JPWO2015125558A1 - 透明導電体の製造方法及び透明導電体 - Google Patents

Abstract

本発明の課題は、光の吸収が低減し、可視光領域の光の反射が防止され、低抵抗な透明導電体を製造する方法及び透明導電体を提供することである。本発明の透明導電体の製造方法は、少なくとも、透明基板１、第１高屈折率層２、透明金属層３及び第２高屈折率層４とをこの順に有する透明導電体１０をロールｔｏロール法により製造する透明導電体の製造方法であって、前記透明基板１の温度を６５℃以下に保ちながら、前記透明金属層３を形成する工程を有することを特徴とする。

Description

本発明は、透明導電体の製造方法及び透明導電体に関する。より詳しくは、光の吸収が低減し、可視光領域の光の反射が防止され、低抵抗な透明導電体の製造方法及び透明導電体に関する。

近年、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ、無機及び有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、タッチパネル、太陽電池等の各種装置に透明導電膜が使用されている。

このような透明導電膜を構成する材料として、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）等の金属やＩｎ_２Ｏ_３、ＣｄＯ、ＣｄＩｎ_２Ｏ_４、Ｃｄ_２ＳｎＯ_４、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の酸化物半導体が知られている。

ここで、タッチパネル型の表示装置等では、表示素子の画像表示面上に、透明導電膜等からなる配線が配置される。したがって、透明導電膜には、光の透過性が高いことが求められる。このような各種表示装置には、光透過性の高いＩＴＯからなる透明導電膜が多用されている。

近年、静電容量方式のタッチパネル表示装置が開発され、透明導電膜の表面電気抵抗をさらに低くすることが求められている。しかし、従来のＩＴＯ膜では、表面電気抵抗を十分に下げられない、との問題があった。

そこで、Ａｇの蒸着膜を透明導電膜とすることが検討されている（特許文献１参照。）。また、透明導電体の光透過性を高めるため、Ａｇの膜からなるＡｇ層を屈折率の高い層（例えば酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＣＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｃｅｒｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）、ａ−ＧＩＯ（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｉｎｄｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）、酸化亜鉛又はＩＴＯ等からなる層）で挟み込むことも提案されている（特許文献２〜６及び非特許文献３参照。）。さらに、Ａｇ層を硫化亜鉛（ＺｎＳ）層で挟み込むことも提案されている（非特許文献１及び２参照。）。

しかし、特許文献２〜４に示されるように、酸化ニオブやＩＺＯ等の誘電体層でＡｇ層が挟み込まれた透明導電体では、耐湿性が十分でなかった。その結果、高湿度環境下で透明導電体を使用すると、Ａｇ層が腐食しやすい等の問題があった。

また、Ａｇ層がＺｎＳ層に挟み込まれた透明導電体では、透明導電体の耐湿性が十分に高いものの、Ａｇ層の形成時、若しくはＺｎＳ層の形成時に、Ａｇが硫化されて硫化銀が生じやすい。その結果、透明導電体の光透過性が低くなる、との問題がある。

また、特許文献５及び６に記載された透明導電膜も、透明金属層による光の吸収（膜吸収）の影響が大きく、その結果、光透過性が不十分である、との問題がある。

特表２０１１−５０８４００号公報 特開２００６−１８４８４９号公報 特開２００２−１５６２３号公報 特開２００８−２２６５８１号公報 特開２０１０−１５７４９７号公報 特開２００１−２４９２２１号公報

Ｘｕａｎｊｉｅ Ｌｉｕ，ｅｔ ａｌ， （２００３）． Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ ４４１， ２００−２０６ Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ＩＲ ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｈｅａｔ ｍｉｒｒｏｒ ｆｉｌｍｓ ｏｆ ＺｎＳ − Ａｇ − ＺｎＳ， Ｂｒｕｃｅ Ｗ． Ｓｍｉｔｈ， Ｍａｙ １９８９． Ｒｏｃｈｅｓｔｅｒ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ Ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｅｎｔｅｒ Ｆｏｒ Ｉｍａｇｉｎｇ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ Ｎｂ２Ｏ５／Ａｇ／ＩＺＯ ｗｉｔｈ ａｎ Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｄｅｓｉｇｎ，Ｙｗｈ−Ｔａｒｎｇ Ｌｅｕ， ｅｔ ａｌ．， ＳＩＤ ２０１２ ＤＩＧＥＳＴ ｐ．３５２−３５３

本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、光の吸収が低減し、可視光領域の光の反射が防止され、低抵抗な透明導電体を製造する方法及び透明導電体を提供することである。

透明基板の温度を低温に保ちながら透明金属層を形成し、高屈折率層を、透明基板より大きい屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料を含有させ、当該高屈折率層のいずれか一方の層を硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含有する硫化亜鉛含有層として形成し、さらに、透明金属層と硫化亜鉛含有層との間に、少なくとも特定の金属化合物又は金属を含有する層を形成することで、最上層（透明基板と反対側の層）に導電性を持たせ、低抵抗でかつ耐湿性も確保しつつ、透明金属層の硫化を防止でき、さらには、透明金属層による光の吸収（膜吸収）を低減できる透明導電体の製造方法を得ることができることを見いだし本発明に至った。
すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。

１．少なくとも、透明基板、第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層とをこの順に有する透明導電体をロールｔｏロール法により製造する透明導電体の製造方法であって、
前記透明基板の温度を６５℃以下に保ちながら、前記透明金属層を形成する工程を有することを特徴とする透明導電体の製造方法。

２．波長５７０ｎｍの光に対して、前記透明基板より大きい屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料を含有し、かつ、前記第１高屈折率層及び前記第２高屈折率層のいずれか一方の層を硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含有する硫化亜鉛含有層として、前記第１高屈折率層及び前記第２高屈折率層を形成する工程をさらに有することを特徴とする第１項に記載の透明導電体の製造方法。

３．前記透明金属層と前記硫化亜鉛含有層との間に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物及び亜鉛（Ｚｎ）から選ばれる少なくとも１種を含有する硫化防止層を形成する工程をさらに有することを特徴とする第２項に記載の透明導電体の製造方法。

４．前記硫化防止層を形成する工程が、前記透明金属層の前記透明基板とは反対側の表面に、真空下、かつ酸素ガスを導入しない雰囲気条件下において、前記金属酸化物を含有する前記硫化防止層を形成する工程であることを特徴とする第３項に記載の透明導電体の製造方法。

５．前記透明金属層を形成する際の、形成速度が０．３ｎｍ／ｓ（３Å／ｓ）以上であることを特徴とする第１項から第４項までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。

６．前記透明金属層を形成する工程において、スパッタガスとして、クリプトン又はキセノンを使用することを特徴とする第１項から第５項までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。

７．第１項から第６項までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法により製造された透明導電体であって、
前記第１高屈折率層及び前記第２高屈折率層が、波長５７０ｎｍの光に対して、前記透明基板より大きい屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料を含有し、かつ、前記第１高屈折率層及び前記第２高屈折率層のいずれか一方の層が硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含有する硫化亜鉛含有層であり、さらに、
前記透明金属層と前記硫化亜鉛含有層との間に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物及び亜鉛（Ｚｎ）から選ばれる少なくとも１種を含有する硫化防止層を有することを特徴とする透明導電体。

８．前記硫化防止層が、少なくとも前記金属酸化物として酸化亜鉛（ＺｎＯ）を含有することを特徴とする第７項に記載の透明導電体。

本発明の上記手段により、光の吸収が低減し、可視光領域の光の反射が防止され、低抵抗な透明導電体を製造する方法及び透明導電体を提供することができる。
本発明の効果の発現機構ないし作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。

透明基板が高温であると、透明基板と反対側の層（ここでは、硫化防止層とする。）に到達した透明金属層を構成する粒子（ここでは、銀粒子などの金属粒子とする。）は熱エネルギーが高いため、硫化防止層の表面を移動しやすい。その結果、各々の金属粒子は互いに凝集しやすく、いわゆる島状構造（アイランド状態）の表面を形成し、プラズモン吸収を誘発しやすいため大きな光の吸収を呈する。
一方、透明基板が低温の場合、硫化防止層に到達した金属粒子は、熱エネルギーが低いため、硫化防止層の表面を余り移動しないと推察される。その結果、各々の金属粒子はそれぞれ移動しないため、凝集せず、したがって、島状の構造をとらず連続した膜状の表面を形成し、ひいては、プラズモン吸収を誘発しないため少ない光の吸収を呈する。

透明導電体の層構成の一例を示す概略断面図 透明導電体の層構成の他の例を示す概略断面図 透明導電体の導通領域及び絶縁領域からなるパターンの一例を示す模式図 透明導電体の製造装置を示す概略構成図 透明導電体の製造装置を構成する形成室の一例を示す概略構成図 透明基板の一部を示す概略図 透明導電体の一例におけるアドミッタンス軌跡を示すグラフ 透明金属層を形成する際の透明基板の温度と光の吸収率との関係を示すグラフ 透明金属層を形成する際の形成速度と光の吸収率とを示すグラフ

本発明の透明導電体の製造方法は、少なくとも、透明基板、第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層とをこの順に有する透明導電体をロールｔｏロール法により製造する透明導電体の製造方法であって、前記透明基板の温度を６５℃以下に保ちながら、透明金属層を形成する工程を有することを特徴とする。この特徴は、請求項１から請求項８までの請求項に係る発明に共通する技術的特徴である。

本発明の実施態様としては、本発明の効果発現の観点から、波長５７０ｎｍの光に対して、透明基板より大きい屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料を含有し、かつ、第１高屈折率層及び第２高屈折率層のいずれか一方の層を硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含有する硫化亜鉛含有層として、第１高屈折率層及び第２高屈折率層を形成する工程をさらに有することが、透明基板側から水分が透過することを抑制でき、ひいては、透明金属層の腐食を抑制できるため好ましい。

本発明においては、透明金属層と硫化亜鉛含有層との間に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物及び亜鉛（Ｚｎ）から選ばれる少なくとも１種を含有する硫化防止層を形成する工程をさらに有することが、透明金属層の硫化を防止でき、ひいては、光透過率を向上できるため好ましい。

また、本発明においては、透明金属層を形成する際の、形成速度（成膜速度）が０．３ｎｍ／ｓ（３Å／ｓ）以上であることが好ましい。このように、高い形成速度を確保することで、透明金属層による光の吸収（膜吸収）を低減でき、さらに、シート抵抗値も低減することができる。

さらに、本発明においては、前記硫化防止層を形成する工程が、前記透明金属層の前記透明基板とは反対側の表面に、真空下、かつ酸素ガスを導入しない雰囲気条件下において、前記金属酸化物を含有する前記硫化防止層を形成する工程であることが好ましい。これにより、酸素プラズマが透明金属層と反応し、当該透明金属層表面が荒れることを抑制し、ひいては、光の吸収を低減することができる。

本発明においては、前記透明金属層を形成する工程において、スパッタガスとして、クリプトン又はキセノンなど、重い希ガスを使用すると、より光の吸収の少ない透明導電体が得られるため好ましい。

さらに、本発明の透明導電体としては、前記第１高屈折率層及び前記第２高屈折率層が、波長５７０ｎｍの光に対して、前記透明基板より大きい屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料を含有し、かつ、前記第１高屈折率層及び前記第２高屈折率層のいずれか一方の層が硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含有する硫化亜鉛含有層であり、さらに、前記透明金属層と前記硫化亜鉛含有層との間に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物及び亜鉛（Ｚｎ）から選ばれる少なくとも１種を含有する硫化防止層を有することを特徴とすることが好ましい。これにより、光の吸収が低減し、可視光領域の光の反射が防止され、低抵抗な透明導電体を提供できる。

さらに、本発明の透明導電体としては、硫化防止層が、少なくとも前記金属酸化物として酸化亜鉛（ＺｎＯ）を含有することが好ましい。これにより、透明金属層の硫化を防止でき、ひいては、光透過率を向上できるため好ましい。

以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。

［透明導電体の概要］
本発明に係る透明導電体の層構成の例を図１及び図２に示す。図１及び図２に示されるように、本発明に係る透明導電体１０には、透明基板１／第１高屈折率層２／透明金属層３／第２高屈折率層４が含まれる。そして、本発明に係る透明導電体１０では、当該第１高屈折率層２又は第２高屈折率層４のいずれか一方、若しくは両方が、硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含む硫化亜鉛含有層である。そして、当該硫化亜鉛含有層２及び４と透明金属層３との間には、硫化防止層５（５ａ及び５ｂ）が含まれる。

ここで、第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４のいずれか一方が硫化亜鉛含有層である場合には、硫化亜鉛含有層である第１高屈折率層２又は第２高屈折率層４（以下、「硫化亜鉛含有層２又は４」ともいう。）と透明金属層３との間に、硫化防止層５が含まれる。一方、第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４の両方が硫化亜鉛含有層である場合、いずれか一方の硫化亜鉛含有層２又は４と透明金属層３との間に、硫化防止層５が含まれればよいが、透明導電体１０の光透過性を十分に高めるとの観点から、各硫化亜鉛含有層２及び４と透明金属層３との間に、それぞれ硫化防止層５が含まれることが好ましい。つまり、第１高屈折率層２と透明金属層３との間、及び透明金属層３と第２高屈折率層４との間に、それぞれ硫化防止層５が含まれることが好ましい。

透明金属層と硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含む層とが隣接して形成されると、金属硫化物が生成されやすく、透明導電体の光透過性が低減しやすいとの問題があった。金属硫化物は、以下のように生成されると推察される。

硫化亜鉛含有層（第１高屈折率層）上にスパッタ法等の気相成膜法で透明金属層を形成する場合、硫化亜鉛含有層中の未反応の硫黄成分が、透明金属層の材料（金属材料）によって形成雰囲気中に弾き出される。そして、弾き出された硫黄成分と透明金属層由来の金属とが反応し、金属硫化物が硫化亜鉛含有層上に堆積する。また、硫化亜鉛含有層と透明金属層とを連続的に形成する場合、硫化亜鉛含有層の形成雰囲気に含まれる硫黄成分が透明金属層雰囲気内に残存する。そして、この硫黄成分と透明金属層由来の金属とが反応し、金属硫化物が硫化亜鉛含有層上に堆積する。

一方、透明金属層上に硫化亜鉛含有層（第２高屈折率層）を形成する場合、透明金属層中の金属が、硫化亜鉛含有層の材料によって、形成雰囲気中に弾き出される。そして、弾き出された金属と硫黄成分とが反応し、金属硫化物が透明金属層表面に堆積する。さらに、透明金属層の表面と、形成雰囲気中の硫黄成分とが接触することでも、透明金属層表面に金属硫化物が生成する。

これに対し、本発明実施形態に係る透明導電体１０では、例えば図１に示されるように、第１高屈折率層２上に、第１硫化防止層５ａが積層される。このような構成では、第１高屈折率層２が第１硫化防止層５ａで保護されるため、透明金属層３の形成時に第１高屈折率層２中の硫黄成分が弾き出されることを抑制できる。また、第１高屈折率層２から透明金属層３を連続的に形成（成膜）したとしても、第１高屈折率層２の形成雰囲気に含まれる硫黄成分が、第１硫化防止層５ａの構成成分と反応する、又は第１硫化防止層５ａの構成成分に吸着される。したがって、透明金属層３の形成雰囲気に硫黄が含まれることを抑制でき、金属硫化物の生成を回避できる。

また本発明実施形態に係る透明導電体１０では、例えば図１に示されるように、透明金属層３上に第２硫化防止層５ｂが積層される。このような構成では、透明金属層３が第２硫化防止層５ｂで保護されるため、第２高屈折率層４の形成時に透明金属層３中の金属が弾き出されることを抑制できる。また、第２高屈折率層４の形成雰囲気中の硫黄成分が、透明金属層３の表面と接触することを防止できる。したがって、透明金属層３の表面に金属硫化物が生成することを回避できる。

本発明実施形態に係る透明導電体１０では、図１に示されるように、透明金属層３が透明基板１の全面に積層されていてもよく、図２に示されるように、透明金属層３が所望の形状にパターニングされていてもよい。本発明実施形態に係る透明導電体において、透明金属層３が積層されている領域ａが、電気が導通する領域（以下、「導通領域」とも称する）である。一方、図２に示されるように、透明金属層３が含まれない領域ｂが絶縁領域である。

導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンは、透明導電体１０の用途に応じて、適宜選択される。例えば透明導電体１０が静電方式のタッチパネルに適用される場合には、図３に示されるように、複数の導通領域ａと、これを区切るライン状の絶縁領域ｂとを含むパターン等でありうる。

また、本発明に係る透明導電体１０には、透明基板１、第１高屈折率層２、透明金属層３、第２高屈折率層４及び硫化防止層５以外の層が含まれてもよい。例えば透明金属層３の形成時に成長核になり得る下地層が、透明金属層３と第１高屈折率層２との間に、透明金属層３に隣接して含まれてもよい。ただし、本発明に係る透明導電体１０に含まれる層は、透明基板１を除いて、いずれも無機材料からなる層である。例えば第２高屈折率層４上に有機樹脂からなる接着層が積層されていたとしても、透明基板１から第２高屈折率層４までの積層体が、本発明に係る透明導電体１０である。

（本発明の透明導電体の製造方法）
本発明の透明電極の製造方法は、少なくとも、透明基板、第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層とをこの順に有する透明導電体をロールｔｏロール法により製造する透明導電体の製造方法であって、透明基板の温度を６５℃以下に保ちながら、透明金属層を形成する工程を有することを特徴とする。

以下において、本発明実施形態の透明導電体の製造方法の典型的例について説明をする。
本発明実施形態の透明導電体の製造方法は、主に下記に示す工程を含む態様の製造方法であることが好ましい。なお、各工程に用いられる各構成要素については、後に詳述する。

本発明実施形態の透明導電体の製造方法によって製造される透明導電体は、透明基板上に、第１高屈折率層／第１硫化防止層／透明金属層／第２硫化防止層／第２高屈折率層を順に積層する積層体とする。なお、各層の厚さは、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定される。ただし、下地層の平均厚さはスパッタ装置のメーカー公称値の形成速度から算出される。

（第１高屈折率層を形成する工程）
当該工程では、透明基板上に、第１高屈折率層を形成する。
本工程では、スパッタ法を採用することができ、この場合、例えば、アネルバ社製ＳＰＷ−０６０スパッタ装置等のスパッタ装置を用い、波長５７０ｎｍの光に対して、透明基板より大きい屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料をスパッタする。なお、スパッタガスは、特に限定されず、例えば、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）及び酸素（Ｏ_２）などでよい。
また、第１高屈折率層が硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含有する場合、本工程は、波長５７０ｎｍの光に対して、透明基板より大きい屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料を含有し、かつ、第１高屈折率層及び第２高屈折率層のいずれか一方の層を硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含有する硫化亜鉛含有層として、第１高屈折率層及び第２高屈折率層を形成する工程である。

なお、本工程における第１高屈折率層の形成方法は、特に限定されず、上述のスパッタ法の他、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法（「堆積法」、「蒸着法」又は「合成法」ともいう。）でよい。また、第１高屈折率層２の屈折率（密度）が高まるとの観点から、第１高屈折率層２は、電子ビーム蒸着法又はスパッタ法で形成された層（膜）であることが好ましい。電子ビーム蒸着法の場合は膜密度を高めるため、ＩＡＤ（イオンアシスト）などのアシストがあることが望ましい。

（第１硫化防止層を形成する工程）
当該工程では、第１高屈折率層上に、第１硫化防止層を形成する。
本工程は、透明金属層と硫化亜鉛含有層との間に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物及び亜鉛（Ｚｎ）から選ばれる少なくとも１種を含有する硫化防止層を形成する工程である。
本工程では、スパッタ法を採用することができ、この場合、例えば、アネルバ社製ＳＰＷ−０６０スパッタ装置等のスパッタ装置を用い、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物及び亜鉛（Ｚｎ）から選ばれる少なくとも１種をスパッタする。なお、スパッタガスは、特に限定されず、例えば、アルゴン、クリプトン及び酸素などでよい。

なお、本工程における第１硫化防止層の形成方法は、特に限定されず、上述のスパッタ法の他、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法及び熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法を採用することができる。

（透明金属層を形成する工程）
当該工程では、第１硫化防止層上に、透明金属層を形成する。
本工程では、透明基板の温度を６５℃以下に保ちながら、透明金属層を形成する。
なお、当該透明金属層に隣接する層を形成する工程においても、透明基板の温度を６５℃以下に保ちながら行われることが好ましい。これにより、透明金属層を形成する際に透明基板の温度を６５℃以下に保ちやすくなり、また、透明金属層を形成した後に、当該透明金属層を構成する粒子が移動することを抑制でき、この結果、透明金属層の質をより維持することができる。
また、本工程では、スパッタ法を採用することができ、この場合、例えば、ＦＴＳコーポレーション社の対向ターゲット式スパッタ装置を用い、銀、銅、金、白金族、チタン、クロム等の導電性の高い金属を対向スパッタすることで、透明金属層を形成する。なお、スパッタガスは特に限定されないが、クリプトン又はキセノンなど、重い希ガスを使用すると、平滑性の高い透明金属層が得られるため、より光の吸収の少ない透明導電体が得られるため好ましい。
なお、形成ガス圧は１Ｐａ以下が好ましい。ガス圧が高いと第１高屈折率層や透明金属層の表面粗さＲａが高くなる。

この表面粗さＲａとは、Ｒａ＝算術平均粗さ（以下、「表面粗さ」ともいう。）を意味し、ＪＩＳ Ｂ６０１（２００１）に規定される表面粗さに準ずる値である。本発明に係る透明金属層は、表面粗さがＲａでおおむね３ｎｍ以下であると、良質な透明金属層（平滑な透明金属層）が確保できることから好ましい。本発明において、Ｒａの測定には、市販の原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ：ＡＦＭ）を用いることができ、例えば、以下の手法で測定可能である。

ＡＦＭとして、日立ハイテクサイエンス社製ＳＰＩ３８００Ｎプローブステーション及びＳＰＡ４００多機能型ユニットを使用し、約１ｃｍ角の大きさに切り取った試料を、ピエゾスキャナー上の水平な試料台上にセットし、カンチレバーを試料表面にアプローチし、原子間力が働く領域に達したところで、ＸＹ方向にスキャンし、その際の試料の凹凸をＺ方向のピエゾの変位で捉える。ピエゾスキャナーは、ＸＹ２０μｍ、Ｚ２μｍが走査可能なものを使用する。カンチレバーは、日立ハイテクサイエンス社製シリコンカンチレバーＳＩ−ＤＦ２０で、共振周波数１２０〜１５０ｋＨｚ、バネ定数１２〜２０Ｎ／ｍのものを用い、ＤＦＭモード（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｏｄｅ）で測定する。測定領域８０×８０μｍを、走査周波数１Ｈｚで測定する。

なお、本工程における透明金属層の形成方法は、特に限定されず、上述のスパッタ法の他、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法及び熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法を採用できる。

本発明において、透明金属層を形成する際の形成速度は、特に限定されないが、０．３ｎｍ／ｓ（３Å／ｓ）以上であると、透明金属層による光の吸収（膜吸収）を低減できるため、好ましい。
なお、透明金属層を形成する際の形成速度は、あらかじめ水晶式膜厚計などを使用し、形成時間と形成された透明金属層の厚さとの関係を検量しておき、形成された透明金属層の厚さを形成時間で割ることで計算できる。

また、透明基板の温度の調節方法は、特に限定されないが、例えば、透明基板にサーモラベル（日油技研製）を貼って、事前に各層を形成する条件での温度を確認し、設定する方法が挙げられる。

（第２硫化防止層を形成する工程）
当該工程では、透明金属層上に、第２硫化防止層を形成する。
本工程は、透明金属層と硫化亜鉛含有層との間に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物及び亜鉛（Ｚｎ）から選ばれる少なくとも１種を含有する硫化防止層を形成する工程である。
本工程では、スパッタ法を採用することができ、この場合、例えば、アネルバ社製ＳＰＷ−０６０スパッタ装置等のスパッタ装置を用い、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物及び亜鉛（Ｚｎ）から選ばれる少なくとも１種をスパッタする。なお、スパッタガスは特に限定されないが、酸素ガスを含有しないことが好ましい。

なお、本工程における第２硫化防止層の形成方法については、特に限定されず、上述のスパッタ法の他、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法及び熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法を採用することができるが、特に、透明金属層の透明基板とは反対側の表面に、真空下、かつ酸素ガスを導入しない雰囲気条件下において、金属酸化物を含有する硫化防止層を形成する工程を有する形成方法であることが好ましい。これにより、酸素プラズマが透明金属層と反応し、当該透明金属層表面が荒れることを抑制し、ひいては、光の吸収を低減することができる。なお、このような酸素ガスを導入しないで形成される第２硫化防止層の厚さは、当該第２硫化防止層上に、さらに酸化物が積層される場合５ｎｍ以上であることが望ましく、酸化物を積層しない場合は２０ｎｍ以下であることが望ましい。これにより、酸素プラズマが透明金属層と反応し、当該透明金属層表面が荒れることをより抑制でき、ひいては、光の吸収をさらに低減することができる。
なお、本発明に係る真空下とは、１０Ｐａ以下の気圧をいう。

（第２高屈折率層を形成する工程）
当該工程では、第２硫化防止層上に、第２高屈折率層を形成する。
本工程では、スパッタ法を採用することができ、この場合、例えば、アネルバ社製ＳＰＷ−０６０スパッタ装置等のスパッタ装置を用い、波長５７０ｎｍの光に対して、透明基板より大きい屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料をスパッタする。なお、スパッタガスは特に限定されないが、酸素ガスを含有しないことが好ましい。
また、第２高屈折率層が硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含有する場合、本工程は、波長５７０ｎｍの光に対して、透明基板より大きい屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料を含有し、かつ、第１高屈折率層及び第２高屈折率層のいずれか一方の層を硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含有する硫化亜鉛含有層として、第１高屈折率層及び第２高屈折率層を形成する工程である。

なお、本工程における第２高屈折率層の形成方法は、特に限定されず、上述のスパッタ法の他、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法でよい。なお、第２高屈折率層４の屈折率（密度）が高まるとの観点から、第２高屈折率層４は、電子ビーム蒸着法又はスパッタ法で形成された層（膜）であることが好ましい。第２高屈折率層の透湿性が低くなるとの観点から、第２高屈折率層４はスパッタ法で形成された膜であることが特に好ましい。

本発明の透明導電体の製造方法を有する製造装置の例を、図４〜図６を参照して以下説明する。
なお、上述のように、本発明の透明導電体を製造する製造装置は、少なくとも、透明基板、第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層とをこの順に有する透明導電体をロールｔｏロール法により製造する透明導電体の製造方法であって、透明基板の温度を６５℃以下に保ちながら、透明金属層を形成する工程を有することを特徴としていればよく、以下に説明する製造装置１００を用いて行われるものでなくともよい。

図４は、本発明の透明導電体を製造する製造方法を有する製造装置１００の一例を示す概略図である。図４に示す製造装置１００は、ロール状の透明基板２１を用いて、連続的に透明導電体１０を製造する装置である。

減圧雰囲気下に置かれた巻出部１０１から巻き出された透明基板２１は、各ガイドロール１０２、１０３を通って前室Ｒ１に入り、更にスリットロール１０４を介して真空雰囲気下の表面処理兼アキューム室Ｒ１０に搬入され、表面のドライクリーニング及び脱水処理が行われる。表面処理兼アキューム室Ｒ１０内の圧力は、１×１０^−５〜１０Ｐａに設定されていることが好ましい。

次いで、透明基板２１は、表面処理兼アキューム室Ｒ１０から形成室Ｒ２０へ連続的に搬送される。表面処理兼アキューム室Ｒ１０と形成室Ｒ２０との間はゲートバルブ又は圧力調整室が備えられ、表面処理兼アキューム室Ｒ１０と形成室Ｒ２０との差圧を調整する。

本発明の製造方法では、まず、形成室Ｒ２０により、搬送中の透明基板２１の形成面に対し、本発明の透明導電体を構成するいずれかの層を形成する。

形成室Ｒ２０は、複数の形成室Ｒ２１〜Ｒ２４からなり、各形成室Ｒ２１〜Ｒ２４の間には処理スピードを吸収するアキュームレーター機構が設けられる。形成室Ｒ２１〜Ｒ２４は、それぞれ独立に排気されて、真空又は減圧状態に保たれており、その形成圧力は、形成方法により異なるが、１×１０^−６〜１０Ｐａ程度に設定されていることが好ましい。

第１形成室Ｒ２１は、第１高屈折率層を形成する工程を行う。
すなわち、第１形成室Ｒ２１は、波長５７０ｎｍの光に対して、透明基板より大きい屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料を形成材料として、上述の形成方法により、透明基板２１上に第１高屈折率層の形成を行う。
なお、図４の例では、第１形成室Ｒ２１では、形成材料として、硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含有させ、波長５７０ｎｍの光に対して、透明基板より大きい屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料を含有し、かつ、第１高屈折率層及び第２高屈折率層のいずれか一方の層を硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含有する硫化亜鉛含有層として、第１高屈折率層及び第２高屈折率層を形成する工程が行われるものとする。
ここで、第１形成室Ｒ２１について、図５を参照して以下説明する。図５は、第１形成室Ｒ２１内の概略構成図である。

第１形成室Ｒ２１は、透明基板２１を所定の搬送経路で搬送する複数の搬送ローラー５１〜５６、搬送される透明基板２１の積層面に対向する原料供給部５７及び透明基板２１の積層面と反対側の面に当接して透明基板２１を冷却し、透明基板２１の温度を調節する背面冷却ローラー５８等を内部に備えて構成されている。

ここで、本発明において、透明基板２１は、図６に示すように、その幅方向両端部に、搬送方向（移動方向）において等間隔で開口された複数の第１ガイド孔２１１を有している。
搬送ローラー５１〜５６は、その周面上に、径方向に突設された複数の突起部を有している。透明基板２１の搬送時に、当該突起部が透明基板２１の第１ガイド孔２１１内に挿通されることで、透明基板２１が円滑に搬送される。

原料供給部５７は、真空蒸着法、スパッタ法又はイオンプレーティング法等の各方法に対応した形成機構を有し、搬送される透明基板２１の形成面に対向して設けられている。これにより、第１形成室Ｒ２１内を搬送される透明基板２１の形成面のうち所定領域に対して、各層の形成を行うことができる。

背面冷却ローラー５８は、回転可能に支持され、所定の冷却機構を備えるローラー部材である。背面冷却ローラー５８は、透明基板２１を挟んで原料供給部５７の反対側に設けられ、透明基板２１の形成面の反対側の面に当接することで、透明基板２１のうち原料供給部５７により形成が行われる領域を冷却し、透明基板２１の温度を調節する。
なお、背面冷却ローラー５８と透明基板２１とが接触する時間や面積は、特に限定されないが、透明基板２１の温度を６５℃以下に保てる態様であることが好ましい。

搬送ローラー５１〜５６には、透明基板２１が張架されており、複数の搬送ローラー５１〜５６が回転駆動することにより、透明基板２１を搬送ローラー５１から搬送ローラー５２の方向に搬送する。

第１形成室Ｒ２１内は以上のように構成されている。

続いて、再び図４を参照して、形成室Ｒ２２〜Ｒ２４について以下説明する。なお、第２形成室Ｒ２２〜第４形成室Ｒ２４は、上記した第１形成室Ｒ２１とほぼ同じ構成であり、用いられる形成材料が異なっている。

第２形成室Ｒ２２は、第１硫化防止層を形成する工程、すなわち、透明金属層と硫化亜鉛含有層との間に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物及び亜鉛（Ｚｎ）から選ばれる少なくとも１種を含有する硫化防止層を形成する工程を行う。
第２形成室Ｒ２２では、上述の金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物及び亜鉛（Ｚｎ）から選ばれる少なくとも１種を形成材料として、上述の形成方法によって第１硫化防止層が形成される。

第３形成室Ｒ２３は、透明金属層を形成する工程、すなわち、透明基板の温度を６５℃以下に保ちながら、透明金属層を形成する工程を行う。第３形成室Ｒ２３では、金属や金属酸化物等の導電性材料を形成材料として、上述の形成方法によって透明金属層が形成される。なお、図４の例の場合、当該工程は、背面冷却ローラー５８によって、透明基板２１の温度を６５℃以下に保ちながら行われる。

第４形成室Ｒ２４は、第２高屈折率層を形成する工程を行う。第４形成室Ｒ２４では、波長５７０ｎｍの光に対して、透明基板より大きい屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料を形成材料として、上述の形成方法で第２高屈折率層が形成される。

最後に、一方の面上に、透明基板、第１高屈折率層、第１硫化防止層、透明金属層及び第２高屈折率層が積層形成された透明基板２１は、巻取室Ｒ６０内に連続的に搬送され、当該巻取室Ｒ６０にて巻き取られる。

なお、図４に示す製造装置では、透明導電体が、透明基板、第１高屈折率層、第１硫化防止層、透明金属層及び第２高屈折率層とをこの順に有する形態を説明したが、これに限定されず、例えば、第１形成室Ｒ２１又は第４形成室Ｒ２４を複数有する構成とし、第３高屈折率層を形成することとしてもよい。

さらに、第４形成室Ｒ２４の原料供給部５７に硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含有させ、当該第４形成室Ｒ２４でも、波長５７０ｎｍの光に対して、透明基板より大きい屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料を含有し、かつ、第１高屈折率層及び第２高屈折率層のいずれか一方の層を硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含有する硫化亜鉛含有層として、第１高屈折率層及び第２高屈折率層を形成する工程が行われるものとしてもよい。
この場合、第３形成室Ｒ２３と第４形成室Ｒ２４との間に、第２形成室Ｒ２２をさらに設け、第２硫化防止層の形成を行うものとする。

なお、形成室Ｒ２０には、上述の第１形成室Ｒ２１〜第４形成室Ｒ２４のほか、第１形成室Ｒ２１とほぼ同じ構成であり、形成材料を後述の下地層や低屈折率層を形成する材料にして、これらの層を形成する形成室を適宜設けてもよい。

次に、本発明の透明導電体の製造方法に用いられる各構成要素について詳述する。

［透明基板］
本発明に係る透明基板１は、各種表示デバイスの透明基板と同様でありうる。透明基板１は、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂（例えば、トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース等）、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂（例えばパンライト、マルチロン（いずれも帝人社製））、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ、例えばゼオノア（日本ゼオン社製）、アートン（ＪＳＲ社製）、アペル（三井化学社製））、アクリル樹脂（例えばポリメチルメタクリレート、「アクリライト（三菱レイヨン社製）、スミペックス（住友化学社製））、ポリイミド、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート）、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）及びスチレン系ブロックコポリマー樹脂等からなる透明樹脂フィルムでありうる。透明基板１が透明樹脂フィルムである場合、当該フィルムには２種以上の樹脂が含まれてもよい。

透明性の観点から、透明基板１はガラスフィルム若しくはセルロースエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂（特にポリエチレンテレフタレート）、トリアセチルセルロース、シクロオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）又はスチレン系ブロックコポリマー樹脂からなるフィルムであることが好ましい。

透明基板１は、可視光に対する透明性が高いことが好ましい。具体的には、波長４００〜８００ｎｍの範囲内の光の平均透過率（以下、単に「透過率」ともいう。）が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることがさらに好ましい。透明基板１の光の平均透過率が７０％以上であると、透明導電体１０の光透過性（透明性）が高まりやすい。また、透明基板１の波長４００〜８００ｎｍの範囲内の光の平均吸収率（以下、単に「吸収率」ともいう。）は１０％以下であることが好ましく、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは３％以下である。

上記平均透過率は、透明基板１の表面の法線に対して、５°傾けた角度から光を入射させて測定する。一方、平均吸収率は、平均透過率と同様の角度から光を入射させて、透明基板１の平均反射率（以下、単に「反射率」ともいう。）を測定し算出できる。本発明実施形態では、具体的には、平均吸収率（％）は、（１００−（平均透過率＋平均反射率））として計算される。平均透過率及び平均反射率は分光光度計で測定される。

透明基板１の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は、測定温度２５℃において、１．４０〜１．９５の範囲内であることが好ましく、より好ましくは１．４５〜１．７５であり、さらに好ましくは１．４５〜１．７０の範囲内である。透明基板の屈折率は、通常、透明基板の材質によって定まる。透明基板の屈折率は、エリプソメーターで測定される。

透明基板１のヘイズ値は０．０１〜２．５の範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．１〜１．２の範囲内である。透明基板のヘイズ値が２．５以下であると、透明導電体のヘイズ値が抑制される。ヘイズ値は、ヘイズメーターで測定される。

透明基板１の厚さは、１μｍ〜２０ｍｍであることが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜２ｍｍである。透明基板１の厚さが１μｍ以上であると、透明基板１の強度が高まり、第一高屈折率層２を形成する際に割れたり、裂けたりし難くなる。一方、透明基板１の厚さが２０ｍｍ以下であれば、透明導電体１０のフレキシブル性が十分となる。さらに透明導電体１０を用いた機器の厚さを薄くできる。また、透明導電体１０を用いた機器を軽量化することもできる。

また、透明基板１の表面粗さＲａが粗い場合、その上に積層される各層についても表面粗さが転写される。すなわち、透明基板１の表面が粗いと平滑な透明金属層等を形成できない。

［第１高屈折率層］
本発明に係る第１高屈折率層２は、透明導電体の導通領域ａ、つまり透明金属層３が形成されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整する層であり、少なくとも透明導電体１０の導通領域ａに形成される。第１高屈折率層２は、透明導電体１０の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。

第１高屈折率層２には、波長５７０ｎｍの光に対して、前述の透明基板１の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料が含有される。当該誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は、透明基板１の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。一方、第１高屈折率層２に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光に対する具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第１高屈折率層２によって、透明導電体１０の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、第１高屈折率層２の屈折率は、第１高屈折率層２に含まれる材料の屈折率や、第１高屈折率層２に含まれる材料の密度で調整される。

第１高屈折率層２に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料又は酸化物半導体材料は、金属酸化物でありうる。金属酸化物の例にはＴｉＯ_２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＣｅＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｔｉ_３Ｏ_５、Ｔｉ_４Ｏ_７、Ｔｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ、ＳｎＯ_２、Ｌａ_２Ｔｉ_２Ｏ_７、ＩＺＯ、ＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ ｄｏｐｅｄ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（Ｇａｌｌｉｕｍ−ｄｏｐｅｄ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（Ａｎｔｉｍｏｎｙ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＣＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、酸化ガリウム（Ｇａ_２Ｏ_３）、ＧｅＯ_２、ＷＯ_３、ＨｆＯ_２、ａ−ＧＩＯ等が含まれる。第１高屈折率層２には、当該金属酸化物が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。

また、第１高屈折率層２に含有される誘電性材料又は酸化物半導体材料は、硫化亜鉛（ＺｎＳ）でもありうる。なお、第１高屈折率層２に硫化亜鉛が含有される場合、当該第１高屈折率層は、本発明に係る硫化亜鉛含有層である。
第１高屈折率層２にＺｎＳが含まれると、透明基板１側から水分が透過し難くなり、透明金属層３の腐食が抑制される。第１高屈折率層２には、ＺｎＳのみが含まれてもよく、ＺｎＳとともに他の材料が含まれてもよい。ＺｎＳとともに含まれる材料は、上記誘電性材料又は酸化物半導体材料でありうる金属酸化物や二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）等であり、特に好ましくはＳｉＯ_２である。ＺｎＳとともにＳｉＯ_２が含まれると、第１高屈折率層が非晶質になりやすく、透明導電体のフレキシブル性が高まりやすい。

第１高屈折率層２にＺｎＳとともに他の材料が含まれる場合、ＺｎＳの量は、第１高屈折率層２を構成する材料の総モル数に対して、０．１〜９５質量％であることが好ましく、５０〜９０質量％であることがより好ましく、さらに好ましくは６０〜８５質量％である。硫化亜鉛（ＺｎＳ）の比率が高いとスパッタ速度が速くなり、第１高屈折率層２の形成速度が速くなる。一方、ＺｎＳ以外の成分が多く含まれると、第１高屈折率層２の非晶質性が高まり、第１高屈折率層２の割れが抑制される。

第１高屈折率層２の厚さは、１５〜１５０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは２０〜８０ｎｍである。第１高屈折率層２の厚さが１５ｎｍ以上であると、第１高屈折率層２によって、透明導電体１０の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。一方、第１高屈折率層２の厚さが１５０ｎｍ以下であれば、第１高屈折率層２が含まれる領域の光透過性が低下し難い。第１高屈折率層２の厚さは、エリプソメーターで測定される。

また、第１高屈折率層２が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。第１高屈折率層２は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であってもよく；公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。

［第２高屈折率層］
本発明に係る第２高屈折率層４は、透明導電体１０の導通領域ａ、つまり透明金属層３が形成されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整するための層であり、少なくとも透明導電体１０の導通領域ａに形成される。第２高屈折率層４は、透明導電体１０の絶縁領域ｂに形成されてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。

第２高屈折率層４には前述の透明基板１の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれる。当該誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は、透明基板１の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。一方、第２高屈折率層４に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光に対する具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第２高屈折率層４によって、透明導電体１０の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、第２高屈折率層４の屈折率は、第２高屈折率層４に含まれる材料の屈折率や、第２高屈折率層４に含まれる材料の密度で調整される。

第２高屈折率層４に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料又は酸化物半導体材料は、金属酸化物でありうる。当該金属酸化物は、第１高屈折率層に含まれる金属酸化物と同様でありうる。第２高屈折率層４には、当該金属酸化物が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。

また、第２高屈折率層４に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、ＺｎＳであってもよい。なお、第２高屈折率層２に硫化亜鉛が含有される場合、当該第２高屈折率層は、本発明に係る硫化亜鉛含有層である。
第２高屈折率層４にＺｎＳが含まれると、第２高屈折率層４側から水分が透過することを抑制でき、透明金属層３の腐食を防止できる。第２高屈折率層４には、ＺｎＳのみが含まれてもよく、ＺｎＳとともに他の材料が含まれてもよい。ＺｎＳとともに含まれる材料は、上記誘電性材料又は酸化物半導体材料でありうる金属酸化物又はＳｉＯ_２であり、特に好ましくはＳｉＯ_２である。ＺｎＳとともにＳｉＯ_２が含まれると、第２高屈折率層４が非晶質になりやすく、透明導電体１０のフレキシブル性が高まりやすい。

第２高屈折率層４にＺｎＳとともに他の材料が含まれる場合、ＺｎＳの量は、第２高屈折率層４を構成する成分の総モル数に対して、０．１〜９５質量％であることが好ましく、５０〜９０質量％であることがより好ましく、さらに好ましくは６０〜８５質量％である。ＺｎＳの比率が高いとスパッタ速度が速くなり、第２高屈折率層４の形成速度が早くなる。一方、ＺｎＳ以外の成分が多くなると、第２高屈折率層４の非晶質性が高まり、第２高屈折率層４の割れが抑制される。

第２高屈折率層４の厚さは１５ｎｍ以上であり、通常１５０ｎｍ以下である。第２高屈折率層４の厚さは、より好ましくは１５〜１５０ｎｍであり、さらに好ましくは２０〜８０ｎｍである。第２高屈折率層４の厚さが１５ｎｍ以上であると、第２高屈折率層４によって、透明導電体１０の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。一方、第２高屈折率層４の厚さが１５０ｎｍ以下であれば、第２高屈折率層４が含まれる領域の光透過性が低下し難い。第２高屈折率層４の厚さは、エリプソメーターで測定される。

また、第２高屈折率層４が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。第２高屈折率層４は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であってもよい。また、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。

［透明金属層］
透明金属層３は、透明導電体１０において電気を導通させるための層である。透明金属層３は、透明基板１の全面に形成されていてもよく、また所望の形状にパターニングされていてもよい。

透明金属層３に含まれる金属は、導電性の高い金属であれば特に制限されず、例えば銀、銅、金、白金族、チタン、クロム等であってもよい。透明金属層３には、これらの金属が１種のみ含まれてもよく、２種以上含まれてもよい。導電性が高いとの観点から、透明金属層は銀、又は銀が９０ａｔ％以上含まれる合金からなることが好ましい。銀と組み合わされる金属は、亜鉛、金、銅、パラジウム、アルミニウム、マンガン、ビスマス、ネオジム、モリブデン等でありうる。例えば、銀と亜鉛とが組み合わされると、透明金属層の耐硫化性が高まる。銀と金とが組み合わされると、耐塩（ＮａＣｌ）性が高まる。さらに銀と銅とが組み合わされると、耐酸化性が高まる。

透明金属層３のプラズモン吸収率は、波長４００〜８００ｎｍにわたって（全範囲で）１０％以下であることが好ましく、７％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは５％以下である。波長４００〜８００ｎｍの一部にプラズモン吸収率が大きい領域があると、透明導電体１０の導通領域ａの透過光が着色しやすくなる。

透明金属層３の波長４００〜８００ｎｍにおけるプラズモン吸収率は、以下の手順で測定される。
（ｉ）ガラス基板上に、白金パラジウムをマグネトロンスパッタ装置にて０．１ｎｍ形成する。白金パラジウムの平均厚さは、スパッタ装置のメーカー公称値の形成速度等から算出する。その後、白金パラジウムが付着した基板上にスパッタ法にて金属からなる膜を２０ｎｍ形成する。

（ii）そして、得られた金属膜の表面の法線に対して、５°傾けた角度から測定光を入射させ、金属膜の透過率及び反射率を測定する。そして各波長における透過率及び反射率から、吸収率（１００−（透過率＋反射率））を算出し、これをリファレンスデータとする。透過率及び反射率は、分光光度計で測定する。

（iii）続いて、測定対象の透明金属層を同様のガラス基板上に形成する。そして、当該透明金属層について、同様に透過率及び反射率を測定する。得られた吸収率から上記リファレンスデータを差し引き、算出された値を、プラズモン吸収率とする。

透明金属層３の厚さは３〜２０ｎｍであり、好ましくは５〜９ｎｍであり、さらに好ましくは５〜８ｎｍである。本発明の透明導電体１０では、透明金属層３の厚さが１０ｎｍ以下であれば、透明金属層３に金属本来の反射が生じ難い。さらに、透明金属層３の厚さが１０ｎｍ以下であると、第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４によって、透明導電体１０の光学アドミッタンスが調整されやすく、導通領域ａ表面での光の反射が抑制されやすい。透明金属層３の厚さは、エリプソメーターで測定される。

透明金属層３は、いずれの形成方法によっても形成できるが、透明金属層の平均透過率を変えるためには、スパッタ法で形成された膜又は後述する下地層上に形成された膜であることが好ましい。

スパッタ法では、形成時に材料が被形成体に高速で衝突するため、緻密かつ平滑な膜が得られやすいため、透明金属層３の光透過性が高まりやすい。また、透明金属層３がスパッタ法により形成された膜であると、透明金属層３が高温かつ低湿度な環境においても腐食し難くなる。スパッタ法の種類は特に制限されず、イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法、バイアススパッタ法及び対向スパッタ法等でありうる。透明金属層３は、特に対向スパッタ法で形成されることが好ましい。透明金属層３が、対向スパッタ法で形成されると、透明金属層３が緻密になり、表面平滑性が高まりやすい。その結果、透明金属層３の表面電気抵抗がより低くなり、光透過率を向上できる。

一方、透明金属層３を下地層上に形成する場合、透明金属層３を形成する際に下地層が成長核となるため、透明金属層３を平滑な層として形成きる。その結果、透明金属層３が薄くとも、プラズモン吸収が生じ難くなる。この場合、透明金属層３の形成方法は、上述のように特に制限されず、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法及び熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法でありうる。

また、透明金属層３が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。透明金属層３は、例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して形成された層であってもよく；公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。

［硫化防止層］
本発明実施形態では、硫化防止層５として、上述の第１硫化防止層５ａ又は第２硫化防止層５ｂを有するものとして、以下、硫化防止層５について説明する。

（第１硫化防止層）
前述の第１高屈折率層２が硫化亜鉛含有層である場合、図１に示されるように、第１高屈折率層２と透明金属層３との間に第１硫化防止層５ａが設けられることが好ましい。第１硫化防止層５ａは、透明導電体１０の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。

当該第１硫化防止層５ａは、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物及び亜鉛（Ｚｎ）から選ばれる少なくとも１種を含有する層である。第１硫化防止層５ａには、これらが１種のみ含まれてもよく、２種以上含まれてもよい。ただし、第１高屈折率層２と、第１硫化防止層５ａと、透明金属層３とが連続的に形成される場合には、上記金属酸化物が硫黄と反応可能、又は硫黄を吸着可能な化合物であることが好ましい。上記金属酸化物が、硫黄と反応する化合物である場合、金属酸化物と硫黄との反応物は、可視光の透過性が高いことが好ましい。

金属酸化物の例には、ＴｉＯ_２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＣｅＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｔｉ_３Ｏ_５、Ｔｉ_４Ｏ_７、Ｔｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ、ＳｎＯ_２、Ｌａ_２Ｔｉ_２Ｏ_７、ＩＺＯ、ＩＧＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＡＴＯ、ＩＣＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ａ−ＧＩＯ、Ｇａ_２Ｏ_３、ＧｅＯ_２、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＨｆＯ_２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ_２Ｏ_３及びＷＯ_３等が含まれる。
金属フッ化物の例には、ＬａＦ_３、ＢａＦ_２、Ｎａ_５Ａｌ_３Ｆ_１４、Ｎａ_３ＡｌＦ_６、ＡｌＦ_３、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、ＣｅＦ_３、ＮｄＦ_３及びＹＦ_３等が含まれる。
金属窒化物の例には、Ｓｉ_３Ｎ_４及びＡｌＮ等が含まれる。

ここで、第１硫化防止層５ａの厚さは、後述する透明金属層３の形成する際の衝撃から、第１高屈折率層２の表面を保護可能な厚さであることが好ましい。一方で、第１高屈折率層に含まれ得るＺｎＳは、透明金属層３に含まれる金属との親和性が高い。そのため、第１硫化防止層５ａの厚さが非常に薄く、第１高屈折率層２の一部が僅かに露出していると、当該露出部分を中心に透明金属層が成長し、透明金属層３が緻密になりやすい。つまり、第１硫化防止層５ａは比較的薄いことが好ましく、０．１〜１０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは０．５〜５ｎｍであり、さらに好ましくは１〜３ｎｍである。第１硫化防止層５ａの厚さは、エリプソメーターで測定される。

第１硫化防止層５ａが、所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。第１硫化防止層５ａは、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。

（第２硫化防止層５ｂ）
第２高屈折率層が硫化亜鉛含有層である場合、図１に示されるように、透明金属層３と第２高屈折率層４との間に第２硫化防止層５ｂが設けられることが好ましい。第２硫化防止層５ｂは、透明導電体１０の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。

当該第２硫化防止層５ｂは、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物及び亜鉛（Ｚｎ）から選ばれる少なくとも１種を含有する層である。第２硫化防止層５ｂには、これらが１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物は、前述の第１高屈折率層２に含まれる金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物と同様であってもよい。

一方、第２硫化防止層５ｂの厚さは、第２高屈折率層４の形成時の衝撃から、透明金属層３の表面を保護可能な厚さであることが好ましい。一方で、透明金属層３に含まれる金属と、第２高屈折率層４に含まれるＺｎＳは、親和性が高い。そのため、第２硫化防止層５ｂの厚さが非常に薄く、透明金属層３の一部が僅かに露出していると、透明金属層３や第２硫化防止層５ｂと第２高屈折率層４との密着性が高まりやすい。したがって、第２硫化防止層５ｂの具体的な厚さは０．１〜１０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは０．５〜５ｎｍであり、さらに好ましくは１〜３ｎｍである。第２硫化防止層５ｂの厚さは、エリプソメーターで測定される。

第２硫化防止層５ｂは、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で形成された層でありうる。

第２硫化防止層５ｂが、所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。第２硫化防止層５ｂは、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。

［下地層］
前述のように、透明導電体１０には、透明金属層３の形成時に成長核となる下地層が含まれてもよい。下地層は、透明金属層３より基板１側、かつ透明金属層３に隣接して形成された層である。すなわち、第１高屈折率層２と透明金属層３との間又は第１硫化防止層５ａと透明金属層３との間に形成された層でありうる。下地層は、少なくとも透明導電体の導通領域ａに形成されていることが好ましく、透明導電体１０の絶縁領域ｂに形成されていてもよい。

透明導電体１０に下地層が含まれると、透明金属層３の厚さが薄くとも、透明金属層３の表面の平滑性が高まる。その理由は以下のとおりである。

一般的な気相成膜法で透明金属層３の材料を、例えば第１高屈折率層２上に堆積させると、形成初期には、第１高屈折率層２上に付着した原子がマイグレート（移動）し、原子が寄り集まって塊（島状構造）を形成する。そして、この塊にまとわりつきながら層（膜）が成長する。そのため、形成初期の膜では、塊同士の間に隙間があり、導通しない。この状態からさらに塊が成長すると、塊同士の一部が繋がり、辛うじて導通する。しかし、塊同士の間にいまだ隙間があるため、プラズモン吸収が生じる。そして、さらに形成が進むと、塊同士が完全に繋がって、プラズモン吸収が少なくなる。しかしその一方で、金属本来の反射が生じ、透明金属層の光透過性が低下する。

これに対し、第１高屈折率層２上をマイグレートを抑制できる金属からなる下地層が形成されていると、当該下地層を成長核として、透明金属層３が成長する。つまり、透明金属層３の材料がマイグレートを抑制でき、前述の島状構造を形成せずに層が成長する。その結果、厚さが薄くとも平滑な透明金属層３が得られる。

ここで、下地層には、パラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ若しくはインジウム又はこれらの金属と他の金属との合金や、これらの金属の酸化物や硫化物（例えばＺｎＳ）が含まれることが好ましい。下地層には、これらが１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。

下地層に含まれるパラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ又はインジウムの量は、２０質量％以上であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上であり、さらに好ましくは６０質量％以上である。下地層に上記金属が２０質量％以上含まれると、下地層と透明金属層３との親和性が高まり、下地層と透明金属層３との密着性が高まりやすい。下地層にはパラジウム又はモリブデンが含まれることが特に好ましい。

一方、パラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ又はインジウムと合金を形成する金属は特に制限されないが、例えばパラジウム以外の白金族、金、コバルト、ニッケル、チタン、アルミニウム及びクロム等でありうる。

下地層の厚さは、３ｎｍ以下であり、好ましくは０．５ｎｍ以下であり、より好ましくは単原子膜である。下地層は、透明基板１上に金属原子が互いに離間して付着している層でもありうる。下地層の付着量が３ｎｍ以下であれば、下地層が透明導電体１０の光透過性や光学アドミッタンスに影響を及ぼすことを防止できる。下地層の有無はＩＣＰ−ＭＳ法で確認される。また、下地層の厚さは、形成速度と形成時間との積から算出される。

下地層の形成方法は特に限定されず、公知の方法であってもよく、例えば、スパッタ法又は蒸着法を適用できる。スパッタ法としては、例えば、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法及びバイアススパッタ法等が挙げられる。下地層を形成する際のスパッタ時間は、所望の下地層の平均厚さ及び形成速度に合わせて適宜選択される。スパッタ法による形成速度は、好ましくは０．０１〜１．５ｎｍ／ｓ（０．１〜１５Å／ｓ）であり、より好ましくは０．０１〜０．７ｎｍ／ｓ（０．１〜７Å／ｓ）である。

一方、蒸着法の例としては、真空蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法及びイオンビーム蒸着法等が挙げられる。蒸着時間は、所望の下地層の厚さ及び形成速度に合わせて適宜選択される。蒸着速度は、好ましくは０．０１〜１．５ｎｍ／ｓ（０．１〜１５Å／ｓ）であり、より好ましくは０．０１〜０．７ｎｍ／ｓ（０．１〜７Å／ｓ）である。

下地層が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。下地層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であってもよく、また、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。

なお、下地層の表面粗さがＲａでおおむね３ｎｍ以下であると、良質な透明金属層（平滑な透明金属層）を形成できるため好ましい。

［低屈折率層］
前述のように、本発明の透明導電体１０には、第２高屈折率層４上に、透明導電体の導通領域ａの光透過性（光学アドミッタンス）を調整する低屈折率層（図示せず）を設けてもよい。低屈折率層は、透明導電体１０の導通領域ａにのみ形成されていてもよく、透明導電体１０の導通領域ａ及び絶縁領域ｂの両方に形成されていてもよい。

低屈折率層には、第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４に含まれる誘電性材料又は酸化物半導材料の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率より、波長５７０ｎｍの光に対する屈折率が低い誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれる。低屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料における波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は、第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４に含まれる上記材料の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率より、それぞれ０．２以上低いことが好ましく、０．４以上低いことがより好ましい。

低屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．８未満であることが好ましく、より好ましくは１．３０〜１．６であり、特に好ましくは１．３５〜１．５である。なお、低屈折率層の屈折率は主に、低屈折率層に含まれる材料の屈折率や、低屈折率層に含まれる材料の密度で調整される。

低屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、ＭｇＦ_２、ＳｉＯ_２、ＡｌＦ_３、ＣａＦ_２、ＣｅＦ_３、ＣｄＦ_３、ＬａＦ_３、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＮｄＦ_３、ＹＦ_３、ＹｂＦ_３、Ｇａ_２Ｏ_３、ＬａＡｌＯ_３、Ｎａ_３ＡｌＦ_６、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ及びＴｈＯ_２等でありうる。誘電性材料又は酸化物半導体材料は中でも、ＭｇＦ_２、ＳｉＯ_２、ＣａＦ_２、ＣｅＦ_３、ＬａＦ_３、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＮｄＦ_３、Ｎａ_３ＡｌＦ_６、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、又はＴｈＯ_２であることが好ましく、屈折率が低いとの観点から、ＭｇＦ_２及びＳｉＯ_２が特に好ましい。低屈折率層には、これらの材料が１種のみ含まれてもよく、２種以上含まれてもよい。

低屈折率層の厚さは、１０〜１５０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは２０〜１００ｎｍである。低屈折率層の厚さが１０ｎｍ以上であると、透明導電体表面の光学アドミッタンスが微調整されやすい。一方、低屈折率層の厚さが１５０ｎｍ以下であれば、透明導電体の厚さが薄くなる。低屈折率層の厚さは、エリプソメーターで測定される。

低屈折率層は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法及び熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で形成された層であり得る。形成の容易性等の観点から、低屈折率層は、電子ビーム蒸着法又はスパッタ法で形成された層であることが好ましい。

また、低屈折率層がパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。低屈折率層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相形成法でパターン状に形成された層であってもよく；公知のエッチング法でパターニングされた層であってもよい。

［第３高屈折率層］
本発明の透明導電体１０には、低屈折率層上にさらに、透明導電体の導通領域ａの光透過性（光学アドミッタンス）を調整する第３高屈折率層を設けてもよい。第３高屈折率層は、透明導電体１０の導通領域ａにのみ形成されていてもよく、透明導電体１０の導通領域ａ及び絶縁領域ｂの両方に形成されていてもよい。

第３高屈折率層には、前述の透明基板１の屈折率及び前記低屈折率層の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれることが好ましい。
第３高屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光に対する具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第３高屈折率層によって、透明導電体１０の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、第３高屈折率層の屈折率は、第３高屈折率層に含まれる材料の屈折率や、第３高屈折率層に含まれる材料の密度で調整される。

第３高屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料又は酸化物半導体材料は、金属酸化物又はＺｎＳであることが好ましい。金属酸化物の例には、前述の第１高屈折率層２又は第２高屈折率層４に含まれる金属酸化物が含まれる。第３高屈折率層には、当該金属酸化物又はＺｎＳが１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。また、金属酸化物やＺｎＳとともに、ＳｉＯ_２等の誘電性材料が含まれてもよい。

第３高屈折率層の厚さは特に制限されず、好ましくは１〜４０ｎｍであり、さらに好ましくは５〜２０ｎｍである。第３高屈折率層の厚さが上記範囲であると、透明導電体１０の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。第３高屈折率層の厚さは、エリプソメーターで測定される。

第３高屈折率層の形成方法は特に制限されず、第１高屈折率層２や第２高屈折率層４と同様の方法で形成された層でありうる。

≪透明導電体の光学アドミッタンスについて≫
透明導電体の透過領域ａの表面（透明導電体において透明基板とは反対側の表面）の反射率Ｒは、光が入射する媒質の光学アドミッタンスＹ_ｅｎｖと、透明導電体の透過領域ａの表面の等価アドミッタンスＹ_Ｅとから定まる。ここで光が入射する媒質とは、透明導電体に入射する光が、その入射直前に通過する部材又は環境であって；有機樹脂からなる部材、若しくは環境をいう。光が入射する媒質の光学アドミッタンスＹ_ｅｎｖと、透明導電体の表面の等価アドミッタンスＹ_Ｅとの関係は以下の式で表される。

上記の式に基づけば、｜Ｙ_ｅｎｖ−Ｙ_Ｅ｜が０に近い程、透明導電体（透過領域ａ）の表面の反射率Ｒが低くなる。

前記媒質の光学アドミッタンスＹ_ｅｎｖは、電場強度と磁場強度との比の値（Ｈ／Ｅ）から求められ、通常、媒質の屈折率ｎ_ｅｎｖと同一である。一方、透明導電体の透過領域ａの表面の等価アドミッタンスＹ_Ｅは、透過領域ａを構成する層の光学アドミッタンスＹから求められる。例えば透明導電体（透過領域ａ）が１層からなる場合には、透明導電体の等価アドミッタンスＹ_Ｅは、当該層の光学アドミッタンスＹ（屈折率）と等しくなる。

一方、透明導電体（透過領域ａ）が積層体からなる場合、１層目からｘ層目までの積層体の光学アドミッタンスＹ_ｘ（Ｅ_ｘ Ｈ_ｘ）は、１層目から（ｘ−１）層目までの積層体の光学アドミッタンスＹ_ｘ−１（Ｅ_ｘ−１ Ｈ_ｘ−１）と、特定のマトリクスとの積で表され；具体的には以下の式（１）又は式（２）にて求められる。

・ｘ層目が誘電性材料又は酸化物半導体材料からなる層である場合

・ｘ層目が理想金属層である場合

そして、ｘ層目が最表層であるときの、透明基板から最表層までの積層物の光学アドミッタンスＹ_ｘ（Ｅ_ｘ Ｈ_ｘ）が、当該透明導電体の等価アドミッタンスＹ_Ｅとなる。

図７に、例えば、透明基板／第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／第１硫化防止層（ＩＴＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）を備える透明導電体の導通領域ａの波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示した。グラフの横軸は、当該領域の光学アドミッタンスＹをｘ＋ｉｙで表したときの実部；つまり当該式におけるｘであり、縦軸は光学アドミッタンスの虚部；つまり当該式におけるｙである。なお、上記例の透明導電体では、第１硫化防止層は厚さが十分に薄いため、その光学アドミッタンスは無視できる。

図７において、アドミッタンス軌跡の最終座標が、導通領域ａの等価アドミッタンスＹ_Ｅである。そして、等価アドミッタンスＹ_Ｅの座標（ｘ_Ｅ，ｙ_Ｅ）と、光が入射する媒質のアドミッタンス座標Ｙ_ｅｎｖ（ｎ_ｅｎｖ，０）（図示せず）との距離が、透明導電体の導通領域ａの表面の反射率Ｒに比例する。

ここで、本発明の透明導電体では、透明金属層の高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍにおける光学アドミッタンスをＹ１（＝ｘ_１＋ｉｙ_１）とし、透明金属層の中間層側の表面の波長５７０ｎｍにおける光学アドミッタンスをＹ２（＝ｘ_２＋ｉｙ_２）とした場合に、ｘ_１及びｘ_２のうちいずれか一方、又は両方が１．６以上であることが好ましい。ｘ_１又はｘ_２のうちいずれか一方が、１．６以上であると透明導電体の光透過性が高まりやすい。その理由を以下に説明する。

透明導電体を構成する各層どうしの界面のアドミッタンスＹと、各層に存在する電場強度Ｅとの間には、下記関係式が成り立つ。

上記関係式に基づけば、透明金属層表面の光学アドミッタンスＹ１及びＹ２の実数部（ｘ_１及びｘ_２）が大きくなれば、透明金属層の電場強度Ｅが小さくなり、電場損失（光の吸収）が抑制される。すなわち、透明導電体の光透過性が十分に高まる。

したがって、上記ｘ_１及びｘ_２のうち、いずれか一方、又は両方が１．６以上であることが好ましく、より好ましくは１．８以上であり、さらに好ましくは２．０以上である。ｘ_１及びｘ_２のうち、いずれか一方が１．６以上であればよいが、特にｘ_１が１．６以上であることが好ましい。またｘ_１及びｘ_２は、７．０以下であることが好ましく、より好ましくは５．５以下である。ｘ_１は、第１高屈折率層の屈折率や、第１高屈折率層の厚さ等で調整される。ｘ_２は、ｘ_１の値や透明金属層の屈折率、第一透明金属層の厚さ等によって調整される。例えば、第１高屈折率層の屈折率が高い場合や、第１高屈折率層の厚さがある程度厚い場合には、ｘ_１及びｘ_２の値が大きくなりやすい。またｘ_１とｘ_２との差の絶対値（｜ｘ_１−ｘ_２｜）は１．５以下であることが好ましく、より好ましくは１．０以下であり、さらに好ましくは０．８以下である。

また、特定波長（本発明では５７０ｎｍ）におけるアドミッタンス軌跡は、グラフの横軸を中心に線対称であることが好ましい。アドミッタンス軌跡が、グラフの横軸を中心に線対称であると、特定波長以外の波長（例えば４５０ｎｍや７００ｎｍ）における等価アドミッタンスＹ_Ｅの座標が、一定になりやすく、いずれの波長においても、反射率Ｒが小さくなる。したがって、上記Ｙ１の虚部の座標ｙ_１と、Ｙ２の虚部の座標ｙ_２が、ｙ_１×ｙ_２≦０を満たすことが好ましい。さらに、｜ｙ_１＋ｙ_２｜が０．８未満であることが好ましく、より好ましくは０．５以下、さらに好ましくは０．３以下である。

さらに、前述のｙ_１が十分に大きいことが好ましい。前述のように、透明金属層の光学アドミッタンスは虚部の値が大きく、アドミッタンス軌跡が縦軸（虚部）方向に大きく移動する。そのため、ｙ_１が十分に大きければ、アドミッタンス座標の虚部の絶対値が適切な範囲に収まりやすく、アドミッタンス軌跡が線対称になりやすい。ｙ_１は０．２以上であることが好ましく、より好ましくは０．３〜１．５であり、さらに好ましくは０．３〜１．０である。一方、前述のｙ_２は、−０．３〜−２．０であることが好ましく、より好ましくは−０．６〜−１．５である。

一方、導通領域ａの波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンス座標（ｘ_Ｅ，ｙ_Ｅ）と、透明導電体の第２高屈折率層側の表面と接する部材若しくは環境（媒質）の波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンス座標（ｎ_ｅｎｖ，０）との距離（（ｘ_Ｅ−ｎ_ｅｎｖ）^２＋（ｙ_Ｅ）^２）^０．５）は、０．５未満であることが好ましく、さらに好ましくは０．３以下である。上記距離が０．５未満であれば、導通領域ａの表面の反射率Ｒａが十分に小さくなり、導通領域ａの光の透過性が高まる。

さらに、透明金属層３がパターニングされている場合には、導通領域ａの波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンス座標（ｘ_Ｅ，ｙ_Ｅ）と、絶縁領域ｂの波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンス座標（（ｘ_ｂ，ｙ_ｂ）で表す）との距離、（（ｘ_Ｅ−ｘ_ｂ）^２＋（ｙ_Ｅ−ｙ_ｂ）^２）^０．５）が０．５未満であることが好ましく、より好ましくは０．３以下である。導通領域ａの等価アドミッタンスＹ_Ｅの座標と、絶縁領域ｂの等価アドミッタンスＹ_ｂの座標とが十分に近くなると、これらのパターンが視認され難くなる。またさらに、｜（ｘ_ｅｎｖ−ｘ_ｂ）^２＋（Ｙ_ｅｎｖ−ｙ_ｂ）^２−（ｘ_ｅｎｖ−ｘ_Ｅ）^２＋（Ｙ_ｅｎｖ−ｙＥ）^２｜が０．１以下であることが好ましい。当該値を満たすと、導通領域ａ及び絶縁領域ｂがいずれも視認され難くなる。

≪透明導電体の物性について≫
本発明の透明導電体の波長４００〜８００ｎｍの光の平均透過率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても８３％以上であることが好ましく、より好ましくは８５％以上であり、さらに好ましくは８８％以上である。上記波長範囲における平均透過率が８３％以上であると、透明導電体を、可視光に対して高い透明性が要求される用途に適用することができる。

一方、透明導電体の波長４００〜１０００ｎｍの光の平均透過率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても８０％以上であることが好ましく、より好ましくは８３％以上、さらに好ましくは８５％以上である。波長４００〜１０００ｎｍの光の平均透過率が８０％以上であると、広い波長範囲の光に対して透明性が要求される用途、例えば太陽電池用の透明導電膜等にも透明導電体を適用することができる。

一方、透明導電体の波長４００〜８００ｎｍの光の平均吸収率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても１０％以下であることが好ましく、より好ましくは８％以下であり、さらに好ましくは７％以下である。また、透明導電体の波長４００〜８００ｎｍの光の吸収率の最大値は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても１５％以下であることが好ましく、より好ましくは１０％以下であり、さらに好ましくは９％以下である。一方、透明導電体の波長５００〜７００ｎｍの光の平均反射率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても、２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１５％以下であり、さらに好ましくは１０％以下である。透明導電体の平均吸収率及び平均反射率が低いほど、前述の平均透過率が高まる。

上記平均透過率及び平均反射率は、透明導電体の使用環境下での透過率及び反射率であることが好ましい。具体的には、透明導電体が有機樹脂と貼り合わせて使用される場合には、透明導電体上に有機樹脂からなる層を配置して透過率及び反射率を測定することが好ましい。一方、透明導電体が大気中で使用される場合には、大気中での透過率及び反射率を測定することが好ましい。透過率及び反射率は、透明導電体の表面の法線に対して５°傾けた角度から測定光を入射させて分光光度計で測定する。吸収率は、１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出される。

また透明導電体１０に導通領域ａ及び絶縁領域ｂが含まれる場合、導通領域ａの反射率及び絶縁領域ｂの反射率がそれぞれ近似することが好ましい。具体的には、導通領域ａの視感反射率と、絶縁領域ｂの視感反射率との差ΔＲが５％以下であることが好ましく、３％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは１％以下であり、特に好ましくは０．３％以下である。一方、導通領域ａ及び絶縁領域ｂの視感反射率は、それぞれ５％以下であることが好ましく、より好ましくは３％以下であり、さらに好ましくは１％以下である。視感反射率は、分光光度計（Ｕ４１００；日立ハイテクノロジーズ社製）で測定されるＹ値である。

また透明導電体１０に導通領域ａ及び絶縁領域ｂが含まれる場合、いずれの領域においても、Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系におけるａ^＊値及びｂ^＊値は±３０以内であることが好ましく、より好ましくは±５以内であり、さらに好ましくは±３．０以内であり、特に好ましくは±２．０以内である。Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系におけるａ^＊値及びｂ^＊値が±３０以内であれば、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれの領域も無色透明に観察される。Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系におけるａ^＊値及びｂ^＊値は、分光光度計で測定される。

透明導電体の導通領域ａの表面電気抵抗は、５０Ω／□以下であることが好ましく、さらに好ましくは３０Ω／□以下である。導通領域の表面電気抵抗値が５０Ω／□以下である透明導電体は、静電容量方式のタッチパネル用の透明導電パネル等に適用できる。導通領域ａの表面電気抵抗値は、透明金属層の厚さ等によって調整される。導通領域ａの表面電気抵抗値は、例えばＪＩＳ Ｋ７１９４、ＡＳＴＭ Ｄ２５７等に準拠して測定される。また、市販の表面電気抵抗率計によっても測定される。

≪透明導電体の用途≫
前述の透明導電体は、液晶、プラズマ、有機エレクトロルミネッセンス及びフィールドエミッションなど各種方式のディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池及び各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々なオプトエレクトロニクスデバイスの基板等に好ましく用いることができる。

このとき、透明導電体の表面（例えば、透明基板と反対側の表面）は、接着層等を介して、他の部材と貼り合わせられてもよい。この場合には、前述のように、透明導電体の表面の等価アドミッタンス座標と、接着層のアドミッタンス座標と、がそれぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電体と接着層との界面での反射が抑制される。

一方、透明導電体の表面が空気と接するような構成で使用される場合には、透明導電体の表面のアドミッタンス座標と、空気のアドミッタンス座標と、がそれぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電体と空気との界面での光の反射が抑制される。

なお、本発明を適用可能な実施形態は、上述した実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。

例えば、広帯域反射防止する目的で、透明金属層の上下層の少なくとも一方に高屈折率材料（波長５７０ｎｍの光に対する屈折率が１．８以上）を用いてもよい。これにより、可視光（４５０〜７００ｎｍ）の範囲をほぼ均一で、かつ８０％以上の透過率に保つことができる。ただし、この場合の透明金属層の厚さは５〜２０ｎｍであることが望ましい。
透明金属層の厚さが５ｎｍ以上であると、プラズモン吸収が顕著に増大することを回避でき、人工的に初期成長核を施した上で透明金属層の形成を行い、かつ低温で透明金属層を形成しても充分な透過率を得ることが容易となる。また、透明金属層の厚さが２０ｎｍ以下であると、実用的な反射率の低減が可能であり、充分な反射防止機能を保つことが容易となる。
望ましくは波長５７０ｎｍの光に対する屈折率が１．８以上であることであるが、低屈折率、高屈折率を交互に組み合わせることで、どちらか一方の透明金属層の界面におけるアドミッタンス（Ｙ＝ｘ_１＋ｉy_１、Ｙ＝ｘ_２＋ｉｙ_２）を、ｘ_１＞１．５又はｘ_２＞１．５になるように調整してもよい。
るように調整してもよい。

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。なお、実施例において「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量％」を表す。
本実施例では、図４に示す様なロールｔｏロール法によって実施例１〜１８及び比較例１の透明導電体を作製した。なお、各透明導電体の作製において、積層構成、透明金属層を形成するときの速度及び透明基板の温度、形成方式（蒸着法又はスパッタ法）は、表１に記載のとおりである。
なお、各層を形成する際における透明基板の温度は、事前にサーモラベルで確認し、調節した。また、透明金属層を形成する際の形成速度については、あらかじめ形成時間と透明金属層の厚さとの関係を検量することで算出した。
また、以下に示す屈折率は、全て温度２５℃における値である。

［実施例１］
シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）上（透明基板、波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は１．５２）に、下記の層を積層して実施例１の透明導電体を作製した。
なお、各層の形成は、透明基板の温度を３０〜３５℃に保って行った。

（第１高屈折率層の形成）
厚さ７０μｍのＣＯＰの片面に、シンクロン製ＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機を用いて、抵抗加熱でＺｎＳ−ＳｉＯ_２からなる第１高屈折率層を４０ｎｍの厚さに形成した。このときの投入電流値は２１０Ａ、形成速度は０．５ｎｍ／ｓ（５Å／ｓ）とした。
なお、ＺｎＳとＳｉＯ_２との比率（モル比）は、８０：２０であり、第１高屈折率層の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は２．１４であった。

（第１硫化防止層の形成）
第１高屈折率層上に、シンクロン製ＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機を用いて、抵抗加熱でＺｎＯからなる第１硫化防止層を１ｎｍの厚さに形成した。このときの投入電流値は２１０Ａ、形成速度は０．５ｎｍ／ｓ（５Å／ｓ）とした。

（透明金属層の形成）
第１硫化防止層上に、シンクロン製ＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機を用いて、抵抗加熱でＡｇからなる透明金属層を７ｎｍの厚さに形成した。このときの投入電流値は２１０Ａ、形成速度は１．２ｎｍ／ｓ（１２Å／ｓ）とした。

（第２硫化防止層の形成）
透明金属層上に、シンクロン製ＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機を用いて、抵抗加熱でＺｎＯからなる第２硫化防止層を１ｎｍの厚さに形成した。このときの投入電流値は２１０Ａ、形成速度は０．５ｎｍ／ｓ（５Å／ｓ）とした。

（第２高屈折率層の形成）
第２硫化防止層上に、シンクロン製ＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機を用いて、抵抗加熱でＺｎＳ−ＳｉＯ_２からなる第２高屈折率層を４０ｎｍの厚さに形成した。このときの投入電流値は２１０Ａ、形成速度は０．５ｎｍ／ｓ（５Å／ｓ）とした。なお、波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は、第１高屈折率層と同値である。

［実施例２及び実施例３］
各層を形成する際の透明基板の温度を表１に記載のようにしたほかは、実施例１の透明導電体と同様にして、実施例２及び実施例３の透明導電体を作製した。なお、第１高屈折率層及び第２高屈折率層の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は、実施例１と同値である。

［実施例４］
透明基板としてポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ、波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は１．６４）を使用し、このＰＥＴ上に、下記の層を積層して実施例４の透明導電体を作製した。
なお、各層の形成は、アネルバ社製のＳＰＷ−０６０を用い、透明基板の温度を３５〜４０℃に保って、厚さ７０μｍのＰＥＴの片面に行った。

（第１高屈折率層の形成）
まず、スパッタ装置の真空チャンバーを１×１０^−３Ｐａの高真空まで排気した。その後、スパッタガスとしてＡｒを用いスパッタ圧を０．３Ｐａとし、室温下、ターゲット側電力１．８５Ｗ／ｃｍ^２、形成速度０．２ｎｍ／ｓ（２．０Å／ｓ）でＺｎＳ−ＳｉＯ_２をＤＣスパッタし、第１高屈折率層を厚さ４０ｎｍで形成した。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。なお、第１高屈折率層の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は、実施例１と同値である。

（透明金属層の形成）
次に、第１高屈折率層上に、スパッタガスとしてＡｒを用いスパッタ圧を０．５Ｐａとし、室温下、ターゲット側電力１．８５Ｗ／ｃｍ^２、形成速度１．２ｎｍ／ｓ（１２Å／ｓ）でＡｇをＤＣスパッタし、透明金属層を厚さ７ｎｍで形成した。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。

（第２硫化防止層の形成）
透明金属層上に、スパッタガスとしてＡｒを用いスパッタ圧を０．１Ｐａとし、室温下、ターゲット側電力１．８５Ｗ／ｃｍ^２、形成速度０．１１ｎｍ／ｓ（１．１Å／ｓ）でＺｎＯをＤＣスパッタし、第２硫化防止層を厚さ０．５ｎｍで形成した。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。

（第２高屈折率層の形成）
第２硫化防止層上に、スパッタガスとしてＡｒを用いスパッタ圧を０．３Ｐａとし、室温下、ターゲット側電力１．８５Ｗ／ｃｍ^２、形成速度０．２ｎｍ／ｓ（２．０Å／ｓ）でＺｎＳ−ＳｉＯ_２をＤＣスパッタし、第２高屈折率層を厚さ４０ｎｍで形成した。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。なお、第２高屈折率層の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は、実施例１と同値である。

［実施例５及び実施例６］
透明金属層の形成速度を表２に記載のようになるようターゲット側電力を調整したほかは、実施例４と同様にして、実施例５及び実施例６の透明導電体を作製した。なお、第１高屈折率層及び第２高屈折率層の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は、実施例１と同値である。

［実施例７］
第１硫化防止層は形成せず、透明基板としてガラスフィルム（透明基板、波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は１．５２）、第１高屈折率層及び第２高屈折率層としてＺｎＳ−ＴｉＯ_２、透明金属層としてＡｇ合金（Ａｇ中にＡｕが１．５原子％、Ｃｕが０．５原子％含まれる合金）、第２硫化防止層としてＩＧＺＯを使用し、各層の厚さ及び各層を形成する際の透明基板の温度を表１のようにしたほかは、実施例１と同様にして実施例７の透明導電体を作製した。
なお、ＺｎＳ−ＴｉＯ_２におけるＺｎＳとＴｉＯ_２との比率（モル比）は、８０：２０であり、第１高屈折率層及び第２高屈折率層の屈折率は２．１８であった。

［実施例８］
第２硫化防止層は形成せず第１硫化防止層を下記のようにして形成し、透明基板として厚さ７０μｍのセルローストリアセテート（ＴＡＣ、波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は１．４９）、第１高屈折率層としてＺｎＳ−ＺｎＯ、透明金属層としてＡｇ合金（Ａｇ中にＡｕが１．５原子％、Ｃｕが０．５原子％含まれる合金）及び第２高屈折率層としてＩＧＺＯを使用し、各層の厚さ及び各層を形成する際の透明基板の温度を表１のようにしたほかは、実施例４と同様にして実施例８の透明導電体を作製した。
なお、ＺｎＳ−ＺｎＯにおけるＺｎＳとＺｎＯとの比率（モル比）は、８０：２０であり、第１高屈折率層の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は２．１６であった。また、第２高屈折率層の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は２．０９であった。

（第１硫化防止層の形成）
第１高屈折率層上に、スパッタガスとしてＡｒを用いスパッタ圧を０．１Ｐａとし、室温下、ターゲット側電力１．８５Ｗ／ｃｍ^２、形成速度０．１１ｎｍ／ｓ（１．１Å／ｓ）でＺｎＯをＤＣスパッタすることで、ＴＡＣの片面に、第１硫化防止層を厚さ１ｎｍで形成した。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。

［実施例９］
透明基板として厚さ７０μｍのポリカーボネートフィルム（ＰＣ、波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は１．５９）、第１高屈折率層としてＺｎＳ−Ｇａ_２Ｏ_３並びに第１硫化防止層及び第２高屈折率層としてＧＺＯを使用し、各層の厚さを表１のようにしたほかは、実施例８と同様にして実施例９の透明導電体を作製した。
なお、ＺｎＳ−Ｇａ_２Ｏ_３におけるＺｎＳとＧａ_２Ｏ_３との比率（モル比）は、８０：２０であり、第１高屈折率層の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は２．１７であった。また、第２高屈折率層の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は２．０８であった。

［実施例１０］
透明金属層を形成する際のスパッタガスをクリプトン（Ｋｒ）としたほかは、実施例４と同様にして実施例１０の透明導電体を作製した。なお、第１高屈折率層及び第２高屈折率層の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は、実施例１と同値である。

［実施例１１］
透明金属層を形成する際の形成速度が０．１ｎｍ／ｓ（１Å／ｓ）になるようターゲット側電力を調整したほかは、実施例４と同様にして実施例１１の透明導電体を作製した。なお、第１高屈折率層及び第２高屈折率層の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は、実施例１と同値である。

［実施例１２］
第２硫化防止層を、酸素ガスを導入した雰囲気条件の下で形成した。具体的には、当該第２硫化防止層を形成する際のスパッタガスとしてＡｒ及びＯ_２（流量比Ａｒ：Ｏ_２＝１０：１）を投入しスパッタ圧を０．１Ｐａとし、第２硫化防止層としてＺｎＯのかわりにＩＴＯをＤＣスパッタして１０ｎｍの厚さの層を形成したほかは、実施例４と同様にして実施例１２の透明導電体を作製した。なお、第１高屈折率層及び第２高屈折率層の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は、実施例１と同値である。

［実施例１３］
各層を形成する際の透明基板の温度を表１に記載のようにしたほかは、実施例１の透明導電体と同様にして、実施例１３の透明導電体を作製した。なお、第１高屈折率層及び第２高屈折率層の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は、実施例１と同値である。

［実施例１４］
透明金属層の形成速度を表１に記載のようになるようターゲット側電力を調整したほかは、実施例４と同様にして、実施例１４の透明導電体を作製した。なお、第１高屈折率層及び第２高屈折率層の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は、実施例１と同値である。

［実施例１５］
透明基板としてＰＥＴを使用し、各層の形成をＦＴＳコーポレーション社の対向ターゲット式スパッタ装置を用いて形成したほかは、実施例４と同様にして、実施例１５の透明導電体を作製した。なお、第１高屈折率層及び第２高屈折率層の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は、実施例１と同値である。

［実施例１６］
第１硫化防止層は形成せず、透明基板として株式会社きもと製のクリアハードコート付きポリエチレンテレフタレートフィルムＧ１ＳＢＦ（表１では「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は１．５９）を厚さ７０μｍ、第１高屈折率層及び第２高屈折率層としてＺｎＳ、第２硫化防止層としてＧＺＯを使用し、各層の厚さ及び各層を形成する際の透明基板の温度を表１のようにしたほかは、実施例１と同様にして実施例１６の透明導電体を作製した。
なお、第１高屈折率層及び第２高屈折率層の屈折率は２．３４であった。

［実施例１７］
第１硫化防止層は形成せず、透明基板として厚さ７０μｍの上記ＰＥＴ／ＣＨＣ、第２硫化防止層としてＧＺＯを使用し、各層の厚さ及び各層を形成する際の透明基板の温度を表１のようにしたほかは、実施例１と同様にして実施例１７の透明導電体を作製した。
なお、第１高屈折率層及び第２高屈折率層の屈折率は、実施例１と同値である。

［実施例１８］
第１硫化防止層を下記のようにして形成し、透明基板として厚さ７０μｍの上記ＰＥＴ／ＣＨＣ、第１高屈折率層としてＺｎＳ、第２硫化防止層としてＧＺＯ及び第２高屈折率層としてＩＴＯを使用し、各層の厚さ及び各層を形成する際の透明基板の温度を表１のようにしたほかは、実施例４と同様にして実施例１８の透明導電体を作製した。
なお、第２高屈折率層の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は２．１０であった。

（第１硫化防止層の形成）
第１高屈折率層上に、スパッタガスとしてＡｒを用いスパッタ圧を０．１Ｐａとし、室温下、ターゲット側電力１．８５Ｗ／ｃｍ^２、形成速度０．１１ｎｍ／ｓ（１．１Å／ｓ）でＧＺＯをＤＣスパッタし、第１硫化防止層を厚さ１ｎｍで形成した。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。

［比較例１］
各層を形成する際の透明基板の温度を表１に記載のようにしたほかは、実施例１と同様にして比較例１の透明導電体を作製した。なお、第１高屈折率層及び第２高屈折率層の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は、実施例１と同値である。

（光の透過率、光の吸収率の測定）
上記作製した各透明導電体について、以下のように光の透過率及び光の吸収率を測定した。
各実施例で得られた透明導電体の第２高屈折率層側の表面に、マッチングオイル（ニコン社製 屈折率＝１．５２）を塗布した。そして、透明導電体とコーニング社製無アルカリガラス基板（ＥＡＧＬＥ ＸＧ（厚さ７ｍｍ×縦３０ｍｍ×横３０ｍｍ）とを貼り合わせた。そして、無アルカリガラス基板側から、透明導電体の透過率及び反射率を測定した。このとき、無アルカリガラス基板の表面の法線に対して、５°傾けた角度から、導通領域に測定光（例えば、波長４００〜８００ｎｍの光）を入射させ、日立ハイテクノロジーズ社製：分光光度計 Ｕ４１００にて、光の透過率及び反射率を測定した。そして、光の吸収率は、１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出した。結果を表２に示す。
なお、表２の透過率は空気-無アルカリガラスの界面で損失する表面反射率、及び透明導電体基材−空気の界面で損失する表面反射率を差し引いた透過率（内部透過率に相当する。）の値を記載した。

（シート抵抗値の測定）
上記作製した各透明導電体について、抵抗率計（三菱化学アナリテック社製ロレスタＥＰ ＭＣＰ−Ｔ３６０）を用い、４端子４探針法定電流印加方式でシート抵抗値（Ω／□）の測定を行った。結果を表２に示す。

（まとめ）
表２に示されるように、各実施例の透明導電体は、透過率が８０％以上、光の吸収率が１５％以下、シート抵抗値は、２５Ω／□以下であり、いずれも比較例１の透明導電体よりも良好である。
特に、透明金属層の形成速度が０．３ｎｍ／ｓ（３Å／ｓ）以上である実施例１〜実施例１０及び実施例１２〜実施例１８は、光の吸収率が１０％以下、シート抵抗値は２０Ω／□以下であり、実施例１１に比べ、さらに良好になることが示された。

また、透明基板の温度又は形成速度と光の吸収率との関係を図８及び図９に示した。
図８は、透明金属層を形成する際の透明基板の温度と光の吸収率との関係を示すグラフである。
図９は、透明金属層を形成する際の形成速度と光の吸収率とを示すグラフである。
上述の結果より、本発明の透明導電体は、良好な光の吸収率を得られることが示された。
また、図８の結果から、本発明の透明導電体の製造方法において、透明基板の温度は、６５℃以下に保ちながら、透明金属層を形成するのであれば、当該透明基板の温度は低いほど透明導電体の光の吸収率が良好になることが推察される。
さらに、図９の結果から、本発明の透明導電体の製造方法において、透明金属層を形成する際の形成速度は、大きいほど、透明導電体の光の吸収率が良好になることが推察される。

以上のように、本発明は、光の吸収が低減し、可視光領域の光の反射が防止され、低抵抗な透明導電体を製造する方法及び透明導電体を提供することに適している。

１ 透明基板
２ 第１高屈折率層（硫化亜鉛含有層）
３ 透明金属層
４ 第２高屈折率層（硫化亜鉛含有層）
５ 硫化防止層
５ａ 第１硫化防止層
５ｂ 第２硫化防止層
１０ 透明導電体

Claims (8)

1. 少なくとも、透明基板、第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層とをこの順に有する透明導電体をロールｔｏロール法により製造する透明導電体の製造方法であって、
   前記透明基板の温度を６５℃以下に保ちながら、前記透明金属層を形成する工程を有することを特徴とする透明導電体の製造方法。
2. 波長５７０ｎｍの光に対して、前記透明基板より大きい屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料を含有し、かつ、前記第１高屈折率層及び前記第２高屈折率層のいずれか一方の層を硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含有する硫化亜鉛含有層として、前記第１高屈折率層及び前記第２高屈折率層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の透明導電体の製造方法。
3. 前記透明金属層と前記硫化亜鉛含有層との間に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物及び亜鉛（Ｚｎ）から選ばれる少なくとも１種を含有する硫化防止層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項２に記載の透明導電体の製造方法。
4. 前記硫化防止層を形成する工程が、前記透明金属層の前記透明基板とは反対側の表面に、真空下、かつ酸素ガスを導入しない雰囲気条件下において、前記金属酸化物を含有する前記硫化防止層を形成する工程であることを特徴とする請求項３に記載の透明導電体の製造方法。
5. 前記透明金属層を形成する際の、形成速度が０．３ｎｍ／ｓ（３Å／ｓ）以上であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
6. 前記透明金属層を形成する工程において、スパッタガスとして、クリプトン又はキセノンを使用することを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
7. 請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法により製造された透明導電体であって、
   前記第１高屈折率層及び前記第２高屈折率層が、波長５７０ｎｍの光に対して、前記透明基板より大きい屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料を含有し、かつ、前記第１高屈折率層及び前記第２高屈折率層のいずれか一方の層が硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含有する硫化亜鉛含有層であり、さらに、
   前記透明金属層と前記硫化亜鉛含有層との間に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物及び亜鉛（Ｚｎ）から選ばれる少なくとも１種を含有する硫化防止層を有することを特徴とする透明導電体。
8. 前記硫化防止層が、少なくとも前記金属酸化物として酸化亜鉛（ＺｎＯ）を含有することを特徴とする請求項７に記載の透明導電体。

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