JPWO2016060151A1 - 高周波モジュール - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の高周波モジュールの第1実施形態について、図1〜図5を参照して説明する。なお、図1〜図3では、本発明にかかる主要な構成のみが図示されており、説明を簡易なものとするために、その他の構成は図示省略されている。また、後の説明で参照する各図面についても、図1〜図3と同様に主要な構成のみが図示されているが、以下の説明においてはその説明は省略する。
図1〜図3に示す高周波モジュール1は、携帯電話や携帯情報端末などの通信携帯端末が備えるマザー基板に搭載されるものであり、この実施形態では、第1のフィルタ14および第2のフィルタ15が設けられたフィルタ部品10(デュプレクサ)と、モジュール基板2と、整合回路3と、スイッチICや他のフィルタ部品、抵抗、コンデンサ、インダクタなどの各種の電子部品(図示省略)とを備え、高周波アンテナスイッチモジュールとして形成されている。
フィルタ部品10は、ウェハレベルパッケージ(WLP)構造を有し、平面視矩形状のフィルタ基板11と、絶縁層12と、カバー層13と、高周波信号の通過帯域が異なる第1のフィルタ14および第2のフィルタ15とを備えている。
この実施形態では、フィルタ部品10の第1のフィルタ14の特性調整用の各インダクタL1,L2は、それぞれ、モジュール基板2内に形成された配線電極6により形成されている。また、図1および図2に示すように、インダクタL2を形成する配線電極6が平面視において回路部品3aに接近して配置されている。また、シールド電極7が、平面視でモジュール基板2内において、インダクタL2とフィルタ部品10との間に配置されている。また、図2に示されているように、この実施形態では、平面視でモジュール基板2における、整合回路3を形成するインダクタ3bを有する回路部品3aの直下にシールド電極7が配置されていない。また、シールド電極7は、インダクタL2と、第1、第2のフィルタ14,15との磁界結合および/または電界結合を抑制するように配置されている。また、この実施形態では、平面視で、インダクタL2は第1のフィルタ14と重ならないように配置されている。
次に、フィルタ部品10のアイソレーション特性について説明する。なお、図4および図5に示すアイソレーション特性は、それぞれ、所定の周波数の送信信号が送信電極Txa(送信端子Txb)に入力されたときに受信電極Rxa(受信端子Rxb)において観測される送信信号の大きさを示したものである。なお、図4および図5それぞれの横軸は、送信電極Txaに入力された高周波信号の周波数(MHz)を示し、縦軸は、受信電極Rxbで観測された高周波信号の信号レベル(dB)を示す。なお、図4および図5中において矢印で示す周波数範囲は受信信号の周波数帯域(第2のフィルタ15の通過帯域)に相当し、送信電極Txaに入力されて第1のフィルタ14を通過した送信信号に含まれる当該周波数範囲の信号成分が所定の大きさ以下に抑制される必要がある。
次に、図6を参照して本発明の第2実施形態について説明する。
次に、図7を参照して本発明の第3実施形態について説明する。
次に、図8および図9を参照して本発明の第4実施形態について説明する。
次に、図10を参照して本発明の第5実施形態について説明する。
2 モジュール基板
2a 実装面
2b 実装用の電極
21〜24 誘電体層
3 整合回路
3a 回路部品
3c インダクタ(第2のインダクタ)
7 シールド電極
6,8 配線電極
10 フィルタ部品
14 第1のフィルタ
ANTb 共通端子(第2端子)
GNDa グランド電極(グランド)
GNDb グランド端子(第3端子)
L1,L2 インダクタ
Txb 送信端子(第1端子)
Claims (9)
- 第1の高周波信号が入力される第1端子、
前記第1端子に入力された前記第1の高周波信号が通過する第1のフィルタ、
前記第1のフィルタを通過した前記第1の高周波信号を出力する第2端子、および
前記第1のフィルタに接続された第3端子を有するフィルタ部品と、
前記第2端子に接続された整合回路と、
前記フィルタ部品が実装されたモジュール基板と、
前記モジュール基板内に設けられ、一端が前記第3端子に接続され、他端がグランドに接続された前記第1のフィルタの特性調整用のインダクタと、
前記インダクタと前記フィルタ部品との間に設けられたシールド電極とを備え、
前記インダクタと前記整合回路とが、電磁界結合により伝搬経路を形成するように配置され、
前記整合回路と前記フィルタ部品とは電磁界結合せず、
前記シールド電極は、
前記インダクタと前記フィルタ部品との電磁界結合を抑制するように配置されている
ことを特徴とする高周波モジュール。 - 前記整合回路と前記第1のフィルタとは電磁界結合せず、
前記シールド電極は、前記インダクタと前記第1のフィルタとの電磁界結合を抑制するように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の高周波モジュール。 - 前記整合回路と前記第1フィルタとの距離は、前記整合回路と前記インダクタとの距離よりも長いことを特徴とする請求項2に記載の高周波モジュール。
- 前記整合回路は、前記モジュール基板の実装面に設けられた実装用の電極に実装されたチップ型の回路部品により構成され、
平面視で、前記回路部品と前記シールド電極とが重ならないように配置されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の高周波モジュール。 - 前記モジュール基板は複数の誘電体層から構成され、
前記整合回路はモジュール基板内に設けられ、
前記整合回路と前記第1のフィルタとの間に、前記シールド電極が設けられていることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の高周波モジュール。 - 前記整合回路は、前記複数の誘電体層のうち前記インダクタが設けられている誘電体層と同じ誘電体層に設けられていることを特徴とする、請求項5に記載の高周波モジュール。
- 前記整合回路は、前記複数の誘電体層のうち前記インダクタが設けられている誘電体層と異なった誘電体層に設けられており、前記整合回路と前記インダクタは平面視で一部が重なるように配置されていることを特徴とする、請求項5に記載の高周波モジュール。
- 前記整合回路は、前記複数の誘電体層にわたって設けられた配線電極から構成され、
前記インダクタは、前記複数の誘電体層にわたって設けられた配線電極から構成されていることを特徴とする、請求項6または7に記載の高周波モジュール。 - 平面視で、前記インダクタは前記第1のフィルタと重ならないように配置されていることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の高周波モジュール。
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