JPWO2016175096A1 - テンプレート基板の作製方法および作製装置 - Google Patents
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Abstract
Description
先ず、本願において開示される代表的な実施の形態について概要を説明する。
実施の形態について更に詳述する。
図1は、本発明に係るテンプレート基板の構成例を示す模式図である。Si(100)単結晶基板上に金属硫化物であるMnS薄膜をエピタキシャル成長させたテンプレート基板を示す。1はSi(100)単結晶基板、3は第1の工程で成膜され第2の工程で固相エピタキシャルさせて作製したMnS層、4は第3の工程でスパッタリング法により作成したMnS層である。
スパッタリング方式: RFマグネトロンスパッタリング
基板温度: 50℃以下(無加熱)
スパッタリングガス: アルゴン(Ar)
スパッタリング圧力: 2Pa
ターゲット: MnS
スパッタリング電力: RF150W
ターゲット−基板間距離: 140mm
前記第1の工程でMnS層2を成膜した後、成膜を一旦止めて基板温度を700℃まで加熱した(第2の工程)。この第2の工程でMnS層2は固相エピタキシャル成長すると考えられる。次に基板温度以外を前記第1の工程と同じスパッタリング成膜条件とした第3の工程でMnS層4を50nm成膜した。
図2は、本発明に係るテンプレート基板の作製装置の構成例を模式的に示す平面図である。本実施例2で例示するテンプレート基板の作製装置は、基板搬送用のロボットを備えている搬送室の周囲に複数の独立した成膜処理室とロードロック室とが備えられているマルチチャンバーシステムに対応する。マルチチャンバーシステムは、基板搬送用ロボット30を備えた搬送室10と、その周囲にロードロック室11と、第1の成膜処理室12と、第2の成膜処理室13とがゲートバルブ21、22、23を介して備えられている。搬送室10、ロードロック室11、第1の成膜処理室12、および第2の成膜処理室13には真空ポンプ(図示せず)がそれぞれ接続されており、それら真空ポンプによって各室が真空排気されるようになっている。
第1の工程における金属硫化物膜2の膜厚と基板温度、及び、第2の工程における基板温度について、さらに詳しく検討する。図6、図7及び図8は、第1の工程の金属硫化物膜2の一例であるMnS層の膜厚を変えた実験の結果、第1の工程の基板温度を変えた実験の結果、及び、第2〜第3の工程の基板温度を変えた実験の結果を、それぞれ示す説明図である。いずれも、第3の工程で金属硫化物(MnS)膜をスパッタリング法によって成膜した金属硫化物(MnS)膜の結晶性を評価した結果である。「○」印は良好なエピタキシャル膜が成膜されたことを表し、「△」印は結晶性が若干悪いエピタキシャル膜が成膜されたことを表し、「×」印は多結晶膜が成膜されたことを表す。
2 低温の基板温度でスパッタリング成膜したMnS層
3 固相エピタキシャル成長したMnS層
4 高温の基板温度でスパッタリング成膜したMnS層(エピタキシャル膜)
6 ターゲット
7 基盤ホルダー
8 ヒーター
9 チャンバー
10 搬送室
11 ロードロック室
12 第1の成膜処理室
13 第2の成膜処理室
21、22、23 ゲートバルブ
30 基板搬送用ロボット
Claims (13)
- シリコン(Si)(100)単結晶基板上に金属硫化物のエピタキシャル膜が積層されたテンプレート基板の作製方法であって、
前記金属硫化物の組成を有するターゲットを用いたスパッタリング法により、前記Si(100)単結晶基板上に前記金属硫化物のバリア膜を成膜する第1の工程と、
前記Si(100)単結晶基板を加熱して、前記第1の工程で成膜された前記バリア膜を固相エピタキシャル成長により結晶化する第2の工程と、
前記金属硫化物の組成を有するターゲットを用いたスパッタリング法により、前記第2の工程で結晶化した前記バリア膜上に、前記金属硫化物のエピタキシャル膜をエピタキシャル成長させる第3の工程とを含むことを特徴とするテンプレート基板の作製方法。 - 前記第1の工程で成膜されるバリア膜が、非晶質であることを特徴とする請求項1記載のテンプレート基板の作製方法。
- 前記第1の工程において、前記Si(100)単結晶基板を90℃以下に保持することを特徴とする請求項1記載のテンプレート基板の作製方法。
- 前記第2の工程において、前記Si(100)単結晶基板を500℃以上1000℃以下に加熱することを特徴とする請求項3記載のテンプレート基板の作製方法。
- 前記第1の工程で成膜されるバリア膜の膜厚が0.5nm以上10nm以下であることを特徴とする請求項1記載のテンプレート基板の作製方法。
- 前記金属硫化物は、硫化マンガン(MnS),硫化マグネシウム(MgS)または硫化カルシウム(CaS)であることを特徴とする請求項1から請求項5のうちのいずれか1項記載のテンプレート基板の作製方法。
- Si(100)単結晶基板上に金属硫化物をターゲットとして、前記Si(100)単結晶基板上に前記金属硫化物のバリア膜をスパッタリング成膜する第1の成膜処理室と、
前記第1の成膜処理室で前記バリア膜を成膜した前記Si(100)単結晶基板を加熱して、前記第1の工程で成膜された前記バリア膜を固相エピタキシャル成長により結晶化し、前記Si(100)単結晶基板を加熱した状態を保持して、前記金属硫化物のターゲットと同一組成のターゲットを用いて前記金属硫化物のエピタキシャル膜をスパッタリング成膜する、第2の成膜処理室と、
前記第1の成膜処理室で前記バリア膜を成膜した前記Si(100)単結晶基板を前記第2の成膜処理室に搬送するための搬送室とを備えることを特徴とする、テンプレート基板の作製装置。 - 前記第1の成膜処理室で成膜されるバリア膜が、非晶質であることを特徴とする請求項7記載のテンプレート基板の作製装置。
- 前記第1の成膜処理室において、前記スパッタリング成膜を行うまでの前記Si(100)単結晶基板を90℃以下に保持することを特徴とする請求項7記載のテンプレート基板の作製装置。
- 前記第2の成膜処理室では、前記Si(100)単結晶基板を500℃以上1000℃以下に加熱保持することを特徴とする請求項9記載のテンプレート基板の作製装置。
- 前記バリア膜の膜厚が0.5nm以上10nm以下であることを特徴とする請求項7記載のテンプレート基板の作製装置。
- 前記金属硫化物は、MnS,MgSまたはCaSであることを特徴とする請求項7から11のうちのいずれか1項記載のテンプレート基板の作製装置。
- 前記搬送室は基板搬送用のロボットを備え、さらにロードロック室を備えてマルチチャンバーシステムに対応する、請求項7から12のうちのいずれか1項記載のテンプレート基板の作製装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015089930 | 2015-04-27 | ||
JP2015089930 | 2015-04-27 | ||
PCT/JP2016/062478 WO2016175096A1 (ja) | 2015-04-27 | 2016-04-20 | テンプレート基板の作製方法および作製装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016175096A1 true JPWO2016175096A1 (ja) | 2018-01-25 |
JP6458332B2 JP6458332B2 (ja) | 2019-01-30 |
Family
ID=57199691
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017515499A Active JP6458332B2 (ja) | 2015-04-27 | 2016-04-20 | テンプレート基板の作製方法および作製装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6458332B2 (ja) |
WO (1) | WO2016175096A1 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002003297A (ja) * | 2000-04-21 | 2002-01-09 | Fuji Electric Co Ltd | 酸化物薄膜素子およびその製造方法 |
JP2004006562A (ja) * | 2001-06-29 | 2004-01-08 | National Institute For Materials Science | 薄膜素子及びその製造方法 |
JP2004111883A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Tokyo Inst Of Technol | 薄膜素子およびその製造方法 |
-
2016
- 2016-04-20 WO PCT/JP2016/062478 patent/WO2016175096A1/ja active Application Filing
- 2016-04-20 JP JP2017515499A patent/JP6458332B2/ja active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002003297A (ja) * | 2000-04-21 | 2002-01-09 | Fuji Electric Co Ltd | 酸化物薄膜素子およびその製造方法 |
JP2004006562A (ja) * | 2001-06-29 | 2004-01-08 | National Institute For Materials Science | 薄膜素子及びその製造方法 |
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Publication number | Publication date |
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WO2016175096A1 (ja) | 2016-11-03 |
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