JPWO2015115341A1 - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents

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岳 吉川
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Abstract

構成部材として基板と素子と封止材とを含む半導体発光装置の製造方法であり、基板に素子を設置する第１工程と、硬化前の封止材を、素子を覆うように基板上にポッティングする第２工程と、ポッティングされた封止材を、硬化後の厚みｔ［ｍｍ］の封止材が有する３８０ｎｍ、３１６ｎｍ及び２６０ｎｍの各波長における吸光度をそれぞれＡｂｓＡ（ｔ）、ＡｂｓＢ（ｔ）及びＡｂｓＣ（ｔ）とし、３８０ｎｍにおける光の透過率をＴ（ｔ）とした場合、下記式（１）、（２）及び（３）を全て満たすように硬化させる第３工程とを含む製造方法。（１） Ｔ（１．７）≧９０％（２） ＡｂｓＢ（ｔ）−ＡｂｓＡ（ｔ）＜０．０１１ｔ（３） ＡｂｓＣ（ｔ）−ＡｂｓＡ（ｔ）＜０．１２５ｔ

Description

本発明は、半導体発光装置の製造方法に関する。
半導体発光装置の製造方法としては、例えば、基板上に素子を設置する工程と、硬化前の封止材を、素子を覆うように基板上にポッティングする工程と、ポッティングされた硬化前の封止材を硬化させる工程とからなる素子の封止を含む製造方法が知られている（非特許文献１）。
東レ・ダウコーニング社「エレクトロニクス用シリコーンカタログ」２０１０年１０月発行、インターネット〈ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｄｏｗｃｏｒｎｉｎｇ．ｃｏ．ｊｐ／ｊａ＿ＪＰ／ｃｏｎｔｅｎｔ／ｊａｐａｎ／ｊａｐａｎｐｒｏｄｕｃｔｓ／Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ−Ｓｉｌｉｃｏｎｅ−Ｃａｔａｌｏｇ２０１０．ｐｄｆ〉
しかしながら、従来の製造方法は、封止材が有する紫外光、特にＵＶ−Ｃ（２００−２８０ｎｍ）領域の吸光度が大きく、また、吸収された紫外光により封止材の劣化が生じることから、かかる領域の紫外光を放射する素子を含む半導体発光装置の製造には必ずしも適するものではなかった。
本発明は、以下の〔１〕〜〔７〕記載の発明を含む。
〔１〕構成部材として基板と素子と封止材とを含む半導体発光装置の製造方法であり、
基板に素子を設置する第１工程と、
硬化前の封止材を、素子を覆うように基板上にポッティングする第２工程と、
ポッティングされた封止材を、硬化後の厚みｔ［ｍｍ］の封止材が有する３８０ｎｍ、３１６ｎｍ及び２６０ｎｍの各波長における吸光度をそれぞれＡｂｓＡ（ｔ）、ＡｂｓＢ（ｔ）及びＡｂｓＣ（ｔ）とし、３８０ｎｍにおける光の透過率をＴ（ｔ）とした場合、下記式（１）、（２）及び（３）を全て満たすように硬化させる第３工程と
を含む製造方法；
（１） Ｔ（１．７）≧９０％
（２） ＡｂｓＢ（ｔ）−ＡｂｓＡ（ｔ）＜０．０１１ｔ
（３） ＡｂｓＣ（ｔ）−ＡｂｓＡ（ｔ）＜０．１２５ｔ
〔２〕式（３）が、下記式（３’）である〔１〕記載の製造方法；
（３’） ＡｂｓＣ（ｔ）−ＡｂｓＡ（ｔ）＜０．０９ｔ
〔３〕ｔが、素子の厚み［ｍｍ］を越え、２以下である請求項１又は２記載の製造方法；
〔４〕第２工程で用いられる硬化前の封止材に含まれる原料を赤外分光測定したときの波数１２６９ｃｍ−１、３３００ｃｍ−１、１０１６ｃｍ−１及び１０９０ｃｍ−１における吸光度をそれぞれａ、ｂ、ｃ及びｄとした場合、下記式（４）及び（５）を全て満たす〔１〕〜〔３〕のいずれか一項記載の製造方法；
（４） ０．６＜ｄ／ｃ＜０．８
（５） ０＜ｂ／ａ＜０．４
〔５〕封止材が、重縮合型封止材を含む〔１〕〜〔４〕のいずれか一項記載の製造方法；
〔６〕〔１〕記載の製造方法によって製造された半導体発光装置であり、硬化後の厚みｔ［ｍｍ］の封止材が有する３８０ｎｍ、３１６ｎｍ及び２６０ｎｍの各波長における吸光度をそれぞれＡｂｓＡ（ｔ）、ＡｂｓＢ（ｔ）及びＡｂｓＣ（ｔ）とし、３８０ｎｍにおける光の透過率をＴ（ｔ）とした場合、下記式（１）、（２）及び（３）を全て満たす半導体発光装置；
（１） Ｔ（１．７）≧９０％
（２） ＡｂｓＢ（ｔ）−ＡｂｓＡ（ｔ）＜０．０１１ｔ
（３） ＡｂｓＣ（ｔ）−ＡｂｓＡ（ｔ）＜０．１２５ｔ
〔７〕素子が、ＵＶ−Ｃ（２００−２８０ｎｍ）領域の光を放射する素子である〔６〕記載の半導体発光装置。
本発明の製造方法により、紫外光、特にＵＶ−Ｃ（２００−２８０ｎｍ）領域の光の取出し効率が良く、封止材の劣化が小さい半導体発光装置が得られる。
図１は本発明の製造方法により得られるフリップチップ型かつＣＯＢ型半導体発光装置の模式図である。
図２は本発明の製造方法により得られるフェイスアップ型かつＳＭＤ型半導体発光装置の模式図である。
図３は実施例で厚みｔを変えて硬化物のＡｂｓＢ（ｔ）−ＡｂｓＡ（ｔ）を測定した結果のグラフである。
図４は実施例で厚みｔを変えて硬化物のＡｂｓＣ（ｔ）−ＡｂｓＡ（ｔ）を測定した結果のグラフである。
以下、本発明を詳細に説明する。本発明の製造方法により得られる半導体発光装置は、構成部材として基板と素子と封止材とを含む。
＜基板＞
基板としては、一般的に半導体発光装置の基板として用いられるものであればよく、例えば、ナイロン、エポキシ、ＬＣＰといった樹脂、アルミナ、窒化アルミニウム、ＬＴＣＣ等のセラミックで構成されたものが用いられる。特に紫外光を放射する素子を用いる場合、基板の着色劣化を抑制するためにセラミックが用いられることが多い。形状としては、図１のように素子を平面基板上に設置したもの、図２のように光取出し効率を高めるためにさらにリフレクターを設置したもの等が用いられる。
基板には通常、搭載する素子と電気的に接続するための電極が施されている。
＜素子＞
素子としては、一般的に半導体発光素子として用いられるものであればよく、例えば、一般的にＬＥＤと言われる青色発光ダイオード、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、白色発光ダイオード、紫外線発光ダイオードが挙げられる。これらＬＥＤは、例えば、サファイア、窒化アルミニウム等の上にＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ等のＩＩＩ−Ｖ族半導体をＭＯＣＶＤ法により成長させたものが用いられる。３６０ｎｍ以下の紫外光発光用の素子に含まれる半導体としてはＡｌＧａＮが好ましく用いられる。素子は一つの基板上に一つから複数個設置される。素子の設置はＭＯＣＶＤ成長面を基板側に向けたフリップチップ方式もしくは逆向きであるフェイスアップ方式が用いられる。フリップチップ方式の場合は半田により基板上の電極と電気的に接続される。フェイスアップ方式では金等のワイヤー配線を用いて接続される。紫外ＬＥＤでは光取出しの観点からフリップチップ方式が採用されることが多い。
＜封止材＞
本発明において、封止材は、通常、付加重合型封止材及び重縮合型封止材からなる群から選ばれる少なくとも１種の封止材を含む。付加重合型とは、ヒドロシリル基を炭素間二重結合に付加反応させることにより重合する封止材である。重縮合型とは、ケイ素原子に結合した水酸基と、別のケイ素原子に結合したアルコキシ基または水酸基とを、脱アルコールまたは脱水を伴って重縮合する封止材である。
紫外可視透過率の観点から重縮合型封止材を含むことが好ましい。重縮合型封止材は、比較的結合力の弱い炭素−炭素結合を実質的に含まないため、紫外光による劣化の観点からも好ましい。２種以上の封止材を含む場合、それらを混合して後述する第２工程に用いることができる。例えば、硬化前の１種目の封止材を、素子を覆うように基板上にポッティングする第２工程と、ポッティングされた硬化前の１種目の封止材を硬化させる第３工程と、硬化前の２種目の封止材を、素子を覆った硬化後の１種目の封止材の上にポッティングし、ポッティングされた硬化前の２種目の封止材を硬化させることにより、封止材を積層する工程とを含むよう段階的に用いることもできる。
硬化前の封止材に含まれる原料を赤外分光測定したときの波数１２６９ｃｍ−１、３３００ｃｍ−１、１０１６ｃｍ−１及び１０９０ｃｍ−１における吸光度をそれぞれａ、ｂ、ｃ及びｄとした場合、下記式（４）及び（５）を全て満たすことが好ましい。
（４） ０．６＜ｄ／ｃ＜０．８
（５） ０＜ｂ／ａ＜０．４
ここで、硬化前の封止材に含まれる原料とは、例えば、封止材が２種以上の封止材を含む場合、通常、最も多く含まれる封止材をいい、これが上記式（４）及び（５）を全て満たしていればよいが、用いる封止材が上記式（４）及び（５）を全体として満たしていることが好ましい。
硬化前の封止材は、それぞれ後述する第２工程においてポッティングを容易にするために、溶媒に溶解させて用いることが好ましい。この際、得られる溶液の２５℃における粘度が１０ｍＰａ・ｓから１００００ｍＰａ・ｓになるように調整するとよい。
溶媒としては、用いる硬化前の封止材を、それぞれ溶解し得るものであればよく、例えば、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン溶媒；メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ノルマルプロピルアルコール等のアルコール溶媒；ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、ベンゼン等の炭化水素溶媒；酢酸メチル、酢酸エチル等の酢酸エステル溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル溶媒；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノエチルヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノベンジルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノベンジルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノイソプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノエチルヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、プロピレングリコールモノベンジルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノヘキシルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルヘキシルエーテル、ジプロピレングリコールモノフェニルエーテル、ジプロピレングリコールモノベンジルエーテル等のグリコールエーテル溶媒；エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノイソプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノヘキシルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルヘキシルエーテルアセテート、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、エチレングリコールモノベンジルエーテルアセテート等の、前記記載のグリコールエーテル溶媒に酢酸基を付加させた、グリコールエステル溶媒が挙げられる。
上記封止材の例としては、式（Ｉ）で表されるオルガノポリシロキサン構造を有する樹脂Ａを含む封止材が挙げられる。かかる封止材は、２５℃で固体であることが好ましい。
Figure 2015115341
（式中、Ｒ１はそれぞれ独立してアルキル基を表し、Ｒ２はそれぞれ独立してアルコキシ基、アルケニル基、水素原子、又は水酸基を表し、ｐ１、ｑ１、ａ１、及びｂ１は、［ｐ１＋ｂ１×ｑ１］：［ａ１×ｑ１］＝１：０．２５〜９となる正数を表す。）
さらに式（ＩＩ）で表されるオルガノポリシロキサン構造を有するオリゴマーＢを含み、樹脂ＡとオリゴマーＢの混合比率が、樹脂Ａ：オリゴマーＢ＝１００：０．１〜２０（質量比）であることがより好ましい。樹脂Ａを主成分とすることにより紫外光による劣化を抑制したり、耐熱性を向上させたりする効果がある。
Figure 2015115341
（式中、Ｒ１及びＲ２は、前記式（Ｉ）と同じ意味を表し、ｐ２、ｑ２、ｒ２、ａ２、及びｂ２は、［ａ２×ｑ２］／［（ｐ２＋ｂ２×ｑ２）＋ａ２×ｑ２＋（ｒ２＋ｑ２）］＝０〜０．３となる０以上の数を表す。）
Ｒ１で表されるアルキル基としては、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよく、環状構造を有していてもよいが、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、直鎖状のアルキル基がより好ましい。当該アルキル基の炭素数は限定されないが、１〜１０が好ましく、１〜６がより好ましく、１〜３がさらに好ましく、１が特に好ましい。
Ｒ２はそれぞれ独立してアルコキシ基、アルケニル基、水素原子、又は水酸基を表し、好ましくはアルコキシ基又は水酸基を表す。
Ｒ２がアルコキシ基の場合、当該アルコキシ基としては、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよく、環状構造を有していてもよいが、直鎖状又は分岐鎖状のアルコキシ基が好ましく、直鎖状のアルコキシ基がより好ましい。当該アルコキシ基の炭素数は限定されないが、１〜３が好ましく、１〜２がより好ましく、１が特に好ましい。
Ｒ２がアルケニル基の場合、当該アルケニル基としては、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよく、環状構造を有していてもよいが、直鎖状又は分岐鎖状のアルケニル基が好ましく、直鎖状のアルケニル基がより好ましい。当該アルケニル基の炭素数は限定されないが、２〜４が好ましい。Ｒ１で表されるアルケニル基としては、具体的には、ビニル基（エテニル基）、アリル基（２−プロペニル基）、１−プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基が好ましく、ビニル基がより好ましい。
複数あるＲ１及びＲ２は、それぞれ同種の基であってもよく、互いに異なる基であってもよい。
樹脂Ａとしては、Ｒ１としてメチル基及びエチル基からなる群より選択される１種以上を有しており、かつ、Ｒ２としてメトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、及び水酸基からなる群より選択される１種以上を有しているものが好ましく、Ｒ１としてメチル基及びエチル基からなる群より選択される１種以上を有しており、かつ、Ｒ２としてメトキシ基、エトキシ基、及びイソプロポキシ基からなる群より選択される１種以上と水酸基とを有しているものがより好ましい。
樹脂Ａの重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常、１５００以上８０００以下である。樹脂Ａの重量平均分子量がかかる範囲を満たすと、硬化物の成形性が向上する。樹脂Ａの重量平均分子量は、１５００以上７０００以下が好ましく、２０００以上５０００以下がより好ましい。
樹脂Ａは、例えば、上述した各繰り返し単位に対応し、シロキサン結合を生じ得る官能基を有する有機ケイ素化合物を出発原料として合成することができる。「シロキサン結合を生じ得る官能基」としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を挙げることができる。有機ケイ素化合物としては、例えば、オルガノトリハロシラン、オルガノトリアルコキシランを挙げることができる。樹脂Ａは、これらの出発原料を各繰り返し単位の存在比に対応した比で加水分解縮合法で反応させることにより合成することができる。樹脂Ａは、シリコーンレジン、アルコキシオリゴマー等として工業的に市販されているものを用いることもできる。
オリゴマーＢとしては、Ｒ１としてメチル基及びエチル基からなる群より選択される１種以上を有しており、Ｒ２として、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、及び水酸基からなる群より選択される１種以上を有しているものが好ましく、Ｒ１としてメチル基を有しており、Ｒ２としてメトキシ基または水酸基を有しているものがより好ましい。
オリゴマーＢの重量平均分子量は、通常、１５００未満である。オリゴマーＢの重量平均分子量がかかる範囲を満たすと、硬化物の成形性が向上する。オリゴマーＢの重量平均分子量は、２００以上１５００未満が好ましく、２５０〜１０００がより好ましい。
オリゴマーＢは、例えば、オリゴマーＢを構成する上述した各繰り返し単位に対応し、シロキサン結合を生じ得る官能基を有する有機ケイ素化合物を出発原料として合成することができる。「シロキサン結合を生じ得る官能基」は、上述したものと同じ意味を表す。例えば、有機ケイ素化合物としては、オルガノトリハロシラン、オルガノトリアルコキシランを挙げることができる。オリゴマーＢは、これらの出発原料を各繰り返し単位の存在比に対応した比で加水分解縮合法で反応させることにより合成することができる。
樹脂Ａとの重量平均分子量の違いは、例えば、出発原料を加水分解縮合反応させる際の反応温度、反応系内への出発原料の追加速度等を制御することによっても制御することができる。オリゴマーＢは、シリコーンレジン、アルコキシオリゴマー等として工業的に市販されているものを用いることもできる。
樹脂ＡとオリゴマーＢの重量平均分子量は、市販のＧＰＣ装置を用いて、ポリスチレンを標準に用いて測定することができる。
かかる好ましい重縮合型封止材は、さらに硬化用触媒を含むことが好ましい。硬化用触媒を用いる場合は、樹脂Ａ及びオリゴマーＢとは別の溶液として準備し、使用前にそれらの溶液を混合することが好ましい。
硬化用触媒としては、例えば、塩酸、硫酸、硝酸、燐酸等の無機酸や、蟻酸、酢酸、蓚酸、クエン酸、プロピオン酸、酪酸、乳酸、コハク酸等の有機酸を用いることができる。酸性化合物だけではなく、アルカリ性の化合物を用いることも可能である。具体的には、水酸化アンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム等を用いることもできる。
＜半導体発光装置の製造方法＞
本発明の製造方法は、図１を用いて説明すると、
電極４が設置された基板２に素子３を設置する第１工程と、
硬化前の封止材を、素子を覆うように基板上にポッティングする第２工程と、
ポッティングされた封止材を、硬化後の厚みｔ［ｍｍ］の封止材１が有する３８０ｎｍ、３１６ｎｍ及び２６０ｎｍの各波長における吸光度をそれぞれＡｂｓＡ（ｔ）、ＡｂｓＢ（ｔ）及びＡｂｓＣ（ｔ）とし、３８０ｎｍにおける光の透過率をＴ（ｔ）とした場合、下記式（１）、（２）及び（３）を全て満たすように硬化させる第３工程と
を含む。
（１） Ｔ（１．７）≧９０％
（２） ＡｂｓＢ（ｔ）−ＡｂｓＡ（ｔ）＜０．０１１ｔ
（３） ＡｂｓＣ（ｔ）−ＡｂｓＡ（ｔ）＜０．１２５ｔ
第１工程は、上記基板上に上記素子を、常法により設置する工程である。電極、配線等、半導体発光装置に通常必要となる他の構成を設置してもよい。
第２工程は、基板上に設置された素子を覆うように、硬化前の上記封止材をポッティングする工程である。
ポッティング工程では通常、専用のディスペンサーによって基板上に封止材を供給する。半導体発光装置及び素子は、その装置の使用目的によって様々な形状があるため、供給する封止材の量は、基板、素子等の構造、面積、体積、その他電極、ワイヤー配線等の構造等によっても異なるが、これらの素子、ワイヤー配線等を埋め込み、かつ発光素子上を覆う封止材の厚みは可能な限り薄くできる量であることが好ましく、１ｍｍ以下の厚みにする量であることがより好ましい。特に近年開発が進んでいる発光出力電流１００ｍＡ以上の可視光用パワーＬＥＤ、波長３５０ｎｍ以下の紫外線を発光するＵＶ−ＬＥＤ等においてその傾向が顕著であるため、発光素子上の厚みは薄くすることが有効である。
本発明において、素子の厚みとは基板から素子の上端までの高さを表すが、ワイヤー配線を有する場合は、基板からワイヤー配線までの高さを表すこととする。
第３工程は、第２工程でポッティングした硬化前の封止材を硬化させる工程である。液状でポッティングされた封止材を硬化させることにより、素子が空間を挟むことなく封止されるため、全反射による素子からの光の取出しロスを抑制することができる。
ここで、式（３）は、下記式（３’）であることが好ましい。
（３’） ＡｂｓＣ（ｔ）−ＡｂｓＡ（ｔ）＜０．０９ｔ
また、ｔが素子の厚み以下では封止の効果が無く、厚すぎる場合は光の吸収が大きくなるために光取出し効率が低下し、また厚みが増すほど封止材にクラックが生じやすくなるために、ｔは、素子の厚み［ｍｍ］を超え、２以下であることが好ましい。
下記実施例に記載している透過率測定、赤外分光測定に用いた装置、条件は以下のとおりである。
＜透過率測定＞
装置名 ：島津製作所社製 ＵＶ−３６００
アタッチメント ：積分球 ＩＳＲ−３１００
測定波長 ：２２０〜８００ｎｍ
バックグラウンド測定：大気
測定速度 ：中速
＜赤外分光測定＞
装置名 ：ＶＡＲＩＡＮ社製 ６７０
アタッチメント ：ＧＯＬＤＥＮ ＧＡＴＥ ダイアモンドＡＴＲ
測定波長 ：４０００〜７００ｃｍ−１
バックグラウンド測定：大気
積算回数 ：３２回
実施例１
樹脂Ａとして、前記式（Ｉ）で表されるオルガノポリシロキサン構造を有する樹脂（Ａ−１）（Ｍｗ＝３５００、前記式（Ｉ）中、Ｒ１＝メチル基、Ｒ２＝メトキシ基又は水酸基）と、オリゴマーＢとして、前記式（ＩＩ）で表されるオルガノポリシロキサン構造を有するオリゴマー（Ｂ−１）（Ｍｗ＝４５０、前記式（ＩＩ）中、Ｒ１＝メチル基、Ｒ２＝メトキシ基）とを用いて、樹脂組成物を得た。樹脂（Ａ−１）及びオリゴマー（Ｂ−１）の各繰り返し単位の存在比率を、表１及び２にそれぞれ示す。
Figure 2015115341
Figure 2015115341
 樹脂（Ａ−１）について式（４）及び式（５）の値を求めたところ、
（４）ｄ／ｃ＝０．６３６
（５）ｂ／ａ＝０．１５３
であった。
具体的には、ウォーターバス内に設置したフラスコ内に、前記樹脂（Ａ−１）１３５ｇ及びイソプロピルアルコール７２．７ｇを加え、内温が８５℃になるまで加熱攪拌して前記樹脂（Ａ−１）を溶解させた。次いで、前記オリゴマー（Ｂ−１）１５ｇを加え、１時間以上攪拌して前記オリゴマー（Ｂ−１）を溶解させて混合物を得た。
得られた混合物に、酢酸２−ブトキシエチル４７．２ｇを加えた後、エバポレーターを用いて、温度が８０℃、圧力が４ｋＰａＡの条件で、イソプロピルアルコール濃度が１質量％以下になるまでイソプロピルアルコールを留去し、前記樹脂（Ａ−１）と前記オリゴマー（Ｂ−１）の混合比が９０：１０（重量比）のシリコーン樹脂組成物（α１）を得た。
シリコーン樹脂組成物（α１）１００質量部に対し、リン酸１５重量％を含む硬化用触媒２質量部添加し、充分に攪拌混合してシリコーン樹脂組成物（α１−１）を得た。その後、アルミニウム製カップ内にシリコーン樹脂組成物（α１−１）を約３．８ｇ投入し、オーブンの中で３．７℃／分の速度で室温から１５０℃まで昇温し、１５０℃で５時間放置することで、シリコーン樹脂組成物（α１−１）の硬化物を得た。得られた硬化物の厚みは１．７ｍｍであった。この硬化物のＴ（１．７）＝９２．３％であり、式（１）を満たしていた。
また、アルミカップに入れる樹脂組成物の量を変えることにより０．６ｍｍから２．０ｍｍの硬化物を得てＡｂｓＢ（ｔ）−ＡｂｓＡ（ｔ）及びＡｂｓＣ（ｔ）−ＡｂｓＡ（ｔ）の値を求めた結果を図３及び４に示す。この結果、得られた硬化物は、いずれも式（２）及び式（３）の関係を満たしていた。
厚み１．７ｍｍの硬化物を大気中２００℃、１０００時間暴露した際の透過率の変化を測定したところ、試験前の透過率を１とした場合に、２６０ｎｍから３８０ｎｍの領域において０．９８以上であった。
リフレクター、並びに、正極及び負極の一対の電極を備えた基板上に、２７５ｎｍの光を放出する半導体素子を設置し、そこにシリコーン樹脂組成物（α１−１）をポッティング後、オーブンの中で３．７℃／分の速度で室温から１５０℃まで昇温し、１５０℃で５時間放置することで、シリコーン樹脂組成物（α１−１）の硬化物で封止した半導体素子を作製した。封止材の厚みｔは６００μｍであった。
本発明の製造方法によれば、紫外領域の光の取出し効率が良く、封止材の劣化が小さい半導体発光装置が得られる。
１ 封止材
２ 基板
３ 素子
４ 電極
５ 素子の厚み［ｍｍ］
６ 封止材の厚みｔ［ｍｍ］
７ ワイヤー配線

Claims (7)

  1. 構成部材として基板と素子と封止材とを含む半導体発光装置の製造方法であり、
    基板に素子を設置する第１工程と、
    硬化前の封止材を、素子を覆うように基板上にポッティングする第２工程と、
    ポッティングされた封止材を、硬化後の厚みｔ［ｍｍ］の封止材が有する３８０ｎｍ、３１６ｎｍ及び２６０ｎｍの各波長における吸光度をそれぞれＡｂｓＡ（ｔ）、ＡｂｓＢ（ｔ）及びＡｂｓＣ（ｔ）とし、３８０ｎｍにおける光の透過率をＴ（ｔ）とした場合、下記式（１）、（２）及び（３）を全て満たすように硬化させる第３工程と
    を含む製造方法。
    （１） Ｔ（１．７）≧９０％
    （２） ＡｂｓＢ（ｔ）−ＡｂｓＡ（ｔ）＜０．０１１ｔ
    （３） ＡｂｓＣ（ｔ）−ＡｂｓＡ（ｔ）＜０．１２５ｔ
  2. 式（３）が、下記式（３’）である請求項１記載の製造方法。
    （３’） ＡｂｓＣ（ｔ）−ＡｂｓＡ（ｔ）＜０．０９ｔ
  3. ｔが、素子の厚み［ｍｍ］を越え、２以下である請求項１又は２記載の製造方法。
  4. 第２工程で用いられる硬化前の封止材に含まれる原料を赤外分光測定したときの波数１２６９ｃｍ−１、３３００ｃｍ−１、１０１６ｃｍ−１及び１０９０ｃｍ−１における吸光度をそれぞれａ、ｂ、ｃ及びｄとした場合、下記式（４）及び（５）を全て満たす請求項１〜３のいずれか一項記載の製造方法。
    （４） ０．６＜ｄ／ｃ＜０．８
    （５） ０＜ｂ／ａ＜０．４
  5. 封止材が、重縮合型封止材を含む請求項１〜４のいずれか一項記載の製造方法。
  6. 請求項１記載の製造方法によって製造された半導体発光装置であり、硬化後の厚みｔ［ｍｍ］の封止材が有する３８０ｎｍ、３１６ｎｍ及び２６０ｎｍの各波長における吸光度をそれぞれＡｂｓＡ（ｔ）、ＡｂｓＢ（ｔ）及びＡｂｓＣ（ｔ）とし、３８０ｎｍにおける光の透過率をＴ（ｔ）とした場合、下記式（１）、（２）及び（３）を全て満たす半導体発光装置。
    （１） Ｔ（１．７）≧９０％
    （２） ＡｂｓＢ（ｔ）−ＡｂｓＡ（ｔ）＜０．０１１ｔ
    （３） ＡｂｓＣ（ｔ）−ＡｂｓＡ（ｔ）＜０．１２５ｔ
  7. 素子が、ＵＶ−Ｃ領域の光を放射する素子である請求項６記載の半導体発光装置。
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