JPWO2015097877A1 - 光装置及び光装置の製造方法 - Google Patents
光装置及び光装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2015097877A1 JPWO2015097877A1 JP2015554456A JP2015554456A JPWO2015097877A1 JP WO2015097877 A1 JPWO2015097877 A1 JP WO2015097877A1 JP 2015554456 A JP2015554456 A JP 2015554456A JP 2015554456 A JP2015554456 A JP 2015554456A JP WO2015097877 A1 JPWO2015097877 A1 JP WO2015097877A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- optical device
- layer
- optical
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 125
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 114
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- -1 for example Polymers 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
- H01L31/0468—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising specific means for obtaining partial light transmission through the module, e.g. partially transparent thin film solar modules for windows
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80521—Cathodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/874—Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
- H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
基板(110)は、樹脂で構成されている。光素子(102)は、第1電極(120)、有機層(130)、及び第2電極(140)を有している。第1電極(120)は、有機層(130)と基板(110)の間に位置している。第2電極(140)は、第1電極(120)との間に有機層(130)を挟んでいる。第2電極(140)は、開口(142)を有している。そして、光装置(100)は、さらに乾燥剤(170)を有している。乾燥剤(170)は、開口(142)内、又は第2電極(140)と封止部材(180)の間に配置されている。乾燥剤(170)は、例えば第2電極(140)と封止部材(180)の間に配置されている。
Description
本発明は、光装置及び光装置の製造方法に関する。
近年は、有機EL素子を光素子として利用した光装置の開発が進んでいる。有機EL素子は、発光層や光電変換層などの光機能層に有機層を用いているため、水分などによって劣化する。このため、一般的に、有機EL素子を製造する際、基板にはガラスなどの無機材料が使用され、かつ、封止部材を用いて有機EL素子を封止している。
なお、特許文献1には、無機EL材料を発光層に用いた表示装置において、上側の電極に複数の穴を設けることが記載されている。特許文献1には、上側の電極に穴を設けることによって発光画素の面積が減少し、その結果、素子容量が減少して消費電流が減少する、と記載されている。
有機EL素子の基板として樹脂からなる基板を用いる場合、この基板を介して有機EL素子に水分が届く可能性が出てくる。この場合、有機EL素子の劣化が早くなってしまう。
本発明が解決しようとする課題としては、有機EL素子の基板として樹脂からなる基板を用いる場合において、有機EL素子の劣化を抑制することが一例として挙げられる。
請求項1に記載の発明は、樹脂を有する基板と、
第1電極、第2電極、及び、前記第1電極と前記第2電極の間に位置する有機層を有する光素子と、
前記光素子を封止する封止部材と、
を備え、
前記第1電極は前記基板側に配置され、
前記第2電極は開口を有しており、
前記開口内、又は前記第2電極と前記封止部材の間に配置された乾燥剤を備える光装置である。
第1電極、第2電極、及び、前記第1電極と前記第2電極の間に位置する有機層を有する光素子と、
前記光素子を封止する封止部材と、
を備え、
前記第1電極は前記基板側に配置され、
前記第2電極は開口を有しており、
前記開口内、又は前記第2電極と前記封止部材の間に配置された乾燥剤を備える光装置である。
請求項17に記載の発明は、樹脂を有する基板の上に、第1電極、第2電極、及び、前記第1電極と前記第2電極の間にある有機層を有する光素子を形成する工程と、
前記光素子を封止部材で封止する工程と、
を備え、
前記光素子を形成する工程において、前記第2電極に開口を形成し、
さらに、前記開口内、又は前記第2電極と前記封止部材の間に乾燥剤を配置する工程を備える光装置の製造方法である。
前記光素子を封止部材で封止する工程と、
を備え、
前記光素子を形成する工程において、前記第2電極に開口を形成し、
さらに、前記開口内、又は前記第2電極と前記封止部材の間に乾燥剤を配置する工程を備える光装置の製造方法である。
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
図1は、実施形態に係る光装置100の構成を示す断面図である。本図に示す光装置100は、基板110、光素子102、及び封止部材180を備えている。基板110は、樹脂を有している。光素子102は、第1電極120、有機層130、及び第2電極140を有している。第1電極120は、有機層130と基板110の間に位置している。第2電極140は、第1電極120との間に有機層130を挟んでいる。第2電極140は、開口142を有している。そして、光装置100は、さらに乾燥剤170を有している。乾燥剤170は、開口142内、又は第2電極140と封止部材180の間に配置されている。図1に示す例では、乾燥剤170は、第2電極140と封止部材180の間に配置されている。
光素子102は、例えば発光素子又は光電変換素子である。光素子102が発光素子である場合、光装置100は、例えば表示装置又は照明装置である。光素子102が光電変換素子である場合、光装置100は、例えば光発電装置又は撮像素子である。以下、詳細に説明する。
基板110は、上記したように樹脂、例えばPEN(ポリエチレンナフタレート)又はポリイミド、PES(ポリエーテルサルホン),PC(ポリカーボネート),又は無機材料と有機材料で構成されるコンポジット材料から形成されている。基板110の厚さは、例えば10μm以上500μm以下である。そして基板110を樹脂を用いて形成しているため、光装置100は可撓性を有している。
また、基板110と第1電極120の間(すなわち基板110の一面側)には、無機層160が設けられている。無機層160は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、及び酸窒化シリコン膜の少なくとも一つを有している。無機層160は、水分や酸素が基板110を透過することを抑制するために設けられている(バリア膜)。なお、無機層160は、基板110の反対面側(本図に示す例では、第1電極120とは逆側の面)に設けられていてもよい。
光素子102が発光素子である場合、有機層130は、発光層を有している。有機層130は、例えば、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層をこの順に積層させた構成を有している。正孔輸送層と第1電極120との間には正孔注入層が形成されていてもよい。また、電子輸送層と第2電極140との間には電子注入層が形成されていてもよい。有機層130の少なくとも一つの層(例えば正孔輸送層)は、塗布法によって形成されている。この場合、この層は、例えば、インクジェット法、スリットコート法、印刷法、又はスプレー法で形成される。なお、有機層130の残りの層は、蒸着法によって形成されている。
光装置100が発光装置である場合、第1電極120は、例えば光素子102の陽極及び陰極の一方として機能し、第2電極140は、例えば光素子102の陽極及び陰極の他方として機能する。第1電極120及び第2電極140の一方(本図に示す例では第1電極120)は、光透過性を有する透明電極である。光素子102が発光素子の場合、光素子102が発光した光は、第1電極120及び第2電極140のうち透明電極となっている電極(本図に示す例では第1電極120)を介して外部に出射する。また光素子102が光電変換素子の場合、光は、第1電極120及び第2電極140のうち透明電極となっている電極を介して光素子102に入射する。透明電極の材料は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)やIZO(Indium Zinc Oxide)等の無機材料、またはポリチオフェン誘導体などの導電性高分子を含んでいる。
また、第1電極120及び第2電極140の他方(本図に示す例では第2電極140)は、Al、Mg、Au、Ag、Pt、Sn、Zn、及びInからなる第1群の中から選択される金属、又はこの第1群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。そして、第2電極140には複数の開口142が設けられている。
なお、本図に示す例では、第1電極120が陽極かつ透明電極であり、第2電極140が陰極であり、また金属層を含んでいる。
一方、光素子102が光電変換素子である場合、有機層130は、少なくとも有機電子供与体層と電気受容体層を有している。有機電子供与体層(以下、「p型層」という場合もある)としては、電荷キャリアが正孔であることと、p型半導体特性を示す材料であれば、特に限定されるものではない。電子受容体層(以下、「n型層」という場合もある)を構成する電子供与体としては、電荷キャリアが電子であること、n型半導体特性を示す材料であれば、特に限定されることはない。そして、有機電子供与体層の上に電子受容体層が形成されてもよいし、電子受容体層の上に有機電子供与体層が形成されてもよい。また、電子受容体層と有機電子供与体層の間に、p型材料とn型材料を共に含む層(i型層)を形成してもよい。この層は、p型層とn型層を共に蒸着させた共蒸着層であってもよいし、p型材料とn型材料を混合した材料を塗布した層であってもよい。
また、第1電極120は、有機層130で発生した正孔を効率よく収集するための電極であり、仕事関数の大きい金属、合金、電気伝導性化合物、あるいはこれらの混合物からなる電極材料を用いることが好ましい。このような電極材料としては、通常太陽電池の陽極として用いられるような電極材料を用いればよい。例えばITO(インジウム錫酸化物)、SnO2、AZO、IZO、GZO等の導電性と透明性を兼ね備えた材料がある。
また、第2電極140としては、例えば、Ag、Cu、Au、In、Sn、Al、Znなどの金属層を用いることができる。このように、透明性をもつ材料を選択する必要がないため、第2電極140として用いられる材料の選択の余地が広がる。特にここでは、透明性をもたない電極材料を第2電極140に用いる方が基板110と逆側から入射された光が第2電極140で透過されることがないため、入射した光を有効に使用できる。そして、第2電極140には、開口142が形成されている。
封止部材180は、例えば、金属箔又は金属板(例えばAl箔又はAl板)の縁部の全周を押し下げた形状を有している。そして、縁部は接着材又は粘着材等で基板110に固定されている。なお、封止部材180は、無機材料を用いた基板であってもよいし、樹脂材料を用いた基板に封止層(例えば金属層又は無機層)を形成した基板であってもよい。
封止部材180のうち第2電極140に対向する面には、乾燥剤170が設けられている。乾燥剤170は、例えばシート状であり、接着層を介して封止部材180に固定されている。なお、乾燥剤170は、接着層の中に混入されていてもよい。乾燥剤170は、例えば酸化カルシウム、酸化バリウム、又はゼオライトである。
また、乾燥剤170と第2電極140の間には樹脂層150が設けられている。樹脂層150は、乾燥剤170を有する封止部材180を、第2電極140に固定している層(接着層)である。言い換えると、乾燥剤170は、樹脂層150と封止部材180の間に設けられている。また、樹脂層150は、乾燥剤170が吸湿によって膨張した際に、膨張した乾燥剤170が光素子102に接触する層、又は光素子102を形成する層(例えば第2電極140、有機層130(例えば電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層)、及び第1電極120)に外力が加わって光素子102に損傷が生じることを防止する。このとき、樹脂層150は、乾燥剤170の膨張等による変形に伴って樹脂層150そのものが変形する、緩衝層であってもよい。
図2は、第2電極140の平面図である。上記したように、第2電極140には複数の開口142が形成されている。開口142の幅Wは、150μm以下であるのが、人間が視認できる大きさ以下である点で好ましい。第2電極140に開口142を設けた場合、光素子102のうち開口142と重なる部分において、光素子102の機能(例えば発光強度、又は第2電極140による電荷の収集能力)が低下してしまう。これに対して、光素子102が発光素子の場合、開口142の幅を150μm以下にすると、光素子102のうち開口142と重なる部分において発光強度が低下していることを人が視認しにくくなる。また、光素子102が光電変換素子の場合、開口142と重なる部分に位置する有機層130で生成した電荷は、その周囲に位置する第2電極140に収集されやすくなる。
また、隣り合う開口142の間隔Lは、150μm以下であるのが好ましい。光素子102の劣化の一因として、第2電極140が部分的に酸化することにより、部分的に高抵抗になる。そして、第2電極140が部分的に高抵抗になると、この高抵抗な部分において、光素子102の輝度は低下してしまう(非発光部となる)。これに対して、隣り合う第2電極140の間隔Lを150μm以下にすると、上記した第2電極140の高抵抗な部分の幅が150μmより大きくなることを抑制できる。言い換えれば、所定の開口142から距離150μm以下の領域に他の開口142があることで、第2電極140のうち高抵抗な部分の幅が150μmより大きくなることを抑制できる。よって、光素子102の輝度が部分的に低下しても、この低下した部分を人が視認しにくくなる。
なお、図2に示す例において、開口142の形状は円形である。ただし、開口142の形状は円形に限定されない。例えば図3に示すように、開口142の形状は多角形(例えば矩形)であってもよいし、楕円形であってもよい。さらには、少なくとも一つの開口142は、他の開口142と異なる形状であってもよい。
次に、光装置100の製造方法について説明する。まず、基板110の上に光素子102を形成する。次いで、光素子102を封止部材180で封止する。光素子102を形成する際、第2電極140には開口142が形成される。また、乾燥剤170を配置する工程も備える。以下、詳細に説明する。
まず、基板110を準備する。基板110は、予めシート状に形成されたものであってもよいし、基板110とは異なる支持基板上に樹脂を塗布し、スピンコート等の公知の手法によりシート状に形成されてもよい。そして、基板110の一面に、無機層160を形成する。無機層160は、例えば蒸着法、スパッタリング法、CVD法、又はALD法を用いて形成される。なお、無機層160には、部分的に膜が薄い部分や、ピンホールが形成されることがある。これらが形成されると、この部分から水分等が基板110を透過してしまう。
次いで、基板110上に第1電極120及び有機層130を形成する。第1電極120は、例えばインクジェット法等の塗布法(湿式法)、スパッタリング法、蒸着法などの乾式法により形成される。有機層130は、例えば塗布法又は蒸着法で形成される。有機層130のうち一部の層は、他の層と異なる方法で形成されてもよい。
次いで、第2電極140を形成する。第2電極140は、例えば蒸着法を用いて形成する。この際、例えばマスクを用いることにより、開口142が形成される。
また、封止部材180を準備する。そして、封止部材180のうち光素子102に対向する面に、乾燥剤170を設ける。次いで、乾燥剤170及び封止部材180を、樹脂層150を用いて第2電極140の上に固定する。
本実施形態において、第2電極140には開口142が形成される。このため、水分等が基板110を透過してきても、この水分の少なくとも一部は開口142及び樹脂層150を介して、乾燥剤170に吸収される。従って、基板110として樹脂からなる基板を用いても、光素子102のうち第2電極140よりも基板110側の層に水分等が溜まって光素子102が劣化することを抑制できる。
(実施例1)
本実施例に係る光装置100は、第2電極140の製造方法を除いて、実施形態に示した光装置100と同様である。本実施例において、第2電極140は、マスクを用いた蒸着法による成膜を複数回(例えば2回)行うことにより、形成される。この際、マスクの開口パターンは蒸着法による成膜毎に異なっている。
本実施例に係る光装置100は、第2電極140の製造方法を除いて、実施形態に示した光装置100と同様である。本実施例において、第2電極140は、マスクを用いた蒸着法による成膜を複数回(例えば2回)行うことにより、形成される。この際、マスクの開口パターンは蒸着法による成膜毎に異なっている。
図4(a)は、第1回目の成膜時で用いられる第1マスク200の平面図であり、図4(b)は第2回目の成膜時で用いられる第2マスク202の平面図である。図4(c)は、第2電極140の平面図である。
図4(a),(b)に示すように、第1マスク200及び第2マスク202は、いずれも線状又は点状の開口パターンを有しているが、これらの開口パターンが延在している方向は、互いに異なる(例えば、交差する方向や直交する方向)。これにより、図4(c)に示すように、第2電極140のうち光素子102となる部分は、線状又は点状の複数の第1導電層と、線状又は点状の複数の第2導電層とが交差して形成されている。複数の第1導電層は互いに平行に延在しており、複数の第2導電層は互いに平行に延在している。
なお、第2電極140には、電極取出部141が形成されている。電極取出部141は、第2電極のうち光素子102とはならない部分(すなわち有機層130とは重ならない部分)に形成されており、第2電極140を、基板110上に形成された導電層(例えば配線又は端子)に接続している。電極取出部141は、抵抗を低くするために、開口を有していない。
図5は、図4(c)に示した第2電極140のうち光素子102と重なる部分を拡大して模式的に示した図である。図6は、図5のA−A断面図である。上記したように、第2電極140は、真空蒸着を複数回(例えば2回)行うことにより、形成されている。そして、各真空蒸着において、互いに異なる方向に延在する導電層(第1導電層144及び第2導電層146)が形成される。そして、図6に示すように、第1導電層144と第2導電層146が交差する部分において、第2電極140は、他の部分よりも厚くなっている(厚膜部)。なお、第1導電層144と第2導電層146が重なっている部分において、第1導電層144と第2導電層146の境界は、明確な場合もあれば不明確な場合もある。
以上、本実施形態によっても、第2電極140は開口142を有しているため、基板110として樹脂からなる基板を用いても、光素子102のうち第2電極140よりも基板110側の層に水分等が溜まって光素子102が劣化することを抑制できる。
また、第2電極140を、複数のマスクを用いて形成しているため、細かな開口142を容易に形成することができる。また、マスクの一端から他端にかけて線状の開口を複数並ぶように形成することで、マスクの剛性を確保でき、また比較的小さい開口を複数形成することができる。
(実施例2)
図7は、実施例2に係る光装置100の構成を示す断面図である。本実施例に係る光装置100は、無機層162,164及び平坦化層190を有している点を除いて、実施形態又は実施例1に係る光装置100と同様の構成である。
図7は、実施例2に係る光装置100の構成を示す断面図である。本実施例に係る光装置100は、無機層162,164及び平坦化層190を有している点を除いて、実施形態又は実施例1に係る光装置100と同様の構成である。
まず、基板110の一面には、無機層162が形成されている。そして無機層162は、基板110のうち無機層160とは反対側の面に設けられている。無機層162は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、及び酸窒化シリコン膜の少なくとも一層を有しており、スパッタリング法、CVD法、又はALD法を用いて形成されている。
無機層162と第1電極120の間には、平坦化層190及び無機層164がこの順に形成されている。平坦化層190は、例えば基板110の表面(第1電極120側)を平坦にする。平坦化層190は、例えば、基板110の一面に形成された、凹凸を有する無機層164の表面(第1電極120側)を平坦にするために設けられている。平坦化層190は、例えばエポキシやアクリル等の樹脂をスリットコーティングすることによって、形成されている。無機層164は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、及び酸窒化シリコン膜の少なくとも一層を有しており、スパッタリング法、CVD法、又はALD法を用いて形成されている。
本実施例によっても、第2電極140は開口142を有しているため、基板110として樹脂からなる基板を用いても、光素子102のうち第2電極140よりも基板110側の層に水分等が溜まって光素子102が劣化することを抑制できる。また、平坦化層190を設けているため、光素子102の歩留まりを向上させることができる。さらに、無機層162,164を有しているため、光素子102に水分などが浸入することを抑制できる。
(実施例3)
図8は、実施例3に係る光装置100の構成を示す断面図である。本実施例に係る光装置100は、以下の点を除いて、実施形態又は実施例2に係る光装置100と同様の構成である。本図は、実施例2と同様の場合を示している。
図8は、実施例3に係る光装置100の構成を示す断面図である。本実施例に係る光装置100は、以下の点を除いて、実施形態又は実施例2に係る光装置100と同様の構成である。本図は、実施例2と同様の場合を示している。
まず、第1電極120の上には複数の粒子132が位置している。これら複数の粒子132は、開口142の中に位置している。詳細には、粒子132の径は、有機層130、第2電極140又は有機層130及び第2電極140の厚さの和よりも大きく、例えば100nm以上100μm以下である。そして、粒子132は、第2電極140が形成される前に配置されている。このため、粒子132によって、第2電極140に開口142が形成されている。そして、粒子132は、有機層130を構成する材料によって覆われている。ここで、粒子132を覆っている有機層130の材料は、有機層130を構成する一部の層であってもよい。
粒子132は絶縁性の無機材料であるが、吸湿性のある材料(例えばゼオライト、シリカゲル)であるのが好ましい。この場合、開口142の中に乾燥剤が配置されていることになる。なお、粒子132は、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム、酸化アルミニウム、又は酸化シリコンなどの酸化物(例えば金属酸化物)で形成されていてもよい。
なお、図9に示すように、第2電極140を蒸着法で形成する場合、粒子132の上にも第2電極140が形成される。ただし、粒子132の半径を有機層130の厚さよりも大きくすると、粒子132の表面の下半分(言い換えると有機層130に対向する面)には、第2電極140が付着しない。このため、図9に示すように、第2電極140には、粒子132と重なる領域に開口142が形成される。なお、開口142の中央部は粒子132によって塞がれている。
図10は、粒子132の配置方法の第1例を示す図である。本図に示す例において、有機層130のうち少なくとも一部の層(例えば正孔輸送層)は、塗布法を用いて形成される。そして、この塗布液の中に、粒子132が含まれている。このため、有機層130を塗布法で形成する際に、粒子132は第1電極120の上に配置される。
図11は、粒子132の配置方法の第2例を示す図である。本図に示す例において、粒子132は、有機層130を形成する前に第1電極120の上に配置される。例えば、粒子132を含む塗布液を第1電極120に塗布することにより、粒子132は配置される。
図12は、粒子132の配置方法の第3例を示す図である。本図に示す例において、粒子132は、有機層130を形成した後、第2電極140を形成する前に、有機層130の上に配置される。例えば、粒子132を含む塗布液を有機層130に塗布することにより、粒子132は配置される。
なお、図13に示すように、本実施例において第2電極140は、図4〜図6に示した方法(実施例1)と同様の方法によって形成されてもよい。
本実施例によっても、基板110として樹脂からなる基板を用いても、光素子102のうち第2電極140よりも基板110側の層に水分等が溜まって光素子102が劣化することを抑制できる。また、粒子132として吸湿性の材料を用いた場合、基板110を透過してきた水分は粒子132でも吸収されるため、光素子102が劣化することをさらに抑制できる。
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
Claims (19)
- 樹脂を有する基板と、
第1電極、第2電極、及び、前記第1電極と前記第2電極の間に位置する有機層を有する光素子と、
前記光素子を封止する封止部材と、
を備え、
前記第1電極は前記基板側に配置され、
前記第2電極は開口を有しており、
前記開口内、又は前記第2電極と前記封止部材の間に配置された乾燥剤を備える光装置。 - 請求項1に記載の光装置において、
前記第2電極は前記開口を複数有しており、
前記複数の開口の幅は150μm以下である光装置。 - 請求項2に記載の光装置において、
隣り合う前記開口の間隔は150μm以下である光装置。 - 請求項3に記載の光装置において、
前記基板の一面側に設けられた無機層を備える光装置。 - 請求項4に記載の光装置において、
前記封止部材と前記第2電極の間に形成された樹脂層を備え、
前記乾燥剤は、前記封止部材と前記樹脂層の間に設けられている光装置。 - 請求項5に記載の光装置において、
前記第2電極は、線状又は点状の導電層が交差して形成されている光装置。 - 請求項6に記載の光装置において、
前記第2電極は、前記線状の導電層が交差して形成された厚膜部を有する光装置。 - 請求項5に記載の光装置において、
前記開口内に位置する粒子を備える光装置。 - 請求項8に記載の光装置において、
前記粒子は、前記有機層を形成する有機材料で覆われている光装置。 - 請求項5に記載の光装置において、
前記乾燥剤は、前記開口内に位置する光装置。 - 請求項10に記載の光装置において、
前記第2電極は、線状の導電層が交差して形成されている光装置。 - 請求項11に記載の光装置において、
前記第2電極は、前記線状の導電層が交差して形成された厚膜部を有する光装置。 - 請求項10に記載の光装置において、
前記乾燥剤は粒子である光装置。 - 請求項13に記載の光装置において、
前記粒子は、前記有機層を構成する有機材料で覆われている光装置。 - 請求項1に記載の光装置において、
前記光素子は発光素子である光装置。 - 請求項1に記載の光装置において、
前記光素子は光電変換素子である光装置。 - 樹脂を有する基板の上に、第1電極、第2電極、及び、前記第1電極と前記第2電極の間にある有機層を有する光素子を形成する工程と、
前記光素子を封止部材で封止する工程と、
を備え、
前記光素子を形成する工程において、前記第2電極に開口を形成し、
さらに、前記開口内、又は前記第2電極と前記封止部材の間に乾燥剤を配置する工程を備える光装置の製造方法。 - 請求項17に記載の光装置の製造方法において、
前記光素子を形成する工程において、第1の方向に延在する複数の線状の第1導電層と、前記第1の方向に交わる第2の方向に延在する複数の線状の第2導電層とを重ねることにより、前記第2電極及び前記開口を形成する光装置の製造方法。 - 請求項17に記載の光装置の製造方法において、
前記光素子を形成する工程において、
前記第2電極を形成する前に、前記基板上に粒子を配置する工程を備え、
前記第2電極を形成するときに、前記粒子と重なる部分に前記開口が形成される光装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2013/085152 WO2015097877A1 (ja) | 2013-12-27 | 2013-12-27 | 光装置及び光装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015097877A1 true JPWO2015097877A1 (ja) | 2017-03-23 |
Family
ID=53477807
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015554456A Pending JPWO2015097877A1 (ja) | 2013-12-27 | 2013-12-27 | 光装置及び光装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2015097877A1 (ja) |
WO (1) | WO2015097877A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3364473A4 (en) * | 2015-10-16 | 2019-06-12 | Sumitomo Chemical Company, Limited | ORGANIC PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003092191A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-03-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
US20070013293A1 (en) * | 2005-07-12 | 2007-01-18 | Eastman Kodak Company | OLED device having spacers |
JP2008234921A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 |
JP2009026648A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-02-05 | Pioneer Electronic Corp | 有機elパネル及びその製造方法 |
JP2009037810A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP2011204645A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
JP2012028338A (ja) * | 2011-09-30 | 2012-02-09 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP2013157340A (ja) * | 2010-11-02 | 2013-08-15 | Oji Holdings Corp | 有機発光ダイオードおよびその製造方法、画像表示装置および照明装置 |
-
2013
- 2013-12-27 WO PCT/JP2013/085152 patent/WO2015097877A1/ja active Application Filing
- 2013-12-27 JP JP2015554456A patent/JPWO2015097877A1/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003092191A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-03-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
US20070013293A1 (en) * | 2005-07-12 | 2007-01-18 | Eastman Kodak Company | OLED device having spacers |
JP2008234921A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 |
JP2009026648A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-02-05 | Pioneer Electronic Corp | 有機elパネル及びその製造方法 |
JP2009037810A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP2011204645A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
JP2013157340A (ja) * | 2010-11-02 | 2013-08-15 | Oji Holdings Corp | 有機発光ダイオードおよびその製造方法、画像表示装置および照明装置 |
JP2012028338A (ja) * | 2011-09-30 | 2012-02-09 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2015097877A1 (ja) | 2015-07-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI556485B (zh) | 光電裝置封裝結構及光電裝置陣列 | |
KR101642656B1 (ko) | 유기 반도체 소자 및 유기 반도체 소자의 제조 방법 | |
TWI524515B (zh) | 光電裝置陣列 | |
JPWO2021005434A5 (ja) | 表示装置 | |
JP2007179914A (ja) | El装置及びその製造方法 | |
CN108491749B (zh) | 用作指纹识别装置光源的oled屏体及光学指纹识别装置 | |
WO2015097877A1 (ja) | 光装置及び光装置の製造方法 | |
JP6463354B2 (ja) | 発光装置 | |
US10418419B2 (en) | Radiation-emitting apparatus having an outer optoelectronic device surrounding an inner optoelectronic device and methods for producing the same | |
US10217940B2 (en) | Optoelectronic device | |
JP2015220091A (ja) | 発光装置 | |
JP2018077499A (ja) | 光学装置 | |
WO2016046914A1 (ja) | 発光装置 | |
JP2014203526A (ja) | 接合構造および発光装置 | |
JP2019050433A (ja) | 発光装置 | |
WO2017154207A1 (ja) | 発光装置 | |
JP6496138B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2017162765A (ja) | 発光装置 | |
JP6450124B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6300231B2 (ja) | 有機el素子 | |
JP2019133959A (ja) | 発光装置 | |
JP2016134329A (ja) | 発光装置 | |
JP2014203527A (ja) | 接合構造および発光装置 | |
JP2016085923A (ja) | 発光装置 | |
WO2014162451A1 (ja) | 接合構造および発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170627 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20180109 |