JPWO2014054483A1 - 半導体装置及び表示装置 - Google Patents

Abstract

アレイ基板１１ｂは、第２金属膜３８からなる第１電極部２９ａ，２９ｂと、第１ダイオード側開口部２９ｃ１，２９ｃ２を通して第１電極部２９ａ，２９ｂに接続される第１半導体部２９ｄとを有する第１ダイオード２９と、第１金属膜３４からなりゲート配線１９の端部に形成されるゲート配線側接続部４８と、コンタクト部側開口部４９ａを通してゲート配線側接続部４８に接続されるダイオード側接続部５０とを有するコンタクト部３２と、半導体膜３６からなり第２金属膜３８を成膜する前の段階で第１ダイオード２９とコンタクト部３２とのいずれか一方にて発生した静電気を誘引するための静電気誘引部５２と、保護膜３７からなり静電気誘引部５２と平面に視て重畳する位置に貫通して形成される静電気誘引開口部５３ａを有する誘引部保護部５３とを有する静電気保護部５１と、を備える。

Description

本発明は、半導体装置及び表示装置に関する。

液晶表示装置に用いられる液晶パネルには、各画素の動作を制御するためのスイッチング素子としてＴＦＴを行列状に多数個設けられている。従来では、ＴＦＴに用いられる半導体膜としては、アモルファスシリコンなどのシリコン半導体が用いられるのが一般的であったが、近年では、半導体膜としてより電子移動度が高い酸化物半導体を用いることが提案されている。このような酸化物半導体を用いたＴＦＴをスイッチング素子として用いた液晶表示装置の一例が下記特許文献１に記載されている。

特開２０１０−２３０７４４号公報

（発明が解決しようとする課題）
酸化物半導体は、電子移動度が高いため、ＴＦＴをより小型化することができて液晶パネルにおける開口率の向上を図ることができるのに加えて、ＴＦＴが設けられたアレイ基板上に様々な回路部を設けることを可能とする。ところが、アレイ基板上に回路部を形成すると、例えば製造過程において発生した静電気が回路部に印加されることが懸念され、そうなると回路部に不良が発生するおそれがあった。

本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、静電気に起因する不良の発生を抑制することを目的とする。

（課題を解決するための手段）
本発明の第１の半導体装置は、基板と、前記基板上に形成される第１金属膜と、少なくとも前記第１金属膜上に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成される半導体膜と、少なくとも前記半導体膜上に形成されて前記半導体膜を保護する保護膜と、前記保護膜上に形成される第２金属膜と、前記第２金属膜からなる２つの電極部と、前記保護膜からなり２つの前記電極部と重畳する位置にそれぞれ貫通して形成された２つの半導体機能部側開口部を有する保護部と、前記半導体膜からなり２つの前記半導体機能部側開口部を通して２つの前記電極部にそれぞれ接続される半導体部とを少なくとも有する半導体機能部と、前記第１金属膜からなる信号配線部と、前記第１金属膜からなり前記信号配線部の端部に形成される信号配線側接続部と、前記保護膜及び前記絶縁膜からなり前記信号配線側接続部と重畳する位置に貫通して形成されるコンタクト部側開口部を有する絶縁部と、前記第２金属膜からなり前記半導体機能部が有する２つの前記電極部のいずれか一方に連なるとともに前記コンタクト部側開口部を通して前記信号配線側接続部に接続される半導体機能部側接続部とを少なくとも有するコンタクト部と、前記半導体膜からなり平面に視て前記半導体機能部と前記コンタクト部との間に配されるとともに前記第２金属膜を成膜する前の段階で前記半導体機能部と前記コンタクト部とのいずれか一方にて発生した静電気を誘引するための静電気誘引部と、前記保護膜からなり前記静電気誘引部と平面に視て重畳する位置に貫通して形成される静電気誘引開口部を有する誘引部保護部とを少なくとも有する静電気保護部と、を備える。

このようにすれば、第１金属膜からなる信号配線部は、コンタクト部において端部に形成された信号配線側接続部が第２金属膜からなり半導体機能部が有する電極部のいずれか一方に連なる半導体機能部側接続部に対して絶縁部を貫通するコンタクト部側開口部を通して接続され、それにより半導体機能部側からの信号が信号配線部側に供給されるようになっている。ここで、当該半導体装置の製造過程において、第２金属膜を成膜する前の段階では、半導体機能部において保護膜からなる保護部を貫通する半導体機能部側開口部が形成されているのに対し、コンタクト部において保護膜及び絶縁膜からなる絶縁部を貫通するコンタクト部側開口部が形成されており、半導体機能部側開口部を通して半導体膜からなる半導体部と、コンタクト部側開口部を通して第１金属膜からなる信号配線側接続部とが露出した状態となっている。この状態において、半導体機能部とコンタクト部とのいずれか一方にて静電気が発生すると、その静電気が他方側の半導体機能部または信号配線側接続部に印加されて半導体機能部またはコンタクト部に不良が発生することが懸念される。

その点、半導体膜からなり平面に視て半導体機能部とコンタクト部との間に配される静電気誘引部と、保護膜からなり静電気誘引部と平面に視て重畳する位置に貫通して形成される静電気誘引開口部を有する誘引部保護部とを少なくとも有する静電気保護部が備えられているので、当該半導体装置の製造過程において第２金属膜を成膜する前の段階では、静電気誘引部が誘引部保護部を貫通する静電気誘引開口部を通して露出することになる。従って、第２金属膜を成膜する前の段階で半導体機能部とコンタクト部とのいずれか一方にて静電気が発生した場合でも、その静電気を、他方側に至る途中に存在する静電気誘引開口部を通して静電気誘引部へと誘引することができる。これにより、半導体機能部またはコンタクト部に静電気に起因する不良が発生し難くすることができる。

しかも、静電気誘引部は、半導体機能部の半導体部と同じ半導体膜からなるものとされているから、コンタクト部の信号配線側接続部側にて静電気が発生した場合にその静電気を効果的に誘引することができ、静電気が半導体部に印加されるのをより好適に防ぐことができる。

本発明の第１の半導体装置の実施態様として、次の構成が好ましい。
（１）前記半導体膜は、酸化物半導体からなる。このようにすれば、半導体膜を酸化物半導体とすると、製造過程において第２金属膜を成膜する際にエッチングされ易くなったり、また成膜後においても酸化または還元され易い傾向にあるものの、半導体膜と第２金属膜との間には保護膜が介在しており、半導体膜が保護膜によって保護されるので、第２金属膜を成膜する際にエッチングされ難くなり、また成膜後において半導体膜が酸化または還元され難くなる。

（２）前記第１金属膜からなり、平面に視て前記半導体機能部と前記コンタクト部との間に位置し且つ前記静電気誘引部及び前記誘引部保護部と少なくとも一部が重畳する位置に配されることで、前記静電気誘引部に誘引された静電気を逃がすことが可能な静電気逃がし配線部を備える。このようにすれば、半導体機能部とコンタクト部とのいずれか一方にて発生した静電気が静電気誘引部に誘引されると、静電気誘引部から静電気逃がし配線部へと静電気を逃がすことができるので、静電気による不良の発生をより好適に抑制することができる。

（３）前記第２金属膜からなる２つの第２の電極部と、前記保護膜からなり２つの前記第２の電極部と重畳する位置にそれぞれ貫通して形成された２つの第２の半導体機能部側開口部を有する第２の保護部と、前記半導体膜からなり２つの前記第２の半導体機能部側開口部を通して２つの前記第２の電極部にそれぞれ接続される第２の半導体部とを少なくとも有する第２の半導体機能部と、前記第２金属膜からなり２つの前記電極部のうちの一方と２つの前記第２の電極部のうちの一方とを短絡させ且つ前記半導体機能部側接続部に連なる第１短絡配線部と、前記第２金属膜からなり２つの前記電極部のうちの他方と２つの前記第２の電極部のうちの他方とを短絡させる第２短絡配線部と、前記保護膜及び前記絶縁膜からなり前記第２短絡配線部と重畳する位置に貫通して形成される第２短絡配線部側開口部を有する第２の絶縁部と、前記第１金属膜からなり前記静電気逃がし配線部に連なるとともに平面に視て前記第２短絡配線部と少なくとも一部が重畳するよう配されるとともに前記第２短絡配線部側開口部を通して前記第２短絡配線部に接続される静電気逃がし配線側接続部と、を備える。このようにすれば、半導体機能部及び第２の半導体機能部は、一方の電極部と一方の第２の電極部とが第１短絡配線部により短絡されるのに対し、他方の電極部と他方の第２の電極部とが第２短絡配線部により短絡されている。第１短絡配線部は、コンタクト部にて信号配線部に接続された半導体機能部側接続部に連なっているのに対し、第２短絡配線部は、第２の絶縁部に貫通された第２短絡配線部側開口部を通して静電気逃がし配線部に連なる静電気逃がし配線側接続部に接続されている。従って、静電気に起因して静電気逃がし配線部側と信号配線部側との間に大きな電位差が生じた場合には、半導体機能部の半導体部または第２の半導体機能部の第２の半導体部に電流が流されることで、電位差を解消することができる。

（４）前記保護膜及び前記絶縁膜からなり前記第１短絡配線部と重畳する位置に貫通して形成される第１短絡配線部側開口部を有する第３の絶縁部と、前記半導体機能部に備えられるものであって、前記第１金属膜からなり平面に視て２つの前記電極部、前記半導体部及び前記第１短絡配線部の少なくとも一部と重畳するよう配されるとともに前記第１短絡配線部側開口部を通して前記第１短絡配線部に接続されるゲート電極部と、前記第２の半導体機能部に備えられるものであって、前記第１金属膜からなり平面に視て２つの前記第２の電極部及び前記第２の半導体部と重畳するよう配されるとともに前記静電気逃がし配線側接続部に連なる第２のゲート電極部と、を備える。このようにすれば、ゲート電極部は、第１短絡配線部によって一方の電極部及び一方の第２の電極部に短絡されるのに対し、第２のゲート電極部は、静電気逃がし配線側接続部及び第２短絡配線部によって他方の電極部及び他方の第２の電極部に短絡されている。従って、半導体機能部及び第２の半導体機能部は、それぞれトランジスタ型のダイオードを構成していると言え、その閾値電圧を、例えば信号配線部に伝送される信号に係る電圧値よりも高いものの、静電気が発生した際に印加される電圧値よりも低くすることで、静電気が発生した場合にのみその静電気を静電気逃がし配線部に逃がすことができる。しかも、第２のゲート電極部が静電気逃がし配線側接続部に直接的に連なる構成とされているので、仮に第２のゲート電極部が静電気逃がし配線側接続部に対して第２短絡配線部を介して接続される構成とした場合に比べると、異なる金属膜間を接続するコンタクト部位が少なく済むので、当該コンタクト部位に接続不良が生じる可能性を低くすることができる。

（５）前記保護膜及び前記絶縁膜からなり前記第１短絡配線部と重畳する位置に貫通して形成される第１短絡配線部側開口部を有する第３の絶縁部と、前記半導体機能部に備えられるものであって、前記第１金属膜からなり平面に視て２つの前記電極部、前記半導体部及び前記第１短絡配線部と重畳するよう配されるとともに前記第１短絡配線部側開口部を通して前記第１短絡配線部に接続されるゲート電極部と、前記保護膜及び前記絶縁膜からなり前記第２短絡配線部と重畳する位置に貫通して形成される第２の第２短絡配線部側開口部を有する第４の絶縁部と、前記第２の半導体機能部に備えられるものであって、前記第１金属膜からなり平面に視て２つの前記第２の電極部、前記第２の半導体部及び前記第２短絡配線部と重畳するよう配されるとともに前記第２の第２短絡配線部側開口部を通して前記第２短絡配線部に接続される第２のゲート電極部と、を備える。このようにすれば、ゲート電極部は、第１短絡配線部によって一方の電極部及び一方の第２の電極部に短絡されるのに対し、第２のゲート電極部は、第２短絡配線部によって他方の電極部及び他方の第２の電極部に短絡されている。従って、半導体機能部及び第２の半導体機能部は、それぞれトランジスタ型のダイオードを構成していると言え、その閾値電圧を、例えば信号配線部に伝送される信号に係る電圧値よりも高いものの、静電気が発生した際に印加される電圧値よりも低くすることで、静電気が発生した場合にのみその静電気を静電気逃がし配線部に逃がすことができる。しかも、第２のゲート電極部が静電気逃がし配線側接続部に対して第２短絡配線部を介して間接的に接続されているので、仮に第２のゲート電極部が静電気逃がし配線側接続部に直接的に連なる構成とした場合に比べると、第２金属膜を成膜する前の段階において静電気が静電気誘引部に誘引されたときに、誘引された静電気に起因して半導体機能部及び第２の半導体機能部に不良が生じ難くなる。

（６）前記第２金属膜からなる２つの第２の電極部と、前記保護膜からなり２つの前記第２の電極部と重畳する位置にそれぞれ貫通して形成された２つの第２の半導体機能部側開口部を有する第２の保護部と、前記半導体膜からなり２つの前記第２の半導体機能部側開口部を通して２つの前記第２の電極部にそれぞれ接続される第２の半導体部とを少なくとも有するとともに、２つの前記第２の電極部の並び方向を第１方向としたとき、前記基板の板面に沿い且つ前記第１方向と直交する第２方向について前記半導体機能部に対して並んで配される第２の半導体機能部と、前記第２金属膜からなり２つの前記電極部のうちの一方と２つの前記第２の電極部のうちの一方とを短絡させ且つ前記半導体機能部側接続部に連なる第１短絡配線部と、前記第２金属膜からなり２つの前記電極部のうちの他方と２つの前記第２の電極部のうちの他方とを短絡させる第２短絡配線部と、を備えており、前記半導体機能部、前記第２の半導体機能部、前記コンタクト部、前記信号配線部、前記静電気保護部、前記第１短絡配線部、及び前記第２短絡配線部が前記第２方向に沿って複数組並んで配されており、前記第２短絡配線部は、前記第２方向について隣り合う組を構成する前記第１短絡配線部に対して短絡されている。このようにすれば、半導体機能部及び第２の半導体機能部は、一方の電極部と一方の第２の電極部とが第１短絡配線部により短絡されるのに対し、他方の電極部と他方の第２の電極部とが第２短絡配線部により短絡されている。第１短絡配線部は、信号配線部に接続された半導体機能部側接続部に連なっているのに対し、第２短絡配線部は、第２方向について隣り合う組を構成する第１短絡配線部に対して短絡されている。従って、静電気が信号配線部に印加された場合には、その静電気を、第２短絡配線部及び隣り合う組を構成する第１短絡配線部を介して接続された隣り合う組を構成する信号配線部へと逃がすことができるので、静電気に伴う不良の発生を抑制することができる。しかも、第２短絡配線部は、静電気逃がし配線側接続部とは接続されない構成とされているので、仮に第２短絡配線部が静電気逃がし配線側接続部に接続される構成とした場合に比べると、第２金属膜を成膜する前の段階において静電気が静電気誘引部に誘引されたときに、誘引された静電気に起因して半導体機能部及び第２の半導体機能部に不良が生じ難くなる。

（７）前記コンタクト部を構成する前記信号配線側接続部と、前記静電気逃がし配線部とにおける対向部位には、互いに接近するよう突出する第２の静電気誘引部がそれぞれ形成されている。このようにすれば、第２金属膜を成膜する前の段階で半導体機能部とコンタクト部とのいずれか一方にて静電気が発生した場合でも、その静電気を、他方側に至る途中に存在する第２の静電気誘引部へと誘引することができる。これにより、半導体機能部またはコンタクト部に静電気に起因する不良が一層発生し難くすることができる。

（８）前記静電気逃がし配線部に形成された前記第２の静電気誘引部は、前記静電気誘引部に対して隣接する位置に配されている。このようにすれば、静電気逃がし配線部に形成された第２の静電気誘引部が静電気誘引部に対して隣接する位置に配されているので、仮に両者が互いに隣接せずに離れた配置とされた場合に比べると、第２金属膜を成膜する前の段階で発生した静電気を静電気誘引部と第２の静電気誘引部とのいずれかにより好適に誘引することができる。

（９）前記静電気保護部には、前記静電気誘引開口部が、前記基板の板面に沿い且つ２つの前記第２の静電気誘引部の並び方向と直交する方向に沿って複数、前記第２の静電気誘引部を跨ぐよう並んで配されている。このようにすれば、静電気誘引開口部は、基板の板面に沿い且つ２つの第２の静電気誘引部の並び方向と直交する方向に沿って複数が第２の静電気誘引部を跨ぐよう並んで配されているから、第２金属膜を成膜する前の段階で発生した静電気を静電気誘引部と第２の静電気誘引部とのいずれかに一層好適に誘引することができる。

（１０）前記静電気保護部には、前記第２金属膜からなり平面に視て前記静電気誘引部と重畳するよう配されるとともに前記静電気誘引開口部を通して前記静電気誘引部に接続される誘引部接続部が備えられる。このようにすれば、誘引部接続部は、静電気誘引開口部を通して半導体膜からなる静電気誘引部に接続されているので、電極部が半導体機能部側開口部を通して半導体膜からなる半導体部に接続される半導体機能部と同様の接続構造を持っていると言える。従って、仮に誘電部接続部を除去した場合には、当該半導体装置の製造過程において、第２金属膜を成膜する際に半導体膜からなる静電気誘引部がエッチングされ易くなるのに比べると、そのような問題を生じ難くすることができる。

本発明の第２の半導体装置は、基板と、前記基板上に形成される第１金属膜と、少なくとも前記第１金属膜上に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成される半導体膜と、少なくとも前記半導体膜上に形成されて前記半導体膜を保護する保護膜と、前記保護膜上に形成される第２金属膜と、前記第２金属膜からなる２つの電極部と、前記保護膜からなり２つの前記電極部と重畳する位置にそれぞれ貫通して形成された２つの半導体機能部側開口部を有する保護部と、前記半導体膜からなり２つの前記半導体機能部側開口部を通して２つの前記電極部にそれぞれ接続される半導体部とを少なくとも有する半導体機能部と、前記第１金属膜からなる信号配線部と、前記第１金属膜からなり前記信号配線部の端部に形成される信号配線側接続部と、前記保護膜及び前記絶縁膜からなり前記信号配線側接続部と重畳する位置に貫通して形成されるコンタクト部側開口部を有する絶縁部と、前記第２金属膜からなり前記半導体機能部が有する２つの前記電極部のいずれか一方に連なるとともに前記コンタクト部側開口部を通して前記信号配線側接続部に接続される半導体機能部側接続部とを少なくとも有するコンタクト部と、前記第１金属膜からなり平面に視て前記半導体機能部と前記コンタクト部との間に配されるとともに前記第２金属膜を成膜する前の段階で前記半導体機能部と前記コンタクト部とのいずれか一方にて発生した静電気を誘引するための静電気誘引部と、前記保護膜及び前記絶縁膜からなり前記静電気誘引部と平面に視て重畳する位置に貫通して形成される静電気誘引開口部を有する誘引部保護部とを少なくとも有する静電気保護部と、を備える半導体装置。

このようにすれば、第１金属膜からなる信号配線部は、コンタクト部において端部に形成された信号配線側接続部が第２金属膜からなり半導体機能部が有する電極部のいずれか一方に連なる半導体機能部側接続部に対して絶縁部を貫通するコンタクト部側開口部を通して接続され、それにより半導体機能部側からの信号が信号配線部側に供給されるようになっている。ここで、当該半導体装置の製造過程において、第２金属膜を成膜する前の段階では、半導体機能部において保護膜からなる保護部を貫通する半導体機能部側開口部が形成されているのに対し、コンタクト部において保護膜及び絶縁膜からなる絶縁部を貫通するコンタクト部側開口部が形成されており、半導体機能部側開口部を通して半導体膜からなる半導体部と、コンタクト部側開口部を通して第１金属膜からなる信号配線側接続部とが露出した状態となっている。この状態において、半導体機能部とコンタクト部とのいずれか一方にて静電気が発生すると、その静電気が他方側の半導体機能部または信号配線側接続部に印加されて半導体機能部またはコンタクト部に不良が発生することが懸念される。

その点、第１金属膜からなり平面に視て半導体機能部とコンタクト部との間に配される静電気誘引部と、保護膜及び絶縁膜からなり静電気誘引部と平面に視て重畳する位置に貫通して形成される静電気誘引開口部を有する誘引部保護部とを少なくとも有する静電気保護部が備えられているので、当該半導体装置の製造過程において第２金属膜を成膜する前の段階では、静電気誘引部が誘引部保護部を貫通する静電気誘引開口部を通して露出することになる。従って、第２金属膜を成膜する前の段階で半導体機能部とコンタクト部とのいずれか一方にて静電気が発生した場合でも、その静電気を、他方側に至る途中に存在する静電気誘引開口部を通して静電気誘引部へと誘引することができる。これにより、半導体機能部またはコンタクト部に静電気に起因する不良が発生し難くすることができる。

しかも、静電気誘引部は、コンタクト部の信号配線側接続部と同じ第１金属膜からなるものとされているから、半導体機能部の半導体部側にて静電気が発生した場合にその静電気を効果的に誘引することができ、静電気が信号配線側接続部に印加されるのをより好適に防ぐことができる。

次に、上記課題を解決するために、本発明の表示装置は、上記した半導体装置と、前記半導体装置と対向するように配置された対向基板と、前記半導体装置と前記対向基板との間に配置された液晶層と、前記半導体装置に設けられるとともに前記信号配線部に接続されたスイッチング素子とを備える。

このような表示装置によると、上記した半導体装置が静電気に起因する不良の発生を抑制されたものであるから、動作信頼性などに優れる。

（発明の効果）
本発明によれば、静電気に起因する不良の発生を抑制することができる。

本発明の実施形態１に係るドライバを実装した液晶パネルとフレキシブル基板と制御回路基板との接続構成を示す概略平面図 液晶表示装置の長辺方向に沿った断面構成を示す概略断面図 液晶パネルの断面構成を示す概略断面図 アレイ基板の表示部におけるＴＦＴの断面構成を示す断面図 液晶パネルを構成するアレイ基板の配線構成を概略的に示す平面図 アレイ基板の静電気保護回路部、共通配線、静電気保護部及びコンタクト部を示す平面図 図６のvii-vii線断面図 図６のviii-viii線断面図 図６のix-ix線断面図 図６のx-x線断面図 図６のxi-xi線断面図 図６のxii-xii線断面図 静電気保護回路部が有する静電気保護回路の回路構成を概略的に示す回路図 第２金属膜を成膜する前の段階におけるアレイ基板の静電気保護回路部、共通配線、静電気保護部及びコンタクト部を示す平面図 図１４のxv-xv線断面図 図１４のxvi-xvi線断面図 図１４のxvii-xvii線断面図 図１４のxviii-xviii線断面図 本発明の実施形態２に係るアレイ基板の静電気保護回路部、共通配線、静電気保護部及びコンタクト部を示す平面図 図１９のxx-xx線断面図 図１９のxxi-xxi線断面図 静電気保護回路部が有する静電気保護回路の回路構成を概略的に示す回路図 本発明の実施形態３に係るアレイ基板の静電気保護回路部、共通配線、静電気保護部及びコンタクト部を示す平面図 図２３のxxiv-xxiv線断面図 図２３のxxv-xxv線断面図 本発明の実施形態４に係るアレイ基板の静電気保護回路部、共通配線、静電気保護部及びコンタクト部を示す平面図 図２６のxxvii-xxvii線断面図 第２金属膜を成膜する前の段階におけるアレイ基板の静電気保護回路部、共通配線、静電気保護部及びコンタクト部を示す平面図 図２８のxxix-xxix線断面図 本発明の実施形態５に係るアレイ基板における静電気保護部の断面構成を示す断面図 本発明の実施形態６に係るアレイ基板における静電気保護部の断面構成を示す断面図 本発明の実施形態７に係るアレイ基板の静電気保護回路部、共通配線、静電気保護部及びコンタクト部を示す平面図 図３２のxxxiii-xxxiii線断面図

＜実施形態１＞
本発明の実施形態１を図１から図１８によって説明する。本実施形態では、液晶表示装置１０について例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、上下方向については、図２などを基準とし、且つ同図上側を表側とするとともに同図下側を裏側とする。

液晶表示装置１０は、図１及び図２に示すように、画像を表示可能な表示部ＡＡ及び表示部ＡＡ外の非表示部ＮＡＡを有する液晶パネル（表示装置）１１と、液晶パネル１１を駆動するドライバ（パネル駆動部）２１と、ドライバ２１に対して各種入力信号を外部から供給する制御回路基板（外部の信号供給源）１２と、液晶パネル１１と外部の制御回路基板１２とを電気的に接続するフレキシブル基板（外部接続部品）１３と、液晶パネル１１に光を供給する外部光源であるバックライト装置（照明装置）１４とを備える。また、液晶表示装置１０は、相互に組み付けた液晶パネル１１及びバックライト装置１４を収容・保持するための表裏一対の外装部材１５，１６をも備えており、このうち表側の外装部材１５には、液晶パネル１１の表示部ＡＡに表示された画像を外部から視認させるための開口部１５ａが形成されている。本実施形態に係る液晶表示装置１０は、携帯型情報端末（電子ブックやＰＤＡなどを含む）、携帯電話（スマートフォンなどを含む）、ノートパソコン（タブレット型ノートパソコンなどを含む）、デジタルフォトフレーム、携帯型ゲーム機、電子インクペーパなどの各種電子機器（図示せず）に用いられるものである。このため、液晶表示装置１０を構成する液晶パネル１１の画面サイズは、数インチ〜１０数インチ程度とされ、一般的には小型または中小型に分類される大きさとされている。

先にバックライト装置１４について簡単に説明する。バックライト装置１４は、図２に示すように、表側（液晶パネル１１側）に向けて開口した略箱形をなすシャーシ１４ａと、シャーシ１４ａ内に配された図示しない光源（例えば冷陰極管、ＬＥＤ、有機ＥＬなど）と、シャーシ１４ａの開口部を覆う形で配される図示しない光学部材とを備える。光学部材は、光源から発せられる光を面状に変換するなどの機能を有するものである。

続いて、液晶パネル１１について説明する。液晶パネル１１は、図１に示すように、全体として縦長な方形状（矩形状）をなしており、その長辺方向における一方の端部側（図１に示す上側）に片寄った位置に表示部（アクティブエリア）ＡＡが配されるとともに、長辺方向における他方の端部側（図１に示す下側）に片寄った位置にドライバ２１及びフレキシブル基板１３がそれぞれ取り付けられている。この液晶パネル１１において表示部ＡＡ外の領域が、画像が表示されない非表示部（ノンアクティブエリア）ＮＡＡとされ、この非表示部ＮＡＡは、表示部ＡＡを取り囲む略枠状の領域（後述するＣＦ基板１１ａにおける額縁部分）と、長辺方向の他方の端部側に確保された領域（後述するアレイ基板１１ｂのうちＣＦ基板１１ａとは重畳せずに露出する部分）とからなり、このうちの長辺方向の他方の端部側に確保された領域にドライバ２１及びフレキシブル基板１３の実装領域（取付領域）が含まれている。液晶パネル１１における短辺方向が各図面のＸ軸方向と一致し、長辺方向が各図面のＹ軸方向と一致している。なお、図１では、ＣＦ基板１１ａよりも一回り小さな枠状の一点鎖線が表示部ＡＡの外形を表しており、当該実線よりも外側の領域が非表示部ＮＡＡとなっている。

続いて、液晶パネル１１に接続される部材について説明する。制御回路基板１２は、図１及び図２に示すように、バックライト装置１４におけるシャーシ１４ａの裏面（液晶パネル１１側とは反対側の外面）にネジなどにより取り付けられている。この制御回路基板１２は、紙フェノールないしはガラスエポキシ樹脂製の基板上に、ドライバ２１に各種入力信号を供給するための電子部品が実装されるとともに、図示しない所定のパターンの配線（導電路）が配索形成されている。この制御回路基板１２には、フレキシブル基板１３の一方の端部（一端側）が図示しないＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）を介して電気的に且つ機械的に接続されている。

フレキシブル基板（ＦＰＣ基板）１３は、図２に示すように、絶縁性及び可撓性を有する合成樹脂材料（例えばポリイミド系樹脂等）からなる基材を備え、その基材上に多数本の配線パターン（図示せず）を有しており、長さ方向についての一方の端部が既述した通りシャーシ１４ａの裏面側に配された制御回路基板１２に接続されるのに対し、他方の端部（他端側）が液晶パネル１１におけるアレイ基板１１ｂに接続されているため、液晶表示装置１０内では断面形状が略Ｕ型となるよう折り返し状に屈曲されている。フレキシブル基板１３における長さ方向についての両端部においては、配線パターンが外部に露出して端子部（図示せず）を構成しており、これらの端子部がそれぞれ制御回路基板１２及び液晶パネル１１に対して電気的に接続されている。これにより、制御回路基板１２側から供給される入力信号を液晶パネル１１側に伝送することが可能とされている。

ドライバ２１は、図１に示すように、内部に駆動回路を有するＬＳＩチップからなるものとされ、信号供給源である制御回路基板１２から供給される信号に基づいて作動することで、信号供給源である制御回路基板１２から供給される入力信号を処理して出力信号を生成し、その出力信号を液晶パネル１１の表示部ＡＡへ向けて出力するものとされる。このドライバ２１は、平面に視て横長の方形状をなす（液晶パネル１１の短辺に沿って長手状をなす）とともに、液晶パネル１１（後述するアレイ基板１１ｂ）の非表示部ＮＡＡに対して直接実装され、つまりＣＯＧ（Chip On Glass）実装されている。なお、ドライバ２１の長辺方向がＸ軸方向（液晶パネル１１の短辺方向）と一致し、同短辺方向がＹ軸方向（液晶パネル１１の長辺方向）と一致している。

改めて液晶パネル１１について説明する。液晶パネル１１は、図３に示すように、一対の基板１１ａ，１１ｂと、両基板１１ａ，１１ｂ間に介在し、電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層１１ｃとを備え、両基板１１ａ，１１ｂが液晶層１１ｃの厚さ分のギャップを維持した状態で図示しないシール剤によって貼り合わせられている。本実施形態に係る液晶パネル１１は、動作モードがＩＰＳ（In-Plane Switching）モードをさらに改良したＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードであり、一対の基板１１ａ，１１ｂのうちのアレイ基板１１ｂ側に後述する画素電極１８及び共通電極２２を共に形成し、且つこれら画素電極１８と共通電極２２とを異なる層に配してなるものである。一対の基板１１ａ，１１ｂのうち表側（正面側）がＣＦ基板（対向基板）１１ａとされ、裏側（背面側）がアレイ基板（半導体装置）１１ｂとされる。これらＣＦ基板１１ａ及びアレイ基板１１ｂは、ほぼ透明な（高い透光性を有する）ガラス基板ＧＳを備えており、当該ガラス基板ＧＳ上に各種の膜を積層形成してなるものとされる。このうち、ＣＦ基板１１ａは、図１及び図２に示すように、短辺寸法がアレイ基板１１ｂと概ね同等であるものの、長辺寸法がアレイ基板１１ｂよりも小さなものとされるとともに、アレイ基板１１ｂに対して長辺方向についての一方（図１に示す上側）の端部を揃えた状態で貼り合わせられている。従って、アレイ基板１１ｂのうち長辺方向についての他方（図１に示す下側）の端部は、所定範囲にわたってＣＦ基板１１ａが重なり合うことがなく、表裏両板面が外部に露出した状態とされており、ここにドライバ２１及びフレキシブル基板１３の実装領域が確保されている。なお、両基板１１ａ，１１ｂの内面側には、液晶層１１ｃに含まれる液晶分子を配向させるための配向膜１１ｄ，１１ｅがそれぞれ形成されている。また、両基板１１ａ，１１ｂの外面側には、それぞれ偏光板１１ｆ，１１ｇが貼り付けられている。

まず、アレイ基板１１ｂの内面側（液晶層１１ｃ側、ＣＦ基板１１ａとの対向面側）に既知のフォトリソグラフィ法によって積層形成された各種の膜について説明する。アレイ基板１１ｂには、図４に示すように、下層（ガラス基板ＧＳ）側から順に第１金属膜（ゲート金属膜）３４、ゲート絶縁膜（絶縁膜）３５、半導体膜３６、保護膜３７、第２金属膜（ソース金属膜）３８、第１層間絶縁膜３９、有機絶縁膜４０、第１透明電極膜２３、第２層間絶縁膜４１、第２透明電極膜２４が積層形成されている。

第１金属膜３４は、チタン（Ｔｉ）及び銅（Ｃｕ）の積層膜により形成されている。この第１金属膜３４は、表示部ＡＡにおいては後述するゲート配線１９やＴＦＴ１７のゲート電極１７ａなど構成するのに対し、非表示部ＮＡＡにおいては後述する共通配線２５、ゲート配線１９の端部（ゲート配線側接続部４８）、静電気保護回路部２６が有するダイオード２９，３０の一部（ゲート電極部２９ｅ，３０ｅ）などを構成している。ゲート絶縁膜３５は、窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）からなる下層側ゲート絶縁膜３５ａと、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）からなる上層側ゲート絶縁膜３５ｂとの積層膜により形成されている。半導体膜３６は、酸化物半導体の一種であるインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物薄膜からなるものとされる。半導体膜３６をなすインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物薄膜は、非晶質または結晶質とされている。この半導体膜３６は、表示部ＡＡにおいては後述するＴＦＴ１７のチャネル部１７ｄなどを構成するのに対し、非表示部ＮＡＡにおいては後述する静電気保護回路部２６が有するダイオード２９，３０の一部（半導体部２９ｄ，３０ｄ）などを構成している。保護膜３７は、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）からなるものとされている。

第２金属膜３８は、チタン（Ｔｉ）及び銅（Ｃｕ）の積層膜により形成されている。この第２金属膜３８は、表示部ＡＡにおいては後述するソース配線２０やＴＦＴ１７のソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃを構成するのに対し、非表示部ＮＡＡにおいては後述する第１短絡配線部３１、第２短絡配線部３３、静電気保護回路部２６が有するダイオード２９，３０の一部（電極部２９ａ，３０ａ，２９ｂ，３０ｂ）などを構成している。第１層間絶縁膜３９は、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）からなるものとされている。有機絶縁膜４０は、有機材料であるアクリル樹脂（例えばポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ））やポリイミド樹脂からなる。第１透明電極膜２３及び第２透明電極膜２４は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）或いはＺｎＯ（Zinc Oxide）といった透明電極材料からなる。第２層間絶縁膜４１は、窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）からなる。上記した各膜のうち、第１透明電極膜２３及び第２透明電極膜２４は、アレイ基板１１ｂの表示部ＡＡにのみ形成され、非表示部ＮＡＡには形成されていないのに対し、ゲート絶縁膜３５、保護膜３７、第１層間絶縁膜３９、有機絶縁膜４０及び第２層間絶縁膜４１といった絶縁材料からなる膜については、アレイ基板１１ｂのほぼ全面にわたるベタ状のパターンとして形成されている。また、第１金属膜３４、半導体膜３６及び第２金属膜３８は、アレイ基板１１ｂの表示部ＡＡ及び非表示部ＮＡＡの双方に所定のパターンでもって形成されている。

続いて、アレイ基板１１ｂにおける表示部ＡＡ内に存在する構成について順次に詳しく説明する。アレイ基板１１ｂの表示部ＡＡには、図３に示すように、スイッチング素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）１７及び画素電極１８が多数個ずつマトリクス状に並んで設けられるとともに、これらＴＦＴ１７及び画素電極１８の周りには、格子状をなすゲート配線（信号配線部、行制御線、走査線）１９及びソース配線（列制御線、データ線）２０が取り囲むようにして配設されている。言い換えると、格子状をなすゲート配線１９及びソース配線２０の交差部に、ＴＦＴ１７及び画素電極１８が行列状に並列配置されている。ゲート配線１９は、第１金属膜３４からなるのに対し、ソース配線２０は、第２金属膜３８からなり、相互の交差部位間にはゲート絶縁膜３５及び保護膜３７が介在する形で配されている。ゲート配線１９とソース配線２０とが、図４に示すように、それぞれＴＦＴ１７のゲート電極１７ａとソース電極１７ｂとに接続され、画素電極１８がＴＦＴ１７のドレイン電極１７ｃに接続されている。このＴＦＴ１７は、ソース電極１７ｂとドレイン電極１７ｃとを架け渡して両電極１７ｂ，１７ｃ間での電子の移動を可能とする半導体膜３６からなるチャネル部１７ｄを有する。ここで、チャネル部１７ｄをなす半導体膜３６は、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物薄膜であり、このインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物薄膜は、電子移動度がアモルファスシリコン薄膜などに比べると、例えば２０倍〜５０倍程度と高くなっているので、ＴＦＴ１７を容易に小型化して画素電極１８の透過光量を極大化することができ、もって高精細化及び低消費電力化などを図る上で好適とされる。このようなインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物薄膜を有するＴＦＴ１７は、ゲート電極１７ａが最下層に配され、その上層側にゲート絶縁膜３５を介してチャネル部１７ｄが積層されてなる、逆スタガ型とされており、一般的なアモルファスシリコン薄膜を有するＴＦＴと同様の積層構造とされる。その一方、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物薄膜は、酸化物であるために酸化または還元され易く、さらにはソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃを形成する際に行われるエッチング処理によってエッチングされ易い、といった性質を有している。そこで、本実施形態に係るＴＦＴ１７は、半導体膜３６（インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物薄膜）からなるチャネル部１７ｄと、ソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃとの間に酸化シリコン（ＳｉＯ_２）からなる保護膜３７を備えており、それによりチャネル部１７ｄが酸化または還元されて電気的特性が変化するのを抑制することができるとともに、ソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃを形成する際にエッチングされ難くすることができる。なお、保護膜３７のうちソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃと平面視重畳する位置には、開口部が形成されており、この開口部を通してソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃがチャネル部１７ｄに接続されている。

画素電極１８は、第２透明電極膜２４からなり、ゲート配線１９とソース配線２０とに囲まれた領域において全体として平面に視て縦長の方形状（矩形状）をなすとともに、図示しないスリットが複数本設けられることで略櫛歯状に形成されている。この画素電極１８は、図４に示すように、第２層間絶縁膜４１上に形成されており、次述する共通電極２２との間に第２層間絶縁膜４１が介在している。画素電極１８は、第１層間絶縁膜３９、有機絶縁膜４０及び第２層間絶縁膜４１に形成されたコンタクトホールＣＨを通してＴＦＴ１７のドレイン電極１７ｃに接続されているので、ＴＦＴ１７を駆動させることで、画素電極１８に所定の電位を印加することができる。共通電極２２は、第１透明電極膜２３からなり、アレイ基板１１ｂの表示部ＡＡにおけるほぼ全面にわたる、いわゆるベタ状のパターンとされる。共通電極２２は、有機絶縁膜４０上に形成されている。共通電極２２には、後述する共通配線（静電気逃がし配線部）２５から共通電位（基準電位）が印加されるので、上記のようにＴＦＴ１７により画素電極１８に印加する電位を制御することで、両電極１８，２２間に所定の電位差を生じさせることができる。両電極１８，２２間に電位差が生じると、液晶層１１ｃには、画素電極１８のスリットによってアレイ基板１１ｂの板面に沿う成分に加えて、アレイ基板１１ｂの板面に対する法線方向の成分を含むフリンジ電界（斜め電界）が印加されるので、液晶層１１ｃに含まれる液晶分子のうち、スリットに存在するものに加えて、画素電極１８上に存在するものもその配向状態を適切にスイッチングすることができる。もって、液晶パネル１１の開口率が高くなって十分な透過光量が得られるとともに、高い視野角性能を得ることができる。なお、アレイ基板１１ｂには、ゲート配線１９に並行するとともに画素電極１８を横切りつつ、ゲート絶縁膜３５、保護膜３７、第１層間絶縁膜３９、有機絶縁膜４０及び第２層間絶縁膜４１を介して重畳する容量配線（図示せず）を設けることも可能である。

続いて、ＣＦ基板１１ａにおける表示部ＡＡ内に存在する構成について詳しく説明する。ＣＦ基板１１ａには、図３に示すように、Ｒ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）等の各着色部が、アレイ基板１１ｂ側の各画素電極１８と平面に視て重畳するよう多数個マトリクス状に並列して配置されたカラーフィルタ１１ｈが設けられている。カラーフィルタ１１ｈをなす各着色部間には、混色を防ぐための略格子状の遮光層（ブラックマトリクス）１１ｉが形成されている。遮光層１１ｉは、上記したゲート配線１９及びソース配線２０と平面に視て重畳する配置とされる。カラーフィルタ１１ｈ及び遮光層１１ｉの表面には、配向膜１１ｄが設けられている。なお、当該液晶パネル１１においては、Ｒ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）の３色の着色部及びそれらと対向する３つの画素電極１８の組によって表示単位である１つの表示画素が構成されている。表示画素は、Ｒの着色部を有する赤色画素と、Ｇの着色部を有する緑色画素と、Ｂの着色部を有する青色画素とからなる。これら各色の画素は、液晶パネル１１の板面において行方向（Ｘ軸方向）に沿って繰り返し並べて配されることで、画素群を構成しており、この画素群が列方向（Ｙ軸方向）に沿って多数並んで配されている。

次に、アレイ基板１１ｂにおける非表示部ＮＡＡ内に存在する構成について詳しく説明する。アレイ基板１１ｂの非表示部ＮＡＡには、図５に示すように、表示部ＡＡを取り囲む形で環状（枠状、リング状）をなす共通配線２５が設けられている。この共通配線２５は、共通電極２２に対して図示しないコンタクト部位を介して接続されることで、ドライバ２１から供給される共通電位を共通電極２２に印加することができる。アレイ基板１１ｂの非表示部ＮＡＡのうち、表示部ＡＡにおける短辺部に隣り合う位置には、列制御回路部２７が設けられているのに対し、表示部ＡＡにおける長辺部に隣り合う位置には、静電気保護回路部２６及び行制御回路部２８が設けられている。列制御回路部２７及び行制御回路部２８は、ドライバ２１からの出力信号をＴＦＴ１７に供給するための制御を行うことが可能とされている。静電気保護回路部２６は、表示部ＡＡのＴＦＴ１７を静電破壊から保護することが可能とされる。静電気保護回路部２６、列制御回路部２７及び行制御回路部２８は、ＴＦＴ１７と同じインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物薄膜（半導体膜３６）をベースとしてアレイ基板１１ｂ上にモノリシックに形成されており、それによりＴＦＴ１７への出力信号の供給を制御するための制御回路や静電気保護回路（後述するダイオード２９，３０）を有している。これら共通配線２５、静電気保護回路部２６、列制御回路部２７及び行制御回路部２８は、アレイ基板１１ｂの製造工程においてＴＦＴ１７などをパターニングする際に既知のフォトリソグラフィ法により同時にアレイ基板１１ｂ上にパターニングされている。

このうち、列制御回路部２７は、図５に示すように、表示部ＡＡにおける図５に示す下側の短辺部に隣り合う位置、言い換えるとＹ軸方向について表示部ＡＡとドライバ２１との間となる位置に配されており、Ｘ軸方向に沿って延在する横長な方形状の範囲に形成されている。この列制御回路部２７は、表示部ＡＡに配されたソース配線２０に接続されるとともに、ドライバ２１からの出力信号に含まれる画像信号を、各ソース配線２０に振り分けるスイッチ回路（ＲＧＢスイッチ回路）を有している。具体的には、ソース配線２０は、アレイ基板１１ｂの表示部ＡＡにおいてＸ軸方向に沿って多数本が並列配置されるとともに、Ｒ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）の各色の画素をなす各ＴＦＴ１７にそれぞれ接続されているのに対して、列制御回路部２７は、スイッチ回路によってドライバ２１からの画像信号をＲ，Ｇ，Ｂの各ソース配線２０に振り分けて供給している。また、列制御回路部２７は、レベルシフタ回路などの付属回路を備えることも可能である。

これに対し、行制御回路部２８は、図５に示すように、表示部ＡＡにおける図５に示す左側の長辺部との間で静電気保護回路部２６を挟み込む位置に配されており、Ｙ軸方向に沿って延在する縦長な範囲に形成されている。行制御回路部２８は、表示部ＡＡに配されたゲート配線１９に接続されるとともに、ドライバ２１からの出力信号に含まれる制御信号を、各ゲート配線１９に所定のタイミングで供給して各ゲート配線１９を順次に走査する走査回路を有している。具体的には、ゲート配線１９は、アレイ基板１１ｂの表示部ＡＡにおいてＹ軸方向に沿って多数本が並列配置されているのに対して、行制御回路部２８は、走査回路によってドライバ２１からの制御信号（走査信号）を、表示部ＡＡにおいて図５に示す上端位置のゲート配線１９から下端位置のゲート配線１９に至るまで順次に供給することで、ゲート配線１９の走査を行っている。また、行制御回路部２８には、レベルシフタ回路やバッファ回路などの付属回路を備えることも可能である。なお、列制御回路部２７及び行制御回路部２８は、アレイ基板１１ｂ上に形成された接続配線によってドライバ２１に接続されている。

静電気保護回路部２６は、図５に示すように、表示部ＡＡにおける図５に示す左側の長辺部に対して隣り合う位置に配されており、行制御回路部２８と同様にＹ軸方向に沿って延在する縦長な範囲に形成されている。静電気保護回路部２６は、ゲート配線１９、共通配線２５及び行制御回路部２８に対して電気的に接続されている。詳しくは、静電気保護回路部２６は、図６に示すように、各ゲート配線１９毎に、静電気保護回路として２つずつのダイオード２９，３０をリング状に配置して備えており、この２つのダイオード２９，３０がそれぞれ有する２つの一方の電極部２９ａ，３０ａが各ゲート配線１９及び行制御回路部２８に対してそれぞれ接続されるとともに、２つの他方の電極部２９ｂ，３０ｂが共通配線２５にそれぞれ接続されることで、ゲート配線１９や行制御回路部２８にて発生した静電気（ＥＳＤ（Electro-Static Discharge））を共通配線２５へと逃がして表示部ＡＡのＴＦＴ１７が静電破壊されるのを防ぐことが可能とされる。従って、静電気保護回路をなす２つのダイオード２９，３０の組は、ゲート配線１９の並び方向であるＹ軸方向に沿って、ゲート配線１９の本数分並んで配されている。

さらに詳しくは、静電気保護回路部２６は、図６に示すように、２つのダイオード２９，３０における一方の電極部２９ａ，３０ａ同士が第１短絡配線部３１によって短絡されており、この第１短絡配線部３１の一端側（図６に示す左端側）が図６では図示されない行制御回路部２８に、他端側（図６に示す右端側）がゲート配線１９にそれぞれ接続されている。第１短絡配線部３２とゲート配線１９との接続箇所には、コンタクト部３２が設けられている。コンタクト部３２は、静電気保護回路部２６に対して共通配線２５を挟んで図６では図示しない表示部ＡＡ側（行制御回路部２８側とは反対側）の位置に配されている。静電気保護回路部２６は、２つのダイオード２９，３０における他方の電極部２９ｂ，３０ｂ同士が第２短絡配線部３３によって短絡されており、この第２短絡配線部３３が共通配線２５に接続されている。

続いて、静電気保護回路部２６、各短絡配線部３１，３３、コンタクト部３２、共通配線２５などの詳しい構造について順次に説明する。静電気保護回路部２６は、図６に示すように、リング状に相互に接続される２つのダイオード２９，３０の組をゲート配線１９の本数分有している。２つのダイオード２９，３０のうち、一方（図６に示す下側）が第１ダイオード（半導体機能部）２９とされるのに対し、他方（図６に示す上側）が第２ダイオード（第２の半導体機能部）３０とされる。これら第１ダイオード２９と第２ダイオード３０との並び方向は、アレイ基板１１ｂを構成するガラス基板ＧＳの板面に沿うとともにＹ軸方向（ゲート配線１９の並び方向、共通配線２５の延在方向）と一致している。

第１ダイオード２９は、図７に示すように、第２金属膜３８からなる２つの第１電極部（電極部）２９ａ，２９ｂと、保護膜３７からなり第１電極部２９ａ，２９ｂと平面視重畳する位置に２つの第１ダイオード側開口部（半導体機能部側開口部）２９ｃ１，２９ｃ２が貫通形成された第１保護部（保護部）２９ｃと、半導体膜３６からなり第１ダイオード側開口部２９ｃ１，２９ｃ２を通して２つの第１電極部２９ａ，２９ｂにそれぞれ接続される第１半導体部（半導体部）２９ｄとを有する。２つの第１電極部２９ａ，２９ｂの並び方向及び第１半導体部２９ｄの長さ方向は、アレイ基板１１ｂを構成するガラス基板ＧＳの板面に沿うとともにＸ軸方向（２つのダイオード２９，３０の並び方向と直交する方向）と一致している。さらには、第１ダイオード２９は、第１金属膜３４からなり２つの第１電極部２９ａ，２９ｂ及び第１半導体部２９ｄと平面視重畳する第１ゲート電極部（ゲート電極部）２９ｅと、ゲート絶縁膜３５からなり第１ゲート電極部２９ｅと第１半導体部２９ｄとを絶縁する第１絶縁層２９ｆとを有する。第１ゲート電極部２９ｅには、第２金属膜３８からなる第１短絡配線部３１と平面視重畳する第１短絡配線部側接続部４２が連ねられており、この第１短絡配線部側接続部４２が第１短絡配線部３１に対して接続されている。第１短絡配線部側接続部４２は、第１ゲート電極部２９ｅと同じ第１金属膜３４からなり、図９に示すように、第１短絡配線部３１との間に介在する第１短絡配線部側絶縁部（第３の絶縁部）４３に貫通形成された第１短絡配線部側開口部４３ａを通して第１短絡配線部３１に接続されている。なお、第１短絡配線部側絶縁部４３は、ゲート絶縁膜３５及び保護膜３７からなる。第１ダイオード２９が有する一方（図６に示す左側）の第１電極部２９ａは、同じ第２金属膜３８からなる第１短絡配線部３１に連ねられている。つまり、第１ダイオード２９は、一方の第１電極部２９ａと第１ゲート電極部２９ｅとが第１短絡配線部３１によって短絡されているので、構造としてはトランジスタ型であるものの、電気的にはダイオードとして機能するようになっている。

第１短絡配線部３１は、第２金属膜３８からなり、図６に示すように、Ｘ軸方向について行制御回路部２８側からコンタクト部３２側へと引き回されるとともにその途中で静電気保護回路部２６及び共通配線２５を横切っている。第１短絡配線部３１は、その一端側が行制御回路部２８に、他端側がコンタクト部３２を介してゲート配線１９にそれぞれ接続されている。第１短絡配線部３１のうち、静電気保護回路部２６が有する２つのダイオード２９，３０に対して図６に示す左側に隣り合う部分が、第１ゲート電極部２９ｅに連なる第１短絡配線部側接続部４２に対して平面視重畳していて第１短絡配線部側絶縁部４３の第１短絡配線部側開口部４３ａを通して接続されるとともに、２つのダイオード２９，３０が有する一方の電極部２９ａ，３０ａが連ねられている。

第２ダイオード３０は、図８に示すように、第２金属膜３８からなる２つの第２電極部（第２の電極部）３０ａ，３０ｂと、保護膜３７からなり第２電極部３０ａ，３０ｂと平面視重畳する位置に２つの第２ダイオード側開口部（第２の半導体機能部側開口部）３０ｃ１，３０ｃ２が貫通形成された第２保護部（第２の保護部）３０ｃと、半導体膜３６からなり第２ダイオード側開口部３０ｃ１，３０ｃ２を通して２つの第２電極部３０ａ，３０ｂにそれぞれ接続される第２半導体部（第２の半導体部）３０ｄとを有する。２つの第２電極部３０ａ，３０ｂの並び方向及び第２半導体部３０ｄの長さ方向は、Ｙ軸方向、つまり第１電極部２９ａ，２９ｂの並び方向及び第１半導体部２９ｄの長さ方向と一致している。さらには、第２ダイオード３０は、第２金属膜３４からなり２つの第２電極部３０ａ，３０ｂ及び第２半導体部３０ｄと平面視重畳する第２ゲート電極部（第２のゲート電極部）３０ｅと、ゲート絶縁膜３５からなり第２ゲート電極部３０ｅと第２半導体部３０ｄとを絶縁する第２絶縁層３０ｆとを有する。第２ゲート電極部３０ｅには、第２金属膜３８からなる第２短絡配線部３３と平面視重畳する第２短絡配線部側接続部４４が連ねられており、この第２短絡配線部側接続部４４が第２短絡配線部３３に対して接続されている。第２短絡配線部側接続部４４は、第２ゲート電極部３０ｅと同じ第１金属膜３４からなり、図１０に示すように、第２短絡配線部３３との間に介在する第２短絡配線部側絶縁部（第２の絶縁部）４５に貫通形成された第２短絡配線部側開口部４５ａを通して第２短絡配線部３３に接続されている。なお、第２短絡配線部側絶縁部４５は、ゲート絶縁膜３５及び保護膜３７からなる。第２ダイオード３０が有する他方（図６に示す右側）の第２電極部３０ｂは、同じ第２金属膜３８からなる第２短絡配線部３３に連ねられている。つまり、第２ダイオード３０は、他方の第２電極部３０ａと第２ゲート電極部３０ｅとが第２短絡配線部３３によって短絡されているので、構造としてはトランジスタ型であるものの、電気的にはダイオードとして機能するようになっている。

第２短絡配線部３３は、第２金属膜３８からなり、図６に示すように、Ｘ軸方向について共通配線２５に対してコンタクト部３２側とは反対側に隣り合う形で配されており、またＹ軸方向については隣り合う２本の第１短絡配線部３１の間に挟み込まれる形で配されている。第２短絡配線部３３は、静電気保護回路部２６が有する２つのダイオード２９，３０と共通配線２５との間に配されるとともに、第２ゲート電極部３０ｅに連なる第２短絡配線部側接続部４４に対して平面視重畳していて第２短絡配線部側絶縁部４５の第２短絡配線部側開口部４５ａを通して接続され、さらには２つのダイオード２９，３０が有する他方の電極部２９ｂ，３０ｂが連ねられている。この第２短絡配線部側接続部４４は、第１金属膜３４からなるとともに隣り合う共通配線２５に連ねられており、それにより２つのダイオード２９，３０が有する他方の電極部２９ｂ，３０ｂが共に共通配線２５に接続されている。従って、第２短絡配線部側接続部４４は、第２短絡配線部３３を共通配線２５に接続する共通配線側接続部（静電気逃がし配線側接続部）４６を兼用していると言える。また、既述した第２短絡配線部側絶縁部４５は、共通配線側接続部４６と第２短絡配線部３３とを絶縁する共通配線側絶縁部（第４の絶縁部）４７を兼用するとともに、第２短絡配線部側開口部４５ａは、共通配線側絶縁部４７を貫通して第２短絡配線部３３を共通配線側接続部４６に接続する共通配線側開口部（第２の第２短絡配線部側開口部）４７ａを兼用していると言える。

改めて静電気保護回路部２６が有する２つのダイオード２９，３０の接続態様について、図１３に示される回路図を用いて説明する。第１ダイオード２９の一方の第１電極部２９ａ、第１ゲート電極部２９ｅ及び第２ダイオード３０の一方の第２電極部３０ａは、図１３に示すように、第１短絡配線部３１により短絡されるとともにゲート配線１９に接続されている。一方、第１ダイオード２９の他方の第１電極部２９ｂ、第２ダイオード３０の他方の第２電極部３０ｂ及び第２ゲート電極部３０ｅは、第２短絡配線部３３により短絡されるとともに共通配線２５に接続されている。そして、共にトランジスタ型をなす２つのダイオード２９，３０は、その閾値電圧が、行制御回路部２８から第１短絡配線部３１を介してゲート配線１９に伝送される信号に係る電圧値よりも高いものの、静電気が発生した際に印加される電圧値よりは低くなるよう設定されている。これにより、液晶パネル１１を駆動する際には、２つのダイオード２９，３０が作動せず、行制御回路部２８からの信号がゲート配線１９へと正常に伝送されるものの、例えば静電気がゲート配線１９に印加されてゲート配線１９側が共通配線２５側よりも高電位となった際には、２つのダイオード２９，３０が作動することで、静電気を共通配線２５へと逃がすことができるものとされる。なお、共通配線２５に静電気が印加されてゲート配線１９側が共通配線２５側よりも低電位になった場合も、上記と同様に２つのダイオード２９，３０が作動することで、静電気を逃がすことができる。

次に、コンタクト部３２について説明する。コンタクト部３２は、図６に示しように、Ｘ軸方向について共通配線２５と表示部ＡＡとの間に挟み込まれる位置に配されている。コンタクト部３２は、図１１に示すように、第１金属膜３４からなりゲート配線１９の端部に形成されるゲート配線側接続部（信号配線側接続部）４８と、ゲート絶縁膜３５及び保護膜３７からなりゲート配線側接続部４８と平面視重畳する位置に貫通形成されるコンタクト部側開口部４９ａを有するコンタクト部側絶縁部（絶縁部）４９と、第２金属膜３８からなり第１短絡配線部３１の他端側に形成されるとともにコンタクト部側開口部４９ａを通してゲート配線側接続部４８に接続されるダイオード側接続部（半導体機能部側接続部）５０とを有している。このダイオード側接続部５０は、第１短絡配線部３１を介して静電気保護回路部２６が有する２つのダイオード２９，３０の一方の電極部２９ａ，３０ａ及び第１ゲート電極部２９ｅに短絡されている。ゲート配線側接続部４８及びダイオード側接続部５０は、共にゲート配線１９及び第１短絡配線部３１から図６に示す上側に向けて延出する形で設けられており、静電気保護回路部２６に対して共通配線２５を挟んでＸ軸方向に沿って並んでいる。コンタクト部側開口部４９ａは、ゲート配線側接続部４８及びダイオード側接続部５０と重畳する位置に３つ設けられており、それによりゲート配線側接続部４８及びダイオード側接続部５０の接続箇所が３箇所とされている。

続いて、共通配線２５について説明する。共通配線２５は、第１金属膜３４からなり、図６に示すように、Ｘ軸方向について静電気保護回路部２６とコンタクト部３２との間を仕切る位置に配されるとともに、多数本の第１短絡配線部３１を横切るようＹ軸方向に沿って延在している。この共通配線２５には、既述した第２短絡配線部３３と平面視重畳する共通配線側接続部４６が連ねられている。言い換えると、共通配線２５は、静電気保護回路部２６と対向状をなす側縁が静電気保護回路部２６側（コンタクト部３２側とは反対側）に向けて部分的に張り出しており、その張出部分によって共通配線側接続部４６が構成されている。

そして、共通配線２５のうち、静電気保護回路部２６とコンタクト部３２との間に配される部分に対して平面に視て（ガラス基板ＧＳの板面に対する法線方向から視て）重畳する位置には、図６に示すように、アレイ基板１１ｂの製造過程のうち第２金属膜３８を成膜する前の段階において、静電気保護回路部２６とコンタクト部３２とのいずれか一方にて発生した静電気から他方側を保護するための静電気保護部５１が設けられている。なお、共通配線２５は、静電気保護部５１と平面視重畳する部分が非重畳とされる部分よりも拡幅されている。静電気保護部５１は、図７，図８及び図１２に示すように、半導体膜３６からなる静電気誘引部５２と、保護膜３７からなり静電気誘引部５２と平面視重畳する位置に貫通して形成される静電気誘引開口部５３ａを有する誘引部保護部５３とを有する。さらには、静電気保護部５１は、第２金属膜３８からなり静電気誘引部５２と平面視重畳する位置に配されるとともに静電気誘引開口部５３ａを通して静電気誘引部５２に接続される誘引部接続部５４を有している。

静電気誘引部５２は、図６に示すように、共通配線２５の延在方向であるＹ軸方向に沿って所定長さにわたって延在することで、平面に視て縦長の方形状をなしている。静電気誘引部５２は、その全域が共通配線２５の拡幅部分と平面視重畳する形で配されている。静電気誘引部５２のＹ軸方向（長さ方向）についての形成範囲は、静電気保護回路部２６が有するダイオード２９，３０の第１電極部２９ａ，２９ｂ（第１ダイオード側開口部２９ｃ１，２９ｃ２）及び第２電極部３０ａ，３０ｂ（第２ダイオード側開口部３０ｃ１，３０ｃ２）の同形成範囲よりも広いものとされる。また、静電気誘引部５２のＹ軸方向についての形成範囲は、コンタクト部３２が有する３つのコンタクト部側開口部４９ａの同形成範囲よりも広いものとされる。静電気誘引部５２のＸ軸方向（幅方向）についての形成範囲は、図６に示す右側の側縁が共通配線２５の同側縁よりも内側に配されるのに対し、同図左側の側縁が第２短絡配線部３３とは非重畳となる位置に配されている。

誘引部保護部５３は、図７，図８及び図１２に示すように、静電気誘引開口部５３ａの形成部位を除いて静電気誘引部５２の大部分を覆う形で配される。静電気誘引開口部５３ａは、図６及び図１２に示すように、誘引部保護部５３において静電気誘引部５２の延在方向（Ｙ軸方向）に沿って４つが間欠的に並んで配されている。静電気誘引開口部５３ａの配列間隔は、ほぼ等間隔とされる。４つの静電気誘引開口部５３ａのうち、Ｙ軸方向についての両端に位置する２つの静電気誘引開口部５３ａは、図６に示すように、静電気保護回路部２６が有するダイオード２９，３０の第１電極部２９ａ，２９ｂ（第１ダイオード側開口部２９ｃ１，２９ｃ２）及び第２電極部３０ａ，３０ｂ（第２ダイオード側開口部３０ｃ１，３０ｃ２）よりもＹ軸方向について外寄り（第１短絡配線部３１におけるＸ軸方向に沿って延在する部分寄り）に配されている。図６に示される平面図において、上記した４つの静電気誘引開口部５３ａを結んだ線分は、静電気保護回路部２６が有する各ダイオード側開口部２９ｃ１，２９ｃ２，３０ｃ１，３０ｃ２と、コンタクト部３２が有する３つの各コンタクト部側開口部４９ａとを結んだ線分のいずれに対しても交差する関係とされる。

誘引部接続部５４は、図６に示すように、共通配線２５及び静電気誘引部５２の延在方向であるＹ軸方向に沿って所定長さにわたって延在することで、平面に視て縦長の方形状をなしている。誘引部接続部５４は、静電気誘引部５２よりも平面に視た大きさが一回り小さくなるよう形成されるとともに、その全域が静電気誘引部５２と平面視重畳する形で配されている。誘引部接続部５４は、上記した４つの静電気誘引開口部５３ａを通されることで静電気誘引部５２に対して４箇所で接続されている。これにより、静電気誘引部５２が静電気誘引開口部５３ａを通して第１層間絶縁膜３９側に露出するのが避けられている。

さらには、共通配線２５におけるコンタクト部３２との対向部位と、コンタクト部３２を構成するゲート配線側接続部４８における共通配線２５との対向部位とには、図６に示すように、互いに接近するよう突出する第２の静電気誘引部５５がそれぞれ対をなす形で形成されている。この第２の静電気誘引部５５によってアレイ基板１１ｂの製造過程のうち第２金属膜３８を成膜する前の段階において静電気保護回路部２６とコンタクト部３２とのいずれか一方にて発生した静電気から他方側を保護することが可能とされている。第２の静電気誘引部５５は、共に第１金属膜３４からなり、その突出基端側から突出先端側に向けて先細り状に形成されており、平面に視て略三角形状をなしている。対をなす第２の静電気誘引部５５における突出先端部は、互いにＹ軸方向についての位置がほぼ一致するとともに、Ｘ軸方向について僅かな距離を空けつつ対向状に配されている。対をなす第２の静電気誘引部５５は、Ｘ軸方向に沿って並んで配されていると言える。

共通配線２５に連なる第２の静電気誘引部５５は、図６に示すように、静電気誘引部５２に対して隣接する位置に配されている。第２の静電気誘引部５５は、Ｙ軸方向について静電気誘引部５２における延在方向のほぼ中央位置に配されている。従って、第２の静電気誘引部５５は、静電気誘引部５２に対して平面視重畳する配置とされた４つの静電気誘引開口部５３ａのうちの中央寄りの２つの静電気誘引開口部５３ａ間の挟み込まれた位置に配されていることになる。言い換えると、４つの静電気誘引開口部５３ａは、Ｙ軸方向について第２の静電気誘引部５５を跨ぐよう並んで配されている。

上記のような構成の静電気保護部５１が有する静電気誘引部５２及び第２の静電気誘引部５５により次の作用及び効果を得ることができる。すなわち、アレイ基板１１ｂの製造は、既知のフォトリソグラフィ法によってガラス基板ＧＳ上に既述した各膜を下層側から順に成膜することで行われる。ガラス基板ＧＳ上に第１金属膜３４、ゲート絶縁膜３５、半導体膜３６及び保護膜３７を成膜した状態では、図１４から図１７に示すように、非表示部ＮＡＡにおいては、静電気保護回路部２６の各半導体部２９ｄ，３０ｄが各保護部２９ｃ，３０ｃの各ダイオード側開口部２９ｃ１，２９ｃ２，３０ｃ１，３０ｃ２を通して外部に露出するとともに、コンタクト部３２のゲート配線側接続部４８がコンタクト部側絶縁部４９の３つのコンタクト部側開口部４９ａを通して外部に露出している。この状態から第２金属膜３８を成膜するまでの間に各製造装置へとガラス基板ＧＳを搬送する際には、ガラス基板ＧＳ及びそれまでに成膜された膜の最外表面に剥離帯電などによって静電気が生じる場合がある。このとき、ガラス基板ＧＳの表面は、大部分が絶縁材料からなる保護膜３７により覆われているものの、非表示部ＮＡＡにおいては上記した各開口部２９ｃ１，２９ｃ２，３０ｃ１，３０ｃ２，４９ａを通して、導電材料からなる各半導体部２９ｄ，３０ｄ及びゲート配線側接続部４８が露出しているため、各半導体部２９ｄ，３０ｄとゲート配線側接続部４８とのいずれか一方側から他方側へと静電気が印加されることが懸念される。

その点、本実施形態では、図１４に示すように、静電気保護回路部２６とコンタクト部３２との間に静電気保護部５１が設けられており、図１５，図１６及び図１８に示すように、静電気保護部５１の静電気誘引部５２が静電気誘引開口部５３ａを通して外部に露出しているから、各半導体部２９ｄ，３０ｄとゲート配線側接続部４８とのいずれか一方側から他方側へ向かう静電気をその途中で静電気誘引開口部５３ａを通して静電気誘引部５２へと誘引することができる。これにより、各ダイオード２９，３０が静電破壊されて各半導体部２９ｄ，３０ｄが各ゲート電極部２９ｅ，３０ｅに短絡される事態や、コンタクト部３２が静電破壊されてゲート配線側接続部４８とダイオード側接続部５０とが接続不能とされる事態が生じるのを抑制することができる。特に、静電気誘引部５２は、各ダイオード２９，３０が有する各半導体部２９ｄ，３０ｄと同じ半導体膜３６からなるものとされているから、コンタクト部３２のゲート配線側接続部４８側にて静電気が発生した場合にその静電気を静電気誘引部５２により効果的に誘引することができ、もって静電気が各半導体部２９ｄ，３０ｄに印加されるのをより好適に防ぐことができる。静電気誘引部５２に静電気が誘引されると、そこで静電破壊が生じて静電気誘引部５２と共通配線２５とが短絡される場合があり、その場合は静電気を共通配線２５へと逃がすことができる。

しかも、本実施形態では、図１４に示すように、共通配線２５とコンタクト部３２をなすゲート配線側接続部４８との対向部位には、互いに接近するよう突出する第２の静電気誘引部５５が対をなす形で設けられているから、各半導体部２９ｄ，３０ｄとゲート配線側接続部４８とのいずれか一方側から他方側へ向かう静電気をその途中で第２の静電気誘引部５５へと誘引することができる。これにより、上記した静電気誘引部５２とも相まって、各ダイオード２９，３０またはコンタクト部３２に静電破壊が生じるのをより効果的に抑制することができる。

以上説明したように本実施形態のアレイ基板（半導体装置）１１ｂは、ガラス基板（基板）ＧＳと、ガラス基板ＧＳ上に形成される第１金属膜３４と、少なくとも第１金属膜３４上に形成されるゲート絶縁膜（絶縁膜）３５と、ゲート絶縁膜３５上に形成される半導体膜３６と、少なくとも半導体膜３６上に形成されて半導体膜３６を保護する保護膜３７と、保護膜３７上に形成される第２金属膜３８と、第２金属膜３８からなる２つの第１電極部（電極部）２９ａ，２９ｂと、保護膜３７からなり２つの第１電極部２９ａ，２９ｂと重畳する位置にそれぞれ貫通して形成された２つの第１ダイオード側開口部（半導体機能部側開口部）２９ｃ１，２９ｃ２を有する第１保護部（保護部）２９ｃと、半導体膜３６からなり２つの第１ダイオード側開口部２９ｃ１，２９ｃ２を通して２つの第１電極部２９ａ，２９ｂにそれぞれ接続される第１半導体部（半導体部）２９ｄとを少なくとも有する第１ダイオード（半導体機能部）２９と、第１金属膜３４からなるゲート配線（信号配線部）１９と、第１金属膜３４からなりゲート配線１９の端部に形成されるゲート配線側接続部（信号配線側接続部）４８と、保護膜３７及びゲート絶縁膜３５からなりゲート配線側接続部４８と重畳する位置に貫通して形成されるコンタクト部側開口部４９ａを有するコンタクト部側絶縁部（絶縁部）４９と、第２金属膜３８からなり第１ダイオード２９が有する２つの第１電極部２９ａ，２９ｂのいずれか一方に連なるとともにコンタクト部側開口部４９ａを通してゲート配線側接続部４８に接続されるダイオード側接続部（半導体機能部側接続部）５０とを少なくとも有するコンタクト部３２と、半導体膜３６からなり平面に視て第１ダイオード２９とコンタクト部３２との間に配されるとともに第２金属膜３８を成膜する前の段階で第１ダイオード２９とコンタクト部３２とのいずれか一方にて発生した静電気を誘引するための静電気誘引部５２と、保護膜３７からなり静電気誘引部５２と平面に視て重畳する位置に貫通して形成される静電気誘引開口部５３ａを有する誘引部保護部５３とを少なくとも有する静電気保護部５１と、を備える。

このようにすれば、第１金属膜３４からなるゲート配線１９は、コンタクト部３２において端部に形成されたゲート配線側接続部４８が第２金属膜３８からなり第１ダイオード２９が有する第１電極部２９ａ，２９ｂのいずれか一方に連なるダイオード側接続部５０に対してコンタクト部側絶縁部４９を貫通するコンタクト部側開口部４９ａを通して接続され、それにより第１ダイオード２９側からの信号がゲート配線１９側に供給されるようになっている。ここで、当該アレイ基板１１ｂの製造過程において、第２金属膜３８を成膜する前の段階では、第１ダイオード２９において保護膜３７からなる第１保護部２９ｃを貫通する第１ダイオード側開口部２９ｃ１，２９ｃ２が形成されているのに対し、コンタクト部３２において保護膜３７及びゲート絶縁膜３５からなるコンタクト部側絶縁部４９を貫通するコンタクト部側開口部４９ａが形成されており、第１ダイオード側開口部２９ｃ１，２９ｃ２を通して半導体膜３６からなる第１半導体部２９ｄと、コンタクト部側開口部４９ａを通して第１金属膜３４からなるゲート配線側接続部４８とが露出した状態となっている。この状態において、第１ダイオード２９とコンタクト部３２とのいずれか一方にて静電気が発生すると、その静電気が他方側の第１ダイオード２９またはゲート配線側接続部４８に印加されて第１ダイオード２９またはコンタクト部３２に不良が発生することが懸念される。
その点、半導体膜３６からなり平面に視て第１ダイオード２９とコンタクト部３２との間に配される静電気誘引部５２と、保護膜３７からなり静電気誘引部５２と平面に視て重畳する位置に貫通して形成される静電気誘引開口部５３ａを有する誘引部保護部５３とを少なくとも有する静電気保護部５１が備えられているので、当該アレイ基板１１ｂの製造過程において第２金属膜３８を成膜する前の段階では、静電気誘引部５２が誘引部保護部５３を貫通する静電気誘引開口部５３ａを通して露出することになる。従って、第２金属膜３８を成膜する前の段階で第１ダイオード２９とコンタクト部３２とのいずれか一方にて静電気が発生した場合でも、その静電気を、他方側に至る途中に存在する静電気誘引開口部５３ａを通して静電気誘引部５２へと誘引することができる。これにより、第１ダイオード２９またはコンタクト部３２に静電気に起因する不良が発生し難くすることができる。

しかも、静電気誘引部５２は、第１ダイオード２９の第１半導体部２９ｄと同じ半導体膜３６からなるものとされているから、コンタクト部３２のゲート配線側接続部４８側にて静電気が発生した場合にその静電気を効果的に誘引することができ、静電気が第１半導体部２９ｄに印加されるのをより好適に防ぐことができる。

また、半導体膜３６は、酸化物半導体からなる。このようにすれば、半導体膜３６を酸化物半導体とすると、製造過程において第２金属膜３８を成膜する際にエッチングされ易くなったり、また成膜後においても酸化または還元され易い傾向にあるものの、半導体膜３６と第２金属膜３８との間には保護膜３７が介在しており、半導体膜３６が保護膜３７によって保護されるので、第２金属膜３８を成膜する際にエッチングされ難くなり、また成膜後において半導体膜３６が酸化または還元され難くなる。

また、第１金属膜３４からなり、平面に視て第１ダイオード２９とコンタクト部３２との間に位置し且つ静電気誘引部５２及び誘引部保護部５３と少なくとも一部が重畳する位置に配されることで、静電気誘引部５２に誘引された静電気を逃がすことが可能な共通配線（静電気逃がし配線部）２５を備える。このようにすれば、第１ダイオード２９とコンタクト部３２とのいずれか一方にて発生した静電気が静電気誘引部５２に誘引されると、静電気誘引部５２から共通配線２５へと静電気を逃がすことができるので、静電気による不良の発生をより好適に抑制することができる。

また、第２金属膜３８からなる２つの第２電極部（第２の電極部）３０ａ，３０ｂと、保護膜３７からなり２つの第２電極部３０ａ，３０ｂと重畳する位置にそれぞれ貫通して形成された２つの第２ダイオード側開口部（第２の半導体機能部側開口部）３０ｃ１，３０ｃ２を有する第２保護部（第２の保護部）３０ｃと、半導体膜３６からなり２つの第２ダイオード側開口部３０ｃ１，３０ｃ２を通して２つの第２電極部３０ａ，３０ｂにそれぞれ接続される第２半導体部（第２の半導体部）３０ｄとを少なくとも有する第２ダイオード（第２の半導体機能部）３０と、第２金属膜３８からなり２つの第１電極部２９ａ，２９ｂのうちの一方と２つの第２電極部３０ａ，３０ｂのうちの一方とを短絡させ且つダイオード側接続部５０に連なる第１短絡配線部３１と、第２金属膜３８からなり２つの第１電極部２９ａ，２９ｂのうちの他方と２つの第２電極部３０ａ，３０ｂのうちの他方とを短絡させる第２短絡配線部３３と、保護膜３７及びゲート絶縁膜３５からなり第２短絡配線部３３と重畳する位置に貫通して形成される第２短絡配線部側開口部４５ａを有する第２短絡配線部側絶縁部（第２の絶縁部）４５と、第１金属膜３４からなり共通配線２５に連なるとともに平面に視て第２短絡配線部３３と少なくとも一部が重畳するよう配されるとともに第２短絡配線部側開口部４５ａを通して第２短絡配線部３３に接続される共通配線側接続部（静電気逃がし配線側接続部）４６と、を備える。このようにすれば、第１ダイオード２９及び第２ダイオード３０は、一方の第１電極部２９ａと一方の第２電極部３０ａとが第１短絡配線部３１により短絡されるのに対し、他方の第１電極部２９ｂと他方の第２電極部３０ｂとが第２短絡配線部３３により短絡されている。第１短絡配線部３１は、コンタクト部３２にてゲート配線１９に接続されたダイオード側接続部５０に連なっているのに対し、第２短絡配線部３３は、第２短絡配線部側絶縁部４５に貫通された第２短絡配線部側開口部４５ａを通して共通配線２５に連なる共通配線側接続部４６に接続されている。従って、静電気に起因して共通配線２５側とゲート配線１９側との間に大きな電位差が生じた場合には、第１ダイオード２９の第１半導体部２９ｄまたは第２ダイオード３０の第２半導体部３０ｄに電流が流されることで、電位差を解消することができる。

また、保護膜３７及びゲート絶縁膜３５からなり第１短絡配線部３１と重畳する位置に貫通して形成される第１短絡配線部側開口部４３ａを有する第１短絡配線部側絶縁部（第３の絶縁部）４３と、第１ダイオード２９に備えられるものであって、第１金属膜３４からなり平面に視て２つの第１電極部２９ａ，２９ｂ、第１半導体部２９ｄ及び第１短絡配線部３１の少なくとも一部と重畳するよう配されるとともに第１短絡配線部側開口部４３ａを通して第１短絡配線部３１に接続される第１ゲート電極部（ゲート電極部）２９ｅと、第２ダイオード３０に備えられるものであって、第１金属膜３４からなり平面に視て２つの第２電極部３０ａ，３０ｂ及び第２半導体部３０ｄと重畳するよう配されるとともに共通配線側接続部４６に連なる第２ゲート電極部（第２のゲート電極部）３０ｅと、を備える。このようにすれば、第１ゲート電極部２９ｅは、第１短絡配線部３１によって一方の第１電極部２９ａ及び一方の第２電極部３０ｂに短絡されるのに対し、第２ゲート電極部３０ｅは、共通配線側接続部４６及び第２短絡配線部３３によって他方の第１電極部２９ｂ及び他方の第２電極部３０ｂに短絡されている。従って、第１ダイオード２９及び第２ダイオード３０は、それぞれトランジスタ型のダイオードを構成していると言え、その閾値電圧を、例えばゲート配線１９に伝送される信号に係る電圧値よりも高いものの、静電気が発生した際に印加される電圧値よりも低くすることで、静電気が発生した場合にのみその静電気を共通配線２５に逃がすことができる。しかも、第２ゲート電極部３０ｅが共通配線側接続部４６に直接的に連なる構成とされているので、仮に第２ゲート電極部が共通配線側接続部４６に対して第２短絡配線部３３を介して接続される構成とした場合に比べると、異なる金属膜間を接続するコンタクト部位が少なく済むので、当該コンタクト部位に接続不良が生じる可能性を低くすることができる。

また、コンタクト部３２を構成するゲート配線側接続部４８と、共通配線２５とにおける対向部位には、互いに接近するよう突出する第２の静電気誘引部５５がそれぞれ形成されている。このようにすれば、第２金属膜３８を成膜する前の段階で第１ダイオード２９とコンタクト部３２とのいずれか一方にて静電気が発生した場合でも、その静電気を、他方側に至る途中に存在する第２の静電気誘引部５５へと誘引することができる。これにより、第１ダイオード２９またはコンタクト部３２に静電気に起因する不良が一層発生し難くすることができる。

また、共通配線２５に形成された第２の静電気誘引部５５は、静電気誘引部５２に対して隣接する位置に配されている。このようにすれば、共通配線２５に形成された第２の静電気誘引部５５が静電気誘引部５２に対して隣接する位置に配されているので、仮に両者が互いに隣接せずに離れた配置とされた場合に比べると、第２金属膜３８を成膜する前の段階で発生した静電気を静電気誘引部５２と第２の静電気誘引部５５とのいずれかにより好適に誘引することができる。

また、静電気保護部５１には、静電気誘引開口部５３ａが、ガラス基板ＧＳの板面に沿い且つ２つの第２の静電気誘引部５５の並び方向と直交する方向に沿って複数、第２の静電気誘引部５５を跨ぐよう並んで配されている。このようにすれば、静電気誘引開口部５３ａは、ガラス基板ＧＳの板面に沿い且つ２つの第２の静電気誘引部５５の並び方向と直交する方向に沿って複数が第２の静電気誘引部５５を跨ぐよう並んで配されているから、第２金属膜３８を成膜する前の段階で発生した静電気を静電気誘引部５２と第２の静電気誘引部５５とのいずれかに一層好適に誘引することができる。

また、静電気保護部５１には、第２金属膜３８からなり平面に視て静電気誘引部５２と重畳するよう配されるとともに静電気誘引開口部５３ａを通して静電気誘引部５２に接続される誘引部接続部５４が備えられる。このようにすれば、誘引部接続部５４は、静電気誘引開口部５３ａを通して半導体膜３６からなる静電気誘引部５２に接続されているので、第１電極部２９ａ，２９ｂが第１ダイオード側開口部２９ｃ１，２９ｃ２を通して半導体膜３６からなる第１半導体部２９ｄに接続される第１ダイオード２９と同様の接続構造を持っていると言える。従って、仮に誘電部接続部を除去した場合には、当該アレイ基板１１ｂの製造過程において、第２金属膜３８を成膜する際に半導体膜３６からなる静電気誘引部５２がエッチングされ易くなるのに比べると、そのような問題を生じ難くすることができる。

さらには、本実施形態に係る液晶パネル（表示装置）１１は、上記したアレイ基板１１ｂと、アレイ基板１１ｂと対向するように配置されたＣＦ基板（対向基板）１１ａと、アレイ基板１１ｂとＣＦ基板１１ａとの間に配置された液晶層１１ｃと、アレイ基板１１ｂに設けられるとともにゲート配線１９に接続されたＴＦＴ（スイッチング素子）１７とを備える。このような液晶パネル１１によると、上記したアレイ基板１１ｂが静電気に起因する不良の発生を抑制されたものであるから、動作信頼性などに優れる。

＜実施形態２＞
本発明の実施形態２を図１９から図２２によって説明する。この実施形態２では、静電気保護回路部１２６を共通配線１２５に対して接続しない構成としたものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る静電気保護回路部１２６は、図１９及び図２０に示すように、各ダイオード１２９，１３０の一方の電極部１２９ａ，１３０ａが接続された第１短絡配線部１３１とは異なる第１短絡配線部１３１に対して他方の電極部１２９ｂ，１３０ｂが接続されており、共通配線１２５には電気的に接続されない構成とされている。これにより、第２金属膜３８を成膜する前の段階において、静電気誘引部１５２に静電気が誘引された場合、その誘引された静電気が各ダイオード１２９，１３０に電気的な影響を及ぼす可能性を低くすることができ、各ダイオード１２９，１３０に不良がより生じ難くなる。詳しくは、静電気保護回路部１２６は、各ダイオード１２９，１３０の一方の電極部１２９ａ，１３０ａが第１短絡配線部１３１に接続されるのに対し、他方の電極部１２９ｂ，１３０ｂが第２短絡配線部１３３に接続され、さらにはその第２短絡配線部１３３がＸ軸方向（第１方向）と直交するＹ軸方向（第２方向）について図１９に示す上側に隣り合う第１短絡配線部１３１に対して接続されている。第２短絡配線部１３３は、平面に視て重畳する第２短絡配線部側接続部１４４よりも図１９に示す上側に向けて延出され、その延出先端部が隣り合う第１短絡配線部１３１に連ねられている。一方、第２ゲート電極部１３０ｅに連なる第２短絡配線部側接続部１４４には、図２０及び図２１に示すように、第２短絡配線部側絶縁部１４５に形成された第２短絡配線部側開口部１４５ａを通して第２短絡配線部１３３が接続されている。この第２短絡配線部側接続部１４４は、共通配線１２５には連なることがないものとされ、上記した実施形態１に記載した共通配線側接続部４６が省略されている。

ここで、静電気保護回路部１２６が有する各ダイオード１２９，１３０の接続態様について、図２２に示される回路図を用いて説明する。第１ダイオード１２９の一方の第１電極部１２９ａ、第１ゲート電極部１２９ｅ及び第２ダイオード１３０の一方の第２電極部１３０ａは、図２２に示すように、第１短絡配線部１３１により短絡されるとともにゲート配線１１９に接続されている。一方、第１ダイオード１２９の他方の第１電極部１２９ｂ、第２ダイオード１３０の他方の第２電極部１３０ｂ及び第２ゲート電極部１３０ｅは、第２短絡配線部１３３により短絡されるとともに、一方の第１電極部１２９ａ，１３０ａ及び第１ゲート電極部１２９ｅが接続された第１短絡配線部１３１とは反対側に隣り合う第１短絡配線部１３１に接続されている。従って、Ｙ軸方向に沿って並列する多数本の第１短絡配線部１３１及びゲート配線１１９は、各ダイオード１２９，１３０を介して相互に接続されている。そして、例えば静電気が所定のゲート配線１１９に印加された場合には、各ダイオード１２９，１３０が作動することで、静電気を別のゲート配線１１９の全てに逃がすことができるものとされる。

以上説明したように本実施形態によれば、第２金属膜３８からなる２つの第２電極部１３０ａ，１３０ｂと、保護膜３７からなり２つの第２電極部１３０ａ，１３０ｂと重畳する位置にそれぞれ貫通して形成された２つの第２ダイオード側開口部１３０ｃ１，１３０ｃ２を有する第２保護部１３０ｃと、半導体膜３６からなり２つの第２ダイオード側開口部１３０ｃ１，１３０ｃ２を通して２つの第２電極部１３０ａ，１３０ｂにそれぞれ接続される第２半導体部１３０ｄとを少なくとも有するとともに、２つの第２電極部１３０ａ，１３０ｂの並び方向を第１方向（Ｘ軸方向）としたとき、ガラス基板ＧＳの板面に沿い且つ第１方向と直交する第２方向（Ｙ軸方向）について第１ダイオード１２９に対して並んで配される第２ダイオード１３０と、第２金属膜３８からなり２つの第１電極部１２９ａ，１２９ｂのうちの一方と２つの第２電極部１３０ａ，１３０ｂのうちの一方とを短絡させ且つダイオード側接続部１５０に連なる第１短絡配線部１３１と、第２金属膜３８からなり２つの第１電極部１２９ａ，１２９ｂのうちの他方と２つの第２電極部１３０ａ，１３０ｂのうちの他方とを短絡させる第２短絡配線部１３３と、を備えており、第１ダイオード１２９、第２ダイオード１３０、コンタクト部１３２、ゲート配線１１９、静電気保護部１５１、第１短絡配線部１３１、及び第２短絡配線部１３３が第２方向に沿って複数組並んで配されており、第２短絡配線部１３３は、第２方向について隣り合う組を構成する第１短絡配線部１３１に対して短絡されている。このようにすれば、第１ダイオード１２９及び第２ダイオード１３０は、一方の第１電極部１２９ａと一方の第２電極部１３０ａとが第１短絡配線部１３１により短絡されるのに対し、他方の第１電極部１２９ｂと他方の第２電極部１３０ｂとが第２短絡配線部１３３により短絡されている。第１短絡配線部１３１は、ゲート配線１１９に接続されたダイオード側接続部１５０に連なっているのに対し、第２短絡配線部１３３は、第２方向について隣り合う組を構成する第１短絡配線部１３１に対して短絡されている。従って、静電気がゲート配線１１９に印加された場合には、その静電気を、第２短絡配線部１３３及び隣り合う組を構成する第１短絡配線部１３１を介して接続された隣り合う組を構成するゲート配線１１９へと逃がすことができるので、静電気に伴う不良の発生を抑制することができる。しかも、第２短絡配線部１３３は、共通配線側接続部１４６とは接続されない構成とされているので、仮に第２短絡配線部１３３が共通配線側接続部１４６に接続される構成とした場合に比べると、第２金属膜１３８を成膜する前の段階において静電気が静電気誘引部１５２に誘引されたときに、誘引された静電気に起因して第１ダイオード１２９及び第２ダイオード１３０に不良が生じ難くなる。

＜実施形態３＞
本発明の実施形態３を図２３から図２５によって説明する。この実施形態３では、第２短絡配線部側接続部２４４と、共通配線側接続部２４６とが別途に設けられたものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態では、第２ダイオード２３０が有する第２ゲート電極部２３０ｅに連なる第２短絡配線部側接続部２４４は、図２３から図２５に示すように、第２短絡配線部２３３に対して第２短絡配線部側絶縁部（第２の絶縁部）２４５に貫通形成された第２短絡配線部側開口部２４５ａを通して接続されるものの、共通配線２２５には直接連なることがないものとされる。共通配線２２５のうち静電気保護回路部２２６側の側縁からは、共通配線側接続部２４６が張り出す形で設けられており、この共通配線側接続部２４６が第２短絡配線部２３３のうち第２短絡配線部側接続部２４４とは非重畳となる部分に対して平面視重畳する形で配されている。共通配線側接続部２４６と第２短絡配線部２３３との間に介在する共通配線側絶縁部（第４の絶縁部）２４７には、共通配線側開口部（第２の第２短絡配線部側開口部）２４７ａが貫通して形成されているので、この共通配線側開口部２４７ａを通して第２短絡配線部２３３が共通配線側接続部２４６に対して接続されている。このように第２ゲート電極部２３０ｅは、第２短絡配線部側接続部２４４が第２短絡配線部２３３を介して共通配線２２５に対して間接的に接続されているので、第２金属膜３８を成膜する前の段階において、静電気が静電気誘引部２５２に誘引された場合、その誘引された静電気が各ダイオード２２９，２３０に電気的な影響を及ぼす可能性を低くすることができ、各ダイオード２２９，２３０に不良がより生じ難くなる。

以上説明したように本実施形態によれば、保護膜３７及びゲート絶縁膜３５からなり第１短絡配線部２３１と重畳する位置に貫通して形成される第１短絡配線部側開口部２４３ａを有する第１短絡配線部側絶縁部２４３と、第１ダイオード２２９に備えられるものであって、第１金属膜３４からなり平面に視て２つの第１電極部２２９ａ，２２９ｂ、第１半導体部２２９ｄ及び第１短絡配線部２３１と重畳するよう配されるとともに第１短絡配線部側開口部２４３ａを通して第１短絡配線部２３１に接続されるゲート電極部２２９ｅと、保護膜３７及びゲート絶縁膜３５からなり第２短絡配線部２３３と重畳する位置に貫通して形成される第２の第２短絡配線部側開口部２４５ａを有する共通配線側絶縁部（第４の絶縁部）２４７と、第２ダイオード２３０に備えられるものであって、第１金属膜３４からなり平面に視て２つの第２電極部２３０ａ，２３０ｂ、第２半導体部２３０ｄ及び第２短絡配線部２３３と重畳するよう配されるとともに第２の第２短絡配線部側開口部２４５ａを通して第２短絡配線部２３３に接続される第２ゲート電極部２３０ｅと、を備える。このようにすれば、ゲート電極部２２９ｅは、第１短絡配線部２３１によって一方の第１電極部２２９ａ及び一方の第２電極部２３０ａに短絡されるのに対し、第２ゲート電極部２３０ｅは、第２短絡配線部３３によって他方の第１電極部２２９ｂ及び他方の第２電極部２３０ｂに短絡されている。従って、第１ダイオード２２９及び第２ダイオード２３０は、それぞれトランジスタ型のダイオードを構成していると言え、その閾値電圧を、例えばゲート配線２１９に伝送される信号に係る電圧値よりも高いものの、静電気が発生した際に印加される電圧値よりも低くすることで、静電気が発生した場合にのみその静電気を共通配線２２５に逃がすことができる。しかも、第２ゲート電極部２３０ｅが共通配線側接続部２４６に対して第２短絡配線部２３３を介して間接的に接続されているので、仮に第２ゲート電極部が共通配線側接続部２４６に直接的に連なる構成とした場合に比べると、第２金属膜３８を成膜する前の段階において静電気が静電気誘引部２５２に誘引されたときに、誘引された静電気に起因して第１ダイオード２２９及び第２ダイオード２３０に不良が生じ難くなる。

＜実施形態４＞
本発明の実施形態４を図２６から図２９によって説明する。この実施形態４では、共通配線３２５に連なる共通配線側接続部３４６を静電気誘引部３５２としたものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態では、図２６及び図２７に示すように、共通配線３２５の側縁から静電気保護回路部３２６側に張り出す共通配線側接続部３４６が静電気誘引部３５２を構成している。なお、本実施形態においては、上記した実施形態１に記載した半導体膜３６からなる静電気誘引部５２及び第２金属膜３８からなる誘引部接続部５４については省略されている。共通配線側接続部３４６は、平面に視て第２短絡配線部３３３と重畳するとともに、第２短絡配線部３３３との間に介在する共通配線側絶縁部３４７に貫通形成された共通配線側開口部３４７ａを通して第２短絡配線部３３３と接続されている。従って、共通配線側絶縁部３４７が誘引部保護部３５３を構成するとともに、共通配線側開口部３４７ａが静電気誘引開口部３５３ａを構成している。共通配線側開口部３４７ａは、Ｙ軸方向に沿って３つ並んで配されている。そして、アレイ基板３１１ｂの製造過程で第２金属膜３８を成膜する前の段階では、第１金属膜３４からなる共通配線側接続部３４６（静電気誘引部３５２）は、図２８及び図２９に示すように、共通配線側絶縁部３４７（誘引部保護部３５３）の共通配線側開口部３４７ａ（静電気誘引開口部３５３ａ）を通して外部に露出した状態とされる。従って、静電気保護回路部３２６が有する各ダイオード３２９，３３０の各半導体部３２９ｄ，３３０ｄとコンタクト部３３２が有するゲート配線側接続部３４８とのいずれか一方側にて静電気が発生した場合でも、その静電気が他方側へ向かう途中で共通配線側開口部３４７ａ（静電気誘引開口部３５３ａ）を通して共通配線側接続部３４６（静電気誘引部３５２）へと誘引することができる。これにより、静電気保護回路部３２６またはコンタクト部３３２に静電破壊が生じ難くすることができる。

以上説明したように本実施形態に係るアレイ基板３１１ｂは、ガラス基板ＧＳと、ガラス基板ＧＳ上に形成される第１金属膜３４と、少なくとも第１金属膜３４上に形成されるゲート絶縁膜３５と、ゲート絶縁膜３５上に形成される半導体膜３６と、少なくとも半導体膜３６上に形成されて半導体膜３６を保護する保護膜３７と、保護膜３７上に形成される第２金属膜３８と、第２金属膜３８からなる２つの第１電極部３２９ａ，３２９ｂと、保護膜３７からなり２つの第１電極部３２９ａ，３２９ｂと重畳する位置にそれぞれ貫通して形成された２つの第１ダイオード側開口部３２９ｃ１，３２９ｃ２を有する第１保護部３２９ｃと、半導体膜３６からなり２つの第１ダイオード側開口部３２９ｃ１，３２９ｃ２を通して２つの第１電極部３２９ａ，３２９ｂにそれぞれ接続される第１半導体部３２９ｄとを少なくとも有する第１ダイオード３２９と、第１金属膜３４からなるゲート配線３１９と、第１金属膜３４からなりゲート配線３１９の端部に形成されるゲート配線側接続部３４８と、保護膜３７及びゲート絶縁膜３５からなりゲート配線側接続部３４８と重畳する位置に貫通して形成されるコンタクト部側開口部３４９ａを有するコンタクト部側絶縁部３４９と、第２金属膜３８からなり第１ダイオード３２９が有する２つの第１電極部３２９ａ，３２９ｂのいずれか一方に連なるとともにコンタクト部側開口部３４９ａを通してゲート配線側接続部３４８に接続されるダイオード側接続部３５０とを少なくとも有するコンタクト部３３２と、第１金属膜３４からなり平面に視て第１ダイオード３２９とコンタクト部３３２との間に配されるとともに第２金属膜３８を成膜する前の段階で第１ダイオード３２９とコンタクト部３３２とのいずれか一方にて発生した静電気を誘引するための静電気誘引部３５２と、保護膜３７及びゲート絶縁膜３５からなり静電気誘引部３５２と平面に視て重畳する位置に貫通して形成される静電気誘引開口部３５３ａを有する誘引部保護部３５３とを少なくとも有する静電気保護部３５１と、を備える。

このようにすれば、第１金属膜３４からなるゲート配線３１９は、コンタクト部３３２において端部に形成されたゲート配線側接続部３４８が第２金属膜３８からなり第１ダイオード３２９が有する第１電極部３２９ａ，３２９ｂのいずれか一方に連なるダイオード側接続部３５０に対してコンタクト部側絶縁部３４９を貫通するコンタクト部側開口部３４９ａを通して接続され、それにより第１ダイオード３２９側からの信号がゲート配線３１９側に供給されるようになっている。ここで、当該アレイ基板３１１ｂの製造過程において、第２金属膜３８を成膜する前の段階では、第１ダイオード３２９において保護膜３７からなる保護部を貫通する第１ダイオード側開口部３２９ｃ１，３２９ｃ２が形成されているのに対し、コンタクト部３３２において保護膜３７及びゲート絶縁膜３５からなるコンタクト部側絶縁部３４９を貫通するコンタクト部側開口部３４９ａが形成されており、第１ダイオード側開口部３２９ｃ１，３２９ｃ２を通して半導体膜３６からなる第１半導体部３２９ｄと、コンタクト部側開口部３４９ａを通して第１金属膜３４からなるゲート配線側接続部３４８とが露出した状態となっている。この状態において、第１ダイオード３２９とコンタクト部３３２とのいずれか一方にて静電気が発生すると、その静電気が他方側の第１ダイオード３２９またはゲート配線側接続部３４８に印加されて第１ダイオード３２９またはコンタクト部３３２に不良が発生することが懸念される。

その点、第１金属膜３４からなり平面に視て第１ダイオード３２９とコンタクト部３３２との間に配される静電気誘引部３５２と、保護膜３７及びゲート絶縁膜３５からなり静電気誘引部３５２と平面に視て重畳する位置に貫通して形成される静電気誘引開口部３５３ａを有する誘引部保護部３５３とを少なくとも有する静電気保護部３５１が備えられているので、当該アレイ基板３１１ｂの製造過程において第２金属膜３８を成膜する前の段階では、静電気誘引部３５２が誘引部保護部３５３を貫通する静電気誘引開口部３５３ａを通して露出することになる。従って、第２金属膜３８を成膜する前の段階で第１ダイオード３２９とコンタクト部３３２とのいずれか一方にて静電気が発生した場合でも、その静電気を、他方側に至る途中に存在する静電気誘引開口部３５３ａを通して静電気誘引部３５２へと誘引することができる。これにより、第１ダイオード３２９またはコンタクト部３３２に静電気に起因する不良が発生し難くすることができる。

しかも、静電気誘引部３５２は、コンタクト部３３２のゲート配線側接続部３４８と同じ第１金属膜３４からなるものとされているから、第１ダイオード３２９の第１半導体部３２９ｄ側にて静電気が発生した場合にその静電気を効果的に誘引することができ、静電気がゲート配線側接続部３４８に印加されるのをより好適に防ぐことができる。

＜実施形態５＞
本発明の実施形態５を図３０によって説明する。この実施形態５では、上記した実施形態１から誘引部接続部５４を省略したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る静電気保護部４５１は、図３０に示すように、半導体膜３６からなる静電気誘引部４５２と、保護膜３７からなり静電気誘引開口部４５３ａを有する誘引部保護部４５３とからなり、第２金属膜３８が平面に視て重畳しない構成とされる。静電気誘引開口部４５３ａには、第１層間絶縁膜３９が入り込む形で設けられることになる。このような構成であっても、第２金属膜３８を成膜する前の段階では、静電気誘引開口部４５３ａを通して静電気誘引部４５２が外部に露出しているので、製造過程で発生する静電気を好適に誘引することができる。

＜実施形態６＞
本発明の実施形態６を図３１によって説明する。この実施形態６では、上記した実施形態１において、第２短絡配線部５３３と誘引部接続部５５４とを連ねたものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る第２短絡配線部５３３は、図３１に示すように、共通配線５２５と平面に視て重畳するようＸ軸方向について形成範囲が拡張されており、共通配線５２５との重畳部位が誘引部接続部５５４を構成している。第２短絡配線部５３３に連なる誘引部接続部５５４は、静電気誘引部５５２に対して静電気誘引開口部５５３ａを通して接続されている。

＜実施形態７＞
本発明の実施形態７を図３２または図３３によって説明する。この実施形態７では、上記した実施形態１から静電気誘引部６５２及び誘引部接続部６５４の構成を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る静電気誘引部６５２及び誘引部接続部６５４は、図３２及び図３３に示すように、４つの静電気誘引開口部６５３ａ毎に分割されている。静電気誘引部６５２及び誘引部接続部６５４は、共通配線６２５と平面に視て重畳する位置に配されるとともに共通配線６２５の延在方向（Ｙ軸方向）に沿って４つずつ間欠的に並んで配されている。静電気誘引部６５２及び誘引部接続部６５４は、平面に視てほぼ正方形状をなしている。各静電気誘引部６５２は、各誘引部接続部６５４よりも平面に視た大きさが一回り大きくされている。

＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
（１）上記した各実施形態では、静電気保護回路部に設ける静電気保護回路素子（半導体機能素子）としてＴＦＴ型のダイオードを例示したが、それ以外にも、例えばツェナーダイオードやバリスタなどを用いることも可能である。その場合、静電気保護回路素子（ツェナーダイオードまたはバリスタ）を２つの電極部、２つの半導体機能部側開口部を有する保護部、及び各半導体機能部側開口部を通して各電極部に接続される半導体部を有するものの、ゲート電極部を有さない構成とすることができる。

（２）上記した各実施形態以外にも、静電気誘引部、静電気誘引開口部及び誘引部接続部の設置数、平面に視た大きさ（形成範囲）や形状などは適宜に変更可能である。

（３）上記した各実施形態では、半導体膜に用いる酸化物半導体をインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物薄膜とした場合を示したが、他の種類の酸化物半導体を用いることも可能である。具体的には、インジウム（Ｉｎ）、シリコン（Ｓｉ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物、錫（Ｓｎ）、シリコン（Ｓｉ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物、錫（Ｓｎ）、アルミニウム（Ａｌ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物、錫（Ｓｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物、ガリウム（Ｇａ）、シリコン（Ｓｉ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物、インジウム（Ｉｎ）、銅（Ｃｕ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物、錫（Ｓｎ）、銅（Ｃｕ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物などを用いることができる。

（４）上記した各実施形態では、ＴＦＴ、列制御回路部及び行制御回路部が半導体膜としてインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物薄膜を有する構成のものを示したが、それ以外にも、例えば、アモルファスシリコン（ａ‐Ｓｉ）または多結晶シリコンなどからなる半導体膜を用いることも可能である。多結晶シリコンとしては、例えばＣＧシリコン（Continuous Grain Silicon）薄膜を用いることができる。

（５）上記した各実施形態では、動作モードがＦＦＳモードとされた液晶パネルについて例示したが、それ以外にもＩＰＳ（In-Plane Switching）モードまたはＶＡ（Vertical Alignment：垂直配向）モードなどの他の動作モードとされた液晶パネルについても本発明は適用可能である。

（６）上記した各実施形態では、第１金属膜及び第２金属膜がチタン（Ｔｉ）及び銅（Ｃｕ）の積層膜により形成される場合を示したが、例えばチタンに代えてモリブデン（Ｍｏ）、窒化モリブデン（ＭｏＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン−チタン合金（ＭｏＴｉ）、モリブデン−タングステン合金（ＭｏＷ）などを用いることも可能である。それ以外にも、チタン、銅、アルミニウムなどの単層の金属膜を用いることも可能である。

（７）上記した各実施形態以外にも、第１短絡配線部、第２短絡配線部、共通配線などの具体的な平面形状や配索経路などは適宜に変更可能である。また、各ダイオードのＸ軸方向及びＹ軸方向についての配置、各ダイオードが有する各電極部の配置、各ダイオードが有する各半導体部の幅寸法や長さ寸法なども適宜に変更可能である。また、コンタクト部における接続箇所の配置や数なども適宜に変更可能である。

（８）上記した各実施形態では、ドライバをアレイ基板上に直接ＣＯＧ実装したものを示したが、アレイ基板に対してＡＣＦを介して接続したフレキシブル基板上にドライバを実装するようにしたものも本発明に含まれる。

（９）上記した各実施形態では、アレイ基板の非表示部に列制御回路部及び行制御回路部を設けるようにした場合を示したが、列制御回路部及び行制御回路部を省略し、その機能をドライバに担わせることも可能である。

（１０）上記した各実施形態では、縦長な方形状をなす液晶パネルを例示したが、横長な方形状をなす液晶パネルや正方形状をなす液晶パネルにも本発明は適用可能である。

（１１）上記した各実施形態に記載した液晶パネルに対して、タッチパネルや視差バリアパネル（スイッチ液晶パネル）などの機能性パネルを積層する形で取り付けるようにしたものも本発明に含まれる。

（１２）上記した各実施形態では、液晶表示装置が備えるバックライト装置としてエッジライト型のものを例示したが、直下型のバックライト装置を用いるようにしたものも本発明に含まれる。

（１３）上記した各実施形態では、外部光源であるバックライト装置を備えた透過型の液晶表示装置を例示したが、本発明は、外光を利用して表示を行う反射型液晶表示装置にも適用可能であり、その場合はバックライト装置を省略することができる。

（１４）上記した各実施形態では、液晶表示装置のスイッチング素子としてＴＦＴを用いたが、ＴＦＴ以外のスイッチング素子（例えば薄膜ダイオード（ＴＦＤ））を用いた液晶表示装置にも適用可能であり、またカラー表示する液晶表示装置以外にも、白黒表示する液晶表示装置にも適用可能である。

（１５）上記した各実施形態では、表示パネルとして液晶パネルを用いた液晶表示装置を例示したが、他の種類の表示パネル（ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）や有機ＥＬパネルなど）を用いた表示装置にも本発明は適用可能である。その場合、バックライト装置を省略することが可能である。

（１６）上記した各実施形態では、小型または中小型に分類され、携帯型情報端末、携帯電話、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、携帯型ゲーム機、電子インクペーパなどの各種電子機器などに用いされる液晶パネルを例示したが、画面サイズが例えば２０インチ〜９０インチで、中型または大型（超大型）に分類される液晶パネルにも本発明は適用可能である。その場合、液晶パネルをテレビ受信装置、電子看板（デジタルサイネージ）、電子黒板などの電子機器に用いることが可能とされる。

１１…液晶パネル（表示装置）、１１ａ…ＣＦ基板（対向基板）、１１ｂ，３１１ｂ…アレイ基板（半導体装置）、１１ｃ…液晶層、１７…ＴＦＴ（スイッチング素子）、１９，１１９，２１９，３１９…ゲート配線（信号配線部）、２５，１２５，２２５，３２５，５２５…共通配線（静電気逃がし配線部）、２９，１２９，３２９…第１ダイオード（半導体機能部）、２９ａ，３２９ａ…一方の電極部、２９ｂ，１２９ｂ，３２９ｂ…他方の電極部、２９ｃ，３２９ｃ…第１保護部（保護部）、２９ｃ１，２９ｃ２，３２９ｃ１，３２９ｃ２…第１ダイオード側開口部（半導体機能部側開口部）、２９ｄ，３２９ｄ…第１半導体部（半導体部）、２９ｅ…ゲート電極部（ゲート電極部）、３０，１３０，２３０，３３０…第２ダイオード（第２の半導体機能部）、３０ａ，１３０ａ…一方の第２電極部（一方の第２の電極部）、３０ｂ，１３０ｂ…他方の第２電極部（他方の第２の電極部）、３０ｃ，１３０ｃ…第２保護部（第２の保護部）、３０ｃ１，３０ｃ２，１３０ｃ１，１３０ｃ２…第２ダイオード側開口部（半導体機能部側開口部）、３０ｄ，１３０ｄ，３３０ｄ…第２半導体部（第２の半導体部）、３０ｅ，１３０ｅ，２３０ｅ…第２ゲート電極部（第２のゲート電極部）、３１，１３１…第１短絡配線部、３２，１３２，３３２…コンタクト部、３３，１３３，２３３，３３３，５３３…第２短絡配線部、３４…第１金属膜、３５…ゲート絶縁膜（絶縁膜）、３６…半導体膜、３７…保護膜、３８…第２金属膜、４２…第１短絡配線部側接続部、４３…第１短絡配線部側絶縁部（第３の絶縁部）、４３ａ…第１短絡配線部側開口部、４５，１４５，２４５…第２短絡配線部側絶縁部（第２の絶縁部）、４５ａ，１４５ａ，２４５ａ…第２短絡配線部側開口部、４６，２４６，３４６…共通配線側接続部（静電気逃がし配線側接続部）、４７，２４７，３４７…共通配線側絶縁部（第４の絶縁部）、４７ａ，２４７ａ，３４７ａ…共通配線側開口部（第２の第２短絡配線部側開口部）、４８，３４８…ゲート配線側接続部（信号配線側接続部）、４９…コンタクト部側絶縁部（絶縁部）、４９ａ…コンタクト部側開口部、５０，１５０，３５０…ダイオード側接続部（半導体機能部側接続部）、５１，１５１，３５１，４５１…静電気保護部、５２，１５２，２５２，３５２，４５２，５５２，６５２…静電気誘引部、５３，３５３，４５３，５５３…誘引部保護部、５３ａ，３５３ａ，４５３ａ，５５３ａ，６５３ａ…静電気誘引開口部、５４，５５４，６５４…誘引部接続部、５５…第２の静電気誘引部、ＧＳ…ガラス基板（基板）

Claims (13)

1. 基板と、
   前記基板上に形成される第１金属膜と、
   少なくとも前記第１金属膜上に形成される絶縁膜と、
   前記絶縁膜上に形成される半導体膜と、
   少なくとも前記半導体膜上に形成されて前記半導体膜を保護する保護膜と、
   前記保護膜上に形成される第２金属膜と、
   前記第２金属膜からなる２つの電極部と、前記保護膜からなり２つの前記電極部と重畳する位置にそれぞれ貫通して形成された２つの半導体機能部側開口部を有する保護部と、前記半導体膜からなり２つの前記半導体機能部側開口部を通して２つの前記電極部にそれぞれ接続される半導体部とを少なくとも有する半導体機能部と、
   前記第１金属膜からなる信号配線部と、
   前記第１金属膜からなり前記信号配線部の端部に形成される信号配線側接続部と、前記保護膜及び前記絶縁膜からなり前記信号配線側接続部と重畳する位置に貫通して形成されるコンタクト部側開口部を有する絶縁部と、前記第２金属膜からなり前記半導体機能部が有する２つの前記電極部のいずれか一方に連なるとともに前記コンタクト部側開口部を通して前記信号配線側接続部に接続される半導体機能部側接続部とを少なくとも有するコンタクト部と、
   前記半導体膜からなり平面に視て前記半導体機能部と前記コンタクト部との間に配されるとともに前記第２金属膜を成膜する前の段階で前記半導体機能部と前記コンタクト部とのいずれか一方にて発生した静電気を誘引するための静電気誘引部と、前記保護膜からなり前記静電気誘引部と平面に視て重畳する位置に貫通して形成される静電気誘引開口部を有する誘引部保護部とを少なくとも有する静電気保護部と、を備える半導体装置。
2. 前記半導体膜は、酸化物半導体からなる請求項１記載の半導体装置。
3. 前記第１金属膜からなり、平面に視て前記半導体機能部と前記コンタクト部との間に位置し且つ前記静電気誘引部及び前記誘引部保護部と少なくとも一部が重畳する位置に配されることで、前記静電気誘引部に誘引された静電気を逃がすことが可能な静電気逃がし配線部を備える請求項１または請求項２記載の半導体装置。
4. 前記第２金属膜からなる２つの第２の電極部と、前記保護膜からなり２つの前記第２の電極部と重畳する位置にそれぞれ貫通して形成された２つの第２の半導体機能部側開口部を有する第２の保護部と、前記半導体膜からなり２つの前記第２の半導体機能部側開口部を通して２つの前記第２の電極部にそれぞれ接続される第２の半導体部とを少なくとも有する第２の半導体機能部と、
   前記第２金属膜からなり２つの前記電極部のうちの一方と２つの前記第２の電極部のうちの一方とを短絡させ且つ前記半導体機能部側接続部に連なる第１短絡配線部と、
   前記第２金属膜からなり２つの前記電極部のうちの他方と２つの前記第２の電極部のうちの他方とを短絡させる第２短絡配線部と、
   前記保護膜及び前記絶縁膜からなり前記第２短絡配線部と重畳する位置に貫通して形成される第２短絡配線部側開口部を有する第２の絶縁部と、
   前記第１金属膜からなり前記静電気逃がし配線部に連なるとともに平面に視て前記第２短絡配線部と少なくとも一部が重畳するよう配されるとともに前記第２短絡配線部側開口部を通して前記第２短絡配線部に接続される静電気逃がし配線側接続部と、を備える請求項３記載の半導体装置。
5. 前記保護膜及び前記絶縁膜からなり前記第１短絡配線部と重畳する位置に貫通して形成される第１短絡配線部側開口部を有する第３の絶縁部と、
   前記半導体機能部に備えられるものであって、前記第１金属膜からなり平面に視て２つの前記電極部、前記半導体部及び前記第１短絡配線部の少なくとも一部と重畳するよう配されるとともに前記第１短絡配線部側開口部を通して前記第１短絡配線部に接続されるゲート電極部と、
   前記第２の半導体機能部に備えられるものであって、前記第１金属膜からなり平面に視て２つの前記第２の電極部及び前記第２の半導体部と重畳するよう配されるとともに前記静電気逃がし配線側接続部に連なる第２のゲート電極部と、を備える請求項４記載の半導体装置。
6. 前記保護膜及び前記絶縁膜からなり前記第１短絡配線部と重畳する位置に貫通して形成される第１短絡配線部側開口部を有する第３の絶縁部と、
   前記半導体機能部に備えられるものであって、前記第１金属膜からなり平面に視て２つの前記電極部、前記半導体部及び前記第１短絡配線部と重畳するよう配されるとともに前記第１短絡配線部側開口部を通して前記第１短絡配線部に接続されるゲート電極部と、
   前記保護膜及び前記絶縁膜からなり前記第２短絡配線部と重畳する位置に貫通して形成される第２の第２短絡配線部側開口部を有する第４の絶縁部と、
   前記第２の半導体機能部に備えられるものであって、前記第１金属膜からなり平面に視て２つの前記第２の電極部、前記第２の半導体部及び前記第２短絡配線部と重畳するよう配されるとともに前記第２の第２短絡配線部側開口部を通して前記第２短絡配線部に接続される第２のゲート電極部と、を備える請求項４記載の半導体装置。
7. 前記第２金属膜からなる２つの第２の電極部と、前記保護膜からなり２つの前記第２の電極部と重畳する位置にそれぞれ貫通して形成された２つの第２の半導体機能部側開口部を有する第２の保護部と、前記半導体膜からなり２つの前記第２の半導体機能部側開口部を通して２つの前記第２の電極部にそれぞれ接続される第２の半導体部とを少なくとも有するとともに、２つの前記第２の電極部の並び方向を第１方向としたとき、前記基板の板面に沿い且つ前記第１方向と直交する第２方向について前記半導体機能部に対して並んで配される第２の半導体機能部と、
   
   前記第２金属膜からなり２つの前記電極部のうちの一方と２つの前記第２の電極部のうちの一方とを短絡させ且つ前記半導体機能部側接続部に連なる第１短絡配線部と、
   前記第２金属膜からなり２つの前記電極部のうちの他方と２つの前記第２の電極部のうちの他方とを短絡させる第２短絡配線部と、を備えており、
   前記半導体機能部、前記第２の半導体機能部、前記コンタクト部、前記信号配線部、前記静電気保護部、前記第１短絡配線部、及び前記第２短絡配線部が前記第２方向に沿って複数組並んで配されており、
   前記第２短絡配線部は、前記第２方向について隣り合う組を構成する前記第１短絡配線部に対して短絡されている請求項３記載の半導体装置。
8. 前記コンタクト部を構成する前記信号配線側接続部と、前記静電気逃がし配線部とにおける対向部位には、互いに接近するよう突出する第２の静電気誘引部がそれぞれ形成されている請求項３から請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置。
9. 前記静電気逃がし配線部に形成された前記第２の静電気誘引部は、前記静電気誘引部に対して隣接する位置に配されている請求項８記載の半導体装置。
10. 前記静電気保護部には、前記静電気誘引開口部が、前記基板の板面に沿い且つ２つの前記第２の静電気誘引部の並び方向と直交する方向に沿って複数、前記第２の静電気誘引部を跨ぐよう並んで配されている請求項９記載の半導体装置。
11. 前記静電気保護部には、前記第２金属膜からなり平面に視て前記静電気誘引部と重畳するよう配されるとともに前記静電気誘引開口部を通して前記静電気誘引部に接続される誘引部接続部が備えられる請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
12. 基板と、
    前記基板上に形成される第１金属膜と、
    少なくとも前記第１金属膜上に形成される絶縁膜と、
    前記絶縁膜上に形成される半導体膜と、
    少なくとも前記半導体膜上に形成されて前記半導体膜を保護する保護膜と、
    前記保護膜上に形成される第２金属膜と、
    前記第２金属膜からなる２つの電極部と、前記保護膜からなり２つの前記電極部と重畳する位置にそれぞれ貫通して形成された２つの半導体機能部側開口部を有する保護部と、前記半導体膜からなり２つの前記半導体機能部側開口部を通して２つの前記電極部にそれぞれ接続される半導体部とを少なくとも有する半導体機能部と、
    前記第１金属膜からなる信号配線部と、
    前記第１金属膜からなり前記信号配線部の端部に形成される信号配線側接続部と、前記保護膜及び前記絶縁膜からなり前記信号配線側接続部と重畳する位置に貫通して形成されるコンタクト部側開口部を有する絶縁部と、前記第２金属膜からなり前記半導体機能部が有する２つの前記電極部のいずれか一方に連なるとともに前記コンタクト部側開口部を通して前記信号配線側接続部に接続される半導体機能部側接続部とを少なくとも有するコンタクト部と、
    前記第１金属膜からなり平面に視て前記半導体機能部と前記コンタクト部との間に配されるとともに前記第２金属膜を成膜する前の段階で前記半導体機能部と前記コンタクト部とのいずれか一方にて発生した静電気を誘引するための静電気誘引部と、前記保護膜及び前記絶縁膜からなり前記静電気誘引部と平面に視て重畳する位置に貫通して形成される静電気誘引開口部を有する誘引部保護部とを少なくとも有する静電気保護部と、を備える半導体装置。
13. 請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の半導体装置と、前記半導体装置と対向するように配置された対向基板と、前記半導体装置と前記対向基板との間に配置された液晶層と、前記半導体装置に設けられるとともに前記信号配線部に接続されたスイッチング素子とを備える表示装置。

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