JPWO2016021645A1 - 放熱部品及びその製造方法 - Google Patents
放熱部品及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2016021645A1 JPWO2016021645A1 JP2016540268A JP2016540268A JPWO2016021645A1 JP WO2016021645 A1 JPWO2016021645 A1 JP WO2016021645A1 JP 2016540268 A JP2016540268 A JP 2016540268A JP 2016540268 A JP2016540268 A JP 2016540268A JP WO2016021645 A1 JPWO2016021645 A1 JP WO2016021645A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- warpage
- manufacturing
- amount
- heat dissipation
- component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 title claims abstract description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 17
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 29
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 6
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 5
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- -1 aluminum-silicon-magnesium Chemical compound 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3733—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon having a heterogeneous or anisotropic structure, e.g. powder or fibres in a matrix, wire mesh, porous structures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
- C22F1/04—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of aluminium or alloys based thereon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
- H01L21/4878—Mechanical treatment, e.g. deforming
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3736—Metallic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【課題】回路基板を接合した後における反りの戻りが小さく、放熱性に優れた放熱部品の製造方法及び、該製造方法により製造される放熱部品を提供する。【解決手段】炭化珪素とアルミニウム合金とからなる複合化部を含む、反りを有する平板状の放熱部品の製造方法であって、４５０℃以上の表面温度を有する、曲率半径７０００ｍｍ〜３００００ｍｍの１対の対向する球面を有する凹凸型で放熱部品を挟み、該放熱部品の温度が４５０℃以上の温度となるように、１０ＫＰａ以上の応力で３０秒以上プレスすることを特徴とする放熱部品の製造方法を提供する。【選択図】図１
Description
本発明は、放熱部品及びその製造方法に関する。
半導体素子から発生する熱を放散させるために、半導体素子が実装される回路基板にはベース板が接合され、さらにベース板の反対の板面には放熱フィン等の放熱部品が接合される。このような用途のベース板として、熱伝導性が高く、接合される回路基板に近い熱膨張係数を有する、アルミニウム又はアルミニウム合金と炭化珪素とからなる複合体が用いられる（特許文献１）。
上記の用途で、平坦なベース板を用いる場合、ベース板と回路基板との熱膨張係数の差から、両者の接合時に発生する応力やその後の樹脂封止等によるパッケージ化の際に発生する応力のため、放熱フィン等と密着させる側のベース板面が凹型に反ってしまい、放熱フィンをベース板に固定する際、十分な密着性が得られない。
この問題を解決する手段として、放熱フィン等と接合させるベース板の板面を予め凸型に反らせておく反り付け加工の技術がある（特許文献２）。
しかしながら、従来の反り付け加工では、実装後のヒートサイクル等の環境下では、ベース板の反りが変動するという問題があった。
また、ベース板に応力をかけつつ加熱処理して反りを付与する方法では、セラミックス基板とベース板との半田接合及び樹脂封止等のパッケージ化後に、本来目的とする放熱フィンと密着させる側の面が凸型ではなく凹型の反り形状となる、いわゆる反りの戻りが大きく、その結果、放熱性に劣ることが問題であった。
また、ベース板に応力をかけつつ加熱処理して反りを付与する方法では、セラミックス基板とベース板との半田接合及び樹脂封止等のパッケージ化後に、本来目的とする放熱フィンと密着させる側の面が凸型ではなく凹型の反り形状となる、いわゆる反りの戻りが大きく、その結果、放熱性に劣ることが問題であった。
本発明によれば、回路基板を接合した後における反りの戻りが小さく、放熱性に優れた放熱部品の製造方法及び該製造方法により製造される放熱部品が提供される。
本発明によれば、炭化珪素とアルミニウム合金とからなる複合化部を含む、反りを有する平板状の放熱部品の製造方法であって、４５０℃以上の表面温度を有する、曲率半径７０００ｍｍ〜３００００ｍｍの１対の対向する球面を有する凹凸型で放熱部品を挟み、該放熱部品の温度が４５０℃以上の温度となるように、１０ＫＰａ以上の応力で３０秒以上プレスすることを特徴とする放熱部品の製造方法が提供される。
本発明の一態様によれば、上記の製造方法において、前記曲率半径が２００００ｍｍ〜３００００ｍｍであることを特徴とする。
本発明の一態様によれば、上記の製造方法により製造した放熱部品が、反り付与前の１０ｃｍあたりの反り量をＸ、反り付与後の１０ｃｍあたりの反り量を（Ｘ＋Ｙ）とし、反り付与後の放熱部品を３２０℃以下の温度で１時間以上加熱処理した後の１０ｃｍあたりの反り量を（Ｘ＋Ｚ）としたとき、ＹとＺとの間に、（Ｙ−Ｚ）＜（Ｙ／２）なる関係を満たすことを特徴とする。
本発明の一態様によれば、上記の製造方法において、（Ｙ−Ｚ）が１８μｍ以下であることを特徴とする。
本発明の一態様によれば、上記の製造方法において、（Ｙ／２）−（Ｙ−Ｚ）が１μｍ〜８０μｍであることを特徴とする。
また本発明によれば、上記のいずれかの製造方法により製造される放熱部品が提供される。
本発明によれば、回路基板を接合した後における反りの戻りが小さく、放熱性に優れた放熱部品の製造方法及び該製造方法により製造される放熱部品を提供することができる。
以下、実施形態により本発明をさらに詳細に説明する。しかし、本発明がこれらの実施形態に限定されないことは自明である。
本発明において、「反り量」とは、平板状の放熱部品の中心部（放熱部品の中心部とは、略矩形状の平板の板面における、対角線の交点としてよい）が中点となる、放熱部品の板面の長辺方向又は短辺方向の線分の端点同士を結ぶ直線を想定し、この直線の垂線のうちで上記中心部を通る垂線の長さを図り、これを反り量と定義する。
例えば、図１の例では、放熱部品の中心部Ｏが中点となり、Ｐ１およびＰ２が長辺方向又は短辺方向の線分の端点となる。このＰ１とＰ２とを結ぶ直線を想定し、この直線から中心部Ｏへ引いた垂線の長さをＬとする。このとき、Ｐ１とＰ２とを結ぶ直線の長さをＭとして、長さＭに対する長さＬの値を反り量とする。例えば、長さＭを１０ｃｍとしたときの、長さＬの換算値を、１０ｃｍあたりの反り量とする。
例えば、図１の例では、放熱部品の中心部Ｏが中点となり、Ｐ１およびＰ２が長辺方向又は短辺方向の線分の端点となる。このＰ１とＰ２とを結ぶ直線を想定し、この直線から中心部Ｏへ引いた垂線の長さをＬとする。このとき、Ｐ１とＰ２とを結ぶ直線の長さをＭとして、長さＭに対する長さＬの値を反り量とする。例えば、長さＭを１０ｃｍとしたときの、長さＬの換算値を、１０ｃｍあたりの反り量とする。
本発明において、「球面」とは、平面上の曲線を、その平面上の一直線のまわりに回転させたときにできる曲面として定義できる。
本実施形態の放熱部品の製造方法は、炭化珪素とアルミニウム合金とからなる複合化部を含む、反りを有する平板状の放熱部品の製造方法であって、４５０℃以上の表面温度を有する、曲率半径７０００ｍｍ〜３００００ｍｍの１対の対向する球面を有する凹凸型で放熱部品を挟み、該放熱部品の温度が４５０℃以上の温度となるように、１０ＫＰａ以上の応力で３０秒以上プレスすることを特徴とする。
上記の構成を備える製造方法により、反りの戻りが小さく、放熱フィン等の他の放熱部品に接したときの密着性が良いため放熱性に優れる放熱部品が提供される。その結果、半導体素子等を実装して高信頼性のモジュールを安定して生産性良く得ることができる。
上記の構成を備える製造方法により、反りの戻りが小さく、放熱フィン等の他の放熱部品に接したときの密着性が良いため放熱性に優れる放熱部品が提供される。その結果、半導体素子等を実装して高信頼性のモジュールを安定して生産性良く得ることができる。
本実施形態では、ベース板（放熱部品）の表面全面に応力を付与するに際し、曲率半径が７０００ｍｍ〜３００００ｍｍである球面形状を有する凹型と前記球面と同じ曲率半径の球面形状を有するの凸型の２個からなる型（以下、この一対の型を凹凸型と呼ぶ）を用いる。凹凸型の前記球面の間にベース板を挟み、ベース板が挟まれる方向に応力を付与しながら（いわゆるプレスを行いながら）加熱する方法が採用される。
上記の方法では、予めベース板を挟み込んだ１対の型を加熱しておき、プレス機にてプレスする方法、若しくは荷重をかける方法や予め所定温度に加熱した一対の型にベース板を投入し、プレスする方法、さらにはこの際、予めベース板を加熱しておく方法等が採用される。
プレス型は図２に示されるようなものであり、放熱部品１を挟む、プレス凸型２とプレス凹型３とを有する（図２（ａ））。一対のプレス凸型２とプレス凹型３とを対向させて放熱部品１を挟み（図２（ｂ））、上記の条件で加熱プレスを行うことにより、放熱部品１に所定の反りを付与する（図２（ｃ））。
上記の方法により、放熱部品１は、放熱部品１の板面の長手方向及び短手方向における１０ｃｍあたり５μｍ〜２００μｍの反り量を付与されてもよい。
上記の方法により、放熱部品１は、放熱部品１の板面の長手方向及び短手方向における１０ｃｍあたり５μｍ〜２００μｍの反り量を付与されてもよい。
回路基板接合時には、その熱膨張係数差により、放熱部品には凸面が凹面に向かうような力が一般的には働き、そのため放熱部品の形状によっては、一部で凹型の領域が発生しやすくなるが、球面形状の反りとすることによって、前記した力が作用しても、一部の領域が凹型となるまでには変形しないので、モジュールとしたときに放熱フィン等の接合が十分に維持され、高信頼性のモジュールを得ることができる。
本実施形態において、アルミニウム合金と炭化珪素とを含む複合体であることから、反りの付与にあたっては、そのマトリックスとなるアルミニウム或いはアルミニウム合金部が溶融しない範囲内の温度で、ベース板ができるだけ高い温度となることが好ましく、具体的には４５０℃〜５５０℃程度の温度域で処理することが好適である。
また、応力は１０ＫＰａ以上がよく、好ましくは３０ＫＰａ以上２５０ＫＰａ以下である。ベース板の板厚や反り付与時の温度等に応じて最適応力を実験的に決めればよい。
本実施形態では、放熱部品が加熱された対向する球面型間に挟まれることにより加熱されるのが一般的である。したがって、複合体自体が４５０℃以上の温度になるには、複合体の厚み、面積等により影響を受けるが、放熱部品自体の温度が実質的に４５０℃以上の温度下で３０秒以上３００秒以下、プレスされれば、本実施形態の特性を有する放熱部品が得られる。
なお、本実施形態に使用される１対の凹凸型の材質としては、本実施形態の加熱処理温度で特定時間その形状を維持できるものであれば材質を問わないが、カーボン、窒化ほう素等のセラミックスや超硬合金、ステンレス鋼といった金属材料が好ましく使用される。
放熱部品をプレスするための一対のプレス型のプレス面は、曲率半径が２００００ｍｍ〜３００００ｍｍの球面形状を有してもよい。曲率半径が２００００ｍｍ〜３００００ｍｍであることにより、加熱処理による反り量の変化を小さくすることができる。
上記の放熱部品が、反り付与前の１０ｃｍあたりの反り量をＸ、反り付与後の１０ｃｍあたりの反り量を（Ｘ＋Ｙ）とし、反り付与後の放熱部品を３２０℃以下の温度で１時間以上加熱処理した後の１０ｃｍあたりの反り量を（Ｘ＋Ｚ）としたとき、ＹとＺとの間に、（Ｙ−Ｚ）＜（Ｙ／２）なる関係を満たすようにしてもよい。
反りの付与については、付与前の１０ｃｍあたりの反り量がＸμｍであって、付与後の１０ｃｍあたりの反り量が（Ｘ＋Ｙ）μｍとなった場合には、付与した１０ｃｍあたりの反り量はＹμｍとなる。また、反り量の戻りについては、前記の１０ｃｍあたりの反り量が（Ｘ＋Ｙ）μｍであったものを３２０℃以下の温度で１時間以上加熱処理し、１０ｃｍあたりの反り量が（Ｘ＋Ｚ）μｍとなった場合には、（Ｙ−Ｚ）μｍと定義される。
上記の製造方法においては、（Ｙ−Ｚ）について、（Ｙ−Ｚ）＜（Ｙ／２）となる関係を満足することにより、反りの戻りが小さく、より放熱性に優れた放熱部品を提供することができる。
上記の製造方法においては、（Ｙ−Ｚ）について、（Ｙ−Ｚ）＜（Ｙ／２）となる関係を満足することにより、反りの戻りが小さく、より放熱性に優れた放熱部品を提供することができる。
上記の温度で１時間以上加熱処理を施した前後における反り量の関係を、上記のように規定することにより、付与した反り量の５０％以上が維持でき、そのためセラミックス回路基板等を実際に半田付けし、さらに樹脂封止等のパッケージした後も、放熱部品の放熱フィン固定側が凸面の状態に維持され、放熱性に優れたモジュールを得ることができる。
なお、（Ｙ−Ｚ）が１８μｍ以下であってもよい。加熱処理の前後における反り量の戻りが、１８μｍ以下であることにより、放熱部品の形状が均一に保たれ、生産性良く放熱部品を製造することができる。
なお、（Ｙ／２）−（Ｙ−Ｚ）が１μｍ〜８０μｍの範囲であってもよい。このような範囲とすることにより、より密着性が良く、放熱性に優れる放熱部品を製造することができる。
本実施形態の製造方法によれば、加熱後の反りの戻り量が小さく、球面に近い形状の反りを有する放熱部品が得られる。
本実施形態で用いられるアルミニウム合金と炭化珪素とを含む複合体としては、アルミニウム又はアルミニウム合金、炭化珪素の両者が三次元的に網目構造を有する複合体が好ましく適用でき、中でも、炭化珪素粉粒を成形体とし前記成形体中の空隙部にアルミニウム又はアルミニウムを含有する合金を含浸させて得られる複合体は高熱伝導率でしかも低膨張率を有することから一層好ましい。
このような複合体を得るためには、例えば、高圧鍛造法を用いることができる。高圧鍛造法においては、後述するアルミニウム又はアルミニウム合金（以下、単にアルミニウムという）を含浸する工程での割れ等の異常発生を防止したり、得られる複合体が高熱伝導率、低膨張率、高強度等の特性を満足することを目的に、炭化珪素を予め成形体（プリフォーム）とし、これにアルミニウムを含浸させることができる。
炭化珪素のプリフォームを作製する方法としては、炭化珪素粉末と有機バインダー及び焼成後の強度を維持するために無機バインダー等を混合した混合粉末をプレス成形後、空気中もしくは不活性雰囲気中で焼成しプリフォーム化する方法、前記混合粉末にさらに水や溶剤及び可塑剤、分散剤等を添加し混練後、押し出し成形、焼成する方法、前記混合物を低粘度のスラリーとし、型に注入成形し、焼成するインジェクション法、さらにはスラリーを所定の吸水性を有する型に充填し、加圧成形する湿式加圧成形法等の公知の方法が採用できる。
本実施形態に利用する場合、炭化珪素含有率は、その用途に応じて適宜選択できるが、高い熱伝導率を有し、かつ熱膨張係数が６〜９ｐｐｍ／Ｋ程度のアルミニウム−炭化珪素質ベース板を得るには、いずれの方法でプリフォームを作製するにしても、プリフォームの相対密度を５０％以上、より好ましくは６０％以上とすることが望ましい。そのために、炭化珪素原料として異なった粒径を有する２種以上の原料粉末を適宜混合することが効果的である。相対密度は、アルキメデス法等によって測定することができる。
プリフォームにアルミニウムを含浸させて複合体とする工程では、炭化珪素質プリフォームを金型にセットしたのち、金型に溶融したアルミニウムを投入、溶融アルミニウムをプレスすることによりプリフォームの空隙内にアルミニウムが含浸され、冷却を通してアルミニウム−炭化珪素質複合体が作製される。
この際、含浸を円滑に行うため、プリフォームは予め予熱される。また、含浸するアルミニウム原料としては、低溶融温度化、含浸のしやすさ及び含浸後の機械特性の向上等を目的に、珪素を６〜１８質量％含有するアルミニウム−珪素系合金やさらにプリフォームとの濡れ性向上を目的としてマグネシウムを３質量％まで添加したアルミニウム−珪素−マグネシウム系合金等が使用される。
いずれの合金を使用するかは任意に選択できるが、一般には８００℃〜９００℃で溶融したアルミニウム合金が含浸される。上記方法で作製されたアルミニウム−炭化珪素質複合体は、そのままの状態、もしくはその後所定の形状にその表面及び外周を加工され、更に必要に応じてメッキ等の表面処理を施され、放熱部品となる。
以上の工程により得られた放熱部品は、前述した通りに、平坦であったり、制御されていない反りが存在するが、本実施形態の方法により、球状の反り量が制御された放熱部品となる。
上記の実施形態の放熱部品の製造方法により、セラミックス回路基板との半田接合や樹脂封止等のパッケージ化後にも放熱フィンとの密着性が高い放熱部品が提供される。
以下では、実施例及び比較例に基づき、本発明を説明する。
（実施例１）
相対密度が６５％であり、炭化珪素からなる、寸法が１７９ｍｍ×１２９ｍｍで厚みが４．９ｍｍのプリフォームを、寸法が１８２ｍｍ×１３２ｍｍの寸法で深さが５．０ｍｍのキャビティーを有する湯口付きの金型内にセットした。
これを６００℃で１時間加熱した後、すぐに１２質量％の珪素と０．９質量％のマグネシウムを含有する溶融アルミニウム合金を注入し、高圧プレスをすることにより、プリフォーム内の空隙にアルミニウム合金を含浸させた。冷却後、金型から脱型してアルミニウム‐炭化珪素質複合体を得た。
（実施例１）
相対密度が６５％であり、炭化珪素からなる、寸法が１７９ｍｍ×１２９ｍｍで厚みが４．９ｍｍのプリフォームを、寸法が１８２ｍｍ×１３２ｍｍの寸法で深さが５．０ｍｍのキャビティーを有する湯口付きの金型内にセットした。
これを６００℃で１時間加熱した後、すぐに１２質量％の珪素と０．９質量％のマグネシウムを含有する溶融アルミニウム合金を注入し、高圧プレスをすることにより、プリフォーム内の空隙にアルミニウム合金を含浸させた。冷却後、金型から脱型してアルミニウム‐炭化珪素質複合体を得た。
得られた複合体の外周を加工することにより、寸法が１８０ｍｍ（長手と呼ぶ）×１３０ｍｍ（短手と呼ぶ）で厚みが５ｍｍのベース板とした。なお、このときの表面はアルミニウム合金で覆われていた。
前記ベース板について反り量を測定した。反り量の測定はレーザー三次元形状測定器（株式会社キーエンス製：ＬＫ−Ｇ５００）で行い、測定範囲はベース板の中央が中点となるように長手方向で１００ｍｍ、短手方向で１００ｍｍとした。
なお、長手方向、短手方向とも測定位置はベース板の中心を通るラインとした。反り量を測定した結果、片面が長手方向、短手方向ともに凸状、反対面が凹状の反り形状を示した。この凸面について、測定範囲の両端をゼロに換算した際のライン中の最高高さ、すなわち反り量を調べたところ、長手方向で１６μｍ、短手方向で１４μｍであった。
なお、長手方向、短手方向とも測定位置はベース板の中心を通るラインとした。反り量を測定した結果、片面が長手方向、短手方向ともに凸状、反対面が凹状の反り形状を示した。この凸面について、測定範囲の両端をゼロに換算した際のライン中の最高高さ、すなわち反り量を調べたところ、長手方向で１６μｍ、短手方向で１４μｍであった。
前記ベース板に反りを付与するため、ＳＵＳ製で曲率半径が１００００ｍｍの球面を設けた凹凸型を準備した。この凹凸型を熱プレス機に装着し、加熱して型の表面温度を４６０℃とした。この凹凸型の間に前記ベ−ス板を配置し４０ＫＰａでプレスした。この際、ベース板の側面に熱電対を接触させ測温した。ベース板の温度が４５０℃になった時点から３分間保持後、急冷し、加圧を解除した。
得られたベース板の凸面側の反り量を測定した結果、長手方向が１３５μｍ、短手方向は１２２μｍであった。
得られたベース板の凸面側の反り量を測定した結果、長手方向が１３５μｍ、短手方向は１２２μｍであった。
前記ベース板をさらに３２０℃で２時間加熱後、反り量を測定した結果、長手方向が１２２μｍ、短手方向は１１１μｍであった。これらの結果を表１及び２に示した。
（実施例２）
曲率半径が７０００ｍｍの型を使用したこと以外は、すべて実施例１と同じ方法でベース板を処理した。各段階での反り量を表１及び２に示した。
曲率半径が７０００ｍｍの型を使用したこと以外は、すべて実施例１と同じ方法でベース板を処理した。各段階での反り量を表１及び２に示した。
（実施例３）
曲率半径が２００００ｍｍの型を使用したこと以外は、すべて実施例１と同じ方法でベース板を処理した。各段階での反り量を表１及び２に示した。
曲率半径が２００００ｍｍの型を使用したこと以外は、すべて実施例１と同じ方法でベース板を処理した。各段階での反り量を表１及び２に示した。
（実施例４）
曲率半径が３００００ｍｍの型を使用したこと以外は、すべて実施例１と同じ方法でベース板を処理した。各段階での反り量を表１及び２に示した。
曲率半径が３００００ｍｍの型を使用したこと以外は、すべて実施例１と同じ方法でベース板を処理した。各段階での反り量を表１及び２に示した。
（実施例５）
型の表面温度を５６０℃にしたこと、プレス圧力を１０ＫＰａにしたこと、ベース板の温度が５５０℃になった時点から０．５分（３０秒）保持したこと以外は、すべて実施例１と同じ方法でベース板を処理した。各段階での反り量を表１及び２に示した。
型の表面温度を５６０℃にしたこと、プレス圧力を１０ＫＰａにしたこと、ベース板の温度が５５０℃になった時点から０．５分（３０秒）保持したこと以外は、すべて実施例１と同じ方法でベース板を処理した。各段階での反り量を表１及び２に示した。
（実施例６）
型の表面温度を５３０℃にしたこと、プレス圧力を３０ＫＰａにしたこと、ベース板の温度が５２０℃になった時点から４分保持したこと以外は、すべて実施例１と同じ方法でベース板を処理した。各段階での反り量を表１及び２に示した。
型の表面温度を５３０℃にしたこと、プレス圧力を３０ＫＰａにしたこと、ベース板の温度が５２０℃になった時点から４分保持したこと以外は、すべて実施例１と同じ方法でベース板を処理した。各段階での反り量を表１及び２に示した。
（実施例７）
曲率半径が１５０００ｍｍの型を使用したこと、型の表面温度を５６０℃としたこと、プレス圧力を１０ＫＰａにしたこと、ベース板の温度が５５０℃になった時点から０．５分保持したこと、さらに反り付与後の加熱処理を２７０℃、３時間としたこと以外は、すべて実施例１と同じ方法でベース板を処理した。各段階での反り量を表１及び２に示した。
曲率半径が１５０００ｍｍの型を使用したこと、型の表面温度を５６０℃としたこと、プレス圧力を１０ＫＰａにしたこと、ベース板の温度が５５０℃になった時点から０．５分保持したこと、さらに反り付与後の加熱処理を２７０℃、３時間としたこと以外は、すべて実施例１と同じ方法でベース板を処理した。各段階での反り量を表１及び２に示した。
（実施例８）
曲率半径が１５０００ｍｍの型を使用したこと、プレス圧力を４０ＫＰａにしたこと及び保持時間を４分としたこと、さらに反り付与後の加熱処理を２７０℃、３時間としたこと以外は、すべて実施例２と同じ方法でベース板を処理した。各段階での反り量を表１及び２に示した。
曲率半径が１５０００ｍｍの型を使用したこと、プレス圧力を４０ＫＰａにしたこと及び保持時間を４分としたこと、さらに反り付与後の加熱処理を２７０℃、３時間としたこと以外は、すべて実施例２と同じ方法でベース板を処理した。各段階での反り量を表１及び２に示した。
（実施例９）
曲率半径が１５０００ｍｍの型を使用したこと、型の表面温度を５３０℃としたこと、プレス圧力を３０ＫＰａにしたこと、ベース板の温度が５２０℃になった時点から３分保持したこと、さらに反り付与後の加熱処理を２７０℃、３時間としたこと以外は、すべて実施例３と同じ方法でベース板を処理した。各段階での反り量を表１及び２に示した。
曲率半径が１５０００ｍｍの型を使用したこと、型の表面温度を５３０℃としたこと、プレス圧力を３０ＫＰａにしたこと、ベース板の温度が５２０℃になった時点から３分保持したこと、さらに反り付与後の加熱処理を２７０℃、３時間としたこと以外は、すべて実施例３と同じ方法でベース板を処理した。各段階での反り量を表１及び２に示した。
（比較例１）
型の表面温度を５６０℃としたこと、プレス圧力を８ＫＰａとしたこと、ベース板の温度が５５０℃になった時点から３分保持したこと以外は、すべて実施例１と同じ方法でベース板を処理した。各段階での反り量を表１及び２に示した。
型の表面温度を５６０℃としたこと、プレス圧力を８ＫＰａとしたこと、ベース板の温度が５５０℃になった時点から３分保持したこと以外は、すべて実施例１と同じ方法でベース板を処理した。各段階での反り量を表１及び２に示した。
（比較例２）
型の温度を４４０℃としたこと、ベース板温度を４３０℃にしたこと、プレス圧力を１０ＫＰａとしたこと、プレス時間を０．５分（３０秒）としたこと以外は、すべて実施例１と同じ方法でベース板を処理した。各段階での反り量を表１及び２に示した。
型の温度を４４０℃としたこと、ベース板温度を４３０℃にしたこと、プレス圧力を１０ＫＰａとしたこと、プレス時間を０．５分（３０秒）としたこと以外は、すべて実施例１と同じ方法でベース板を処理した。各段階での反り量を表１及び２に示した。
（比較例３）
型の温度を５３０℃としたこと、ベース板温度を５２０℃にしたこと、プレス圧力を３０ＫＰａとしたこと、保持時間を０．２５分（１５秒）とした以外は、すべて実施例４と同じ方法でベース板を処理した。各段階での反り量を表１及び２に示した。
型の温度を５３０℃としたこと、ベース板温度を５２０℃にしたこと、プレス圧力を３０ＫＰａとしたこと、保持時間を０．２５分（１５秒）とした以外は、すべて実施例４と同じ方法でベース板を処理した。各段階での反り量を表１及び２に示した。
（比較例４）
曲率半径が１５０００ｍｍの型を使用したこと、型の温度を５６０℃としたこと、ベース板温度を５５０℃にしたこと、プレス圧力を１０ＫＰａとしたこと、保持時間を０．２５分（１５秒）としたこと、さらに反り付与後の加熱処理を２７０℃、３時間としたこと以外は、すべて実施例１と同じ方法でベース板を処理した。各段階での反り量を表１及び２に示した。
曲率半径が１５０００ｍｍの型を使用したこと、型の温度を５６０℃としたこと、ベース板温度を５５０℃にしたこと、プレス圧力を１０ＫＰａとしたこと、保持時間を０．２５分（１５秒）としたこと、さらに反り付与後の加熱処理を２７０℃、３時間としたこと以外は、すべて実施例１と同じ方法でベース板を処理した。各段階での反り量を表１及び２に示した。
（比較例５）
曲率半径が５０００ｍｍの型を使用したこと、プレス時間を４分としたこと、以外は、すべて実施例１と同じ方法でベース板を処理した。反り付与後の外観検査を実施したところ、ベース板にクラックが確認された。
曲率半径が５０００ｍｍの型を使用したこと、プレス時間を４分としたこと、以外は、すべて実施例１と同じ方法でベース板を処理した。反り付与後の外観検査を実施したところ、ベース板にクラックが確認された。
（比較例６）
曲率半径が３５０００ｍｍの型を使用したことしたこと以外は、すべて実施例１と同じ方法でベース板を処理した。各段階での反り量を表１及び２に示した。
曲率半径が３５０００ｍｍの型を使用したことしたこと以外は、すべて実施例１と同じ方法でベース板を処理した。各段階での反り量を表１及び２に示した。
（比較例７）
実施例１の含浸方法及び外周加工で得られた、予め反りを測定したベース板を、１６０ｍｍ×１２０ｍｍで深さが５ｍｍのキャビティー上に置き、ベース板のセンターをネジで締め込んでキャビティーの縁を支点として撓ませた。この状態のまま、炉に投入し、５５０℃で３０分間加熱後、冷却した。この後、ネジ締めを解放し、付与された反りを測定したのち、３２０℃、２時間加熱処理を施し、再度反りを測定した。結果を表１及び２に示した。
実施例１の含浸方法及び外周加工で得られた、予め反りを測定したベース板を、１６０ｍｍ×１２０ｍｍで深さが５ｍｍのキャビティー上に置き、ベース板のセンターをネジで締め込んでキャビティーの縁を支点として撓ませた。この状態のまま、炉に投入し、５５０℃で３０分間加熱後、冷却した。この後、ネジ締めを解放し、付与された反りを測定したのち、３２０℃、２時間加熱処理を施し、再度反りを測定した。結果を表１及び２に示した。
（比較例８）
ネジで締め込んだままでの状態の加熱を４５０℃、３０分で行ったこと、ネジ締め解放後の加熱処理を３２０℃、１時間としたこと以外は、すべて比較例７と同じ条件で処理した。結果を表１及び２に示した。
ネジで締め込んだままでの状態の加熱を４５０℃、３０分で行ったこと、ネジ締め解放後の加熱処理を３２０℃、１時間としたこと以外は、すべて比較例７と同じ条件で処理した。結果を表１及び２に示した。
表１及び２からわかるように、本発明の製造方法によって製造された放熱部品は、回路基板を接合した後における反りの戻りが小さく、放熱性に優れるという効果を有する。
以上のように、本発明の方法によれば、回路基板接合時等で、反りの戻りが小さく、その後のパッケージ化を通じて、放熱フィン側に凸な安定した形状を有する放熱部品を製造でき、その結果、熱放散性に優れ、長期に渡って信頼性の高いモジュールを安定して提供できる効果が期待できる。
１ 放熱部品
２ プレス凸型
３ プレス凹型
２ プレス凸型
３ プレス凹型
Claims (6)
- 炭化珪素とアルミニウム合金とからなる複合化部を含む、反りを有する平板状の放熱部品の製造方法であって、
４５０℃以上の表面温度を有する、曲率半径７０００ｍｍ〜３００００ｍｍの１対の対向する球面を有する凹凸型で放熱部品を挟み、該放熱部品の温度が４５０℃以上の温度となるように、１０ＫＰａ以上の応力で３０秒以上プレスすることを特徴とする放熱部品の製造方法。 - 前記曲率半径が２００００ｍｍ〜３００００ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載の放熱部品の製造方法。
- 請求項１又は２の製造方法により製造した放熱部品が、
反り付与前の１０ｃｍあたりの反り量をＸ、反り付与後の１０ｃｍあたりの反り量を（Ｘ＋Ｙ）とし、反り付与後の放熱部品を３２０℃以下の温度で１時間以上加熱処理した後の１０ｃｍあたりの反り量を（Ｘ＋Ｚ）としたとき、ＹとＺとの間に
（Ｙ−Ｚ）＜（Ｙ／２）
なる関係を満たすことを特徴とする請求項１又は２に記載の放熱部品の製造方法。 - 請求項１から３のいずれかの製造方法により製造した放熱部品が、
反り付与前の１０ｃｍあたりの反り量をＸ、反り付与後の１０ｃｍあたりの反り量を（Ｘ＋Ｙ）とし、反り付与後の放熱部品を３２０℃以下の温度で１時間以上加熱処理した後の１０ｃｍあたりの反り量を（Ｘ＋Ｚ）としたとき、
（Ｙ−Ｚ）が１８μｍ以下であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の放熱部品の製造方法。 - 請求項１から４のいずれかの製造方法により製造した放熱部品が、
反り付与前の１０ｃｍあたりの反り量をＸ、反り付与後の１０ｃｍあたりの反り量を（Ｘ＋Ｙ）とし、反り付与後の放熱部品を３２０℃以下の温度で１時間以上加熱処理した後の１０ｃｍあたりの反り量を（Ｘ＋Ｚ）としたとき、
（Ｙ／２）−（Ｙ−Ｚ）が１μｍ〜８０μｍであることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の放熱部品の製造方法。 - 請求項１から５のいずれか一項に記載の製造方法により製造される放熱部品。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014160859 | 2014-08-06 | ||
| JP2014160859 | 2014-08-06 | ||
| PCT/JP2015/072247 WO2016021645A1 (ja) | 2014-08-06 | 2015-08-05 | 放熱部品及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2016021645A1 true JPWO2016021645A1 (ja) | 2017-05-25 |
| JP6645966B2 JP6645966B2 (ja) | 2020-02-14 |
Family
ID=55263906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016540268A Active JP6645966B2 (ja) | 2014-08-06 | 2015-08-05 | 放熱部品及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10636723B2 (ja) |
| JP (1) | JP6645966B2 (ja) |
| CN (1) | CN106796920B (ja) |
| WO (1) | WO2016021645A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7116690B2 (ja) * | 2019-01-30 | 2022-08-10 | デンカ株式会社 | 放熱部材およびその製造方法 |
| JP7116689B2 (ja) * | 2019-01-30 | 2022-08-10 | デンカ株式会社 | 放熱部材およびその製造方法 |
| CN111723452A (zh) * | 2019-03-22 | 2020-09-29 | 东汉新能源汽车技术有限公司 | 面板回弹翘曲的计算方法以及面板回弹翘曲的优化方法 |
| CN110257741B (zh) * | 2019-07-01 | 2021-03-30 | 东北轻合金有限责任公司 | 一种SiC颗粒增强6092铝基复合材料型材的挤压方法 |
| US20230156966A1 (en) * | 2020-03-31 | 2023-05-18 | Denka Company Limited | Element-mounted board and method for manufacturing element-mounted board |
| DE102021107824A1 (de) * | 2021-03-29 | 2022-09-29 | Nanowired Gmbh | Verbindung zweier Bauteile mit einem Verbindungselement |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05507030A (ja) * | 1990-05-09 | 1993-10-14 | ランキサイド テクノロジー カンパニー，リミティド パートナーシップ | 金属マトリックス複合材製造用ゲート手段 |
| JPH11330308A (ja) * | 1998-05-13 | 1999-11-30 | Toshiba Corp | セラミックス回路基板およびその製造方法 |
| JP2004047619A (ja) * | 2002-07-10 | 2004-02-12 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 放熱部品の製造方法 |
| JP2005145746A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Denki Kagaku Kogyo Kk | セラミックス回路基板一体型アルミニウム−炭化珪素質複合体及びその製造方法 |
| WO2006030676A1 (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-23 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | アルミニウム－炭化珪素質複合体 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6012990B2 (ja) * | 2012-03-19 | 2016-10-25 | 日本軽金属株式会社 | 放熱器一体型基板の製造方法 |
-
2015
- 2015-08-05 CN CN201580054388.6A patent/CN106796920B/zh active Active
- 2015-08-05 WO PCT/JP2015/072247 patent/WO2016021645A1/ja active Application Filing
- 2015-08-05 JP JP2016540268A patent/JP6645966B2/ja active Active
- 2015-08-05 US US15/501,913 patent/US10636723B2/en active Active
-
2020
- 2020-03-18 US US16/822,225 patent/US11682604B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05507030A (ja) * | 1990-05-09 | 1993-10-14 | ランキサイド テクノロジー カンパニー，リミティド パートナーシップ | 金属マトリックス複合材製造用ゲート手段 |
| JPH11330308A (ja) * | 1998-05-13 | 1999-11-30 | Toshiba Corp | セラミックス回路基板およびその製造方法 |
| JP2004047619A (ja) * | 2002-07-10 | 2004-02-12 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 放熱部品の製造方法 |
| JP2005145746A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Denki Kagaku Kogyo Kk | セラミックス回路基板一体型アルミニウム−炭化珪素質複合体及びその製造方法 |
| WO2006030676A1 (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-23 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | アルミニウム－炭化珪素質複合体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2016021645A1 (ja) | 2016-02-11 |
| CN106796920A (zh) | 2017-05-31 |
| CN106796920B (zh) | 2019-09-24 |
| US20170317007A1 (en) | 2017-11-02 |
| US10636723B2 (en) | 2020-04-28 |
| JP6645966B2 (ja) | 2020-02-14 |
| US11682604B2 (en) | 2023-06-20 |
| US20200335415A1 (en) | 2020-10-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6645966B2 (ja) | 放熱部品及びその製造方法 | |
| JP4996600B2 (ja) | アルミニウム−炭化珪素質複合体及びそれを用いた放熱部品 | |
| JP5144279B2 (ja) | アルミニウム−炭化珪素質複合体及びそれを用いた放熱部品 | |
| JP4761157B2 (ja) | アルミニウム−炭化珪素質複合体 | |
| JP6636924B2 (ja) | アルミニウム‐炭化珪素質複合体及びその製造方法 | |
| JP6410404B1 (ja) | 複合部材、放熱部材、及び半導体装置 | |
| WO2015115649A1 (ja) | 炭化珪素質複合体及びその製造方法並びにそれを用いた放熱部品 | |
| JP2010024077A (ja) | アルミニウム−炭化珪素質複合体及びその製造方法 | |
| JP4864593B2 (ja) | アルミニウム−炭化珪素質複合体の製造方法 | |
| JP3792180B2 (ja) | 放熱部品の製造方法 | |
| JP5388464B2 (ja) | アルミニウム−セラミックス複合体及びその製造方法 | |
| JP2010042945A (ja) | アルミニウム−炭化珪素質複合体及びその製造方法 | |
| JP7116690B2 (ja) | 放熱部材およびその製造方法 | |
| JP5368766B2 (ja) | アルミニウム−炭化珪素質複合体及びその製造方法 | |
| JP5662834B2 (ja) | アルミニウム−炭化珪素質複合体の製造方法 | |
| JP2020123714A (ja) | 放熱部材およびその製造方法 | |
| JP2004055577A (ja) | アルミニウム−炭化珪素質板状複合体 | |
| JP2001291809A (ja) | 放熱部品 | |
| JP2006140340A (ja) | 電子部品用ケースの製造方法及びそのケース |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170214 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180614 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190514 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190708 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191217 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200109 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6645966 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |