JPWO2016047649A1 - パターン形成体の製造方法 - Google Patents
パターン形成体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2016047649A1 JPWO2016047649A1 JP2016550335A JP2016550335A JPWO2016047649A1 JP WO2016047649 A1 JPWO2016047649 A1 JP WO2016047649A1 JP 2016550335 A JP2016550335 A JP 2016550335A JP 2016550335 A JP2016550335 A JP 2016550335A JP WO2016047649 A1 JPWO2016047649 A1 JP WO2016047649A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- pattern
- acrylate
- meth
- concavo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 241
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 88
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 26
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 14
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 107
- 239000010408 film Substances 0.000 description 68
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 64
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 37
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 31
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 125000003827 glycol group Chemical group 0.000 description 14
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 12
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 12
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 description 11
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 10
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 9
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 7
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 7
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 7
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 6
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 6
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 4
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 4
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 3
- 238000007754 air knife coating Methods 0.000 description 3
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 3
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 3
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical class C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000007765 extrusion coating Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N (+)-borneol Chemical group C1C[C@@]2(C)[C@@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N 0.000 description 2
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MXFQRSUWYYSPOC-UHFFFAOYSA-N (2,2-dimethyl-3-prop-2-enoyloxypropyl) prop-2-enoate Chemical class C=CC(=O)OCC(C)(C)COC(=O)C=C MXFQRSUWYYSPOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ALVZNPYWJMLXKV-UHFFFAOYSA-N 1,9-Nonanediol Chemical compound OCCCCCCCCCO ALVZNPYWJMLXKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- PCKZAVNWRLEHIP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-[4-[[4-(2-hydroxy-2-methylpropanoyl)phenyl]methyl]phenyl]-2-methylpropan-1-one Chemical compound C1=CC(C(=O)C(C)(O)C)=CC=C1CC1=CC=C(C(=O)C(C)(C)O)C=C1 PCKZAVNWRLEHIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- RZVINYQDSSQUKO-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCOC1=CC=CC=C1 RZVINYQDSSQUKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical group C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical class OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007602 hot air drying Methods 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 2
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N tetraethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCOCCO UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- PCORJEZCUPLHGW-UHFFFAOYSA-N (2-ethyl-1-hydroxy-2-methylhexyl) prop-2-enoate Chemical compound CCCCC(C)(CC)C(O)OC(=O)C=C PCORJEZCUPLHGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKZFIPFKXAGEBP-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2-dimethylpropyl) benzoate Chemical compound OCC(C)(C)COC(=O)C1=CC=CC=C1 DKZFIPFKXAGEBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N (4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl) prop-2-enoate Chemical compound C1CC2(C)C(OC(=O)C=C)CC1C2(C)C PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKJOXAZJBOMXID-UHFFFAOYSA-N 1,1'-Oxybisoctane Chemical compound CCCCCCCCOCCCCCCCC NKJOXAZJBOMXID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIQRGMUSBYGDBL-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,2,3,4,5,5,5-decafluoropentane Chemical compound FC(F)(F)C(F)C(F)C(F)(F)C(F)(F)F RIQRGMUSBYGDBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940058015 1,3-butylene glycol Drugs 0.000 description 1
- WGYZMNBUZFHYRX-UHFFFAOYSA-N 1-(1-methoxypropan-2-yloxy)propan-2-ol Chemical compound COCC(C)OCC(C)O WGYZMNBUZFHYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIXZBXRQFZHIT-UHFFFAOYSA-N 1-[1-(1-hydroxypropan-2-yloxy)propan-2-yloxy]-3-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(O)COC(C)COC(C)CO XUIXZBXRQFZHIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWYVGKFDLWWQJX-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylazepan-2-one Chemical compound C=CN1CCCCCC1=O JWYVGKFDLWWQJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDCJDKXCCYFOCV-UHFFFAOYSA-N 1-hexadecoxyhexadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCOCCCCCCCCCCCCCCCC FDCJDKXCCYFOCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZKJNETINGMOHJG-UHFFFAOYSA-N 1-prop-1-enoxyprop-1-ene Chemical class CC=COC=CC ZKJNETINGMOHJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZZVAVMGKRNEAT-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylpropane-1,3-diol;3-hydroxy-2,2-dimethylpropanoic acid Chemical compound OCC(C)(C)CO.OCC(C)(C)C(O)=O CZZVAVMGKRNEAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNDAGYLOQWQWIM-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylpropyl 3-hydroxy-2,2-dimethylpropanoate Chemical compound CC(C)(C)COC(=O)C(C)(C)CO XNDAGYLOQWQWIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLIQLHSBZXDKLV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyethoxy)-1-phenoxyethanol Chemical compound OCCOCC(O)OC1=CC=CC=C1 HLIQLHSBZXDKLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UECGJSXCVLTIMQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-prop-2-enoyloxyethoxycarbonyl)cyclohexane-1-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCCCC1C(=O)OCCOC(=O)C=C UECGJSXCVLTIMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTOMIYMZGQUKIW-UHFFFAOYSA-N 2-(2-prop-2-enoyloxypropoxycarbonyl)benzoic acid Chemical compound C=CC(=O)OC(C)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O RTOMIYMZGQUKIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIOCEWASVZHBTK-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-oxo-2-phenylacetyl)oxyethoxy]ethyl 2-oxo-2-phenylacetate Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C(=O)OCCOCCOC(=O)C(=O)C1=CC=CC=C1 FIOCEWASVZHBTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXHDHAPOSIFMIG-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-(2-hydroxyethoxy)ethoxy]ethoxy]-1-phenoxyethanol Chemical compound OCCOCCOCCOCC(O)OC1=CC=CC=C1 XXHDHAPOSIFMIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBFOSROPNNOGQF-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-[2-[2-(2-hydroxyethoxy)ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]-1-phenoxyethanol Chemical compound OCCOCCOCCOCCOCCOCC(O)OC1=CC=CC=C1 OBFOSROPNNOGQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 2-benzyl-2-(dimethylamino)-1-(4-morpholin-4-ylphenyl)butan-1-one Chemical compound C=1C=C(N2CCOCC2)C=CC=1C(=O)C(CC)(N(C)C)CC1=CC=CC=C1 UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUWPYLDHGXPITC-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl 2-prop-2-enoylperoxycarbonylbenzoate Chemical compound C(C=1C(C(=O)OOC(C=C)=O)=CC=CC=1)(=O)OCCO AUWPYLDHGXPITC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(4-methylsulfanylphenyl)-2-morpholin-4-ylpropan-1-one Chemical compound C1=CC(SC)=CC=C1C(=O)C(C)(C)N1CCOCC1 LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004924 2-naphthylethyl group Chemical group C1=C(C=CC2=CC=CC=C12)CC* 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- VPKQPPJQTZJZDB-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-tridecafluorooctyl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CCOC(=O)C=C VPKQPPJQTZJZDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGNTUZCMJBTHOG-UHFFFAOYSA-N 3-[3-(2,3-dihydroxypropoxy)-2-hydroxypropoxy]propane-1,2-diol Chemical compound OCC(O)COCC(O)COCC(O)CO AGNTUZCMJBTHOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RDFQSFOGKVZWKF-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-2,2-dimethylpropanoic acid Chemical class OCC(C)(C)C(O)=O RDFQSFOGKVZWKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYUZOYPRAQASLN-UHFFFAOYSA-N 3-prop-2-enoyloxypropanoic acid Chemical compound OC(=O)CCOC(=O)C=C CYUZOYPRAQASLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXIFAEWFOJETOA-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-butyl Chemical group [CH2]CCCO SXIFAEWFOJETOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAGRUUPXPPLSRX-UHFFFAOYSA-N 4-prop-1-en-2-ylphenol Chemical compound CC(=C)C1=CC=C(O)C=C1 JAGRUUPXPPLSRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical group NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229920002292 Nylon 6 Polymers 0.000 description 1
- 229920002302 Nylon 6,6 Polymers 0.000 description 1
- HBDYKNFBMHEVTK-UHFFFAOYSA-N OC.OC.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.C1CC2CCC1C2 Chemical compound OC.OC.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.C1CC2CCC1C2 HBDYKNFBMHEVTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical class CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 208000034189 Sclerosis Diseases 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- PSGCQDPCAWOCSH-BREBYQMCSA-N [(1r,3r,4r)-4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl] prop-2-enoate Chemical compound C1C[C@@]2(C)[C@H](OC(=O)C=C)C[C@@H]1C2(C)C PSGCQDPCAWOCSH-BREBYQMCSA-N 0.000 description 1
- SEEVRZDUPHZSOX-WPWMEQJKSA-N [(e)-1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)carbazol-3-yl]ethylideneamino] acetate Chemical compound C=1C=C2N(CC)C3=CC=C(C(\C)=N\OC(C)=O)C=C3C2=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1C SEEVRZDUPHZSOX-WPWMEQJKSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000008062 acetophenones Chemical class 0.000 description 1
- ATMLPEJAVWINOF-UHFFFAOYSA-N acrylic acid acrylic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C ATMLPEJAVWINOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003712 anti-aging effect Effects 0.000 description 1
- 239000006116 anti-fingerprint coating Substances 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- GCTPMLUUWLLESL-UHFFFAOYSA-N benzyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC1=CC=CC=C1 GCTPMLUUWLLESL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical class C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004799 bromophenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 235000019437 butane-1,3-diol Nutrition 0.000 description 1
- KQBTUOVABZLXGP-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol;ethane-1,2-diol Chemical compound OCCO.OCCCCO KQBTUOVABZLXGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDPAAMHROJBRGE-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol;propane-1,2-diol Chemical compound CC(O)CO.OCCCCO DDPAAMHROJBRGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006226 butoxyethyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001951 carbamoylamino group Chemical group C(N)(=O)N* 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012986 chain transfer agent Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical group 0.000 description 1
- UMDIGDVSRWAXPJ-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid prop-2-enoic acid Chemical class OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C1CCCCC1C(O)=O UMDIGDVSRWAXPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 1
- JPZYWLWSLROXQG-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-prop-2-enoylperoxycarbonylbenzoate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OOC(=O)C=C JPZYWLWSLROXQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003018 immunoassay Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003951 lactams Chemical group 0.000 description 1
- 125000000686 lactone group Chemical group 0.000 description 1
- 235000020022 lambic Nutrition 0.000 description 1
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 1
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000005641 methacryl group Chemical group 0.000 description 1
- YDKNBNOOCSNPNS-UHFFFAOYSA-N methyl 1,3-benzoxazole-2-carboxylate Chemical compound C1=CC=C2OC(C(=O)OC)=NC2=C1 YDKNBNOOCSNPNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002921 oxetanes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003566 oxetanyl group Chemical group 0.000 description 1
- NRNFFDZCBYOZJY-UHFFFAOYSA-N p-quinodimethane Chemical group C=C1C=CC(=C)C=C1 NRNFFDZCBYOZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000913 palmityl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- MSSNHSVIGIHOJA-UHFFFAOYSA-N pentafluoropropane Chemical compound FC(F)CC(F)(F)F MSSNHSVIGIHOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZESLRDFSNLECD-UHFFFAOYSA-N phenyl prop-2-eneperoxoate Chemical class C=CC(=O)OOC1=CC=CC=C1 WZESLRDFSNLECD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920001281 polyalkylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N succinic acid Chemical class OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000565 sulfonamide group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- CYRMSUTZVYGINF-UHFFFAOYSA-N trichlorofluoromethane Chemical compound FC(Cl)(Cl)Cl CYRMSUTZVYGINF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940029284 trichlorofluoromethane Drugs 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005219 trimethyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N urethane group Chemical group NC(=O)OCC JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAPBSGBWRJIAAV-UHFFFAOYSA-N ε-Caprolactone Chemical compound O=C1CCCCCO1 PAPBSGBWRJIAAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D5/00—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
- B05D5/06—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain multicolour or other optical effects
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2/00—Processes of polymerisation
- C08F2/46—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
- C08F2/48—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
Description
特許文献1には、ゾルゲル法を利用して製造したインプリントパターン上にシラン材料を塗布して、撥水層を形成することが記載されている。
また、特許文献2には、インプリントリソグラフィ工程に多層膜を利用する方法が提案されており、パターン形成層はシリコンを含まない重合性組成物を用い、積層構造物としてシリコンを含む重合性組成物を用いることが記載されている。
よって、本発明の目的は、凹凸パターンの表面に膜が形成されたパターン形成体を、パターン欠陥の発生を抑制しつつ製造できる、パターン形成体の製造方法を提供することにある。
<1> 凹凸パターンの表面に、溶剤と膜形成成分を含む第1の組成物を適用する工程と、第1の組成物よりも表面張力が低い第2の組成物を、凹凸パターンの表面が、適用した第1の組成物から露出する前に、凹凸パターン上の第1の組成物を適用した領域上に適用する工程と、凹凸パターンに適用された第1の組成物および第2の組成物を乾燥して、凹凸パターンの表面に膜を形成する工程とを含む、パターン形成体の製造方法。
<2> 第1の組成物の25℃における表面張力と、第2の組成物の25℃における表面張力との差が2mN/m以上である、<1>に記載のパターン形成体の製造方法。
<3> 第1の組成物の25℃における表面張力が23mN/mを超える、<1>または<2>に記載のパターン形成体の製造方法。
<4> 第2の組成物の25℃における表面張力が23mN/m以下である、<1>または<2>に記載のパターン形成体の製造方法。
<5> 第1の組成物を凹凸パターン上に適用後、10秒以内に第2の組成物を、凹凸パターン上の第1の組成物を適用した領域に適用する、<1>〜<4>のいずれかに記載のパターン形成体の製造方法。
<6> 凹凸パターンが、光硬化性組成物を用いて形成された凹凸パターンである、<1>〜<5>のいずれかに記載のパターン形成体の製造方法。
<7> 光硬化性組成物が、重合性基を1個有する重合性化合物を含むものである、<6>に記載のパターン形成体の製造方法。
<8> 光硬化性組成物が、重合性基を1個有する重合性化合物を、光硬化性組成物に含まれる重合性化合物全量に対して、0〜60質量%の割合で含有するものである、<6>に記載のパターン形成体の製造方法。
<9> 凹凸パターンが、インプリント法で形成された凹凸パターンである、<1>〜<8>のいずれかに記載のパターン形成体の製造方法。
<10> 凹凸パターンが、幅300nm以下のパターンを有するものである、<1>〜<9>のいずれかに記載のパターン形成体の製造方法。
本明細書において「〜」とはその前後に記載される数値を下限値および上限値として含む意味で使用される。
本明細書において、「(メタ)アクリレート」は、アクリレートおよびメタクリレートを表し、「(メタ)アクリル」は、アクリルおよびメタクリルを表し、「(メタ)アクリロイル」は、アクリロイルおよびメタクリロイルを表す。
本明細書において、「インプリント」は、好ましくは、1nm〜10mmのサイズのパターン転写をいい、より好ましくは、およそ10nm〜100μmのサイズ(ナノインプリント)のパターン転写をいう。
本明細書における基(原子団)の表記において、置換および無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
本明細書において、「光」には、紫外、近紫外、遠紫外、可視、赤外等の領域の波長の光や、電磁波だけでなく、放射線も含まれる。放射線には、例えばマイクロ波、電子線、EUV、X線が含まれる。また248nmエキシマレーザー、193nmエキシマレーザー、172nmエキシマレーザーなどのレーザー光も用いることができる。これらの光は、光学フィルタを通したモノクロ光(単一波長光)を用いてもよいし、複数の波長の異なる光(複合光)でもよい。
本発明における質量平均分子量および数平均分子量は、特に述べない限り、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)で測定したものをいう。GPCは、得られたポリマーについて、溶媒を除去することによって単離し、得られた固形分をテトラヒドロフランにて0.1質量%に希釈して、HLC−8020GPC(東ソー(株)製)にて、TSKgel Super Multipore HZ−H(東ソー(株)製、4.6mmID×15cm)を3本直列につないだものをカラムとして測定することができる。条件は、試料濃度を0.35質量%、流速を0.35mL/min、サンプル注入量を10μL、測定温度を40℃とし、RI検出器を用いて行うことができる。
本明細書において、全固形分とは、組成物の全組成から溶剤を除いた成分の総質量をいう。
本明細書における固形分は、25℃における固形分である。
本明細書において、表面張力は、協和界面科学(株)製表面張力計SURFACE TENS−IOMETER CBVP−A3を用い、プラチナプレートを用いて25±0.2℃で測定し、プレート下端を測定サンプルに浸漬させた後引き上げた際の値である。プラチナプレートは測定前にアルコールランプにて加熱し表面の洗浄を実施する。
本明細書において、粘度は、東機産業(株)社製のRE−80L型回転粘度計を用い、25±0.2℃において、測定時の回転速度として、0.5mPa・s以上5mPa・s未満は100rpm、5mPa・s以上10mPa・s未満は50rpm、10mPa・s以上30mPa・s未満は20rpm、30mPa・s以上60mPa・s未満は10rpmで、それぞれ設定して測定した値である。
本発明によれば、凹凸パターンの表面に第1の組成物を適用した後、凹凸パターンの表面が第1の組成物から露出する前に、第1の組成物よりも表面張力の低い第2の組成物を、凹凸パターン上の第1の組成物を適用した領域上に適用するので、凹凸パターンの表面に適用した組成物の乾燥が進み液面が凸部以下になっても、パターン凸部にかかるキャピラリー力は、第1の組成物のみを単独で適用した場合よりも、よりも小さくできる。このため、組成物の乾燥に伴うパターン倒れなどのパターン欠陥の発生を抑制しつつ、凹凸パターンの表面に膜を形成することができる。特に、第1の組成物として、表面張力の高いものを用いた場合であっても、本発明の方法によれば、パターン凸部にかかるキャピラリー力をより小さくできる。
凹凸パターンの材質は、特に限定はない。光硬化性組成物、熱硬化性組成物、金属、シリコン、炭化ケイ素、金属などが挙げられ、光硬化性組成物が好ましい。光硬化性組成物で形成された凹凸パターンは、強度が低いものが多いので、凹凸パターンの表面に膜を形成する際、従来の方法ではパターン倒れが生じやすい傾向にあったが、本発明の方法によれば、強度の低い凹凸パターンに対しても、パターン倒れなどのパターン欠陥の発生を抑制しつつ、表面に膜を形成できる。
凹凸パターンは、幅300nm以下のパターンを有することが好ましく、幅100nm以下のパターンを有することがより好ましい。
また、パターン反転法により凹凸パターンを形成してもよい。パターン反転法とは、具体的には、炭素膜(SOC)などの基材に、レジストパターンを形成する。次に、レジストパターンをSi含有膜(SOG)などで被覆した後、Si含有膜の上部をエッチングバックしてレジストパターンを露出させ、露出したレジストパターンを酸素プラズマ等により除去することで、Si含有膜の反転パターンを形成することができる。さらにSi含有膜の反転パターンをエッチングマスクとして、その下層にある基材をエッチングすることで、基材に反転パターンが転写する。最後に、反転パターンが転写された基材をエッチングマスクとして、基材をエッチング加工する方法である。このような方法の例としては、特開平5−267253号公報、特開2002−110510号公報、特表2006−521702号公報の段落0016〜0030を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
本発明では、凹凸パターンの形成方法は、微細なパターンを低コスト且つ高い精度で形成することが可能であるという理由から、インプリント法がより好ましく、光インプリント法がさらに好ましい。
インプリント法による凹凸パターンの形成方法は、光硬化性組成物を、基材上またはパターンを有するモールド上に適用してパターン形成層を形成する工程と、基材とモールドとでパターン形成層を挟んで圧接する工程と、パターン形成層に光を照射する工程と、パターン形成層の表面からモールドを離型する工程を含む。以下説明する。
光硬化性組成物については、後述する。
基材としては、特に限定はなく、種々の用途によって選択可能である。例えば、石英、ガラス、光学フィルム、セラミック材料、蒸着膜、磁性膜、反射膜、Ni、Cu、Cr、Feなどの金属基板、紙、SOC(Spin On Carbon)、SOG(Spin On Glass)、ポリエステルフイルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム等のポリマー基板、薄膜トランジスタ(TFT)アレイ基板、プラズマディスプレイパネル(PDP)の電極板、ITO(酸化インジウムスズ)や金属などの導電性基板、絶縁性基板、シリコン、窒化シリコン、ポリシリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンなどの半導体作製基板などが挙げられる。
基材の形状も特に限定されるものではなく、板状でもよいし、ロール状でもよい。また、モールドとの組み合わせ等に応じて、光透過性、または、非光透過性のものを選択することができる。
基材は、光硬化性組成物と密着性を向上させるために、基材表面に下層膜形成用組成物を適用して、下層膜を形成したものを用いてもよい。下層膜形成用樹脂組成物は、例えば、重合性化合物と溶剤とを含むものが用いられる。下層膜形成用樹脂組成物としては、例えば、特開2014−24322号公報の段落番号0017〜0068、特開2013−93552号公報の段落番号0016〜0044に記載されたものを用いることができ、この内容は本願明細書に組み込まれる。下層膜形成用樹脂組成物の適用方法としては、塗布法が好ましい。塗布法としては、例えば、上述した方法が挙げられる。
モールドの材質は、特に限定されないが、所定の強度、耐久性を有するものであればよい。具体的には、ガラス、石英、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂などの光透明性樹脂、透明金属蒸着膜、ポリジメチルシロキサンなどの柔軟膜、光硬化膜、金属膜等が例示される。また、光透過性の基材を用いた場合には、非光透過型のモールドを用いることもできる。非光透過型のモールドの材質としては、特に限定されないが、所定の強度を有するものであればよい。具体的には、セラミック材料、蒸着膜、磁性膜、反射膜、Ni、Cu、Cr、Feなどの金属基板、SiC、シリコン、窒化シリコン、ポリシリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンなどが例示され、特に制約されない。また、モールドの形状も特に制約されるものではなく、板状モールド、ロール状モールドのどちらでもよい。ロール状モールドは、特に転写の連続生産性が必要な場合に適用される。
モールドは、光硬化性組成物とモールド表面との剥離性を向上させるために離型処理を行ったものを用いてもよい。このようなモールドとしては、シリコン系やフッソ系などのシランカップリング剤による処理を行ったもの、例えば、ダイキン工業(株)製のオプツールDSXや、住友スリーエム(株)製のNovec EGC−1720等、市販の離型剤も好適に用いることができる。
パターン形成層の膜厚は、使用する用途によって異なる。例えば、乾燥後の膜厚が0.03〜30μm程度が好ましい。また、光硬化性組成物を、多重塗布により塗布してもよい。インクジェット法などにより基材上に液滴を設置する方法において、液滴の量は1pl〜20pl程度が好ましく、液滴を間隔をあけて基材上またはモールド上に配置することが好ましい。
また、パターン形成層表面にモールドを押圧する際には、ヘリウムガスをモールドとパターン形成層表面との間に導入してもよい。このような方法を用いることにより、気体のモールドの透過を促進して、残留気泡の消失を促進させることができる。また、パターン形成層中の溶存酸素を低減することで、露光におけるラジカル重合阻害を抑制することができる。また、ヘリウムガスの替わりに、凝縮性ガスをモールドとパターン形成層との間に導入してもよい。このような方法を用いることにより、導入された凝縮性ガスが凝縮して体積が減少することを利用し、残留気泡の消滅をさらに促進させることができる。凝縮性ガスとは、温度や圧力により凝縮するガスのことをいい、例えば、トリクロロフルオロメタン、1,1,1,3,3−ペンタフルオロプロパン等を用いることができる。凝縮性ガスについては、例えば、特開2004−103817号公報の段落0023、特開2013−254783号公報の段落0003の記載を参酌することができ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
インプリント法によるパターン形成方法の詳細は、段落番号0103〜0115の記載を参酌でき、これらの内容は本特開2010−109092号公報(対応US出願は、US2011/199592)の段願明細書に組み込まれる。
次に、本発明のパターン形成体の製造方法について説明する。
本発明のパターン形成体の製造方法は、凹凸パターンの表面に、溶剤と膜形成成分を含む第1の組成物を適用する工程(工程1)と、
第1の組成物よりも表面張力が低い第2の組成物を、凹凸パターンの表面が、適用した第1の組成物から露出する前に、凹凸パターン上の第1の組成物を適用した領域上に適用する工程(工程2)と、
凹凸パターンに適用された第1の組成物および第2の組成物を乾燥して、凹凸パターンの表面に膜を形成する工程(工程3)とを含む。
以下、各工程について説明する。
工程1では、凹凸パターンの表面に、溶剤と膜形成成分を含む第1の組成物を適用する。
膜形成成分は、乾燥後の膜中に固形物として残る成分であり、用途および目的により異なる。例えば、親水性コーティング剤、疎水性コーティング剤、ハードコート剤、帯電防止剤、金属インク、紫外線吸収剤、熱線カット剤、耐指紋性コーティング剤、屈折率調整剤、などが挙げられる。
親水性コーティング剤としては、大阪有機化学工業製LAMBICシリーズなどが挙げられる。
疎水性コーティング剤としては、シラン化合物、フッ素樹脂等が挙げられる。シラン化合物としては、シランカップリング剤、シロキサンなどが挙げられる。シランカップリング剤の市販品としては、ダイキン工業株式会社製のオプツールシリーズ、信越シリコーン株式会社製のKBMシリーズ、KBEシリーズなどが挙げられる。シロキサンとしては、信越シリコーン株式会社製のKPN−3504(加水分解性基含有シロキサン)などが挙げられる。また、フッ素樹脂としては、旭硝子株式会社製のCYTOPシリーズ等があげられる。
ハードコート剤としては、東洋インキ製LCHシリーズなどが挙げられる。
帯電防止剤としては、東洋インキ製LASシリーズ、YYSシリーズ、TYPシリーズなどが挙げられる。
金属インクとしては、金インク、銀インク、銅インクなどが挙げられる。
第1の組成物は、膜形成成分の含有量が0.001〜20質量%であることが好ましく、0.01〜10質量%がより好ましい。
溶剤としては、膜形成成分を溶解できるものであれば特に限定はない。例えば、酢酸エチル、四塩化炭素、酢酸、プロピレングリコール1−モノメチルエーテル2−アセタート、ベンゼン、シクロヘキサノン等が挙げられる。表面張力の大きい溶剤を用いることで、膜形成成分の溶解性が良好で、塗りムラなどの発生を抑制できる。また、膜形成成分の濃度を高めることもできる。さらには、膜形成成分の溶解性が良好であるため、膜形成成分の選択の自由度が高い。第1の組成物に用いる溶剤の25℃における表面張力は、24mN/m以上が好ましい。具体例としては、酢酸エチル(24mN/m)、四塩化炭素(27mN/m)、酢酸(28mN/m)、プロピレングリコール1−モノメチルエーテル2−アセタート(28mN/m)、ベンゼン(29mN/m)、シクロヘキサノン(35mN/m)等が挙げられる。
第1の組成物の25℃における表面張力は、膜形成成分と溶剤との組み合わせにより異なるが、23mN/mを超えることが好ましい。これによれば、膜形成成分の溶解性が良好で、塗りムラなどの発生を抑制できる。
なお、従来の方法では、凹凸パターンに適用する組成物の表面張力が大きくなるに伴い、組成物の乾燥時にパターン倒れが生じたり、パターン表面に荒れが生じる傾向にあったが、本発明の方法によれば、表面張力の大きい組成物を凹凸パターンに適用しても、上記の問題の発生を抑制できる。
第1の組成物の25℃における粘度は、0.1〜2000mPa・sが好ましく、1〜1000mPa・sがより好ましい。粘度が上記範囲であれば、塗布性が良好である。
本発明では、凹凸パターンの表面に第1の組成物を適用して、凹凸パターン表面の所望の領域(膜を形成する領域)を、第1の組成物で覆う。好ましくは、パターン凹部を第1の組成物で埋めつつ、凹凸パターンの表面を、第1の組成物で被覆する。
本発明では、第1の組成物を適用後、後述する第2の工程を行う前に乾燥を行ってもよい。乾燥を行うことで、生産性を向上することもできる。乾燥方法としては、加熱乾燥、温風乾燥などが挙げられる。
次に、第1の組成物よりも表面張力が低い第2の組成物を、凹凸パターンの表面が、適用した第1の組成物から露出する前に、凹凸パターン上の第1の組成物を適用した領域に適用する。
第2の組成物の適用は、凹凸パターンの表面が、凹凸パターンの表面に適用した第1の組成物から露出する前に行う。すなわち、凹凸パターンの表面が、第1の組成物で被覆されている間に、凹凸パターン上の第1の組成物を適用した領域に適用する。第2の組成物を上述のように適用することで、凹凸パターンの表面に適用した組成物の乾燥時に、乾燥時にパターン凸部が第1の組成物によるキャピラリー力を受けることを抑制でき、その結果、パターン凸部にかかるキャピラリー力を小さくできる。なお、本発明において、「凹凸パターンの表面が、適用した第1の組成物から露出する」とは、凹凸パターン上の第1の組成物が適用された領域であって、凹凸パターンの表面が、第1の組成物で覆われていない部分が存在している状態であることを意味する。
第2の組成物の適用のタイミングは、凹凸パターンの表面に適用した第1の組成物の液面をセンサなどで観測しながら行うことができる。また、凹凸パターンの表面に第1の組成物を適用後、凹凸パターンの表面が第1の組成物から露出するまでの時間T0を、第1の組成物の種類、塗布量、乾燥条件(温度、湿度、風量)ごとにあらかじめ求めておき、同条件で、第1の組成物の適用および乾燥を行う場合には、T0以内に第2の組成物を適用することもできる。例えば、第1の組成物を凹凸パターン上に適用後、10秒以内に第2の組成物を、凹凸パターン上の第1の組成物を適用した領域に適用することが好ましい。
第2の組成物の適用方法は、特に限定はなく、上述した第1の組成物の適用方法と同様の方法を用いることができる。
第1の組成物の25℃における表面張力と、第2の組成物の25℃における表面張力との差は、2mN/m以上が好ましく、4mN/m以上がさらに好ましい。これによれば、パターン欠陥の発生をより効果的に抑制できる。
第2の組成物の25℃における表面張力は、23mN/m以下が好ましい。これによれば、パターン欠陥の発生をより効果的に抑制できる。さらには、塗布後のパターン表面の荒れをより効果的に抑制できる。
溶剤としては、第1の組成物で説明したものが挙げられる。第1の組成物で使用した溶剤よりも、表面張力が小さいものを選択して用いることが好ましい。特に、25℃における表面張力が24mN/m未満の溶剤が好ましい。具体例としては、デカフルオロペンタン(14mN/m)、ヘキサン(18mN/m)、エタノール(23mN/m)、メタノール(23mN/m)、アセトン(23mN/m)等が挙げられる
第2の組成物は、さらに膜形成成分を含んでいてもよい。膜形成成分は、第1の組成物で説明したものが挙げられる。
第2の組成物が膜形成成分を含有する場合、膜形成成分の含有量は、0.001〜20質量%であることが好ましく、0.01〜10質量%がより好ましい。
第2の組成物の25℃における粘度は、0.1〜2000mPa・sが好ましく、1〜1000mPa・sがより好ましい。粘度が上記範囲であれば、塗布性が良好である。
次に、凹凸パターンに適用された第1の組成物および第2の組成物を乾燥する。このようにして、溶剤を乾燥させることで、図1に示すように、凹凸パターン11の表面に、膜形成成分由来の膜12が形成されたパターン形成体が得られる。
乾燥方法としては、加熱乾燥、温風乾燥などが挙げられる。乾燥条件は、第1の組成物および第2の組成物の沸点、塗布量などに応じて適宜選択できる。例えば、加熱乾燥の場合、80〜300℃で3〜30000秒が好ましい。
ロールトゥロールプロセスとは、ロール状に巻かれたフレキシブル基材を巻出しながら処理を行い、処理が施されたフレキシブル基材を再度ロール状に巻き取る生産システムである。
例えば、フレキシブル基材に光硬化性組成物を適用してパターン形成層を形成し、微細なパターニングを施したロール状のモールドを、基材上のパターン形成層に押し付け、エネルギー照射によりパターン形成層を硬化させることで、切れ目のないシームレスな凹凸パターンを形成できる。凹凸パターンが形成されたフレキシブル基材は、ロール状に巻き取ってもよい。また、巻き取らずに、後述する処理を続けて行ってもよい。
次に、凹凸パターンが形成されたフレキシブル基材を、第1の組成物を適用する処理領域1と、第2の組成物を処理する処理領域2と、適用された第1の組成物と第2の組成物とを乾燥する乾燥処理領域3とを順次通過させたのち、ロール状に巻き取ることで、ロールトゥロールプロセスによりパターン形成体を製造できる。
処理領域1、処理領域2での各組成物を適用は、例えば、各組成物を充填した薬液層にフレキシブル基材を浸漬させて、ディップコート法により、凹凸パターン表面に各組成物を適用することができる。また、各種塗布装置(インクジェットノズルなど)を設けて、凹凸パターン表面に各組成物を適用することができる。
なお、本発明は、ロールトゥロールプロセスなどの方法で連続的にパターン形成体を製造する場合において、連続して行われる処理中に、一部の凹凸パターンが、第1の組成物から露出した後に、第2の組成物が適用されていても、他の凹凸パターンが、第1の組成物から露出する前に第2の組成物が適用されていれば、本発明のパターン形成体の製造方法に含まれる。
次に、本発明のパターン形成体の凹凸パターンの形成に用いられる光硬化性組成物について説明する。
本発明において、光硬化性組成物は、インプリント法で用いられている光硬化性組成物を用いることができる。すなわち、光硬化性組成物は、インプリント用光硬化性組成物であることが好ましい。
光硬化性組成物は、重合性化合物および光重合開始剤を含むことが好ましい。光硬化性組成物の一例としては、例えば、重合性化合物の含有量が70質量%以上で、かつ、重量平均分子量が2000を超える成分の含有量が3質量%以下である組成が好ましく、エチレン性不飽和二重結合を有する重合性化合物の含有量が70質量%以上で、かつ、重量分子量が2000を超える重合性化合物の含有量が3質量%以下である組成がより好ましい。以下、各成分について説明する。
重合性化合物は、本発明の趣旨を逸脱しない限り特に限定されるものではない。重合性化合物が有する重合性基としては、エチレン性不飽和結合を含有する基、エポキシ基、オキセタニル基等が挙げられる。エチレン性不飽和結合を含有する基としては、(メタ)アクリレート基、(メタ)アクリルアミド基、ビニル基、アリル基、ビニルエーテル基等が挙げられる。好ましくは(メタ)アクリレート基である。
重合性基の数は、1〜6が好ましく、1〜3がより好ましく、1または2が更に好ましい。
重合性化合物としては、例えば、エチレン性不飽和結合を含有する基を1〜6個有する化合物;エポキシ化合物、オキセタン化合物;ビニルエーテル化合物;スチレン誘導体;プロペニルエーテル;ブテニルエーテル等を挙げることができる。重合性化合物の具体例としては、特開2011−231308号公報の段落番号0020〜0098に記載のものが挙げられ、この内容は本願明細書に組み込まれる。重合性化合物としては、(メタ)アクリレート化合物が好ましい。
重合性化合物の含有量は、溶剤を除く全組成物中、70〜99.9質量%が好ましく、より好ましくは80〜99.9質量%であり、さらに好ましくは85〜99.9質量%である。2種類以上の重合性化合物を用いる場合は、その合計量が上記範囲であることが好ましい。
エチレン性不飽和結合を含有する基を1〜6個有する化合物(1〜6官能の重合性化合物)について説明する。
芳香族構造および/または脂環式炭化水素構造を有する単官能(メタ)アクリレートは、ベンジル(メタ)アクリレート、2−フェノキシエチルアクリレート、芳香環上に置換基を有するベンジル(メタ)アクリレート(好ましい置換基としては炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、シアノ基)、1−または2−ナフチル(メタ)アクリレート、1−または2−ナフチルメチル(メタ)アクリレート、1−または2−ナフチルエチル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニルオキシエチル(メタ)アクリレート、イソボロニル(メタ)アクリレート、アダマンチル(メタ)アクリレートが好ましく、2−フェノキシエチルアクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、芳香環上に置換基を有するベンジル(メタ)アクリレート、ナフタレン構造を有する単官能(メタ)アクリレート化合物がより好ましい。
エチレン性不飽和結合を含有する基を2個以上有する化合物の例としては、ジエチレングリコールモノエチルエーテル(メタ)アクリレート、ジメチロールジシクロペンタンジ(メタ)アクリレート、ジ(メタ)アクリル化イソシアヌレート、1,3−ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、EO変性1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ECH変性1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、アリロキシポリエチレングリコールアクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、EO変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、PO変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、EO変性ビスフェノールFジ(メタ)アクリレート、ECH変性ヘキサヒドロフタル酸ジアクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、EO変性ネオペンチルグリコールジアクリレート、プロピレンオキシド(以後「PO」という。)変性ネオペンチルグリコールジアクリレート、カプロラクトン変性ヒドロキシピバリン酸エステルネオペンチルグリコール、ステアリン酸変性ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、ECH変性フタル酸ジ(メタ)アクリレート、ポリ(エチレングリコール−テトラメチレングリコール)ジ(メタ)アクリレート、ポリ(プロピレングリコール−テトラメチレングリコール)ジ(メタ)アクリレート、ポリエステル(ジ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ECH変性プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、シリコーンジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコール変性トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、EO変性トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリグリセロールジ(メタ)アクリレート、ジプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジビニルエチレン尿素、ジビニルプロピレン尿素、o−,m−,p−キシリレンジ(メタ)アクリレート、1,3−アダマンタンジアクリレート、ノルボルナンジメタノールジアクリレートが例示される。
これらの中で特に、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、o−,m−,p−ベンゼンジ(メタ)アクリレート、o−,m−,p−キシリレンジ(メタ)アクリレート、等の2官能(メタ)アクリレートが本発明に好適に用いられる。
また、芳香族構造および/または脂環式炭化水素構造を有する2〜6官能の(メタ)アクリレート化合物を用いることもできる。例えば、芳香族基(好ましくはフェニル基、ナフチル基)を含有し、(メタ)アクリレート基を2〜4つ有する多官能(メタ)アクリレート化合物が挙げられる。具体例としては、以下に示す化合物などが挙げられる。
炭素数1〜9の含フッ素アルキル基のフッ素原子の置換率は、40〜100%であることが好ましく、50〜90%であることがより好ましく、65〜85%であることがさらに好ましい。フッ素原子の置換率とは、例えば炭素数1〜9のアルキル基のうち、水素原子がフッ素原子に置換されている比率(%)をいう。炭素数1〜9の含フッ素アルキル基は、−CnF2n+1または−CnF2nHを含むことが好ましく、−CnF2n+1を含むことが好ましい。ここで、nは、1〜9の整数を表し、4〜8の整数を表すことがより好ましい。
シリコン原子および/またはフッ素原子を有する重合性化合物が有する重合性としては、(メタ)アクリレート基が好ましい。重合性基の数は、1または2が好ましく、1がより好ましい。
シリコン原子および/またはフッ素原子を有する重合性化合物の分子量は、100〜600が好ましく、300〜500がより好ましい。フッ素原子を有する重合性化合物としては、例えば国際公開特許2010/137724号公報の段落0022〜0023の記載も参酌することができ、この内容は本願明細書に組み込まれる。フッ素原子を有する重合性化合物の例としては、例えば、2−(パーフルオロヘキシル)エチルアクリレートが挙げられる。
また、本発明では、シリコン原子および/またはフッ素原子を有する重合性化合物を実質的に含まない態様としてもよい。
また、重合性基を1個有する重合性化合物を実質的に含有しない組成とすることもできる。重合性基を1個有する重合性化合物を実質的に含有しないとは、例えば、重合性化合物の全量中、例えば、1質量%以下が好ましく、0.5質量%以下がより好ましく、含有しないこともできる。
また、重合性基を2個有する重合性化合物(好ましくは、(メタ)アクリレート基を2つ有する重合性化合物)の合計は、重合性化合物の全量に対して40〜100質量%が好ましい。上限は、95質量%以下がより好ましく、90質量%以下がより好ましい。下限は、50質量%以上がより好ましく、55質量%以上がさらに好ましい。
光硬化性組成物に含まれる重合性化合物の成分のうち、脂環式炭化水素基および/または芳香族基を有する重合性化合物の合計が、重合性化合物の全量の、30〜100質量%であることが好ましく、50〜100質量%がより好ましく、70〜100質量%がさらに好ましい。
光重合開始剤としては、光照射により上述の重合性化合物を重合する活性種を発生する化合物であれば、いずれのものでも用いることができる。光重合開始剤としては、ラジカル重合開始剤およびカチオン重合開始剤が好ましく、ラジカル重合開始剤がより好ましい。また、本発明において、光重合開始剤は複数種を併用してもよい。
ラジカル光重合開始剤としては、例えば、市販されている開始剤を用いることができる。これらの例としては、例えば、特開2008−105414号公報の段落番号0091に記載のものを好ましく採用することができる。この中でもアセトフェノン系化合物、アシルホスフィンオキサイド系化合物、オキシムエステル系化合物が硬化感度、吸収特性の観点から好ましい。市販品としては、イルガキュアOXE−01、イルガキュアOXE−02、イルガキュア127、イルガキュア819、イルガキュア379、イルガキュア369、イルガキュア754、イルガキュア1800、イルガキュア651、イルガキュア907、ルシリンTPO、ダロキュア1173等(以上、BASF社製)が挙げられる。
光重合開始剤の含有量は、溶剤を除く全組成物中、0.01〜15質量%がことが好ましく、より好ましくは0.1〜12質量%であり、さらに好ましくは0.2〜7質量%である。光硬化性組成物は、光重合開始剤を1種類のみ含んでいてもよく、2種類以上含んでいてもよい。2種類以上含む場合は、その合計量が上記範囲となることが好ましい。
光硬化性組成物は、界面活性剤を含有することができる。界面活性剤としては、ノニオン性界面活性剤が好ましい。
ノニオン性界面活性剤とは、少なくとも一つの疎水部と少なくとも一つのノニオン性親水部を有する化合物である。疎水部と親水部は、それぞれ、分子の末端にあっても、内部にあっても良い。疎水部は、炭化水素基、含フッ素基、含Si基から選択される疎水基で構成され、疎水部の炭素数は、1〜25が好ましく、2〜15がより好ましく、4〜10が更に好ましく、5〜8が最も好ましい。ノニオン性親水部は、アルコール性水酸基、フェノール性水酸基、エーテル基(好ましくはポリオキシアルキレン基、環状エーテル基)、アミド基、イミド基、ウレイド基、ウレタン基、シアノ基、スルホンアミド基、ラクトン基、ラクタム基、シクロカーボネート基からなる群より選ばれる少なくとも1つの基を有することが好ましい。ノニオン性界面活性剤としては、炭化水素系、フッ素系、Si系、またはフッ素・Si系のいずれノニオン性界面活性剤であっても良いが、フッ素系またはSi系がより好ましく、フッ素系が更に好ましい。ここで、「フッ素・Si系界面活性剤」とは、フッ素系界面活性剤およびSi系界面活性剤の両方の要件を併せ持つものをいう。
また、本発明では、界面活性剤を実質的に含有しない態様とすることもできる。界面活性剤を実質的に含有しないとは、例えば、界面活性剤の含有量が0.01質量%以下であることが好ましく、0.005質量%以下がより好ましく、含有しないことが一層好ましい。
光硬化性組成物は、末端に少なくとも1つ水酸基を有するか、または、水酸基がエーテル化されたポリアルキレングリコール構造を有し、フッ素原子およびシリコン原子を実質的に含有しない非重合性化合物を含んでいてもよい。ここで、非重合性化合物とは、重合性基を持たない化合物をいう。また、フッ素原子およびシリコン原子を実質的に含有しないとは、例えば、フッ素原子およびシリコン原子の合計含有率が1%以下であることを表し、フッ素原子およびシリコン原子を全く有していないことが好ましい。フッ素原子およびシリコン原子を有さないことにより、重合性化合物との相溶性が向上し、特に溶剤を含有しない組成物において、塗布均一性、インプリント時のパターン形成性、ドライエッチング後のラインエッジラフネスが良好となる。
さらに、末端の置換基を除き実質的にポリアルキレングリコール構造のみで構成されていてもよい。ここで実質的にとは、ポリアルキレングリコール構造以外の構成要素が全体の5質量%以下であることをいい、好ましくは1質量%以下であるこという。特に、非重合性化合物として、実質的にポリプロピレングリコール構造のみからなる化合物を含むことが特に好ましい。
ポリアルキレングリコール構造としてはアルキレングリコール構成単位を3〜100個有していることが好ましく、4〜50個有していることがより好ましく、5〜30個有していることがさらに好ましく、6〜20個有していることが特に好ましい。
非重合性化合物の好ましい具体例としては、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、これらのモノまたはジメチルエーテル、モノまたはジブチルエーテル、モノまたはジオクチルエーテル、モノまたはジセチルエーテル、モノステアリン酸エステル、モノオレイン酸エステル、ポリオキシエチレングリセリルエーテル、ポリオキシプロピレングリセリルエーテル、これらのトリメチルエーテルである。
本発明において、光硬化性組成物が非重合性化合物を含有する場合、非重合性化合物の含有量は、溶剤を除く全組成物中、0.1〜20質量%が好ましく、0.2〜15質量%がより好ましく、0.5〜10質量%がさらに好ましい。また、本発明では、非重合性化合物を実質的に含有しない態様とすることもできる。非重合性化合物を実質的に含有しないとは、例えば、非重合性化合物の含有量が0.01質量%以下であることが好ましく、0.005質量%以下がより好ましく、含有しないことが一層好ましい。
光硬化性組成物には、必要に応じて、溶剤を含有させることができる。好ましい溶剤としては常圧における沸点が80〜200℃の溶剤である。溶剤の種類としては、各成分を溶解可能なものであればいずれも用いることができ、上述した下層膜形成用樹脂組成物に記載した溶剤と同様のものが挙げられる。なかでも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する溶剤が塗布均一性の観点で最も好ましい。
光硬化性組成物中における溶剤の含有量は、光硬化性組成物の粘度、塗布性、目的とする膜厚によって最適に調整されるが、塗布性改善の観点から、光硬化性組成物中に99質量%以下の範囲で含有することができる。光硬化性組成物をインクジェット法で基材に塗布する場合、溶剤は、実質的に含まない(例えば、3質量%以下)ことが好ましい。一方、膜厚500nm以下のパターンをスピン塗布などの方法で形成する際には、20〜99質量%の範囲で含有させてもよく、40〜99質量%が好ましく、70〜98質量%が特に好ましい。
光硬化性組成物は、上述した成分の他に、必要に応じて、重合禁止剤、光増感剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、老化防止剤、可塑剤、密着促進剤、熱重合開始剤、光塩基発生剤、着色剤、無機粒子、エラストマー粒子、塩基性化合物、光酸発生剤、光酸増殖剤、連鎖移動剤、帯電防止剤、流動調整剤、消泡剤、分散剤、離型剤等を含んでいてもよい。このような成分の具体例としては、特開2008−105414号公報の段落番号0092〜0093、および段落番号0099〜0137に記載のものが挙げられ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。また、WO2011/126101号パンフレット、WO2013/051735パンフレット、特開2012−041521号公報および特開2013−093552号公報の対応する記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
フィルタとしては、従来からろ過用途等に用いられているものであれば特に限定されることなく用いることができる。例えば、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)等のフッ素樹脂、ナイロン−6、ナイロン−6,6等のポリアミド系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン(PP)等のポリオレフィン樹脂(高密度、超高分子量を含む)等によるフィルタが挙げられる。これら素材の中でもポリプロピレン(高密度ポリプロピレンを含む)およびナイロンが好ましい。
フィルタの孔径は、例えば、0.003〜5.0μm程度が適している。この範囲とすることにより、ろ過詰まりを抑えつつ、組成物に含まれる不純物や凝集物など、微細な異物を確実に除去することが可能となる。
フィルタを使用する際、異なるフィルタを組み合わせても良い。その際、第1のフィルタでのフィルタリングは、1回のみでもよいし、2回以上行ってもよい。異なるフィルタを組み合わせて2回以上フィルタリングを行う場合は1回目のフィルタリングの孔径より2回目以降の孔径が同じ、もしくは小さい方が好ましい。また、上述した範囲内で異なる孔径の第1のフィルタを組み合わせてもよい。ここでの孔径は、フィルタメーカーの公称値を参照することができる。市販のフィルタとしては、例えば、日本ポール株式会社、アドバンテック東洋株式会社、日本インテグリス株式会社(旧日本マイクロリス株式会社)又は株式会社キッツマイクロフィルタ等が提供する各種フィルタの中から選択することができる。
また、光硬化性組成物をインクジェット法で適用する場合は、光硬化性組成物の粘度は、23℃において15mPa・s以下であることが好ましく、12mPa・s以下であることがより好ましく、11mPa・s以下であることがさらに好ましく、10mPa・s以下であることが特に好ましい。このような範囲とすることにより、インクジェット吐出精度やパターン形成性を向上させることができる。
また、液晶ディスプレイ(LCD)などに用いられる永久膜(構造部材用のレジスト)や電子材料の基板加工に用いられるレジストにおいては、製品の動作を阻害しないようにするため、レジスト中の金属あるいは有機物のイオン性不純物の混入を極力避けることが望ましい。このため、パターン形成体を上述の用途に用いる場合には、光硬化性組成物中における金属または有機物のイオン性不純物の濃度としては、1ppm以下、望ましくは100ppb以下、さらに好ましくは10ppb以下にすることが好ましい。
下記表に示す原料を混合し、0.1μmのPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)フィルタでろ過し、各組成物を調製した。
なお、第1の組成物および第2の組成物の表面張力は、協和界面科学(株)製表面張力計SURFACE TENS−IOMETER CBVP−A3を用い、プラチナプレートを用いて25±0.2℃で測定した。単位はmN/mで示した。
(重合性化合物)
C−1:ネオペンチルグリコールジアクリレート(ライトアクリレートNP−A 共栄 社化学社製)
C−2:ジメチロール−トリシクロデカンジアクリレート(ライトアクリレートDCP−A 共栄社化学社製)
C−3:イソボロニルアクリレート(ライトアクリレートIB−XA 共栄社化学社製)
C−4:ベンジルアクリレート(ビスコート#160 大阪有機化学社製)
(光重合開始剤)
D−1:イルガキュア819(BASF社製)
D−2:イルガキュア127(BASF社製)
(その他成分)
E−1:Capstone FS−3100(Dupont社製)
E−2:ポリプロピレングリコール(Mw=400、和光純薬工業社製)
モールドは、線幅30nm、深さ60nmのLine/Spaceパターンを有する石英モールドを使用した。
インクジェット装置 (FUJIFILM Dimatix社製 DMP−2831)を用いて、シリコンウエハ上に、上記光硬化性組成物(組成物1〜4)を塗布した。液滴サイズは6pLで280μm間隔の正方格子状に塗布した。
塗布領域に、ヘリウム雰囲気下で上記石英モールドを圧接し、大気圧にて30秒放置後、石英モールド面から高圧水銀ランプにて光硬化した。照射量は100mJ/cm2とした。露光後、石英モールドを離して凹凸パターンを得た。パターンの残膜(パターン凹部における光硬化性組成物由来の膜)は30nmであった。
上記方法にて得られた凹凸パターンの表面に第1の組成物をスピンコート塗布した。回転数は1000rpmで回転時間は30sとした。
次に、第1の組成物を適用後、5秒後に、第2の組成物を、第1の組成物を塗布した領域上にスピンコート塗布した。回転数は1000rpmで回転時間は30sとした。第2の組成物は、凹凸パターンが第1の組成物で覆われている間に行った。
なお、比較例1−2のみ、第1の組成物を適用後、5分後に、第2の組成物を、第1の組成物を塗布した領域上にスピンコート塗布した。比較例1−2は、第2の組成物の適用時に、凹凸パターンが第1の組成物から露出していた。
次に、塗布後、室温(25℃)で、30分自然乾燥して、パターン形成体を得た。
上記方法にて得られたパターン形成体の塗布ムラを光学顕微鏡(×10倍)により評価した。
A:塗布面にはじきや凝集がなく、塗布ムラは観察されなかった
B:塗布面にはじきや凝集があり、塗布ムラが観察された
<パターン倒れの評価>
上記方法にて得られたパターン形成体を原子間力顕微鏡(AFM、ブルカー・エイエックスエス製Dimension Icon)で5μm×5μmの範囲を観察し、以下の基準で評価した。
A:観察範囲の全面にわたって、良好なパターン転写を確認した
B:観察範囲の10%未満の領域にてパターン倒れが確認された
C:観察範囲の10〜70%の領域にてパターンの倒れが見られた
D:観察範囲の全面にわたってパターン倒れが発生した
<パターン荒れの評価>
上記方法にて得られたパターン形成体の平坦部を、原子間力顕微鏡(AFM、ブルカー・エイエックスエス製Dimension Icon)を用いて、5μm×5μmの範囲を観察して表面粗さ(Ra、単位nm)を測定し、以下の基準で評価した。
A:Ra≦1
B:1≦Ra≦2
C:2≦Ra
これに対し、比較例の方法で得られたパターン形成体は、パターン欠陥があった。
、膜形成成分の溶解性が良好で、塗りムラなどの発生を抑制できる。
なお、従来の方法では、凹凸パターンに適用する組成物の表面張力が大きくなるに伴い、組成物の乾燥時にパターン倒れが生じたり、パターン表面に荒れが生じる傾向にあったが、本発明の方法によれば、表面張力の大きい組成物を凹凸パターンに適用しても、上記の問題の発生を抑制できる。
第1の組成物の25℃における粘度は、0.1〜2000mPa・sが好ましく、1〜1000mPa・sがより好ましい。粘度が上記範囲であれば、塗布性が良好である。
[0028]
第1の組成物の適用方法としては、特に限定はないが、塗布法が好ましい。塗布法としては、例えば、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、エクストルージョンコート法、スピンコート方法、スリットスキャン法、インクジェット法などが挙げられる。
本発明では、凹凸パターンの表面に第1の組成物を適用して、凹凸パターン表面の所望の領域(膜を形成する領域)を、第1の組成物で覆う。好ましくは、パターン凹部を第1の組成物で埋めつつ、凹凸パターンの表面を、第1の組成物で被覆する。
[0029]
<第2の工程>
次に、第1の組成物よりも表面張力が低い第2の組成物を、凹凸パターンの表面が、適用した第1の組成物から露出する前に、凹凸パターン上の第1の組成物を適用した領域に適用する。
第2の組成物の適用は、凹凸パターンの表面が、凹凸パターンの表面に適用した第1の組成物から露出する前に行う。すなわち、凹凸パターンの表面が、第1の組成物で被覆されている間に、凹凸パターン上の第1の組成物を適用した領域に適用する。第2の組成物を上述のように適用することで、凹
Claims (10)
- 凹凸パターンの表面に、溶剤と膜形成成分を含む第1の組成物を適用する工程と、
前記第1の組成物よりも表面張力が低い第2の組成物を、前記凹凸パターンの表面が、前記適用した前記第1の組成物から露出する前に、前記凹凸パターン上の第1の組成物を適用した領域上に適用する工程と、
前記凹凸パターンに適用された前記第1の組成物および前記第2の組成物を乾燥して、前記凹凸パターンの表面に膜を形成する工程とを含む、パターン形成体の製造方法。 - 前記第1の組成物の25℃における表面張力と、前記第2の組成物の25℃における表面張力との差が2mN/m以上である、請求項1に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記第1の組成物の25℃における表面張力が23mN/mを超える、請求項1または2に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記第2の組成物の25℃における表面張力が23mN/m以下である、請求項1または2に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記第1の組成物を凹凸パターン上に適用後、10秒以内に前記第2の組成物を、前記凹凸パターン上の第1の組成物を適用した領域に適用する、請求項1〜4のいずれか1項に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記凹凸パターンが、光硬化性組成物を用いて形成された凹凸パターンである、請求項1〜5のいずれか1項に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記光硬化性組成物が、重合性基を1個有する重合性化合物を含むものである、請求項6に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記光硬化性組成物が、重合性基を1個有する重合性化合物を、前記光硬化性組成物に含まれる重合性化合物全量に対して、0〜60質量%の割合で含有するものである、請求項6に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記凹凸パターンが、インプリント法で形成された凹凸パターンである、請求項1〜8のいずれか1項に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記凹凸パターンが、幅300nm以下のパターンを有するものである、請求項1〜9のいずれか1項に記載のパターン形成体の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014194695 | 2014-09-25 | ||
JP2014194695 | 2014-09-25 | ||
PCT/JP2015/076842 WO2016047649A1 (ja) | 2014-09-25 | 2015-09-24 | パターン形成体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016047649A1 true JPWO2016047649A1 (ja) | 2017-07-06 |
JP6267802B2 JP6267802B2 (ja) | 2018-01-31 |
Family
ID=55581173
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016550335A Active JP6267802B2 (ja) | 2014-09-25 | 2015-09-24 | パターン形成体の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6267802B2 (ja) |
TW (1) | TWI626999B (ja) |
WO (1) | WO2016047649A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6957177B2 (ja) * | 2017-03-29 | 2021-11-02 | 株式会社ダイセル | 樹脂成型品の製造方法及び光学部品の製造方法 |
JP7458930B2 (ja) * | 2020-08-03 | 2024-04-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001018526A (ja) * | 1999-07-07 | 2001-01-23 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 感熱記録材料およびその製造方法 |
WO2001076884A1 (fr) * | 2000-04-11 | 2001-10-18 | Mitsubishi Paper Mills Ltd. | Procede de production de materiau d'enregistrement d'information et liquide de revetement a utiliser dans ledit procede |
JP2010113761A (ja) * | 2008-11-06 | 2010-05-20 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | スピンコート方法、および、スピンコート装置の制御装置 |
WO2010128684A1 (ja) * | 2009-05-08 | 2010-11-11 | 新日本製鐵株式会社 | 表面処理金属板 |
WO2010134627A1 (ja) * | 2009-05-21 | 2010-11-25 | 新日本製鐵株式会社 | 多層被覆金属板の製造方法 |
JP2012000589A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Tokyo Electron Ltd | 塗布方法および塗布装置 |
WO2012133667A1 (ja) * | 2011-03-31 | 2012-10-04 | 大日本塗料株式会社 | 複層塗膜及び該複層塗膜の製造方法 |
JP2012200637A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Seiko Epson Corp | 処理層形成方法、及び光学物品 |
WO2013024784A1 (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-21 | 日本ペイント株式会社 | 複層塗膜形成方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6746718B2 (en) * | 2000-04-11 | 2004-06-08 | Mitsubishi Paper Mills Ltd. | Process of curtain for producing an information recording material |
-
2015
- 2015-09-22 TW TW104131203A patent/TWI626999B/zh active
- 2015-09-24 WO PCT/JP2015/076842 patent/WO2016047649A1/ja active Application Filing
- 2015-09-24 JP JP2016550335A patent/JP6267802B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001018526A (ja) * | 1999-07-07 | 2001-01-23 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 感熱記録材料およびその製造方法 |
WO2001076884A1 (fr) * | 2000-04-11 | 2001-10-18 | Mitsubishi Paper Mills Ltd. | Procede de production de materiau d'enregistrement d'information et liquide de revetement a utiliser dans ledit procede |
JP2010113761A (ja) * | 2008-11-06 | 2010-05-20 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | スピンコート方法、および、スピンコート装置の制御装置 |
WO2010128684A1 (ja) * | 2009-05-08 | 2010-11-11 | 新日本製鐵株式会社 | 表面処理金属板 |
WO2010134627A1 (ja) * | 2009-05-21 | 2010-11-25 | 新日本製鐵株式会社 | 多層被覆金属板の製造方法 |
JP2012000589A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Tokyo Electron Ltd | 塗布方法および塗布装置 |
JP2012200637A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Seiko Epson Corp | 処理層形成方法、及び光学物品 |
WO2012133667A1 (ja) * | 2011-03-31 | 2012-10-04 | 大日本塗料株式会社 | 複層塗膜及び該複層塗膜の製造方法 |
WO2013024784A1 (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-21 | 日本ペイント株式会社 | 複層塗膜形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI626999B (zh) | 2018-06-21 |
JP6267802B2 (ja) | 2018-01-31 |
TW201622836A (zh) | 2016-07-01 |
WO2016047649A1 (ja) | 2016-03-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6029558B2 (ja) | 光インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法、微細パターン、および半導体デバイスの製造方法 | |
US10739678B2 (en) | Photocurable composition, pattern forming method, and method for manufacturing device | |
JP2013093552A (ja) | インプリント用下層膜組成物およびこれを用いたパターン形成方法 | |
JP6298897B2 (ja) | 多孔質体の製造方法、多孔質体、デバイスの製造方法、デバイス、配線構造の製造方法、配線構造 | |
WO2016027843A1 (ja) | 下層膜形成用樹脂組成物、積層体、パターン形成方法、インプリント形成用キットおよびデバイスの製造方法 | |
US10261413B2 (en) | Photocurable composition for imprints, pattern forming method, and method for manufacturing device | |
US10189928B2 (en) | Curable composition, pattern forming method, pattern, and method for manufacturing device | |
JP6267802B2 (ja) | パターン形成体の製造方法 | |
JP2017039809A (ja) | 硬化性組成物、パターン形成方法およびデバイスの製造方法 | |
JP6379220B2 (ja) | インプリント用光硬化性組成物、パターン形成方法およびデバイスの製造方法 | |
TWI662087B (zh) | 光壓印用硬化性組成物、圖案形成方法及圖案 | |
TWI643893B (zh) | 光壓印用硬化性組成物、圖案形成方法及圖案 | |
JP6363215B2 (ja) | パターン形成体の製造方法 | |
JP6259383B2 (ja) | パターン形成体の製造方法、インクジェット用光硬化性組成物およびデバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A529 | Written submission of copy of amendment under article 34 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A5211 Effective date: 20170310 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170310 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171205 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6267802 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |