JPWO2017216865A1 - 平面導波路 - Google Patents

平面導波路 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2017216865A1
JPWO2017216865A1 JP2016574191A JP2016574191A JPWO2017216865A1 JP WO2017216865 A1 JPWO2017216865 A1 JP WO2017216865A1 JP 2016574191 A JP2016574191 A JP 2016574191A JP 2016574191 A JP2016574191 A JP 2016574191A JP WO2017216865 A1 JPWO2017216865 A1 JP WO2017216865A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
core
films
planar waveguide
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016574191A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6218977B1 (ja
Inventor
賢一 廣澤
賢一 廣澤
柳澤 隆行
隆行 柳澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Application granted granted Critical
Publication of JP6218977B1 publication Critical patent/JP6218977B1/ja
Publication of JPWO2017216865A1 publication Critical patent/JPWO2017216865A1/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/1225Basic optical elements, e.g. light-guiding paths comprising photonic band-gap structures or photonic lattices
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/1223Basic optical elements, e.g. light-guiding paths high refractive index type, i.e. high-contrast waveguides
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/126Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind using polarisation effects
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/061Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on electro-optical organic material
    • G02F1/065Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on electro-optical organic material in an optical waveguide structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/03Constructional details of gas laser discharge tubes
    • H01S3/0315Waveguide lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/063Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
    • H01S3/0632Thin film lasers in which light propagates in the plane of the thin film
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/10061Polarization control
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • H01S3/1601Solid materials characterised by an active (lasing) ion
    • H01S3/1603Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • H01S3/1601Solid materials characterised by an active (lasing) ion
    • H01S3/162Solid materials characterised by an active (lasing) ion transition metal
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • H01S3/163Solid materials characterised by a crystal matrix
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • H01S3/1685Ceramics

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

光を伝搬する平板であるコア(11)と、コア(11)の上面に接合された状態で、光を反射する平板であるクラッド(12)と、コア(11)の下面に接合された状態で、光を反射する平板であるクラッド(13)とを備え、クラッド(12),(13)が、材質が異なる複数の膜が積層されている多層膜であるように構成する。これにより、コア(11)の材料として、低屈折率な材料を用いることが可能になり、使用可能なコア(11)の材料の制限が緩和される。

Description

この発明は、コアの上面及び下面にクラッドが接合されている平面導波路に関するものである。
一般的な平面導波路では、光の伝搬するコアと、そのコアの上面に接合された状態で、その光を反射する第1のクラッドと、そのコアの下面に接合された状態で、その光を反射する第2のクラッドとを備えている。
以下の特許文献1には、第1及び第2のクラッドとして、屈折率がコアの屈折率よりも低い材料を用いることで、コアに入射された光が、第1及び第2のクラッドとコアの界面で全反射するようにしている平面導波路が開示されている。
WO2009/016703号公報
従来の平面導波路は以上のように構成されているので、第1及び第2のクラッドとして、屈折率がコアの屈折率よりも低い材料を用いることができれば、光をコア内に閉じ込めることができる。しかし、コアの材料として、低屈折率な材料を用いる場合、光学的性質や物理的性質を考慮すると、屈折率がコアの屈折率よりも低いクラッドの材料が見当たらないことがある。このため、コアの材料として、低屈折率な材料を用いることができず、使用可能なコアの材料が制限されてしまうという課題があった。
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、コアの材料として、低屈折率な材料を用いることができる平面導波路を得ることを目的とする。
この発明に係る平面導波路は、光を伝搬する平板であるコアと、コアの上面に接合された状態で、光を反射する平板である第1のクラッドと、コアの下面に接合された状態で、光を反射する平板である第2のクラッドとを備え、第1及び第2のクラッドが、材質が異なる複数の膜が積層されている多層膜であるものである。
この発明によれば、第1及び第2のクラッドとして、材質が異なる複数の膜が積層されている多層膜を用いるように構成したので、コアの材料として、低屈折率な材料を用いることができる効果がある。
この発明の実施の形態1による平面導波路を示す構成図である。 信号光21の波数ベクトルを示す説明図である。 低次モード光と高次モード光を示す説明図である。 Nd:YVOで形成されたコア11に対して、成膜方法が異なる成膜装置(1)、成膜装置(2)、成膜装置(3)によって、全反射を利用したクラッドを接合した際のクラッドへの信号光21のしみ出し量と導波路損失の測定結果を示す説明図である。 信号光21における0次モード光及び1次モード光での電界分布としみ出しを示す説明図である。 1組の薄膜12a,12bを1往復する際の光路が2πの位相に相当する旨を示す説明図である。 TEモードのパワー分布を示す説明図である。 この発明の実施の形態2による平面導波路を示す構成図である。 この発明の実施の形態3による平面導波路を示す構成図である。性を示す説明図である。
以下、この発明をより詳細に説明するために、この発明を実施するための形態について、添付の図面にしたがって説明する。
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1による平面導波路を示す構成図である。
図1において、平面導波路10はコア11、クラッド12及びクラッド13を備えている。
コア11は光である信号光21を伝搬する平板である。
コア11は信号光21に対して透明な材料であるガラスなどで形成されており、図1の例では、コア11の屈折率がn11、コア11の厚さがd11である。
図中、コア11の厚さ方向がx軸、コア11の側面方向がy軸、信号光21の伝搬方向である光軸がz軸である。
第1のクラッドであるクラッド12はコア11の上面に接合された状態で、信号光21を反射する平板である。
クラッド12は複数の膜が積層されている多層膜であり、例えば、薄膜12aと薄膜12bが交互に積層されている。
図1の例では、薄膜12aと薄膜12bのセットが、3セット積層されているが、1セット以上積層されていればよい。
薄膜12aと薄膜12bは、材質が異なる材料で形成されており、例えば、成膜が可能な誘電体材料であるSiO,Ta,MgO,Nb,TiO,CaF,MgFなどの中から、2種類の誘電体材料が選択されて、薄膜12aと薄膜12bが形成されている。
図1の例では、薄膜12aの屈折率がn12a、薄膜12bの屈折率がn12bであり、薄膜12aの膜厚がd12a、薄膜12bの膜厚がd12bである。
薄膜12a,12bの屈折率n12a,n12bのうち、どちらかの屈折率、あるいは、両方の屈折率が、コア11の屈折率n11より高くてもよい。
第2のクラッドであるクラッド13はコア11の下面に接合された状態で、信号光21を反射する平板である。
クラッド13はyz平面に対して、クラッド12が線対称に配置された構造を有している。そのため、クラッド13はクラッド12と同様に、薄膜12aと薄膜12bが交互に積層されている。
クラッド12及びクラッド13は信号光21がコア11側からθ21の角度(以下、「伝搬角θ21」と称する)で入射された際、99%以上の反射率を有している。
この実施の形態1では、信号光21の偏光が薄膜12a,12bの厚さ方向に垂直である場合をTE(Transverse Electric field)モードと称し、TEモードの偏光をTE偏光と称する。
また、薄膜12a,12bの厚さ方向と信号光21の伝搬方向を含む面に平行な信号光21の偏光をTM(Transverse Magnetic field)モードと称し、TMモードの偏光をTM偏光と称する。
したがって、図1の信号光21がy偏光であるときにTEモードとなり、x偏光であるときにTMモードとなる。
図1の平面導波路10では、理由は後述するが、コア11の屈折率n11が、クラッド12,13である多層膜に含まれている薄膜12a,12bの屈折率n12a,n12bより低い場合でも、信号光21をコア11内に閉じ込めることができる。
したがって、一般的な平面導波路では、コアに入射された光をクラッドとコアの界面で全反射させるために、屈折率がコアの屈折率よりも低い材料でクラッドを形成する必要があるが、この実施の形態1では、薄膜12a,12bの屈折率n12a,n12bをコア11の屈折率n11より低くする必要がないため、コア11の屈折率に制限がない。このため、任意の材料で形成されているコア11を用いて、平面導波路10を形成することが可能になる。
次に動作について説明する。
真空中でλ21の波長を有する信号光21は、コア11内を伝搬角θ21で伝搬される。
図2は信号光21の波数ベクトルを示す説明図である。
信号光21のx方向の波数として、コア11における波数の垂直成分をk2111、薄膜12aにおける波数の垂直成分をk2112a、薄膜12bにおける波数の垂直成分をk2112bとすると、波数の垂直成分k2111,k2112a,k2112bは、下記の式(1)〜(3)のように定義される。以下では、説明の簡単化のため、波数の垂直成分k2111,k2112a,k2112bを波数k2111,k2112a,k2112bのように簡略して表記する。
Figure 2017216865

Figure 2017216865

Figure 2017216865
平面導波路10内では、信号光21の伝搬角θ21は飛び飛びの値をとり、コア11とクラッド12の界面で、信号光21の入射光と反射光の位相がπだけ変化していると仮定すると、下記の式(4)を満足するコア11における波数k2111から、式(1)によって伝搬角θ21が決まる。式(4)において、m=0,1,2,3,・・・である。
Figure 2017216865
飛び飛びの値をとる伝搬角θ21のうち、角度が大きい伝搬角θ21の順に0次、1次、2次・・・の伝搬角θ21とする。
以下、伝搬角θ21が0次の信号光21(以下、「0次モード光」と称する)だけが伝搬可能な導波路をシングルモード導波路と称し、伝搬角θ21が低次の信号光21(以下、「低次モード光」と称する)の伝搬は可能であるが、高次の信号光21(以下、「高次モード光」と称する)の伝搬ができない導波路を低次モード導波路と称する。
図3は低次モード光と高次モード光を示す説明図である。
ここで、信号光21がコア11からクラッド12に入射された際、信号光21の反射率が99%以上になる多層膜の材質と膜厚の組み合わせは無数に存在し、自由に設計することができる。
ただし、多層膜に含まれる薄膜12a,12bは、一般的なガラスと比較すると、散乱が大きいため、信号光21を伝搬する際の損失が大きくなることがある。このため、後述する条件を満足する薄膜12a,12bを用いる必要がある。
図4はNd:YVOで形成されたコア11に対して、成膜方法が異なる成膜装置(1)、成膜装置(2)、成膜装置(3)によって、全反射を利用したクラッドを接合した際のクラッドへの信号光21のしみ出し量と導波路損失の測定結果を示す説明図である。
図4より、クラッドへの信号光21のしみ出し量が増えると導波路損失が増加し、しみ出し量と導波路損失が正比例する関係にあることが分かる。
しみ出し量は、伝搬する信号光21の全強度に対して、信号光21が多層膜に侵入する侵入量の割合を示しており、クラッド12が信号光21に対して100%の反射率を有する場合であっても、信号光21の一部は多層膜の内部で反射するため、多層膜の内部には一定のエネルギーが存在する。
このとき、コア11の内部に存在するエネルギーと、多層膜の内部に存在するエネルギーとの割合をしみ出し量と定義する。このしみ出し量は、モード毎に異なる。
図5は信号光21における0次モード光及び1次モード光での電界分布としみ出しを示す説明図である。
コア11とクラッド12の界面で、信号光21の入射光と反射光の位相がπだけ変化しているとする仮定は、しみ出し量の少ない導波路において良く成立する。
あるモードにおいて、信号光21のしみ出し量が少なくなる条件は、下記の式(5)を満足する。式(5)において、lは任意の整数である。
Figure 2017216865
式(5)を満足する多層膜では、図6に示すように、信号光21が、多層膜に含まれる複数の薄膜うち、1組の薄膜12a,12bを1往復する際の光路が2πの位相に相当する。そして、膜界面における反射光と強め合う干渉を起こすため、多層膜の層数が少ない場合でも、高い反射率を実現することができる。
図6は1組の薄膜12a,12bを1往復する際の光路が2πの位相に相当する旨を示す説明図である。
ただし、多層膜に含まれる薄膜12a,12bの膜厚d12a,d12bは、ある程度の誤差が許容されるため、信号光21のしみ出し量が少なくなる条件式として、下記の式(6)を満足する場合でも、式(5)を満足する多層膜と同様に、少ない層数で高い反射率を実現することができる。即ち、コア11の屈折率n11が、クラッド12,13である多層膜に含まれている薄膜12a,12bの屈折率n12a,n12bより低い場合でも、信号光21をコア11内に閉じ込めることができる。
したがって、薄膜12a,12bの膜厚d12a,d12bは、下記の式(6)を満足するように決定される。
Figure 2017216865
この実施の形態1では、0次モード光の伝搬角θ21に対して、式(6)を満足する膜厚d12a,d12bの薄膜12a,12bを含む多層膜であるクラッド12,13を備えることで、信号光21における0次モード光のしみ出しを抑制して、導波路損失を低減することができる。また、高次モード光のしみ出し量は多くなるため、低次モード光のみの伝搬が可能になる。
以下、低次モード光のみの伝搬が可能な平面導波路10として、0次モード光の伝搬角θ21に対して、式(6)を満足する平面導波路10の設計例を説明する。
ここでは、厚さd11が10μmで屈折率n11が1.42のコア11と、膜厚d12aが238nmで屈折率n12aが2.16の薄膜12aと、膜厚d12bが1278nmで屈折率n12bが1.45の薄膜12bとが交互に積層された多層膜であるクラッド12と、クラッド12と対称な多層膜であるクラッド13とを備えた平面導波路10において、信号光21が真空中で波長1.55μmの光である場合を考える。
式(4)及び式(1)によれば、0次モード光の伝搬角θ21は、1.5162radとなり、薄膜12aにおける波数k2112aは6.61×10−1、薄膜12bにおける波数k2112bは1.23×10−1となる。
したがって、薄膜12a,12bにおける光路長は、位相に換算すると、共に約π/2になるため、式(7)を満足する。
図7はTEモードのパワー分布を示す説明図である。
図7において、横軸は平面導波路10の厚さ方向の位置を示しており、コア11における厚さ方向の中心が0μmである。縦軸はパワー密度である。図7では強度と表記している。
図7の例では、シミュレーションなどによって計算すると、0次モード光のしみ出し量は0.07%、1次モード光のしみ出し量は0.31%、2次モード光のしみ出し量は0.84%となる。
図4の成膜装置(1)を使用した場合、モード毎の損失についても、シミュレーションなどによって計算すると、0次モード光の損失が0.67dB/mm、1次モード光の損失が2.97dB/mm、2次モード光の損失が8.05dB/mmとなる。
したがって、設計で考慮した0次モード光の損失は、1次モード光や2次モード光と比べて、低い値に抑えられており、低次モード化が可能な平面導波路10になっている。
例示した屈折率n11,n12a,n12bを満たす材料として、例えば、コア11の材料はEr添加フッ化アルミニウムガラス、薄膜12aの材料はTa、薄膜12bの材料はSiOが挙げられる。
以上で明らかなように、この実施の形態1によれば、光を伝搬する平板であるコア11と、コア11の上面に接合された状態で、光を反射する平板であるクラッド12と、コア11の下面に接合された状態で、光を反射する平板であるクラッド13とを備え、クラッド12,13が、材質が異なる複数の膜が積層されている多層膜であるように構成したので、コア11の材料として、低屈折率な材料を用いることができる効果がある。
なお、0次モード光の伝搬角θ21に対して、式(6)を満足する膜厚d12a,d12bの薄膜12a,12bを含む多層膜であるクラッド12,13を備えることで、信号光21における0次モード光のしみ出しを抑制して、導波路損失を低減することができる。また、高次モード光のしみ出し量は多くなるため、低次モード光のみの伝搬が可能な平面導波路10が得られる。
この実施の形態1では、クラッド12,13として、2種類の薄膜12a,13aが交互に積層されている多層膜の例を示したが、多層膜に含まれる薄膜の種類が2種類であるものに限るものではなく、3種類以上の薄膜が積層されている多層膜であってもよい。
多種の薄膜が積層されている多層膜である場合、低屈折率層から高屈折率層に光が入射される界面から、次の低屈折率層から高屈折率層に光が入射される界面までの光路長を位相に換算した値をφとするとき、下記の式(7)を満足するように設計する。
Figure 2017216865
また、この実施の形態1では、クラッド13である多層膜が、クラッド12である多層膜と対称な多層膜である例を示したが、クラッド13である多層膜は、式(6)を満足する多層膜であればよく、クラッド12である多層膜と材料や膜厚が異なっていてもよい。
なお、コア11の材料として、低屈折率のガラスなどを用いる必要がない場合には、クラッド12又はクラッド13として、屈折率がコア11の屈折率よりも低いクラッドを用いるようにしてもよい。
実施の形態2.
上記実施の形態1では、コア11によって信号光21が伝搬されるものを示したが、この実施の形態2では、信号光21及び励起光31がコア11に導光されるものについて説明する。
図8はこの発明の実施の形態2による平面導波路を示す構成図であり、図8において、図1と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
励起光源32は励起光31を放射する光源である。
光学系33は励起光源32から放射された励起光31をコア11に導光するための光学系である。
ただし、励起光源32をコア11に近接して配置することで、励起光31をコア11に導光することが可能である場合には、光学系33を省略することが可能である。
この実施の形態2では、コア11の材料として、励起光31を吸収して反転分布を形成することで、輻射遷移によって利得を発生する利得発生部材を使用する。
例えば、Er,Yb,Tm,Ndなどの希土類元素が添加されているガラス、Nd:YVOのような希土類が添加されている結晶、Yb:YAGのような希土類元素が添加されている結晶を原料としているセラミック、あるいは、Cr:YAGやTi:Sapphireなどの遷移金属が添加されている結晶が、励起光31を吸収して反転分布を形成することで、輻射遷移によって利得を発生する利得発生部材を使用する。
コア11は、上記のような利得発生部材で形成されている場合、励起光31を吸収することで、信号光21を増幅する機能を備える。
励起光源32から放射された励起光31は真空中でλ31の波長を有し、励起光31は、コア11内を伝搬角θ31で伝搬される。
また、真空中でλ21の波長を有する信号光21は、コア11内を伝搬角θ21で伝搬される。
励起光31のx方向の波数として、コア11における波数の垂直成分をk3111、薄膜12aにおける波数の垂直成分をk3112a、薄膜12bにおける波数の垂直成分をk3112bとすると、波数の垂直成分k3111,k3112a,k3112bは、下記の式(8)〜(10)のように定義される。以下では、説明の簡単化のため、波数の垂直成分k3111,k3112a,k3112bを波数k3111,k3112a,k3112bのように簡略して表記する。
Figure 2017216865

Figure 2017216865

Figure 2017216865
平面導波路10内では、励起光31の伝搬角θ31も、信号光21の伝搬角θ21と同様に、飛び飛びの値をとり、コア11とクラッド12の界面で、励起光31の入射光と反射光の位相がπだけ変化していると仮定すると、下記の式(11)を満足するコア11における波数k3111から、式(8)によって伝搬角θ31が決まる。式(11)において、m=0,1,2,3,・・・である。
Figure 2017216865
飛び飛びの値をとる伝搬角θ31のうち、角度が大きい伝搬角θ31の順に0次、1次、2次・・・の伝搬角θ31とする。
ある導波モードにおいて、励起光31のしみ出し量が少なくなる条件は、信号光21と同様に、下記の式(12)のように記述することができる。
Figure 2017216865
この実施の形態2では、0次のモードの伝搬角θ21に対して式(6)を満足し、かつ、0次のモードの伝搬角θ31に対して式(12)を満足する膜厚d12a,d12bの薄膜12a,12bを含む多層膜であるクラッド12,13を備えることで、信号光21及び励起光31における0次モード光のしみ出しを抑制して、利得導波路の損失を低減することができる。また、高次モード光のしみ出し量は多くなるため、低次モード光のみの伝搬が可能になる。
以下、低次モード光のみの伝搬が可能な利得導波路である平面導波路10として、0次モード光の伝搬角θ21,θ31に対して、式(6)及び式(12)を満足する平面導波路10の設計例を説明する。
ここでは、厚さd11が10μmで屈折率n11が1.42のコア11と、膜厚d12aが718nmで屈折率n12aが2.16の薄膜12aと、膜厚d12bが965nmで屈折率n12bが1.45の薄膜12bとが交互に積層された多層膜であるクラッド12と、クラッド12と対称な多層膜であるクラッド13とを備えた平面導波路10において、信号光21が真空中で波長1.55μmの光であり、励起光31が真空中で波長940μmの光である場合を考える。
信号光21に関しては、式(4)及び式(1)によれば、0次モード光の伝搬角θ21は、1.516radとなり、薄膜12aにおける波数k2112aは6.61×10−1、薄膜12bにおける波数k2112bは1.23×10−1となる。
したがって、薄膜12aにおける光路長は、位相に換算すると4.74radになり、薄膜12bにおける光路長は、位相に換算すると1.19radになり、合計で5.93radになるため、式(7)を満足する。
励起光31に関しては、式(11)及び式(8)によれば、0次モード光の伝搬角θ31は、1.538radとなり、薄膜12aにおける波数k3112aは10.9×10−1、薄膜12bにおける波数k3112bは2.0×10−1となる。
したがって、薄膜12aにおける光路長は、位相に換算すると7.81radになり、薄膜12bにおける光路長は、位相に換算すると1.92radになり、合計で9.73radになるため、式(12)を満足する。
上記の設計例では、シミュレーションなどによって計算すると、信号光21における0次モード光のしみ出し量は0.07%、1次モード光のしみ出し量は0.29%、2次モード光のしみ出し量は0.68%となる。
励起光31における0次モード光のしみ出し量は0.03%、1次モード光のしみ出し量は0.14%、2次モード光のしみ出し量は0.36%となる。
したがって、信号光21及び励起光31における0次モード光の損失は、1次モード光や2次モード光と比べて、低い値に抑えられており、低次モード化が可能な平面導波路10になっている。
例示した屈折率n11,n12a,n12bを満たす材料として、例えば、コア11の材料はEr添加フッ化アルミニウムガラス、薄膜12aの材料はTa、薄膜12bの材料はSiOが挙げられる。
以上で明らかなように、この実施の形態2によれば、励起光31を吸収して反転分布を形成することで、伝搬する信号光21を増幅するコア11と、コア11の上面に接合された状態で、信号光21及び励起光31を反射するクラッド12と、コア11の下面に接合された状態で、信号光21及び励起光31を反射するクラッド13とを備え、クラッド12,13が、材質が異なる複数の膜が積層されている多層膜であるように構成したので、コア11の材料として、低屈折率な材料を用いても、信号光21及び励起光31をコア11内に閉じ込めることができる。
また、上記の設計例では、信号光21と比べて、励起光31を高次モードまで伝搬可能であるが、これは励起光源32として、マルチモードの励起光源を使用することが可能であることを意味している。
シングルモード光源よりもマルチモード光源の方が、高出力化が可能で、価格が安く、高出力なレーザ光源を構成することができる。
この実施の形態2では、クラッド12,13として、2種類の薄膜12a,13aが交互に積層されている多層膜の例を示したが、多層膜に含まれる薄膜の種類が2種類であるものに限るものではなく、3種類以上の薄膜が積層されている多層膜であってもよい。
多種の薄膜が積層されている多層膜である場合、低屈折率層から高屈折率層に光が入射される界面から、次の低屈折率層から高屈折率層に光が入射される界面までの光路長を位相に換算した値をφとするとき、下記の式(13)を満足するように設計する。
Figure 2017216865
また、この実施の形態2では、クラッド13である多層膜が、クラッド12である多層膜と対称な多層膜である例を示したが、クラッド13である多層膜は、式(6)及び式(12)を満足する多層膜であればよく、クラッド12である多層膜と材料や膜厚が異なっていてもよい。
なお、コア11の材料として、低屈折率のガラスなどを用いる必要がない場合には、クラッド12又はクラッド13として、屈折率がコア11の屈折率よりも低いクラッドを用いるようにしてもよい。
さらに、この実施の形態2では、利得導波路としての平面導波路10ではなく、信号光21をy方向にも閉じ込めたレーザとしてもよい。
実施の形態3.
上記実施の形態1,2では、信号光21がコア11によって伝搬されるものを示したが、この実施の形態3では、直線偏光光源22から放射された信号光21がコア11によって伝搬されるものについて説明する。
図9はこの発明の実施の形態3による平面導波路を示す構成図であり、図9において、図1及び図8と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
直線偏光光源22は信号光21を放射する信号光源である。
光学系34は励起光源32から放射された励起光31と、直線偏光光源22から放射された信号光21とを混合し、信号光21及び励起光31をコア11に導光するための光学系である。
信号光21がTE偏光でコア11に入射され、コア11やクラッド12,13として、従来のように、ガラスなどの等方媒質が用いられた場合、熱や応力による複屈折が生じることで、信号光21の偏光が保持されないことがある。
この実施の形態3では、0次モード光の伝搬角θ21,θ31に対して、式(6)及び式(12)を満足する膜厚d12a,d12bの薄膜12a,12bを含む多層膜であるクラッド12,13を備えることで、信号光21及び励起光31における0次モード光のしみ出しを抑制して、導波路損失を低減することができるが、さらに、信号光21のTE偏光とTM偏光のしみ出し量を制御することで、TE偏光とTM偏光の伝搬定数を制御して、信号光21の偏光が保持されるようにしてもよい。
以下、TE偏光とTM偏光の伝搬定数を制御して、信号光21の偏光が保持される平面導波路10として、0次モード光の伝搬角θ21,θ31に対して、式(6)及び式(12)を満足する平面導波路10の設計例を説明する。
ここでは、厚さd11が10μmで屈折率n11が1.42のコア11と、膜厚d12aが718nmで屈折率n12aが2.16の薄膜12aと、膜厚d12bが965nmで屈折率n12bが1.45の薄膜12bとが交互に積層された多層膜であるクラッド12と、クラッド12と対称な多層膜であるクラッド13とを備えた平面導波路10において、信号光21が真空中で波長1.55μmの光であり、励起光31が真空中で波長940μmの光である場合を考える。
この場合、上記実施の形態2で示している設計例と同様であるため、式(6)及び式(12)を満足し、低次モードのしみ出し量を低く抑えることができるため、信号光21及び励起光31が低次モードで伝搬される。
上記実施の形態1,2では、コア11とクラッド12の界面で、信号光21の入射光と反射光の位相がπだけ変化していると仮定したが、実際には、光のしみ出し量に応じて異なる位相変化量となる。
信号光21のクラッド12における位相回転量をφ2112、クラッド13における位相回転量をφ2113とすると、上記の式(4)は、正確には下記の式(14)のように表される。式(14)において、m=0,1,2,3,・・・である。
Figure 2017216865
TEモードとTMモードで、位相変化量が異なっている場合、即ち、位相回転量φ2112と位相回転量φ2113が異なっている場合、コア11における波数k2111が偏光で異なる。
例えば、偏光保持光ファイバでは、応力などによって、偏光毎に屈折率を変えることで、伝搬定数を変化させて、偏光を保持しているが、この実施の形態3では、クラッド12,13へのしみ出し量を変化させることで伝搬定数を制御する。
上記の設計例では、シミュレーションなどによって計算すると、φ2112=φ2113≒0.016radとなる。
そして、TEモードでは、k211111≒πとなるが、TMモードでは0.03rad程度のずれが生じるため、伝搬定数を1%程度変化させることができる。
例示した屈折率n11,n12a,n12bを満たす材料として、例えば、コア11の材料はEr添加フッ化アルミニウムガラス、薄膜12aの材料はTa、薄膜12bの材料はSiOが挙げられる。
以上で明らかなように、この実施の形態3によれば、信号光21のTE偏光とTM偏光のしみ出し量を制御することで、TE偏光とTM偏光の伝搬定数を制御すれば、信号光21の偏光を保持することができる。
この実施の形態3では、クラッド12,13として、2種類の薄膜12a,13aが交互に積層されている多層膜の例を示したが、多層膜に含まれる薄膜の種類が2種類であるものに限るものではなく、3種類以上の薄膜が積層されている多層膜であってもよい。
また、この実施の形態3では、クラッド13である多層膜が、クラッド12である多層膜と対称な多層膜である例を示したが、クラッド13である多層膜は、式(6)及び式(12)を満足する多層膜であればよく、クラッド12である多層膜と材料や膜厚が異なっていてもよい。
コア11の材料として、低屈折率のガラスなどを用いる必要がない場合には、クラッド12又はクラッド13として、屈折率がコア11の屈折率よりも低いクラッドを用いるようにしてもよい。
さらに、この実施の形態3では、利得導波路としての平面導波路10ではなく、信号光21をy方向にも閉じ込めたレーザとしてもよい。
図9の例では、励起光源32と直線偏光光源22が、図中、平面導波路10の左側に配置されているが、図中、平面導波路10の右側に配置されていてもよいし、図中、平面導波路10の上側や下側に配置されていてもよい。ただし、直線偏光光源22と光学系34又はコア11の間に、入射光学系が必要になる場合がある。
なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
この発明は、コアの上面及び下面にクラッドが接合されている平面導波路に適している。
10 平面導波路、11 コア、12 クラッド(第1のクラッド)、12a,12b 薄膜、13 クラッド(第2のクラッド)、14 クラッド(第3のクラッド)、15 クラッド(第4のクラッド)、21 信号光、22 直線偏光光源、31 励起光、32 励起光源、33 光学系、34 光学系。
この発明に係る平面導波路は、光を伝搬する平板であるコアと、コアの上面に接合された状態で、光を反射する平板である第1のクラッドと、コアの下面に接合された状態で、光を反射する平板である第2のクラッドとを備え、第1及び第2のクラッドが、材質が異なる複数の膜の組が1つ以上積層されている多層膜であり、同じ組に属している複数の膜における膜厚が、複数の膜における波数と、光が同じ組に属している複数の膜を1往復する際の光路との関係から、多層膜へしみ出す光が少なくなるように決定されているものである。
この発明に係る平面導波路は、光を伝搬する平板であるコアと、コアの上面に接合された状態で、光を反射する平板である第1のクラッドと、コアの下面に接合された状態で、光を反射する平板である第2のクラッドとを備え、第1及び第2のクラッドが、材質が異なる複数の膜の組が1つ以上積層されている多層膜であり、同じ組に属している複数の膜における膜厚が、複数の膜における波数と、光が同じ組に属している複数の膜を1往復する際の光路との関係から決定され、同じ組に属している膜の数が2つであり、2つの膜における膜厚がそれぞれd ,d 、2つの膜における波数の垂直成分がそれぞれk ,k 、光が2つの膜を1往復する際の光路がl×π(lは1以上の整数)で表される場合、2つの膜における膜厚d ,d が、下記の条件式を満たす膜厚に決定されているものである。
Figure 2017216865

Claims (10)

  1. 光を伝搬する平板であるコアと、
    前記コアの上面に接合された状態で、前記光を反射する平板である第1のクラッドと、
    前記コアの下面に接合された状態で、前記光を反射する平板である第2のクラッドとを備え、
    前記第1及び第2のクラッドは、材質が異なる複数の膜が積層されている多層膜であることを特徴とする平面導波路。
  2. 前記複数の膜は、前記コアの屈折率よりも高い屈折率を有していることを特徴とする請求項1記載の平面導波路。
  3. 前記多層膜は、材質が異なる複数の膜の組が1つ以上積層されていることを特徴とする請求項1記載の平面導波路。
  4. 同じ組に属している複数の膜における膜厚は、前記複数の膜における波数と、前記光が同じ組に属している複数の膜を1往復する際の光路との関係から決定されていることを特徴とする請求項3記載の平面導波路。
  5. 同じ組に属している膜の数が2つであり、2つの膜における膜厚がそれぞれd,d、前記2つの膜における波数の垂直成分がそれぞれk,k、前記光が前記2つの膜を1往復する際の光路がl×π(lは1以上の整数)で表される場合、
    前記2つの膜における膜厚d,dは、下記の条件式を満たす膜厚に決定されていることを特徴とする請求項4記載の平面導波路。
    Figure 2017216865
  6. 前記2つの膜における膜厚は、前記コアから前記第1及び第2のクラッドに対して前記光が入射される角度である伝搬角のうち、0次の伝搬角について、前記条件式を満たす膜厚に決定されていることを特徴とする請求項5記載の平面導波路。
  7. 前記コアは、励起光を吸収して反転分布を形成することで、前記伝搬する光である信号光を増幅する利得発生部材であり、
    前記2つの膜における膜厚は、前記励起光の波長から決まる波数及び前記信号光の波長から決まる波数の双方について、前記条件式を満たす膜厚に決定されていることを特徴とする請求項5記載の平面導波路。
  8. 励起光を放射する励起光源を備え、
    前記励起光源から放射された励起光が前記コアに導光されることを特徴とする請求項1記載の平面導波路。
  9. 前記多層膜では、前記光におけるTE偏光の位相変化量と、前記光におけるTM偏光の位相変化量とが異なっていることを特徴とする請求項1記載の平面導波路。
  10. 前記コアは、励起光を吸収して反転分布を形成することで、前記伝搬する光である信号光を増幅する利得発生部材であることを特徴とする請求項9記載の平面導波路。
JP2016574191A 2016-06-14 2016-06-14 平面導波路 Active JP6218977B1 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2016/067653 WO2017216865A1 (ja) 2016-06-14 2016-06-14 平面導波路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP6218977B1 JP6218977B1 (ja) 2017-10-25
JPWO2017216865A1 true JPWO2017216865A1 (ja) 2018-06-21

Family

ID=60156863

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016574191A Active JP6218977B1 (ja) 2016-06-14 2016-06-14 平面導波路

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10422951B2 (ja)
EP (1) EP3460545B1 (ja)
JP (1) JP6218977B1 (ja)
CN (1) CN109313310B (ja)
WO (1) WO2017216865A1 (ja)

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2856525B2 (ja) * 1990-09-18 1999-02-10 科学技術振興事業団 光導波路型偏光子
US6807353B1 (en) * 2001-12-19 2004-10-19 Sandia Corporation Microfabricated bragg waveguide
US6832037B2 (en) * 2002-08-09 2004-12-14 Eastman Kodak Company Waveguide and method of making same
JP4213020B2 (ja) * 2002-12-26 2009-01-21 日本電信電話株式会社 光回路
JP4383815B2 (ja) * 2002-12-26 2009-12-16 日本電信電話株式会社 ホログラフィック波動伝達媒体の製造方法
WO2004059354A1 (ja) 2002-12-26 2004-07-15 Nippon Telegraph And Telephone Corporation 波動伝達媒体および導波回路
US7006747B2 (en) * 2003-01-17 2006-02-28 3M Innovative Properties Company Optical devices incorporating photo reactive polymers
US7266284B2 (en) * 2003-04-17 2007-09-04 University Of Rochester Method for controlling one or more temperature dependent optical properties of a structure and a system and product thereof
US20060140239A1 (en) * 2004-04-23 2006-06-29 Negro Luca D Silicon rich nitride CMOS-compatible light sources and Si-based laser structures
US7901870B1 (en) * 2004-05-12 2011-03-08 Cirrex Systems Llc Adjusting optical properties of optical thin films
JP4370433B2 (ja) * 2004-07-15 2009-11-25 独立行政法人情報通信研究機構 電磁波のスラブ導波路
US7412144B2 (en) * 2005-07-22 2008-08-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Photonic crystal-based optical waveguide modulator
JP4875094B2 (ja) * 2005-10-21 2012-02-15 01 コミュニーク ラボラトリー インコーポレイテッド デジタル信号をコンピュータに遠隔的に送信するためのシステム、方法、及びコンピュータプログラム
JP2007333756A (ja) * 2006-06-12 2007-12-27 Fujitsu Ltd 光導波路デバイスおよび光変調器
US7903338B1 (en) * 2006-07-08 2011-03-08 Cirrex Systems Llc Method and system for managing light at an optical interface
US7460238B2 (en) * 2007-04-24 2008-12-02 Corporation De L'ecole Polytechnique De Montreal Plasmon excitation by the gaussian-like core mode of a photonic crystal waveguide
WO2009016703A1 (ja) 2007-07-27 2009-02-05 Mitsubishi Electric Corporation 平面導波路型レーザ装置
JP6253672B2 (ja) * 2013-12-27 2017-12-27 三菱電機株式会社 平面導波路型レーザ装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN109313310B (zh) 2020-06-16
US20190219764A1 (en) 2019-07-18
CN109313310A (zh) 2019-02-05
EP3460545A1 (en) 2019-03-27
US10422951B2 (en) 2019-09-24
EP3460545A4 (en) 2019-06-19
EP3460545B1 (en) 2022-05-18
JP6218977B1 (ja) 2017-10-25
WO2017216865A1 (ja) 2017-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Herrero-Bermello et al. Design of a broadband polarization splitter based on anisotropy-engineered tilted subwavelength gratings
US9588150B2 (en) Electric current measuring apparatus
JP2007333756A (ja) 光導波路デバイスおよび光変調器
Stambaugh et al. From membrane‐in‐the‐middle to mirror‐in‐the‐middle with a high‐reflectivity sub‐wavelength grating
JP6253672B2 (ja) 平面導波路型レーザ装置
JP6192883B1 (ja) 平面導波路
WO2019044557A1 (ja) アイソレータ、光源装置、光送信機、光スイッチ、光増幅器、及びデータセンター
JP6218977B1 (ja) 平面導波路
JP6437169B2 (ja) リッジ導波路型レーザ装置
WO2004081626A1 (ja) フォトニック結晶を用いた導波路素子
JP2014002198A (ja) 光導波路
Jia et al. Resonant transmission through topological metamaterial grating
Khomeriki et al. All-optical amplification in metallic subwavelength linear waveguides
Fang et al. Reduction of polarization loss of five-splitting by T-shaped arrays
JP2016142996A (ja) 光学素子およびテラヘルツ波発生光学デバイス
JPH04125602A (ja) 光導波路型偏光子
JP2006106104A (ja) 偏光解消素子
CN103941414A (zh) 基于异构二维光子晶体的y型偏振滤波分束器
RU180400U1 (ru) Оптический изолятор
JP2013089790A (ja) 平面導波路型レーザ装置
Zheng et al. Compact transverse-magnetic-pass polarizer with a subwavelength grating based on a hybrid silicon-lithium niobate on insulator platform
Sun et al. A compact polarization beam splitter based on augmented low index guiding structure
JP2013247193A (ja) 平面光導波路及び光増幅器
Eguchi et al. Single-polarization hollow-core square photonic bandgap waveguide
Kress et al. Parity-time symmetry diffractives implementing unidirectional diffraction–application to optical combiners

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170829

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170926

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6218977

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250