JPWO2018062137A1

JPWO2018062137A1 - 液晶表示素子

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Publication number: JPWO2018062137A1
Application number: JP2018542576A
Authority: JP
Inventors: 藤沢　宣; 宣藤沢; 昌幸岩窪; 長谷部　浩史; 浩史長谷部; 史晃小寺; 琴姫張
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Priority date: 2016-09-29
Filing date: 2017-09-26
Publication date: 2019-06-24
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Abstract

「要約」「課題」重合性液晶組成物をＵＶ照射して得られるチルト付与型の液晶表示素子において、高いオフ応答速度を保持しつつ低駆動電圧化が可能であり、また、オフ応答、駆動電圧、透過率などの特性のバランスに優れた液晶表示素子、これに用いる重合性液晶組成物を提供する。「解決手段」ラジカル重合性単量体成分（Ａ）、液晶材料（Ｂ）、及びアルキルフェノン型光重合開始剤の分子構造中の芳香核の水素原子の任意の二か所以上が、炭素原子数１から１０のアルキル基（ｉ）等により置換された分子構造を有する重合開始剤（Ｃ）を必須成分とすることを特徴とする重合性液晶組成物を重合してなる、図３の５で示される液晶相中にポリマーネットワークが形成された液晶表示素子。「選択図」図３

Description

本発明は重合性液晶組成物、液晶表示素子、及び液晶表示素子の製造方法に関する。

液晶材料は、テレビ、モニター、携帯電話、スマートフォン、タブレット端末などのフラットパネルディスプレイにおいて一般的に利用されている。しかしながら、ネマチック液晶は、応答速度が約十数ミリ秒から数ミリ秒と遅いため、広く普及した液晶テレビの分野では、表示の高速化を図るべく、例えば、主に垂直配向モードを採用し、液晶材料のチルト角を付与させて電圧印加時の立ち上がり応答（オン応答）を高速化させたＰＳ（ｐｏｌｙｍｅｒ−ｓｔａｂｉｌｉｓｅｄ：高分子安定化）又はＰＳＡ（ｐｏｌｙｍｅｒ−ｓｕｓｔａｉｎｅｄａｌｉｇｎｍｅｎｔ：高分子維持配向）ディスプレイが（特許文献１〜５参照）が多く利用されている。

斯かるＰＳ又はＰＳＡディスプレイは、具体的には、０．３質量％以上１質量％未満の重合性化合物を液晶媒体に添加して、電圧を印加するか又は印加せずに、ＵＶ光重合により、ガラス基板界面上に重合若しくは架橋して得られる微細な突起構造物を形成させて液晶分子にプレチルトを誘起させるものであり、これにより電圧印加時の立ち上がり応答（オン応答）は高速化させることが可能となる。

しかしながら、近年の液晶テレビの大型化が進んだ結果として、画面上を移動する表示物の移動速度がより一層速くなり、そのため液晶の応答速度の更なる向上が求められている。

そこで、従来より、応答速度の改善手段として、電圧印加時の立ち上がり応答（オン応答）の高速化のみならず、電圧印加から解放したとき（スイッチング・オフ時）の応答速度を改善する試みがなされており、例えば、特許文献５には、液晶表示セル中の液晶材料に液晶組成物と共にポリマー成分を液晶材料中１質量％以上４０質量％未満となるように封入してなる液晶表示素子が開示されている。斯かる液晶表示素子は、液晶材料中に所定量のポリマーを含有させる結果、ポリマーと液晶分子との引力的な相互作用を利用して、スイッチング・オフ応答（以下、「オフ応答」と略記する。）の際の初期配向状態への緩和過程を加速することによってオフ応答の高速化を実現したものである。

斯かる特許文献５記載の液晶表示素子は、重合体もしくは共重合体の濃度がＰＳまたはＰＳＡの場合と比較して高いため、例えばオフ応答、駆動電圧、透過率等の特性が、重合体もしくは共重合体の濃度、化学構造、及び作製プロセスによって影響を受けやすい傾向がある。なるべく駆動電圧や透過率を損なうことなく、速いオフ応答を実現するために、つまり特性のバランスがとれた液晶表示素子を実現するためには、重合体もしくは共重合体の濃度、化学構造、及び作製プロセスを最適化しなければならなった。

この最適化を迅速に行うためには、オフ応答、駆動電圧、透過率を測定したときにバランスがとれているか否かを迅速に判断しなければならないが、バランスがとれているか否かは、条件を変えて多数の実験・測定を行って、各因子がオフ応答、駆動電圧、透過率に及ぼす影響と、それらの間での二律背反の関係を把握しなければならないので、最適化の条件を割り出すのが煩雑で、かつ、長時間を要するものであった。加えて、最適化を図ったとしても、オフ応答と駆動電圧との間には、駆動電圧を高めればオフ応答速度が上がり、駆動電圧を下げればオフ応答速度が低下するという二律背反の関係にあり、オフ応答を高いレベルに保持したまま駆動電圧を低下させることが困難なものであった。

また、特許文献５には、液晶表示素子の作製方法として、例えば、液晶組成物とモノマーを含有する組成物を液晶セルに注入した後に紫外線を照射して、液晶セル中に重合体を形成させる方法が開示されている。

この時、紫外線の照射量が、モノマーが重合体を形成するのに十分でないと経時によって特性が変化してしまう、という問題があった。一方、紫外線の照射量が必要十分であれば経時変化が無い安定した特性（オフ応答、駆動電圧、透過率）が得られると考えられるが、紫外線の照射量が過大であると液晶材料が紫外線照射によって化学劣化して液晶表示素子の重要な信頼性指標である電圧保持率の悪化を招く恐れがあった。

従って、特許文献５記載の液晶表示素子では、オフ応答、駆動電圧、透過率などの特性の経時変化と電圧保持率とのバランスを図ることが困難なものであった。

特許４１７５８２６号特許５０２０２０３号特許５３８３９９４号ＵＳ８９４０３７５ＷＯ２０１５／１２２４５７

従って、本発明が解決しようとする課題は重合性液晶組成物をＵＶ照射して得られるチルト付与型の液晶表示素子において、高いオフ応答速度を保持しつつ低駆動電圧化が可能であって、オフ応答、駆動電圧、透過率などの特性のバランスに優れた液晶表示素子、これに用いる重合性液晶組成物を提供することにある。

本発明者等は、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、重合性液晶組成物に用いられる光重合開始剤として、アルキルフェノン型光重合開始剤の芳香核の水素原子の任意の二か所以上がアルキル基或いはその類似構造部位で置換された開始剤を用いることにより、液晶材料および重合性化合物と親和性が高まり液晶組成物の均一性が良好となって得られる液晶表示素子における駆動電圧の増加を抑制してオフ応答が改善すること、また、紫外線照射時に残存モノマーが少なくなることから特性の経時変化と電圧保持率とのバランスが飛躍的に高まることを見出し、本発明を完成するに至った。

即ち、本発明は、ラジカル重合性単量体成分（Ａ）、液晶材料（Ｂ）、及びアルキルフェノン型光重合開始剤の分子構造中の芳香核の水素原子の任意の二か所以上が、炭素原子数１から１０のアルキル基（ｉ）、炭素原子数２〜１０のアルキル鎖中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−がそれぞれ独立して−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−によって置換された化学構造を有する有機基（ii）、または、前記アルキル基若しくは有機基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立的にフッ素原子又は塩素原子に置換されたハロゲン含有炭化水素基（iii）で置換された分子構造を有する重合開始剤（Ｃ）を必須成分とすることを特徴とする重合性液晶組成物に関する。

本発明は、更に、なくとも一方に電極を有する２枚の透明基板間に、ラジカル重合性単量体成分（Ａ）の重合体と液晶材料（Ｂ）とが挟持された液晶表示素子であって、前記液晶材料（Ｂ）中に、前記重合性液晶組成物を重合して得られる重合相分離構造に由来する重合物から成ることを特徴とする液晶表示素子に関する。

本発明は、更に、前記重合性液晶組成物を、少なくとも一方に電極を有する２枚の透明基板間に挟持せしめ、液晶層を−５０℃から３０℃としながら活性エネルギー線を照射することにより重合させ、屈折率異方性又は配向容易軸方向を有する重合体を形成させることを特徴とする液晶表示素子の製造方法に関する。

本発明によれば、重合性液晶組成物をＵＶ照射して得られるチルト付与型を含むポリマーネットワーク型の高分子配向安定化液晶の液晶表示素子において、高いオフ応答速度を保持しつつ、低駆動電圧化が可能であって、オフ応答、駆動電圧、透過率などの特性の経時変化と電圧保持率とのバランスに優れた液晶表示素子、これに用いる重合性液晶組成物を提供することにある。

図１は、本発明の液晶表示素子の模式図である。図２は、図１の部分拡大図である。図３は、本発明の液晶表示素子の断面図である。図４は、図１の部分拡大図である。図５は、本発明の液晶表示素子の断面図である。図６は、本発明の液晶表示素子の模式図である。図７は、図６の部分拡大図である。図８は、本発明の液晶表示素子の断面図である。図９は、駆動電圧V90に対するUV露光時間の影響を示すグラフである。図１０は、Toffに対するUV露光時間の影響を示すグラフである。図１１は、V90に於けるToffとV90との関係を示すグラフである。図１２は、ToffとV90の関係に於ける累乗近似直線を示すグラフである。図１３は、本発明における斜め電界方式液晶表示装置の電極構造及び液晶分子配列を示す模式図である。図１４は、本発明における８分割斜め電界方式液晶表示装置の電極構造を示す模式図である。図１５は、実施例におけるフィッシュボーン型ＶＡ液晶セルの電極構造の模式図である。

本発明の重合性液晶組成物は、前記した通り、ラジカル重合性単量体成分（Ａ）、液晶材料（Ｂ）、及びアルキルフェノン型光重合開始剤の分子構造中の芳香核の水素原子の任意の二か所以上が、炭素原子数１から１０のアルキル基（ｉ）、炭素原子数２〜１０のアルキル鎖中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−がそれぞれ独立して−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−によって置換された化学構造を有する有機基（ii）、または、前記アルキル基若しくは有機基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立的にフッ素原子又は塩素原子に置換されたハロゲン含有炭化水素基（iii）で置換された分子構造を有する重合開始剤（Ｃ）を必須成分とすることを特徴とするものである。

本発明では、このようにアルキルフェノン型光重合開始剤を使用しつつ、該アルキルフェノン型光重合開始剤の分子構造中に存在する芳香核の少なくとも2か所の置換部位に前記アルキル基（ｉ）、前記有機基（ii）、又は前記ハロゲン含有炭化水素基（iii）を導入することにより、開始剤と液晶との相溶性が改善されるので電気光学特性と大きく関係がある重合相分離構造へ影響を及ぼし、アルキル基を有していない開始剤と比較して駆動電圧の増加を抑制してオフ応答が改善されるものである。

ここで、オフ応答は、電圧を印加した状態から、電圧を印加していない初期配向状態への緩和過程そのものであり、重合体もしくは共重合体を含有していない液晶材料のみの場合、この緩和過程は、液晶材料の弾性定数に影響を受けることが知られている。これに対して、液晶中にポリマーネットワークを形成させる系では、系全体の粘弾性特性のみならずポリマーネットワークと液晶との分子間相互作用が加わり緩和過程の速度が促進されてオフ応答時間が短くなるように影響を及ぼす。つまり相互作用が強すぎると、オフ応答は速くなるものの、電圧印加して液晶材料の配向を変えるときに高い電圧が必要になってしまい、駆動電圧の上昇や透過率の低下を招いてしまう。

更に、液晶中に無数に形成されたポリマーネットワークは、その間隔、密度等の形態もオフ応答、及び駆動電圧に大きく影響を及ぼすことが考えられ、重合性液晶組成物に紫外線を照射してモノマー成分を重合させ、重合相分離構造を形成させる過程では、モノマー高濃度相と液晶高濃度相の二相を形成する。この時、光重合開始剤は、モノマー又は液晶の何れかの親和性の高い方に集まり易くなり濃度の局在化が起こる。光重合開始剤がモノマー高濃度相に偏在化すると、モノマー高濃度相に集まったモノマーの重合が促進されるが液晶高濃度相には残存するモノマーの重合の進展が遅れる。液晶高濃度相中の残存モノマーは、モノマー高濃度相へ凝集力などにより集まることで架橋する。一方、光重合開始剤が液晶高濃度相への溶解性が高まると、液晶高濃度相の残存モノマーの重合が促進されるようになり、液晶中の残存モノマー重合体の分子量が増加すると伴に、新たに重合相分離構造を形成する。又、残存モノマー量を減らす作用にも寄与する。本発明では、前記重合開始剤（Ｃ）がモノマーへの相溶性に優れる為に残存モノマーの重合が促進される。加えて、前記重合開始剤（Ｃ）の硬化速度は比較的緩やかであるために得られるポリマーの分子量は高くなることに起因して、高い配向性を持ち、かつ微細な構造を有するポリマーネットワークが形成される。その結果、液晶化合物との高い分子間相互作用を有することとなり、オフ応答速度が飛躍的に向上する。更に、ポリマーネットワークの高い配向性や連続性から、液晶自体の配向性もより高まり、電界応答時の分子の配向方向の乱雑さが減り、規則性の高い分子配列が形成されることにより、低い駆動電圧でのスイッチングが可能となる。その結果、従来になく、オフ応答が早く、かつ、駆動電圧の低い液晶表示素子を得ることができる。

本発明で用いる前記光重合開始剤（Ｃ）は、前記した通り、アルキルフェノン型光重合開始剤の分子構造中の芳香核の水素原子の任意の二か所以上が、炭素原子数１から１０のアルキル基（ｉ）、炭素原子数２〜１０のアルキル鎖中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−がそれぞれ独立して−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−によって置換された化学構造を有する有機基（ii）、または、前記アルキル基若しくは有機基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立的にフッ素原子又は塩素原子に置換されたハロゲン含有炭化水素基（iii）で置換された分子構造を有するものである。

ここで、炭素原子数１から１０のアルキル基（ｉ）としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ペンチル基、ネオーペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等の炭素原子数１〜１０の直鎖状または分岐上のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の環状アルキル基が挙げられる。

炭素原子数２〜１０のアルキル鎖中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−がそれぞれ独立して−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−によって置換された化学構造を有する有機基（ii）としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基等のアルコキシ基；アセチル基、プロピオニル基、ヘキサノイル基、シクロヘキシルカルボニル基等のアシル基；エトキシエチル基、２−メトキシ−２−メチルプロピル基等のエーテル構造含有アルキル基；プロパノン−１−イル基、２−ブタノン−１−イル基、２，４−ペンタンジオン−１−イル基等のケトン構造を持つアルキル基；アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ヘキサノイルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基、アセチルオキシメチル基、アセチルオキシエチル基、アセチルオキシプロピル基、プロピオニルオキシメチル基、プロピオニルオキシエチル基、プロピオニルオキシプロピル基、ヘキサノイルオキシメチル基、ヘキサノイルオキシエチル基、ヘキサノイルオキシプロピル基、シクロヘキシルカルボニルオキシメチル基、シクロヘキシルカルボニルオキシエチル基、シクロヘキシルカルボニルオキシプロピル基等のエステル構造をもつ基；メトキシカルボニルエチル基、メトキシカルボニルプロピル基、エトキシカルボニルエチル基、エトキシカルボニルプロピル基、プロポキシカルボニルエチル基、プロポキシカルボニルプロピル基、イソプロポキシカルボニルエチル基、イソプロポキシカルボニルプロピル基、ｔ−ブトキシカルボニルエチル基、ｔ−ブトキシカルボニルプロピル基、ペンチルオキシカルボニルエチル基、ペンチルオキシカルボニルプロピル基等のオキシカルボニル構造を持つアルキル基；１，３−ジオキソラン−２−オン−４−イル基、２−オキソ−１，３−ジオキソラン−４−メチル基等のカーボネート構造を持つアルキル基が挙げられる。

前記アルキル基若しくは有機基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立的にフッ素原子又は塩素原子に置換されたハロゲン含有炭化水素基（iii）としては、２−クロロプロピル基、２−ブロモエチル基、５−クロロ−２−ヨードヘプチル基等が挙げられる。

斯かる光重合開始剤（Ｃ）は、具体的には、下記式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で示されるアルキルフェノン型光重合開始剤が挙げられる。

［式（Ｉ）中、Ｒ^１、Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４，Ｒ^５，Ｒ^６，Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０は、それぞれ独立的に、水素原子、炭素原子数１から１０のアルキル基（ｉ）、炭素原子数２〜１０のアルキル鎖中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−がそれぞれ独立して−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−によって置換された化学構造を有する有機基（ii）、または前記アルキル基若しくは有機基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立的にフッ素原子又は塩素原子に置換されたハロゲン含有炭化水素基（iii）であり、Ａ^１、Ａ^２は、それぞれ炭素原子数１から５のアルキル基を表す。但し、Ｒ^１、Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４，Ｒ^５，Ｒ^６，Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０
の少なくとも２つが、前記アルキル基（ｉ）、前記有機基（ii）、又は前記ハロゲン含有炭化水素基（iii）である。］

［式（II）中、Ｒ^１、Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４，Ｒ^５，Ｒ^６，Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９は、それぞれ独立的に、水素原子、炭素原子数１から１０のアルキル基（ｉ）、炭素原子数２〜１０のアルキル鎖中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−がそれぞれ独立して−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−によって置換された化学構造を有する有機基（ii）、または前記アルキル基若しくは有機基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立的にフッ素原子又は塩素原子に置換されたハロゲン含有炭化水素基（iii）であり、Ａ^１、Ａ^２は、それぞれ炭素原子数１から５のアルキル基を表す。但し、Ｒ^１、Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４，Ｒ^５，Ｒ^６，Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９の少なくとも２つが、前記アルキル基（ｉ）、前記有機基（ii）、又は前記ハロゲン含有炭化水素基（iii）である。］

ここで、前記式（Ｉ）

［式（Ｉ）中、Ｒ^１、Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４，Ｒ^５，Ｒ^６，Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０は、それぞれ独立的に、水素原子、炭素原子数１から１０のアルキル基（ｉ）、炭素原子数２〜１０のアルキル鎖中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−がそれぞれ独立して−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−によって置換された化学構造を有する有機基（ii）、または前記アルキル基若しくは有機基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立的にフッ素原子又は塩素原子に置換されたハロゲン含有炭化水素基（iii）であり、Ａ^１、Ａ^２は、それぞれ炭素原子数１から５のアルキル基を表す。但し、Ｒ^１、Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４，Ｒ^５，Ｒ^６，Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０
の少なくとも２つが、前記アルキル基（ｉ）、前記有機基（ii）、又は前記ハロゲン含有炭化水素基（iii）である。］で表される化合物は、具体的には、下記式（Ｉ−ａ）〜（Ｉ−ｃ）で表される構造のものが液晶相への溶解性に優れる点、又、ラジカルを発生させる際の壊裂で発生する副生成物が電圧保持率に対して与える影響が小さい点から好ましい。

上記各式中、Ｒ^１１、Ｒ^１２はそれぞれ炭素原子数１から６のアルキル基又は炭素原子数１から５のアルコキシル基を表し、Ｒ^１３、Ｒ^１４，Ｒ^１５，Ｒ^１６は少なくとも一つは炭素原子数１から６のアルキル基を表し、Ｒ^１７、Ｒ^１８，Ｒ^１９，Ｒ^２０は少なくとも一つは炭素原子数１から６のアルキル基を表し、Ａ^３は炭素原子数１から５のアルキル基を表す。なお、分子内に二重結合が存在する場合、硬化能力が落ちる懸念があるため、Ｒ^１１か〜Ｒ^２０は炭素原子数１から５のアルキル基であることが好ましい。

上記式（Ｉ−ａ）〜（Ｉ−ｃ）で表される化合物のなかでも、特に硬化性及び液晶相への溶解性、電圧保持率に優れる点から前記式（Ｉ−ａ）で表されるものが好ましく、斯かる式（Ｉ−ａ）の具体例としては、下記式（Ｉ−ａ−１）〜（Ｉ−ａ−１３）で表されるものが挙げられる。

斯かる上記式（Ｉ−ａ−１）〜（Ｉ−ａ−１３）のなかでも前記した通り、分子量末端に位置するＲ^１１及びＲ^１２に相当するアルキル基が炭素原子数１〜５のものが好ましい為、とりわけ式（Ｉ−ａ−１）〜（Ｉ−ａ−６）の化合物であることが好ましい。

次に、前記した下記式（II）

［式（II）中、Ｒ^１、Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４，Ｒ^５，Ｒ^６，Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９は、それぞれ独立的に、水素原子、炭素原子数１から１０のアルキル基（ｉ）、炭素原子数２〜１０のアルキル鎖中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−がそれぞれ独立して−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−によって置換された化学構造を有する有機基（ii）、または前記アルキル基若しくは有機基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立的にフッ素原子又は塩素原子に置換されたハロゲン含有炭化水素基（iii）であり、Ａ^１、Ａ^２は、それぞれ炭素原子数１から５のアルキル基を表す。但し、Ｒ^１、Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４，Ｒ^５，Ｒ^６，Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９の少なくとも２つが、前記アルキル基（ｉ）、前記有機基（ii）、又は前記ハロゲン含有炭化水素基（iii）である。］で表される化合物において、前記アルキル基（ｉ）、前記有機基（ii）、又は前記ハロゲン含有炭化水素基（iii）は、式（Ｉ）におけるものと同義であり、該化合物の具体例としては、下記式（ＩＩ−１）〜（ＩＩ−６）で表されるものが挙げられる。

次に、前記した下記式（III）

［一般式（II）中、Ｒ^１、Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４，Ｒ^５，Ｒ^６，Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９は、それぞれ独立的に、水素原子、炭素原子数１から１０のアルキル基（ｉ）、炭素原子数２〜１０のアルキル鎖中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−がそれぞれ独立して−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−によって置換された化学構造を有する有機基（ii）、または前記アルキル基若しくは有機基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立的にフッ素原子又は塩素原子に置換されたハロゲン含有炭化水素基（iii）であり、Ａ^１、Ａ^２は、それぞれ炭素原子数１から５のアルキル基を表す。但し、Ｒ^１、Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４，Ｒ^５，Ｒ^６，Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９の少なくとも２つが、前記アルキル基（ｉ）、前記有機基（ii）、又は前記ハロゲン含有炭化水素基（iii）である。］で表される化合物において、前記アルキル基（ｉ）、前記有機基（ii）、又は前記ハロゲン含有炭化水素基（iii）は、式（Ｉ）におけるものと同義であり、該化合物の具体例としては、下記式（III−１）〜（III−７）で表されるものが挙げられる。

以上詳述した式（Ｉ）〜（III）のなかでも、特に硬化性及び液晶相への溶解性、電圧保持率に優れる点から式（Ｉ）で表されるアルキルフェノン型光重合開始剤が好ましい、

次に、本発明の重合性液晶組成物において用いられるラジカル重合性単量体成分（Ａ）は、液晶性のモノマーを使用することが好ましい。即ち、本発明の液晶表示素子は、液晶相中に液晶表示素子全面にポリマーネットワーク層が形成され、液晶相が連続している構造であって、ポリマーネットワークの配向容易軸や一軸の光学軸が低分子液晶の配向容易軸と略同一方向であること、また、低分子液晶のプレチルト角を誘起するようにポリマーネットワークを形成させることが、オフ応答の速度を高めることができる点から好ましく、そのためラジカル重合性単量体成分（Ａ）を構成する重合性モノマーは、分子構造中にメソゲン構造を持つ液晶性のモノマーであることが好ましい。なお、本発明における液晶表示素子は、前記ポリマーネットワーク層が、ポリマーネットワークの平均空隙間隔が可視光の波長より小さい大きさであること、即ち４５０ｎｍ未満の平均空隙間隔であることが、光散乱は起こらなくなる点から好ましい。

斯かる液晶性のモノマーとしては、下記一般式（Ｐ１）

で表されるものが挙げられる。

ここで、Ｚ^ｐ１１は、フッ素原子、シアノ基、水素原子、水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい炭素原子数１〜１５のアルキル基、水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい炭素原子数１〜１５のアルコキシ基、水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい炭素原子数１〜１５のアルケニル基、水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい炭素原子数１〜１５のアルケニルオキシ基又は−Ｓｐ^ｐ１２−Ｒ^ｐ１２を表す。これらのなかでも、Ｚ^ｐ１１としては、フッ素原子、酸素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい炭素原子数１〜１５のアルキル基を使用することが液晶表示素子の電圧保持率を高くすることが可能になる点から好ましく、また、チルトの安定性の点から−Ｓｐ^ｐ１２−Ｒ^ｐ１２であることが好ましい。

ここで、Ｒ^ｐ１１およびＲ^ｐ１２はそれぞれ独立に以下の式（ＲＰ１１−１）から式（ＲＰ１１−４）

のいずれかを表し（式中、＊は結合点を示す）、前記式（ＲＰ１１−１）〜（ＲＰ１１−４）中、Ｒ^Ｐ１１１〜Ｒ^Ｐ１１２はお互いに独立して、水素原子、炭素原子数１〜５個のアルキル基であり、ｔ^Ｍ１１は０、１または２を表す。これらのなかでも特に前記式（ＲＰ１１−１）で表され、かつ、該式中のＲ^Ｐ１１１としては水素原子又はメチル基である、（メタ）アクリロイル基であることが、液晶表示素子の製造時にモノマーを重合させる際の紫外線照射量を低くすることが可能になる、液晶材料への紫外線照射量を必要最低限に保つことができ、液晶材料及び液晶表示素子の劣化を避けることができる点から好ましい。

Ｓｐ^ｐ１１およびＳｐ^ｐ１２は、それぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖もしくは分岐状アルキレン基、又は、この直鎖もしくは分岐状のアルキレン構造の炭素原子は、酸素原子が隣接しない条件で、酸素原子もしくはカルボニル基で置換された化学構造を有する構造部位を表す。これらのなかでも、特に、炭素原子数１〜１２の直鎖もしくは分岐状アルキレン基は、液晶材料（Ｂ）との相溶性を高めるので好ましく、液晶分子が持つアルキル基と同程度の炭素原子数１〜６のものが特に好ましい。ここで、ラジカル重合性単量体成分（Ａ）と液晶材料（Ｂ）との相溶性が十分でない場合や、前記した重合開始剤（Ｃ）の液晶材料（Ｂ）への相溶性が十分でない場合には、ポリマーネットワークの密度が粗になる部分と密になる部分ができるため素子特性に影響を及ぼし面内の特性が不均一となり易いが、本発明においてラジカル重合性単量体成分（Ａ）と液晶材料（Ｂ）との相溶性が良好なる場合には、重合開始剤（Ｃ）と液晶材料（Ｂ）との相溶性が良好なものとなることと相俟って、一様な重合相分離構造が形成され、液晶中の均一なポリマーネットワークを形成されて液晶表示素子の特性が面内で一定になる、という特長を有する。ここで、炭素原子数１〜１２の直鎖もしくは分岐状アルキレン基であるＳｐ^ｐ１１とＳｐ^ｐ１２とを有する場合、これらが同一のものであることが該モノマーの製造が容易であること、また、アルキレン鎖長の異なる複数種の化合物の使用割合を調整することによって物性調整が容易となる点から好ましい。一方、Ｓｐ^ｐ１１およびＳｐ^ｐ１２が単結合である場合には、モノマーが基板面に集まり易く、ポリマーネットワークを形成する傾向よりも垂直配向膜表面に薄膜を形成する傾向が強くなるため、ポリマーネットワーク形成による高速応答の効果よりも配向膜にプレチルトを付与し固定化する効果がより強くなる。

また、重合性液晶組成物中のラジカル重合性単量体成分（Ａ）の含有率が０．５質量％未満である場合には、前記した配向膜にプレチルト角を付与し固定化する点から、Ｓｐ^ｐ１１およびＳｐ^ｐ１２は単結合であることが好ましく、一方、該含有率が０．５質量％〜２０質量％の範囲である場合には、Ｓｐ^ｐ１１およびＳｐ^ｐ１２は炭素原子数１〜１２の直鎖もしくは分岐状アルキレン基であることがオフ応答速度を速めるポリマーネットワークを形成できる点から好ましい。特にオフ応答速度と低駆動電圧の点から１質量％〜１０質量％の範囲であることが好ましい。また、前記した直鎖もしくは分岐状アルキレン基は、炭素原子数としては、２〜８が好ましく、２〜６が更に好ましい。また、アルキレン基上の炭素原子を酸素原子が隣接しない条件で酸素原子もしくはカルボニル基で置換することは好ましい。特に酸素原子をＭ^Ｐ１１やＭ^Ｐ１３に結合する位置で導入すると、液晶材料全体としての液晶上限温度の拡大や重合時における紫外線感度を増加させることが可能になる点から好ましい。

次に、前記一般式（Ｐ１）中、Ｌ^ｐ１１及びＬ^ｐ１２はそれぞれ独立して、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＯＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯ−ＮＲ^Ｐ１１３−、−ＮＲ^Ｐ１１３−ＣＯ−、−ＳＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｓ−、−ＣＨ＝ＣＲ^Ｐ１１３−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＲ^Ｐ１１３−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^Ｐ１１３＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^{ａＰ１１３}＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^Ｐ１１３＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^Ｐ１１３＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^Ｐ１１３＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^Ｐ１１３＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−（ＣＨ_２）_ｔｍ１２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−（ＣＨ_２）_ｔｍ１２−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−、−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−（ＣＨ_２）_ｔｍ１２−、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｔｍ１２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−ＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＨ＝Ｎ−又は−Ｃ＝Ｎ−Ｎ＝Ｃ−（式中、Ｒ^Ｐ１１３はそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、前記式中、ｔｍ１２は１〜４の整数を表す。）を表す。

これらのなかでもラジカル重合性単量体成分（Ａ）の液晶性が高く、液晶表示素子における配向ムラ抑止の観点から、単結合、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−（ＣＨ_２）_２−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−、−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−（ＣＨ_２）_２−、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ＝Ｎ−、又は−Ｃ＝Ｎ−Ｎ＝Ｃ−が好ましい。

また、モノマーに光異性化する機能を付与することによりワイゲルト効果を用いた光による光配列機能が利用できることから、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、または−Ｎ＝Ｎ−が好ましく、−ＣＨ＝ＣＨ−と−Ｎ＝Ｎ−を選択すること、なかでも−Ｎ＝Ｎ−であることが好ましい。また、ポリマーネットワークの配向性を高くする観点から特に−Ｎ＝Ｎ−であることが好ましい。

つぎに、一般式（Ｐ１）中のＭ^ｐ１１、Ｍ^ｐ１２およびＭ^ｐ１３は、それぞれ独立に１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，２−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、１，３−シクロヘキシレン基、１，２−シクロヘキシレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，３−シクロヘキセニレン基、１，２−シクロヘキセニレン基、アントラセン−２，６−ジイル基、フェナントレン−２，７−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、ナフタレン−１，４−ジイル基、インダン−２，５−ジイル基、フルオレン−２，６−ジイル基、フルオレン−１，４−ジイル基、フェナントレン−２，７−ジイル基、アントラセン−２，６−ジイル基、アントラセン−１，４−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、或いは、これらの芳香核に炭素原子数１〜１２のアルキル基、炭素原子数１〜１２のハロゲン化アルキル基、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基、炭素原子数１〜１２のハロゲン化アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、又はニトロ基で置換された構造が挙げられる。

また、前記Ｍ^ｐ１１、Ｍ^ｐ１２およびＭ^ｐ１３は、これらの構造の芳香核に−Ｓｐ^ｐ１１−Ｒ^ｐ１１が置換されたものが、反応性に優れたラジカル重合性単量体となる点から好ましい。この時のＲ^ｐ１１としては式（ＲＰ１１−１）でかつ、Ｒ^Ｐ１１１としては水素原子、もしくはメチル基である（メタ）アクリロイル基であることが好ましい。

これらのなかでも特に１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、アントラセン−２，６−ジイル基、フェナントレン−２，７−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、インダン−２，５−ジイル基、フルオレン−２，６−ジイル基、フルオレン−１，４−ジイル基、フェナントレン−２，７−ジイル基、アントラセン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、２，３−ジフロロ−１，４−フェニレン基、２−フロロ−１，４−フェニレン基が液晶との相溶性の点から好ましい。

また、一般式（Ｐ１）中、ｍｐ１２は１又は２を表し、ｍｐ１３及びｍｐ１４はそれぞれ独立して、０、１、２又は３を表し、ｍ^ｐ１１及びｍ^ｐ１５はそれぞれ独立して１、２又は３を表す。ここで、Ｚ^ｐ１１が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、Ｒ^ｐ１１が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、Ｒ^ｐ１２が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、Ｓｐ^ｐ１１が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、Ｓｐ^ｐ１２が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、Ｌ^ｐ１１が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、Ｌ^ｐ１２が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、Ｍ^ｐ１２が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、Ｍ^ｐ１３が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよいで表される化合物であることが好ましい。また、当該材料は１種又は２種以上含有することが好ましい。

また、前記したｍ^ｐ１２〜ｍ^ｐ１４は、それらの合計が１〜６の範囲であることが好ましく、２〜４の範囲、なかでも２であることが特に好ましい。２種以上のモノマーを使用する場合には、モノマー全体中の当該モノマーの濃度とｍ^ｐ１２〜ｍ^ｐ１４の合計を乗じて計算する平均数が、１．６〜２．８になるように設定することが好ましく、１．７〜２．４にする事が更に好ましく、1．８〜２．２にすることが特に好ましい。

ｍ^ｐ１１及びｍ^ｐ１５の合計は１〜６が好ましく、２〜４が更に好ましく、２が特に好ましい。２種以上のモノマーを使用する場合には、モノマー全体中の当該モノマーの濃度とｍ^ｐ１と^ｐ１５合計を乗じて計算する平均数が、１．６〜２．８になるように設定することが好ましく、１．７〜２．４にする事が更に好ましく、1．８〜２．２にすることが特に好ましい。平均数が１に近いと、液晶表示素子の駆動電圧を低減できる傾向があり、平均数が高いとオフ応答を速くできる傾向がある。

Ｍ^ｐ１１、Ｍ^ｐ１２およびＭ^ｐ１３へのフッ素原子による置換は、液晶表示素子の電圧保持率を悪化させることなく、液晶材料と重合体もしくは共重合体との相互作用の大きさや溶解性を制御できるため好ましい。好ましい置換数は、1〜４である。

以上詳述した式（Ｐ１）の中でも、下記式（Ｐ２−１）〜（Ｐ２−１１）で表される化合物を使用することは、チルト角の経時変化を抑制に有効である。

（式中、Ｒ^Ｐ２１、Ｒ^Ｐ２２はそれぞれ独立的に水素原子もしくはメチル基を表す）
このような化合物は有用であるものの、液晶材料中への溶解性が良好でない場合ある。従って、このような化合物は使用するモノマー全体において、９０質量％以下含有することが好ましく、７０質量％以下含有することが更に好ましく、５０質量％以下含有することが特に好ましい。

また、式（Ｐ１）の中でも、下記式（Ｐ３−１）〜（Ｐ３−１１）で表される化合物を使用することは、チルト角の経時変化の抑制と液晶材料中への溶解性確保の両立を図れることから好ましい。

（式中、Ｒ^Ｐ３１、Ｒ^Ｐ３２はそれぞれ独立的に水素原子もしくはメチル基を表し、ｍＰ３１は０または１の整数を表し、ｍＰ３１が０の場合、ｍＰ３２は１〜６の整数を表し、ｍｐ３１が１の場合、ｍＰ３２は２〜６の整数を表す）

式（Ｐ１）の中でも、下記式（Ｐ４−１）〜（Ｐ４−１１）で表される化合物を使用することは、オフ応答を効果的に改善するのに有用であることから好ましい。

（式中、Ｒ^Ｐ４１、Ｒ^Ｐ４２はそれぞれ独立的に水素原子もしくはメチル基を表し、ｍＰ４２及びｍＰ４３はそれぞれ独立的に０または１の整数を表し、ｍＰ４２が０の場合、ｍＰ４１は１〜６の整数を表し、ｍｐ４２が１の場合、ｍＰ４１は２〜６の整数を表し、ｍＰ４３が０の場合、ｍＰ４４は１〜６の整数を表し、ｍＰ４３が１の場合、ｍｐ４４は２〜６の整数を表す）
このような化合物は使用するモノマー全体において、４０質量％以上含有することが好ましく、５０質量％以上含有することが更に好ましく、６０質量％以上含有することが特に好ましい。

式（Ｐ１）の中でも、メソゲン中にアリールエステル構造を有する、式（Ｐ５−１）〜（Ｐ５−１１）で表される化合物は紫外線照射によって重合開始できる能力を有するため、重合開始剤の添加量を低減できるので好ましい。

（式中、Ｒ^Ｐ５１、Ｒ^Ｐ５２はそれぞれ独立的に水素原子もしくはメチル基を表し、ｍＰ５２及びｍＰ５３はそれぞれ独立的に０または１の整数を表し、ｍＰ５２が０の場合、ｍＰ５１は１〜６の整数を表し、ｍｐ５２が１の場合、ｍＰ５１は２〜６の整数を表し、ｍＰ５３が０の場合、ｍＰ５４は１〜６の整数を表し、ｍＰ５３が１の場合、ｍｐ５４は２〜６の整数を表す）
このような化合物の添加量が多いと液晶表示素子の電圧保持率が悪化する傾向があるので、使用するモノマー全体においで３０質量％以下含有することが好ましく、２０質量％以下含有することが更に好ましく、１０質量％以下が特に好ましい。

また、式（Ｐ１）の中でも式（Ｐ６−１）〜（Ｐ６−１１）で表される化合物のようなメソゲン中に桂皮酸エステル基を導入することも好ましい。

（式中、Ｒ^Ｐ６１、Ｒ^Ｐ６２はそれぞれ独立的に水素原子もしくはメチル基を表し、ｍＰ６２及びｍＰ６３はそれぞれ独立的に０または１の整数を表し、ｍＰ６２が０の場合、ｍＰ６１は１〜６の整数を表し、ｍｐ６２が１の場合、ｍＰ６１は２〜６の整数を表し、ｍＰ６３が０の場合、ｍＰ６４は１〜６の整数を表し、ｍＰ６３が１の場合、ｍｐ６４は２〜６の整数を表す）

また、式（Ｐ１）の中でも下記式（Ｐ７−１）〜（Ｐ７−５）で表されるような縮合環を有する化合物は、紫外線吸収域を単環化合物より可視光側にシフトさせることができるので、モノマーの感度調節の観点から好ましい。

（式中、Ｒ^Ｐ７１、Ｒ^Ｐ７２はそれぞれ独立的に水素原子もしくはメチル基を表し、ｍＰ７２及びｍＰ７３はそれぞれ独立的に０または１の整数を表し、ｍＰ７２が０の場合、ｍＰ７１は１〜６の整数を表し、ｍｐ７２が１の場合、ｍＰ７１は２〜６の整数を表し、ｍＰ７３が０の場合、ｍＰ７４は１〜６の整数を表し、ｍＰ７３が１の場合、ｍｐ７４は２〜６の整数を表す。）
上記では好ましい化合物として２官能モノマーを例示したが、式（Ｐ１）の中でも式（Ｐ５−１）〜（Ｐ５−１１）で表される化合物のような３官能モノマーの使用も好ましい。重合体もしくは共重合体の機械的強度を向上させることができる。また、メソゲン中にエステル結合を有しているものは、紫外線照射によって重合開始できる能力を有するため、重合開始剤の添加量を低減できるのでより好ましい。

（式中、Ｒ^Ｐ８１、およびＲ^Ｐ８３はそれぞれ独立的に水素原子もしくはメチル基を表し、ｍＰ７２及びｍＰ７３はそれぞれ独立的に０または１の整数を表し、ｍＰ７２が０の場合、ｍＰ７１は１〜６の整数を表し、ｍｐ７２が１の場合、ｍＰ７１は２〜６の整数を表し、ｍＰ７３が０の場合、ｍＰ７４は１〜６の整数を表し、ｍＰ７３が１の場合、ｍｐ７４は２〜６の整数を表す）

また、式（Ｐ１）の中でも液晶表示素子の駆動電圧を調整する目的から下記式（Ｐ９−１）〜（Ｐ９−１１）で表される化合物のような単官能モノマーの使用も好ましい。

（式中、Ｒ^Ｐ９１は水素原子又はメチル基を表し、およびＲＰ９２は水素原子、または炭素原子数１〜１８のアルキル基を表す）

また、式（Ｐ１）の中でもモノマーとして光異性化する機能を付与することは、ワイゲルト効果を用いた光による光配列機能が利用できるので好ましい。このような観点からは（Ｐ１０−１）〜（Ｐ１０−１１）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^Ｐ１０１、Ｒ^Ｐ１０２はそれぞれ独立的に水素原子もしくはメチル基を表し、ｍＰ１０２及びｍＰ１０３はそれぞれ独立的に０または１の整数を表し、ｍＰ１０２が０の場合、ｍＰ１０１は１〜６の整数を表し、ｍｐ１０２が１の場合、ｍＰ１０１は２〜６の整数を表し、ｍＰ１０３が０の場合、ｍＰ１０４は１〜６の整数を表し、ｍＰ１０３が１の場合、ｍｐ１０４は２〜６の整数を表す）

以上詳述したラジカル重合性単量体成分（Ａ）は、上記した各種具体例で表される化合物を、下記一般式（Ｖ）

（式中、Ｘ^１及びＸ^２はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、Ｓｐ^１及びＳｐ^２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜１２のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−（式中、ｓは１〜１１の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）を表し、Ｕは炭素原子数２〜２０の直鎖状もしくは分岐状の多価脂肪族炭化水素基又は炭素原子数５〜３０の多価環状置換基を表すが、多価脂肪族炭化水素基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよく、炭素原子数５〜２０のアルキル基（基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよい。）又は環状置換基により置換されていてもよく、ｋは１〜５の整数を表す。式中の全ての１，４−フェニレン基は、任意の水素原子が−ＣＨ_３、−ＯＣＨ_３、フッ素原子、又はシアノ基に置換されていてもよい。）
または、下記一般式（ＶＩ）

（式中、Ｘ^３は、水素原子又はメチル基を表し、Ｓｐ^３は、単結合、炭素原子数１〜１２のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｔ−（式中、ｔは２〜１１の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）を表し、Ｖは炭素原子数２〜２０の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基又は炭素原子数５〜３０の多価環状置換基、炭素原子数２〜２０の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン構造中の酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換された構造部位、これらの化学構造は、該構造を構成する炭素原子上の水素原子が、炭素原子数５〜２０のアルキル基（基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよい。）又は環状置換基により置換されていてもよい。Ｗは水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜１５のアルキル基を表す。なお、式中の全ての１，４−フェニレン基は、任意の水素原子が−ＣＨ_３、−ＯＣＨ_３、フッ素原子、又はシアノ基に置換されていてもよい。）
で表すこともできる。

ここで、前記一般式（Ｖ）におけるＳｐ^１及びＳｐ^２が同一となるものであることが、これらが例えば炭素原子数１〜１２の直鎖もしくは分岐状アルキレン基である場合に、該化合物の合成が容易であり、また、アルキレン鎖長の異なる複数種の化合物の使用割合を調整することによって物性調整が容易となる点から好ましい。

次に、本発明の重合性液晶組成物で用いる液晶材料（Ｂ）（以下、「液晶組成物（Ｂ）」と略記する。）は、誘電率の異方性が正でも負のどちらを用いても良い。液晶組成物（Ｂ）の異方性が負の場合は、誘電率の異方性が負の液晶組成物（Δεが−２より小さい）、及び誘電率の異方性がほぼ無い（Δεの値が−２〜２）液晶組成物を含有するものが好ましい。また、液晶組成物（Ｂ）の異方性が正の場合は、誘電率の異方性が正の液晶組成物（Δεが２より大きい）、及び誘電率の異方性がほぼ無い（Δεの値が−２〜２）液晶組成物を含有するものが好ましい。

液晶組成物（Ｂ）において、誘電率の異方性が負の場合、誘電率異方性Δεの値は、−１．０〜−７．０の範囲であることが好ましく、−１．５〜−６．５であることがより好ましく、−２．０〜−６．０であることがさら好ましく、−２．５〜−５．５であることが特に好ましいが、低電圧駆動を重視する際には−３．０〜−６．０の範囲が好ましく、高速応答を重視する際には−２．０〜−３．５の範囲が好ましい。

屈折率異方性Δｎの値は、高速応答を実現するためにセルギャップを薄くする場合には０．１００〜０．１４０の範囲が好ましく、ディスプレイ製造における歩留まりを向上させるためにセルギャップを厚くする場合には０．０８０〜０．１００の範囲が好ましいが、反射型のディスプレイを作製する場合には上記好ましい範囲はそれぞれ上記値の５０質量％〜８０質量％の値であることが好ましい。

ネマチック−等方相転移温度Ｔ_ＮＩの値は、６５〜１５０℃の範囲であることが好ましいが、７０〜１３０℃であることが好ましいが、高速応答を重視する場合や製造したディスプレイの使用環境が主に屋内である場合には７０〜９０℃の範囲であることが好ましく、製造したディスプレイの使用環境が主に屋外である場合には８０〜１２０℃の範囲であることが好ましい。

回転粘性の値は、２００ｍＰａ・ｓ以下が好ましく、１８０ｍＰａ・ｓ以下がより好ましく、１５０ｍＰａ・ｓ以下が更に好ましく、１３０ｍＰａ・ｓ以下が特に好ましく、１００ｍＰａ・ｓ以下が最も好ましい。

一方、液晶組成物（Ｂ）において、誘電率の異方性が正の場合、誘電率異方性Δεの値は、１．０〜２０．０の範囲であることが好ましく、１．５〜１５．０であることがより好ましく、２．０〜１０．０であることがさら好ましく、３．０〜８．５であることが特に好ましいが、低電圧駆動を重視する際には５．０〜１２．０の範囲が好ましく、高速応答を重視する際には１．５〜５．０の範囲が好ましい。

Δｎの値は、高速応答を実現するためにセルギャップを薄くする場合には０．１１０〜０．１６０の範囲が好ましく、ディスプレイ製造における歩留まりを向上させるためにセルギャップを厚くする場合には０．０９０〜０．１１０の範囲が好ましいが、反射型のディスプレイを作製する場合には上記好ましい範囲はそれぞれ上記値の５０％〜８０％の値であることが好ましい。

ネマチック−等方相転移温度Ｔ_ＮＩ範囲の好ましい範囲は、６５〜１５０℃の範囲であることが好ましいが、７０〜１３０℃であることが好ましいが、高速応答を重視する場合や製造したディスプレイの使用環境が主に屋内である場合には７０〜９０℃の範囲であることが好ましく、製造したディスプレイの使用環境が主に屋外である場合には８０〜１２０℃の範囲であることが好ましい。回転粘性の値は、１３０ｍＰａ・ｓ以下が好ましく、１００ｍＰａ・ｓ以下がより好ましく、９０ｍＰａ・ｓ以下が更に好ましく、７５ｍＰａ・ｓ以下が特に好ましく、６０ｍＰａ・ｓ以下が最も好ましい。

誘電率の異方性が負の液晶組成物（Ｂ）は、具体的には、一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）、（Ｎ−３）及び（Ｎ−４）で表される化合物から選ばれる化合物を１種類又は２種類以上含有することが好ましい。これら化合物は誘電的に負の化合物（Δεの符号が負で、その絶対値が２より大きい。）に該当する。

［前記一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）、（Ｎ−３）及び（Ｎ−４）中、Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ｒ^Ｎ２１、Ｒ^Ｎ２２、Ｒ^Ｎ３１、Ｒ^Ｎ３２、Ｒ^Ｎ４１及びＲ^Ｎ４２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基、又は炭素原子数２〜８のアルキル鎖中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−が、それぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換された化学構造を持つ構造部位、
Ａ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２、Ａ^Ｎ２１、Ａ^Ｎ２２、Ａ^Ｎ３１、Ａ^Ｎ３２、Ａ^Ｎ４１及びＡ^Ｎ４２はそれぞれ独立して
（ａ）１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）及び
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
（ｃ）ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
（ｄ）１，４−シクロヘキセニレン基
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）、基（ｃ）及び基（ｄ）は、その構造中の水素原子が、それぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、

Ｚ^Ｎ１１、Ｚ^Ｎ１２、Ｚ^Ｎ２１、Ｚ^Ｎ２２、Ｚ^Ｎ３１、Ｚ^Ｎ３２、Ｚ^Ｎ４１及びＺ^Ｎ４２は、それぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、Ｘ^Ｎ２１は水素原子又はフッ素原子を表し、Ｔ^Ｎ３１は−ＣＨ_２−又は酸素原子を表し、Ｘ^Ｎ４１は、酸素原子、窒素原子、又は−ＣＨ_２−を表し、Ｙ^Ｎ４１は、単結合、又は−ＣＨ_２−を表し、ｎ^Ｎ１１、ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１、ｎ^Ｎ２２、ｎ^Ｎ３１、ｎ^Ｎ３２、ｎ^Ｎ４１、及びｎ^Ｎ４２は、それぞれ独立して０〜３の整数を表すが、ｎ^Ｎ１１＋ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１＋ｎ^Ｎ２２及びｎ^Ｎ３１＋ｎ^Ｎ３２はそれぞれ独立して１、２又は３であり、Ａ^Ｎ１１〜Ａ^Ｎ３２、Ｚ^Ｎ１１〜Ｚ^Ｎ３２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^Ｎ４１＋ｎ^Ｎ４２は０〜３の整数を表すが、Ａ^Ｎ４１及びＡ^Ｎ４２、Ｚ^Ｎ４１及びＺ^Ｎ４２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。］

一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）、（Ｎ−３）及び（Ｎ−４）で表される化合物は、Δεが負でその絶対値が２よりも大きな化合物であることが好ましい。

一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）、（Ｎ−３）及び（Ｎ−４）中、Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ｒ^Ｎ２１、Ｒ^Ｎ２２、Ｒ^Ｎ３１、Ｒ^Ｎ３２、Ｒ^Ｎ４１及びＲ^Ｎ３２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜３のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数３のアルケニル基（プロペニル基）が特に好ましい。

また、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。ネマチック相を安定化させるためには炭素原子及び存在する場合酸素原子の合計が５以下であることが好ましく、直鎖状であることが好ましい。

アルケニル基としては、式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。（各式中の黒点は環構造中の炭素原子を表す。）

Ａ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２、Ａ^Ｎ２１、Ａ^Ｎ２２、Ａ^Ｎ３１、Ａ^Ｎ３２、Ａ^Ｎ４１及びＡ^Ｎ４２は、それぞれ独立してΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族構造部位であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族構造部位であることが好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、及びその他下記構造式

で表されるテトラヒドロフラン又はジオキサン骨格を有する基であることが好ましい。
これらのなかでも特に下記の構造を表すことがより好ましく、

とりわけトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−シクロヘキセニレン基が、Δｎを下げたい場合に有用であること、また、低粘度下を図ることができる点から好ましく、また、１，４−フェニレン基が、Δｎを上げるたい場合に有用であることからより好ましい。

Ｚ^Ｎ１１、Ｚ^Ｎ１２、Ｚ^Ｎ２１、Ｚ^Ｎ２２、Ｚ^Ｎ３１、Ｚ^Ｎ３２、Ｚ^Ｎ４１及びＺ^Ｎ４２はそれぞれ独立して−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合を表すことが好ましく、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は単結合が更に好ましく、−ＣＨ_２Ｏ−又は単結合が特に好ましい。

Ｘ^Ｎ２１はフッ素原子が好ましい。

Ｔ^Ｎ３１は酸素原子が好ましい。

ｎ^Ｎ１１＋ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１＋ｎ^Ｎ２２、ｎ^Ｎ３１＋ｎ^Ｎ３２及びｎ^Ｎ４１＋ｎ^Ｎ４２は０、１又は２が好ましく、ｎ^Ｎ１１が１でありｎ^Ｎ１２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ１１が２でありｎ^Ｎ１２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ１１が１でありｎ^Ｎ１２が１である組み合わせ、ｎ^Ｎ１１が２でありｎ^Ｎ１２が１である組み合わせ、ｎ^Ｎ２１が１でありｎ^Ｎ２２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ２１が２でありｎ^Ｎ２２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ３１が１でありｎ^Ｎ３２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ３１が２でありｎ^Ｎ３２が０である組み合わせが好ましいが、ｎ^Ｎ４１＋ｎ^Ｎ４２はｎ^Ｎ４１及びｎ^Ｎ４２が共に０である組み合わせも好ましい。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｎ−１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、１０質量％であり、２０質量％であり、３０質量％であり、４０質量％であり、５０質量％であり、５５質量％であり、６０質量％であり、６５質量％であり、７０質量％であり、７５質量％であり、８０質量％である。好ましい含有量の上限値は、９５質量％であり、８５質量％であり、７５質量％であり、６５質量％であり、５５質量％であり、４５質量％であり、３５質量％であり、２５質量％であり、２０質量％である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｎ−２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、１０質量％であり、２０質量％であり、３０質量％であり、４０質量％であり、５０質量％であり、５５質量％であり、６０質量％であり、６５質量％であり、７０質量％であり、７５質量％であり、８０質量％である。好ましい含有量の上限値は、９５質量％であり、８５質量％であり、７５質量％であり、６５質量％であり、５５質量％であり、４５質量％であり、３５質量％であり、２５質量％であり、２０質量％である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｎ−３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、１０質量％であり、２０質量％であり、３０質量％であり、４０質量％であり、５０質量％であり、５５質量％であり、６０質量％であり、６５質量％であり、７０質量％であり、７５質量％であり、８０質量％である。好ましい含有量の上限値は、９５質量％であり、８５質量％であり、７５質量％であり、６５質量％であり、５５質量％であり、４５質量％であり、３５質量％であり、２５質量％であり、２０質量％である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｎ−４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、１０質量％であり、２０質量％であり、３０質量％であり、４０質量％であり、５０質量％であり、５５質量％であり、６０質量％であり、６５質量％であり、７０質量％であり、７５質量％であり、８０質量％である。好ましい含有量の上限値は、９５質量％であり、８５質量％であり、７５質量％であり、６５質量％であり、５５質量％であり、４５質量％であり、３５質量％であり、２５質量％であり、２０質量％である。

液晶組成物（Ｂ）の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値が低く上限値が低いことが好ましい。さらに、液晶組成物（Ｂ）のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値が低く上限値が低いことが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高く上限値が高いことが好ましい。

一般式（Ｎ−１）で表される化合物として、下記の一般式（Ｎ−１ａ）〜（Ｎ−１ｇ）で表される化合物群を挙げることができる。

（式中、Ｒ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２は一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表し、ｎ^Ｎａ１１は０又は１を表し、ｎ^Ｎｂ１１は０又は１を表し、ｎ^Ｎｃ１１は０又は１を表し、ｎ^Ｎｄ１１は０又は１を表し、ｎ^Ｎｅ１１は１又は２を表し、ｎ^Ｎｆ１１は１又は２を表し、ｎ^Ｎｇ１１は１又は２を表し、Ａ^Ｎｅ１１はトランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表し、Ａ^Ｎｇ１１はトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−シクロヘキセニレン基又は１，４−フェニレン基を表すが少なくとも１つは１，４−シクロヘキセニレン基を表し、Ｚ^Ｎｅ ^１１は単結合又はエチレンを表すが少なくとも１つはエチレンを表す。）

より具体的には、一般式（Ｎ−１）で表される化合物は一般式（Ｎ−１−１）〜（Ｎ−１−２１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

一般式（Ｎ−１−１）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｎ１１１及びＲ^Ｎ１１２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^Ｎ１１１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、プロピル基、ペンチル基又はビニル基が好ましい。Ｒ^Ｎ１１２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基又はブトキシ基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−１）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｎ−１−１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％であり、２３質量％であり、２５質量％であり、２７質量％であり、３０質量％であり、３３質量％であり、３５質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、５０質量％であり、４０質量％であり、３８質量％であり、３５質量％であり、３３質量％であり、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、７質量％であり、６質量％であり、５質量％であり、３質量％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−１）で表される化合物は、式（Ｎ−１−１．１）から式（Ｎ−１−１．２３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１．１）〜（Ｎ−１−１．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１．１）及び式（Ｎ−１−１．３）で表される化合物が好ましい。

式（Ｎ−１−１．１）〜（Ｎ−１−１．２２）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％であり、２３質量％であり、２５質量％であり、２７質量％であり、３０質量％であり、３３質量％であり、３５質量％である。好ましい含有量の上限値は、非重合性の組成物の総量に対して、５０質量％であり、４０質量％であり、３８質量％であり、３５質量％であり、３３質量％であり、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、７質量％であり、６質量％であり、５質量％であり、３質量％である。

一般式（Ｎ−１−２）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｎ１２１及びＲ^Ｎ１２２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^Ｎ１２１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基、ブチル基又はペンチル基が好ましい。Ｒ^Ｎ１２２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、メチル基、プロピル基、メトキシ基、エトキシ基又はプロポキシ基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−２）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｎ−１−２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％であり、７質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％であり、２３質量％であり、２５質量％であり、２７質量％であり、３０質量％であり、３３質量％であり、３５質量％であり、３７質量％であり、４０質量％であり、４２質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、５０質量％であり、４８質量％であり、４５質量％であり、４３質量％であり、４０質量％であり、３８質量％であり、３５質量％であり、３３質量％であり、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、７質量％であり、６質量％であり、５質量％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−２）で表される化合物は、式（Ｎ−１−２．１）から式（Ｎ−１−２．２２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−２．３）から式（Ｎ−１−２．７）、式（Ｎ−１−２．１０）、式（Ｎ−１−２．１１）、式（Ｎ−１−２．１３）及び式（Ｎ−１−２．２０）で表される化合物であることが好ましく、Δεの改良を重視する場合には式（Ｎ−１−２．３）から式（Ｎ−１−２．７）で表される化合物が好ましく、Ｔ_ＮＩの改良を重視する場合には式（Ｎ−１−２．１０）、式（Ｎ−１−２．１１）及び式（Ｎ−１−２．１３）で表される化合物であることが好ましく、応答速度の改良を重視する場合には式（Ｎ−１−２．２０）で表される化合物であることが好ましい。

式（Ｎ−１−２．１）から式（Ｎ−１−２．２２）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％であり、２３質量％であり、２５質量％であり、２７質量％であり、３０質量％であり、３３質量％であり、３５質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、５０質量％であり、４０質量％であり、３８質量％であり、３５質量％であり、３３質量％であり、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、７質量％であり、６質量％であり、５質量％であり、３質量％である。

一般式（Ｎ−１−３）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｎ１３１及びＲ^Ｎ１３２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）

Ｒ^Ｎ１３１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。Ｒ^Ｎ１３２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数３〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、１−プロペニル基、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−３）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量をおおめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｎ−１−３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、３５質量％であり、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−３）で表される化合物は、式（Ｎ−１−３．１）から式（Ｎ−１−３．２１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−３．１）〜（Ｎ−１−３．７）及び式（Ｎ−１−３．２１）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−３．１）、式（Ｎ−１−３．２）、式（Ｎ−１−３．３）、式（Ｎ−１−３．４）及び式（Ｎ−１−３．６）で表される化合物が好ましい。

式（Ｎ−１−３．１）〜式（Ｎ−１−３．４）、式（Ｎ−１−３．６）及び式（Ｎ−１−３．２１）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、式（Ｎ−１−３．１）及び式（Ｎ−１−３．２）の組み合わせ、式（Ｎ−１−３．３）、式（Ｎ−１−３．４）及び式（Ｎ−１−３．６）から選ばれる２種又は３種の組み合わせが好ましい。液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、３５質量％であり、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−４）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｎ１４１及びＲ^Ｎ１４２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^Ｎ１４１及びＲ^Ｎ１４２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、メチル基、プロピル基、エトキシ基又はブトキシ基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−４）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｎ−１−４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、３質量％であり、５質量％であり、７質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、３５質量％であり、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１１質量％であり、１０質量％であり、８質量％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−４）で表される化合物は、式（Ｎ−１−４．１）から式（Ｎ−１−４．１４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−４．１）〜（Ｎ−１−４．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−４．１）、式（Ｎ−１−４．２）及び式（Ｎ−１−４．４）で表される化合物が好ましい。

式（Ｎ−１−４．１）〜（Ｎ−１−４．１４）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、３質量％であり、５質量％であり、７質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、３５質量％であり、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１１質量％であり、１０質量％であり、８質量％である。

一般式（Ｎ−１−５）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｎ１５１及びＲ^Ｎ１５２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^Ｎ１５１及びＲ^Ｎ１５２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましくエチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−５）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｎ−１−５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、３５質量％であり、３３質量％であり、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−５）で表される化合物は、式（Ｎ−１−５．１）から式（Ｎ−１−５．６）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−５．１）、式（Ｎ−１−５．２）及び式（Ｎ−１−５．４）で表される化合物が好ましい。

式（Ｎ−１−５．１）、式（Ｎ−１−５．２）及び式（Ｎ−１−５．４）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、３５質量％であり、３３質量％であり、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−１０）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^{Ｎ１１０１}及びＲ^{Ｎ１１０２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^{Ｎ１１０１}は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基、ブチル基、ビニル基又は１−プロペニル基が好ましい。Ｒ^{Ｎ１１０２}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−１０）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を高めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量を高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｎ−１−１０）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、３５質量％であり、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−１０）で表される化合物は、式（Ｎ−１−１０．１）から式（Ｎ−１−１０．２１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１０．１）〜（Ｎ−１−１０．５）式（Ｎ−１−１０．２０）及び式（Ｎ−１−１０．２１）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１０．１）、式（Ｎ−１−１０．２）、式（Ｎ−１−１０．２０）及び式（Ｎ−１−１０．２１）で表される化合物が好ましい。

式（Ｎ−１−１０．１）、式（Ｎ−１−１０．２）、式（Ｎ−１−１０．２０）及び式（Ｎ−１−１０．２１）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、３５質量％であり、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−１１）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^{Ｎ１１１１}及びＲ^{Ｎ１１１２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^{Ｎ１１１１}は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基、ブチル基、ビニル基又は１−プロペニル基が好ましい。Ｒ^{Ｎ１１１２}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−１１）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を低めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量を高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｎ−１−１１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、３５質量％であり、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−１１）で表される化合物は、式（Ｎ−１−１１．１）から式（Ｎ−１−１１．１５）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１１．１）〜（Ｎ−１−１１．１５）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１１．２及び式（Ｎ−１−１１．４）で表される化合物が好ましい。

式（Ｎ−１−１１．２）及び式（Ｎ−１−１１．４）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、３５質量％であり、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−１２）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^{Ｎ１１２１}及びＲ^{Ｎ１１２２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^{Ｎ１１２１}は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。Ｒ^{Ｎ１１２２}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−１２）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｎ−１−１２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、３５質量％であり、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−１３）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^{Ｎ１１３１}及びＲ^{Ｎ１１３２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^{Ｎ１１３１}は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。Ｒ^{Ｎ１１３２}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−１３）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｎ−１−１３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、３５質量％であり、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−１４）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^{Ｎ１１４１}及びＲ^{Ｎ１１４２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^{Ｎ１１４１}は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。Ｒ^{Ｎ１１４２}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−１４）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｎ−１−１４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、３５質量％であり、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−１５）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^{Ｎ１１５１}及びＲ^{Ｎ１１５２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^{Ｎ１１５１}は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。Ｒ^{Ｎ１１５２}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−１５）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｎ−１−１５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、３５質量％であり、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−１６）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^{Ｎ１１６１}及びＲ^{Ｎ１１６２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^{Ｎ１１６１}は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。Ｒ^{Ｎ１１６２}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−１６）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｎ−１−１６）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、３５質量％であり、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−１７）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^{Ｎ１１７１}及びＲ^{Ｎ１１７２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）

Ｒ^{Ｎ１１７１}は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。Ｒ^{Ｎ１１７２}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−１７）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｎ−１−１７）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、３５質量％であり、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−１８）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^{Ｎ１１８１}及びＲ^{Ｎ１１８２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^{Ｎ１１８１}は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。Ｒ^{Ｎ１１８２}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−１８）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｎ−１−１８）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、３５質量％であり、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−１８）で表される化合物は、式（Ｎ−１−１８．１）から式（Ｎ−１−１８．５）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１８．１）〜（Ｎ−１−１１．３）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１８．２及び式（Ｎ−１−１８．３）で表される化合物が好ましい。

一般式（Ｎ−１−２０）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^{Ｎ１２０１}及びＲ^{Ｎ１２０２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^{Ｎ１２０１}及びＲ^{Ｎ１２０２}はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−２０）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｎ−１−２０）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、３５質量％であり、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−２１）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^{Ｎ１２１１}及びＲ^{Ｎ１２１２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^{Ｎ１２１１}及びＲ^{Ｎ１２１２}はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−２１）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｎ−１−２１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、３５質量％であり、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−２２）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^{Ｎ１２２１}及びＲ^{Ｎ１２２２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^{Ｎ１２２１}及びＲ^{Ｎ１２２２}はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−２２）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｎ−１−２１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、５質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、３５質量％であり、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、５質量％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−２２）で表される化合物は、式（Ｎ−１−２２．１）から式（Ｎ−１−２２．１２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−２２．１）〜（Ｎ−１−２２．５）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−２２．１）〜（Ｎ−１−２２．４）で表される化合物が好ましい。

次に、前記一般式（Ｎ−２）で表される化合物としては、下記一般式（Ｎ−２−ａ）から一般式（Ｎ−２−ｃ）

（式中、Ｒ^Ｎ２１、Ｒ^Ｎ２２及びＸ^Ｎ２１はそれぞれ独立して前記一般式（Ｎ−２）におけるＲ^Ｎ２１、Ｒ^Ｎ２２及びＸ^Ｎ２１と同じ意味を表し、Ｚ^Ｎ２１は単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物であるのがより好ましい。

一般式（Ｎ−３）で表される化合物は一般式（Ｎ−３−１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｎ３２１及びＲ^Ｎ３２２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−３）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^Ｎ３２１及びＲ^Ｎ３２２は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、プロピル基又はペンチル基が好ましい。

一般式（Ｎ−３−２）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｎ−３−２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、３質量％であり、５質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％であり、２３質量％であり、２５質量％であり、２７質量％であり、３０質量％であり、３３質量％であり、３５質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、５０質量％であり、４０質量％であり、３８質量％であり、３５質量％であり、３３質量％であり、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、７質量％であり、６質量％であり、５質量％である。

さらに、一般式（Ｎ−３−１）で表される化合物は、式（Ｎ−３−１．１）から式（Ｎ−３−１．３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

一般式（Ｎ−４）で表される化合物として、下記の一般式（Ｎ−４−１）で表される化合物群を挙げることができる。

（式中、Ｒ^Ｎ４１及びＲ^Ｎ４２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−４）におけるＲ^Ｎ４１及びＲ^Ｎ４２と同じ意味を表す。）
Ｒ^Ｎ３２１及びＲ^Ｎ３２２は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルコキシ基が好ましく、プロピル基、ペンチル基、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

一般式（Ｎ−４−１）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｎ−４−１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、３質量％であり、５質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％であり、２３質量％であり、２５質量％であり、２７質量％であり、３０質量％であり、３３質量％であり、３５質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、５０質量％であり、４０質量％であり、３８質量％であり、３５質量％であり、３３質量％であり、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、７質量％であり、６質量％であり、５質量％である。

さらに、一般式（Ｎ−４−１）で表される化合物は、式（Ｎ−４−１．１）から式（Ｎ−４−１．６）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

以上詳述した一般式（Ｎ−１）〜一般式（Ｎ−４）のなかでも、特に活性エネルギー線を照射してポリマーネットワークと液晶相とを形成させる際に、該活性エネルギー線に対する耐性が高い点から一般式（Ｎ−１）で表される化合物が好ましい。

次に、誘電率の異方性が正の液晶組成物（Ｂ）は、一般式（Ｊ）で表される化合物を１種類又は２種類以上含有することが好ましい。これら化合物は誘電的に正の化合物（Δεが２より大きい。）に該当する。

（式中、Ｒ^Ｊ１は炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎ^Ｊ１は、０、１、２、３又は４を表し、
Ａ^Ｊ１、Ａ^Ｊ２及びＡ^Ｊ３はそれぞれ独立して、
（ａ）１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基で置換されていても良く、
Ｚ^Ｊ１及びＺ^Ｊ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎ^Ｊ１が２、３又は４であってＡ^Ｊ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^Ｊ１が２、３又は４であってＺ^Ｊ１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｘ^Ｊ１は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエチル基を表す。）
一般式（Ｊ）中、Ｒ^Ｊ１は、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜３のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数３のアルケニル基（プロペニル基）が特に好ましい。

信頼性を重視する場合にはＲ^Ｊ１はアルキル基であることが好ましく、粘性の低下を重視する場合にはアルケニル基であることが好ましい。

アルケニル基としては、式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。（各式中の黒点はアルケニル基が結合している環構造中の炭素原子を表す。）

Ａ^Ｊ１、Ａ^Ｊ２及びＡ^Ｊ３はそれぞれ独立してΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族構造部位であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族構造部位であることが好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、その他下記構造式

で表されるテトラヒドロフラン又はジオキサン骨格を有する基、またはこれらの構造中の水素原子がフッ素原子により置換された構造であることが好ましい。

これらのなかでも、脂環式の構造のものは、Δｎを下げたい場合に有用であること、また、低粘度下を図ることができる点から好ましく、また、芳香族系のものはΔｎを上げるたい場合に有用である。斯かる観点から特に下記の構造

で表されるものが好ましい。

Ｚ^Ｊ１及びＺ^Ｊ２はそれぞれ独立して−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合を表すことが好ましく、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は単結合が更に好ましく、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−又は単結合が特に好ましい。

Ｘ^Ｊ１はフッ素原子又はトリフルオロメトキシ基が好ましく、フッ素原子が好ましい。

ｎ^Ｊ１は、０、１、２又は３が好ましく、０、１又は２が好ましく、Δεの改善に重点を置く場合には０又は１が好ましく、Ｔｎｉを重視する場合には1又は２が好ましい。

組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類である。またさらに、本発明の別の実施形態では４種類であり、５種類であり、６種類であり、７種類以上である。

液晶組成物（Ｂ）において、一般式（Ｊ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての一般式（Ｊ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、１０質量％であり、２０質量％であり、３０質量％であり、４０質量％であり、５０質量％であり、５５質量％であり、６０質量％であり、６５質量％であり、７０質量％であり、７５質量％であり、８０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、例えば本発明の一つの形態では９５質量％であり、８５質量％であり、７５質量％であり、６５質量％であり、５５質量％であり、４５質量％であり、３５質量％であり、２５質量％である。

液晶組成物（Ｂ）の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。さらに、液晶組成物（Ｂ）のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高めに、上限値を高めにすることが好ましい。

一般式（Ｊ）で表される化合物としては下記で表される一般式（Ｍ）で表される化合物及び一般式（Ｋ）で表される化合物が好ましい。

誘電率の異方性が正の液晶組成物は、一般式（Ｍ）で表される化合物を１種類又は２種類以上含有することが好ましい。これら化合物は誘電的に正の化合物（Δεが２より大きい。）に該当する。

（式中、Ｒ^Ｍ１は炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎ^Ｍ１は、０、１、２、３又は４を表し、
Ａ^Ｍ１及びＡ^Ｍ２はそれぞれ独立して、
（ａ）１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい。）及び
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）及び基（ｂ）上の水素原子はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
Ｚ^Ｍ１及びＺ^Ｍ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎ^Ｍ１が２、３又は４であってＡ^Ｍ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^Ｍ１が２、３又は４であってＺ^Ｍ１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｘ^Ｍ１及びＸ^Ｍ３はそれぞれ独立して水素原子、塩素原子又はフッ素原子を表し、
Ｘ^Ｍ２は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエチル基を表す。）

一般式（Ｍ）中、Ｒ^Ｍ１は、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜３のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数３のアルケニル基（プロペニル基）が特に好ましい。

信頼性を重視する場合にはＲ^Ｍ１はアルキル基であることが好ましく、粘性の低下を重視する場合にはアルケニル基であることが好ましい。

Ａ^Ｍ１及びＡ^Ｍ２はそれぞれ独立してΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表すことが好ましく、下記の構造を表すことがより好ましく、

下記の構造を表すことがより好ましい。

Ｚ^Ｍ１及びＺ^Ｍ２はそれぞれ独立して−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合を表すことが好ましく、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は単結合が更に好ましく、−ＣＦ_２Ｏ−又は単結合が特に好ましい。

ｎ^Ｍ１は、０、１、２又は３が好ましく、０、１又は２が好ましく、Δεの改善に重点を置く場合には０又は１が好ましく、Ｔｎｉを重視する場合には1又は２が好ましい。

液晶組成物（Ｂ）において、一般式（Ｍ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｍ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、１０質量％であり、２０質量％であり、３０質量％であり、４０質量％であり、５０質量％であり、５５質量％であり、６０質量％であり、６５質量％であり、７０質量％であり、７５質量％であり、８０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、例えば本発明の一つの形態では９５質量％であり、８５質量％であり、７５質量％であり、６５質量％であり、５５質量％であり、４５質量％であり、３５質量％であり、２５質量％である。

一般式（Ｍ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｍ−１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｍ１１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｍ１１からＸ^Ｍ１５はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^Ｍ１１はフッ素原子又はＯＣＦ_３を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類以上である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｍ−１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％であり、２２質量％であり、２５質量％であり、３０質量％である。好ましい含有量の上限値は、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

さらに、一般式（Ｍ−１）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−１．１）から式（Ｍ−１．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ−１．１）又は式（Ｍ−１．２）で表される化合物が好ましく、式（Ｍ−１．２）で表される化合物がさらに好ましい。また、式（Ｍ−１．１）又は式（Ｍ−１．２）で表される化合物を同時に使用することも好ましい。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｍ−１．１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、５質量％であり、６質量％である。好ましい含有量の上限値は、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｍ−１．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、５質量％であり、６質量％である。好ましい含有量の上限値は、３０質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｍ−１．１）及び式（Ｍ−１．２）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、５質量％であり、６質量％である。好ましい含有量の上限値は、３０質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％である。

さらに、一般式（Ｍ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｍ−２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｍ２１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｍ２１及びＸ^Ｍ２２はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^Ｍ２１はフッ素原子、塩素原子又はＯＣＦ_３を表す。）
液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｍ−１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％であり、２２質量％であり、２５質量％であり、３０質量％である。好ましい含有量の上限値は、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

液晶組成物（Ｂ）の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。さらに、液晶組成物（Ｂ）のＴｎｉを高く保ち、焼きつきの発生しにくい組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高めに、上限値を高めにすることが好ましい。

さらに、一般式（Ｍ−２）で表される化合物は、式（Ｍ−２．１）から式（Ｍ−２．５）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ−２．３）又は／及び式（Ｍ−２．５）で表される化合物であることが好ましい。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｍ−２．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、５質量％であり、６質量％である。好ましい含有量の上限値は、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｍ−２．３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、５質量％であり、６質量％である。好ましい含有量の上限値は、３０質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｍ−２．５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、５質量％であり、６質量％である。好ましい含有量の上限値は、３０質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｍ−２．２）、（Ｍ−２．３）及び式（Ｍ−２．５）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、５質量％であり、６質量％である。好ましい含有量の上限値は、３０質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％である。

含有量は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して１質量％以上であることが好ましく、５質量％以上がより好ましく、８質量％以上がさらに好ましく、１０質量％以上がさらに好ましく、１４質量％以上がさらに好ましく、１６質量％以上が特に好ましい。また、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性などを考慮して、最大比率を３０質量％以下にとどめることが好ましく、２５質量％以下がさらに好ましく、２２質量％以下がより好ましく、２０質量％未満が特に好ましい。

液晶組成物（Ｂ）に使用される一般式（Ｍ）で表される化合物は、一般式（Ｍ−３）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｍ３１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｍ３１からＸ^Ｍ３６はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^Ｍ３１はフッ素原子、塩素原子又はＯＣＦ_３を表す。）
組み合わせることのできる化合物に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などを考慮して１種から２種類以上組み合わせることが好ましい。

一般式（Ｍ−３）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの特性を考慮して実施形態ごとに上限値と下限値がある。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｍ−３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、４質量％であり、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

さらに、液晶組成物（Ｂ）に使用される一般式（Ｍ−３）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−３．１）から式（Ｍ−３．８）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−３．１）及び／又は式（Ｍ−３．２）で表される化合物を含有することが好ましい。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｍ−３．１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、４質量％であり、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｍ−３．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、４質量％であり、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｍ−３．１）及び式（Ｍ−３．２）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、４質量％であり、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

さらに、一般式（Ｍ）で表される化合物は、一般式（Ｍ−４）で表される群より選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｍ４１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｍ４１からＸ^Ｍ４８はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ４１はフッ素原子、塩素原子又はＯＣＦ_３を表す。）
組み合わせることのできる化合物に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などを考慮して１種、２種又は３種類以上組み合わせることが好ましい。

一般式（Ｍ−４）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの特性を考慮して実施形態ごとに上限値と下限値がある。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｍ−４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、４質量％であり、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

液晶組成物（Ｂ）が、セルギャップの小さい液晶表示素子用に用いられる場合は、一般式（Ｍ−４）で表される化合物の含有量を多めにすることが適している。駆動電圧の小さい液晶表示素子用に用いられる場合は、一般式（Ｍ−４）で表される化合物の含有量を多めにすることが適している。また、低温の環境で用いられる液晶表示素子用に用いられる場合は一般式（Ｍ−４）で表される化合物の含有量を少なめにすることが適している。応答速度の速い液晶表示素子に用いられる組成物である場合は、一般式（Ｍ−４）で表される化合物の含有量を少なめにすることが適している。

さらに、液晶組成物（Ｂ）に使用される一般式（Ｍ−４）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−４．１）から式（Ｍ−４．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−４．２）から式（Ｍ−４．４）で表される化合物を含有することが好ましく、式（Ｍ−４．２）で表される化合物を含有することがより好ましい。

さらに、一般式（Ｍ）で表される化合物は、一般式（Ｍ−５）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｍ５１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｍ５１及びＸ^Ｍ５２はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^Ｍ５１はフッ素原子、塩素原子又はＯＣＦ_３を表す。）
組み合わせることのできる化合物の種類に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などを考慮して、実施形態ごとに適宜組み合わせて使用する。例えば、本発明の一つの実施形態では１種類、別の実施形態では２種類、さらに別の実施形態では３種類、またさらに別の実施形態では４種類、またさらに別の実施形態では５種類、またさらに別の実施形態では６種類以上組み合わせる。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｍ−５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％であり、２２質量％であり、２５質量％であり、３０質量％である。好ましい含有量の上限値は、５０質量％であり、４５質量％であり、４０質量％であり、３５質量％であり、３３質量％であり、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

さらに、一般式（Ｍ−５）で表される化合物は、式（Ｍ−５．１）から式（Ｍ−５．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ−５．１）から式（Ｍ−５．４）で表される化合物であることが好ましい。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％である。好ましい含有量の上限値は、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

さらに、一般式（Ｍ−５）で表される化合物は、式（Ｍ−５．１１）から式（Ｍ−５．１７）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ−５．１１）、式（Ｍ−５．１３）及び式（Ｍ−５．１７）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｍ−５）で表される化合物は、式（Ｍ−５．２１）から式（Ｍ−５．２８）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ−５．２１）、式（Ｍ−５．２２）、式（Ｍ−５．２３）及び式（Ｍ−５．２５）で表される化合物であることが好ましい。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％であり、２２質量％であり、２５質量％であり、３０質量％である。好ましい含有量の上限値は、４０質量％であり、３５質量％であり、３３質量％であり、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

さらに、一般式（Ｍ）で表される化合物は、一般式（Ｍ−６）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｍ６１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｍ６１からＸ^Ｍ６４はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ６１はフッ素原子、塩素原子又はＯＣＦ_３を表す。）
組み合わせることのできる化合物の種類に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などを考慮して実施形態ごとに適宜組み合わせる。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｍ−６）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、４質量％であり、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

液晶組成物（Ｂ）が、駆動電圧の小さい液晶表示素子用に用いられる場合は、一般式（Ｍ−６）で表される化合物の含有量を多めにすることが適している。また応答速度の速い液晶表示素子に用いられる組成物である場合は、一般式（Ｍ−６）で表される化合物の含有量を少なめにすることが適している。

さらに、一般式（Ｍ−６）で表される化合物は具体的には式（Ｍ−６．１）から式（Ｍ−６．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−６．２）及び式（Ｍ−６．４）で表される化合物を含有することが好ましい。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、４質量％であり、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

さらに、一般式（Ｍ−６）で表される化合物は具体的には式（Ｍ−６．１１）から式（Ｍ−６．１４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−６．１２）及び式（Ｍ−６．１４）で表される化合物を含有することが好ましい。

さらに、一般式（Ｍ−６）で表される化合物は具体的には式（Ｍ−６．２１）から式（Ｍ−６．２４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−６．２１）、式（Ｍ−６．２２）及び式（Ｍ−６．２４）で表される化合物を含有することが好ましい。

さらに、一般式（Ｍ−６）で表される化合物は具体的には式（Ｍ−６．３１）から式（Ｍ−６．３４）で表される化合物が好ましい。中でも式（Ｍ−６．３１）及び式（Ｍ−６．３２）で表される化合物を含有することが好ましい。

さらに、一般式（Ｍ−６）で表される化合物は具体的には式（Ｍ−６．４１）から式（Ｍ−６．４４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−６．４２）で表される化合物を含有することが好ましい。

更に、一般式（Ｍ）で表される化合物は、一般式（Ｍ−７）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｘ^Ｍ７１からＸ^Ｍ７６はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｒ^Ｍ７１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｙ^Ｍ７１はフッ素原子又はＯＣＦ_３を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、これらの化合物の中から１種〜２種類含有することが好ましく、１種〜３種類含有することがより好ましく、１種〜４種類含有することが更に好ましい。

一般式（Ｍ−７）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの特性を考慮して実施形態ごとに上限値と下限値がある。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｍ−７）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、４質量％であり、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

液晶組成物（Ｂ）が、セルギャップの小さい液晶表示素子用に用いられる場合は、一般式（Ｍ−７）で表される化合物の含有量を多めにすることが適している。駆動電圧の小さい液晶表示素子用に用いられる場合は、一般式（Ｍ−７）で表される化合物の含有量を多めにすることが適している。また、低温の環境で用いられる液晶表示素子用に用いられる場合は一般式（Ｍ−７）で表される化合物の含有量を少なめにすることが適している。応答速度の速い液晶表示素子に用いられる組成物である場合は、一般式（Ｍ−７）で表される化合物の含有量を少なめにすることが適している。

さらに、一般式（Ｍ−７）で表される化合物は、式（Ｍ−７．１）から式（Ｍ−７．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ−７．２）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｍ−７）で表される化合物は、式（Ｍ−７．１１）から式（Ｍ−７．１４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ−７．１１）及び式（Ｍ−７．１２）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｍ−７）で表される化合物は、式（Ｍ−７．２１）から式（Ｍ−７．２４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ−７．２１）及び式（Ｍ−７．２２）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｍ）で表される化合物は、一般式（Ｍ−８）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｘ^Ｍ８１からＸ^Ｍ８４はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ８１はフッ素原子、塩素原子又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｒ^Ｍ８１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ａ^Ｍ８１及びＡ^Ｍ８２はそれぞれ独立して、１，４−シクロヘキシレン基、１,４-フェニレン基又は

を表すが、１,４-フェニレン基上の水素原子はフッ素原子によって置換されていてもよい。）
液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての一般式（Ｍ−８）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、４質量％であり、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

液晶組成物（Ｂ）の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。さらに、焼き付きの発生しにくい組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高めに、上限値を高めにすることが好ましい。

さらに、液晶組成物（Ｂ）に使用される一般式（Ｍ−８）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−８．１）から式（Ｍ−８．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−８．１）及び式（Ｍ−８．２）で表される化合物を含有することが好ましい。

さらに、液晶組成物（Ｂ）に使用される一般式（Ｍ−８）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−８．１１）から式（Ｍ−８．１４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−８．１２）で表される化合物を含有することが好ましい。

さらに、液晶組成物（Ｂ）に使用される一般式（Ｍ−８）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−８．２１）から式（Ｍ−８．２４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−８．２２）で表される化合物を含有することが好ましい。

さらに、液晶組成物（Ｂ）に使用される一般式（Ｍ−８）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−８．３１）から式（Ｍ−８．３４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−８．３２）で表される化合物を含有することが好ましい。

さらに、液晶組成物（Ｂ）に使用される一般式（Ｍ−８）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−８．４１）から式（Ｍ−８．４４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−８．４２）で表される化合物を含有することが好ましい。

さらに、液晶組成物（Ｂ）に使用される一般式（Ｍ−８）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−８．５１）から式（Ｍ−８．５４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−８．５２）で表される化合物を含有することが好ましい。

さらに、一般式（Ｍ）で表される化合物は、その構造中に下記の部分構造を有していてもよい。

（式中の黒点は上記部分構造が結合している環構造中の炭素原子を表す。）
上記部分構造を有する化合物として、一般式（Ｍ−１０）〜（Ｍ−１８）で表される化合物であることが好ましい。

一般式（Ｍ−１０）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^Ｍ１０１及びＸ^Ｍ１０２はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ１０１はフッ素原子、塩素原子又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｒ^Ｍ１０１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｗ^Ｍ１０１及びＷ^Ｍ１０２はそれぞれ独立して、−ＣＨ_２−又は−Ｏ−を表す。）
液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての一般式（Ｍ−１０）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、４質量％であり、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

さらに、液晶組成物（Ｂ）に使用される一般式（Ｍ−１０）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−１０．１）から式（Ｍ−１０．１２）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−１０．５）から式（Ｍ−１０．１２）で表される化合物を含有することが好ましい。

一般式（Ｍ−１１）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^Ｍ１１１〜Ｘ^Ｍ１１４はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ１１１はフッ素原子、塩素原子又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｒ^Ｍ１１１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表す。）
液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての一般式（Ｍ−１１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、４質量％であり、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

さらに、液晶組成物（Ｂ）に使用される一般式（Ｍ−１１）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−１１．１）から式（Ｍ−１１．８）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−１１．１）から式（Ｍ−１１．４）で表される化合物を含有することが好ましい。

一般式（Ｍ−１２）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^Ｍ１２１及びＸ^Ｍ１２２はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ１２１はフッ素原子、塩素原子又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｒ^Ｍ１２１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｗ^Ｍ１２１及びＷ^Ｍ１２２はそれぞれ独立して、−ＣＨ_２−又は−Ｏ−を表す。）
液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての一般式（Ｍ−１２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、４質量％であり、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

さらに、液晶組成物（Ｂ）に使用される一般式（Ｍ−１２）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−１２．１）から式（Ｍ−１２．１２）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−１２．５）から式（Ｍ−１２．８）で表される化合物を含有することが好ましい。

一般式（Ｍ−１３）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^Ｍ１３１〜Ｘ^Ｍ１３４はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ１３１はフッ素原子、塩素原子又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｒ^Ｍ１３１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｗ^Ｍ１３１及びＷ^Ｍ１３２はそれぞれ独立して、−ＣＨ_２−又は−Ｏ−を表す。）
液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての一般式（Ｍ−１３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、４質量％であり、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

さらに、液晶組成物（Ｂ）に使用される一般式（Ｍ−１３）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−１３．１）から式（Ｍ−１３．２８）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−１３．１）から（Ｍ−１３．４）、（Ｍ−１３．１１）から（Ｍ−１３．１４）、（Ｍ−１３．２５）から（Ｍ−１３．２８）で表される化合物を含有することが好ましい。

一般式（Ｍ−１４）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^Ｍ１４１〜Ｘ^Ｍ１４４はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ１４１はフッ素原子、塩素原子又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｒ^Ｍ１４１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｗ^Ｍ１４１及びＷ^Ｍ１４２はそれぞれ独立して、−ＣＨ_２−又は−Ｏ−を表す。）
液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての一般式（Ｍ−１４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、４質量％であり、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

さらに、液晶組成物（Ｂ）に使用される一般式（Ｍ−１４）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−１４．１）から式（Ｍ−１４．８）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−１４．５）及び式（Ｍ−１４．８）で表される化合物を含有することが好ましい。

一般式（Ｍ−１５）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^Ｍ１５１及びＸ^Ｍ１５２はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ１５１はフッ素原子、塩素原子又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｒ^Ｍ１５１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｗ^Ｍ１５１及びＷ^Ｍ１５２はそれぞれ独立して、−ＣＨ_２−又は−Ｏ−を表す。）
液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての一般式（Ｍ−１５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、４質量％であり、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

さらに、液晶組成物（Ｂ）に使用される一般式（Ｍ−１５）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−１５．１）から式（Ｍ−１５．１４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−１５．５）から式（Ｍ−１５．８）、式（Ｍ−１５．１１）から式（Ｍ−１５．１４）で表される化合物を含有することが好ましい。

一般式（Ｍ−１６）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^Ｍ１６１〜Ｘ^Ｍ１６４はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ１６１はフッ素原子、塩素原子又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｒ^Ｍ１６１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表す。）
液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての一般式（Ｍ−１６）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、４質量％であり、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

さらに、液晶組成物（Ｂ）に使用される一般式（Ｍ−１６）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−１６．１）から式（Ｍ−１６．８）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−１６．１）から式（Ｍ−１６．４）で表される化合物を含有することが好ましい。

一般式（Ｍ−１７）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^Ｍ１７１〜Ｘ^Ｍ１７４はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ１７１はフッ素原子、塩素原子又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｒ^Ｍ１７１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｗ^Ｍ１７１及びＷ^Ｍ１７２はそれぞれ独立して、−ＣＨ_２−又は−Ｏ−を表す。）
液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての一般式（Ｍ−１７）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、４質量％であり、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

さらに、液晶組成物（Ｂ）に使用される一般式（Ｍ−１７）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−１７．１）から式（Ｍ−１７．５２）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−１７．９）から式（Ｍ−１７．１２）、式（Ｍ−１７．２１）から式（Ｍ−１７．２８）、式（Ｍ−１７．４５）から式（Ｍ−１７．４８）で表される化合物を含有することが好ましい。

一般式（Ｍ−１８）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^Ｍ１８１〜Ｘ^Ｍ１８６はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ１８１はフッ素原子、塩素原子又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｒ^Ｍ１８１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表す。）
液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての一般式（Ｍ−１８）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、４質量％であり、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

さらに、液晶組成物（Ｂ）に使用される一般式（Ｍ−１８）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−１８．１）から式（Ｍ−１８．１２）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−１８．５）から式（Ｍ−１８．８）で表される化合物を含有することが好ましい。

液晶組成物（Ｂ）は、一般式（Ｋ）で表される化合物を１種類又は２種類以上含有することが好ましい。これら化合物は誘電的に正の化合物（Δεが２より大きい。）に該当する。

（式中、Ｒ^Ｋ１は炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎ^Ｋ１は、０、１、２、３又は４を表し、
Ａ^Ｋ１及びＡ^Ｋ２はそれぞれ独立して、
（ａ）１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい。）及び
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）及び基（ｂ）上の水素原子はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
Ｚ^Ｋ１及びＺ^Ｋ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎ^Ｋ１が２、３又は４であってＡ^Ｋ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^Ｋ１が２、３又は４であってＺ^Ｋ１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｘ^Ｋ１及びＸ^Ｋ３はそれぞれ独立して水素原子、塩素原子又はフッ素原子を表し、
Ｘ^Ｋ２は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエチル基を表す。）
一般式（Ｋ）中、Ｒ^Ｋ１は、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜３のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数３のアルケニル基（プロペニル基）が特に好ましい。

信頼性を重視する場合にはＲ^Ｋ１はアルキル基であることが好ましく、粘性の低下を重視する場合にはアルケニル基であることが好ましい。

Ａ^Ｋ１及びＡ^Ｋ２はそれぞれ独立してΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表すことが好ましく、下記の構造を表すことがより好ましく、

下記の構造を表すことがより好ましい。

Ｚ^Ｋ１及びＺ^Ｋ２はそれぞれ独立して−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合を表すことが好ましく、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は単結合が更に好ましく、−ＣＦ_２Ｏ−又は単結合が特に好ましい。

ｎ^Ｋ１は、０、１、２又は３が好ましく、０、１又は２が好ましく、Δεの改善に重点を置く場合には０又は１が好ましく、Ｔｎｉを重視する場合には1又は２が好ましい。

液晶組成物（Ｂ）において、一般式（Ｋ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｋ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、１０質量％であり、２０質量％であり、３０質量％であり、４０質量％であり、５０質量％であり、５５質量％であり、６０質量％であり、６５質量％であり、７０質量％であり、７５質量％であり、８０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、例えば本発明の一つの形態では９５質量％であり、８５質量％であり、７５質量％であり、６５質量％であり、５５質量％であり、４５質量％であり、３５質量％であり、２５質量％である。

一般式（Ｋ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｋ−１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｋ１１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｋ１１〜Ｘ^Ｋ１４はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^Ｋ１１はフッ素原子又はＯＣＦ_３を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類以上である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｋ−１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％であり、２２質量％であり、２５質量％であり、３０質量％である。好ましい含有量の上限値は、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

さらに、一般式（Ｋ−１）で表される化合物は、具体的には式（Ｋ−１．１）から式（Ｋ−１．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｋ−１．１）又は式（Ｋ−１．２）で表される化合物が好ましく、式（Ｋ−１．２）で表される化合物がさらに好ましい。また、式（Ｋ−１．１）又は式（Ｋ−１．２）で表される化合物を同時に使用することも好ましい。

一般式（Ｋ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｋ−２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｋ２１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｋ２１〜Ｘ^Ｋ２４はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^Ｋ２１はフッ素原子又はＯＣＦ_３を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類以上である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｋ−２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％であり、２２質量％であり、２５質量％であり、３０質量％である。好ましい含有量の上限値は、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

さらに、一般式（Ｋ−２）で表される化合物は、具体的には式（Ｋ−２．１）から式（Ｋ−２．６）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｋ−２．５）又は式（Ｋ−２．６）で表される化合物が好ましく、式（Ｋ−２．６）で表される化合物がさらに好ましい。また、式（Ｋ−２．５）又は式（Ｋ−２．６）で表される化合物を同時に使用することも好ましい。

一般式（Ｋ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｋ−３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｋ３１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｋ３１〜Ｘ^Ｋ３６はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^Ｋ３１はフッ素原子又はＯＣＦ_３を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類以上である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｋ−３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％であり、２２質量％であり、２５質量％であり、３０質量％である。好ましい含有量の上限値は、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

さらに、一般式（Ｋ−３）で表される化合物は、具体的には式（Ｋ−３．１）から式（Ｋ−３．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｋ−３．１）又は式（Ｋ−３．２）で表される化合物であることがより好ましい。また、式（Ｋ−３．１）および式（Ｋ−３．２）で表される化合物を同時に使用することも好ましい。

一般式（Ｋ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｋ−４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｋ４１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｋ４１〜Ｘ^Ｋ４６はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^Ｋ４１はフッ素原子又はＯＣＦ_３を表し、Ｚ^Ｋ４１は−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類以上である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｋ−４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％であり、２２質量％であり、２５質量％であり、３０質量％である。好ましい含有量の上限値は、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

さらに、一般式（Ｋ−４）で表される化合物は、具体的には式（Ｋ−４．１）から式（Ｋ−４．１８）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｋ−４．１）、式（Ｋ−４．２）、式（Ｋ−４．１１）、（Ｋ−４．１２）で表される化合物がより好ましい。また、式（Ｋ−４．１）、式（Ｋ−４．２）、式（Ｋ−４．１１）、（Ｋ−４．１２）で表される化合物を同時に使用することも好ましい。

一般式（Ｋ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｋ−５）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｋ５１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｋ５１〜Ｘ^Ｋ５６はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^Ｋ５１はフッ素原子又はＯＣＦ_３を表し、Ｚ^Ｋ５１は−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類以上である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｋ−５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％であり、２２質量％であり、２５質量％であり、３０質量％である。好ましい含有量の上限値は、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

さらに、一般式（Ｋ−５）で表される化合物は、具体的には式（Ｋ−５．１）から式（Ｋ−５．１８）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｋ−５．１１）から式（Ｋ−５．１４）で表される化合物が好ましく、式（Ｋ−５．１２）で表される化合物がさらに好ましい。

一般式（Ｋ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｋ−６）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｋ６１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｋ６１〜Ｘ^Ｋ６８はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^Ｋ６１はフッ素原子又はＯＣＦ_３を表し、Ｚ^Ｋ６１は−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類以上である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｋ−６）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、５質量％であり、８質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％であり、２２質量％であり、２５質量％であり、３０質量％である。好ましい含有量の上限値は、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。

さらに、一般式（Ｋ−６）で表される化合物は、具体的には式（Ｋ−６．１）から式（Ｋ−６．１８）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｋ−６．１５）から式（Ｋ−６．１８）で表される化合物が好ましく、式（Ｋ−６．１６）及び式（Ｋ−６．１７）で表される化合物がさらに好ましい。また、式（Ｋ−６．１６）と式（Ｋ−６．１７）で表される化合物を同時に使用することも好ましい。

誘電率の異方性がほぼ無い液晶組成物は、下記一般式（Ｌ）で表される化合物を１種類又は２種類以上含有することが好ましい。一般式（Ｌ）で表される化合物は誘電的にほぼ中性の化合物（Δεの値が−２〜２）に該当する。

（式中、Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基、又は炭素原子数２〜８のアルキル鎖中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−がそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換された化学構造を有する有機基を表し、
ｎ^Ｌ１は０、１、２又は３を表し、
Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２及びＡ^Ｌ３はそれぞれ独立して
（ａ）１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）及び
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
（ｃ）ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
Ｚ^Ｌ１及びＺ^Ｌ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎ^Ｌ１が２又は３であってＡ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^Ｌ１が２又は３であってＺ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良いが、一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）、（Ｎ−３）、（Ｎ−４）及び（Ｊ）で表される化合物を除く。）
一般式（Ｌ）で表される化合物は単独で用いてもよいが、組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類である。あるいは本発明の別の実施形態では２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類であり、６種類であり、７種類であり、８種類であり、９種類であり、１０種類以上である。

液晶組成物（Ｂ）において、一般式（Ｌ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｌ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、１０質量％であり、２０質量％であり、３０質量％であり、４０質量％であり、５０質量％であり、５５質量％であり、６０質量％であり、６５質量％であり、７０質量％であり、７５質量％であり、８０質量％である。好ましい含有量の上限値は、９５質量％であり、８５質量％であり、７５質量％であり、６５質量％であり、５５質量％であり、４５質量％であり、３５質量％であり、２５質量％である。

液晶組成物（Ｂ）の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。さらに、液晶組成物（Ｂ）のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を低く上限値が低いことが好ましい。

信頼性を重視する場合にはＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２はともにアルキル基であることが好ましく、化合物の揮発性を低減させることを重視する場合にはアルコキシ基であることが好ましく、粘性の低下を重視する場合には少なくとも一方はアルケニル基であることが好ましい。

分子内に存在するハロゲン原子は０、１、２又は３個が好ましく、０又は１が好ましく、他の液晶分子との相溶性を重視する場合には１が好ましい。

Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２は、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。ネマチック相を安定化させるためには炭素原子及び存在する場合酸素原子の合計が５以下であることが好ましく、直鎖状であることが好ましい。

ｎ^Ｌ１は応答速度を重視する場合には０が好ましく、ネマチック相の上限温度を改善するためには２又は３が好ましく、これらのバランスをとるためには１が好ましい。また、組成物として求められる特性を満たすためには異なる値の化合物を組み合わせることが好ましい。

Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２及びＡ^Ｌ３はΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、それぞれ独立してトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、その他下記構造式

で表されるテトラヒドロフラン又はジオキサン骨格を有する基であることが好ましい。

これらのなかでも特に下記の構造を表すことがより好ましく、

特にトランス−１，４−シクロへキシレン基はΔｎを下げたい場合に有用であり、また、低粘度下を図ることができる点から好ましく、また、１，４−フェニレン基が、Δｎを上げるたい場合に有用である点からより好ましい。

Ｚ^Ｌ１及びＺ^Ｌ２は応答速度を重視する場合には単結合であることが好ましい。

一般式（Ｌ）で表される化合物は分子内のハロゲン原子数が０個又は１個であることが好ましい。

一般式（Ｌ）で表される化合物は一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−８）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｌ１１及びＲ^Ｌ１２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。）
Ｒ^Ｌ１１及びＲ^Ｌ１２は、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

好ましい含有量の下限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、１質量％であり、２質量％であり、３質量％であり、５質量％であり、７質量％であり、１０質量％であり、１５質量％であり、２０質量％であり、２５質量％であり、３０質量％であり、３５質量％であり、４０質量％であり、４５質量％であり、５０質量％であり、５５質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、９５質量％であり、９０質量％であり、８５質量％であり、８０質量％であり、７５質量％であり、７０質量％であり、６５質量％であり、６０質量％であり、５５質量％であり、５０質量％であり、４５質量％であり、４０質量％であり、３５質量％であり、３０質量％であり、２５質量％である。

液晶組成物（Ｂ）の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。さらに、液晶組成物（Ｂ）のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値が中庸で上限値が中庸であることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値が低く上限値が低いことが好ましい。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は一般式（Ｌ−１−１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中Ｒ^Ｌ１２は一般式（Ｌ−１）における意味と同じ意味を表す。）
一般式（Ｌ−１−１）で表される化合物は、式（Ｌ−１−１．１）から式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−１−１．２）又は式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物であることが好ましい。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、３質量％であり、５質量％であり、７質量％であり、１０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、２０質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、７質量％であり、６質量％であり、５質量％であり、３質量％である。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は一般式（Ｌ−１−２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中Ｒ^Ｌ１２は一般式（Ｌ−１）における意味と同じ意味を表す。）
液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｌ−１−２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、５質量％であり、１０質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％であり、２３質量％であり、２５質量％であり、２７質量％であり、３０質量％であり、３５質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、６０質量％であり、５５質量％であり、５０質量％であり、４５質量％であり、４２質量％であり、４０質量％であり、３８質量％であり、３５質量％であり、３３質量％であり、３０質量％である。

さらに、一般式（Ｌ−１−２）で表される化合物は、式（Ｌ−１−２．１）から式（Ｌ−１−２．４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−１−２．２）から式（Ｌ−１−２．４）で表される化合物であることが好ましい。特に、式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物は液晶組成物（Ｂ）の応答速度を特に改善するため好ましい。また、応答速度よりも高いＴｎｉを求めるときは、式（Ｌ−１−２．３）又は式（Ｌ−１−２．４）で表される化合物を用いることが好ましい。式（Ｌ−１−２．３）及び式（Ｌ−１−２．４）で表される化合物の含有量は、低温での溶解度を良くするために３０質量％以上にすることは好ましくない。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１０質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％であり、２３質量％であり、２５質量％であり、２７質量％であり、３０質量％であり、３３質量％であり、３５質量％であり、３８質量％であり、４０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、６０質量％であり、５５質量％であり、５０質量％であり、４５質量％であり、４３質量％であり、４０質量％であり、３８質量％であり、３５質量％であり、３２質量％であり、３０質量％であり、２７質量％であり、２５質量％であり、２２質量％である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物及び式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、１０質量％であり、１５質量％であり、２０質量％であり、２５質量％であり、２７質量％であり、３０質量％であり、３５質量％であり、４０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、６０質量％であり、５５質量％であり、５０質量％であり、４５質量％であり、４３質量％であり、４０質量％であり、３８質量％であり、３５質量％であり、３２質量％であり、３０質量％であり、２７質量％であり、２５質量％であり、２２質量％である。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は一般式（Ｌ−１−３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中Ｒ^Ｌ１３及びＲ^Ｌ１４はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシ基を表す。）
Ｒ^Ｌ１３及びＲ^Ｌ１４は、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｌ−１−３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、５質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％であり、２３質量％であり、２５質量％であり、３０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、６０質量％であり、５５質量％であり、５０質量％であり、４５質量％であり、４０質量％であり、３７質量％であり、３５質量％であり、３３質量％であり、３０質量％であり、２７質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１７質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％である。
さらに、一般式（Ｌ−１−３）で表される化合物は、式（Ｌ−１−３．１）から式（Ｌ−１−３．１２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）又は式（Ｌ−１−３．４）で表される化合物であることが好ましい。特に、式（Ｌ−１−３．１）で表される化合物は液晶組成物（Ｂ）の応答速度を特に改善するため好ましい。また、応答速度よりも高いＴｎｉを求めるときは、式（Ｌ−１−３．３）、式（Ｌ−１−３．４）、式（Ｌ−１−３．１１）及び式（Ｌ−１−３．１２）で表される化合物を用いることが好ましい。式（Ｌ−１−３．３）、式（Ｌ−１−３．４）、式（Ｌ−１−３．１１）及び式（Ｌ−１−３．１２）で表される化合物の合計の含有量は、低温での溶解度を良くするために２０質量％以上にすることは好ましくない。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｌ−１−３．１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、３質量％であり、５質量％であり、７質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、２０質量％であり、１７質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、７質量％であり、６質量％である。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は一般式（Ｌ−１−４）及び／又は（Ｌ−１−５）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中Ｒ^Ｌ１５及びＲ^Ｌ１６はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシ基を表す。）
Ｒ^Ｌ１５及びＲ^Ｌ１６は、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｌ−１−４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、５質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１７質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｌ−１−５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、５質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１７質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％である。

さらに、一般式（Ｌ−１−４）及び（Ｌ−１−５）で表される化合物は、式（Ｌ−１−４．１）から式（Ｌ−１−５．３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−１−４．２）又は式（Ｌ−１−５．２）で表される化合物であることが好ましい。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｌ−１−４．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、３質量％であり、５質量％であり、７質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、２０質量％であり、１７質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、７質量％であり、６質量％である。

式（Ｌ−１−１．３）、式（Ｌ−１−２．２）、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）、式（Ｌ−１−３．４）、式（Ｌ−１−３．１１）及び式（Ｌ−１−３．１２）で表される化合物から選ばれる２種以上の化合物を組み合わせることが好ましく、式（Ｌ−１−１．３）、式（Ｌ−１−２．２）、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）、式（Ｌ−１−３．４）及び式（Ｌ−１−４．２）で表される化合物から選ばれる２種以上の化合物を組み合わせることが好ましく、これら化合物の合計の含有量の好ましい含有量の下限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、１質量％であり、２質量％であり、３質量％であり、５質量％であり、７質量％であり、１０質量％であり、１３質量％であり、１５質量％であり、１８質量％であり、２０質量％であり、２３質量％であり、２５質量％であり、２７質量％であり、３０質量％であり、３３質量％であり、３５質量％であり、上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、８０質量％であり、７０質量％であり、６０質量％であり、５０質量％であり、４５質量％であり、４０質量％であり、３７質量％であり、３５質量％であり、３３質量％であり、３０質量％であり、２８質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％である。組成物の信頼性を重視する場合には、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）及び式（Ｌ−１−３．４））で表される化合物から選ばれる２種以上の化合物を組み合わせることが好ましく、組成物の応答速度を重視する場合には、式（Ｌ−１−１．３）、式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物から選ばれる２種以上の化合物を組み合わせることが好ましい。
一般式（Ｌ−１）で表される化合物は一般式（Ｌ−１−６）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中Ｒ^Ｌ１７及びＲ^Ｌ１８はそれぞれ独立してメチル基又は水素原子を表す。）
液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｌ−１−６）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、５質量％であり、１０質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％であり、２３質量％であり、２５質量％であり、２７質量％であり、３０質量％であり、３５質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、６０質量％であり、５５質量％であり、５０質量％であり、４５質量％であり、４２質量％であり、４０質量％であり、３８質量％であり、３５質量％であり、３３質量％であり、３０質量％である。

さらに、一般式（Ｌ−１−６）で表される化合物は、式（Ｌ−１−６．１）から式（Ｌ−１−６．３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

一般式（Ｌ−２）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｌ２１及びＲ^Ｌ２２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。）
Ｒ^Ｌ２１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、Ｒ^Ｌ２２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましい。

低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、反対に、応答速度を重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｌ−２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、３質量％であり、５質量％であり、７質量％であり、１０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、２０質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、７質量％であり、６質量％であり、５質量％であり、３質量％である。

さらに、一般式（Ｌ−２）で表される化合物は、式（Ｌ−２．１）から式（Ｌ−２．６）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−２．１）、式（Ｌ−２．３）、式（Ｌ−２．４）及び式（Ｌ−２．６）で表される化合物であることが好ましい。

一般式（Ｌ−３）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｌ３１及びＲ^Ｌ３２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。）
Ｒ^Ｌ３１及びＲ^Ｌ３２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましい。

一般式（Ｌ−３）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｌ−３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、３質量％であり、５質量％であり、７質量％であり、１０質量％である。好ましい含有量の上限値は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対して、２０質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、７質量％であり、６質量％であり、５質量％であり、３質量％である。

高い複屈折率を得る場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、反対に、高いＴｎｉを重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−３）で表される化合物は、式（Ｌ−３．１）から式（Ｌ−３．４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−３．２）から式（Ｌ−３．７）で表される化合物であることが好ましい。

一般式（Ｌ−４）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｌ４１及びＲ^Ｌ４２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。）
Ｒ^Ｌ４１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、Ｒ^Ｌ４２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましい。）
一般式（Ｌ−４）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物（Ｂ）において、一般式（Ｌ−４）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｌ−４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、３質量％であり、５質量％であり、７質量％であり、１０質量％であり、１４質量％であり、１６質量％であり、２０質量％であり、２３質量％であり、２６質量％であり、３０質量％であり、３５質量％であり、４０質量％である。液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｌ−４）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、５０質量％であり、４０質量％であり、３５質量％であり、３０質量％であり、２０質量％であり、１５質量％であり、１０質量％であり、５質量％である。

一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、例えば式（Ｌ−４．１）から式（Ｌ−４．３）で表される化合物であることが好ましい。

低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、式（Ｌ−４．１）で表される化合物を含有していても、式（Ｌ−４．２）で表される化合物を含有していても、式（Ｌ−４．１）で表される化合物と式（Ｌ−４．２）で表される化合物との両方を含有していても良いし、式（Ｌ−４．１）から式（Ｌ−４．３）で表される化合物を全て含んでいても良い。液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｌ−４．１）又は式（Ｌ−４．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、３質量％であり、５質量％であり、７質量％であり、９質量％であり、１１質量％であり、１２質量％であり、１３質量％であり、１８質量％であり、２１質量％であり、好ましい上限値は、４５であり、４０質量％であり、３５質量％であり、３０質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％である。

式（Ｌ−４．１）で表される化合物と式（Ｌ−４．２）で表される化合物との両方を含有する場合は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての両化合物の好ましい含有量の下限値は、１５質量％であり、１９質量％であり、２４質量％であり、３０質量％であり、好ましい上限値は、４５であり、４０質量％であり、３５質量％であり、３０質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％である。

一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、例えば式（Ｌ−４．４）から式（Ｌ−４．６）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−４．４）で表される化合物であることが好ましい。

低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、式（Ｌ−４．４）で表される化合物を含有していても、式（Ｌ−４．５）で表される化合物を含有していても、式（Ｌ−４．４）で表される化合物と式（Ｌ−４．５）で表される化合物との両方を含有していても良い。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｌ−４．４）又は式（Ｌ−４．５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、３質量％であり、５質量％であり、７質量％であり、９質量％であり、１１質量％であり、１２質量％であり、１３質量％であり、１８質量％であり、２１質量％である。好ましい上限値は、４５であり、４０質量％であり、３５質量％であり、３０質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％である。

式（Ｌ−４．４）で表される化合物と式（Ｌ−４．５）で表される化合物との両方を含有する場合は、液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての両化合物の好ましい含有量の下限値は、１５質量％であり、１９質量％であり、２４質量％であり、３０質量％であり、好ましい上限値は、４５であり、４０質量％であり、３５質量％であり、３０質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％である。

一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、式（Ｌ−４．７）から式（Ｌ−４．１０）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（Ｌ−４．９）で表される化合物が好ましい。

一般式（Ｌ−５）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｌ５１及びＲ^Ｌ５２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。）
Ｒ^Ｌ５１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、Ｒ^Ｌ５２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましい。

一般式（Ｌ−５）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物（Ｂ）において、一般式（Ｌ−５）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｌ−５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、３質量％であり、５質量％であり、７質量％であり、１０質量％であり、１４質量％であり、１６質量％であり、２０質量％であり、２３質量％であり、２６質量％であり、３０質量％であり、３５質量％であり、４０質量％である。液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｌ−５）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、５０質量％であり、４０質量％であり、３５質量％であり、３０質量％であり、２０質量％であり、１５質量％であり、１０質量％であり、５質量％である
一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、式（Ｌ−５．１）又は式（Ｌ−５．２）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（Ｌ−５．１）で表される化合物であることが好ましい。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、３質量％であり、５質量％であり、７質量％である。これら化合物の好ましい含有量の上限値は、２０質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、９質量％である。

一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、式（Ｌ−５．３）又は式（Ｌ−５．４）で表される化合物であることが好ましい。

一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、式（Ｌ−５．５）から式（Ｌ−５．７）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、特に式（Ｌ−５．７）で表される化合物であることが好ましい。

一般式（Ｌ−６）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｌ６１及びＲ^Ｌ６２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２と同じ意味を表し、Ｘ^Ｌ６１及びＸ^Ｌ６２はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表す。）
Ｒ^Ｌ６１及びＲ^Ｌ６２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、Ｘ^Ｌ６１及びＸ^Ｌ６２のうち一方がフッ素原子他方が水素原子であることが好ましい。

一般式（Ｌ−６）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｌ−６）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、３質量％であり、５質量％であり、７質量％であり、１０質量％であり、１４質量％であり、１６質量％であり、２０質量％であり、２３質量％であり、２６質量％であり、３０質量％であり、３５質量％であり、４０質量％である。液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｌ−６）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、５０質量％であり、４０質量％であり、３５質量％であり、３０質量％であり、２０質量％であり、１５質量％であり、１０質量％であり、５質量％である。Δｎを大きくすることに重点を置く場合には含有量を多くした方が好ましく、低温での析出に重点を置いた場合には含有量は少ない方が好ましい。

一般式（Ｌ−６）で表される化合物は、式（Ｌ−６．１）から式（Ｌ−６．９）で表される化合物であることが好ましい。

組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、これらの化合物の中から１種〜３種類含有することが好ましく、１種〜４種類含有することがさらに好ましい。また、選ぶ化合物の分子量分布が広いことも溶解性に有効であるため、例えば、式（Ｌ−６．１）又は（Ｌ−６．２）で表される化合物から１種類、式（Ｌ−６．４）又は（Ｌ−６．５）で表される化合物から１種類、式（Ｌ−６．６）又は式（Ｌ−６．７）で表される化合物から１種類、式（Ｌ−６．８）又は（Ｌ−６．９）で表される化合物から１種類の化合物を選び、これらを適宜組み合わせることが好ましい。その中でも、式（Ｌ−６．１）、式（Ｌ−６．３）式（Ｌ−６．４）、式（Ｌ−６．６）及び式（Ｌ−６．９）で表される化合物を含むことが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−６）で表される化合物は、例えば式（Ｌ−６．１０）から式（Ｌ−６．１７）で表される化合物であることが好ましく、その中でも、式（Ｌ−６．１１）で表される化合物であることが好ましい。

一般式（Ｌ−７）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｌ７１及びＲ^Ｌ７２はそれぞれ独立して一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２と同じ意味を表し、Ａ^Ｌ７１及びＡ^Ｌ７２はそれぞれ独立して一般式（Ｌ）におけるＡ^Ｌ２及びＡ^Ｌ３と同じ意味を表すが、Ａ^Ｌ７１及びＡ^Ｌ７２上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子によって置換されていてもよく、Ｚ^Ｌ７１は一般式（Ｌ）におけるＺ^Ｌ２と同じ意味を表し、Ｘ^Ｌ７１及びＸ^Ｌ７２はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表す。）
式中、Ｒ^Ｌ７１及びＲ^Ｌ７２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、Ａ^Ｌ７１及びＡ^Ｌ７２はそれぞれ独立して１,４-シクロヘキシレン基又は１,４-フェニレン基が好ましく、Ａ^Ｌ７１及びＡ^Ｌ７２上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子によって置換されていてもよく、Ｚ^Ｌ７１は単結合又はＣＯＯ−が好ましく、単結合が好ましく、Ｘ^Ｌ７１及びＸ^Ｌ７２は水素原子が好ましい。

組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて組み合わせる。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類である。

液晶組成物（Ｂ）において、一般式（Ｌ−７）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｌ−７）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、３質量％であり、５質量％であり、７質量％であり、１０質量％であり、１４質量％であり、１６質量％であり、２０質量％である。液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｌ−７）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、３０質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１０質量％であり、５質量％である。

液晶組成物（Ｂ）が高いＴｎｉの実施形態が望まれる場合は式（Ｌ−７）で表される化合物の含有量を多めにすることが好ましく、低粘度の実施形態が望まれる場合は含有量を少なめにすることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．１）から式（Ｌ−７．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−７．２）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．１１）から式（Ｌ−７．１３）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−７．１１）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．２１）から式（Ｌ−７．２３）で表される化合物である。式（Ｌ−７．２１）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．３１）から式（Ｌ−７．３４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−７．３１）又は／及び式（Ｌ−７．３２）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．４１）から式（Ｌ−７．４４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−７．４１）又は／及び式（Ｌ−７．４２）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．５１）から式（Ｌ−７．５３）で表される化合物であることが好ましい。

一般式（Ｌ−８）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｌ８１及びＲ^Ｌ８２はそれぞれ独立して一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２と同じ意味を表し、Ａ^Ｌ８１は一般式（Ｌ）におけるＡ^Ｌ１と同じ意味又は単結合を表すが、Ａ^Ｌ８１上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子によって置換されていてもよく、Ｘ^Ｌ８１〜Ｘ^Ｌ８６はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表す。）
式中、Ｒ^Ｌ８１及びＲ^Ｌ８２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、Ａ^Ｌ８１は１,４-シクロヘキシレン基又は１,４-フェニレン基が好ましく、Ａ^Ｌ７１及びＡ^Ｌ７２上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子によって置換されていてもよく、一般式（Ｌ−８）中の同一の環構造上にフッ素原子は０個又は１個が好ましく、分子内にフッ素原子は０個又は１個であることが好ましい。

液晶組成物（Ｂ）において、一般式（Ｌ−８）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｌ−８）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、３質量％であり、５質量％であり、７質量％であり、１０質量％であり、１４質量％であり、１６質量％であり、２０質量％である。液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての式（Ｌ−８）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、３０質量％であり、２５質量％であり、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１０質量％であり、５質量％である。

液晶組成物（Ｂ）が高いＴｎｉの実施形態が望まれる場合は式（Ｌ−８）で表される化合物の含有量を多めにすることが好ましく、低粘度の実施形態が望まれる場合は含有量を少なめにすることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−８）で表される化合物は、式（Ｌ−８．１）から式（Ｌ−８．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−８．３）、式（Ｌ−８．５）、式（Ｌ−８．６）、式（Ｌ−８．１３）、式（Ｌ−８．１６）から式（Ｌ−８．１８）、式（Ｌ−８．２３）から式（Ｌ−８．２８）で表される化合物であることがより好ましい。

液晶組成物（Ｂ）の総量に対しての一般式（Ｌ）、（Ｎ−１）、（Ｎ−２）、（Ｎ−３）、（Ｎ−４）及び（Ｊ）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、８０質量％であり、８５質量％であり、８８質量％であり、９０質量％であり、９２質量％であり、９３質量％であり、９４質量％であり、９５質量％であり、９６質量％であり、９７質量％であり、９８質量％であり、９９質量％であり、１００質量％である。好ましい含有量の上限値は、１００質量％であり、９９質量％であり、９８質量％であり、９５質量％である。ただし、Δεの絶対値が大きい組成物を得る観点からは、一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）、（Ｎ−３）、（Ｎ−４）及び（Ｊ）で表される化合物のいずれか一つは０質量％であることが好ましい。

液晶組成物（Ｂ）は、分子内に過酸（−ＣＯ−ＯＯ−）構造等の酸素原子同士が結合した構造を持つ化合物を含有しないことが好ましい。

組成物の信頼性及び長期安定性を重視する場合にはカルボニル基を有する化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して５質量％以下とすることが好ましく、３質量％以下とすることがより好ましく、１質量％以下とすることが更に好ましく、実質的に含有しないことが最も好ましい。

ＵＶ照射による安定性を重視する場合、塩素原子が置換している化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１５質量％以下とすることが好ましく、１０質量％以下とすることが好ましく、８質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、３質量％以下とすることが好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

分子内の環構造がすべて６員環である化合物の含有量を多くすることが好ましく、分子内の環構造がすべて６員環である化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して８０質量％以上とすることが好ましく、９０質量％以上とすることがより好ましく、９５質量％以上とすることが更に好ましく、実質的に分子内の環構造がすべて６員環である化合物のみで組成物を構成することが最も好ましい。

組成物の酸化による劣化を抑えるためには、環構造としてシクロヘキセニレン基を有する化合物の含有量を少なくすることが好ましく、シクロヘキセニレン基を有する化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１０質量％以下とすることが好ましく、８質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、３質量％以下とすることが好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

粘度の改善及びＴｎｉの改善を重視する場合には、水素原子がハロゲンに置換されていてもよい２−メチルベンゼン−１，４−ジイル基を分子内に持つ化合物の含有量を少なくすることが好ましく、前記２−メチルベンゼン−１，４−ジイル基を分子内に持つ化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１０質量％以下とすることが好ましく、８質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、３質量％以下とすることが好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

本願において実質的に含有しないとは、意図せずに含有する物を除いて含有しないという意味である。

液晶組成物（Ｂ）に含有される化合物が、側鎖としてアルケニル基を有する場合、前記アルケニル基がシクロヘキサンに結合している場合には当該アルケニル基の炭素原子数は２〜５であることが好ましく、前記アルケニル基がベンゼンに結合している場合には当該アルケニル基の炭素原子数は４〜５であることが好ましく、前記アルケニル基の不飽和結合とベンゼンは直接結合していないことが好ましい。

液晶組成物（Ｂ）に使用される液晶組成物の平均弾性定数（Ｋ_ＡＶＧ）は１０から２５が好ましいが、その下限値としては、１０が好ましく、１０．５が好ましく、１１が好ましく、１１．５が好ましく、１２が好ましく、１２．３が好ましく、１２．５が好ましく、１２．８が好ましく、１３が好ましく、１３．３が好ましく、１３．５が好ましく、１３．８が好ましく、１４が好ましく、１４．３が好ましく、１４．５が好ましく、１４．８が好ましく、１５が好ましく、１５．３が好ましく、１５．５が好ましく、１５．８が好ましく、１６が好ましく、１６．３が好ましく、１６．５が好ましく、１６．８が好ましく、１７が好ましく、１７．３が好ましく、１７．５が好ましく、１７．８が好ましく、１８が好ましく、その上限値としては、２５が好ましく、２４．５が好ましく、２４が好ましく、２３．５が好ましく、２３が好ましく、２２．８が好ましく、２２．５が好ましく、２２．３が好ましく、２２が好ましく、２１．８が好ましく、２１．５が好ましく、２１．３が好ましく、２１が好ましく、２０．８が好ましく、２０．５が好ましく、２０．３が好ましく、２０が好ましく、１９．８が好ましく、１９．５が好ましく、１９．３が好ましく、１９が好ましく、１８．８が好ましく、１８．５が好ましく、１８．３が好ましく、１８が好ましく、１７．８が好ましく、１７．５が好ましく、１７．３が好ましく、１７が好ましい。消費電力削減を重視する場合にはバックライトの光量を抑えることが有効であり、液晶表示素子は光の透過率を向上させることが好ましく、そのためにはＫ_ＡＶＧの値を低めに設定することが好ましい。応答速度の改善を重視する場合にはＫ_ＡＶＧの値を高めに設定することが好ましい。

液晶組成物（Ｂ）では、回転粘度と屈折率異方性の関数であるＺが特定の値を示すことが好ましい。

（式中、γ₁は回転粘度を表し、Δｎは屈折率異方性を表す。）
Ｚは、１３０００以下が好ましく、１２０００以下がより好ましく、１１０００以下が特に好ましい。

液晶組成物（Ｂ）は、アクティブマトリクス表示素子に使用する場合においては、１０¹²（Ω・ｍ）以上の比抵抗を有することが必要であり、１０¹³（Ω・ｍ）が好ましく、１０¹⁴（Ω・ｍ）以上がより好ましい。

本発明に用いる重合性化合物の重合方法としては、前記した重合開始剤（Ｃ）を用いてラジカル重合により重合することができる。

素子製造用の液晶組成物としては、ラジカル重合性単量体成分（Ａ）、液晶組成物（Ｂ）、及び重合開始剤（Ｃ）を必須成分として用いることができるが、前記ラジカル重合性単量体成分（Ａ）を重合性液晶組成物中、０．５〜２０質量％、好ましくは１〜１０質量％となる割合で用いることができる。

本発明に用いられる素子製造用の液晶組成物は、０．５質量％〜２０質量％のラジカル重合性単量体成分（Ａ）を含有することで、一軸性の光学異方性、又は一軸性の屈折率異方性又は配向容易軸方向を有するポリマーネットワークを形成するものであることが好ましく、該ポリマーネットワークの光学軸又は配向容易軸と低分子液晶の配向容易軸が略一致するように形成されていることがより好ましい。尚、該ポリマーネットワークには、複数のポリマーネットワークが集合することにより高分子薄膜を形成したポリマーバインダも含まれる。ポリマーバインダは、一軸配向性を示す屈折率異方性を有しており、該薄膜に低分子液晶が分散され、該薄膜の一軸性の光学軸と低分子液晶の光学軸が略同一方向へ揃っていることが特徴である。

従って、これにより、光散乱型液晶である高分子分散型液晶又はポリマーネットワーク型液晶とは異なり光散乱が起こらず偏光を用いた液晶素子に於いて高コントラストな表示が得られる点と、立下り時間を短くして液晶素子の応答性を向上させることが特徴である。更に、本発明に用いられる素子製造用の液晶組成物は、ポリマーネットワーク層を液晶素子全体に形成させる場合、液晶素子基板上にポリマーの薄膜層を形成させてプレチルトを誘起させるＰＳＡ（ＰｏｌｙｍｅｒＳｕｓｔａｉｎｅｄＡｌｉｇｎｍｅｎｔ）型液晶組成物と区別することができる。

何れの濃度に於いてもＴｇの異なるラジカル重合性単量体成分（Ａ）を少なくとも二種類以上含有させて必要に応じてＴｇを調整することが好ましい。Ｔｇが高いポリマーの前駆体であるラジカル重合性単量体成分（Ａ）は、架橋密度が高くなる分子構造を有するラジカル重合性単量体成分（Ａ）であって、官能基数が２以上であることが好ましい。又、Ｔｇが低いポリマーの前駆体は、官能基数が１であるか、又は２以上であって、官能基間にスペーサとしてアルキレン基等を有し分子長を長くした構造であることが好ましい。ポリマーネットワークの熱的安定性や耐衝撃性向上に対応することを目的にポリマーネットワークのＴｇを調整する場合、多官能モノマーと単官能モノマーの比率を適宜調整することが好ましい。又、Ｔｇはポリマーネットワークの主鎖、及び側鎖に於ける分子レベルの熱的な運動性とも関連しており、電気光学特性にも影響を及ぼしている。例えば、架橋密度を高くすると主鎖の分子運動性が下がり低分子液晶とのアンカーリング力が高まり駆動電圧が高くなると共に立下り時間が短くなる。一方、Ｔｇが下がるように架橋密度を下げるとポリマー主鎖の熱運動性が上がることにより、低分子液晶とのアンカーリング力が下がり駆動電圧が下がり立下り時間が長くなる傾向を示す。ポリマーネットワーク界面に於けるアンカーリング力は、上述のＴｇの他にポリマー側鎖の分子運動性にも影響され、１価もしくは２価であり、かつ炭素原子数が８〜１８のアルコール化合物のアクリレートもしくはメタクリレートをラジカル重合性単量体成分（Ａ）として用いることでポリマー界面のアンカーリング力が下げられる。又、このようなラジカル重合性単量体成分（Ａ）は、基板界面でプレチルト角を誘起させるのに有効で極角方向のアンカーリング力を下げる方向に作用する。

素子製造用の液晶組成物が液晶相を示した状態で、素子製造用の液晶組成物中のラジカル重合性単量体成分（Ａ）を重合させることにより、分子量が増加して液晶組成物（Ｂ）と重合体（もしくは共重合体）に相分離させる。二相に分離する形態は、含有する液晶組成物の種類やモノマーの種類に大きく依存して異なる。液晶材料中にモノマー相が無数に島状の核として発生して成長するバイノーダル分解で相分離構造を形成しても良く、液晶材料中にモノマー相との濃度の揺らぎから相分離するスピノーダル分解により相分離構造を形成しても良い。バイノーダル分解によるポリマーネットワークを形成させるには、モノマーの反応速度が速い化合物を用いることにより可視光の波長より小さい大きさのモノマーの核を無数に発生させて線状に連結させる構造によりナノオーダーの相分離構造が形成されるので好ましい。結果としてモノマー相に於ける重合が進むと相分離構造に依存して可視光の波長より短い空隙間隔のポリマーネットワークが形成される。一方、ポリマーネットワークの空隙は液晶組成物（Ｂ）相の相分離によるもので、この空隙の大きさが可視光の波長より小さいと、光散乱性が無く高コントラストで、且つポリマーネットワークからのアンカーリング力の影響が強まり立下り時間が短くなり高速応答の液晶表示素子が得られるようになり特に好ましい。バイノーダル分解に於けるモノマー相の核生成は、化合物の種類や組合せによる相溶性の変化や、反応速度、温度等のパラメータに影響され適宜必要に応じて調整することが好ましい。反応速度は、紫外線重合の場合は、モノマーの官能基や重合開始剤の種類及び含有量、紫外線照射強度によるもので反応性を促進するように紫外線照射条件を適宜調整すれば良く、少なくとも２ｍＷ／ｃｍ^２以上の紫外線照射強度が好ましい。スピノーダル分解では周期性のある二相の濃度の揺らぎによる相分離微細構造が得られるので可視光波長より小さい均一な空隙間隔を容易に形成するので好ましい。ラジカル重合性単量体成分（Ａ）含有量を増加すると、温度の影響で液晶組成物（Ｂ）高濃度相とモノマー高濃度相との二相分離する相転移温度が存在する。二相分離転移温度より高い温度では等方相を示すが、低いと分離が起こり均一な相分離構造が得られず好ましくない。温度変化により二相分離する場合は、二相分離温度より高い温度に於いて相分離構造を形成させることが好ましい。上述した何れの場合も、液晶組成物（Ｂ）の配向状態と同様の配向状態を保持しながらポリマーネットワークが形成される。この時、重合相分離構造がポリマーネットワークの間隔、密度に密接に関連するが、重合相分離構造形成過程に於いて、モノマー高濃度相と液晶高濃度相の二相を形成されることを述べたが、光開始剤は、モノマー又は液晶の何れかの親和性の高い方に集まり易くなり濃度の局在化が起こる。光開始剤がモノマー高濃度相に偏在化すると、モノマーの重合が促進される。しかし、液晶高濃度相に残存するモノマーの重合が進み難くなる。光開始剤濃度が低くなった液晶高濃度相中の残存モノマーは、モノマー高濃度相へ凝集性などの作用により集まることで架橋する。この逆は、液晶高濃度相の残存モノマーの重合が促進されるようになり、液晶中の残存モノマーの分子量が増加すると伴に、新たに重合相分離構造を形成する場合やモノマー高濃度相へ凝集する場合などが考えられ、液晶高濃度相の残存モノマーは液晶相に溶存する光開始剤の効果で重合が進み易くなるので好ましい。又、液晶高濃度相の残存モノマーが光開始剤の効果で重合相分離が進み新たにポリマーネットワークを形成することも好ましい。

形成されたポリマーネットワークは、液晶組成物（Ｂ）の配向に倣うように光学異方性を示す。ポリマーネットワーク中の液晶層の形態としては、ポリマーの３次元ネットワーク構造中に液晶組成物（Ｂ）が連続層をなす構造、液晶組成物（Ｂ）のドロップレットがポリマー中に分散している構造、又は両者が混在する構造、更に、両基板面を起点にポリマーネットワーク層が存在し、対面基板との中心付近では液晶層のみである構造が挙げられる。何れもの構造もポリマーネットワークの作用により０〜９０°のプレチルト角が液晶素子基板界面に対して誘起されていることが好ましい。形成するポリマーネットワークは、共存する液晶組成物（Ｂ）を液晶セルの配向膜が示す配向方向へ配向させる機能を有することが好ましく、更に、ポリマー界面方向に対して低分子液晶をプレチルトさせる機能を有していることも好ましい。ポリマー界面に対して低分子液晶をプレチルトさせるモノマーを導入すると透過率の向上や液晶素子の駆動電圧を低くさせるのに有用で好ましい。又、屈折率異方性を有しても良く、配向方向へ液晶を配向させる機能は、メソゲン基を有するモノマーを用いることが好ましい。又、電圧を印加しながら紫外線照射等によりポリマーネットワークを形成させてプレチルトを形成させても良い。

VAモード等の垂直配向セルを適用する場合には、モノマーとして垂直配向を誘起するメソゲン基を有さず、１価もしくは２価であり、かつ炭素原子数が８〜１８のアルコール化合物のアクリレートもしくはメタクリレートをモノマーとして用いても良く、メソゲン基を有するモノマーとの併用でも好ましい。素子製造用の液晶組成物を用いて相分離重合により垂直配向セル内にポリマーネットワークが形成された場合は、繊維状、又は柱状のポリマーネットワークが液晶セル基板に対して液晶組成物（Ｂ）の垂直方向と略同一の方向に形成されていることが好ましい。又、セル基板表面にある垂直配向膜に液晶が傾斜配向を誘起するようにラビング処理等を施してプレチルト角を誘起するようにした垂直配向膜が用いられた場合は、プレチルトして配向している液晶組成物（Ｂ）と同方向に繊維状、又は柱状のポリマーネットワークが傾斜して形成されていることが好ましい。ポリマーネットワークの傾斜は、基板界面で自発的に起こるようにモノマーを選定しても良い。又、電圧を印加して液晶を傾斜配向状態にして紫外線等を照射させてポリマーネットワークを形成させても良い。

更に、電圧を印加しながらプレチルト角を誘起する方法としては、素子製造用の液晶組成物の閾値電圧よりも０．９Ｖ程度低い電圧から２Ｖ程度高い電圧の範囲で電圧を印加しながら重合させても良いし、閾値電圧以上の電圧をポリマーネットワーク形成過程中に数秒〜数十秒の短時間印加した後、閾値電圧未満にしてポリマーネットワークを形成させても良い。繊維状又は柱状のポリマーネットワークが透明基板平面に対して９０度〜８０度のプレチルト角を誘起するように傾斜して形成されるのでより好ましく、９０度〜８５度のプレチルト角が好ましく、８９．９度〜８５度のプレチルト角が好ましく、８９．９度〜８７度のプレチルト角が好ましく、８９．９度〜８８度のプレチルト角が好ましい。何れの方法で形成された繊維状、又は柱状のポリマーネットワークは、二枚のセル基板間を連結していることが特徴である。これにより、プレチルト角の熱的安定性が向上して液晶表示素子の信頼性を高められる。

他に、繊維状、又は柱状のポリマーネットワークを傾斜配向させて形成することにより液晶組成物（Ｂ）のプレチルト角を誘起させる方法として、官能基とメソゲン基の間にあるアルキレン基の炭素原子数が６以上のプレチルト角の誘起角度が小さい二官能アクリレートと官能基と、メソゲン基の間にあるアルキレン基の炭素原子数が５以上のプレチルト角の誘起角度が大きい二官能アクリレートを組合せ用いる方法が挙げられる。これらの化合物の配合比を調整することにより所望のプレチルト角を界面近傍で誘起させることができる。

更に、可逆性の光配向機能を有するモノマーを少なくとも０．０１質量％以上１質量％以下の範囲で添加して繊維状、又は柱状のポリマーネットワークを形成させる方法が挙げられる。この場合、トランス体に於いて低分子液晶と同様の棒状の形態になり低分子液晶の配向状態へ影響を及ぼす。素子製造用の液晶組成物に含有されている該トランス体は、紫外線をセル上面から平行光として照射すると紫外線の進む方向と該棒状の分子長軸方向が平行になるように揃い、低分子液晶も同時に該トランス体の分子長軸方向へ揃うように配向する。セルに対して傾斜して紫外線を照射すると、該トランス体の分子長軸が傾斜方向に向き液晶を紫外線の傾斜方向へ配向させるようになる。即ち、プレチルト角を誘起するようになり光配向機能を示す。この段階でモノマーを架橋させると誘起したプレチルト角が重合相分離で形成された繊維状、又は柱状のポリマーネットワークにより固定化される。従って、VAモードで重要なプレチルト角の誘起は、電圧印加しながら重合相分離させる方法、誘起するプレチルト角が異なるモノマーを複数添加して重合相分離させる方法、可逆性の光配向機能を有するモノマーが示す光配向機能を用いて紫外線が進む方向へ液晶組成物（Ｂ）及びモノマーを配向させ重合相分離する方法を必要に応じて用い本発明の液晶素子を作製することができる。

光配向機能を有するモノマーは、紫外線を吸収してトランス体になる光異性化合物であっても良く、紫外線を吸収してシス体になる光異性化化合物であっても良い。更に、光配向機能を有するモノマーの反応速度が光配向機能を有するモノマー以外のモノマーの反応速度より遅いことが好ましい。紫外線照射されると、直ちに光配向機能を有するモノマーはトランス体になり光の進む方向に配向すると、周囲のモノマーや非重合液晶組成物も同様の方向へ配向する。この時、重合相分離が進行して液晶組成物（Ｂ）とポリマーネットワークの配向容易軸方向が光配向機能を有するモノマーの配向容易軸と同一方向へ揃い紫外線光が進む方向へプレチルト角が誘起される。

更に、IPSやFFSモード等の平行配向セルを適用する場合には、素子製造用の液晶組成物を用いて相分離重合により繊維状、又は柱状のポリマーネットワークが液晶セル基板面に有る配向膜の配向方向に対して液晶組成物（Ｂ）は平行配向するが、形成された繊維状、又は柱状のポリマーネットワークの屈折率異方性又は配向容易軸方向と液晶組成物（Ｂ）の配向方向と略同一の方向に形成されていることが好ましい。更に、繊維状、又は柱状のポリマーネットワークは、液晶組成物（Ｂ）が分散している空隙を除いて略セル全体に存在していることがより好ましい。ポリマー界面方向に対して該プレチルト角を誘起させることを目的に、１価もしくは２価であり、かつ炭素原子数が８〜１８のアルコール化合物のアクリレートもしくはメタクリレートをモノマーとして、メソゲン基を有するモノマーと用いることが好ましい。

更に、電気光学特性は、ポリマーネットワーク界面の表面積、及びポリマーネットワークの空隙間隔に影響されるが、光散乱を起こさないことが重要で、平均空隙間隔を可視光の波長より小さくすることが好ましい。例えば、該界面の表面積を広げて該空隙間隔を小さくさせるにはモノマー組成物含有量を増加させる方法がある。これにより、重合相分離構造が変化して該空隙間隔が微細になることにより該界面の表面積が増加するようにポリマーネットワークが形成され駆動電圧、及び立ち下がり時間が短くなる。重合相分離構造は、重合温度にも影響される。

本発明に於いては、相分離速度を速くして重合させることで微細な空隙を有する相分離構造が得られるようにすることが好ましい。相分離速度は、低分子液晶とモノマーとの相溶性や重合速度に大きく影響される。化合物の分子構造や含有量に大きく依存するので適宜組成を調整して使用することが好ましい。該相溶性が高い場合は、該重合速度の高いモノマーを用いることが好ましく、紫外線重合の場合は、紫外線強度を高めることが好ましい。又、素子製造用の液晶組成物中のモノマーの含有量を増やすことも好ましい。相溶性が低い場合は、相分離速度は十分に速くなるので本発明の液晶素子を作製するのに好ましい。相溶性を低くする方法として、低温で重合させる方法が挙げられる。低温にすると液晶の配向秩序度が上がり、液晶組成物（Ｂ）とモノマーの相溶性が下がるため、重合相分離速度を速くすることができる。更に別の方法として、素子製造用の液晶組成物を、過冷却状態を示す温度にして重合させる方法も挙げられる。この場合、素子製造用の液晶組成物の融点よりも僅かに低くすれば良いので、数度温度を低くするだけで相分離を速くさせることも可能になり好ましい。これらにより、モノマー含有量数十質量％を液晶へ添加した場合に相当する重合相分離構造、即ち、立ち下がり時間が短くなるように作用する構造であるポリマーネットワーク界面の表面積が多く該空隙間隔が微細なポリマーネットワーク構造が形成される。従って、素子製造用の液晶組成物は、立ち下がり時間が短くなるように配向機能、架橋密度、アンカーリング力、空隙間隔、を考慮して組成を適宜調整することが好ましい。

液晶素子において、高いコントラストの表示を得るには光散乱が起こらないようにする必要があるが、上述した方法を考慮して目的の電圧−透過率特性、及びスイッチング特性を得られるように相分離構造を制御して適切なポリマーネットワーク層構造を形成させることが重要である。ポリマーネットワーク層構造を具体的に説明すると次のようになる。

液晶相中に液晶表示素子全面にポリマーネットワーク層が形成され液晶相が連続している構造であって、ポリマーネットワークの配向容易軸や一軸の光学軸が低分子液晶の配向容易軸と略同一方向であることが好ましく、低分子液晶のプレチルト角を誘起するようにポリマーネットワークを形成させることが好ましく、ポリマーネットワークの平均空隙間隔を可視光の波長より小さい大きさで少なくとも４５０ｎｍより小さくすることにより光散乱は起こらなくなるので好ましい。更に、応答の立下り時間をポリマーネットワークと低分子液晶との相互作用効果（アンカーリング力）により低分子液晶単体の応答時間より短くするには、５０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲にする事が好ましい。立下り時間が液晶のセル厚の影響が少なくなりセル厚が厚くても薄厚並の立下り時間を示すようにするには、少なくとも平均空隙間隔が下限は２００ｎｍ付近で且つ上限は４５０ｎｍ付近の範囲に入るようにすることが好ましい。平均空隙間隔を減少させると駆動電圧の増加が課題になるが、駆動電圧の増加を２５Ｖ以下に抑制して立ち下がり応答時間を短くするには２５０ｎｍ近傍から４５０ｎｍの範囲に入るようにすれば良く、立下り応答時間が約５ｍｓｅｃから約１ｍｓｅｃの範囲に改善ができるので好ましい。又、駆動電圧が５Ｖ程度以内の増加に抑制するには、平均空隙間隔が３００ｎｍ付近から４５０ｎｍの範囲にすることが好ましい。更に、ポリマーネットワークの平均空隙間隔を制御して立下り応答時間を１ｍｓｅｃ以下の高速応答にすることも可能である。駆動電圧が３０Ｖ以上に増加する場合があるが、平均空隙間隔を５０ｎｍ付近から２５０ｎｍ付近の間にすれば良く、０．５ｍｓｅｃ以下にするには５０ｎｍ近傍から２００ｎｍ付近にすることが好ましい。ポリマーネットワークの平均直径は、平均空隙間隔と相反し、２０ｎｍから７００ｎｍの範囲にあることが好ましい。モノマーの含有量が増えると平均直径は増加する傾向にある。反応性を高くして重合相分離速度を高めるとポリマーネットワークの密度が増加してポリマーネットワークの平均直径が減少するので必要に応じて相分離条件を調整すれば良い。モノマー含有量が１０質量％以下の場合は、平均直径が２０ｎｍから１６０ｎｍにあることが好ましく、平均空隙間隔が２００ｎｍから４５０ｎｍ範囲に於いては、平均直径が４０ｎｍから１６０ｎｍの範囲であることが好ましい。モノマー含有量が１０質量％より大きくなると５０ｎｍから７００ｎｍの範囲が好ましく、５０ｎｍから４００ｎｍの範囲がより好ましい。

液晶表示素子全面にポリマーネットワーク層が形成され液晶相が連続している構造に対して、モノマー含有量が低くなりセル全体にポリマーネットワーク層が被うのに必要な量が不足するとポリマーネットワーク層が不連続に形成される。ポリイミド配向膜等の基板表面の極性が高いとモノマーが液晶セル基板界面付近に集まり易く、基板表面からポリマーネットワークが成長して基板界面に付着するようにポリマーネットワーク層が形成され、セル基板表面からポリマーネットワーク層、液晶層、ポリマーネットワーク層、対向基板の順で積層されるように形成される。ポリマーネットワーク層／液晶層／ポリマーネットワーク層の積層構造を示し、且つセル断面方向に対して少なくともセル厚の０．５％以上、好ましくは１％以上、より好ましくは５％以上の厚さのポリマーネットワーク層が形成されているとポリマーネットワークと低分子液晶とのアンカーリング力の作用により立下り時間が短くなる効果が発現して好ましい傾向を示す。但し、セル厚の影響が大きくなるのでセル厚を増すと立ち下がり時間が長くなる場合は、ポリマーネットワーク層の厚さを必要に応じて増加させれば良い。ポリマーネットワーク層に於けるポリマーネットワークの構造は、低分子液晶と配向容易軸や一軸の光学軸が略同一の方向へ揃っていれば良く、低分子液晶がプレチルト角を誘起するように形成されていれば良い。平均空隙間隔は９０ｎｍから４５０ｎｍの範囲が好ましい。

例えば、モノマー含有量が６質量％未満にする場合は、アンカーリング力の高いメソゲン基を有する二官能モノマーを用いることが好ましく、官能基間の距離が短い構造で重合速度が速い二官能モノマーを用いることが好ましく、０℃以下の低温で重合相分離構造を形成させることが好ましい。モノマー含有量を６質量％から１０質量％未満にする場合は、該二官能モノマーとアンカーリング力が低い単官能モノマーとの組み合わせが好ましく、必要に応じて２５℃から−２０℃の範囲で重合相分離構造を形成させることが好ましい。更に、該融点が室温以上であれば該融点より５℃程度低くすると低温重合と同様な効果が得られるので好ましい。素子製造用の液晶組成物中のモノマー濃度が高いほど、液晶組成物（Ｂ）とポリマー界面とのアンカーリング力は大きくなり、τｄは高速化する。一方、液晶組成物（Ｂ）とポリマー界面とのアンカーリング力は大きくなると、τｒは低速化する。τｄとτｒの和を１．５ｍｓ未満とするためには、素子製造用の液晶組成物中のモノマーの濃度は、１質量％以上１０質量％未満であり、１．５質量％以上８質量％以下が好ましく、１．８質量％以上５質量％以下がより好ましい。

ＴＦＴ駆動液晶表示素子に用いる場合は、フリッカーの抑制、焼付けによる残像等の信頼性を向上させる必要があり電圧保持率が重要な特性になる。電圧保持率を低下させる原因は、素子製造用の液晶組成物内に含有しているイオン性不純物にあると考えられる。特に、可動イオンが電圧保持率に強く影響を及ぼす。そのため、少なくとも比抵抗を１０^１４Ω・ｃｍ以上が得られるように精製処理等を施し可動イオンを取り除くことが好ましい。又、ラジカル重合でポリマーネットワークを形成させると光重合開始剤等から発生するイオン性不純物により電圧保持率が低下する場合があるが、有機酸や低分子の副生成物発生量が少ない重合開始剤を選定することが好ましい。

本発明の液晶表示素子は、少なくとも一方に電極を有する２枚の透明基板間に挟持した液晶組成物中に重合体又は共重合体を含有し、該重合体又は共重合体の含有量が該液晶組成物及び該重合体又は共重合体の合計の質量の０．５質量％以上１０質量％未満であり、該重合体又は共重合体がポリマーネットワークを形成し、該ポリマーネットワークが一軸性の屈折率異方性又は配向容易軸を有し、且つ異なる２種以上の配向状態を有するものである。本発明の液晶表示素子は、少なくとも一方の透明基板上に液晶組成物を配向させるための配向膜を有することが好ましい。基板に設けられたこの配向膜と基板に設けられた電極に電圧を印加して、液晶分子の配向が制御される。ポリマーネットワーク又はポリマーバインダが一軸性の屈折率異方性又は配向容易軸方向を有し、ポリマーネットワーク又はポリマーバインダの光軸方向又は配向容易軸方向と低分子液晶の配向容易軸方向が同一方向であることが好ましい。この点で、一軸性の屈折率異方性又は配向容易軸方向を有さない光散乱型のポリマーネットワーク液晶や高分子分散型液晶とは異なる。

更に、配向膜の配向容易軸方向とポリマーネットワーク又はポリマーバインダの配向容易軸方向が同一であることが好ましい。偏光板、位相差フィルムなどを具備させることにより、この配向状態を利用して表示させる。液晶表示素子としては、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＶＡ、ＶＡ−ＴＮ、ＩＰＳ、ＦＦＳ、πセル、ＯＣＢ、コレステリック液晶などの動作モードに適用できる。中でも、ＶＡ、ＩＰＳ、ＦＦＳ、ＶＡ−ＴＮ、ＴＮ、ＥＣＢが特に好ましい。尚、本発明の液晶表示素子は、液晶組成物中に重合体又は共重合体を含有する点で、配向膜上に重合体又は共重合体を有するＰＳＡ（ＰｏｌｙｍｅｒＳｕｓｔａｉｎｅｄＡｌｉｇｎｍｅｎｔ）型液晶表示素子とは異なる。

液晶組成物中の重合体又は共重合体の含有量は、該液晶組成物及び該重合体又は共重合体の合計の質量の０．５質量％以上１０質量％未満であるが、下限値としては０．７質量％以上が好ましく、０．９質量％以上が好ましく、上限値としては９質量％未満が好ましく、７質量％未満が好ましい。

ＰＳＡ型液晶表示素子では、ラビング配向処理の代わりに電極に３〜５μｍ幅の複数のスリットを設けスリット方向へ液晶を傾斜配向させることにより配向処理が省略される。量産技術では、数十ボルトとの電圧を印加しながら紫外線照射すると、基板界面にプレチルト角（基板法線に対しての傾斜角）が得られるように液晶の配向が高分子安定化され、ポリマーの薄膜が形成される。この高分子薄膜の作用でプレチルト角が誘起されることを利用してＰＳＶＡ（ｐｏｌｙｍｅｒ−ｓｔａｂｉｌｉｚｅｄｖｅｒｔｉｃａｌａｌｉｇｎｍｅｎｔ）ＬＣＤ又はＰＳＡＬＣＤの製造に用いられている。又、視野角向上を目的に、マルチドメインが形成できるように設計されたパターン電極を用い一つの画素内のプレチルト角方向を複数に分割している。しかし、セル全体にポリマーネットワーク等を形成させて応答の緩和時間を改善させることが可能な液晶表示素子にこの方法を適用させると、飽和電圧以上の数十ボルトの電圧を印加して紫外線照射するのでポリマーネットワークが液晶を平行配向状態で高分子安定させる。これは、ポリマーネットワークの屈折異方性又は配向容易軸が液晶分子を平行配向状態に保持するように形成されるため、垂直配向を得ることができなくなる。

垂直配向型のLCDでは、電圧印加で傾斜配向の傾斜方位を一定方向へ揃える目的でセル法線方向に対して２度以内のプレチルト角を付与することにより透過率、応答時間等の電気光学特性の改善を図っている。しかい、プレチルト角を誘起するようにポリマーネットワークを形成させるには、液晶の閾値電圧より僅かに高い電圧を印加して液晶が２度以内に傾斜配向した状態で形成させることが考えられる。ところが、ＰＶＡ（Ｐｔｔｅｒｎｅｄｖｅｒｔｉｃａｌａｌｉｇｎｍｅｎｔ）等の電極形状により傾斜配向方向を一定に揃える液晶表示素子では、閾値電圧近傍の低い電圧を印加してポリマーネットワークの屈折異方性又は配向容易軸を形成させると液晶の傾斜配向方位が定まらないことが理由で透過率が低下する。これは、閾値電圧近傍の電圧印加では、垂直配向膜の影響が強いため基板界面付近での液晶は垂直配向になりことが起因して傾斜配向方位が基板界面付近では一定方向へ規定できず不安定になることが原因である。一方、電気光学特性の飽和電圧以上の高い電圧を印加すると基板界面近傍の液晶は傾斜配向状態になり、且つ、電界が強いのでパターン電極による電界分布の影響が強くなり傾斜配向方位が一定方向になり透過率向上に寄与できるようになる。しかし、セル全体に平行配向のポリマーネットワークが形成されるので上述したように垂直配向が得られなくなる。

傾斜配向方位は、電極パターンの種類に大きく依存するので、例えば、図１３に示すフィッシュボーン（Ｆｉｓｈｂｏｎｅ）型電極は、交互に３〜５μｍ程度の幅の微細なライン電極とライン電極と同様な幅の線状スリットが複数繰り返し配置されているが、このパターン電極に於いて液晶の傾斜配向方位は、スリット方向へ略平行になるようにライン電極上の液晶は配向する。従って、スリット方向へ傾斜配向方位が一定になるような配向記憶をポリマーネットワークの屈折異方性又は配向容易軸として持たせる必要がある。又、ＡｘｉａｌｌｙＳｙｍｍｅｔｒｉｃＶｅｒｔｉｃａｌＡｌｉｇｎｍｅｎｔのパターン電極の場合は、点電極と略正方形の対向電極から成るサブピクセル構造である。中心軸は、電圧を印加しても垂直配向しているが、中心軸の点電極を起点に液晶ダイレクターが放射状に傾斜配向する。素子を上から見た場合、傾斜配向方位は、中心軸から放射状に液晶ダイレクターが３６０度連続的に配向する。高い電圧を印加することにより配向状態をポリマーネットワークの一部で高分子安定化させると放射状の傾斜配向方位が安定化するようにポリマーネットワークが一部形成される。紫外線照射中に電圧を閾値電圧未満にすることにより液晶は略垂直配向に戻り、この状態で紫外線照射を継続させると、略垂直配向になるようにポリマーネットワークの屈折異方性又は配向容易軸が形成され放射状の傾斜配向方位が軌跡としてポリマーネットワークに残すことが可能になり電圧印加時の配向制御と電圧無印加時の垂直配向を両立させることができる。

即ち、ＰＶＡの液晶表示素子に於いては、閾値電圧以上の電圧を印加して得られる配向状態を高分子安定化させるためポリマーネットワークの屈折率異方性又は配向容易軸を液晶配向状態と一致するように形成した場合と、閾値電圧未満の電圧を印加して得られる配向状態を高分子安定化させるためポリマーネットワークの屈折率異方性又は配向容易軸を液晶配向状態と一致するように形成した場合の二つの異なる液晶の配向状態を安定化させるポリマーネットワークを共存させることにより、それぞれ形成されるポリマーネットワークの液晶配向への影響力が異なる。例えば、閾値電圧未満の液晶の配向状態を安定化させるポリマーネットワークのみが形成されていると、電圧のスイッチングにより液晶の配向を変移させた場合、ポリマーネットワークからの影響を受けた液晶の配向状態が、液晶表示素子が本来必要とする液晶の配向状態とは異なるため、配向変移後の配向に歪みが発生して所望の配向状態が得られず電気光学効果に影響を及ぼして、コントラスト、透過率等が低下する。そのため、ポリマーネットワークに閾値電圧以上の電圧を印加して得られる配向状態と閾値電圧未満の電圧を印加して得られる配向状態の二つの配向状態を共存させることにより両状態間の配向変移が容易になり、表示特性が良好になる。従って、閾値電圧以上に於ける液晶の配向状態と閾値電圧未満に於ける液晶の配向状態を高分子安定化させ、二つの配向状態を混在させるようにポリマーネットワークで形成させるためには、素子製造用の液晶組成物に含有しているモノマーの一部を閾値電圧以上の液晶の配向状態を安定化させる目的に使用し、残りのモノマーを閾値電圧未満の液晶配向状態を安定化させるように形成されるポリマーネットワークに使用することが好ましい。

更に、これらの二つの異なる配向状態をそれぞれ安定化させる作用のあるポリマーネットワークが混在した状態になるので、ポリマーネットワーク形成後の素子における電圧無印加時の液晶配向状態は、二つの異なる配向状態を保持しようとするポリマーネットワークに影響され、それぞれのポリマーネットワークの影響力の均衡で電圧無印加時の液晶配向状態が決まる。例えば、垂直配向モードの液晶表示素子に於いては、閾値電圧未満の液晶配向状態を安定化させるポリマーネットワークの影響力を強くすると、液晶表示素子が本来必要とする垂直配向を示し、液晶表示のコントラストを高くするので好ましい。反対に、閾値電圧以上の液晶の配向を安定化させるポリマーネットワークの影響力が強すぎると、液晶のプレチルト角が増加しコントラストが低下する方向へ向かう。液晶表示素子の透過率やコントラストを高くして表示品位を高めるためには、二つの異なる液晶配向状態を安定化させるポリマーネットワークのそれぞれの影響力のバランスの調整が重要で、例えば、ＰＶＡセルにおいては、閾値電圧以上の液晶の配向状態を安定化させるように作用するポリマーネットワークの影響力が強すぎると最大透過率は向上するが黒レベルが増加してコントラスの低下を引き起こす。又、閾値電圧未満の液晶の配向状態を安定化させるように作用するポリマーネットワークの影響力が強すぎると良好な黒レベルが得られるが最大透過率の低下を引き起こしコントラストが低下して好ましくない。

傾斜電圧を印加して液晶の傾斜配向の方位が一定にすると最大透過率が向上するので、傾斜配向方位が一定になるように閾値電圧以上の液晶配向状態を安定化させるように形成したポリマーネットワークの影響を僅かにしておき、紫外線照射途中で閾値電圧未満を印加して良好な黒レベルが得られるような略垂直の配向状態を安定化させるようにポリマーネットワークを形成させると良好な黒レベルと傾斜配向の方位が一定になり最大透過率が高くなるので高コントラストが得られるようになり表示品位向上して好ましくなる。

本発明の液晶表示素子の製造方法は、少なくとも一方に電極を有する２枚の透明基板間に挟持した素子製造用の液晶組成物に、該素子製造用の液晶組成物の閾値電圧以上の電圧を印加しながら紫外線を照射して重合相分離させる工程、及びその後紫外線を照射したまま電圧を閾値電圧未満にして更に紫外線を照射させる工程を含有する方法である。これにより閾値電圧以上の液晶の配向状態と閾値電圧未満の液晶の配向状態を、それぞれ安定化させるポリマーネットワークを形成させて、二つの異なる液晶配向状態を安定化させるポリマーネットワークを混在させて形成させる方法である。又、パターン電極セル等を含む垂直配向モード液晶表示素子の場合は、素子製造用の液晶組成物の閾値電圧以上の電圧を印加しながら紫外線を照射して重合相分離させる工程において、素子製造用の液晶組成物中の液晶分子が透明基板平面に対して０度から３０度の範囲で傾斜して配向しており、紫外線を照射したまま前記電圧を閾値電圧未満にして更に紫外線を照射させる工程において、前記液晶分子が透明基板平面に対して８０度から９０度に傾斜して配向しているのが好ましい。液晶分子が透明基板平面に対して０度から３０度の範囲で傾斜して配向している状態は、液晶の複屈折率が電圧印加で増加した状態を示し液晶の配向状態が透明基板平面に対して０度になると複屈折率が最大になり好ましいが、基板平面に対して３０度傾斜した配向であっても好ましい。特に、ＰＶＡセルでは傾斜方位が一定にすることが出来るので好ましい。何れも、電圧印加による液晶の傾斜配向方位が一定方向になるように配向が安定化させるポリマーネットワークを形成させることが好ましい。

液晶分子が透明基板平面に対して８０度から９０度に傾斜して配向している状態は、電圧無印加時において透明基板平面に対して９０度に液晶が配向すると複屈折率が最小になり液晶表示素子の高コントラスト化に有用で好ましいが、電圧を印加した際に一定方向へ傾斜配向させるためには基板平面に対して８９．９度から８５度以内に傾斜していることがより好ましい。基板平面に対して８０度を超えると複屈折率が増加して透過光量が増加するため表示のコントラストが低下して好ましくなく、基板平面に対して８５度以上で表示黒レベルが良好になり高コントラストが得られるので好ましい。また、ＩＰＳ（Ｉｎ−ｐｌａｎｅｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）表示モード、ＦＦＳモードの液晶表示素子においては、素子製造用の液晶組成物の閾値電圧以上の電圧を印加しながら紫外線を照射して重合相分離させる工程において、素子製造用の液晶組成物中の液晶分子が透明基板平面に対して０度から９０度の範囲で傾斜して配向しており、紫外線を照射したまま前記電圧を閾値電圧未満にして更に紫外線を照射させる工程において、前記液晶分子が透明基板平面に対して０度から３０度に傾斜して配向しているのも好ましい。

液晶分子が透明基板平面に対して０度から９０度の範囲で傾斜して配向は、電圧を印加した液晶の配向状態を安定化させるようにポリマーネットワークを形成させる。ＩＰＳモードの場合は、素子に用いられる配向膜の性質の傾斜角度が大きく依存し、１度から２度程度の範囲になっても良く、プレチルト角が捩れ配向を含む液晶分子の傾斜角度が０．５度から３度が好ましく、０度から２度以内が好ましい。ＦＦＳモードの場合は、閾値電圧以上の電圧を印加すると液晶の配向状態は、素子内の電界分布に依存してスプレイ配向、ベンド配向、捩れ配向状態が共存するが主にスプレイ配向と捩れ配向状態を示す。この状態の液晶分子の配向状態の傾斜角は、０度から４５度の範囲に入り、配向をポリマーネットワークで安定化させると同様の範囲が安定化されることが好ましい。ＴＮモードでは、４５度から９０度範囲の傾斜角度になっていることが好ましい。

一方、閾値電圧未満の電圧を印加して液晶の配向状態を安定化するようにポリマーネットワークを形成させるが、ＩＰＳモード、ＦＦＳモード、及びＴＮモードの場合は、ラビング配向処理により基板界面にプレチルト角が１度〜３度程度あるので、閾値電圧未満の電圧を印加した液晶の配向状態を安定化させるようにポリマーネットワークを形成させることが好ましく、液晶の配向の角度がこの範囲に傾斜しても良いく、光配向膜等の他の配向処理方法を用いてプレチルト角が捩れ配向を含む液晶分子の傾斜角度が０．５度から３度が好ましく、０度から２度以内が広視野角を得るには有用でより好ましい。

また、印加する電圧が交流波形であって、素子製造用の液晶組成物が誘電異方性を示す範囲の周波数を有するものであるのが好ましい。波形は、ピーク電圧が一定にした場合に実効電圧が高くできる矩形波が好ましい。周波数の上限は、液晶表示素子に用いられる駆動回路により画素に伝達される信号が減衰しない範囲の周波数であれば良く、少なくとも周波数が２ｋＨｚ以下であることが好ましい。紫外線照射前の素子製造用の液晶組成物が示す誘電率の周波数依存性において誘電異方性が示す周波数で１０ｋＨｚ以下であれば良い。下限値は、素子を駆動した際にフリッカーが起こる場合があり、この場合にフリッカーが最小になる周波数であれば良く、少なくとも２０Ｈｚ以上が好ましい。

本発明の液晶表示素子の製造方法は、上述のように二つの液晶配向状態を保持するようにポリマーネットワークを形成することに特徴があるが、それぞれの液晶配向状態を保持するように形成されたポリマーネットワークは、ポリマーネットワークの屈折率異方性又は配向容易軸が閾値電圧以上の液晶配向方向、又は閾値電圧未満の液晶配向方向に一致するように形成される。これにより、電圧印加時の液晶の配向を安定化させるポリマーネットワークと、電圧無印加時の液晶の配向の安定化させるポリマーネットワークが共存させた状態を作ることになり、電圧無印加時の液晶配向状態から電圧印加により配向変形させる際に起こる配向歪を抑制させてコントラストの向上等の表示特性を改善させることが可能になる。一方、電圧無印加時の液晶配向状態を保持するように形成されるポリマーネットワークのみだけでは、電圧印加時の液晶配向状態へ変移する際に、閾値電圧未満の液晶配向を保持するように形成されたポリマーネットワークの影響力が強いので閾値電圧以上の液晶配向状態に変移するとき配向歪を与えて透過率を下げる原因になる。電圧印加時の液晶の配向を安定化させるポリマーネットワークをポリマーネットワークの一部に形成させることによりスイッチングで起きる配向変移の歪を抑制させ、本来必要とする液晶配向の変移が得られるようになり透過率を向上させられる。尚、電圧印加時及び電圧無印加時の各液晶の配向状態を安定化させるように形成されるポリマーネットワークは、二つの異なる液晶の配向に沿うようにポリマーネットワークの屈折率異方性又は、配向容易軸を形成させることが特徴である。

更に、紫外線照射中の閾値電圧以上の電圧の印加時間により、閾値電圧以上の液晶状態を安定化させるために形成されたポリマーネットワークの影響力が変化し、電気光学特性を変化させることが可能になる。例えば、電圧印加時の液晶の配向状態が基板平面に対して０度から３０度の傾斜配向を含む平行配向としてポリマーネットワークを形成させた場合、紫外線照射中の閾値電圧以上の電圧の印加時間を短くすると、平行配向を保持しようとする作用が僅かなため、垂直配向を保持しようとするポリマーネットワークの作用に従い液晶が配向しようとする。更に、二つの異なる配向を保持したポリマーネットワークからの両配向の影響力が均衡して透明基板法線方向に対してプレチルトが１度以内と小さな角度が誘起される。紫外線照射中の閾値電圧以上の電圧の印加時間を長くするのにともない、平行配向を保持しようとするポリマーネットワークの影響が強まるので垂直配向を保持する力と平行配向を保持する力の均衡からプレチルト角が増加し、プレチルト角が増加して透明基板法線方向に対して１０度以上にすることが可能になる。又、紫外線照射中の閾値電圧以上の電圧の印加時間は、用いられる素子製造用の液晶組成物が持つ反応性に大きく依存するので適宜調整して所望のプレチルト角が得られるようにすることが好ましい。特に、基板平面に対し８０度から９０度の範囲でプレチルト角が得られるようにすることが好ましく、８５度から８９．９度にすることがより好ましく、８７度から８９．９度にすることが更に好ましい。

閾値電圧以上の電圧を印加して得られる液晶の配向状態を保持しようと形成されたポリマーネットワークは、負の誘電異方性を用いた垂直配向モードの液晶表示素子に於いては、平行配向状態か、又は方位角が一定の傾斜配向が望ましい。閾値電圧未満で得られる配向状態は、略垂直配向であることが好ましく、特に、基板平面に対して８０度から９０度の略垂直の配向が好ましく、高コントラストが得られるような良好な黒レベルを示す配向状態であることが好ましい。負の誘電異方性、又は正の誘電異方性を用いた横電界によるＩＰＳ表示モードに於いては、紫外線照射中の閾値電圧以上の電圧を印加して得られる液晶の配向状態は、捩れ配向であることが好ましい。閾値電圧未満で得られる配向状態は、方位角が一定の平行配向であることが好ましい。ＦＦＳモードに於いては、紫外線照射中の閾値電圧以上の電圧を印加して得られる配向状態が少なくともベンド配向、スプレイ配向、傾斜配向の何れか、又は複数混在した配向状態であることが好ましい。閾値電圧未満に於いては略平行配向であることが好ましい。電圧印加時の液晶の配向状態を保持するようにポリマーネットワークを形成させた後、閾値電圧未満の液晶の配向状態を高分子安定化させることにより、ポリマーネットワーク形成完了後に電圧を印加した場合の液晶の配向状態へ容易に配向変形できるようになり、高透過率と高速応答を両立させることができる。

紫外線照射時の印加電圧は、ポリマーネットワーク形成後の液晶表示素子の表示が高コントラストになるように適宜調整することが好ましく、紫外線照射前の素子製造用の液晶組成物の電気光学効果の特性に大きく依存するので素子製造用の液晶組成物が示す電圧−透過率特性に合わせる必要がある。閾値電圧以上の電圧としては、素子製造用の液晶組成物の電圧−透過率特性電圧における透過率の全変化量に対して１０％以上になる電圧Ｖ１０以上であることが好ましく、透過率の全変化量が２０％以上になる電圧Ｖ２０以上がより好ましく、透過率の全変化量が５０質量％以上になる電圧Ｖ５０以上がより好ましい。但し、閾値電圧の６倍以下の電圧であることが好ましい。紫外線照射中に印加する閾値電圧以上の電圧は、交流電圧を印加することが好ましく、矩形波を印加することが好ましい。周波数は、フリッカーが目視で認識できない周波数にすることが好ましく、ＴＦＴ基板等の電子回路がガラス基板上に形成されている場合は、重合電圧の減衰が起きない周波数であれば良く、３０Ｈｚから５ｋＨｚ程度あることが好ましい。

紫外線照射の途中で印加する電圧を閾値電圧以上から閾値電圧未満にするが、閾値電圧未満の電圧としては、液晶の配向が電圧で変化しない範囲であればよく、０Ｖ以上で閾値値電圧の９０％未満の電圧が好ましく、８０％未満の電圧が好ましく、７０％以下であることがより好ましい。また、紫外線照射中に印加電圧を閾値電圧以下にするが、この時に液晶表示素子に於けるＯＦＦ時の液晶配向状態になるように戻すことが好ましく、例えば、上述したように垂直配向モードに於いては垂直配向に戻せば良く、ＦＦＳモードやＩＰＳモードでは平行配向にすれば良い。液晶表示素子ＯＦＦ時の液晶配向状態になるように戻す為には、電圧印加時の液晶の配向を安定化させるポリマーネットワークの影響力が僅かな状態で閾値電圧未満の電圧へ下げることが好ましい。

閾値電圧以上の電圧を印加した後に紫外線を照射するが、紫外線照射中に電圧印加時間が長くなると、紫外線照射中に電圧印加時の液晶の配向を安定化させるポリマーネットワークの影響力が増大して必要とする液晶表示素子ＯＦＦ時の液晶配向状態へ戻らなくなり好ましくなくなる。そのため、最適な紫外線照射中の電圧を適宜最適化して本発明の液晶表示素子を製造することが好ましい。又、紫外線照射中の電圧を閾値電圧未満にする際、素子製造用の液晶組成物の液晶に於ける応答の緩和時間を調整する目的で、電圧を紫外線照射途中で徐々に低くして印加電圧の降下時間を紫外線照射中の液晶に於ける応答緩和時間よりも長くすることにより応答緩和過程で起こるバックフローの影響を最小限にするようにしても良く、印加電圧の降下時間は、１０ｍｓ以上から１０００ｍｓ以内であることが好ましい。又、反対に速く下げる場合も良く、少なくとも素子製造用の液晶組成物が示す緩和時間より短くすることが好ましく、１００ｍｓ以下が好ましい。

閾値電圧以上の電圧が印加された状態で紫外線照射することで平行配向成分のポリマーネットワークを部分的に形成させ、紫外線照射を継続しながら電圧を閾値電圧未満にすることで液晶を垂直配向に戻すことで重合相分離を完了させる。フィッシュボーン型電極液晶セルに於いては、上述の平行配向成分と垂直配向成分の比率でプレチルト角は変化させることが可能でポリマーネットワーク形成初期過程で電圧を切ると傾斜配向方位が定まり、垂直配向を残存モノマーで形成することにより垂直配向と傾斜配向方位の両立が可能になりナノ相分離液晶に於ける配向制御技術となる。

尚、平行配向状態とは、電圧が印加されて負の誘電異方性液晶が略平行配向状態になることを意味し、基板面に対して０．１度から３０度の範囲が好ましく、０．１度から１０度の範囲で傾斜配向していることが好ましい。電圧が無印加の場合の垂直配向は、垂直配向膜の作用で略垂直配向状態になることを意味し、液晶の配向が基板平面に対して８０から８９．９度に傾斜して配向していることが好ましく、８５度から８９．９度に傾斜していることがより好ましい。

正の誘電異方性液晶の場合は、電圧が印加されると垂直配向が得られるが、液晶配向状態が基板平面に対して４５度から８９．９度の範囲で液晶が傾斜して配向していることも含まれる。
電圧が無印加の場合の平行配向は、平行配向膜の作用で略平行配向状態になることを意味し、液晶の配向が基板平面に対して０．１から３０度に傾斜して配向していることが含まれる。

本発明の液晶表示素子の基板間の距離（ｄ）は、２〜５μｍの範囲が好ましく、３．５μｍ以下が更に好ましい。一般に、液晶組成物の複屈折率とセル厚の積が０．２７５近傍になるように複屈折率を調整するが、本発明に用いられる素子製造用の液晶組成物では重合相分離後にポリマーネットワークが形成されるため、ポリマーネットワークのアンカーリング力作用とポリマーネットワークの光学的な性質により電界印加時の液晶表示素子の複屈折率が低くなるので液晶組成物、及び重合組成物、又は素子製造用の液晶組成物に含まれる液晶組成物の複屈折率（Δｎ）と基板間の距離（ｄ）の積は、駆動電圧がポリマーネットワーク形成により５Ｖ程度以内の増加では０．３〜０．４μｍの範囲が特に好ましく、３Ｖ程度以内の増加では０．３０〜０．３５μｍの範囲が更に好ましく、駆動電圧が１Ｖ以内の増加では０．２９〜０．３３μｍの範囲が特に好ましい。液晶表示素子の基板間の距離（ｄ）及び液晶組成物の複屈折（Δｎ）と基板間の距離（ｄ）の積をそれぞれ上記範囲内とすることにより、透過率は、低分子液晶のみに匹敵して高く、高速応答で色再現性が好ましい表示を得ることができる。素子製造用の液晶組成物に用いる液晶組成物の複屈折率を、セル厚（ｄ）と複屈折率（Δｎ）の積が０．２７５に対して１から１．９倍になるようにすることが好ましい。

本発明の液晶表示素子の駆動電圧は、液晶組成物の誘電異方性や弾性定数だけで決まるものではなく、液晶組成物とポリマー界面との間で作用するアンカーリング力に大きく影響される。

例えば高分子分散型液晶表示素子の駆動電圧に関する記述として、特開平６−２２２３２０号公報において次式の関係が示されている。

（Ｖthはしきい値電圧を表わし、1Kii及び2Kiiは弾性定数を表わし、ｉは１、２又は３を表わし、Δεは誘電率異方性を表わし、＜ｒ＞は透明性高分子物質界面の平均空隙間隔を表わし、Ａは液晶組成物に対する透明性高分子物質のアンカーリング力を表わし、ｄは透明性電極を有
これによると、光散乱型液晶表示素子の駆動電圧は、透明性高分子物質界面の平均空隙間隔、基板間の距離、液晶組成物の弾性定数・誘電率異方性、及び液晶組成物と透明性高分子物質間のアンカーリングエネルギーによって決定される。
このうち本発明の液晶表示素子で制御できるパラメータは、液晶物性とポリマー間のアンカーリング力である。アンカーリング力は、該ポリマーの分子構造、及び低分子液晶の分子構造に大きく依存するため、アンカーリング力が強いモノマーを選定すれば応答時間を１．５ｍｓ以下に速くすることが可能であるが同時に、駆動電圧が３０V以上に増加するので、駆動電圧が３０V以下で応答速度が１．５ｍｓ以下になるように適宜液晶化合物、及びモノマーの選定を行い組成を調整することが好ましい。アンカーリング力の強いポリマー前駆体とアンカーリング力の弱いポリマー前駆体を適宜配合して駆動電圧と応答速度のバランスが取れるように組成を調整することが好ましい。一方、駆動電圧を低くするのに求められる液晶組成物の物性としては、P型液晶では誘電異方性が６以上で、N型液晶では誘電異方性が−３以下にすることが特に好ましい。又、複屈折率を０．０９以上にすることが好ましい。更に、液晶組成物の複屈折率と繊維状、又は柱状ポリマーネットワークの屈折率を可能な限り近づけ光散乱を無くすとより好ましくなる。但し、ポリマー前駆体の濃度に液晶素子のリターデーションが影響されるので、適宜、必要なリターデーションが得られるように液晶組成物の複屈折率を増減させて使用することが好ましい。
本発明の液晶表示素子は、上述した液晶組成物を−５０℃から３０℃としながらエネルギー線を照射して、モノマーを重合して液晶組成物中に屈折率異方性又は配向容易軸方向を有するポリマーネットワーク形成して得られたものであることが好ましい。重合温度の上限は、３０℃であり、２０℃〜−１０℃が好ましい。実施例において後述するように、本発明者は、モノマー組成に依存して低温重合、及び常温重合により、τｄが更に高速化することを見出した。この理由は、１）低温により液晶分子の配向度が上昇した状態で重合すること、２）低温重合により重合したポリマーと液晶組成物との相溶性が下がることで相分離が容易になり、重合相分離速度が速まりポリマーネットワークの空隙間隔が微細になること、３）比較的アンカーリング力が低いモノマーを用いても空隙間隔が微細なため、アンカーリング力の影響力が強くなるような屈折率異方性ポリマーネットワークの形成等によるものと考えられる。
更に、本発明の液晶表示素子は、一軸性の屈折率異方性又は配向容易軸方向を持つポリマーネットワーク又はポリマーバインダの光軸方向又は配向容易軸方向が透明基板に対してプレチルト角を成すように形成されたものであることが好ましく、電界の強さを調整して低分子液晶の配向制御行い、基板面に対して傾斜させることにより、上述した液晶層に電圧を印加しながらエネルギー線を照射することで、モノマーを高分子化せしめ、液晶組成物中の屈折率異方性又は配向容易軸方向を有する重合体を得てなる構成であることが好ましい。垂直配向のＶＡモードに於いては、基板法線方向に対してプレチルト角が２０度以内になるように電圧を印加して重合させることにより、現行のＶＡモードセルの用いられているポルトリュージョン等やＰＳＡ液晶の微細なポリマー突起に相当する効果があるだけではなく、ＰＳＡでは実現できない高速応答を示すので特に好ましい。又、電界方向を複数の方向から印加して高分子化させることによりマルチドメインを形成させることができ、視野角向上が可能でより好ましくなる。更に、基板界面垂直配向膜界面に於いて低分子液晶がプレチルト角を誘起するように光配向処理やラビング配向処理等を該配向膜に施すことで低分子液晶配向の傾く方向が規定されスイッチング時の配向欠陥発生が抑制され好ましく、複数の方向へ傾くようなパターン電極を用いたり該配向処理を施すとことも好ましい。前記液晶層は、モノマーを含有した液晶組成物に対し、適宜−５０℃から３０℃の温度範囲で交流電界を印加するとともに、紫外線もしくは電子線を照射することで、屈折率異方性を有するポリマーネットワークの光軸方向が基板面に対してプレチルト角を成すように液晶中に形成される。このプレチルト角は低分子液晶の誘電異方性により電界を印加することにより誘起された配向状態で重合相分離させると、重合後のポリマーネットワークの光軸を基板面に対して傾斜させた液晶素子を得ることができ、前記モノマーを高分子化せしめた構成であることがより好ましい。更に、電圧を印加した配向状態を安定化して得られたポリマーネットワークと電圧を印加しない配向状態を安定化して得られたポリマーネットワークを複合化させてプレチルト角を誘起させることも好ましい。

本発明の液晶表示素子に使用される２枚の基板はガラス又はプラスチックの如き柔軟性をもつ透明な材料を用いることができる。透明電極層を有する透明基板は、例えば、ガラス板等の透明基板上にインジウムスズオキシド（ＩＴＯ）をスパッタリングすることにより得ることができる。

カラーフィルターは、例えば、顔料分散法、印刷法、電着法又は、染色法等によって作成することができる。顔料分散法によるカラーフィルターの作成方法を一例に説明すると、カラーフィルター用の硬化性着色組成物を、該透明基板上に塗布し、パターニング処理を施し、そして加熱又は光照射により硬化させる。この工程を、赤、緑、青の３色についてそれぞれ行うことで、カラーフィルター用の画素部を作成することができる。その他、該基板上に、ＴＦＴ、薄膜ダイオード等の能動素子を設けた画素電極を設置してもよい。

前記基板を、透明電極層が内側となるように対向させる。その際、スペーサーを介して、基板の間隔を調整してもよい。このときは、得られる調光層の厚さが１〜１００μｍとなるように調整するのが好ましい。１．５から１０μｍが更に好ましく、偏光板を使用する場合は、コントラストが最大になるように液晶の屈折率異方性Δｎとセル厚ｄとの積を調整して表示モードにより５５０ｎｍの１／２、又は１／４になるようにすることが好ましい。又、二枚の偏光板がある場合は、各偏光板の偏光軸を調整して視野角やコントラトが良好になるように調整することもできる。更に、視野角を広げるための位相差フィルムも使用することもできる。スペーサーとしては、例えば、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子、フォトレジスト材料などからなる柱状スペーサー等が挙げられる。その後、エポキシ系熱硬化性組成物等のシール剤を、液晶注入口を設けた形で該基板にスクリーン印刷し、該基板同士を貼り合わせ、加熱しシール剤を熱硬化させる。

２枚の基板間に素子製造用の液晶組成物を狭持させる方法は、通常の真空注入法又はＯＤＦ法などを用いることができる。ＯＤＦ法の液晶表示素子製造工程においては、バックプレーンまたはフロントプレーンのどちらか一方の基板にエポキシ系光熱併用硬化性などのシール剤を、ディスペンサーを用いて閉ループ土手状に描画し、その中に脱気下で所定量の素子製造用の液晶組成物を滴下後、フロントプレーンとバックプレーンを接合することによって液晶表示素子を製造することができる。本発明に用いられる素子製造用の液晶組成物は、ＯＤＦ工程における液晶・モノマー複合材料の滴下が安定的に行えるため、好適に使用することができる。

モノマーを重合させる方法としては、液晶の良好な配向性能を得るためには、適度な重合速度が望ましいので、活性エネルギー線である紫外線又は電子線を単一又は併用又は順番に照射することによって重合させる方法が好ましい。紫外線を使用する場合、偏光光源を用いても良いし、非偏光光源を用いても良い。また、素子製造用の液晶組成物を２枚の基板間に挟持させて状態で重合を行う場合には、少なくとも照射面側の基板は活性エネルギー線に対して適当な透明性が与えられていなければならない。また、モノマーを含有した液晶組成物に対し、
素子製造用の液晶組成物を−５０℃から２０℃の温度範囲で交流電界を印加するとともに、紫外線もしくは電子線を照射することが好ましい。印加する交流電界は、周波数１０Ｈｚから１０ｋＨｚの交流が好ましく、周波数１００Ｈｚから５ｋＨｚがより好ましく、電圧は液晶表示素子の所望のプレチルト角に依存して選ばれる。つまり、印加する電圧により液晶表示素子のプレチルト角を制御することができる。横電界型ＭＶＡモードの液晶表示素子においては、配向安定性及びコントラストの観点からプレチルト角を８０度から８９．９度に制御することが好ましい。

照射時の温度は、素子製造用の液晶組成物が−５０℃から３０℃の温度範囲であることが好ましい。さらに２０℃〜−１０℃がより好ましい。素子製造用の液晶組成物の組成に依存して低温重合、及び常温重合により、τｄが更に高速化する傾向がある。この理由は、１）低温により液晶分子の配向度が上昇した状態で重合すること、２）低温重合により重合したポリマーと液晶組成物との相溶性が下がることで相分離が容易になり、重合相分離速度が速まりポリマーネットワークの空隙間隔が微細になること、３）比較的アンカーリング力が低い重合性化合物を用いても空隙間隔が微細なため、アンカーリング力の影響力が強くなるような屈折率異方性ポリマーネットワークの形成等によるものと考えられる。

紫外線を発生させるランプとしては、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ等を用いることができる。また、照射する紫外線の波長としては、液晶組成物の吸収波長域でない波長領域の紫外線を照射することが好ましく、必要に応じて、３６５ｎｍ未満の紫外線をカットして使用することが好ましい。照射する紫外線の強度は、０．１ｍＷ／ｃｍ^２〜１００Ｗ／ｃｍ^２が好ましく、２ｍＷ／ｃｍ^２〜５０Ｗ／ｃｍ^２がより好ましい。照射する紫外線のエネルギー量は、適宜調整することができるが、１０ｍＪ／ｃｍ^２から５００Ｊ／ｃｍ^２が好ましく、１００ｍＪ／ｃｍ^２から２００Ｊ／ｃｍ^２がより好ましい。紫外線を照射する際に、強度を変化させても良い。紫外線を照射する時間は照射する紫外線強度により適宜選択されるが、１０秒から３６００秒が好ましく、１０秒から６００秒がより好ましい。

（横電界型）
まず、本発明の一実施形態の液晶表示素子について図面を参照しながら説明する。図１は本発明の液晶表示素子の一例を示す模式図である。本発明の一実施形態の液晶表示素子１０は、配向層４が表面に形成された第一の基板２と、前記第一の基板から離間して設けられ、かつ光配向層が表面に形成された第二の基板７と、前記第一の基板２および第二の基板７間に充填され、かつ前記一対の配向層と当接する液晶層５と、を備え、前記配向層４（４ａ，４ｂ）と前記第一の基板２との間にアクティブ素子として薄膜トランジスタ、共通電極２２および画素電極を備えた電極層３を有している。

図１では、説明のために便宜上各構成要素を離間して記載している。本発明の一実施形態の液晶表示素子１０の構成は、図１に記載するように、対向に配置された第一の透明絶縁基板２と、第二の透明絶縁基板７との間に挟持された素子製造用の液晶組成物（または液晶層５）を有する横電界方式（図では一例としてＩＰＳの一形態としてのＦＦＳモード）の液晶表示素子である。第一の透明絶縁基板２は、液晶層５側の面に電極層３が形成されている。また、液晶層５と、第一の透明絶縁基板２及び第二の透明絶縁基板７のそれぞれの間に、液晶層５を構成する素子製造用の液晶組成物と直接当接してホモジニアス配向を誘起する一対の配向膜４（４ａ，４ｂ）を有し、該素子製造用の液晶組成物中の液晶分子は、電圧無印加時に前記基板２，７に対して略平行になるように配向されている。図１および図３に示すように、前記第二の基板７および前記第一の基板２は、一対の偏光板１，８により挟持されてもよい。さらに、図１では、前記第二の基板７と配向膜４との間にカラーフィルター６が設けられている。なお、本発明に係る液晶表示素子の形態としては、いわゆるカラーフィルターオンアレイ（ＣＯＡ）であってもよく、薄膜トランジスタを含む電極層と液晶層との間にカラーフィルターを設けても、または当該薄膜トランジスタを含む電極層と第二の基板との間にカラーフィルターを設けてもよい。

すなわち、本発明の一実施形態の液晶表示素子１０は、第一の偏光板１と、第一の基板２と、薄膜トランジスタを含む電極層３と、配向膜４と、素子製造用の液晶組成物を含む液晶層５と、配向膜４と、カラーフィルター６と、第二の基板７と、第二の偏光板８と、が順次積層された構成である。

第一の基板２と第二の基板７はガラス又はプラスチックの如き柔軟性をもつ透明な材料を用いることができ、一方はシリコン等の不透明な材料でも良い。２枚の基板２、７は、周辺領域に配置されたエポキシ系熱硬化性組成物等のシール材及び封止材によって貼り合わされていて、その間には基板間距離を保持するために、例えば、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子等の粒状スペーサーまたはフォトリソグラフィ法により形成された樹脂からなるスペーサー柱が配置されていてもよい。

図２は、図１における基板２上に形成された電極層３のＩＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図である。図３は、図２におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した断面図である。図２に示すように、第一の基板２の表面に形成されている薄膜トランジスタを含む電極層３は、走査信号を供給するための複数のゲート配線２４と表示信号を供給するための複数のデータ配線２５とが、互いに交差してマトリクス状に配置されている。なお、図２には、一対のゲート配線２４及び一対のデータ配線２５のみが示されている。

複数のゲート配線２４と複数のデータ配線２５とにより囲まれた領域により、液晶表示装置の単位画素が形成され、該単位画素内には、画素電極２１及び共通電極２２が形成されている。ゲート配線２４とデータ配線２５が互いに交差している交差部近傍には、ソース電極２７、ドレイン電極２６およびゲート電極２８を含む薄膜トランジスタが設けられている。この薄膜トランジスタは、画素電極２１に表示信号を供給するスイッチ素子として、画素電極２１と連結している。また、ゲート配線２４と並行して、共通ライン（図示せず）が設けられる。この共通ラインは、共通電極２２に共通信号を供給するために、共通電極２２と連結している。

薄膜トランジスタの構造の好適な一態様は、例えば、図３で示すように、基板２表面に形成されたゲート電極１１と、当該ゲート電極１１を覆い、且つ前記基板２の略全面を覆うように設けられたゲート絶縁層１２と、前記ゲート電極１１と対向するよう前記ゲート絶縁層１２の表面に形成された半導体層１３と、前記半導体層１３の表面の一部を覆うように設けられた保護層１４と、前記保護層１４および前記半導体層１３の一方の側端部を覆い、かつ前記基板２表面に形成された前記ゲート絶縁層１２と接触するように設けられたドレイン電極１６と、前記保護層１４および前記半導体層１３の他方の側端部を覆い、かつ前記基板２表面に形成された前記ゲート絶縁層１２と接触するように設けられたソース電極１７と、前記ドレイン電極１６および前記ソース電極１７を覆うように設けられた絶縁保護層１８と、を有している。ゲート電極１１の表面にゲート電極との段差を無くす等の理由により陽極酸化被膜（図示せず）を形成してもよい。

前記半導体層１３には、アモルファスシリコン、多結晶ポリシリコンなどを用いることができるが、ＺｎＯ、ＩＧＺＯ（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）、ＩＴＯ等の透明半導体膜を用いると、光吸収に起因する光キャリアの弊害を抑制でき、素子の開口率を増大する観点からも好ましい。

さらに、ショットキー障壁の幅や高さを低減する目的で半導体層１３とドレイン電極１６またはソース電極１７との間にオーミック接触層１５を設けても良い。オーミック接触層には、ｎ型アモルファスシリコンやｎ型多結晶ポリシリコン等のリン等の不純物を高濃度に添加した材料を用いることができる。

ゲート配線２６やデータ配線２５、共通ライン２９は金属膜であることが好ましく、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ又はその合金がより好ましく、Ａｌ又はその合金の配線を用いる場合が特に好ましい。また、絶縁保護層１８は、絶縁機能を有する層であり、窒化ケイ素、二酸化ケイ素、ケイ素酸窒化膜等で形成される。

図２及び図３に示す実施の形態では、共通電極２２はゲート絶縁層１２上のほぼ全面に形成された平板状の電極であり、一方、画素電極２１は共通電極２２を覆う絶縁保護層１８上に形成された櫛形の電極である。すなわち、共通電極２２は画素電極２１よりも第一の基板２に近い位置に配置され、これらの電極は絶縁保護層１８を介して互いに重なりあって配置される。画素電極２１と共通電極２２は、例えば、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＴｉｎＯｘｉｄｅ）等の透明導電性材料により形成される。画素電極２１と共通電極２２が透明導電性材料により形成されるため、単位画素面積で開口される面積が大きくなり、開口率及び透過率が増加する。

また、画素電極２１と共通電極２２とは、これらの電極間にフリンジ電界を形成するために、画素電極２１と共通電極２２との間の電極間距離（最小離間距離とも称する）：Ｒが、第一の基板２と第二の基板７との距離：Ｇより小さくなるように形成される。ここで、電極間距離：Ｒは各電極間の基板に水平方向の距離を表す。図３では、平板状の共通電極２２と櫛形の画素電極２１とが重なり合っているため、電極間距離：Ｒ＝０となる例が示されており、最小離間距離：Ｒが第一の基板２と第二の基板７との距離（すなわち、セルギャップ）：Ｇよりも小さくなるため、フリンジの電界Ｅが形成される。したがって、ＦＦＳ型の液晶表示素子は、画素電極２１の櫛形を形成するラインに対して垂直な方向に形成される水平方向の電界と、放物線状の電界を利用することができる。画素電極２１の櫛状部分の電極幅：ｌ、及び、画素電極２１の櫛状部分の間隙の幅：ｍは、発生する電界により液晶層５内の液晶分子が全て駆動され得る程度の幅に形成することが好ましい。また、画素電極と共通電極との最小離間距離Ｒは、ゲート絶縁層１２の（平均）膜厚として調整することができる。また、本発明に係る液晶表示素子は、図３とは異なり、画素電極２１と共通電極２２との間の電極間距離（最小離間距離とも称する）：Ｒが、第一の基板２と第二の基板７との距離：Ｇより大きくなるように形成されてもよい（ＩＰＳ方式）。この場合、例えば、櫛状の画素電極および櫛状の共通電極が略同一面内に交互になるよう設けられる構成など挙げられる。

本発明に係る液晶表示素子の好ましい一形態は、フリンジ電界を利用するＦＦＳ方式の液晶表示素子であることが好ましく、共通電極２２と画素電極２１との隣接する最短離間距離ｄが、配向膜４同士（基板間距離）の最短離間距離Ｄより短いと、共通電極と画素電極との間にフリンジ電界が形成され、液晶分子の水平方向および垂直方向の配向を効率的に利用することができる。本発明のＦＦＳ方式液晶表示素子の場合、長軸方向が、配向層の配向方向と平行になるように配置している液晶分子に電圧を印加すると、画素電極２１と共通電極２２との間に放物線形の電界の等電位線が画素電極２１と共通電極２２の上部にまで形成され、液晶層５内の液晶分子の長軸が形成された電界に沿って配列する。したがって、低い誘電異方性でも液晶分子が駆動することができる。

本発明に係るカラーフィルター６は、光の漏れを防止する観点で、薄膜トランジスタおよびストレイジキャパシタ２３に対応する部分にブラックマトリックス（図示せず）を形成することが好ましい。また、カラーフィルター６は、通常Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の３つフィルター画素から映像や画像の１ドットからなり、例えば、これら３つのフィルターはゲート配線の延びる方向に並んでいる。当該カラーフィルター６は、例えば、顔料分散法、印刷法、電着法又は、染色法等によって作製することができる。顔料分散法によるカラーフィルターの作製方法を一例に説明すると、カラーフィルター用の硬化性着色組成物を、該透明基板上に塗布し、パターニング処理を施し、そして加熱又は光照射により硬化させる。この工程を、赤、緑、青の３色についてそれぞれ行うことで、カラーフィルター用の画素部を作製することができる。その他、該基板上に、ＴＦＴ、薄膜ダイオード等の能動素子を設けた画素電極を設置したいわゆるカラーフィルターオンアレイでもよい。

電極層３及びカラーフィルター６上には、液晶層５を構成する素子製造用の液晶組成物と直接当接してホモジニアス配向を誘起する一対の配向膜４が設けられている。

また、偏光板１及び偏光板８は、各偏光板の偏光軸を調整して視野角やコントラストが良好になるように調整することができ、それらの透過軸がノーマリーブラックモードで作動するように、互いに直行する透過軸を有することが好ましい。特に、偏光板１及び偏光板８のうちいずれかは、液晶分子の配向方向と平行な透過軸を有するように配置することが好ましい。また、コントラストが最大になるように液晶の屈折率異方性Δｎとセル厚ｄとの積を調整することが好ましい。更に、視野角を広げるための位相差フィルムも使用することもできる。

また、他の液晶表示素子の実施形態として、ＩＰＳ方式の場合は、近接する共通電極と画素電極との最短離間距離ｄが液晶配向膜間の最短離間距離Ｇより長い条件であり、例えば、共通電極と画素電極とが同一基板上に形成され、かつ当該共通電極と当該画素電極とが交互に配置されている場合であって、近接する共通電極と画素電極との最短離間距離ｄが液晶配向膜間の最短離間距離Ｇより長い構造などが挙げられる。

本発明に係る液晶表示素子の製造方法において、電極層を有する基板および／または基板表面に被膜を形成した後、当該被膜が内側となるように一対の基板を離間して対向させた後、液晶組成物を基板間に充填することが好ましい。その際、スペーサーを介して、基板の間隔を調整することが好ましい。

前記基板間の距離（得られる液晶層の平均厚さであり、被膜間の離間距離とも称する。）は、１〜１００μｍとなるように調整するのが好ましい。前記被膜間の平均離間距離は、１．５〜１０μｍが更に好ましい。

本発明において、基板間の距離を調整するために使用するスペーサーとしては、例えば、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子、フォトレジスト材料などからなる柱状スペーサー等が挙げられる。

図１〜図３を用いて説明したＦＦＳ型の液晶表示素子は一例であって、本発明の技術的思想から逸脱しない限りにおいて、他の様々な形態で実施することが可能である。

本発明に係る液晶表示素子の他の実施形態を図４および図５を用いて以下説明する。
例えば、図４は、図１における基板２上に形成された電極層３のＩＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図の他の実施形態である。図４に示すように、画素電極２１がスリットを有する構成としてもよい。また、スリットのパターンを、ゲート配線２４又はデータ配線２５に対して傾斜角を持つようにして形成してもよい。

当該図４に示す画素電極２１は、略長方形の平板体の電極を略矩形枠状の切欠き部でくり抜かれた形状である。また、当該画素電極２１の背面には絶縁保護層１８（図示せず）を介して櫛歯状の共通電極２２が一面に形成されている。そして、隣接する共通電極と画素電極との最短離間距離Ｒは配向層同士の最短離間距離Ｇより短い場合はＦＦＳ方式になり、長い場合はＩＰＳ方式になる。また、前記画素電極の表面には保護絶縁膜及び配向膜層によって被覆されていることが好ましい。なお、上記と同様に、前記複数のゲート配線２４と複数のデータ配線２５とに囲まれた領域にはデータ配線２５を介して供給される表示信号を保存するストレイジキャパシタ２３を設けてもよい。なお、切欠き部の形状は特に制限されるものではなく、図４で示す略矩形だけでなく、楕円、円形、長方形状、菱形、三角形、または平行四辺形など公知の形状の切欠き部を使用できる。また、隣接する共通電極と画素電極との最短離間距離Ｒが配向層同士の最短離間距離Ｇより長い場合はＩＰＳ方式の表示素子になる。

図５は、図３とは別の実施形態であり、図２におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した断面図の他の例である。配向層４および薄膜トランジスタを含む電極層３が表面に形成された第一の基板２と、配向層４が表面に形成された第二の基板８とが所定の間隔Ｄで配向層同士向かい合うよう離間しており、この空間に液晶組成物を含む液晶層５が充填されている。第一の基板２の表面の一部にゲート絶縁層１２、共通電極２２、絶縁保護層１８、画素電極２１および配向層４の順で積層されている。また、図４にも示すように、画素電極２１は、平板体の中央部および両端部が三角形状の切欠き部でくり抜かれ、さらに残る領域を長方形状の切欠き部でくり抜かれた形状であり、かつ共通電極２２は前記画素電極２１の略楕円形状の切欠き部と略平行に櫛歯状の共通電極が前記画素電極より第一の基板側に配置されてなる構造である。

図５に示す例では、櫛形あるいはスリットを有する共通電極２２を用いており、画素電極２１と共通電極２２との電極間距離はＲ＝αとなる（なお、図５では便宜上電極間距離の水平成分をＲとして記載している）。さらに、図３では共通電極２２がゲート絶縁層１２上に形成されている例が示されていたが、図５に示されるように、共通電極２２を第一の基板２上に形成して、ゲート絶縁層１２を介して画素電極２１を設けるようにしてもよい。画素電極２１の電極幅：ｌ、共通電極２２の電極幅：ｎ、及び、電極間距離：Ｒは、発生する電界により液晶層５内の液晶分子が全て駆動され得る程度の幅に適宜調整することが好ましい。隣接する共通電極と画素電極との最短離間距離Ｒは配向層同士の最短離間距離Ｇより短い場合はＦＦＳ方式になり、長い場合はＩＰＳ方式になる。さらに、図５では画素電極２１と共通電極２２の厚み方向の位置が異なるが、両電極の厚み方向における位置を同一にしてもまたは共通電極が液晶層５側に設けてもよい。

（垂直電界型）
本発明の好ましい他の実施形態は、液晶組成物を用いた垂直電界型の液晶表示素子である。図６は、垂直電界型の液晶表示素子の構成を模式的に示す図である。また、図７では、説明のために便宜上各構成要素を離間して記載している。図７は、当該図６における基板上に形成された薄膜トランジスタを含む電極層３００（または薄膜トランジスタ層３００とも称する。）のＶＩＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図である。図８は、図７におけるＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線方向に図６に示す液晶表示素子を切断した断面図である。以下、図６〜９を参照して、本発明に係る垂直電界型の液晶表示素子を説明する。

本発明に係る液晶表示素子１０００の構成は、図６に記載するように透明導電性材料からなる透明電極（層）６００（または共通電極６００とも称する。）を具備した第二の基板８００と、透明導電性材料からなる画素電極および各画素に具備した前記画素電極を制御する薄膜トランジスタを形成した薄膜トランジスタ層３００を含む第一の基板２００と、前記第一の基板２００と第二の基板８００との間に挟持された素子製造用の液晶組成物（または液晶層５００）を有し、該素子製造用の液晶組成物に係る中の液晶分子の電圧無印加時の配向が前記基板２００，８００に対して略垂直である液晶表示素子である。また図６および図８に示すように、前記第二の基板８００および前記第一の基板２００は、一対の偏光板１００，９００により挟持されてもよい。さらに、図６では、前記第一の基板２００と共通電極６００との間にカラーフィルター７００が設けられている。またさらに、本発明に係る液晶層５００と隣接し、かつ当該液晶層５００を構成する素子製造用の液晶組成物と直接接するよう一対の配向膜４００が透明電極（層）６００，１４００表面に形成されている。
すなわち、本発明に係る液晶表示素子１０００は、第一の偏光板１００と、第一の基板２００と、薄膜トランジスタを含む電極層（又は薄膜トランジスタ層とも称する）３００と、光配向膜４００と、液晶組成物を含む層５００と、配向膜４００と、共通電極６００と、カラーフィルター７００と、第二の基板８００と、第二の偏光板９００と、が順次積層された構成である。尚、配向膜４００は光配向膜であることが好ましい。

配向膜は、配向処理（マスクラビングあるいは光配向）を用いて製造された液晶セルで、液晶セルの透明電極の内側（液晶層側）には、ガラス基板の法線方向から僅かに傾いた（０．１〜５．０°）垂直配向膜が形成されている。

垂直配向膜の配向規制力を受け重合性モノマーが垂直方向に配列し、紫外線光照射によって重合性モノマーを重合・固定化させてポリマーネットワークを形成する。このようにして形成されたポリマーネットワークは、（１）上下基板にまたがってポリマーネットワークを形成、（２）上（下）基板から液晶方向に向かってポリマーネットワークを形成するが途中までのもの、（３）配向膜の表面近傍のみポリマーネットワークを形成。（主に単官能モノマーの場合）、（４）液晶層内でポリマーネットワーク同士が結合（Ｆｌｏａｔｉｎｇはしていない）の、およそ４種類の構造を有するものと推定される。これらの形態は、何れも、ポリマーネットワークの屈折率異方性、又は配向容易軸は、閾値電圧以上の配向状態を安定化させるように形成されたものと、閾値電圧以下の配向状態を安定化させるように形成された二種類の異なる配向状態を安定化させるポリマーネットワークが混在している。
この様にして形成された異方性を有するポリマーポリマネットワークは、液晶層とはほぼ完全に分離しており、これら高分子ネットワークの間に液晶分子は配向配列しているものと考えられる。液晶分子と高分子ネットワークが混在し、電圧無印加時に光散乱を起こす所謂ポリマーネットワーク型液晶の分子配列構造とは明らかに異なり、またＰＳＡ等で用いられる配向膜近傍に偏在する配向維持層のそれとも全く異なる構造を有するものである。
例示として、配向膜を用いた方法によるポリマーネットワークと液晶分子配列構造を示した。一方、リブやスリット等の構造物を有する所謂ＭＶＡ方式や、ＰＶＡ等においても、基板界面近傍のポリマーネットワークや液晶分子のプレチルトが、構造物やスリットを介して印加される斜め電界強度などによってやや異なるだけであり、本質的には、上図のような構造を有するものと推定される。
この様なポリマーネットワークと液晶分子による液晶分子配列を有するＶＡ型液晶表示装置では、電圧無印加時の液晶分子に対するアンカーリング力が、液晶配向膜とポリマーネットワークの持つアンカーリング力の相乗作用により、より強く作用する事となって、結果的に電圧ＯＦＦ時の応答速度を速くすることが可能となる。
（横・斜め電界型）
配向膜に対してマスクラビングやマスク照射等の煩雑な工程を行なわず、電極構造を工夫するだけの簡便な手法で液晶表示領域を配向分割できる新たな表示技術として、斜め電界と横電界を液晶層に作用させる方法が提案されている。

図１３は、上記技術を用いたＴＦＴ液晶表示素子の一画素ＰＸにおける最小の単位構成体を概略的に示す平面図である。以下に、横・斜め電界モード液晶表示装置の構造及び動作について、簡単に説明する。
画素電極ＰＥは、主画素電極ＰＡ及び副画素電極ＰＢを有している。これらの主画素電極ＰＡ及び副画素電極ＰＢは、互いに電気的に接続されており、これらの主画素電極ＰＡ及び副画素電極ＰＢがともにアレイ基板ＡＲに備えられている。主画素電極ＰＡは、第２方向Ｙに沿って延出しており、副画素電極ＰＢは、第２方向Ｙとは異なる第１方向Ｘに沿って延出している。図示した例では、画素電極ＰＥは、略十字状に形成されている。副画素電極ＰＢは、主画素電極ＰＡの略中央部に結合し、主画素電極ＰＡからその両側、即ち画素ＰＸの左側及び右側に向かって延出している。これらの主画素電極ＰＡ及び副画素電極ＰＢは、互いに略直交している。画素電極ＰＥは、画素電極ＰＢにおいて図示を省略したスイッチング素子と電気的に接続されている。

共通電極ＣＥは、主共通電極ＣＡ及び副共通電極ＣＢを有しており、これらの主共通電極ＣＡ及び副共通電極ＣＢは、互いに電気的に接続されている。共通電極ＣＥは、画素電極ＰＥとは電気的に絶縁されている。共通電極ＣＥにおいて、主共通電極ＣＡ及び副共通電極ＣＢの少なくとも一部は、対向基板ＣＴに備えられている。主共通電極ＣＡは、第２方向Ｙに沿って延出している。この主共通電極ＣＡは、主画素電極ＰＡを挟んだ両側に配置されている。このとき、Ｘ−Ｙ平面内において、主共通電極ＣＡのいずれも主画素電極ＰＡとは重ならず、主共通電極ＣＡのそれぞれと主画素電極ＰＡとの間には略等しい間隔が形成されている。つまり、主画素電極ＰＡは、隣接する主共通電極ＣＡの略中間に位置している。副共通電極ＣＢは、第１方向Ｘに沿って延出している。副共通電極ＣＢは、副画素電極ＰＢを挟んだ両側に配置されている。このとき、Ｘ−Ｙ平面内において、副共通電極ＣＢのいずれも副画素電極ＰＢとは重ならず、副共通電極ＣＢのそれぞれと副画素電極ＰＢとの間には略等しい間隔が形成されている。つまり、副画素電極ＰＢは、隣接する副共通電極ＣＢの略中間に位置している。

図示した例では、主共通電極ＣＡは、第２方向Ｙに沿って直線的に延出した帯状に形成されている。副共通電極ＣＢは、第１方向Ｘに沿って直線的に延出した帯状に形成されている。なお、主共通電極ＣＡは第１方向Ｘに沿って間隔をおいて２本平行に並んでおり、以下では、これらを区別するために、図中の左側の主共通電極をＣＡＬと称し、図中の右側の主共通電極をＣＡＲと称する。また、副共通電極ＣＢは第２方向Ｙに沿って間隔をおいて２本平行に並んでおり、以下では、これらを区別するために、図中の上側の主共通電極をＣＢＵと称し、図中の下側の主共通電極をＣＢＢと称する。主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲは、副共通電極ＣＢＵ及び副共通電極ＣＢＢと同電位である。図示した例では、主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲは、副共通電極ＣＢＵ及び副共通電極ＣＢＢとそれぞれ繋がっている。

主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲは、それぞれ当該画素ＰＸと左右に隣接する画素間に配置されている。すなわち、主共通電極ＣＡＬは図示した当該画素ＰＸとその左側の画素（図示せず）との境界に跨って配置され、主共通電極ＣＡＲは図示した当該画素ＰＸとその右側の画素（図示せず）との境界に跨って配置されている。副共通電極ＣＢＵ及び主共通電極ＣＢＢは、それぞれ当該画素ＰＸと上下に隣接する画素間に配置されている。すなわち、副共通電極ＣＢＵは図示した当該画素ＰＸとその上側の画素（図示せず）との境界に跨って配置され、副共通電極ＣＢＢは図示した当該画素ＰＸとその下側の画素（図示せず）との境界に跨って配置されている。

図示した例では、一画素ＰＸにおいて、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとで区画された４つの領域が主として表示に寄与する開口部あるいは透過部として形成される。この例では、液晶分子ＬＭの初期配向方向は、第２方向Ｙと略平行な方向である。第１配向膜ＡＬ１は、アレイ基板ＡＲの対向基板ＣＴと対向する面に配置され、アクティブエリアＡＣＴの略全体に亘って延在している。この第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥを覆っており、第２層間絶縁膜１３の上にも配置されている。このような第１配向膜ＡＬ１は、水平配向性を示す材料によって形成されている。なお、アレイ基板ＡＲは、さらに、共通電極の一部として第１主共通電極及び第１副共通電極を備えている場合もある。

図１４は、８分割斜め電界モード液晶セルの電極構造の模式図である。この様に１画素を８つに分割することで更なる広視野角化を実現できる。

次に、上記構成の液晶表示パネルの動作について説明する。液晶層に電圧が印加されていない状態、つまり画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されていない無電界時（ＯＦＦ時）には、図１３において破線で示したように液晶層ＬＱの液晶分子ＬＭは、その長軸が第１配向膜ＡＬ１の第１配向処理方向ＰＤ１及び第２配向膜ＡＬ２の第２配向処理方向ＰＤ２を向くように配向している。このようなＯＦＦ時が初期配向状態に相当し、ＯＦＦ時の液晶分子ＬＭの配向方向が初期配向方向に相当する。厳密には、液晶分子ＬＭは、Ｘ−Ｙ平面に平行に配向しているとは限らず、プレチルトしている場合が多い。このため、液晶分子ＬＭの厳密な初期配向方向とは、ＯＦＦ時の液晶分子ＬＭの配向方向をＸ−Ｙ平面に正射影した方向である。

第１配向処理方向ＰＤ１及び第２配向処理方向ＰＤ２は、ともに第２方向Ｙと略平行な方向である。ＯＦＦ時においては、液晶分子ＬＭは、図１３に破線で示したように、その長軸が第２方向Ｙと略平行な方向を向くように初期配向する。つまり、液晶分子ＬＭの初期配向方向は、第２方向Ｙと平行（あるいは、第２方向Ｙに対して０°）である。

図示した例のように、第１配向処理方向ＰＤ１及び第２配向処理方向ＰＤ２が平行且つ同じ向きである場合、液晶層ＬＱの断面において液晶分子ＬＭは、液晶層ＬＱの中間部付近で略水平（プレティルト角が略ゼロ）に配向し、ここを境界として第１配向膜ＡＬ１の近傍及び第２配向膜ＡＬ２の近傍において対称となるようなプレチルト角を持って配向する（スプレイ配向）。このように液晶分子ＬＭがスプレイ配向している状態では、基板の法線方向から傾いた方向においても第１配向膜ＡＬ１の近傍の液晶分子ＬＭと第２配向膜ＡＬ２の近傍の液晶分子ＬＭとにより光学的に補償される。したがって、第１配向処理方向ＰＤ１及び第２配向処理方向ＰＤ２が互いに平行、且つ、同じ向きである場合には、黒表示の場合に光漏れが少なく、高コントラスト比を実現することができ、表示品位を向上することが可能となる。なお、第１配向処理方向ＰＤ１及び第２配向処理方向ＰＤ２が互いに平行且つ逆向きである場合、液晶層ＬＱの断面において、液晶分子ＬＭは、第１配向膜ＡＬ１の近傍、第２配向膜ＡＬ２の近傍、及び、液晶層ＬＱの中間部において略均一なプレチルト角を持って配向する（ホモジニアス配向）。バックライト４からのバックライト光の一部は、第１偏光板ＰＬ１を透過し、液晶表示パネルＬＰＮに入射する。液晶表示パネルＬＰＮに入射した光は、第１偏光板ＰＬ１の第１偏光軸ＡＸ１と直交する直線偏光である。このような直線偏光の偏光状態は、ＯＦＦ時の液晶表示パネルＬＰＮを通過した際にほとんど変化しない。このため、液晶表示パネルＬＰＮを透過した直線偏光は、第１偏光板ＰＬ１に対してクロスニコルの位置関係にある第２偏光板ＰＬ２によって吸収される（黒表示）。

一方、液晶層ＬＱに電圧が印加された状態、つまり、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電位差が形成された状態（ＯＮ時）では、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に基板と略平行な横電界（あるいは斜め電界）が形成される。液晶分子ＬＭは、電界の影響を受け、その長軸が図中の実線で示したようにＸ−Ｙ平面と略平行な平面内で回転する。

図１３に示した例では、画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡＬとの間の領域のうち、下側半分の領域内の液晶分子ＬＭは、第２方向Ｙに対して時計回りに回転し図中の左下を向くように配向し、また、上側半分の領域内の液晶分子ＬＭは、第２方向Ｙに対して反時計回りに回転し図中の左上を向くように配向する。画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡＲとの間の領域のうち、下側半分の領域内の液晶分子ＬＭは、第２方向Ｙに対して反時計回りに回転し図中の右下を向くように配向し、上側半分の領域内の液晶分子ＬＭは、第２方向Ｙに対して時計回りに回転し図中の右上を向くように配向する。このように、各画素ＰＸにおいて、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成された状態では、液晶分子ＬＭの配向方向は、画素電極ＰＥと重なる位置を境界として複数の方向に分かれ、それぞれの配向方向でドメインを形成する。つまり、一画素ＰＸには複数ドメインが形成される。

このようなＯＮ時には、第１偏光板ＰＬ１の第１偏光軸ＡＸ１と直交する直線偏光は、液晶表示パネルＬＰＮに入射し、その偏光状態は、液晶層ＬＱを通過する際に液晶分子ＬＭの配向状態に応じて変化する。このようなＯＮ時においては、液晶層ＬＱを通過した少なくとも一部の光は、第２偏光板ＰＬ２を透過する（白表示）。このような構造によれば、一画素内に４つのドメインを形成することが可能となるため、４方向での視野角を光学的に補償することができ、広視野角化が可能となる。したがって、階調反転がなく、高い透過率の表示を実現することができ、表示品位の良好な液晶表示装置を提供することが可能となる。また、一画素内において、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとで区画される４つの領域それぞれについて開口部の面積を略同一に設定することにより、各領域の透過率が略同等となり、それぞれの開口部を透過した光が互いに光学的に補償し合い、広い視野角範囲に亘って均一な表示を実現することが可能となる。
（フィッシュボーン型電極）
図１５に記載のフィッシュボーン型電極構造を示す。所定のセルギャップで対向して貼り合わされた２枚のガラス基板間に液晶層が封止されている。対向する２枚の基板の対向面にはそれぞれＩＴＯからなる透明電極が形成されている。０．７ｍｍ程度の厚さのガラス基板を用い、対向基板には、共通電極をする。透明電極には電極材料（ＩＴＯ）の一部を抜いたスリット部５１２ｃが設けられている。長方形のセルの各対向辺の中点を結ぶ十字状で幅３〜５μｍ程度のスリット部５１２ｃが配向規制用構造物として機能し、スリット部５１２ｃから斜め４５°方向に延びて幅５μｍのスリット部５１２ｃがピッチ８μｍで複数形成されており、これらが傾斜時の方位角方向の乱れを抑える補助的な配向制御因子として機能する。表示用画素電極の幅は３μｍである。画素幹部電極５１２ａと画素枝部電極５１２ｂは４５度の角度を有しながら、画素中央を対称中心として９０度ずつ異なる４方向に枝部電極が延在された構造を有している。液晶分子は電圧印加により傾斜配向するが、傾斜配向の方位がこれらの４方向と一致しするように傾斜配向するので、４分割されたドメインを一つの画素内に形成させて表示の視野角を広くする。

以下に実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「質量％」は『質量％』を意味する。

各実施例および比較例中の評価特性の各々は以下の記号および内容を意味する。
Ｔ０：印加電圧ゼロのときの光透過率［％］，散乱の大きさを示し、値が小さいほど散乱が大きい。
Ｔ１００：印加電圧を増大させていき光透過率がほとんど変化しなくなったときの光透過率［質量％］
Ｖ１０：同上のＴ１００とＴ０差を光透過率全変化量として、光透過率全変化量の１０％となるときの印加電圧［Ｖ］
Ｖ９０：同上のＴ１００とＴ０差を光透過率全変化量として、光透過率全変化量の光透過率が９０％となるときの印加電圧［Ｖ］

［実施例１］
（重合性液晶組成物の調整）
Ｎ型液晶組成物として下記（ＬＣＮ−１）で示される組成物（Δｎ０．１０２、粘性η１６．８、Δε−３．８）を調製した。Ｎ型液晶組成物（ＬＣＮ−１）を６０℃に加熱し、固形の重合性化合物（Ｖ１−１−１）を混合し溶解させた。室温で重合性化合物（Ｖ１−１−１）が均一に溶解してネマチック液晶相を示していることを偏光顕微鏡で確認した。この溶液に重合光開始剤（Ｉ−１）を混合して重合性液晶組成物を調製した。

(液晶表示素子の作成及び電気光学特性の評価)
液晶の一軸配向（ホモジニアス配向）が得られるように、セルギャップ３．６μｍのポリイミド垂直配向膜を塗布した垂直配向膜にプレチルト角が３度になるようにラビング配向処理を施した。対向する二枚の基板ラビング処理の向きは、反対になるように配置（アンチパラレル配向）した。得られた実施例１〜３及び比較例１〜２で得られた重合性液晶組成物を真空注入法によりセル内に注入し、注入後、注入口を封口剤３０２６Ｂ（スリーボンド社製）で封止した。波長３６５ｎｍの紫外線ＬＥＤの光源を用いて照射強度が２０ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線を１５秒〜１００秒間の照射時間を変えて液晶表示素子を作製した後、電気光学特性を測定した。

測定は、セルに電圧を印加して明視野が一番明るくなるようにスリット方向をクロスニコル偏光板の２つの偏光軸の何れかに対して４５度に配置して偏光顕微鏡でセルの液晶配向状態を観察した。電圧を印加しない状態は、暗視野で完全に略垂直配向状態でノーマリブラックであることが確認された。電圧を徐々に上げて印加するとスリットの部分は垂直配向からラビング処理方向へ傾斜配向方位が揃うように傾斜配向が変化して明さが増していくことを確認した。このセルで、液晶の傾斜配向方位を確認するため、７．５Ｖの電圧を印加して傾斜配向になった状態で透過率が最小になるようにスリット方向をクロスニコル偏光板の２つの偏光軸の何れかに対して平行になるように合わせると、ラビング配向方向と一致していることが確認された。

６０Ｈｚの矩形波を印加して電圧―透過率特性と応答時間を測定した。最大透過率をT100、駆動電圧をV90、立ち上がり応答時間をTon、立下り応答時間をToffとして、各特性を表２に纏めて記した。

［比較例１］
セルは、実施例１と同様の仕様を用いて表１の比較例１の組成物をセルに注入した。用いた組成は、光重合性開始剤以外は実施例１と同組成とした。比較例１の光重合性開始剤は、Ｉｒｇａｃｕｒｅ６５１を用いた。比較例１−１から比較例１−5は、紫外線露光時間以外は同一条件、同一重合性液晶組成物で作製されている。照射終了後にポリマーネットワークを形成したセルに９Ｖの電圧を印加して液晶を傾斜配向させ、偏光顕微鏡観察で偏光方向とラビング方向を合わせると暗視野になり傾斜配向の方位がラビング方向へ揃うことが確認された。又、電圧を印加しない状態は、暗視野で完全に略垂直配向状態でノーマリブラックであることが確認された。作製したセルの電圧―透過率特性と応答時間は、実施例１と同様の方法で測定した。最大透過率をT100、駆動電圧をV90、立ち上がり応答時間をTon、立下り応答時間をToffとして、各特性を表３に纏めて記した。

［比較例２］
実施例１と同様にして表１の比較例２の組成物をセルに注入した。光重合性開始剤は、（ＰＩ−１）を用い、反応速度が遅いためＵＶ露光時間を６００秒で作製した。ＵＶ露光時間を長くしてもＴｏｆｆが６．６ｍｓと長い。

［実施例２〜３］
光重合性開始剤は、（Ｉ−１）を用い、実施例１と同様にして表１の実施例２〜３の組成物をセルに注入した。

注入後ガラスセルを取り出し、注入口を封口剤３０２６Ｂ（スリーボンド社製）で封止した。波長３６５ｎｍの紫外線ＬＥＤの光源を用いて照射強度が２０ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線を、２５℃で６０秒間照射した。

紫外線照射完了後、ラビング方向がクロスニコル偏光板の何れかに対して斜め４５度になるように配置して偏光顕微鏡でセルの液晶配向状態を観察した。電圧を印加しない状態は、暗視野で完全に略垂直配向状態であることが確認された。電圧を徐々に上げて印加するとスリットの部分は垂直配向から傾斜配向へ変化して明さが増していくことを確認した。傾斜配向方位を確認するため、７．５Ｖの電圧を印加して傾斜配向状態にして透過率が最小になるようにスリット方向を偏光板方向に合わせた。傾斜配向方位がラビング配向処理方向と一致するように暗視野が観察された。実施例２、及び実施例３は、それぞれ立下り時間Ｔｏｆｆが２．９ｍｓ、及び２．８ｍｓと短く応答が速いことが示された。

実施例１−１から実施例１−４は、紫外線露光時間以外は同一条件、同一重合性液晶組成物で作製されている。紫外線露光時間と駆動電圧Ｖ９０との関係を図９に示し、紫外線露光時間と立ち下がり応答のＴｏｆｆとの関係を図１０に示した。Ｉｒｇａｃｕｒｅ６５１を用いた比較例１−１から比較例１−５と実施例１−１から実施例１−５を比較すると、実施例１−１から実施例１−5の駆動電圧Ｖ９０は、異なるＵＶ露光時間で作製されていても比較例１−１から比較例１−5に比べて全てＶ９０は低く低電圧駆動ができることが示されている。更に、立下りの応答時間Ｔｏｆｆは、通常、ポリマーネットワークのアンカーリング力が下がると駆動電圧Ｖ９０が下がりＴｏｆｆは長くなるが、比較例１−１から比較例１−４のＴｏｆｆに比べ短い。即ち、実施例１−１から実施例１−5は、Ｖ９０が低くなったのにも関わらずＴｏｆｆが短くなることが確認された。

更に、Ｖ９０とＴｏｆｆの関係をＬｏｇ−Ｌｏｇプロットで記すと図１１が得られる。これに、累乗の近似式でプロットすると図１２が得られる。
Ｖ９０とＴｏｆｆの関係は、比較例１に於いては、Ｒｖ＝６５で式
Ｔｏｆｆ＝Ｒｖ＊Ｖ９０^−１．３
で近似される。
一方、実施例１では、
Ｒｖ＝１２1でＴｏｆｆ＝Ｒｖ＊Ｖ９０^−１．８
で近似される。

Ｒｖは、Ｌｏｇ−ＬｏｇプロットのＶ９０＝１に於けるＴｏｆｆ軸切片を表す。

図１１、図１２中、ポリマーネットワークのアンカーリング力が強いと、近似直線上を高Ｖ９０側へ移動してＴｏｆｆが短くなる。２つの近似直線のうち左側に位置するものは、ポリマーネットワークのアンカーリング力が低くてもＴｏｆｆが短いことを示しており、実施例１−１〜１−5は、比較例１−１〜１−5に比べ同一Ｖ９０で比較するとＴｏｆｆが短くなっていることからポリマーネットワークのアンカーリング力低くなってもＴｏｆｆが短いことが確認された。

［実施例４−５］
誘電異方性がＰ型の液晶組成物として下記式（ＬＣＰ−１）で示される組成物（Δｎ０．１０９、粘性η２４ｍＰａ・ｓ、Ｖｔｈ１．６２Ｖｒｍｓ）を調製した。重合性化合物として下記式（Ｖ１−１−１）で示される化合物を用いた。

Ｐ型液晶組成物（ＬＣＰ−１）９８〜９７質量％、重合性化合物（Ｖ１−１−１）１．９６〜２．９４質量％、重合光開始剤（Ｉ−１）が重合性化合物（Ｖ１−１−１）に対して２質量％になる重合性液晶組成物を調製した。

液晶の一軸配向（ホモジニアス配向）が得られるように、セルギャップ３．６μｍのポリイミド配向膜を塗布したＩＴＯ付きパラレルラビング配向のセルを用いた。（ＬＣＰ−１）、（Ｖ１−１−１）、及び（Ｉ−１）が混合された重合性液晶組成物を６０℃に加熱して溶解させた後、真空注入法によりガラスセル内に注入した。

注入後ガラスセルを取り出し、注入口を封口剤３０２６Ｂ（スリーボンド社製）で封止した。波長３６５ｎｍの紫外線ＬＥＤの光源を用いて照射強度が２０ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線を、２５℃で９０秒間照射した。これにより重合性液晶組成物中の重合性化合物を重合させて、ＥＣＢモードの液晶表示素子を得た。
直交する二枚の偏光板の間に作製したセルをラビング処理方向と偏光軸方向が一致するように置くと暗視野になり一軸配向が得られていることを確認した。

作製したセルをノーマルホワイトになるように液晶の一軸配向方向が直交ニコルの偏光板の間に設置し、６０Ｈｚの矩形波を印加して電圧―透過率特性を測定した。［表４］に電圧―透過率特性を示した。［表４］に示すように、重合開始剤（Ｉ−１）を用いた実施例４、及び実施例５は、重合開始剤Ｉｒｇ．651を用いた比較例３、及び比較例４と比べ若干駆動電圧Ｖ１０が低くいにも関わらずＴｏｆｆが短いことが確認された。

［比較例３−４］
実施例４−５と同様の仕様のセルを用いて表３の比較例３、及び比較例４の組成物をセルに注入した。用いた組成は、光重合性開始剤以外はそれぞれ実施例４、実施例５と同組成とした。比較例３、及び比較例４の光重合性開始剤は、Ｉｒｇａｃｕｒｅ６５１を用いた。作製条件は、実施例４−５と同様にして作製して電圧−透過率特性、及びスイッチング応答時間を測定した。

１…偏光板、２…第一の透明絶縁基板、３…電極層、４…配向膜、４a…配向方向、５液晶層、５a…電圧無印加時の液晶分子、５b…電圧印加時の液晶分子、６…カラーフィルター、７…第二の透明絶縁基板、８…偏光板、９…連続又は不連続なポリマーネットワーク、１０…液晶表示素子、１１…ゲート電極、１２…ゲート絶縁層、１３…半導体層、１４…保護層、１５…オーミック接触層、１６…ドレイン電極、１７…ソース電極、１８…絶縁保護層、２１…画素電極、２２…共通電極、２３…ストレイジキャパシタ、２４…ゲート配線、２５…データ配線、２６…ドレイン電極、２７…ソース電極、２８…ゲート電極、２９…共通ライン、１００…偏光板、１１０…ゲート電極、１２０…ゲート絶縁層、１３０…半導体層、１４０…保護層、１６０…ドレイン電極、１９０ｂ…有機絶縁膜、２００…第一の基板、２１０…画素電極、２２０…ストレイジキャパシタ、２３０…ドレイン電極、２４０…データ配線、２５０…ゲート配線、２６０…ソース電極、２７０…ゲート電極、３００…薄膜トランジスタ層、４００…配向膜、５００…液晶層、５１０…液晶表示装置、５１２…画素電極、５１２a…画素幹部電極、５１２ｂ…画素枝部電極、５１２ｃ…画素スリット、５１６…走査配線、５１７…信号配線、６００…共通電極、７００…カラーフィルター、８００…第二の基板、９００…偏光板、１０００…液晶表示素子、１４００…透明電極（層）、ＰＸ…画素、ＰＥ…画素電極、ＰＡ…主画素電極、ＰＢ…副画素電極、ＣＥ…共通電極、ＣＡ…主共通電極、ＣＡＬ…左側主共通電極、ＣＡＲ…右側主共通電極、ＣＢ…副共通電極、ＣＢＵ…上側副共通電極、ＣＢＢ…下側副共通電極

Claims

ラジカル重合性単量体成分（Ａ）、液晶材料（Ｂ）、及びアルキルフェノン型光重合開始剤の分子構造中の芳香核の水素原子の任意の二か所以上が、炭素原子数１から１０のアルキル基（ｉ）、炭素原子数２〜１０のアルキル鎖中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−がそれぞれ独立して−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−によって置換された化学構造を有する有機基（ii）、または、前記アルキル基若しくは有機基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立的にフッ素原子又は塩素原子に置換されたハロゲン含有炭化水素基（iii）で置換された分子構造を有する重合開始剤（Ｃ）を必須成分とすることを特徴とする重合性液晶組成物。
前記重合開始剤（Ｃ）が、下記一般式（Ｉ）

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４，Ｒ^５，Ｒ^６，Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０は、それぞれ独立的に、水素原子、炭素原子数１から１０のアルキル基（ｉ）、炭素原子数２〜１０のアルキル鎖中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−がそれぞれ独立して−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−によって置換された化学構造を有する有機基（ii）、または前記アルキル基若しくは有機基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立的にフッ素原子又は塩素原子に置換されたハロゲン含有炭化水素基（iii）であり、Ａ^１、Ａ^２は、それぞれ炭素原子数１から５のアルキル基を表す。但し、Ｒ^１、Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４，Ｒ^５，Ｒ^６，Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０
の少なくとも２つが、前記アルキル基（ｉ）、前記有機基（ii）、又は前記ハロゲン含有炭化水素基（iii）である。）で表される重合開始剤（Ｃ）を必須成分とすることを特徴とする重合性液晶組成物。
前記ラジカル重合性単量体成分（Ａ）を重合性液晶組成物中、０．５質量％〜２０質量％の範囲である請求項１記載の重合性液晶組成物。
前記ラジカル重合性単量体成分（Ａ）が、メソゲン構造を有するものである請求項１記載の重合性液晶組成物。
前記ラジカル重合性単量体成分（Ａ）が下記一般式（Ｐ１）

（式中、Ｚ^ｐ１１は、フッ素原子、シアノ基、水素原子、水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい炭素原子数１〜１５のアルキル基、水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい炭素原子数１〜１５のアルコキシ基、水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい炭素原子数１〜１５のアルケニル基、水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい炭素原子数１〜１５のアルケニルオキシ基又は−Ｓｐ^ｐ１２−Ｒ^ｐ１２を表し、
Ｒ^ｐ１１およびＲ^ｐ１２はそれぞれ独立に以下の式（ＲＰ１１−１）から式（ＲＰ１１−４）

のいずれかを表し（式中、＊は結合点を示す）、前記式（ＲＰ１１−１）〜（ＲＰ１１−４）中、Ｒ^Ｐ１１１〜Ｒ^Ｐ１１２はお互いに独立して、水素原子、炭素原子数１〜５個のアルキル基であり、ｔ^Ｍ１１は０、１または２を表し、
Ｓｐ^ｐ１１およびＳｐ^ｐ１２は、それぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖もしくは分岐状アルキレン基、又は、この直鎖もしくは分岐状のアルキレン構造の炭素原子は酸素原子が隣接しない条件で酸素原子もしくはカルボニル基で置換された化学構造を有する構造部位を表し、
Ｌ^ｐ１１及びＬ^ｐ１２はそれぞれ独立して、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＯＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯ−ＮＲ^Ｐ１１３−、−ＮＲ^Ｐ１１３−ＣＯ−、−ＳＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｓ−、−ＣＨ＝ＣＲ^Ｐ１１３−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＲ^Ｐ１１３−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^Ｐ１１３＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^{ａＰ１１３}＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^Ｐ１１３＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^Ｐ１１３＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^Ｐ１１３＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^Ｐ１１３＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−（ＣＨ_２）_ｔｍ１２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−（ＣＨ_２）_ｔｍ１２−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−、−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−（ＣＨ_２）_ｔｍ１２−、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｔｍ１２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−ＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＨ＝Ｎ−又は−Ｃ＝Ｎ−Ｎ＝Ｃ−（式中、Ｒ^Ｐ１１３はそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、前記式中、ｔｍ１２は１〜４の整数を表す。）を表し、
Ｍ^ｐ１１、Ｍ^ｐ１２およびＭ^ｐ１３は、それぞれ独立に１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，２−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、１，３−シクロヘキシレン基、１，２−シクロヘキシレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，３−シクロヘキセニレン基、１，２−シクロヘキセニレン基、アントラセン−２，６−ジイル基、フェナントレン−２，７−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、ナフタレン−１，４−ジイル基、インダン−２，５−ジイル基、フルオレン−２，６−ジイル基、フルオレン−１，４−ジイル基、フェナントレン−２，７−ジイル基、アントラセン−２，６−ジイル基、アントラセン−１，４−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を表すが、
Ｍ^ｐ１１、Ｍ^ｐ１２およびＭ^ｐ１３はそれぞれ独立に無置換であるか又は炭素原子数１〜１２のアルキル基、炭素原子数１〜１２のハロゲン化アルキル基、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基、炭素原子数１〜１２のハロゲン化アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又は−Ｓｐ^ｐ１１−Ｒ^ｐ１１同じ意味の基で置換されていても良く、ｍｐ１２は１又は２を表し、ｍｐ１３〜ｍｐ１４はそれぞれ独立して、０、１、２又は３を表し、ｍｐ１１及びｍｐ１５はそれぞれ独立して１、２又は３を表すが、Ｚ^ｐ１１が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、Ｒ^ｐ１１が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、Ｒ^ｐ１２が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、Ｓｐ^ｐ１１が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、Ｓｐ^ｐ１２が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、Ｌ^ｐ１１が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、Ｌ^ｐ１２が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、Ｍ^ｐ１２が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、Ｍ^ｐ１３が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよい。）で表されるものである請求項４記載の重合性液晶組成物。
前記ラジカル重合性単量体成分（Ａ）が、下記一般式（Ｖ）

（式中、Ｘ^１及びＸ^２はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、Ｓｐ^１及びＳｐ^２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜１２のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−（式中、ｓは１〜１１の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）を表し、Ｕは炭素原子数２〜２０の直鎖状もしくは分岐状の多価脂肪族炭化水素基又は炭素原子数５〜３０の多価環状置換基を表すが、多価脂肪族炭化水素基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよく、炭素原子数５〜２０のアルキル基（基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよい。）又は環状置換基により置換されていてもよく、ｋは１〜５の整数を表す。式中の全ての１，４−フェニレン基は、任意の水素原子が−ＣＨ_３、−ＯＣＨ_３、フッ素原子、又はシアノ基に置換されていてもよい。）
または、下記一般式（ＶＩ）

（式中、Ｘ^３は、水素原子又はメチル基を表し、Ｓｐ^３は、単結合、炭素原子数１〜１２のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｔ−（式中、ｔは２〜１１の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）を表し、Ｖは炭素原子数２〜２０の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基又は炭素原子数５〜３０の多価環状置換基、炭素原子数２〜２０の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン構造中の酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換された構造部位、これらの化学構造は、該構造を構成する炭素原子上の水素原子が、炭素原子数５〜２０のアルキル基（基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよい。）又は環状置換基により置換されていてもよい。Ｗは水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜１５のアルキル基を表す。なお、式中の全ての１，４−フェニレン基は、任意の水素原子が−ＣＨ_３、−ＯＣＨ_３、フッ素原子、又はシアノ基に置換されていてもよい。）
で表されるものである請求項４記載の重合性液晶組成物。
前記ラジカル重合性単量体成分（Ａ）が、前記一般式（Ｖ）におけるＳｐ^１及びＳｐ^２が同一となる１種又は２種以上の化合物を用いる請求項６記載の重合性液晶組成物。
前記液晶材料（Ｂ）が、下記一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）、（Ｎ−３）及び（Ｎ−４）で表される化合物からなる群から選択され、かつ、誘電率の異方性が負である１種以上の化合物と、

（式中、Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ｒ^Ｎ２１、Ｒ^Ｎ２２、Ｒ^Ｎ３１、Ｒ^Ｎ３２、Ｒ^Ｎ４１及びＲ^Ｎ４２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基、又は炭素原子数２〜８のアルキル鎖中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−が、それぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換された化学構造を持つ構造部位、て炭素原子数１〜８のアルキル基、又は炭素原子数２〜８のアルキル鎖中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−が、それぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換された化学構造を持つ構造部位、
Ａ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２、Ａ^Ｎ２１、Ａ^Ｎ２２、Ａ^Ｎ３１、Ａ^Ｎ３２、Ａ^Ｎ４１及びＡ^Ｎ４２は、それぞれ独立して
（ａ）１，４−シクロヘキシレン基、
（ｂ）１，４−シクロヘキシレン構造中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が−Ｏ−に置き換えられた構造を有する２価の有機基
及び
（ｃ）１，４−フェニレン基
（ｄ）１，４−フェニレン構造中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝が−Ｎ＝に置き換えられた構造を有する２価の有機基、
（ｅ）ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基
（ｆ）ナフタレン−２，６−ジイル構造又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル構造中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられた構造を有する２価の有機基、及び
（ｇ）１，４−シクロヘキセニレン基
からなる群より選ばれる基を表し、
上記の基（ａ）、基（ｂ）、基（ｃ）、基（ｄ）、基（ｅ）、基（ｆ）、及び基（ｇ）は、それぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
Ｚ^Ｎ１１、Ｚ^Ｎ１２、Ｚ^Ｎ２１、Ｚ^Ｎ２２、Ｚ^Ｎ３１、Ｚ^Ｎ３２、Ｚ^Ｎ４１及びＺ^Ｎ４２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
Ｘ^Ｎ２１は水素原子又はフッ素原子を表し、
Ｔ^Ｎ３１は−ＣＨ_２−又は酸素原子を表し、
Ｘ^Ｎ４１は、酸素原子、窒素原子、又は−ＣＨ_２−を表し、
Ｙ^Ｎ４１は、単結合、又は−ＣＨ_２−を表し、
ｎ^Ｎ１１、ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１、ｎ^Ｎ２２、ｎ^Ｎ３１、ｎ^Ｎ３２、ｎ^Ｎ４１、及びｎ^Ｎ４２は、それぞれ独立して０〜３の整数を表すが、
ｎ^Ｎ１１＋ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１＋ｎ^Ｎ２２及びｎ^Ｎ３１＋ｎ^Ｎ３２はそれぞれ独立して１、２又は３であり、Ａ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２、Ａ^Ｎ２１、Ａ^Ｎ２２、Ａ^Ｎ３１、Ａ^Ｎ３２、Ｚ^Ｎ１１、Ｚ^Ｎ１２、Ｚ^Ｎ２１、Ｚ^Ｎ２２、Ｚ^Ｎ３１、及びＺ^Ｎ３２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、
ｎ^Ｎ４１＋ｎ^Ｎ４２は０〜３の整数を表すが、Ａ^４１及びＡ^Ｎ４２、Ｚ^Ｎ４１及びＺ^Ｎ４２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。）
一般式（Ｌ）で表され、かつ、誘電率異方性Δεの値が−２〜２の範囲である化合物

（式中、Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基、又は炭素原子数２〜８のアルキル鎖中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−がそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換された化学構造を有する有機基を表し、
ｎ^Ｌ１は０、１、２又は３を表し、
Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２及びＡ^Ｌ３はそれぞれ独立して
（ａ）１，４−シクロヘキシレン基
（ｂ）１，４−シクロヘキシレン構造中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が−Ｏ−に置き換えられた化学構造を有する２価の有機基、
（ｃ）１，４−フェニレン基
（ｄ）１，４−フェニレン構造中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝が−Ｎ＝に置き換えられた化学構造を有する２価の有機基、
（ｅ）ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基
（ｆ）ナフタレン−２，６−ジイル構造又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル構造中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられた構造を有する２価の有機基からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）、基（ｃ）、基（ｄ）、基（ｅ）、及び基（ｆ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
Ｚ^Ｌ１及びＺ^Ｌ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎ^Ｌ１が２又は３であってＡ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^Ｌ１が２又は３であってＺ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い）の少なくとも１種類を含有することを特徴とする請求項１記載の重合性液晶組成物。
前記液晶材料（Ｂ）が、下記一般式（Ｊ）で表される化合物であって、かつ、誘電率の異方性が正である１種以上の化合物と、

（式中、Ｒ^Ｊ１は炭素原子数１〜８のアルキル基、又は炭素原子数２〜８のアルキル鎖中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−が、それぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換された化学構造を持つ構造部位、
ｎ^Ｊ１は、０、１、２、３又は４を表し、
Ａ^Ｊ１、Ａ^Ｊ２及びＡ^Ｊ３はそれぞれ独立して、
（ａ）１，４−シクロヘキシレン基
（ｂ）１，４−シクロヘキシレン構造中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が−Ｏ−に置き換えられた化学構造を有する２価の有機基、
（ｃ）１，４−フェニレン基
（ｄ）１，４−フェニレン構造中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝が−Ｎ＝に置き換えられた化学構造を有する２価の有機基、
（ｅ）ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基
（ｆ）ナフタレン−２，６−ジイル構造又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル構造中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられた構造を有する２価の有機基からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）、基（ｃ）、基（ｄ）、基（ｅ）、及び基（ｆ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基で置換されていても良く、
Ｚ^Ｊ１及びＺ^Ｊ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎ^Ｊ１が２、３又は４であってＡ^Ｊ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^Ｊ１が２、３又は４であってＺ^Ｊ１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｘ^Ｊ１は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエチル基を表す。）
一般式（Ｌ）で表され、かつ、誘電率異方性Δεの値が−２〜２の範囲である化合物

（式中、Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基、又は炭素原子数２〜８のアルキル鎖中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−が、それぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換された化学構造を持つ構造部位、
ｎ^Ｌ１は０、１、２又は３を表し、
Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２及びＡ^Ｌ３はそれぞれ独立して
（ａ）１，４−シクロヘキシレン基
（ｂ）１，４−シクロヘキシレン構造中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が−Ｏ−に置き換えられた化学構造を有する２価の有機基、
（ｃ）１，４−フェニレン基
（ｄ）１，４−フェニレン構造中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝が−Ｎ＝に置き換えられた化学構造を有する２価の有機基、
（ｅ）ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基
（ｆ）ナフタレン−２，６−ジイル構造又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル構造中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられた構造を有する２価の有機基からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）、基（ｃ）、基（ｄ）、基（ｅ）、及び基（ｆ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
Ｚ^Ｌ１及びＺ^Ｌ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎ^Ｌ１が２又は３であってＡ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^Ｌ１が２又は３であってＺ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い）の少なくとも１種類を含有することを特徴とする請求項１記載の重合性液晶組成物。
少なくとも一方に電極を有する２枚の透明基板間に、ラジカル重合性単量体成分（Ａ）の重合体と液晶材料（Ｂ）とが挟持された液晶表示素子であって、前記液晶材料（Ｂ）が、請求項１〜９の何れか一つに記載の重合性液晶組成物の重合物であることを特徴とする液晶表示素子。
前記ラジカル重合性単量体成分（Ａ）の重合体が、液晶材料（Ｂ）中にポリマーネットワークを成形して存在しており、かつ、前記透明基板上に液晶組成物を配向させるための配向層を有する請求項１０記載の液晶表示素子。
前記ポリマーネットワークが一軸性の屈折率異方性を有し、ポリマーネットワークの光軸方向又は配向容易軸方向と液晶材料（Ｂ）の配向容易軸方向が同一方向である請求項１０記載の液晶表示素子。
透明基板に対して前記液晶材料（Ｂ）を構成する液晶分子が、基板法線方向に対して、０．１〜３０°のプレチルト角を成すように形成された請求項１０記載の液晶表示素子。
セル断面において、セル厚の０．５％以上の厚さのポリマーネットワーク層が形成されている請求項１０記載の液晶表示素子。
液晶表示素子のセル構造がＶＡモード、ＩＰＳモード、ＦＦＳモード、ＶＡ−ＴＮモード、ＴＮモード又はＥＣＢモードである請求項９記載の液晶表示素子の製造方法。
前記請求項１〜９の何れか一つに記載の重合性液晶組成物を、少なくとも一方に電極を有する２枚の透明基板間に挟持せしめ、液晶層を−５０℃から３０℃としながら活性エネルギー線を照射することにより重合させ、屈折率異方性又は配向容易軸方向を有する重合体を形成させることを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
前記請求項１〜９の何れか一つに記載の重合性液晶組成物を、少なくとも一方に電極を有する２枚の透明基板間に挟持せしめ、エネルギー線照射前のプレチルト角が基板法線方向に対して０．１〜３０°になるような電圧を印加しながらエネルギー線を照射することにより重合し、液晶組成物中の屈折率異方性又は配向容易軸方向を有する重合体を得てなる請求項１６記載の液晶表示素子の製造方法。