JPWO2015022866A1 - 複合液晶組成物、表示素子及び電界検出器 - Google Patents

Abstract

液晶化合物及び重合性化合物を含有し、Δｎが十分に高い複合液晶組成物であって、さらに光安定性が高く、低電圧駆動が可能な液晶デバイスを構成できる複合液晶組成物の提供。液晶化合物としてビフェニール骨格を有する化合物、及び式（Ｉ−ａ）で表される２種以上の化合物を含有し、ビフェニール骨格を有する化合物の含有量が液晶化合物中２０質量％以下であり、式（Ｉ−ａ）で表される化合物でＣ１が１，４−シクロヘキシレン基でありかつｎ１が０でない化合物の含有量が液晶化合物中４５質量％以上であり、重合性化合物として式（ＩＩ−ａ１）及び（ＩＩ−ａ２）で表される化合物から選ばれる１種又は２種以上の化合物並びに（ＩＩ−ｂ）で表される化合物を含有し、液晶化合物の総含有量が６５〜８５質量％であり、重合性化合物の総含有量が１５〜３５質量％である複合液晶組成物。

Description

本発明は、液晶化合物及び重合性化合物を含有する複合液晶組成物、並びに該複合液晶組成物を用いて形成された高分子・液晶複合膜を備えた表示素子及び電界検出器に関する。

高分子分散型液晶表示素子は、偏光板を必要としないため、偏光板を用いたＴＮ、ＳＴＮ、ＩＰＳ又はＶＡモードの液晶表示素子に比べ、明るい表示が実現できるメリットがあり、素子の構成も単純であることから、調光ガラス等の光シャッター用途、時計等セグメント表示用途に応用されている。また、高精細表示を実現するため、アクティブ駆動素子と組み合わせて、プロジェクター用途、反射型ディスプレイ用途等への応用も検討されている。

このような中、高分子分散型液晶表示素子は、携帯電話、携帯ゲーム機、ＰＤＡ等のモバイル機器でアクティブ駆動を用いたものへの適用を考えた場合、屋外での使用が前提となるため、幅広い温度帯域で良好な表示性能を維持することが求められており、このような目的に適した高分子分散型液晶表示素子が提案されている（特許文献１参照）。
また、このような高分子分散型液晶表示素子で低電圧駆動が可能であれば、ここで用いている液晶デバイスは、高感度の電界検出器におけるデバイスの構成要素としても好適である。

特開２００６−３０８８８３号公報

しかし、特許文献１に記載の高分子分散型液晶表示素子で用いている液晶組成物は、液晶化合物と、高分子を形成するための重合性化合物とを含有する複合液晶組成物であり、Δｎ（複屈折率）が必要以上に低くならないように、液晶化合物としてはビフェニール骨格及びターフェニル骨格を有するもの、ビフェニール骨格を有する三環構造（フェニレン骨格を３個有する構造）のもの等の含有量を高めに設定することになる。しかし、この場合には、液晶の駆動電圧が高くなってしまう。そこで、例えば、このような液晶化合物の含有量を多くし過ぎず、さらにΔｎを所定値よりも高くするために、ナフタレン環骨格を有する液晶化合物の含有量を高めに設定する方法がある。しかし、この方法では、液晶組成物の光に対する安定性が低下してしまう。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、液晶化合物及び重合性化合物を含有し、Δｎ（複折率）が十分に高い複合液晶組成物であって、さらに光安定性が高く、低電圧駆動が可能な液晶デバイスを構成できる複合液晶組成物を提供することを課題とする。

本発明者らは、上記課題を解決するため、種々の液晶化合物及び重合性化合物を組み合わせて検討した結果、組成が特定範囲にある液晶化合物及び重合性化合物を組み合わせることで、前記課題を解決できることを見出し、本願発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は、液晶化合物及び重合性化合物を含有する複合液晶組成物であって、
前記液晶化合物として、二環又は三環型のビフェニール骨格を有する化合物と、該ビフェニール骨格を有する化合物以外の下記一般式（Ｉ−ａ）

（式中、Ｒ^１は炭素原子数１〜１０のアルキル基又は炭素原子数２〜１０のアルケニル基を表し、該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよく、
Ｃ^１は１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、ピラン−１，４−ジイル基又はインダン−２，５−ジイル基を表し、該１，４−フェニレン基は非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、塩素原子、メチル基、メトキシ基、エチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を有していてもよく、
Ｃ^２及びＣ^３はそれぞれ独立して、１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基又はインダン−２，５−ジイル基を表し、該１，４−フェニレン基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基及びインダン−２，５−ジイル基は、非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、塩素原子、メチル基、メトキシ基、エチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を有していてもよく、
Ｚ^１及びＺ^２はそれぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、又は−ＯＣＯ−を表し、Ｃ^２及びＣ^３が１，４−フェニレン基である場合のＺ^２は−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、又は−ＯＣＯ−であり、
Ｘ^１は炭素原子数１〜１０のアルキル基又は炭素原子数２〜１０のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメチル基又はイソシアネート基を表し、
ｎ^１は、０、１又は２を表し、ただし、ｎ^１が２の場合、複数個存在するＣ^１及びＺ^１はそれぞれ同じあっても、異なっていてもよい。）で表される２種以上の化合物と、を含有し、
前記ビフェニール骨格を有する化合物の含有量が、前記液晶化合物の総含有量に対して２０質量％以下であり、前記一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物のうち、Ｃ^１が１，４−シクロヘキシレン基でありかつｎ１が０ではない化合物の含有量が、前記液晶化合物の総含有量に対して、４５質量％以上であり、
前記重合性化合物として、下記一般式（ＩＩ−ａ１）及び（ＩＩ−ａ２）

（式中、ｎ^２はそれぞれ独立して３〜１４の整数を表す。）で表される化合物から選ばれる１種又は２種以上の化合物と、下記一般式（ＩＩ−ｂ）

（式中、Ｂ^１は水素原子又はメチル基を表し、
Ｂ^２は単結合又は炭素原子数１〜３のアルキレン基を表し、該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとしてそれぞれ独立して酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていてもよく、該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上の水素原子は、それぞれ独立してフッ素原子で置換されていてもよく、
Ｂ^３及びＢ^４はそれぞれ独立して炭素原子数３〜１１のアルキル基を表し、該アルキル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとしてそれぞれ独立して酸素原子、−ＣＯ−、 −ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていてもよく、該アルキル基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子で置換されていてもよい。）で表される化合物と、を含有し、
前記一般式（ＩＩ−ａ１）及び（ＩＩ−ａ２）で表される化合物から選ばれる１種又は２種以上の化合物：前記一般式（ＩＩ−ｂ）で表される化合物の含有量（質量）の比が７０：３０〜３０：７０であり、
前記液晶化合物の総含有量が６５〜８５質量％であり、前記重合性化合物の総含有量が１５〜３５質量％であることを特徴とする複合液晶組成物を提供する。

また、本発明は、透明基板、透明電極、高分子・液晶複合膜及び透明基板がこの順に設けられ、前記透明電極が接地可能とされ、前記高分子・液晶複合膜が、前記複合液晶組成物を用いて形成されたものであることを特徴とする表示素子を提供する。
また、本発明は、透明基板、透明電極、高分子・液晶複合膜及び透明基板がこの順に設けられ、前記透明電極が接地可能とされ、前記高分子・液晶複合膜が、前記複合液晶組成物を用いて形成されたものである電界検出部を備えたことを特徴とする電界検出器を提供する。

本発明によれば、液晶化合物及び重合性化合物を含有し、Δｎ（複屈折率）が十分に高い複合液晶組成物であって、さらに光安定性が高く、低電圧駆動が可能な液晶デバイスを構成できる複合液晶組成物が提供される。

＜複合液晶組成物＞
本発明に係る複合液晶組成物は、液晶化合物及び重合性化合物を含有し、
前記液晶化合物として、二環又は三環型のビフェニール骨格を有する化合物（以下、単に「ビフェニール骨格を有する化合物」と略記することがある）と、該ビフェニール骨格を有する化合物以外の下記一般式（Ｉ−ａ）

（式中、Ｒ^１は炭素原子数１〜１０のアルキル基又は炭素原子数２〜１０のアルケニル基を表し、該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよく、
Ｃ^１は１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、ピラン−１，４−ジイル基又はインダン−２，５−ジイル基を表し、該１，４−フェニレン基は非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、塩素原子、メチル基、メトキシ基、エチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を有していてもよく、
Ｃ^２及びＣ^３はそれぞれ独立して、１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基又はインダン−２，５−ジイル基を表し、該１，４−フェニレン基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基及びインダン−２，５−ジイル基は、非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、塩素原子、メチル基、メトキシ基、エチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を有していてもよく、
Ｚ^１及びＺ^２はそれぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、又は−ＯＣＯ−を表し、Ｃ^２及びＣ^３が１，４−フェニレン基である場合のＺ^２は−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、又は−ＯＣＯ−であり、
Ｘ^１は炭素原子数１〜１０のアルキル基又は炭素原子数２〜１０のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメチル基又はイソシアネート基を表し、
ｎ^１は、０、１又は２を表し、ただし、ｎ^１が２の場合、複数個存在するＣ^１及びＺ^１はそれぞれ同じあっても、異なっていてもよい。）で表される２種以上の化合物と、を含有し、
前記ビフェニール骨格を有する化合物の含有量が、前記液晶化合物の総含有量に対して２０質量％以下であり、前記一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物のうち、Ｃ^１が１，４−シクロヘキシレン基でありかつｎ１が０ではない化合物の含有量が、前記液晶化合物の総含有量に対して、４５質量％以上であり、
前記重合性化合物として、下記一般式（ＩＩ−ａ１）及び（ＩＩ−ａ２）

（式中、ｎ^２はそれぞれ独立して３〜１４の整数を表す。）で表される化合物から選ばれる１種又は２種以上の化合物と、下記一般式（ＩＩ−ｂ）

（式中、Ｂ^１は水素原子又はメチル基を表し、
Ｂ^２は単結合又は炭素原子数１〜３のアルキレン基を表し、該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとしてそれぞれ独立して酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていてもよく、該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上の水素原子は、それぞれ独立してフッ素原子で置換されていてもよく、
Ｂ^３及びＢ^４はそれぞれ独立して炭素原子数３〜１１のアルキル基を表し、該アルキ基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないもの
としてそれぞれ独立して酸素原子、−ＣＯ−、 −ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていてもよく、該アルキル基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子で置換されていてもよい。）で表される化合物と、を含有し、
前記一般式（ＩＩ−ａ１）及び（ＩＩ−ａ２）で表される化合物から選ばれる１種又は２種以上の化合物：前記一般式（ＩＩ−ｂ）で表される化合物の含有量（質量）の比が７０：３０〜３０：７０であり、
前記液晶化合物の総含有量が６５〜８５質量％であり、前記重合性化合物の総含有量が１５〜３５質量％であることを特徴とする。
本発明に係る複合液晶組成物は、上記のように、液晶化合物及び重合性化合物として、それぞれ特定の組み合わせのものを、特定範囲の量だけ含有することにより、Δｎ（複屈折率）が十分に高いものである。また、光安定性が十分に高く、低電圧駆動が可能な液晶デバイスの構成に特に適したものである。

前記一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物は、幅広い液晶温度範囲を有するのみならず、高い比抵抗値、高い誘電率異方性、高い屈折率異方性、低い粘性を有するものが好ましく、液晶組成物に優れた耐熱性及び耐光性を付与できるものが好ましい。特にアクティブ素子で駆動させるために、前記一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物は、高い比抵抗値、高い複屈折率、低い粘性を有することが好ましい。

一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物は、幅広い液晶温度範囲、低温域でのネマチック安定性及び相溶性を有し、且つ高い複屈折率及び比抵抗値を有する点で、一般式（ＩＶ−ａ）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１１は炭素原子数１〜１０のアルキル基又は炭素原子数２〜１０のアルケニル基を表し、該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよく、
Ｃ^１１は１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基を表し、該１，４−フェニレン基は非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を有していてもよく、
Ｚ^１１は単結合又は−ＣＨ_２ＣＨ_２−を表し、
Ｘ^１１は、炭素原子数１〜１０のアルキル基又は炭素原子数２〜１０のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）、フッ素原子、塩素原子、イソシアネート基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメチル基又は下記一般式（ＩＶ−ｂ）

（式中、Ｃ^１２は１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基を表し、該１，４−フェニレン基は非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を有していてもよく、
Ｘ^１８は、炭素原子数１〜１０のアルキル基又は炭素原子数２〜１０のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）、フッ素原子、塩素原子、イソシアネート基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、又はジフルオロメチル基を表す。）を表し、
Ｘ^１２〜Ｘ^１７はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、メチル基、メトキシ基又はエチル基を表し、
ｎ^１１は０又は１を表す。）

前記複合液晶組成物を備えた素子の駆動電圧と光散乱性との関係は相反しているが、一般式（ＩＶ−ａ）で表される化合物は、特に、ｎ^１１が１の場合は、Ｃ^１が１，４−シクロヘキシレン基であると散乱性が高く、且つ駆動電圧が低くなるので好ましい。また、ｎ^１１が０の場合も好ましい。
さらに、一般式（ＩＶ−ａ）で表される化合物は、複屈折率が０．２〜０．３３であることが好ましく、誘電異方性が正の場合には８〜１４であることが好ましく、誘電異方性が負の場合には−４〜−７であることが好ましい。

一般式（ＩＶ−ａ）においてＲ^１１としては、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜６のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数１〜５のアルコキシ基がより好ましい。
Ｚ^１１としては、単結合が好ましい。
Ｘ^１１としては、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基又はフッ素原子が好ましい。
Ｘ^１２〜Ｘ^１７は、水素原子、フッ素原子又はメチル基が好ましく、Ｘ^１２〜Ｘ^１７の中で１個以上、３個以下がフッ素原子又はメチル基であることがより好ましい。

さらに、一般式（ＩＶ−ａ）で表される化合物は、下記一般式（ＩＶ−ｃ）〜（ＩＶ−ｉ）

（式中、Ｒ^３１、Ｒ^３２及びＲ^３３はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基を表し、
Ｘ^６１〜Ｘ^６９及びＸ^７０はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、又はメチル基を表し、
Ｘ^７１〜Ｘ^７６及びＸ^７１’〜Ｘ^７６ ’はそれぞれ独立して、水素原子、又はフッ素原子を表す。）
で表される化合物が好ましく、これらの中でも、Ｘ^６１〜Ｘ^６６及びＸ^７０がすべて水素原子であるか、あるいはＸ^６１〜Ｘ^６６及びＸ^７０の少なくとも1個以上、３個以下がフッ素原子又はメチル基であるもの、及びＸ^７１〜Ｘ^７６及びＸ^７１’〜Ｘ^７６ ’の少なくとも1個以上、３個以下がフッ素原子であるものがより好ましい。

さらに、一般式（ＩＶ−ａ）で表される化合物は、下記一般式（ＩＶ−ｊ）〜（ＩＶ−ｕ）で表される化合物がより好ましい。

（式中、Ｒ^３５、Ｒ^３６及びＲ^３７はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基を表し、
Ｘ^８１、Ｘ^８４、Ｘ^８５及びＸ^８６はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｘ^８２及びＸ^８３はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子又はメチル基を表すが、式（ＩＶ−ｎ）及び（ＩＶ−ｏ）中のＸ^８２〜Ｘ^８６の少なくとも1個以上、３個以下はフッ素原子又はメチル基であり、
Ｘ^８７及びＸ^８８はそれぞれ独立して、水素原子又はフッ素原子を表す。）

一般式（ＩＶ−ａ）で表される化合物は、高い複屈折率を示すのが特徴であるが、複合液晶組成物に適用すると−Ｃ≡Ｃ−結合基（三重結合基）を有するので、重合時に発生するラジカルをトラップする作用により重合阻害を起こし、重合後に重合性化合物（モノマー）が液晶中に多く残存して経時的に電圧−透過率特性が変化して信頼性低下等を起こす場合がある。そこで、複合液晶膜を有する素子の信頼性を高めるためには、一般式（ＩＶ−ａ）で表される化合物の含有量は、液晶化合物の総含有量に対して４０％質量以下とすることが好ましい。
一般式（ＩＶ−ａ）で表される化合物の含有量を抑えた場合、複合液晶組成物の複屈折率を高くするためには、一般式（ＩＶ−ａ）で表される化合物以外に、複屈折率が高く誘電異方性が高い化合物を併用することが必要になる。

一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物は、前記一般式（ＩＶ−ａ）で表される化合物の場合と同様の理由で、下記一般式（Ｖ−ａ）又は（Ｖ−ｂ）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^２１及びＲ^３１はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜１０のアルキル基又は炭素原子数２〜１０のアルケニル基を表し、該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよく、
Ｃ^２１及びＣ^３１はそれぞれ独立して、１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基を表し、該１，４−フェニレン基は非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を有していてもよく、
Ｙ^２１フェニル基又はシクロヘキシル基を表し、
Ｙ^３１は１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基を表し、
Ｘ^２１及びＸ^３１はそれぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、イソシアネート基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基又はジフルオロメチル基を表し、
Ｘ^２２〜Ｘ^２６及びＸ^３２〜Ｘ^３６はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を表し、
Ｚ^２１及びＺ^３１はそれぞれ独立して、単結合又は−ＣＨ_２ＣＨ_２−を表し、
Ｚ^２２及びＺ^３２はそれぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表し、
ｎ^２１及びｎ^３１は０又は１を表す。）

一般式（Ｖ−ａ）及び（Ｖ−ｂ）で表される化合物は、９〜２２の高い誘電異方性と０．１２〜０．３３の高い複屈折率とが両立していることが特長であるので、一般式（ＩＶ−ａ）の化合物と組み合わせることで、高複屈折率及び高誘電異方性を得るのに有用で好ましいものであり、特に、フッ素原子の数が４以上で誘電異方性が１５以上を示す化合物が好ましい。ただし、一般式（Ｖ−ａ）及び（Ｖ−ｂ）で表される化合物は、結晶性が高く、そのために融点が高い場合があり、その場合には粘性が高くなるので、一般式（Ｖ−ａ）又は（Ｖ−ｂ）で表される化合物の含有量は、液晶化合物の総含有量に対して２５％以下とすることが好ましい。

一般式（Ｖ−ａ）及び（Ｖ−ｂ）において、Ｒ^２１及びＲ^３１としては、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜６のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）が好ましく、該アルケニル基は下記式（Ｖ−ｃ）

（構造式は右端で直接もしくは酸素原子を介して環に連結しているものとする。）で表されるものが好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基がより好ましい。

一般式（Ｖ−ａ）及び（Ｖ−ｂ）において、Ｃ^２１及びＣ^３１としては、１，４−シクロヘキシレン基が好ましい。
Ｚ^２１及びＺ^３１としては、単結合が好ましい。
Ｘ^２１及びＸ^３１としては、フッ素原子又はトリフルオロメトキシ基が好ましく、フッ素原子がより好ましい。

一般式（Ｖ−ｂ）で表される化合物は、ｎ^３１が１の場合は、Ｃ^３１が１，４−シクロヘキシレン基であると、前記複合液晶組成物において、光安定性が良好で、駆動電圧が高くならないので好ましい。また、ｎ^３１が０の場合は、Ｙ^３１がフッ素原子を有する１，４−フェニレン基であり、複屈折率が０．１５以上であり、誘電異方性が１５以上であり、融点が７０℃以下である化合物を用いることで、前記複合液晶組成物において、溶解性が高く、融点が低くなり、高い誘電異方性及び複屈折率の実現に有効なので好ましい。

さらに、一般式（Ｖ−ａ）又は（Ｖ−ｂ）で表される化合物は、下記一般式（Ｖ−１）〜（Ｖ−３３）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^１１は炭素原子数１〜５のアルキル基を表す。）

（式中、Ｒ^１１は炭素原子数１〜５のアルキル基を表す。）

一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物は、前記一般式（ＩＶ−ａ）で表される化合物の場合と同様の理由で、下記一般式（ＶＩ−ａ）又は（ＶＩ−ｂ）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^４１及びＲ^５１はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜１０のアルキル基又は炭素原子数２〜１０のアルケニル基を表し、該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよく、
Ｃ^４１及びＣ^５１はそれぞれ独立して、１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基を表し、該１，４−フェニレン基は非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を有していてもよく、
Ｙ^４１はフェニル基又はシクロヘキシル基を表し、
Ｙ^５１は１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基を表し、
Ｘ^４１及びＸ^５１はそれぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、イソシアネート基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基又はジフルオロメチル基を表し、
Ｘ^４２〜Ｘ^４５及びＸ^５２〜Ｘ^５５はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を表し、
Ｚ^４１及びＺ^５１はそれぞれ独立して、単結合又は−ＣＨ_２ＣＨ_２−を表し、
Ｚ^４２及びＺ^５２はそれぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表し、
ｎ^４１及びｎ^５１は０又は１を表す。）

一般式（ＶＩ−ａ）及び（ＶＩ−ｂ）で表される化合物は、特に、誘電異方性が１７以上で、融点が５０℃以下であるものが有用で、前記複合液晶組成物において、溶解性が高く、融点が低くなり、高い誘電異方性の実現に有効なので好ましい。しかし、一般式（ＶＩ−ａ）及び（ＶＩ−ｂ）で表される化合物は、複屈折率の値が０．１３以下を示すのが多く、複屈折率を下げる作用があるので、一般式（ＶＩ−ａ）又は（ＶＩ−ｂ）で表される化合物の含有量は、液晶化合物の総含有量に対して２５％以下とすることが好ましい。また、このような含有量とすれば、前記複合液晶組成物を用いた複合液晶素子において、高誘電異方性の作用で駆動電圧を下げる効果が得られるので好ましい。

一般式（ＶＩ−ａ）及び（ＶＩ−ｂ）において、Ｒ^４１及びＲ^５１としては、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜６のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）が好ましく、該アルケニル基は式（ＶＩ−ｃ）

（構造式は右端で直接もしくは酸素原子を介して環に連結しているものとする。）で表されるものが好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基がより好ましい。

一般式（ＶＩ−ａ）及び（ＶＩ−ｂ）において、Ｃ^４１及びＣ^５１としては、１，４−シクロヘキシレン基が好ましい。
Ｚ^４１及びＺ^５１としては、単結合が好ましい。
Ｘ^４１及びＸ^５１としては、フッ素原子又はトリフルオロメトキシ基が好ましく、フッ素原子がより好ましい。

さらに、一般式（ＶＩ−ａ）又は（ＶＩ−ｂ）で表される化合物は、下記一般式（ＶＩ−１）〜（ＶＩ−４２）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^１１は炭素原子数１〜５のアルキル基を表す。）

また、複合液晶組成物は、さらなる液晶温度領域の拡大、高誘電率、又は低粘性を得るため、一般式（ＩＶ−ａ）、（Ｖ−ａ）、（Ｖ−ｂ）、（ＶＩ−ａ）及び（ＶＩ−ｂ）で表される化合物に加えて、下記一般式（ＶＩＩＩ−ａ）で表される化合物を含有することも好ましい。

（式中、Ｒ^６１及びＲ^６２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜１０のアルキル基又は炭素原子数２〜１０のアルケニル基を表し、該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよく、
Ｃ^６１、Ｃ^６２及びＣ^６３はそれぞれ独立して１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基を表し、該１，４−フェニレン基は非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を有していてもよく、
Ｚ^６１及びＺ^６２はそれぞれ独立して、単結合又は−ＣＨ_２ＣＨ_２−を表し、
ｎ^６１は、０、１又は２を表す。ただし、ｎ^６１が２の場合、複数個存在するＣ^６１及びＺ^６１はそれぞれ同じあっても、異なっていてもよい。）

一般式（ＶＩＩＩ−ａ）において、Ｒ^６１及びＲ^６２としては、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜６のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）が好ましく、該アルケニル基は前記式（Ｖ−ｃ)で表されるものが好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又はアルコキシ基がより好ましい。

また、特に低粘性を得たい場合には、ｎ^６１が０であり、Ｃ^６２及びＣ^６３が１，４−シクロへキシレン基であり、Ｚ^６２が単結合であることが好ましい。
また、特に液晶温度範囲を拡大したい場合には、ｎ^６１が０又は１であり、Ｃ^６１及びＣ^６２が１，４−シクロへキシレン基であり、Ｃ^６３が１，４−フェニレン基（該１，４−フェニレン基は非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、メチル基を有していてもよい。）であり、Ｚ^６１が単結合又は−ＣＨ_２ＣＨ_２−であり、Ｚ^６２が単結合であることが好ましい。
また、特に高屈折率を得たい場合には、ｎ^６１が１であり、Ｃ^６１が１，４−シクロへキシレン基、又は１，４−フェニレン基（該１，４−フェニレン基は非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、メチル基を有していてもよい。）であり、Ｃ^６２及びＣ^６３が１，４−フェニレン基（該１，４−フェニレン基は非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子又はメチル基を有していてもよい。）であることが好ましい。

さらに、一般式（ＶＩＩＩ−ａ）で表される化合物は、下記一般式（ＬＣ６−ａ）〜（ＬＣ６−ｍ）

（式中、Ｒ^ＬＣ６１及びＲ^ＬＣ６２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基又は炭素原子数２〜７のアルケニルオキシ基を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物であるのがより好ましい。

また、複合液晶組成物は、さらなる液晶温度領域の拡大、高複屈折率、又は低粘性を得るため、一般式（ＩＶ−ａ）、（Ｖ−ａ）、（Ｖ−ｂ）、（ＶＩ−ａ）及び（ＶＩ−ｂ）で表される化合物に加えて、下記一般式（ＩＸ−ａ）で表される化合物を含有することも好ましい。

（式中、Ｒ^７１は炭素原子数１〜１０のアルキル基又は炭素原子数２〜１０のアルケニル基を表し、該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよく、
Ｃ^７１、Ｃ^７２及びＣ^７３はそれぞれ独立して１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基又はインダン−２，５−ジイル基を表し、該１，４−フェニレン基、インダン−２，５−ジイル基は非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を有していてもよく、
Ｚ^７１及びＺ^７２はそれぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表し、
Ｘ^７１はフッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメチル基又はイソシアネート基を表し、
ｎ^７１は、０、１又は２を表す。ただし、ｎ^７１が２の場合、複数個存在するＣ^７１及びＺ^７１はそれぞれ同じあっても、異なっていてもよい。）

一般式（ＩＸ−ａ）において、Ｒ^７１としては、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜６のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）が好ましく、該アルケニル基は前記式（Ｖ−ｃ）で表されるものが好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数１〜５のアルコキシ基がより好ましい。
Ｘ^７１としては、フッ素原子又はトリフルオロメトキシ基が好ましく、フッ素原子がより好ましい。

また、特に高誘電率を得たい場合には、ｎ^７１が０又は１であり、Ｃ^７１が１，４−シクロへキシレン基であり、Ｃ^７２が１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基（該１，４−フェニレン基は非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、メチル基を有していてもよい。）であり、Ｃ^７３が２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン基又は３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基であり、Ｚ^７１及びＺ^７２が単結合であることが好ましい。

また、特に液晶温度範囲を拡大したい場合には、ｎ^７１が２であり、Ｃ^７１が１，４−シクロへキシレン基であり、Ｃ^７２が１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基であり、Ｃ^７３が２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン基又は３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基であり、Ｚ^７１及びＺ^７２が単結合又は−ＣＨ_２ＣＨ_２−であることが好ましい。

さらに、一般式（ＩＸ−ａ）で表される化合物は、下記一般式（ＬＣ１−ａ）〜（ＬＣ１−ｃ）

(式中、Ｒ^ＬＣ１１、Ｙ^ＬＣ１１、Ｘ^ＬＣ１１及びＸ^ＬＣ１２はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ１）におけるＲ^ＬＣ１１、Ｙ^ＬＣ１１、Ｘ^ＬＣ１１及びＸ^ＬＣ１２と同じ意味を表し、Ａ^{ＬＣ１ａ１}、Ａ^{ＬＣ１ａ２}及びＡ^{ＬＣ１ｂ１}は、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を表し、Ｘ^{ＬＣ１ｂ１}、Ｘ^{ＬＣ１ｂ２}、Ｘ^{ＬＣ１ｃ１}〜Ｘ^{ＬＣ１ｃ４}はそれぞれ独立して水素原子、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ_３又はＯＣＦ_３を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物であることが好ましい。
Ｒ^ＬＣ１１はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基がより好ましい。
Ｘ^ＬＣ１１〜Ｘ^{ＬＣ１ｃ４}はそれぞれ独立して水素原子又はＦが好ましい。
Ｙ^ＬＣ１１はそれぞれ独立してＦ、ＣＦ_３又はＯＣＦ_３が好ましい。
また、一般式（ＬＣ１）は、下記一般式（ＬＣ１−ｄ）から一般式（ＬＣ１−ｍ）

(式中、Ｒ^ＬＣ１１、Ｙ^ＬＣ１１、Ｘ^ＬＣ１１及びＸ^ＬＣ１２はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ１）におけるＲ^ＬＣ１１、Ｙ^ＬＣ１１、Ｘ^ＬＣ１１及びＸ^ＬＣ１２と同じ意味を表し、Ａ^{ＬＣ１ｄ１}、Ａ^{ＬＣ１ｆ１}、Ａ^{ＬＣ１ｇ１}、Ａ^{ＬＣ１ｊ１}、Ａ^{ＬＣ１ｋ１}、Ａ^{ＬＣ１ｋ２}、Ａ^{ＬＣ１ｍ１}〜Ａ^{ＬＣ１ｍ３}は、１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を表し、Ｘ^{ＬＣ１ｄ１}、Ｘ^{ＬＣ１ｄ２}、Ｘ^{ＬＣ１ｆ１}、Ｘ^{ＬＣ１ｆ２}、Ｘ^{ＬＣ１ｇ１}、Ｘ^{ＬＣ１ｇ２}、Ｘ^{ＬＣ１ｈ１}、Ｘ^{ＬＣ１ｈ２}、Ｘ^{ＬＣ１ｉ１}、Ｘ^{ＬＣ１ｉ２}、Ｘ^{ＬＣ１ｊ１}〜Ｘ^{ＬＣ１ｊ４}、Ｘ^{ＬＣ１ｋ１}、Ｘ^{ＬＣ１ｋ２}、Ｘ^{ＬＣ１ｍ１}及びＸ^{ＬＣ１ｍ２}はそれぞれ独立して水素原子、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ_３又はＯＣＦ_３を表し、Ｚ^{ＬＣ１ｄ１}、Ｚ^{ＬＣ１ｅ１}、Ｚ^{ＬＣ１ｊ１}、Ｚ^{ＬＣ１ｋ１}、Ｚ^{ＬＣ１ｍ１}はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物で
あるのが好ましい。 Ｒ^ＬＣ１１はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基がより好ましい。
Ｘ^ＬＣ１１〜Ｘ^{ＬＣ１ｍ２}はそれぞれ独立して水素原子又はＦが好ましい。
Ｙ^ＬＣ１１はそれぞれ独立してＦ、ＣＦ_３又はＯＣＦ_３が好ましい。
Ｚ^{ＬＣ１ｄ１}〜Ｚ^{ＬＣ１ｍ１}はそれぞれ独立して−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−が好ましい。

これらの液晶化合物を含有する複合液晶組成物は、不純物等を除去する、又は比抵抗値をさらに高くする目的で、シリカ、アルミナ等による精製処理を施してもよい。そして、比抵抗値は１０^１２Ω・ｃｍ以上であることが好ましく、１０^１３Ω・ｃｍ以上であることがより好ましい。
さらに、複合液晶組成物には、目的に応じてキラル化合物、二色性色素、染料等のドーパントを添加することもできる。

複合液晶組成物が含有する一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物は、２種以上であり、このように複数種を併用することで、本発明は十分にその効果を発現するものとなる。

複合液晶組成物は、前記一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物のうち、Ｃ^１が１，４−シクロヘキシレン基でありかつｎ１が０ではない化合物の含有量が、前記液晶化合物の総含有量に対して、４５質量％以上であり、８０質量％以下であることが好ましい。このように、Ｃ^１が１，４−シクロヘキシレン基である化合物の含有量を特定の範囲とすることで、複合液晶組成物は、少なくともΔｎ（複屈折率）が０．１６以上で十分に高いものとなり、誘電異方性も６以上になり、さらに、複合液晶素子において光安定性が高く、光散乱が強く、且つ低電圧駆動が可能な液晶デバイスの構成に適したものとなる。

前記二環又は三環型のビフェニール（ビフェニル）骨格を有する化合物は、フェニレン基（該フェニレン基は非置換であるか又は１個もしくは２個以上の置換基を有していてもよい。）が２個又は３個連結した構造を有する化合物であればよく、この条件を満たせば、先に説明した一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物に該当するものでもよい。ここで、前記置換基で好ましいものとしては、フッ素原子、塩素原子、メチル基、メトキシ基、エチル基、トリフルオロメチル基及びトリフルオロメトキシ基が挙げられる。

前記ビフェニール骨格を有する化合物で、一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物に該当するものとしては、例えば、一般式（Ｉ−ａ）において、−Ｃ^１−Ｚ^１−Ｃ^１−、−Ｃ^１−Ｚ^１−Ｃ^２−、及び−Ｃ^２−Ｚ^２−Ｃ^３−の１個又は２個以上がビフェニール骨格（ビフェニール基、あるいは置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、塩素原子、メチル基、メトキシ基、エチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を有するビフェニール基）であるものが挙げられる。ただし、−Ｃ^１−Ｚ^１−Ｃ^１−、又は−Ｃ^１−Ｚ^１−Ｃ^２−がビフェニール骨格である場合、ｎ^１は１又は２である。これらの含有量は、前記液晶化合物の総含有量に対して０〜２０％であることが好ましい。

さらに、前記ビフェニール骨格を有する化合物で、一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物に該当する好ましいものとしては、例えば、前記一般式（ＩＶ−ａ）で表される化合物のうち、
ｎ^１１が１であり、Ｃ^１１が１，４−シクロへキシレン基であり、Ｚ^１１が単結合であるもの、
Ｘ^１１が一般式（ＩＶ−ｂ）で表される基であり、Ｃ^１２が１，４−フェニレン基（該１，４−フェニレン基は、置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を有していてもよい。）であるもの、がそれぞれ挙げられる。

また、前記ビフェニール骨格を有する化合物で、一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物に該当する好ましいものとしては、前記一般式（Ｖ−ｂ）で表される化合物のうち、ｎ^３１が１であり、Ｃ^３１が１，４−シクロへキシレン基であり、Ｚ^３１が単結合であり、Ｙ^３１が１，４−フェニレン基（該１，４−フェニレン基は、置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を有していてもよい。）であるものが挙げられる。

また、前記ビフェニール骨格を有する化合物で、一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物に該当する好ましいものとしては、前記一般式（ＶＩ−ｂ）で表される化合物のうち、ｎ^５１が０であり、Ｙ^５１が１，４−フェニレン基（該１，４−フェニレン基は、置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を有していてもよい。）であり、Ｚ^５２が単結合であるものが挙げられる。

また、前記ビフェニール骨格を有する化合物で、一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物に該当する好ましいものとしては、前記一般式（ＶＩＩＩ−ａ）で表される化合物のうち、ｎ^６１が１又は２であり、−Ｃ^６１−Ｚ^６１−Ｃ^６１−、−Ｃ^６１−Ｚ^６１−Ｃ^６２−、及び−Ｃ^６２−Ｚ^６２−Ｃ^６３−の１個又は２個以上が１，４−シクロへキシレン基であり、１，４−シクロへキシレン基が１個の場合は、残りのものがビフェニール骨格（ビフェニール基、あるいは置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を有するビフェニール基）であるものが挙げられる。ただし、−Ｃ^６２−Ｚ^６２−Ｃ^６２−がビフェニール骨格である場合、このような一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物の含有量は、前記液晶化合物の総含有量に対して０〜２０％であることが好ましい。また、−Ｃ^６１−Ｚ^６１−Ｃ^６２−Ｚ^６２−Ｃ^６３−がターフェニル骨格である場合、このような一般式（ＶＩＩＩ−ａ）で表される化合物の含有量は、前記液晶化合物の総含有量に対して０〜１０％であることが好ましい。

また、前記ビフェニール骨格を有する化合物で、一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物に該当する好ましいものとしては、前記一般式（ＩＸ−ａ）で表される化合物のうち、ｎ^７１が１又は２である場合は、−Ｃ^７１−Ｚ^７１−Ｃ^７１−、−Ｃ^７１−Ｚ^７１−Ｃ^７２−、及び−Ｃ^７２−Ｚ^７２−Ｃ^７３−の１個又は２個以上が１，４−シクロへキシレン基であり、１，４−シクロへキシレン基が１個の場合は、残りのものがビフェニール骨格（ビフェニール基、あるいは置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を有するビフェニール基）であるものが挙げられる。−Ｃ^７１−Ｚ^７１−Ｃ^７２−Ｚ^７２−Ｃ^７３−がターフェニル骨格である場合、このような一般式（ＩＸ−ａ）で表される化合物の含有量は、前記液晶化合物の総含有量に対して０〜１０％であることが好ましい。

前記複合液晶組成物は、前記ビフェニール骨格を有する化合物の含有量が、前記液晶化合物の総含有量に対して２０質量％以下であり、０質量％であってもよい。このように、液晶分子との相互作用（アンカーリング力）を下げる観点からビフェニール骨格を有する化合物の含有量を特定の範囲とすることで、複合液晶組成物は、Δｎ（複屈折率）が十分に高いものとなり、粘性を下げ、さらに、光安定性が高く、低電圧駆動が可能な液晶デバイスの構成に適したものとなる。

複合液晶組成物は、前記ビフェニール骨格を有する化合物及び一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物以外のその他の液晶化合物を含有していてもよいが、液晶化合物の総含有量に対する、前記その他の液晶化合物の含有量の比率は、３０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以下であることがより好ましく、１５質量％以下であることがさらに好ましく、０質量％であってもよい。

複合液晶組成物は、前記液晶化合物（前記ビフェニール骨格を有する化合物、一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物、及びその他の液晶化合物）の総含有量が６５〜８５質量％であり、７２〜８２質量％であることが好ましい。このように、液晶化合物の総含有量を特定の範囲とすることで、複合液晶組成物は、Δｎ（複屈折率）が十分に高いものとなり、さらに、光安定性が高く、低電圧駆動が可能な液晶デバイスの構成に適したものとなる。

重合性化合物である、前記一般式（ＩＩ−ａ１）及び（ＩＩ−ａ２）で表される化合物は、二官能性アクリレートであり、前記複合液晶組成物が含有する一般式（ＩＩ−ａ１）及び（ＩＩ−ｂ）で表される化合物は、それぞれ１種のみでもよいし、２種以上でもよい。

一般式（ＩＩ−ａ１）及び（ＩＩ−ａ２）中、ｎ^２はそれぞれ独立して３〜１４であり、一般式（ＩＩ−ａ１）又は（ＩＩ−ａ２）で表される化合物を２種以上（複数種）併用する場合には、ｎ^２の平均値は６〜８であることが好ましく、７であることが特に好ましい。このように一般式（ＩＩ−ａ１）及び（ＩＩ−ａ２）で表される化合物を用いることは、重合速度や液晶との相溶性、液晶分子との相互作用（アンカーリング力）の観点から好ましい。ｎの値が異なる化合物を同時に使用することも好ましい。

一般式（ＩＩ−ａ１）で表される化合物としては、下記式（ＩＩ−ａ１−１）〜（ＩＩ−ａ１−１２）で表される化合物が挙げられる。

一般式（ＩＩ−ａ２）で表される化合物としては、下記式（ＩＩ−ａ２−１）〜（ＩＩ−ａ２−１２）で表される化合物が挙げられる。

重合性化合物である、前記一般式（ＩＩ−ｂ）で表される化合物は、単官能性アクリレートである。
一般式（ＩＩ−ｂ）において、Ｂ^１は水素原子であることが好ましい。Ｂ^１がメチル基である一般式（ＩＩ−ｂ）で表される化合物を用いても、本発明はその優れた効果を発現するが、水素原子である前記化合物の方が、重合速度がより速い点で有利である。

一般式（ＩＩ−ｂ）において、Ｂ^２は単結合又は炭素原子数１〜３のアルキレン基であることが好ましい。
一般式（ＩＩ−ｂ）において、Ｂ^３及びＢ^４はそれぞれ独立して、炭素原子数３〜１１のアルキル基であることが好ましい。

一般式（ＩＩ−ｂ）で表される化合物のような単官能モノマーの場合、分子量が低過ぎると真空注入時に揮発するという問題が起こる。そこで、一般式（ＩＩ−ｂ）で表される化合物の分子量は２８０以上であることが好ましい。したがって、Ｂ^２、Ｂ^３及びＢ^４の関係は、完全に独立ではない。例えば、Ｂ^１が水素原子であり、Ｂ^２がメチレン基であり、Ｂ^３がオクチル基である場合には、Ｂ^４は炭素原子数５以上のアルキル基が好ましいということになる。

一般式（ＩＩ−ｂ）で表される化合物は、二分岐構造であることが好ましい。ここで二分岐構造とは、Ｂ^３及びＢ^４が同じ構造であるか、若しくは類似の構造であることを意味する。したがって、Ｂ^３及びＢ^４の長さが極端に異なることは好ましくない。Ｂ^３及びＢ^４の長さの差は、原子数にして８以内とする必要があるが、６以内であることが好ましく、４以内であることがより好ましく、２以内であることがさらに好ましく、Ｂ^３及びＢ^４の長さが同じであることが最も好ましい。
また、Ｂ^３及びＢ^４は、炭素原子数４〜１０のアルキル基であることが好ましく、炭素原子数５〜９のアルキル基であることがより好ましい。

一方、Ｂ^３及びＢ^４として、アルキル基、アルキルエーテル基、エステル基等が分岐した構造のものは、本発明においては好ましくない。

一般式（ＩＩ−ｂ）で表される化合物は、下記一般式（ＩＩ−ｂ１）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｂ^５は単結合又は炭素原子数１〜３のアルキレン基を表し、Ｂ^６及びＢ^７はそれぞれ独立して炭素原子数４〜１０のアルキル基を表す。）

一般式（ＩＩ−ｂ）で表される化合物は、市販品が容易に入手可能である。一般式（ＩＩ−ｂ）で表される化合物を合成する場合には、エポキシ基を有する化合物と、アクリル酸等エポキシ基と反応し得る重合性化合物とを反応させる方法等、公知の方法が適宜適用できる。

一般式（ＩＩ−ｂ）で表される化合物は、下記式（ＩＩ−ｃ）〜（ＩＩ−ｚ）、（ＩＩ−ａａ）〜（ＩＩ−ａｌ）で表される化合物であることが好ましい。

前記複合液晶組成物が含有する一般式（ＩＩ−ｂ）で表される化合物は、１種のみでもよいし、２種以上でもよい。

前記複合液晶組成物は、前記一般式（ＩＩ−ａ）で表される化合物、及び前記一般式（ＩＩ−ｂ）で表される化合物を含有し、一般式（ＩＩ−ａ）で表される化合物：一般式（ＩＩ−ｂ）で表される化合物の含有量（質量）の比が７０：３０〜３０：７０であり、６５：３５〜４５：５５であることが好ましい。このように、これら重合性化合物の含有量の比を特定の範囲とすることで、複合液晶組成物を用いた素子を、駆動電圧が十分に低く、且つ光散乱性が十分に高いものとすることができ、さらに、光安定性が高く、液晶分子との相互作用を弱める作用からも好ましく、また、液晶層中に形成される後述する透明性高分子物質の形態が光散乱を強くする観点からも好ましく、低電圧駆動が可能な液晶デバイスの構成に適したものとなる。

複合液晶組成物は、一般式（ＩＩ−ａ）で表される化合物及び一般式（ＩＩ−ｂ）で表される化合物以外の、その他の重合性化合物を含有していてもよいが、重合性化合物の総含有量に対する、前記その他の重合性化合物の含有量の比率は、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、３質量％以下であることがさらに好ましく、０質量％であってもよい。

前記複合液晶組成物は、前記重合性化合物（一般式（ＩＩ−ａ）で表される化合物、一般式（ＩＩ−ｂ）で表される化合物、及びその他の重合性化合物）の総含有量が１５〜３５質量％であり、１８〜２８質量％であることが好ましい。このように、重合性化合物の総含有量を特定の範囲とすることで、複合液晶組成物を用いた素子を、駆動電圧が十分に低く、且つ光散乱性が十分に高いものとすることができ、さらに、光安定性が高い液晶デバイスの構成に適したものとなる。

前記重合性化合物の重合方法としては、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等が挙げられるが、ラジカル重合が好ましい。

ラジカル重合開始剤としては、熱重合開始剤、光重合開始剤を用いることができるが、光重合開始剤を用いることが好ましい。

好ましい光重合開始剤としては、例えば、
ジエトキシアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、ベンジルジメチルケタール（２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン）、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル−（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、１−ヒドロキシシクロヘキシル−フェニルケトン、２−メチル−２−モルホリノ（４−チオメチルフェニル）プロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン等のアセトフェノン系光重合開始剤；
ベンゾイン、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾイン系光重合開始剤；
２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド等のアシルホスフィンオキサイド系光重合開始剤；
ベンジル、メチルフェニルグリオキシエステル系光重合開始剤；
ベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、４−フェニルベンゾフェノン、４，’−ジクロロベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４’−メチル−ジフェニルサルファイド、アクリル化ベンゾフェノン、３，３’，４，４’−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系光重合開始剤；
２−イソプロピルチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２，４−ジクロロチオキサントン等のチオキサントン系光重合開始剤；
ミヒラーケトン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン等のアミノベンゾフェノン系光重合開始剤；
１０−ブチル−２−クロロアクリドン；２−エチルアンスラキノン；９，１０−フェナンスレンキノン；カンファーキノン等が挙げられる。
これらの中でも、光重合開始剤としては、ベンジルジメチルケタールが最も好ましい。

前記複合液晶組成物がＴＦＴ駆動用である場合には、精製した重合開始剤を用いることが好ましい。

複合液晶組成物において、重合開始剤の含有量は特に限定されないが、重合がより円滑に進行する点から、０．１〜２質量％であることが好ましい。

複合液晶組成物は、前記液晶化合物、重合性化合物及び重合開始剤以外に、必要に応じて、本発明の効果を損なわない範囲内において、これら以外のその他の成分（任意成分）を含有していてもよい。
前記その他の成分としては、例えば、酸化防止剤、紫外線吸収剤、非反応性オリゴマー、無機充填剤、有機充填剤、重合禁止剤、消泡剤、レベリング剤、可塑剤、シランカップリング剤等が挙げられる。

前記複合液晶組成物がＴＦＴ駆動用である場合には、精製した前記その他の成分を用いることが好ましい。

複合液晶組成物における前記その他の成分の含有量は、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましい。

複合液晶組成物は、Δｎ（複屈折率）が十分に高く、好ましくは０．１６以上とすることが可能である。

前記複合液晶組成物は、その中に含まれる前記重合性化合物が熱、又は紫外線等の活性エネルギー線により重合し、それに伴い液晶組成物との相分離を引き起こし、透明性高分子物質と液晶組成物とからなる複合液晶（例えば、高分子・液晶複合膜）を形成する。この複合液晶は、例えば、光散乱型液晶表示素子に利用される。
このようにして形成された光散乱型液晶表示素子の駆動電圧は、ネマチック液晶組成物の誘電異方性や弾性定数だけで決まるものではなく、複合液晶中に形成された高分子ネットワークの界面、又は複合液晶中に分散された高分子の界面と液晶分子との間で作用するアンカーリング力に大きく影響される。
例えば、高分子分散型液晶表示素子の駆動電圧に関する記述として、特開平６−２２２３２０号公報においては、次式の関係が開示されている。

（式中、Ｖｔｈはしきい値電圧を表し、^１Ｋｉｉ及び^２Ｋｉｉは弾性定数を表し、ｉは１、２又は３を表し、Δεは誘電率異方性を表し、＜ｒ＞は透明性高分子物質界面の平均空隙間隔を表し、Ａは液晶組成物に対する透明性高分子物質のアンカリング力を表し、ｄは透明性電極を有する基板間の距離を表す。）

これによると、光散乱型液晶表示素子（複合液晶素子）の駆動電圧は、透明性高分子物質界面の平均空隙間隔、基板間の距離、液晶組成物の弾性定数・誘電率異方性、及び液晶組成物と透明性高分子物質間のアンカリングエネルギーによって決定される。このうち本発明の複合液晶組成物で制御できるパラメータは、液晶物性と透明性高分子物質間のアンカリング力である。アンカーリング力は、該高分子の分子構造、及び低分子液晶の分子構造に大きく依存するため、０．９Ｖ／μｍ以下の低駆動電圧を実現するためには、駆動電圧を高くする液晶分子構造を特定して除く必要がある。一方、複合液晶の駆動電圧を低くするのに求められる液晶組成物の物性としては、誘電異方性が６以上で、複屈折率を０．１６以上にすることが好ましいが、アンカーリング力を高くする液晶化合物を除くと必要な液晶物性が得られなくなる場合がある。一般的には、一般式（ＶＩＩＩ−ａ）で表される化合物群や一般式（ＩＶ−ａ）で表される化合物群を用いて、複合液晶に求められる複屈折率や誘電異方性を得られるように液晶組成を調整する。この場合、ビフェニール基を有する液晶化合物を多用するため、複合液晶素子の駆動電圧が高くなり、０．９Ｖ／μｍ以下の駆動電圧を得ることが難しい。従って、複合液晶素子の低駆動電圧化に必要な液晶物性と低いアンカーリング力を同時に実現するためには、ビフェニール基を有しない一般式（ＩＶ−ａ）で表される化合物、一般式（Ｖ−ａ）又は（Ｖ−ｂ）で表される化合物、一般式（ＶＩ−ａ）又は（ＶＩ−ｂ）で表される化合物、一般式（ＶＩＩＩ−ａ）で表される化合物、一般式（ＩＸ−ａ）で表される化合物、を適宜組み合わせて液晶組成を調整することで、より好ましくなる。

前記複合液晶組成物を用いることで、高分子分散型液晶デバイスを製造できる。
例えば、前記複合液晶組成物は、光散乱型ディスプレイ用液晶材料として用いることができ、高分子・液晶複合膜を形成することで、光散乱型ディスプレイを構成することができる。このような高分子分散型液晶デバイスは、低電圧駆動が可能であり、バッテリー駆動とすることができる。
次に、液晶表示素子を例に挙げて、その製造方法について説明する。
高分子分散型液晶表示素子は、電極を有する２枚の基板であって、少なくとも一方が透明電極を有する透明基板である２枚の基板間に、アイソトロピック相である前記複合液晶組成物を狭持した後、加熱又は活性エネルギー線の照射によって、前記重合性化合物を重合させ、液晶組成物との相分離を誘発させることにより、液晶組成物及び高分子物質からなる層が形成されることによって得られる。

２枚の前記基板としては、ガラス、プラスチック等の柔軟性を有する透明な材料を用いることができ、前記基板の一方はシリコン等の不透明な材料であってもよい。
透明電極層を有する透明基板は、例えば、ガラス板等の透明基材上にインジウムチンオキシド（ＩＴＯ）をスパッタリングすることにより作製できる。また、低波長分散の透明性基板を用いることにより、デバイスの光散乱能が高まり、反射率やコントラストが向上してより好ましいものとなる。低波長分散の透明性基板としては、例えば、ホウケイ酸硝子や、ポリエチレンテレフタレート又はポリカーボネート等のプラスチック透明フィルム、１／４λの光干渉条件を使用した誘電体多層膜をコートした透明性基板が挙げられる。

また、前記基板上には、必要に応じて、高分子膜、配向膜又はカラーフィルターを配置することもできる。
前記配向膜としては、例えば、ポリイミド配向膜、光配向膜等が挙げられる。配向膜の形成方法としては、例えば、ポリイミド配向膜の場合であれば、ポリイミド樹脂組成物を透明基材上に塗布し、１８０℃以上の温度で熱硬化させ、更に綿布やレーヨン布でラビング処理する方法が挙げられる。また、ラビング処理を施していないポリイミド膜等の高分子膜も用いることもできる。これらの膜は、基板の表面を改質させて複合液晶相中の高分子透明物質との接着性を高めたり、また、光散乱のムラ等の対策に有用である。

前記カラーフィルターは、例えば、顔料分散法、印刷法、電着法、又は染色法等によって作製できる。一例として、顔料分散法によるカラーフィルターの作製方法を説明すると、まず、カラーフィルター用の硬化性着色組成物を透明基材上に塗布し、パターニング処理し、これを加熱又は光照射により硬化させる。この工程を、赤、緑、青の３色についてそれぞれ行うことで、カラーフィルター用の画素部を作製できる。その他、前記基板上に、ＴＦＴ、薄膜ダイオード、金属絶縁体金属比抵抗素子等の能動素子を設けた画素電極を設けてもよい。

次いで、前記基板を、透明電極層が内側となるように対向させる。このとき、スペーサーを介して、基板の間隔を調整してもよい。スペーサーとしては、例えば、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子、フォトレジスト材料等が挙げられる。
次いで、エポキシ系熱硬化性組成物等のシール剤を、液晶注入口を設けた形で前記基板にスクリーン印刷し、前記基板同士を貼り合わせ、加熱してシール剤を熱硬化させる。

２枚の基板間に高分子分散型液晶表示素子用組成物を狭持させる方法としては、通常の真空注入法、ＯＤＦ法等が挙げられる。このとき、前記複合液晶組成物は均一なアイソトロピック状態であることが好ましい。

ラジカル重合性の前記重合性化合物は、紫外線照射で重合させることが好ましい。
紫外線を発生させるランプとしては、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ等を用いることができる。また、照射する紫外線の波長は、複合液晶組成物に含有されている光重合開始剤の吸収波長領域であり、且つ含有されている液晶組成物の吸収波長域でない波長領域とすることが好ましく、例えば、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ等を用いて、好ましくは波長３３０ｎｍ以下、より好ましくは波長３５０ｎｍ以下の紫外線をカットして、紫外線を照射するとよい。

紫外線の照射強度は、目的に応じて適宜調整すればよいが、通常は、１〜２００ｍＷ／ｃｍ^２であることが好ましく、２〜１００ｍＷ／ｃｍ^２であることがより好ましい。
紫外線の照射時間は、紫外線の照射強度に応じて適宜設定すればよいが、通常は、１０〜６００秒であることが好ましい。紫外線露光装置は、シャッター機能を具備しており、露光開始時に、シャッターを開いて、作製する複合液晶素子全面に紫外線を均一に、且つ一斉に照射することが好ましく、シャッターが開いている間は、紫外線強度が一定になるように露光することが好ましい。
紫外線照射時の温度は、例えば、複合液晶組成物のアイソトロピック−ネマティック転移点よりわずかに高い温度であることが好ましく、転移点＋０．１℃〜１０℃であることが好ましく、転移点＋０．１℃〜３℃であることがより好ましい。紫外線露光で複合液晶素子の温度が上昇する場合には、赤外線カットフィルターを通して露光し、更には、紫外線露光装置として温度制御可能なプレートを具備したものを用い、複合液晶素子の温度が上がらないようにすることが好ましい。

前記複合液晶組成物を用いて形成した液晶層は、液晶組成物が透明性高分子物質でカプセル状に閉じ込められた構造、液晶組成物の連続相中に透明性高分子物質の３次元ネットワーク構造が形成された構造、又はこれらの構造が混在した構造等を有しているが、液晶組成物の連続相中に透明性高分子物質の３次元ネットワーク構造が形成された構造であることが好ましく、紫外線照射によって、液晶組成物の連続相中に透明性高分子物質の３次元ネットワーク構造が形成された構造がより好ましい。ネットワーク構造の平均空隙間隔は、高分子分散型液晶デバイスの特性に大きく影響し、平均空隙間隔は、０．２〜２μｍであることが好ましく、０．２〜１μｍであることがより好ましく、０．３〜０．７μｍであることが最も好ましい。

高分子分散型液晶表示素子は、その裏面側に光吸収層や、拡散反射板等を配置することで、反射率とコントラストの高い反射型高分子分散型液晶表示素子とすることができる。
また、高分子分散型液晶表示素子は、シアン、マゼンタ、イエロー等の光吸収波長が異なる光吸収層を各色別に分割して形成した画素電極に位置合わせして配置することにより、カラー表示が可能となる。
さらに、高分子分散型液晶表示素子は、鏡面反射、拡散反射、再帰性反射、ホログラム反射等の機能を付加することもできる。

前記複合液晶組成物を用いた高分子分散型液晶表示素子は、光安定性が十分に高く、低電圧駆動が可能である。
例えば、電圧無印加状態での透過率Ｔ０を測定し、この電圧無印加状態から６０Ｈｚの交流電圧を０．２Ｖ／３秒の速度で加えていき、印加電圧を高めてもそれ以上透過率が変化しなくなったときの透過率Ｔ１００（％）を測定して、下記式で定義されるＴ９９（％）を求め、このように電圧無印加状態から交流電圧を０．２Ｖ／３秒の速度で加えていったときに、透過率がＴ９９の値となる印加電圧Ｖ９９（Ｖ）を求めた場合、その値は、セル厚が８μｍの場合、好ましくは５Ｖ以下となる。またこのとき、Ｔ０の値は好ましくは２０％以下となる。かかる高分子分散型液晶表示素子は、バッテリー駆動に適しており、従来の高分子分散型液晶表示素子とは異なり、昇圧回路が不要である。
Ｔ９９＝Ｔ０＋０．９９×（Ｔ１００−Ｔ０）

一方、前記高分子分散型液晶デバイスの例としては、光散乱の変化を利用した表示素子、及び電界検出器のセンサーが挙げられる。
従来の高分子分散型液晶の表示素子及び電界検出器では、応答可能な電界強度が２Ｖ／μｍ程度であって、低感度であったが、前記複合液晶組成物を用いた高分子分散型液晶の電界検出器は、応答可能な電界強度が２Ｖ／μｍ未満、好ましくは１Ｖ／μｍ以下、例えば０．５Ｖ／μｍ程度とすることも可能であって、高感度である。

前記複合液晶組成物を用いた電界検出器のセンサー（電界検出部）は、従来の液晶組成物に代えて、前記複合液晶組成物を用いた点以外は、従来の電界検出器のセンサーと同様の構成とすることができる。このような電界検出器のセンサーとしては、例えば、透明基板、透明電極、高分子・液晶複合膜及び透明基板がこの順に設けられ、前記透明電極が接地可能とされたものが挙げられる。このような電界検出器のセンサーは、接地された基板と被検出部分との間に電位差が生じるようにして、静電誘導で液晶分子が電界方向へ配向するようにしたものであって、光散乱部分が電界により液晶が配向して透明になり、センサー面内における被検出部分から放出される空間電界分布が透明な画像として検知することが特徴である。前記透明高分子物質と液晶分子との間で起こるアンカーリング力を小さくすることで、このセンサーの感度を高めることができる。このような電界検出器は、例えば、高電圧発変電設備の検査や、電気部品の検査等に用いることができる。

以下、実施例及び比較例により、本発明についてさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない

［実施例１〜５、比較例１〜４］
含有量（質量％）が表１に示す値の各液晶化合物（総量７６質量部）と、含有量（質量％）が表２に示す値の各重合性化合物（総量２３．５２質量部）とを混合し、さらに重合開始剤としてイルガキュア６５１（ベンジルジメチルケタール、０．４８質量部）を混合して、複合液晶組成物を調製した。
なお、表１中の各液晶化合物の含有量は、液晶化合物の総含有量（１００質量％）に対する値である。また、表２中の各重合性化合物の含有量は、重合性化合物の総含有量（１００質量％）に対する値である。
得られた複合液晶組成物について、等方相−ネマチック相転移点（℃）、融点（℃）、Δｎ（複屈折率）、ＴＮモード閾値、Δε（誘電率異方性）を測定した。結果を表３に示す。

この複合液晶組成物を、セル厚が８μｍのＩＴＯ電極付きガラスセル内に、真空注入法で注入し、注入口を封止した。
次いで、アイソトロピック−ネマティック転移点よりも１〜２℃高い温度で、１０ｍＷ／ｃｍ^２の強度で６０秒間紫外線を照射し、前記重合性化合物を重合させて、前記複合液晶組成物から高分子・液晶複合膜を形成することで、高分子分散型液晶デバイスを作製した。

次いで、得られた液晶デバイスについて、先に説明した方法により、透過率Ｔ０及びＴ１００を測定し、Ｔ９９及びＶ９９を求めた。このときのＴ０及びＶ９９を表３に示す。

なお、表１中の各略号を付した液晶化合物の構造を以下に示す。これら液晶化合物において、末端に結合しているアルキル基はすべて直鎖状（ｎ−）のものである。
これら液晶化合物のうち、前記ビフェニール骨格を有する化合物は、略号がＬＣ３、ＬＣ６、ＬＣ１３、ＬＣ１４及びＬＣ１５の化合物である。
また、Ｃ^１が１，４−シクロヘキシレン基である一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物は、略号がＬＣ４、ＬＣ５、及びＬＣ７〜１３の化合物である。

また、一般式（ＩＩ−ａ）で表される化合物は、ｎ^２の平均値が７となるように調節して用いた。

ビフェニール骨格を有する液晶化合物は、駆動電圧Ｖ９９を上昇させ、Ｃ^１が１，４−シクロヘキシレン基である一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物は、駆動電圧Ｖ９９を低下させる作用がある。駆動電圧Ｖ９９は、（ａ）フェニール骨格を有する液晶化合物の含有量が少なく、（ｂ）Ｃ^１が１，４−シクロヘキシレン基である一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物の含有量を多くすると低くなる。従って、表３中に（ｂ）−（ａ）の差を記した。この差が４０％以上で（ｂ）の化合物群の含有量が（ａ）の化合物群より多く含まれていると駆動電圧が低くなる。
上記結果から明らかなように、実施例１〜５では、複合液晶組成物のΔｎは０．１６以上であり、十分に高かった。また、実施例１〜５では、比較例１〜４よりもＴ０及びＶ９９がいずれも低く、光安定性が十分に高く、低電圧駆動が可能であった。

Claims (3)

1. 液晶化合物及び重合性化合物を含有する複合液晶組成物であって、
   前記液晶化合物として、二環又は三環型のビフェニール骨格を有する化合物と、該ビフェニール骨格を有する化合物以外の下記一般式（Ｉ−ａ）
   

   

   （式中、Ｒ^１は炭素原子数１〜１０のアルキル基又は炭素原子数２〜１０のアルケニル基を表し、該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよく、
   Ｃ^１は１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、ピラン−１，４−ジイル基又はインダン−２，５−ジイル基を表し、該１，４−フェニレン基は非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、塩素原子、メチル基、メトキシ基、エチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を有していてもよく、
   Ｃ^２及びＣ^３はそれぞれ独立して、１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基又はインダン−２，５−ジイル基を表し、該１，４−フェニレン基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基及びインダン−２，５−ジイル基は、非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、塩素原子、メチル基、メトキシ基、エチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を有していてもよく、
   Ｚ^１及びＺ^２はそれぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、又は−ＯＣＯ−を表し、Ｃ^２及びＣ^３が１，４−フェニレン基である場合のＺ^２は−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、又は−ＯＣＯ−であり、
   Ｘ^１は炭素原子数１〜１０のアルキル基又は炭素原子数２〜１０のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメチル基又はイソシアネート基を表し、
   ｎ^１は、０、１又は２を表し、ただし、ｎ^１が２の場合、複数個存在するＣ^１及びＺ^１はそれぞれ同じあっても、異なっていてもよい。）で表される２種以上の化合物と、を含有し、
   前記ビフェニール骨格を有する化合物の含有量が、前記液晶化合物の総含有量に対して２０質量％以下であり、前記一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物のうち、Ｃ^１が１，４−シクロヘキシレン基でありかつｎ１が０ではない化合物の含有量が、前記液晶化合物の総含有量に対して、４５質量％以上であり、
   前記重合性化合物として、下記一般式（ＩＩ−ａ１）及び（ＩＩ−ａ２）
   

   

   （式中、ｎ^２はそれぞれ独立して３〜１４の整数を表す。）で表される化合物から選ばれる１種又は２種以上の化合物と、下記一般式（ＩＩ−ｂ）
   

   

   （式中、Ｂ^１は水素原子又はメチル基を表し、
   Ｂ^２は単結合又は炭素原子数１〜３のアルキレン基を表し、該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとしてそれぞれ独立して酸素原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていてもよく、該アルキレン基中に存在する１個又は２個以上の水素原子は、それぞれ独立してフッ素原子で置換されていてもよく、
   Ｂ^３及びＢ^４はそれぞれ独立して炭素原子数３〜１１のアルキル基を表し、該アルキル基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとしてそれぞれ独立して酸素原子、−ＣＯ−、 −ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていてもよく、該アルキル基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子で置換されていてもよい。）で表される化合物と、を含有し、
   前記一般式（ＩＩ−ａ１）及び（ＩＩ−ａ２）で表される化合物から選ばれる１種又は２種以上の化合物：前記一般式（ＩＩ−ｂ）で表される化合物の含有量（質量）の比が７０：３０〜３０：７０であり、
   前記液晶化合物の総含有量が６５〜８５質量％であり、前記重合性化合物の総含有量が１５〜３５質量％であることを特徴とする複合液晶組成物。
2. 透明基板、透明電極、高分子・液晶複合膜及び透明基板がこの順に設けられ、前記透明電極が接地可能とされ、前記高分子・液晶複合膜が、請求項１に記載の複合液晶組成物を用いて形成されたものであることを特徴とする表示素子。
3. 透明基板、透明電極、高分子・液晶複合膜及び透明基板がこの順に設けられ、前記透明電極が接地可能とされ、前記高分子・液晶複合膜が、請求項１に記載の複合液晶組成物を用いて形成されたものである電界検出部を備えたことを特徴とする電界検出器。