JPWO2016038719A1 - デバイスおよびその形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、HF水溶液は、SiO2膜と比べればエッチングレートは遅いが、SiN膜もエッチングする。そのため、薄膜部分のSiNメンブレンへのHF水溶液の接触は、メンブレンを破壊する原因となる。我々の実験結果では、上記の製法ではメンブレンのもっとも薄い部分の膜厚は7 nmが限界であった。
101 膜(SiO2膜など)
102 膜(SiN膜など)
103 膜(SiN膜など)
104 膜(SiO2膜など)
105 膜(SiN膜など)
106 膜(SiN膜など)
107 膜(SiN膜)
108 膜(SiN膜など)
109 膜(シリコン膜)
110 膜(有機保護膜)
Claims (15)
- 表面がSiである基板の表面に、第1の膜を形成し、
その後、前記第1の膜に前記基板表面が露出するよう孔を形成し、
その後、第2の膜を前記第1の膜上ならびに前記基板表面上に成膜し、
その後、前記基板を前記第2の膜が削れない溶液でエッチングすることで、メンブレンを形成することを特徴とするデバイスの形成方法。 - 請求項1において、
前記第2の膜の成膜時に5 nmより薄い膜を成膜することを特徴とするデバイスの形成方法。 - 請求項1において、
前記第2の膜の材料として、SiN,HfO2,HfAlOx,ZrAlOx,Ta2O5,SiC, SiCN, カーボン膜から選択される少なくとも一つ、あるいは、これらから選択される少なくとも一つを含む物質を材料とした膜を成膜することを特徴とするデバイスの形成方法。 - 請求項1において、
前記第1の膜の材料として、SiN, SiO2, もしくはSiNとSiO2の積層膜を成膜することを特徴とするデバイスの形成方法。 - 請求項1において、
前記基板をエッチングする際の水溶液にTMAH水溶液を用いるデバイスの形成方法。 - 請求項1において、
前記基板をエッチングする際の水溶液にKOH水溶液を用いるデバイスの形成方法。 - 請求項1において、
前記第1の膜に前記基板表面が露出するよう孔を形成する工程において、ウエットエッチングを用いるデバイスの形成方法。 - 請求項1において、
前記第1の膜に前記基板表面が露出するよう孔を形成した後、第3の膜を成膜し、
その後、前記第3の膜をエッチバックすることで、前記第1の膜の側壁に前記第3の膜のサイドウォールを形成し、
その後、前記第2の膜を前記第1の膜上ならびに前記3の膜上ならびに前記基板表面上に成膜し、
その後、前記基板を前記第2の膜が削れない溶液でエッチングすることで、メンブレンを形成することを特徴とするデバイスの形成方法。 - 基板により支持されたメンブレンを有するデバイスであり、
前記基板はその表面がSiであり、
前記メンブレンはその直下に前記基板がない構造であり、
前記メンブレンは少なくとも2層以上の膜で形成されており、
前記メンブレンの一部は第1の膜で形成された薄膜メンブレン領域を有しており、
前記薄膜メンブレン領域は、前記第1の膜よりも厚い第2の膜によって囲まれており、
前記第1の膜は前記第2の膜の側壁にも形成されており、
前記メンブレン以外にある前記第2膜の直下には前記基板が位置していることを特徴とするデバイス。 - 請求項9において、
前記第1の膜が5 nmより薄いことを特徴とするデバイス。 - 請求項9において、
前記第1の膜の材料がSiN,HfO2,HfAlOx,ZrAlOx,Ta2O5,SiC, SiCN, カーボン膜から選択される少なくとも一つ、あるいは、これらから選択される少なくとも一つを含む物質であることを特徴とするデバイス。 - 請求項9において、
前記第2の膜の材料がSiN, SiO2, もしくはSiNとSiO2の積層膜であることを特徴とするデバイス。 - 請求項9において、
前記第2の膜の側壁に、第3の膜を成膜後にエッチバックして形成されたサイドウォールを有していることを特徴とするデバイス。 - Siからなる第1の部材と、SiNまたは SiO2を少なくとも一部に含む第2の部材の積層構造を有し、
前記第1の部材には第1の貫通孔が形成されており、
前記第2の部材には前記第1の貫通孔と重なる位置に、前記第1の貫通孔より小さい第2の貫通孔が形成されており、
前記第2の部材の、前記第1の部材と反対側の表面、前記第2の貫通孔の内壁表面、および前記第2の貫通孔内部にわたって被着され、前記第2の貫通孔を塞ぐように形成された、厚さ0.3 nm〜10 nmの薄膜を有することを特徴とする薄膜メンブレンデバイス。 - 請求項14において、
前記第2の貫通孔は、長径または長辺100 nm以下の大きさであり、
前記第2の貫通孔を塞ぐように形成された厚さ0.3 nm〜10 nmの薄膜には、前記第2の貫通孔より小さな第3の貫通孔が形成されていることを特徴とする薄膜メンブレンデバイス。
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WO2016129111A1 (ja) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | 株式会社日立製作所 | メンブレンデバイスおよびその製造方法 |
KR101759093B1 (ko) * | 2015-07-01 | 2017-07-18 | 서울대학교산학협력단 | 나노포어 구조체, 나노포어 구조를 이용한 이온소자 및 나노멤브레인 구조체 제조방법 |
CA3018069C (en) * | 2016-03-21 | 2019-09-03 | Two Pore Guys, Inc. | Wafer-scale assembly of insulator-membrane-insulator devices for nanopore sensing |
US10752496B2 (en) * | 2017-09-22 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Pore formation in a substrate |
US11143618B2 (en) * | 2018-04-09 | 2021-10-12 | Roche Sequencing Solutions, Inc. | Fabrication of tunneling junctions with nanopores for molecular recognition |
KR20210002530A (ko) * | 2018-04-19 | 2021-01-08 | 티이아이 솔루션즈 가부시키가이샤 | 유체 칩 및 분석 장치 |
US11249067B2 (en) * | 2018-10-29 | 2022-02-15 | Applied Materials, Inc. | Nanopore flow cells and methods of fabrication |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09135033A (ja) * | 1995-11-07 | 1997-05-20 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH1183798A (ja) * | 1997-09-02 | 1999-03-26 | Shimadzu Corp | 電気泳動部材およびそれを用いた電気泳動装置 |
JP2003098146A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-04-03 | Nec Corp | 微細配列認識装置とその製造方法およびその使用方法 |
JP2003533676A (ja) * | 2000-04-24 | 2003-11-11 | イーグル リサーチ アンド ディベロップメント,リミティッド ライアビリティー カンパニー | 超高速の核酸配列決定のための電界効果トランジスタ装置 |
JP2004012215A (ja) * | 2002-06-05 | 2004-01-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 細胞外電位測定デバイスおよびその製造方法 |
WO2007116978A1 (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-18 | Inter-University Research Institute Corporation National Institutes Of Natural Sciences | イオンチャンネル活性測定用平面基板型パッチクランプ素子、パッチクランプ素子作製用基板、及びその製造方法 |
JP2009130297A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Panasonic Electric Works Co Ltd | トランスデューサ用基板の製造方法およびトランスデューサ用基板、並びにトランスデューサ |
US20100322825A1 (en) * | 2003-12-29 | 2010-12-23 | Mineo Yamakawa | Microfluidic molecular-flow fractionator and bioreactor with integrated active/passive diffusion barrier |
JP2014521956A (ja) * | 2011-07-27 | 2014-08-28 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ | 生体分子を特徴付けるためのナノ細孔センサー |
Family Cites Families (3)
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---|---|---|---|---|
WO2003104788A1 (ja) | 2002-06-05 | 2003-12-18 | 松下電器産業株式会社 | 細胞外電位測定デバイスおよびその製造方法 |
US8518829B2 (en) | 2011-04-22 | 2013-08-27 | International Business Machines Corporation | Self-sealed fluidic channels for nanopore array |
EP3730205B1 (en) * | 2013-03-15 | 2024-05-01 | President and Fellows of Harvard College | Method of surface wetting |
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09135033A (ja) * | 1995-11-07 | 1997-05-20 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH1183798A (ja) * | 1997-09-02 | 1999-03-26 | Shimadzu Corp | 電気泳動部材およびそれを用いた電気泳動装置 |
JP2003533676A (ja) * | 2000-04-24 | 2003-11-11 | イーグル リサーチ アンド ディベロップメント,リミティッド ライアビリティー カンパニー | 超高速の核酸配列決定のための電界効果トランジスタ装置 |
JP2003098146A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-04-03 | Nec Corp | 微細配列認識装置とその製造方法およびその使用方法 |
JP2004012215A (ja) * | 2002-06-05 | 2004-01-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 細胞外電位測定デバイスおよびその製造方法 |
US20100322825A1 (en) * | 2003-12-29 | 2010-12-23 | Mineo Yamakawa | Microfluidic molecular-flow fractionator and bioreactor with integrated active/passive diffusion barrier |
WO2007116978A1 (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-18 | Inter-University Research Institute Corporation National Institutes Of Natural Sciences | イオンチャンネル活性測定用平面基板型パッチクランプ素子、パッチクランプ素子作製用基板、及びその製造方法 |
JP2009130297A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Panasonic Electric Works Co Ltd | トランスデューサ用基板の製造方法およびトランスデューサ用基板、並びにトランスデューサ |
JP2014521956A (ja) * | 2011-07-27 | 2014-08-28 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ | 生体分子を特徴付けるためのナノ細孔センサー |
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