビット値をそれぞれ含むレコードを、前記ビット線に沿って配列された複数のメモリセルに格納するステップを含むデータ処理方法。
- 複数のビット値を含む検索キーを受信するステップと、
前記検索キーのビット値「1」の位置に対応するメモリセルに格納されたビット値に対して論理積演算を行うステップと、
前記検索キーのビット値「0」の位置に対応するメモリセルに格納されたビット値に対して論理和演算を行うステップとを含む請求項18記載のデータ処理方法。 - 複数のビット値を含む検索キーを受信するステップと、
前記検索キーと前記半導体記憶装置に格納されたレコードとの排他的論理和演算又は否定排他的論理和演算を行うステップとを含む請求項18記載のデータ処理方法。 - 複数のビット値を含む検索キーを受信するステップと、
前記半導体記憶装置に格納された第1のレコードから、前記検索キーに一致するレコードを検索するステップと、
前記各ビット線ごとに、前記第1のレコードの各ビットと前記検索キーの各ビットとの一致又は不一致を示す複数のビット値を含む第2のレコードを生成するステップと、
前記第2のレコードの各ビットをソートして、前記第1のレコードと前記検索キーの一致度を判定するステップとを含む請求項18記載のデータ処理方法。
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