JPWO2015046069A1 - ダイシング−ダイボンディングテープ及び粘接着剤層付き半導体チップの製造方法 - Google Patents

Abstract

粘接着剤層付き半導体チップを得る際に、ダイシング層の剥離起点において剥離がスムーズに行われるダイシング−ダイボンディングテープを提供する。本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープ（１）は、粘接着剤層（３）と、粘接着剤層（３）の一方の表面（３ａ）側に配置されており、かつ粘接着剤層（３）の外周側面よりも側方に張り出している領域を有するダイシング層（５）とを備え、ダイシング時に、ダイシング層（５）の外周部分にダイシングリングが貼り付けられ、ダイシング層（５）が外周部分に、貼り付け開始時にダイシングリングに貼り付けられる貼付起点（５Ｃ）を有し、ダイシング層（５）の貼付起点（５Ｃ）が、ダイシング層（５）の厚み方向に圧縮されている。

Description

本発明は、粘接着剤層付き半導体チップを得るために用いられ、該粘接着剤層付き半導体チップをダイボンディングするために用いられるダイシング−ダイボンディングテープに関する。また、本発明は、上記ダイシング−ダイボンディングテープを用いた粘接着剤層付き半導体チップの製造方法に関する。

従来、半導体ウェーハから半導体チップを切り出して、半導体チップを得るために、ダイシングテープが用いられている。また、半導体チップを基板等にダイボンディングするために、ダイボンディング層である粘接着剤層を有するダイシングテープが用いられている。この粘接着剤層を有するダイシングテープは、ダイシング−ダイボンディングテープと呼ばれている。

下記の特許文献１には、上記ダイシング−ダイボンディングテープの一例が開示されている。特許文献１には、具体的には、剥離基材と、接着層（ダイボンディング層）と、粘着層及び基材フィルム（ダイシング層）とが順次積層されている接着シート（ダイシング−ダイボンディングテープ）が開示されている。上記粘着層の外周縁は、上記剥離基材に貼り付けられている。上記接着層は、上記剥離基材上に部分的に形成されており、所定の第１の平面形状を有する。上記剥離基材には、上記第１の平面形状の周縁に沿って、上記接着層に接する側の面から第１の切り込み部が形成されている。上記剥離基材の第１の切り込み部の破断強度は２５Ｎ以上、１００Ｎ以下である。

下記の特許文献２には、剥離シート上にダイボンド材（ダイボンディング層）が積層されており、該ダイボンド材を被覆するように、剥離シート及びダイボンド材上にダイシングテープ（ダイシング層）が積層されているダイシング・ダイボンド一体型テープ（ダイシング−ダイボンディングテープ）が開示されている。ダイシングテープを剥離シートから容易に剥離するために、ダイシングテープの外周縁には、突出部が設けられている。

特開２０１１−１４４３１３号公報 特開２００５−１１６７９０号公報

特許文献１に記載のダイシング−ダイボンディングテープを用いて接着層付き半導体チップを得る際には、上記剥離基材に設けられた切り込み部から、接着層（ダイボンディング層）と粘着層（ダイシング層の一部）の外周部分と露出させる。特許文献２に記載のダイシング−ダイボンディングテープを用いてダイボンド材付き半導体チップを得る際には、ダイシングテープ（ダイシング層）の突出部を剥離起点として、ダイボンド材（ダイボンディング層）とダイシングテープとを剥離シートから剥離して、ダイボンド材とダイシングテープの外周部分とを露出させる。

このような従来のダイシング−ダイボンディングテープを用いる場合に、次の工程では、露出したダイボンディング層を分割後半導体ウェーハ又は分割前半導体ウェーハに貼り付けて、かつ露出したダイシング層の外周部分をダイシングリングに貼り付ける。次に、分割後半導体ウェーハの表面に保護シートが貼り付けられている場合には、保護シートを剥離する。その後、分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って、ダイボンディング層をダイシングしたり、分割前半導体ウェーハとダイボンディング層とをダイシングしたりする。ダイシングの後に、ダイボンディング層付き半導体チップを剥離することにより、取り出す。取り出されたダイボンディング層付き半導体チップは、ダイボンディング層側から基板上に実装される。

特許文献１，２に記載のダイシング−ダイボンディングテープでは、ダイボンディング層とダイシング層の外周部分とを露出させる際に、剥離起点において剥離がスムーズに行われず、テープが局所的に変形した状態でダイシングリングに貼り付けられることがある。

この場合、ダイシング層をダイシングリングに貼り付けた後に、ダイシング層には、通常、貼り付け時の引張応力を緩和する収縮力が作用し、ダイシング層の収縮力が部分的に異なることがある。このため、分割後半導体ウェーハの切断部分であるダイシングラインが湾曲する（カーフシフトと呼ばれる現象）ことがある。従って、ダイボンディング層を精度良くダイシングすることができなかったり、チップ間が均等に広がらず、ダイボディング層付き半導体チップのピックアップ性が低かったりすることがある。

本発明の目的は、粘接着剤層付き半導体チップを得る際に、ダイシング層の剥離起点において剥離がスムーズに行われるダイシング−ダイボンディングテープ、並びに該ダイシング−ダイボディングテープを用いた粘接着剤層付き半導体チップの製造方法を提供することである。

本発明の広い局面によれば、粘接着剤層と、前記粘接着剤層の一方の表面側に配置されており、かつ前記粘接着剤層の外周側面よりも側方に張り出している領域を有するダイシング層とを備え、ダイシング時に、前記ダイシング層の外周部分にダイシングリングが貼り付けられ、前記ダイシング層が外周部分に、貼り付け開始時にダイシングリングに貼り付けられる貼付起点を有し、前記ダイシング層の前記貼付起点が、前記ダイシング層の厚み方向に圧縮されている、ダイシング−ダイボンディングテープが提供される。

本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのある特定の局面では、前記ダイシング層の前記貼付起点における平均厚みが、前記ダイシング層の前記貼付起点を除く部分における平均厚みよりも薄い。

本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのある特定の局面では、前記ダイシング層の前記貼付起点が、表面に凹部又は凸部を有する。

本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのある特定の局面では、前記凹部又は凸部が、前記ダイシング層の前記貼付起点と前記貼付起点とは反対側の端部とを結ぶ方向に延びている。

本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのある特定の局面では、前記ダイシング層の前記貼付起点がエンボス加工されている。

本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのある特定の局面では、前記ダイシング−ダイボンディングテープは、基材層をさらに備え、前記粘接着剤層と前記ダイシング層との間に、前記基材層が配置されており、前記ダイシング層が、前記基材層の外周側面よりも側方に張り出している領域を有する。

本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのある特定の局面では、前記ダイシング−ダイボンディングテープは、離型層をさらに備え、前記粘接着剤層の前記ダイシング層側とは反対側の表面が、前記離型層に貼り付けられており、前記ダイシング層の前記粘接着剤層の外周側面よりも側方に張り出している領域の表面が、前記離型層に貼り付けられている。

本発明の広い局面によれば、上述したダイシング−ダイボンディングテープと、半導体ウェーハとを用いて、前記ダイシング−ダイボンディングテープの前記粘接着剤層を、前記半導体ウェーハに貼り付ける工程と、前記ダイシング層の前記貼付起点をダイシングリングに貼り付けて、次に前記貼付起点を除く前記ダイシング層の外周部分を前記ダイシングリングに貼り付ける工程と、前記半導体ウェーハと前記粘接着剤層とをダイシングする工程と、ダイシングの後に、前記半導体チップが貼り付けられた前記粘接着剤層の剥離を行い、半導体チップを前記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える、粘接着剤層付き半導体チップの製造方法が提供される。

また、本発明の広い局面によれば、上述したダイシング−ダイボンディングテープと、保護シート及び前記保護シートの一方の表面に積層されており、かつ個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハを有する積層体とを用いて、前記ダイシング−ダイボンディングテープの前記粘接着剤層を、前記積層体の前記分割後半導体ウェーハに貼り付ける工程と、前記ダイシング層の前記貼付起点をダイシングリングに貼り付けて、次に前記貼付起点を除く前記ダイシング層の外周部分を前記ダイシングリングに貼り付ける工程と、前記保護シートを前記分割後半導体ウェーハから剥離する工程と、前記粘接着剤層を、前記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿ってダイシングする工程と、ダイシングの後に、前記半導体チップが貼り付けられた前記粘接着剤層の剥離を行い、半導体チップを前記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える、粘接着剤層付き半導体チップの製造方法が提供される。

本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープの製造方法では、上記ダイシング層が外周部分に、貼り付け開始時にダイシングリングに貼り付けられる貼付起点を有し、上記ダイシング層の上記貼付起点が、上記ダイシング層の厚み方向に圧縮されているので、ダイシング層の上記貼付起点を剥離起点として、剥離がスムーズに行われる。

図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを模式的に示す部分切欠平面図及び部分切欠正面断面図である。 図２（ａ）〜（ｄ）は、粘接着剤層付き半導体チップを製造する際に用いられる積層体を得る各工程の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。 図３（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて、粘接着剤層付き半導体チップを製造する方法の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。 図４（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて、粘接着剤層付き半導体チップを製造する方法の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。 図５（ａ）は、ダイシング−ダイボンディングテープをダイシングリングに貼り付けるときの状態を示す正面断面図であり、図５（ｂ）は、ダイシング−ダイボンディングテープをダイシングリングに貼り付けた後の状態を示す平面図である。 図６（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて、粘接着剤層付き半導体チップを製造する他の方法を説明するための部分切欠正面断面図である。 図７（ａ）及び（ｂ）は、図１に示すダイシング−ダイボンディングテープの変形例を模式的に示す部分切欠平面図及び部分切欠正面断面図である。 図８（ａ）及び（ｂ）は、図１に示すダイシング−ダイボンディングテープの他の変形例を模式的に示す部分切欠平面図及び部分切欠正面断面図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。

（ダイシング−ダイボンディングテープ）
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを模式的に示す図である。図１（ａ）は部分切欠平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿う部分切欠正面断面図である。なお、図１及び後述の図では、図示の便宜上、寸法及び大きさは、実際の寸法及び大きさから適宜変更している。

図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、ダイシング−ダイボンディングテープ１は、長尺状の離型層２を有する。離型層２の上面２ａに、粘接着剤層３と、基材層４と、ダイシング層５とがこの順に積層されている。粘接着剤層３の一方の表面３ａ（第１の表面）側に、ダイシング層５が配置されている。粘接着剤層３とダイシング層５との間に基材層４が配置されている。

粘接着剤層３の一方の表面３ａ（第１の表面）に、基材層４が積層されている。粘接着剤層３の他方の表面３ｂ（第２の表面）に離型層２が積層されている。基材層４の一方の表面４ａ（第１の表面）に粘接着剤層３が積層されている。基材層４の粘接着剤層３側とは反対側の他方の表面４ｂ（第２の表面）に、ダイシング層５が積層されている。

ダイシング層５は、基材５Ａと、粘着部５Ｂとを有する。粘着部５Ｂは、基材５Ａの一方の表面に積層されている。ダイシング層５は、粘着部５Ｂ側から基材層４の表面に積層されている。

ダイシング−ダイボンディングテープ１は、図１（ａ）に示す矢印Ｘで示す方向（流れ方向）に搬送されて、剥離及び貼付工程が行われる。

離型層２は、長尺状である。長尺状の離型層２の上面２ａに、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５を有する複数の積層物が配置されており、該積層物は等間隔に配置されている。該積層物の側方において、離型層２の上面２ａに保護シートが設けられていてもよい。

粘接着剤層３及び基材層４の平面形状は、略円形である。ダイシング層５の平面形状は略円形である。粘接着剤層３の径は、基材層４の径と同じであってもよく、異なってもよい。基材層４の径は、粘接着剤層３の径よりも大きいことが好ましい。基材層４の外周側面は、粘接着剤層３の外周側面よりも外側に張り出していることが好ましく、粘接着剤層３の外周側面よりも側方に貼り出している領域を有することが好ましい。また、基材層４の外周側面は、粘接着剤層により覆われていないことが好ましい。粘接着剤層３と基材層４との大きさがこのような好ましい関係を満足すると、粘接着剤層３に半導体ウェーハを貼り付ける際に、粘接着剤層３の基材層４が積層されている部分に半導体ウェーハを正確に位置合わせできる。また、半導体ウェーハを粘接着剤層３に、より一層確実に貼り付けることができる。

ダイシング層５の径は、粘接着剤層３及び基材層４の径よりも大きい。ダイシング層５の外周側面は、粘接着剤層３及び基材層４の外周側面よりも外側に張り出している。従って、ダイシング層５は、粘接着剤層３及び基材層４の外周側面よりも側方に張り出している領域を有する。ダイシング層５と粘接着剤層３及び基材層４との大きさがこのような好ましい関係を満足することによっても、粘接着剤層３に半導体ウェーハを貼り付ける際に、粘接着剤層３の基材層４が貼り付けられている部分に、半導体ウェーハを正確に位置合わせすることができる。貼り付けの後には、半導体ウェーハが貼り付けられた粘接着剤層３の一方の表面３ａ上に基材層４を確実に配置できる。このため、基材層４からの粘接着剤層３の剥離性を高めることで、ダイシングの後に、粘接着剤層３付き半導体チップを、基材層４から容易に剥離できる。特に、基材層４が非粘着性を有する非粘着層である場合には、粘接着剤層３付き半導体チップを、基材層４からより一層容易に剥離できる。このため、生産ロスを低減でき、歩止まりを向上できる。さらに、ダイシングリングと半導体ウェーハとを異なる層に貼り付けることができるので、粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５とをそれぞれ最適な材料により構成できる。このため、切削性及びピックアップ性と、ダイボンディング後の接合信頼性とを高くすることができる。

ダイシング層５は、粘接着剤層３及び基材層４の外周側面よりも外側に張り出している延長部５ｘを有する。ダイシング層５の延長部５ｘの片面が、粘着部５Ｂにより離型層２の上面に貼り付けられている。すなわち、粘接着剤層３及び基材層４の外周側面よりも外側の領域で、ダイシング層５が離型層２の上面に貼り付けられている。

ダイシング層５が延長部５ｘを有するのは、粘接着剤層３の他方の表面に半導体ウェーハを貼り付ける際に、粘接着剤層３の外周側面よりも外側に位置する延長部５ｘの粘着部５Ｂに、ダイシングリングを貼り付けるためである。

ダイシング−ダイボンディングテープ１では、ダイシング層５は外周部分に、貼り付け開始時にダイシングリングに貼り付けられる貼付起点５Ｃを有する。貼付起点５Ｃは、言い換えれば、剥離起点である。すなわち、ダイシング層５の貼り付けの際に、貼付起点５Ｃから剥離が行われる。貼付起点５Ｃは貼付開始部分であり、剥離開始部分である。貼付起点５Ｃは、ダイシング層５の端部に形成されている。粘接着剤層付き半導体チップを得る際には、貼付起点５Ｃからダイシング層５の外周部分をダイシングリングに貼り付ける。ダイシング層５のダイシングリングに貼り付けられる部分は、粘着性を有する粘着部５Ｂである。

ダイシング層５の貼付起点５Ｃは、ダイシング層５の厚み方向に圧縮されている。このように、ダイシング層５の貼付起点５Ｃが、ダイシング層５の厚み方向に圧縮されていることで、ダイシング層５の貼付起点５Ｃが剥離起点となって、ダイシング層５の剥離がスムーズに行われる。このため、ダイシング層５の貼付起点５Ｃをダイシングリングに貼り付けて、次に貼付起点５Ｃを除くダイシング層５の外周部分をダイシングリングに貼り付けることが容易であり、ダイシング−ダイボンディングテープ１をダイシングリングに局所的な変形を抑制して、貼り付けることができる。このため、ダイシング後のダイシングラインが湾曲し難い。従って、粘接着剤層３付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。

貼付起点５Ｃを形成するために、圧縮成型及びエンボス加工等を行うことができる。貼付起点における剥離性をより一層高める観点からは、ダイシング層の貼付起点はエンボス加工されていることが好ましい。ダイシング層の基材層側とは反対側の表面が、エンボス加工されていることが好ましい。

圧縮成型及びエンボス加工等は、ダイシング層を切り抜いた後に施すことができ、更にダイシング層を切り抜く際に同時に施すこともできる。

上記圧縮により、ダイシング層の貼付起点における平均厚みは、ダイシング層の貼付起点を除く部分における平均厚みよりも薄いことが好ましい。貼付起点における剥離性をより一層高める観点からは、ダイシング層の貼付起点における平均厚みＴ１の、ダイシング層の貼付起点を除く部分における平均厚みＴ２に対する比（Ｔ１／Ｔ２）は、好ましくは０．１以上、より好ましくは３／７以上、好ましくは７／３以下、より好ましくは１以下、更に好ましくは１未満である。上記比（Ｔ１／Ｔ２）は、０．９９以下であってもよく、０．９５以下であってもよい。ダイシング層の貼付起点における厚みＴ１は、圧縮されている部分の平均厚みである。

上記圧縮により、ダイシング層の貼付起点における平均厚みは、ダイシング層の貼付起点に連なる部分の厚みよりも薄いことが好ましい。貼付起点における剥離性をより一層高める観点からは、ダイシング層の貼付起点における平均厚みＴ１の、ダイシング層の貼付起点に連なる部分の厚みＴ３に対する比（Ｔ１／Ｔ３）は、好ましくは０．１以上、より好ましくは３／７以上、好ましくは１未満、より０．９９以下、更に好ましくは０．９５以下である。

貼付起点における剥離性をより一層高める観点からは、ダイシング層の貼付起点が、表面に凹部又は凸部を有することが好ましい。該凹部又は凸部は複数であることが好ましい。ダイシング層の貼付起点が、基材層側とは反対側の表面に、凹部又は凸部を有することが好ましい。貼付起点における剥離性をより一層高める観点からは、凹部又は凸部が、ダイシング層の貼付起点と貼付起点とは反対側の端部とを結ぶ方向（図１（ａ）における左右方向、ＭＤ方向）に延びていることが好ましい。凹部又は凸部が、貼り付け時のダイシングダイボンディングテープの流れ方向に延びていることが好ましい。凹部又は凸部が、ダイシング層の貼付起点と貼付起点とは反対側の端部とを結ぶ方向と直交する方向（図１（ａ）における上下方向、ＴＤ方向）に延びていてもよく、更に他の方向に延びていてもよい。凹部又は凸部は直線状に延びていることが好ましい。貼付起点における剥離性をより一層高める観点からは、ダイシング層５がＭＤ方向とＴＤ方向とを有し、凹部又は凸部が、ＭＤ方向に延びていることが好ましい。凹部又は凸部が、ＴＤ方向に延びていてもよい。

上記離型層は、例えば、離型フィルムである。上記離型層は、上記粘接着剤層の半導体ウェーハが貼り付けられる面を保護し、ロール状の製品形態で提供するために用いられる。

上記離型層の材料としては、プラスチック樹脂が挙げられ、具体的には、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル樹脂や、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン樹脂等が挙げられる。

上記離型層の表面は離型処理されていてもよい。上記離型層は単層であってもよく、複数層であってもよい。上記離型層が複数層である場合には、各層は異なる樹脂により形成されていてもよい。

上記離型層の取扱い性又は剥離性をより一層高める観点からは、上記離型層の厚みは、好ましくは１０μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下である。

上記粘接着剤層は、半導体チップのダイボンディングに用いられる層である。上記粘接着剤層は、半導体チップを基板又は他の半導体チップ等に接合するために用いられる。

上記粘接着剤層は、例えば適宜の硬化性樹脂などの硬化性化合物を含む硬化性樹脂組成物、又は熱可塑性樹脂等により形成される。硬化前の上記硬化性樹脂組成物は柔らかいので、外力により容易に変形する。上記粘接着剤層付き半導体チップを得た後に、得られた粘接着剤層付き半導体チップを上記粘接着剤層側から基板等の被着体に積層する。その後、熱又は光のエネルギーを与えて、上記粘接着剤層を硬化させることにより、上記粘接着剤層を介して、被着体に半導体チップを強固に接合させることができる。

上記硬化性樹脂組成物を硬化させるために、硬化剤が用いられる。該硬化剤としては、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤もしくはジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、及びカチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。硬化速度又は硬化物の物性等を調整するために、上記硬化剤と硬化促進剤とを併用してもよい。

上記粘接着剤層の厚みは特に限定されない。上記粘接着剤層の厚みは、一般的には５μｍ以上、１５０μｍ以下である。半導体装置の設計寸法に応じて、適正な粘接着剤層の厚みが選定される。

上記基材層は、粘着性を有する粘着層であってもよく、非粘着性を有する（粘着性を有さない）非粘着層であってもよい。上記基材層の上記粘接着剤層側の表面は非粘着性を有することが好ましい。上記基材層の上記ダイシング層側の表面は非粘着性を有していてもよい。なお、「非粘着性」とは、表面が粘着性を有さないだけでなく、表面を指で触ったときにくっつかない程度の粘着性を有する場合も含まれることとする。具体的には、「非粘着」とは、上記基材層をステンレス板に貼り付けて、上記基材層を３００ｍｍ／分の剥離速度で剥離したときに、粘着力が０．０５Ｎ／２５ｍｍ幅以下であることを意味する。

上記基材層は、例えば、光重合性化合物を用いて形成されている。具体的には、上記基材層は、光重合性化合物を含む組成物を用いて形成されている。

上記光重合性化合物としては、アクリル系ポリマー、エポキシ変性アクリレート及びウレタン変性アクリレート及びポリエステル変性アクリレート等が挙げられる。上記基材層と上記ダイシング層との界面で剥離をより一層生じ難くし、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性をより一層高める観点からは、上記光重合性化合物は、アクリル系ポリマーであることが好ましい。上記基材層と上記ダイシング層との界面で剥離をより一層生じ難くし、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性をより一層高める観点からは、上記基材層は、上記光重合性化合物として上記アクリル系ポリマーを用いて上記アクリル系ポリマーを架橋させて形成されていることが好ましく、上記基材層の材料は、アクリル系ポリマーを含む組成物を架橋させた架橋体であることが好ましい。この場合には、上記基材層の極性、貯蔵弾性率又は破断伸びを容易に制御及び設計することもできる。

上記アクリル系ポリマーは特に限定されない。上記基材層と上記ダイシング層との界面で剥離をより一層生じ難くし、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性をより一層高める観点からは、上記アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーであることが好ましい。上記基材層と上記ダイシング層との界面で剥離をより一層生じ難くし、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性をより一層高める観点からは、上記アクリル系ポリマーは、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルポリマーであることが好ましい。この（メタ）アクリル酸エステルポリマーは、アルキル基を有し、かつ上記アルキル基の炭素数が１〜１８である（メタ）アクリル酸エステルポリマーである。また、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーの使用により、上記基材層の極性が充分に低くなり、上記基材層の表面エネルギーが低くなり、かつ上記粘接着剤層の上記基材層からの剥離性が高くなる。

上記組成物は、光反応開始剤を含むことが好ましい。上記光反応開始剤として、例えば、光ラジカル発生剤又は光カチオン発生剤等を使用できる。上記組成物には、粘着力を制御するためにイソシアネート系架橋剤を添加してもよい。

上記基材層の厚みは特に限定されない。上記基材層の厚みは、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上、好ましくは８０μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下である。上記基材層の厚みが上記下限以上であると、エクスパンド性がより一層高くなる。上記基材層の厚みが上記上限以下であると、厚みがより一層均一になり、ダイシングの精度がよく一層高くなる。上記基材層の厚みは、３０μｍ以上、５０μｍ以下であることが特に好ましい。上記基材層の厚みが３０μｍ以上、５０μｍ以下であると、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性がより一層良好になる。

上記ダイシング層は、上記基材と、上記粘着部とを有することが好ましい。上記粘着部は粘着剤層であることが好ましい。

上記基材層と上記ダイシング層との剥離力は、上記粘接着剤層と上記基材層との剥離力よりも大きいことが好ましい。このような剥離力を満足するように上記粘着部が構成されていることが好ましい。

上記ダイシング層における上記基材の材料としては、プラスチック樹脂が挙げられ、具体的には、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル樹脂や、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン樹脂や、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。なかでも、エクスパンド性に優れており、環境負荷が小さいため、ポリオレフィン樹脂が好適に用いられる。更に、ダイシング−ダイボンディングテープを設計しやすいため、ポリエチレン樹脂が好適に用いられる。

上記粘着部は特に限定されない。上記粘着部を構成する粘着剤の具体例として、アクリル系粘着剤、特殊合成ゴム系粘着剤、合成樹脂系粘着剤及びゴム系粘着剤等が挙げられる。なかでも、感圧タイプのアクリル系粘着剤が好ましい。感圧タイプのアクリル系粘着剤が用いられた場合、ダイシングリングを上記粘着部からより一層容易に剥離できる。さらに、上記粘着部のコストを低減できる。

上記ダイシング層の厚みは特に限定されない。上記ダイシング層の厚みは、好ましくは５２μｍ以上、より好ましくは８２μｍ以上、好ましくは２５０μｍ以下、より好ましくは２１０μｍ以下である。

上記ダイシング層における上記基材の厚みは特に限定されない。上記ダイシング層における基材の厚みは、好ましくは５０μｍ以上、より好ましくは８０μｍ以上、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１６０μｍ以下である。上記基材の合計の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、半導体ウェーハをより一層精度よくダイシングでき、ピックアップ性をより一層高めることができる。さらに、上記離型層の剥離性及び上記ダイシング層のエクスパンド性がより一層高くなる。

上記粘着部の厚みは特に限定されない。上記粘着部の厚みは、好ましくは２μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下である。上記粘着部の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、上記基材層と上記ダイシング層との剥離力を適度な範囲に制御することが容易になる。

図１に示すダイシング−ダイボンディングテープ１では、１つのダイシング層５に貼付起点５Ｃが１箇所のみ設けられている。貼付起点５Ｃは、長尺状の離型層２の長さ方向の一端側に設けられている。図７（ａ）及び（ｂ）に、ダイシング−ダイボンディングテープの変形例を示す。図１に示すダイシング−ダイボンディングテープ１と図７（ａ）及び（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ５１とは、ダイシング層における貼付起点の個数及び形成位置が異なる。

図７（ａ）及び（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ５１では、１つのダイシング層５２に貼付起点５２Ｃが２箇所設けられている。貼付起点５２Ｃは、長尺状の離型層２の長さ方向の一端側と、該一端側とは反対の他端側とに設けられている。このように、１つのダイシング層に複数の貼付起点が設けられていることが好ましく、少なくとも２つの貼付起点が設けられていることが好ましい。１つのダイシング層に複数の貼付起点が設けられている場合には、ダイシング層の一端側と該一端側とは反対の他端側とに、貼付起点が設けられていることが好ましい。この場合には、ダイシング−ダイボンディングテープの使用時の方向性をなくすことができる。また、例えば、一端側の貼付起点からダイシング層をうまく貼り付けられない場合などに、他端側の貼付起点からダイシング層を貼り付けることが可能である。より具体的には、一端側の貼付起点からダイシング層をうまく貼り付けられない場合などに、長尺状のダイシング−ダイボンディングテープを一旦巻き取った後に、再度巻き出すことにより、他端側の貼付起点からダイシング層を貼り付けることが可能である。

また、図１に示すダイシング−ダイボンディングテープ１では、ダイシング層５は、基材５Ａと粘着部５Ｂとが積層された多層構造を有する。図８（ａ）及び（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ６１のように、単層のダイシング層６２を形成してもよい。この場合には、ダイシング層６２を、粘着性を有する材料により形成することが好ましい。なお、ダイシング層６２は、ダイシング層５の貼付起点５Ｃと同様の貼付起点６２Ｃを有する。

（粘接着剤層付き半導体チップの製造方法）
次に、図１（ａ），（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた場合の粘接着剤層付き半導体チップの製造方法の一例を以下説明する。

先ず、ダイシング−ダイボンディングテープ１と、積層体２１とを有する。

図２（ｄ）に示すように、積層体２１は、保護シート２２と、保護シート２２の一方の表面２２ａ（第１の表面）に積層されている分割後半導体ウェーハ２３とを有する。分割後半導体ウェーハ２３は個々の半導体チップに分割されている。分割後半導体ウェーハ２３の平面形状は略円形である。

積層体２１は、図２（ａ）〜（ｄ）に示す各工程を経て、以下のようにして得ることができる。

先ず、図２（ａ）に示すように、半導体ウェーハ２３Ａを用意する。半導体ウェーハ２３Ａは分割前半導体ウェーハである。半導体ウェーハ２３Ａの平面形状は円形である。半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａには、マトリックス状にストリートによって区画された各領域に、個々の半導体チップを構成するための回路が形成されている。

図２（ｂ）に示すように、用意した半導体ウェーハ２３Ａを表面２３ａ側からダイシングする。ダイシングの後、半導体ウェーハ２３Ａは分断されていない。半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａには、個々の半導体チップに分割するための切り込み２３ｃが形成されている。ダイシングは、例えば、高速回転するブレードを備えるダイシング装置等を用いて行われる。

次に、図２（ｃ）に示すように、半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａに、保護シート２２を貼り付ける。その後、半導体ウェーハ２３Ａの裏面２３ｂを研削し、半導体ウェーハ２３Ａの厚みを薄くする。ここでは、半導体ウェーハ２３Ａの裏面２３ｂは、切り込み２３ｃ部分まで研削している。このようにして、図２（ｄ）に示す積層体２１を得ることができる。

半導体ウェーハ２３Ａの裏面２３ｂは、切り込み２３ｃ部分まで研削することが好ましい。研削は、例えば研削磁石等を備えるグラインダなどの研削機を用いて行われる。研削時には、半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａには保護シート２２が貼り付けられているので、回路に研削屑が付着しない。また、研削後に半導体ウェーハ２３Ａが個々の半導体チップに分割されても、複数の半導体チップがばらばらにならずに保護シート２２に貼り付けられたままである。

積層体２１を得た後、図３（ａ）に示すように、積層体２１を保護シート２２側からステージ２５上に載せる。ステージ２５上には、分割後半導体ウェーハ２３の外周側面から一定間隔を隔てられた位置に、円環状のダイシングリング２６が設けられている。ダイシング−ダイボンディングテープ１の離型層２を剥離しながら、又は離型層２を剥離した後に、露出した粘接着剤層３の他方の表面３ｂを、分割後半導体ウェーハ２３の裏面２３ｂに貼り付ける。また、露出したダイシング層５の延長部５ｘに位置する粘着部５Ｂを、貼付起点５Ｃからダイシングリング２６に貼り付ける。

図５（ａ）にダイシング層５をダイシングリング２６に貼り付ける際の状態を正面断面図で示し、図５（ｂ）にダイシング層５をダイシングリング２６に貼り付けた後の状態を平面図で示す。

図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、ダイシング層５をダイシングリング２６に貼り付ける際には、剥離エッジ３２を用いて、ダイシング層５を貼付起点５Ｃから、離型層２の上面２ａから剥離する。剥離時に、貼付起点５Ｃを突き出す。ダイシング層５の貼付起点５Ｃをダイシングリング２６に貼り付けて、貼付起点５Ｃ上をロール３１で押さえ付ける。そして、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５に皺が生じないように、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５を引き延ばしながら、ダイシング層５の外周部分をダイシングリング２６に貼り付けることが好ましい。この場合には、ダイシングリング２６に貼り付けられたダイシング層５には収縮力が作用する。また、粘接着剤層３及び基材層４にも収縮力が作用する。

上記収縮力が部分的に異なると、例えば、ダイシング層をダイシングリングに貼り付けた後に、又は分割後半導体ウェーハから保護シートを剥離した後に、分割後半導体ウェーハの切断部分すなわちダイシングラインが湾曲しやすい。

これに対して、ダイシング−ダイボンディングテープ１をダイシングリングに局所的な変形を抑制して、貼り付けることで、ダイシング層５をダイシングリング２６に貼り付けた後に、又は粘接着剤層３に貼り付けられた分割後半導体ウェーハ２３から保護シート２２を剥離した後に、分割後半導体ウェーハ２３のダイシングラインが湾曲し難くなる。このため、粘接着剤層３を精度よくダイシングできる。さらに、粘接着剤層３付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。

ダイシング層５をダイシングリング２６に貼り付けた後、図３（ｂ）に示すように、粘接着剤層３が貼り付けられた分割後半導体ウェーハ２３をステージ２５から取り出して、裏返す。このとき、ダイシングリング２６をダイシング層５に貼り付けた状態で取り出す。取り出した分割後半導体ウェーハ２３を表面２３ａが上方になるように裏返して、別のステージ２７上に載せる。

次に、図４（ａ）に示すように、分割後半導体ウェーハ２３の表面２３ａから保護シート２２を剥離する。保護シート２２を剥離する際に、剥離を容易にするために、保護シート２２を加熱してもよい。

次に、図４（ｂ）に示すように、分割後半導体ウェーハ２３の切り込み２３ｃ（切断部分）に沿って、すなわちダイシングラインに沿って粘接着剤層３をダイシングする。粘接着剤層３を、両面を貫通するようにダイシングし、個々の半導体チップの大きさに分割する。ダイシングの後に、粘接着剤層３には切断部分３ｄが形成される。ダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた場合には、分割後半導体ウェーハ２３が貼り付けられている粘接着剤層３部分の下方には、基材層４が位置しているので、ダイシングを精度よく行うことができる。特に基材層４が非粘着性を有する非粘着層である場合には、ダイシングをより一層精度よく行うことができ、更に基材層４がアクリル系ポリマーを含む組成物を架橋させた架橋体により形成されている場合には、ダイシングを更に一層精度よく行うことができる。このため、ダイシングの後に、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。

ダイシングは、粘接着剤層３を貫通するように行われれば特に限定されない。粘接着剤層３をダイシングする方法としては、ダイシングブレードを用いる方法、及びレーザーダイシングする方法等が挙げられる。分割後半導体ウェーハ２３を用いる場合には、一般的には、レーザーダイシングする方法が用いられる。

基材層４が例えば硬化されている場合には、基材層４がレーザー光の照射により反応し難い。このため、基材層４が粘接着剤層３に融着し難い。従って、レーザー光を用いたダイシングを行った場合でも、半導体チップのピックアップを無理なく行うことができる。

半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割した後、ダイシング層５を引き延ばして、分割された個々の半導体チップ間の間隔を拡張する。その後、半導体チップを粘接着剤層３ごと基材層４から剥離して、取り出す。このようにして、粘接着剤層３付き半導体チップを得ることができる。

また、ダイシングの後に、粘接着剤層３と基材層４との間の剥離力を変化させることなく、半導体チップを取り出すことが好ましい。基材層４が非粘着性を有する非粘着層である場合には、ダイシングの後に、上記剥離力を変化させなくても、粘接着剤層３付き半導体チップを無理なく取り出すことができる。

次に、図１（ａ）及び（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた粘接着剤層付き半導体チップの製造方法の他の例を以下説明する。

先ず、上述したダイシング−ダイボンディングテープ１と、半導体ウェーハ４１とを用意する。半導体ウェーハ４１の平面形状は円形である。半導体ウェーハ４１は個々の半導体チップに分割されておらず、分割前半導体ウェーハである。

図６（ａ）に示すように、半導体ウェーハ４１を裏返して、裏返された半導体ウェーハ４１を表面４１ａ側からステージ２５上に載せる。ステージ２５上には、半導体ウェーハ４１の外周側面から一定間隔を隔てられた位置に、円環状のダイシングリング２６が設けられている。ダイシング−ダイボンディングテープ１の離型層２を剥離しながら、又は離型層２を剥離した後に、露出した粘接着剤層３の他方の表面３ｂを、半導体ウェーハ４１の裏面４１ｂに貼り付ける。また、露出したダイシング層５の外周部分を貼付起点５Ｃから、ダイシングリング２６に貼り付ける。

次に、図６（ｂ）に示すように、粘接着剤層３が貼り付けられた半導体ウェーハ４１をステージ２５から取り出して、裏返す。このとき、ダイシングリング２６をダイシング層５の粘着部５Ｂに貼り付けられた状態で取り出す。取り出した半導体ウェーハ４１を表面４１ａが上方になるように裏返して、別のステージ２７上に載せる。次に、半導体ウェーハ４１を粘接着剤層３ごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する。半導体ウェーハ４１及び粘接着剤層３をそれぞれ、両面を貫通するように分断する。ダイシングの後に、半導体ウェーハ４１に切断部分４１ｃが形成され、粘接着剤層３に切断部分３ｄが形成され、かつ基材層４に切り込みが形成される。

次にダイシング層５を引き延ばして、半導体チップを粘接着剤層３ごと基材層４から剥離して、取り出すことにより、粘接着剤層３付き半導体チップを得ることができる。

以下、実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。

（アクリル系ポリマー１）
２−エチルヘキシルアクリレート９５重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部、光ラジカル発生剤であるイルガキュア６５１（チバガイギ社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、カレンズＭＯＩ）３．５重量部を反応させて、アクリル共重合体（アクリル系ポリマー１）を得た。得られたアクリル系ポリマー１の重量平均分子量は７０万であり、酸価は０．８６（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。

また、基材層を形成するための組成物を構成する材料として、以下の化合物を用意した。

（光重合開始剤）
イルガキュア６５１（チバ・ジャパン社製）

（オリゴマー）
Ｕ３２４Ａ：新中村化学工業社製、ウレタンアクリルオリゴマー（１０官能のウレタンアクリルオリゴマー）、重量平均分子量：１，３００

（架橋剤）
コロネートＬ−４５：日本ポリウレタン工業社製、イソシアネート系架橋剤

（ダイシング層）
ポリエチレン（プライムポリマー社製、Ｍ１２）を原料として用いて、Ｔダイ法により、厚み１００μｍのダイシング層であるポリエチレンフィルムを製造した。

（実施例１）
実施例１では、図１（ａ），（ｂ）に示す形状のダイシング−ダイボンディングテープ及びダイシング層を形成した。

上記アクリル系ポリマー１を１００重量部と、イルガキュア６５１を１重量部と、ウレタンアクリルオリゴマーであるＵ３２４Ａを１５重量部と、コロネートＬ−４５を１重量部とを配合し、組成物を得た。得られた組成物を離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に塗工し、１１０℃で５分間乾燥し、溶媒を除去し、組成物層を形成した。

次に、得られた組成物層の全領域に、水銀灯を用いて、２０００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギーとなるように光を照射し、組成物層を硬化させた。このようにして、非粘着性を有する非粘着層である基材層（厚み２０μｍ）を得た。

得られた基材層を用いて、以下の要領で、ダイシング−ダイボンディングテープを作製した。

Ｇ−２０５０Ｍ（日油社製、エポキシ含有アクリルポリマー、重量平均分子量Ｍｗ２０万）１５重量部と、ＥＸＡ−７２００ＨＨ（ＤＩＣ社製、ジシクロペンタジエン型エポキシ化合物）７０重量部と、ＨＰ−４０３２Ｄ（ＤＩＣ社製、ナフタレン型エポキシ化合物）１５重量部と、ＹＨ−３０９（三菱化学社製、酸無水物系硬化剤）３８重量部と、２ＭＡＯＫ−ＰＷ（四国化成工業社製、イミダゾール化合物）８重量部と、Ｓ３２０（チッソ社製、アミノシラン）２重量部と、ＭＴ−１０（トクヤマ社製、表面疎水化ヒュームドシリカ）４重量部とを配合し、配合物を得た。得られた配合物を溶剤であるメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に固形分６０重量％となるように添加し、攪拌し、塗液を得た。

得られた塗液を離型ＰＥＴフィルム上に厚み１０μｍになるように塗工し、１１０℃のオーブン内で２分間加熱乾燥した。このようにして、離型ＰＥＴフィルム上に、粘接着剤層を形成した。その後、粘接着剤層を円形に切り抜いた。

次に、粘接着剤層の離型ＰＥＴフィルム側とは反対側の表面上に、得られた基材層を６０℃でラミネートし、ラミネート体を得た。基材層が粘接着剤層よりも大きく、基材層が粘接着剤層の外周側面よりも側方に張り出している領域を有するように、基材層を円形に切り抜いた。

その後、基材層の粘接着剤層側とは反対側の表面上に、基材と粘着剤層とを有するダイシング層を粘着剤層側から貼り付けた。

その後、図１（ａ），（ｂ）に示す形状となるように、ダイシング層を切り抜いた。ダイシング層を切り抜いた後に、プレス装置を用いて、ダイシング層の端部を厚み方向に圧縮するようにエンボス加工することで、貼付起点を形成した。この結果、ダイシング層の貼付起点における平均厚み（９０μｍ）が、ダイシング層の貼付起点を除く部分の平均厚み（１２０μｍ）及びダイシング層の貼付起点に連なる部分の厚み（１２０μｍ）よりも薄くなった。また、エンボス加工により、ダイシング層の貼付起点が、基材層側の表面に凹凸（複数の凹部と該凹部間に複数の凸部）を有し、該凹凸が、ダイシング層の貼付起点と貼付起点とは反対側の端部とを結ぶ方向（図１（ａ）の左右方向、ＭＤ方向、流れ方向）に直線状に延びていた。

このようにして、離型ＰＥＴフィルム／粘接着剤層／基材層／ダイシング層がこの順で積層された４層の積層構造を有するダイシング−ダイボンディングテープを作製した。

得られたダイシング−ダイボンディングテープでは、ダイシング層が粘接着剤層及び基材層よりも大きく、ダイシング層が、粘接着剤層及び基材層の外周側面よりも側方に張り出している領域を有していた。

（突き出し性評価）
ウェーハマウンターＤＡＭ−８１２Ｍ（タカトリ社製）を用いてダイシング−ダイボンディングテープをウェーハ直径３００ｍｍ（１２ｉｎｃｈ）の半導体ウェーハ（シリコンウェーハ、厚み８０μｍ）及びダイシングリング（外径４００ｍｍ、内径３５０ｍｍ）に貼り付けた。尚、積層体の分割後半導体ウェーハをのせるステージは６０℃に設定し、その際ウェーハマウンターのトルクを１．８５に設定した。

評価は３回行い、このとき、ダイシング層の外周部分を貼付起点からダイシングリングに貼り付ける際の突き出し性を、下記の判定基準で判定した。なお、トルクが小さいほど突き出し性が低下する。

［突き出し性の判定基準］
○：３回ともダイシング層の貼付起点（剥離起点）が充分に突き出て、ダイシング層の貼付起点をダイシングリングに貼り付けることができた
△：ダイシング層の貼付起点（剥離起点）が突き出ることなく、ダイシング層の貼付起点をダイシングリングに貼り付けられないことが１回あった
×：ダイシング層の貼付起点（剥離起点）が突き出ることなく、ダイシング層の貼付起点をダイシングリングに貼り付けられないことが２回以上あった

（実施例２）
ウェーハマウンターのトルクを１．８７に変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを評価した。

（実施例３）
凹凸が、ダイシング層の貼付起点と貼付起点とは反対側の端部とを結ぶ方向と直交する方向（図１（ａ）の上下方向、ＴＤ方向）に直線状に延びるように変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを得て、ダイシング−ダイボンディングテープを評価した。

（実施例４）
ウェーハマウンターのトルクを１．８７に変更したこと以外は実施例３と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを評価した。

（比較例１）
比較例１では、ダイシング層の端部を圧縮しなかったこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを得て、ダイシング−ダイボンディングテープを評価した。

（比較例２）
ウェーハマウンターのトルクを１．８７に変更したこと以外は比較例１と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを評価した。

結果を下記の表１に示す。

１…ダイシング−ダイボンディングテープ
２…離型層
２ａ…上面
３…粘接着剤層
３ａ…一方の表面
３ｂ…他方の表面
３ｃ…外周側面
３ｄ…切断部分
４…基材層
４ａ…一方の表面
４ｂ…他方の表面
５…ダイシング層
５Ａ…基材
５Ｂ…粘着部
５ｘ…延長部
５Ｃ…貼付起点
２１…積層体
２２…保護シート
２２ａ…一方の表面
２３…分割後半導体ウェーハ
２３Ａ…半導体ウェーハ
２３ａ…表面
２３ｂ…裏面
２３ｃ…切り込み
２５…ステージ
２６…ダイシングリング
２７…ステージ
３１…ロール
３２…剥離エッジ
４１…半導体ウェーハ
４１ａ…表面
４１ｂ…裏面
４１ｃ…切断部分
５１…ダイシング−ダイボンディングテープ
５２…ダイシング層
５２Ｃ…貼付起点
６１…ダイシング−ダイボンディングテープ
６２…ダイシング層
６２Ｃ…貼付起点

Claims (9)

1. 粘接着剤層と、
   前記粘接着剤層の一方の表面側に配置されており、かつ前記粘接着剤層の外周側面よりも側方に張り出している領域を有するダイシング層とを備え、
   ダイシング時に、前記ダイシング層の外周部分にダイシングリングが貼り付けられ、
   前記ダイシング層が外周部分に、貼り付け開始時にダイシングリングに貼り付けられる貼付起点を有し、
   前記ダイシング層の前記貼付起点が、前記ダイシング層の厚み方向に圧縮されている、ダイシング−ダイボンディングテープ。
2. 前記ダイシング層の前記貼付起点における平均厚みが、前記ダイシング層の前記貼付起点を除く部分における平均厚みよりも薄い、請求項１に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
3. 前記ダイシング層の前記貼付起点が、表面に凹部又は凸部を有する、請求項１又は２に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
4. 前記凹部又は凸部が、前記ダイシング層の前記貼付起点と前記貼付起点とは反対側の端部とを結ぶ方向に延びている、請求項３に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
5. 前記ダイシング層の前記貼付起点がエンボス加工されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
6. 基材層をさらに備え、
   前記粘接着剤層と前記ダイシング層との間に、前記基材層が配置されており、
   前記ダイシング層が、前記基材層の外周側面よりも側方に張り出している領域を有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
7. 離型層をさらに備え、
   前記粘接着剤層の前記ダイシング層側とは反対側の表面が、前記離型層に貼り付けられており、
   前記ダイシング層の前記粘接着剤層の外周側面よりも側方に張り出している領域の表面が、前記離型層に貼り付けられている、請求項１〜６のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
8. 請求項１〜７のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープと、半導体ウェーハとを用いて、
   前記ダイシング−ダイボンディングテープの前記粘接着剤層を、前記半導体ウェーハに貼り付ける工程と、
   前記ダイシング層の前記貼付起点をダイシングリングに貼り付けて、次に前記貼付起点を除く前記ダイシング層の外周部分を前記ダイシングリングに貼り付ける工程と、
   前記半導体ウェーハと前記粘接着剤層とをダイシングする工程と、
   ダイシングの後に、前記半導体チップが貼り付けられた前記粘接着剤層の剥離を行い、半導体チップを前記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える、粘接着剤層付き半導体チップの製造方法。
9. 請求項１〜７のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープと、保護シート及び前記保護シートの一方の表面に積層されており、かつ個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハを有する積層体とを用いて、
   前記ダイシング−ダイボンディングテープの前記粘接着剤層を、前記積層体の前記分割後半導体ウェーハに貼り付ける工程と、
   前記ダイシング層の前記貼付起点をダイシングリングに貼り付けて、次に前記貼付起点を除く前記ダイシング層の外周部分を前記ダイシングリングに貼り付ける工程と、
   前記保護シートを前記分割後半導体ウェーハから剥離する工程と、
   前記粘接着剤層を、前記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿ってダイシングする工程と、
   ダイシングの後に、前記半導体チップが貼り付けられた前記粘接着剤層の剥離を行い、半導体チップを前記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える、粘接着剤層付き半導体チップの製造方法。

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