JP7101765B2 - 生体応用向けの自立膜を作製するための方法 - Google Patents
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Description
ナノポアは、デオキシリボ核酸(DNA)及びリボ核酸(RNA)のシークエンシング(sequencing)といった応用向けに、広く使用されている。一例では、ナノポアシークエンシングは、電気的検出法を使用して実施され、この電気的検出法は、一般に、導電性流体に浸漬されているナノポアを通して未知の試料を搬送すること、及びナノポアの両端間に電位を印加することを含む。ナノポアを通るイオン伝導から生じる電流が測定される。ナノポア表面全体における電流密度の大きさは、ナノポア寸法、及び当該時点でナノポアを占有している試料(DNA又はRNAなど)の組成に依存する。種々のヌクレオチドは、ナノポア表面全体における電流密度に特徴的な変化を引き起こす。かかる電流変化は、測定され、DNA又はRNAの試料をシークエンシングするために使用される。
以上の説明は本開示の態様を対象としているが、本開示の基本的な範囲を逸脱しなければ、本開示の他の態様及び更なる態様が考案されてよく、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決まる。
また、本願は以下に記載する態様を含む。
(態様1)
基板を形成するための方法であって、
高度にエッチング可能な層の上に薄膜を有している、基板を提供することと、
前記高度にエッチング可能な層の上の前記薄膜を通して、一又は複数のナノポアを形成することと、
自立膜を形成するために、前記高度にエッチング可能な層の、前記一又は複数のナノポアの下の部分を選択的に除去することとを含む、
方法。
(態様2)
前記高度にエッチング可能な層の前記部分を選択的に除去することが、
エッチングチャンバ内に前記基板を配置することと、
前記エッチングチャンバに、前記高度にエッチング可能な層を除去するように選択されたエッチャントを導入することと、
前記高度にエッチング可能な層の前記部分を選択的に除去するために、前記基板を前記エッチャントに曝露することとを含む、態様1に記載の方法。
(態様3)
前記自立膜が誘電体膜であり、前記高度にエッチング可能な層がシリコンを含む、態様1に記載の方法。
(態様4)
前記自立膜の少なくとも一方の側に生体試料を載置することと、
前記自立膜における前記一又は複数のナノポアを通るように前記生体試料を導くことによって、前記生体試料を解析することとを更に含む、態様1に記載の方法。
(態様5)
前記一又は複数のナノポアの各々の直径が約100ナノメートル以下であり、前記自立膜の厚さが約50ナノメートル以下である、態様1に記載の方法。
(態様6)
基板を形成するための方法であって、
高度にエッチング可能な層の上に薄膜を有している、基板を提供することと、
ポア径縮小プロセスを使用して、前記高度にエッチング可能な層の上の前記薄膜を通して、一又は複数のナノポアを形成することと、
薄型の自立膜を形成するために、前記高度にエッチング可能な層の、前記一又は複数のナノポアの下の部分を選択的に除去することとを含む、
方法。
(態様7)
前記高度にエッチング可能な層の前記部分を選択的に除去することが、
前記高度にエッチング可能な層の前記部分を選択的に除去するために選択されたエッチャントに、前記基板を曝露することを含む、態様6に記載の方法。
(態様8)
前記自立膜の少なくとも一方の側に生体試料を載置することと、
前記自立膜における前記一又は複数のナノポアを通るように前記生体試料を導くことによって、前記生体試料を解析することとを更に含む、態様6に記載の方法。
(態様9)
前記ポア径縮小プロセスが、
前記薄膜に少なくとも1つの第1フィーチャを形成することと、
前記第1フィーチャ内に、少なくとも第1ドメイン及び第2ドメインを備えるブロックコポリマーを堆積させることと、
前記第2ドメインをエッチングすることとを含む、態様6に記載の方法。
(態様10)
前記ポア径縮小プロセスが、
前記薄膜に少なくとも1つの第1フィーチャを形成することと、
前記少なくとも1つの第1フィーチャの上に誘電体材料を堆積させることと、
前記少なくとも1つの第1フィーチャの上の前記誘電体材料の一部分をエッチングすることとを含む、態様6に記載の方法。
(態様11)
前記誘電体材料を堆積させることと、前記誘電体材料の前記部分をエッチングすることとを、少なくとも1つのナノポアが形成されるまで反復することを更に含む、態様10に記載の方法。
(態様12)
前記ポア径縮小プロセスが、
前記薄膜に少なくとも1つの第1フィーチャを形成することと、
前記基板の上に誘電体材料を形成して、少なくとも1つの開口を充填するために、基板を酸化させることであって、前記誘電体材料には少なくとも1つのシームが形成されている、基板を酸化させることと、
少なくとも1つのナノポアを形成するために、前記少なくとも1つのシームを利用することとを含む、態様6に記載の方法。
(態様13)
前記薄膜の上に一又は複数の追加の層を堆積させることと、
前記薄膜の上に正極及び負極を堆積させることとを更に含む、態様6に記載の方法。
(態様14)
第1シリコン層と、
前記第1シリコン層の上に配置された誘電体層と、
前記誘電体層の一部分の上に配置された第2シリコン層と、
前記第2シリコン層の上に配置された自立膜であって、少なくとも1つのナノポア、及び前記ナノポアを通るように形成された少なくとも1つの開口を有する自立膜と、
前記少なくとも1つのナノポアの下方に配置された第1ウェルと、
前記少なくとも1つのナノポアの上方に配置された第2ウェルとを備える、
基板。
(態様15)
前記第1ウェルと前記第2ウェルの少なくとも一方の中にDNA含有流体を備え、前記少なくとも1つのナノポアの各々の直径が約100ナノメートル以下であり、前記自立膜の厚さが約50ナノメートル以下である、態様14に記載の基板。
Claims (12)
- 基板を形成するための方法であって、
高度にエッチング可能な層の上に薄膜を有している、基板を提供することと、
前記高度にエッチング可能な層の上の前記薄膜を通して、一又は複数のナノポアを形成することと、
自立膜を形成するために、前記高度にエッチング可能な層の、前記一又は複数のナノポアの下の部分を選択的に除去することと、
一又は複数の追加の層を前記薄膜の上に堆積することと、
前記薄膜上の、前記一又は複数のナノポアに隣接していない位置に第1電極を設置することと、
ナノポア開口に隣接して前記薄膜上に第2電極を設置することと、
を含む、方法。 - 前記高度にエッチング可能な層の前記部分を選択的に除去することが、
エッチングチャンバ内に前記基板を配置することと、
前記エッチングチャンバに、前記高度にエッチング可能な層を除去するように選択されたエッチャントを導入することと、
前記高度にエッチング可能な層の前記部分を選択的に除去するために、前記基板を前記エッチャントに曝露することと
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記自立膜が誘電体膜であり、前記高度にエッチング可能な層がシリコンを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記自立膜の少なくとも一方の側に生体試料を載置することと、
前記自立膜における前記一又は複数のナノポアを通るように前記生体試料を導くことによって、前記生体試料を解析することとを更に含む、請求項1に記載の方法。 - 前記一又は複数のナノポアの各々の直径が約100ナノメートル以下であり、前記自立膜の厚さが約50ナノメートル以下である、請求項1に記載の方法。
- 基板を形成するための方法であって、
前記基板は、
第1シリコン層と、
前記第1シリコン層の上に配置された誘電体層と、
前記誘電体層の一部の上に配置された第2シリコン層と、
前記第2シリコン層の上に配置された自立膜であって、少なくとも1つのナノポアと、当該ナノポアを通るように形成された少なくとも1つの開口とを有する自立膜と、
前記少なくとも1つのナノポアの下方に配置された第1ウェルと
前記少なくとも1つのナノポアの上方に配置された第2ウェルとを備えるものであり、
高度にエッチング可能な層の上に薄膜を有している、基板を提供することと、
ポア径縮小プロセスを使用して、前記高度にエッチング可能な層の上の前記薄膜を通し
て、前記少なくとも1つのナノポアを形成することと、
薄型の自立膜を形成するために、前記高度にエッチング可能な層の、前記少なくとも1つのナノポアの下の部分を選択的に除去することと、
一又は複数の追加の層を前記薄膜の上に堆積することと、
前記薄膜上の、前記少なくとも1つのナノポアに隣接していない位置に第1電極を設置することと、
ナノポア開口部に隣接して前記薄膜上に第2電極を設置することと、
とを含む方法。 - 前記高度にエッチング可能な層の前記部分を選択的に除去することが、
前記高度にエッチング可能な層の前記部分を選択的に除去するために選択されたエッチャントに、前記基板を曝露することを含む、請求項6に記載の方法。 - 前記自立膜の少なくとも一方の側に生体試料を載置することと、
前記自立膜における前記少なくとも1つのナノポアを通るように前記生体試料を導くことによって、前記生体試料を解析することとを更に含む、請求項6に記載の方法。 - 前記ポア径縮小プロセスが、
前記薄膜に少なくとも1つの第1フィーチャを形成することと、
前記第1フィーチャ内に、少なくとも第1ドメイン及び第2ドメインを備えるブロックコポリマーを堆積させることと、
前記第2ドメインをエッチングすることとを含む、請求項6に記載の方法。 - 前記ポア径縮小プロセスが、
前記薄膜に少なくとも1つの第1フィーチャを形成することと、
前記少なくとも1つの第1フィーチャの上に誘電体材料を堆積させることと、
前記少なくとも1つの第1フィーチャの上の前記誘電体材料の一部分をエッチングすることとを含む、請求項6に記載の方法。 - 前記誘電体材料を堆積させることと、前記誘電体材料の前記部分をエッチングすることとを、少なくとも1つのナノポアが形成されるまで反復することを更に含む、請求項10に記載の方法。
- 前記第1ウェルと前記第2ウェルの少なくとも一方の中にDNA含有流体を備え、前記少なくとも1つのナノポアの各々の直径が約100ナノメートル以下であり、前記自立膜の厚さが約50ナノメートル以下である、請求項6に記載の方法。
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---|---|---|---|---|
US10488394B2 (en) | 2016-03-21 | 2019-11-26 | Ontera Inc. | Wafer-scale assembly of insulator-membrane-insulator devices for nanopore sensing |
US11486873B2 (en) | 2016-03-31 | 2022-11-01 | Ontera Inc. | Multipore determination of fractional abundance of polynucleotide sequences in a sample |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010269304A (ja) | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ポリマの指向性自己組織化を利用するサブリソグラフィ構造の形成方法 |
US20120021204A1 (en) | 2010-07-26 | 2012-01-26 | International Business Machines Corporation | Structure and method to form nanopore |
US20120108068A1 (en) | 2010-11-03 | 2012-05-03 | Texas Instruments Incorporated | Method for Patterning Sublithographic Features |
US20160042971A1 (en) | 2014-08-07 | 2016-02-11 | Tokyo Electron Limited | Method for Directed Self-Assembly and Pattern Curing |
US20160313278A1 (en) | 2015-04-23 | 2016-10-27 | International Business Machines Corporation | Field effect based nanopore device |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2700862C (en) | 2007-10-02 | 2016-11-15 | President And Fellows Of Harvard College | Carbon nanotube synthesis for nanopore devices |
US8512588B2 (en) | 2010-08-13 | 2013-08-20 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Method of fabricating a scalable nanoporous membrane filter |
EP2562135A1 (de) * | 2011-08-22 | 2013-02-27 | ETH Zurich | Verfahren zur Herstellung und Ausrichtung von Nanowires und Anwendungen eines solchen Verfahrens |
EP2847367B1 (en) | 2012-05-07 | 2017-03-29 | The University of Ottawa | Fabrication of nanopores using high electric fields |
CN104350162A (zh) | 2012-06-15 | 2015-02-11 | 吉尼亚科技公司 | 芯片设置和高精确度核酸测序 |
WO2014144818A2 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | President And Fellows Of Harvard College | Fabrication of nanopores in atomically-thin membranes by ultra-short electrical pulsing |
US9046511B2 (en) * | 2013-04-18 | 2015-06-02 | International Business Machines Corporation | Fabrication of tunneling junction for nanopore DNA sequencing |
US9230820B2 (en) | 2013-10-30 | 2016-01-05 | HGST Netherlands B.V. | Method for directed self-assembly (DSA) of a block copolymer (BCP) using a blend of a BCP with functional homopolymers |
US10612084B2 (en) | 2014-04-08 | 2020-04-07 | International Business Machines Corporation | Reduction of entropic barrier of polyelectrolyte molecules in a nanopore device with agarose gel |
FR3023581B1 (fr) | 2014-07-08 | 2016-07-15 | Snecma | Montage d'aubes en peripherie d'un disque de turbomachine |
WO2016056887A1 (en) * | 2014-10-09 | 2016-04-14 | Mimos Berhad | Humidity sensor with nanoporous polyimide membranes and a method of fabrication thereof |
KR102414067B1 (ko) | 2014-12-19 | 2022-06-27 | 더 유니버시티 오브 오타와 | 제어된 브레이크다운을 사용한 마이크로유체 채널 어레이 내에서의 나노기공 센서의 통합 |
-
2018
- 2018-09-05 US US16/122,171 patent/US10830756B2/en active Active
- 2018-09-11 WO PCT/US2018/050383 patent/WO2019060168A1/en unknown
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010269304A (ja) | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ポリマの指向性自己組織化を利用するサブリソグラフィ構造の形成方法 |
US20120021204A1 (en) | 2010-07-26 | 2012-01-26 | International Business Machines Corporation | Structure and method to form nanopore |
US20120108068A1 (en) | 2010-11-03 | 2012-05-03 | Texas Instruments Incorporated | Method for Patterning Sublithographic Features |
US20160042971A1 (en) | 2014-08-07 | 2016-02-11 | Tokyo Electron Limited | Method for Directed Self-Assembly and Pattern Curing |
US20160313278A1 (en) | 2015-04-23 | 2016-10-27 | International Business Machines Corporation | Field effect based nanopore device |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
Lab on a Chip,2015年,Vol.15, No.6,pp.1407-1411 |
Nano Letters,2014年,Vol.14, No.1,pp.244-249 |
Nanotechnology,2014年,Vol.25, No.35, 355302,pp.1-8 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200044992A (ko) | 2020-04-29 |
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