JPWO2017037828A1 - 内視鏡、電子ユニットおよび電子ユニットの製造方法 - Google Patents

内視鏡、電子ユニットおよび電子ユニットの製造方法 Download PDF

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Abstract

内視鏡９は、撮像ユニット１を挿入部８０の先端部８１に有し、前記撮像ユニット１が、第１の電極パッド３２と第２の電極パッド３４とが配設されているチップ部品３０と、第３の電極パッド２２が配設されている撮像素子２０と、フライングリード４１を有する配線板４０と、を具備し、チップ部品３０と撮像素子２０との間隙にフライングリード４１が挿入されており、第１の電極パッド３２とフライングリード４１とが第１のバンプ３３を介して接合されており、接合部が第１の封止樹脂３９により封止されており、第２の電極パッド３４と第３の電極パッド２２とが、第１のバンプ３３よりも高さの高い第２のバンプ３５を介して接合されており、第１の封止樹脂３９よりもヤング率が小さい第２の封止樹脂２９により封止されている。

Description

本発明は、第１のチップ部品と、前記第１のチップ部品と対向配置されている撮像素子等の第２のチップ部品と、フライングリードが端面から突出している配線板と、を具備する撮像ユニットを有する内視鏡、第１のチップ部品と、前記第１のチップ部品と対向配置されている第２のチップ部品と、フライングリードが端面から突出している配線板と、を具備する電子ユニット、および前記電子ユニットの製造方法に関する。
内視鏡の先端部の細径化／短小化のために、超小型の撮像素子を具備する撮像ユニットの開発が進められている。撮像素子には、駆動信号等を供給するための電極パッドおよび撮像信号を出力するための電極パッドが配設されている。撮像素子の電極パッドに直接、信号ケーブルを接合することは、撮像素子を損傷するおそれがあるため、容易ではない。このため、撮像素子と信号ケーブルとの間に、例えば、再配線のためのチップ部品と、電子部品が実装された配線板とが配設される。
しかし、チップ部品と配線板とを配設すると、撮像ユニットの長さが長くなったり、厚さが厚くなったりして、先端部の細径化／短小化を損なうおそれがある。
また、配線板とチップ部品とが、配線板のフライングリードを介して接続される場合には、製造工程において応力が印加されると接合部が剥離してしまうおそれがあった。特に、接合後にフライングリードの曲げ加工が行われる場合には、接合部に強い応力が印加されるため、接合部が剥離してしまうおそれがあった。
なお、日本国特開平６−１３５４１号公報には、半導体チップが第１のバンプを介して実装された配線板の上に、さらに半導体チップが搭載された配線板を配置し、配線板間を第１のバンプよりも高さの高い第２のバンプを介して接合することで、小型化した三次元マルチチップ半導体デバイスが開示されている。
特開平６−１３５４１号公報
本発明の実施形態は、フライングリードの接合強度が強く、製造歩留まりの高い撮像ユニットを有する内視鏡、フライングリードの接合強度が強く、製造歩留まりの高い電子ユニットおよび前記電子ユニットの製造方法を提供することを目的とする。
本発明の実施形態の内視鏡は、挿入部の先端に撮像ユニットを有する内視鏡であって、前記撮像ユニットが、主面に第１の電極パッドと第２の電極パッドとが配設されているチップ部品と、受光面と対向する裏面が、前記チップ部品の前記主面と、対向配置されており、前記裏面に第３の電極パッドが配設されている撮像素子と、端面から突出しているフライングリードを有する配線板と、を具備し、前記チップ部品と前記撮像素子との間隙に前記フライングリードが挿入されており、前記第１の電極パッドと前記フライングリードとが、第１のバンプを介して接合されており、接合部が第１の封止樹脂により封止されており、前記第２の電極パッドと、前記第３の電極パッドとが、前記第１のバンプよりも高さの高い第２のバンプを介して接合されており、前記間隙の前記第１の封止樹脂で封止されていない空間が、前記第１の封止樹脂よりもヤング率が小さい第２の封止樹脂により封止されている。
本発明の別の実施形態の電子ユニットは、主面に第１の電極パッドと第２の電極パッドとが配設されている第１のチップ部品と、おもて面と対向する裏面が前記第１のチップ部品の前記主面と対向配置されており、前記裏面に第３の電極パッドが配設されている第２のチップ部品と、端面から突出しているフライングリードを有する配線板と、を具備する電子ユニットであって、前記第１のチップ部品と前記第２のチップ部品との間隙に前記フライングリードが挿入されており、前記第１の電極パッドと前記フライングリードとが、第１のバンプを介して接合されており、接合部が第１の封止樹脂により封止されており、前記第２の電極パッドと前記第３の電極パッドとが、前記第１のバンプよりも高さの高い第２のバンプを介して接合されており、前記間隙の前記第１の封止樹脂で封止されていない空間が、第２の封止樹脂により封止されている。
本発明の別の実施形態の電子ユニットの製造方法は、主面に第１の電極パッドと第２の電極パッドとが配設されている第１のチップ部品と、おもて面と対向する裏面に第３の電極パッドが配設されている第２のチップ部品と、端面からフライングリードが突出している配線板と、を作製する工程と、前記第１のチップ部品の前記第１の電極パッドと前記配線板の前記フライングリードとを、第１のバンプを介して接合する工程と、前記第１の電極パッドと前記フライングリードとの接合部を、第１の封止樹脂により封止する工程と、前記第１の封止樹脂を第１の温度で、硬化処理する工程と、前記第１のチップ部品の前記主面と、前記第２のチップ部品の前記裏面とを対向配置し、前記第２の電極パッドと前記第３の電極パッドとを、前記第１のバンプよりも高さの高い第２のバンプを介して、接合する工程と、前記第１のチップ部品の前記主面と前記第２のチップ部品の前記裏面との隙間に、第２の封止樹脂を注入する工程と、前記第２の封止樹脂を、前記第１の温度よりも低く、かつ、前記第１の封止樹脂のガラス転移温度よりも低い温度で、硬化処理する工程と、を具備する。
本発明の実施形態によれば、フライングリードの接合強度が強く、製造歩留まりの高い撮像ユニットを有する内視鏡、フライングリードの接合強度が強く、製造歩留まりの高い電子ユニットおよび前記電子ユニットの製造方法を提供できる。
第１実施形態の撮像ユニットの断面図である。 第１実施形態の撮像ユニットの一部の上面図である。 第１実施形態の撮像ユニットの分解図である。 第１実施形態の撮像ユニットの製造方法を説明するためのフローチャートである。 第２実施形態の撮像ユニットの分解図である。 第３実施形態の撮像ユニットの断面図である。 第３実施形態の撮像ユニットの一部の上面図である。 実施形態の内視鏡の斜視図である。 実施形態の電子ユニットの断面図である。
＜第１実施形態＞
図１〜図３に示すように、本実施形態の撮像ユニット１は、プリズム１０と、撮像素子２０と、配線チップ３０と、配線板４０と、信号ケーブル５０と、を具備する、いわゆる横置き型の撮像ユニットである。
なお、以下の説明において、各実施の形態に基づく図面は、模式的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、夫々の部分の厚みの比率および相対角度などは現実のものとは異なることに留意すべきであり、図面の相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。また一部の構成要素の図示を省略する場合がある。
第１のチップ部品である配線チップ３０は、主面３０ＳＡに複数の第１の電極パッド３２と複数の第２の電極パッド３４とが配設されている。配線チップ３０は、第１の電極パッド３２と第２の電極パッド３４とを、電気的に接続している配線機能を有する。
第２のチップ部品である撮像素子２０は、シリコン等の半導体からなる。撮像素子２０は、公知の半導体製造技術を用いて、受光部２１が形成されているＣＣＤまたはＣＭＯＳイメージセンサである。受光面（おもて面）２０ＳＡと対向している裏面２０ＳＢには、貫通配線（不図示）等を介して受光部２１と接続されている複数の第３の電極パッド２２が配設されている。
撮像素子２０の受光面２０ＳＡには、透明接着層１２を介して光学部材であるプリズム１０が配設されている。なお、プリズム１０は撮像ユニット１の必須の構成要素ではなく、プリズムに替えてカバーガラスが配設されていてもよいし、また、プリズム１０の下にカバーガラスが配設されていてもよい。また、受光部２１の上に複数のマイクロレンズが配設されている撮像素子の場合には、受光部２１の周囲に額縁状の遮光性接着層を介して光学部材が配設されていてもよい。
配線板４０は端面から突出した複数のフライングリード４１を有する。フライングリード４１は、リードフレームではインナーリードとも呼ばれているが、配線板４０の配線の周囲の絶縁層等を選択的に剥離することにより形成される棒状の金属導体である。例えば、フライングリード４１は、長さ２５０μｍ、厚さ２０μｍ、幅５０μｍである。配線板４０にはチップコンデンサ等の電子部品４２が実装されている電極パッド４３と、信号ケーブル５０の導線５１が接合されている電極パッド４４が配設されている。配線板は両面配線板、多層配線板または部品内蔵配線板であってもよい。
そして、撮像ユニット１では、配線チップ３０の主面３０ＳＡと、撮像素子２０の裏面２０ＳＢとが、対向配置されている。そして、配線チップ３０の主面３０ＳＡと、撮像素子２０の裏面２０ＳＢとの間の間隙に、配線板４０のフライングリード４１が挿入されている。
第１の電極パッド３２とフライングリード４１とは、第１のバンプ３３を介して接合されている。第２の電極パッド３４と第３の電極パッド２２とは、第２のバンプ３５を介して接合されている。第２のバンプ３５は、第１のバンプ３３よりも高さが高く、配線チップ３０と撮像素子２０との間隙の長さを規定している。例えば、第１のバンプ３３の高さは、５μｍ〜５０μｍであり、第２のバンプ３５は、２０μｍ〜１５０μｍである。
そして、第１の電極パッド３２とフライングリード４１との接合部は、第１の封止樹脂３９により封止されている。なお、第１の封止樹脂３９が、フライングリード４１を覆って封止していることが、より好ましい。配線チップ３０と撮像素子２０との間隙の第１の封止樹脂３９で封止されていない空間は第２の封止樹脂２９により封止されている。
第１の電極パッド３２とフライングリード４１との接合部、すなわちフライングリード４１の先端部は、配線チップ３０と撮像素子２０との間隙に挿入されている。このため、撮像ユニット１は長さが短い。さらに、接合部は、第１の封止樹脂および第２の封止樹脂により固定されている。このため、接合部は、接合信頼性が高く、外部から応力が印加されても、剥離することはない。このため、撮像ユニット１は製造歩留まりが高い。
なお、第１の電極パッド３２とフライングリード４１との接合強度を、より強くするためには、第１の封止樹脂３９は硬い樹脂、例えば、ヤング率が１０ＧＰａ以上の樹脂であることが好ましい。これに対して第２の封止樹脂２９は、撮像素子２０と配線チップ３０との熱膨張率の差等により生じる応力を緩和するために、軟らかい樹脂、例えばヤング率が１０ＧＰａ未満の樹脂であることが好ましい。
＜撮像ユニットの製造方法＞
次に、図４のフローチャートに沿って撮像ユニットの製造方法について説明する。
＜ステップＳ１０＞
撮像素子２０、配線チップ３０、および配線板４０が製造される。
撮像素子２０は、複数の受光部２１等が形成されたシリコンウエハを切断することで製造される。撮像素子２０には、受光部２１、周辺回路部（不図示）、貫通配線（不図示）および電極パッド２２が形成されている。
配線チップ３０は、撮像素子２０と略同じ平面視寸法であり、第１の電極パッド３２の上に第１のバンプ３３が配設されており、第２の電極パッド３４の上に第２のバンプ３５が配設されている。第１の電極パッド３２と第２の電極パッド３４とは、図示しない配線により電気的に接続されている。また、配線チップ３０の主面３０ＳＡと対向する裏面に、コンデンサ、抵抗等の電子部品が配設されていてもよい。また、配線チップ３０は、半導体回路等が形成された半導体チップであってもよい。
第１のバンプ３３と第２のバンプ３５とは、Ａｕスタッドバンプ、めっきバンプ、ボールバンプまたは印刷バンプ等であるが、両者は製造方法が異なっていてもよい。第２のバンプ３３の高さは第１のバンプ３５の高さよりも高く、第２のバンプ３５の高さが、撮像素子２０と配線チップ３０との間の間隙の長さを規定している。
なお、第２のバンプ３５は、高さの高い複数のバンプを、所定の高さに正確に形成しやすい、めっきバンプ、多段バンプまたはボールバンプが好ましい。これに対して第１のバンプ３３は製造が容易なスタッドバンプが好ましい。
＜ステップＳ１１＞
配線チップ３０の第１の電極パッド３２と配線板４０のフライングリード４１とが、第１のバンプ３３を介して接合される。
第１のバンプ３３がＡｕスタッドバンプの場合には、例えば、超音波接合により複数のフライングリード４１と複数の第１のバンプ３３とが同時に接合される。接合は半田接合でもよい。
＜ステップＳ１２＞
第１の電極パッド３２とフライングリード４１との接合部が、第１の封止樹脂３９により封止される。なお、第１の封止樹脂３９は、第２の電極パッド３４の上部を除く配線チップ３０の主面３０ＳＡの略全体を覆っていることが好ましい。
第１の封止樹脂３９は、例えば硬化前は液状の熱硬化性樹脂、例えば、エポキシ樹脂である。既に説明したように、第１の封止樹脂３９は、第１の電極パッド３２とフライングリード４１との接合部の接合強度を高めるために、硬い樹脂、特にヤング率が１０ＧＰａ以上の樹脂が好ましく、２０ＧＰａ以上の樹脂が特に好ましい。また、後述するように、封止樹脂３９は、第２の封止樹脂２９の硬化温度Ｔ２よりもガラス転移温度ＴＧが高いことが好ましい。
＜ステップＳ１３＞
第１の封止樹脂が、第１の温度Ｔ１で、硬化処理される。硬化温度Ｔ１は、例えば、１００℃〜１６０℃である。
＜ステップＳ１４＞
配線チップ３０の主面３０ＳＡと、撮像素子２０の裏面２０ＳＢとが対向配置され、第２の電極パッド３４と第３の電極パッド２２とが、第２のバンプ３５を介して、例えば、圧着接合される。接合は半田接合でもよい。
配線チップ３０と接合されているフライングリード４１は、配線チップ３０と撮像素子２０との間隙に挿入された状態となる。
第２のバンプ３５の高さは、第１のバンプ３３よりも高さが高い。より厳密には、第２のバンプ３５の高さは、第１のバンプ３３よりも高さに、加えてフライングリード４１の厚さと、その上を覆う第１の封止樹脂３９の厚さとを加えた長さよりも、大きくなるように設定されている。
＜ステップＳ１５＞
配線チップ３０の主面３０ＳＡと、撮像素子２０の裏面２０ＳＢとの隙間に、第２の封止樹脂２９が注入される。なお、第２の封止樹脂２９が配線板４０まで封止していてもよい。
第２の封止樹脂２９は、硬化前は液状で界面張力により、隙間に空洞を生じること無く充填される。第２の封止樹脂２９は、比較的軟らかい樹脂、例えば、ヤング率が１０ＧＰａ未満であることが応力緩和の観点から好ましく、５ＧＰａ以下であることが特に好ましい。
＜ステップＳ１６＞
第２の封止樹脂２９が、第２の温度Ｔ２で硬化処理される。第２の温度Ｔ２は、第１の温度Ｔ１よりも低く、かつ、第１の封止樹脂３９のガラス転移温度ＴＧよりも低い温度であることが好ましい。前記条件の第２の封止樹脂２９を用いることで、第２の封止樹脂２９の熱硬化時に第１の電極パッド３２とフライングリード４１との接合部が剥離することはない。
例えば、第１の封止樹脂３９が、硬化温度Ｔ１が１６０℃、ガラス転移温度ＴＧが１５０℃のエポキシ樹脂Ａの場合、第２の封止樹脂２９としては、硬化温度Ｔ２が９５℃のシリコーン樹脂、または硬化温度Ｔ２が１００℃のエポキシ樹脂Ｂが用いられる。
第１の封止樹脂３９および第２の封止樹脂２９は、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、およびポリエステル樹脂等の各種の熱硬化性樹脂から選択される。樹脂にガラス繊維等の充填剤またはシリコン粒子等の高熱伝導率粒子が添加されていてもよい。
なお、硬化温度による第１の封止樹脂３９および第２の封止樹脂２９の選定は相対的であるため、例えば、第１の封止樹脂３９が、硬化温度Ｔ１が９０℃、ガラス転移温度ＴＧが８０℃のエポキシ樹脂Ｃの場合には、硬化温度Ｔ２が９５℃のシリコーン樹脂を第２の封止樹脂２９として用いることは好ましくない。
また、第２のバンプ３５が接合温度Ｔ３の半田バンプの場合には、第１の封止樹脂３９のガラス転移温度ＴＧは、接合温度Ｔ３以上であることが好ましい。
撮像ユニット１の製造方法は、第１の電極パッド３２とフライングリード４１との接合強度が高いため、製造中に両者が剥離することがないため、取り扱いが容易で、かつ、製造歩留まりが高い。
＜第２実施形態＞
次に第２実施形態の撮像ユニット１Ａについて説明する。撮像ユニット１Ａは、撮像ユニット１と類似し、同じ効果を有しているので、同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。
図５に示すように、撮像ユニット１Ａでは、第１のチップ部品である配線チップ３０と撮像素子２０との間に、第２のチップ部品とみなされる配線チップ２５が配設されている。すなわち、配線チップ２５の第１の主面（おもて面）２５ＳＡに撮像素子２０が配設されている、そして、撮像素子２０の受光面２０ＳＡにはカバーガラス１０Ａが接着層１２を介して接着されている。
配線チップ２５は、例えば、インターポーザー等の配線チップであり、第１の主面（おもて面）２５ＳＡの電極２６と、第２の主面（裏面）２５ＳＢの電極２７との間を電気的に接続している。撮像素子２０と配線チップ２５とは、例えば半田バンプを介して接合されている。配線チップ３０、２５は、半導体回路が形成された半導体チップであってもよい。
＜第３実施形態＞
次に第３実施形態の撮像ユニット１Ｂについて説明する。撮像ユニット１Ｂは、撮像ユニット１と類似し、同じ効果を有しているので、同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。
図６および図７に示すように、撮像ユニット１Ｂは、配線チップ２５と配線チップ３０Ｂとの間隙に、２つの配線板４０Ａ、４０Ｂの、それぞれのフライングリード４１Ａ、４１Ｂが挿入され、固定されている。
フライングリード４１Ａ、４１Ｂは、間隙の外部で、直角に折れ曲がり、配線板４０Ａ、４０Ｂの主面が撮像素子２０の受光面に対して垂直に配置されている、いわゆる縦置き型の撮像ユニットである。
また、対向配置されている配線板４０Ａ、４０Ｂの間は、封止樹脂２９Ｂで封止されている。配線板４０Ａ、４０Ｂに実装されている電子部品４２は、いずれも内側に配設されている。このため、撮像ユニット１Ｂは外径が小さい。
なお、フライングリード４１Ａ等の折り曲げ角度は、厳密に直角である必要は無く、例えば、９０度未満であってもよい。また、１つの配線板だけを有する撮像ユニットであっても、小径化のために撮像ユニット１Ｂと同じようにフライングリードを折り曲げていてもよい。
フライングリードを折り曲げるときには、フライングリードの接合部には大きな応力が作用する。しかし、撮像ユニット１Ｂでは、フライングリードは、配線チップ２５と配線チップ３０Ｂとの間隙に挿入され固定されているため、製造中に接合部が剥離してしまうおそれはない。
＜内視鏡＞
なお、以上では、実施形態の撮像ユニット１、１Ａ、１Ｃ（以下、「撮像ユニット１等」という）について説明した。撮像ユニット１等は、小型であるため、内視鏡用撮像ユニットとして特に好ましく用いることができる。
図８を用いて、撮像ユニット１等を具備する実施形態の内視鏡９について簡単に説明する。内視鏡９の挿入部８０は、先端部８１と、先端部８１の方向を変えるための湾曲部８２と、湾曲部８２から連設された可撓性の軟性部８３と、からなる。操作部８４には湾曲部８２を操作するアングルノブ８５が配設されている。ユニバーサルコード９２の基端部に配設されたコネクタ９３はプロセッサ（不図示）と接続される。
実施形態の内視鏡９は、挿入部８０の先端部８１に撮像ユニット１等を有する。例えば、撮像ユニット１は、主面に第１の電極パッドと第２の電極パッドとが配設されているチップ部品と、受光面と対向する裏面が前記チップ部品の前記主面と対向配置されており前記裏面に第３の電極パッドが配設されている撮像素子と、端面から突出しているフライングリードを有する配線板と、を具備する撮像ユニットであって、前記チップ部品と前記撮像素子との間隙に前記フライングリードが挿入されており、前記第１の電極パッドと前記フライングリードとが、第１のバンプを介して接合されており、接合部が第１の封止樹脂により封止されており、前記第２の電極パッドと、前記第３の電極パッドとが、前記第１のバンプよりも高さの高い第２のバンプを介して接合されており、前記間隙の前記第１の封止樹脂で封止されていない空間が、前記第１の封止樹脂よりもヤング率が小さい第２の封止樹脂により封止されている。
すでに説明したように、撮像ユニット１等は細径であるため、内視鏡９の挿入部８０は細径化が容易である。また、撮像ユニット１等は第１の電極パッド３２とフライングリード４１との接合強度が強いため、先端部８１に配設するときにも両者が剥離することがない。このため、内視鏡９は製造が容易で、製造歩留まりが高い。
＜電子ユニット＞
次に、図９に別の実施形態の電子ユニット２を示す。電子ユニット２は撮像ユニット１等と類似しているため同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。撮像ユニット１等と異なり、電子ユニット２は受光部が形成されている撮像素子を有していないが、撮像ユニット１等と同じ効果を有する。
すなわち、電子ユニット２は、主面に第１の電極パッド３２と第２の電極パッド３４とが配設されている第１の配線チップ３０と、第１のチップ部品３０のおもて面と裏面が対向配置されており、裏面に第３の電極パッド２２が配設されている第２のチップ部品２０Ｘと、端面から突出しているフライングリード４１を有する配線板４０と、を具備し、第１の配線チップ３０と第２のチップ部品２０Ｘとの間隙にフライングリード４１が挿入されており、第１の電極パッド３２とフライングリード４１とが、第１のバンプ３３を介して接合されており、接合部が第１の封止樹脂３９により封止されており、第２の電極パッド３４と第３の電極パッド２２とが、第１のバンプ３３よりも高さの高い第２のバンプ３５を介して接合されており、間隙の第１の封止樹脂３９で封止されていない空間が、第２の封止樹脂２９により封止されている。
また、第１の封止樹脂３９および第２の封止樹脂２９が熱硬化性樹脂で、第１の封止樹脂３９の硬化温度が第２の封止樹脂２９の硬化温度よりも高く、第１の封止樹脂３９のガラス転移温度が第２の封止樹脂２９の硬化温度よりも高いことが好ましい。
さらに、第１の封止樹脂３９のヤング率が、１０ＧＰａ以上で、第２の封止樹脂２９のヤング率が、５ＧＰａ以下であることが好ましい。
また、電子ユニット２の製造方法は、主面に第１の電極パッド３２と第２の電極パッド３４とが配設されている第１のチップ部品３０と、裏面に第３の電極パッド２２が配設されている第２のチップ部品２０と、端面からフライングリード４１が突出している配線板４０と、を作製する工程と、前記第１のチップ部品３０の前記第１の電極パッド３２と前記配線板４０の前記フライングリード４１とを、第１のバンプ３３を介して接合する工程と、前記第１の電極パッド３２と前記フライングリード４１との接合部を第１の封止樹脂３９により封止する工程と、前記第１の封止樹脂３９を第１の温度で、硬化処理する工程と、前記第１のチップ部品３０の前記主面と、前記第２のチップ部品２０の前記裏面とを対向配置し、前記第２の電極パッド３４と第３の電極パッド２２とを、前記第１のバンプ３３よりも高さの高い第２のバンプ３５を介して接合する工程と、前記第１のチップ部品３０の前記主面と、前記第２のチップ部品２０の前記裏面との隙間に第２の封止樹脂２９を注入する工程と、前記第２の封止樹脂２９を、前記第１の温度よりも低く、かつ、前記第１の封止樹脂３９のガラス転移温度よりも低い温度で、硬化処理する工程と、を具備する。
なお、以上説明した各実施形態においては、第１のチップ部品と第２のチップ部品との熱膨張率の差等により生じる応力を緩和するために、第１の封止樹脂および第２の封止樹脂を用いたが、そのような応力を緩和する必要がなければ、第１の封止樹脂および第２の封止樹脂にかわりに、第１の封止樹脂のみを用いて封止しても良い。
本発明は、上述した実施形態等に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲内において種々の変更、組み合わせ及び応用が可能である。
１、１Ａ、１Ｂ・・・撮像ユニット
２・・・電子ユニット
９・・・内視鏡
１０・・・プリズム
１０Ａ・・・カバーガラス
２０・・・撮像素子
２０ＳＡ・・・受光面
２０ＳＢ・・・裏面
２１・・・受光部
２５・・・配線チップ
２９・・・第２の封止樹脂
３０・・・配線チップ
３２・・・第１の電極パッド
３３・・・第１のバンプ
３４・・・第２の電極パッド
３５・・・第２のバンプ
３９・・・第１の封止樹脂
４０・・・配線板
４１・・・フライングリード
４２・・・電子部品
８４・・・操作部
８５・・・アングルノブ
９０・・・チップ部品

Claims (14)

  1. 挿入部の先端に撮像ユニットを有する内視鏡であって、
    前記撮像ユニットが、
    主面に第１の電極パッドと第２の電極パッドとが配設されているチップ部品と、
    受光面と対向する裏面が、前記チップ部品の前記主面と、対向配置されており、前記裏面に第３の電極パッドが配設されている撮像素子と、
    端面から突出しているフライングリードを有する配線板と、を具備し、
    前記チップ部品と前記撮像素子との間隙に前記フライングリードが挿入されており、
    前記第１の電極パッドと前記フライングリードとが、第１のバンプを介して接合されており、接合部が第１の封止樹脂により封止されており、
    前記第２の電極パッドと、前記第３の電極パッドとが、前記第１のバンプよりも高さの高い第２のバンプを介して接合されており、前記間隙の前記第１の封止樹脂で封止されていない空間が、前記第１の封止樹脂よりもヤング率が小さい第２の封止樹脂により封止されていることを特徴とする内視鏡。
  2. 主面に第１の電極パッドと第２の電極パッドとが配設されている第１のチップ部品と、
    おもて面と対向する裏面が前記第１のチップ部品の前記主面と対向配置されており、前記裏面に第３の電極パッドが配設されている第２のチップ部品と、
    端面から突出しているフライングリードを有する配線板と、を具備する電子ユニットであって、
    前記第１のチップ部品と前記第２のチップ部品との間隙に前記フライングリードが挿入されており、
    前記第１の電極パッドと前記フライングリードとが、第１のバンプを介して接合されており、接合部が第１の封止樹脂により封止されており、
    前記第２の電極パッドと前記第３の電極パッドとが、前記第１のバンプよりも高さの高い第２のバンプを介して接合されており、前記間隙の前記第１の封止樹脂で封止されていない空間が、第２の封止樹脂により封止されていることを特徴とする電子ユニット。
  3. 前記第１の封止樹脂および前記第２の封止樹脂が、熱硬化性樹脂で、
    前記第１の封止樹脂の硬化温度が前記第２の封止樹脂の硬化温度よりも高く、
    前記第１の封止樹脂のガラス転移温度が前記第２の封止樹脂の硬化温度よりも高いことを特徴とする請求項２に記載の電子ユニット。
  4. 前記第１の封止樹脂のヤング率が、１０ＧＰａ以上で、
    前記第２の封止樹脂のヤング率が、１０ＧＰａ未満であることを特徴とする請求項３に記載の電子ユニット。
  5. 前記第１のチップ部品が、前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドとの間を接続する配線チップであり、
    前記第２のチップ部品は、前記裏面と対向している、前記おもて面が受光面の撮像素子であり、
    前記配線板の端部に信号ケーブルが接合されていることを特徴とする請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の電子ユニット。
  6. 前記第１のチップ部品は前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドとの間を接続する第１の配線チップであり、
    前記第２のチップ部品は、前記おもて面に配設された撮像素子と、前記第１の配線チップと、を接続する第２の配線チップであり、
    前記配線板の端部に信号ケーブルが接合されていることを特徴とする請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の電子ユニット。
  7. 前記撮像素子の前記受光面に、プリズムが配設されている横置き型の撮像ユニットであることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の電子ユニット。
  8. 前記フライングリードが、前記間隙の外部で、直角に折れ曲がり、前記配線板が前記受光面に対して垂直に配置されている縦置き型の撮像ユニットであることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の電子ユニット。
  9. ２つの前記配線板を具備し、
    前記２つの配線板が、前記第１のチップ部品および前記第２のチップ部品を間にはさんで、対向配置されていることを特徴とする請求項８に記載の電子ユニット。
  10. 主面に第１の電極パッドと第２の電極パッドとが配設されている第１のチップ部品と、おもて面と対向する裏面に第３の電極パッドが配設されている第２のチップ部品と、端面からフライングリードが突出している配線板と、を作製する工程と、
    前記第１のチップ部品の前記第１の電極パッドと前記配線板の前記フライングリードとを、第１のバンプを介して接合する工程と、
    前記第１の電極パッドと前記フライングリードとの接合部を、第１の封止樹脂により封止する工程と、
    前記第１の封止樹脂を第１の温度で、硬化処理する工程と、
    前記第１のチップ部品の前記主面と、前記第２のチップ部品の前記裏面とを対向配置し、前記第２の電極パッドと前記第３の電極パッドとを、前記第１のバンプよりも高さの高い第２のバンプを介して、接合する工程と、
    前記第１のチップ部品の前記主面と前記第２のチップ部品の前記裏面との隙間に、第２の封止樹脂を注入する工程と、
    前記第２の封止樹脂を、前記第１の温度よりも低く、かつ、前記第１の封止樹脂のガラス転移温度よりも低い温度で、硬化処理する工程と、を具備することを特徴とする電子ユニットの製造方法。
  11. 前記第１の封止樹脂のヤング率が、１０ＧＰａ以上で
    前記第２の封止樹脂のヤング率が、１０ＧＰａ未満であることを特徴とする請求項１０に記載の電子ユニットの製造方法。
  12. 前記第１のチップ部品が、前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドとの間を接続する配線チップであり、
    前記第２のチップ部品は、前記裏面と対向している、おもて面が受光面の撮像素子であり、
    前記配線板の端部に信号ケーブルが接合されていることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の電子ユニットの製造方法。
  13. 前記第１のチップ部品は前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドとの間を接続する第１の配線チップであり、
    前記第２のチップ部品は、前記おもて面に配設された撮像素子と、前記第１の配線チップと、を接続する第２の配線チップであり、
    前記配線板の端部に信号ケーブルが接合されていることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の電子ユニットの製造方法。
  14. 前記第２の封止樹脂を硬化処理する工程のあとに、
    前記フライングリードを、前記第１のチップ部品と前記第２のチップ部品との間隙の外部で、直角に折り曲げて、前記配線板を前記第１のチップ部品の前記主面に対して垂直に配置する工程を、さらに具備することを特徴とする請求項１０から請求項１３のいずれか１項に記載の電子ユニットの製造方法。
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