JPWO2016190047A1 - 表面処理層を有する物品の製造方法 - Google Patents
表面処理層を有する物品の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2016190047A1 JPWO2016190047A1 JP2017520584A JP2017520584A JPWO2016190047A1 JP WO2016190047 A1 JPWO2016190047 A1 JP WO2016190047A1 JP 2017520584 A JP2017520584 A JP 2017520584A JP 2017520584 A JP2017520584 A JP 2017520584A JP WO2016190047 A1 JPWO2016190047 A1 JP WO2016190047A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- independently
- integer
- group
- occurrence
- silicon oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/42—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating of an organic material and at least one non-metal coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/42—Silicides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品の製造方法であって、
化学気相成長法を用いて、ケイ素酸化物層を形成すること、および
得られたケイ素酸化物層上に、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤を用いて、表面処理層を形成すること
を含む製造方法が提供される。
RF(Radio Frequency)パワー密度:0.5〜2.0W/cm2、好ましくは0.7〜1.5W/cm2、例えば1.0W/cm2;
基板温度:100〜400℃、好ましくは150〜300℃、例えば200℃;
プロセス圧力:50〜500Pa、好ましくは100〜300Pa、例えば150〜200Pa;
材料ガス流量比(体積比):
SiH4:N2O=1:10〜1:100、好ましくは1:20〜1:50、例えば1:25〜1:35;
SiH4:H2=1:50〜1:500、好ましくは1:80〜1:300、例えば1:100〜1:200。
(酸素イオンクリーニング条件)
・加速電圧:500〜1500V、好ましくは800〜1200V、代表的には1000V
・加速電流:100〜1000mA、好ましくは300〜700mA、代表的には500mA
・ガス量:10〜100sccm、好ましくは30〜70sccm、代表的には50sccm
・圧力:1×10−3Pa〜1×10−1Pa、好ましくは1×10−2Pa〜5×10−2Pa、代表的には2×10−2Pa
PFPEは、各出現においてそれぞれ独立して、式:
−(OC4F8)a−(OC3F6)b−(OC2F4)c−(OCF2)d−
(式中、a、b、cおよびdは、それぞれ独立して、0〜200の整数であって、a、b、cおよびdの和は少なくとも1であり、添字a、b、cまたはdを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。)
で表される基であり;
Rfは、各出現においてそれぞれ独立して、1個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数1〜16のアルキル基を表し;
R1は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数1〜22のアルキル基を表し;
R2は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し;
R11は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表し;
R12は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し;
nは、(−SiR1 nR2 3−n)単位毎に独立して、0〜3の整数であり;
ただし、式(A1)、(A2)、(B1)および(B2)において、少なくとも1つのR2が存在し;
X1は、それぞれ独立して、単結合または2〜10価の有機基を表し;
X2は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または2価の有機基を表し;
tは、各出現においてそれぞれ独立して、1〜10の整数であり;
αは、それぞれ独立して、1〜9の整数であり;
α’は、それぞれ独立して、1〜9の整数であり;
X5は、それぞれ独立して、単結合または2〜10価の有機基を表し;
βは、それぞれ独立して、1〜9の整数であり;
β’は、それぞれ独立して、1〜9の整数であり;
X7は、それぞれ独立して、単結合または2〜10価の有機基を表し;
γは、それぞれ独立して、1〜9の整数であり;
γ’は、それぞれ独立して、1〜9の整数であり;
Raは、各出現においてそれぞれ独立して、−Z−SiR71 pR72 qR73 rを表し;
Zは、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または2価の有機基を表し;
R71は、各出現においてそれぞれ独立して、Ra’を表し;
Ra’は、Raと同意義であり;
Ra中、Z基を介して直鎖状に連結されるSiは最大で5個であり;
R72は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し;
R73は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し;
pは、各出現においてそれぞれ独立して、0〜3の整数であり;
qは、各出現においてそれぞれ独立して、0〜3の整数であり;
rは、各出現においてそれぞれ独立して、0〜3の整数であり;
ただし、(Z−SiR71 pR72 qR73 r)単位において、p、qおよびrの和は3であり、式(C1)および(C2)において、少なくとも1つのR72が存在し;
Rbは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し;
Rcは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し;
kは、各出現においてそれぞれ独立して、1〜3の整数であり;
lは、各出現においてそれぞれ独立して、0〜2の整数であり;
mは、各出現においてそれぞれ独立して、0〜2の整数であり;
ただし、γを付して括弧でくくられた単位において、k、lおよびmの和は3であり;
X9は、それぞれ独立して、単結合または2〜10価の有機基を表し;
δは、それぞれ独立して、1〜9の整数であり;
δ’は、それぞれ独立して、1〜9の整数であり;
Rdは、各出現においてそれぞれ独立して、−Z2−CR81 p2R82 q2R83 r2を表し;
Z2は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または2価の有機基を表し;
R81は、各出現においてそれぞれ独立して、Rd’を表し;
Rd’は、Rdと同意義であり;
Rd中、Z2基を介して直鎖状に連結されるCは最大で5個であり;
R82は、各出現においてそれぞれ独立して、−Y−SiR85 n2R86 3−n2を表し;
Yは、各出現においてそれぞれ独立して、2価の有機基を表し;
R85は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し;
R86は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し;
n2は、(−Y−SiR85 n2R86 3−n2)単位毎に独立して、0〜3の整数を表し;
R83は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し;
p2は、各出現においてそれぞれ独立して、0〜3の整数であり;
q2は、各出現においてそれぞれ独立して、0〜3の整数であり;
r2は、各出現においてそれぞれ独立して、0〜3の整数であり;
Reは、各出現においてそれぞれ独立して、−Y−SiR85 n2R86 3−n2を表し;
Rfは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し;
k2は、各出現においてそれぞれ独立して、0〜3の整数であり;
l2は、各出現においてそれぞれ独立して、0〜3の整数であり;
m2は、各出現においてそれぞれ独立して、0〜3の整数であり;
ただし、式(D1)および(D2)において、少なくとも1つのR85が存在する。]
で表される1種またはそれ以上の化合物である。
−(R31)p’−(Xa)q’−
[式中:
R31は、単結合、−(CH2)s’−またはo−、m−もしくはp−フェニレン基を表し、好ましくは−(CH2)s’−であり、
s’は、1〜20の整数、好ましくは1〜6の整数、より好ましくは1〜3の整数、さらにより好ましくは1または2であり、
Xaは、−(Xb)l’−を表し、
Xbは、各出現においてそれぞれ独立して、−O−、−S−、o−、m−もしくはp−フェニレン基、−C(O)O−、−Si(R33)2−、−(Si(R33)2O)m’−Si(R33)2−、−CONR34−、−O−CONR34−、−NR34−および−(CH2)n’−からなる群から選択される基を表し、
R33は、各出現においてそれぞれ独立して、フェニル基、C1−6アルキル基またはC1−6アルコキシ基を表し、好ましくはフェニル基またはC1−6アルキル基であり、より好ましくはメチル基であり、
R34は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基またはC1−6アルキル基(好ましくはメチル基)を表し、
m’は、各出現において、それぞれ独立して、1〜100の整数、好ましくは1〜20の整数であり、
n’は、各出現において、それぞれ独立して、1〜20の整数、好ましくは1〜6の整数、より好ましくは1〜3の整数であり、
l’は、1〜10の整数、好ましくは1〜5の整数、より好ましくは1〜3の整数であり、
p’は、0または1であり、
q’は、0または1であり、
ここに、p’およびq’の少なくとも一方は1であり、p’またはq’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は任意である]
で表される2価の基が挙げられる。ここに、R31およびXa(典型的にはR31およびXaの水素原子)は、フッ素原子、C1−3アルキル基およびC1−3フルオロアルキル基から選択される1個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。
C1−20アルキレン基、
−R31−Xc−R32−、または
−Xd−R32−
[式中、R31およびR32は、上記と同意義である。]
であり得る。
C1−20アルキレン基、
−(CH2)s’−Xc−、
−(CH2)s’−Xc−(CH2)t’−
−Xd−、または
−Xd−(CH2)t’−
[式中、s’およびt’は、上記と同意義である。]
である。
−O−、
−S−、
−C(O)O−、
−CONR34−、
−O−CONR34−、
−Si(R33)2−、
−(Si(R33)2O)m’−Si(R33)2−、
−O−(CH2)u’−(Si(R33)2O)m’−Si(R33)2−、
−O−(CH2)u’−Si(R33)2−O−Si(R33)2−CH2CH2−Si(R33)2−O−Si(R33)2−、
−O−(CH2)u’−Si(OCH3)2OSi(OCH3)2−、
−CONR34−(CH2)u’−(Si(R33)2O)m’−Si(R33)2−、
−CONR34−(CH2)u’−N(R34)−、または
−CONR34−(o−、m−またはp−フェニレン)−Si(R33)2−
[式中、R33、R34およびm’は、上記と同意義であり、
u’は1〜20の整数、好ましくは2〜6の整数、より好ましくは2〜3の整数である。]を表す。Xcは、好ましくは−O−である。
−S−、
−C(O)O−、
−CONR34−、
−CONR34−(CH2)u’−(Si(R33)2O)m’−Si(R33)2−、
−CONR34−(CH2)u’−N(R34)−、または
−CONR34−(o−、m−またはp−フェニレン)−Si(R33)2−
[式中、各記号は、上記と同意義である。]
を表す。
C1−20アルキレン基、
−(CH2)s’−Xc−(CH2)t’−、または
−Xd−(CH2)t’−
[式中、各記号は、上記と同意義である。]
であり得る。
C1−20アルキレン基、
−(CH2)s’−O−(CH2)t’−、
−(CH2)s’−(Si(R33)2O)m’−Si(R33)2−(CH2)t’−、
−(CH2)s’−O−(CH2)u’−(Si(R33)2O)m’−Si(R33)2−(CH2)t’−、または
−(CH2)s’−O−(CH2)t’−Si(R33)2 −(CH2)u’−Si(R33)2−(CvH2v)−
[式中、R33、m’、s’、t’およびu’は、上記と同意義であり、vは1〜20の整数、好ましくは2〜6の整数、より好ましくは2〜3の整数である。]
である。
Dは、
−CH2O(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3−、
−CF2O(CH2)3−、
−(CH2)2−、
−(CH2)3−、
−(CH2)4−、
−CONH−(CH2)3−、
−CON(CH3)−(CH2)3−、
−CON(Ph)−(CH2)3−(式中、Phはフェニルを意味する)、および
から選択される基であり、
Eは、−(CH2)n−(nは2〜6の整数)であり、
Dは、分子主鎖のPFPEに結合し、Eは、PFPEと反対の基に結合する。]
−CH2O(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3−、
−CH2O(CH2)6−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2−、
−CH2OCF2CHFOCF2−、
−CH2OCF2CHFOCF2CF2−、
−CH2OCF2CHFOCF2CF2CF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2CF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2CF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2−
−CH2OCH2(CH2)7CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2−、
−CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)3−、
−CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)3−、
−CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2−、
−CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)2−、
−(CH2)2−、
−(CH2)3−、
−(CH2)4−、
−(CH2)5−、
−(CH2)6−、
−CONH−(CH2)3−、
−CON(CH3)−(CH2)3−、
−CON(Ph)−(CH2)3−(式中、Phはフェニルを意味する)、
−CONH−(CH2)6−、
−CON(CH3)−(CH2)6−、
−CON(Ph)−(CH2)6−(式中、Phはフェニルを意味する)、
−CONH−(CH2)2NH(CH2)3−、
−CONH−(CH2)6NH(CH2)3−、
−CH2O−CONH−(CH2)3−、
−CH2O−CONH−(CH2)6−、
−S−(CH2)3−、
−(CH2)2S(CH2)3−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2−
−C(O)O−(CH2)3−、
−C(O)O−(CH2)6−、
−CH2−O−(CH2)3−Si(CH3)2−(CH2)2−Si(CH3)2−(CH2)2−、
−CH2−O−(CH2)3−Si(CH3)2−(CH2)2−Si(CH3)2−CH(CH3)−、
−CH2−O−(CH2)3−Si(CH3)2−(CH2)2−Si(CH3)2−(CH2)3−、
−CH2−O−(CH2)3−Si(CH3)2−(CH2)2−Si(CH3)2−CH(CH3)−CH2−、
−OCH2−、
−O(CH2)3−、
−OCFHCF2−、
R41は、それぞれ独立して、水素原子、フェニル基、炭素数1〜6のアルキル基、またはC1−6アルコキシ基好ましくはメチル基であり;
各X1基において、Tのうち任意のいくつかは、分子主鎖のPFPEに結合する以下の基:
−CH2O(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3−、
−CF2O(CH2)3−、
−(CH2)2−、
−(CH2)3−、
−(CH2)4−、
−CONH−(CH2)3−、
−CON(CH3)−(CH2)3−、
−CON(Ph)−(CH2)3−(式中、Phはフェニルを意味する)、または
であり、別のTのいくつかは、分子主鎖のPFPEと反対の基(即ち、式(A1)、(A2)、(D1)および(D2)においては炭素原子、また、下記する式(B1)、(B2)、(C1)および(C2)においてはSi原子)に結合する−(CH2)n”−(n”は2〜6の整数)であり、存在する場合、残りは、それぞれ独立して、メチル基、フェニル基またはC1−6アルコキシ基である。
PFPEは、それぞれ独立して、式:
−(OC4F8)a−(OC3F6)b−(OC2F4)c−(OCF2)d−
(式中、a、b、cおよびdは、それぞれ独立して、0〜200の整数であって、a、b、cおよびdの和は少なくとも1であり、添字a、b、cまたはdを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。)
で表される基であり;
Rfは、各出現においてそれぞれ独立して、1個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数1〜16のアルキル基を表し;
R1は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数1〜22のアルキル基を表し;
R2は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し;
R11は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表し;
R12は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し;
nは、0〜2の整数であり、好ましくは0であり;
X1は、−O−CFR13−(CF2)e−であり;
R13は、フッ素原子または低級フルオロアルキル基であり;
eは、0または1であり;
X2は、−(CH2)u−であり;
uは、0〜2の整数であり;
tは、1〜10の整数である。]
で表される化合物である。
−CH2O(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3−、
−CH2O(CH2)6−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2−、
−CH2OCF2CHFOCF2−、
−CH2OCF2CHFOCF2CF2−、
−CH2OCF2CHFOCF2CF2CF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2CF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2CF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2−
−CH2OCH2(CH2)7CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2−、
−CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)3−、
−CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)3−、
−CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2−、
−CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)2−、
−(CH2)2−、
−(CH2)3−、
−(CH2)4−、
−(CH2)5−、
−(CH2)6−、
−CONH−(CH2)3−、
−CON(CH3)−(CH2)3−、
−CON(Ph)−(CH2)3−(式中、Phはフェニルを意味する)、
−CONH−(CH2)6−、
−CON(CH3)−(CH2)6−、
−CON(Ph)−(CH2)6−(式中、Phはフェニルを意味する)、
−CONH−(CH2)2NH(CH2)3−、
−CONH−(CH2)6NH(CH2)3−、
−CH2O−CONH−(CH2)3−、
−CH2O−CONH−(CH2)6−、
−S−(CH2)3−、
−(CH2)2S(CH2)3−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2−
−C(O)O−(CH2)3−、
−C(O)O−(CH2)6−、
−CH2−O−(CH2)3−Si(CH3)2−(CH2)2−Si(CH3)2−(CH2)2−、
−CH2−O−(CH2)3−Si(CH3)2−(CH2)2−Si(CH3)2−CH(CH3)−、
−CH2−O−(CH2)3−Si(CH3)2−(CH2)2−Si(CH3)2−(CH2)3−、
−CH2−O−(CH2)3−Si(CH3)2−(CH2)2−Si(CH3)2−CH(CH3)−CH2−、
−OCH2−、
−O(CH2)3−、
−OCFHCF2−、
[式中:
PFPEは、それぞれ独立して、式:
−(OC4F8)a−(OC3F6)b−(OC2F4)c−(OCF2)d−
(式中、a、b、cおよびdは、それぞれ独立して、0〜200の整数であって、a、b、cおよびdの和は少なくとも1であり、添字a、b、cまたはdを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。)
で表される基であり;
Rfは、各出現においてそれぞれ独立して、1個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数1〜16のアルキル基を表し;
R1は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数1〜22のアルキル基を表し;
R2は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し;
nは、0〜2の整数であり、好ましくは0であり;
X5は、−CH2O(CH2)2−、−CH2O(CH2)3−または−CH2O(CH2)6−である]
で表される化合物である。
PFPEは、それぞれ独立して、式:
−(OC4F8)a−(OC3F6)b−(OC2F4)c−(OCF2)d−
(式中、a、b、cおよびdは、それぞれ独立して、0〜200の整数であって、a、b、cおよびdの和は少なくとも1であり、添字a、b、cまたはdを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。)
で表される基であり;
Rfは、各出現においてそれぞれ独立して、1個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数1〜16のアルキル基を表し;
X5’は、それぞれ独立して、単結合または2〜10価の有機基を表し;
βは、それぞれ独立して、1〜9の整数であり;
β’は、それぞれ独立して、1〜9の整数であり;
R82は、単結合または2価の有機基である。]
で表される化合物を、HSiM3(式中、Mは、それぞれ独立して、ハロゲン原子、R1またはR2であり、R1は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数1〜22のアルキル基であり、R2は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基である)と反応させて、必要に応じて、上記ハロゲン原子を、R1またはR2に変換して、式(B1”)または(B2”):
nは、0〜3の整数である。]
で表される化合物として得ることができる。
−CH2O(CH2)3−、
−CH2O(CH2)6−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2−、
−CH2OCF2CHFOCF2−、
−CH2OCF2CHFOCF2CF2−、
−CH2OCF2CHFOCF2CF2CF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2CF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2CF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2−
−CH2OCH2(CH2)7CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2−、
−CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)3−、
−CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)3−、
−CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2−、
−CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)2−、
−(CH2)2−、
−(CH2)3−、
−(CH2)4−、
−(CH2)5−、
−(CH2)6−、
−CONH−(CH2)3−、
−CON(CH3)−(CH2)3−、
−CON(Ph)−(CH2)3−(式中、Phはフェニルを意味する)、
−CONH−(CH2)6−、
−CON(CH3)−(CH2)6−、
−CON(Ph)−(CH2)6−(式中、Phはフェニルを意味する)、
−CONH−(CH2)2NH(CH2)3−、
−CONH−(CH2)6NH(CH2)3−、
−CH2O−CONH−(CH2)3−、
−CH2O−CONH−(CH2)6−、
−S−(CH2)3−、
−(CH2)2S(CH2)3−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2−
−C(O)O−(CH2)3−、
−C(O)O−(CH2)6−、
−CH2−O−(CH2)3−Si(CH3)2−(CH2)2−Si(CH3)2−(CH2)2−、
−CH2−O−(CH2)3−Si(CH3)2−(CH2)2−Si(CH3)2−CH(CH3)−、
−CH2−O−(CH2)3−Si(CH3)2−(CH2)2−Si(CH3)2−(CH2)3−、
−CH2−O−(CH2)3−Si(CH3)2−(CH2)2−Si(CH3)2−CH(CH3)−CH2−、
−OCH2−、
−O(CH2)3−、
−OCFHCF2−、
PFPEは、それぞれ独立して、式:
−(OC4F8)a−(OC3F6)b−(OC2F4)c−(OCF2)d−
(式中、a、b、cおよびdは、それぞれ独立して、0〜200の整数であって、a、b、cおよびdの和は少なくとも1であり、添字a、b、cまたはdを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。)
で表される基であり;
Rfは、各出現においてそれぞれ独立して、1個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数1〜16のアルキル基を表し;
X7は、−CH2O(CH2)2−、−CH2O(CH2)3−または−CH2O(CH2)6−を表し;
Raは、各出現においてそれぞれ独立して、−Z−SiR71 pR72 qR73 rを表し;
Zは、C1−6アルキレン基を表し;
R71は、各出現においてそれぞれ独立して、Ra’を表し;
Ra’は、Raと同意義であり;
Ra中、Z基を介して直鎖状に連結されるSiは最大で5個であり;
R72は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し;
R73は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し;
pは、各出現においてそれぞれ独立して、0〜2の整数であり;
qは、各出現においてそれぞれ独立して、1〜3の整数、好ましくは3であり;
rは、各出現においてそれぞれ独立して、0〜2の整数であり;
ただし、一のRaにおいて、p、qおよびrの和は3である。]
で表される化合物である。
PFPEは、それぞれ独立して、式:
−(OC4F8)a−(OC3F6)b−(OC2F4)c−(OCF2)d−
(式中、a、b、cおよびdは、それぞれ独立して、0〜200の整数であって、a、b、cおよびdの和は少なくとも1であり、添字a、b、cまたはdを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。)
で表される基であり;
Rfは、各出現においてそれぞれ独立して、1個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数1〜16のアルキル基を表し;
X7’は、それぞれ独立して、単結合または2〜10価の有機基を表し;
γは、それぞれ独立して、1〜9の整数であり;
γ’は、それぞれ独立して、1〜9の整数であり;
R82は、単結合または2価の有機基である。]
で表される化合物を、HSiR83 kRb lRc m(式中、R83はハロゲン原子、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子、好ましくは塩素原子であり、Rbは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し、Rcは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し、kは1〜3の整数であり、lおよびmは、それぞれ独立して、0〜2の整数であり、k、lおよびmの和は3である。)で表される化合物と反応させて、式(C1−5)または(C2−5):
で表される化合物を得る。
で表される化合物を得る。
qは、各出現においてそれぞれ独立して、1〜3の整数であり;
rは、各出現においてそれぞれ独立して、0〜2の整数である。]
で表される化合物を得ることができる。
−CH2O(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3−、
−CH2O(CH2)6−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2−、
−CH2OCF2CHFOCF2−、
−CH2OCF2CHFOCF2CF2−、
−CH2OCF2CHFOCF2CF2CF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2CF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2CF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2−
−CH2OCH2(CH2)7CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2−、
−CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)3−、
−CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)3−、
−CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2−、
−CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)2−、
−(CH2)2−、
−(CH2)3−、
−(CH2)4−、
−(CH2)5−、
−(CH2)6−、
−(CH2)2−Si(CH3)2−(CH2)2−
−CONH−(CH2)3−、
−CON(CH3)−(CH2)3−、
−CON(Ph)−(CH2)3−(式中、Phはフェニルを意味する)、
−CONH−(CH2)6−、
−CON(CH3)−(CH2)6−、
−CON(Ph)−(CH2)6−(式中、Phはフェニルを意味する)、
−CONH−(CH2)2NH(CH2)3−、
−CONH−(CH2)6NH(CH2)3−、
−CH2O−CONH−(CH2)3−、
−CH2O−CONH−(CH2)6−、
−S−(CH2)3−、
−(CH2)2S(CH2)3−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2−
−C(O)O−(CH2)3−、
−C(O)O−(CH2)6−、
−CH2−O−(CH2)3−Si(CH3)2−(CH2)2−Si(CH3)2−(CH2)2−、
−CH2−O−(CH2)3−Si(CH3)2−(CH2)2−Si(CH3)2−CH(CH3)−、
−CH2−O−(CH2)3−Si(CH3)2−(CH2)2−Si(CH3)2−(CH2)3−、
−CH2−O−(CH2)3−Si(CH3)2−(CH2)2−Si(CH3)2−CH(CH3)−CH2−、
−OCH2−、
−O(CH2)3−、
−OCFHCF2−、
Rf1−(OC4F8)a’−(OC3F6)b’−(OC2F4)c’−(OCF2)d’−Rf2 ・・・(3)
式中、Rf1は、1個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいC1−16のアルキル基(好ましくは、C1―16のパーフルオロアルキル基)を表し、Rf2は、1個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいC1−16のアルキル基(好ましくは、C1−16のパーフルオロアルキル基)、フッ素原子または水素原子を表し、Rf1およびRf2は、より好ましくは、それぞれ独立して、C1−3のパーフルオロアルキル基である。
a’、b’、c’およびd’は、ポリマーの主骨格を構成するパーフルオロポリエーテルの4種の繰り返し単位数をそれぞれ表し、互いに独立して0以上300以下の整数であって、a’、b’、c’およびd’の和は少なくとも1、好ましくは1〜300、より好ましくは20〜300である。添字a’、b’、c’またはd’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。これら繰り返し単位のうち、−(OC4F8)−は、−(OCF2CF2CF2CF2)−、−(OCF(CF3)CF2CF2)−、−(OCF2CF(CF3)CF2)−、−(OCF2CF2CF(CF3))−、−(OC(CF3)2CF2)−、−(OCF2C(CF3)2)−、−(OCF(CF3)CF(CF3))−、−(OCF(C2F5)CF2)−および−(OCF2CF(C2F5))−のいずれであってもよいが、好ましくは−(OCF2CF2CF2CF2)−である。−(OC3F6)−は、−(OCF2CF2CF2)−、−(OCF(CF3)CF2)−および−(OCF2CF(CF3))−のいずれであってもよく、好ましくは−(OCF2CF2CF2)−である。−(OC2F4)−は、−(OCF2CF2)−および−(OCF(CF3))−のいずれであってもよいが、好ましくは−(OCF2CF2)−である。
Rf1−(OCF2CF2CF2)b’’−Rf2 ・・・(3a)
Rf1−(OCF2CF2CF2CF2)a’’−(OCF2CF2CF2)b’’−(OCF2CF2)c’’−(OCF2)d’’−Rf2 ・・・(3b)
これら式中、Rf1およびRf2は上記の通りであり;式(3a)において、b’’は1以上100以下の整数であり;式(3b)において、a’’およびb’’は、それぞれ独立して0以上30以下、例えば1以上30以下の整数であり、c’’およびd’’はそれぞれ独立して1以上300以下の整数である。添字a’’、b’’、c’’、d’’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
ケイ素酸化物層の表面粗さ(Ra:中心線平均粗さ)が0.2nm以下であることを特徴とする物品を提供する。
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
ケイ素酸化物層の少なくとも一部が、アモルファスであることを特徴とする物品を提供する。
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
ケイ素酸化物層が2.25g/cm3〜2.60g/cm3の密度を有することを特徴とする物品を提供する。
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
ケイ素酸化物層の膜中水素濃度が1〜10at%であることを特徴とする物品を提供する。
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
ケイ素酸化物層におけるSi/O組成比(mol比)が、0.6〜1.5であることを特徴とする物品を提供する。
・ケイ素酸化物層の形成
基材として、化学強化ガラス(コーニング社製、「ゴリラ」ガラス、厚さ0.7mm)を準備した。基材の表面を、H2SO4/H2O2/H2O(1:1:5)の混合溶液で洗浄し、ケイ素源としてSiH4ガスを、酸素源としてN2Oガスを用いて、東京エレクトロン製TriasCVD装置にて、プラズマCVDを行い、基材表面にケイ素酸化物(SiO)層を形成した。
RFパワー密度:1.0W/cm2
基板温度:200℃
プロセス圧力:150Pa
材料ガス流量比(体積比):SiH4:N2O:H2=1:30:100
成膜速度:0.7nm/秒
処理時間:100秒
下記式(平均組成)で示される含フッ素化合物を、濃度20wt%になるようにハイドロフルオロエーテル(スリーエム社製、ノベックHFE7200)に溶解させて表面処理剤を調製した。
CF3CF2CF2O(CF2CF2CF2O)mCF2CF2CH2OCH2CH2CH2Si[CH2CH2CH2Si(OCH3)3]3
(m=21、Mn=3980)
*mの値は19F−NMRから測定された値であり、MnはGPCから測定された値である。
上記で得られたケイ素酸化物層を、加速電圧1000V、加速電流500mA、圧力2×10−2PaでO2イオンクリーニングに付した。次いで、上記で調製した表面処理剤を、ケイ素酸化物層上に真空蒸着した。真空蒸着の処理条件は、圧力3.0×10−3Paとし、化学強化ガラス1枚(55mm×100mm)あたり、表面処理剤2mg(即ち、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物を0.4mg含有)を蒸着させた。その後、蒸着膜付き化学強化ガラスを、温度20℃および湿度65%の雰囲気下で24時間静置し、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。
プラズマ膜条件を変更した以外は、実施例1と同様にして、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。尚、エリプソメーターにより測定したケイ素酸化物層の膜厚は、30nmであった。
RFパワー密度:1.0W/cm2
基板温度:200℃
プロセス圧力:150Pa
材料ガス流量比(体積比):SiH4:N2O:H2=1:30:180
成膜速度:0.5nm/秒
処理時間:60秒
CVDの処理時間を、30秒に変更した以外は、実施例2と同様にして、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。尚、エリプソメーターにより測定したケイ素酸化物層の膜厚は、15nmであった。
ケイ素酸化物層を、CVD法で形成する変わりに、PVD法(電子ビーム(EB)蒸着)により行ったこと以外は、実施例1と同様にして、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。尚、エリプソメーターにより測定したケイ素酸化物層の膜厚は、70nmであった。
(EB蒸着条件)
・圧力:2×10−2Pa
・基板温度:室温(約25℃)
・原料:SiO2結晶
・蒸着処理時間:230秒
PVD法(電子ビーム(EB)蒸着)の蒸着処理時間を80秒に変更したこと以外は、比較例1と同様にして、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。尚、エリプソメーターにより測定したケイ素酸化物層の膜厚は、30nmであった。
PVD法(電子ビーム(EB)蒸着)の蒸着処理時間を50秒に変更したこと以外は、比較例1と同様にして、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。尚、エリプソメーターにより測定したケイ素酸化物層の膜厚は、15nmであった。
・摩擦耐久性評価
上記の実施例1〜3および比較例1〜3の表面処理層について、水の静的接触角を測定した。水の静的接触角は、接触角測定装置(協和界面科学社製)を用いて、水1μLにて実施した。
化学強化ガラス1枚(55mm×100mm)あたり、表面処理剤0.25mg(即ち、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物を0.05mg含有)を蒸着させたこと以外は、実施例3と同様にして、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。尚、エリプソメーターにより測定したケイ素酸化物層の膜厚は、15nmであった。
化学強化ガラス1枚(55mm×100mm)あたり、表面処理剤0.25mg(即ち、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物を0.05mg含有)を蒸着させたこと以外は、比較例3と同様にして、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。尚、エリプソメーターにより測定したケイ素酸化物層の膜厚は、15nmであった。
上記の実施例4および比較例4の表面処理層について、人工汗耐久性を評価した。
NaCl:10g、Na2HPO4・12H2O:2.5g、(NH4)2CO3:4gに、純水を加えて、合計1000mlにする。
NaCl:10g、Na2HPO4・12H2O:2.5g、CH3CH(OH)COOH:1gに純水を加えて、合計1000mlにする。
Claims (24)
- 基材と、
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品の製造方法であって、
化学気相成長法を用いて、ケイ素酸化物層を形成すること、および
得られたケイ素酸化物層上に、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤を用いて、表面処理層を形成すること
を含む製造方法。 - 化学気相成長法が、シランまたはジシランを含む反応ガスを用いて行われることを特徴とする、請求項1に記載の製造方法。
- ケイ素酸化物層の膜厚が、5〜100nmであることを特徴とする、請求項1または2に記載の製造方法。
- 前記ケイ素酸化物層の表面粗さRaが0.2nm以下であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の製造方法。
- ケイ素酸化物層の形成後、表面処理層の形成前に、ケイ素酸化物層の表面を、イオンクリーニングすることを含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の製造方法。
- 表面処理層が、物理気相成長法を用いて形成されていることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の製造方法。
- 含フッ素シラン化合物が、下記一般式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)、(C2)、(D1)および(D2):
PFPEは、各出現においてそれぞれ独立して、式:
−(OC4F8)a−(OC3F6)b−(OC2F4)c−(OCF2)d−
(式中、a、b、cおよびdは、それぞれ独立して、0〜200の整数であって、a、b、cおよびdの和は少なくとも1であり、添字a、b、cまたはdを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。)
で表される基であり;
Rfは、各出現においてそれぞれ独立して、1個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数1〜16のアルキル基を表し;
R1は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数1〜22のアルキル基を表し;
R2は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し;
R11は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表し;
R12は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し;
nは、(−SiR1 nR2 3−n)単位毎に独立して、0〜3の整数であり;
ただし、式(A1)、(A2)、(B1)および(B2)において、少なくとも1つのR2が存在し;
X1は、それぞれ独立して、単結合または2〜10価の有機基を表し;
X2は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または2価の有機基を表し;
tは、各出現においてそれぞれ独立して、1〜10の整数であり;
αは、それぞれ独立して、1〜9の整数であり;
α’は、それぞれ独立して、1〜9の整数であり;
X5は、それぞれ独立して、単結合または2〜10価の有機基を表し;
βは、それぞれ独立して、1〜9の整数であり;
β’は、それぞれ独立して、1〜9の整数であり;
X7は、それぞれ独立して、単結合または2〜10価の有機基を表し;
γは、それぞれ独立して、1〜9の整数であり;
γ’は、それぞれ独立して、1〜9の整数であり;
Raは、各出現においてそれぞれ独立して、−Z−SiR71 pR72 qR73 rを表し;
Zは、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または2価の有機基を表し;
R71は、各出現においてそれぞれ独立して、Ra’を表し;
Ra’は、Raと同意義であり;
Ra中、Z基を介して直鎖状に連結されるSiは最大で5個であり;
R72は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し;
R73は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し;
pは、各出現においてそれぞれ独立して、0〜3の整数であり;
qは、各出現においてそれぞれ独立して、0〜3の整数であり;
rは、各出現においてそれぞれ独立して、0〜3の整数であり;
ただし、−Z−SiR71 pR72 qR73 r毎において、p、qおよびrの和は3であり、式(C1)および(C2)において、少なくとも1つのR72が存在し;
Rbは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し;
Rcは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し;
kは、各出現においてそれぞれ独立して、1〜3の整数であり;
lは、各出現においてそれぞれ独立して、0〜2の整数であり;
mは、各出現においてそれぞれ独立して、0〜2の整数であり;
ただし、γを付して括弧でくくられた単位において、k、lおよびmの和は3であり;
X9は、それぞれ独立して、単結合または2〜10価の有機基を表し;
δは、それぞれ独立して、1〜9の整数であり;
δ’は、それぞれ独立して、1〜9の整数であり;
Rdは、各出現においてそれぞれ独立して、−Z2−CR81 p2R82 q2R83 r2を表し;
Z2は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または2価の有機基を表し;
R81は、各出現においてそれぞれ独立して、Rd’を表し;
Rd’は、Rdと同意義であり;
Rd中、Z2基を介して直鎖状に連結されるCは最大で5個であり;
R82は、各出現においてそれぞれ独立して、−Y−SiR85 n2R86 3−n2を表し;
Yは、各出現においてそれぞれ独立して、2価の有機基を表し;
R85は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し;
R86は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し;
n2は、(−Y−SiR85 n2R86 3−n2)単位毎に独立して、0〜3の整数を表し;
R83は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し;
p2は、各出現においてそれぞれ独立して、0〜3の整数であり;
q2は、各出現においてそれぞれ独立して、0〜3の整数であり;
r2は、各出現においてそれぞれ独立して、0〜3の整数であり;
Reは、各出現においてそれぞれ独立して、−Y−SiR85 n2R86 3−n2を表し;
Rfは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し;
k2は、各出現においてそれぞれ独立して、0〜3の整数であり;
l2は、各出現においてそれぞれ独立して、0〜3の整数であり;
m2は、各出現においてそれぞれ独立して、0〜3の整数であり;
ただし、式(D1)および(D2)において、少なくとも1つのR85が存在する。]
で表される1種またはそれ以上の化合物であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載の製造方法。 - PFPEが、それぞれ独立して、下記式(a)〜(c):
(a)−(OC3F6)b−
[式(a)中、bは1以上200以下の整数である];
(b)−(OC4F8)a−(OC3F6)b−(OC2F4)c−(OCF2)d−
[式(b)中、aおよびbは、それぞれ独立して、0以上30以下の整数であり、cおよびdは、それぞれ独立して、1以上200以下の整数であり、a、b、cおよびdの和は、10以上200以下の整数であり、添字a、b、cまたはdを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。]
(c)−(OC2F4−R15)n”−
[式(c)中、R15は、それぞれ独立して、OC2F4、OC3F6およびOC4F8から選択される基であり、n”は、2以上100以下の整数である。]
のいずれかであることを特徴とする、請求項7に記載の製造方法。 - PFPEにおいて:
OC4F8が、OCF2CF2CF2CF2であり、
OC3F6が、OCF2CF2CF2であり、
OC2F4が、OCF2CF2である
ことを特徴とする、請求項7または8に記載の製造方法。 - 表面処理剤が、含フッ素オイル、シリコーンオイル、および触媒から選択される1種またはそれ以上の他の成分をさらに含有する、請求項1〜9のいずれか1項に記載の製造方法。
- 含フッ素オイルが、式(3):
Rf1−(OC4F8)a’−(OC3F6)b’−(OC2F4)c’−(OCF2)d’−RF2 ・・・(3)
[式中:
Rf1は、1個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数1〜16のアルキル基を表し;
Rf2は、1個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数1〜16のアルキル基、フッ素原子または水素原子を表し;
a’、b’、c’およびd’は、ポリマーの主骨格を構成するパーフルオロポリエーテルの4種の繰り返し単位数をそれぞれ表し、互いに独立して0以上300以下の整数であって、a’、b’、c’およびd’の和は少なくとも1であり、添字a’、b’、c’またはd’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。]
で表される1種またはそれ以上の化合物である、請求項10に記載の製造方法。 - 含フッ素オイルが、式(3a)または(3b):
Rf1−(OCF2CF2CF2)b’’−Rf2 ・・・(3a)
Rf1−(OCF2CF2CF2CF2)a’’−(OCF2CF2CF2)b’’−(OCF2CF2)c’’−(OCF2)d’’−Rf2 ・・・(3b)
[式中:
Rf1は、1個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数1〜16のアルキル基を表し;
Rf2は、1個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数1〜16のアルキル基、フッ素原子または水素原子を表し;
式(3a)において、b’’は1以上100以下の整数であり;
式(3b)において、a’’およびb’’は、それぞれ独立して0以上30以下の整数であり、c’’およびd’’は、それぞれ独立して1以上300以下の整数であり;
添字a’’、b’’、c’’またはd’’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。]
で表される1種またはそれ以上の化合物である、請求項10または11に記載の製造方法。 - 基材を準備すること、
基材上に化学気相成長法を用いてケイ素酸化物層を形成すること、および
ケイ素酸化物層上に、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤を用いて表面処理層を形成すること
を含む、請求項1〜12のいずれか1項に記載の製造方法。 - 化学気相成長法が、ケイ素源として、SiH4、Si2H6、トリエトキシシランまたはテトラエトキシシランを用い、酸素源として酸素ガスを用いることにより行われることを特徴とする、請求項13に記載の製造方法。
- さらに、ケイ素酸化物層を形成する前に、基材表面を、酸化剤溶液洗浄またはアルコール洗浄により前処理することを特徴とする、請求項13または14に記載の製造方法。
- さらに、表面処理層を形成する前に、ケイ素酸化物層を、イオンクリーニングにより前処理することを特徴とする、請求項13〜15のいずれか1項に記載の製造方法。
- イオンクリーニングが、酸素イオンクリーニングまたはアルゴンイオンクリーニングであることを特徴とする、請求項16に記載の製造方法。
- 基材が、ガラス基材であることを特徴とする、請求項1〜17のいずれか1項に記載の製造方法。
- 物品が光学部材である、請求項1〜18のいずれか1項に記載の製造方法。
- 請求項1〜19のいずれか1項に記載の製造方法により得られた物品。
- 基材と
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
ケイ素酸化物層の少なくとも一部が、アモルファスであることを特徴とする物品。 - 基材と
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
ケイ素酸化物層が、2.25g/cm3〜2.60g/cm3の密度を有することを特徴とする物品。 - 基材と
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
ケイ素酸化物層の膜中水素濃度が、1〜10at%であることを特徴とする物品。 - 基材と
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
ケイ素酸化物層におけるSi/O組成のモル比が、0.6〜1.5であることを特徴とする物品。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015104191 | 2015-05-22 | ||
JP2015104191 | 2015-05-22 | ||
JP2015235649 | 2015-12-02 | ||
JP2015235649 | 2015-12-02 | ||
PCT/JP2016/063273 WO2016190047A1 (ja) | 2015-05-22 | 2016-04-27 | 表面処理層を有する物品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016190047A1 true JPWO2016190047A1 (ja) | 2017-09-28 |
JP6601492B2 JP6601492B2 (ja) | 2019-11-06 |
Family
ID=57392719
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017520584A Active JP6601492B2 (ja) | 2015-05-22 | 2016-04-27 | 表面処理層を有する物品の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6601492B2 (ja) |
KR (1) | KR20180001556A (ja) |
CN (1) | CN107614257A (ja) |
WO (1) | WO2016190047A1 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3569673B1 (en) * | 2017-01-12 | 2022-08-31 | Daikin Industries, Ltd. | Surface treatment agent containing perfluoro(poly)ether group-containing compound |
EP3597654A4 (en) * | 2017-03-17 | 2020-12-23 | Daikin Industries, Ltd. | SILANE COMPOUND CONTAINING A PERFLUORO (POLY) ETHER GROUP |
US10413948B2 (en) * | 2017-04-25 | 2019-09-17 | Corning Incorporated | Glass, glass-ceramic and ceramic articles with lubricious anti-fingerprint coatings and methods of making the same |
KR102579362B1 (ko) * | 2017-05-08 | 2023-09-18 | 코닝 인코포레이티드 | 광학 및 내-스크래치성 코팅 위에 내구성의 윤활성 지문-방지 코팅을 갖는 유리, 유리-세라믹 및 세라믹 제품 및 그 제조방법 |
KR102602479B1 (ko) * | 2017-10-03 | 2023-11-16 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 발수발유 부재 및 발수발유 부재의 제조 방법 |
WO2019098230A1 (ja) * | 2017-11-15 | 2019-05-23 | ダイキン工業株式会社 | 基材 |
DE102017223680A1 (de) * | 2017-12-22 | 2019-06-27 | BSH Hausgeräte GmbH | Gegenstand mit einer hochtemperaturbeständigen omniphoben Antihaftbeschichtung, sowie Verfahren zur Herstellung des Gegenstands |
WO2019189071A1 (ja) * | 2018-03-26 | 2019-10-03 | 日本電気硝子株式会社 | アンチグレア膜付き基板、積層体、及び積層体の製造方法 |
KR20210048511A (ko) * | 2018-08-20 | 2021-05-03 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 발수발유 부재 및 발수발유 부재의 제조 방법 |
KR20210106426A (ko) * | 2018-12-26 | 2021-08-30 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 발수 발유층 형성 기재, 증착 재료 및 발수 발유층 형성 기재의 제조 방법 |
WO2020171091A1 (ja) * | 2019-02-22 | 2020-08-27 | Agc株式会社 | 防汚層付きガラス基体および防汚層付きガラス基体の製造方法 |
KR102640005B1 (ko) * | 2019-05-22 | 2024-02-27 | 다이킨 고교 가부시키가이샤 | 방오 기재 |
US20220011478A1 (en) | 2020-07-09 | 2022-01-13 | Corning Incorporated | Textured region of a substrate to reduce specular reflectance incorporating surface features with an elliptical perimeter or segments thereof, and method of making the same |
KR20220083348A (ko) | 2020-12-11 | 2022-06-20 | 삼성전자주식회사 | 적층체, 이를 포함한 표시장치 및 물품 |
CN117794740A (zh) * | 2021-08-05 | 2024-03-29 | 信越化学工业株式会社 | 具有拒水拒油表面层的物品 |
EP4382291A1 (en) | 2021-08-05 | 2024-06-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Article having water- and oil-repellent surface layer |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10123301A (ja) * | 1996-10-24 | 1998-05-15 | Nikon Corp | 反射防止層を有する光学物品 |
JP2003053873A (ja) * | 2001-06-08 | 2003-02-26 | Dainippon Printing Co Ltd | ガスバリアフィルム |
JP2007523776A (ja) * | 2004-02-24 | 2007-08-23 | サン−ゴバン グラス フランス | 疎水性表面を有し、当該疎水性の耐久性が改良されたガラス基材などの基材 |
JP2007307784A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Toppan Printing Co Ltd | ガスバリアフィルム |
JP2008107836A (ja) * | 2002-03-18 | 2008-05-08 | Hoya Corp | 光学部材及び薄膜の製造方法 |
JP2010173133A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Toppan Printing Co Ltd | ガスバリア積層体 |
WO2010125926A1 (ja) * | 2009-04-30 | 2010-11-04 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 防汚性積層体 |
JP2014218639A (ja) * | 2012-11-05 | 2014-11-20 | ダイキン工業株式会社 | パーフルオロ(ポリ)エーテル基含有シラン化合物 |
-
2016
- 2016-04-27 JP JP2017520584A patent/JP6601492B2/ja active Active
- 2016-04-27 KR KR1020177021085A patent/KR20180001556A/ko active Search and Examination
- 2016-04-27 WO PCT/JP2016/063273 patent/WO2016190047A1/ja active Application Filing
- 2016-04-27 CN CN201680029344.2A patent/CN107614257A/zh active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10123301A (ja) * | 1996-10-24 | 1998-05-15 | Nikon Corp | 反射防止層を有する光学物品 |
JP2003053873A (ja) * | 2001-06-08 | 2003-02-26 | Dainippon Printing Co Ltd | ガスバリアフィルム |
JP2008107836A (ja) * | 2002-03-18 | 2008-05-08 | Hoya Corp | 光学部材及び薄膜の製造方法 |
JP2007523776A (ja) * | 2004-02-24 | 2007-08-23 | サン−ゴバン グラス フランス | 疎水性表面を有し、当該疎水性の耐久性が改良されたガラス基材などの基材 |
JP2007307784A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Toppan Printing Co Ltd | ガスバリアフィルム |
JP2010173133A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Toppan Printing Co Ltd | ガスバリア積層体 |
WO2010125926A1 (ja) * | 2009-04-30 | 2010-11-04 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 防汚性積層体 |
JP2014218639A (ja) * | 2012-11-05 | 2014-11-20 | ダイキン工業株式会社 | パーフルオロ(ポリ)エーテル基含有シラン化合物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180001556A (ko) | 2018-01-04 |
CN107614257A (zh) | 2018-01-19 |
WO2016190047A1 (ja) | 2016-12-01 |
JP6601492B2 (ja) | 2019-11-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6601492B2 (ja) | 表面処理層を有する物品の製造方法 | |
JP6575721B1 (ja) | パーフルオロ(ポリ)エーテル基含有シラン化合物 | |
JP6332358B2 (ja) | フルオロオキシメチレン基含有パーフルオロポリエーテル変性体 | |
JP6008037B2 (ja) | 表面処理剤 | |
JP6296200B1 (ja) | パーフルオロ(ポリ)エーテル基含有シラン化合物 | |
JP6172410B2 (ja) | 表面処理剤 | |
JP5880769B2 (ja) | パーフルオロ(ポリ)エーテル変性アミドシラン化合物を含む組成物 | |
JP6435871B2 (ja) | パーフルオロ(ポリ)エーテル基含有シラン化合物を含む表面処理剤 | |
JP6137350B2 (ja) | 防汚性物品 | |
JP6555356B2 (ja) | 表面処理層を有する物品 | |
JP6582652B2 (ja) | 表面処理剤 | |
JP5883531B1 (ja) | 防汚処理組成物、処理装置、処理方法および処理物品 | |
JP6631717B2 (ja) | パーフルオロ(ポリ)エーテル変性アミドシラン化合物を含む組成物 | |
JPWO2019088116A1 (ja) | 表面処理組成物 | |
WO2018110271A1 (ja) | 防汚性物品 | |
JP6439889B2 (ja) | パーフルオロ(ポリ)エーテル基含有化合物を含む表面処理剤 | |
WO2018168973A1 (ja) | パーフルオロ(ポリ)エーテル基含有シラン化合物を含む表面処理剤、それを用いたペレットおよび物品 | |
WO2018168972A1 (ja) | パーフルオロ(ポリ)エーテル基含有シラン化合物を含む表面処理剤、それを用いたペレットおよび物品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170615 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180828 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181026 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190402 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190521 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190910 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190923 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6601492 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |