JPWO2017110765A1 - めっき装置 - Google Patents
めっき装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2017110765A1 JPWO2017110765A1 JP2017558134A JP2017558134A JPWO2017110765A1 JP WO2017110765 A1 JPWO2017110765 A1 JP WO2017110765A1 JP 2017558134 A JP2017558134 A JP 2017558134A JP 2017558134 A JP2017558134 A JP 2017558134A JP WO2017110765 A1 JPWO2017110765 A1 JP WO2017110765A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- plating
- opening
- plated
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 160
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 12
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 copper ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/08—Electroplating with moving electrolyte e.g. jet electroplating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/02—Tanks; Installations therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/10—Electrodes, e.g. composition, counter electrode
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/10—Electrodes, e.g. composition, counter electrode
- C25D17/12—Shape or form
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/10—Agitating of electrolytes; Moving of racks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
Description
<実施形態の構成>
図1は、本発明の実施形態に係るめっき装置の構成を示す縦断面図である。
図1に示すめっき装置10は、シリコンウェハ等の被めっき物20のめっき面20aに均一なめっき膜{図2Aの符号22a参照}を形成するものである。めっき装置10は、大きく分類して、水槽30と、ノズル部40と、被めっき物セット部50と、直流電源(電源)60と、ポンプ70とを備えて構成されている。
穴開き板部材42は、角筒状のノズル固定部31の外径と同じ外径のガラスエポキシ基板等の固形部材を用いて形成されており、中央部にノズル40aの内径よりも小さい貫通穴42aが形成されている。貫通穴42aの径は、例えばノズル40aの開口径がφ15mm位で有れば、φ8mm位である。この貫通穴42aの径サイズは、後述のように、めっき液22が所定速度で貫通穴42aを通過時にノズル40a内で乱流状態となることが可能なサイズであればよい。
次に、本実施形態のめっき装置10により被めっき物20にメッキを施す場合の動作を説明する。前提条件として、図1に示すようにめっき装置10が組立てられ、被めっき物20がセットされて、めっき液22が必要量貯留されているとする。
以上説明したように、本実施形態のめっき装置10は、めっき液22が注入される水槽30と、水槽30内に設置される陽極としての筒状のノズル40aを有するノズル部40と、水槽30内にノズル部40に対向して設置される陰極としての被めっき物20と、ノズル部40と被めっき物20との間に電圧を印加する直流電源60と、水槽30に注入されためっき液22がノズル40aを通って被めっき物20へ噴出されるようにめっき液22を循環させるポンプ70とを有する。
図4は、本実施形態の変形例のめっき装置の構成を示す縦断面図である。
変形例のめっき装置10Bは、穴開き板部材42(図1)を備えない次の特徴構成となっている。即ち、めっき装置10Bの特徴は、ノズル40Ba及び周回平面部40Bbを一体に備えて成るハット形状のノズル部40Bが、当該ノズル40Bの流入側の開口に、開口周縁から開口中心に向かって環状に突出する環状板部40Brを、周回平面部40Bbに面一に備えて構成されている。
20 被めっき物
20a めっき面
22a めっき膜
30 水槽
31 ノズル固定部
32 底面部
33 流路
34 蓋
34a ネジ穴
35 押圧ネジ
40 ノズル部
40a ノズル
40b 周回平面部
41 パッキン
42 穴開き板部材
42a 貫通穴
43 絶縁部材
50 被めっき物セット部
50a 角筒部
51 隔壁部
51a 貫通穴
52 周回突出部
53 L字流路
54 マスク部材
54a めっき形成穴
55 陰極付押圧部
60 直流電源
70 ポンプ
Claims (5)
- めっき液が注入される水槽と、当該水槽内に設置される陽極としての筒状のノズルと、当該水槽内に前記ノズルに対向して設置される陰極としての被めっき物と、前記ノズルと前記被めっき物との間に電圧を印加する直流電源と、前記水槽に注入されためっき液が前記ノズルを通って前記被めっき物へ噴出されるように前記めっき液を循環させるポンプとを有するめっき装置において、
前記ノズルの流入側の開口を、当該ノズルの内径よりも小径に制限する開口制限手段
を備えることを特徴とするめっき装置。 - 前記開口制限手段は、前記ノズルの内径よりも小径の貫通穴を有する穴開き板部材を、前記ノズルの開口領域に当該貫通穴が対向するにように、前記ノズルの流入側に配設して成る
ことを特徴とする請求項1に記載のめっき装置。 - 前記開口制限手段は、前記ノズルの流入側の開口に、当該開口の周縁から当該開口中心に向かって環状に突出し、当該環状の内側の開口が前記ノズルの開口よりも小径となっている環状板部を備えて成る
ことを特徴とする請求項1に記載のめっき装置。 - 前記ノズルから噴出されて前記被めっき物に当たった後のめっき液を、この流れが途中で下方へ曲がるようにして前記ポンプの流入側へ戻す屈折流路
を更に備えることを特徴とする請求項1に記載のめっき装置。 - 前記ノズルのめっき液の噴出口に対向する位置に貫通穴を有し、当該貫通穴から前記被めっき物のめっき面が前記噴出口に向かって露出する状態に、当該被めっき物がセットされるセット部を備え、
前記セット部の貫通穴の周回面に前記屈折流路の流入口が開口するように、当該屈折流路が当該セット部に形成されている
ことを特徴とする請求項4に記載のめっき装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015254509 | 2015-12-25 | ||
JP2015254509 | 2015-12-25 | ||
PCT/JP2016/087860 WO2017110765A1 (ja) | 2015-12-25 | 2016-12-20 | めっき装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017110765A1 true JPWO2017110765A1 (ja) | 2018-10-18 |
JP6757073B2 JP6757073B2 (ja) | 2020-09-16 |
Family
ID=59090393
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017558134A Active JP6757073B2 (ja) | 2015-12-25 | 2016-12-20 | めっき装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10697079B2 (ja) |
JP (1) | JP6757073B2 (ja) |
WO (1) | WO2017110765A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7138947B2 (ja) * | 2017-10-19 | 2022-09-20 | 国立大学法人九州大学 | めっき方法、気泡噴出部材、めっき装置、および、デバイス |
US11967901B2 (en) | 2021-12-09 | 2024-04-23 | Renesas Design (UK) Limited | Hybrid multi-phase power converter with phase shedding |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6394967U (ja) * | 1986-12-10 | 1988-06-18 | ||
JP2002115096A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-19 | Applied Materials Inc | めっき装置 |
JP2003532798A (ja) * | 2000-05-11 | 2003-11-05 | エヌユー トゥール インコーポレイテッド | 導電層をメッキ及び平坦化するための陽極組立体 |
US20040154915A1 (en) * | 2003-02-06 | 2004-08-12 | Applied Materials, Inc. | Contact plating apparatus |
US20140124361A1 (en) * | 2008-11-07 | 2014-05-08 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for filling interconnect structures |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050040049A1 (en) * | 2002-09-20 | 2005-02-24 | Rimma Volodarsky | Anode assembly for plating and planarizing a conductive layer |
DE102005033857A1 (de) | 2005-07-12 | 2007-01-18 | Siemens Ag | Elektrodenanordnung und Verfahren zum elektrochemischen Beschichten einer Werkstückoberfläche |
JP4733477B2 (ja) | 2005-09-05 | 2011-07-27 | 株式会社山本鍍金試験器 | 電気めっき試験器 |
-
2016
- 2016-12-20 US US16/065,503 patent/US10697079B2/en active Active
- 2016-12-20 WO PCT/JP2016/087860 patent/WO2017110765A1/ja active Application Filing
- 2016-12-20 JP JP2017558134A patent/JP6757073B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6394967U (ja) * | 1986-12-10 | 1988-06-18 | ||
JP2003532798A (ja) * | 2000-05-11 | 2003-11-05 | エヌユー トゥール インコーポレイテッド | 導電層をメッキ及び平坦化するための陽極組立体 |
JP2002115096A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-19 | Applied Materials Inc | めっき装置 |
US20040154915A1 (en) * | 2003-02-06 | 2004-08-12 | Applied Materials, Inc. | Contact plating apparatus |
US20140124361A1 (en) * | 2008-11-07 | 2014-05-08 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for filling interconnect structures |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10697079B2 (en) | 2020-06-30 |
US20190003069A1 (en) | 2019-01-03 |
WO2017110765A1 (ja) | 2017-06-29 |
JP6757073B2 (ja) | 2020-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20240158942A1 (en) | Substrate supporting plate, thin film deposition apparatus including the same, and thin film deposition method | |
JP6335763B2 (ja) | めっき装置及びめっき方法 | |
US9624592B2 (en) | Cross flow manifold for electroplating apparatus | |
EP2017374A3 (en) | Plating apparatus and method | |
TW200704315A (en) | Plating apparatus, plating method, and method for manufacturing semiconductor device | |
JPWO2017110765A1 (ja) | めっき装置 | |
KR20150043522A (ko) | 제품 홀딩 기기 및 처리 방법 | |
JP2003301299A (ja) | 電気めっき試験器の陰極カートリッジ | |
TW201641751A (zh) | 電鍍槽裝置 | |
CN108531953A (zh) | 用于电镀的宽唇形密封件 | |
US3763027A (en) | Sparger | |
KR20120129125A (ko) | 반도체 기판의 전기 도금 장치 및 방법 | |
TWI649457B (zh) | 具有幾何電解液流動路徑的電鍍處理器 | |
JP6186499B2 (ja) | ウェハのメッキおよび/または研磨のための装置および方法 | |
JP2016160521A (ja) | めっき装置 | |
JP6431128B2 (ja) | ウェハのメッキおよび/または研磨のための装置および方法 | |
KR101999558B1 (ko) | 도금 장치 및 이것의 압력 탱크 | |
JP2018193608A (ja) | めっき装置 | |
JP2002115092A (ja) | 電気めっき試験器の陰極カートリッジおよび陽極カートリッジ | |
KR20200008443A (ko) | 플라즈마 전해 산화 장치 및 방법 | |
KR101684326B1 (ko) | 패널 건조 및 세정용 에어나이프 | |
GB2570268A (en) | System for chemical and/or electrolytic surface treatment | |
JP2006052471A (ja) | 電気めっき試験器 | |
JP6911243B2 (ja) | メッキ装置 | |
TWM532469U (zh) | 電鍍槽裝置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A527 Effective date: 20180208 |
|
A80 | Written request to apply exceptions to lack of novelty of invention |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A801 Effective date: 20180208 |
|
A80 | Written request to apply exceptions to lack of novelty of invention |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A80 Effective date: 20180209 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190722 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200818 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200825 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6757073 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |