JPWO2016117464A1 - フッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器 - Google Patents
フッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2016117464A1 JPWO2016117464A1 JP2016570605A JP2016570605A JPWO2016117464A1 JP WO2016117464 A1 JPWO2016117464 A1 JP WO2016117464A1 JP 2016570605 A JP2016570605 A JP 2016570605A JP 2016570605 A JP2016570605 A JP 2016570605A JP WO2016117464 A1 JPWO2016117464 A1 JP WO2016117464A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- filled
- fluorinated hydrocarbon
- hydrocarbon compound
- container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 title claims abstract description 90
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 52
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 48
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 20
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 229910000617 Mangalloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 67
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims description 42
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 37
- IXHWZHXLJJPXIS-UHFFFAOYSA-N 2-fluorobutane Chemical compound CCC(C)F IXHWZHXLJJPXIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 15
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 14
- GSMZLBOYBDRGBN-UHFFFAOYSA-N 2-fluoro-2-methylpropane Chemical compound CC(C)(C)F GSMZLBOYBDRGBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- YHRLGIPTCSGMRF-UHFFFAOYSA-N 2-fluoropentane Chemical compound CCCC(C)F YHRLGIPTCSGMRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 180
- -1 hydrogen compound Chemical class 0.000 abstract description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 30
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 15
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 10
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 5
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- HLLCNVLEVVFTJB-UHFFFAOYSA-N 2-fluoro-2-methylbutane Chemical compound CCC(C)(C)F HLLCNVLEVVFTJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FBWYFZYJEAMPHJ-UHFFFAOYSA-N 3-fluoropentane Chemical compound CCC(F)CC FBWYFZYJEAMPHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- CZJHAXLHYWLWBS-UHFFFAOYSA-N 1-fluoro-2,2-dimethylpropane Chemical compound CC(C)(C)CF CZJHAXLHYWLWBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQNOCESAXBXZAY-UHFFFAOYSA-N 1-fluoro-2-methylbutane Chemical compound CCC(C)CF HQNOCESAXBXZAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGCJTTUVWKJDAX-UHFFFAOYSA-N 1-fluoro-2-methylpropane Chemical compound CC(C)CF WGCJTTUVWKJDAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVHQEXCGMKZBME-UHFFFAOYSA-N 1-fluoro-3-methylbutane Chemical compound CC(C)CCF TVHQEXCGMKZBME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCBJLBCGHCTPAQ-UHFFFAOYSA-N 1-fluorobutane Chemical compound CCCCF FCBJLBCGHCTPAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEPRBXUJOQLYID-UHFFFAOYSA-N 1-fluoropentane Chemical compound CCCCCF OEPRBXUJOQLYID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXCNTLHKVMUETO-UHFFFAOYSA-N 2-fluoro-3-methylbutane Chemical compound CC(C)C(C)F JXCNTLHKVMUETO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018089 Al Ka Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000669 Chrome steel Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 1
- VNTLIPZTSJSULJ-UHFFFAOYSA-N chromium molybdenum Chemical group [Cr].[Mo] VNTLIPZTSJSULJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005796 dehydrofluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010981 drying operation Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C13/00—Details of vessels or of the filling or discharging of vessels
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B31/00—Machines or devices designed for polishing or abrading surfaces on work by means of tumbling apparatus or other apparatus in which the work and/or the abrasive material is loose; Accessories therefor
- B24B31/02—Machines or devices designed for polishing or abrading surfaces on work by means of tumbling apparatus or other apparatus in which the work and/or the abrasive material is loose; Accessories therefor involving rotary barrels
- B24B31/0212—Machines or devices designed for polishing or abrading surfaces on work by means of tumbling apparatus or other apparatus in which the work and/or the abrasive material is loose; Accessories therefor involving rotary barrels the barrels being submitted to a composite rotary movement
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B31/00—Machines or devices designed for polishing or abrading surfaces on work by means of tumbling apparatus or other apparatus in which the work and/or the abrasive material is loose; Accessories therefor
- B24B31/02—Machines or devices designed for polishing or abrading surfaces on work by means of tumbling apparatus or other apparatus in which the work and/or the abrasive material is loose; Accessories therefor involving rotary barrels
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65D—CONTAINERS FOR STORAGE OR TRANSPORT OF ARTICLES OR MATERIALS, e.g. BAGS, BARRELS, BOTTLES, BOXES, CANS, CARTONS, CRATES, DRUMS, JARS, TANKS, HOPPERS, FORWARDING CONTAINERS; ACCESSORIES, CLOSURES, OR FITTINGS THEREFOR; PACKAGING ELEMENTS; PACKAGES
- B65D85/00—Containers, packaging elements or packages, specially adapted for particular articles or materials
- B65D85/70—Containers, packaging elements or packages, specially adapted for particular articles or materials for materials not otherwise provided for
- B65D85/84—Containers, packaging elements or packages, specially adapted for particular articles or materials for materials not otherwise provided for for corrosive chemicals
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C1/00—Pressure vessels, e.g. gas cylinder, gas tank, replaceable cartridge
- F17C1/10—Pressure vessels, e.g. gas cylinder, gas tank, replaceable cartridge with provision for protection against corrosion, e.g. due to gaseous acid
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C13/00—Details of vessels or of the filling or discharging of vessels
- F17C13/12—Arrangements or mounting of devices for preventing or minimising the effect of explosion ; Other safety measures
- F17C13/126—Arrangements or mounting of devices for preventing or minimising the effect of explosion ; Other safety measures for large storage containers for liquefied gas
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C2203/00—Vessel construction, in particular walls or details thereof
- F17C2203/06—Materials for walls or layers thereof; Properties or structures of walls or their materials
- F17C2203/0602—Wall structures; Special features thereof
- F17C2203/0607—Coatings
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C2203/00—Vessel construction, in particular walls or details thereof
- F17C2203/06—Materials for walls or layers thereof; Properties or structures of walls or their materials
- F17C2203/0634—Materials for walls or layers thereof
- F17C2203/0636—Metals
- F17C2203/0639—Steels
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C2209/00—Vessel construction, in particular methods of manufacturing
- F17C2209/21—Shaping processes
- F17C2209/2172—Polishing
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C2221/00—Handled fluid, in particular type of fluid
- F17C2221/03—Mixtures
- F17C2221/032—Hydrocarbons
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C2221/00—Handled fluid, in particular type of fluid
- F17C2221/05—Ultrapure fluid
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C2223/00—Handled fluid before transfer, i.e. state of fluid when stored in the vessel or before transfer from the vessel
- F17C2223/01—Handled fluid before transfer, i.e. state of fluid when stored in the vessel or before transfer from the vessel characterised by the phase
- F17C2223/0107—Single phase
- F17C2223/0123—Single phase gaseous, e.g. CNG, GNC
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C2223/00—Handled fluid before transfer, i.e. state of fluid when stored in the vessel or before transfer from the vessel
- F17C2223/03—Handled fluid before transfer, i.e. state of fluid when stored in the vessel or before transfer from the vessel characterised by the pressure level
- F17C2223/033—Small pressure, e.g. for liquefied gas
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C2250/00—Accessories; Control means; Indicating, measuring or monitoring of parameters
- F17C2250/04—Indicating or measuring of parameters as input values
- F17C2250/0404—Parameters indicated or measured
- F17C2250/0447—Composition; Humidity
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C2260/00—Purposes of gas storage and gas handling
- F17C2260/05—Improving chemical properties
- F17C2260/053—Reducing corrosion
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C2260/00—Purposes of gas storage and gas handling
- F17C2260/05—Improving chemical properties
- F17C2260/056—Improving fluid characteristics
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C2270/00—Applications
- F17C2270/05—Applications for industrial use
- F17C2270/0518—Semiconductors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Filling Or Discharging Of Gas Storage Vessels (AREA)
Abstract
本発明は、ガス充填容器の内部に、フッ素化炭化水素化合物が充填されてなる、フッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器であって、前記ガス充填容器の材質が、マンガン鋼であり、XPS分析法により測定した、前記ガス充填容器の内面のアルミニウム付着量が、1モル%以下であり、かつ、前記フッ素化炭化水素化合物が、式:C4H9F又はC5H11Fで示される化合物であることを特徴とする、フッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器である。本発明によれば、ガス充填容器の内部に、式:C4H9F又はC5H11Fで示されるフッ素化炭化水素化合物が充填されてなり、充填されたフッ素化炭化水素化合物の純度が低下しにくい、フッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器が提供される。
Description
本発明は、ガス充填容器の内部に、式:C4H9F又はC5H11Fで示されるフッ素化炭化水素化合物が充填されてなる、フッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器に関する。
従来、半導体装置等を製造する際のエッチング処理において、被エッチング材料を選択的にエッチングするために、エッチングガスとしてフッ素化炭化水素化合物が使用されている。
エッチング処理に用いるフッ素化炭化水素化合物には、微細な加工を安定的に行うために、高純度(例えば、純度が99.90体積%以上)であることが求められる。また、フッ素化炭化水素化合物は、ガス充填容器に充填され、使用時までこの状態で保管されることが多い。
したがって、エッチング処理に用いるフッ素化炭化水素化合物は、ガス充填容器に充填する際の純度が高いだけでなく、長期間、ガス充填容器中でその高い純度が維持される必要がある。
エッチング処理に用いるフッ素化炭化水素化合物には、微細な加工を安定的に行うために、高純度(例えば、純度が99.90体積%以上)であることが求められる。また、フッ素化炭化水素化合物は、ガス充填容器に充填され、使用時までこの状態で保管されることが多い。
したがって、エッチング処理に用いるフッ素化炭化水素化合物は、ガス充填容器に充填する際の純度が高いだけでなく、長期間、ガス充填容器中でその高い純度が維持される必要がある。
一般に、ガス充填容器としては、マンガン鋼製やクロムモリブデン鋼製のものが使用されている。また、ガス充填容器の内面に微細な凹凸があると、充填したガスの汚染を引き起こす水、不純物ガス、金属粒子等がその内面に吸着し易くなる。このため、通常、高純度のガスを充填するガス充填容器の内面には、鏡面状になるまで研磨処理が施される。
ガス充填容器の内面の研磨方法としては、例えば次のものが知られている。
(i)特許文献1には、金属製中空容器の内面研磨処理方法が記載されている。この方法は、金属製中空容器の内部に研磨メディアと水を入れた後、この金属製中空容器をその軸心周りに回転させることにより、金属製中空容器の内面を研磨する工程を有する。また、この文献には、研磨メディアとして、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、酸化ジルコニウムなどのセラミックス材が記載されている。
(ii)特許文献2には、高圧ガス充填容器の内面処理方法が記載されている。この方法は、高圧ガス充填容器の内部を、防錆剤を含む研磨材で湿式研磨したのち、酸洗浄液(加水分解により弱酸性を呈するような塩の水溶液)を用いて洗浄する工程を有する。また、この文献には、(a)高圧ガス容器の内面は、その内面粗さが小さくなるにつれて酸化し易くなるため、この問題を解決するために防錆剤を含む研磨材を用いること、(b)防錆剤を含む研磨剤を用いると、研磨屑等のダストが防錆被膜に吸着し、水洗処理でこのダストを除去するのは困難であること、(c)特許文献2に記載の処理を行うことで、高圧ガス充填容器の内壁面に水分や酸素が吸着しにくくなり、充填したシランガスが分解し難くなること、も記載されている。
(iii)特許文献3には、砥材を用いる内面処理が施されたガス充填容器であって、容器内表面の状態がX線光電子分光法による測定によって特定されたハロゲン系ガス充填用ガス充填容器が記載されている。また、この文献には、ハロゲン系ガスの純度低下の原因となる不純物がハロゲン化ケイ素であることや、これが容器内面の残留Si分と充填ガスとの反応により生成することも記載されている。
(i)特許文献1には、金属製中空容器の内面研磨処理方法が記載されている。この方法は、金属製中空容器の内部に研磨メディアと水を入れた後、この金属製中空容器をその軸心周りに回転させることにより、金属製中空容器の内面を研磨する工程を有する。また、この文献には、研磨メディアとして、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、酸化ジルコニウムなどのセラミックス材が記載されている。
(ii)特許文献2には、高圧ガス充填容器の内面処理方法が記載されている。この方法は、高圧ガス充填容器の内部を、防錆剤を含む研磨材で湿式研磨したのち、酸洗浄液(加水分解により弱酸性を呈するような塩の水溶液)を用いて洗浄する工程を有する。また、この文献には、(a)高圧ガス容器の内面は、その内面粗さが小さくなるにつれて酸化し易くなるため、この問題を解決するために防錆剤を含む研磨材を用いること、(b)防錆剤を含む研磨剤を用いると、研磨屑等のダストが防錆被膜に吸着し、水洗処理でこのダストを除去するのは困難であること、(c)特許文献2に記載の処理を行うことで、高圧ガス充填容器の内壁面に水分や酸素が吸着しにくくなり、充填したシランガスが分解し難くなること、も記載されている。
(iii)特許文献3には、砥材を用いる内面処理が施されたガス充填容器であって、容器内表面の状態がX線光電子分光法による測定によって特定されたハロゲン系ガス充填用ガス充填容器が記載されている。また、この文献には、ハロゲン系ガスの純度低下の原因となる不純物がハロゲン化ケイ素であることや、これが容器内面の残留Si分と充填ガスとの反応により生成することも記載されている。
上述のように、これまでにもガス充填容器の内面の研磨方法について種々提案されている。
しかしながら、これらの方法によりガス充填容器の内面を処理した場合であっても、式:C4H9F又はC5H11Fで示されるフッ素化炭化水素化合物をそのガス充填容器に充填すると、ガス充填容器中で、経時的にその一部が分解し、脱HF化合物(オレフィン化合物)が生成する結果、フッ素化炭化水素化合物の純度が低下することがあった。
また、高圧ガス容器の内面を必要以上に平坦化すると、研磨処理に費用や時間がかかり過ぎるという問題があった。特に、特許文献2のように、高圧ガス容器の内面のRmaxを3μm以下にし、かつ、防錆被膜を設けるような場合、研磨剤を変えて研磨処理を繰り返したり、条件を変えて洗浄処理を繰り返したりする必要があるため、費用や時間をさらにかける必要があった。
しかしながら、これらの方法によりガス充填容器の内面を処理した場合であっても、式:C4H9F又はC5H11Fで示されるフッ素化炭化水素化合物をそのガス充填容器に充填すると、ガス充填容器中で、経時的にその一部が分解し、脱HF化合物(オレフィン化合物)が生成する結果、フッ素化炭化水素化合物の純度が低下することがあった。
また、高圧ガス容器の内面を必要以上に平坦化すると、研磨処理に費用や時間がかかり過ぎるという問題があった。特に、特許文献2のように、高圧ガス容器の内面のRmaxを3μm以下にし、かつ、防錆被膜を設けるような場合、研磨剤を変えて研磨処理を繰り返したり、条件を変えて洗浄処理を繰り返したりする必要があるため、費用や時間をさらにかける必要があった。
本発明は、上記した従来技術に鑑みてなされたものであり、ガス充填容器の内部に、式:C4H9F又はC5H11Fで示されるフッ素化炭化水素化合物が充填されてなり、充填されたフッ素化炭化水素化合物の純度が低下しにくい、フッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器を提供することを課題とする。
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、式:C4H9F又はC5H11Fで示されるフッ素化炭化水素化合物をガス充填容器に充填する際に、材質がマンガン鋼であり、かつ、内面に付着しているアルミニウムの量が少ないガス充填容器を用いることで、充填されたフッ素化炭化水素化合物の純度を維持し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
かくして本発明によれば、下記〔1〕〜〔8〕のフッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器が提供される。
〔1〕ガス充填容器の内部に、フッ素化炭化水素化合物が充填されてなる、フッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器であって、前記ガス充填容器の材質が、マンガン鋼であり、XPS分析法により測定した、前記ガス充填容器の内面のアルミニウム付着量が、1モル%以下であり、かつ、前記フッ素化炭化水素化合物が、式:C4H9F又はC5H11Fで示される化合物であることを特徴とする、フッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器。
〔2〕前記ガス充填容器の内面の最大高さ(Rmax)が、25μm以下である、〔1〕に記載のフッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器。
〔3〕前記ガス充填容器の内面が、研磨石を用いる研磨処理が施されたものである、〔1〕又は〔2〕に記載のフッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器。
〔4〕前記フッ素化炭化水素化合物が、分子末端の炭素原子にフッ素原子が結合していない化合物である、〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載のフッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器。
〔5〕前記フッ素化炭化水素化合物が、2−フルオロブタン、2−フルオロ−2−メチルプロパン、及び2−フルオロペンタンからなる群より選択される化合物である、〔1〕〜〔4〕のいずれかに記載のフッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器。
〔6〕前記ガス充填容器に充填するフッ素化炭化水素化合物の純度〔純度(α)〕が、99.90体積%以上である、〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載のフッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器。
〔7〕前記フッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器を、フッ素化炭化水素化合物の充填後、23℃で30日間静置した後において、前記容器中のフッ素化炭化水素化合物の純度〔純度(β)〕が、99.90体積%以上である、〔6〕に記載のフッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器。
〔8〕前記純度(α)と前記純度(β)の差〔純度(α)−純度(β)〕が、0.02パーセントポイント未満である、〔7〕に記載のフッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器。
〔1〕ガス充填容器の内部に、フッ素化炭化水素化合物が充填されてなる、フッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器であって、前記ガス充填容器の材質が、マンガン鋼であり、XPS分析法により測定した、前記ガス充填容器の内面のアルミニウム付着量が、1モル%以下であり、かつ、前記フッ素化炭化水素化合物が、式:C4H9F又はC5H11Fで示される化合物であることを特徴とする、フッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器。
〔2〕前記ガス充填容器の内面の最大高さ(Rmax)が、25μm以下である、〔1〕に記載のフッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器。
〔3〕前記ガス充填容器の内面が、研磨石を用いる研磨処理が施されたものである、〔1〕又は〔2〕に記載のフッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器。
〔4〕前記フッ素化炭化水素化合物が、分子末端の炭素原子にフッ素原子が結合していない化合物である、〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載のフッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器。
〔5〕前記フッ素化炭化水素化合物が、2−フルオロブタン、2−フルオロ−2−メチルプロパン、及び2−フルオロペンタンからなる群より選択される化合物である、〔1〕〜〔4〕のいずれかに記載のフッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器。
〔6〕前記ガス充填容器に充填するフッ素化炭化水素化合物の純度〔純度(α)〕が、99.90体積%以上である、〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載のフッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器。
〔7〕前記フッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器を、フッ素化炭化水素化合物の充填後、23℃で30日間静置した後において、前記容器中のフッ素化炭化水素化合物の純度〔純度(β)〕が、99.90体積%以上である、〔6〕に記載のフッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器。
〔8〕前記純度(α)と前記純度(β)の差〔純度(α)−純度(β)〕が、0.02パーセントポイント未満である、〔7〕に記載のフッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器。
本発明によれば、ガス充填容器の内部に、式:C4H9F又はC5H11Fで示されるフッ素化炭化水素化合物が充填されてなり、充填されたフッ素化炭化水素化合物の純度が低下しにくい、フッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器が提供される。
本発明のフッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器(以下、「充填済みガス充填容器」ということがある。)は、ガス充填容器の内部に、フッ素化炭化水素化合物が充填されてなるものであって、前記ガス充填容器の材質が、マンガン鋼であり、XPS分析法(X線光電子分光法)により測定した、前記ガス充填容器の内面のアルミニウム付着量が、1モル%以下であり、かつ、前記フッ素化炭化水素化合物が、式:C4H9F又はC5H11Fで示される化合物(以下、「フッ素化炭化水素化合物(I)」ということがある。)であることを特徴とする。
〔ガス充填容器〕
本発明の充填済みガス充填容器を構成するガス充填容器は、その材質が、マンガン鋼であり、かつ、XPS分析法により測定した、前記ガス充填容器の内面のアルミニウム付着量が、1モル%以下のものである。
本発明の充填済みガス充填容器を構成するガス充填容器は、その材質が、マンガン鋼であり、かつ、XPS分析法により測定した、前記ガス充填容器の内面のアルミニウム付着量が、1モル%以下のものである。
一般に、ガス充填容器としては、マンガン鋼製やクロムモリブデン鋼製のものが用いられているが、本発明においては、マンガン鋼製のものを用いる。マンガン鋼製のガス充填容器を用いることで、本発明の充填済みガス充填容器を長期間保管したときであっても、充填したフッ素化炭化水素化合物(I)の分解が抑制され、フッ素化炭化水素化合物(I)の純度の低下を避けることができる。
マンガン鋼製のガス充填容器としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。
マンガン鋼製のガス充填容器としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。
用いるガス充填容器は、その内面に研磨処理が施されたものが好ましい。ガス充填容器の内面に研磨処理を施すことで、水や不純物ガスの吸着を抑制することができる。したがって、その内面に研磨処理が施されたガス充填容器にフッ素化炭化水素化合物(I)を充填することで、水や不純物ガスの混入等による、フッ素化炭化水素化合物(I)の純度の低下を避けることができる。
用いるガス充填容器の内面の最大高さ(Rmax)は、好ましくは25μm以下、より好ましくは5μm以下である。下限値は特にないが、通常は1μm以上である。
一般に、ガス充填容器は、その内面の最大高さ(Rmax)が小さいものほど高純度ガス用の充填容器としてより適しているといわれているが、本発明の充填済みガス充填容器は、そのガス充填容器の内面の最大高さ(Rmax)を必要以上に小さくしなくても、十分にフッ素化炭化水素化合物の高い純度を維持することができる。例えば、本発明の充填済みガス充填容器においては、ガス充填容器の内面の最大高さ(Rmax)が3μm超であっても、長期間にわたりフッ素化炭化水素化合物の高い純度を維持することができる。また、ガス充填容器を製造する際の費用や時間を考慮すると、ガス充填容器の内面の最大高さ(Rmax)は4μm以上が好ましい。
ガス充填容器の内面の最大高さは、表面粗さ測定装置を用いて測定することができる。
一般に、ガス充填容器は、その内面の最大高さ(Rmax)が小さいものほど高純度ガス用の充填容器としてより適しているといわれているが、本発明の充填済みガス充填容器は、そのガス充填容器の内面の最大高さ(Rmax)を必要以上に小さくしなくても、十分にフッ素化炭化水素化合物の高い純度を維持することができる。例えば、本発明の充填済みガス充填容器においては、ガス充填容器の内面の最大高さ(Rmax)が3μm超であっても、長期間にわたりフッ素化炭化水素化合物の高い純度を維持することができる。また、ガス充填容器を製造する際の費用や時間を考慮すると、ガス充填容器の内面の最大高さ(Rmax)は4μm以上が好ましい。
ガス充填容器の内面の最大高さは、表面粗さ測定装置を用いて測定することができる。
研磨処理としては、ガス充填容器の内面を効率よく研磨し得ることから、研磨石を用いる研磨処理が好ましい。
研磨石を用いる研磨処理としては、例えば、バレル研磨処理が挙げられる。
ガス充填容器の内面をバレル研磨処理する方法としては、例えば、ガス充填容器内に、研磨石、溶媒、添加剤等を入れて密栓した後、このガス充填容器を、自転運動と公転運動とを組み合わせて高速回転させることで、ガス充填容器の内面に研磨石を接触させ、ガス充填容器の内面を研磨する方法が挙げられる。
研磨石を用いる研磨処理としては、例えば、バレル研磨処理が挙げられる。
ガス充填容器の内面をバレル研磨処理する方法としては、例えば、ガス充填容器内に、研磨石、溶媒、添加剤等を入れて密栓した後、このガス充填容器を、自転運動と公転運動とを組み合わせて高速回転させることで、ガス充填容器の内面に研磨石を接触させ、ガス充填容器の内面を研磨する方法が挙げられる。
研磨処理に用いる研磨石は特に限定されず、公知のものを使用することができる。ただし、本発明においては、ガス充填容器の内面のアルミニウム付着量を減らす必要があるため、後述するように、採用する研磨処理に応じて適切な研磨石を選択する必要がある。
研磨石の材質としては、ダイヤモンド、ジルコニア、アルミナ、シリカ、窒化ケイ素、炭化ケイ素、シリカ−アルミナ、鉄、炭素鋼、クロム鋼、ステンレス鋼等が挙げられる。
研磨石の形状や粒径は、特に限定されない。
研磨石の形状としては、球、四角柱、三角柱、三角錐等が挙げられる。
研磨石の粒径は、通常、0.1μmから100mmである。球状ではない場合の粒径とは、顕微鏡等で観察したときの長辺と短辺の平均値をいう。
本発明においては、研磨石を一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。
特に、研磨処理を効率よく行うことができることから、粒径の異なる数種の研磨石を組み合わせて使用することが好ましい。例えば、粒径が1〜20mmの研磨石と、粒径が1〜100μmの研磨石とを併用することで、研磨処理を効率よく行うことができる。
研磨石の形状としては、球、四角柱、三角柱、三角錐等が挙げられる。
研磨石の粒径は、通常、0.1μmから100mmである。球状ではない場合の粒径とは、顕微鏡等で観察したときの長辺と短辺の平均値をいう。
本発明においては、研磨石を一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。
特に、研磨処理を効率よく行うことができることから、粒径の異なる数種の研磨石を組み合わせて使用することが好ましい。例えば、粒径が1〜20mmの研磨石と、粒径が1〜100μmの研磨石とを併用することで、研磨処理を効率よく行うことができる。
研磨処理に用いる溶媒は、特に限定されないが、通常は水が用いられる。
研磨処理に用いる添加剤としては、pH調整剤、界面活性剤、防錆剤等が挙げられる。
研磨処理に用いる添加剤としては、pH調整剤、界面活性剤、防錆剤等が挙げられる。
バレル研磨法において、研磨石、溶媒、添加剤等の使用量、回転数、処理時間等は特に限定されず、公知の条件を適宜利用することができる。
本発明に用いるガス充填容器の内面のアルミニウム付着量は、XPS分析法により分析したときに1モル%以下であり、好ましくは0.5モル%以下、より好ましくは0.1%モル以下である。下限値は特にないが、通常は0.05モル%以上である。
ガス充填容器の内面のアルミニウム付着量が1モル%以下であることで、本発明の充填済みガス充填容器を長期間保管したときであっても、充填したフッ素化炭化水素化合物(I)の分解が抑制され、フッ素化炭化水素化合物(I)の純度の低下を避けることができる。
なお、上記「アルミニウム付着量」の「アルミニウム」とは、「アルミニウム元素」を意味するものであり、ガス充填容器の内面には、金属アルミニウム又はアルミニウム化合物が付着していると考えられる。
ガス充填容器の内面に付着している金属アルミニウム又はアルミニウム化合物は、フッ素化炭化水素化合物(I)の脱フッ化水素反応の触媒として作用すると考えられる。
このため、内面にアルミニウムがほとんど存在しないガス充填容器を用いる本発明の充填済みガス充填容器においては、充填したフッ素化炭化水素化合物(I)の分解が抑制されていると考えらえる。
ガス充填容器の内面のアルミニウム付着量は、実施例に記載の方法により測定することができる。
ガス充填容器の内面のアルミニウム付着量が1モル%以下であることで、本発明の充填済みガス充填容器を長期間保管したときであっても、充填したフッ素化炭化水素化合物(I)の分解が抑制され、フッ素化炭化水素化合物(I)の純度の低下を避けることができる。
なお、上記「アルミニウム付着量」の「アルミニウム」とは、「アルミニウム元素」を意味するものであり、ガス充填容器の内面には、金属アルミニウム又はアルミニウム化合物が付着していると考えられる。
ガス充填容器の内面に付着している金属アルミニウム又はアルミニウム化合物は、フッ素化炭化水素化合物(I)の脱フッ化水素反応の触媒として作用すると考えられる。
このため、内面にアルミニウムがほとんど存在しないガス充填容器を用いる本発明の充填済みガス充填容器においては、充填したフッ素化炭化水素化合物(I)の分解が抑制されていると考えらえる。
ガス充填容器の内面のアルミニウム付着量は、実施例に記載の方法により測定することができる。
ガス充填容器の内面のアルミニウム付着量が1モル%以下のガス充填容器は、例えば、アルミニウムを含有しない研磨石を用いて、ガス充填容器の内面に研磨処理を施す方法(方法1)や、アルミニウムを含有する研磨石を用いて、ガス充填容器の内面に研磨処理を施した後、化学研磨処理液を用いて、ガス充填容器の内面に化学研磨処理を施す方法(方法2)により製造することができる。
上記のアルミニウムを含有しない研磨石とは、アルミニウム元素量が100重量ppm以下の研磨石を意味し、アルミニウムを含有する研磨石とは、アルミニウム元素量が100重量ppm超の研磨石を意味する。
この「アルミニウム元素量」は、金属アルミニウムの量とアルミニウム化合物の量の両方を含むものであるが、通常は、アルミニウム化合物(アルミナ)を構成するアルミニウム元素の量である。
研磨石中のアルミニウム元素量は、例えばXRF分析法(蛍光X線分析法)により定量することができる。
上記のアルミニウムを含有しない研磨石とは、アルミニウム元素量が100重量ppm以下の研磨石を意味し、アルミニウムを含有する研磨石とは、アルミニウム元素量が100重量ppm超の研磨石を意味する。
この「アルミニウム元素量」は、金属アルミニウムの量とアルミニウム化合物の量の両方を含むものであるが、通常は、アルミニウム化合物(アルミナ)を構成するアルミニウム元素の量である。
研磨石中のアルミニウム元素量は、例えばXRF分析法(蛍光X線分析法)により定量することができる。
方法1においては、アルミニウムを含有しない研磨石を用いて、ガス充填容器の内面に研磨処理を施すため、ガス充填容器内面にアルミニウムが残留することはない。したがって、方法1によれば、ガス充填容器の内面のアルミニウム付着量が1モル%以下のガス充填容器を効率よく得ることができる。
方法1において用いるアルミニウムを含有しない研磨石としては、鉄を主成分とするものが好ましい。「鉄を主成分とする」とは、鉄元素量が、50重量%以上であることをいう。
鉄を主成分とする研磨石としては、鉄製、炭素鋼製、クロム鋼製、ステンレス鋼製のものが挙げられ、炭素鋼製のものが好ましい。
鉄を主成分とする研磨石としては、鉄製、炭素鋼製、クロム鋼製、ステンレス鋼製のものが挙げられ、炭素鋼製のものが好ましい。
方法2においては、アルミニウムを含有する研磨石を用いて、ガス充填容器の内面に研磨処理を施すため、研磨処理直後にはガス充填容器の内面にアルミニウムが残留する。したがって、この後に化学研磨処理液を用いて、ガス充填容器の内面に化学研磨処理を施す。この化学研磨処理を施すことによって、例えば、ガス充填容器の内面にアルミナ等が付着している場合、これを分解除去することができ、ガス充填容器の内面のアルミニウム付着量が1モル%以下のガス充填容器を得ることができる。
ここで、アルミニウムの含有率が高い(アルミニウムの含有率が99重量%以上)研磨石(アルミナ純度が高い研磨石)を用いることで、ガス充填容器の内面をより平滑化し得ることが知られている。しかしながら、この方法においては、通常、アルミニウムの含有率が異なる複数の研磨石を用意し、研磨石を変えながら、研磨処理を複数回繰り返す必要があるため、このような方法は、費用面及び作業時間の観点からは好ましくはない。
特に、(i)前述のように、本発明に用いるガス充填容器の内面はある程度平滑であればそれで十分であり、必要以上に平滑化する必要がないこと、(ii)アルミニウムの含有率が高い研磨石を用いて研磨処理を行った場合、その後の化学研磨処理によりガス充填容器の内面のアルミニウム付着量を1モル%以下にすることが困難になるおそれがあること、等を考慮すると、上記方法2に用いる研磨石は、アルミニウムの含有量が格別高いものである必要はなく、通常の研磨処理に用いられてきたもので十分である。
特に、(i)前述のように、本発明に用いるガス充填容器の内面はある程度平滑であればそれで十分であり、必要以上に平滑化する必要がないこと、(ii)アルミニウムの含有率が高い研磨石を用いて研磨処理を行った場合、その後の化学研磨処理によりガス充填容器の内面のアルミニウム付着量を1モル%以下にすることが困難になるおそれがあること、等を考慮すると、上記方法2に用いる研磨石は、アルミニウムの含有量が格別高いものである必要はなく、通常の研磨処理に用いられてきたもので十分である。
化学研磨処理に用いる化学研磨処理液としては、塩酸、リン酸、硝酸、硫酸、フッ酸等のいずれかを含む酸性研磨液が挙げられる。
化学研磨処理液は、界面活性剤、粘度調整剤、光沢剤等の添加剤を含有するものであってもよい。
化学研磨処理は、例えば、化学研磨処理液を、ガス充填容器の内面に接触させることにより行うことができる。
化学研磨処理をする際は、ガス充填容器内の内容物(研磨石等)を除去した後、そのまま行ってもよいし、ガス充填容器内の内容物(研磨石等)を除去し、次いで、純水等で洗浄した後に行ってもよい。
化学研磨処理液は、界面活性剤、粘度調整剤、光沢剤等の添加剤を含有するものであってもよい。
化学研磨処理は、例えば、化学研磨処理液を、ガス充填容器の内面に接触させることにより行うことができる。
化学研磨処理をする際は、ガス充填容器内の内容物(研磨石等)を除去した後、そのまま行ってもよいし、ガス充填容器内の内容物(研磨石等)を除去し、次いで、純水等で洗浄した後に行ってもよい。
化学研磨処理をするときの温度は特に限定されないが、通常80〜150℃、好ましくは80〜120℃である。
化学研磨処理の処理時間は使用する化学研磨処理液により異なるが、特に限定されず、通常30秒〜60分、好ましくは1分〜10分である。
化学研磨処理の処理時間は使用する化学研磨処理液により異なるが、特に限定されず、通常30秒〜60分、好ましくは1分〜10分である。
上記の方法1又は方法2の処理の後、常法に従って、ガス充填容器の内部を水、水溶性有機溶媒等で洗浄し、次いで、ガス充填容器にバルブを装着し、真空加熱乾燥法等により、ガス充填容器の内部を乾燥することで、本発明に用いるガス充填容器を得ることができる。
これらの洗浄操作、乾燥操作は常法に従って行うことができる。
これらの洗浄操作、乾燥操作は常法に従って行うことができる。
〔フッ素化炭化水素化合物〕
本発明の充填済みガス充填容器を構成するフッ素化炭化水素化合物は、ガス充填容器の内部に充填されるものであって、式:C4H9F又はC5H11Fで示される化合物〔フッ素化炭化水素化合物(I)〕である。
C4H9Fで示される化合物としては、1−フルオロブタン、2−フルオロブタン、1−フルオロ−2−メチルプロパン、及び2−フルオロ−2−メチルプロパンが挙げられる。
C5H11Fで示される化合物としては、1−フルオロペンタン、2−フルオロペンタン、3−フルオロペンタン、1−フルオロ−2−メチルブタン、1−フルオロ−3−メチルブタン、2−フルオロ−2−メチルブタン、2−フルオロ−3−メチルブタン、及び1−フルオロ−2,2−ジメチルプロパンが挙げられる。
本発明の充填済みガス充填容器を構成するフッ素化炭化水素化合物は、ガス充填容器の内部に充填されるものであって、式:C4H9F又はC5H11Fで示される化合物〔フッ素化炭化水素化合物(I)〕である。
C4H9Fで示される化合物としては、1−フルオロブタン、2−フルオロブタン、1−フルオロ−2−メチルプロパン、及び2−フルオロ−2−メチルプロパンが挙げられる。
C5H11Fで示される化合物としては、1−フルオロペンタン、2−フルオロペンタン、3−フルオロペンタン、1−フルオロ−2−メチルブタン、1−フルオロ−3−メチルブタン、2−フルオロ−2−メチルブタン、2−フルオロ−3−メチルブタン、及び1−フルオロ−2,2−ジメチルプロパンが挙げられる。
これらの中でも、後述するように、本発明の効果がより顕著に現れることから、フッ素化炭化水素化合物(I)としては、分子末端の炭素原子にフッ素原子が結合していない化合物〔以下、「フッ素化炭化水素化合物(II)」ということがある。〕が好ましい。
一般に、フッ素化炭化水素化合物(II)は、分子末端の炭素原子にフッ素原子が結合しているフッ素化炭化水素化合物に比べて分解し易い。
したがって、従来、フッ素化炭化水素化合物(II)をガス充填容器に充填して長期間その純度を維持することは困難であった。
本発明に用いるガス充填容器は、上記のように、その材質がマンガン鋼であり、かつ、その内面にアルミニウムがほとんど付着していないことから、フッ素化炭化水素化合物(II)を充填する場合であっても、長期間その純度を維持することができるものである。
したがって、従来、フッ素化炭化水素化合物(II)をガス充填容器に充填して長期間その純度を維持することは困難であった。
本発明に用いるガス充填容器は、上記のように、その材質がマンガン鋼であり、かつ、その内面にアルミニウムがほとんど付着していないことから、フッ素化炭化水素化合物(II)を充填する場合であっても、長期間その純度を維持することができるものである。
本発明に用いるフッ素化炭化水素化合物(II)としては、2−フルオロブタン、2−フルオロ−2−メチルプロパン、2−フルオロペンタン、3−フルオロペンタン、2−フルオロ−2−メチルブタン、2−フルオロ−3−メチルブタンが挙げられ、2−フルオロブタン、2−メチル−2−フルオロプロパン、又は2−フルオロペンタンが好ましく、2−フルオロブタンがより好ましい。
〔充填済みガス充填容器〕
本発明の充填済みガス充填容器は、前記ガス充填容器に、フッ素化炭化水素化合物(I)を充填することにより得ることができる。
充填方法は特に限定されず、公知の方法を利用することができる。
本発明の充填済みガス充填容器は、前記ガス充填容器に、フッ素化炭化水素化合物(I)を充填することにより得ることができる。
充填方法は特に限定されず、公知の方法を利用することができる。
ガス充填容器に充填するフッ素化炭化水素化合物(I)の純度〔純度(α)〕は、99.90体積%以上が好ましく、99.95体積%以上がより好ましい。
本発明の充填済みガス充填容器は、充填されたフッ素化炭化水素化合物(I)が分解し難く、その純度が低下し難いものである。
充填済みガス充填容器を、上記の純度のフッ素化炭化水素化合物(I)の充填後、23℃で30日間静置した後において、前記容器中のフッ素化炭化水素化合物(I)の純度〔純度(β)〕は、99.90体積%以上が好ましく、99.95体積%以上がより好ましい。
また、前記純度(α)と前記純度(β)の差〔純度(α)−純度(β)〕は、0.02パーセントポイント未満が好ましく、0.01パーセントポイント未満がより好ましい。純度の測定は、後述する測定条件におけるガスクロマトグラフィー分析により測定される。
充填済みガス充填容器を、上記の純度のフッ素化炭化水素化合物(I)の充填後、23℃で30日間静置した後において、前記容器中のフッ素化炭化水素化合物(I)の純度〔純度(β)〕は、99.90体積%以上が好ましく、99.95体積%以上がより好ましい。
また、前記純度(α)と前記純度(β)の差〔純度(α)−純度(β)〕は、0.02パーセントポイント未満が好ましく、0.01パーセントポイント未満がより好ましい。純度の測定は、後述する測定条件におけるガスクロマトグラフィー分析により測定される。
このように、本発明の充填済みガス充填容器によれば、フッ素化炭化水素化合物(I)の高い純度を長期間維持することができる。このため、本発明の充填済みガス充填容器は、半導体装置等を製造する際のエッチング処理に好適に利用される。
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明をさらに詳細に説明する。なお、本発明はこれらの例に何ら限定されるものではない。
〔ガスクロマトグラフィー分析〕
実施例及び比較例において、フッ素化炭化水素化合物の純度と、フッ素化炭化水素化合物の分解物(脱HF化合物)の量を求めるために、ガスクロマトグラフィー分析(GC分析)を行った。
GC分析の分析条件は以下のとおりである。
装置:Agilent(登録商標)7890A(アジレント社製)
カラム:ジーエルサイエンス社製、製品名「Inert Cap(登録商標)1」、長さ60m、内径0.25mm、膜厚1.5μm
カラム温度:40℃で20分間保持
インジェクション温度:80℃
キャリヤーガス:窒素
スプリット比:40/1
検出器:FID
実施例及び比較例において、フッ素化炭化水素化合物の純度と、フッ素化炭化水素化合物の分解物(脱HF化合物)の量を求めるために、ガスクロマトグラフィー分析(GC分析)を行った。
GC分析の分析条件は以下のとおりである。
装置:Agilent(登録商標)7890A(アジレント社製)
カラム:ジーエルサイエンス社製、製品名「Inert Cap(登録商標)1」、長さ60m、内径0.25mm、膜厚1.5μm
カラム温度:40℃で20分間保持
インジェクション温度:80℃
キャリヤーガス:窒素
スプリット比:40/1
検出器:FID
〔XPS分析〕
実施例及び比較例において、ガス充填容器の内面のアルミニウム付着量を決定するために、XPS分析を行った。アルミニウム付着量は、装置に付属のMultipakソフトウェアを用いて、検出された元素の各ピーク面積強度を求め、相対感度係数法により算出した。
XPS分析の分析条件は以下のとおりである。
1.装置
型式:PHI5000VersaProbeII(アルバック・ファイ社製)
雰囲気:真空(<1.0×106Pa)
X線源:単色化Al Ka(1486.6eV)
分光器:静電同心半球型分光器
2.測定条件
X線ビーム径:100μmφ(25W、15kV)
信号の取り込み角:45.0°
パスエネルギー:23.5eV
測定エネルギー範囲:
Al2p 68−82eV
Cr2p 570−584eV
Mn2p 632−648eV
Fe2p 704−720eV
3.スパッタ条件
イオン源:Ar2,500 +
加速電圧:10kV
スパッタ領域:2mm×2mm
スパッタ時間:10分
実施例及び比較例において、ガス充填容器の内面のアルミニウム付着量を決定するために、XPS分析を行った。アルミニウム付着量は、装置に付属のMultipakソフトウェアを用いて、検出された元素の各ピーク面積強度を求め、相対感度係数法により算出した。
XPS分析の分析条件は以下のとおりである。
1.装置
型式:PHI5000VersaProbeII(アルバック・ファイ社製)
雰囲気:真空(<1.0×106Pa)
X線源:単色化Al Ka(1486.6eV)
分光器:静電同心半球型分光器
2.測定条件
X線ビーム径:100μmφ(25W、15kV)
信号の取り込み角:45.0°
パスエネルギー:23.5eV
測定エネルギー範囲:
Al2p 68−82eV
Cr2p 570−584eV
Mn2p 632−648eV
Fe2p 704−720eV
3.スパッタ条件
イオン源:Ar2,500 +
加速電圧:10kV
スパッタ領域:2mm×2mm
スパッタ時間:10分
〔XRF分析〕
実施例及び比較例において用いた研磨石中のアルミニウム元素量は、XRF分析を行い、標準試料なしのファンダメンタルパラメーター(FP)法により求めた。
XRF分析の分析条件は以下のとおりである。
装置:ZSX Primus(リガク社製)
雰囲気:真空
試料径:10mmφ (点滴ろ紙使用)
測定条件:EZスキャン(F〜U,標準)
実施例及び比較例において用いた研磨石中のアルミニウム元素量は、XRF分析を行い、標準試料なしのファンダメンタルパラメーター(FP)法により求めた。
XRF分析の分析条件は以下のとおりである。
装置:ZSX Primus(リガク社製)
雰囲気:真空
試料径:10mmφ (点滴ろ紙使用)
測定条件:EZスキャン(F〜U,標準)
〔用いた器具、試薬〕
ガス充填容器(1):マンガン鋼製、容量10L
ガス充填容器(2):クロムモリブデン鋼製、容量10L
研磨石(1):炭素鋼球(製品名:スチールボール5mm、東軸受社製)、アルミニウム含有量100重量ppm以下
研磨石(2):アルミナ含有研磨石(製品名:アルミナボール5mm、新東Vセラミック社製)、アルミニウム含有量93重量%
研磨助剤(1):製品名:GCP、チップトン社製
ガス充填容器(1):マンガン鋼製、容量10L
ガス充填容器(2):クロムモリブデン鋼製、容量10L
研磨石(1):炭素鋼球(製品名:スチールボール5mm、東軸受社製)、アルミニウム含有量100重量ppm以下
研磨石(2):アルミナ含有研磨石(製品名:アルミナボール5mm、新東Vセラミック社製)、アルミニウム含有量93重量%
研磨助剤(1):製品名:GCP、チップトン社製
〔実施例1〕
ガス充填容器(1)に、研磨石(1)15kg、純水5L、研磨助剤(1)100gを入れた後、内容物がこぼれないように密栓した。次いで、このガス充填容器に、その内面の最大高さ(Rmax)が5μmになるまで、バレル研磨処理を施した(回転数:100rpm、処理時間:1時間)。
バレル研磨処理の後、ガス充填容器の口を真下にしてスライド式ノズルをボンベ内に挿入し、高温高圧純水および高圧イソプロピルアルコールを噴射して、ガス充填容器の内部を洗浄した。次いで、ガス充填容器にバルブを取り付け、0.1Paに減圧して加熱し、その内部を乾燥した。
上記の処理を2本のガス充填容器に対して行い、2本の研磨処理済みガス充填容器を得た。
ガス充填容器(1)に、研磨石(1)15kg、純水5L、研磨助剤(1)100gを入れた後、内容物がこぼれないように密栓した。次いで、このガス充填容器に、その内面の最大高さ(Rmax)が5μmになるまで、バレル研磨処理を施した(回転数:100rpm、処理時間:1時間)。
バレル研磨処理の後、ガス充填容器の口を真下にしてスライド式ノズルをボンベ内に挿入し、高温高圧純水および高圧イソプロピルアルコールを噴射して、ガス充填容器の内部を洗浄した。次いで、ガス充填容器にバルブを取り付け、0.1Paに減圧して加熱し、その内部を乾燥した。
上記の処理を2本のガス充填容器に対して行い、2本の研磨処理済みガス充填容器を得た。
得られた研磨処理済みガス充填容器の1本を、レーザー切断機にて2cm角に切断し、これを測定試料として用いて、XPS分析を行い、ガス充填容器の内面のアルミニウム付着量を測定した。
また、もう1本の研磨処理済みガス充填容器を、2−フルオロブタン(純度:99.95体積%、脱HF化合物量:0.02体積%)が入っているステンレス製タンク(電解研磨処理済み)に繋がっているガス充填ラインに接続した。次いで、ガス充填ラインに対して、回分パージ処理(窒素ガスで満たした後に真空引きする処理)を施した後、研磨処理済みガス充填容器に、2−フルオロブタン1kgを充填し、2−フルオロブタン充填済みガス充填容器を得た。
2−フルオロブタンを充填してから、2−フルオロブタン充填済みガス充填容器を23℃で30日間静置した後、ガス充填容器中の2−フルオロブタンの純度、および脱HF化合物量を測定した。結果を第1表に示す。
また、もう1本の研磨処理済みガス充填容器を、2−フルオロブタン(純度:99.95体積%、脱HF化合物量:0.02体積%)が入っているステンレス製タンク(電解研磨処理済み)に繋がっているガス充填ラインに接続した。次いで、ガス充填ラインに対して、回分パージ処理(窒素ガスで満たした後に真空引きする処理)を施した後、研磨処理済みガス充填容器に、2−フルオロブタン1kgを充填し、2−フルオロブタン充填済みガス充填容器を得た。
2−フルオロブタンを充填してから、2−フルオロブタン充填済みガス充填容器を23℃で30日間静置した後、ガス充填容器中の2−フルオロブタンの純度、および脱HF化合物量を測定した。結果を第1表に示す。
〔比較例1〕
ガス充填容器(1)に、研磨石(2)5kg、純水5L、研磨助剤(1)200gを入れた後、内容物がこぼれないように密栓した。次いで、このガス充填容器に、その内面の最大高さ(Rmax)が25μmになるまで、バレル研磨処理を施した(回転数:100rpm、処理時間:1時間)。
バレル研磨処理の後、ガス充填容器の口を真下にしてスライド式ノズルをボンベ内に挿入して高温高圧純水および高圧イソプロピルアルコールを噴射して、ガス充填容器の内部を洗浄した。次いで、ガス充填容器にバルブを取り付け、0.1Paに減圧して加熱し、その内部を乾燥した。
上記の処理を2本のガス充填容器に対して行い、2本の研磨処理済みガス充填容器を得た。以下、実施例1と同様にして、ガス充填容器の内面に付着したアルミニウムの量の測定と、ガス充填容器中の2−フルオロブタンの純度、および脱HF化合物量を測定した。結果を第1表に示す。
ガス充填容器(1)に、研磨石(2)5kg、純水5L、研磨助剤(1)200gを入れた後、内容物がこぼれないように密栓した。次いで、このガス充填容器に、その内面の最大高さ(Rmax)が25μmになるまで、バレル研磨処理を施した(回転数:100rpm、処理時間:1時間)。
バレル研磨処理の後、ガス充填容器の口を真下にしてスライド式ノズルをボンベ内に挿入して高温高圧純水および高圧イソプロピルアルコールを噴射して、ガス充填容器の内部を洗浄した。次いで、ガス充填容器にバルブを取り付け、0.1Paに減圧して加熱し、その内部を乾燥した。
上記の処理を2本のガス充填容器に対して行い、2本の研磨処理済みガス充填容器を得た。以下、実施例1と同様にして、ガス充填容器の内面に付着したアルミニウムの量の測定と、ガス充填容器中の2−フルオロブタンの純度、および脱HF化合物量を測定した。結果を第1表に示す。
〔比較例2〕
ガス充填容器(1)に代えて、ガス充填容器(2)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、2本の研磨処理済みガス充填容器を得、これらを用いて、ガス充填容器の内面のアルミニウム付着量、ガス充填容器中の2−フルオロブタンの純度、および脱HF化合物量をそれぞれ測定した。結果を第1表に示す。
ガス充填容器(1)に代えて、ガス充填容器(2)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、2本の研磨処理済みガス充填容器を得、これらを用いて、ガス充填容器の内面のアルミニウム付着量、ガス充填容器中の2−フルオロブタンの純度、および脱HF化合物量をそれぞれ測定した。結果を第1表に示す。
〔比較例3〕
ガス充填容器(1)に代えて、ガス充填容器(2)を用いたこと以外は、比較例1と同様にして、2本の研磨処理済みガス充填容器を得、これらを用いて、ガス充填容器の内面のアルミニウム付着量、ガス充填容器中の2−フルオロブタンの純度、および脱HF化合物量をそれぞれ測定した。結果を第1表に示す。
ガス充填容器(1)に代えて、ガス充填容器(2)を用いたこと以外は、比較例1と同様にして、2本の研磨処理済みガス充填容器を得、これらを用いて、ガス充填容器の内面のアルミニウム付着量、ガス充填容器中の2−フルオロブタンの純度、および脱HF化合物量をそれぞれ測定した。結果を第1表に示す。
第1表から以下のことが分かる。
実施例1の2−フルオロブタン充填済みガス充填容器においては、30日経過後においても、2−フルオロブタンの分解反応はほとんど進行しておらず、その高い純度が維持されている。
一方、比較例1の2−フルオロブタン充填済みガス充填容器においては、ガス充填容器の内面にアルミニウムが多く付着しているため、30日経過後において、2−フルオロブタンの分解反応が進行している。
また、比較例2の2−フルオロブタン充填済みガス充填容器においては、ガス充填容器の材質が、クロムモリブデン鋼であるため、30日経過後において、2−フルオロブタンの分解反応が進行している。
さらに、比較例3の2−フルオロブタン充填済みガス充填容器においては、アルミニウム付着量、ガス充填容器の材質のいずれも本願発明の規定を満たさないものであるため、2−フルオロブタンの分解反応が顕著である。
実施例1の2−フルオロブタン充填済みガス充填容器においては、30日経過後においても、2−フルオロブタンの分解反応はほとんど進行しておらず、その高い純度が維持されている。
一方、比較例1の2−フルオロブタン充填済みガス充填容器においては、ガス充填容器の内面にアルミニウムが多く付着しているため、30日経過後において、2−フルオロブタンの分解反応が進行している。
また、比較例2の2−フルオロブタン充填済みガス充填容器においては、ガス充填容器の材質が、クロムモリブデン鋼であるため、30日経過後において、2−フルオロブタンの分解反応が進行している。
さらに、比較例3の2−フルオロブタン充填済みガス充填容器においては、アルミニウム付着量、ガス充填容器の材質のいずれも本願発明の規定を満たさないものであるため、2−フルオロブタンの分解反応が顕著である。
Claims (8)
- ガス充填容器の内部に、フッ素化炭化水素化合物が充填されてなる、フッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器であって、
前記ガス充填容器の材質が、マンガン鋼であり、
XPS分析法により測定した、前記ガス充填容器の内面のアルミニウム付着量が、1モル%以下であり、かつ、
前記フッ素化炭化水素化合物が、式:C4H9F又はC5H11Fで示される化合物であることを特徴とする、フッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器。 - 前記ガス充填容器の内面の最大高さ(Rmax)が、25μm以下である、請求項1に記載のフッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器。
- 前記ガス充填容器の内面が、研磨石を用いる研磨処理が施されたものである、請求項1又は2に記載のフッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器。
- 前記フッ素化炭化水素化合物が、分子末端の炭素原子にフッ素原子が結合していない化合物である、請求項1〜3のいずれかに記載のフッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器。
- 前記フッ素化炭化水素化合物が、2−フルオロブタン、2−フルオロ−2−メチルプロパン、及び2−フルオロペンタンからなる群より選択される化合物である、請求項1〜4のいずれかに記載のフッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器。
- 前記ガス充填容器に充填するフッ素化炭化水素化合物の純度〔純度(α)〕が、99.90体積%以上である、請求項1〜5のいずれかに記載のフッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器。
- 前記フッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器を、フッ素化炭化水素化合物の充填後、23℃で30日間静置した後において、前記容器中のフッ素化炭化水素化合物の純度〔純度(β)〕が、99.90体積%以上である、請求項6に記載のフッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器。
- 前記純度(α)と前記純度(β)の差〔純度(α)−純度(β)〕が、0.02パーセントポイント未満である、請求項7に記載のフッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015010539 | 2015-01-22 | ||
JP2015010539 | 2015-01-22 | ||
PCT/JP2016/051112 WO2016117464A1 (ja) | 2015-01-22 | 2016-01-15 | フッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016117464A1 true JPWO2016117464A1 (ja) | 2017-11-02 |
Family
ID=56417011
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016570605A Pending JPWO2016117464A1 (ja) | 2015-01-22 | 2016-01-15 | フッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20180015589A1 (ja) |
EP (1) | EP3249283A4 (ja) |
JP (1) | JPWO2016117464A1 (ja) |
KR (1) | KR20170103933A (ja) |
CN (1) | CN107110431B (ja) |
TW (1) | TW201634854A (ja) |
WO (1) | WO2016117464A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110832106B (zh) * | 2017-08-01 | 2022-04-15 | 中央硝子株式会社 | 已完成填充的容器的制造方法以及已完成填充的容器 |
IL302117A (en) | 2020-10-15 | 2023-06-01 | Resonac Corp | Container filled with gas and method of storage (E)-1,1,1,4,4,4-HEXAFLUORO-2-BUTENE |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000081196A (ja) * | 1998-09-03 | 2000-03-21 | Nippon Sanso Kk | 半導体プロセスガス用バルク供給装置 |
JP2004251335A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Mitsui Chemicals Inc | 高純度ガスの充填容器および当該容器に充填されたガス |
WO2009123038A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 日本ゼオン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
US20130105996A1 (en) * | 2011-10-26 | 2013-05-02 | Zeon Corporation | Low energy etch process for nitrogen-containing dielectric layer |
WO2014136877A1 (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-12 | 日本ゼオン株式会社 | 高純度2-フルオロブタン |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6029717A (en) * | 1993-04-28 | 2000-02-29 | Advanced Delivery & Chemical Systems, Ltd. | High aspect ratio containers for ultrahigh purity chemicals |
JP4035581B2 (ja) * | 1995-07-12 | 2008-01-23 | 日本エア・リキード株式会社 | 高圧ガス容器の内面処理方法 |
EP1037269A4 (en) * | 1998-09-03 | 2007-05-02 | Taiyo Nippon Sanso Corp | DEVICE FOR DELIVERING LARGE QUANTITY OF SEMICONDUCTOR PROCESSING GAS |
JP2004270917A (ja) * | 2002-08-05 | 2004-09-30 | Mitsui Chemicals Inc | ハロゲン系ガス充填容器およびこれに充填されたガス並びに充填容器の処理方法 |
TWI231850B (en) * | 2002-08-05 | 2005-05-01 | Mitsui Chemicals Inc | Processing method for high purity gas container and high purity gas filled in said container |
WO2005088185A1 (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Zeon Corporation | ガス製造設備、ガス供給容器、及び電子装置製造用ガス |
DE102007061062B4 (de) * | 2007-12-14 | 2012-08-02 | Peiner Träger GmbH | Verfahren zum Erzeugen einer bis zu 30% Mangan enthaltenden Stahlschmelze |
JP6307900B2 (ja) * | 2014-01-29 | 2018-04-11 | 日本ゼオン株式会社 | フッ素化炭化水素化合物充填ガス容器 |
-
2016
- 2016-01-15 JP JP2016570605A patent/JPWO2016117464A1/ja active Pending
- 2016-01-15 EP EP16740071.2A patent/EP3249283A4/en not_active Withdrawn
- 2016-01-15 TW TW105101181A patent/TW201634854A/zh unknown
- 2016-01-15 WO PCT/JP2016/051112 patent/WO2016117464A1/ja active Application Filing
- 2016-01-15 US US15/541,529 patent/US20180015589A1/en not_active Abandoned
- 2016-01-15 KR KR1020177022462A patent/KR20170103933A/ko unknown
- 2016-01-15 CN CN201680005467.2A patent/CN107110431B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000081196A (ja) * | 1998-09-03 | 2000-03-21 | Nippon Sanso Kk | 半導体プロセスガス用バルク供給装置 |
JP2004251335A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Mitsui Chemicals Inc | 高純度ガスの充填容器および当該容器に充填されたガス |
WO2009123038A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 日本ゼオン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
US20130105996A1 (en) * | 2011-10-26 | 2013-05-02 | Zeon Corporation | Low energy etch process for nitrogen-containing dielectric layer |
WO2014136877A1 (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-12 | 日本ゼオン株式会社 | 高純度2-フルオロブタン |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3249283A1 (en) | 2017-11-29 |
CN107110431A (zh) | 2017-08-29 |
WO2016117464A1 (ja) | 2016-07-28 |
US20180015589A1 (en) | 2018-01-18 |
KR20170103933A (ko) | 2017-09-13 |
CN107110431B (zh) | 2019-05-07 |
EP3249283A4 (en) | 2018-08-08 |
TW201634854A (zh) | 2016-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4988597B2 (ja) | 酸溶液によるシリコン電極アセンブリ表面の汚染除去 | |
JP5258873B2 (ja) | 電極組立体から表面の金属汚染を洗浄する方法 | |
KR101145470B1 (ko) | 실리케이트 재료용 세정 프로세스 및 장치 | |
TWI385723B (zh) | 矽電極組合蝕刻率及蝕刻均勻回復之方法 | |
JP7303467B2 (ja) | 充填済み容器の製造方法 | |
JP3749518B2 (ja) | セラミック物品の清浄化方法 | |
KR20090082149A (ko) | 세라믹 용사 부재, 그의 제조 방법 및 세라믹 용사 부재용 연마 미디어 | |
JPWO2016117464A1 (ja) | フッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器 | |
KR100575468B1 (ko) | 고순도 가스 충진용기의 처리방법 및 상기 용기에 충진된고순도 가스 | |
JP6307900B2 (ja) | フッ素化炭化水素化合物充填ガス容器 | |
KR101792078B1 (ko) | 반응기 표면의 선택적 에칭 | |
KR101001216B1 (ko) | 바렐 연마법을 이용한 인증표준가스 용기의 내면처리 방법 | |
JP2004270917A (ja) | ハロゲン系ガス充填容器およびこれに充填されたガス並びに充填容器の処理方法 | |
JP6154842B2 (ja) | 被験体表面の精密エッチング方法 | |
WO2023037564A1 (ja) | 分析液の回収方法 | |
JP2004251335A (ja) | 高純度ガスの充填容器および当該容器に充填されたガス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181015 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191023 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20191218 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200519 |