JPWO2018139279A1 - 固体撮像素子、および電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
本技術の第1の実施の形態である固体撮像素子の構成例(第1の構成例)について説明する。図1は、該第1の構成例におけるSi基板の中央付近における水平方向断面を示している。図2のAは、図1の線分X−X’における垂直方向の断面図、図2のBは、図1の線分Y−Y’における垂直方向の断面図を示している。
次に、本技術の第2の実施の形態である固体撮像素子の構成例(第2の構成例)について説明する。図3は、該第2の構成例のSi基板の中央付近における水平方向断面を示している。図4は、図2の線分X−X’における垂直方向の断面図を示している。なお、第1の構成例と共通する構成要素については同一の符号を付しているので、その説明は適宜省略する。
次に、本技術の第3の実施の形態である固体撮像素子の構成例(第3の構成例)について図5を参照して説明する。該第3の構成例は、第2の構成例におけるDTIをReverse-DTI(以下、R-DTIと称する)に限定したものである。
次に、本技術の第4の実施の形態である固体撮像素子の構成例(第4の構成例)について図6を参照して説明する。
次に、本技術の第5の実施の形態である固体撮像素子の構成例(第5の構成例)について図8を参照して説明する。
次に、画素分離部の変形例について説明する。
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
(1)
画素毎に形成されている光電変換部と、
各画素の前記光電変換部を分離する画素間分離部と
を備え、
前記画素間分離部は、前記光電変換部側に突出した形状の突起部を有する
固体撮像素子。
(2)
前記画素間分離部と前記光電変換部の間に前記光電変換部とは導電型が異なる領域をさらに備える
前記(1)に記載の固体撮像素子。
(3)
前記画素間分離部は、前記光電変換部よりも屈折率が低い材料または光を反射する材料のうちの少なくとも一方から形成されている
前記(1)または(2)に記載の固体撮像素子。
(4)
前記画素間分離部は、基板に対して光の入射面側から形成されたDTIである
前記(1)から(3)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(5)
前記画素間分離部は、基板に対して光の入射面に対向する面側から形成されたDTIである
前記(1)から(3)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(6)
前記画素間分離部は、前記光電変換部を画素毎に分離するように格子状に形成されている
前記(1)から(5)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(7)
前記画素間分離部の深さ方向の長さは、前記突起部と前記格子状の辺とで異なる
前記(6)に記載の固体撮像素子。
(8)
前記画素間分離部が有する前記突起部は、画素の色毎に応じて変更されている
前記(1)から(7)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(9)
前記画素間分離部が有する前記突起部は、画素の色毎に応じて長さが変更されている
前記(1)から(7)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(10)
前記画素間分離部が有する前記突起部は、画素の色毎に応じて幅が変更されている
前記(1)から(7)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(11)
前記画素間分離部が有する前記突起部は、画素の色毎に応じて数が変更されている
前記(1)から(7)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(12)
前記画素間分離部が有する前記突起部は、共有画素のパターンに応じて変更されている
前記(1)から(7)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(13)
前記画素間分離部が有する前記突起部は、共有画素のパターンに応じて長さが変更されている
前記(1)から(7)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(14)
前記画素間分離部が有する前記突起部は、共有画素のパターンに応じて幅が変更されている
前記(1)から(7)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(15)
前記画素間分離部が有する前記突起部は、共有画素のパターンに応じて数が変更されている
前記(1)から(7)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(16)
前記画素間分離部が有する前記突起部は、光学中心から画素までの距離に応じて変更されている
前記(1)から(7)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(17)
前記突起部を含む前記画素間分離部は、横方向部分と縦方向部分との直交箇所を有さない
前記(6)に記載の固体撮像素子。
(18)
前記画素間分離部の前記格子状の辺は、直線状である
前記(6)または(7)に記載の固体撮像素子。
(19)
前記画素間分離部の前記格子状の辺は、ジグザク状である
前記(6)または(7)に記載の固体撮像素子。
(20)
前記画素間分離部の前記格子状の辺は、三角波形状である
前記(6)または(7)に記載の固体撮像素子。
(21)
前記画素間分離部の前記格子状の辺は、半円を連続させた形状である
前記(6)または(7)に記載の固体撮像素子。
(22)
前記画素間分離部の前記格子状の辺は、半矩形を連続させた形状である
前記(6)または(7)に記載の固体撮像素子。
(23)
前記画素間分離部は、前記光電変換部とは導電型が異なるウェル領域から形成されている
前記(1)に記載の固体撮像素子。
(24)
画素毎に形成されている光電変換部と、
各画素の前記光電変換部を分離する格子状の画素間分離部と、
前記光電変換部内に形成された柱状の突起部と
を備える固体撮像素子。
(25)
前記画素間分離部および前記突起部と前記光電変換部の間に前記光電変換部とは導電型が異なるウェル領域をさらに備える
前記(24)に記載の固体撮像素子。
(26)
前記突起部は、前記光電変換部よりも屈折率が低い材料または光を反射する材料のうちの少なくとも一方から形成されている
前記(24)または(25)に記載の固体撮像素子。
(27)
前記突起部は、基板に対して光の入射面側から形成されたDTIであり、
前記画素間分離部は、基板に対して光の入射面に対向する面側から形成されたDTIである
前記(24)から(26)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(28)
前記突起部は、円柱状である
前記(24)から(27)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(29)
前記突起部は、多角形柱状である
前記(24)から(27)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(30)
前記固体撮像素子は、裏面照射型である
前記(1)から(29)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(31)
固体撮像素子が搭載された電子機器において、
前記固体撮像素子は、
画素毎に形成されている光電変換部と、
各画素の前記光電変換部を分離する画素間分離部と
を備え、
前記画素間分離部は、前記光電変換部側に突出した形状の突起部を有する
電子機器。
(32)
固体撮像素子が搭載された電子機器において、
前記固体撮像素子は、
画素毎に形成されている光電変換部と、
各画素の前記光電変換部を分離する格子状の画素間分離部と、
前記光電変換部内に形成された柱状の突起部と
を備える
電子機器。
Claims (32)
- 画素毎に形成されている光電変換部と、
各画素の前記光電変換部を分離する画素間分離部と
を備え、
前記画素間分離部は、前記光電変換部側に突出した形状の突起部を有する
固体撮像素子。 - 前記画素間分離部と前記光電変換部の間に前記光電変換部とは導電型が異なる領域をさらに備える
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記画素間分離部は、前記光電変換部よりも屈折率が低い材料または光を反射する材料のうちの少なくとも一方から形成されている
請求項2に記載の固体撮像素子。 - 前記画素間分離部は、基板に対して光の入射面側から形成されたDTIである
請求項2に記載の固体撮像素子。 - 前記画素間分離部は、基板に対して光の入射面に対向する面側から形成されたDTIである
請求項2に記載の固体撮像素子。 - 前記画素間分離部は、前記光電変換部を画素毎に分離するように格子状に形成されている
請求項2に記載の固体撮像素子。 - 前記画素間分離部の深さ方向の長さは、前記突起部と前記格子状の辺とで異なる
請求項6に記載の固体撮像素子。 - 前記画素間分離部が有する前記突起部は、画素の色毎に応じて変更されている
請求項2に記載の固体撮像素子。 - 前記画素間分離部が有する前記突起部は、画素の色毎に応じて長さが変更されている
請求項8に記載の固体撮像素子。 - 前記画素間分離部が有する前記突起部は、画素の色毎に応じて幅が変更されている
請求項8に記載の固体撮像素子。 - 前記画素間分離部が有する前記突起部は、画素の色毎に応じて数が変更されている
請求項8に記載の固体撮像素子。 - 前記画素間分離部が有する前記突起部は、共有画素のパターンに応じて変更されている
請求項2に記載の固体撮像素子。 - 前記画素間分離部が有する前記突起部は、共有画素のパターンに応じて長さが変更されている
請求項12に記載の固体撮像素子。 - 前記画素間分離部が有する前記突起部は、共有画素のパターンに応じて幅が変更されている
請求項12に記載の固体撮像素子。 - 前記画素間分離部が有する前記突起部は、共有画素のパターンに応じて数が変更されている
請求項12に記載の固体撮像素子。 - 前記画素間分離部が有する前記突起部は、光学中心から画素までの距離に応じて変更されている
請求項2に記載の固体撮像素子。 - 前記突起部を含む前記画素間分離部は、横方向部分と縦方向部分との直交箇所を有さない
請求項6に記載の固体撮像素子。 - 前記画素間分離部の前記格子状の辺は、直線状である
請求項6に記載の固体撮像素子。 - 前記画素間分離部の前記格子状の辺は、ジグザク状である
請求項6に記載の固体撮像素子。 - 前記画素間分離部の前記格子状の辺は、三角波形状である
請求項6に記載の固体撮像素子。 - 前記画素間分離部の前記格子状の辺は、半円を連続させた形状である
請求項6に記載の固体撮像素子。 - 前記画素間分離部の前記格子状の辺は、半矩形を連続させた形状である
請求項6に記載の固体撮像素子。 - 前記画素間分離部は、前記光電変換部とは導電型が異なるウェル領域から形成されている
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 画素毎に形成されている光電変換部と、
各画素の前記光電変換部を分離する格子状の画素間分離部と、
前記光電変換部内に形成された柱状の突起部と
を備える固体撮像素子。 - 前記画素間分離部および前記突起部と前記光電変換部の間に前記光電変換部とは導電型が異なるウェル領域をさらに備える
請求項24に記載の固体撮像素子。 - 前記突起部は、前記光電変換部よりも屈折率が低い材料または光を反射する材料のうちの少なくとも一方から形成されている
請求項25に記載の固体撮像素子。 - 前記突起部は、基板に対して光の入射面側から形成されたDTIであり、
前記画素間分離部は、基板に対して光の入射面に対向する面側から形成されたDTIである
請求項25に記載の固体撮像素子。 - 前記突起部は、円柱状である
請求項25に記載の固体撮像素子。 - 前記突起部は、多角形柱状である
請求項25に記載の固体撮像素子。 - 前記固体撮像素子は、裏面照射型である
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 固体撮像素子が搭載された電子機器において、
前記固体撮像素子は、
画素毎に形成されている光電変換部と、
各画素の前記光電変換部を分離する画素間分離部と
を備え、
前記画素間分離部は、前記光電変換部側に突出した形状の突起部を有する
電子機器。 - 固体撮像素子が搭載された電子機器において、
前記固体撮像素子は、
画素毎に形成されている光電変換部と、
各画素の前記光電変換部を分離する格子状の画素間分離部と、
前記光電変換部内に形成された柱状の突起部と
を備える
電子機器。
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US20210399029A1 (en) * | 2018-11-06 | 2021-12-23 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging element and electronic equipment |
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JP2021136380A (ja) * | 2020-02-28 | 2021-09-13 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
JP2022015065A (ja) * | 2020-07-08 | 2022-01-21 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | センサ装置 |
US20240038799A1 (en) * | 2020-07-29 | 2024-02-01 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus |
KR20220050385A (ko) * | 2020-10-16 | 2022-04-25 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
JPWO2023276240A1 (ja) * | 2021-06-30 | 2023-01-05 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0897391A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線固体撮像素子 |
JP2010267827A (ja) * | 2009-05-15 | 2010-11-25 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法および電子機器 |
JP2011222900A (ja) * | 2010-04-14 | 2011-11-04 | Hamamatsu Photonics Kk | 固体撮像装置 |
JP2012175050A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-09-10 | Sony Corp | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
JP2013030803A (ja) * | 2012-10-22 | 2013-02-07 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JP2013128036A (ja) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | Sony Corp | 撮像素子、撮像装置、並びに、製造装置および方法 |
JP2013175494A (ja) * | 2011-03-02 | 2013-09-05 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 |
JP2015153772A (ja) * | 2014-02-10 | 2015-08-24 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
US20160056200A1 (en) * | 2014-08-19 | 2016-02-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Unit Pixels for Image Sensors and Pixel Arrays Comprising the Same |
US20160099267A1 (en) * | 2014-10-02 | 2016-04-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cmos image sensor for reducing dead zone |
US20170012066A1 (en) * | 2015-07-08 | 2017-01-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor having conversion device isolation layer disposed in photoelectric conversion device |
Family Cites Families (4)
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---|---|---|---|---|
JP5262823B2 (ja) * | 2009-02-23 | 2013-08-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
JP2012164768A (ja) * | 2011-02-04 | 2012-08-30 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
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Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0897391A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線固体撮像素子 |
JP2010267827A (ja) * | 2009-05-15 | 2010-11-25 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法および電子機器 |
JP2011222900A (ja) * | 2010-04-14 | 2011-11-04 | Hamamatsu Photonics Kk | 固体撮像装置 |
JP2012175050A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-09-10 | Sony Corp | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
JP2013175494A (ja) * | 2011-03-02 | 2013-09-05 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 |
JP2013128036A (ja) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | Sony Corp | 撮像素子、撮像装置、並びに、製造装置および方法 |
JP2013030803A (ja) * | 2012-10-22 | 2013-02-07 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JP2015153772A (ja) * | 2014-02-10 | 2015-08-24 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
US20160056200A1 (en) * | 2014-08-19 | 2016-02-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Unit Pixels for Image Sensors and Pixel Arrays Comprising the Same |
US20160099267A1 (en) * | 2014-10-02 | 2016-04-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cmos image sensor for reducing dead zone |
US20170012066A1 (en) * | 2015-07-08 | 2017-01-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor having conversion device isolation layer disposed in photoelectric conversion device |
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