JPWO2017026005A1 - 平面導波路型レーザ装置 - Google Patents

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Abstract

励起光(5)を吸収するレーザ媒質からなるコア(1)の上面(1a)及び下面(1b)に、そのレーザ媒質より屈折率が小さいクラッド(2),(3)が接合されている平面導波路と、コア(1)の側面(1c),(1d)に励起光(5)を出射する励起光発生源(4a),(4b)と、コア(1)の側面(1e),(1f)に形成されているレーザ光高反射膜(6a),(6b)とを備え、コア(1)の側面(1e),(1f)に対応しているクラッド(2)の側面(2e),(2f)の構造が、一部の面が凹んでいるリッジ構造(20)であるように構成する。これにより、導波路層構造に平行な方向であるy軸方向に対しても導波モードを形成して、レーザ光(11)の波面状態や伝搬方向の変化を抑制することができる。

Description

この発明は、レーザ媒質からなるコア内でレーザ光をジグザグに伝搬させることで、レーザ光を増幅する平面導波路型レーザ装置に関するものである。
以下の特許文献1には、レーザ媒質からなるコアの4つの側面のうち、対向している2の側面にレーザ光を反射する反射膜が形成されている平面導波路型レーザ装置が開示されている。
この平面導波路型レーザ装置では、コア内に入射されたレーザ光が、2つの反射膜間で反射を繰り返しながらジグザグに伝搬することで、レーザ光を増幅している。
また、以下の特許文献1には、反射膜が形成されている2の側面の間に傾斜角を持たせている平面導波路型レーザ装置も開示されている。
この平面導波路型レーザ装置では、レーザ光の入射部から入射されたレーザ光がコア内でジグザグに伝搬されたのちに折り返し反射され、折り返し反射されたレーザ光がコア内で逆方向にジグザグに伝搬されることで、入射部と同じ位置からレーザ光が出射されている。
以下の特許文献1に開示されている平面導波路型レーザ装置では、レーザ媒質であるコア内でのレーザ光の伝搬経路長を長くすることができるため、高利得なレーザ光の増幅が可能となる。
また、この平面導波路型レーザ装置では、レーザ媒質であるコアの側面から励起光が入射されるため、レーザ光と励起光のオーバーラップを高めることができ、レーザ光の効率の良い増幅を行うことができる。
米国特許第2003/0063884号明細書
従来の平面導波路型レーザ装置は以上のように構成されているので、入射された励起光がレーザ媒質で吸収されることで、コア内で熱が発生し、その励起光の伝搬方向に沿って温度分布が生じる。また、励起光の強度分布がある場合にも温度分布が生じる。この温度分布が生じると、熱レンズ効果によって、コア内で屈折率の分布が生じ、この屈折率の分布が、コア内を伝搬するレーザ光のビーム伝搬状態に影響を与えるという課題があった。
即ち、従来の平面導波路型レーザ装置では、屈折率が異なるコアとクラッドが重ねられているため、平面導波路の厚さ方向(導波路層構造に垂直な方向)に対して導波モードが形成され、平面導波路の厚さ方向には、レーザ光を所定の伝搬モードで伝搬させることが可能である。この伝搬モードは、コアの厚さや、コアとクラッドの屈折率差を適切に設定することで制御することができる。
一方、導波路層構造に平行な方向については、導波モードが形成されず、入射されたレーザ光がそのまま空間を伝搬する。このとき、レーザ光は、熱レンズ効果等の影響を受けるため、レーザ光の波面状態が変化して、ビーム品質の劣化が生じるとともに、ビームの伝搬方向が変化してしまうという課題があった。
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、導波路層構造に平行な方向に対しても導波モードを形成して、レーザ光の波面状態や伝搬方向の変化を抑制することができる平面導波路型レーザ装置を得ることを目的とする。
この発明に係る平面導波路型レーザ装置は、励起光を吸収するレーザ媒質からなるコアの上面及び下面に、そのレーザ媒質より屈折率が小さいクラッドが接合されている平面導波路と、コアの側面に励起光を出射する励起光発生源と、コアの4つの側面のうち、励起光発生源から励起光が出射される側面と異なる2つの対向している側面に形成されているレーザ光の反射膜とを備え、平面導波路の4つの側面の中で、励起光発生源から励起光が出射される側面と異なる2つの対向している側面のうち、少なくとも一方の側面の構造が、一部の面が凹んでいるリッジ構造であるようにしたものである。
この発明によれば、平面導波路の4つの側面の中で、励起光発生源から励起光が出射される側面と異なる2つの対向している側面のうち、少なくとも一方の側面の構造が、一部の面が凹んでいるリッジ構造であるように構成したので、導波路層構造に平行な方向に対しても導波モードを形成して、レーザ光の波面状態や伝搬方向の変化を抑制することができる効果がある。
この発明の実施の形態1による平面導波路型レーザ装置を示す上面図である。 図1のA−A’線に沿って紙面に対して垂直な面内での断面図である。 この発明の実施の形態1による平面導波路型レーザ装置の平面導波路を構成しているコア1及びクラッド2の側面1e,2eを示す斜視図である。 レーザ媒質で吸収される励起光パワーと、レーザ媒質であるコア1の温度及び屈折率とを示す説明図である。 この発明の実施の形態1による他の平面導波路型レーザ装置の平面導波路を構成しているコア1及びクラッド2の側面1e,2eを示す斜視図である。 この発明の実施の形態1による他の平面導波路型レーザ装置の平面導波路を構成しているコア1及びクラッド2の側面1e,2eを示す斜視図である。 この発明の実施の形態1による他の平面導波路型レーザ装置を示す上面図である。 この発明の実施の形態1による他の平面導波路型レーザ装置を示す上面図である。 この発明の実施の形態1による他の平面導波路型レーザ装置の平面導波路を構成しているコア1及びクラッド2の側面1e,2eを示す斜視図である。 この発明の実施の形態2による平面導波路型レーザ装置を示す上面図である。 この発明の実施の形態3による平面導波路型レーザ装置を示す上面図である。
以下、この発明をより詳細に説明するために、この発明を実施するための形態について、添付の図面にしたがって説明する。
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1による平面導波路型レーザ装置を示す上面図であり、図2は図1のA−A’線に沿って紙面に対して垂直な面内での断面図である。また、図3はこの発明の実施の形態1による平面導波路型レーザ装置の平面導波路を構成しているコア1及びクラッド2の側面1e,2eを示す斜視図である。
図1から図3において、コア1は励起光5を吸収するレーザ媒質で形成されており、コア1の主面である上面1a及び下面1bには、そのレーザ媒質より屈折率が小さいクラッド2,3が接合されている。
このコア1とクラッド2,3から平面導波路が構成されている。
ここで、レーザ媒質であるコア1は、1軸方向に厚さが薄い平板の形状である。図1から図3では、コア1の厚さ方向をz軸として、コア1の平面内の2軸をx軸,y軸としている。
図中、コア1において、xy平面と平行な面が上面1a及び下面1bであり、z軸方向に平行な4つ面が側面1c,1d,1e,1fである。
この実施の形態1では、コア1の側面1c,1dが、コア1の主面である上面1a及び下面1bに対して、ほぼ垂直になっている例を示しているが、コア1の側面1c,1dが、コア1の上面1a及び下面1bに対して傾斜するように角度を持たせてもよい。この場合、コア1の側面1c,1d,1e,1fで生じる周回パスによる自然放射増幅光(ASE:Amplified Spontaneous Emission)や寄生発振を防ぐことができる。
コア1のレーザ媒質としては、Nd、Yb、Er、Tm、Hoなどの活性媒質が添加されている結晶、セラミック、ガラスなどの一般的な固体レーザ材料を使用することができる。固体レーザ材料としては、レーザ発振又は増幅を行うレーザ光の波長に合わせて好適なものが選択される。
クラッド2の4つの側面のうち、側面2eはコア1の側面1eに対応し、側面2fはコア1の側面1fに対応している。
クラッド2はコア1の上面1aに接合され、クラッド3はコア1の下面1bに接合されているが、コア1の上面1a及び下面1bに対するクラッド2,3の接合は、例えば、光学材料を原料とする膜を蒸着することで行われる。あるいは、光学材料をオプティカルコンタクト又は拡散接合等によってコア1及びクラッド2,3と光学的に接合することで行われる。
なお、クラッド2,3は、図示せぬ基板に接合されていてもよい。また、その基板は、図示せぬヒートシンクに接合されていてもよい。その基板及びヒートシンクは、クラッド2,3のうち、いずれか一方のクラッドの外側に接合されているものであってもよいし、両方のクラッドの外側に接合されているものであってもよい。それらの接合は、熱伝導率が良い接合材を用いるのが好ましい。
励起光発生源4aはコア1の側面1cに近接して配置されている第1の光源であり、励起光発生源4aはコア1の側面1cに励起光5を出射する。
励起光発生源4bはコア1の側面1dに近接して配置されている第2の光源であり、励起光発生源4bはコア1の側面1dに励起光5を出射する。
励起光発生源4a,4bとして、例えば、マルチエミッタ半導体レーザ、ブロードエリアLD(Laser Diode)やファイバ出力LDの出力ファイバが配列上に設置されているものを使用することができる。図1及び図2では省略しているが、励起光発生源4a,4bには、必要に応じて冷却用のヒートシンクが接合される。
励起光発生源4a,4bでは、励起光5が平面導波路の内部に閉じ込められてy方向に伝搬されるように、広がり角が好適な励起光5を出射する。このとき、励起光5のx軸方向の大きさは、レーザ媒質であるコア1のx軸方向の大きさとほぼ等しいことが好ましい。
図1及び図2の例では、励起光発生源4a,4bがコア1の側面1c,1dに近接して配置されているが、励起光発生源4a,4bとコア1の側面1c,1dとの間にレンズ等の光学部品を設置することで、コリメート又は集光状態の励起光5がコア1に入射されるようにしてもよい。
また、コア1の側面1c,1dには、励起光5を透過する反射防止膜が施されていてもよい。
また、図1及び図2の例では、励起光発生源4a,4bがコア1の側面1c,1dに近接して配置されているが、励起光発生源4a又は励起光発生源4bのいずれか一方が、コア1の側面1c又は側面1dに近接して配置されていればよい。
レーザ光高反射膜6aはコア1内を伝搬されているレーザ光11を反射する反射膜であり、コア1の側面1eのうち、外部からレーザ光8が入射される入射部以外の部分に形成されている。図1では、図中、コア1の側面1eの右端に入射部が設けられており、レーザ光8が入射方向9でコア1内に入射されている。
レーザ光高反射膜6bはコア1内を伝搬されているレーザ光11を反射する反射膜であり、コア1の側面1fのうち、レーザ光11が出射される出射部以外の部分に形成されている。図1では、図中、コア1の側面1fの左端に出射部が設けられており、レーザ光11が出射方向10でコア1の外部に出射されている。
レーザ光高反射膜6a,6bは、例えば、光学材料を原料とする膜(例えば、誘電帯の多層膜)を蒸着することで、コア1の側面1e,1fに形成される。
レーザ光反射防止膜7aはレーザ光8を透過する透過膜であり、コア1の側面1eのうち、外部からレーザ光8が入射される入射部に形成されている。
レーザ光反射防止膜7bはレーザ光8を透過する透過膜であり、コア1の側面1fのうち、コア1内を伝搬されているレーザ光11が出射される出射部に形成されている。
レーザ光反射防止膜7a,7bは、例えば、光学材料を原料とする膜(例えば、誘電帯の多層膜)を蒸着することで、コア1の側面1e,1fに形成される。
リッジ構造20は、平面導波路を構成しているクラッド2の一部の面が凹んでいる構造である。即ち、リッジ構造20は、コア1の側面1e,1fに対応しているクラッド2の側面2e,2fの一部が、コア1の側面1e,1fの面づらからx軸方向にセットバックしている構造となっており、クラッド2の側面2e,2fに凸凹が形成されている。
リッジ構造20が形成されることで、平面導波路の側面での厚みが部分的に薄くなり、平面導波路の構造がy軸方向に一様でない構造になるため、導波路層構造に平行な方向であるy軸方向にも導波モードが形成される。この導波モードは、リッジ構造20の幅や厚みなどで決定されるが、この実施の形態1では、コア1内に入射されたレーザ光11の伝搬モードと一致するように決定されている。
図3の例では、コア1の上面1aに接合されているクラッド2の4つの側面のうち、コア1の側面1eに対応している側面2eの側において、クラッド2の一部が除去されることで、リッジ構造20が形成されている。
図3では、クラッド2の側面2eに3個のリッジ構造20が形成されているが、これは一例に過ぎず、1個又は2個のリッジ構造20、あるいは、4個以上のリッジ構造20が形成されているものであってもよい。
次に動作について説明する。
コア1内には、外部からレーザ光8が入射方向9で入射される。
励起光発生源4aから出射された励起光5は、レーザ媒質であるコア1の側面1cから入射され、また、励起光発生源4bから出射された励起光5は、レーザ媒質であるコア1の側面1dから入射される。
コア1内に入射された励起光5は、レーザ媒質で吸収されながら、y軸方向に伝搬される。
コア1内では、励起光5がレーザ媒質に吸収されることで、活性媒質が励起されて反転分布が形成される。反転分布が形成されることで、コア1内を伝搬されるレーザ光11に対する利得が発生する。
この利得の発生によって、コア1内を伝搬されるレーザ光11が増幅作用を受けるため、コア1のレーザ出力が増加する。
したがって、レーザ光8としてレーザ種光を準備して、そのレーザ種光をコア1内に入射して増幅させれば、この実施の形態1の平面導波路型レーザ装置は、レーザ増幅器として動作する。
また、平面導波路型レーザ装置のレーザ光軸上に、そのレーザ光軸と直行するように、レーザ光の一部を反射する図示せぬ出力鏡を配置するようにすれば、この実施の形態1の平面導波路型レーザ装置は、レーザ発振器として動作する。
このため、以降の説明では、特に説明がない限り、平面導波路型レーザ装置は、レーザ発振器及びレーザ増幅器の両方に適用される。
次に、コア1の側面1eに形成されているレーザ光反射防止膜7aからレーザ光8が入射されたのち、xy平面内で伝搬されるレーザ光11の伝搬経路について説明する。
レーザ光反射防止膜7aから入射されるレーザ光8は、入射方向9で示される入射角度を持って入射される。
このため、コア1内を伝搬されるレーザ光11は、図1に示すように、コア1の側面1fに到達する。コア1の側面1fにはレーザ光高反射膜6bが施されているため、コア1の側面1fに到達したレーザ光11は、コア1の側面1fに反射される。
コア1の側面1fに反射されたレーザ光11は、コア1内を再び伝搬され、コア1の側面1eに到達する。コア1の側面1eにはレーザ光高反射膜6aが施されているため、コア1の側面1eに到達したレーザ光11は、コア1の側面1eに反射される。
レーザ光11は、レーザ光高反射膜6a,6bでの反射を繰り返すことでジグザグに伝搬され、図1に示すように、y軸方向に進行する。
レーザ光11は、レーザ媒質であるコア1内を伝搬される過程で増幅され、レーザ光高反射膜6a,6bで数回反射された後、レーザ光反射防止膜7bが形成されているコア1の側面1fに到達する。
これにより、増幅されたレーザ光11は、レーザ光反射防止膜7bを透過し、出射方向10で示される出射角度を持って外部に出射される。
ここで、レーザ媒質であるコア1のxy面内のy方向の幅、x方向の長さ、入射されるレーザ光8のビーム幅、レーザ光反射防止膜7a,7bの幅は、コア1内を伝搬されるレーザ光11のビームオーバーラップ効率が高く、レーザ光11の伝搬経路長が長くなるように設定される。
通常、レーザ光11の反射回数が多くなるように設定すると、レーザ光11の伝搬経路長が長くなり、高い利得が得られる。
図1に示すように、レーザ光高反射膜6a,6bによって反射が繰り返されながらレーザ光11が伝搬される構成では、レーザ光11の伝搬経路長を長くとることができるため、高利得で高出力なレーザ出力を得ることができる。
次に、コア1の厚さ方向であるxz面内のレーザ光11の伝搬について説明する。
コア1とクラッド2,3の間には屈折率の差があるため、コア1の厚さ方向であるxz面内では、レーザ光11をコア1内に閉じ込めて伝搬させる導波路となる。
レーザ光11は、導波路において、導波モードと呼ばれる特定の電磁界分布を持って伝搬される。
この導波モードは、レーザ光11の波長と、コア1とクラッド2,3との間の屈折率差と、コア1の厚さとによって決まる。一般的には、レーザ光11の波長が長く、屈折率差が小さく、コア1の厚さが薄くなるほど、導波可能なモード数が減少する。単一の導波モードのみが導波可能な導波路はシングルモード導波路と呼ばれる。
図1及び図2に示す導波路形状及びレーザ光伝搬経路では、レーザ光11がz軸方向に導波路の導波モードで伝搬されるため、導波モードを適切に設計することにより出力されるレーザ光のビーム品質を良くすることが可能となる。また、z軸方向へのレーザ光11の閉じ込めにより、レーザ光11のパワー密度を大きくすることができるため、高効率なレーザ光の増幅を行うことが可能になる。
励起光発生源4a,4bから出射された励起光5は、コア1の側面1c,1dから入射される。
レーザ媒質であるコア1では、クラッド2,3との屈折率差により、レーザ光11の場合と同様に、励起光5をコア1内に閉じ込めて伝搬させる導波路となる。つまり、励起光5はz軸方向に対して導波モードを形成し、レーザ媒質で吸収されながら、y軸方向に伝搬される。
ここで、励起光5の入射パワーをPpin[W]、レーザ媒質による励起光5の吸収係数をα[1/m]、励起光5の入射端であるコア1の側面1dの位置を原点として、y軸方向の伝搬長をLとすると、励起光パワーP(L)は、下記の式(1)のように表される。
Figure 2017026005
また、L〜(L+ΔL)までの区間ΔLで吸収される励起光パワーPpabs(ΔL)は、下記の式(2)のように表される。
Figure 2017026005
図4はレーザ媒質で吸収される励起光パワーと、レーザ媒質であるコア1の温度及び屈折率とを示す説明図である。
図1の構成では、コア1の2つの側面1c,1dから励起光5が入射されているため、y軸方向では、レーザ媒質で吸収される励起光パワーが、図4(a)に示すような曲線の分布(励起光パワー分布)になる。y軸において、この曲線の左端の位置は、コア1の側面1cの位置であり、右端の位置は、コア1の側面1dの位置である。
レーザ媒質が励起光パワーを吸収することで、レーザ媒質が励起状態になるが、レーザ光11の誘導放出に関係しないエネルギー準位間の遷移では、熱としてエネルギーが放出される。このため、レーザ媒質で吸収される励起光パワーに応じてコア1の温度が上昇する。
y軸方向では、レーザ媒質であるコア1の温度が、図4(b)に示すような曲線の分布(温度分布)になる。
レーザ媒質であるコア1の温度が変化することにより、レーザ媒質では屈折率の変化が生じる。
温度Tによる屈折率nの変化量はdn/dTとして表され、屈折率nの変化量dn/dTがプラスの値をとる場合には、温度上昇によって屈折率nが増加し、屈折率nの変化量dn/dTがマイナスの値をとる場合には、温度上昇によって屈折率nが減少する。
屈折率nの変化量dn/dTがプラスの値であるとすると、レーザ媒質であるコア1での屈折率は、図4(c)に示すような曲線の分布(レーザ媒質屈折率分布)になる。
このように、励起光発生源4a,4bから出射された励起光5がコア1内に入射されることで、コア1内では、y軸方向に対して屈折率の分布が生じる。
図1に示すような光路でレーザ光11が伝搬される場合、レーザ光11は屈折率分布が生じているレーザ媒質を通過することとなる。
レーザ光11は、z軸方向には導波路の導波モードで伝搬されるため、屈折分布の影響を受けないが、xy平面内では、入射されたレーザ光11の空間モードで伝搬されるため、yz平面におけるレーザ光11のビーム断面内で、ビームの領域によって屈折率が異なることになる。
この場合、例えば、レーザ光11がレーザ光反射防止膜7aからコア1の側面1fに向かう光路では、レーザ光11の進行方向に向かって右側の屈折率が大きく、左側の屈折率が小さくなる。
このように、レーザ光11のビーム断面内でビームの領域によって屈折率の差が生じることになり、レーザ光11は、屈折率が大きい方へと屈折しようとする性質があるため、xy平面内でレーザ光11の波面曲率に変化(収差)が生じ、伝搬モードが変化することになる。また、レーザ光11の進行方向(xy平面内での伝搬角度)が変化することになる。
このため、反射パスによる長い経路を伝搬する過程で、レーザ光11の伝搬モード及び進行方向が大きく変化することになり、安定した動作が得られなくなるという問題がある。
そこで、この実施の形態1では、コア1の側面1e,1fに対応しているクラッド2の側面2e,2fにリッジ構造20を形成している。
リッジ構造20は、図3に示すように、平面導波路の構造がy軸方向に一様でない構造である。
図1に示すように、コア1の上面1aに接合されているクラッド2の4つの側面のうち、コア1の側面1e,1fに対応している側面2e,2fにおいて、レーザ光11が反射されるコア1の側面1e,1fの領域及び当該領域の近傍領域からなる領域(以下、「レーザ光反射領域」と称する)の上部にのみクラッド2があり、そのレーザ光反射領域以外の領域ではクラッド2が取り除かれた構造となっている。つまり、コア1の側面1e,1fに対応しているクラッド2の側面2e,2fにおいて、レーザ光反射領域の上部では、面づらがコア1の側面1e,1fの面づらと一致している。一方、レーザ光反射領域以外の領域の上部では、クラッド2の側面2e,2fの面づらが、コア1の側面1e,1fの面づらから、x軸方向にセットバックしている構造となっている。このため、クラッド2の側面2e,2fの一部の面が凹んでいる構造になっている。
リッジ構造20が形成されることで、y軸方向に対して、クラッド2が取り除かれているレーザ光反射領域以外の領域では、レーザ光反射領域よりも実行的な屈折率が小さくなっている。このため、y軸方向にも導波モードが形成される。これにより、z軸方向とy軸方向の両方に対して、レーザ光11を導波モードで伝搬させることができる。
コア1内に入射されたレーザ光11のうち、波面曲率が変化して高次モード化している成分や、レーザ光11の進行方向(xy平面内での伝搬角度)が変化している成分は、リッジ構造20が形成されている部分に入射される際に損失が生じる。
即ち、リッジ構造20によって形成される導波モードに結合できない成分は放射モードとなり、伝搬されなくなるが、波面曲率が変化して高次モード化している成分や、進行方向が変化している成分は、リッジ構造20によって形成される導波モードに結合できない成分となるため、放射モードとなり、伝搬されなくなる。したがって、リッジ構造20が形成されている部分に入射される際に損失が生じる。
これにより、レーザ光11に対してz軸方向だけではなく、y軸方向についても、伝搬モードを低次モード化(高ビーム品質化)することができる。また、レーザ光11の反射位置を固定することができ、レーザ光11の伝搬方向を安定化することができる。
図3では、クラッド2の一部が除去されることで、リッジ構造20が形成されている例を示している。即ち、レーザ光反射領域以外の領域の上部ではクラッド2を除去することでリッジ構造20が形成されている。しかし、リッジ構造20は、これに限るものではない。
例えば、図5に示すように、レーザ光反射領域以外の領域の上部でのクラッド2を完全に除去するのではなく、レーザ光反射領域の上部でのクラッド2の厚さと比べて、レーザ光反射領域以外の領域の上部でのクラッド2の厚さを薄くしているリッジ構造20であってもよい。
また、リッジ構造20は、平面導波路を構成しているクラッド2及びコア1の一部が除去されている構造であってもよい。例えば、図6に示すように、レーザ光反射領域以外の領域の上部でのクラッド2を完全に除去するとともに、レーザ光反射領域でのコア1の厚さと比べて、レーザ光反射領域以外の領域でのコア1の厚さを薄くしているリッジ構造20であってもよい。
リッジ構造20で形成される導波モードは、リッジ構造20の形状によって制御できるため、レーザ光の伝搬モードとして、所望する伝搬モードが得られるように、リッジ構造20を設計すればよい。
また、リッジ構造20は、研磨、ダイシング、エッチング等による加工によって形成することができるため、レーザ媒質であるコア1に対してクラッド2,3を接合して、平面導波路を作成した後でも、リッジ構造20を適用することができる。
また、リッジ構造20は、平面導波路の側面のみに形成しているため、加工が容易である。リッジ構造20の加工方法は、加工精度やレーザ光11に対する散乱損失等を考慮して適切な方法が選択される。
リッジ構造20は、平面導波路の側面の一部に形成されるものであるため、コア1内に入射された励起光5の伝搬に対する影響は小さい。
コア1の側面1c,1dから励起光5が入射される構成では、出力の大きな励起光5をコア1内に導入することができるため、励起密度を大きくすることができ、高利得な増幅を行うことができる。
以上で明らかなように、この実施の形態1によれば、コア1の側面1e,1fに対応しているクラッド2の側面2e,2fの構造が、一部の面が凹んでいるリッジ構造20であるように構成したので、導波路層構造に平行な方向であるy軸方向に対しても導波モードを形成して、レーザ光11の波面状態や伝搬方向の変化を抑制することができる効果を奏する。
この実施の形態1では、コア1の上面1a及び下面1bにクラッド2,3が接合されている例を示しているが、さらに、クラッド2,3の外側に別のクラッドが接合されているダブルクラッド構造であってもよい。
この場合、クラッド2の外側に接合されるクラッドを第1の外側クラッド、クラッド3の外側に接合されるクラッドを第2の外側クラッドと称すると、最下層である第2の外側クラッドの上に、クラッド3、コア1、クラッド2、第1の外側クラッドが順番に積層される構造となる。
ダブルクラッド構造では、より輝度の低い高出力な励起光発生源を使用することができ、より高利得な増幅を行うことができる。
ここでは、クラッド2とクラッド3の両方に、外側クラッドを接合する例を示しているが、クラッド2又はクラッド3のいずれか一方に、外側クラッドを接合するものであってもよい。
この実施の形態1では、クラッド2の側面2e,2fの構造がリッジ構造20である例を示しているが、クラッド2の側面2e又は側面2fのいずれか一方の構造がリッジ構造20であるものであってもよい。この場合も、y軸方向に対して導波モードを形成することができるため、同様に、レーザ光11の波面状態や伝搬方向の変化を抑制することができる。
また、クラッド3の側面の構造がリッジ構造20であるものであってもよい。
この実施の形態1では、クラッド2の側面2e,2fに形成されているリッジ構造20が、レーザ光反射領域以外の領域の上部ではクラッド2が全て取り除かれている構造であるものを示したが、図7に示すように、レーザ光反射領域の上部の周辺のクラッド2だけが取り除かれている構造であってもよい。
また、レーザ光11に対する波面状態の変化や伝搬光路変化の影響が小さい部分であるレーザ光8の入射部(レーザ光反射防止膜7aが形成されている部分)や、レーザ光11の出射部(レーザ光反射防止膜7bが形成されている部分)などでは、リッジ構造20の形成が省略されていてもよい。
また、リッジ構造20は、図8に示すように、レーザ光11の入射角度及び反射角度に沿った角度をつけた構造にしてもよい。図8の例では、リッジ構造20における凸部の先端の幅wが根元の幅wより狭くなっている。
このように、角度をつけた構造の場合、リッジ構造20で形成される導波モードをレーザ光11の伝搬モードに合わせることが容易になり、レーザ光11に対する損失を低減させることができる。
この実施の形態1では、レーザ光反射領域以外の領域の上部でクラッド2を除去することでリッジ構造20が形成されているものを示しているが、図9に示すように、クラッド2が除去された領域に、クラッド2よりも屈折率が小さい低屈折率材料30が形成されているものであってもよい。
低屈折率材料30は、クラッド2よりも屈折率が小さいため、y軸方向に対しても導波モードが形成される。低屈折率材料30が形成されることで、レーザ媒質であるコア1に対する汚れや埃の付着を防ぐことができる。また、クラッド2を基板等に接合する際に生じる応力を緩和させることができる。なお、低屈折率材料30はクラッド2よりも厚さを薄くして設けてもよい。
実施の形態2.
上記実施の形態1では、コア1における側面1eと側面1fが平行であるものを示したが、コア1における側面1eと側面1fの間に傾斜角が設けられているものであってもよい。
図10はこの発明の実施の形態2による平面導波路型レーザ装置を示す上面図であり、図10において、図1と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。符号“40”はコア1における側面1eと側面1fの間の傾斜角を示している。
図10の平面導波路型レーザ装置では、図1の平面導波路型レーザ装置と比べて、レーザ光反射防止膜7bの位置が異なり、レーザ光11の出射方向10が異なっている。また、リッジ構造20を形成している範囲が異なっている。
次に動作について説明する。
コア1内には、上記実施の形態1と同様に、外部からレーザ光8が入射方向9で入射されるが、コア1の側面1fが側面1eに対して、傾斜角40の角度だけ傾斜しているため、レーザ光11が反射を繰り返す毎に、コア1の側面1e,1fに対するレーザ光11の入射角度が小さくなる。
コア1の側面1e,1fに対するレーザ光11の入射角度が0度となる位置で、レーザ光11の伝搬方向が反転して、折り返し反射が行われる。
図10の例では、折り返し反射後のレーザ光11の伝搬経路が、折り返し反射前のレーザ光11の伝搬経路と交差しており、図中右上に施されているレーザ光反射防止膜7bから出射方向10でレーザ光11が外部に出射されている。
レーザ光11の伝搬経路は、コア1における側面1eと側面1fの間の傾斜角40と、レーザ光8の入射方向9とによって決定される。
図10の平面導波路型レーザ装置では、図1の平面導波路型レーザ装置よりも、レーザ媒質であるコア1内でのレーザ光11の伝搬経路長を長くすることができるため、高利得な増幅を行うことができる。また、レーザ媒質でレーザ光11が通過する面積が増加するため、励起分布とのオーバーラップが向上し、レーザ光11を効率よく増幅させることができるようになる。さらには、エネルギーの抜き出しがよくなることにより、ASEを抑制して高効率な増幅を行うことができるようになる。
図10の平面導波路型レーザ装置では、レーザ光11の重なりによって、レーザ光11のパワー密度を大きくして、エネルギーの抜き出しを大きくすることができるが、レーザ光11が重なっている部分では、伝搬モードが劣化することがある。即ち、ビーム品質が劣化することがある。
しかし、リッジ構造20が形成されているため、レーザ光11の伝搬モードを制御することができる。したがって、レーザ光11の波面状態や伝搬方向の変化を抑制して安定した動作を得ることができる。
図10の平面導波路型レーザ装置では、リッジ構造20が、レーザ光8の入射部及び出射部に近い範囲にだけ形成されている。図中、右側の方にはリッジ構造20が形成されているが、左側の方にはリッジ構造20が形成されていない。
このため、リッジ構造20によって制御可能な範囲が、レーザ光11の入射部付近の初期の伝搬モードと、出射部付近の伝搬モードとに限られるが、レーザ光パワーが大きくなるのは出射部付近であるため、出射部付近の伝搬モードを制御できれば、レーザ光の伝搬モードを安定化させる効果が大きくなる。したがって、リッジ構造20によって制御可能な範囲が限定されていても、安定した動作を得ることができる。
実施の形態3.
上記実施の形態2では、図10において、右上に施されているレーザ光反射防止膜7bから出射方向10でレーザ光11が外部に出射されるものを示したが、レーザ光反射防止膜7aが施されているコア1の側面1eから、出射方向10でレーザ光11が外部に出射されるようにしてもよい。
図11はこの発明の実施の形態3による平面導波路型レーザ装置を示す上面図であり、図11において、図10と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
次に動作について説明する。
コア1内には、レーザ光8が入射方向9で入射されるが、コア1の側面1fが側面1eに対して、傾斜角40の角度だけ傾斜しているため、レーザ光11が反射を繰り返す毎に、コア1の側面1e,1fに対するレーザ光11の入射角度が小さくなる。
上記実施の形態2と同様に、コア1の側面1e,1fに対するレーザ光11の入射角度が0度となる位置で、レーザ光11の伝搬方向が反転して、折り返し反射が行われる。
上記実施の形態2における図10の例では、折り返し反射後のレーザ光11の伝搬経路が、折り返し反射前のレーザ光11の伝搬経路と交差しているが、図11の例では、折り返し反射後のレーザ光11の伝搬経路が、折り返し反射前のレーザ光11の伝搬経路と同軸になっている点で相違している。
このため、折り返し反射後のレーザ光11は、レーザ光反射防止膜7aが施されているコア1の側面1eから、出射方向10でレーザ光11が外部に出射される。したがって、レーザ光の入射部と出射部が同じになっている。
図11の平面導波路型レーザ装置では、図1の平面導波路型レーザ装置よりも、レーザ媒質であるコア1内でのレーザ光11の伝搬経路長を長くすることができるため、高利得な増幅を行うことができる。また、レーザ媒質でレーザ光11が通過する面積が増加するため、励起分布とのオーバーラップが向上し、レーザ光11を効率よく増幅させることができるようになる。さらには、エネルギーの抜き出しがよくなることにより、ASEを抑制して高効率な増幅を行うことができるようになる。
また、図11の平面導波路型レーザ装置では、コア1の側面1fにはレーザ光反射防止膜7bを施す必要がないため、加工が容易になる。
なお、レーザ光の入射光と出射光は、光サーキュレータを用いることで光路を分離することができ、光サーキュレータは、偏光子とファラデーローテータ、または、偏光子と波長板などの組み合わせにより構成することができる。
図11の平面導波路型レーザ装置では、レーザ光11の重なりによって、レーザ光11のパワー密度を大きくして、エネルギーの抜き出しを大きくすることができるが、レーザ光11が重なっている部分では、伝搬モードが劣化することがある。即ち、ビーム品質が劣化することがある。
しかし、リッジ構造20が形成されているため、レーザ光11の伝搬モードを制御することができる。したがって、レーザ光11の波面状態や伝搬方向の変化を抑制して安定した動作を得ることができる。
図11の平面導波路型レーザ装置では、リッジ構造20が、レーザ光8の入射部及び出射部に近い範囲にだけ形成されている。図中、右側の方にはリッジ構造20が形成されているが、左側の方にはリッジ構造20が形成されていない。
このため、リッジ構造20によって制御可能な範囲が、レーザ光11の入射部付近の初期の伝搬モードと、出射部付近の伝搬モードとに限られるが、レーザ光パワーが大きくなるのは出射部付近であるため、出射部付近の伝搬モードを制御できれば、レーザ光の伝搬モードを安定化させる効果が大きくなる。したがって、リッジ構造20によって制御可能な範囲が限定されていても、安定した動作を得ることができる。
なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
この発明に係る平面導波路型レーザ装置は、導波路層構造に平行な方向に対しても導波モードを形成して、レーザ光の波面状態や伝搬方向の変化を抑制する必要があるものに適している。
1 コア、1a コアの上面、1b コアの下面、1c,1d,1e,1f コアの側面、2 クラッド、2e,2f クラッドの側面、3 クラッド、4a 励起光発生源(第1の光源)、4b 励起光発生源(第2の光源)、5 励起光、6a,6b レーザ光高反射膜(レーザ光の反射膜)、7a,7b レーザ光反射防止膜、8 外部から入射されるレーザ光、9 入射方向、10 出射方向、11 伝搬されるレーザ光、20 リッジ構造、30 低屈折率材料、40 傾斜角。

Claims (7)

  1. 励起光を吸収するレーザ媒質からなるコアの上面及び下面に、前記レーザ媒質より屈折率が小さいクラッドが接合されている平面導波路と、
    前記コアの側面に励起光を出射する励起光発生源と、
    前記コアの4つの側面のうち、前記励起光発生源から励起光が出射される側面と異なる2つの対向している側面に形成されているレーザ光の反射膜とを備え、
    前記平面導波路の4つの側面の中で、前記励起光発生源から励起光が出射される側面と異なる2つの対向している側面のうち、少なくとも一方の側面の構造が、一部の面が凹んでいるリッジ構造であることを特徴とする平面導波路型レーザ装置。
  2. 前記リッジ構造は、前記平面導波路を構成している前記クラッドの一部の面が凹んでいる構造であることを特徴とする請求項1記載の平面導波路型レーザ装置。
  3. 前記リッジ構造は、前記平面導波路を構成している前記クラッド及び前記コアの一部が除去されている構造であることを特徴とする請求項1記載の平面導波路型レーザ装置。
  4. 前記コア内に入射されたレーザ光の伝搬モードに対応する導波モードが前記リッジ構造によって形成されていることを特徴とする請求項1記載の平面導波路型レーザ装置。
  5. 前記平面導波路を構成している前記クラッドの外側に別のクラッドが接合されていることを特徴とする請求項1記載の平面導波路型レーザ装置。
  6. 前記励起光発生源は、
    前記コアの4つの側面の中の1つの側面に励起光を出射する第1の光源と、
    前記コアの4つの側面のうち、前記第1の光源から励起光が出射される側面と対向している側面に励起光を出射する第2の光源とから構成されていることを特徴とする請求項1記載の平面導波路型レーザ装置。
  7. 前記レーザ光の反射膜が形成されている2つの対向している側面の間に傾斜角が設けられていることを特徴とする請求項1記載の平面導波路型レーザ装置。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114142328B (zh) * 2020-09-03 2023-06-09 中国科学院福建物质结构研究所 一种高光束质量Ho激光器
CN113964629B (zh) * 2021-09-29 2023-06-06 浙江振东光电科技有限公司 脉冲光纤激光器本底噪声抑制系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05165070A (ja) * 1991-12-16 1993-06-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 波長チュウニング型小型分光器
US20030063884A1 (en) * 2001-01-04 2003-04-03 Smith Duane D. Power scalable optical systems for generating, transporting, and delivering high power, high quality, laser beams
JP2008522409A (ja) * 2004-11-26 2008-06-26 ジェフリー, ジー マンニ, 高利得ダイオード励起レーザ増幅器
WO2011027731A1 (ja) * 2009-09-07 2011-03-10 三菱電機株式会社 平面導波路型レーザ装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2212736C (en) * 1995-03-07 2001-05-29 British Telecommunications Public Limited Company A laser
EP1405379A1 (en) * 2001-07-12 2004-04-07 Textron Systems Corporation Semiconductor zigzag laser and optical amplifier
US6738396B2 (en) * 2001-07-24 2004-05-18 Gsi Lumonics Ltd. Laser based material processing methods and scalable architecture for material processing
US7050475B2 (en) * 2003-05-02 2006-05-23 Litelaser Llc Waveguide laser
DE60321403D1 (de) * 2003-12-24 2008-07-10 Pirelli & C Spa Abstimmbarer resonanter gitterfilter
FR2909807A1 (fr) 2006-12-12 2008-06-13 Saint Louis Inst Lame mince pour source laser a haute energie
WO2009055894A1 (en) 2007-10-31 2009-05-07 Onechip Photonics Inc. Enhanced efficiency laterally-coupled distributed feedback laser
CN102308443B (zh) * 2009-02-05 2014-06-18 三菱电机株式会社 平面波导型激光器以及显示器装置
JP6124683B2 (ja) 2013-05-22 2017-05-10 三菱電機株式会社 平面導波路型レーザ装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05165070A (ja) * 1991-12-16 1993-06-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 波長チュウニング型小型分光器
US20030063884A1 (en) * 2001-01-04 2003-04-03 Smith Duane D. Power scalable optical systems for generating, transporting, and delivering high power, high quality, laser beams
JP2008522409A (ja) * 2004-11-26 2008-06-26 ジェフリー, ジー マンニ, 高利得ダイオード励起レーザ増幅器
WO2011027731A1 (ja) * 2009-09-07 2011-03-10 三菱電機株式会社 平面導波路型レーザ装置

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