JPWO2014103803A1 - Mems光スキャナ - Google Patents

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Abstract

耐衝撃性を確保しつつ、ランプ波駆動を可能とする共振周波数に一致させて、ミラーをV軸を中心として回転運動させて、光を安定して走査するMEMS光スキャナを提供する。第1の基板(5)と、第1の基板(5)に圧電膜(55)を設置し、ミラー(51)を圧電膜(55)により第1の軸方向に駆動する駆動部(532)と、駆動部(53)を支持するフレーム(54)と、第2の基板(3)と、第1の基板(5)を支持する支持部(32)と、支持部(32)を離間して包囲する枠部(31)と、支持部(32)及び枠部(31)を第2の軸方向に沿って支持する軸部(33)と、を備えるMEMS光スキャナ(1)である。第2の軸方向に沿ってその両端を第2の基板(3)に固定される剛性付与部(4)とを含み、剛性付与部(4)は、支持部(32)を第2の軸方向に駆動することを特徴とする。

Description

本発明はMEMS光スキャナに関する。
光を走査して映像を表示する画像表示装置において、MEMS(Micro Electro Mechanical System)光スキャナが利用されている。MEMS光スキャナは、光をミラーに反射させつつミラーを2つの軸方向を中心としてそれぞれ回転駆動させることで、光を走査(スキャン)して画像を表示することができる。
例えば、特許文献1では、ミラーをその両端で2本ずつ計4本のメインアームにより支持し、各メインアームを圧電膜の設置されたサブアームの一端にそれぞれ連結し、さらに各サブアームの他端をフレームに固定したMEMS光スキャナが開示されている。ミラー、メインアーム及びサブアームは、一体のシリコン基板を加工して、一体化した状態で得られる。このようなMEMS光スキャナでは、駆動信号を圧電膜に印加して、圧電膜を伸縮させることで、ミラーをサブアーム及びメインアームを介して駆動させる。このような構成により、水平方向に沿う軸であるH軸、及び、垂直方向に沿うV軸をそれぞれ中心にミラーを回転させることができる。
このようなMEMS光スキャナでは、ミラーのH軸を中心とする回転駆動は、比較的高い走査スピードで行われることが多い。効率の観点から、この回転駆動は、ミラーの材質であるシリコン基板の共振周波数と一致させるように外力をミラーに与えて、共振モードで行われる。一方、ミラーのV軸を中心とする回転駆動は、ミラーのH軸を中心とする回転駆動と比較的に低い走査スピードで行われることが多い。この回転駆動は、シリコン基板の共振周波数に一致させることを止め、所定のリニアリティと効率とを確保するように外力をミラーに与えて、非共振モードで行われる。この回転駆動では、画像表示に寄与する部分を比較的多く有するランプ波駆動が可能となり、効率が比較的良好である。
特開2012−163828号公報
しかし、特許文献1に開示されるMEMS光スキャナでは、V軸を中心とした回転運動を行うと、耐衝撃性に乏しく、破損を生じてしまい、光を安定して走査することができないことがあった。また、迷光を生じてしまい、高画質の画像表示を行うことができなかった。
一方、フレキシブルプリント基板の上にシリコン基板を固定して、このフレキシブルプリント基板をV軸を中心として回転させることで、ミラーをV軸を中心として回転させるMEMS光スキャナがある。回転運動させるフレキシブルプリント基板は、シリコン基板よりも、耐衝撃性を有するものの、非常に低い共振周波数を有する。したがって、このようなMEMS光スキャナでは、特許文献1に開示されるMEMS光スキャナと比較して、耐衝撃性が確保されているものの、ミラーのV軸を中心とした回転駆動は、フレキシブルプリント基板の低い共振周波数に一致させて行わなければならなかった。また、この回転駆動では、サイン波駆動となる。サイン波駆動は、ランプ波駆動と比較して、画像表示に寄与しづらい部分を多く有し、非効率であった。
本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、耐衝撃性を確保しつつ、ミラーを効率良く回転駆動させて、光を安定して走査するMEMS光スキャナを提供するところにある。
そこで、本発明は、
第1の基板と、
前記第1の基板に形成されたミラーと、
前記第1の基板に圧電膜を設置し、前記ミラーを前記圧電膜により第1の軸方向に駆動する駆動部と、
前記第1の基板に形成され、前記駆動部を支持するフレームと、
第2の基板と、
前記第2の基板に形成され、前記第1の基板を支持する支持部と、
前記第2の基板に形成され、前記支持部を離間して包囲する枠部と、
前記第2の基板に形成され、前記支持部及び前記枠部を第2の軸方向に沿って支持する軸部と、を備えるMEMS光スキャナであって、
前記第2の軸方向に沿ってその両端を第2の基板に固定される剛性付与部とを含み、
前記剛性付与部は、前記支持部を第2の軸方向に駆動することを特徴とするMEMS光スキャナを提供する。
本発明により、耐衝撃性を確保しつつ、ミラーを効率良く回転運動させて、光を安定して走査するMEMS光スキャナを提供することができる。
図1は、MEMS光スキャナの全体斜視図である。 図2は、MEMS光スキャナの分解斜視図である。 図3Aは、基板の斜視図である。 図3Bは、基板の断面図である。 図4は、光スキャナ素子の斜視図である。
(実施の形態)
以下、図1〜4を参照して本発明の実施の形態について説明する。図1は、MEMS光スキャナの全体斜視図を示す。図2は、MEMS光スキャナの分解斜視図を示す。図3Aは、基板の斜視図を示す。図3Bは、基板の断面図を示す。図4は、光スキャナ素子の斜視図を示す。
図1に示すように、MEMS光スキャナ1は、筐体2と、基板3と、ワイヤ4と、光スキャナ素子5とを含む。MEMS光スキャナ1は、光を2軸方向にそれぞれ走査して、画像を表示するために用いられる。
図2に示すように、筐体2は、基板取付部21を正面22に有する略直方体である。正面22には、開口した保持部23を有する。保持部23には、動力用コイル25を備えるコイル保持体24を嵌め合せるなどして保持することができる。基板取付部21には基板3をボルト9を用いて締結するなどの固定手段により固定することができる。また、筐体2は、必要に応じて、MEMS光スキャナ1を機能させるための基板や配線などを備える。
図3Aを併せて参照すると、基板3は、枠部31と、光スキャナ素子支持部32と、軸部33とを有する。基板3は、所定の応力をかけると、柔軟に曲げたわめることのできる板状体である。基板3は、後述するミラー51、メインアーム52、サブアーム53、及び、フレーム54を構成するシリコン基板と比較して耐衝撃性を有する板である。基板3は、必要に応じて、MEMS光スキャナ1を機能させるための配線を備える。基板3として、例えば、フレキシブルプリント基板を用いることができる。
枠部31は、ボルト9を締結して筐体2に取り付けられる略枠状体である。光スキャナ素子支持部32は、枠部31から離間して囲まれる略平板状体である。軸部33は、枠部31からV軸方向に沿って延びて光スキャナ素子支持部32を支持する略帯状体である。ここで、V軸は水平方向に沿う軸である。なお、光スキャナ素子支持部32には、後述する光スキャナ素子5のミラー51の動作を検出するための検出用コイルを設置してもよい。
図3A及び図3Bを併せて参照すると、低反射膜34は筐体2の正面視において、光スキャナ素子5に対応するように光スキャナ素子支持部32に設置されている。低反射膜34は、例えば、黒色皮膜である。黒色皮膜は、黒色以外の有色皮膜と比較して、光を吸収して、低い反射率を有する。低反射膜34は、さらに、より低い反射率を有する皮膜、例えば、光沢の無い黒色皮膜であると好ましい。また、黒色皮膜は、例えば、感光性樹脂を用いて形成してもよい。黒色皮膜として感光性樹脂を用いると、迷光をより確実に防止できるとともに、ウェハプロセスにおいて一括して形成でき、生産性を向上させる。また、黒色皮膜は、例えば、絶縁性及び耐候性を有する樹脂を用いてもよい。黒色皮膜として絶縁性及び耐候性を有する樹脂を用いると、迷光をより確実に防止できるとともに、パッシベーションとしても機能させることができ、MEMS光スキャナ1の動作をより確実に安定化させる。
再び図1及び図2を併せて参照すると、ワイヤ4は、枠部31と光スキャナ素子支持部32とを支持するように軸部33に並びつつV軸(図3)方向に沿って基板3に固定される線状体である。詳細には、ワイヤ4は、その両端を基板3に半田付けして、半田付け部41を形成して固定される。ワイヤ4の基板3への固定は、基板3の剛性を高め得て、基板3の共振周波数を高め得る。ワイヤ4は、例えば、動力用コイル25により発生させた磁界と、ワイヤ4に連結した磁石とのローレンツ力により、光スキャナ素子支持部32をV軸を中心として回転振動させることができる。
ここで、ワイヤ4は、ヤング率130GPaを少なくとも有する線状体を用いると好ましい。単結晶シリコンのヤング率は一般に120〜180GPa程度であり、ワイヤ4としてヤング率130GPa以上の線状体を用いれば、特許文献1に示す従来のMEMS光スキャナの軸部とほぼ同等となり、好適である。このような線状体として、例えば、ベリリウム銅合金からなる直径75〜85μmの線状体を用いてもよい。さらに、ワイヤ4の設置方法として、例えば、複数本のワイヤ4を、350〜400μmの間隔を空けつつ、基板3から80〜120μm離間して設置する設置方法であるとより好ましい。複数本のワイヤ4を用いることにより、検出用コイルの給電や、圧電素子への給電を、ワイヤ4を用いて行うことが容易となり好適である。ワイヤ4の互いの間隔を離間させることにより基板3のV軸方向まわりのねじり剛性を高め、共振周波数を高めることができる。ワイヤ4の互いの間隔を広くすれば共振周波数を高くすることができるが、広くしすぎるとねじり剛性が高くなり駆動の負荷となるので、350〜400μmが好適である。ワイヤ4を基板3から離間させることにより軸部33とワイヤ4とで構成される部分のねじり剛性が高くなり、共振周波数を高くすることができるが、MEMS光スキャナ1が厚くなってしまうので、80〜120μmが好適である。ワイヤ4はダンピング剤を塗布してもよい。また、ワイヤ4のかわりに、線ばね又は板バネを用いてもよいが、直径75〜85μmのベリリウム銅合金の線状体を用いることにより、給電が容易となり、より好適である。これらの好ましい構成及び設置方法をとることで、ワイヤ4の基板3への固定による、基板3の見かけ上の共振周波数をさらに高め得る。
図4に示すように、光スキャナ素子5は、ミラー51と、4本のメインアーム52と、2本のサブアーム53と、フレーム54と、を含む。
ミラー51は、光を反射する反射面を有する略円盤状体である。メインアーム52は、ミラー51の両端を2本ずつ計4本で支持している。
サブアーム53は、例えば、コの字状の板状体である。サブアーム53は、中央部531と、中央部531の両端から延びる2つの自由端部532とを有する。2本のサブアーム53はいずれも、ミラー51を包囲するように、その自由端部532の両端にそれぞれメインアーム52の他端を連結して支持している。
フレーム54は、枠状の板状体である。フレーム54は、フレーム54の対向する内壁と2本のサブアーム53の中央部531とをそれぞれ連結して、2本のサブアーム53を包囲するように固定している。すなわち、フレーム54は、サブアーム53の一部である中央部531を固定する基部として機能する。また、支持アーム50がフレーム54の四隅近傍にそれぞれ設置される。光スキャナ素子5は支持アーム50を介して基板3の光スキャナ素子支持部32(図1参照)に固定される。
なお、ミラー51、メインアーム52、サブアーム53、及び、フレーム54は、例えば、SOI(Silicon on Insulator)ウェハなどのシリコン材料を用いて、一体の基板として形成することができる。例えば、スリット56を形成して、サブアーム53とフレーム54とを離間するように形成してもよい。つまり、光スキャナ素子5は、一体の基板から形成される基板である。MEMS光スキャナ1では、光スキャナ素子5を第1の基板とすると、基板3を第2の基板とする。
圧電膜55はサブアーム53の主面の上に形成されている。圧電膜55は、中央部531と自由端部532との間に対応する箇所に、カット部57を有する。なお、カット部57は、円弧状に切除して形成してもよい。圧電膜55は、図示しない基板3の配線に電気的に接続されており、この配線を介して駆動信号を印加されると、伸縮することができる。
ここで、サブアーム53において中央部531はフレーム54に固定されているとともに、自由端部532はスリット56によりフレーム54から離間している。圧電膜55が伸縮運動すると、中央部531は固定部として固定されたまま、自由端部532は駆動部として矢印方向、すなわち、自由端部532の長手方向に沿って伸縮運動させることができる。つまり、サブアーム53は、固定部としての中央部531、及び、可動部としての自由端部532を有する駆動部として機能する。自由端部532の伸縮運動により、メインアーム52を介してミラー51をH軸を中心として回転させることができる。
ここで、圧電膜55の伸縮運動により、サブアーム53の中央部531と自由端部532とはねじれるように曲がり、圧電膜55とサブアーム53とを剥離させる応力がかかる。カット部57の形成により、中央部531と自由端部532とのねじれにより圧電膜55にかかる応力を弱め得る。これにより、圧電膜55がサブアーム53から剥離することを抑制する。
このような構成によれば、ミラー51に向かって画像を表示するための光を照射しつつ、H軸及びV軸を中心としてミラー51を回転駆動させると、光を縦横方向にそれぞれ走査することができる。すなわち、光を2軸方向に走査して、画像を表示部に表示することができる。MEMS光スキャナ1は、カット部57を有するので、ミラー51を大きな角度で偏向するように回転駆動させても、ねじりによる応力を弱め得て、圧電膜55の剥離を抑制することができる。
また、MEMS光スキャナ1は、シリコン基板と比較して耐衝撃性を有する基板3を有している。MEMS光スキャナ1は、ワイヤ4の基板3への固定により、ランプ波駆動を行うことのできるように基板3の見かけ上の共振周波数を高め、ミラーをこの共振周波数に一致させて回転させることができる。つまり、MEMS光スキャナ1は、耐衝撃性を確保しつつ、ミラーを効率良く回転運動させることができる。つまり、MEMS光スキャナ1は、光を安定して走査できる。
また、MEMS光スキャナ1は、基板3の表面を少なくとも低反射膜34で被覆し、基板3に当たる光を吸収でき、基板3から反射する光による迷光をより確実に防止できる。これにより、MEMS光スキャナ1は、光を安定して走査でき、高画質の画像を表示することができる。
なお、メインアーム52、サブアーム53、フレーム54、及び、圧電膜55は、光スキャナ素子支持部32と同様、低反射膜により被覆されるとより好ましい。低反射膜がメインアーム52、サブアーム53、フレーム54、及び、圧電膜55に当たる光を吸収し、メインアーム52、サブアーム53、フレーム54、及び、圧電膜55から反射する光による迷光をより確実に防止できる。これにより、MEMS光スキャナ1は、安定して走査でき、高画質の画像を表示することができる。また、メインアーム52、サブアーム53、フレーム54、圧電膜55と、低反射膜との密着性を高めるように、低反射膜34の成分を調整してもよい。
また、低反射膜として黒色皮膜を用いる例を説明したが、MEMS光スキャナとして必要とされる性能を満たすように迷光を十分に抑制できるのであれば、黒色以外の有色の皮膜を用いてもよい。
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
1 MEMS光スキャナ、3 基板、4 ワイヤ、5 光スキャナ素子、31 枠部、32 光スキャナ素子支持部、33 軸部、50 支持アーム、51 ミラー、53 サブアーム、54 フレーム、55 圧電膜
そこで、本発明は、
シリコン基板により構成される第1の基板と、
前記第1の基板に形成されたミラーと、
前記第1の基板に圧電膜を設置し、前記ミラーを前記圧電膜により第1の軸方向に駆動する駆動部と、
前記第1の基板に形成され、前記駆動部を支持するフレームと、
フレキシブルプリント基板により構成される第2の基板と、
前記第2の基板に形成され、前記第1の基板を支持する支持部と、
前記第2の基板に形成され、前記支持部を離間して包囲する枠部と、
前記第2の基板に形成され、前記支持部及び前記枠部を第2の軸方向に沿って支持する軸部と、を備えるMEMS光スキャナであって、
前記枠部と前記支持部とを支持するように前記第2の軸方向に沿ってその両端が前記第2の基板に固定されるとともに、前記第2の基板の剛性および共振周波数を高めるヤング率を有する剛性付与部とを含み、
前記剛性付与部は、前記支持部を前記第2の軸方向に駆動することを特徴とするMEMS光スキャナを提供する。

Claims (6)

  1. 第1の基板と、
    前記第1の基板に形成されたミラーと、
    前記第1の基板に圧電膜を設置し、前記ミラーを前記圧電膜により第1の軸方向に駆動する駆動部と、
    前記第1の基板に形成され、前記駆動部を支持するフレームと、
    第2の基板と、
    前記第2の基板に形成され、前記第1の基板を支持する支持部と、
    前記第2の基板に形成され、前記支持部を離間して包囲する枠部と、
    前記第2の基板に形成され、前記支持部及び前記枠部を第2の軸方向に沿って支持する軸部と、を備えるMEMS光スキャナであって、
    前記第2の軸方向に沿ってその両端を第2の基板に固定される剛性付与部とを含み、
    前記剛性付与部は、前記支持部を第2の軸方向に駆動することを特徴とするMEMS光スキャナ。
  2. 前記第1の基板は、シリコン基板であり、前記第2の基板はフレキシブルプリント基板であることを特徴とする請求項1に記載のMEMS光スキャナ。
  3. 前記剛性付与部は、少なくとも130GPaのヤング率を有する線状体であることを特徴とする請求項1又は2に記載のMEMS光スキャナ。
  4. 前記線状体は、ベリリウム銅合金からなる直径75〜85μmのワイヤ体であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1つに記載のMEMS光スキャナ。
  5. 前記第2の基板の表面の前記ミラーに対応する部分は、低反射膜により被覆されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1つに記載のMEMS光スキャナ。
  6. 前記駆動部及び前記フレームの表面は、前記低反射膜により被覆されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1つに記載のMEMS光スキャナ。
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