JPWO2014046240A1 - 磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、及び磁気ディスク用ガラスブランク - Google Patents

Abstract

磁気ディスク用ガラスブランクの製造するとき、まず、互いに対向配置された一対の切断刃を用いて溶融ガラス流を切断することによって得られるガラスゴブを落下させる。この落下中の前記ガラスゴブを一対のプレス面で挟んでプレス成形をすることによりガラスブランクを成形する。前記溶融ガラス流を切断するとき、前記一対の切断刃を、前記溶融ガラス流を挟んで互いに接近するように直線的に移動させることにより、前記切断刃が前記溶融ガラス流の流れ方向で隣接して互いに重なりかつ前記切断刃の双方と接触する前記溶融ガラス流の断面の縁部の一箇所から徐々に切断して行く。

Description

本発明は、一対の主表面を有する磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、及び磁気ディスク用ガラスブランクに関する。

今日、パーソナルコンピュータ、ノート型パーソナルコンピュータ、あるいはＤＶＤ（Digital Versatile Disc）記録装置等には、データ記録のためにハードディスク装置が内蔵されている。特に、ノート型パーソナルコンピュータ等の可搬性を前提とした機器に用いられるハードディスク装置では、ガラス基板に磁性層が設けられた磁気ディスクが用いられている。この磁気ディスクの面上を僅かに浮上させた磁気ヘッド（ＤＦＨ（Dynamic Flying Height）ヘッド）で磁性層に磁気記録情報が記録され、あるいは読み取られる。この磁気ディスクの基板には、金属基板等に比べて塑性変形をしにくい性質を持つことから、ガラス基板が好適に用いられている。

また、ハードディスク装置における記憶容量の増大の要請を受けて、磁気記録の高密度化が図られている。例えば、磁性層における磁化方向を基板の面に対して垂直方向にする垂直磁気記録方式を用いて、磁気記録情報エリアの微細化が行われている。これにより、１枚のディスク基板における記憶容量を増大させることができる。しかも、記憶容量の一層の増大化のために、磁気ヘッドの磁気記録面からの浮上距離を極めて短くして磁気記録情報エリアを微細化することも行われている。このような磁気ディスクの基板においては、磁性層の磁化方向が基板面に対して略垂直方向に向くように、磁性層が平らに形成される。このために、ガラス基板の表面凹凸は可能な限り小さく作製されている。

ところで、磁気ディスクに用いるガラス基板の製造方法として、例えば、以下の方法が知られている（特許文献１）。具体的には、溶融ガラス流を所定のタイミングで切断することによって、溶融ガラス流から溶融ガラスの塊を切り出してこの塊（ガラスゴブ）を下方に落下させる。この落下中の溶融ガラスの塊を、互いに対向する面が凹凸の無い平面であるプレス面となっている一対の型を有するプレスユニットによって、プレス面のみに接触するようにプレス面間で挟み込んでプレスする。これにより、ガラスブランクがつくられる。

また、溶融ガラスの塊（ガラスゴブ）をつくるために溶融ガラス流を切断するとき、溶融ガラス流を挟むように水平に対向配置された一対の切断刃を溶融ガラス流に接触し始める時の交叉角度を３°〜３０°の範囲内として溶融ガラス流の片側のみにおいて交叉させて溶融ガラス流を切断することも知られている（特許文献２）。この場合、溶融ガラス流を切断する一対の切断刃は、回動する構成となっている。

さらに、ガラスゴブをつくるために溶融ガラス流を切断するとき、溶融ガラス流を挟んで対向配置したＶ型刃を用いる溶融ガラス流の切断方式も知られている（特許文献３）。具体的には、溶融ガラス流の断面における外周を徐々に絞り最終的に溶融ガラス流の中心部分で溶融ガラス流を切断する。あるいは、溶融ガラス流の両側に対向配置された切断刃を、溶融ガラス流の断面に対してお互いに反対方向に移動させてせん断を与えながら溶融ガラス流を切断させる。いずれの場合も、溶融ガラス流の断面を狭く絞りながら切断する。

特開２０１１−２０７７３８号公報 特開平１０−１６７７３２号公報 特開昭５０−３４１２号公報

しかし、上述したガラス基板の製造方法に、上述した一対の切断刃を回動させて溶融ガラス流を切断する切断方式を用いる場合、切断によって得られたガラスゴブには、回動による速度成分が付与されるので、ガラスゴブの落下中、この速度成分に起因してガラスゴブが斜め方向に落下する。ガラスゴブが常に一定の斜め方向に向かって落下すればプレス面の所定の位置でガラスゴブを捕獲してプレスすることができるため、成形されるガラスブランクにとって問題はない。しかし、ガラスゴブの落下方向が毎回微妙に変動するため、落下安定性が劣り、成形されるガラスブランクの品質（平面度、板厚偏差）にバラツキを与えるといった問題がある。
また、上述したガラス基板の製造方法において、溶融ガラス流の断面を狭くなるように絞りながら溶融ガラス流を切断する上述した公知の方式を用いる場合、切断痕であるシアマークがガラスブランクの深い位置に形成される。すなわち、溶融ガラス流の断面を狭くなるように絞りながら溶融ガラス流を切断するとき、熔融ガラス流から切断に用いる刃への熱の伝導量が大きく、刃と接触する溶融ガラス流の表面部分からガラスの固化領域が内部に広がる。この溶融ガラス流の内部に広がった固化領域からガラスブランクにおけるシアマークが形成される。したがって、溶融ガラス流の断面を狭くなるように絞りながら溶融ガラス流を切断するとき、ガラスブランクの表面から深い位置にシアマークが形成される。このため、後工程で、深い位置に形成されるシアマークを除去するために研削の取り代を大きく定めることになり、ガラスブランクの製造効率が低下するといった問題がある。
より具体的に説明すると、研削における取り代を大きくすると、ガラスブランクの表面に深いクラックが入るため、深いクラックが残留しないように、研削後に行う研磨においても取り代（研磨量）は必然的に大きくなる。このため、ガラスブランクの研磨は長時間を要することになり、ガラスブランクの製造効率が低下する。
また、遊離砥粒および樹脂ポリッシャを用いる研磨において取り代を大きくすると、ガラスブランクの主表面の外周エッジ部近傍が丸く削られて、エッジ部の「だれの問題」が発生する。すなわち、ガラスブランクの外周エッジ部近傍が丸く削られるため、このガラスブランクをガラス基板として用いて磁気ディスクを作製したとき、外周エッジ部近傍の磁性層と磁気ヘッドとの間の距離が、ガラス基板の別の部分における磁気ヘッドの浮上距離より大きくなる。また、外周エッジ部近傍が丸みを持った形状となるため、表面凹凸が発生する。この結果、外周エッジ部近傍の磁性層において磁気ヘッドの記録及び読み出しの動作が正確でなくなる。これが「だれの問題」である。

そこで、本発明は、従来に比べて、ガラスブランクの品質（平面度、板厚偏差）を向上しつつ、磁気ディスク用ガラス基板の作製効率を高めることができる磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、さらには磁気ディスク用ガラスブランクを提供することを目的とする。

本発明は以下の態様を有する。
本発明の一態様は、磁気ディスク用ガラス基板に用いられる一対の主表面を有する磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法である。
［態様１］
当該製造方法は、
互いに対向配置された一対の切断刃を前記溶融ガラス流の流れ方向で交差させることにより溶融ガラス流を切断し、該切断によって得られるガラスゴブを落下させる工程と、
落下中の前記ガラスゴブを一対のプレス面で挟んでプレス成形をすることによりガラスブランクを成形する工程と、を含む。
前記溶融ガラス流を切断するとき、前記一対の切断刃を、前記溶融ガラス流を挟んで互いに接近する方向に直線的に移動させ、溶融ガラス流の断面の縁部から、断面の径方向一方向へ、溶融ガラス流の被切断領域が変化するように切断する。

［態様２］
前記一対の切断は、前記切断刃の移動方向に対して直線状に傾斜して延びており、前記溶融ガラス流を切断するとき、前記切断刃同士の交差角度は一定に維持されている、態様１の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。

［態様３］
前記交差角度は５度〜６０度の範囲内の一定の角度である、態様２の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。

［態様４］
前記一対の切断刃の刃先形状は、前記一対の切断刃が互いに接近する方向に対して凹状に湾曲している、態様１に記載の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。

［態様５］
前記熔融ガラス流の切断終了時における前記一対の切断刃の切断刃同士の交差角度は、前記熔融ガラス流の切断開始時における前記一対の切断刃の切断刃同士の交差角度に比べて小さくなるような刃先形状を、前記一対の切断刃は有する、態様１または４に記載の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。

［態様６］
前記一対の切断刃の刃先形状は、前記一対の切断刃が互いに接近する方向に対して凸状に湾曲している、態様１に記載の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。

［態様７］
前記溶融ガラス流の切断中、切断されることで前記ガラスゴブとなる、前記溶融ガラス流の先端部分の横移動及び回転運動を規制する、態様１〜６のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。

［態様８］
前記一対の切断刃は、例えば、前記溶融ガラス流の上流側に位置する上切断刃と下流側に位置する下切断刃を有し、前記上切断刃に、前記横移動及び前記回転運動を規制するゴブガイド部材が設けられている、態様７に記載の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。

また、本発明の他の態様は、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法である。
［態様９］
当該製造方法は、上述の態様１〜８のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法で作製された前記ガラスブランクを機械加工する工程を含み、前記機械加工をする工程は、前記ガラスブランクの主表面の研削工程と、研削後の前記ガラスブランクの主表面を、遊離砥粒を用いて研磨する研磨工程を含む。

さらに、本発明のさらに他の態様は、磁気ディスク用ガラス基板に用いられる磁気ディスク用ガラスブランクである。
［態様１０］
前記磁気ディスク用ガラスブランクの最大板厚と最小板厚の差が６μｍ以下であり、
前記ガラスブランクの平面度が４μｍ以下であり、
前記ガラスブランクに形成されるシアマークの深さが５〜２０μｍである。

［態様１１］
前記ガラスブランクの主表面は、機械加工が施されていないプレス成形面である、態様１０に記載の磁気ディスク用ガラスブランク。

［態様１２］
前記ガラスブランクの最大径と最小径の差は０．１〜５ｍｍである、態様１０または１１に記載の磁気ディスク用ガラスブランク。

［態様１３］
前記ガラスブランクの主表面の算術平均粗さＲａは、０．０１μｍ〜１０μｍである、態様１０〜１２のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラスブランク。

［態様１４］
前記ガラスブランクの端面は、例えば、自由曲面である、態様１０〜１３のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラスブランク。
ここで、自由曲面とは、前記ガラスブランクの端面が、金型等の物体と接触して冷却固化するのではなく、物体と接触することなく気相中で冷却されることで形成された面をいう。自由曲面は、ガラスブランクの端面において、例えば表面において圧縮応力層が形成されていない、あるいはあっても極めて薄く圧縮応力値が小さい。

上述の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によれば、ガラスブランクの品質（平面度、板厚偏差）を向上しつつ、磁気ディスク用ガラス基板の作製効率を高めることができる。また、平面度、板厚偏差を向上した磁気ディスク用ガラスブランクは、磁気ディスク用ガラス基板の作製効率を向上させる。

（ａ）〜（ｃ）は、磁気ディスク用ガラス基板を用いて作製される磁気ディスクの一例を示す概略構成図である。 （ａ）〜（ｄ）は、磁気ディスク用ガラスブランクあるいはガラス基板における表面凹凸の例を説明する図である。 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の一実施形態のフローを示す図である。 実施形態のプレス成形において用いられる装置の平面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、実施形態のプレス成形工程の例を示す図である。 （ａ）〜（ｄ）は、実施形態の溶融ガラス流の切断の例を説明する図である。 溶融ガラス流が切断刃によって切断される際の抵抗力及び押し出し力について説明する図である。 実施形態における溶融ガラス流の切断後のガラスゴブの落下を説明する図である。 （ａ），（ｂ）は、従来の溶融ガラス流の切断の一例を説明する図である。 実施形態の変形例１の切断刃を示す図である。 実施形態の変形例２の切断刃を示す図である。 実施形態の変形例３の切断刃を示す図である。 実施形態の変形例４の切断刃を示す図である。 実施形態の変形例５の切断刃を示す図である。 （ａ），（ｂ）は、従来の溶融ガラス流の切断の他の例を説明する図である。 従来のプレス成形について説明する図である。

以下、本発明の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、及び磁気ディスク用ガラスブランクについて詳細に説明する。

（磁気ディスクおよび磁気ディスク用ガラス基板）
まず、図１を参照して、磁気ディスク用ガラス基板を用いて作製される磁気ディスクについて説明する。図１（ａ）は、磁気ディスク用ガラス基板を用いて作製される磁気ディスクの一例を示す概略構成図である。図１（ｂ）は、磁気ディスクの概略断面図である。図１（ｃ）は、磁気ヘッドが磁気ディスクの表面を浮上する状態を示す図である。

図１（ａ）に示されるように、磁気ディスク１はリング状であり、回転軸を中心として回転する。図１（ｂ）に示されるように、磁気ディスク１は、ガラス基板２と、少なくとも磁性層３Ａ，３Ｂと、を備える。
なお、磁性層３Ａ，３Ｂ以外には、例えば、図示されない付着層、軟磁性層、非磁性下地層、垂直磁気記録層、保護層および潤滑層等が成膜される。付着層には、例えばＣｒ合金等が用いられる。付着層は、ガラス基板２との接着層として機能する。軟磁性層には、例えばＣｏＴａＺｒ合金等が用いられる。非磁性下地層には、例えばグラニュラー非磁性層等が用いられる。垂直磁気記録層には、例えばグラニュラー磁性層等が用いられる。保護層には、水素カーボンからなる材料が用いられる。潤滑層には、例えばフッ素系樹脂等が用いられる。

磁気ディスク１について、より具体的な例を用いて説明する。本実施形態では、インライン型スパッタリング装置を用いて、ガラス基板２の両主表面に、ＣｒＴｉの付着層、ＣｏＴａＺｒ／Ｒｕ／ＣｏＴａＺｒの軟磁性層、ＣｏＣｒＳｉＯ_２の非磁性グラニュラー下地層、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ_２・ＴｉＯ_２のグラニュラー磁性層、水素化カーボン保護膜を順次成膜される。さらに、成膜された最上層にディップ法によりパーフルオロポリエーテル潤滑層が成膜される。

磁気ディスク１は、例えば７２００ｒｐｍの回転速度で回転軸を中心として回転する。図１（ｃ）に示されるように、ハードディスク装置の磁気ヘッド４Ａ，４Ｂのそれぞれは、磁気ディスク１の高速回転に伴って、磁気ディスク１の表面から距離Ｈだけ浮上する。磁気ヘッド４Ａ，４Ｂが浮上する距離Ｈは、例えば、５ｎｍである。この状態で、磁気ヘッド４Ａ，４Ｂは、磁性層に情報を記録し、あるいは読み出しを行う。この磁気ヘッド４Ａ，４Ｂの浮上によって、磁気ディスク１に対して摺動することなく、しかも近距離で磁性層に対して記録あるいは読み出しを行うことにより、磁気記録情報エリアの微細化と磁気記録の高密度化を実現する。

このとき、磁気ディスク１のガラス基板２の中央部から外周エッジ部５まで、目標とする表面精度で正確に加工され、距離Ｈ＝５ｎｍを保った状態で磁気ヘッド４Ａ，４Ｂを正確に動作させることができる。
このようなガラス基板２の表面凹凸の加工は、取り代の小さい固定砥粒を用いた研削と、その結果、取り代を小さくすることができる第１研磨および第２研磨を経て作製される。したがって、上述した「だれの問題」が解消される。

このような磁気ディスク１に用いられるガラス基板２の主表面の表面凹凸は、平面度が例えば４μｍ以下であり、表面の粗さが例えば０．２ｎｍ以下である。平面度が４μｍ以下は、最終製品としての磁気ディスク用基板に求められる目標平面度である。

平面度は、例えば、Ｎｉｄｅｋ社製フラットネステスターＦＴ−９００を用いて測定することができる。
主表面の粗さ（Ｒａ）は、例えば、エスアイアイナノテクノロジーズ社製走査型プローブ顕微鏡（原子間力顕微鏡）で計測し、ＪＩＳ Ｒ１６８３：２００７で規定される方法で算出できる。

ここで、図２を参照して、板状ガラスブランク（ガラス素材）やガラス基板における表面凹凸について説明する。図２（ａ）〜（ｄ）は、表面凹凸を説明する図である。表面凹凸は、凹凸の波長に応じて概略４つの凹凸によって定めることができる。
具体的には、表面凹凸は、最も波長が大きなうねり（波長０．６μｍ〜１３０ｍｍ程度）、ウェービネス（波長０．２μｍ〜２ｍｍ程度）、マイクロウェービネス（波長０．１μｍ〜１ｍｍ）、粗さ（波長１０ｎｍ以下）に分けられる。
この中で、うねりは上記平面度を指標として表すことができ、粗さは上記算術平均粗さＲａを指標として表すことができる。
このようなガラス基板は、円板状のガラスブランクの主表面を研削、研磨することにより作製され得る。研削、研磨前のガラスブランクは、ガラスブランクの最大板厚と最小板厚の差が６μｍ以下であり、ガラスブランクの平面度が４μｍ以下であり、ガラスブランクに形成されるシアマークの深さが５〜２０μｍである。このようなガラスブランクは、後述する磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法によって達成され得る。このとき、ガラスブランクの主表面は、機械加工が施されていないプレス成形面である。また、ガラスブランクの最大径と最小径の差分は０．１〜５ｍｍであることが好ましい。ガラスブランクの主表面の算術平均粗さＲａは、０．０１μｍ〜１０μｍであることが、研削、研磨の取り代を少なくする点で好ましい。

本実施形態における磁気ディスク用ガラス基板の材料として、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラスなどを用いることができる。特に、化学強化を施すことができ、また主表面の平面度及び基板の強度において優れた磁気ディスク用ガラス基板を作製することができるという点で、アルミノシリケートガラスを好適に用いることができる。

下記に示すガラス組成は、本実施形態の磁気ディスク用ガラスブランク及び磁気ディスク用ガラス基板のガラス組成を限定するものではないが、アルミノシリケートガラスとして、酸化物基準に換算した際に、モル％表示で、
・ＳｉＯ_２：５０〜７５％、
・Ａｌ_２Ｏ_３：１〜１５％、
・Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ及びＫ_２Ｏから選択される少なくとも１種の成分の合計：５〜３５％、
・ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ及びＺｎＯから選択される少なくとも１種の成分の合計：０〜２０％、
・ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５及びＨｆＯ_２から選択される少なくとも１種の成分の合計：０〜１０％、
を有する組成からなるアモルファスのアルミノシリケートガラスである。

また、本実施形態の磁気ディスク用ガラスブランク及び磁気ディスク用ガラス基板は以下の組成（モル％表示で）からなるアモルファスのアルミノシリケートガラスでもよい。
・ＳｉＯ_２：５６〜７５％、
・Ａｌ_２Ｏ_３：１〜１１％、
・Ｌｉ_２Ｏ：０％超かつ４％以下、
・Ｎａ_２Ｏ：１％以上かつ１５％未満、
・Ｋ_２Ｏを０％以上かつ３％未満、
を含み、
かつ、
・ＢａＯを実質的に含まず、
・Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２ＯおよびＫ_２Ｏからなる群から選ばれるアルカリ金属酸化物の合計含有量が６〜１５％の範囲であり、
・Ｎａ_２Ｏ含有量に対するＬｉ_２Ｏ含有量のモル比（Ｌｉ_２Ｏ／Ｎａ_２Ｏ）が０．５０未満であり、
・上記アルカリ金属酸化物の合計含有量に対するＫ_２Ｏ含有量のモル比｛Ｋ_２Ｏ／（Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ）｝が０．１３以下であり、
・ＭｇＯ、ＣａＯおよびＳｒＯからなる群から選ばれるアルカリ土類金属酸化物の合計含有量が１０〜３０％の範囲であり、
・ＭｇＯおよびＣａＯの合計含有量が１０〜３０％の範囲であり、
・上記アルカリ土類金属酸化物の合計含有量に対するＭｇＯおよびＣａＯの合計含有量のモル比｛（ＭｇＯ＋ＣａＯ）／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ）｝が０．８６以上であり、
・上記アルカリ金属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物の合計含有量が２０〜４０％の範囲であり、
・上記アルカリ金属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物の合計含有量に対するＭｇＯ、ＣａＯおよびＬｉ_２Ｏの合計含有量のモル比｛（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋Ｌｉ_２Ｏ）／（Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ＋ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ）が０．５０以上であり、
・ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｇｄ_２Ｏ_３、Ｎｂ_２Ｏ_５およびＴａ_２Ｏ_５からなる群から選ばれる酸化物の合計含有量が０％超かつ１０％以下であり、
・Ａｌ_２Ｏ_３含有量に対する上記酸化物の合計含有量のモル比｛(ＺｒＯ_２＋ＴｉＯ_２＋Ｙ_２Ｏ_３＋Ｌａ_２Ｏ_３＋Ｇｄ_２Ｏ_３＋Ｎｂ_２Ｏ_５＋Ｔａ_２Ｏ_５)／Ａｌ_２Ｏ_３｝が０．４０以上である。

さらに、本実施形態の磁気ディスク用ガラスブランク及び磁気ディスク用ガラス基板は以下の組成からなるアモルファスのアルミノシリケートガラスでもよい。
モル％表示にて、
ＳｉＯ_２を５０〜７５％、
Ａｌ_２Ｏ_３を０〜５％、
Ｌｉ_２Ｏを０〜３％、
ＺｎＯを０〜５％、
Ｎａ_２ＯおよびＫ_２Ｏを合計で３〜１５％、
ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯを合計で１４〜３５％、
ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、Ｙｂ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５およびＨｆＯ_２を合計で２〜９％含み、
モル比［（ＭｇＯ＋ＣａＯ）／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）］が０．８〜１の範囲であり、かつモル比［Ａｌ_２Ｏ_３／（ＭｇＯ＋ＣａＯ）］が０〜０．３０の範囲内であるガラス。
また、モル％表示で、
・ＳｉＯ_２を５０〜７５％、
・Ａｌ_２Ｏ_３を１〜１５％、
・Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ及びＫ_２Ｏから選択される少なくとも１種の成分を合計で１２〜３５％、
・ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ及びＺｎＯから選択される少なくとも１種の成分を合計で０〜２０％、及び、
・ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５及びＨｆＯ_２から選択される少なくとも１種の成分を合計で０〜１０％、有する組成からなるアルミノシリケートガラスを用いることが好ましい。

（磁気ディスク用ガラスブランク、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法）
次に、図３を参照して、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法のフローを説明する。図３は、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の一実施形態のフローを示す図である。
図３に示すように、先ず、一対の主表面を有する板状のガラスブランクをプレス成形により作製する（ステップＳ１０）。次に、作製されたガラスブランクをスクライブして、円環状のガラス基板を作製する（ステップＳ２０）。次に、スクライブされたガラス基板に対して形状加工（チャンファリング加工）を行う（ステップＳ３０）。次に、ガラス基板に対して固定砥粒による研削を施す（ステップＳ４０）。次に、ガラス基板の端面研磨を行う（ステップＳ５０）。次に、ガラス基板の主表面に第１研磨を施す（ステップＳ６０）。次に、第１研磨後のガラス基板に対して化学強化を施す（ステップＳ７０）。次に、化学強化されたガラス基板に対して第２研磨を施す（ステップＳ８０）。以上の工程を経て、磁気ディスク用ガラス基板が得られる。一対の主表面を有する磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法は、ステップＳ１０のプレス成形によるガラスブランクの作製において行われる。
以下、各工程について、詳細に説明する。なお、図３に示すフローは一例であり、適宜各工程を省略することができる。また、各工程の順番も適宜変更することができる。

（ａ）プレス成形工程（ステップＳ１０）
先ず、図４を参照して、プレス成形工程について説明する。プレス成形工程は、切断工程とプレス工程とを含む。図４は、プレス成形工程において用いられる装置の平面図である。図４に示されるように、装置１０１は、４組のプレスユニット１２０，１３０，１４０，１５０と、切断ユニット１６０と、を備える。切断ユニット１６０は、溶融ガラス流出口（供給部）１１１から流出する（供給される）溶融ガラスの経路上に設けられる。切断工程では、切断ユニット１６０によって溶融ガラス流が切断されることにより、溶融ガラスの塊であるガラスゴブが下方に落下する。プレス工程では、プレスユニット１２０，１３０，１４０，１５０は、落下中のガラスゴブを落下中のガラスゴブの両側から、互いに対向配置された一対の型のプレス面でガラスゴブを空中の所定の捕獲位置で挟み込みプレス成形することにより、ガラスブランクが成形される。
図４に示される例では、４組のプレスユニット１２０，１３０，１４０，１５０は、溶融ガラス流出口１１１を中心として９０度おきに設けられている。

プレスユニット１２０，１３０，１４０及び１５０の各々は、図示しない移動機構によって駆動されて、溶融ガラス流出口１１１に対して進退可能となっている。すなわち、溶融ガラス流出口１１１の下方に位置する捕獲位置（図４においてプレスユニット１４０が実線で描画されている位置）と、溶融ガラス流出口１１１から離れた退避位置（図４において、プレスユニット１２０，１３０及び１５０が実線で描画されている位置、及びプレスユニット１４０が破線で描画されている位置）との間で移動可能となっている。

図４に示すプレスユニット１２０は、第１の型１２１と、第２の型１２２と、第１駆動部１２５と、第２駆動部１２６と、を有する。
第１の型１２１と第２の型１２２の各々は、ガラスゴブＧ_Ｇ（図５（ｂ），（ｃ）参照）をプレス成形するための面を有するプレート状の部材である。この２つの面の法線方向が略水平方向となり、この２つの面が互いに平行に対向するよう配置されている。

第１駆動部１２５は、第１の型１２１を第２の型１２２に対して進退させる。一方、第２駆動部１２６は、第２の型１２２を第１の型１２１に対して進退させる。第１駆動部１２５及び第２駆動部１２６は、第１の型１２１の面と第２の型１２２の面とを急速に近接させる機構を有する。第１駆動部１２５及び第２駆動部１２６は、例えば、エアシリンダやソレノイドとコイルばねを組み合わせた機構である。
なお、プレスユニット１３０，１４０及び１５０の構造は、プレスユニット１２０と同様であるため、説明は省略する。

プレスユニットの各々は、捕獲位置に移動した後、第１駆動部と第２駆動部の駆動により、落下するガラスゴブＧ_Ｇを第１の型と第２の型の問で挟み込んで所定の厚さに成形すると共に冷却し、円形状のガラスブランクＧを作製する。

図５（ａ）〜（ｄ）は、実施形態のプレス成形工程を具体的に示す図である。
切断ユニット１６０は、捕獲位置と溶融ガラス流出口１１１との間の溶融ガラスの経路上に設けられる。切断ユニット１６０は、溶融ガラス流出口１１１から流出される溶融ガラスを適量に切り出してガラスゴブＧ_Ｇを形成する。切断ユニット１６０は、鉛直方向（溶融ガラス流の流下方向）に互いにずらして配置され、且つ、水平方向で互いに対向配置された一対の切断刃１６１，１６２（上側切断刃及び下側切断刃）を有する。各切断刃１６１，１６２は、協働して溶融ガラス流Ｌ_Ｇを切断する。具体的には、各切断刃１６１，１６２は、一定のタイミングで溶融ガラス流Ｌ_Ｇの経路上で刃先が交差するよう駆動され、各切断刃１６１，１６２が交差した位置で溶融ガラス流Ｌ_Ｇが切り出されてガラスゴブＧ_Ｇが得られる。溶融ガラス流Ｌ_Ｇの切断及びプレス成形の詳細な説明は後述する。

（ｂ）スクライブ工程（ステップＳ２０）
次に、スクライブ工程について説明する。プレス成形工程の後、スクライブ工程では、成形されたガラスブランクＧに対してスクライブが行われる。
ここでスクライブとは、成形されたガラスブランクＧを所定のサイズのリング形状とするために、ガラスブランクＧの表面に超鋼合金製あるいはダイヤモンド粒子を含んだスクライバにより２つの同心円（内側同心円および外側同心円）状の切断線（線状のキズ）を設けることをいう。２つの同心円の形状にスクライブされたガラスブランクＧは、部分的に加熱され、ガラスブランクＧの熱膨張の差異により、外側同心円の外側部分および内側同心円の内側部分が除去される。これにより、円環状のガラス基板が得られる。
なお、ガラスブランクＧに対してコアドリル等を用いて円孔を形成することにより円環状のガラス基板を得ることもできる。

（ｃ）形状加工工程（ステップＳ３０）
次に、形状加工工程について説明する。形状加工工程では、スクライブ工程後のガラス基板の端部に対するチャンファリング加工（外周端部および内周端部の面取り加工）を含む。チャンファリング加工は、スクライブ工程後のガラス基板の外周端面および内周端面において、ダイヤモンド砥石により面取りを施す形状加工である。面取り面の面取り角度は、主表面に対して例えば４０〜５０度である。

（ｄ）固定砥粒による研削工程（ステップＳ４０）
固定砥粒による研削工程では、遊星歯車機構を備えた両面研削装置を用いて、形状加工工程後のガラス基板の主表面に対して研削加工（機械加工）を行う。研削による取り代は、例えば数μｍ〜１００μｍ程度である。固定砥粒の粒子サイズは、例えば１０μｍ程度である。両面研削装置は、上下一対の定盤（上定盤および下定盤）を有しており、上定盤および下定盤の間にガラス基板が狭持される。そして、上定盤または下定盤のいずれか一方、または、双方を移動操作させることで、ガラス基板と各定盤とを相対的に移動させることにより、このガラス基板の両主表面を研削することができる。

（ｅ）端面研磨工程（ステップＳ５０）
次に、端面研磨工程について説明する。固定砥粒による研削工程後、端面研磨工程では、ガラス基板の端面研磨が行われる。
端面研磨では、ガラス基板の内周端面及び外周端面に対して、ブラシ研磨により鏡面仕上げを行う。このとき、酸化セリウム等の微粒子を遊離砥粒として含むスラリーが用いられる。端面研磨を行うことにより、ガラス基板の端面での塵等が付着した汚染、ダメージあるいはキズ等の損傷の除去を行うことにより、サーマルアスペリティの発生の防止や、ナトリウムやカリウム等のコロージョンの原因となるイオン析出の発生を防止することができる。

（ｆ）第１研磨（主表面研磨）工程（ステップＳ６０）
次に、端面研磨工程後のガラス基板の主表面に第１研磨が施される。第１研磨による取り代は、例えば数μｍ〜５０μｍ程度である。第１研磨は、例えば固定砥粒による研削を行った場合に主表面に残留したキズや歪みの除去、あるいは微小な表面凹凸（マイクロウェービネス、粗さ）の調整を目的とする。第１研磨による取り代は、例えば数μｍ〜５０μｍ程度である。
第１研磨工程では、例えば、遊星歯車機構を備えた両面研磨装置を用いて、研磨液を与えながら研磨する。第１研磨工程では、固定砥粒による研削と異なり、固定砥粒の代わりにスラリーに混濁した遊離砥粒を用いる。第１研磨に用いる遊離砥粒として、例えば、スラリーに混濁させた酸化セリウム砥粒、あるいはジルコニア砥粒など（粒子サイズ：直径１〜２μｍ程度）が用いられる。両面研磨装置は、上下一対の定盤（上定盤および下定盤）を有しており、上定盤および下定盤の間にガラス基板が狭持される。なお、下定盤の上面及び上定盤の底面には、全体として円環形状の平板の研磨パッド、例えば、樹脂ポリッシャが取り付けられている。そして、上定盤または下定盤のいずれか一方、または、双方を移動操作させることで、ガラス基板と各定盤とを相対的に移動させることにより、このガラス基板の両主表面を研磨することができる。

（ｇ）化学強化工程（ステップＳ７０）
次に、第１研磨工程後のガラス基板は化学強化される。
化学強化液として、例えば硝酸カリウム（６０重量％）と硫酸ナトリウム（４０重量％）の混合液等を用いることができる。化学強化工程では、化学強化液を例えば３００℃〜４００℃に加熱し、洗浄したガラス基板を例えば２００℃〜３００℃に予熱した後、ガラス基板を化学強化液中に、例えば３時間〜４時間浸漬する。この浸漬の際には、ガラス基板の両主表面全体が化学強化されるように、複数のガラス基板が端面で保持されるように、ホルダに収納した状態で行うことが好ましい。

ガラス基板を化学強化液に浸漬することによって、ガラス基板の表層のリチウムイオン及びナトリウムイオンが、化学強化液中のイオン半径が相対的に大きいナトリウムイオン及びカリウムイオンにそれぞれ置換されることで表層部分に圧縮応力層が形成され、ガラス基板が強化される。
なお、化学強化処理されたガラス基板は洗浄される。例えば、硫酸で洗浄された後に、純水等で洗浄される。

（ｈ）第２研磨（最終研磨）工程（ステップＳ８０）
次に、化学強化工程後のガラス基板に第２研磨が施される。第２研磨工程は、主表面の鏡面研磨を目的とする。第２研磨による取り代は、例えば１μｍ程度である。第２研磨工程では、例えば、第１研磨工程で用いた両面研磨装置を用いる。このとき、第１研磨工程と異なる点は、遊離砥粒の種類及び粒子サイズが異なることと、樹脂ポリッシャの硬度が異なることである。

第２研磨工程に用いる遊離砥粒として、例えば、スラリーに混濁させたコロイダルシリカ等の微粒子（粒子サイズ：直径１０〜５０ｎｍ程度）が用いられる。研磨されたガラス基板を中性洗剤、純水、ＩＰＡ等を用いて洗浄することで、磁気ディスク用ガラス基板が得られる。
第２研磨工程を実施することは必ずしも必須ではないが、ガラス基板の主表面の表面凹凸のレベルをさらに良好なものとすることができる点で実施することが好ましい。第２研磨工程を実施することで、主表面の粗さ(Ｒａ)を０．１ｎｍ以下かつ上記主表面のマイクロウェービネス（ＭＷ−Ｒｑ）を０．１ｎｍ以下とすることができる。

以上が、磁気ディスク用ガラスブランク及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の説明である。

（溶融ガラス流の切断及びプレス成形）
図６（ａ）〜（ｄ）は、溶融ガラス流Ｌ_Ｇの切断を説明する図である。図６（ａ）〜（ｄ）は、図５（ａ）に示す溶融ガラス流Ｌ_Ｇの状態から図５（ｂ）に示す溶融ガラス流Ｌ_Ｇの状態に至る溶融ガラス流の切断状態を示している。以下、図５（ａ）〜（ｄ）及び図６（ａ）〜（ｄ）を参照しながら説明する。
図５（ａ）は、溶融ガラス流Ｌ_Ｇと切断ユニット１６０の各切断刃１６１，１６２が接触する前の状態を示す。図５（ｂ）は、切断ユニット１６０の各切断刃１６１，１６２が溶融ガラス流Ｌ_Ｇの切断が完了したときの状態を示す。図５（ｃ）は、ガラスゴブＧ_Ｇが落下する状態を示す。図５（ｄ）は、プレスユニット１２０がガラスゴブＧ_Ｇをプレス成形している状態を示す。ここで、切断完了時点のガラスゴブＧ_Ｇの形状は、そのガラスゴブＧ_Ｇの中心を通る水平面に対して上下非対称な形状であり、変形している。
図６（ａ），（ｂ）は、切断刃１６１，１６２を溶融ガラス流Ｌ_Ｇの上流側から見た図である。図６（ｃ），（ｄ）は、切断刃１６１，１６２と溶融ガラス流Ｌ_Ｇを図６（ｂ）に示す矢印の方向（横方向）から見た図である。

図５（ａ）に示されるように、まず、溶融ガラス流Ｌ_Ｇは、溶融ガラス流出口１１１から連続的に流出される。このとき、図５（ｂ）に示されるように、所定のタイミングで上側の切断刃１６１と下側の切断刃１６２を駆動して、溶融ガラス流Ｌ_Ｇの流れ方向で切断刃１６１，１６２同士が互いにすり合うように交差させる。

図６（ａ）に示すように、一対の切断刃１６１，１６２のそれぞれの刃の先端（刃先）は一方向（切断刃１６１，１６２が移動する方向）に対して傾斜した方向に延びる形状を成している。切断刃１６１，１６２の刃先は、溶融ガラス流Ｌ_Ｇの中心を通り、切断刃１６１，１６２の移動する方向に直交する平面に対して線対称な形状を成している。切断刃１６１，１６２は互いに交差するとき、切断刃１６１，１６２の刃の先端はＶの字形状を成すように傾斜している。
本実施形態では、一対の切断刃１６１，１６２を、溶融ガラス流Ｌ_Ｇを挟んで互いに接近する方向に直線的に移動させ、溶融ガラス流Ｌ_Ｇの断面の縁部から、断面の径方向一方向へ、溶融ガラス流Ｌ_Ｇの被切断領域が変化するように切断する。すなわち、溶融ガラス流Ｌ_Ｇの流れ方向において、互いにすり合わせて形成される切断刃１６１，１６２がなすＶ字形状の先端位置（図６（ｂ）では点Ｐの位置近傍）で溶融ガラス流Ｌ_Ｇを切断していく。図６（ｂ）に示すように、溶融ガラス流Ｌ_Ｇを切断する点Ｐは、切断刃１６１，１６２が互いに接近するにつれて、図中のＸ方向に移動する。
これにより、溶融ガラス流Ｌ_Ｇが完全に切断され、切断された溶融ガラス流Ｌ_Ｇの先端部分は、ガラスゴブＧ_Ｇとなる。図５（ｂ）に示される例では、切断ユニット１６０を駆動する度に、例えば、半径１０ｍｍ程度の体積のガラスゴブＧ_Ｇが形成されるように、溶融ガラス流Ｌ_Ｇの時間当たりの流出量や切断ユニット１６０の駆動間隔が調整される。

こうして溶融ガラス流Ｌ_Ｇの切断が完了して得られたガラスゴブＧ_Ｇは、図５（ｃ）に示されるように、プレスユニット１２０の第１の型１２１と第２の型１２２の隙間に向かって落下する。落下中のガラスゴブＧ_Ｇが第１の型１２１と第２の型１２２の隙間に入るタイミングで、第１の型１２１と第２の型１２２が互いに近づくように、第１駆動部１２５及び第２駆動部１２６が駆動される。これにより、図５（ｄ）に示されるように、第１の型１２１と第２の型１２２の間にガラスゴブＧ_Ｇが捕獲(キャッチ)される。第１の型１２１のプレス面１２１ａと第２の型１２２のプレス面１２２ａとが、所定の間隔にて近接した状態になり、第１の型１２１のプレス面１２１ａと第２の型１２２のプレス面１２２ａの間に挟み込まれたガラスゴブＧ_Ｇが、薄板状に成形される。このとき、図５（ｄ）に示されるように、ガラスブランクＧは、プレス面１２１ａ，１２２ａの全体に広がらない。すなわち、ガラスブランクＧはガラスブランクＧの外形を規制する枠が無い状態で、略円形状につくられる。すなわち、ガラスブランクＧの端面は、自由曲面となっている。自由曲面となって、プレス成形中、気相中で徐冷されるので、端面の表面に圧縮応力層が無いか、あっても極めて小さい。このとき、最大径と最小径の差が０．１〜５ｍｍであるガラスブランクＧがつくられる。

なお、第１の型１２１のプレス面１２１ａと第２の型１２２のプレス面１２２ａの間隔を一定に維持するために、第１の型１２１のプレス面１２１ａ及び第２の型１２２のプレス面１２２ａの各々には、突起状のスペーサ１２１ｂ，１２２ｂが設けられる。各スペーサ１２１ｂ，１２２ｂが互いに当接することによって、第１の型１２１のプレス面１２１ａと第２の型１２２のプレス面１２２ａの間隔は一定に維持されて、板状の空間が作られる。

第１の型１２１及び第２の型１２２には、図示しない温度調節機構が設けられている。第１の型１２１及び第２の型１２２の温度は、温度調節機構により、溶融ガラス流Ｌ_Ｇの歪点以下の温度に調整されていることが好ましい。あるいは、第１の型１２１及び第２の型１２２の温度は、溶融ガラス流Ｌ_Ｇのガラス転移点以上屈服点未満の温度に調整されていることも好ましい。

ガラスゴブＧ_Ｇが第１の型１２１のプレス面１２１ａ又は第２の型１２２のプレス面１２２ａに接触してから、第１の型１２１と第２の型１２２とがゴブＧ_Ｇを完全に閉じ込める状態になるまでの時間は約０．０６秒と極めて短い。このため、ゴブＧ_Ｇは極めて短時間の内に第１の型１２１のプレス面１２１ａ及び第２の型１２２のプレス面１２２ａに沿って広がって略円形状に成形され、さらに、冷却されて非晶質のガラスとして固化する。これによって、ガラスブランクＧが作製される。
なお、本実施形態は、落下中のガラスゴブＧＧを捕獲しプレスするために、第１の型１２１，第２の型１２２は互いに接近するように水平方向に移動するが、第１の型１２１，第２の型１２２の移動方向は、落下中のガラスゴブＧＧを第１の型１２１，第２の型１２２が捕獲してプレスできる限りにおいて、制限されない。本実施形態において成形されるガラスブランクＧは、目的とする磁気ディスク用ガラス基板の大きさにもよるが、例えば、直径７５〜８０ｍｍ、厚さ約１ｍｍの円形状の板である。

第１の型１２１と第２の型１２２が閉じられた後、プレスユニット１２０は速やかに退避位置に移動する。プレスユニット１２０が退避位置に移動した後、ガラスブランクＧが十分に冷却されるまで（例えば、ガラス転移点以上屈服点よりも低い温度範囲内のある温度になるまで）、第１の型１２１と第２の型１２２は閉じた状態を維特する。この後、第１駆動部１２５及び第２駆動部１２６が駆動されて第１の型１２１と第２の型１２２が離間し、ガラスブランクＧは、プレスユニット１２０を離れて落下し、下部にあるコンベア１７１に受け止められる（図４参照）。

プレスユニット１２０は速やかに退避位置に移動した後、続いて、図４に示す他のプレスユニット１３０がガラスゴブＧ_Ｇの捕獲位置に移動し、このプレスユニット１３０によって、ガラスゴブＧ_Ｇのプレスが行われる。この後、プレスユニット１３０は速やかに退避位置に移動し、退避位置において、ガラスブランクＧ_Ｇは、プレスユニット１２０を離れて落下し、下部にあるコンベア１７２に受け止められる。同様に、プレスユニット１４０．１５０もガラスゴブＧ_Ｇの捕獲位置に移動し、このプレスユニット１４０，１５０によって、ガラスゴブＧ_Ｇのプレスが行われる。この後、プレスユニット１４０，１５０は速やかに退避位置に移動し、退避位置において、ガラスブランクＧ_Ｇは、プレスユニット１４０，１５０を離れて落下し、下部にあるコンベア１７３，１７４に受け止められる。

本実施形態では、０．１秒以内（約０．０６秒）という極めて短時間の間に第１の型１２１と第２の型１２２が閉じられ、第１の型１２１のプレス面１２１ａと第２の型１２２のプレス面１２２ａの全体に、略同時に溶融ガラスが接触することになる。このため、第１の型１２１のプレス面１２１ａと第２の型１２２のプレス面１２２ａが溶融ガラスから局所的に熱を受けて高温にされることが抑制される。

また、ガラスゴブＧ_Ｇから第１の型１２１及び第２の型１２２に熱が移動して第１の型１２１及び第２の型１２２の温度分布をつくる前に、ガラスゴブＧ_Ｇが円形状に成形されるため、成形されるガラスブランクＧの温度分布は略一様となる。このため、溶融ガラスの冷却時、ガラス材料の収縮量の分布は小さく、ガラスブランクＧの歪みが発生しにくい。したがって、作製されたガラスブランク材Ｇの主表面の平面度は、４μｍ以下となり、従来のプレス成形により作製されるガラスブランクに比べて平面度は向上し、磁気ディスク用ガラス基板として必要な主表面の目標平面度にすることができる。また、最大板厚と最小板厚の差は６μｍ以下となる。

また、プレス面１２１ａ及びプレス面１２２ａの表面の粗さは、ガラスブランクＧの主表面の粗さ（算術平均粗さＲａ）が０．０１μｍ〜１０μｍとなるように、好ましくは、０．０１μｍ〜１μｍとなるように、調整することができる。

ガラスゴブＧ_Ｇは、上述したように、図６（ａ）〜（ｄ）に示すような方法により溶融ガラス流Ｌ_Ｇが切断されて形成される。図６（ａ），（ｂ）に示すように、切断刃１６１，１６２が互いに重なってＶ字形状を成す部分を用いて、溶融ガラス流Ｌ_Ｇの断面の縁部から溶融ガラス流Ｌ_Ｇを切断する。このため、図６（ｂ），（ｃ）に示すように溶融ガラス流Ｌ_Ｇから分離してガラスゴブＧ_Ｇとなる切断部分Ｇ_Ｓは、自重により切断刃１６２から離れる。このため、切断部分Ｇ_Ｓは切断刃１６２と接触しないので、切断部分Ｇ_Ｓの熱が切断刃１６２に伝導して、切断部分Ｇ_Ｓの温度が低下することを抑制できる。この結果、シアマークの深さを浅くすることができる。すなわち、熔融ガラス流Ｌ_Ｇの切断刃１６１，１６２と接触する位置が時間とともに変化するので、切断刃１６１，１６２と接触する熔融ガラス流Ｌ_Ｇの部分から切断刃１６１，１６２へ移動する熱の伝導量は、溶融ガラス流の断面を狭く絞りながら溶融ガラス流を切断する従来の方式に比べて小さくなる。このため、溶融ガラス流の固化領域から形成されるシアマークはガラスブランクの表面近傍の浅い位置に形成される。

ここで、切断刃１６１，１６２同士の交差角度θ（図６（ｂ）参照）は、５〜６０度であることが、ガラスゴブＧ_Ｇの落下方向を鉛直方向から大きく外れることなく、落下姿勢変化を抑制し落下安定性を維持する点で好ましい。交差角度θは、より好ましくは５〜４０度であり、特に好ましくは３０〜４０度である。
図７は、溶融ガラス流Ｌ_Ｇが切断刃によって切断される際の抵抗力及び押し出し力について説明する図である。切断刃１６２が溶融ガラス流Ｌ_Ｇから受ける抵抗力Ｆ_１は、Ｆｃｏｓθ／２で表わされるので、角度θ／２が大きいほど、すなわち一対の切断刃１６１，１６２の交差角度θが９０度に近づくほど抵抗力Ｆ_１は小さくなる。一方、溶融ガラス流Ｌ_Ｇから分離されたガラスゴブＧ_Ｇに対する押し出し力Ｆ_２は、２Ｆｃｏｓθ／２・ｓｉｎθ／２（＝Ｆｓｉｎθ）で表わされるので、交差角度θが小さいほど押し出し力Ｆ_２は小さくなる。要するに、一対の切断刃１６１，１６２の交差角度θが小さければ、切断刃１６１，１６２が溶融ガラス流Ｌ_Ｇから受ける抵抗力Ｆ_１は若干大きくなるものの、溶融ガラス流Ｌ_Ｇから分離されたガラスゴブＧ_Ｇの落下姿勢に影響する押し出し力Ｆ_２が小さくなるので、ガラスゴブＧ_Ｇの落下姿勢変化を抑制して、落下安定性を向上させることができる。

本実施形態においては、上記のように、一対の切断刃１６１，１６２の交差角度θが５〜６０度以下、好ましくは５〜４０度としているので、特にガラスゴブＧ_Ｇが分離する際、つまり切断終了時の一対の切断刃１６１，１６２からガラスゴブＧ_Ｇに加わる押し出し力Ｆ_２を小さくし、落下中のガラスゴブＧ_Ｇの回転モーメントを小さくすることができるため、ガラスゴブＧ_Ｇの落下姿勢変化を抑制して落下安定性を向上させることができ、プレスによって得られるガラスブランクの品質（平面度、板厚偏差）を向上させることができる。

なお、上記の交差角度θを０度に近づけるほど落下安定性はよいが、交差角度θが０度の場合、刃先で溶融ガラスを挟み込む作用が強くなるため、ガラスゴブの冷却固化領域が増大し、シアマークを薄くできないという問題がある。シアマークの深さを浅くする観点からは、上記の交差角度θは５度以上であることが好ましい。また、上記の交差角度θが６０度よりも大きいと、落下安定性を向上させる効果が十分に得られない。落下安定性向上の観点からは上記の交差角度θは６０度以下であることが好ましい。

なお、切断刃１６１，１６２のそれぞれの刃の先端は直線状に延びており、溶融ガラス流Ｌ_Ｇを切断するとき、切断刃１６１，１６２同士の交差角度θ（図６（ｂ）参照）が一定に維持されていることが、ガラスゴブＧ_Ｇの落下安定性を確保する点で好ましい。例えば、交差角度θは５度〜６０度の範囲内の一定の角度であることが好ましい。この場合、切断刃１６１，１６２のそれぞれの刃先の傾斜角度φ（図６（ａ）参照）は、６０〜８７．５度であり、同じ傾斜角度φを持つとよい。

切断刃１６１，１６２同士の交差角度θ（図６（ｂ）参照）を切断中、一定に維持することにより、以下に説明するように、ガラスゴブＧ_Ｇの落下方向を一定に維持することができる。図７は、ガラスゴブＧ_Ｇの落下を説明する図であり、図６（ｂ）の矢印方向から見た図である。ガラスゴブＧ_Ｇは、図６（ａ），（ｂ）に示すように、切断刃１６１，１６２が一方向に傾斜し、切断刃１６１，１６２が、切断刃１６１，１６２同士がすり合いながら接近する方向に直線的に移動するので、溶融ガラス流Ｌ_Ｇには、上述したように、切断時、刃先が傾斜した切断刃１６１，１６２から図６（ｄ）あるいは図８に示す紙面の左方向に向かう押し出し力Ｆ_２が加えられる。この結果、ガラスゴブＧ_Ｇは図８中の紙面の左方向に速度成分をもって落下する。このとき、溶融ガラス流Ｌ_Ｇが完全に切断されてガラスゴブＧ_Ｇが生成されるときの生成のタイミングがわずかにずれても、交差角度θを切断中一定に維持することにより、ガラスゴブＧ_Ｇには、常に一定の横方向の押し出し力Ｆ_２を受ける。したがって、ガラスゴブＧ_Ｇの落下に伴う横方向の速度成分も一定となる。また、横方向の速度成分が一定となるため、ガラスゴブＧ_Ｇの落下の際の回転の態様も一定となる。実際、溶融ガラス流Ｌ_Ｇが完全に切断されてガラスゴブＧ_Ｇが生成されるタイミングは、溶融ガラス流Ｌ_Ｇの切断部分の局部的な温度の微小変動や切断刃１６１，１６２の温度や切断刃１６１，１６２の刃面の摩耗状態等により変動する。このため、交差角度θを切断中一定に維持することにより、ガラスゴブＧ_Ｇの落下方向及び回転の態様を一定に維持することができる。

図９（ａ），（ｂ）は、従来の回動する切断刃２６１，２６２を用いた溶融ガラス流Ｌ_Ｇの切断を説明する図である。切断刃２６１，２６２は、図９（ａ）に示す矢印方向Ｒ_１、Ｒ_２に回動するので、交差角度θは時間とともに変化する。上述したように、溶融ガラス流Ｌ_Ｇが完全に切断されるタイミングは、上述したように微小に変動するので、完全に溶融ガラス流Ｌ_Ｇが切断されてガラスゴブＧ_Ｇが生成されるとき、ガラスゴブＧ_Ｇが受ける横方向の押し出し力Ｆ_２も変動する。このため、交差角度θが切断中に時間とともに変化する場合、ガラスゴブＧ_Ｇの落下方向を一定に維持することはできず、落下方向が安定しない。また、ガラスゴブＧ_Ｇの回転により、ガラスゴブＧ_Ｇの落下経路のばらつきが大きくなる。
以上の点から、切断刃１６１，１６２同士の交差角度θを切断中一定に維持することにより、ガラスゴブＧ_Ｇの落下方向を一定に維持することができる。ガラスゴブＧ_Ｇの落下方向を一定に維持することにより、プレス成形を行う第１の型１２１及び第２の型１２２がガラスゴブＧ_Ｇを捕獲する捕獲位置も一定になる。このため、後述するように、ガラスブランクＧの平面度は向上し板厚偏差は小さくなる。

（変形例１）

図６（ａ）〜（ｄ）に示す切断刃１６１，１６２は、交差角度θが一定に維持されるが、溶融ガラス流Ｌ_Ｇの切断開始時の一対の切断刃の交差角度よりも、溶融ガラス流からガラスゴブが分離する、つまり切断終了時の一対の切断刃の交差角度が小さくなる切断刃を切断刃１６１，１６２に替えて用いることもできる。図１０は、本実施形態の変形例１の切断刃１８１，１８２を示す図である。

図１０に示されるように、変形例１の一対の切断刃１８１，１８２のそれぞれの刃の先端（刃先）１８１ａ，１８２ａは、幅方向の一端部から他端部へ向けて、上記一対の切断刃１８１，１８２の交差角度θが小さくなるように、凹状に湾曲した形状を成している。すなわち、一対の切断刃１８１，１８２の刃先形状は、一対の切断刃１８１，１８２が互いに接近する方向に対して凹状に湾曲している。切断刃１８１，１８２の刃先は、溶融ガラス流Ｌ_Ｇの中心を通り、切断刃１８１，１８２の移動する方向に直交する平面に対して線対称な形状を成している。変形例１においても、一対の切断刃１８１，１８２を、溶融ガラス流Ｌ_Ｇを挟んで互いに接近する方向（図示する矢印方向）に直線的に移動させ、溶融ガラス流Ｌ_Ｇの断面の縁部から接触して切断する。これによって、一対の切断刃１８１，１８２が溶融ガラス流Ｌ_Ｇに接触し始める時の一対の切断刃の交差角度θよりも、溶融ガラス流ＬＧからガラスゴブＧ_Ｇが分離する際の一対の切断刃の交差角度θが小さくなる。ここで、本実施形態のような湾曲している形状の切断刃１８１，１８２における交差角度θとは、平面視において、一対の切断刃が交差する点と、その交差する点から各切断刃の刃先に沿って１ｍｍ離れた点とを通る２本の直線のなす角である。

変形例１においては、一対の切断刃１８１，１８２が溶融ガラス流Ｌ_Ｇに接触し始めてから初期の段階では一対の切断刃１８１，１８２の交差角度θは１００度程度とある程度大きく、溶融ガラス流の抵抗力Ｆ_１が小さくなる。このため、溶融ガラス流Ｌ_Ｇの切断の際に一対の切断刃１８１，１８２の刃先において、溶融ガラス流Ｌ_Ｇから受ける力が小さくなる。この結果、切断刃の耐久性を向上させることができる。
そして、特にガラスゴブＧ_Ｇが分離する際、つまり切断終了時の切断刃１８１、１８２の交差角度θは小さくなる。このため、一対の切断刃１８１，１８２からガラスゴブＧ_Ｇに加わる押し出し力Ｆ_２を小さくでき、落下中のガラスゴブＧ_Ｇの回転モーメントを小さくすることができる。したがって、ガラスゴブの落下姿勢の変化を抑制して落下の安定性を向上させることができ、プレスによって得られるガラスブランクの品質（平面度、板厚偏差）を向上させることができる。

変形例１においても、溶融ガラス流Ｌ_ＧからガラスゴブＧ_Ｇが分離する際（切断終了時）の一対の切断刃１８１，１８２の交差角度θが６０度以下であることが好ましく、より好ましくは４０度以下である。また、シアマークの深さを浅くする観点からは、上記の交差角度θは５度以上であることが好ましい。また、ガラスゴブＧ_Ｇの落下安定性向上の観点からは切断終了時の交差角度θは２０度以下であることが好ましく、１０度以下であることがより好ましい。また、溶融ガラス流Ｌ_Ｇを切断する際の溶融ガラス流Ｌ_Ｇから受ける抵抗を小さくし切断刃１８１，１８２の耐久性を向上させる観点から、溶融ガラス流Ｌ_Ｇに接触する際の一対の切断刃１８１，１８２の交差角度θは３０度以上が好ましく、５０度以上がより好ましい。

（変形例２）
図１１は、変形例２の切断刃１９１，１９２を説明する平面図である。図１１に示されるように、切断刃１９１，１９２のそれぞれの刃の先端（刃先）１９１ａ及び１９１ｂ、１９２ａ及び１９２ｂは、切断刃１９１，１９２が移動する方向に対して傾斜した異なる方向に延びる形状を成している。つまり、切断刃１９１の刃先は、刃先の長い主切断部１９１ａと、刃先の短い補助切断部１９１ｂとからなり、これら刃先の主切断部１９１ａと補助切断部１９１ｂとは、切断刃１９１が移動する方向に対してそれぞれ傾斜し且つ異なる方向に延びる形状を成している。また同様に、切断刃１９２の刃先は、刃先の長い主切断部１９２ａと、刃先の短い補助切断部１９２ｂとからなり、これら刃先の主切断部１９２ａと補助切断部１９２ｂとは、切断刃１９２が移動する方向に対してそれぞれ傾斜し且つ異なる方向に延びる形状を成している。切断刃１９１，１９２の刃先は、溶融ガラス流Ｌ_Ｇの中心を通り、切断刃１９１，１９２の移動する方向に直交する平面に対して線対称な形状を成している。
これによって、一対の切断刃１９１，１９２における刃先の各主切断部１９１ａ，１９２ａで溶融ガラスを切断して溶融ガラスを押し出すが、刃先の各補助切断部１９１ｂ，１９２ｂによって押し出しが適度に抑えられ、結果、ガラスゴブＧ_Ｇの落下安定性を向上させることができる。

変形例２においても、一対の切断刃１９１，１９２を、溶融ガラス流Ｌ_Ｇを挟んで互いに接近する方向（図示する矢印方向）に直線的に移動させ、溶融ガラス流Ｌ_Ｇの断面の縁部から接触して溶融ガラス流Ｌ_Ｇの断面の径方向一方向へ、溶融ガラス流Ｌ_Ｇの被切断領域が変化するように切断する。変形例２においては、一対の切断刃１９１．１９２が溶融ガラス流Ｌ_Ｇに接触し始めてから初期の段階では一対の切断刃１９１，１９２の交差角度θはある程度大きく、溶融ガラス流Ｌ_Ｇの抵抗力Ｆ_１が小さくなるため、この部分では切断面が円滑となり、ガラスゴブＧ_Ｇがプレスされた際のシアマークを浅くすることができ、切断面が円滑であるため空気を巻き込み難く泡の発生も抑えることができる。そして、一対の切断刃１９１，１９２における各刃先の主切断部１９１ａ，１９２ａで溶融ガラス流Ｌ_Ｇを切断した後、切断による溶融ガラスの押し出しが、各刃先の補助切断部１９１ｂ，１９２ｂによって適度に抑えられる。このため、一対の切断刃１９１，１９２からガラスゴブＧ_Ｇに加わる押し出し力Ｆ_２を小さくでき、落下中のガラスゴブＧ_Ｇの回転モーメントを小さくすることができる。したがって、ガラスゴブＧ_Ｇの落下姿勢の変化を抑制して落下の安定性を向上させることができる。これにより、プレスによって得られるガラスブランクの品質（平面度、板厚偏差）を向上させることができる。

（変形例３，４）
図１２及び図１３は、さらに別の変形例３及び変形例４の切断刃を示す図である。変形例３，４は、溶融ガラス流Ｌ_Ｇの切断開始時の一対の切断刃の交差角度よりも、切断終了時の一対の切断刃の交差角度が大きくなる切断刃を切断刃１６１，１６２に替えて用いた例である。切断刃２０１，２０２および切断刃２１１，２１２の刃先は、溶融ガラス流Ｌ_Ｇの中心を通り、切断刃２０１，２０２および切断刃２１１，２１２の移動する方向に直交する平面に対して線対称な形状を成している。
すなわち、変形例３である切断刃２０１，２０２のそれぞれの刃の先端（刃先）２０１ａ，２０２ａは、幅方向の一端部から他端部へ向けて、上記一対の切断刃２０１，２０２の交差角度θが大きくなるように、凸状に湾曲した形状を成している。すなわち、一対の切断刃２０１，２０２の刃先形状は、一対の切断刃２０１，２０２が互いに接近する方向に対して凸状に湾曲している。変形例４である切断刃２１１，２１２についても、それぞれの刃の先端（刃先）２１１ａ，２１２ａは、幅方向の一端部から他端部へ向けて、上記一対の切断刃２１１，２１２の交差角度θが大きくなるように、凸状に湾曲した形状を成している。すなわち、一対の切断刃２１１，２１２の刃先形状は、一対の切断刃２１１，２１２が互いに接近する方向に対して凸状に湾曲している。
このような変形例３及び変形例４の切断刃であっても、一対の切断刃２０１，２０２、及び一対の切断刃２１１，２１２を、溶融ガラス流Ｌ_Ｇを挟んで互いに接近する方向に直線的に移動させることにより、溶融ガラス流Ｌ_Ｇを切断するとき、溶融ガラス流Ｌ_Ｇの断面の縁部から、断面の径方向一方向へ、溶融ガラス流Ｌ_Ｇの被切断領域が変化するように切断する。
また、変形例３では、一対の切断刃２０１，２０２が溶融ガラス流Ｌ_Ｇに接触し始めてから初期の段階では、一対の切断刃２０１，２０２の交差角度θは０度に近く、一対の切断刃２０１，２０２から溶融ガラス流Ｌ_Ｇへの押し出し力が小さくなる。このため、落下中のガラスゴブＧ_Ｇの回転モーメントを抑えることができる。そして、特にガラスゴブＧ_Ｇが分離する際、つまり切断終了時では切断刃２０１，２０２の交差角度θは大きくなるため、溶融ガラス流Ｌ_Ｇの抵抗力Ｆ_１が小さくなる。この結果、溶融ガラス流Ｌ_Ｇの切断の際に一対の切断刃２０１，２０２の刃先において、溶融ガラス流Ｌ_Ｇから受ける力が小さくなる。この結果、この部分では切断面が円滑となり、ガラスゴブＧ_Ｇがプレスされた際のシアマークを浅くすることができ、切断面が円滑であるため空気を巻き込み難く泡の発生も抑えることができる。
この変形例３の切断刃の効果は、変形例４の切断刃でも同様に得ることができる。

（変形例５）
図１４は、本実施形態に用いる変形例５の切断刃を示す図である。図１４に示す変形例５の上側の切断刃１６１には、溶融ガラス流Ｌ_Ｇの切断中、溶融ガラス流Ｌ_Ｇの先端部分の横移動及び回転運動を規制するように、ゴブガイド部材１６３が設けられている。ゴブガイド部材１６３は、切断刃１６１の下面から下方向に延びた板状部材である。
上述したように、切断刃１６１，１６２による溶融ガラス流Ｌ_Ｇの切断によって、ガラスゴブＧ_Ｇには、横方向の押し出し力Ｆ_２が作用する他、熔融ガラス流Ｌ_Ｇの断面の縁部の一箇所から徐々に切断して行くので、切断されようとする熔融ガラス流Ｌ_Ｇの先端部分の自重により、回転モーメントＭが作用する。このような横方向の押し出し力Ｆ_２及び回転モーメントＭの作用によってガラスゴブＧ_Ｇは横移動及び回転運動をし易い。このため、本変形例では、ガラスゴブＧ_Ｇの横移動及び回転運動を規制するためにゴブガイド部材１６３が設けられる。したがって、溶融ガラス流Ｌ_Ｇが完全に切断されてガラスゴブＧ_Ｇが形成されるまでの間、切断されてガラスゴブＧ_Ｇになろうとする溶融ガラス流Ｌ_Ｇの先端部分の横移動及び回転運動を規制する程度に、ゴブガイド部材１６３が下方に延びる長さが定められている。

（実施形態の切断刃と従来例の切断刃との違い）
図１５（ａ），（ｂ）は、従来のＶ型刃を用いる溶融ガラス流の切断を示す図である。この切断では、溶融ガラス流Ｌ_Ｇが一対の切断刃３６１，３６２で切断されるとき、切断刃３６１，３６２のＶ型刃により囲まれる隙間が徐々に小さくなる。このとき、切断刃３６１，３６２の４箇所で接触する溶融ガラス流Ｌ_Ｇの外周は、熱が急速に奪われて冷却されて部分的に固化されるため、切断刃３６１，３６２により溶融ガラス流Ｌ_Ｇは容易に破断されやすくなる。しかし、図１５（ａ），（ｂ）に示す形態では、溶融ガラス流Ｌ_Ｇは切断刃３６１，３６２の４箇所で急冷され、しかも、本実施形態のように徐々に切断されるのではなく、溶融ガラス流Ｌ_Ｇの中心部分に集まった溶融ガラスは一気に切断される。このとき、切断刃３６１，３６２で切断されようとする溶融ガラス流Ｌ_Ｇの切断部分（ガラスゴブＧ_Ｇの上部の切断部分）は、本実施形態の場合に比べて切断刃３６１，３６２の同じ位置に長時間接触する。このため、ガラスゴブＧ_Ｇの上部切断面は、本実施形態に比べて強く冷却されて、ガラスの固化領域はガラスゴブＧ_Ｇの内部にまで広がる。しかも、熔融ガラス流Ｌ_Ｇの切断時、熔融ガラス流Ｌ_Ｇが切断刃３６１，３６２と４箇所で接触し、その４箇所からガラスゴブＧ_Ｇの内部に固化領域がよりいっそう広がっている。この結果、図５（ａ）〜（ｄ）に示すような第１の型１２１及び第２の型１２２によるプレスを行うと、成形されるガラスブランクの深い位置にシアマークが生じ易くなる。
これに対して、本実施形態では、図６（ｃ），（ｄ）に示すように、溶融ガラス流Ｌ_Ｇから分離したガラスゴブＧ_Ｇとなる切断部分（ガラスゴブＧ_Ｇの上部の切断部分）Ｇ_Ｓ（図６（ｃ）参照）は、自重により切断刃１６２から離れる。このため、切断部分Ｇ_Ｓは切断刃１６２と接触しないので、切断部分Ｇ_Ｓの熱が切断刃１６２に伝導して、切断部分Ｇ_Ｓの温度が低下することを抑制できる。この点から、本実施形態の溶融ガラス流Ｌ_Ｇの切断方式は、従来に比べてシアマークの発生する深さを浅くすることができる。シアマークの発生する深さを浅くすることは、以後の工程で行う、研削、研磨の取り代を少なくするので、磁気ディスク用ガラス基板を効率よく作製することができる。

さらに、本実施形態では、一対の切断刃１６１，１６２のそれぞれの刃の先端は直線状に傾斜して延びており、溶融ガラス流Ｌ_Ｇを切断するとき、切断刃１６１，１６２同士の交差角度は一定に維持される。このため、溶融ガラス流Ｌ_Ｇを切断するタイミングが変動しても、切断刃１６１，１６２同士の交差角度は一定なので、切断される溶融ガラス流Ｌ_Ｇの部分が切断刃１６２から受ける横方向の力は常に一定であり、ガラスゴブＧ_Ｇの横方向の速度成分も一定である。このため、ガラスゴブＧ_Ｇの落下方向も常に一定であり、また、落下のガラスゴブＧ_Ｇの回転の態様も一定である。したがって、プレス成形を行う第１の型１２１及び第２の型１２２において一定した捕獲位置でガラスゴブＧ_Ｇを捕獲しプレス成形することができる。ガラスゴブＧ_Ｇの捕獲位置が、ガラスゴブＧ_Ｇの落下方向の安定性欠如により、ガラスゴブＧ_Ｇ毎に異なる場合、直前に捕獲したガラスゴブＧ_Ｇの捕獲位置と位置ずれを起こす場合が多い。このため、直前のガラスゴブＧ_Ｇの捕獲によりガラスゴブＧ_Ｇから熱が移動し、その結果として第１の型１２１及び第２の型１２２に残存する温度分布の影響を受けて、ガラスブランクの平面度のばらつきを大きくし、さらに板厚偏差のばらつきを大きくする。
第１の型１２１及び第２の型１２２に温度分布が残存すると、プレス成形を受けるガラスゴブＧ_Ｇあるいは第１の型１２１及び第２の型１２２の間で成形されるガラスブランクＧの温度は不均一になり易く、不均一な温度分布を持つことになる。この結果、ガラスブランクの平面度のばらつきを大きくし、板厚偏差のばらつきを大きくする。この点から、ゴブガラスＧ_Ｇの落下方向を一定させるために、切断刃１６１，１６２同士の交差角度θが一定に維持されることが好ましい。

また、溶融ガラス流Ｌ_Ｇの切断中、切断されてガラスゴブＧ_Ｇになろうとする溶融ガラス流Ｌ_Ｇの部分の横移動及び回転運動を規制することが、ガラスゴブＧ_Ｇの落下方向を安定させて第１の型１２１及び第２の型１２２上の同じ捕獲位置でガラスゴブＧ_Ｇを捕獲させる点で好ましい。第１の型１２１及び第２の型１２２上の同じ捕獲位置でガラスゴブＧ_Ｇを捕獲させることは、上述したように、ガラスブランクの平面度のばらつきを小さくし、板厚偏差のばらつきを小さくする点で好ましい。
一対の切断刃１６１，１６２は、例えば、溶融ガラス流Ｌ_Ｇの上流側に位置する切断刃１６１と下流側に位置する切断刃１６２を有し、下流側に位置する切断刃１６１に、ガラスゴブＧ_Ｇの横移動及び回転運動を規制するゴブガイド部材１６３が設けられる。ゴブガイド部材１６３を切断刃１６１に設けることで、ガラスゴブＧ_Ｇの横移動及び回転運動を容易に規制することができる。

このような溶融ガラス流Ｌ_Ｇの切断及びガラスゴブのプレス成形により、ガラスブランクＧの板厚偏差（最大板厚と最小板厚の差）を６μｍ以下にし、ガラスブランクＧの平面度を４μｍ以下にし、ガラスブランクＧに形成されるシアマークの深さ方向の位置を５〜２０μｍにすることができる。
すなわち、ガラスブランクＧの主表面は、機械加工が施されていないプレス成形面となっている。このため、図３に示す固定砥粒による研削、第１研磨、第２研磨の取り代を抑えることができ、磁気ディスク用ガラス基板の作製効率を上げることができる。

（実験例）
本実施形態の方法で上述のガラスブランクＧを作製できるが、本実施形態以外の方法でガラスブランクＧの作製が困難である点を実施例、従来例を用いて確認した。
使用したガラスは、以下の組成（モル％表示）を有するアルミノシリケートガラスである。具体的には、酸化物基準に換算し、
・ＳｉＯ_２：５０〜７５％、
・Ａｌ_２Ｏ_３を１〜１５％、
・Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ及びＫ_２Ｏから選択される少なくとも１種の成分を合計で５〜３５％、
・ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ及びＺｎＯから選択される少なくとも１種の成分を合計で０〜２０％、
・ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５及びＨｆＯ_２から選択される少なくとも１種の成分を合計で０〜１０％、
を有する組成を満足するアモルファスのアルミノシリケートガラスを使用した。

溶融ガラス流Ｌ_Ｇを溶融ガラス流出口１１１から流出させて、各種切断刃（温度は室温）を用いてプレス成形を行った。プレス成形として、図５（ａ）〜（ｄ）に示す第１の型１２１及び第２の型１２２を用いて落下中のガラスゴブＧ_Ｇを挟んでプレス成形する方式の代表例であり、第１の型１２１及び第２の型１２２を水平に移動させる水平プレス方式と、図１６に示す型２２１，２２３を用いる従来の垂直プレス方式とを用いた。垂直プレス方式は、溶融ガラス流Ｌ_Ｇを切断して得られるガラスゴブＧ_Ｇを第１の型２２１で受けた後ガラスゴブＧ_Ｇを、第２の型２２２を用いて上方向からプレスする方式である。
垂直プレス方式は、下側の第１の型２２１にガラスゴブＧ_Ｇが載せられた後、上側の第２の型２２２がガラスゴブＧ_Ｇを覆い、プレス成形をするので、ガラスゴブＧ_Ｇの第１の型２２１と接触する部分は低温度になり、ガラスゴブＧ_Ｇは、ガラスゴブＧ_Ｇ内で不均一な温度分布を生じ易い。また、下側の第１の型２２１も、ガラスゴブＧ_Ｇから熱を受けて、第２の型２２２に比べて温度が高く、第１の型２２１と第２の型２２２との間で温度に差が生じやすい。この温度分布や温度分布の差は、ガラスブランクＧの平面度及び板厚偏差に悪影響を与え易い。
切断刃はいずれも常温（４０℃程度）にし、プレス成形に用いる一対の型は、互いに同じ温度になるようにした。

下記表１は、実施例１、比較例１〜４の仕様（切断刃の形態及びプレス成形方式）とその結果を示している。作製された実施例１、比較例１〜４のガラスブランクＧを１０枚ずつ取り出して、板厚偏差（最大板厚−最小板厚）、シアマークの深さ（μｍ）、及び平面度（μｍ）を調べた。
板厚偏差については、１つのガラスブランクＧについて複数の点（８点）を用いてマイクロメータを用いて計測し、そのときの最大板厚と最小板厚の差分を求め、その平均を板厚偏差として算出した。平面度（μｍ）については、Ｎｉｄｅｋ社製フラットネステスターＦＴ−９００を用いてガラスブランクＧを１０枚取り出して測定した。
又、シアマークの深さは、ガラスブランクを研削することによってシアマークが消滅するまで行い、シアマークが消滅するときの研削量（取り代）から求めた。

上記表１の実施例及び比較例１〜３は、同じ切断刃の形態及び同じプレス成形方式を用いて作製した１０枚のガラスブランクＧのうち１枚のガラスブランクＧの結果である。実施例のガラスブランクＧのみが、板厚偏差（最大板厚と最小板厚の差）が６μｍ以下であり、ガラスブランクＧの平面度が４μｍ以下であり、シアマークの深さが５〜２０μｍであった。また、表１の実施例と同じ仕様により作製された９枚のガラスブランクＧと実施例のガラスブランクＧとを合わせた１０枚のガラスブランクＧにおける板厚偏差の最大値は５μｍであり、最小値は３．５μｍであった。また、上記１０枚のガラスブランクＧのシアマークの深さの最大値は２０μｍであり、最小値は５μｍであった。さらに、上記１０枚のガラスブランクＧの平面度の最大値は４μｍであり、最小値は３μｍであった。
また、実施例のガラスブランクＧの最大径と最小径の差は０．１〜５ｍｍであり、主表面の粗さは、０．０１μｍ〜１０μｍであった。

比較例１では、図１５（ａ），（ｂ）に示す切断刃３６１，３６２を用いたので、切断刃３６１，３６２で切断されようとする溶融ガラス流Ｌ_Ｇの切断部分は、本実施形態の場合に比べて切断刃３６１，３６２に長時間接触する。このため、ガラスゴブＧ_Ｇの切断部分は、実施例に比べて冷却される。この結果、ガラスブランクＧには深い位置にシアマークが形成された。
一方、比較例２では、図１６に示す垂直方式のプレス成形を行ったので、平面度が大きく（悪く）、板厚偏差が大きかった。
比較例３では、図１５（ａ），（ｂ）に示す切断刃３６１，３６２を用い、図１６に示す垂直方式のプレス成形を行ったので、ガラスブランクＧの平面度は大きく（悪く）、板厚偏差は大きく、さらに、深い位置にシアマークが形成された。
以上の結果より、図６（ａ）〜（ｄ）に示す切断刃の形態と、落下中のガラスゴブＧ_Ｇを第１の型１２１及び第２の型１２２で挟んでプレス成形する方式の代表例である水平方式のプレス成形を用いて作製されるガラスブランクＧは、板厚偏差（最大板厚と最小板厚の差）が６μｍ以下であり、かつガラスブランクＧの平面度が４μｍ以下であり、かつシアマークの深さが５〜２０μｍである条件を満足する、ことがわかった。比較例１〜３の仕様（切断刃の形態及びプレス成形方式）と同じ仕様により作製した９枚のガラスブランクＧについても測定したが、板厚偏差が６μｍ以下であり、かつ平面度が４μｍ以下であり、かつシアマークの深さが５〜２０μｍである条件をいずれのガラスブランクＧも満足しなかった。
さらに、表１には示されない比較例４についても検討に加えた。比較例４では、図９（ａ），（ｂ）に示す切断刃２６１，２６２を用い、水平方式のプレス成形を用いた。比較例４では、図９（ａ），（ｂ）に示す切断刃２６１，２６２を用いたので、押し出し力Ｆ_２によりガラスゴブＧ_Ｇの落下方向が安定せず、第１の型１２１及び第２の型１２２で捕獲するガラスゴブＧ_Ｇの捕獲位置が変動した。具体的に、１０００回の落下実験を行ったところ、落下するガラスゴブＧ_Ｇのうち約３０％しか、目標とする位置の許容範囲内で捕獲できなかった（捕獲率３０％）。これに対して、実施例では、１０００回の落下実験に対して、落下するガラスゴブＧ_Ｇのうち９８％が、目標とする位置の許容範囲内で捕獲できた（捕獲率９８％）。これより、比較例４におけるプレス成形中のガラスブランクＧの温度は不均一であるといえる。このため、比較例４におけるガラスブランクの板厚偏差に大きなバラツキが生じることは明らかである。
なお、実施例に対して、図１４に示すようなゴブガイド部材１６３を追加して、同様の落下実験を行ったところ、１０００回の落下実験に対して、落下するガラスゴブＧ_Ｇの全てが目標とする位置の許容範囲内で捕獲できた（捕獲率１００％）。

以上のように、ガラスブランクＧの最大板厚と最小板厚の差が６μｍ以下であり、ガラスブランクＧの平面度が４μｍ以下であり、ガラスブランクＧに形成されるシアマークの深さが５〜２０μｍであるガラスブランクＧは、図６（ａ）〜（ｄ）に示す切断刃を用いて溶融ガラス流Ｌ_Ｇを切断し、水平方式のように落下中のガラスゴブＧ_Ｇを第１の型１２１及び第２の型１２２のプレス面で挟んでプレス成形を行うことによってのみ実現されることが確認できた。
また、図６（ａ）〜（ｄ）に示すように、溶融ガラス流Ｌ_Ｇを切断するとき、一対の切断刃１６１，１６２を、溶融ガラス流Ｌ_Ｇを挟んで互いに接近する方向に直線的に移動させて、溶融ガラス流Ｌ_Ｇの断面の縁部の一箇所から徐々に切断して行くことにより、シアマークが形成されるガラスブランクＧ内の位置を浅くすることができることがわかった。このため、以後で行われる研削、研磨の取り代を小さくでき、この結果、効率よく磁気ディスク用ガラス基板を作製することができる。

以上、本発明の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、及び磁気ディスク用ガラスブランクについて詳細に説明したが、本発明は上記実施形態及び実施例に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。

１ 磁気ディスク
２ ガラス基板
３Ａ，３Ｂ 磁性層
４Ａ，４Ｂ 磁気ヘッド
５ 外周エッジ部
１０１ 装置
１１１ 溶融ガラス流出口
１２０、１３０、１４０，１５０ プレスユニット
１２１，２２１ 第１の型
１２１ａ プレス面
１２１ｂ，１２２ｂ スペーサ
１２２，２２２ 第２の型
１２２ａ プレス面
１２５第１駆動部
１２６ 第２駆動部
１６０ 切断ユニット
１６１，１６２ 切断刃
１６３ ゴブガイド部材
１７１，１７２，１７３，１７４ コンベア

Claims (14)

1. 磁気ディスク用ガラス基板に用いられる一対の主表面を有する磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法であって、
   互いに対向配置された一対の切断刃を前記溶融ガラス流の流れ方向で互いに交差させることにより溶融ガラス流を切断し、該切断によって得られるガラスゴブを落下させる工程と、
   落下中の前記ガラスゴブを一対のプレス面で挟んでプレス成形をすることによりガラスブランクを成形する工程と、を含み、
   前記溶融ガラス流を切断するとき、前記一対の切断刃を、前記溶融ガラス流を挟んで互いに接近する方向に直線的に移動させ、溶融ガラス流の断面の縁部から、断面の径方向一方向へ、溶融ガラス流の被切断領域が変化するように切断する、ことを特徴とする磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
2. 前記一対の切断刃は、前記切断刃の移動方向に対して直線状に傾斜して延びており、前記溶融ガラス流を切断するとき、前記切断刃同士の交差角度は一定に維持されている、請求項１に記載の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
3. 前記交差角度は５度〜６０度の範囲内の一定の角度である、請求項２に記載の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
4. 前記一対の切断刃の刃先形状は、前記一対の切断刃が互いに接近する方向に対して凹状に湾曲している、請求項１に記載の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
5. 前記熔融ガラス流の切断終了時における前記一対の切断刃の切断刃同士の交差角度は、前記熔融ガラス流の切断開始時における前記一対の切断刃の切断刃同士の交差角度に比べて小さくなるような刃先形状を、前記一対の切断刃は有する、請求項１または４に記載の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
6. 前記一対の切断刃の刃先形状は、前記一対の切断刃が互いに接近する方向に対して凸状に湾曲している、請求項１に記載の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
7. 前記溶融ガラス流の切断中、切断されることで前記ガラスゴブとなる、前記溶融ガラス流の先端部分の横移動及び回転運動を規制する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
8. 前記一対の切断刃は、前記溶融ガラス流の上流側に位置する上切断刃と下流側に位置する下切断刃を有し、前記上切断刃に、前記横移動及び前記回転運動を規制するゴブガイド部材が設けられている、請求項７に記載の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
9. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法で作製された前記ガラスブランクを機械加工する工程を含み、
   前記機械加工をする工程は、前記ガラスブランクの主表面の研削工程と、研削後の前記ガラスブランクの主表面を、遊離砥粒を用いて研磨する研磨工程を含む、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
10. 磁気ディスク用ガラス基板に用いられる磁気ディスク用ガラスブランクであって、
    前記ガラスブランクの最大板厚と最小板厚の差が６μｍ以下であり、
    前記ガラスブランクの平面度が４μｍ以下であり、
    前記ガラスブランクに形成されるシアマークの深さが５〜２０μｍである、ことを特徴とする磁気ディスク用ガラスブランク。
11. 前記ガラスブランクの主表面は、機械加工が施されていないプレス成形面である、請求項１０に記載の磁気ディスク用ガラスブランク。
12. 前記ガラスブランクの最大径と最小径の差は０．１〜５ｍｍである、請求項１０または１１に記載の磁気ディスク用ガラスブランク。
13. 前記ガラスブランクの主表面の算術平均粗さＲａは、０．０１μｍ〜１０μｍである、請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の磁気ディスク用ガラスブランク。
14. 前記ガラスブランクの主表面の端面は、自由曲面である、請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の磁気ディスク用ガラスブランク。

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