JPWO2017006726A1

JPWO2017006726A1 - 冷却デバイス

Info

Publication number: JPWO2017006726A1
Application number: JP2017527152A
Authority: JP
Inventors: 登谷田; 博丸澤; 廣瀬　左京; 左京廣瀬
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2015-07-07
Filing date: 2016-06-15
Publication date: 2018-04-12
Also published as: WO2017006726A1

Abstract

本発明は、第１封止フィルムと、第２封止フィルムと、熱を吸収するセラミック材料とを有して成る冷却デバイスであって、第１封止フィルムおよび第２封止フィルムが積層されており、熱を吸収するセラミック材料が、積層された第１封止フィルムおよび第２封止フィルムの間に充填され、封止されていることを特徴とする冷却デバイスに関する。

Description

本発明は、冷却デバイスに関する。

近年の電子機器の性能向上を背景に、熱源となるＣＰＵ（中央処理装置）、パワーアンプ、ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、ＩＣ（集積回路）、ボルテージレギュレータなどの電子部品の数が増加し、投入されるエネルギーの増加も重なって、発熱の問題が顕著化している。特に、スマートフォンやタブレット型端末のようなモバイル機器では、この熱により、電池の容量が劣化したり、構成する電子機器の信頼性に深刻な影響を与えたりする問題がある。従って、機器の内部の温度を、より高度に制御することが求められている。

上記のような熱源から生じた熱の制御は、既存の熱マネジメントソリューションである冷却ファン、ヒートパイプ、ヒートシンク、サーマルシート、ペルチェ素子などにより行われており、例えば、特許文献１には、ヒートシンクとファンまたはペルチェ素子を組み合わせた冷却装置が記載されている（特許文献１を参照）。

しかしながら、上記のようなヒートシンクとファンまたはペルチェ素子を組み合わせた冷却装置は、構造が比較的複雑であることに加え、機器が大きくなり、特にスマートフォンやタブレット型端末等の薄型の機器には使用しにくい。さらには、電力を消費するので、低消費電力（バッテリーの持ち時間）の観点からも不利である。

従って、スマートフォンやタブレット型端末等の薄型の機器では、現状、温度の制御は、筺体を介する放熱による手段しかなく、熱源と筺体をサーマルシートなどで熱結合し熱を逃がしている。

特開２０１０−２２３４９７号公報

上記のような筺体を介する放熱は、筺体の表面積が限られていることから限界がある。従って、各熱源の温度を測定し、温度が所定の温度以上になった場合に、ＣＰＵなどのパフォーマンスを制限する（発熱自体を抑制する）ことで対応している。即ち、筺体の温度上昇が、ＣＰＵ等のパフォーマンスの妨げになっていることがある。当然、このような筐体を介した放熱、換言すれば機器全体への伝熱による放熱においては、バッテリーにも熱が伝わることになり、電池容量の経時的な低下に繋がっているともいえる。

そこで、本発明者は、結晶構造相転移や磁気相転移等に伴い熱を吸収するセラミック材料である酸化バナジウム（具体的には二酸化バナジウム）を、電子機器の熱源付近に配置することにより、無電源で使用可能な冷却デバイスとすることを検討した。

しかしながら、本発明者の研究により、このようなセラミック材料、特に一般的な二酸化バナジウム（ＶＯ_２）は、初期においては良好な吸熱効果を示すが、高湿度環境下では、吸熱効果が次第に低下することが明らかになった。

従って、本発明の目的は、無電源で使用可能で、小型化が可能であり、耐湿性に優れた冷却デバイスを提供することにある。

本発明者は、上記課題について検討した結果、高湿度環境下での吸熱特性の劣化は、セラミック材料が水分に曝されることにより酸化、水酸化されることが一因であることを見出した。そこで、本発明者は、耐湿性を改善するために、セラミック材料を外気から遮断することが効果的であると考え、これらをラミネート材により封止することにより、耐湿性が高い冷却デバイスを提供できることを見出した。

本発明の第１の要旨によれば、第１封止フィルムと、第２封止フィルムと、熱を吸収するセラミック材料とを有して成る冷却デバイスであって、第１封止フィルムおよび第２封止フィルムが積層されており、熱を吸収するセラミック材料が、積層された第１封止フィルムおよび第２封止フィルムの間に充填され、封止されていることを特徴とする冷却デバイスが提供される。

本発明の第２の要旨によれば、上記冷却デバイスを有して成る電子部品が提供される。

本発明の第３の要旨によれば、上記冷却デバイスまたは上記電子部品を有して成る電子機器が提供される。

本発明によれば、熱を吸収するセラミック材料を用い、これを封止フィルムにより封止することによって、無電源で使用可能で、小型化が可能であり、耐湿性に優れた冷却デバイスを提供することができる。

図１は、本発明の冷却デバイスの一態様を模式的に示す図である。

図１に模式的に示されるように、本発明の冷却デバイス１は、第１封止フィルム２および第２封止フィルム４と、潜熱により熱を吸収するセラミック材料６を有して成る。本発明の冷却デバイスにおいて、セラミック材料は、第１封止フィルムおよび第２封止フィルム間に挟まれた状態で封止されている。本発明の冷却デバイスは、潜熱により熱を吸収するセラミック材料が、第１封止フィルムおよび第２封止フィルムにより封止されているので、セラミック材料と水分との接触が抑制され、高湿度環境下においても、長期間その機能を維持することができる。

本発明の冷却デバイスは、特に限定されないが、シート状の形状を有し、その厚みは、好ましくは１００μｍ以上１０ｍｍ以下、より好ましくは１ｍｍ以上８ｍｍ以下、さらに好ましくは３ｍｍ以上５ｍｍ以下であり得る。

第１封止フィルムおよび第２封止フィルムは、単層フィルムであっても、積層フィルムであってもよい。

第１封止フィルムおよび第２封止フィルムは、その周縁部において互いに密着することにより、セラミック材料を封止する。両者を密着させる方法は、特に限定されず、溶着、接着剤等による接着が挙げられ、好ましくは溶着、例えばラミネート加工が挙げられる。

第１封止フィルムおよび第２封止フィルムの厚みは、水分（水蒸気）を実質的に透過させない厚みであれば特に限定されず、例えば、１μｍ以上、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上、例えば１００μｍ以上、５００μｍ以上、または１ｍｍ以上であってもよい。一方、小型化、薄型化の観点からは、厚みは、好ましくは１ｍｍ以下、より好ましくは５００μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下、さらにより好ましくは５０μｍ以下であり得る。

セラミック材料を封止するための第１封止フィルムと第２封止フィルムとの密着領域は、セラミック材料が存在する領域の端から、好ましくは少なくとも１ｍｍ以上まで、より好ましくは少なくとも３ｍｍ以上まで、さらに好ましくは少なくとも５ｍｍ以上までであり得る。この密着領域は、封入するセラミック材料の量、封止フィルムの材質等によって変化し得る。

第１封止フィルムおよび第２封止フィルムが、単層フィルムである場合、第１封止フィルムおよび第２封止フィルムを構成する材料は、好ましくは、ラミネート加工が可能な樹脂である。

ラミネート加工が可能な樹脂は、特に限定されないが、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタラート、ナイロン等のポリオレフィンであり得る。

熱を吸収するセラミック材料は、絶縁性が不十分な場合があり、電流が流れ得る熱源付近や、回路基板上に用いた場合、回路をショートさせる可能性がある。ラミネート加工が可能な樹脂は絶縁性であるので、冷却デバイスによる電気回路のショートを防止することができる点でも有利である。

第１封止フィルムおよび第２封止フィルムが積層フィルムである場合、各層を構成する材料は特に限定されず、例えば、樹脂、ゴム、金属、合金、その他無機材料（グラファイト、ガラス）などであってもよい。

各層の厚みは、特に限定されず、例えば、１μｍ以上５００μｍ以下、好ましくは５μｍ以上３００μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上２００μｍ以下であり得る。

一の態様において、第１封止フィルムおよび第２封止フィルムの最外層は、それぞれ、絶縁材料から形成され得る。ここに、最外層とは、積層フィルムの層のうち、セラミック材料から最も遠い層を意味する。このように最外層を絶縁材料の層とすることにより、冷却デバイスによる電気回路のショートを防止することができる。

絶縁材料としては、特に限定されないが、樹脂、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタラート、ナイロン等のポリオレフィンが挙げられる。

絶縁材料から構成された最外層の厚みは、特に限定されないが、例えば１μｍ以上１００μｍ以下、好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下であり得る。

第１封止フィルムおよび第２封止フィルムの最内層は、互いに密着することにより、セラミック材料を封止する。ここに、最内層とは、積層フィルムの層のうち、セラミック材料に最も近い層（即ち、セラミック材料に接する層）を意味する。

両者の最内層を密着させる方法は、特に限定されず、溶着、接着剤等による接着が挙げられ、好ましくは溶着、例えばラミネート加工が挙げられる。

一の態様において、封止フィルムの最内層を構成する材料は、ラミネート加工が可能な樹脂であり、特に限定されないが、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタラート、ナイロン等のポリオレフィンであり得る。

第１封止フィルムおよび第２封止フィルムの最内層の厚みは、特に限定されないが、例えば１μｍ以上１００μｍ以下、好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下であり得る。

本発明の冷却デバイスは、第１封止フィルムおよび第２封止フィルムの間に、少なくとも１つの中間層を有していてもよい。

一の態様において、上記中間層は、高熱伝導性材料から形成された層であり得る。高熱伝導性材料から形成された層を用いることにより、封止フィルムを介する熱の放出を促進することができ、冷却デバイスの冷却効率が向上する。

上記高熱伝導性材料としては、特に限定されないが、金属（例えば、アルミニウム、銅）、合金（例えば、ステンレス）、グラファイト等が挙げられる。

高熱伝導性材料から形成された層の厚みは、特に限定されないが、例えば３μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは５μｍ以上１００μｍ以下であり得る。高熱伝導性材料から形成された層の厚みを３μｍ以上とすることにより、封止フィルムを介する熱の放出をより促進することができる。一方、高熱伝導性材料から形成された層の厚みを２００μｍ以下とすることにより、冷却デバイスの厚みを小さくすることができ、小型化に寄与する。

好ましい態様において、本発明の冷却デバイスは、第１封止フィルムおよび第２封止フィルムが、絶縁材料から形成された最外層と、樹脂材料、好ましくはラミネート加工が可能な樹脂から形成された最内層と、最外層と最内層の間に位置する高熱伝導性材料から形成された層とを有する。

本発明に用いられるセラミック材料は、潜熱により熱を吸収する。セラミック材料は、過剰な熱を潜熱により一時的に吸収し、温度が低下した際に吸収した熱を放出することにより、時間的な熱の平準化をすることで、高い冷却効果を得ることが可能になる。

本発明のセラミック材料は、好ましくは、酸化バナジウム、典型的には二酸化バナジウムを主成分とする。

上記「主成分」とは、セラミック材料中に６０質量％以上含まれる成分を意味し、特に８０質量％以上、好ましくは９０質量％以上、より好ましくは９５質量％以上、さらに好ましくは９８質量％以上、例えば９８．０〜９９．８質量％あるいは実質的に１００％含まれる成分を意味する。

セラミック材料中の不純物としては、特に限定されないが、下記する酸化バナジウム以外の酸化バナジウム、例えばＶ_２Ｏ_３、Ｖ_２Ｏ_５等、他のセラミック材料、例えばガラス、ならびにＮａ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｓｂ、Ｃａ、Ｓｉおよびこれらの酸化物等が挙げられる。

一の態様において、上記酸化バナジウムは、バナジウムおよびＭ（ここに、Ｍは、Ｗ、Ｔａ、ＭｏおよびＮｂから選ばれる少なくとも一種である）を含み、バナジウムとＭの合計を１００モル部としたときのＭの含有モル部が０モル部以上約５モル部以下である酸化バナジウムであってもよい。なお、Ｍは必須成分ではなく、Ｍの含有モル部は０であってもよい。

別の態様において、上記酸化バナジウムは、式：
Ｖ_１−ｘＭ_ｘＯ_２
（式中、Ｍは、Ｗ、Ｔａ、ＭｏまたはＮｂであり、ｘは、０以上０．０５以下である。）
で表される１種またはそれ以上の酸化バナジウムであってもよい。

好ましい態様において、上記酸化バナジウムは、式：
Ｖ_１−ｘＷ_ｘＯ_２
（式中、ｘは、０以上０．０１以下である。）
で表される１種またはそれ以上の酸化バナジウムであってもよい。

一の態様において、上記酸化バナジウムは、Ａ（ここに、ＡはＬｉまたはＮａである）およびバナジウムを含む複合酸化物であって、バナジウムを１００モル部としたときのＡの含有モル部が約５０モル部以上約１１０モル部以下、好ましくは約７０モル部以上約１１０モル部以下、より好ましくは約７０モル部以上約９８モル部以下である複合酸化物であってもよい。

さらに、上記酸化バナジウムは、Ａ（ここに、ＡはＬｉまたはＮａである）、バナジウムおよび遷移金属（例えば、チタン、コバルト、鉄およびニッケルから選択される少なくとも１種）を含む複合酸化物であって、
バナジウムと遷移金属のモル比が、９９５：５〜８５０：１５０の範囲にあり、
バナジウムおよび遷移金属の合計とＡのモル比が、１００：７０〜１００：１１０の範囲にある
ことを特徴とする複合酸化物であってもよい。

別の態様において、上記酸化バナジウムは、式：
Ａ_ｙＶ_１−ｚＭ^ａ _ｚＯ_２
（式中、ＡはＬｉまたはＮａであり、Ｍ^ａは、遷移金属であり；ｙは、０．５以上１．１以下であり、好ましくはｙは、０．７以上、１．１以下であり、ｚは、０以上０．１５以下である。）
で表される１種またはそれ以上の酸化バナジウムであってもよい。

上記式中、好ましくは、ＡはＬｉである。また、好ましくは、Ｍ^ａは、チタン、コバルト、鉄およびニッケルから選択される少なくとも１種の金属である。

好ましい態様において、上記式中、ｙおよびｚは、下記（ａ）または（ｂ）のいずれかを満たす。
（ａ）０．７０≦ｙ≦０．９８、かつ、ｚ＝０、または
（ｂ）０．７０≦ｙ≦１．１、かつ、０．００５≦ｚ≦０．１５

一の態様において、上記酸化バナジウムは、Ｔｉがドープされた酸化バナジウムまたはさらにＷ、Ｔａ、ＭｏおよびＮｂからなる群から選択される他の原子がドープされた酸化バナジウムであって、
他の原子がＷである場合、バナジウム、Ｔｉおよび他の原子の合計１００モル部に対して、他の原子の含有モル部が、０モル部より大きく５モル部以下であり、
他の原子がＴａ、ＭｏまたはＮｂである場合、バナジウム、Ｔｉおよび他の原子の合計１００モル部に対して、他の原子の含有モル部が、０モル部より大きく１５モル部以下であり、
バナジウム、Ｔｉおよび他の原子の合計１００モル部に対して、チタンの含有モル部は、２モル部以上３０モル部以下である。このような酸化バナジウムを用いることにより、セラミック材料の耐湿性が向上する。

好ましい態様において、上記のＴｉがドープされた酸化バナジウムは、Ｔｉおよび他の原子の合計１００モル部に対して、チタンの含有モル部が、５モル部以上１０モル部以下であり得る。

本発明において、「Ｔｉがドープされた二酸化バナジウム」とは、Ｘ線構造解析（典型的には、粉末Ｘ線回折法を用いる）により対応する結晶構造を示す酸化バナジウムを意味する。本明細書において、「さらに他の原子がドープされた二酸化バナジウム」とは、Ｔｉに加え他の原子がドープされた二酸化バナジウムであり、Ｘ線構造解析により対応する結晶構造を示す酸化バナジウムを意味する。

別の態様において、上記酸化バナジウムは、
式：Ｖ_{１−ｘ−ｙ}Ｔｉ_ｘＭ_ｙＯ_２
［式中、Ｍは、Ｗ、Ｔａ、ＭｏまたはＮｂであり、
ｘは０．０２以上０．３０以下であり、
ｙは０以上であって、
ＭがＷである場合、ｙは０．０５以下であり、
ＭがＴａ、ＭｏまたはＮｂである場合、ｙは０．１５以下である。］
で表される酸化バナジウムである。このような酸化バナジウムを用いることにより、セラミック材料の耐湿性が向上する。

好ましくは、上記式中、ｘは、０．０５以上０．１０以下であり得る。

上記酸化バナジウムが相転移する温度は、冷却対象物、冷却目的などに応じて適宜選択され、例えば冷却対象物がＣＰＵである場合、昇温時２０〜１００℃、好ましくは４０〜６０℃で相転移することが好ましい。上記酸化バナジウムが相転移する温度、即ち、上記酸化バナジウムが潜熱を示す温度は、他の原子を添加（ドープ）し、その原子の添加量を調節することにより調整することができる。

上記酸化バナジウムは、好ましくは３５Ｊ／ｇ以上、より好ましくは４０Ｊ／ｇ以上、さらに好ましくは４３Ｊ／ｇ以上の初期潜熱量を有する。より大きな潜熱量を有することにより、より小さな体積で大きな冷却効果を発揮できるので、小型化の点で有利である。ここに、「潜熱」とは、物質の相が変化するときに必要とされる熱エネルギーの総量であり、本明細書においては、固体−固体の相転移、例えば電気・磁気・構造相転移に伴う吸発熱量の事をいう。

上記酸化バナジウムは、粒子（粉末）状であることが好ましい。上記酸化バナジウムの平均粒径（Ｄ５０：体積基準で粒度分布を求め、全体積を１００％とした累積曲線において、累積値が５０％となる点の粒径）は、特に限定されないが、例えば、０．１〜数百μｍ、具体的には０．１〜９００μｍ、代表的には約０．２〜５０μｍであり、好ましくは、０．５〜５０μｍであり得る。かかる平均粒径は、レーザー回折・散乱式粒子径・粒度分布測定装置または電子走査顕微鏡を用いて測定することができる。平均粒径は、取り扱いの容易性および耐湿性の観点から、０．２μｍ以上であることが好ましく、より緻密に成形できるという観点から、５０μｍ以下であることが好ましい。

また、本発明は、本発明の冷却デバイスを有して成る電子部品、ならびに冷却デバイスまたは電子部品を有して成る電子機器をも提供する。

電子部品としては、特に限定するものではないが、例えば、中央処理装置（ＣＰＵ）、パワーマネージメントＩＣ（ＰＭＩＣ）、パワーアンプ（ＰＡ）、トランシーバーＩＣ、ボルテージレギュレータ（ＶＲ）などの集積回路（ＩＣ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）、白熱電球、半導体レーザーなどの発光素子、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）などの熱源となり得る部品、および、その他の部品、例えば、リチウムイオンバッテリー、基板、ヒートシンク、筐体等の電子機器に一般的に用いられる部品が挙げられる。

電子機器としては、特に限定するものではないが、例えば、携帯電話、スマートフォン、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、タブレット型端末、ハードディスクドライブ等が挙げられる。

以上、本発明について説明したが、本発明は上記の態様に限定されるものではなく、種々の改変を行うことができる。

実施例
ラミネートフィルム（封止フィルム）として、下記の４つを準備した。

上記の表中、ＡＬはアルミニウム、ＯＮはナイロン、ＣＰＰは変性ポリプロピレン、ＥＶＡはエチレン・酢酸ビニル共重合体、ａｄはアクリル系接着剤である。尚、ＥＶＡの塗布量は５ｇ／ｍ^２である。

上記のラミネートフィルム１〜４のそれぞれについて、ラミネートフィルム（縦７ｃｍ×横７ｃｍ）の中央部に、二酸化バナジウム粉末（５ｇ）を置き、その上から別のラミネートフィルム（縦７ｃｍ×横７ｃｍ）を重ね合わせ、ラミネート装置（富士インパルス社製）を用いてフィルムを貼り合わせ、図１に示すようにラミネートフィルム間に二酸化バナジウム粉末が封入された冷却デバイス１〜４を得た。

試験例
上記で得られた冷却デバイス１〜４を、８５℃８５％ＲＨの雰囲気に曝し、１０００時間後および２０００時間後に吸熱量を測定した。また、対照として、ラミネートしていない酸化バナジウムについても、同様に試験した。結果を表２に示す。

上記の結果から、本発明の冷却デバイスは、高い耐湿性を有し、長時間経過後も機能を維持できることが確認された。

本発明の冷却デバイスは、例えば、熱対策問題が顕著化している小型通信端末の冷却デバイスとして利用することができる。

１…冷却デバイス
２…第１封止フィルム
４…第２封止フィルム
６…セラミック材料

Claims

第１封止フィルムと、第２封止フィルムと、熱を吸収するセラミック材料とを有して成る冷却デバイスであって、第１封止フィルムおよび第２封止フィルムが積層されており、熱を吸収するセラミック材料が、積層された第１封止フィルムおよび第２封止フィルムの間に充填され、封止されていることを特徴とする冷却デバイス。
第１封止フィルムおよび第２封止フィルムの少なくとも一方が、積層フィルムであることを特徴とする、請求項１に記載の冷却デバイス。
第１封止フィルムおよび第２封止フィルムの最外層が、絶縁材料から形成されていることを特徴とする、請求項２に記載の冷却デバイス。
第１封止フィルムおよび第２封止フィルムの最内層が、樹脂材料から形成されていることを特徴とする、請求項２または３に記載の冷却デバイス。
第１封止フィルムおよび第２封止フィルムの少なくとも一方が、高熱伝導性材料から形成された層を有することを特徴とする、請求項２〜４のいずれか１項に記載の冷却デバイス。
高熱伝導性材料が、金属またはグラファイトであることを特徴とする、請求項５に記載の冷却デバイス。
第１封止フィルムおよび第２封止フィルムが、絶縁材料から形成された最外層と、樹脂材料から形成された最内層と、最外層と最内層の間に位置する高熱伝導性材料から形成された層とを有することを特徴とする、請求項２〜６のいずれか１項に記載の冷却デバイス。
セラミック材料が、酸化バナジウムであることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の冷却デバイス。
酸化バナジウムが、ＶおよびＭ（ここに、Ｍは、Ｗ、Ｔａ、ＭｏおよびＮｂから選ばれる少なくとも一種である）を含む酸化物であって、ＶとＭの合計を１００モル部としたときのＭの含有モル部が約０モル部以上約５モル部以下であることを特徴とする、請求項８に記載の冷却デバイス。
酸化バナジウムが、式：
Ｖ_１−ｘＭ_ｘＯ_２
（式中、Ｍは、Ｗ、Ｔａ、ＭｏまたはＮｂであり、ｘは、０以上０．０５以下である）
で表される酸化物であることを特徴とする、請求項８に記載の冷却デバイス。
酸化バナジウムが、Ａ（ここに、ＡはＬｉまたはＮａである）およびＶを含む酸化物であって、Ｖを１００モル部としたときのＡの含有モル部が約５０モル部以上約１００モル部以下であることを特徴とする、請求項８に記載の冷却デバイス。
酸化バナジウムが、式：
Ａ_ｙＶＯ_２
（式中、Ａは、ＬｉまたはＮａであり、ｙは、０．５以上１．０以下である）
で表される酸化物であることを特徴とする、請求項８に記載の冷却デバイス。
酸化バナジウムが、Ｔｉがドープされた酸化バナジウムまたはさらにＷ、Ｔａ、ＭｏおよびＮｂからなる群から選択される他の原子がドープされた酸化バナジウムであって、
他の原子がＷである場合、バナジウム、Ｔｉおよび他の原子の合計１００モル部に対して、他の原子の含有モル部が、０モル部より大きく５モル部以下であり、
他の原子がＴａ、ＭｏまたはＮｂである場合、バナジウム、Ｔｉおよび他の原子の合計１００モル部に対して、他の原子の含有モル部が、０モル部より大きく１５モル部以下であり、
バナジウム、Ｔｉおよび他の原子の合計１００モル部に対して、チタンの含有モル部は、２モル部以上３０モル部以下であることを特徴とする、請求項８に記載の冷却デバイス。
バナジウム、Ｔｉおよび他の原子の合計１００モル部に対して、チタンの含有モル部が、５モル部以上１０モル部以下であることを特徴とする、請求項１３に記載の冷却デバイス。
酸化バナジウムが、式：
Ｖ_{１−ｘ−ｙ}Ｔｉ_ｘＭ_ｙＯ_２
［式中、Ｍは、Ｗ、Ｔａ、ＭｏまたはＮｂであり、
ｘは０．０２以上０．３以下であり、
ｙは０以上であって、
ＭがＷである場合、ｙは０．０５以下であり、
ＭがＴａ、ＭｏまたはＮｂである場合、ｙは０．１５以下である。］
で表される酸化バナジウムであることを特徴とする、請求項８に記載の冷却デバイス。
ｘが０．０５以上０．１以下であることを特徴とする、請求項１５に記載の冷却デバイス。
請求項１〜１６のいずれか１項に記載の冷却デバイスを有して成る電子部品。
請求項１〜１６のいずれか１項に記載の冷却デバイスまたは請求項１７に記載の電子部品を有して成る電子機器。