JPWO2014119579A1 - ガラスフリット - Google Patents
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Abstract
鉛、ヒ素、テルル等の有害物質を含むことなく、低融点のガラスフリット及びそれを用いた導電性ペーストを提供する。（Ａ）Ａｇ２Ｏと、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５と、（Ｃ）ＭｏＯ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＴｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ２、ＭｇＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ及びＰ２Ｏ５からなる群より選ばれる少なくとも１種の第一の酸化物とを含む、ガラスフリットに関する。ガラスフリットは、酸化物換算で、全質量に対して、成分（Ａ）が４０〜７０質量％、成分（Ｂ）が１０〜４０質量％であり、成分（Ｃ）が０．５〜３０質量％であることが好ましい。さらにガラスフリットは、成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が１．８〜３．２であることが好ましい。
Description
本発明は、鉛、ヒ素、アンチモン及びテルル等の有害物質を含まない低融点のガラスフリットに関する。
ガラスフリットは、炭化シリコン（ＳｉＣ）チップ等の半導体デバイスを基板に接合するダイアタッチ材や、電極形成用の導電性ペーストに使用される。また、ガラスフリットは、集積回路デバイスを収容するセラミックパッケージや表示デバイス等の電子部品の封着材に使用される。熱に極めて敏感な被着対象の特性を考慮して、比較的低温で接着ができるダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材が求められている。このような比較的低温での接着が可能なダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、低融点のガラスを含む組成物が用いられている。
従来、低融点のガラスとしては、ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３系の低融点ガラスが知られている。特許文献１には、低軟化点のガラスとして、２０〜７０％酸化銀と、１０〜７０％のバナジウム若しくはモリブデンの酸化物と、１０〜７０％のリン、ゲルマニウム、ヒ素、アンチモン、ビスマス及びテルルからなる群より選ばれた半金属の酸化物を含む、ガラスが開示されている（特許文献１）。
特許文献２には、従来のＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３系の低融点ガラスよりも低温で焼成可能なガラスとして、Ａｇ２Ｏ：８〜２０％、ＭｏＯ３：２０〜３５％、ＺｎＯ：１〜６％、ＴｅＯ２：３０〜５５％、Ｖ２Ｏ５：５〜１９％を含む低融点ガラスが開示されている（特許文献２）。
また、ダイアタッチ材等に使用するガラスとして、例えば酸化物ベースの質量比で約４０〜６５％Ａｇ２Ｏ、約１５〜３５％Ｖ２Ｏ５、約０〜５０％のＴｅＯ２、ＰｂＯ２及びＰｂ３Ｏ４からなる群より選ばれる少なくとも１つの酸化物とからなる、Ａｇ２Ｏ−Ｖ２Ｏ５−ＴｅＯ２−ＰｂＯ２結晶を形成するガラスが開示されている（例えば特許文献３）。特許文献３に開示のガラスは、例えば感温性の集積回路デバイスを収容するセラミックパッケージにおいて、感温性のデバイスを低温（例えば３５０℃）で接着するペーストに用いられる。
しかしながら、ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３系の低融点ガラスや、特許文献１〜３に開示されている低融点ガラスは、鉛（Ｐｂ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）のような有害物質を含む場合が多い。近年における環境への関心の高まりなどから、ダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材には、有害物質を含ないガラスを使用することが望まれている。また、ダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材には、熱に極めて敏感な半導体デバイスや集積回路デバイスに適用できる、低融点ガラスを使用することが望まれている。
本発明は、上記のような状況に対応して、鉛、ヒ素、アンチモン及びテルル等の有害物質を含まない低融点のガラスフリットを提供することを課題とする。
本発明１は、（Ａ）Ａｇ２Ｏと、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５と、（Ｃ）ＭｏＯ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＴｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ２、ＭｇＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ及びＰ２Ｏ５からなる群より選ばれる少なくとも１種の第一の酸化物とを含む、ガラスフリットに関する。
本発明２は、さらに（Ｄ）ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ、ＷＯ３及びＦｅ２Ｏ３からなる群より選ばれる少なくとも１種の第二の酸化物を含む、本発明１のガラスフリットに関する。
本発明３は、成分（Ｃ）が、ＭｏＯ３及びＺｎＯ、ＭｏＯ３及びＣｕＯ、又は、ＺｎＯ及びＣｕＯである、本発明１のガラスフリットに関する。
本発明４は、成分（Ｃ）が、ＭｏＯ３、ＺｎＯ及びＣｕＯである、本発明１のガラスフリットに関する。
本発明２は、さらに（Ｄ）ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ、ＷＯ３及びＦｅ２Ｏ３からなる群より選ばれる少なくとも１種の第二の酸化物を含む、本発明１のガラスフリットに関する。
本発明３は、成分（Ｃ）が、ＭｏＯ３及びＺｎＯ、ＭｏＯ３及びＣｕＯ、又は、ＺｎＯ及びＣｕＯである、本発明１のガラスフリットに関する。
本発明４は、成分（Ｃ）が、ＭｏＯ３、ＺｎＯ及びＣｕＯである、本発明１のガラスフリットに関する。
本発明５は、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＴｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ２、ＭｇＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ及びＰ２Ｏ５からなる群より選ばれる少なくとも１種の第一の酸化物から本質的になる、ガラスフリットに関する。
本発明６は、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＴｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ２、ＭｇＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ及びＰ２Ｏ５からなる群より選ばれる２種の第一の酸化物から本質的になる、ガラスフリットに関する。
本発明７は、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＴｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ２、ＭｇＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ及びＰ２Ｏ５からなる群より選ばれる少なくとも１種の第一の酸化物、（Ｄ）ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ、ＷＯ３及びＦｅ２Ｏ３からなる群より選ばれる少なくとも１種の第二の酸化物から本質的になる、ガラスフリットに関する。
本発明６は、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＴｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ２、ＭｇＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ及びＰ２Ｏ５からなる群より選ばれる２種の第一の酸化物から本質的になる、ガラスフリットに関する。
本発明７は、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＴｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ２、ＭｇＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ及びＰ２Ｏ５からなる群より選ばれる少なくとも１種の第一の酸化物、（Ｄ）ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ、ＷＯ３及びＦｅ２Ｏ３からなる群より選ばれる少なくとも１種の第二の酸化物から本質的になる、ガラスフリットに関する。
本発明８は、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３から本質的になる、ガラスフリットに関する。
本発明９は、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３及びＺｎＯから本質的になる、ガラスフリットに関する。
本発明１０は、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３及びＣｕＯから本質的になる、ガラスフリットに関する。
本発明１１は、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＺｎＯ及びＣｕＯから本質的になる、ガラスフリットに関する。
本発明１２は、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３、ＺｎＯ及びＣｕＯから本質的になる、ガラスフリットに関する。
本発明１３は、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３、（Ｄ）ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ、ＷＯ３及びＦｅ２Ｏ３からなる群より選ばれる少なくとも１種の酸化物から本質的になる、ガラスフリットに関する。
本発明９は、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３及びＺｎＯから本質的になる、ガラスフリットに関する。
本発明１０は、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３及びＣｕＯから本質的になる、ガラスフリットに関する。
本発明１１は、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＺｎＯ及びＣｕＯから本質的になる、ガラスフリットに関する。
本発明１２は、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３、ＺｎＯ及びＣｕＯから本質的になる、ガラスフリットに関する。
本発明１３は、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３、（Ｄ）ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ、ＷＯ３及びＦｅ２Ｏ３からなる群より選ばれる少なくとも１種の酸化物から本質的になる、ガラスフリットに関する。
本発明１４は、酸化物換算で、全質量に対して、成分（Ａ）が４０〜７０質量％、成分（Ｂ）が１０〜４０質量％であり、成分（Ｃ）が０．５〜３０質量％である、本発明１〜１３のいずれかのガラスフリットに関する。
本発明１５は、酸化物換算で、全質量に対して、成分（Ｃ）のうち、ＭｏＯ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＴｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ２、ＭｇＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ又はＰ２Ｏ５のいずれか１種の第一の酸化物の含有量が０．５〜１５質量％である、本発明１４のガラスフリットに関する。
本発明１６は、成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が１．８〜３．２である、本発明１〜１５のいずれかのガラスフリットに関する。
本発明１７は、酸化物換算で、全質量に対して、成分（Ｄ）が０〜１５質量％である、本発明２、１３〜１６のいずれかのガラスフリットに関する。
本発明１８は、成分（Ｃ）のＭｏＯ３とＺｎＯとの質量比（ＭｏＯ３：ＺｎＯ）が１２：１〜１：１２である、本発明９、１４〜１７のいずれかのガラスフリットに関する。
本発明１９は、成分（Ｃ）のＭｏＯ３とＣｕＯとの質量比（ＭｏＯ３：ＣｕＯ）が１２：１〜１：１０である、本発明１０、１４〜１７のいずれかのガラスフリットに関する。
本発明２０は、成分（Ｃ）のＺｎＯとＣｕＯとの質量比（ＺｎＯ：ＣｕＯ）が１２：１〜１：１２である、本発明１１、１４〜１７のいずれかのガラスフリットに関する。
本発明２１は、成分（Ｃ）のＭｎＯ３と、ＺｎＯ及びＣｕＯの合計量との質量比（ＭｏＯ３：ＺｎＯ及びＣｕＯの合計量）が１２：１〜１：１２である、本発明１２、１４〜１７のいずれかのガラスフリットに関する。
本発明１５は、酸化物換算で、全質量に対して、成分（Ｃ）のうち、ＭｏＯ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＴｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ２、ＭｇＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ又はＰ２Ｏ５のいずれか１種の第一の酸化物の含有量が０．５〜１５質量％である、本発明１４のガラスフリットに関する。
本発明１６は、成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が１．８〜３．２である、本発明１〜１５のいずれかのガラスフリットに関する。
本発明１７は、酸化物換算で、全質量に対して、成分（Ｄ）が０〜１５質量％である、本発明２、１３〜１６のいずれかのガラスフリットに関する。
本発明１８は、成分（Ｃ）のＭｏＯ３とＺｎＯとの質量比（ＭｏＯ３：ＺｎＯ）が１２：１〜１：１２である、本発明９、１４〜１７のいずれかのガラスフリットに関する。
本発明１９は、成分（Ｃ）のＭｏＯ３とＣｕＯとの質量比（ＭｏＯ３：ＣｕＯ）が１２：１〜１：１０である、本発明１０、１４〜１７のいずれかのガラスフリットに関する。
本発明２０は、成分（Ｃ）のＺｎＯとＣｕＯとの質量比（ＺｎＯ：ＣｕＯ）が１２：１〜１：１２である、本発明１１、１４〜１７のいずれかのガラスフリットに関する。
本発明２１は、成分（Ｃ）のＭｎＯ３と、ＺｎＯ及びＣｕＯの合計量との質量比（ＭｏＯ３：ＺｎＯ及びＣｕＯの合計量）が１２：１〜１：１２である、本発明１２、１４〜１７のいずれかのガラスフリットに関する。
本発明は、鉛（Ｐｂ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）及びテルル（Ｔｅ）の有害物質を含まない、低融点のガラスフリットを提供することができる。本発明の低融点のガラスフリットは、例えば３００℃以下のガラス転移温度（Ｔｇ）、３５０℃以下の結晶化温度（Ｔｃ）、及び５００℃以下の結晶再溶融温度（Ｔｒ）を有する。本発明のガラスフリットは、ダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材に使用することができる。
[ガラスフリット]
本発明は、（Ａ）Ａｇ２Ｏと、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５と、（Ｃ）ＭｏＯ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＴｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ２、ＭｇＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ及びＰ２Ｏ５からなる群より選ばれる少なくとも１種の第一の酸化物とを含む、ガラスフリットに関する。
本発明は、（Ａ）Ａｇ２Ｏと、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５と、（Ｃ）ＭｏＯ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＴｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ２、ＭｇＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ及びＰ２Ｏ５からなる群より選ばれる少なくとも１種の第一の酸化物とを含む、ガラスフリットに関する。
ガラスフリットは、以下の特性を有するものであることが好ましい。
（１）ガラスフリットのガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは３００℃以下、より好ましくは２５０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下、特に好ましくは１８０℃以下である。ガラスフリットは、ガラス転移温度（Ｔｇ）が低いほど処理温度を低くできる。一方、高い熱応力抵抗性を発揮するガラスの特性を維持するために、ガラスフリットのガラス転移温度（Ｔｇ）は８０℃以上が好ましい。
（２）ガラスフリットの結晶化温度（Ｔｃ）は、好ましくは４００℃以下、より好ましくは３８０℃以下、さらに好ましくは３５０℃以下、特に好ましくは３００℃以下である。ガラスフリットは、結晶化温度（Ｔｃ）が低いほど処理温度を低くできる。一方、高い熱応力抵抗性を発揮するガラス特性を維持するために、ガラスフリットの結晶化温度（Ｔｃ）は１００℃以上が好ましい。
（３）ガラスフリットの結晶再溶融温度（Ｔｒ）は、好ましくは５００℃以下、より好ましくは４８０℃以下、さらに好ましくは４５０℃以下、特に好ましくは４００℃以下である。ガラスフリットは、結晶再溶融温度（Ｔｒ）は低いほど処理温度を低くできる。一方、高い熱応力抵抗性を発揮するガラス特性を維持するために、ガラスフリットの結晶再溶融温度（Ｔｒ）は２００℃以上が好ましい。
（１）ガラスフリットのガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは３００℃以下、より好ましくは２５０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下、特に好ましくは１８０℃以下である。ガラスフリットは、ガラス転移温度（Ｔｇ）が低いほど処理温度を低くできる。一方、高い熱応力抵抗性を発揮するガラスの特性を維持するために、ガラスフリットのガラス転移温度（Ｔｇ）は８０℃以上が好ましい。
（２）ガラスフリットの結晶化温度（Ｔｃ）は、好ましくは４００℃以下、より好ましくは３８０℃以下、さらに好ましくは３５０℃以下、特に好ましくは３００℃以下である。ガラスフリットは、結晶化温度（Ｔｃ）が低いほど処理温度を低くできる。一方、高い熱応力抵抗性を発揮するガラス特性を維持するために、ガラスフリットの結晶化温度（Ｔｃ）は１００℃以上が好ましい。
（３）ガラスフリットの結晶再溶融温度（Ｔｒ）は、好ましくは５００℃以下、より好ましくは４８０℃以下、さらに好ましくは４５０℃以下、特に好ましくは４００℃以下である。ガラスフリットは、結晶再溶融温度（Ｔｒ）は低いほど処理温度を低くできる。一方、高い熱応力抵抗性を発揮するガラス特性を維持するために、ガラスフリットの結晶再溶融温度（Ｔｒ）は２００℃以上が好ましい。
ガラスフリットは、３００℃以下のガラス転移温度（Ｔｇ）、３５０℃以下の結晶化温度（Ｔｃ）及び５００℃以下の結晶再溶融温度（Ｔｒ）を有するものであることが好ましい。本発明のガラスフリットは、例えばダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材に使用することができる。導電性ペーストとしては、例えば電極形成用の導電性ペーストが挙げられる。ダイアタッチ材又は導電性ペーストは、導電性又は熱伝導性が要求される。封着材は、導電性又は熱伝導性が要求されない。
本発明のガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、比較的低い処理温度（例えば５００℃以下）で、流動性が向上し、接着界面に十分に濡れ広がることによって、被着対象を接着することができる。また、本発明のガラスフリットは、３５０℃以下の比較的低い温度で再びガラスフリットが再結晶化することによって、結晶の状態が共晶状態に近づき、過剰に結晶化が進むことがなく、結晶化が適度に進む。さらに、本発明のガラスフリットは、更に５００℃以下の結晶再溶融温度（Ｔｒ）を有する。本発明のガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材を用いた装置は、被着対象を接着した後に、被着対象を含む電子部品等の熱サイクルが行われる環境に置かれた場合に、被着対象と結晶化したガラス構造との膨張率の不整合によって生じる亀裂等を抑制することができる。本発明のガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、高い熱応力抵抗性を発揮し、高い接着性を維持することができる。本発明のガラスフリットは、熱に極めて敏感な被着対象に適用可能な、ダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材に使用することができる。熱に極めて敏感な被着対象としては、集積回路デバイスを収容するセラミックパッケージや表示デバイス等の電子部品等が挙げられる。
ガラスフリットは、成分（Ｃ）としては、ＭｏＯ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＴｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ２、ＭｇＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ及びＰ２Ｏ５からなる群より選ばれる少なくとも１種の第一の酸化物を含み、２種以上の第一の酸化物または３種以上の第一の酸化物を含んでいてもよい。
ガラスフリットが２種以上の成分（Ｃ）の第一の酸化物を含む場合には、成分（Ｃ）がＭｏＯ３及びＺｎＯ、ＭｏＯ３及びＣｕＯ、又は、ＺｎＯ及びＣｕＯであることが好ましい。
ガラスフリットが３種以上の成分（Ｃ）の第一の酸化物を含む場合には、成分（Ｃ）がＭｏＯ３、ＺｎＯ及びＣｕＯであることが好ましい。
本発明のガラスフリットは、さらに（Ｄ）ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ、ＷＯ３及びＦｅ２Ｏ３からなる群より選ばれる少なくとも１種の第二の酸化物を含むことが好ましい。本発明のガラスフリットは、（Ｄ）成分である第二の酸化物を含むことによって、より複雑な共晶状態の結晶が形成され、過剰に結晶化が進むことなく、結晶化が適度に進む。本発明のガラスフリットは、例えばダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材に使用することができる。本発明のガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材を用いた装置は、被着対象を接着した後に、被着対象を含む電子部品等の熱サイクルが行われる環境に置かれた場合に、被着対象と結晶化したガラス構造との膨張率の不整合によって生じる亀裂等を抑制することができる。本発明のガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、高い熱応力抵抗性を発揮し、高い接着性を維持することができる。
本発明のガラスフリットは、好ましくは（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＴｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ２、ＭｇＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ及びＰ２Ｏ５からなる群より選ばれる少なくとも１種の第一の酸化物から本質的になる。
本発明のガラスフリットは、好ましくは（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＴｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ２、ＭｇＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ及びＰ２Ｏ５からなる群より選ばれる２種の第一の酸化物から本質的になる。
本発明のガラスフリットは、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＴｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ２、ＭｇＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ及びＰ２Ｏ５からなる群より選ばれる少なくとも１種の第一の酸化物、（Ｄ）ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ、ＷＯ３及びＦｅ２Ｏ３からなる群より選ばれる少なくとも１種の第二の酸化物から本質的になることが好ましい。
ガラスフリットは、好ましくは（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３から本質的になる。ガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、低温（例えば５００℃以下）での優れた接着性を有する。また、ガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、接着後に優れた熱応力抵抗性を有する。
本発明のガラスフリットは、その組成が、酸化物換算で、全質量に対して、成分（Ａ）の含有量が４０〜７０質量％であり、成分（Ｂ）の含有量が１０〜４０質量％であり、成分（Ｃ）の含有量が０．５〜３０質量％であることが好ましい。ガラスフリットは、各成分の組成が上記範囲内であると、好適なガラス転移温度（Ｔｇ：例えば３００℃以下）、結晶化温度（Ｔｃ：例えば４００℃以下）及び結晶再溶融温度（Ｔｒ：例えば５００℃以下）を有する。ガラスフリットは、例えばダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材に使用することができる。本発明のガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、比較的低い処理温度（例えば５００℃以下）で、流動性が向上する。また、ガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、比較的低い温度（例えば５００℃以下）で、被着対象を接着することができる。
また、本発明のガラスフリットは、比較的低い温度（例えば４００℃以下）で再結晶化することによって、共晶状態に近づき、過剰に結晶化が進むことがない。本発明のガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、被着対象を接着した後に高い熱応力抵抗性を発揮し、高い接着性を維持することができる。本発明のガラスフリットは、各成分の組成が上記範囲を超えると、より低温域（例えば４５０℃以下）でのガラスフリットの融解が困難となり、接着性等に影響する場合がある。
また、本発明のガラスフリットは、比較的低い温度（例えば４００℃以下）で再結晶化することによって、共晶状態に近づき、過剰に結晶化が進むことがない。本発明のガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、被着対象を接着した後に高い熱応力抵抗性を発揮し、高い接着性を維持することができる。本発明のガラスフリットは、各成分の組成が上記範囲を超えると、より低温域（例えば４５０℃以下）でのガラスフリットの融解が困難となり、接着性等に影響する場合がある。
本明細書において、ガラスフリットに含まれる各成分の組成は、特に断りがない限り、酸化物換算組成のガラスフリットの全質量に対する質量％で表示するものとする。
本発明のガラスフリットは、その組成が、酸化物換算で、全質量に対して、成分（Ａ）の含有量が５０〜７０質量％であり、成分（Ｂ）の含有量が１０〜３５質量％であり、成分（Ｃ）の含有量が０．５〜２０質量％であることがより好ましい。
さらに本発明のガラスフリットは、その組成が、酸化物換算で、全質量に対して、成分（Ａ）の含有量が５２〜７０質量％であり、成分（Ｂ）の含有量が１０〜３３質量％であり、成分（Ｃ）の含有量が０．５〜１５質量％であることがより好ましい。
本発明のガラスフリットは、２種以上の成分（Ｃ）を含む場合には、ＭｏＯ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＴｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ２、ＭｇＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ又はＰ２Ｏ５いずれか１種の含有量が、好ましくは０．５〜１５質量％であり、より好ましくは０．５〜１０質量％であり、さらに好ましくは１〜８質量％である。
本発明のガラスフリットは、酸化物換算で、全質量に対して、成分（Ｄ）の含有量が、好ましくは０〜１５質量％であり、より好ましくは０．５〜１２質量％であり、さらに好ましくは０．５〜１０質量％である。
本発明のガラスフリットは、成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が、好ましくは１．８〜３．２であり、より好ましくは１．８〜３．０であり、さらに好ましくは１．９５〜２．７であり、特に好ましくは１．９５〜２．６である。成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が上記範囲内であると、ガラスフリットは、好適なガラス転移温度（Ｔｇ：例えば３００℃以下）、結晶化温度（Ｔｃ：例えば４００℃以下）及び結晶再溶融温度（Ｔｒ：例えば５００℃以下）を有する。本発明のガラスフリットは、例えばダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材に使用することができる。本発明のガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、比較的低い処理温度（例えば５００℃以下）で、流動性が向上し、被着対象を接着することができる。また、本発明のガラスフリットは、比較的低い温度（例えば４００℃以下）で再結晶化することによって、共晶状態に近づき、過剰に結晶化が進むことがない。本発明のガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、被着対象を接着した後に高い熱応力抵抗性を発揮し、高い接着性を維持することができる。本発明のガラスフリットは、成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が上記範囲を超えると、より低温域（例えば４５０℃以下）でのガラスフリットの融解が困難となり、接着性等に影響する場合がある。
本発明のガラスフリットは、好ましくは（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３から本質的になる。ガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、低温（例えば５００℃以下）での優れた接着性を有する。また、ガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、接着後に優れた熱応力抵抗性を有する。
ガラスフリットは、以下の組成を有することが好ましい。
（Ａ）Ａｇ２Ｏが、好ましくは４０〜７０質量％、より好ましくは４５〜７０質量％、さらに好ましくは５０〜６８質量％である。
（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が、好ましくは１０〜４０質量％、より好ましくは１２〜３５質量％、さらに好ましくは１５〜３２質量％である。
（Ｃ）ＭｏＯ３が、好ましくは０．５〜３０質量％、より好ましくは０．５〜２０質量％、より好ましくは０．５〜１５質量％、さらに好ましくは０．５〜１２質量％、特に好ましくは０．５〜１０質量％である。
成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が、好ましくは１．８〜３．２であり、より好ましくは１．８〜３．０であり、さらに好ましくは１．９５〜２．７であり、特に好ましくは１．９５〜２．６である。
（Ａ）Ａｇ２Ｏが、好ましくは４０〜７０質量％、より好ましくは４５〜７０質量％、さらに好ましくは５０〜６８質量％である。
（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が、好ましくは１０〜４０質量％、より好ましくは１２〜３５質量％、さらに好ましくは１５〜３２質量％である。
（Ｃ）ＭｏＯ３が、好ましくは０．５〜３０質量％、より好ましくは０．５〜２０質量％、より好ましくは０．５〜１５質量％、さらに好ましくは０．５〜１２質量％、特に好ましくは０．５〜１０質量％である。
成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が、好ましくは１．８〜３．２であり、より好ましくは１．８〜３．０であり、さらに好ましくは１．９５〜２．７であり、特に好ましくは１．９５〜２．６である。
ガラスフリットは、好ましくは（Ａ）Ａｇ２Ｏが４０〜７０質量％、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が１０〜４０質量％、（Ｃ）ＭｏＯ３が０．５〜３０質量％から本質的になり、成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が１．８〜３．２である。
ガラスフリットは、好ましくは（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＺｎＯから本質的になる。ガラスフリットは、ダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材に使用することができる。ガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、低温（例えば５００℃以下）での優れた接着性を有する。また、ガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、接着後に優れた熱応力抵抗性を有する。
ガラスフリットは、以下の組成を有することが好ましい。
（Ａ）Ａｇ２Ｏが、好ましくは４０〜７０質量％、より好ましくは４５〜７０質量％、さらに好ましくは５０〜６８質量％である。
（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が、好ましくは１０〜４０質量％、より好ましくは１２〜３５質量％、さらに好ましくは１５〜３２質量％である。
（Ｃ）ＺｎＯが、好ましくは０．５〜３０質量％、より好ましくは０．５〜２０質量％、より好ましくは０．５〜１５質量％、さらに好ましくは０．５〜１０質量％である。
成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が、好ましくは１．８〜３．２であり、より好ましくは１．８〜３．０であり、さらに好ましくは１．９５〜２．７であり、特に好ましくは１．９５〜２．６である。
（Ａ）Ａｇ２Ｏが、好ましくは４０〜７０質量％、より好ましくは４５〜７０質量％、さらに好ましくは５０〜６８質量％である。
（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が、好ましくは１０〜４０質量％、より好ましくは１２〜３５質量％、さらに好ましくは１５〜３２質量％である。
（Ｃ）ＺｎＯが、好ましくは０．５〜３０質量％、より好ましくは０．５〜２０質量％、より好ましくは０．５〜１５質量％、さらに好ましくは０．５〜１０質量％である。
成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が、好ましくは１．８〜３．２であり、より好ましくは１．８〜３．０であり、さらに好ましくは１．９５〜２．７であり、特に好ましくは１．９５〜２．６である。
ガラスフリットは、好ましくは（Ａ）Ａｇ２Ｏが４０〜７０質量％、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が１０〜４０質量％、（Ｃ）ＺｎＯが０．５〜３０質量％から本質的になり、成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が１．８〜３．２である。
ガラスフリットは、好ましくは（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＣｕＯから本質的になる。ガラスフリット含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、低温（例えば５００℃以下）での優れた接着性を有する。また、ガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、接着後に優れた熱応力抵抗性を有する。
ガラスフリットは、以下の組成を有することが好ましい。
（Ａ）Ａｇ２Ｏが、好ましくは４０〜７０質量％、より好ましくは４５〜７０質量％、さらに好ましくは５０〜６８質量％である。
（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が、好ましくは１０〜４０質量％、より好ましくは１２〜３５質量％、さらに好ましくは１５〜３２質量％である。
（Ｃ）ＣｕＯが、好ましくは０．５〜３０質量％、より好ましくは０．５〜２０質量％、より好ましくは０．５〜１５質量％、さらに好ましくは１〜１５質量％である。
成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が、好ましくは１．８〜３．２であり、より好ましくは１．８〜３．０であり、さらに好ましくは１．９５〜２．７であり、特に好ましくは１．９５〜２．６である。
（Ａ）Ａｇ２Ｏが、好ましくは４０〜７０質量％、より好ましくは４５〜７０質量％、さらに好ましくは５０〜６８質量％である。
（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が、好ましくは１０〜４０質量％、より好ましくは１２〜３５質量％、さらに好ましくは１５〜３２質量％である。
（Ｃ）ＣｕＯが、好ましくは０．５〜３０質量％、より好ましくは０．５〜２０質量％、より好ましくは０．５〜１５質量％、さらに好ましくは１〜１５質量％である。
成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が、好ましくは１．８〜３．２であり、より好ましくは１．８〜３．０であり、さらに好ましくは１．９５〜２．７であり、特に好ましくは１．９５〜２．６である。
ガラスフリットは、好ましくは（Ａ）Ａｇ２Ｏが４０〜７０質量％、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が１０〜４０質量％、（Ｃ）ＣｕＯが０．５〜３０質量％から本質的になり、成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が１．８〜３．２である。
本発明のガラスフリットは、好ましくは（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３及びＺｎＯから本質的になる。ガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、低温（例えば５００℃以下）での優れた接着性を有する。また、ガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、接着後に優れた熱応力抵抗性を有する。
ガラスフリットは、以下の組成を有することが好ましい。
（Ａ）Ａｇ２Ｏが、好ましくは４０〜７０質量％、より好ましくは４５〜７０質量％、さらに好ましくは５０〜６８質量％である。
（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が、好ましくは１０〜４０質量％、より好ましくは１２〜３５質量％、さらに好ましくは１５〜３２質量％である。
（Ｃ−１）ＭｏＯ３が、好ましくは０．５〜３０質量％、より好ましくは０．５〜２０質量％、より好ましくは０．５〜１５質量％、さらに好ましくは０．５〜１２質量％、特に好ましくは０．５〜１０質量％である。
（Ｃ−２）ＺｎＯが、好ましくは０．５〜１５質量％、より好ましくは０．５〜１２質量％、さらに好ましくは０．５〜１０質量％である。
成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が、好ましくは１．８〜３．２であり、より好ましくは１．８〜３．０であり、さらに好ましくは１．９５〜２．７であり、特に好ましくは１．９５〜２．６である。
成分（Ｃ）のＭｏＯ３とＺｎＯの質量比（ＭｏＯ３：ＺｎＯ）が、好ましくは１２：１〜１：１２であり、より好ましくは１０：１〜１：１０、特に好ましくは８：１〜１：８である。
（Ａ）Ａｇ２Ｏが、好ましくは４０〜７０質量％、より好ましくは４５〜７０質量％、さらに好ましくは５０〜６８質量％である。
（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が、好ましくは１０〜４０質量％、より好ましくは１２〜３５質量％、さらに好ましくは１５〜３２質量％である。
（Ｃ−１）ＭｏＯ３が、好ましくは０．５〜３０質量％、より好ましくは０．５〜２０質量％、より好ましくは０．５〜１５質量％、さらに好ましくは０．５〜１２質量％、特に好ましくは０．５〜１０質量％である。
（Ｃ−２）ＺｎＯが、好ましくは０．５〜１５質量％、より好ましくは０．５〜１２質量％、さらに好ましくは０．５〜１０質量％である。
成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が、好ましくは１．８〜３．２であり、より好ましくは１．８〜３．０であり、さらに好ましくは１．９５〜２．７であり、特に好ましくは１．９５〜２．６である。
成分（Ｃ）のＭｏＯ３とＺｎＯの質量比（ＭｏＯ３：ＺｎＯ）が、好ましくは１２：１〜１：１２であり、より好ましくは１０：１〜１：１０、特に好ましくは８：１〜１：８である。
ガラスフリットは、好ましくは（Ａ）Ａｇ２Ｏが４０〜７０質量％、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が１０〜４０質量％、（Ｃ−１）ＭｏＯ３が０．５〜３０質量％、（Ｃ−２）ＺｎＯが０．５〜１５質量％から本質的になり、成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が１．８〜３．２であり、成分（Ｃ）のＭｏＯ３とＺｎＯの質量比（ＭｏＯ３：ＺｎＯ）が１２：１〜１：１２である。
ガラスフリットは、より詳細には、以下の組成を有することが好ましい。
（Ａ）Ａｇ２Ｏが、好ましくは５２〜６５質量であり、
（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が、好ましくは１５〜３０質量％であり、
（Ｃ−１）ＭｏＯ３が、好ましくは０．５〜１２質量％であり、
（Ｃ−２）ＺｎＯが、好ましくは０．５〜１２質量％である。
ガラスフリットは、好ましくは（Ａ）Ａｇ２Ｏが５２〜６５質量％、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が１５〜３０質量％、（Ｃ−１）ＭｏＯ３が０．５〜１２質量％、（Ｃ−２）ＺｎＯが０．５〜１２質量％から本質的になる。
（Ａ）Ａｇ２Ｏが、好ましくは５２〜６５質量であり、
（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が、好ましくは１５〜３０質量％であり、
（Ｃ−１）ＭｏＯ３が、好ましくは０．５〜１２質量％であり、
（Ｃ−２）ＺｎＯが、好ましくは０．５〜１２質量％である。
ガラスフリットは、好ましくは（Ａ）Ａｇ２Ｏが５２〜６５質量％、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が１５〜３０質量％、（Ｃ−１）ＭｏＯ３が０．５〜１２質量％、（Ｃ−２）ＺｎＯが０．５〜１２質量％から本質的になる。
本発明のガラスフリットは、好ましくは（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３及びＣｕＯから本質的になる。ガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、低温（例えば５００℃以下）での優れた接着性を有する。また、ガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、接着後に優れた熱応力抵抗性を有する。
ガラスフリットは、以下の組成を有することが好ましい。
（Ａ）Ａｇ２Ｏが、好ましくは４０〜７０質量％、より好ましくは４５〜７０質量％、さらに好ましくは５０〜６８質量％である。
（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が、好ましくは１０〜４０質量％、より好ましくは１５〜３５質量％、さらに好ましくは２０〜３２質量％である。
（Ｃ−１）ＭｏＯ３が、好ましくは０．５〜３０質量％、より好ましくは０．５〜２０質量％、より好ましくは０．５〜１５質量％、さらに好ましくは０．５〜１２質量％、特に好ましくは０．５〜１０質量％である。
（Ｃ−２）ＣｕＯが、好ましくは０．５〜１５質量％、より好ましくは０．５〜１２質量％、さらに好ましくは０．５〜１０質量％である。
成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が、好ましくは１．８〜３．２であり、より好ましくは１．８〜３．０であり、さらに好ましくは１．９５〜２．７であり、特に好ましくは１．９５〜２．６である。
成分（Ｃ）のＭｏＯ３とＣｕＯの質量比（ＭｏＯ３：ＣｕＯ）が、好ましくは１２：１〜１：１０であり、より好ましくは１０：１〜１：５、特に好ましくは８：１〜１：４である。
（Ａ）Ａｇ２Ｏが、好ましくは４０〜７０質量％、より好ましくは４５〜７０質量％、さらに好ましくは５０〜６８質量％である。
（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が、好ましくは１０〜４０質量％、より好ましくは１５〜３５質量％、さらに好ましくは２０〜３２質量％である。
（Ｃ−１）ＭｏＯ３が、好ましくは０．５〜３０質量％、より好ましくは０．５〜２０質量％、より好ましくは０．５〜１５質量％、さらに好ましくは０．５〜１２質量％、特に好ましくは０．５〜１０質量％である。
（Ｃ−２）ＣｕＯが、好ましくは０．５〜１５質量％、より好ましくは０．５〜１２質量％、さらに好ましくは０．５〜１０質量％である。
成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が、好ましくは１．８〜３．２であり、より好ましくは１．８〜３．０であり、さらに好ましくは１．９５〜２．７であり、特に好ましくは１．９５〜２．６である。
成分（Ｃ）のＭｏＯ３とＣｕＯの質量比（ＭｏＯ３：ＣｕＯ）が、好ましくは１２：１〜１：１０であり、より好ましくは１０：１〜１：５、特に好ましくは８：１〜１：４である。
ガラスフリットは、好ましくは（Ａ）Ａｇ２Ｏが４０〜７０質量％、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が１０〜４０質量％、（Ｃ−１）ＭｏＯ３が０．５〜３０質量％、（Ｃ−２）ＣｕＯが０．５〜１５質量％から本質的になり、成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が１．８〜３．２であり、成分（Ｃ）のＭｏＯ３とＣｕＯの質量比（ＭｏＯ３：ＣｕＯ）が１２：１〜１：１０である。
ガラスフリットは、より詳細には、以下の組成を有することが好ましい。
（Ａ）Ａｇ２Ｏが、好ましくは５５〜６５質量であり、
（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が、好ましくは２５〜３０質量％であり、
（Ｃ−１）ＭｏＯ３が、好ましくは０．５〜１２質量％であり、
（Ｃ−２）ＣｕＯが、好ましくは０．５〜１２質量％である。
ガラスフリットは、好ましくは（Ａ）Ａｇ２Ｏが５５〜６５質量、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が２５〜３０質量％、（Ｃ−１）ＭｏＯ３が０．５〜１２質量％、（Ｃ−２）ＣｕＯが０．５〜１２質量％から本質的になる。
（Ａ）Ａｇ２Ｏが、好ましくは５５〜６５質量であり、
（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が、好ましくは２５〜３０質量％であり、
（Ｃ−１）ＭｏＯ３が、好ましくは０．５〜１２質量％であり、
（Ｃ−２）ＣｕＯが、好ましくは０．５〜１２質量％である。
ガラスフリットは、好ましくは（Ａ）Ａｇ２Ｏが５５〜６５質量、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が２５〜３０質量％、（Ｃ−１）ＭｏＯ３が０．５〜１２質量％、（Ｃ−２）ＣｕＯが０．５〜１２質量％から本質的になる。
本発明のガラスフリットは、好ましくは（Ａ）Ａｇ２Ｏと、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５と、（Ｃ）ＺｎＯ及びＣｕＯから本質的になる。ガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、低温（例えば５００℃以下）での優れた接着性を有する。またガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、接着後の熱サイクルにおける優れた熱応力抵抗性を有する。
ガラスフリットは、以下の組成を有することが好ましい。
（Ａ）Ａｇ２Ｏが、好ましくは４０〜７０質量％、より好ましくは４５〜７０質量％、さらに好ましくは５０〜６８質量％である。
（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が、好ましくは１０〜４０質量％、より好ましくは１２〜３５質量％、さらに好ましくは１５〜３０質量％である。
（Ｃ−１）ＺｎＯが、好ましくは０．５〜３０質量％、より好ましくは０．５〜２０質量％、より好ましくは０．５〜１５質量％、さらに好ましくは０．５〜１０質量％、特に好ましくは０．５〜８質量％である。
（Ｃ−２）ＣｕＯが、好ましくは０．５〜１５質量％、より好ましくは０．５〜１２質量％、さらに好ましくは０．５〜１０質量％である。
成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が、好ましくは１．８〜３．２であり、より好ましくは１．８〜３．０であり、さらに好ましくは１．９５〜２．７であり、特に好ましくは１．９５〜２．６である。
成分（Ｃ）のＺｎＯとＣｕＯの質量比（ＺｎＯ：ＣｕＯ）が、好ましくは１２：１〜１：１２であり、より好ましくは１０：１〜１：１０、特に好ましくは５：１〜１：５である。
（Ａ）Ａｇ２Ｏが、好ましくは４０〜７０質量％、より好ましくは４５〜７０質量％、さらに好ましくは５０〜６８質量％である。
（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が、好ましくは１０〜４０質量％、より好ましくは１２〜３５質量％、さらに好ましくは１５〜３０質量％である。
（Ｃ−１）ＺｎＯが、好ましくは０．５〜３０質量％、より好ましくは０．５〜２０質量％、より好ましくは０．５〜１５質量％、さらに好ましくは０．５〜１０質量％、特に好ましくは０．５〜８質量％である。
（Ｃ−２）ＣｕＯが、好ましくは０．５〜１５質量％、より好ましくは０．５〜１２質量％、さらに好ましくは０．５〜１０質量％である。
成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が、好ましくは１．８〜３．２であり、より好ましくは１．８〜３．０であり、さらに好ましくは１．９５〜２．７であり、特に好ましくは１．９５〜２．６である。
成分（Ｃ）のＺｎＯとＣｕＯの質量比（ＺｎＯ：ＣｕＯ）が、好ましくは１２：１〜１：１２であり、より好ましくは１０：１〜１：１０、特に好ましくは５：１〜１：５である。
ガラスフリットは、好ましくは（Ａ）Ａｇ２Ｏが４０〜７０質量％、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が１０〜４０質量％、（Ｃ−１）ＺｎＯが０．５〜３０質量％、（Ｃ−２）ＣｕＯが０．５〜１５質量％から本質的になり、成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が、１．８〜３．２であり、成分（Ｃ）のＺｎＯとＣｕＯの質量比（ＺｎＯ：ＣｕＯ）が１２：１〜１：１２である。
ガラスフリットは、以下の組成を有することが好ましい。
（Ａ）Ａｇ２Ｏが、好ましくは５５〜６５質量であり、
（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が、好ましくは２５〜３０質量％であり、
（Ｃ−１）ＺｎＯが、好ましくは０．５〜１０質量％であり、
（Ｃ−２）ＣｕＯが、好ましくは０．５〜１０質量％である。
ガラスフリットは、好ましくは（Ａ）Ａｇ２Ｏが５５〜６５質量、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が２５〜３０質量％、（Ｃ−１）ＺｎＯが０．５〜１０質量％、（Ｃ−２）ＣｕＯが０．５〜１０質量％から本質的になる。
（Ａ）Ａｇ２Ｏが、好ましくは５５〜６５質量であり、
（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が、好ましくは２５〜３０質量％であり、
（Ｃ−１）ＺｎＯが、好ましくは０．５〜１０質量％であり、
（Ｃ−２）ＣｕＯが、好ましくは０．５〜１０質量％である。
ガラスフリットは、好ましくは（Ａ）Ａｇ２Ｏが５５〜６５質量、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が２５〜３０質量％、（Ｃ−１）ＺｎＯが０．５〜１０質量％、（Ｃ−２）ＣｕＯが０．５〜１０質量％から本質的になる。
ガラスフリットは、好ましくは（Ａ）Ａｇ２Ｏと、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５と、（Ｃ）ＭｏＯ３、ＺｎＯ及びＣｕＯから本質的になる。ガラススリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、低温（例えば５００℃以下）での優れた接着性を有する。また、ガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、接着後に優れた熱応力抵抗性を有する。
ガラスフリットは、以下の組成を有することが好ましい。
（Ａ）Ａｇ２Ｏが、好ましくは４０〜７０質量％、より好ましくは４５〜７０質量％、さらに好ましくは５０〜６８質量％である。
（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が、好ましくは１０〜４０質量％、より好ましくは１２〜３５質量％、さらに好ましくは１５〜３２質量％である。
（Ｃ−１）ＭｏＯ３が、好ましくは０．５〜３０質量％、より好ましくは０．５〜２０質量％、より好ましくは０．５〜１５質量％、さらに好ましくは０．５〜１２質量％、特に好ましくは０．５〜１０質量％である。
（Ｃ−２）ＺｎＯが、好ましくは０．５〜１５質量％、より好ましくは０．５〜１２質量％、さらに好ましくは０．５〜１０質量％である。
（Ｃ−３）ＣｕＯが、好ましくは０．５〜１５質量％、より好ましくは０．５〜１２質量％、さらに好ましくは０．５〜１０質量％である。
成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が、好ましくは１．８〜３．２であり、より好ましくは１．８〜３．０であり、さらに好ましくは１．９５〜２．７であり、特に好ましくは１．９５〜２．６である。
成分（Ｃ）のＭｏＯ３と、ＺｎＯ及びＣｕＯの合計の質量比（ＭｏＯ３：ＺｎＯ及びＣｕＯの合計）が、好ましくは１２：１〜１：１２であり、より好ましくは１０：１〜１：１０、特に好ましくは８：１〜１：８である。また、ＺｎＯ及びＣｕＯの合計質量中、ＺｎＯとＣｕＯの質量比（ＺｎＯ：ＣｕＯ）は、好ましくは１２：１〜１：１２であり、より好ましくは１０：１〜１；１０である。
（Ａ）Ａｇ２Ｏが、好ましくは４０〜７０質量％、より好ましくは４５〜７０質量％、さらに好ましくは５０〜６８質量％である。
（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が、好ましくは１０〜４０質量％、より好ましくは１２〜３５質量％、さらに好ましくは１５〜３２質量％である。
（Ｃ−１）ＭｏＯ３が、好ましくは０．５〜３０質量％、より好ましくは０．５〜２０質量％、より好ましくは０．５〜１５質量％、さらに好ましくは０．５〜１２質量％、特に好ましくは０．５〜１０質量％である。
（Ｃ−２）ＺｎＯが、好ましくは０．５〜１５質量％、より好ましくは０．５〜１２質量％、さらに好ましくは０．５〜１０質量％である。
（Ｃ−３）ＣｕＯが、好ましくは０．５〜１５質量％、より好ましくは０．５〜１２質量％、さらに好ましくは０．５〜１０質量％である。
成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が、好ましくは１．８〜３．２であり、より好ましくは１．８〜３．０であり、さらに好ましくは１．９５〜２．７であり、特に好ましくは１．９５〜２．６である。
成分（Ｃ）のＭｏＯ３と、ＺｎＯ及びＣｕＯの合計の質量比（ＭｏＯ３：ＺｎＯ及びＣｕＯの合計）が、好ましくは１２：１〜１：１２であり、より好ましくは１０：１〜１：１０、特に好ましくは８：１〜１：８である。また、ＺｎＯ及びＣｕＯの合計質量中、ＺｎＯとＣｕＯの質量比（ＺｎＯ：ＣｕＯ）は、好ましくは１２：１〜１：１２であり、より好ましくは１０：１〜１；１０である。
ガラスフリットは、好ましくは（Ａ）Ａｇ２Ｏが４０〜７０質量％、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が１０〜４０質量％、（Ｃ−１）ＭｏＯ３が０．５〜３０質量％、（Ｃ−２）ＺｎＯが０．５〜１５質量％、（Ｃ−３）ＣｕＯが０．５〜１５質量％から本質的になり、成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が１．８〜３．２であり、成分（Ｃ）のＭｏＯ３と、ＺｎＯ及びＣｕＯの合計の質量比（ＭｏＯ３：ＺｎＯ及びＣｕＯ）が１２：１〜１：１２であり、ＺｎＯ及びＣｕＯの合計質量中、ＺｎＯとＣｕＯの質量比（ＺｎＯ：ＣｕＯ）が１２：１〜１：１２である。
ガラスフリットは、より詳細には、以下の組成を有することが好ましい。
（Ａ）Ａｇ２Ｏが、好ましくは５５〜６５質量％であり、
（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が、好ましくは２５〜３０質量％であり、
（Ｃ−１）ＭｏＯ３が、好ましくは０．５〜１２質量％であり、
（Ｃ−２）ＺｎＯが、好ましくは０．５〜１０質量％であり、
（Ｃ−３）ＣｕＯが、好ましくは０．５〜５質量％である。
ガラスフリットは、好ましくは（Ａ）Ａｇ２Ｏが５５〜６５質量％、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が２５〜３０質量％、（Ｃ−１）ＭｏＯ３が０．５〜１２質量％、（Ｃ−２）ＺｎＯが０．５〜１０質量％、（Ｃ−３）ＣｕＯが０．５〜５質量％から本質的になる。
（Ａ）Ａｇ２Ｏが、好ましくは５５〜６５質量％であり、
（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が、好ましくは２５〜３０質量％であり、
（Ｃ−１）ＭｏＯ３が、好ましくは０．５〜１２質量％であり、
（Ｃ−２）ＺｎＯが、好ましくは０．５〜１０質量％であり、
（Ｃ−３）ＣｕＯが、好ましくは０．５〜５質量％である。
ガラスフリットは、好ましくは（Ａ）Ａｇ２Ｏが５５〜６５質量％、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が２５〜３０質量％、（Ｃ−１）ＭｏＯ３が０．５〜１２質量％、（Ｃ−２）ＺｎＯが０．５〜１０質量％、（Ｃ−３）ＣｕＯが０．５〜５質量％から本質的になる。
本発明のガラスフリットは、好ましくは（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３、（Ｄ）ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ、ＷＯ３及びＦｅ２Ｏ３からなる群より選ばれる少なくとも１種の酸化物から本質的になる。ガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、低温（例えば５００℃以下）での優れた接着性を有する。また、ガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、接着後に優れた熱応力抵抗性を有する。
ガラスフリットは、以下の組成を有することが好ましい。
（Ａ）Ａｇ２Ｏが、好ましくは４０〜７０質量％、より好ましくは４５〜７０質量％、さらに好ましくは５０〜６８質量％である。
（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が、好ましくは１０〜４０質量％、より好ましくは１２〜３５質量％、さらに好ましくは１５〜３２質量％である。
（Ｃ）ＭｏＯ３が、好ましくは０．５〜３０質量％、より好ましくは０．５〜２０質量％、より好ましくは０．５〜１５質量％、さらに好ましくは０．５〜１０質量％、特に好ましくは０．５〜８質量％である。
（Ｄ）ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ、ＷＯ３及びＦｅ２Ｏ３からなる群より選ばれる少なくとも１種の酸化物が、好ましくは０〜１５質量％、より好ましくは０．５〜１２質量％、さらに好ましくは１〜１０質量％であり、特に好ましくは１〜８質量％である。
成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が、好ましくは１．８〜３．２であり、より好ましくは１．８〜３．０であり、さらに好ましくは１．９５〜２．７であり、特に好ましくは１．９５〜２．６である。
（Ａ）Ａｇ２Ｏが、好ましくは４０〜７０質量％、より好ましくは４５〜７０質量％、さらに好ましくは５０〜６８質量％である。
（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が、好ましくは１０〜４０質量％、より好ましくは１２〜３５質量％、さらに好ましくは１５〜３２質量％である。
（Ｃ）ＭｏＯ３が、好ましくは０．５〜３０質量％、より好ましくは０．５〜２０質量％、より好ましくは０．５〜１５質量％、さらに好ましくは０．５〜１０質量％、特に好ましくは０．５〜８質量％である。
（Ｄ）ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ、ＷＯ３及びＦｅ２Ｏ３からなる群より選ばれる少なくとも１種の酸化物が、好ましくは０〜１５質量％、より好ましくは０．５〜１２質量％、さらに好ましくは１〜１０質量％であり、特に好ましくは１〜８質量％である。
成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が、好ましくは１．８〜３．２であり、より好ましくは１．８〜３．０であり、さらに好ましくは１．９５〜２．７であり、特に好ましくは１．９５〜２．６である。
ガラスフリットは、好ましくは（Ａ）Ａｇ２Ｏが４０〜７０質量％、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５が１０〜４０質量％、（Ｃ）ＭｏＯ３が０．５〜３０質量％、（Ｄ）ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ、ＷＯ３及びＦｅ２Ｏ３からなる群より選ばれる少なくとも１種の酸化物が０〜１５質量％から本質的になり、成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が１．８〜３．２である。
ガラスフリットは、以下の方法により製造することができる。
まず、ガラスフリットの原料は、酸化物の粉末を計量し、混合して、るつぼに投入する。ガラスフリットの原料は、原料である酸化物の粉末を投入したるつぼごと加熱したオーブンに入れる。ガラスフリットの原料は、オーブン内で、ガラスフリットの溶融温度（Melt temperature）（例えば７００℃）まで昇温し、溶融温度で原料が充分に溶融するまでオーブン内で維持する。次に、溶融したガラスフリットの原料は、るつぼごとオーブンから取り出し、溶融した原料を均一に撹拌する。次に、溶融したガラスフリットの原料は、ステンレス製の２本ロール上に置き、２本ロールをモータで回転させて、溶融したガラスフリットの原料を混練しながら、室温で急冷して、板状のガラスを形成した。最後に板状のガラスは、乳鉢で粉砕しながら均一に分散し、メッシュのふるいでふるい分級し、所望の粒度を有するガラスフリットを得ることができる。１００メッシュのふるいを通過し２００メッシュのふるい上に残るものにふるい分けることによって、平均直径１４９μｍ（メジアン径）のガラスフリットを得ることができる。なお、ガラスフリットの大きさは、本実施例に限定されるものではなく、ふるいのメッシュの大きさによって、より大きな平均直径又はより小さな平均直径を有するガラスフリットを得ることができる。
まず、ガラスフリットの原料は、酸化物の粉末を計量し、混合して、るつぼに投入する。ガラスフリットの原料は、原料である酸化物の粉末を投入したるつぼごと加熱したオーブンに入れる。ガラスフリットの原料は、オーブン内で、ガラスフリットの溶融温度（Melt temperature）（例えば７００℃）まで昇温し、溶融温度で原料が充分に溶融するまでオーブン内で維持する。次に、溶融したガラスフリットの原料は、るつぼごとオーブンから取り出し、溶融した原料を均一に撹拌する。次に、溶融したガラスフリットの原料は、ステンレス製の２本ロール上に置き、２本ロールをモータで回転させて、溶融したガラスフリットの原料を混練しながら、室温で急冷して、板状のガラスを形成した。最後に板状のガラスは、乳鉢で粉砕しながら均一に分散し、メッシュのふるいでふるい分級し、所望の粒度を有するガラスフリットを得ることができる。１００メッシュのふるいを通過し２００メッシュのふるい上に残るものにふるい分けることによって、平均直径１４９μｍ（メジアン径）のガラスフリットを得ることができる。なお、ガラスフリットの大きさは、本実施例に限定されるものではなく、ふるいのメッシュの大きさによって、より大きな平均直径又はより小さな平均直径を有するガラスフリットを得ることができる。
[ダイアタッチ材又は導電性ペースト]
ガラスフリットは、導電性や熱伝導性を要求されるダイアタッチ材又は導電性ペーストに使用することができる。
ダイアタッチ材又は導電性ペーストは、ガラスフリットと、導電性粉末と、有機ビヒクルとを含有する。ダイアタッチ材又は導電性ペースト中のガラスフリットは、例えば、シリコンチップ（ダイ）と金属セラミック等の基板とをダイアタッチ材又は導電性ペーストを用いて接着した場合に、チップと基板の接触抵抗を小さくするために重要な役割を担う。ガラスフリットと、導電性粉末と、有機ビヒクルとを含有するダイアタッチ材又は導電性ペーストは、低温（例えば５００℃以下）での優れた接着性を有する。また、本発明のガラスフリットを含むダイアタッチ材又は導電性ペーストは、接着後に優れた熱応力抵抗性を有する。
ガラスフリットは、導電性や熱伝導性を要求されるダイアタッチ材又は導電性ペーストに使用することができる。
ダイアタッチ材又は導電性ペーストは、ガラスフリットと、導電性粉末と、有機ビヒクルとを含有する。ダイアタッチ材又は導電性ペースト中のガラスフリットは、例えば、シリコンチップ（ダイ）と金属セラミック等の基板とをダイアタッチ材又は導電性ペーストを用いて接着した場合に、チップと基板の接触抵抗を小さくするために重要な役割を担う。ガラスフリットと、導電性粉末と、有機ビヒクルとを含有するダイアタッチ材又は導電性ペーストは、低温（例えば５００℃以下）での優れた接着性を有する。また、本発明のガラスフリットを含むダイアタッチ材又は導電性ペーストは、接着後に優れた熱応力抵抗性を有する。
ダイアタッチ材又は導電性ペーストに含まれる導電性粉末は、銀粉末であることが好ましい。
ダイアタッチ材又は導電性ペースト中のガラスフリットの含有量は、導電性粉末１００質量部に対して、好ましくは０．１〜１０質量部であり、より好ましくは０．２〜５質量部であり、さらに好ましくは０．３〜３質量部である。
ダイアタッチ材又は導電性ペーストは、有機ビヒクルを含む。有機ビヒクルとしては、有機バインダ及び溶剤が例示できる。有機バインダ及び溶剤は、ダイアタッチ材又は導電性ペーストの粘度調整等の役割を担うものであり、いずれも特に限定されない。有機バインダを溶剤に溶解させて使用することもできる。
有機バインダとしては、セルロース系樹脂（例えばエチルセルロース、ニトロセルロース等）、（メタ）アクリル系樹脂（例えばポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート等）から選択して用いることができる。ダイアタッチ材又は導電性ペースト中の有機バインダの含有量は、導電性粉末１００質量部に対し、通常０．２〜３０質量部であり、好ましくは０．４〜５質量部である。
溶剤としては、アルコール類（例えばターピネオール、α−ターピネオール、β−ターピネオール等）、エステル類（例えばヒドロキシ基含有エステル類、２，２，４―トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチラート、ブチルカルビトールアセテート等）から１種又は２種以上を選択して使用することができる。ダイアタッチ材又は導電性ペースト中の溶剤の含有量は、導電性粉末１００質量部に対し、通常０．５〜３０質量部であり、好ましくは５〜２５質量部である。
導電性ペーストには、添加剤として、可塑剤、消泡剤、分散剤、レベリング剤、安定剤及び密着促進剤などから選択したものを、必要に応じてさらに配合することができる。これらのうち、可塑剤としては、フタル酸エステル類、グリコール酸エステル類、リン酸エステル類、セバチン酸エステル類、アジピン酸エステル類及びクエン酸エステル類などから選択したものを用いることができる。
次に、ダイアタッチ材又は導電性ペーストの製造方法について説明する。
ダイアタッチ材又は導電性ペーストの製造方法は、導電性粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルとを混合する工程を有する。導電性ペーストは、有機バインダ及び溶剤に対して、導電性粉末、ガラスフリット、並びに、場合によりその他の添加剤及び添加粒子を、添加し、混合し、分散することにより製造することができる。
混合は、例えばプラネタリーミキサーで行うことができる。また、分散は、三本ロールミルによって行うことができる。混合及び分散は、これらの方法に限定されるものではなく、公知の様々な方法を使用することができる。
[封着材]
本発明のガラスフリットは、導電性や熱伝導性を要求されない、電子部品等の封着材料に用いることができる。封着材は、本発明のガラスフリットと、線膨張係数を調整するための無機充填材とを含むことが好ましい。封着材は、ガラスフリット、さらに有機ビヒクルを含有させた、ペースト状の封着材であってもよい。有機ビヒクルは、ダイアタッチ材又は導電性ペーストに用いる有機ビヒクルと同様の物を用いることができる。線膨張係数を調整するための無機充填材としては、シリカ、アルミナ、ジルコニア、ケイ酸ジルコニウム、チタン酸アルミニウム、ムライト、コージェライト、ユークリプタイト、スポジュメン、リン酸ジルコニウム系化合物、酸化スズ系化合物及び石英固溶体からなる群より選ばれる少なくとも１種の無機充填材を用いることができる。
本発明のガラスフリットは、導電性や熱伝導性を要求されない、電子部品等の封着材料に用いることができる。封着材は、本発明のガラスフリットと、線膨張係数を調整するための無機充填材とを含むことが好ましい。封着材は、ガラスフリット、さらに有機ビヒクルを含有させた、ペースト状の封着材であってもよい。有機ビヒクルは、ダイアタッチ材又は導電性ペーストに用いる有機ビヒクルと同様の物を用いることができる。線膨張係数を調整するための無機充填材としては、シリカ、アルミナ、ジルコニア、ケイ酸ジルコニウム、チタン酸アルミニウム、ムライト、コージェライト、ユークリプタイト、スポジュメン、リン酸ジルコニウム系化合物、酸化スズ系化合物及び石英固溶体からなる群より選ばれる少なくとも１種の無機充填材を用いることができる。
本発明のガラスフリットを含む封着材は、被封着物に対する熱的影響が少なく、熱エネルギー消費の低減が可能な低温（例えば５００℃）以下で封着加工することができる。本発明のガラスフリットを含む封着材は、封着後も熱サイクルにおける優れた熱応力抵抗性を有する。本発明のガラスフリットを含む封着材は、例えば半導体デバイス、半導体パッケージや、蛍光表示パネル、プラズマディスプレイパネル、有機ＥＬディスプレイパネル、液晶ディスプレイパネル等の各種電子部品・電気製品の開口部や接合部の封着材料として好適に用いることができる。
以下、実施例及び比較例によって、本発明を更に詳細に説明する。本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
（実施例及び比較例）
表１及び表２に、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＴｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ２、ＭｇＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ及びＰ２Ｏ５からなる群より選ばれる１種の第一の酸化物から本質的になる、ガラスフリットを示す。
表１中、比較例１は、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、有害物質である（Ｃ’）ＴｅＯ２から本質的になる、ガラスフリットである。表１中、比較例２は、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、有害物質である（Ｃ”）Ｓｂ２Ｏ３から本質的になる、ガラスフリットである。
表１及び表２に、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＴｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ２、ＭｇＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ及びＰ２Ｏ５からなる群より選ばれる１種の第一の酸化物から本質的になる、ガラスフリットを示す。
表１中、比較例１は、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、有害物質である（Ｃ’）ＴｅＯ２から本質的になる、ガラスフリットである。表１中、比較例２は、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、有害物質である（Ｃ”）Ｓｂ２Ｏ３から本質的になる、ガラスフリットである。
ガラスフリットの製造方法は、以下のとおりである。
表１及び２に示す、ガラスフリットの原料は、酸化物の粉末を計量し、混合して、るつぼ（例えば、磁性るつぼ：Fisher Brand製、high temperature porcelain、サイズ１０ｍL）に投入した。ガラスフリットの原料は、原料である酸化物の粉末を投入したるつぼごと、オーブン（オーブン：JELENKO製、JEL-BURN JM、MODEL：３３５３００）に入れた。ガラスフリットの原料は、オーブン内で表１及び表２のそれぞれにMelt Tempで示された溶融温度（Melt temperature）まで昇温した。ガラスフリットの原料は、オーブン内で溶融温度に維持して十分に溶融させた。次に、溶融したガラスフリットの原料は、るつぼごとオーブンから取り出し、溶融した原料を均一に撹拌した。次に、溶融したガラスフリットの原料は、回転するステンレス製の直径１．８６インチ（inch）の２本ロール上に載置し、２本のロールをモータ（BODUNE.D,C.MOTOR 115V）で回転させて、溶融したガラスフリットの原料を混練しながら、室温で急冷して、板状のガラスを形成した。最後に板状のガラスは、乳鉢で粉砕しながら均一に分散し、１００メッシュのふるい及び２００メッシュのふるいでふるい分級し、所望の大きさのふる分級されたガラスフリットが得られた。ガラスフリットは、１００メッシュのふるいを通過し２００メッシュのふるい上に残るものをふるい分級することによって、平均直径１４９μｍ（メジアン径）のガラスフリットが得られた。ガラスフリットは、ふるいのメッシュの大きさによって、より大きな平均直径又はより小さな平均直径を有するガラスフリットを得ることができる。
表１及び２に示す、ガラスフリットの原料は、酸化物の粉末を計量し、混合して、るつぼ（例えば、磁性るつぼ：Fisher Brand製、high temperature porcelain、サイズ１０ｍL）に投入した。ガラスフリットの原料は、原料である酸化物の粉末を投入したるつぼごと、オーブン（オーブン：JELENKO製、JEL-BURN JM、MODEL：３３５３００）に入れた。ガラスフリットの原料は、オーブン内で表１及び表２のそれぞれにMelt Tempで示された溶融温度（Melt temperature）まで昇温した。ガラスフリットの原料は、オーブン内で溶融温度に維持して十分に溶融させた。次に、溶融したガラスフリットの原料は、るつぼごとオーブンから取り出し、溶融した原料を均一に撹拌した。次に、溶融したガラスフリットの原料は、回転するステンレス製の直径１．８６インチ（inch）の２本ロール上に載置し、２本のロールをモータ（BODUNE.D,C.MOTOR 115V）で回転させて、溶融したガラスフリットの原料を混練しながら、室温で急冷して、板状のガラスを形成した。最後に板状のガラスは、乳鉢で粉砕しながら均一に分散し、１００メッシュのふるい及び２００メッシュのふるいでふるい分級し、所望の大きさのふる分級されたガラスフリットが得られた。ガラスフリットは、１００メッシュのふるいを通過し２００メッシュのふるい上に残るものをふるい分級することによって、平均直径１４９μｍ（メジアン径）のガラスフリットが得られた。ガラスフリットは、ふるいのメッシュの大きさによって、より大きな平均直径又はより小さな平均直径を有するガラスフリットを得ることができる。
各ガラスフリットは、示差走査熱量計を用いて、以下の条件でＤＳＣ曲線を測定した。ガラスフリットのガラス転移温度（Ｔｇ）、結晶化温度（Ｔｃ）、結晶再溶融温度（Ｔｒ）は、示差走査熱量測定によりＤＳＣ曲線から測定した。
〔ガラス転移温度（Ｔｇ）〕
ガラスフリットは、ＳＩＭＡＤＺＵ社製の示差走査熱量計ＤＳＣ−５０を用いて、昇温速度２５℃／ｍｉｎで３７０℃まで昇温し、約５０℃〜約３７０℃の温度領域のＤＳＣ曲線を測定した。ガラス転移温度（Ｔｇ）は、ＤＳＣ曲線の最初の変曲点の温度とした。ＤＳＣ曲線において、変曲点が確認できない場合には、ガラスフリットのガラス転移温度（Ｔｇ）は、測定不可として、表１〜３中に「（−）」で示した。
ガラスフリットは、ＳＩＭＡＤＺＵ社製の示差走査熱量計ＤＳＣ−５０を用いて、昇温速度２５℃／ｍｉｎで３７０℃まで昇温し、約５０℃〜約３７０℃の温度領域のＤＳＣ曲線を測定した。ガラス転移温度（Ｔｇ）は、ＤＳＣ曲線の最初の変曲点の温度とした。ＤＳＣ曲線において、変曲点が確認できない場合には、ガラスフリットのガラス転移温度（Ｔｇ）は、測定不可として、表１〜３中に「（−）」で示した。
〔結晶化温度（Ｔｃ）〕
結晶化温度（Ｔｃ）は、ガラス転移温度（Ｔｇ）と同一条件で測定したＤＳＣ曲線において、発熱ピークのピークトップによって示される温度とした。発熱ピークが複数ある場合には、最初の発熱ピークのピークトップの温度をＴＣ１とし、２番目の発熱ピークのピークトップの温度をＴＣ２とし、３番目の発熱ピークのピークトップの温度をＴＣ３とした。表１〜１３には、発熱ピークのピークトップの発熱量（Ｊ／ｇ）を示した。
結晶化温度（Ｔｃ）は、ガラス転移温度（Ｔｇ）と同一条件で測定したＤＳＣ曲線において、発熱ピークのピークトップによって示される温度とした。発熱ピークが複数ある場合には、最初の発熱ピークのピークトップの温度をＴＣ１とし、２番目の発熱ピークのピークトップの温度をＴＣ２とし、３番目の発熱ピークのピークトップの温度をＴＣ３とした。表１〜１３には、発熱ピークのピークトップの発熱量（Ｊ／ｇ）を示した。
〔結晶再溶融温度（Ｔｒ）〕
結晶再溶融温度（Ｔｒ）は、ガラス転移温度（Ｔｇ）と同一条件で測定したＤＳＣ曲線において、吸熱ピークのピークトップによって示される温度とした。吸熱ピークが複数ある場合には、最初の吸熱ピークのピークトップの温度をＴＲ１とし、２番目の吸熱ピークのピークトップの温度をＴＲ２とし、３番目の吸熱ピークのピークトップの温度をＴＲ３とした。表１〜１３には、吸熱ピークのピークトップの発熱量（Ｊ／ｇ）を「マイナス（−）」の値で示した。
結晶再溶融温度（Ｔｒ）は、ガラス転移温度（Ｔｇ）と同一条件で測定したＤＳＣ曲線において、吸熱ピークのピークトップによって示される温度とした。吸熱ピークが複数ある場合には、最初の吸熱ピークのピークトップの温度をＴＲ１とし、２番目の吸熱ピークのピークトップの温度をＴＲ２とし、３番目の吸熱ピークのピークトップの温度をＴＲ３とした。表１〜１３には、吸熱ピークのピークトップの発熱量（Ｊ／ｇ）を「マイナス（−）」の値で示した。
得られたガラスフリットを目視で確認し、均質なガラスフリットを良（Good）、不均質なガラスフリットを不可（Bad）とした。結果を表１及び表２に示す。
表１及び表２に示すように、実施例のガラスフリットは、鉛（Ｐｂ）、ヒ素（Ａｓ）、テルル（Ｔｅ）及びアンチモン（Ｓｂ）の有害物質を含まない。実施例のガラスフリットは、２５０℃以下のガラス転移温度（Ｔｇ）、３５０℃以下の結晶化温度（Ｔｃ）及び４５０℃以下の結晶再溶融温度（Ｔｒ）を有する。実施例のガラスフリットは、ダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材に使用することができる。実施例のガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、比較的低い処理温度（例えば４５０℃以下）で、流動性が向上し、被着界面に十分に濡れ広がることによって、被着対象を接着することができる。実施例のガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材を用いた装置は、接着後に熱サイクルが行われる環境に置かれた場合に、被着対象と結晶化したガラス構造との膨張率の不整合によって生じる亀裂等を抑制することができる。実施例のガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、高い熱応力抵抗性を発揮し、高い接着性が維持される。
表３〜表４は、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ−１）ＭｏＯ３、（Ｃ−２）ＴｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ２、ＭｇＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ及びＰ２Ｏ５からなる群より選ばれる１種の酸化物から本質的になる、ガラスフリットを示す。表３〜表４に示すガラスフリットは、表３〜表４に示す組成としたこと以外は、実施例１と同様の方法によって、ガラスフリットを製造し、実施例１と同様に評価した。
表３〜表４に示すように、２種の（Ｃ）成分を含む実施例のガラスフリットは、２００℃以下のガラス転移温度（Ｔｇ）、３５０℃以下の結晶化温度（Ｔｃ）及び４５０℃以下の結晶再溶融温度（Ｔｒ）を有する。実施例のガラスフリットは、ダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材に使用することができる。実施例のガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、４５０℃以下の比較的低い処理温度で優れた接着性を有する。実施例のガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材を用いた装置は、接着後に熱サイクルが行われる環境におかれた場合に、高い熱応力抵抗性を発揮し、高い接着性が維持される。
表５〜表６は、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ−１）ＭｏＯ３、（Ｃ−２）ＺｎＯから実質的になる、ガラスフリットを示す。表５〜表６に示すガラスフリットは、表５〜表６に示す組成としたこと以外は、実施例１と同様の方法によって、ガラスフリットを製造し、実施例１と同様に評価した。
表７は、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ−１）ＭｏＯ３、（Ｃ−２）ＣｕＯから本質的になる、ガラスフリットを示す。表７に示すガラスフリットは、表７に示す組成としたこと以外は、実施例１と同様の方法によって、ガラスフリットを製造し、実施例１と同様に評価した。
表８は、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ−１）ＺｎＯ、（Ｃ−２）ＣｕＯから本質的になる、ガラスフリットを示す。表８に示すガラスフリットは、表８に示す組成としたこと以外は、実施例１と同様の方法によって、ガラスフリットを製造し、実施例１と同様に評価した。
表５〜表８に示すように、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３及びＺｎＯ、ＭｏＯ３及びＣｕＯ、又は、ＺｎＯ及びＣｕＯのいずれかからなる、２種の（Ｃ）成分を含む実施例のガラスフリットは、２００℃以下のガラス転移温度（Ｔｇ）、３５０℃以下の結晶化温度（Ｔｃ）及び４６５℃以下の結晶再溶融温度（Ｔｒ）を有する。実施例のガラスフリットは、ダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材に使用することができる。実施例のガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、例えば４６５℃以下の比較的低い処理温度で被着対象を接着することができる。実施例のガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材を用いた装置は、接着後に熱サイクルが行われる環境に置かれた場合に、高い熱応力抵抗性を発揮し、高い接着性が維持される。
表９は、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ−１）ＭｏＯ３、（Ｃ−２）ＺｎＯから本質的になるガラスフリットであって、（Ａ）成分の含有量が５０〜６５質量であり、（Ｂ）成分の含有量が１５〜３０質量％であり、（Ｃ−１）成分の含有量が０〜１２質量％であり、（Ｃ−２）成分の含有量が０〜１２質量％である、ガラスフリットを示す。
表９に示すように、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ−１）ＭｏＯ３、（Ｃ−２）ＺｎＯから本質的になるガラスフリットは、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１８０℃以下であり、結晶化温度（Ｔｃ）が３５０℃以下であり、結晶再溶融温度（Ｔｒ）が４６５℃以下である。実施例のガラスフリットは、ダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材に使用することができる。実施例のガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、例えば４６５℃以下の比較的低い処理温度で被着対象を接着することができる。実施例のガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材を用いた装置は、接着後に熱サイクルが行われる環境に置かれた場合に、高い熱応力抵抗性を発揮し、高い接着性が維持される。
表１０に、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ−１）ＭｏＯ３、（Ｃ−２）ＣｕＯから本質的になるガラスフリットであって、（Ａ）成分の含有量が５０〜６５質量であり、（Ｂ）成分の含有量が１５〜３０質量％であり、（Ｃ−１）成分の含有量が０〜１０質量％であり、（Ｃ−２）成分の含有量が０〜１２質量％である、ガラスフリットを示す。
表１０に示すように、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ−１）ＭｏＯ３、（Ｃ−２）ＣｕＯから本質的になるガラスフリットは、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２００℃以下であり、結晶化温度（Ｔｃ）が３５０℃以下であり、結晶再溶融温度（Ｔｒ）が４５０℃以下である。実施例のガラスフリットは、ダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材に使用することができる。実施例のガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、４５０℃以下の比較的低い処理温度で被着対象を接着することができる。実施例のガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材を用いた装置は、接着後に熱サイクルが行われる環境に置かれた場合に、高い熱応力抵抗性を発揮し、高い接着性が維持される。
表１０は、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ−１）ＭｏＯ３、（Ｃ−２）ＺｎＯ、（Ｃ−３）ＣｕＯから本質的になる、ガラスフリットを示す。表１１に示すガラスフリットは、表１１に示す組成としたこと以外は、実施例１と同様の方法によって、ガラスフリットを製造し、実施例１と同様に評価した。
表１１に示すように、３種の（Ｃ）成分を含む実施例のガラスフリットは、２００℃以下のガラス転移温度（Ｔｇ）、３５０℃以下の結晶化温度（Ｔｃ）及び４５０℃以下の結晶再溶融温度（Ｔｒ）を有する。実施例のガラスフリットは、ダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材に使用することができる。実施例のガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、４５０℃以下の比較的低い処理温度で被着対象を接着することができる。実施例のガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材を用いた装置は、接着後に熱サイクルが行われる環境に置かれた場合に、高い熱応力抵抗性を発揮し、高い接着性が維持される。
表１２は、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３、（Ｄ）ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ、ＷＯ３及びＦｅ２Ｏ３からなる群より選ばれる少なくとも１種の酸化物から本質的なる、ガラスフリットを示す。表１２示すガラスフリットは、表１２に示す組成としたこと以外は、実施例１と同様の方法によって、ガラスフリットを製造し、実施例１と同様に評価した。
表１２に示すように、（Ｄ）成分を含む実施例のガラスフリットは、２００℃以下のガラス転移温度（Ｔｇ）、３５０℃以下の結晶化温度（Ｔｃ）及び４５０℃以下の結晶再溶融温度（Ｔｒ）を有する。実施例のガラスフリットは、ダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材に使用することができる。実施例のガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、４５０℃以下の比較的低い処理温度で被着対象を接着することができる。実施例のガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材を用いた装置は、接着後に熱サイクルが行われる環境に置かれた場合に、高い熱応力抵抗性を発揮し、高い接着性が維持される。
表１３は、（Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ−１）ＭｏＯ３、（Ｃ−２）ＺｎＯから本質的になり、成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が異なる、ガラスフリットを示す。表１１に示すガラスフリットは、表１１に示す組成としたこと以外は、実施例１と同様の方法によって、ガラスフリットを製造し、実施例１と同様に評価した。
表１３に示すように、実施例のガラスフリットは、成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が１．８〜３．２であると、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２００℃以下、結晶化温度（Ｔｃ）が１５０〜３２０℃、結晶再溶融温度（Ｔｒ）が４６５℃以下である。実施例のガラスフリットは、比較的低温（例えば４６５℃以下）で融解しやすい。実施例のガラスフリットは、ダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材に使用することができる。実施例のガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材は、接着界面に濡れ広がることによって、接着性を改善することができる。実施例のガラスフリットは、４６５℃以下の低温域で再結晶化することによって、結晶の状態が共晶状態に近づく。実施例のガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材を用いた装置は、高い熱応力抵抗性を発揮することができる。ガラスフリットは、成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が１．８未満であるとガラス化しない。また、ガラスフリットは、成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が３．２を超えると、結晶化温度（Ｔｃ）が２００℃以下と比較的低温であって、結晶再溶融温度（Ｔｒ）が３６０℃前後と比較的低温となる。成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が３．３を超えるガラスフリットを含むダイアタッチ材、導電性ペースト又は封着材を用いた装置は、比較的高い温度で熱サイクルが行われる環境に置かれた場合に、ガラスフリットが溶融してしまい、良好な接着性を維持できない場合がある。
本発明は、鉛（Ｐｂ）、ヒ素（Ａｓ）、テルル（Ｔｅ）及びアンチモン（Ｓｂ）の有害物質を含まない低融点のガラスフリットである。本発明のガラスフリットは、例えば３００℃以下のガラス転移温度（Ｔｇ）と、４００℃以下の結晶化温度（Ｔｃ）と、５００℃以下の結晶再溶融温度（Ｔｒ）とを有する。本発明のガラスフリットは、集積回路デバイスを収容するセラミックパッケージや表示デバイス等の電子部品等に用いることができ、その他に熱に極めて敏感な被着対象を接着する際に用いることができる、ダイアタッチ材、封着材又は電極形成用等の導電性ペースト等に用いることができ、産業上有用である。
Claims (21)
- （Ａ）Ａｇ２Ｏと、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５と、（Ｃ）ＭｏＯ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＴｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ２、ＭｇＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ及びＰ２Ｏ５からなる群より選ばれる少なくとも１種の第一の酸化物とを含む、ガラスフリット。
- さらに（Ｄ）ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ、ＷＯ３及びＦｅ２Ｏ３からなる群より選ばれる少なくとも１種の第二の酸化物を含む、請求項１記載のガラスフリット。
- 成分（Ｃ）が、ＭｏＯ３及びＺｎＯ、ＭｏＯ３及びＣｕＯ、又は、ＺｎＯ及びＣｕＯである、請求項１記載のガラスフリット。
- 成分（Ｃ）が、ＭｏＯ３、ＺｎＯ及びＣｕＯである、請求項１記載のガラスフリット。
- （Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＴｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ２、ＭｇＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ及びＰ２Ｏ５からなる群より選ばれる少なくとも１種の第一の酸化物から本質的になる、ガラスフリット。
- （Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＴｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ２、ＭｇＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ及びＰ２Ｏ５からなる群より選ばれる２種の第一の酸化物から本質的になる、ガラスフリット。
- （Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＴｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ２、ＭｇＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ及びＰ２Ｏ５からなる群より選ばれる少なくとも１種の第一の酸化物、（Ｄ）ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ、ＷＯ３及びＦｅ２Ｏ３からなる群より選ばれる少なくとも１種の第二の酸化物から本質的になる、ガラスフリット。
- （Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３から本質的になる、ガラスフリット。
- （Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３及びＺｎＯから本質的になる、ガラスフリット。
- （Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３及びＣｕＯから本質的になる、ガラスフリット。
- （Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＺｎＯ及びＣｕＯから本質的になる、ガラスフリット。
- （Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３、ＺｎＯ及びＣｕＯから本質的になる、ガラスフリット。
- （Ａ）Ａｇ２Ｏ、（Ｂ）Ｖ２Ｏ５、（Ｃ）ＭｏＯ３、（Ｄ）ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ、ＷＯ３及びＦｅ２Ｏ３からなる群より選ばれる少なくとも１種の酸化物から本質的になる、ガラスフリット。
- 酸化物換算で、全質量に対して、成分（Ａ）の含有量が４０〜７０質量％、成分（Ｂ）の含有量が１０〜４０質量％であり、成分（Ｃ）の含有量が０．５〜３０質量％である、請求項１〜１３のいずれか１項記載のガラスフリット。
- 酸化物換算で、全質量に対して、成分（Ｃ）のうち、ＭｏＯ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＴｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ２、ＭｇＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＢａＯ又はＰ２Ｏ５のいずれか１種の第一の酸化物の含有量が０．５〜１５質量％である、請求項１４記載のガラスフリット。
- 成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比（Ａｇ２Ｏ／Ｖ２Ｏ５）が１．８〜３．２である、請求項１〜１５のいずれか１項記載のガラスフリット。
- 酸化物換算で、全質量に対して、成分（Ｄ）の含有量が０〜１５質量％である、請求項２、１３〜１６のいずれか１項記載のガラスフリット。
- 成分（Ｃ）のＭｏＯ３とＺｎＯとの質量比（ＭｏＯ３：ＺｎＯ）が１２：１〜１：１２である請求項９、１４〜１７のいずれか１項記載のガラスフリット。
- 成分（Ｃ）のＭｏＯ３とＣｕＯとの質量比（ＭｏＯ３：ＣｕＯ）が１２：１〜１：１０である、請求項１０、１４〜１７のいずれか１項記載のガラスフリット。
- 成分（Ｃ）のＺｎＯとＣｕＯとの質量比（ＺｎＯ：ＣｕＯ）が１２：１〜１：１２である、請求項１１、１４〜１７のいずれか１項記載のガラスフリット。
- 成分（Ｃ）のＭｏＯ３とＺｎＯ及びＣｕＯの合計量との質量比（ＭｏＯ３：ＣｕＯ及びＺｎＯの合計量）が１２：１〜１：１２である、請求項１２、１４〜１７のいずれか１項記載のガラスフリット。
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| KR102379829B1 (ko) * | 2018-02-23 | 2022-03-28 | 엘지전자 주식회사 | 무연계 저온 소성 글라스 프릿, 페이스트 및 이를 이용한 진공 유리 조립체 |
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| US20220234943A1 (en) * | 2019-06-05 | 2022-07-28 | Ferro Corporation | Dark-Colored, Low-Expansion Fillers |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4910913A (ja) * | 1971-05-11 | 1974-01-30 | ||
| JPS51138711A (en) * | 1971-05-11 | 1976-11-30 | Owens Illinois Inc | Glass having high content of silber oxide and method of manufacturing thereof |
| JPH05147974A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-15 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 封着材料 |
| JPH08502468A (ja) * | 1992-10-19 | 1996-03-19 | ディーマット・インコーポレイテッド | 改良された熱応力特性を有する低温ガラスおよびその使用方法 |
| JPH08259262A (ja) * | 1995-03-20 | 1996-10-08 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 低融点封着用組成物 |
| JP2007022853A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Hitachi Ltd | 導電性接合部材、およびこの導電性接合部材を用いて接合されたスペーサを備えた画像表示装置 |
| WO2012020694A1 (ja) * | 2010-08-11 | 2012-02-16 | 株式会社日立製作所 | 電極用ガラス組成物、及びそれを用いた電極用ペースト、並びにそれを適用した電子部品 |
Family Cites Families (5)
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| JPS51138711A (en) * | 1971-05-11 | 1976-11-30 | Owens Illinois Inc | Glass having high content of silber oxide and method of manufacturing thereof |
| JPH05147974A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-15 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 封着材料 |
| JPH08502468A (ja) * | 1992-10-19 | 1996-03-19 | ディーマット・インコーポレイテッド | 改良された熱応力特性を有する低温ガラスおよびその使用方法 |
| JPH08259262A (ja) * | 1995-03-20 | 1996-10-08 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 低融点封着用組成物 |
| JP2007022853A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Hitachi Ltd | 導電性接合部材、およびこの導電性接合部材を用いて接合されたスペーサを備えた画像表示装置 |
| WO2012020694A1 (ja) * | 2010-08-11 | 2012-02-16 | 株式会社日立製作所 | 電極用ガラス組成物、及びそれを用いた電極用ペースト、並びにそれを適用した電子部品 |
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