JPWO2016190047A1

JPWO2016190047A1 - 表面処理層を有する物品の製造方法

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Publication number: JPWO2016190047A1
Application number: JP2017520584A
Authority: JP
Inventors: 尚志三橋; 香織小澤; 雅聡能勢; 康雄伊丹; 雅人森嶋; 蒙懿王; 一希山田; 布瀬　暁志; 暁志布瀬; 円華乙骨
Original assignee: Daikin Industries Ltd
Current assignee: Daikin Industries Ltd
Priority date: 2015-05-22
Filing date: 2016-04-27
Publication date: 2017-09-28
Anticipated expiration: 2036-04-27
Also published as: CN107614257A; WO2016190047A1; JP6601492B2; KR20180001556A

Abstract

本発明は、基材と、該基材上に位置するケイ素酸化物層と、該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層とを有して成る物品の製造方法であって、化学気相成長法を用いて、ケイ素酸化物層を形成すること、および得られたケイ素酸化物層上に、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤を用いて、表面処理層を形成することを含む製造方法に関する。

Description

本発明は、表面処理層を有する物品、特に含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤から得られる表面処理層を有する物品の製造方法に関する。

ある種の含フッ素化合物は、基材の表面処理に用いると、優れた撥水性、撥油性、防汚性などを提供し得ることが知られている。含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤から得られる層（以下、「表面処理層」とも言う）は、いわゆる機能性薄膜として、例えばガラス、プラスチック、繊維、建築資材など種々多様な基材に施されている。

そのような含フッ素シラン化合物として、パーフルオロポリエーテル基を分子主鎖に有し、Ｓｉ原子に結合した加水分解可能な基を分子末端または末端部に有するパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物が知られている。例えば、特許文献１には、Ｓｉ原子に結合した加水分解可能な基を分子末端または末端部に有するパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物が記載されている。特許文献１では、基材の最表面に、ＳｉＯ_２層を形成し、このＳｉＯ_２層上に含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤を適用して、表面処理層を形成している。

特開２０１３−１１７０１２号公報

表面処理層には、所望の機能を基材に対して長期に亘って提供するべく、高い耐久性が求められる。パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物を含む表面処理剤から得られる層は、上記のような機能を薄膜でも発揮し得ることから、光透過性ないし透明性が求められるメガネやタッチパネルなどの光学部材に好適に利用されており、とりわけこれらの用途において、摩擦耐久性の一層の向上が要求されている。

特許文献１に記載のように、表面処理層を形成する際の前処理として、基材の最表面にＳｉＯ_２層を形成し、次いで、その上に表面処理剤を適用する方法が知られているが、本発明者らは、上記のＳｉＯ_２層が、物理気相成長法（ＰＶＤ法：Physical Vapor Deposition）により形成されている場合、摩擦耐久性および汗耐久性が十分でない場合があることに気付いた。

従って、本発明は、より摩擦耐久性および汗耐久性（即ち、酸、アルカリ耐性）に優れた表面処理層を有する物品を製造することができる方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、鋭意検討した結果、基材の最外層に形成されるケイ素酸化物層を、真空蒸着等のＰＶＤ法ではなく、化学気相成長法（ＣＶＤ法：Chemical Vapor Deposition）を用いて形成することにより、より摩擦耐久性および汗耐久性に優れた表面処理層を有する物品を提供できることを見出した。

本発明の第１の要旨によれば、基材と、
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品の製造方法であって、
化学気相成長法を用いて、ケイ素酸化物層を形成すること、および
得られたケイ素酸化物層上に、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤を用いて、表面処理層を形成すること
を含む製造方法が提供される。

本発明の第２の要旨によれば、上記の製造方法により得られた物品が提供される。

本発明によれば、ＣＶＤ法を利用して、ケイ素酸化物層を形成し、その上に表面処理層を形成することにより、撥水性、撥油性、防汚性を有し、かつ、優れた摩擦耐久性および汗耐久性を有する表面処理層を有して成る物品を製造することができる。

以下、本発明の製造方法について説明する。

本発明の製造方法により製造される物品は、基材と、該基材上に位置するケイ素酸化物層と、該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層とを有して成る。

まず、基材を準備する。本発明に使用可能な基材は、例えばガラス、サファイアガラス、樹脂（天然または合成樹脂、例えば一般的なプラスチック材料であってよく、板状、フィルム、その他の形態であってよい）、金属（アルミニウム、銅、鉄等の金属単体または合金等の複合体であってよい）、セラミックス、半導体（シリコン、ゲルマニウム等）、繊維（織物、不織布等）、毛皮、皮革、木材、陶磁器、石材等、建築部材等、任意の適切な材料で構成され得る。好ましくは、基材は、ガラスである。

上記ガラスとしては、ソーダライムガラス、アルカリアルミノケイ酸塩ガラス、ホウ珪酸ガラス、無アルカリガラス、クリスタルガラス、石英ガラスが好ましく、化学強化したソーダライムガラス、化学強化したアルカリアルミノケイ酸塩ガラス、および化学結合したホウ珪酸ガラスが特に好ましい。

基材の形状は特に限定されない。また、ケイ素酸化物層および表面処理層を形成すべき基材の表面領域は、基材表面の少なくとも一部であればよく、製造すべき物品の用途および具体的仕様等に応じて適宜決定され得る。

基材の表面には何らかの層（または膜）、例えばハードコート層や反射防止層などが形成されていてもよい。反射防止層には、単層反射防止層および多層反射防止層のいずれを使用してもよい。反射防止層に使用可能な無機物の例としては、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、ＴｉＯ、Ｔｉ_２Ｏ_３、Ｔｉ_２Ｏ_５、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、ＣｅＯ_２、ＭｇＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、ＭｇＦ_２、ＷＯ_３などが挙げられる。これらの無機物は、単独で、またはこれらの２種以上を組み合わせて（例えば混合物として）使用してもよい。製造すべき物品が、タッチパネル用の光学ガラス部品である場合、透明電極、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛などを用いた薄膜を、基材（ガラス）の表面の一部に有していてもよい。また、基材は、その具体的仕様等に応じて、絶縁層、粘着層、保護層、装飾枠層（Ｉ−ＣＯＮ）、霧化膜層、ハードコーティング膜層、偏光フィルム、相位差フィルム、および液晶表示モジュールなどを有していてもよい。

一の態様において、基材上にケイ素酸化物層を形成する前に、基材を前処理してもよい。前処理を行うことにより、基材とケイ素酸化物層との密着性が向上し、より高い摩擦耐久性を得ることができる。

前処理としては、特に限定されないが、Ｈ_２Ｏ_２、Ｈ_２ＳＯ_４等の酸化剤溶液、またはエタノール等のアルコールでの洗浄が挙げられる。Ｈ_２Ｏ_２／Ｈ_２ＳＯ_４／Ｈ_２Ｏ混合溶液（１〜５：１〜５：１〜２０）またはエタノールでの洗浄が好ましく、Ｈ_２Ｏ_２／Ｈ_２ＳＯ_４／Ｈ_２Ｏ混合溶液での洗浄がより好ましい。

次に、かかる基材の表面に、ケイ素酸化物（ＳｉＯ_ｘ）層を形成する。

ケイ素酸化物層は、ＣＶＤ法により形成される。ＣＶＤ法とは、原料となる物質を気体状態で供給し、これを基材表面で反応させて非揮発性膜を形成する方法である。ＣＶＤ法の具体例としては、プラズマＣＶＤ、光学ＣＶＤ、熱ＣＶＤおよび類似の方法が挙げられる。好ましくは、プラズマＣＶＤが用いられる。

ＣＶＤ法におけるケイ素源としては、ケイ素化合物が用いられる。ケイ素化合物の例としては、ＳｉＨ_４、Ｓｉ_２Ｈ_６等のシラン化合物、トリエトキシシラン、テトラエトキシシラン等の有機ケイ素化合物などが挙げられる。好ましくは、ＳｉＨ_４が用いられる。

ＣＶＤ法における酸素源としては、好ましくは酸素ガスが用いられる。

ＣＶＤ法におけるキャリアガスは、ＣＶＤ法の種類に応じて適宜選択され、例えば、窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガス、または水素ガス等が用いられる。

ＣＶＤ法によるケイ素酸化物層の形成条件は、用いるＣＶＤ法の種類、ケイ素酸化物層の膜厚等に応じて、適宜設定される。例えば、ケイ素酸化物層をプラズマＣＶＤにより形成する場合、下記条件で行うことが好ましい。
ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Fｒｅｑｕｅｎｃｙ）パワー密度：０．５〜２．０Ｗ／ｃｍ^２、好ましくは０．７〜１．５Ｗ／ｃｍ^２、例えば１．０Ｗ／ｃｍ^２；
基板温度：１００〜４００℃、好ましくは１５０〜３００℃、例えば２００℃；
プロセス圧力：５０〜５００Ｐａ、好ましくは１００〜３００Ｐａ、例えば１５０〜２００Ｐａ；
材料ガス流量比（体積比）：
ＳｉＨ_４：Ｎ_２Ｏ＝１：１０〜１：１００、好ましくは１：２０〜１：５０、例えば１：２５〜１：３５；
ＳｉＨ_４：Ｈ_２＝１：５０〜１：５００、好ましくは１：８０〜１：３００、例えば１：１００〜１：２００。

上記ＣＶＤ法により形成されるケイ素酸化物層の膜厚は、特に限定されないが、５〜１００ｎｍが好ましく、５〜７０ｎｍがより好ましく、１０〜４０ｎｍがさらに好ましく、１０〜２０ｎｍがさらにより好ましい。ケイ素酸化物層の膜厚を、上記の範囲とすることにより、ケイ素酸化物層上により高い摩擦耐久性を有する表面処理層を形成することができる。尚、本明細書において、ケイ素環化物層の膜厚は、エリプソメーター（Ellipsometer）により測定した値とする。

上記ＣＶＤ法により形成されるケイ素酸化物層は、表面粗さ（Ｒａ：中心線平均粗さ）が、好ましくは０．２ｎｍ以下であり、より好ましくは０．１５ｎｍ以下であり得る。尚、上記Ｒａは、ＪＩＳＢ０６０１：１９８２に規定されている。

上記ＣＶＤ法により形成されるケイ素酸化物層は、好ましくは少なくとも一部、より好ましくはケイ素酸化物層全体の５０％以上、さらに好ましくはケイ素酸化物層全体の８０％以上がアモルファスである。ケイ素酸化物層中のアモルファスは、Ｘ線回折法（ＸＲＤ：X-ray diffraction）より結晶起因の回折ピークの強度を測定することにより確認することができる。

上記ＣＶＤ法により形成されるケイ素酸化物層は、好ましくは２．２５ｇ／ｃｍ^３〜２．６０ｇ／ｃｍ^３の密度を有し、より好ましくは２．３０ｇ／ｃｍ^３〜２．５０ｇ／ｃｍ^３、さらに好ましくは２．３５ｇ／ｃｍ^３〜２．４５ｇ／ｃｍ^３の密度、例えば２．３８ｇ／ｃｍ^３〜２．４２ｇ／ｃｍ^３の密度を有する。ケイ素酸化物層の密度は、Ｘ線反射率法（ＸＲＲ：X-ray Reflectometry）により測定することができる。

上記ＣＶＤ法により形成されるケイ素酸化物層は、膜中水素濃度が、好ましくは１ａｔ％以上、例えば２ａｔ％以上、３ａｔ％以上、４ａｔ％以上または５ａｔ％以上であり、好ましくは１０ａｔ％以下、例えば９ａｔ％以下、８ａｔ％以下、７ａｔ％以下または６ａｔ％以下である。例えば、膜中水素濃度は、１〜１０ａｔ％、２〜１０ａｔ％、３〜１０ａｔ％、４〜１０ａｔ％または５〜１０ａｔ％、あるいは１〜９ａｔ％、１〜８ａｔ％、１〜７ａｔ％または１〜６ａｔ％、あるいは２〜９ａｔ％、３〜８ａｔ％、４〜７ａｔ％、または５〜６ａｔ％であり得る。ケイ素酸化物層の膜中水素濃度は、ラザフォード後方散乱法（ＲＢＳ：Rutherford Backscattering Spectrometry）により測定することができる。

上記ＣＶＤ法により形成されるケイ素酸化物層におけるＳｉ／Ｏ組成比（ｍｏｌ比）は、１．５以下であり得、好ましくは０．５より大きい。Ｓｉ／Ｏ組成比は、好ましくは０．６〜１．５、より好ましくは０．７〜１．３、例えば０．７〜１．２、０．８〜１．３または０．８〜１．２であり得る。ケイ素酸化物層におけるＳｉ／Ｏ組成比は、ラザフォード後方散乱法（ＲＢＳ：Rutherford Backscattering Spectrometry）法により測定することができる。

一の態様において、得られたケイ素酸化物層上に表面処理層を形成する前に、ケイ素酸化物層を前処理してもよい。前処理を行うことにより、ケイ素酸化物層と表面処理層の密着性が向上し、より高い摩擦耐久性を得ることができる。

前処理としては、例えば、イオンクリーニングが挙げられる。イオンクリーニングとしては、特に限定されないが、酸素イオンクリーニングおよびアルゴンイオンクリーニングが好ましく、酸素イオンクリーニングがより好ましい。

イオンクリーニングの条件は、用いるガスの種類により変化し得るが、酸素イオンクリーニングの場合は、以下の条件下で行われる。ただし、イオンクリーニングは、ケイ素酸化物層上の不純物を除去できればよく、下記条件に限定されるものではない。
（酸素イオンクリーニング条件）
・加速電圧：５００〜１５００Ｖ、好ましくは８００〜１２００Ｖ、代表的には１０００Ｖ
・加速電流：１００〜１０００ｍＡ、好ましくは３００〜７００ｍＡ、代表的には５００ｍＡ
・ガス量：１０〜１００ｓｃｃｍ、好ましくは３０〜７０ｓｃｃｍ、代表的には５０ｓｃｃｍ
・圧力：１×１０^−３Ｐａ〜１×１０^−１Ｐａ、好ましくは１×１０^−２Ｐａ〜５×１０^−２Ｐａ、代表的には２×１０^−２Ｐａ

次に、上記で得られたケイ素酸化物層上に、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤を用いて表面処理層を形成する。

上記含フッ素シラン化合物は、好ましくはパーフルオロポリエーテル基を含有し、例えば、下記一般式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）および（Ｄ２）：

［式中：
ＰＦＰＥは、各出現においてそれぞれ独立して、式：
−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ａ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｂ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｃ−（ＯＣＦ_２）_ｄ−
（式中、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０〜２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は少なくとも１であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｒ^１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜２２のアルキル基を表し；
Ｒ^２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ^１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表し；
Ｒ^１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｎは、（−ＳｉＲ^１ _ｎＲ^２ _３−ｎ）単位毎に独立して、０〜３の整数であり；
ただし、式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）および（Ｂ２）において、少なくとも１つのＲ^２が存在し；
Ｘ^１は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
Ｘ^２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２価の有機基を表し；
ｔは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜１０の整数であり；
αは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
α’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｘ^５は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
βは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
β’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｘ^７は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
γは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
γ’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｒ^ａは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ−ＳｉＲ^７１ _ｐＲ^７２ _ｑＲ^７３ _ｒを表し；
Ｚは、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し；
Ｒ^７１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒ^ａ’を表し；
Ｒ^ａ’は、Ｒ^ａと同意義であり；
Ｒ^ａ中、Ｚ基を介して直鎖状に連結されるＳｉは最大で５個であり；
Ｒ^７２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ^７３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｐは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｒは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ただし、（Ｚ−ＳｉＲ^７１ _ｐＲ^７２ _ｑＲ^７３ _ｒ）単位において、ｐ、ｑおよびｒの和は３であり、式（Ｃ１）および（Ｃ２）において、少なくとも１つのＲ^７２が存在し；
Ｒ^ｂは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ^ｃは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｋは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜３の整数であり；
ｌは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜２の整数であり；
ｍは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜２の整数であり；
ただし、γを付して括弧でくくられた単位において、ｋ、ｌおよびｍの和は３であり；
Ｘ^９は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
δは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
δ’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｒ^ｄは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ^２−ＣＲ^８１ _ｐ２Ｒ^８２ _ｑ２Ｒ^８３ _ｒ２を表し；
Ｚ^２は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し；
Ｒ^８１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒ^ｄ’を表し；
Ｒ^ｄ’は、Ｒ^ｄと同意義であり；
Ｒ^ｄ中、Ｚ^２基を介して直鎖状に連結されるＣは最大で５個であり；
Ｒ^８２は、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _ｎ２Ｒ^８６ _３−ｎ２を表し；
Ｙは、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表し；
Ｒ^８５は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ^８６は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｎ２は、（−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _ｎ２Ｒ^８６ _３−ｎ２）単位毎に独立して、０〜３の整数を表し；
Ｒ^８３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
Ｒ^ｅは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _ｎ２Ｒ^８６ _３−ｎ２を表し；
Ｒ^ｆは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｋ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｌ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｍ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ただし、式（Ｄ１）および（Ｄ２）において、少なくとも１つのＲ^８５が存在する。］
で表される１種またはそれ以上の化合物である。

本明細書において用いられる場合、「炭化水素基」とは、炭素および水素を含む基であって、炭化水素から１個の水素原子を脱離させた基を意味する。かかる炭化水素基としては、特に限定されるものではないが、１つまたはそれ以上の置換基により置換されていてもよい、炭素数１〜２０の炭化水素基、例えば、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられる。上記「脂肪族炭化水素基」は、直鎖状、分枝鎖状または環状のいずれであってもよく、飽和または不飽和のいずれであってもよい。また、炭化水素基は、１つまたはそれ以上の環構造を含んでいてもよい。尚、かかる炭化水素基は、その末端または分子鎖中に、１つまたはそれ以上のＮ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ、アミド、スルホニル、シロキサン、カルボニル、カルボニルオキシ等を有していてもよい。

本明細書において用いられる場合、「炭化水素基」の置換基としては、特に限定されないが、例えば、ハロゲン原子；１個またはそれ以上のハロゲン原子により置換されていてもよい、Ｃ_１−６アルキル基、Ｃ_２−６アルケニル基、Ｃ_２−６アルキニル基、Ｃ_３−１０シクロアルキル基、Ｃ_３−１０不飽和シクロアルキル基、５〜１０員のヘテロシクリル基、５〜１０員の不飽和ヘテロシクリル基、Ｃ_６−１０アリール基および５〜１０員のヘテロアリール基から選択される１個またはそれ以上の基が挙げられる。

本明細書において用いられる場合、「２〜１０価の有機基」とは、炭素を含有する２〜１０価の基を意味する。かかる２〜１０価の有機基としては、特に限定されないが、炭化水素基からさらに１〜９個の水素原子を脱離させた２〜１０価の基が挙げられる。例えば、２価の有機基としては、特に限定されるものではないが、炭化水素基からさらに１個の水素原子を脱離させた２価の基が挙げられる。

以下、上記式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）および（Ｄ２）で表されるパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物について説明する。

式（Ａ１）および（Ａ２）：

上記式中、ＰＦＰＥは、−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ａ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｂ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｃ−（ＯＣＦ_２）_ｄ−であり、パーフルオロポリエーテル基に該当する。ここに、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して０または１以上の整数であって、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は少なくとも１である。好ましくは、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数、例えば１〜２００の整数であり、より好ましくは、それぞれ独立して０以上１００以下の整数である。また、好ましくは、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は５以上であり、より好ましくは１０以上、例えば１０以上１００以下である。また、ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。これら繰り返し単位のうち、−（ＯＣ_４Ｆ_８）−は、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））−、−（ＯＣ（ＣＦ_３）_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２Ｃ（ＣＦ_３）_２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ（ＣＦ_３））−、−（ＯＣＦ（Ｃ_２Ｆ_５）ＣＦ_２）−および−（ＯＣＦ_２ＣＦ（Ｃ_２Ｆ_５））−のいずれであってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−である。−（ＯＣ_３Ｆ_６）−は、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）−および−（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））−のいずれであってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−である。また、−（ＯＣ_２Ｆ_４）−は、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）−および−（ＯＣＦ（ＣＦ_３））−のいずれであってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）−である。

一の態様において、ＰＦＰＥは、−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｂ−（式中、ｂは１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数である）であり、好ましくは、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｂ−（式中、ｂは１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数である）または−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）_ｂ−（式中、ｂは１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数である）であり、より好ましくは−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｂ−（式中、ｂは１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数である）である。

別の態様において、ＰＦＰＥは、−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ａ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｂ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｃ−（ＯＣＦ_２）_ｄ−（式中、ａおよびｂは、それぞれ独立して０以上３０以下の整数であり、ｃおよびｄは、それぞれ独立して１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である）であり、好ましくは−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ａ−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｂ−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｃ−（ＯＣＦ_２）_ｄ−である。一の態様において、ＰＦＰＥは、−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｃ−（ＯＣＦ_２）_ｄ−（式中、ｃおよびｄは、それぞれ独立して１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数であり、添字ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である）であってもよい。

さらに別の態様において、ＰＦＰＥは、−（ＯＣ_２Ｆ_４−Ｒ^１５）_ｎ”−で表される基である。式中、Ｒ^１５は、ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６およびＯＣ_４Ｆ_８から選択される基であるか、あるいは、これらの基から独立して選択される２または３つの基の組み合わせである。ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６およびＯＣ_４Ｆ_８から独立して選択される２または３つの基の組み合わせとしては、特に限定されないが、例えば−ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_３Ｆ_６−、−ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_４Ｆ_８−、−ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_２Ｆ_４−、−ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_３Ｆ_６−、−ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_４Ｆ_８−、−ＯＣ_４Ｆ_８ＯＣ_４Ｆ_８−、−ＯＣ_４Ｆ_８ＯＣ_３Ｆ_６−、−ＯＣ_４Ｆ_８ＯＣ_２Ｆ_４−、−ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_３Ｆ_６−、−ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_４Ｆ_８−、−ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_２Ｆ_４−、−ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_３Ｆ_６−、−ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_４Ｆ_８ＯＣ_２Ｆ_４−、−ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_２Ｆ_４−、−ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_３Ｆ_６−、−ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_２Ｆ_４−、および−ＯＣ_４Ｆ_８ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_２Ｆ_４−等が挙げられる。上記ｎ”は、２〜１００の整数、好ましくは２〜５０の整数である。上記式中、ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６およびＯＣ_４Ｆ_８は、直鎖または分枝鎖のいずれであってもよく、好ましくは直鎖である。この態様において、ＰＦＰＥは、好ましくは、−（ＯＣ_２Ｆ_４−ＯＣ_３Ｆ_６）_ｎ”−または−（ＯＣ_２Ｆ_４−ＯＣ_４Ｆ_８）_ｎ”−である。

上記式中、Ｒｆは、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表す。

上記１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基における「炭素数１〜１６のアルキル基」は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよく、好ましくは、直鎖または分枝鎖の炭素数１〜６、特に炭素数１〜３のアルキル基であり、より好ましくは直鎖の炭素数１〜３のアルキル基である。

上記Ｒｆは、好ましくは、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されている炭素数１〜１６のアルキル基であり、より好ましくはＣＦ_２Ｈ−Ｃ_１−１５フルオロアルキレン基であり、さらに好ましくは炭素数１〜１６のパーフルオロアルキル基である。

該炭素数１〜１６のパーフルオロアルキル基は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよく、好ましくは、直鎖または分枝鎖の炭素数１〜６、特に炭素数１〜３のパーフルオロアルキル基であり、より好ましくは直鎖の炭素数１〜３のパーフルオロアルキル基、具体的には−ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＦ_３、または−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３である。

上記式中、Ｒ^１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜２２のアルキル基、好ましくは炭素数１〜４のアルキル基を表す。

上記式中、Ｒ^２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表す。

上記「加水分解可能な基」とは、本明細書において用いられる場合、加水分解反応により、化合物の主骨格から脱離し得る基を意味する。加水分解可能な基の例としては、−ＯＲ、−ＯＣＯＲ、−Ｏ−Ｎ＝ＣＲ_２、−ＮＲ_２、−ＮＨＲ、ハロゲン（これら式中、Ｒは、置換または非置換の炭素数１〜４のアルキル基を示す）などが挙げられ、好ましくは−ＯＲ（即ち、アルコキシ基）である。Ｒの例には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基などの非置換アルキル基；クロロメチル基などの置換アルキル基が含まれる。それらの中でも、アルキル基、特に非置換アルキル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。水酸基は、特に限定されないが、加水分解可能な基が加水分解して生じたものであってよい。

上記式中、Ｒ^１１は、各出現において、それぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表す。ハロゲン原子は、好ましくはヨウ素原子、塩素原子またはフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。

上記式中、Ｒ^１２は、各出現において、それぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。低級アルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基であり、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基であり、例えばメチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられる。

上記式中、ｎは、（−ＳｉＲ^１ _ｎＲ^２ _３−ｎ）単位毎に独立して、０〜３の整数であり、好ましくは０〜２であり、より好ましくは０である。ただし、式中、すべてのｎが同時に０になることはない。換言すれば、式中、少なくとも１つはＲ^２が存在する。

上記式中、Ｘ^１は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表す。当該Ｘ^１は、式（Ａ１）および（Ａ２）で表される化合物において、主に撥水性および表面滑り性等を提供するパーフルオロポリエーテル部（即ち、Ｒｆ−ＰＦＰＥ部または−ＰＦＰＥ−部）と、基材との結合能を提供するシラン部（即ち、αを付して括弧でくくられた基）とを連結するリンカーと解される。従って、当該Ｘ^１は、式（Ａ１）および（Ａ２）で表される化合物が安定に存在し得るものであれば、いずれの有機基であってもよい。

上記式中、αは１〜９の整数であり、α’は１〜９の整数である。これらαおよびα’は、Ｘ^１の価数に応じて変化し得る。式（Ａ１）においては、αおよびα’の和は、Ｘ^１の価数と同じである。例えば、Ｘ^１が１０価の有機基である場合、αおよびα’の和は１０であり、例えばαが９かつα’が１、αが５かつα’が５、またはαが１かつα’が９となり得る。また、Ｘ^１が２価の有機基である場合、αおよびα’は１である。式（Ａ２）においては、αはＸ^１の価数から１を引いた値である。

上記Ｘ^１は、好ましくは２〜７価であり、より好ましくは２〜４価であり、さらに好ましくは２価の有機基である。

一の態様において、Ｘ^１は２〜４価の有機基であり、αは１〜３であり、α’は１である。

別の態様において、Ｘ^１は２価の有機基であり、αは１であり、α’は１である。この場合、式（Ａ１）および（Ａ２）は、下記式（Ａ１’）および（Ａ２’）で表される。

上記Ｘ^１の例としては、特に限定するものではないが、例えば、下記式：
−（Ｒ^３１）_ｐ’−（Ｘ^ａ）_ｑ’−
［式中：
Ｒ^３１は、単結合、−（ＣＨ_２）_ｓ’−またはｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基を表し、好ましくは−（ＣＨ_２）_ｓ’−であり、
ｓ’は、１〜２０の整数、好ましくは１〜６の整数、より好ましくは１〜３の整数、さらにより好ましくは１または２であり、
Ｘ^ａは、−（Ｘ^ｂ）_ｌ’−を表し、
Ｘ^ｂは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、ｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−、−（Ｓｉ（Ｒ^３３）_２Ｏ）_ｍ’−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−、−ＣＯＮＲ^３４−、−Ｏ−ＣＯＮＲ^３４−、−ＮＲ^３４−および−（ＣＨ_２）_ｎ’−からなる群から選択される基を表し、
Ｒ^３３は、各出現においてそれぞれ独立して、フェニル基、Ｃ_１−６アルキル基またはＣ_１−６アルコキシ基を表し、好ましくはフェニル基またはＣ_１−６アルキル基であり、より好ましくはメチル基であり、
Ｒ^３４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基またはＣ_１−６アルキル基（好ましくはメチル基）を表し、
ｍ’は、各出現において、それぞれ独立して、１〜１００の整数、好ましくは１〜２０の整数であり、
ｎ’は、各出現において、それぞれ独立して、１〜２０の整数、好ましくは１〜６の整数、より好ましくは１〜３の整数であり、
ｌ’は、１〜１０の整数、好ましくは１〜５の整数、より好ましくは１〜３の整数であり、
ｐ’は、０または１であり、
ｑ’は、０または１であり、
ここに、ｐ’およびｑ’の少なくとも一方は１であり、ｐ’またはｑ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は任意である］
で表される２価の基が挙げられる。ここに、Ｒ^３１およびＸ^ａ（典型的にはＲ^３１およびＸ^ａの水素原子）は、フッ素原子、Ｃ_１−３アルキル基およびＣ_１−３フルオロアルキル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。

好ましくは、上記Ｘ^１は、−（Ｒ^３１）_ｐ’−（Ｘ^ａ）_ｑ’−Ｒ^３２−である。Ｒ^３２は、単結合、−（ＣＨ_２）_ｔ’−またはｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基を表し、好ましくは−（ＣＨ_２）_ｔ’−である。ｔ’は、１〜２０の整数、好ましくは２〜６の整数、より好ましくは２〜３の整数である。ここに、Ｒ^３２（典型的にはＲ^３２の水素原子）は、フッ素原子、Ｃ_１−３アルキル基およびＣ_１−３フルオロアルキル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。

好ましくは、上記Ｘ^１は、
Ｃ_１−２０アルキレン基、
−Ｒ^３１−Ｘ^ｃ−Ｒ^３２−、または
−Ｘ^ｄ−Ｒ^３２−
［式中、Ｒ^３１およびＲ^３２は、上記と同意義である。］
であり得る。

より好ましくは、上記Ｘ^１は、
Ｃ_１−２０アルキレン基、
−（ＣＨ_２）_ｓ’−Ｘ^ｃ−、
−（ＣＨ_２）_ｓ’−Ｘ^ｃ−（ＣＨ_２）_ｔ’−
−Ｘ^ｄ−、または
−Ｘ^ｄ−（ＣＨ_２）_ｔ’−
［式中、ｓ’およびｔ’は、上記と同意義である。］
である。

上記式中、Ｘ^ｃは、
−Ｏ−、
−Ｓ−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、
−ＣＯＮＲ^３４−、
−Ｏ−ＣＯＮＲ^３４−、
−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−、
−（Ｓｉ（Ｒ^３３）_２Ｏ）_ｍ’−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−、
−Ｏ−（ＣＨ_２）_u’−（Ｓｉ（Ｒ^３３）_２Ｏ）_ｍ’−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−、
−Ｏ−（ＣＨ_２）_u’−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−ＣＨ_２ＣＨ_２−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−、
−Ｏ−（ＣＨ_２）_u’−Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２−、
−ＣＯＮＲ^３４−（ＣＨ_２）_u’−（Ｓｉ（Ｒ^３３）_２Ｏ）_ｍ’−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−、
−ＣＯＮＲ^３４−（ＣＨ_２）_u’−Ｎ（Ｒ^３４）−、または
−ＣＯＮＲ^３４−（ｏ−、ｍ−またはｐ−フェニレン）−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−
［式中、Ｒ^３３、Ｒ^３４およびｍ’は、上記と同意義であり、
ｕ’は１〜２０の整数、好ましくは２〜６の整数、より好ましくは２〜３の整数である。］を表す。Ｘ^ｃは、好ましくは−Ｏ−である。

上記式中、Ｘ^ｄは、
−Ｓ−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、
−ＣＯＮＲ^３４−、
−ＣＯＮＲ^３４−（ＣＨ_２）_u’−（Ｓｉ（Ｒ^３３）_２Ｏ）_ｍ’−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−、
−ＣＯＮＲ^３４−（ＣＨ_２）_u’−Ｎ（Ｒ^３４）−、または
−ＣＯＮＲ^３４−（ｏ−、ｍ−またはｐ−フェニレン）−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−
［式中、各記号は、上記と同意義である。］
を表す。

より好ましくは、上記Ｘ^１は、
Ｃ_１−２０アルキレン基、
−（ＣＨ_２）_ｓ’−Ｘ^ｃ−（ＣＨ_２）_ｔ’−、または
−Ｘ^ｄ−（ＣＨ_２）_ｔ’−
［式中、各記号は、上記と同意義である。］
であり得る。

さらにより好ましくは、上記Ｘ^１は、
Ｃ_１−２０アルキレン基、
−（ＣＨ_２）_ｓ’−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｔ’−、
−（ＣＨ_２）_ｓ’−（Ｓｉ（Ｒ^３３）_２Ｏ）_ｍ’−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−（ＣＨ_２）_ｔ’−、
−（ＣＨ_２）_ｓ’−Ｏ−（ＣＨ_２）_u’−（Ｓｉ（Ｒ^３３）_２Ｏ）_ｍ’−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−（ＣＨ_２）_ｔ’−、または
−（ＣＨ_２）_ｓ’−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｔ’−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２ −（ＣＨ_２）_u’−Ｓｉ（Ｒ^３３）_２−（Ｃ_vＨ_２v）−
［式中、Ｒ^３３、ｍ’、ｓ’、ｔ’およびｕ’は、上記と同意義であり、ｖは１〜２０の整数、好ましくは２〜６の整数、より好ましくは２〜３の整数である。］
である。

上記式中、−（Ｃ_vＨ_２v）−は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよく、例えば、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_３）−、−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２−であり得る。

上記Ｘ^１基は、フッ素原子、Ｃ_１−３アルキル基およびＣ_１−３フルオロアルキル基（好ましくは、Ｃ_１−３パーフルオロアルキル基）から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。

一の態様において、Ｘ^１基は、−Ｏ−Ｃ_１−６アルキレン基以外であり得る。

別の態様において、Ｘ^１基としては、例えば下記の基が挙げられる：

［式中、Ｒ^４１は、それぞれ独立して、水素原子、フェニル基、炭素数１〜６のアルキル基、またはＣ_１−６アルコキシ基、好ましくはメチル基であり；
Ｄは、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＦ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３−、
−（ＣＨ_２）_２−、
−（ＣＨ_２）_３−、
−（ＣＨ_２）₄−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ_２）_３−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、および

（式中、Ｒ^４２は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ_１−６のアルキル基またはＣ_１−６のアルコキシ基、好ましくはメチル基またはメトキシ基、より好ましくはメチル基を表す。）
から選択される基であり、
Ｅは、−（ＣＨ_２）_ｎ−（ｎは２〜６の整数）であり、
Ｄは、分子主鎖のＰＦＰＥに結合し、Ｅは、ＰＦＰＥと反対の基に結合する。］

上記Ｘ^１の具体的な例としては、例えば：
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_１０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２（ＣＨ_２）_７ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−（ＣＨ_２）_２−、
−（ＣＨ_２）_３−、
−（ＣＨ_２）_４−、
−（ＣＨ_２）_５−、
−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ_２）_３−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ_２）_６−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_２ＮＨ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_６ＮＨ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_６−、
−Ｓ−（ＣＨ_２）_３−、
−（ＣＨ_２）_２Ｓ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_１０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ_２）_３−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−ＣＨ（ＣＨ_３）−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−ＣＨ（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−、
−ＯＣＨ_２−、
−Ｏ（ＣＨ_２）_３−、
−ＯＣＦＨＣＦ_２−、

などが挙げられる。

さらに別の態様において、Ｘ^１は、式：−（Ｒ^１６）_ｘ−（ＣＦＲ^１７）_ｙ−（ＣＨ_２）_ｚ−で表される基である。式中、ｘ、ｙおよびｚは、それぞれ独立して、０〜１０の整数であり、ｘ、ｙおよびｚの和は１以上であり、括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。

上記式中、Ｒ^１６は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子、フェニレン、カルバゾリレン、−ＮＲ^２６−（式中、Ｒ^２６は、水素原子または有機基を表す）または２価の有機基である。好ましくは、Ｒ^１６は、酸素原子または２価の極性基である。

上記「２価の極性基」としては、特に限定されないが、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（＝ＮＲ^２７）−、および−Ｃ（Ｏ）ＮＲ^２７−（これらの式中、Ｒ^２７は、水素原子または低級アルキル基を表す）が挙げられる。当該「低級アルキル基」は、例えば、炭素数１〜６のアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピルであり、これらは、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい。

上記式中、Ｒ^１７は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子または低級フルオロアルキル基であり、好ましくはフッ素原子である。当該「低級フルオロアルキル基」は、例えば、炭素数１〜６、好ましくは炭素数１〜３のフルオロアルキル基、好ましくは炭素数１〜３のパーフルオロアルキル基、より好ましくはトリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、さらに好ましくはトリフルオロメチル基である。

この態様において、Ｘ^１は、好ましくは、式：−（Ｏ）_ｘ−（ＣＦ_２）_ｙ−（ＣＨ_２）_ｚ−（式中、ｘ、ｙおよびｚは、上記と同意義であり、括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である）で表される基である。

上記式：−（Ｏ）_ｘ−（ＣＦ_２）_ｙ−（ＣＨ_２）_ｚ−で表される基としては、例えば、−（Ｏ）_ｘ’−（ＣＨ_２）_ｚ”−Ｏ−［（ＣＨ_２）_ｚ’’’−Ｏ−］_ｚ””、および−（Ｏ）_ｘ’−（ＣＦ_２）_ｙ”−（ＣＨ_２）_ｚ”−Ｏ−［（ＣＨ_２）_ｚ’’’−Ｏ−］_ｚ””（式中、ｘ’は０または１であり、ｙ”、ｚ”およびｚ’’’は、それぞれ独立して、１〜１０の整数であり、ｚ””は、０または１である）で表される基が挙げられる。なお、これらの基は左端がＰＦＰＥ側に結合する。

別の好ましい態様において、Ｘ^１は、−Ｏ−ＣＦＲ^１３−（ＣＦ_２）_ｅ−である。

上記Ｒ^１３は、それぞれ独立して、フッ素原子または低級フルオロアルキル基を表す。低級フルオロアルキル基は、例えば炭素数１〜３のフルオロアルキル基、好ましくは炭素数１〜３のパーフルオロアルキル基、より好ましくはトリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、更に好ましくはトリフルオロメチル基である。

上記ｅは、それぞれ独立して、０または１である。

一の具体例において、Ｒ^１３はフッ素原子であり、ｅは１である。

さらに別の態様において、Ｘ^１基の例として、下記の基が挙げられる：

［式中、
Ｒ^４１は、それぞれ独立して、水素原子、フェニル基、炭素数１〜６のアルキル基、またはＣ_１−６アルコキシ基好ましくはメチル基であり；
各Ｘ^１基において、Ｔのうち任意のいくつかは、分子主鎖のＰＦＰＥに結合する以下の基：
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＦ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３−、
−（ＣＨ_２）_２−、
−（ＣＨ_２）_３−、
−（ＣＨ_２）₄−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ_２）_３−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、または

［式中、Ｒ^４２は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ_１−６のアルキル基またはＣ_１−６のアルコキシ基、好ましくはメチル基またはメトキシ基、より好ましくはメチル基を表す。］
であり、別のＴのいくつかは、分子主鎖のＰＦＰＥと反対の基（即ち、式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｄ１）および（Ｄ２）においては炭素原子、また、下記する式（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）および（Ｃ２）においてはＳｉ原子）に結合する−（ＣＨ_２）_ｎ”−（ｎ”は２〜６の整数）であり、存在する場合、残りは、それぞれ独立して、メチル基、フェニル基またはＣ_１−６アルコキシ基である。

この態様において、Ｘ^１、Ｘ^５、Ｘ^７およびＸ^９は、それぞれ独立して、３〜１０価の有機基であり得る。

上記式中、ｔは、それぞれ独立して、１〜１０の整数である。好ましい態様において、ｔは１〜６の整数である。別の好ましい態様において、ｔは２〜１０の整数であり、好ましくは２〜６の整数である。

上記式中、Ｘ^２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２価の有機基を表す。Ｘ^２は、好ましくは、炭素数１〜２０のアルキレン基であり、より好ましくは、−（ＣＨ_２）_ｕ−（式中、ｕは、０〜２の整数である）である。

好ましい式（Ａ１）および（Ａ２）で示される化合物は、下記式（Ａ１’）および（Ａ２’）：

［式中：
ＰＦＰＥは、それぞれ独立して、式：
−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ａ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｂ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｃ−（ＯＣＦ_２）_ｄ−
（式中、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０〜２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は少なくとも１であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｒ^１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜２２のアルキル基を表し；
Ｒ^２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ^１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表し；
Ｒ^１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｎは、０〜２の整数であり、好ましくは０であり；
Ｘ^１は、−Ｏ−ＣＦＲ^１３−（ＣＦ_２）_ｅ−であり；
Ｒ^１３は、フッ素原子または低級フルオロアルキル基であり；
ｅは、０または１であり；
Ｘ^２は、−（ＣＨ_２）_ｕ−であり；
ｕは、０〜２の整数であり；
ｔは、１〜１０の整数である。］
で表される化合物である。

上記式（Ａ１）および（Ａ２）で表される化合物は、例えば、Ｒｆ−ＰＦＰＥ−部分に対応するパーフルオロポリエーテル誘導体を原料として、末端にヨウ素を導入した後、−ＣＨ_２ＣＲ^１２（Ｘ^２−ＳｉＲ^１ _ｎＲ^２ _３−ｎ）−に対応するビニルモノマーを反応させることにより得ることができる。

式（Ｂ１）および（Ｂ２）：

上記式（Ｂ１）および（Ｂ２）中、Ｒｆ、ＰＦＰＥ、Ｒ^１、Ｒ^２およびｎは、上記式（Ａ１）および（Ａ２）に関する記載と同意義である。

上記式中、Ｘ^５は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表す。当該Ｘ^５は、式（Ｂ１）および（Ｂ２）で表される化合物において、主に撥水性および表面滑り性等を提供するパーフルオロポリエーテル部（Ｒｆ−ＰＦＰＥ部または−ＰＦＰＥ−部）と、基材との結合能を提供するシラン部（具体的には、−ＳｉＲ^１ _ｎＲ^２ _３−ｎ）とを連結するリンカーと解される。従って、当該Ｘ^５は、式（Ｂ１）および（Ｂ２）で表される化合物が安定に存在し得るものであれば、いずれの有機基であってもよい。

上記式中のβは、１〜９の整数であり、β’は、１〜９の整数である。これらβおよびβ’は、Ｘ^３の価数に応じて決定され、式（Ｂ１）において、βおよびβ’の和は、Ｘ^５の価数と同じである。例えば、Ｘ^５が１０価の有機基である場合、βおよびβ’の和は１０であり、例えばβが９かつβ’が１、βが５かつβ’が５、またはβが１かつβ’が９となり得る。また、Ｘ^５が２価の有機基である場合、βおよびβ’は１である。式（Ｂ２）において、βはＸ^５の価数の値から１を引いた値である。

上記Ｘ^５は、好ましくは２〜７価、より好ましくは２〜４価、さらに好ましくは２価の有機基である。

一の態様において、Ｘ^５は２〜４価の有機基であり、βは１〜３であり、β’は１である。

別の態様において、Ｘ^５は２価の有機基であり、βは１であり、β’は１である。この場合、式（Ｂ１）および（Ｂ２）は、下記式（Ｂ１’）および（Ｂ２’）で表される。

上記Ｘ^５の例としては、特に限定するものではないが、例えば、Ｘ^１に関して記載したものと同様のものが挙げられる。

中でも、好ましい具体的なＸ^５は、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_１０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２（ＣＨ_２）_７ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−（ＣＨ_２）_２−、
−（ＣＨ_２）_３−、
−（ＣＨ_２）_４−、
−（ＣＨ_２）_５−、
−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ_２）_３−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ_２）_６−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_２ＮＨ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_６ＮＨ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_６−、
−Ｓ−（ＣＨ_２）_３−、
−（ＣＨ_２）_２Ｓ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_１０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ_２）_３−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−ＣＨ（ＣＨ_３）−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−ＣＨ（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−、
−ＯＣＨ_２−、
−Ｏ（ＣＨ_２）_３−、
−ＯＣＦＨＣＦ_２−、

などが挙げられる。

好ましい式（Ｂ１）および（Ｂ２）で示される化合物は、下記式（Ｂ１’）および（Ｂ２’）：

［式中：
ＰＦＰＥは、それぞれ独立して、式：
−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ａ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｂ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｃ−（ＯＣＦ_２）_ｄ−
（式中、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０〜２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は少なくとも１であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｒ^１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜２２のアルキル基を表し；
Ｒ^２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
ｎは、０〜２の整数であり、好ましくは０であり；
Ｘ^５は、−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３−または−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_６−である］
で表される化合物である。

上記式（Ｂ１）および（Ｂ２）で表される化合物は、公知の方法、例えば特許文献１に記載の方法またはその改良方法により製造することができる。例えば、式（Ｂ１）および（Ｂ２）で表される化合物は、下記式（Ｂ１−４）または（Ｂ２−４）：

［式中：
ＰＦＰＥは、それぞれ独立して、式：
−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ａ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｂ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｃ−（ＯＣＦ_２）_ｄ−
（式中、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０〜２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は少なくとも１であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｘ^５’は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
βは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
β’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｒ^８２は、単結合または２価の有機基である。］
で表される化合物を、ＨＳｉＭ_３（式中、Ｍは、それぞれ独立して、ハロゲン原子、Ｒ^１またはＲ^２であり、Ｒ^１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜２２のアルキル基であり、Ｒ^２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基である）と反応させて、必要に応じて、上記ハロゲン原子を、Ｒ^１またはＲ^２に変換して、式（Ｂ１”）または（Ｂ２”）：

［式中、ＰＦＰＥ、Ｒｆ、Ｘ^５’、β、β’およびＲ^８２は、上記と同意義であり；
ｎは、０〜３の整数である。］
で表される化合物として得ることができる。

式（Ｂ１”）または（Ｂ２”）において、Ｘ^５’からＲ^８２−ＣＨ_２ＣＨ_２−までの部分が、式（Ｂ１）または（Ｂ２）におけるＸ^５に対応する。

式（Ｃ１）および（Ｃ２）：

上記式（Ｃ１）および（Ｃ２）中、ＲｆおよびＰＦＰＥは、上記式（Ａ１）および（Ａ２）に関する記載と同意義である。

上記式中、Ｘ^７は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表す。当該Ｘ^７は、式（Ｃ１）および（Ｃ２）で表される化合物において、主に撥水性および表面滑り性等を提供するパーフルオロポリエーテル部（Ｒｆ−ＰＦＰＥ部または−ＰＦＰＥ−部）と、基材との結合能を提供するシラン部（具体的には、−ＳｉＲ^ａ _ｋＲ^ｂ _ｌＲ^ｃ _ｍ基）とを連結するリンカーと解される。従って、当該Ｘ^７は、式（Ｃ１）および（Ｃ２）で表される化合物が安定に存在し得るものであれば、いずれの有機基であってもよい。

上記式中のγは、１〜９の整数であり、γ’は、１〜９の整数である。これらγおよびγ’は、Ｘ^７の価数に応じて決定され、式（Ｃ１）において、γおよびγ’の和は、Ｘ^７の価数と同じである。例えば、Ｘ^７が１０価の有機基である場合、γおよびγ’の和は１０であり、例えばγが９かつγ’が１、γが５かつγ’が５、またはγが１かつγ’が９となり得る。また、Ｘ^７が２価の有機基である場合、γおよびγ’は１である。式（Ｃ１）において、γはＸ^７の価数の値から１を引いた値である。

上記Ｘ^７は、好ましくは２〜７価、より好ましくは２〜４価、さらに好ましくは２価の有機基である。

一の態様において、Ｘ^７は２〜４価の有機基であり、γは１〜３であり、γ’は１である。

別の態様において、Ｘ^７は２価の有機基であり、γは１であり、γ’は１である。この場合、式（Ｃ１）および（Ｃ２）は、下記式（Ｃ１’）および（Ｃ２’）で表される。

上記Ｘ^７の例としては、特に限定するものではないが、例えば、Ｘ^１に関して記載したものと同様のものが挙げられる。

中でも、好ましい具体的なＸ^５は、−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_１０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２（ＣＨ_２）_７ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−（ＣＨ_２）_２−、
−（ＣＨ_２）_３−、
−（ＣＨ_２）_４−、
−（ＣＨ_２）_５−、
−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ_２）_３−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ_２）_６−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_２ＮＨ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_６ＮＨ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_６−、
−Ｓ−（ＣＨ_２）_３−、
−（ＣＨ_２）_２Ｓ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_１０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ_２）_３−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−ＣＨ（ＣＨ_３）−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−ＣＨ（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−、
−ＯＣＨ_２−、
−Ｏ（ＣＨ_２）_３−、
−ＯＣＦＨＣＦ_２−、

などが挙げられる。

上記式中、Ｒ^ａは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ−ＳｉＲ^７１ _ｐＲ^７２ _ｑＲ^７３ _ｒを表す。

式中、Ｚは、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表す。

上記Ｚは、好ましくは、２価の有機基であり、式（Ｃ１）または式（Ｃ２）における分子主鎖の末端のＳｉ原子（Ｒ^ａが結合しているＳｉ原子）とシロキサン結合を形成するものを含まない。

上記Ｚは、好ましくは、Ｃ_１−６アルキレン基、−（ＣＨ_２）_ｇ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｈ−（式中、ｇは、１〜６の整数であり、ｈは、１〜６の整数である）または、−フェニレン−（ＣＨ_２）_ｉ−（式中、ｉは、０〜６の整数である）であり、より好ましくはＣ_１−３アルキレン基である。これらの基は、例えば、フッ素原子、Ｃ_１−６アルキル基、Ｃ_２−６アルケニル基、およびＣ_２−６アルキニル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。

式中、Ｒ^７１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒ^ａ’を表す。Ｒ^ａ’は、Ｒ^ａと同意義である。

Ｒ^ａ中、Ｚ基を介して直鎖状に連結されるＳｉは最大で５個である。即ち、上記Ｒ^ａにおいて、Ｒ^７１が少なくとも１つ存在する場合、Ｒ^ａ中にＺ基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子が２個以上存在するが、かかるＺ基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子の数は最大で５個である。なお、「Ｒ^ａ中のＺ基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子の数」とは、Ｒ^ａ中において直鎖状に連結される−Ｚ−Ｓｉ−の繰り返し数と等しくなる。

例えば、下記にＲ^ａ中においてＺ基を介してＳｉ原子が連結された一例を示す。

上記式において、＊は、主鎖のＳｉに結合する部位を意味し、…は、ＺＳｉ以外の所定の基が結合していること、即ち、Ｓｉ原子の３本の結合手がすべて…である場合、ＺＳｉの繰り返しの終了箇所を意味する。また、Ｓｉの右肩の数字は、＊から数えたＺ基を介して直鎖状に連結されたＳｉの出現数を意味する。即ち、Ｓｉ^２でＺＳｉ繰り返しが終了している鎖は「Ｒ^ａ中のＺ基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子の数」が２個であり、同様に、Ｓｉ^３、Ｓｉ^４およびＳｉ^５でＺＳｉ繰り返しが終了している鎖は、それぞれ、「Ｒ^ａ中のＺ基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子の数」が３、４および５個である。なお、上記の式から明らかなように、Ｒ^ａ中には、ＺＳｉ鎖が複数存在するが、これらはすべて同じ長さである必要はなく、それぞれ任意の長さであってもよい。

好ましい態様において、下記に示すように、「Ｒ^ａ中のＺ基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子の数」は、すべての鎖において、１個（左式）または２個（右式）である。

一の態様において、Ｒ^ａ中のＺ基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子の数は１個または２個、好ましくは１個である。

式中、Ｒ^７２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表す。

上記「加水分解可能な基」とは、本明細書において用いられる場合、加水分解反応を受け得る基を意味する。加水分解可能な基の例としては、−ＯＲ、−ＯＣＯＲ、−Ｏ−Ｎ＝Ｃ（Ｒ）_２、−Ｎ（Ｒ）_２、−ＮＨＲ、ハロゲン（これら式中、Ｒは、置換または非置換の炭素数１〜４のアルキル基を示す）などが挙げられ、好ましくは−ＯＲ（アルコキシ基）である。Ｒの例には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基などの非置換アルキル基；クロロメチル基などの置換アルキル基が含まれる。それらの中でも、アルキル基、特に非置換アルキル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。水酸基は、特に限定されないが、加水分解可能な基が加水分解して生じたものであってよい。

好ましくは、Ｒ^７２は、−ＯＲ（式中、Ｒは、置換または非置換のＣ_１−３アルキル基、より好ましくはメチル基を表す）である。

式中、Ｒ^７３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。該低級アルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、さらに好ましくはメチル基である。

式中、ｐは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｒは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数である。ただし、ｐ、ｑおよびｒの和は３である。

好ましい態様において、Ｒ^ａ中の末端のＲ^ａ’（Ｒ^ａ’が存在しない場合、Ｒ^ａ）において、上記ｑは、好ましくは２以上、例えば２または３であり、より好ましくは３である。

上記式（Ｃ１）および（Ｃ２）においては、少なくとも１つのＲ^７２が存在する。

上記式中、Ｒ^ｂは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表す。

上記Ｒ^ｂは、好ましくは、水酸基、−ＯＲ、−ＯＣＯＲ、−Ｏ−Ｎ＝Ｃ（Ｒ）_２、−Ｎ（Ｒ）_２、−ＮＨＲ、ハロゲン（これら式中、Ｒは、置換または非置換の炭素数１〜４のアルキル基を示す）であり、好ましくは−ＯＲである。Ｒは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基などの非置換アルキル基；クロロメチル基などの置換アルキル基が含まれる。それらの中でも、アルキル基、特に非置換アルキル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。水酸基は、特に限定されないが、加水分解可能な基が加水分解して生じたものであってよい。より好ましくは、Ｒ^ｃは、−ＯＲ（式中、Ｒは、置換または非置換のＣ_１−３アルキル基、より好ましくはメチル基を表す）である。

上記式中、Ｒ^ｃは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。該低級アルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、さらに好ましくはメチル基である。

式中、ｋは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｌは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｍは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数である。ただし、ｋ、ｌおよびｍの和は、３である。

上記式（Ｃ１）および（Ｃ２）で表される化合物は、例えば、Ｒｆ−ＰＦＰＥ−部分に対応するパーフルオロポリエーテル誘導体を原料として、末端に水酸基を導入した後、末端に不飽和結合を有する基を導入し、この不飽和結合を有する基とハロゲン原子を有するシリル誘導体とを反応させ、さらにこのシリル基に末端に水酸基を導入し、導入した不飽和結合を有する基とシリル誘導体とを反応させることにより得ることができる。例えば、以下のようにして得ることができる。

好ましい式（Ｃ１）および（Ｃ２）で示される化合物は、下記式（Ｃ１”）および（Ｃ２”）：

［式中：
ＰＦＰＥは、それぞれ独立して、式：
−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ａ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｂ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｃ−（ＯＣＦ_２）_ｄ−
（式中、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０〜２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は少なくとも１であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｘ^７は、−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３−または−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_６−を表し；
Ｒ^ａは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ−ＳｉＲ^７１ _ｐＲ^７２ _ｑＲ^７３ _ｒを表し；
Ｚは、Ｃ_１−６アルキレン基を表し；
Ｒ^７１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒ^ａ’を表し；
Ｒ^ａ’は、Ｒ^ａと同意義であり；
Ｒ^ａ中、Ｚ基を介して直鎖状に連結されるＳｉは最大で５個であり；
Ｒ^７２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ^７３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｐは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜２の整数であり；
ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜３の整数、好ましくは３であり；
ｒは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜２の整数であり；
ただし、一のＲ^ａにおいて、ｐ、ｑおよびｒの和は３である。］
で表される化合物である。

上記式（Ｃ１）および（Ｃ２）で表される化合物は、例えば以下のようにして製造することができる。下記式（Ｃ１−４）または（Ｃ２−４）：

［式中：
ＰＦＰＥは、それぞれ独立して、式：
−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ａ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｂ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｃ−（ＯＣＦ_２）_ｄ−
（式中、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０〜２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は少なくとも１であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｘ^７’は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
γは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
γ’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｒ^８２は、単結合または２価の有機基である。］
で表される化合物を、ＨＳｉＲ^８３ _ｋＲ^ｂ _ｌＲ^ｃ _ｍ（式中、Ｒ^８３はハロゲン原子、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子、好ましくは塩素原子であり、Ｒ^ｂは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し、Ｒ^ｃは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し、ｋは１〜３の整数であり、ｌおよびｍは、それぞれ独立して、０〜２の整数であり、ｋ、ｌおよびｍの和は３である。）で表される化合物と反応させて、式（Ｃ１−５）または（Ｃ２−５）：

［式中、Ｒｆ、ＰＦＰＥ、Ｒ^８２、Ｒ^８３、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｃ、γ、γ’、Ｘ^７’、ｋ、ｌおよびｍは、上記と同意義である。］
で表される化合物を得る。

得られた式（Ｃ１−５）または（Ｃ２−５）で表される化合物を、Ｈａｌ−Ｊ−Ｒ^８４−ＣＨ＝ＣＨ_２（式中、Ｈａｌはハロゲン原子（例えば、Ｉ、Ｂｒ、Ｃｌ、Ｆ等）を表し、Ｊは、Ｍｇ、Ｃｕ、ＰｄまたはＺｎを表し、Ｒ^８４は単結合または２価の有機基を表す。）で表される化合物と反応させて、式（Ｃ１−６）または（Ｃ２−６）：

［式中、Ｒｆ、ＰＦＰＥ、Ｒ^８２、Ｒ^８４、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｃ、γ、γ’、Ｘ^７’、ｋ、ｌおよびｍは、上記と同意義である。］
で表される化合物を得る。

得られた式（Ｃ１−６）または（Ｃ２−６）で表される化合物を、ＨＳｉＭ_３（式中、Ｍは、それぞれ独立して、ハロゲン原子、Ｒ^７２またはＲ^７３であり、Ｒ^７２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し、Ｒ^７３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。）と反応させて、必要に応じて、上記ハロゲン原子を、Ｒ^７２またはＲ^７３に変換して、式（Ｃ１’’’）または（Ｃ２’’’）：

［式中、Ｒｆ、ＰＦＰＥ、Ｒ^７２、Ｒ^７３、Ｒ^８２、Ｒ^８４、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｃ、γ、γ’、Ｘ^７’、ｋ、ｌおよびｍは、上記と同意義であり；
ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜３の整数であり；
ｒは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜２の整数である。］
で表される化合物を得ることができる。

式（Ｃ１’’’）または（Ｃ２’’’）において、Ｘ^７’からＲ^８２−ＣＨ_２ＣＨ_２−までの部分が、式（Ｃ１）または（Ｃ２）におけるＸ^７に対応し、−Ｒ^８４−ＣＨ_２ＣＨ_２−が式（Ｃ１）または（Ｃ２）におけるＺに対応する。

式（Ｄ１）および（Ｄ２）：

上記式（Ｄ１）および（Ｄ２）中、ＲｆおよびＰＦＰＥは、上記式（Ａ１）および（Ａ２）に関する記載と同意義である。

上記式中、Ｘ^９は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表す。当該Ｘ^９は、式（Ｄ１）および（Ｄ２）で表される化合物において、主に撥水性および表面滑り性等を提供するパーフルオロポリエーテル部（即ち、Ｒｆ−ＰＦＰＥ部または−ＰＦＰＥ−部）と、基材との結合能を提供する部（即ち、δを付して括弧でくくられた基）とを連結するリンカーと解される。従って、当該Ｘ^９は、式（Ｄ１）および（Ｄ２）で表される化合物が安定に存在し得るものであれば、いずれの有機基であってもよい。

上記式中、δは１〜９の整数であり、δ’は１〜９の整数である。これらδおよびδ’は、Ｘ^９の価数に応じて変化し得る。式（Ｄ１）においては、δおよびδ’の和は、Ｘ^９の価数と同じである。例えば、Ｘが１０価の有機基である場合、δおよびδ’の和は１０であり、例えばδが９かつδ’が１、δが５かつδ’が５、またはδが１かつδ’が９となり得る。また、Ｘ^９が２価の有機基である場合、δおよびδ’は１である。式（Ｄ２）においては、δはＸ^９の価数から１を引いた値である。

上記Ｘ^９は、好ましくは２〜７価であり、より好ましくは２〜４価であり、さらに好ましくは２価の有機基である。

一の態様において、Ｘ^９は２〜４価の有機基であり、δは１〜３であり、δ’は１である。

別の態様において、Ｘ^９は２価の有機基であり、δは１であり、δ’は１である。この場合、式（Ｄ１）および（Ｄ２）は、下記式（Ｄ１’）および（Ｄ２’）で表される。

上記Ｘ^９の例としては、特に限定するものではないが、例えば、Ｘ^１に関して記載したものと同様のものが挙げられる。

中でも、好ましい具体的なＸ^９は、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_１０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２（ＣＨ_２）_７ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−（ＣＨ_２）_２−、
−（ＣＨ_２）_３−、
−（ＣＨ_２）_４−、
−（ＣＨ_２）_５−、
−（ＣＨ_２）_６−、
−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ_２）_３−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ_２）_６−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_２ＮＨ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_６ＮＨ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_６−、
−Ｓ−（ＣＨ_２）_３−、
−（ＣＨ_２）_２Ｓ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_１０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２−
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ_２）_３−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−ＣＨ（ＣＨ_３）−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−（ＣＨ_２）_２−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−ＣＨ（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−、
−ＯＣＨ_２−、
−Ｏ（ＣＨ_２）_３−、
−ＯＣＦＨＣＦ_２−、

などが挙げられる。

上記式中、Ｒ^ｄは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ^２−ＣＲ^８１ _ｐ２Ｒ^８２ _ｑ２Ｒ^８３ _ｒ２を表す。

式中、Ｚ^２は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表す。

上記Ｚ^２は、好ましくは、Ｃ_１−６アルキレン基、−（ＣＨ_２）_ｇ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｈ−（式中、ｇは、０〜６の整数、例えば１〜６の整数であり、ｈは、０〜６の整数、例えば１〜６の整数である）または、−フェニレン−（ＣＨ_２）_ｉ−（式中、ｉは、０〜６の整数である）であり、より好ましくはＣ_１−３アルキレン基である。これらの基は、例えば、フッ素原子、Ｃ_１−６アルキル基、Ｃ_２−６アルケニル基、およびＣ_２−６アルキニル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。

式中、Ｒ^８１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒ^ｄ’を表す。Ｒ^ｄ’は、Ｒ^ｄと同意義である。

Ｒ^ｄ中、Ｚ^２基を介して直鎖状に連結されるＣは最大で５個である。即ち、上記Ｒ^ｄにおいて、Ｒ^８１が少なくとも１つ存在する場合、Ｒ^ｄ中にＺ^２基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子が２個以上存在するが、かかるＺ^２基を介して直鎖状に連結されるＣ原子の数は最大で５個である。なお、「Ｒ^ｄ中のＺ^２基を介して直鎖状に連結されるＣ原子の数」とは、Ｒ^ｄ中において直鎖状に連結される−Ｚ^２−Ｃ−の繰り返し数と等しくなる。これは、式（Ｃ１）および（Ｃ２）におけるＲ^ａに関する記載と同様である。

好ましい態様において、「Ｒ^ｄ中のＺ^２基を介して直鎖状に連結されるＣ原子の数」は、すべての鎖において、１個（左式）または２個（右式）である。

一の態様において、Ｒ^ｄ中のＺ^２基を介して直鎖状に連結されるＣ原子の数は１個または２個、好ましくは１個である。

式中、Ｒ^８２は、−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _ｎ２Ｒ^８６ _３−２ｎを表す。

Ｙは、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表す。

好ましい態様において、Ｙは、Ｃ_１−６アルキレン基、−（ＣＨ_２）_ｇ’−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｈ’−（式中、ｇ’は、０〜６の整数、例えば１〜６の整数であり、ｈ’は、０〜６の整数、例えば１〜６の整数である）、または−フェニレン−（ＣＨ_２）_ｉ’−（式中、ｉ’は、０〜６の整数である）である。これらの基は、例えば、フッ素原子、Ｃ_１−６アルキル基、Ｃ_２−６アルケニル基、およびＣ_２−６アルキニル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。

一の態様において、Ｙは、Ｃ_１−６アルキレン基、−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｈ’−または−フェニレン−（ＣＨ_２）_ｉ’−であり得る。Ｙが上記の基である場合、光耐性、特に紫外線耐性がより高くなり得る。

上記Ｒ^５は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表す。

好ましくは、Ｒ^８５は、−ＯＲ（式中、Ｒは、置換または非置換のＣ_１−３アルキル基、より好ましくはエチル基またはメチル基、特にメチル基を表す）である。

上記Ｒ^８６は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。該低級アルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、さらに好ましくはメチル基である。

ｎ２は、（−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _ｎ２Ｒ^８６ _３−ｎ２）単位毎に独立して、０〜３の整数を表し、好ましくは１〜３の整数、より好ましくは２または３、さらにより好ましくは３である。

上記Ｒ^８３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。該低級アルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、さらに好ましくはメチル基である。

式中、ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数である。ただし、ｐ２、ｑ２およびｒ２の和は３である。

好ましい態様において、Ｒ^ｄ中の末端のＲ^ｄ’（Ｒ^ｄ’が存在しない場合、Ｒ^ｄ）において、上記ｑ２は、好ましくは２以上、例えば２または３であり、より好ましくは３である。

好ましい態様において、Ｒ^ｄの末端部の少なくとも１つは、−Ｃ（−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _ｑ２Ｒ^８６ _ｒ２）_２または−Ｃ（−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _ｑ２Ｒ^８６ _ｒ２）_３、好ましくは−Ｃ（−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _ｑ２Ｒ^８６ _ｒ２）_３であり得る。式中、（−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _ｑ２Ｒ^８６ _ｒ２）の単位は、好ましくは（−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _３）である。さらに好ましい態様において、Ｒ^ｄの末端部は、すべて−Ｃ（−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _ｑ２Ｒ^８６ _ｒ２）_３、好ましくは−Ｃ（−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _３）_３であり得る。

上記式中、Ｒ^ｅは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _ｎ２Ｒ^８６ _３−ｎ２を表す。ここに、Ｙ、Ｒ^８５、Ｒ^８６およびｎ２は、上記Ｒ^８２における記載と同意義である。

上記式中、Ｒ^ｆは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。該低級アルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、さらに好ましくはメチル基である。

式中、ｋ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｌ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｍ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数である。ただし、ｋ２、ｌ２およびｍ２の和は３である。

一の態様において、少なくとも１つのｋ２は２または３であり、好ましくは３である。

一の態様において、ｋ２は２または３であり、好ましくは３である。

一の態様において、ｌ２は２または３であり、好ましくは３である。

上記式（Ｄ１）および（Ｄ２）中、少なくとも１つのｑ２は１〜３の整数であるか、あるいは、少なくとも１つのｌは１〜３の整数３である。即ち、少なくとも１つの−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _ｎ２Ｒ^８６ _３−ｎ２基が存在する。好ましくは、少なくとも１つのｑ２は２または３であるか、あるいは、少なくとも１つのｌは２または３である。即ち、式中、少なくとも２つの−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _ｎ２Ｒ^８６ _３−ｎ２基が存在する。

また、上記式（Ｄ１）および（Ｄ２）中、少なくとも１つのｎ２が１〜３の整数である。即ち、少なくとも１つのＲ^８５が存在する。

式（Ｄ１）または式（Ｄ２）で表されるパーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物は、公知の方法を組み合わせることにより製造することができる。例えば、Ｘが２価である式（Ｄ１’）で表される化合物は、限定するものではないが、以下のようにして製造することができる。

ＨＯ−Ｘ−Ｃ（ＹＯＨ）_３（式中、ＸおよびＹは、それぞれ独立して、２価の有機基である。）で表される多価アルコールに、二重結合を含有する基（好ましくはアリル）、およびハロゲン（好ましくはブロモ）を導入して、Ｈａｌ−Ｘ−Ｃ（Ｙ−Ｏ−Ｒ−ＣＨ＝ＣＨ_２）_３（式中、Ｈａｌはハロゲン、例えばＢｒであり、Ｒは二価の有機基、例えばアルキレン基である。）で表される二重結合含有ハロゲン化物を得る。次いで、末端のハロゲンと、Ｒ^ＰＦＰＥ−ＯＨ（式中、Ｒ^ＰＦＰＥは、パーフルオロポリエーテル基含有基である。）で表されるパーフルオロポリエーテル基含有アルコールとを反応させて、Ｒ^ＰＦＰＥ−Ｏ−Ｘ−Ｃ（Ｙ−Ｏ−Ｒ−ＣＨ＝ＣＨ_２）_３を得る。次いで、末端の−ＣＨ＝ＣＨ_２と、ＨＳｉＣｌ_３およびアルコールまたはＨＳｉＲ^８５ _３と反応させて、Ｒ^ＰＦＰＥ−Ｏ−Ｘ−Ｃ（Ｙ−Ｏ−Ｒ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＳｉＲ^８５ _３）_３を得ることができる。

本発明で用いられる表面処理剤に含まれるパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の数平均分子量は、好ましくは５，０００以上、より好ましくは６，０００以上であり、好ましくは１００，０００以下、より好ましくは３０，０００以下、さらに好ましくは１０，０００以下である。

本発明で用いられる表面処理剤に含まれるパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物におけるＰＦＰＥ部分の数平均分子量は、特に限定されるものではないが、好ましくは４，０００〜３０，０００、より好ましくは５，０００〜１０，０００であり得る。

本発明において、「数平均分子量」は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）分析により測定される。

本発明で用いられる表面処理剤は、溶媒で希釈されていてもよい。このような溶媒としては、特に限定するものではないが、例えば、パーフルオロヘキサン、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＨＣｌ_２、ＣＦ_３ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＨ_３、ＣＦ_３ＣＨＦＣＨＦＣ_２Ｆ_５、１，１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−トリデカフルオロオクタン、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタン（（ゼオローラＨ（商品名）等）、Ｃ_４Ｆ_９ＯＣＨ_３、Ｃ_４Ｆ_９ＯＣ_２Ｈ_５、ＣＦ_３ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦ_２、Ｃ_６Ｆ_１３ＣＨ＝ＣＨ_２、キシレンヘキサフルオリド、パーフルオロベンゼン、メチルペンタデカフルオロヘプチルケトン、トリフルオロエタノール、ペンタフルオロプロパノール、ヘキサフルオロイソプロパノール、ＨＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ、メチルトリフルオロメタンスルホネート、トリフルオロ酢酸およびＣＦ_３Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ（ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_３［式中、ｍおよびｎは、それぞれ独立して０以上１０００以下の整数であり、ｍまたはｎを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意であり、但しｍおよびｎの和は１以上である。］、１，1−ジクロロ−２，３，３，３−テトラフルオロ−１−プロペン、１，２−ジクロロ−１，３，３，３−テトラフルオロ−１−プロペン、１，２−ジクロロ−３，３，３−トリフルオロ−１−プロペン、１，１−ジクロロ−３，３，３−トリフルオロ−１−プロペン、１，１，２−トリクロロ―３，３，３−トリフルオロ−１−プロペン、１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテンからなる群から選択される溶媒が挙げられる。これらの溶媒は、単独で、または、２種以上の混合物として用いることができる。

本発明で用いられる表面処理剤は、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物に加え、他の成分を含んでいてもよい。かかる他の成分としては、特に限定されるものではないが、例えば、含フッ素オイルとして理解され得る（非反応性の）フルオロポリエーテル化合物、好ましくはパーフルオロポリエーテル化合物（以下、「含フッ素オイル」と言う）、シリコーンオイルとして理解され得る（非反応性の）シリコーン化合物（以下、「シリコーンオイル」と言う）、触媒などが挙げられる。

上記含フッ素オイルとしては、特に限定されるものではないが、例えば、以下の一般式（３）で表される化合物（パーフルオロポリエーテル化合物）が挙げられる。
Ｒｆ^１−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ａ’−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｂ’−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｃ’−（ＯＣＦ_２）_ｄ’−Ｒｆ^２・・・（３）
式中、Ｒｆ^１は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ_１−１６のアルキル基（好ましくは、Ｃ_１―１６のパーフルオロアルキル基）を表し、Ｒｆ^２は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ_１−１６のアルキル基（好ましくは、Ｃ_１−１６のパーフルオロアルキル基）、フッ素原子または水素原子を表し、Ｒｆ^１およびＲｆ^２は、より好ましくは、それぞれ独立して、Ｃ_１−３のパーフルオロアルキル基である。
ａ’、ｂ’、ｃ’およびｄ’は、ポリマーの主骨格を構成するパーフルオロポリエーテルの４種の繰り返し単位数をそれぞれ表し、互いに独立して０以上３００以下の整数であって、ａ’、ｂ’、ｃ’およびｄ’の和は少なくとも１、好ましくは１〜３００、より好ましくは２０〜３００である。添字ａ’、ｂ’、ｃ’またはｄ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。これら繰り返し単位のうち、−（ＯＣ_４Ｆ_８）−は、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））−、−（ＯＣ（ＣＦ_３）_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２Ｃ（ＣＦ_３）_２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ（ＣＦ_３））−、−（ＯＣＦ（Ｃ_２Ｆ_５）ＣＦ_２）−および−（ＯＣＦ_２ＣＦ（Ｃ_２Ｆ_５））−のいずれであってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−である。−（ＯＣ_３Ｆ_６）−は、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）−および−（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））−のいずれであってもよく、好ましくは−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−である。−（ＯＣ_２Ｆ_４）−は、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）−および−（ＯＣＦ（ＣＦ_３））−のいずれであってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）−である。

上記一般式（３）で表されるパーフルオロポリエーテル化合物の例として、以下の一般式（３ａ）および（３ｂ）のいずれかで示される化合物（１種または２種以上の混合物であってよい）が挙げられる。
Ｒｆ^１−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｂ’’−Ｒｆ^２・・・（３ａ）
Ｒｆ^１−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ａ’’−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｂ’’−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｃ’’−（ＯＣＦ_２）_ｄ’’−Ｒｆ^２・・・（３ｂ）
これら式中、Ｒｆ^１およびＲｆ^２は上記の通りであり；式（３ａ）において、ｂ’’は１以上１００以下の整数であり；式（３ｂ）において、ａ’’およびｂ’’は、それぞれ独立して０以上３０以下、例えば１以上３０以下の整数であり、ｃ’’およびｄ’’はそれぞれ独立して１以上３００以下の整数である。添字ａ’’、ｂ’’、ｃ’’、ｄ’’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。

上記含フッ素オイルは、１，０００〜３０，０００の平均分子量を有していてよい。これにより、高い表面滑り性を得ることができる。

本発明で用いられる表面処理剤中、含フッ素オイルは、上記パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の合計１００質量部（それぞれ、２種以上の場合にはこれらの合計、以下も同様）に対して、例えば０〜５００質量部、好ましくは０〜４００質量部、より好ましくは５〜３００質量部で含まれ得る。

一般式（３ａ）で示される化合物および一般式（３ｂ）で示される化合物は、それぞれ単独で用いても、組み合わせて用いてもよい。一般式（３ａ）で示される化合物よりも、一般式（３ｂ）で示される化合物を用いるほうが、より高い表面滑り性が得られるので好ましい。これらを組み合わせて用いる場合、一般式（３ａ）で表される化合物と、一般式（３ｂ）で表される化合物との質量比は、１：１〜１：３０が好ましく、１：１〜１：１０がより好ましい。かかる質量比によれば、表面滑り性と摩擦耐久性のバランスに優れた表面処理層を得ることができる。

一の態様において、含フッ素オイルは、一般式（３ｂ）で表される１種またはそれ以上の化合物を含む。かかる態様において、表面処理剤中のパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の合計と、式（３ｂ）で表される化合物との質量比は、１０：１〜１：１０が好ましく、４：１〜１：４がより好ましい。

一の態様において、式（３ａ）で表される化合物の平均分子量は、２，０００〜８，０００であることが好ましい。

一の態様において、式（３ｂ）で表される化合物の平均分子量は、８，０００〜３０，０００であることが好ましい。

別の態様において、式（３ｂ）で表される化合物の平均分子量は、３，０００〜８，０００であることが好ましい。

好ましい態様において、真空蒸着法により表面処理層を形成する場合には、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の平均分子量よりも、含フッ素オイルの平均分子量を大きくしてもよい。このような平均分子量とすることにより、より優れた摩擦耐久性と表面滑り性を得ることができる。

また、別の観点から、含フッ素オイルは、一般式Ｒｆ^３−Ｆ（式中、Ｒｆ^３はＣ_５−１６パーフルオロアルキル基である。）で表される化合物であってよい。また、クロロトリフルオロエチレンオリゴマーであってもよい。Ｒｆ^３−Ｆで表される化合物およびクロロトリフルオロエチレンオリゴマーは、末端がＣ_１−１６パーフルオロアルキル基である上記分子末端に炭素−炭素不飽和結合を有する含フッ素化合物で表される化合物と高い親和性が得られる点で好ましい。

含フッ素オイルは、表面処理層の表面滑り性を向上させるのに寄与する。

上記シリコーンオイルとしては、例えばシロキサン結合が２，０００以下の直鎖状または環状のシリコーンオイルを用い得る。直鎖状のシリコーンオイルは、いわゆるストレートシリコーンオイルおよび変性シリコーンオイルであってよい。ストレートシリコーンオイルとしては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル、メチルハイドロジェンシリコーンオイルが挙げられる。変性シリコーンオイルとしては、ストレートシリコーンオイルを、アルキル、アラルキル、ポリエーテル、高級脂肪酸エステル、フルオロアルキル、アミノ、エポキシ、カルボキシル、アルコールなどにより変性したものが挙げられる。環状のシリコーンオイルは、例えば環状ジメチルシロキサンオイルなどが挙げられる。

本発明で用いられる表面処理剤中、かかるシリコーンオイルは、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の合計１００質量部（２種以上の場合にはこれらの合計、以下も同様）に対して、例えば０〜３００質量部、好ましくは０〜２００質量部で含まれ得る。

シリコーンオイルは、表面処理層の表面滑り性を向上させるのに寄与する。

上記触媒としては、酸（例えば酢酸、トリフルオロ酢酸等）、塩基（例えばアンモニア、トリエチルアミン、ジエチルアミン等）、遷移金属（例えばＴｉ、Ｎｉ、Ｓｎ等）等が挙げられる。

触媒は、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の加水分解および脱水縮合を促進し、表面処理層の形成を促進する。

表面処理層を形成する方法としては、例えば、ケイ素酸化物層の表面に、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤の膜を形成し、この膜を必要に応じて後処理し、これにより表面処理層を形成する方法が挙げられる。

上記表面処理剤の膜形成は、表面処理剤をケイ素酸化物層の表面に対して、該表面を被覆するように適用することによって実施できる。被覆方法は、特に限定されない。例えば、湿潤被覆法および乾燥被覆法を使用できる。

湿潤被覆法の例としては、浸漬コーティング、スピンコーティング、フローコーティング、スプレーコーティング、ロールコーティング、グラビアコーティングおよび類似の方法が挙げられる。

乾燥被覆法の例としては、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法および類似の方法が挙げられる。ＰＶＤ法とは、固体原料を真空中で加熱（真空蒸着）したり、高速の電子やイオンで照射したりして、物理的エネルギーを固体表面の原子に与えて気化させ、それを基材上にて再結合させて薄膜を形成する方法である。ＰＶＤ法としては、特に限定されないが、例えば、蒸着法（通常、真空蒸着法）およびスパッタリング等が挙げられる。蒸着法（通常、真空蒸着法）の具体例としては、抵抗加熱、電子ビーム、マイクロ波等を用いた高周波加熱、イオンビームおよび類似の方法が挙げられる。ＣＶＤ方法の具体例としては、プラズマ−ＣＶＤ、光学ＣＶＤ、熱ＣＶＤおよび類似の方法が挙げられる。中でも、ＰＶＤ法が好ましく、特に蒸着法、例えば抵抗加熱蒸着または電子ビーム蒸着が好ましく、電子ビーム蒸着がより好ましい。ＰＶＤ法を用いることにより、より高い摩擦耐久性を有する表面処理層を得ることができる。

更に、常圧プラズマ法による被覆も可能である。

湿潤被覆法を使用する場合、本発明で用いられる表面処理剤は、溶媒で希釈されてから基材表面に適用され得る。本発明で用いられる表面処理剤の安定性および溶媒の揮発性の観点から、次の溶媒が好ましく使用される：Ｃ_５−１２のパーフルオロ脂肪族炭化水素（例えば、パーフルオロヘキサン、パーフルオロメチルシクロヘキサンおよびパーフルオロ−１，３−ジメチルシクロヘキサン）；ポリフルオロ芳香族炭化水素（例えば、ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン）；ポリフルオロ脂肪族炭化水素（例えば、Ｃ_６Ｆ_１３ＣＨ_２ＣＨ_３（例えば、旭硝子株式会社製のアサヒクリン（登録商標）ＡＣ−６０００）、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタン（例えば、日本ゼオン株式会社製のゼオローラ（登録商標）Ｈ）；ハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）（例えば、１，１，１，３，３−ペンタフルオロブタン（ＨＦＣ−３６５ｍｆｃ））；ハイドロクロロフルオロカーボン（例えば、ＨＣＦＣ−２２５（アサヒクリン（登録商標）ＡＫ２２５））；ヒドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）（例えば、パーフルオロプロピルメチルエーテル（Ｃ_３Ｆ_７ＯＣＨ_３）（例えば、住友スリーエム株式会社製のＮｏｖｅｃ（商標名）７０００）、パーフルオロブチルメチルエーテル（Ｃ_４Ｆ_９ＯＣＨ_３）（例えば、住友スリーエム株式会社製のＮｏｖｅｃ（商標名）７１００）、パーフルオロブチルエチルエーテル（Ｃ_４Ｆ_９ＯＣ_２Ｈ_５）（例えば、住友スリーエム株式会社製のＮｏｖｅｃ（商標名）７２００）、パーフルオロヘキシルメチルエーテル（Ｃ_２Ｆ_５ＣＦ（ＯＣＨ_３）Ｃ_３Ｆ_７）（例えば、住友スリーエム株式会社製のＮｏｖｅｃ（商標名）７３００）などのアルキルパーフルオロアルキルエーテル（パーフルオロアルキル基およびアルキル基は直鎖または分枝状であってよい）、あるいはＣＦ_３ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦ_２（例えば、旭硝子株式会社製のアサヒクリン（登録商標）ＡＥ−３０００））、１，２−ジクロロ−１，３，３，３−テトラフルオロ−１−プロペン（例えば、三井・デュポンフロロケミカル社製のバートレル（登録商標）サイオン）など。これらの溶媒は、単独で、または、２種以上を組み合わせて混合物として用いることができる。さらに、例えば、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の溶解性を調整する等のために、別の溶媒と混合することもできる。

乾燥被覆法を使用する場合、本発明で用いられる表面処理剤は、そのまま乾燥被覆法に付してもよく、または、上記した溶媒で希釈してから乾燥被覆法に付してもよい。

乾燥被覆法において用いる表面処理剤が溶媒を含む場合、前もって表面処理剤中の溶媒を除去してもよい。溶媒を除去することにより、より高い摩擦耐久性を有する表面処理層を得ることができる。

溶媒を除去する方法は、例えば、減圧留去が挙げられる。

減圧留去時の温度は、好ましくは０〜２００℃であり、より好ましくは１０〜８０℃である。また、減圧留去時の圧力は、好ましくは１×１０^−４Ｐａ〜１×１０^３Ｐａであり、より好ましくは１×１０^−２Ｐａ〜１×１０^２Ｐａである。

例えば、溶媒を含む表面処理剤を用いてＰＶＤ処理を行う場合、先に別の装置等で溶媒を減圧留去し、その残渣であるパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物（および存在する場合、含フッ素オイル、シリコーンオイル等の他の成分）をＰＶＤ装置内に供給し、真空蒸着を行うことができる。

膜形成は、膜中で表面処理剤が、加水分解および脱水縮合のための触媒と共に存在するように実施することが好ましい。簡便には、湿潤被覆法による場合、表面処理剤を溶媒で希釈した後、基材表面に適用する直前に、表面処理剤の希釈液に触媒を添加してよい。乾燥被覆法による場合には、触媒添加した表面処理剤をそのまま蒸着（通常、真空蒸着）処理するか、あるいは鉄や銅などの金属多孔体に、触媒添加した表面処理剤を含浸させたペレット状物質を用いて蒸着（通常、真空蒸着）処理をしてもよい。

触媒には、任意の適切な酸または塩基を使用できる。酸触媒としては、例えば、酢酸、ギ酸、トリフルオロ酢酸などを使用できる。また、塩基触媒としては、例えばアンモニア、有機アミン類などを使用できる。

次に、必要に応じて、膜を後処理する。この後処理は、特に限定されないが、例えば、水分供給および乾燥加熱を逐次的に実施するものであってよく、より詳細には、以下のようにして実施してよい。

上記のようにしてケイ素酸化物の表面に表面処理剤の膜を形成した後、この膜（以下、「前駆体膜」とも言う）に水分を供給する。水分の供給方法は、特に限定されず、例えば、前駆体膜（および基材）と周囲雰囲気との温度差による結露や、水蒸気（スチーム）の吹付けなどの方法を使用してよい。

前駆体膜に水分が供給されると、表面処理剤中のパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物のＳｉに結合した加水分解可能な基に水が作用し、当該化合物を速やかに加水分解させることができると考えられる。

水分の供給は、例えば０〜２５０℃、好ましくは６０℃以上、さらに好ましくは１００℃以上とし、好ましくは１８０℃以下、さらに好ましくは１５０℃以下の雰囲気下にて実施し得る。このような温度範囲において水分を供給することにより、加水分解を進行させることが可能である。このときの圧力は特に限定されないが、簡便には常圧とし得る。

次に、該前駆体膜を該基材の表面で、６０℃を超える乾燥雰囲気下にて加熱する。乾燥加熱方法は、特に限定されず、前駆体膜を基材と共に、６０℃を超え、好ましくは１００℃を超える温度であって、例えば２５０℃以下、好ましくは１８０℃以下の温度で、かつ不飽和水蒸気圧の雰囲気下に配置すればよい。このときの圧力は特に限定されないが、簡便には常圧とし得る。

このような雰囲気下では、本発明のＰＦＰＥ含有シラン化合物間では、加水分解後のＳｉに結合した基同士が速やかに脱水縮合する。また、かかる化合物と基材との間では、当該化合物の加水分解後のＳｉに結合した基と、基材表面に存在する反応性基との間で速やかに反応し、基材表面に存在する反応性基が水酸基である場合には脱水縮合する。その結果、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物と基材との間で結合が形成される。

上記の水分供給および乾燥加熱は、過熱水蒸気を用いることにより連続的に実施してもよい。

過熱水蒸気は、飽和水蒸気を沸点より高い温度に加熱して得られるガスであって、常圧下では、１００℃を超え、一般的には５００℃以下、例えば３００℃以下の温度で、かつ、沸点を超える温度への加熱により不飽和水蒸気圧となったガスである。本発明では、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の分解を抑制する観点から、好ましくは、２５０℃以下、好ましくは１８０℃以下の過熱水蒸気が水分供給および乾燥加熱に用いられる。前駆体膜を形成した基材を過熱水蒸気に曝すと、まず、過熱水蒸気と、比較的低温の前駆体膜との間の温度差により、前駆体膜表面にて結露が生じ、これによって前駆体膜に水分が供給される。やがて、過熱水蒸気と前駆体膜との間の温度差が小さくなるにつれて、前駆体膜表面の水分は過熱水蒸気による乾燥雰囲気中で気化し、前駆体膜表面の水分量が次第に低下する。前駆体膜表面の水分量が低下している間、即ち、前駆体膜が乾燥雰囲気下にある間、基材の表面の前駆体膜は過熱水蒸気と接触することによって、この過熱水蒸気の温度（常圧下では１００℃を超える温度）に加熱されることとなる。従って、過熱水蒸気を用いれば、前駆体膜を形成した基材を過熱水蒸気に曝すだけで、水分供給と乾燥加熱とを連続的に実施することができる。

以上のようにして後処理が実施され得る。かかる後処理は、摩擦耐久性を一層向上させるために実施され得るが、本発明の物品を製造するのに必須でないことに留意されたい。例えば、表面処理剤を基材表面に適用した後、そのまま静置しておくだけでもよい。

上記のようにして、基材の表面に、本発明の表面処理剤の膜に由来する表面処理層が形成され、本発明の物品が製造される。これにより得られる表面処理層は、高い摩擦耐久性を有する。また、この表面処理層は、高い摩擦耐久性に加えて、使用する表面処理剤の組成にもよるが、撥水性、撥油性、防汚性（例えば指紋等の汚れの付着を防止する）、防水性（電子部品等への水の浸入を防止する）、表面滑り性（または潤滑性、例えば指紋等の汚れの拭き取り性や、指に対する優れた触感）などを有し得、機能性薄膜として好適に利用され得る。

本発明によって得られる物品は、特に限定されるものではないが、光学部材であり得る。光学部材としては、例えば、下記の光学部材が挙げられる：例えば、陰極線管（ＣＲＴ：例、ＴＶ、パソコンモニター）、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、無機薄膜ＥＬドットマトリクスディスプレイ、背面投写型ディスプレイ、蛍光表示管（ＶＦＤ）、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：ＦｉｅｌｄＥｍｉｓｓｉｏｎＤｉｓｐｌａｙ）などのディスプレイまたはそれらのディスプレイの前面保護板、反射防止板、偏光板、アンチグレア板、あるいはそれらの表面に反射防止膜処理を施したもの；眼鏡などのレンズ；携帯電話、携帯情報端末などの機器のタッチパネルシート；ブルーレイ（Ｂｌｕ−ｒａｙ（登録商標））ディスク、ＤＶＤディスク、ＣＤ−Ｒ、ＭＯなどの光ディスクのディスク面；光ファイバー；時計の表示面など。

本発明によって得られる物品は、さらに窯業製品、塗面、布製品、皮革製品、医療品およびプラスターなどを挙げることができる

また、本発明によって得られる物品は、医療機器または医療材料であってもよい。

表面処理層の厚さは、特に限定されない。光学部材の場合、表面処理層の厚さは、１〜５０ｎｍ、好ましくは１〜３０ｎｍ、より好ましくは１〜１５ｎｍの範囲であることが、光学性能、表面滑り性、摩擦耐久性および防汚性の点から好ましい。

上記した本発明の物品は、高い摩擦耐久性および高い酸アルカリ耐性を有し、使用する表面処理剤の組成にもよるが、撥水性、撥油性、防汚性（例えば指紋等の汚れの付着を防止する）、防水性（電子部品等への水の浸入を防止する）、表面滑り性（または潤滑性、例えば指紋等の汚れの拭き取り性や、指に対する優れた触感）を有し得る。

本発明の物品は、その上に表面処理層が形成されるケイ素酸化物層が、化学気相成長法により形成されていることを特徴とし、この特徴により優れた表面滑り性および酸アルカリ耐性を有する。ケイ素酸化物層をＣＶＤ法により形成することにより、特定のＲａを有するケイ素酸化物層、アモルファス構造を有するケイ素酸化物層、特定の密度を有するケイ素酸化物層、または特定の膜中水素濃度を有するケイ素酸化物層を形成することができる。

従って、一の態様において、本発明は、基材と
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
ケイ素酸化物層の表面粗さ（Ｒａ：中心線平均粗さ）が０．２ｎｍ以下であることを特徴とする物品を提供する。

好ましい態様において、Ｒａは０．１５ｎｍ以下であり得る。

別の態様において、本発明は、基材と
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
ケイ素酸化物層の少なくとも一部が、アモルファスであることを特徴とする物品を提供する。

好ましい態様において、ケイ素酸化物層は、ケイ素酸化物層全体の５０％以上、さらに好ましくはケイ素酸化物層全体の８０％以上がアモルファスであり得る。

別の態様において、本発明は、基材と
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
ケイ素酸化物層が２．２５ｇ／ｃｍ^３〜２．６０ｇ／ｃｍ^３の密度を有することを特徴とする物品を提供する。

好ましい態様において、ケイ素酸化物層の密度は、２．３０ｇ／ｃｍ^３〜２．５０ｇ／ｃｍ^３であり、好ましくは２．３５ｇ／ｃｍ^３〜２．４５ｇ／ｃｍ^３の密度、例えば２．３８ｇ／ｃｍ^３〜２．４２ｇ／ｃｍ^３であり得る。

別の態様において、本発明は、基材と
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
ケイ素酸化物層の膜中水素濃度が１〜１０ａｔ％であることを特徴とする物品を提供する。

好ましい態様において、ケイ素酸化物層の膜中水素濃度は、２ａｔ％以上、３ａｔ％以上、４ａｔ％以上または５ａｔ％以上であり、９ａｔ％以下、８ａｔ％以下、７ａｔ％以下または６ａｔ％以下であり得る。例えば、ケイ素酸化物層の膜中水素濃度は、１〜１０ａｔ％、２〜１０ａｔ％、３〜１０ａｔ％、４〜１０ａｔ％または５〜１０ａｔ％、あるいは１〜９ａｔ％、１〜８ａｔ％、１〜７ａｔ％または１〜６ａｔ％、あるいは２〜９ａｔ％、３〜８ａｔ％、４〜７ａｔ％、または５〜６ａｔ％であり得る。

別の態様において、本発明は、基材と
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
ケイ素酸化物層におけるＳｉ／Ｏ組成比（ｍｏｌ比）が、０．６〜１．５であることを特徴とする物品を提供する。

好ましい態様において、ケイ素酸化物層におけるＳｉ／Ｏ組成比は、１．５以下であり得、好ましくは０．５より大きい。Ｓｉ／Ｏ組成比は、好ましくは０．６〜１．５、より好ましくは０．７〜１．３、例えば０．７〜１．２、０．８〜１．３または０．８〜１．２であり得る。

本発明の物品について、以下の実施例を通じてより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

実施例１
・ケイ素酸化物層の形成
基材として、化学強化ガラス（コーニング社製、「ゴリラ」ガラス、厚さ０．７ｍｍ）を準備した。基材の表面を、Ｈ_２ＳＯ_４／Ｈ_２Ｏ_２／Ｈ_２Ｏ（１：１：５）の混合溶液で洗浄し、ケイ素源としてＳｉＨ_４ガスを、酸素源としてＮ_２Ｏガスを用いて、東京エレクトロン製ＴｒｉａｓＣＶＤ装置にて、プラズマＣＶＤを行い、基材表面にケイ素酸化物（ＳｉＯ）層を形成した。

（プラズマＣＶＤ成膜条件）
ＲＦパワー密度：１．０Ｗ／ｃｍ^２
基板温度：２００℃
プロセス圧力：１５０Ｐａ
材料ガス流量比（体積比）：ＳｉＨ_４：Ｎ_２Ｏ：Ｈ_２＝１：３０：１００
成膜速度：０．７ｎｍ／秒
処理時間：１００秒

得られたケイ素酸化物層の膜厚を、エリプソメーター（Ellipsometer；ＨＯＲＩＢＡＪｏｂｉｎＹｖｏｎ社製）により測定した。ケイ素酸化物層の膜厚は、７０ｎｍであった。

・表面処理材の調製
下記式（平均組成）で示される含フッ素化合物を、濃度２０ｗｔ％になるようにハイドロフルオロエーテル（スリーエム社製、ノベックＨＦＥ７２００）に溶解させて表面処理剤を調製した。
ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ［ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３］_３
（ｍ＝２１、Ｍｎ＝３９８０）
＊ｍの値は^１９Ｆ−ＮＭＲから測定された値であり、ＭｎはＧＰＣから測定された値である。

・表面処理層の形成
上記で得られたケイ素酸化物層を、加速電圧１０００Ｖ、加速電流５００ｍＡ、圧力２×１０^−２ＰａでＯ_２イオンクリーニングに付した。次いで、上記で調製した表面処理剤を、ケイ素酸化物層上に真空蒸着した。真空蒸着の処理条件は、圧力３．０×１０^−３Ｐａとし、化学強化ガラス１枚（５５ｍｍ×１００ｍｍ）あたり、表面処理剤２ｍｇ（即ち、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物を０．４ｍｇ含有）を蒸着させた。その後、蒸着膜付き化学強化ガラスを、温度２０℃および湿度６５％の雰囲気下で２４時間静置し、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。

実施例２
プラズマ膜条件を変更した以外は、実施例１と同様にして、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。尚、エリプソメーターにより測定したケイ素酸化物層の膜厚は、３０ｎｍであった。

（プラズマＣＶＤ成膜条件）
ＲＦパワー密度：１．０Ｗ／ｃｍ^２
基板温度：２００℃
プロセス圧力：１５０Ｐａ
材料ガス流量比（体積比）：ＳｉＨ_４：Ｎ_２Ｏ：Ｈ_２＝１：３０：１８０
成膜速度：０．５ｎｍ／秒
処理時間：６０秒

実施例３
ＣＶＤの処理時間を、３０秒に変更した以外は、実施例２と同様にして、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。尚、エリプソメーターにより測定したケイ素酸化物層の膜厚は、１５ｎｍであった。

比較例１
ケイ素酸化物層を、ＣＶＤ法で形成する変わりに、ＰＶＤ法（電子ビーム（ＥＢ）蒸着）により行ったこと以外は、実施例１と同様にして、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。尚、エリプソメーターにより測定したケイ素酸化物層の膜厚は、７０ｎｍであった。
（ＥＢ蒸着条件）
・圧力：２×１０^−２Ｐａ
・基板温度：室温（約２５℃）
・原料：ＳｉＯ_２結晶
・蒸着処理時間：２３０秒

比較例２
ＰＶＤ法（電子ビーム（ＥＢ）蒸着）の蒸着処理時間を８０秒に変更したこと以外は、比較例１と同様にして、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。尚、エリプソメーターにより測定したケイ素酸化物層の膜厚は、３０ｎｍであった。

比較例３
ＰＶＤ法（電子ビーム（ＥＢ）蒸着）の蒸着処理時間を５０秒に変更したこと以外は、比較例１と同様にして、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。尚、エリプソメーターにより測定したケイ素酸化物層の膜厚は、１５ｎｍであった。

上記で得られた基材の特徴を、下記表に示す。

（評価）
・摩擦耐久性評価
上記の実施例１〜３および比較例１〜３の表面処理層について、水の静的接触角を測定した。水の静的接触角は、接触角測定装置（協和界面科学社製）を用いて、水１μＬにて実施した。

まず、初期評価として、表面処理層形成後、その表面に未だ何も触れていない状態で、水の静的接触角を測定した（摩擦回数ゼロ回）。

その後、摩擦耐久性評価として、スチールウール摩擦耐久性評価を実施した。具体的には、表面処理層を形成した基材を水平配置し、スチールウール（番手♯００００、寸法５ｍｍ×１０ｍｍ×１０ｍｍ）を表面処理層の露出上面に接触させ、その上に１，０００ｇｆの荷重を付与し、その後、荷重を加えた状態でスチールウールを往復させた（距離：１２０ｍｍ（往復）、速度：６０ｒｐｍ）。一定の往復回数毎に水の静的接触角（度）を測定した。接触角の測定値が１００度未満となった時点で評価を中止した。結果を下記表に示す。

実施例４
化学強化ガラス１枚（５５ｍｍ×１００ｍｍ）あたり、表面処理剤０．２５ｍｇ（即ち、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物を０．０５ｍｇ含有）を蒸着させたこと以外は、実施例３と同様にして、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。尚、エリプソメーターにより測定したケイ素酸化物層の膜厚は、１５ｎｍであった。

比較例４
化学強化ガラス１枚（５５ｍｍ×１００ｍｍ）あたり、表面処理剤０．２５ｍｇ（即ち、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物を０．０５ｍｇ含有）を蒸着させたこと以外は、比較例３と同様にして、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。尚、エリプソメーターにより測定したケイ素酸化物層の膜厚は、１５ｎｍであった。

・耐汗試験（酸、アルカリ耐久試験）
上記の実施例４および比較例４の表面処理層について、人工汗耐久性を評価した。

具体的には、実施例４および比較例４で得られた物品の表面に、下記の組成を有するｐＨ８．７およびｐＨ４．５の人工汗約５０μＬを静置させ、６０℃・９０ＲＨ％の加温加湿条件下で、所定の時間放置した。その後、表面の人工汗をふき取り、更に表面を蒸留水、エタノールで洗浄し、その後、水の静的接触角（度）を測定した。結果を下記表に示す。

・ｐＨ８．７の人工汗の組成
ＮａＣｌ：１０ｇ、Ｎａ_２ＨＰＯ_４・１２Ｈ_２Ｏ：２．５ｇ、（ＮＨ_４）_２ＣＯ_３：４ｇに、純水を加えて、合計１０００ｍｌにする。

・ｐＨ４．５の人工汗の組成
ＮａＣｌ：１０ｇ、Ｎａ_２ＨＰＯ_４・１２Ｈ_２Ｏ：２．５ｇ、ＣＨ_３ＣＨ（ＯＨ）ＣＯＯＨ：１ｇに純水を加えて、合計１０００ｍｌにする。

上記の表２および表３の結果から、ケイ素酸化物層をＣＶＤ法を用いて形成した実施例１〜３は、ＰＶＤ法を用いた比較例１〜３よりも摩擦耐久性に優れており、実施例４は比較例４よりもおよび酸、アルカリ耐久性に優れていることが確認された。即ち、ＣＶＤ法により形成されたケイ素酸化物層上に表面処理層を形成することにより、より優れた摩擦耐久性を有し、さらにはより優れた酸、アルカリ耐性を有する表面処理層を形成できることが確認された。

本発明は、表面に高い摩擦耐久性および耐酸および耐アルカリ耐性を有する表面処理層を含んで成る物品を製造するために好適に利用され得る。

Claims

基材と、
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品の製造方法であって、
化学気相成長法を用いて、ケイ素酸化物層を形成すること、および
得られたケイ素酸化物層上に、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤を用いて、表面処理層を形成すること
を含む製造方法。
化学気相成長法が、シランまたはジシランを含む反応ガスを用いて行われることを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
ケイ素酸化物層の膜厚が、５〜１００ｎｍであることを特徴とする、請求項１または２に記載の製造方法。
前記ケイ素酸化物層の表面粗さＲａが０．２ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法。
ケイ素酸化物層の形成後、表面処理層の形成前に、ケイ素酸化物層の表面を、イオンクリーニングすることを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の製造方法。
表面処理層が、物理気相成長法を用いて形成されていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の製造方法。
含フッ素シラン化合物が、下記一般式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）および（Ｄ２）：

［式中：
ＰＦＰＥは、各出現においてそれぞれ独立して、式：
−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ａ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｂ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｃ−（ＯＣＦ_２）_ｄ−
（式中、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０〜２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は少なくとも１であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｒ^１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜２２のアルキル基を表し；
Ｒ^２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ^１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表し；
Ｒ^１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｎは、（−ＳｉＲ^１ _ｎＲ^２ _３−ｎ）単位毎に独立して、０〜３の整数であり；
ただし、式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）および（Ｂ２）において、少なくとも１つのＲ^２が存在し；
Ｘ^１は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
Ｘ^２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２価の有機基を表し；
ｔは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜１０の整数であり；
αは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
α’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｘ^５は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
βは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
β’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｘ^７は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
γは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
γ’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｒ^ａは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ−ＳｉＲ^７１ _ｐＲ^７２ _ｑＲ^７３ _ｒを表し；
Ｚは、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し；
Ｒ^７１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒ^ａ’を表し；
Ｒ^ａ’は、Ｒ^ａと同意義であり；
Ｒ^ａ中、Ｚ基を介して直鎖状に連結されるＳｉは最大で５個であり；
Ｒ^７２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ^７３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｐは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｒは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ただし、−Ｚ−ＳｉＲ^７１ _ｐＲ^７２ _ｑＲ^７３ _ｒ毎において、ｐ、ｑおよびｒの和は３であり、式（Ｃ１）および（Ｃ２）において、少なくとも１つのＲ^７２が存在し；
Ｒ^ｂは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ^ｃは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｋは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜３の整数であり；
ｌは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜２の整数であり；
ｍは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜２の整数であり；
ただし、γを付して括弧でくくられた単位において、ｋ、ｌおよびｍの和は３であり；
Ｘ^９は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
δは、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
δ’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｒ^ｄは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ^２−ＣＲ^８１ _ｐ２Ｒ^８２ _ｑ２Ｒ^８３ _ｒ２を表し；
Ｚ^２は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し；
Ｒ^８１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒ^ｄ’を表し；
Ｒ^ｄ’は、Ｒ^ｄと同意義であり；
Ｒ^ｄ中、Ｚ^２基を介して直鎖状に連結されるＣは最大で５個であり；
Ｒ^８２は、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _ｎ２Ｒ^８６ _３−ｎ２を表し；
Ｙは、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表し；
Ｒ^８５は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ^８６は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｎ２は、（−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _ｎ２Ｒ^８６ _３−ｎ２）単位毎に独立して、０〜３の整数を表し；
Ｒ^８３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
Ｒ^ｅは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ^８５ _ｎ２Ｒ^８６ _３−ｎ２を表し；
Ｒ^ｆは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｋ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｌ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｍ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ただし、式（Ｄ１）および（Ｄ２）において、少なくとも１つのＲ^８５が存在する。］
で表される１種またはそれ以上の化合物であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の製造方法。
ＰＦＰＥが、それぞれ独立して、下記式（ａ）〜（ｃ）：
（ａ）−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｂ−
［式（ａ）中、ｂは１以上２００以下の整数である］；
（ｂ）−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ａ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｂ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｃ−（ＯＣＦ_２）_ｄ−
［式（ｂ）中、ａおよびｂは、それぞれ独立して、０以上３０以下の整数であり、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、１以上２００以下の整数であり、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は、１０以上２００以下の整数であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。］
（ｃ）−（ＯＣ_２Ｆ_４−Ｒ^１５）_ｎ”−
［式（ｃ）中、Ｒ^１５は、それぞれ独立して、ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６およびＯＣ_４Ｆ_８から選択される基であり、ｎ”は、２以上１００以下の整数である。］
のいずれかであることを特徴とする、請求項７に記載の製造方法。
ＰＦＰＥにおいて：
ＯＣ_４Ｆ_８が、ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２であり、
ＯＣ_３Ｆ_６が、ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２であり、
ＯＣ_２Ｆ_４が、ＯＣＦ_２ＣＦ_２である
ことを特徴とする、請求項７または８に記載の製造方法。
表面処理剤が、含フッ素オイル、シリコーンオイル、および触媒から選択される１種またはそれ以上の他の成分をさらに含有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の製造方法。
含フッ素オイルが、式（３）：
Ｒｆ^１−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ａ’−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｂ’−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｃ’−（ＯＣＦ_２）_ｄ’−ＲＦ^２・・・（３）
［式中：
Ｒｆ^１は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｒｆ^２は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基、フッ素原子または水素原子を表し；
ａ’、ｂ’、ｃ’およびｄ’は、ポリマーの主骨格を構成するパーフルオロポリエーテルの４種の繰り返し単位数をそれぞれ表し、互いに独立して０以上３００以下の整数であって、ａ’、ｂ’、ｃ’およびｄ’の和は少なくとも１であり、添字ａ’、ｂ’、ｃ’またはｄ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。］
で表される１種またはそれ以上の化合物である、請求項１０に記載の製造方法。
含フッ素オイルが、式（３ａ）または（３ｂ）：
Ｒｆ^１−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｂ’’−Ｒｆ^２・・・（３ａ）
Ｒｆ^１−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ａ’’−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｂ’’−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｃ’’−（ＯＣＦ_２）_ｄ’’−Ｒｆ^２・・・（３ｂ）
［式中：
Ｒｆ^１は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｒｆ^２は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基、フッ素原子または水素原子を表し；
式（３ａ）において、ｂ’’は１以上１００以下の整数であり；
式（３ｂ）において、ａ’’およびｂ’’は、それぞれ独立して０以上３０以下の整数であり、ｃ’’およびｄ’’は、それぞれ独立して１以上３００以下の整数であり；
添字ａ’’、ｂ’’、ｃ’’またはｄ’’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。］
で表される１種またはそれ以上の化合物である、請求項１０または１１に記載の製造方法。
基材を準備すること、
基材上に化学気相成長法を用いてケイ素酸化物層を形成すること、および
ケイ素酸化物層上に、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤を用いて表面処理層を形成すること
を含む、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の製造方法。
化学気相成長法が、ケイ素源として、ＳｉＨ_４、Ｓｉ_２Ｈ_６、トリエトキシシランまたはテトラエトキシシランを用い、酸素源として酸素ガスを用いることにより行われることを特徴とする、請求項１３に記載の製造方法。
さらに、ケイ素酸化物層を形成する前に、基材表面を、酸化剤溶液洗浄またはアルコール洗浄により前処理することを特徴とする、請求項１３または１４に記載の製造方法。
さらに、表面処理層を形成する前に、ケイ素酸化物層を、イオンクリーニングにより前処理することを特徴とする、請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の製造方法。
イオンクリーニングが、酸素イオンクリーニングまたはアルゴンイオンクリーニングであることを特徴とする、請求項１６に記載の製造方法。
基材が、ガラス基材であることを特徴とする、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の製造方法。
物品が光学部材である、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の製造方法。
請求項１〜１９のいずれか１項に記載の製造方法により得られた物品。
基材と
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
ケイ素酸化物層の少なくとも一部が、アモルファスであることを特徴とする物品。
基材と
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
ケイ素酸化物層が、２．２５ｇ／ｃｍ^３〜２．６０ｇ／ｃｍ^３の密度を有することを特徴とする物品。
基材と
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
ケイ素酸化物層の膜中水素濃度が、１〜１０ａｔ％であることを特徴とする物品。
基材と
該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
ケイ素酸化物層におけるＳｉ／Ｏ組成のモル比が、０．６〜１．５であることを特徴とする物品。