JP6437169B2 - リッジ導波路型レーザ装置 - Google Patents

リッジ導波路型レーザ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6437169B2
JP6437169B2 JP2018534230A JP2018534230A JP6437169B2 JP 6437169 B2 JP6437169 B2 JP 6437169B2 JP 2018534230 A JP2018534230 A JP 2018534230A JP 2018534230 A JP2018534230 A JP 2018534230A JP 6437169 B2 JP6437169 B2 JP 6437169B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
core
refractive index
light
ridge waveguide
ridge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2018534230A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2018033970A1 (ja
Inventor
洋次郎 渡辺
洋次郎 渡辺
柳澤 隆行
隆行 柳澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Application granted granted Critical
Publication of JP6437169B2 publication Critical patent/JP6437169B2/ja
Publication of JPWO2018033970A1 publication Critical patent/JPWO2018033970A1/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/10061Polarization control
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/0619Coatings, e.g. AR, HR, passivation layer
    • H01S3/0621Coatings on the end-faces, e.g. input/output surfaces of the laser light
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/063Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
    • H01S3/0632Thin film lasers in which light propagates in the plane of the thin film
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/063Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
    • H01S3/0632Thin film lasers in which light propagates in the plane of the thin film
    • H01S3/0637Integrated lateral waveguide, e.g. the active waveguide is integrated on a substrate made by Si on insulator technology (Si/SiO2)
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08018Mode suppression
    • H01S3/08022Longitudinal modes
    • H01S3/08031Single-mode emission
    • H01S3/08036Single-mode emission using intracavity dispersive, polarising or birefringent elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/0619Coatings, e.g. AR, HR, passivation layer
    • H01S3/0625Coatings on surfaces other than the end-faces
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • H01S3/163Solid materials characterised by a crystal matrix
    • H01S3/164Solid materials characterised by a crystal matrix garnet
    • H01S3/1643YAG
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • H01S3/17Solid materials amorphous, e.g. glass
    • H01S3/175Solid materials amorphous, e.g. glass phosphate glass

Description

この発明は、リッジ導波路型レーザ装置に関するものである。
リッジ導波路型レーザ装置は、信号光の伝搬方向(進行方向)に伸長している薄い平板状のレーザ媒質からなるコアにおける一対の平板面である上面と下面に、レーザ媒質よりも屈折率が低いクラッドが接合されている構造を有している。更に、一方のクラッド、または一方のクラッド及びコアにリッジ構造を有している。
このリッジ導波路型レーザ増幅器のコアは、導波路としても機能するが、導波路が形成するモードフィールドが小さく、励起密度が高いため、誘導放出断面積が小さなレーザ媒質を用いている場合でも、大きな利得が得られる。
したがって、信号光の高効率な増幅と発振動作を実現することができる。
以下の特許文献に開示されている従来の導波路は、複屈折性の導波路層と、導波路層の上面および下面に設けられたクラッド層と、クラッド層の外側の面に設けられ、入射された光を減衰させる光損失手段とを備え、クラッド層は、導波路層の常屈折率(または異常屈折率)に対しては、屈折率が高く、異常屈折率(または常屈折率)に対しては、屈折率が低くなるように構成されており、導波路層に入射される光のTE光およびTM光のいずれか一方を導波し、他方を漏洩させ光損失手段によって減衰させることによって、TE光およびTM光を分離する。これにより、加工が容易な構造において、偏光子として非常に良好な消光比を実現することができる。
WO2010/134178
このように、従来の導波路は、コアが複屈折材料であることが必須である。しかし、必要とされる波長や出力によっては、等方性のレーザ媒質を適用する必要があるが、従来の導波路では、等方性のレーザ媒質を用いて直線偏光が得られないという課題があった。
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、等方性媒質をコアに適用して所望の波長のレーザ光を出力でき、偏光消光比が高いリッジ導波路型レーザ装置を得ることを目的とする。
本発明のリッジ導波路型レーザ装置は、基板と、基板に接合され、レーザ媒質を有し、基板より屈折率が高いコアと、コアに接合され、コアとともにリッジ導波路を構成し、コアの屈折率より常光屈折率及び異常光屈折率が低い複屈折材料から構成され、常光屈折率と異常光屈折率とが異なるクラッドとを備えたことを特徴とする。
この発明によれば、導波路において等方性媒質をコアに適用しても、信号光の偏光消光比を高める効果がある。
この発明の実施の形態1に係るリッジ導波路型レーザ装置の一構成例を示す斜視図である。 この発明の実施の形態1に係るリッジ導波路型レーザ装置のy−z平面図である。 この発明の実施の形態1に係るリッジ導波路型レーザ装置のx−y平面図である。 この発明の実施の形態1に係るリッジ導波路型レーザ装置の光強度分布を示す図である。 この発明の実施の形態2に係るリッジ導波路型レーザ装置の一構成例を示す斜視図である。 この発明の実施の形態2に係るリッジ導波路型レーザ装置のy−z平面図である。 この発明の実施の形態3に係るリッジ導波路型レーザ装置の一構成例を示す斜視図である。 この発明の実施の形態3に係るリッジ導波路型レーザ装置のy−z平面図である。 この発明の実施の形態3に係るリッジ導波路型レーザ装置のx−y平面図である。 リッジ導波路型レーザ装置の端面研磨における面のダレを示す図である。 この発明の実施の形態4に係るリッジ導波路型レーザ装置の一構成例を示す斜視図である。 この発明の実施の形態4に係るリッジ導波路型レーザ装置のy−z平面図である。
実施の形態1.
図1は、この発明の実施の形態1に係るリッジ導波路型レーザ装置の一構成例を示す斜視図である。図1において、Sは信号光を示し、Sampは増幅された信号光を示し、cは結晶軸を示し、Eは励起光を示す。
図2は、この発明の実施の形態1に係るリッジ導波路型レーザ装置のy−z平面図である。
図3は、この発明の実施の形態1に係るリッジ導波路型レーザ装置のx−y平面図である。
図1から図3では、コア1の上面及び下面に平行な面内において上面及び下面における直交する2つの辺に平行な方向をそれぞれx軸とz軸とし、x軸とz軸の両方に垂直な方向をy軸としている。また、z軸方向を励起光Eの光軸としている。クラッド3のc軸は、x−z平面に垂直な方向である。
本リッジ導波路型レーザ装置は、コア1、基板2、クラッド3、光損失付与部4a及び4bを備える。
コア1は、リッジ構造部を有し、等方性のレーザ媒質を有する平板状のコアである。リッジ構造部とは、凸形状(ハンプ)における突出部分である。例えば、コア1には、Er:Phosphate glass、Er、Yb:Phosphate glass、Yb:Phosphate glass、Yb:YAG、Nd:YAG、Er:YAG、Er,Yb:YAG、Tm:YAG、Ho:YAG、Tm,Ho:YAG、または、Pr:YAGなどが用いられる。
基板2は、コア1よりも低い屈折率を有する材料で構成されており、コア1の平面側である下面に接合される基板である。例えば、基板2には、活性イオンが添加されていない無添加glass、無添加YAG、クラッド3と同じ材料などが用いられる。なお、基板2は、下部クラッドとも呼ばれる。
クラッド3は、コア1内での信号光Sの伝搬方向である光軸に直交する2つの偏光方向で屈折率が異なる複屈折材料で構成されるクラッドである。クラッド3は、コア1の平板面である上面に接合されている。例えば、クラッド3には、水晶、KTPなどが用いられる。
光損失付与部4a及び4bは、リッジ構造部の側面に設けられており、レーザ光に損失を与える光損失付与部である。例えば、光損失付与部4a及び4bは、コア1のリッジ構造部の側面を粗し面とすることで形成する。粗し面とは、表面粗さRa=4nm以上の面である。また、光損失付与部4a及び4bは、リッジ構造部の側面にレーザ光を吸収する膜を付加することで形成しても良い。
なお、リッジ構造部は、コア1を凸形状(ハンプ)にすることで形成しても良いし、後述するように平板のコア1の一部にクラッド3を接合し、コア1及びクラッド3で凸形状の構造を形成して、構成しても良い。
ここで、コア1とクラッド3との屈折率関係について説明する。
コア1の屈折率をnとし、クラッド3のc軸方向の異常光屈折率をnとし、c軸に垂直な方向の常光屈折率をnとすると、nは、下記の式(1)または(2)を満足する。
Figure 0006437169
Figure 0006437169
式(1)または式(2)に加えて、コア1の屈折率nは、基板2の屈折率nとの関係で、下記の式を満足する材料で構成されている。
Figure 0006437169
以下、式(1)の関係を満足するコア1及びクラッド3の具体的な材料の組み合わせを例示する。ただし、具体的な材料の組み合わせは一例に過ぎず、式(1)の関係を満足する材料であれば、他の組み合わせであっても良い。
組合せ1
コア1 → Er:Phosphate glass、
Er,Yb:Phosphate glass、
Yb:Phosphate glass、
クラッド3 → 水晶
組合せ2
コア1 → Yb:YAG、Nd:YAG、Er:YAG、
Er,Yb:YAG、Tm:YAG、Ho:YAG、
Tm,Ho:YAG、または、Pr:YAG
クラッド3 → KTP
ここでは、コア1の材料がEr:Phosphate glassであり、クラッド3の材料が水晶である場合を例に説明する。この場合、コア1は、波長1535nmにおいて、1.515〜1.541の屈折率nを有するが、ここでは、屈折率1.541とする。
また、クラッド3は、波長1535nmにおいて、異常光線(c軸)での屈折率nが約1.536、常光線での屈折率nが約1.528である。
次に、この発明の実施の形態1に係るリッジ導波路型レーザ装置の動作について説明する。
平板状のコア1は、レーザ媒質で構成されているため、端面から励起光Eが入射されると、その励起光Eを吸収することで反転分布状態を形成する。また、コア1は、反転分布状態を形成することで利得を発生する。
コア1は、反転分布状態を形成しているときに、レーザ光である信号光Sが入射されると、その利得によって信号光を増幅する。ここでは、入射される信号光をx偏光として説明するが、y偏光であっても良い。
コア1にx偏光が入射されても、導波路の製作過程や、ヒートシンクに接着する際に、リッジ導波路の内部で応力が発生して、リッジ導波路の内部で予期せぬ屈折率分布が発生し、入射した信号光Sの偏光が保持されなくなる。この場合、コア1内でy偏光の成分が発生する。
図4は、この発明の実施の形態1に係るリッジ導波路型レーザ装置の光強度分布を示す図である。なお、図4中の両矢印は、偏光方向を示している。
上記で示した材料の場合、x偏光及びy偏光に対するコア1の屈折率は、1.541であり、x偏光に対するクラッド3の屈折率は、1.528であり、y偏光に対するクラッド3の屈折率は、1.536であるので、x偏光よりy偏光の方がコア1とクラッド3との屈折率差が小さい。
したがって、コアとクラッドの屈折率差が小さいy偏光の方が、クラッド3側へのパワーの分布が、x偏光に比べて大きくなる。したがって、y軸方向のパワー分布は、x偏光とy偏光とで差が発生する。
コア1のリッジ構造部の厚さが10μm、コア1のリッジ構造部以外の部分の厚さ(平坦部の厚さ)が8μm、リッジ構造部のリッジ幅が約40μmの場合、図4に示すように、全体のパワーに対するリッジ構造部のパワーは、y偏光で24%、x偏光で13%になる。
このように、クラッド3のc軸が、x−z平面に垂直な方向であり、コア1とクラッド3との屈折率関係が式(1)を満足することで、リッジ導波路型レーザ装置は、リッジ構造部においてx偏光の光強度分布とy偏光の光強度分布とに差を生じさせることができる。
光損失付与部4a及び4bは、リッジ構造部の側面に設けられているので、光損失付与部4a及び4bが与える損失は、x偏光とy偏光とで異なる。今回の例では、y偏光の方がリッジ構造部のパワーが大きいので、y偏光に対する損失は大きくなる。
なお、光損失付与部4a及び4bがなくても、界面(側面)で全く損失が無いということはないので、損失は生じる。損失が生じると、光損失付与部4a及び4bがある場合と同様に、y偏光の方がリッジ構造部のパワーが大きいので、y偏光に対する損失は大きくなる。また、仮に損失が生じないとしても、x偏光の方がクラッド3における光の割合が小さいため、言い換えればx偏光の方が利得を与えるコア1との空間的なオーバーラップが高いため、コア1に蓄えられたエネルギーの抜き出しに寄与する光の割合がy偏光に比べてx偏光の方が高くなるので、y偏光に比べてx偏光の方が高い利得を得られ、偏光消光比を高められる。
したがって、x偏光成分に比べて、損失が大きいy偏光成分は増幅されにくくなるので、偏光消光比を高めることができる。
次に、この発明の実施の形態1に係るリッジ導波路型レーザ装置の製造方法について説明する。
まず、レーザ媒質が平板状のコア1となるように切断した後、一対の平板面(zx面)である上面及び下面のうち、一方のzx面を研磨する。
次に、研磨したコア1のzx面に対して、式(3)を満足する材料で構成されている基板2を接合する。コア1のzx面に対する基板2の接合は、オプティカルコンタクト、表面活性化接合、拡散接合などの方法で直接接合する。あるいは、コア1と基板2との熱膨張差を緩和させるようなバッファ層を挟んで接合する。
次に、コア1のzx面のうち、未だ研磨していない方のzx面(上面)を研磨することで、コア1の厚さを所定の厚さに調整する。
次に、基板2を接合していないコア1のzx面(上面)に対して、クラッド3を接合する。ただし、コア1のzx面(上面)に接合するクラッド3は、c軸が図1〜3に示すような方向になっているクラッドである。
次に、リッジ構造部の作製は、レジストをパターニング後、エッチングすることにより作製する。このとき、光損失付与部4a及び4bに相当するリッジ構造部の側面は、条件出しが不十分であると、一般的には荒れる傾向がある。この場合、リッジ構造部の側面は粗し面となり、リッジ構造部における光を散乱させ、損失を与える。このように、一般的には、リッジ構造部の側面は、光に損失を与える光損失付与部4a及び4bとなる。
なお、リッジ導波路型レーザ増幅器に励起光を供給する具体的な光源は、半導体レーザ、ファイバレーザ、その他固体レーザなどが挙げられる。
以上で明らかなように、この実施の形態1によれば、コア1内での信号光の伝搬方向である光軸に直交する2つの偏光方向で屈折率が異なり、2つの偏光の屈折率がコア1の屈折率より低い複屈折材料でクラッド3を構成し、リッジ構造部において2つの偏光の光強度分布に差が生じるようにしたので、コア1に等方性のレーザ媒質を用いても信号光の偏光消光比を高める効果を奏する。
実施の形態2.
実施の形態1では、レーザ増幅器の例を示したが、実施の形態2では、レーザ発振器の例を示す。
図5は、この発明の実施の形態2に係るリッジ導波路型レーザ装置を示す斜視図である。
図6は、この発明の実施の形態2に係るリッジ導波路型レーザ装置におけるy−z平面図である。
なお、図5及び図6中、図1と同一符号は同一又は相当部分を示し、説明を省略する。図5において、Soscは発振した信号光を示す。
コーティング5(反射膜の一例)は、励起光入力端面に成膜されており、信号光に対して高反射率を有し、励起光に対して低反射率を有するコーティングである。例えば、コーティング5は、誘電体多層膜が用いられる。
コーティング6(部分反射膜の一例)は、励起光入力端面と対向する端面に成膜されており、信号光の一部を反射する特性を有し、励起光に対して高反射率を有するコーティングである。コーティング6は、コア1及びコーティング5とともに共振器を構成する。例えば、コーティング6は、誘電体多層膜が用いられる。
次に、この発明の実施の形態2に係るリッジ導波路型レーザ装置の動作について説明する。
励起光Eが、コア1に入射され、コア1内部で信号光が発生する。コア1内部で発生した信号光は、コーティング5及びコーティング6で反射され、下記の式の発振条件を満足するとレーザ発振する。そして、発振光Soscがコーティング6から出力される。
Figure 0006437169
ここで、gはコア1で発生する小信号利得係数、αは共振器内部損失である。共振器内部損失とは、コーティング5と6との間におけるリッジ導波路で発生する散乱による損失、吸収による損失、コーティング5がコートされているリッジ導波路の端面における結合損失、及びコーティング6がコートされているリッジ導波路の端面における結合損失などの損失の総和である。Lはリッジ導波路の長さ、Tはコーティング6の発振光の透過率である。
内部で生じる信号光においてx偏光とy偏光の強度分布は、実施の形態1の場合と同様であり、全体のパワーに対するリッジ構造部のパワーは、x偏光とy偏光とで差が生じる。
そして、x偏光とy偏光とに対して光損失付与部4a及びbが与える損失は異なるので、上式のαは、偏光方向によって値が異なる。このため、損失が小さい偏光に対して発振し、もう一方の偏光の発振を抑制できる。
以上で明らかなように、この発明の実施の形態2によれば、コア1内での信号光の伝搬方向である光軸に直交する2つの偏光方向で屈折率が異なり、コア1の屈折率より低い複屈折材料でクラッド3を構成し、2つの偏光の光強度分布に差を与え、一方の偏光に対して損失が大きくなるように構成したので、直線偏光の発振光Soscを出力することができる。
実施の形態3.
実施の形態1では、光損失付与部4a及び4bがリッジ構造部の側面に構成され、2つの偏光に損失差を与える例を示したが、実施の形態3では、クラッド3の常光線屈折率と異常光線屈折率の間の屈折率を有する光学材料7で、リッジ構造部周囲を埋め尽くすことで、2つの偏光に損失差を与える例を示す。
図7は、この発明の実施の形態3に係るリッジ導波路型レーザ装置を示す斜視図である。
図8は、この発明の実施の形態3に係るリッジ導波路型レーザ装置におけるy−z平面図である。
図9は、この発明の実施の形態3に係るリッジ導波路型レーザ装置におけるx−y平面図である。
なお、図7、図8、及び図9中、図1と同一符号は同一又は相当部分を示し、説明を省略する。
光学材料7は、屈折率をnとしたときに、下記の条件を満たす光学材料である。光学材料7は、コア1におけるリッジ導波路の平坦部に接合される。平坦部とは、リッジ導波路における突出部でない部分である(図9参照)。例えば、光学材料7は、誘電体膜、光学的に使用可能な接着剤などが用いられる。
Figure 0006437169
または
Figure 0006437169
基板8は、リッジ導波路の端面研磨時の面ダレを防ぐための補強基板である。例えば、基板8は、基板2と同じ材料、ガラス、セラミック、結晶などが用いられる。
次に、この発明の実施の形態3に係るリッジ導波路型レーザ装置の動作について説明する。

図9に示すように、x偏光及びy偏光に対するリッジ導波路におけるリッジ構造部の等価屈折率をそれぞれnc2x、nc2yとし、x偏光及びy偏光に対するリッジ導波路における平坦部の等価屈折率をそれぞれnc1x、nc1yとする。
式(5)の条件では、n<nであるので、リッジ構造部と平坦部との等価屈折率関係は、下記のようになる。
Figure 0006437169
Figure 0006437169
式(7)に示すように、y偏光に対して平坦部の等価屈折率がリッジ構造部の等価屈折率より低いので、y偏光は、導波モードとなり、光がリッジ構造部に閉じ込められる。
一方、式(8)に示すように、x偏光に対して平坦部の等価屈折率がリッジ構造部の等価屈折率より高いので、x偏光は、放射モードとなり、光は閉じ込められない。
なお、式(6)の条件では、リッジ構造部と平坦部との等価屈折率関係は、下記のようになる。
Figure 0006437169
Figure 0006437169
この場合、x偏光が導波モードとなり、y偏光が放射モードとなる。
このように、式(7)及び式(8)、または式(9)及び式(10)の条件下では、x偏光またはy偏光のいずれか一方の偏光に対して、x軸方向の閉じ込めができなくなるので、x偏光とy偏光とで伝搬損失に差が生じる。
以上で明らかなように、この実施の形態3によれば、クラッド3の常光線屈折率と異常光線屈折率との間の屈折率を有する光学材料7をリッジ導波路の平坦部に接合することで、偏光に対してリッジ構造部の等価屈折率と平坦部の等価屈折率との関係を変化させ、一方の偏光に対してx軸方向の閉じ込めが出来なくなるようにしたので、直線偏光の信号光を出力することができる。
なお、実施の形態3では、コア1の形状は平板であるが、実施の形態1と同様に凸形状にしても良い。
図7から図9において基板8を示しているが、基板8は必須ではない。ただし、基板8を有することで、以下に示すように、端面研磨におけるコア1の端面のダレを防ぐことができる。
図10は、リッジ導波路型レーザ装置の端面研磨における面のダレを示す図である。基板8がない場合、端面の端の部分と中央の部分において研磨時に発生する熱的な条件が異なることなどにより、端面のダレが生じる。端面のダレが発生すると光損失が発生する。
実施の形態4.
実施の形態3では、クラッド3の常光線屈折率と異常光線屈折率との間の屈折率を有する光学材料7をリッジ導波路の平坦部に接合することで、x偏光とy偏光とに損失差を与える増幅器の例を示したが、実施の形態4では、その場合の発振器の例を説明する。
図11は、この発明の実施の形態4に係るリッジ導波路型レーザ装置を示す斜視図である。
図12は、この発明の実施の形態4に係るリッジ導波路型レーザ装置におけるy−z平面図である。
なお、図11及び図12中、図7と同一符号は同一又は相当部分を示し、説明を省略する。図11において、Soscは発振した信号光を示す。
次に、この発明の実施の形態4に係るリッジ導波路型レーザ装置の動作について説明する。
励起光Eが、コア1に入射され、コア1内部で信号光が発生する。コア1内部で発生した信号光は、コーティング5及びコーティング6で反射され、式(4)の発振条件を満足するとレーザ発振する。そして、発振光Soscがコーティング6から出力される。
このとき、リッジ導波路の平坦部に接合された光学材料7はクラッド3の常光線屈折率と異常光線屈折率との間の屈折率を有するので、実施の形態3と同様に、x偏光またはy偏光のいずれか一方に対してx軸方向の閉じ込めができなくなり、x偏光とy偏光とで伝搬損失に差が生じる。
したがって、伝搬損失が大きい方の偏光が放射モードとなり、伝搬損失が小さい方の偏光が導波モードとなる。導波モードの偏光はコーティング5及びコーティング6で反射され、レーザ発振し、コーティング6から出力される。
以上で明らかなように、この実施の形態4によれば、クラッド3の常光線屈折率と異常光線屈折率との間の屈折率を有する光学材料7をリッジ導波路の平坦部に接合することで、x偏光とy偏光とで伝搬損失に差を生じさせ、伝搬損失の小さい偏光を発振させるので、直線偏光の発振光Soscを出力することができる。
なお、上記実施の形態1乃至4において、クラッド3が一軸結晶の例を示したが、二軸結晶でもよい。
1 コア、2 基板、3 クラッド、4a 4b 光損失付与部、5 コーティング、6 コーティング、7 光学材料、8 基板。

Claims (5)

  1. 基板と、
    前記基板に接合され、レーザ媒質を有し、前記基板より屈折率が高いコアと、
    前記コアに接合され、前記コアとともにリッジ導波路を構成し、前記コアの屈折率より常光屈折率及び異常光屈折率が低い複屈折材料から構成され、前記常光屈折率と前記異常光屈折率とが異なるクラッドと、
    を備えたことを特徴とするリッジ導波路型レーザ装置。
  2. 前記コアはリッジ構造部を有し、
    光に損失を与える光損失付与部を前記リッジ構造部の側面に設けたことを特徴とする請求項1に記載のリッジ導波路型レーザ装置。
  3. 前記光損失付与部は、粗し面であることを特徴とする請求項2に記載のリッジ導波路型レーザ装置。
  4. 前記常光屈折率と前記異常光屈折率との間の屈折率を有し、前記リッジ導波路の平坦部に接合された光学材料と、
    を備えたことを特徴とする請求項1に記載のリッジ導波路型レーザ装置。
  5. 前記コアに接合され、前記コアに入射される励起光を透過させ、前記コア内で生じた信号光を反射する反射膜と、
    前記反射膜と対向し、前記コアに接合され、前記励起光を反射させ、前記信号光の一部を反射させる部分反射膜と
    を備えたことを特徴とする請求項1に記載のリッジ導波路型レーザ装置。
JP2018534230A 2016-08-17 2016-08-17 リッジ導波路型レーザ装置 Expired - Fee Related JP6437169B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2016/073987 WO2018033970A1 (ja) 2016-08-17 2016-08-17 リッジ導波路型レーザ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP6437169B2 true JP6437169B2 (ja) 2018-12-12
JPWO2018033970A1 JPWO2018033970A1 (ja) 2018-12-13

Family

ID=61197217

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018534230A Expired - Fee Related JP6437169B2 (ja) 2016-08-17 2016-08-17 リッジ導波路型レーザ装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10985521B2 (ja)
EP (1) EP3487015B1 (ja)
JP (1) JP6437169B2 (ja)
CN (1) CN109565142B (ja)
WO (1) WO2018033970A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230077939A1 (en) * 2021-09-15 2023-03-16 Changhua Liu Photonic integrated circuit to glass substrate alignment through dual cylindrical lens
US20230077633A1 (en) * 2021-09-15 2023-03-16 Intel Corporation Photonic integrated circuit to glass substrate alignment through integrated cylindrical lens and waveguide structure

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10123343A (ja) * 1996-10-23 1998-05-15 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 導波形デバイス及びその製造方法
KR100230453B1 (ko) * 1997-04-30 1999-11-15 윤종용 광표백에 의해 유기되는 복굴절을 이용한 광도파로 편광기 및 그 제조방법
JPH11352348A (ja) * 1998-06-05 1999-12-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光導波路型偏光子
US6157765A (en) * 1998-11-03 2000-12-05 Lucent Technologies Planar waveguide optical amplifier
US7065121B2 (en) * 2001-07-24 2006-06-20 Gsi Group Ltd. Waveguide architecture, waveguide devices for laser processing and beam control, and laser processing applications
JP2007333756A (ja) 2006-06-12 2007-12-27 Fujitsu Ltd 光導波路デバイスおよび光変調器
EP2175533B1 (en) * 2007-07-27 2019-06-19 Mitsubishi Electric Corporation Planar waveguide laser apparatus
US8131120B2 (en) * 2008-08-19 2012-03-06 Alcatel Lucent Planar polarization splitter
WO2010134178A1 (ja) * 2009-05-21 2010-11-25 三菱電機株式会社 光導波路型偏光子、それを用いた光スイッチング装置及びqスイッチレーザ装置
JP5313198B2 (ja) 2010-03-30 2013-10-09 住友大阪セメント株式会社 導波路型偏光子
JP5872067B2 (ja) * 2012-12-03 2016-03-01 三菱電機株式会社 平面導波路型レーザ励起モジュールおよび平面導波路型波長変換レーザ装置
US9450370B2 (en) * 2012-12-10 2016-09-20 Mitsubishi Electric Corporation Planar waveguide laser device
EP3007288B1 (en) * 2013-06-06 2021-07-21 Mitsubishi Electric Corporation Waveguide-type laser device
CN105874661B (zh) * 2013-12-27 2019-02-19 三菱电机株式会社 平面波导型激光装置
WO2015182017A1 (ja) * 2014-05-26 2015-12-03 三菱電機株式会社 光学装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2018033970A1 (ja) 2018-12-13
US10985521B2 (en) 2021-04-20
EP3487015A1 (en) 2019-05-22
EP3487015B1 (en) 2021-09-22
CN109565142A (zh) 2019-04-02
EP3487015A4 (en) 2019-08-07
CN109565142B (zh) 2021-03-26
US20200381887A1 (en) 2020-12-03
WO2018033970A1 (ja) 2018-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4754020B2 (ja) 平面導波路型レーザ装置
JP6253672B2 (ja) 平面導波路型レーザ装置
JP6437169B2 (ja) リッジ導波路型レーザ装置
JP5389169B2 (ja) 平面導波路型レーザ装置およびそれを用いたディスプレイ装置
JP6124683B2 (ja) 平面導波路型レーザ装置
JP5933754B2 (ja) 平面導波路型レーザ装置
JP5645753B2 (ja) 平面導波路型レーザ装置
CN107851953B (zh) 平面波导型激光装置
JP6447342B2 (ja) 平面導波路、レーザ増幅器及びレーザ発振器
WO2013140432A1 (ja) レーザ装置
JP6282632B2 (ja) しみ出し光発生素子およびしみ出し光発生デバイス
WO2019116544A1 (ja) リッジ光導波路及びレーザ装置
JP2017069252A (ja) 平面導波路型レーザ増幅器
JP2003227931A (ja) 偏光子一体型光部品、その製造法およびそれを使用する直線偏波結合方法
JP7042981B2 (ja) 固体レーザ媒質、固体レーザ増幅器および固体レーザ発振器
WO2019130551A1 (ja) 平面導波路及びレーザ増幅器
JP2013089790A (ja) 平面導波路型レーザ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180820

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20180820

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20180911

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20181016

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20181113

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6437169

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees