JPWO2017082173A1 - Manufacturing method of organic EL device and organic EL device - Google Patents

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Abstract

一実施形態に係る有機ELデバイス1は、バンク付き基板10が有しておりバンク13で規定される画素領域2aに設けられた第1の電極12上に、塗布法によって有機発光層23を形成する工程と、有機発光層の平坦度を算出する工程と、上記平坦度が所望の平坦度以上であるか否かを判定する工程と、第2の電極30を形成する工程とを備え、有機発光層の最小厚さをd(nm)とし、(d+所定値)nm以下である有機発光層の面積をA1とし、画素領域の面積をA2としたとき、平坦度は、(A1/A2)×100で表され、判定工程において、平坦度が所望の値以上である場合、第2の電極を形成する工程を実施し、判定工程において、平坦度が所望の値未満である場合、有機発光層の形成条件を変更して有機発光層を形成する。
In an organic EL device 1 according to an embodiment, an organic light emitting layer 23 is formed by a coating method on a first electrode 12 provided in a pixel region 2a defined by a bank 13 having a substrate 10 with a bank. A step of calculating the flatness of the organic light emitting layer, a step of determining whether the flatness is equal to or higher than a desired flatness, and a step of forming the second electrode 30. When the minimum thickness of the light emitting layer is d (nm), the area of the organic light emitting layer having (d + predetermined value) nm or less is A1, and the area of the pixel region is A2, the flatness is (A1 / A2) When the flatness is greater than or equal to a desired value in the determination step, the step of forming the second electrode is performed, and in the determination step, the organic light emission is performed when the flatness is less than the desired value. The organic light emitting layer is formed by changing the layer formation conditions.

Description

本発明は、有機ELデバイスの製造方法及び有機ELデバイスに関する。   The present invention relates to an organic EL device manufacturing method and an organic EL device.

有機ELデバイスとして、特許文献1のように、バンク(隔壁)によって複数の画素を規定したものが知られている。このような有機ELデバイスでは、各画素内に有機発光層が設けられ、画素毎に光が発せられる。   As an organic EL device, a device in which a plurality of pixels are defined by banks (partition walls) as in Patent Document 1 is known. In such an organic EL device, an organic light emitting layer is provided in each pixel, and light is emitted for each pixel.

国際公開第2008/149499号International Publication No. 2008/149499

有機ELデバイスが有する画素内の有機発光層の厚さが不均一であると、画素における輝度特性(例えば、輝度の均一性など)が劣化する。有機発光層の厚さを均一、すなわち、有機発光層を平坦にするためには、従来、有機発光層の下地となる層を平坦にしておくことが求められていた。しかしながら、この場合、層毎に層の平坦性を評価する必要があり、製造工程が煩雑になる。また、有機発光層の平坦性と輝度との関係が不明であることから、有機発光層上に電極を形成するなどして有機ELデバイスを一度製造した後に発光させてみるまで、所望の輝度特性が得られるかどうか判明しない。そのため、所望の輝度特性が得られていない場合には、再度、有機発光層のみならず有機発光層に設けるべき電極も形成する必要があり、有機ELデバイスの生産性が低下する。   When the thickness of the organic light emitting layer in the pixel of the organic EL device is not uniform, luminance characteristics (for example, luminance uniformity) in the pixel deteriorate. In order to make the thickness of the organic light emitting layer uniform, that is, to flatten the organic light emitting layer, it has been conventionally required to flatten the layer serving as the base of the organic light emitting layer. However, in this case, it is necessary to evaluate the flatness of each layer, and the manufacturing process becomes complicated. In addition, since the relationship between the flatness of the organic light-emitting layer and the luminance is unknown, the desired luminance characteristics are required until the organic EL device is made to emit light after being manufactured once by forming an electrode on the organic light-emitting layer. I don't know if Therefore, when desired luminance characteristics are not obtained, it is necessary to form not only the organic light emitting layer but also an electrode to be provided on the organic light emitting layer, which reduces the productivity of the organic EL device.

そこで、本発明は、生産性の向上を図り得る有機ELデバイスの製造方法及び有機ELデバイスを提供することを目的とする。   Then, an object of this invention is to provide the manufacturing method and organic EL device of an organic EL device which can aim at the improvement of productivity.

すなわち、本発明の一側面に係るバンク付き基板は、基板と、上記基板に設けられており画素を規定するためのバンクと、上記基板において上記画素に対応する画素領域上に設けられる第1の電極とを備えるバンク付き基板の上記第1の電極上に、塗布法によって有機発光層を形成する工程と、上記有機発光層の平坦度を算出する工程と、上記有機発光層の平坦度が所望の平坦度以上であるか否かを判定する工程と、上記有機発光層上に第2の電極を形成する工程と、を備え、上記平坦度を算出する工程では、上記有機発光層の最小厚さをd(nm)とし、上記基板の厚さ方向からみたときに(d+所定値)nm以下である上記有機発光層の面積をA1とし、上記画素領域の面積をA2とし、上記平坦度をαとしたとき、上記平坦度を下記式(1)により算出し、上記判定する工程において、上記平坦度が所望の値以上である場合、上記第2の電極を形成する工程を実施し、上記判定する工程において、上記平坦度が所望の値未満である場合、上記有機発光層を形成する工程において、上記有機発光層の形成条件を変更して上記有機発光層を形成する。
α=(A1/A2)×100・・・(1)
That is, a banked substrate according to one aspect of the present invention includes a substrate, a bank provided on the substrate for defining a pixel, and a first region provided on a pixel region corresponding to the pixel on the substrate. A step of forming an organic light emitting layer by a coating method on the first electrode of the banked substrate including electrodes, a step of calculating the flatness of the organic light emitting layer, and a flatness of the organic light emitting layer is desired. A step of determining whether or not the flatness of the organic light-emitting layer is equal to or greater than the thickness of the organic light-emitting layer, and a step of forming a second electrode on the organic light-emitting layer. The thickness of the organic light emitting layer is (d + predetermined value) nm or less when viewed from the thickness direction of the substrate, and the area of the organic light emitting layer is A1, the area of the pixel region is A2, and the flatness is where α is the flatness, In the step of calculating and determining in step 1), if the flatness is greater than or equal to a desired value, the step of forming the second electrode is performed, and in the step of determining, the flatness is a desired value. If it is less, the organic light emitting layer is formed by changing the formation conditions of the organic light emitting layer in the step of forming the organic light emitting layer.
α = (A1 / A2) × 100 (1)

本願発明者らは、バンクにより規定される画素内に形成される有機発光層の平坦度を上記のように定義した場合、平坦度と、有機発光層から輝度状態との間に一定の関係性を見出した。   When the flatness of the organic light emitting layer formed in the pixel defined by the bank is defined as described above, the inventors of the present application have a certain relationship between the flatness and the organic light emitting layer to the luminance state. I found.

上記製造方法では、平坦度が所望の値以上の有機発光層を画素内に有する有機ELデバイスを製造できる。このような有機ELデバイスでは、本願発明者らが見出した知見によれば、実質的に上記所望の値に対応した輝度状態で画素から光を出射可能である。この場合、有機ELデバイスの製造において、有機発光層の平坦度を調整することにより、画素から所望の輝度状態で光を出射可能な有機ELデバイスを製造できる。そのため、有機ELデバイスの生産性が向上する。   In the above manufacturing method, an organic EL device having an organic light emitting layer having a flatness equal to or higher than a desired value in a pixel can be manufactured. In such an organic EL device, according to the knowledge found by the inventors of the present application, light can be emitted from the pixel in a luminance state substantially corresponding to the desired value. In this case, in the manufacture of the organic EL device, by adjusting the flatness of the organic light emitting layer, an organic EL device capable of emitting light in a desired luminance state from the pixel can be manufactured. Therefore, the productivity of the organic EL device is improved.

上記所望の平坦度は、輝度分布率算出用画素に対して上記式(1)により規定される平坦度と、上記輝度分布率算出用画素における輝度分布率との関係に基づいて設定されており、上記輝度分布率は、上記輝度分布率算出用画素において、上記輝度分布率算出用画素の面積の最大輝度の70%以上の輝度を有する領域の面積の割合であり得る。   The desired flatness is set based on the relationship between the flatness defined by the above formula (1) for the luminance distribution rate calculation pixel and the luminance distribution rate in the luminance distribution rate calculation pixel. The luminance distribution rate may be a ratio of the area of a region having 70% or more of the maximum luminance of the area of the luminance distribution rate calculation pixel in the luminance distribution rate calculation pixel.

このような平坦度と輝度分布率との関係により、有機発光層の平坦度を所望の値以上とすることで、所望の輝度分布率を実現できる。   Due to the relationship between the flatness and the luminance distribution rate, the desired luminance distribution rate can be realized by setting the flatness of the organic light emitting layer to a desired value or more.

上記所望の平坦度は、70%であり、好ましくは80%であり得る。   The desired flatness can be 70%, preferably 80%.

上記記バンク付き基板の上記第1の電極上に、少なくとも一つの有機層を含む有機構造体を形成する工程を更に備えてもよい。この場合、上記有機発光層を形成する工程では、上記有機構造体上に上記有機発光層を形成してもよい。   You may further provide the process of forming the organic structure containing an at least 1 organic layer on the said 1st electrode of the said board | substrate with a bank. In this case, in the step of forming the organic light emitting layer, the organic light emitting layer may be formed on the organic structure.

上記有機発光層を形成する工程を備える形態において、上記平坦度を算出する工程では、上記有機発光層の厚さ分布を、上記有機構造体の厚さ分布と、上記有機構造体上に上記有機発光層が形成されてなる積層体の厚さ分布との差から算出し、上記有機発光層の厚さ分布に基づいて、上記平坦度を算出し得る。   In the embodiment including the step of forming the organic light emitting layer, in the step of calculating the flatness, the thickness distribution of the organic light emitting layer is changed to the thickness distribution of the organic structure and the organic on the organic structure. The flatness can be calculated on the basis of the thickness distribution of the organic light emitting layer by calculating the difference from the thickness distribution of the laminate formed with the light emitting layer.

本発明の他の側面に係る有機ELデバイスは、(A)基板と、上記基板に設けられており画素を規定するためのバンクと、(B)上記基板において上記画素に対応する画素領域上に設けられる第1の電極とを有するバンク付き基板と、(C)上記記第1の電極上に設けられる有機発光層と、(D)有機発光層上に設けられる第2の電極と、を備え、上記有機発光層の最小厚さをd(nm)とし、上記基板の厚さ方向からみたときに(d+所定値)nm以下となる上記有機発光層の面積をA1とし、上記画素領域の面積をA2とし、上記有機発光層の平坦度を、(A1/A2)×100[%]としたとき、上記平坦度が70%以上である。   An organic EL device according to another aspect of the present invention includes (A) a substrate, a bank provided on the substrate for defining a pixel, and (B) a pixel region corresponding to the pixel on the substrate. A banked substrate having a first electrode provided; (C) an organic light emitting layer provided on the first electrode; and (D) a second electrode provided on the organic light emitting layer. The minimum thickness of the organic light emitting layer is d (nm), the area of the organic light emitting layer that is (d + predetermined value) nm or less when viewed from the thickness direction of the substrate is A1, and the area of the pixel region Is A2, and the flatness of the organic light emitting layer is (A1 / A2) × 100 [%], the flatness is 70% or more.

本願発明者らが見出した上記平坦度と、輝度分布率との関係から、上記有機ELデバイスでは、70%以上の平坦度に応じた輝度分布率を実現可能である。この有機ELデバイスは、上記有機ELデバイスの製造方法で製造可能であるので、生産性の向上を図り得る。   From the relationship between the flatness found by the present inventors and the luminance distribution rate, the organic EL device can achieve a luminance distribution rate corresponding to a flatness of 70% or more. Since this organic EL device can be manufactured by the manufacturing method of the organic EL device, productivity can be improved.

上記所定値は、例えば、2以上15以下であり得る。上記所定値は10とし得る。   The predetermined value may be 2 or more and 15 or less, for example. The predetermined value may be 10.

本発明によれば、生産性の向上を図り得る有機ELデバイスの製造方法及び有機ELデバイスを提供できる。   According to the present invention, it is possible to provide an organic EL device manufacturing method and an organic EL device capable of improving productivity.

図1は、一実施形態に係る有機ELデバイスをバンク付き基板側から見た場合の平面図である。FIG. 1 is a plan view of an organic EL device according to an embodiment as viewed from the banked substrate side. 図2は、図1のII―II線に沿った断面の一部拡大図である。FIG. 2 is a partially enlarged view of a cross section taken along line II-II in FIG. 図3は、図1の有機ELデバイスが有するバンク付き基板を説明する図面である。FIG. 3 is a diagram illustrating a banked substrate included in the organic EL device of FIG. 図4は、一実施形態に係る有機ELデバイスの製造方法の一例のフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart of an example of a method for manufacturing an organic EL device according to an embodiment. 図5は、有機構造体形成工程を説明するための図面である。FIG. 5 is a drawing for explaining the organic structure forming step. 図6は、有機発光層形成工程を説明するための図面である。FIG. 6 is a view for explaining an organic light emitting layer forming step. 図7は、乾燥速度と有機発光層の厚さ分布との関係を説明するための模式図である。FIG. 7 is a schematic diagram for explaining the relationship between the drying rate and the thickness distribution of the organic light emitting layer. 図8は、実施例の有機ELデバイスの構成を模式的に示す図面であり、図8の(a)は、実験例1〜4の有機ELデバイスの構成を模式的に示しており、図8の(b)は、実験例5〜9の有機ELデバイスの構成を模式的に示しており、図8の(c)は、実験例10〜14の有機ELデバイスの構成を模式的に示している。FIG. 8 is a drawing schematically showing the configuration of the organic EL device of the example. FIG. 8A schematically shows the configuration of the organic EL device of Experimental Examples 1 to 4, and FIG. (B) of FIG. 8 schematically illustrates the configuration of the organic EL devices of Experimental Examples 5 to 9, and FIG. 8 (c) schematically illustrates the configuration of the organic EL devices of Experimental Examples 10 to 14. Yes. 図9は、実験例1〜14の実験結果を示す図面である。FIG. 9 is a drawing showing experimental results of Experimental Examples 1 to 14. 図10は、実験例1〜4における有機発光層の厚さ分布を示す図面である。FIG. 10 is a drawing showing the thickness distribution of the organic light emitting layer in Experimental Examples 1 to 4. 図11は、実験例5〜9における有機発光層の厚さ分布を示す図面である。FIG. 11 is a drawing showing the thickness distribution of the organic light emitting layer in Experimental Examples 5 to 9. 図12は、実験例10〜14における有機発光層の厚さ分布を示す図面である。FIG. 12 is a drawing showing the thickness distribution of the organic light emitting layer in Experimental Examples 10 to 14.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。同一の要素には同一符号を付する。重複する説明は省略する。図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The same symbols are assigned to the same elements. A duplicate description is omitted. The dimensional ratios in the drawings do not necessarily match those described.

図1に示した有機エレクトロルミネッセンス(有機EL)デバイス1は有機ELディスプレイパネルであり、複数の画素2を有する。各画素2は、有機EL素子部である。すなわち、有機ELデバイス1は、複数の有機EL素子部が一体的に連結された構成を有する。本実施形態において、「画素」とは、光を発する最小単位(或いは最小領域)を意味しており、画素2の発光により画素2は色情報を有する。図1では、画素2を破線で模式的に示している。   An organic electroluminescence (organic EL) device 1 shown in FIG. 1 is an organic EL display panel, and has a plurality of pixels 2. Each pixel 2 is an organic EL element part. That is, the organic EL device 1 has a configuration in which a plurality of organic EL element units are integrally connected. In the present embodiment, “pixel” means a minimum unit (or minimum region) that emits light, and the pixel 2 has color information by light emission of the pixel 2. In FIG. 1, the pixel 2 is schematically indicated by a broken line.

複数の画素2のそれぞれは、赤色、緑色、及び青色の何れかの光を出射する。この観点から、有機ELデバイス1は、3種類の画素2、すなわち、赤色の光を出射する赤色画素2R、緑色の光を出射する緑色画素2G及び青色の光を出射する青色画素2Bを有する。以下では、画素2が発光する色を区別して説明する場合には、画素2を、上記のように、赤色画素2R、緑色画素2G及び青色画素2Bと称する場合もある。   Each of the plurality of pixels 2 emits red, green, or blue light. From this viewpoint, the organic EL device 1 includes three types of pixels 2, that is, a red pixel 2R that emits red light, a green pixel 2G that emits green light, and a blue pixel 2B that emits blue light. In the following description, when distinguishing the colors emitted by the pixel 2, the pixel 2 may be referred to as a red pixel 2R, a green pixel 2G, and a blue pixel 2B as described above.

複数の画素2は、二次元配列(或いはマトリックス状)に配置されている。二次元配列の互いに直交する二方向をX方向(又は行方向)及びY方向(又は列方向)とも称す。この場合、複数の画素2を構成する3種類の赤色画素2R、緑色画素2G及び青色画素2Bは、例えば、以下の(i)、(ii)、(iii)の列を、Y方向にこの順で繰り返し配置することによって、それぞれ整列して配置される。
(i)赤色画素2RがX方向に所定の間隔をあけて配置される列。
(ii)緑色画素2GがX方向に所定の間隔をあけて配置される列。
(iii)青色画素2BがX方向に所定の間隔をあけて配置される列。
The plurality of pixels 2 are arranged in a two-dimensional array (or matrix). Two directions orthogonal to each other in the two-dimensional array are also referred to as an X direction (or row direction) and a Y direction (or column direction). In this case, for example, the three types of red pixel 2R, green pixel 2G, and blue pixel 2B constituting the plurality of pixels 2 are arranged in the order of the following columns (i), (ii), and (iii) in this order. By repeating the arrangement, the arrangement is performed in an aligned manner.
(I) A column in which the red pixels 2R are arranged at a predetermined interval in the X direction.
(Ii) A column in which the green pixels 2G are arranged at predetermined intervals in the X direction.
(Iii) A column in which the blue pixels 2B are arranged at predetermined intervals in the X direction.

有機ELデバイス1は、例えば、並列された赤色画素2R、緑色画素2G及び青色画素2Bを一つの表示画素単位として、表示画素単位に含まれる赤色画素2R、緑色画素2G及び青色画素2Bを制御することでフルカラー表示を行える。   For example, the organic EL device 1 controls the red pixel 2R, the green pixel 2G, and the blue pixel 2B included in the display pixel unit by using the red pixel 2R, the green pixel 2G, and the blue pixel 2B arranged in parallel as one display pixel unit. Therefore, full color display can be performed.

各列における画素2の間の間隔、各行における画素2の間の間隔、画素2の配置例及び画素2の数などは、有機ELデバイス1の仕様などにより適宜設定される。   An interval between the pixels 2 in each column, an interval between the pixels 2 in each row, an arrangement example of the pixels 2, the number of the pixels 2, and the like are appropriately set according to the specifications of the organic EL device 1.

有機ELデバイス1の構成について詳細に説明する。有機ELデバイス1は、バンク付き基板10と、複数の有機EL構造部20と、陰極(第2の電極)30とを備える。有機ELデバイス1は、トップエミッション型のデバイスでもよいし、ボトムエミッション型のデバイスでもよい。以下では断らない限り、ボトムエミッション型、すなわち、バンク付き基板10側から光を取り出す場合について説明する。   The configuration of the organic EL device 1 will be described in detail. The organic EL device 1 includes a banked substrate 10, a plurality of organic EL structure units 20, and a cathode (second electrode) 30. The organic EL device 1 may be a top emission type device or a bottom emission type device. Hereinafter, unless otherwise specified, a bottom emission type, that is, a case where light is extracted from the banked substrate 10 side will be described.

図2及び図3に示したように、バンク付き基板10は、基板11と、複数の陽極(第1の電極)12と、バンク13とを有する。図3は、図1におけるII−II線に沿ったバンク付き基板10の断面の一部拡大図に対応した図面であり、図2において、バンク付き基板10以外の構成要素を省略した図面に対応する。   As shown in FIGS. 2 and 3, the banked substrate 10 includes a substrate 11, a plurality of anodes (first electrodes) 12, and a bank 13. 3 corresponds to a partially enlarged view of the cross section of the banked substrate 10 along the line II-II in FIG. 1, and corresponds to the drawing in which components other than the banked substrate 10 are omitted in FIG. To do.

基板11は、可視光(波長400nm〜800nmの光)に対して透光性を有する板状の透明部材である。基板11は、陽極12及びバンク13を支持する支持体である。基板11の厚さの例は、30μm以上1100μm以下である。基板11は、例えばガラス基板及びシリコン基板などのリジッド基板であっても、プラスチック基板及び高分子フィルムなどの可撓性基板であってもよい。可撓性基板を用いることで、有機ELデバイス1が可撓性を有し得る。   The substrate 11 is a plate-like transparent member that is transparent to visible light (light having a wavelength of 400 nm to 800 nm). The substrate 11 is a support that supports the anode 12 and the bank 13. An example of the thickness of the substrate 11 is 30 μm or more and 1100 μm or less. The substrate 11 may be a rigid substrate such as a glass substrate and a silicon substrate, or may be a flexible substrate such as a plastic substrate and a polymer film. By using a flexible substrate, the organic EL device 1 can have flexibility.

基板11には各画素2を駆動するための回路が予め形成されていてもよい。基板11には、例えばTFT(Thin Film Transistor)やキャパシタなどがあらかじめ形成されていてもよい。   A circuit for driving each pixel 2 may be formed in advance on the substrate 11. For example, a TFT (Thin Film Transistor) or a capacitor may be formed on the substrate 11 in advance.

複数の陽極12は、基板11の表面11a上において各画素2に対応する画素領域2a上に設けられている。陽極12の平面視形状(基板11の板厚方向から見た形状)の例は、矩形及び正方形といった四角形及び他の多角形が挙げられる。陽極12の平面視形状は、円形又は楕円形でもよい。   The plurality of anodes 12 are provided on the pixel region 2 a corresponding to each pixel 2 on the surface 11 a of the substrate 11. Examples of the shape of the anode 12 in plan view (the shape seen from the thickness direction of the substrate 11) include a quadrangle such as a rectangle and a square, and other polygons. The shape of the anode 12 in plan view may be circular or elliptical.

陽極12には、金属酸化物、金属硫化物及び金属などからなる薄膜を用いることができ、具体的には酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウム錫酸化物(Indium Tin Oxide:略称ITO)、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide:略称IZO)、金、白金、銀、及び銅などからなる薄膜が用いられる。本実施形態で主に説明するように、有機ELデバイス1がバンク付き基板10側から光を出射する場合、光透過性を示す陽極12が用いられる。   For the anode 12, a thin film made of metal oxide, metal sulfide, metal, or the like can be used. Specifically, indium oxide, zinc oxide, tin oxide, indium tin oxide (Indium Tin Oxide: abbreviated as ITO), A thin film made of indium zinc oxide (abbreviated as IZO), gold, platinum, silver, copper, or the like is used. As mainly described in the present embodiment, when the organic EL device 1 emits light from the banked substrate 10 side, an anode 12 exhibiting light transmittance is used.

陽極12の厚さは、光の透過性、電気伝導度などを考慮して適宜決定され得る。陽極12の厚さは、例えば10nm〜10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。   The thickness of the anode 12 can be appropriately determined in consideration of light transmittance, electrical conductivity, and the like. The thickness of the anode 12 is, for example, 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, and more preferably 50 nm to 500 nm.

一実施形態において、陽極12と基板11との間には、絶縁層等で構成される層が設けられてもよい。絶縁層等の層も基板11の一部とみなすこともできる。   In one embodiment, a layer composed of an insulating layer or the like may be provided between the anode 12 and the substrate 11. A layer such as an insulating layer can also be regarded as a part of the substrate 11.

図2及び図3に示したように、バンク13は、各陽極12の周囲に設けられる。バンク13は、隣接する陽極12の間に渡っても設けられている。バンク13の一部は、陽極12の周縁部に被さっていてもよい。バンク13は、画素2或いは画素領域2aを区画する隔壁である。すなわち、バンク13は、基板11の表面11a上において予め設定されている画素領域2aを区画する開口を有するようなパターンで基板11上に設けられている。本実施形態では、図1に示したように、複数の画素2が二次元配列で配置されているため、格子状のバンク13が基板11に設けられている。   As shown in FIGS. 2 and 3, the bank 13 is provided around each anode 12. The bank 13 is also provided between the adjacent anodes 12. A part of the bank 13 may cover the peripheral edge of the anode 12. The bank 13 is a partition that partitions the pixel 2 or the pixel region 2a. That is, the bank 13 is provided on the substrate 11 in such a pattern as having an opening that partitions the pixel area 2 a set in advance on the surface 11 a of the substrate 11. In the present embodiment, as shown in FIG. 1, since the plurality of pixels 2 are arranged in a two-dimensional array, a lattice bank 13 is provided on the substrate 11.

バンク13の材料の例は樹脂である。バンク13は、例えば、撥液剤を含む感光性樹脂組成物の硬化物である。撥液剤の例としては、フッ素樹脂を含有する撥液剤が挙げられる。バンク13で規定される画素領域2a上には、後述するように、塗布法によって有機発光層23といった有機層が形成される。よって、バンク13は、通常、バンク13で規定される画素領域2a上に塗布法を利用して有機層を形成する際に、その有機層を好適に形成可能な特性(例えば濡れ性)を有するように形成されている。   An example of the material of the bank 13 is resin. The bank 13 is a cured product of a photosensitive resin composition containing a liquid repellent, for example. An example of the liquid repellent is a liquid repellent containing a fluororesin. As will be described later, an organic layer such as an organic light emitting layer 23 is formed on the pixel region 2a defined by the bank 13 by a coating method. Therefore, the bank 13 usually has characteristics (for example, wettability) that can suitably form the organic layer when the organic layer is formed on the pixel region 2a defined by the bank 13 using a coating method. It is formed as follows.

バンク13の形状及びその配置は、画素2数及び解像度などの有機ELデバイス1の仕様や製造の容易さなどに応じて適宜設定される。例えば、図2及び図3において、バンク13の画素領域2aに臨む側面13aは、基板11の表面11aに対して実質的に直交している。しかしながら、側面13aは、表面11aに対して鋭角をなすように傾斜していてもよいし、鈍角をなすように傾斜していてもよい。側面13aと、表面11aとが鋭角である場合、バンク13の形状は順テーパ型として知られており、側面13aと、基板11の表面とが鈍角である場合、バンク13の形状は逆テーパ型として知られている。バンク13の厚さ(高さ)の例は0.3μm〜5μm程度である。   The shape of the bank 13 and the arrangement thereof are appropriately set according to the specifications of the organic EL device 1 such as the number of pixels 2 and the resolution, ease of manufacture, and the like. For example, in FIGS. 2 and 3, the side surface 13 a facing the pixel region 2 a of the bank 13 is substantially orthogonal to the surface 11 a of the substrate 11. However, the side surface 13a may be inclined to form an acute angle with respect to the surface 11a, or may be inclined to form an obtuse angle. When the side surface 13a and the surface 11a have an acute angle, the shape of the bank 13 is known as a forward taper type, and when the side surface 13a and the surface of the substrate 11 have an obtuse angle, the shape of the bank 13 has a reverse taper type. Known as. An example of the thickness (height) of the bank 13 is about 0.3 μm to 5 μm.

上記バンク付き基板10は、例えば、基板11に予め設定される複数の画素領域2a上に陽極12を形成した後に、バンク13を形成することで製造され得る。   The banked substrate 10 can be manufactured, for example, by forming the banks 13 after forming the anodes 12 on the plurality of pixel regions 2 a set in advance on the substrate 11.

陽極12は、蒸着法或いは塗布法で形成され得る。蒸着法で形成する場合には、陽極12の材料からなる層を基板11上に形成した後、その層を複数の陽極12のパターンにパターニングすればよい。塗布法で陽極12を形成する際には、陽極12の材料を含む塗布液を、複数の陽極12に対応したパターンで基板11上に塗布した後に、塗布膜を乾燥させることで形成され得る。或いは、陽極12となるべき材料からなる塗布膜を基板11に形成し乾燥させた後、陽極12のパターンにパターニングしてもよい。   The anode 12 can be formed by a vapor deposition method or a coating method. In the case of forming by vapor deposition, after forming a layer made of the material of the anode 12 on the substrate 11, the layer may be patterned into a pattern of a plurality of anodes 12. When the anode 12 is formed by a coating method, the coating liquid containing the material of the anode 12 can be formed on the substrate 11 in a pattern corresponding to the plurality of anodes 12 and then dried. Alternatively, a coating film made of a material to be the anode 12 may be formed on the substrate 11 and dried, and then patterned into the pattern of the anode 12.

陽極12の形成において塗布法を利用する場合、塗布法の例としては、インクジェット印刷法が挙げられるが、その他、公知の塗布法、例えば、スリットコート法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、及びノズルプリント法などを用いてもよい。陽極12の材料を含む塗布液の溶媒は、陽極12の材料を溶解できる溶媒であればよい。   In the case where a coating method is used in forming the anode 12, examples of the coating method include an inkjet printing method, but other known coating methods such as a slit coating method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, and the like. A coating method, a roll coating method, a wire bar coating method, a spray coating method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, a nozzle printing method, and the like may be used. The solvent of the coating solution containing the material of the anode 12 may be any solvent that can dissolve the material of the anode 12.

バンク13は、例えば、塗布法を利用して形成される。具体的には、バンク13の材料を含む塗布液を、陽極12が形成された基板11に塗布してなる塗布膜を乾燥させた後、その塗布膜を所定のパターンにパターニングすることで形成され得る。塗布法の例としてはスピンコート法やスリットコート法などが挙げられ得る。バンク13を含む塗布液の溶媒は、バンク13の材料を溶解できる溶媒であればよい。   The bank 13 is formed using, for example, a coating method. Specifically, it is formed by drying a coating film formed by coating a coating solution containing the material of the bank 13 on the substrate 11 on which the anode 12 is formed, and then patterning the coating film into a predetermined pattern. obtain. Examples of the coating method may include a spin coating method and a slit coating method. The solvent of the coating solution containing the bank 13 may be any solvent that can dissolve the material of the bank 13.

図2に示したように、複数の有機EL構造部20は、バンク付き基板10において、バンク13と陽極12とで形成される凹部14(図2及び図3参照)内に設けられている。有機EL構造部20は、正孔注入層21、正孔輸送層22及び有機発光層23を有する。   As shown in FIG. 2, the plurality of organic EL structure portions 20 are provided in the recess 14 (see FIGS. 2 and 3) formed by the bank 13 and the anode 12 in the banked substrate 10. The organic EL structure unit 20 includes a hole injection layer 21, a hole transport layer 22, and an organic light emitting layer 23.

正孔注入層21は、陽極12から有機発光層23への正孔注入効率を改善する機能を有する有機層である。正孔注入層21の材料は公知の正孔注入材料が用いられ得る。正孔注入材料の例としては、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、及び、酸化アルミニウムなどの酸化物、フェニルアミン化合物、スターバースト型アミン化合物、フタロシアニン化合物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、及び、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)などのポリチオフェン誘導体が挙げられ得る。   The hole injection layer 21 is an organic layer having a function of improving hole injection efficiency from the anode 12 to the organic light emitting layer 23. A known hole injection material can be used as the material of the hole injection layer 21. Examples of hole injection materials include oxides such as vanadium oxide, molybdenum oxide, ruthenium oxide, and aluminum oxide, phenylamine compounds, starburst amine compounds, phthalocyanine compounds, amorphous carbon, polyaniline, and polyethylenedioxy Mention may be made of polythiophene derivatives such as thiophene (PEDOT).

正孔注入層21の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、求められる特性及び層の形成し易さなどを勘案して適宜決定される。正孔注入層21の厚さは、例えば1nm〜1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。   The thickness of the hole injection layer 21 has an optimum value depending on the material to be used, and is appropriately determined in consideration of required characteristics and ease of layer formation. The thickness of the hole injection layer 21 is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.

正孔注入層21は、必要に応じて、画素2の種類毎、すなわち、赤色画素2R、緑色画素2G及び青色画素2B毎にその材料又は厚さを異ならせて設けられる。正孔注入層21の形成工程の簡易さの観点から、同じ材料、同じ厚さで全ての正孔注入層21を形成してもよい。   The hole injection layer 21 is provided with a different material or thickness for each type of pixel 2, that is, for each of the red pixel 2R, the green pixel 2G, and the blue pixel 2B, as necessary. From the viewpoint of simplicity of the formation process of the hole injection layer 21, all the hole injection layers 21 may be formed with the same material and the same thickness.

正孔輸送層22は、陽極12、正孔注入層21又は陽極12により近い正孔輸送層22から有機発光層23への正孔注入を改善する機能を有する層である。正孔輸送層22の材料には、公知の正孔輸送入材料が用いられ得る。正孔輸送層22の材料の例は、正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン若しくはその誘導体、ピラゾリン若しくはその誘導体、アリールアミン若しくはその誘導体、スチルベン若しくはその誘導体、トリフェニルジアミン若しくはその誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)若しくはその誘導体、又はポリ(2,5−チエニレンビニレン)若しくはその誘導体などが挙げられ得る。また、特開2012−144722号公報に開示されている正孔輸層材料もが挙げられ得る。   The hole transport layer 22 is a layer having a function of improving hole injection from the anode 12, the hole injection layer 21, or the hole transport layer 22 closer to the anode 12 to the organic light emitting layer 23. As the material of the hole transport layer 22, a known hole transport material can be used. Examples of the material of the hole transport layer 22 include: polyvinyl carbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, polysiloxane having an aromatic amine in a side chain or a main chain, or a derivative thereof, pyrazoline or a derivative thereof. , Arylamine or a derivative thereof, stilbene or a derivative thereof, triphenyldiamine or a derivative thereof, polyaniline or a derivative thereof, polythiophene or a derivative thereof, polyarylamine or a derivative thereof, polypyrrole or a derivative thereof, poly (p-phenylene vinylene) or a derivative thereof Derivatives, poly (2,5-thienylene vinylene) or derivatives thereof may be mentioned. Moreover, the hole transport layer material currently disclosed by Unexamined-Japanese-Patent No. 2012-144722 can also be mentioned.

正孔輸送層22の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように適宜設定される。正孔輸送層22の厚さは、例えば1nm〜1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。   The thickness of the hole transport layer 22 varies depending on the material used, and is appropriately set so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate. The thickness of the hole transport layer 22 is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.

正孔輸送層22は、必要に応じて、画素2の種類毎、すなわち、赤色画素2R、緑色画素2G及び青色画素2B毎にその材料又は厚さを異ならせて設けられる。正孔輸送層22の形成工程の簡易さの観点から、同じ材料、同じ厚さで全ての正孔注入層21を形成してもよい。   The hole transport layer 22 is provided with a different material or thickness for each type of the pixel 2, that is, for each of the red pixel 2R, the green pixel 2G, and the blue pixel 2B, as necessary. From the viewpoint of simplicity of the formation process of the hole transport layer 22, all the hole injection layers 21 may be formed with the same material and the same thickness.

有機発光層23は、正孔輸送層22上に設けられる。有機発光層23は、所定の波長の光を発光する機能を有する有機層である。有機発光層23は、通常、主として蛍光及び/又はりん光を発光する有機物、或いは、該有機物とこれを補助するドーパントとから形成される。ドーパントは、例えば発光効率の向上や、発光波長を変化させるために加えられる。有機発光層23に含まれる有機物は、低分子化合物でも高分子化合物でもよい。有機発光層23を構成する発光材料としては、下記の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料、ドーパント材料が挙げられ得る。   The organic light emitting layer 23 is provided on the hole transport layer 22. The organic light emitting layer 23 is an organic layer having a function of emitting light of a predetermined wavelength. The organic light emitting layer 23 is usually formed of an organic substance that mainly emits fluorescence and / or phosphorescence, or an organic substance and a dopant that assists the organic substance. The dopant is added, for example, in order to improve the luminous efficiency and change the emission wavelength. The organic substance contained in the organic light emitting layer 23 may be a low molecular compound or a high molecular compound. Examples of the light emitting material constituting the organic light emitting layer 23 may include the following dye materials, metal complex materials, polymer materials, and dopant materials.

色素系の発光材料としては、例えばシクロペンダミン若しくはその誘導体、テトラフェニルブタジエン若しくはその誘導体、トリフェニルアミン若しくはその誘導体、オキサジアゾール若しくはその誘導体、ピラゾロキノリン若しくはその誘導体、ジスチリルベンゼン若しくはその誘導体、ジスチリルアリーレン若しくはその誘導体、ピロール若しくはその誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン若しくはその誘導体、ペリレン若しくはその誘導体、オリゴチオフェン若しくはその誘導体、オキサジアゾールダイマー若しくはその誘導体、ピラゾリンダイマー若しくはその誘導体、キナクリドン若しくはその誘導体、クマリン若しくはその誘導体などが挙げられ得る。   Examples of dye-based luminescent materials include cyclopentamine or derivatives thereof, tetraphenylbutadiene or derivatives thereof, triphenylamine or derivatives thereof, oxadiazole or derivatives thereof, pyrazoloquinoline or derivatives thereof, distyrylbenzene or derivatives thereof. Distyrylarylene or a derivative thereof, pyrrole or a derivative thereof, thiophene ring compound, pyridine ring compound, perinone or a derivative thereof, perylene or a derivative thereof, oligothiophene or a derivative thereof, oxadiazole dimer or a derivative thereof, pyrazoline dimer or a derivative thereof Derivatives, quinacridone or derivatives thereof, coumarin or derivatives thereof, and the like may be mentioned.

金属錯体系の発光材料としては、例えばTb、Eu、Dyなどの希土類金属、又はAl、Zn、Be、Pt、Irなどを中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを配位子に有する金属錯体が挙げられ得る。金属錯体としては、例えばイリジウム錯体、白金錯体などの三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体などが挙げられ得る。   Examples of the metal complex-based light emitting material include rare earth metals such as Tb, Eu, and Dy, or Al, Zn, Be, Pt, Ir, and the like as a central metal, and oxadiazole, thiadiazole, phenylpyridine, and phenylbenzimidazole. And a metal complex having a quinoline structure or the like as a ligand. Examples of metal complexes include metal complexes having light emission from triplet excited states such as iridium complexes and platinum complexes, aluminum quinolinol complexes, benzoquinolinol beryllium complexes, benzoxazolyl zinc complexes, benzothiazole zinc complexes, azomethyl zinc complexes, A porphyrin zinc complex, a phenanthroline europium complex, etc. may be mentioned.

高分子系の発光材料としては、例えばポリパラフェニレンビニレン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリパラフェニレン若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、ポリアセチレン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、上記色素材料、金属錯体材料を高分子化した材料などが挙げられ得る。   Examples of the polymer light-emitting material include polyparaphenylene vinylene or derivatives thereof, polythiophene or derivatives thereof, polyparaphenylene or derivatives thereof, polysilane or derivatives thereof, polyacetylene or derivatives thereof, polyfluorene or derivatives thereof, polyvinylcarbazole or derivatives thereof. Derivatives, dye materials, materials obtained by polymerizing metal complex materials, and the like can be given.

上記発光材料のうち、赤色に発光する材料(以下、「赤色発光材料」と称す)としては、クマリン若しくはその誘導体、チオフェン環化合物、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体が好ましい。赤色発光材料としては、特開2011−105701号公報に開示されている材料も挙げられる。   Among the above light emitting materials, materials emitting red light (hereinafter referred to as “red light emitting materials”) include coumarin or derivatives thereof, thiophene ring compounds, and polymers thereof, polyparaphenylene vinylene or derivatives thereof, polythiophene or A derivative thereof, polyfluorene or a derivative thereof, and the like can be given. Of these, polymer materials such as polyparaphenylene vinylene or derivatives thereof, polythiophene or derivatives thereof, and polyfluorene or derivatives thereof are preferable. Examples of the red light emitting material include materials disclosed in JP2011-105701A.

緑色に発光する材料(以下、「緑色発光材料」と称す)としては、キナクリドン若しくはその誘導体、クマリン若しくはその誘導体、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などが挙げられ得る。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体が好ましい。緑色発光材料としては、特開2012−036388号公報に開示されている材料も挙げられる。   Examples of materials that emit green light (hereinafter referred to as “green light-emitting materials”) include quinacridone or derivatives thereof, coumarin or derivatives thereof, and polymers thereof, polyparaphenylene vinylene or derivatives thereof, polyfluorene or derivatives thereof, and the like. May be mentioned. Among them, polymer materials such as polyparaphenylene vinylene or a derivative thereof, polyfluorene or a derivative thereof are preferable. Examples of the green light emitting material include materials disclosed in JP2012-036388.

青色に発光する材料(以下、「青色発光材料」と称す)としては、ジスチリルアリーレン若しくはその誘導体、オキサジアゾール若しくはその誘導体、およびそれらの重合体、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリパラフェニレン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリパラフェニレン若しくはその誘導体、およびポリフルオレン若しくはその誘導体が好ましい。青色発光材料としては、特開2012−144722号公報に開示されている材料も挙げられる。   Materials that emit blue light (hereinafter referred to as “blue light-emitting materials”) include distyrylarylene or derivatives thereof, oxadiazole or derivatives thereof, polymers thereof, polyvinylcarbazole or derivatives thereof, polyparaphenylene or derivatives thereof. Derivatives, polyfluorene or derivatives thereof, and the like can be given. Among these, polyvinylcarbazole or a derivative thereof, polyparaphenylene or a derivative thereof, and polyfluorene or a derivative thereof are preferable. Examples of the blue light emitting material include materials disclosed in JP2012-144722A.

ドーパント材料としては、例えばペリレン若しくはその誘導体、クマリン若しくはその誘導体、ルブレン若しくはその誘導体、キナクリドン若しくはその誘導体、スクアリウム若しくはその誘導体、ポルフィリン若しくはその誘導体、スチリル色素、テトラセン若しくはその誘導体、ピラゾロン若しくはその誘導体、デカシクレン若しくはその誘導体、フェノキサゾン若しくはその誘導体などが挙げられ得る。   Examples of dopant materials include perylene or derivatives thereof, coumarin or derivatives thereof, rubrene or derivatives thereof, quinacridone or derivatives thereof, squalium or derivatives thereof, porphyrin or derivatives thereof, styryl dyes, tetracene or derivatives thereof, pyrazolone or derivatives thereof, decacyclene Alternatively, derivatives thereof, phenoxazone or derivatives thereof, and the like can be mentioned.

有機発光層23は、画素2の種類、すなわち、赤色画素2R、緑色画素2G及び青色画素2Bに応じて設けられる。赤色画素2Rに対応する凹部14の正孔輸送層22上には、赤色を発光する有機発光層23が設けられ、緑色画素2Gに対応する凹部14の正孔注入層21上には、緑色を発光する有機発光層23が設けられ、青色画素2Bに対応する凹部14の正孔輸送層22上には、青色を発光する有機発光層23が設けられる。以下、赤色画素2R、緑色画素2G及び青色画素2Bに含まれる有機発光層23を赤色発光層23R、緑色発光層23G及び青色発光層23Bとも称す場合がある。   The organic light emitting layer 23 is provided according to the type of the pixel 2, that is, the red pixel 2R, the green pixel 2G, and the blue pixel 2B. An organic light-emitting layer 23 that emits red light is provided on the hole transport layer 22 of the recess 14 corresponding to the red pixel 2R, and green is displayed on the hole injection layer 21 of the recess 14 corresponding to the green pixel 2G. An organic light emitting layer 23 that emits light is provided, and an organic light emitting layer 23 that emits blue light is provided on the hole transport layer 22 of the recess 14 corresponding to the blue pixel 2B. Hereinafter, the organic light emitting layer 23 included in the red pixel 2R, the green pixel 2G, and the blue pixel 2B may be referred to as a red light emitting layer 23R, a green light emitting layer 23G, and a blue light emitting layer 23B.

陰極30は、有機発光層23上に設けられる。陰極30の材料としては、仕事関数が小さく、有機発光層23への電子注入が容易で、電気伝導度の高い材料が好ましい。また、本実施形態で説明しているように、有機ELデバイス1が陽極12側から光を取出す場合には、有機発光層23から放射される光を陰極30で陽極12側に反射するために、陰極30の材料としては可視光反射率の高い材料が好ましい。陰極30には、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属および周期表の13族金属などが用いられ得る。また、陰極30としては導電性金属酸化物および導電性有機物などからなる透明導電性陰極も用いられ得る。   The cathode 30 is provided on the organic light emitting layer 23. The material of the cathode 30 is preferably a material having a low work function, easy electron injection into the organic light emitting layer 23, and high electrical conductivity. Further, as described in the present embodiment, when the organic EL device 1 takes out light from the anode 12 side, the light emitted from the organic light emitting layer 23 is reflected by the cathode 30 toward the anode 12 side. The material of the cathode 30 is preferably a material having a high visible light reflectance. For the cathode 30, for example, an alkali metal, an alkaline earth metal, a transition metal, a Group 13 metal of the periodic table, or the like can be used. As the cathode 30, a transparent conductive cathode made of a conductive metal oxide, a conductive organic material, or the like can be used.

陰極30の厚さは、電気伝導度、耐久性を考慮して適宜設定される。陰極30の厚さは、例えば10nm〜10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。   The thickness of the cathode 30 is appropriately set in consideration of electric conductivity and durability. The thickness of the cathode 30 is, for example, 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, and more preferably 50 nm to 500 nm.

本実施形態では、陰極30は複数の画素2が設けられる表示領域の全面に形成される。すなわち、陰極30は、有機発光層23上だけでなく、バンク13上にも形成され、複数の画素2に共通の陽極12として設けられる。   In the present embodiment, the cathode 30 is formed over the entire display area where the plurality of pixels 2 are provided. That is, the cathode 30 is formed not only on the organic light emitting layer 23 but also on the bank 13 and is provided as the anode 12 common to the plurality of pixels 2.

陰極30は有機発光層23上に設けられるが、例えば、有機発光層23と、この上に設けられる陰極30との間には、所定の無機層が設けられていてもよい。   The cathode 30 is provided on the organic light emitting layer 23. For example, a predetermined inorganic layer may be provided between the organic light emitting layer 23 and the cathode 30 provided thereon.

図1及び図2では図示を省略しているが、有機ELデバイス1の陰極30上には、通常、封止基板が設けられる。その他、有機ELデバイス1は、例えば、有機ELパネルディスプレイパネルで備える公知の構成を備え得る。   Although not shown in FIGS. 1 and 2, a sealing substrate is usually provided on the cathode 30 of the organic EL device 1. In addition, the organic EL device 1 may have a known configuration provided in, for example, an organic EL panel display panel.

上記構成の有機ELデバイス1において各画素2内の構造、すなわち、基板11における画素領域2aの部分、陽極12、有機EL構造部20及び陰極30における画素領域2aの部分が有機EL素子部を構成している。したがって、有機ELデバイス1は、バンク13で仕切られた複数の有機EL素子部が、基板11及び陽極12を共通として一体的に連結された構成を有する。   In the organic EL device 1 having the above configuration, the structure in each pixel 2, that is, the pixel region 2a portion of the substrate 11, the anode 12, the organic EL structure portion 20, and the pixel region 2a portion of the cathode 30 constitute an organic EL element portion. doing. Therefore, the organic EL device 1 has a configuration in which a plurality of organic EL element portions partitioned by the bank 13 are integrally connected with the substrate 11 and the anode 12 in common.

有機ELデバイス1では、図2に示したように、画素2内の有機発光層23、すなわち、凹部14内の有機発光層23の最小厚さをd(nm)とし、基板11の厚さ方向からみたときに(d+所定値)[nm]以下である有機発光層23の面積をA1とし、画素面積をA2とし、有機発光層23の平坦度α(%)を下記式(I)で表したとき、平坦度αは70%以上である。
α=(A1/A2)×100・・・(I)
上記画素面積とは、画素領域2aの面積であり、バンク13において画素領域2aに臨む端部13b(図2及び図3参照)で画成される領域の面積でもある。上記所定値(nm)は、好ましくは、2以上15以下である。この範囲であれば、平坦度をより適切に評価し易い。上記所定値は、5以上12以下がより好ましく、例えば、10とし得る。
In the organic EL device 1, as shown in FIG. 2, the minimum thickness of the organic light emitting layer 23 in the pixel 2, that is, the organic light emitting layer 23 in the recess 14 is d (nm), and the thickness direction of the substrate 11 is The area of the organic light emitting layer 23 that is equal to or less than (d + predetermined value) [nm] is A1, the pixel area is A2, and the flatness α (%) of the organic light emitting layer 23 is expressed by the following formula (I). The flatness α is 70% or more.
α = (A1 / A2) × 100 (I)
The pixel area is the area of the pixel region 2a, and is also the area of the region defined by the end 13b (see FIGS. 2 and 3) facing the pixel region 2a in the bank 13. The predetermined value (nm) is preferably 2 or more and 15 or less. If it is this range, it will be easy to evaluate flatness more appropriately. The predetermined value is more preferably 5 or more and 12 or less, and may be 10, for example.

赤色発光層23R、緑色発光層23G及び青色発光層23Bのそれぞれにおいて最小厚さd(nm)は異なっていてもよい。この場合、有機ELデバイス1は、赤色発光層23R、緑色発光層23G及び青色発光層23Bのそれぞれの平坦度αが70%以上である。   The minimum thickness d (nm) may be different in each of the red light emitting layer 23R, the green light emitting layer 23G, and the blue light emitting layer 23B. In this case, in the organic EL device 1, the flatness α of each of the red light emitting layer 23R, the green light emitting layer 23G, and the blue light emitting layer 23B is 70% or more.

次に、有機ELデバイス1の製造方法について説明する。ここでは、バンク付き基板10を準備した後の有機ELデバイス1の製造方法について説明する。有機ELデバイス1の製造方法は、図4に示したように、有機構造体40を形成する工程(有機構造体形成工程)S10と、有機発光層23を形成する工程(有機発光層形成工程)S12と、有機発光層23の平坦度αを算出する工程(平坦度算出工程)S14と、平坦度αが所望の値以上か否かを判定する工程(判定工程)S16と、陰極30を形成する工程(陰極形成工程)S18と、を備える。   Next, the manufacturing method of the organic EL device 1 will be described. Here, the manufacturing method of the organic EL device 1 after preparing the board | substrate 10 with a bank is demonstrated. As shown in FIG. 4, the manufacturing method of the organic EL device 1 includes a step of forming the organic structure 40 (organic structure forming step) S10 and a step of forming the organic light emitting layer 23 (organic light emitting layer forming step). S12, a step of calculating the flatness α of the organic light emitting layer 23 (flatness calculation step) S14, a step of determining whether the flatness α is equal to or higher than a desired value (determination step) S16, and the cathode 30 are formed. Step (cathode formation step) S18.

有機ELデバイス1を製造する場合には、まず、有機構造体形成工程S10を実施する。有機構造体形成工程S10では、図5に示したように、画素領域2aに設けられた、換言すれば、凹部14に設けられた陽極12上に正孔注入層21と正孔輸送層22を順に塗布法によって形成して正孔注入層21と正孔輸送層22の積層体である有機構造体40を作製する。   When manufacturing the organic EL device 1, first, an organic structure forming step S10 is performed. In the organic structure forming step S10, as shown in FIG. 5, the hole injection layer 21 and the hole transport layer 22 are provided on the anode 12 provided in the pixel region 2a, in other words, provided in the recess 14. An organic structure 40 that is a laminate of the hole injection layer 21 and the hole transport layer 22 is formed in this order by a coating method.

具体的には、凹部14の陽極12上に、正孔注入材料を含む塗布液を滴下して塗布膜を形成した後、塗布膜を乾燥させることによって、正孔注入層21を形成する。   Specifically, a coating liquid containing a hole injection material is dropped on the anode 12 of the recess 14 to form a coating film, and then the hole injection layer 21 is formed by drying the coating film.

塗布法としては、例えば、インクジェット印刷法が挙げられる。ただし、凹部14内に層を形成可能な塗布法であれば他の公知の塗布法、例えば、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、及びノズルプリント法を用いてもよく、好ましくは、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、及びノズルプリント法を用いてもよい。   Examples of the coating method include an ink jet printing method. However, as long as it is a coating method capable of forming a layer in the recess 14, other known coating methods such as a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, a wire bar coating method, and a spray coating method are used. The screen printing method, the flexographic printing method, the offset printing method, and the nozzle printing method may be used. Preferably, the screen printing method, the flexographic printing method, the offset printing method, and the nozzle printing method may be used.

塗布液に用いられる溶媒としては、正孔注入材料を溶解できれば限定されないが、例えば、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩化物溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル溶媒等が挙げられる。   The solvent used in the coating solution is not limited as long as the hole injection material can be dissolved. For example, a chloride solvent such as chloroform, methylene chloride, and dichloroethane, an ether solvent such as tetrahydrofuran, and an aromatic hydrocarbon solvent such as toluene and xylene. Ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, and ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, and ethyl cellosolve acetate.

塗布膜の乾燥方法は、塗布膜を乾燥できれば限定されないが、真空乾燥及び加熱乾燥などが挙げられる。   The method for drying the coating film is not limited as long as the coating film can be dried, and examples thereof include vacuum drying and heat drying.

次に、正孔輸送材料を含む塗布液を凹部14内の正孔注入層21上に滴下して塗布膜を形成した後、塗布膜を乾燥させることによって、正孔輸送層22を形成する。溶媒及び乾燥方法の例は、正孔注入層21の場合と同様であり得る。   Next, a coating liquid containing a hole transport material is dropped on the hole injection layer 21 in the recess 14 to form a coating film, and then the coating film is dried to form the hole transport layer 22. Examples of the solvent and the drying method may be the same as those for the hole injection layer 21.

有機構造体形成工程S10を経て得られる構造体、すなわち、バンク付き基板10と、凹部14内に形成された有機構造体40とを備える構造体を、中間構造体3と称する。有機構造体形成工程S10では、中間構造体3を2つ作製しておき、一方の中間構造体3が有する有機構造体40の厚さ分布を、有機発光層23の厚さ取得のために測定しておく。   The structure obtained through the organic structure forming step S10, that is, the structure including the banked substrate 10 and the organic structure 40 formed in the recess 14 is referred to as an intermediate structure 3. In the organic structure forming step S <b> 10, two intermediate structures 3 are prepared, and the thickness distribution of the organic structure 40 included in one of the intermediate structures 3 is measured in order to obtain the thickness of the organic light emitting layer 23. Keep it.

図4に示したように、有機構造体形成工程S10を実施した後に、有機発光層形成工程S12を実施する。有機発光層形成工程S12では、図6に示したように、有機構造体40上に、塗布法によって有機発光層23を形成する。具体的には、有機発光層23となるべき発光材料を含む塗布液を凹部14内に滴下して塗布膜を形成した後(塗布膜形成工程)、塗布膜を乾燥させる(乾燥工程)ことによって、有機発光層23を形成する。赤色画素2R、緑色画素2G及び青色画素2Bに対応する凹部14には、それぞれ、赤色用発光材料、緑色発光材料、及び青色発光材料を含む塗布液を用いて、赤色発光層23R、緑色発光層23G及び青色発光層23Bを形成する。   As shown in FIG. 4, after performing organic structure formation process S10, organic light emitting layer formation process S12 is implemented. In the organic light emitting layer forming step S12, as shown in FIG. 6, the organic light emitting layer 23 is formed on the organic structure 40 by a coating method. Specifically, a coating liquid containing a light emitting material to be the organic light emitting layer 23 is dropped into the recess 14 to form a coating film (coating film forming process), and then the coating film is dried (drying process). Then, the organic light emitting layer 23 is formed. In the concave portions 14 corresponding to the red pixel 2R, the green pixel 2G, and the blue pixel 2B, a red light emitting layer 23R and a green light emitting layer are respectively formed using a coating liquid containing a red light emitting material, a green light emitting material, and a blue light emitting material. 23G and the blue light emitting layer 23B are formed.

塗布法としては、インクジェット印刷法が例示されるが、正孔注入層21の場合に例示したその他の公知の塗布法も利用し得る。塗布液に用いられる溶媒は、発光材料を溶解できれば限定されず、正孔注入層21の形成の際に例示した溶媒と同様であり得る。   As the coating method, an inkjet printing method is exemplified, but other known coating methods exemplified in the case of the hole injection layer 21 can also be used. The solvent used in the coating solution is not limited as long as it can dissolve the light emitting material, and may be the same as the solvent exemplified in the formation of the hole injection layer 21.

塗布膜の乾燥方法は、正孔注入層21の場合と同様に、塗布膜を乾燥できれば限定されないが、真空乾燥及び加熱乾燥などが挙げられる。   The method for drying the coating film is not limited as long as the coating film can be dried as in the case of the hole injection layer 21, and examples thereof include vacuum drying and heat drying.

上記有機発光層形成工程S12により、凹部14内において陽極12上には、有機構造体40と有機発光層23とからなる積層体41が形成される。   By the organic light emitting layer forming step S <b> 12, a laminated body 41 including the organic structure 40 and the organic light emitting layer 23 is formed on the anode 12 in the recess 14.

有機発光層形成工程S12では、有機構造体形成工程S10で作製した2つの中間構造体3のそれぞれが有する有機構造体40上に有機発光層23を形成する。有機構造体40の厚さの測定に使用した中間構造体3に形成された積層体41の厚さを測定し、積層体41の厚さ分布を取得する。   In the organic light emitting layer forming step S12, the organic light emitting layer 23 is formed on the organic structure 40 included in each of the two intermediate structures 3 prepared in the organic structure forming step S10. The thickness of the laminate 41 formed in the intermediate structure 3 used for the measurement of the thickness of the organic structure 40 is measured, and the thickness distribution of the laminate 41 is acquired.

図4に示したように、有機発光層形成工程S12を実施した後に、平坦度算出工程S14を実施する。平坦度算出工程S14では、まず、有機発光層23の厚さ分布を算出する。具体的には、有機構造体形成工程S10で取得した有機構造体40の厚さ分布と、有機発光層形成工程S12で取得した積層体41の厚さ分布に基づいて、有機発光層23の厚さ分布を算出する。すなわち、基板11の厚さ方向からみた場合において、凹部14内の各位置での積層体41の厚さから有機構造体40の厚さの差を算出することで、有機発光層23の厚さ分布を得る。次に、算出した有機発光層23の厚さ分布と式(I)とを利用して平坦度αを算出する。   As shown in FIG. 4, after performing the organic light emitting layer forming step S12, the flatness calculating step S14 is performed. In the flatness calculation step S14, first, the thickness distribution of the organic light emitting layer 23 is calculated. Specifically, the thickness of the organic light emitting layer 23 is based on the thickness distribution of the organic structure 40 acquired in the organic structure forming step S10 and the thickness distribution of the stacked body 41 acquired in the organic light emitting layer forming step S12. Calculate the height distribution. That is, when viewed from the thickness direction of the substrate 11, the thickness of the organic light emitting layer 23 is calculated by calculating the difference in the thickness of the organic structure 40 from the thickness of the stacked body 41 at each position in the recess 14. Get the distribution. Next, the flatness α is calculated using the calculated thickness distribution of the organic light emitting layer 23 and the formula (I).

図4に示したように、平坦度算出工程S14を実施した後に、判定工程S16を実施する。判定工程S16では、平坦度αが所望の値以上か否かを判定する。本実施形態において「所望の値」は70%である。この際、赤色発光層23R、緑色発光層23G及び青色発光層23Bにおいて、平坦度αが異なる場合は、赤色発光層23R、緑色発光層23G及び青色発光層23Bにおける平坦度αのうち最も小さい平坦度αの値で判定する。なお、同じ色(赤色、緑色又は青色)に対応する複数の有機発光層23の平坦度αは、塗布液の材料等の形成条件が同じであるため、同じ平坦度αとみなすことができる。よって、例えば、一つの色に対しては、一つの有機発光層23の平坦度αを算出すればよい。ただし、異なる色の場合と同様に、複数の有機発光層23をサンプリングしてそのうちの最も小さい平坦度αを判定に使用してもよい。   As shown in FIG. 4, after the flatness calculation step S14 is performed, the determination step S16 is performed. In the determination step S16, it is determined whether or not the flatness α is greater than or equal to a desired value. In the present embodiment, the “desired value” is 70%. At this time, when the flatness α is different in the red light emitting layer 23R, the green light emitting layer 23G, and the blue light emitting layer 23B, the flatness that is the smallest of the flatness α in the red light emitting layer 23R, the green light emitting layer 23G, and the blue light emitting layer 23B. Judge by the value of degree α. The flatness α of the plurality of organic light emitting layers 23 corresponding to the same color (red, green, or blue) can be regarded as the same flatness α because the formation conditions of the material of the coating liquid are the same. Therefore, for example, for one color, the flatness α of one organic light emitting layer 23 may be calculated. However, as in the case of different colors, a plurality of organic light emitting layers 23 may be sampled and the smallest flatness α among them may be used for the determination.

判定工程S16において、平坦度αが70%(所望の値)以上の場合(図4のS16で「Yes」の場合)、有機発光層23上に陰極30を形成する工程(陰極形成工程)S18を実施する。陰極30の形成方法としては、例えば、陽極12の場合と同様の蒸着法及び塗布法が挙げられる。この工程では、複数の凹部14に形成された有機発光層23上に渡って陰極30を形成する。これにより、図1及び図2に示した有機ELデバイス1が得られる。   In the determination step S16, when the flatness α is 70% (desired value) or more (“Yes” in S16 of FIG. 4), the step of forming the cathode 30 on the organic light emitting layer 23 (cathode formation step) S18 To implement. Examples of the method for forming the cathode 30 include vapor deposition methods and coating methods similar to those for the anode 12. In this step, the cathode 30 is formed over the organic light emitting layer 23 formed in the plurality of recesses 14. Thereby, the organic EL device 1 shown in FIGS. 1 and 2 is obtained.

判定工程S16において、平坦度αが70%(所望の値)未満の場合(図4のS16で「No」の場合)、有機発光層23の形成条件を変更する工程(形成条件変更工程)S20を実施する。例えば、変更する形成条件の例は、有機発光層形成工程S12において発光材料を塗布法で凹部14に滴下して形成した塗布膜を乾燥させる工程での乾燥速度である。   In the determination step S16, when the flatness α is less than 70% (desired value) (in the case of “No” in S16 of FIG. 4), the step of changing the formation condition of the organic light emitting layer 23 (formation condition changing step) S20 To implement. For example, the example of the forming conditions to be changed is the drying speed in the step of drying the coating film formed by dropping the light emitting material onto the recesses 14 by the coating method in the organic light emitting layer forming step S12.

ここで、乾燥速度と、有機発光層の厚さ分布との関係について図7を利用して説明する。図7では、乾燥速度と有機発光層の厚さ分布との関係を模式的に示している。具体的には、乾燥速度を速くした場合の厚さ分布の一例と、乾燥速度を遅くした場合の厚さ分布の一例と、それらの間の厚さ分布の一例を模式的に示している。上記3つの厚さ分布において、横軸は凹部14の断面における位置を示しており、x1及びx2はそれぞれ凹部14を画成するバンク13の側面13a,13aの位置を表している。上記3つの厚さ分布において縦軸は厚さを示している。   Here, the relationship between the drying speed and the thickness distribution of the organic light emitting layer will be described with reference to FIG. FIG. 7 schematically shows the relationship between the drying rate and the thickness distribution of the organic light emitting layer. Specifically, an example of the thickness distribution when the drying speed is increased, an example of the thickness distribution when the drying speed is decreased, and an example of the thickness distribution between them are schematically shown. In the three thickness distributions, the horizontal axis indicates the position of the recess 14 in the cross section, and x1 and x2 indicate the positions of the side surfaces 13a and 13a of the bank 13 that define the recess 14, respectively. In the above three thickness distributions, the vertical axis indicates the thickness.

本願発明者らの知見によれば、乾燥速度が速いと、図7において左側の厚さ分布に模式的に示したように、有機発光層23の中央部の厚さが薄くなって凹状になりやすく、乾燥速度が遅いと、図7において右側の厚さ分布に模式的に示した有機発光層23が中央部の厚さが厚くなり凸状になりやすい。よって、判定工程S16で使用した有機発光層23の厚さ分布に基づいて、乾燥速度を調整することで、有機発光層23の厚さ分布を調整可能であり、図7において中央に示した厚さ分布のように平坦な厚さ分布を有する有機発光層23を実現可能である。   According to the knowledge of the inventors of the present application, when the drying speed is high, the thickness of the central portion of the organic light emitting layer 23 becomes thin and concave as shown schematically in the thickness distribution on the left side in FIG. When the drying speed is low, the organic light emitting layer 23 schematically shown in the thickness distribution on the right side in FIG. 7 tends to be convex due to the thick central portion. Therefore, the thickness distribution of the organic light emitting layer 23 can be adjusted by adjusting the drying speed based on the thickness distribution of the organic light emitting layer 23 used in the determination step S16. The thickness shown in the center in FIG. The organic light emitting layer 23 having a flat thickness distribution like the thickness distribution can be realized.

その他、有機発光層23の形成条件において変更可能なパラメータとしては、例えば、塗布液の組成比率などが挙げられる。   Other parameters that can be changed in the formation conditions of the organic light emitting layer 23 include, for example, the composition ratio of the coating liquid.

形成条件変更工程S20を実施した後は、変更後の形成条件で、有機発光層23を再度形成する。図4では、一例として、形成条件変更工程S20の後に、有機発光層形成工程S12に戻る場合を例示している。このようなフローチャートであれば、有機構造体形成工程S10において、複数の中間構造体3を作製しておき、有機発光層形成工程S12に戻って、有機発光層23を形成していない中間構造体3が有する有機構造体40上に有機発光層23を形成すればよい。或いは、形成条件変更工程S20の後に、有機構造体形成工程S10に戻ってもよい。   After performing the formation condition changing step S20, the organic light emitting layer 23 is formed again under the changed formation conditions. In FIG. 4, the case where it returns to organic light emitting layer formation process S12 after formation condition change process S20 is illustrated as an example. If it is such a flowchart, in the organic structure formation process S10, the some intermediate structure 3 is produced, and it returns to the organic light emitting layer formation process S12, and the intermediate structure which has not formed the organic light emitting layer 23 What is necessary is just to form the organic light emitting layer 23 on the organic structure 40 which 3 has. Or you may return to organic structure formation process S10 after formation condition change process S20.

本願発明者らは、鋭意研究を行い、有機発光層の平坦度αと輝度分布率βとに一定の関係があることを見出した。輝度分布率βは、輝度分布率算出用(或いは試験用)の有機ELデバイスの画素(輝度分布率算出用画素)を発光させた際に、画素の最大輝度をIMAXとし、(IMAX×0.7)以上の輝度を有する面積をA3とし、画素面積をA4とした場合に下記式(II)で定義される。
β=(A3/A4)×100・・・(II)
画素面積A4の定義は、輝度分布率βの算出に利用した有機ELデバイス1における画素面積A3と同様である。
The inventors of the present application have conducted intensive studies and found that there is a certain relationship between the flatness α of the organic light emitting layer and the luminance distribution rate β. The luminance distribution ratio beta, luminance distribution rate for calculating (or test) organic EL devices of the pixels (luminance distribution ratio calculation pixels) of when light is emitted, the maximum brightness of the pixel is I MAX, (I MAX × When an area having a luminance of 0.7) or higher is A3 and a pixel area is A4, the area is defined by the following formula (II).
β = (A3 / A4) × 100 (II)
The definition of the pixel area A4 is the same as the pixel area A3 in the organic EL device 1 used for calculating the luminance distribution rate β.

有機発光層の平坦度αと輝度分布率βとの関係について実験例1〜15に基づいて説明する。実験例1〜15の説明においては、説明のために、有機ELデバイス1の構成要素に相当する構成要素には、便宜的に同様の符号を付して説明する。実験例1〜15において、平坦度αの算出用の面積A1を規定するための上記所定値は10であった。すなわち、実験例1〜15では、(d+10)nm以下である有機発光層23の面積A1を使用した。   The relationship between the flatness α of the organic light emitting layer and the luminance distribution rate β will be described based on Experimental Examples 1 to 15. In the description of Experimental Examples 1 to 15, the components corresponding to the components of the organic EL device 1 are denoted by the same reference numerals for the sake of convenience. In Experimental Examples 1 to 15, the predetermined value for defining the area A1 for calculating the flatness α was 10. That is, in Experimental Examples 1 to 15, the area A1 of the organic light emitting layer 23 that was (d + 10) nm or less was used.

実験例1〜4では、図8の(a)に示した有機ELデバイスE1〜E4を作製した。すなわち、バンク付き基板10の凹部14に、陽極12側から正孔注入層21、正孔輸送層22及び有機発光層23を形成し、有機発光層23上に陰極30を形成した。正孔注入層21、正孔輸送層22及び有機発光層23は、インクジェット印刷法により各層に対応する塗布液を用いて塗布膜を形成し、真空乾燥させることで形成した。各凹部14内の有機発光層23として青色発光層23Bを使用した。したがって、有機ELデバイスE1〜E4は、青色を発光する有機ELデバイス1である。   In Experimental Examples 1 to 4, organic EL devices E1 to E4 shown in FIG. That is, the hole injection layer 21, the hole transport layer 22, and the organic light emitting layer 23 were formed from the anode 12 side in the recess 14 of the banked substrate 10, and the cathode 30 was formed on the organic light emitting layer 23. The hole injection layer 21, the hole transport layer 22, and the organic light emitting layer 23 were formed by forming a coating film using a coating solution corresponding to each layer by an ink jet printing method and vacuum drying. A blue light emitting layer 23 </ b> B was used as the organic light emitting layer 23 in each recess 14. Therefore, the organic EL devices E1 to E4 are the organic EL devices 1 that emit blue light.

有機ELデバイスE1〜E4における正孔注入層21、正孔輸送層22及び有機発光層23には、同じ正孔注入材料、正孔輸送材料及び青色発光材料を使用した。ただし、有機ELデバイスE1〜E4において、対応する正孔注入層21、正孔輸送層22及び有機発光層23を形成する際の塗布液の組成比率などは異なる。有機ELデバイスE1〜E4の有機発光層23を形成する際に行った真空乾燥において、真空チャンバ内の温度は13℃〜30℃であった。真空乾燥において、有機ELデバイスE1、有機ELデバイスE2、有機ELデバイスE3及び有機ELデバイスE4の順に、塗布膜の乾燥速度は遅かった。   The same hole injection material, hole transport material, and blue light emitting material were used for the hole injection layer 21, the hole transport layer 22, and the organic light emitting layer 23 in the organic EL devices E1 to E4. However, in the organic EL devices E <b> 1 to E <b> 4, the composition ratio of the coating liquid when forming the corresponding hole injection layer 21, hole transport layer 22 and organic light emitting layer 23 is different. In the vacuum drying performed when forming the organic light emitting layer 23 of the organic EL devices E1 to E4, the temperature in the vacuum chamber was 13 ° C to 30 ° C. In vacuum drying, the drying speed of the coating film was slow in the order of the organic EL device E1, the organic EL device E2, the organic EL device E3, and the organic EL device E4.

有機ELデバイスE1〜E4が有する有機発光層23の平坦度αは表1のとおりであった。有機ELデバイスE1〜E4を同様の条件で発光させた時の輝度分布率βは、表1のとおりであった。平坦度α及び輝度分布率βの算出において使用した画素面積A2,A4は同じであった。

Figure 2017082173
The flatness α of the organic light emitting layer 23 included in the organic EL devices E1 to E4 is as shown in Table 1. The luminance distribution rate β when the organic EL devices E1 to E4 were caused to emit light under the same conditions was as shown in Table 1. The pixel areas A2 and A4 used in the calculation of the flatness α and the luminance distribution rate β were the same.
Figure 2017082173

実験例5〜9では、図8の(b)に示した有機ELデバイスE5〜E9を製造した。有機ELデバイスE5〜E9の構成は、有機発光層23として、青色発光層23Bの代わりに緑色発光層23Gを用いた点以外は、有機ELデバイスE1〜E4と同様の構成を有する。有機ELデバイスE5〜E9は、緑色を発光する有機ELデバイス1である。有機ELデバイスE5〜E9の製造においても。正孔注入層21、正孔輸送層22及び有機発光層23を、インクジェット印刷法により各層に対応する塗布液を用いて塗布膜を形成し、真空乾燥させることで形成した。有機発光層23を形成する際に行った真空乾燥において、真空チャンバ内の温度は13℃〜30℃であった。   In Experimental Examples 5 to 9, organic EL devices E5 to E9 shown in FIG. The configuration of the organic EL devices E5 to E9 has the same configuration as that of the organic EL devices E1 to E4 except that the green light emitting layer 23G is used as the organic light emitting layer 23 instead of the blue light emitting layer 23B. The organic EL devices E5 to E9 are organic EL devices 1 that emit green light. Also in the manufacture of organic EL devices E5 to E9. The hole injection layer 21, the hole transport layer 22, and the organic light emitting layer 23 were formed by forming a coating film using a coating liquid corresponding to each layer by an ink jet printing method and vacuum drying. In the vacuum drying performed when the organic light emitting layer 23 was formed, the temperature in the vacuum chamber was 13 ° C to 30 ° C.

有機ELデバイスE5〜E9における正孔注入層21及び正孔輸送層22には、有機ELデバイスE1〜E4の場合と同じ正孔注入材料及び正孔輸送材料を使用した。ただし、有機ELデバイスE5〜E9において、正孔注入層21、正孔輸送層22及び有機発光層23を形成する際の塗布液の組成比率などは異なる。有機ELデバイスE5〜E9の有機発光層23を形成する際の真空乾燥では、有機ELデバイスE5、有機ELデバイスE6、有機ELデバイスE7、有機ELデバイスE8及び有機ELデバイスE9の順に、塗布膜の乾燥速度は速かった。   For the hole injection layer 21 and the hole transport layer 22 in the organic EL devices E5 to E9, the same hole injection material and hole transport material as in the organic EL devices E1 to E4 were used. However, in the organic EL devices E5 to E9, the composition ratio of the coating liquid when forming the hole injection layer 21, the hole transport layer 22, and the organic light emitting layer 23 is different. In vacuum drying at the time of forming the organic light emitting layer 23 of the organic EL devices E5 to E9, the organic EL device E5, the organic EL device E6, the organic EL device E7, the organic EL device E8, and the organic EL device E9 are sequentially coated. The drying speed was fast.

有機ELデバイスE5〜E9が有する有機発光層23の平坦度αは表2のとおりであった。有機ELデバイスE5〜E9を有機ELデバイスE1〜E4と同様の条件で発光させた時の輝度分布率βは、表2のとおりであった。平坦度α及び輝度分布率βの算出において使用した画素面積A2,A4は同じであった。

Figure 2017082173
Table 2 shows the flatness α of the organic light emitting layer 23 included in the organic EL devices E5 to E9. Table 2 shows the luminance distribution ratio β when the organic EL devices E5 to E9 were made to emit light under the same conditions as the organic EL devices E1 to E4. The pixel areas A2 and A4 used in the calculation of the flatness α and the luminance distribution rate β were the same.
Figure 2017082173

実験例10〜14では、図8の(c)に示した有機ELデバイスE10〜E14を製造した。有機ELデバイスE10〜E14の構成は、有機発光層23として青色発光層23Bの代わりに赤色発光層23Rを用いた点以外は、有機ELデバイスE1〜E5と同様の構成を有する。有機ELデバイスE10〜E14は、赤色を発光する有機ELデバイスである。正孔注入層21、正孔輸送層22及び有機発光層23(赤色発光層23R)を、有機ELデバイスE1〜E4の場合と同様に、インクジェット印刷法により各層に対応する塗布液を用いて塗布膜を形成した後、真空乾燥させることで形成した。有機発光層23を形成する際に行った真空乾燥において、真空チャンバ内の温度は13℃〜30℃であった。   In Experimental Examples 10 to 14, organic EL devices E10 to E14 shown in FIG. The configuration of the organic EL devices E10 to E14 has the same configuration as that of the organic EL devices E1 to E5 except that the red light emitting layer 23R is used as the organic light emitting layer 23 instead of the blue light emitting layer 23B. The organic EL devices E10 to E14 are organic EL devices that emit red light. The hole injection layer 21, the hole transport layer 22, and the organic light emitting layer 23 (red light emitting layer 23R) are coated using a coating liquid corresponding to each layer by an ink jet printing method as in the case of the organic EL devices E1 to E4. After the film was formed, it was formed by vacuum drying. In the vacuum drying performed when the organic light emitting layer 23 was formed, the temperature in the vacuum chamber was 13 ° C to 30 ° C.

有機ELデバイスE10〜E14における正孔注入層21及び正孔輸送層22には、有機ELデバイスE1〜E4の場合と同じ正孔注入材料及び正孔輸送材料を使用した。有機ELデバイスE10〜E14において、正孔注入層21、正孔輸送層22及び有機発光層23を形成する際の塗布液の組成比率は異なる。有機ELデバイスE10〜E14の有機発光層23を形成する際の真空乾燥では、有機ELデバイスE10、有機ELデバイスE11、有機ELデバイスE12、有機ELデバイスE13及び有機ELデバイスE14の順に、塗布膜の乾燥速度は遅かった。   For the hole injection layer 21 and the hole transport layer 22 in the organic EL devices E10 to E14, the same hole injection material and hole transport material as in the organic EL devices E1 to E4 were used. In the organic EL devices E10 to E14, the composition ratios of the coating liquids when forming the hole injection layer 21, the hole transport layer 22, and the organic light emitting layer 23 are different. In vacuum drying at the time of forming the organic light emitting layer 23 of the organic EL devices E10 to E14, the coating film is formed in the order of the organic EL device E10, the organic EL device E11, the organic EL device E12, the organic EL device E13, and the organic EL device E14. The drying rate was slow.

有機ELデバイスE10〜E14が有する有機発光層23の平坦度αは、表3に示したとおりであった。有機ELデバイスE10〜E14を有機ELデバイスE1〜E4と同様の条件で発光させた時の輝度分布率βは、表3のとおりであった。平坦度α及び輝度分布率βの算出において使用した画素面積A2,A4は同じであった。

Figure 2017082173
The flatness α of the organic light emitting layer 23 included in the organic EL devices E10 to E14 was as shown in Table 3. Table 3 shows the luminance distribution ratio β when the organic EL devices E10 to E14 are caused to emit light under the same conditions as the organic EL devices E1 to E4. The pixel areas A2 and A4 used in the calculation of the flatness α and the luminance distribution rate β were the same.
Figure 2017082173

図9は、表1〜表3に示した平坦度α(%)と輝度分布率β(%)との関係を示したグラフである。図9において、横軸は平坦度(%)を示し、縦軸は輝度分布率(%)を示している。図9中において、表1〜表3に示した平坦度α(%)それぞれに対応する輝度分布率β(%)をプロットした記号には、色毎に同じ記号(四角形及び三角形など)を採用している。そして、各記号に付した番号は、実験例の番号を示している。   FIG. 9 is a graph showing the relationship between the flatness α (%) and the luminance distribution rate β (%) shown in Tables 1 to 3. In FIG. 9, the horizontal axis indicates the flatness (%), and the vertical axis indicates the luminance distribution rate (%). In FIG. 9, the same symbols (rectangles, triangles, etc.) are adopted for each color as the symbols plotted with the luminance distribution rate β (%) corresponding to each flatness α (%) shown in Tables 1 to 3. doing. And the number attached | subjected to each symbol has shown the number of the experiment example.

図10は、有機ELデバイスE1〜E4における有機発光層23(青色発光層23B)の厚さ分布を示した図面である。図11は、有機ELデバイスE5〜E9における有機発光層23(緑色発光層23G)の凹部14内の厚さ分布を示した図面である。図12は、有機ELデバイスE10〜E14における有機発光層23(赤色発光層23R)の凹部14内の厚さ分布を示した図面である。図10〜図12において、横軸は、凹部14の断面における位置を示しており、x1及びx2の位置がそれぞれ凹部14を規定するバンク13の側面13a,13aの位置を示している。ただし、実験誤差及びプロットなどの関係からx1及びx2の位置はバラツキが生じているが、図10〜図12では、概略的に側面13a,13aに対応する位置近傍にx1及びx2を配置している。図10〜図12の縦軸は、有機発光層23の厚さを示している。   FIG. 10 is a drawing showing the thickness distribution of the organic light emitting layer 23 (blue light emitting layer 23B) in the organic EL devices E1 to E4. FIG. 11 is a drawing showing the thickness distribution in the recess 14 of the organic light emitting layer 23 (green light emitting layer 23G) in the organic EL devices E5 to E9. FIG. 12 is a drawing showing the thickness distribution in the recess 14 of the organic light emitting layer 23 (red light emitting layer 23R) in the organic EL devices E10 to E14. 10 to 12, the horizontal axis indicates the position of the recess 14 in the cross section, and the positions of x1 and x2 indicate the positions of the side surfaces 13a and 13a of the bank 13 that define the recess 14, respectively. However, the positions of x1 and x2 vary due to experimental errors and plots, but in FIGS. 10 to 12, x1 and x2 are roughly arranged near the positions corresponding to the side surfaces 13a and 13a. Yes. The vertical axis | shaft of FIGS. 10-12 has shown the thickness of the organic light emitting layer 23. FIG.

図9に示した結果より、青色、緑色及び赤色毎に、平坦度αと輝度分布率βとが、実質的に線形、すなわち、1対1に対応していることが理解され得る。よって、平坦度αを判定することで、輝度分布率βを調整することができる。青色発光層23B、緑色発光層23G及び赤色発光層23Rの材料は異なる。よって、有機発光層23の材料に依存することなく、上記平坦度αと輝度分布率βの関係が満たされていることになる。   From the results shown in FIG. 9, it can be understood that the flatness α and the luminance distribution rate β are substantially linear, that is, one-to-one for each of blue, green, and red. Therefore, the luminance distribution rate β can be adjusted by determining the flatness α. The materials of the blue light emitting layer 23B, the green light emitting layer 23G, and the red light emitting layer 23R are different. Therefore, the relationship between the flatness α and the luminance distribution rate β is satisfied without depending on the material of the organic light emitting layer 23.

このように、平坦度αと輝度分布率βとに一定の関係があることから、有機ELデバイス1の製造方法で説明したように、有機発光層23の平坦度αを調整すれば、輝度分布率βとして一定の値以上を実現できる。例えば、平坦度αが70%以上であれば、実質的に70%以上の輝度分布率βを実現できる。したがって、有機発光層23より下側の層(図2に示した例では、正孔注入層21及び正孔輸送層22)の厚さを測定し、材料の異なる各層を平坦にするために層毎に製造条件を調整する場合に比べて格段に有機ELデバイス1の生産性が向上する。   As described above, since the flatness α and the luminance distribution rate β have a certain relationship, the luminance distribution can be obtained by adjusting the flatness α of the organic light emitting layer 23 as described in the method of manufacturing the organic EL device 1. A certain value or more can be realized as the rate β. For example, if the flatness α is 70% or more, a luminance distribution rate β of 70% or more can be realized. Accordingly, the thickness of the layers below the organic light emitting layer 23 (in the example shown in FIG. 2, the hole injection layer 21 and the hole transport layer 22) is measured, and the layers made of different materials are made flat. The productivity of the organic EL device 1 is significantly improved as compared with the case where the manufacturing conditions are adjusted every time.

平坦度αと輝度分布率βとの関係に基づけば、平坦度αの評価により、製造後の有機ELデバイス1の輝度分布率βを推定できる。そのため、有機ELデバイス1の製造コストも低減できる。この点について、有機発光層上に陰極を形成することで有機ELデバイスを一度製造した後に、輝度分布率を測定し、有機発光層の形成条件にフィードバックする場合と比較して説明する。   Based on the relationship between the flatness α and the luminance distribution ratio β, the luminance distribution ratio β of the manufactured organic EL device 1 can be estimated by evaluating the flatness α. Therefore, the manufacturing cost of the organic EL device 1 can also be reduced. This point will be described in comparison with a case where an organic EL device is manufactured once by forming a cathode on the organic light emitting layer, and then a luminance distribution rate is measured and fed back to the formation conditions of the organic light emitting layer.

有機発光層上に陰極を形成することで有機ELデバイスを一度製造するためには、少なくとも有機発光層上に陰極を形成しなければならない。そのため、製造した後に有機ELデバイスの輝度分布率βを算出し、その結果、有機発光層の形成条件の変更が必要であれば、改めて、陰極を形成する必要がある。これに対して、有機ELデバイス1の製造方法では、有機発光層23を形成した段階で、平坦度αと輝度分布率βとの関係に基づいて、有機ELデバイス1の輝度分布率βを推定できる。その結果、不要な陰極形成を省略でき、結果として、製造コストの低減が図られる。   In order to manufacture an organic EL device once by forming a cathode on the organic light emitting layer, the cathode must be formed at least on the organic light emitting layer. Therefore, after manufacturing, the luminance distribution ratio β of the organic EL device is calculated. As a result, if it is necessary to change the formation conditions of the organic light emitting layer, it is necessary to form a cathode again. On the other hand, in the method for manufacturing the organic EL device 1, the luminance distribution rate β of the organic EL device 1 is estimated based on the relationship between the flatness α and the luminance distribution rate β at the stage where the organic light emitting layer 23 is formed. it can. As a result, unnecessary cathode formation can be omitted, and as a result, the manufacturing cost can be reduced.

図1に示した有機ELデバイス1は、図4に示した製造方法で製造し得る。よって、有機ELデバイス1の構成は、生産性の向上に資する構成であり得る。また、有機ELデバイス1が有する有機発光層23の平坦度αは70%以上であることから、有機ELデバイス1は、輝度分布率βとして70%以上を実現可能である。   The organic EL device 1 shown in FIG. 1 can be manufactured by the manufacturing method shown in FIG. Therefore, the configuration of the organic EL device 1 can be a configuration that contributes to an improvement in productivity. Further, since the flatness α of the organic light emitting layer 23 included in the organic EL device 1 is 70% or more, the organic EL device 1 can realize 70% or more as the luminance distribution ratio β.

前述したように、有機ELデバイスE1〜E4の青色発光層23Bを形成する際、有機ELデバイスE1〜E4の順に塗布膜の乾燥速度は遅かった。有機ELデバイスE5〜E9の緑色発光層23Gを形成する際、有機ELデバイスE5〜E9の順に、塗布膜の乾燥速度は速かった。有機ELデバイスE10〜E14の赤色発光層23Rを形成する際、有機ELデバイスE110〜14の順に、塗布膜の乾燥速度は遅かった。そして、図10〜図12より、図7に示したように、有機発光層23となるべき塗布膜の乾燥速度が速いと、中央部が凹状になるように有機発光層23が形成される傾向にあり、上記塗布膜の乾燥速度が遅くなるにつれて、中央部が凸状になるように有機発光層23が形成される傾向にあることがわかる。よって、例えば、乾燥速度を調整することで、有機発光層23の平坦度αを調整し得る。   As described above, when forming the blue light emitting layer 23B of the organic EL devices E1 to E4, the drying speed of the coating film was slow in the order of the organic EL devices E1 to E4. When forming the green light emitting layer 23G of the organic EL devices E5 to E9, the drying speed of the coating film was higher in the order of the organic EL devices E5 to E9. When forming the red light emitting layer 23R of the organic EL devices E10 to E14, the drying rate of the coating film was slow in the order of the organic EL devices E110 to E14. 10 to 12, as shown in FIG. 7, when the drying speed of the coating film to be the organic light emitting layer 23 is high, the organic light emitting layer 23 tends to be formed so that the central portion is concave. It can be seen that the organic light-emitting layer 23 tends to be formed so that the central portion becomes convex as the drying speed of the coating film decreases. Therefore, for example, the flatness α of the organic light emitting layer 23 can be adjusted by adjusting the drying speed.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。例えば、有機発光層とバンク付き基板が有する電極との間には、正孔注入層及び正孔輸送層が形成されていたが、それらは形成されなくてもよい。例えば、バンク付き基板が有する電極に隣接して有機発光層が形成されてもよい。或いは、正孔輸送層が形成されておらず、正孔注入層に隣接して有機発光層が形成されていてもよい。   Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the invention. For example, although the hole injection layer and the hole transport layer are formed between the organic light emitting layer and the electrode of the banked substrate, they may not be formed. For example, the organic light emitting layer may be formed adjacent to the electrode of the substrate with bank. Alternatively, the hole transport layer may not be formed, and the organic light emitting layer may be formed adjacent to the hole injection layer.

有機発光層と陰極との間には、電子注入層が設けられてもよい。電子注入層は、陰極から有機発光層への電子注入効率を改善する機能を有する層である。電子注入層には公知の電子注入材料を用いることができる。このように電子注入層を設ける場合には、電子注入層と有機発光層との間に、電子輸送層が設けられてもよい。電子輸送層は、陰極、電子注入層又は陰極により近い電子輸送層からの電子注入を改善する機能を有する層である。電子輸送層には公知の電子輸送材料を用いることができる。   An electron injection layer may be provided between the organic light emitting layer and the cathode. The electron injection layer is a layer having a function of improving electron injection efficiency from the cathode to the organic light emitting layer. A known electron injection material can be used for the electron injection layer. Thus, when providing an electron injection layer, an electron carrying layer may be provided between an electron injection layer and an organic light emitting layer. The electron transport layer is a layer having a function of improving electron injection from the cathode, the electron injection layer, or the electron transport layer closer to the cathode. A known electron transport material can be used for the electron transport layer.

これまでの説明では、バンク付き基板が有する第1の電極を陽極であり、第2の電極を陰極であった。しかしながら、第1の電極が陰極で、第2の電極が陽極でもよい。また、これまでの説明では、有機ELデバイスは、赤色画素2R、緑色画素2G及び青色画素2Bの3種類の画素を有していたが、色の種類は、特に限定されず、全ての画素が同じ色を出射してもよい。   In the description so far, the first electrode included in the banked substrate is the anode, and the second electrode is the cathode. However, the first electrode may be a cathode and the second electrode may be an anode. In the above description, the organic EL device has three types of pixels, that is, the red pixel 2R, the green pixel 2G, and the blue pixel 2B. However, the color type is not particularly limited, and all the pixels The same color may be emitted.

判定工程S16における所望の値を70%として説明したが、上記所望の値は、70%に限らない。有機ELデバイスにおいて要求される性能に応じて設定されればよい。なお、所望の値は70%以上が好ましく、70%超の所望の値としては80%が好ましい。有機ELデバイスの例としては、有機ディスプレイパネルに限定されず、有機発光装置であればよい。   Although the desired value in the determination step S16 has been described as 70%, the desired value is not limited to 70%. What is necessary is just to set according to the performance requested | required in an organic EL device. The desired value is preferably 70% or more, and the desired value exceeding 70% is preferably 80%. Examples of organic EL devices are not limited to organic display panels, and may be organic light emitting devices.

1…有機ELデバイス、2…画素、2a…画素領域、10…バンク付き基板、11…基板、11a…表面、12…陽極(第1の電極)、13…バンク、20…有機EL構造部、21…正孔注入層、22…正孔輸送層、23…有機発光層、30…陰極、40…有機構造体、41…積層体。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic EL device, 2 ... Pixel, 2a ... Pixel region, 10 ... Substrate with bank, 11 ... Substrate, 11a ... Surface, 12 ... Anode (first electrode), 13 ... Bank, 20 ... Organic EL structure DESCRIPTION OF SYMBOLS 21 ... Hole injection layer, 22 ... Hole transport layer, 23 ... Organic light emitting layer, 30 ... Cathode, 40 ... Organic structure, 41 ... Laminated body.

Claims (10)

基板と、前記基板に設けられており画素を規定するためのバンクと、前記基板において前記画素に対応する画素領域上に設けられる第1の電極とを備えるバンク付き基板の前記第1の電極上に、塗布法によって有機発光層を形成する工程と、
前記有機発光層の平坦度を算出する工程と、
前記有機発光層の平坦度が所望の平坦度以上であるか否かを判定する工程と、
前記有機発光層上に第2の電極を形成する工程と、
を備え、
前記平坦度を算出する工程では、前記有機発光層の最小厚さをd(nm)とし、前記基板の厚さ方向からみたときに(d+所定値)nm以下である前記有機発光層の面積をA1とし、前記画素領域の面積をA2とし、前記平坦度をαとしたとき、前記平坦度を下記式(1)により算出し、
前記判定する工程において、前記平坦度が所望の値以上である場合、前記第2の電極を形成する工程を実施し、
前記判定する工程において、前記平坦度が所望の値未満である場合、前記有機発光層を形成する工程において、前記有機発光層の形成条件を変更して前記有機発光層を形成する、
有機ELデバイスの製造方法。
α=(A1/A2)×100・・・(1)
On the first electrode of the bank-equipped substrate, comprising: a substrate; a bank provided on the substrate for defining a pixel; and a first electrode provided on a pixel region corresponding to the pixel on the substrate. And a step of forming an organic light emitting layer by a coating method;
Calculating the flatness of the organic light emitting layer;
Determining whether the flatness of the organic light emitting layer is equal to or higher than a desired flatness;
Forming a second electrode on the organic light emitting layer;
With
In the step of calculating the flatness, the minimum thickness of the organic light emitting layer is d (nm), and the area of the organic light emitting layer that is (d + predetermined value) nm or less when viewed from the thickness direction of the substrate is When A1 is set, the area of the pixel region is A2, and the flatness is α, the flatness is calculated by the following formula (1).
In the determining step, when the flatness is equal to or higher than a desired value, the step of forming the second electrode is performed,
In the determining step, when the flatness is less than a desired value, in the step of forming the organic light emitting layer, the organic light emitting layer is formed by changing the formation conditions of the organic light emitting layer.
Manufacturing method of organic EL device.
α = (A1 / A2) × 100 (1)
前記所定値は、2以上15以下である、
請求項1に記載の有機ELデバイスの製造方法。
The predetermined value is 2 or more and 15 or less,
The manufacturing method of the organic EL device of Claim 1.
前記所定値は、10である、
請求項1に記載の有機ELデバイスの製造方法。
The predetermined value is 10.
The manufacturing method of the organic EL device of Claim 1.
前記所望の平坦度は、輝度分布率算出用画素に対して前記式(1)により規定される平坦度と、前記輝度分布率算出用画素における輝度分布率との関係に基づいて設定されており、
前記輝度分布率は、前記輝度分布率算出用画素において、前記輝度分布率算出用画素の面積の最大輝度の70%以上の輝度を有する領域の面積の割合である、
請求項1〜3の何れか一項に記載の有機ELデバイスの製造方法。
The desired flatness is set based on the relationship between the flatness defined by the equation (1) for the luminance distribution ratio calculation pixel and the luminance distribution ratio in the luminance distribution ratio calculation pixel. ,
The luminance distribution rate is a ratio of the area of a region having 70% or more of the maximum luminance of the area of the luminance distribution rate calculation pixel in the luminance distribution rate calculation pixel.
The manufacturing method of the organic EL device as described in any one of Claims 1-3.
前記所望の平坦度は、70%である、
請求項1〜4の何れか一項に記載の有機ELデバイスの製造方法。
The desired flatness is 70%.
The manufacturing method of the organic EL device as described in any one of Claims 1-4.
前記バンク付き基板の前記第1の電極上に、少なくとも一つの有機層を含む有機構造体を形成する工程を更に備え、
前記有機発光層を形成する工程では、前記有機構造体上に前記有機発光層を形成する、
請求項1〜5の何れか一項に記載の有機ELデバイスの製造方法。
Forming an organic structure including at least one organic layer on the first electrode of the banked substrate;
In the step of forming the organic light emitting layer, the organic light emitting layer is formed on the organic structure.
The manufacturing method of the organic EL device as described in any one of Claims 1-5.
前記平坦度を算出する工程では、
前記有機発光層の厚さ分布を、前記有機構造体の厚さ分布と、前記有機構造体上に前記有機発光層が形成されてなる積層体の厚さ分布との差から算出し、
前記有機発光層の厚さ分布に基づいて、前記平坦度を算出する、
請求項6に記載の有機ELデバイスの製造方法。
In the step of calculating the flatness,
The thickness distribution of the organic light emitting layer is calculated from the difference between the thickness distribution of the organic structure and the thickness distribution of the laminate in which the organic light emitting layer is formed on the organic structure,
The flatness is calculated based on the thickness distribution of the organic light emitting layer.
The manufacturing method of the organic EL device of Claim 6.
基板と、前記基板に設けられており画素を規定するためのバンクと、前記基板において前記画素に対応する画素領域上に設けられる第1の電極とを有するバンク付き基板と、
前記第1の電極上に設けられる有機発光層と、
前記有機発光層上に設けられる第2の電極と、
を備え、
前記有機発光層の最小厚さをd(nm)とし、前記基板の厚さ方向からみたときに(d+所定値)nm以下となる前記有機発光層の面積をA1とし、前記画素領域の面積をA2とし、前記有機発光層の平坦度を、(A1/A2)×100[%]としたとき、
前記平坦度が70%以上である、
有機ELデバイス。
A banked substrate having a substrate, a bank provided on the substrate for defining pixels, and a first electrode provided on a pixel region corresponding to the pixel on the substrate;
An organic light emitting layer provided on the first electrode;
A second electrode provided on the organic light emitting layer;
With
The minimum thickness of the organic light-emitting layer is d (nm), the area of the organic light-emitting layer that is (d + predetermined value) nm or less when viewed from the thickness direction of the substrate is A1, and the area of the pixel region is When A2 and the flatness of the organic light emitting layer is (A1 / A2) × 100 [%],
The flatness is 70% or more,
Organic EL device.
前記所定値は、2以上15以下である、
請求項8に記載の有機ELデバイス。
The predetermined value is 2 or more and 15 or less,
The organic EL device according to claim 8.
前記所定値は、10である、
請求項8に記載の有機ELデバイス。
The predetermined value is 10.
The organic EL device according to claim 8.
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