JP2014024742A - 磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ガラスブランクの平面度を向上しつつ、磁気ディスク用ガラス基板の作製効率を高める。
【解決手段】磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法は、溶融ガラス流を切断し、該切断によって得られるガラスゴブを落下させる切断工程と、落下中の前記ガラスゴブを一対のプレス面で挟んでプレス成形をすることによりガラスブランクを成形するプレス工程と、を含む。前記プレス工程では、落下中の前記ガラスゴブに対するプレス成形を開始する前記プレス面におけるプレス開始位置を、前記落下方向において一定にするために、前記落下方向における前記プレス面の位置の調整が行われる、あるいは前記プレス成形の開始のタイミングの調整が行われる。
【選択図】 図５

Description

本発明は、一対の主表面を有する磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法に関する。

今日、パーソナルコンピュータ、ノート型パーソナルコンピュータ、あるいはＤＶＤ（Digital Versatile Disc）記録装置等には、データ記録のためにハードディスク装置が内蔵されている。特に、ノート型パーソナルコンピュータ等の可搬性を前提とした機器に用いられるハードディスク装置では、ガラス基板に磁性層が設けられた磁気ディスクが用いられ、磁気ディスクの面上を僅かに浮上させた磁気ヘッド（ＤＦＨ（Dynamic Flying Height）ヘッド）で磁性層に磁気記録情報が記録され、あるいは読み取られる。この磁気ディスクの基板には、金属基板等に比べて塑性変形をしにくい性質を持つことから、ガラス基板が好適に用いられている。

また、ハードディスク装置における記憶容量の増大の要請を受けて、磁気記録の高密度化が図られている。例えば、磁性層における磁化方向を基板の面に対して垂直方向にする垂直磁気記録方式を用いて、磁気記録情報エリアの微細化が行われている。これにより、１枚のディスク基板における記憶容量を増大させることができる。しかも、記憶容量の一層の増大化のために、磁気ヘッドの磁気記録面からの浮上距離を極めて短くして磁気記録情報エリアを微細化することも行われている。このような磁気ディスクの基板においては、磁性層の磁化方向が基板面に対して略垂直方向に向くように、磁性層が平らに形成される。このために、ガラス基板の表面凹凸は可能な限り小さく作製されている。

ところで、磁気ディスクに用いるガラス基板の製造方法として、例えば、以下の方法が知られている（特許文献１）。具体的には、溶融ガラス流を所定のタイミングで、切断刃で切断することによって、溶融ガラス流から溶融ガラスの塊を切り出してこの塊（ガラスゴブ）を下方に落下させる。この落下中の溶融ガラスの塊を、互いに対向する面が凹凸の無い平面であるプレス面となっている一対の型を有するプレスユニットによって、プレス面のみに接触するようにプレス面間で挟み込んでプレスする。これにより、ガラスブランクがつくられる。このガラス基板の製造方法では、落下中のガラスゴブは比較的一定の温度のプレス面でプレスされるので、得られるガラスブランクの主表面の平面度は比較的高い。

特開２０１１−２０７７３８号公報

上述したガラス基板の製造方法では、溶融ガラス流を断続的に切断して得られるガラスゴブを順次自由落下させ、自由落下中のガラスゴブを一対のプレス面で挟み込み、プレス面でプレス成形を行う。このとき、溶融ガラス流の切断によってガラスゴブが落下を開始するタイミングは、溶融ガラス流を切断する切断刃の形状、切断刃の摩耗状態、切断刃の温度、あるいは溶融ガラス流の温度あるいは粘度の微小変動等によって変動し易い。すなわち、ガラスゴブが落下を開始するタイミングは変動し易い。また、切断刃の形状によっては、落下方向と直交する水平方向に速度成分を持ってガラスゴブは落下中水平方向に横移動する場合もある。この場合の上記速度成分についても、切断刃の形状、切断刃の摩耗状態、切断刃の温度、あるいは溶融ガラス流の温度あるいは粘度の微小変動等によって変動し易い。すなわち、ガラスゴブの落下軌道は変動し易い。

このようなガラスゴブが落下を開始するタイミングや落下軌道に変動がある場合、落下中のガラスゴブに対してプレスすることにより得られるガラスブランクの表面凹凸、例えばガラスブランクの平面度にバラツキが生じ易い。

具体的には、プレス成形面によるプレス成形時、ガラスゴブと最初に接触するプレス面の部分がガラスゴブからプレス面への熱伝導の起点となる。この熱伝導によって形成されるプレス面における温度分布は、次に行うプレス成形時まで残留する。このため、上記ガラスゴブと最初に接触するプレス面の部分がガラスゴブのプレス成形のたびに異なると、上記プレス面の温度分布の影響を受けて、作製されるガラスブランクの平面度は大きくなり、また１つのガラスブランク内で平面度がばらつき易い（１個体内で平面度がばらつき易い）。
また、上記ガラスゴブと最初に接触するプレス面の部分がガラスゴブのプレス成形のたびに異なると、上記温度分布もプレス成形のたびに変動する。この温度分布の変動は、順次作製されるガラスブランク間の平面度のばらつき（個体間の平面度のばらつき）にも影響を与え易い。
さらに、上記ガラスゴブと最初に接触するプレス面の部分がガラスゴブのプレス成形のたびに異なり、特にプレス面の外周の一部の領域に偏っている場合には、プレス圧力がプレス面における塊との接触領域に集中しやすくなる。この結果、プレス面に微小な傾きが生じるため、ガラスブランクの板厚の面内のばらつき（ガラスブランクの板厚の最大値と最小値の差）が大きくなるという問題もある。
このような平面度や板厚のばらつきは、磁気ディスク用ガラス基板を作製するための主表面の研削及び研磨によって解消することはできるが、上記研削及び研磨における加工量（取り代）を大きくすることになる。このため、研削及び研磨の時間が長くなり、効率よく磁気ディスク用ガラス基板を作製することはできない。

そこで、本発明は、従来に比べて、ガラスブランクの品質（平面度、及び平面度や板厚のばらつき）を向上しつつ、磁気ディスク用ガラス基板の作製効率を高めることができる磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様は、磁気ディスク用ガラス基板に用いられる一対の主表面を有する磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法である。当該製造方法は、
溶融ガラス流を切断し、該切断によって得られるガラスゴブを落下させる切断工程と、
落下中の前記ガラスゴブを一対のプレス面で挟んでプレス成形をすることによりガラスブランクを成形するプレス工程と、を含む。
このとき、前記プレス工程では、落下中の前記ガラスゴブに対するプレス成形を開始する前記プレス面におけるプレス開始位置を、前記落下方向において一定にするために、前記落下方向における前記プレス面の位置の調整が行われる、あるいは前記プレス成形の開始のタイミングの調整が行われる。

その際、前記プレス工程は、ガラスゴブが落下するたびに断続的に行われ、前記調整は前記プレス工程が行われるたびに、定められた領域を前記ガラスゴブが通るタイミングに応じて行われることが好ましい。

前記タイミングの情報は、例えば、前記ガラスゴブが前記領域を通ることを検出する検出手段の検出情報である。

さらに、前記調整では、前記プレス面におけるプレス開始位置を水平方向において一定にするために、前記水平方向における前記プレス面の位置が調整されることが好ましい。

その際、前記プレス工程は、ガラスゴブが落下するたびに断続的に行われ、前記調整は前記プレス工程が行われるたびに行われ、前記調整は、予め定められた領域内を前記ガラスゴブが通るときの前記ガラスゴブの位置を特定することにより行われることが好ましい。

前記ガラスゴブの位置の情報は、例えば、前記領域内における前記ガラスゴブの位置を特定する検出手段の検出情報である。

また、前記調整は、以下の３つの形態（Ａ）〜（Ｂ）が挙げられる。
（Ａ）１つの形態では、前記領域は、格子状にレーザ光を照射した領域であり、前記検出手段は、前記領域を前記ガラスゴブが通るとき、前記レーザ光の遮断の有無によりレーザ光の受光あるいは非受光を検出する受光センサを含む。

（Ｂ）他の形態では、前記検出手段は、前記領域内を前記ガラスゴブが通る像を撮像する撮像装置を含む。

（Ｃ）さらに他の形態では、前記検出手段は、前記ガラスゴブが前記プレス面のどの位置を通るかを検出するために前記プレス面に埋め込まれた複数の温度センサを含み、前記温度センサは、前記プレス面によるプレス成形時の温度情報を検出する。

さらに、本発明の他の一態様は、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法である。当該製造方法は、前記磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法で作製された前記ガラスブランクを機械加工する工程を含み、
前記機械加工をする工程は、前記ガラスブランクの主表面の研削工程と、研削後の前記ガラスブランクの主表面を、遊離砥粒を用いて研磨する研磨工程を含む。

上述の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によれば、ガラスブランクの品質（平面度、及び平面度や板厚のばらつき）を向上しつつ、磁気ディスク用ガラス基板の作製効率を高めることができる。

（ａ）は、磁気ディスク用ガラス基板を用いて作製される磁気ディスクの一例を示す概略構成図であり、（ｂ）は、磁気ディスクの断面図であり、（ｃ）は、磁気ヘッドが磁気ディスクの表面を浮上する状態を示す図である。 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の一実施形態のフローを示す図である。 実施形態のプレス成形において用いられる装置の平面図である。 実施形態のプレス成形工程を示す図である。 実施形態におけるプレス面の調整システムを説明する図である。 （ａ），（ｂ）は、図５に示す調整システムとは異なる形態の調整システムを説明する図である。

以下、本発明の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について詳細に説明する。

（磁気ディスクおよび磁気ディスク用ガラス基板）
まず、図１を参照して、磁気ディスク用ガラス基板を用いて作製される磁気ディスクについて説明する。図１（ａ）は、磁気ディスク用ガラス基板を用いて作製される磁気ディスクの一例を示す概略構成図である。図１（ｂ）は、磁気ディスクの概略断面図である。図１（ｃ）は、磁気ヘッドが磁気ディスクの表面を浮上する状態を示す図である。

図１（ａ）に示されるように、磁気ディスク１はリング状であり、回転軸を中心として回転する。図１（ｂ）に示されるように、磁気ディスク１は、ガラス基板２と、少なくとも磁性層３Ａ，３Ｂと、を備える。
なお、磁性層３Ａ，３Ｂ以外には、例えば、図示されない付着層、軟磁性層、非磁性下地層、垂直磁気記録層、保護層および潤滑層等が成膜される。付着層には、例えばＣｒ合金等が用いられる。付着層は、ガラス基板２との接着層として機能する。軟磁性層には、例えばＣｏＴａＺｒ合金等が用いられる。非磁性下地層には、例えばグラニュラー非磁性層等が用いられる。垂直磁気記録層には、例えばグラニュラー磁性層等が用いられる。保護層には、水素カーボンからなる材料が用いられる。潤滑層には、例えばフッ素系樹脂等が用いられる。

磁気ディスク１について、より具体的な例を用いて説明する。本実施形態では、インライン型スパッタリング装置を用いて、ガラス基板２の両主表面に、ＣｒＴｉの付着層、ＣｏＴａＺｒ／Ｒｕ／ＣｏＴａＺｒの軟磁性層、ＣｏＣｒＳｉＯ_２の非磁性グラニュラー下地層、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ_２・ＴｉＯ_２のグラニュラー磁性層、水素化カーボン保護膜を順次成膜される。さらに、成膜された最上層にディップ法によりパーフルオロポリエーテル潤滑層が成膜される。

磁気ディスク１は、例えば７２００ｒｐｍの回転速度で回転軸を中心として回転する。図１（ｃ）に示されるように、ハードディスク装置の磁気ヘッド４Ａ，４Ｂのそれぞれは、磁気ディスク１の高速回転に伴って、磁気ディスク１の表面から距離Ｈだけ浮上する。磁気ヘッド４Ａ，４Ｂが浮上する距離Ｈは、例えば、５ｎｍである。この状態で、磁気ヘッド４Ａ，４Ｂは、磁性層に情報を記録し、あるいは読み出しを行う。この磁気ヘッド４Ａ，４Ｂの浮上によって、磁気ディスク１に対して摺動することなく、しかも近距離で磁性層に対して記録あるいは読み出しを行うことにより、磁気記録情報エリアの微細化と磁気記録の高密度化を実現する。

このような磁気ディスク１に用いられるガラス基板２の主表面の表面凹凸は、平面度が例えば４μｍ以下であり、主表面の粗さが例えば０．２ｎｍ以下である。平面度が４μｍ以下は、最終製品としての磁気ディスク用基板に求められる目標平面度である。

平面度は、例えば、Ｎｉｄｅｋ社製フラットネステスターＦＴ−９００を用いて測定することができる。
主表面の粗さ（Ｒａ）は、例えば、エスアイアイナノテクノロジーズ社製走査型プローブ顕微鏡（原子間力顕微鏡）で計測し、ＪＩＳ Ｒ１６８３：２００７で規定される方法で算出できる。

ここで、表面凹凸は、表面凹凸の波長によって、うねり（波長０．６μｍ〜１３０ｍｍ程度）、ウェービネス（波長０．２μｍ〜２ｍｍ程度）、マイクロウェービネス（波長０．１μｍ〜１ｍｍ）、粗さ（波長１０ｎｍ以下）に分けられる。
この中で、うねりは上記平面度を指標として表すことができ、粗さは上記算術平均粗さＲａを指標として表すことができる。
このようなガラス基板は、円板状のガラスブランクの主表面を研削、研磨することにより作製され得る。このようなガラスブランクは、後述する磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法によって達成され得る。

本実施形態における磁気ディスク用ガラス基板の材料として、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラスなどを用いることができる。特に、化学強化を施すことができ、また主表面の平面度及び基板の強度において優れた磁気ディスク用ガラス基板を作製することができるという点で、アルミノシリケートガラスを好適に用いることができる。

本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の組成を限定するものではないが、アルミノシリケートガラスとして、酸化物基準に換算した際に、モル％表示で、ＳｉＯ_２を５０〜７５％、Ａｌ_２Ｏ_３を１〜１５％、Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ及びＫ_２Ｏから選択される少なくとも１種の成分を合計で１２〜３５％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ及びＺｎＯから選択される少なくとも１種の成分を合計で０〜２０％、及び、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５及びＨｆＯ_２から選択される少なくとも１種の成分を合計で０〜１０％、有する組成からなるアルミノシリケートガラスを用いることが好ましい。

（磁気ディスク用ガラスブランク、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法）
次に、図２を参照して、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法のフローを説明する。図２は、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の一実施形態のフローを示す図である。
図２に示すように、先ず、一対の主表面を有する板状のガラスブランクをプレス成形により作製する（ステップＳ１０）。次に、作製されたガラスブランクをスクライブして、円環状のガラス基板を作製する（ステップＳ２０）。次に、スクライブされたガラス基板に対して形状加工（チャンファリング加工）を行う（ステップＳ３０）。次に、ガラス基板に対して固定砥粒による研削を施す（ステップＳ４０）。次に、ガラス基板の端面研磨を行う（ステップＳ５０）。次に、ガラス基板の主表面に第１研磨を施す（ステップＳ６０）。次に、第１研磨後のガラス基板に対して化学強化を施す（ステップＳ７０）。次に、化学強化されたガラス基板に対して第２研磨を施す（ステップＳ８０）。以上の工程を経て、磁気ディスク用ガラス基板が得られる。一対の主表面を有する磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法は、ステップＳ１０のプレス成形によるガラスブランクの作製において行われる。
以下、各工程について、詳細に説明する。

（ａ）プレス成形工程（ステップＳ１０）
先ず、図３を参照して、プレス成形工程について説明する。プレス成形工程は、切断工程とプレス工程とを含む。図３は、プレス成形工程において用いられる装置の平面図である。図４（ａ）〜（ｄ）は、実施形態のプレス成形工程を具体的に示す図である。
図３に示されるように、装置１０１は、４組のプレスユニット１２０，１３０，１４０，１５０と、切断ユニット１６０と、を備える。切断ユニット１６０は、溶融ガラス流出口（供給部）１１１から流出する（供給される）溶融ガラスの経路上に設けられる。切断工程では、切断ユニット１６０によって溶融ガラス流が切断されることにより、溶融ガラスの塊であるガラスゴブが下方に落下する。

具体的には、切断ユニット１６０は、プレスユニット１２０，１３０，１４０，１５０のキャッチ位置と溶融ガラス流出口１１１との間の溶融ガラスの経路上に設けられる。切断ユニット１６０は、溶融ガラス流出口１１１から流出される溶融ガラス流を適量に切り出してガラスゴブＧ_Ｇを形成する。切断ユニット１６０は、鉛直方向（溶融ガラス流の流下方向）に互いにずらして配置され、且つ、水平方向で互いに対向配置された一対の切断刃１６１，１６２（上側切断刃及び下側切断刃）を有する。各切断刃１６１，１６２は、協働して溶融ガラス流を切断する。具体的には、各切断刃１６１，１６２は、一定のタイミングで溶融ガラス流の経路上で刃先が交差するよう駆動され、各切断刃１６１，１６２が交差した位置で溶融ガラス流が切り出されてガラスゴブＧ_Ｇが得られる。

プレス工程では、プレスユニット１２０，１３０，１４０，１５０は、落下中のガラスゴブを落下中のガラスゴブの両側から、互いに対向配置された一対の型のプレス面でガラスゴブを空中のキャッチ位置で挟み込みプレス成形することにより、ガラスブランクが成形される。
図３に示される例では、４組のプレスユニット１２０，１３０，１４０，１５０は、溶融ガラス流出口１１１を中心として周上に９０度おきに配置されている。

プレスユニット１２０，１３０，１４０及び１５０の各々は、後述する移動機構１２７によって駆動されて、溶融ガラス流出口１１１に対して進退可能となっている。すなわち、溶融ガラス流出口１１１の下方に位置するキャッチ位置（図３においてプレスユニット１４０が実線で描画されている位置）と、溶融ガラス流出口１１１から離れた退避位置（図３において、プレスユニット１２０，１３０及び１５０が実線で描画されている位置、及びプレスユニット１４０が破線で描画されている位置）との間で移動可能となっている。

以下、プレスユニット１２０，１３０，１４０及び１５０を代表して、プレスユニット１２０を用いて説明する。
図３に示すプレスユニット１２０は、第１の型１２１と、第２の型１２２と、第１駆動部１２５と、第２駆動部１２６と、を有する。
第１の型１２１と第２の型１２２の各々は、ガラスゴブＧ_Ｇ（図４（ｂ），（ｃ）参照）をプレス成形するための面を有するプレート状の部材である。この２つの面の法線方向が略水平方向となり、この２つの面が互いに平行に対向するよう配置されている。

第１駆動部１２５は、第１の型１２１を第２の型１２２に対して進退させる。一方、第２駆動部１２６は、第２の型１２２を第１の型１２１に対して進退させる。第１駆動部１２５及び第２駆動部１２６は、第１の型１２１の面と第２の型１２２の面とを急速に近接させる機構を有する。第１駆動部１２５及び第２駆動部１２６は、例えば、エアシリンダやソレノイドとコイルばねを組み合わせた機構である。
なお、プレスユニット１３０，１４０及び１５０の構造は、プレスユニット１２０と同様であるため、説明は省略する。

プレスユニットの各々は、キャッチ位置に移動した後、第１駆動部と第２駆動部の駆動により、落下するガラスゴブＧ_Ｇを第１の型と第２の型の問で挟み込んで所定の厚さに成形すると共に冷却し、円形状のガラスブランクＧを作製する。作製したガラスブランクＧは、コンベア１７１，１７２，１７３，１７４に落下して、コンベア１７１，１７２，１７３，１７４により、後工程に搬送される。プレス成形工程の詳細な説明は後述する。

（ｂ）スクライブ工程（ステップＳ２０）
次に、スクライブ工程について説明する。プレス成形工程の後、スクライブ工程では、成形されたガラスブランクＧに対してスクライブが行われる。
ここでスクライブとは、成形されたガラスブランクＧを所定のサイズのリング形状とするために、ガラスブランクＧの表面に超鋼合金製あるいはダイヤモンド粒子を含んだスクライバにより２つの同心円（内側同心円および外側同心円）状の切断線（線状のキズ）を設けることをいう。２つの同心円の形状にスクライブされたガラスブランクＧは、部分的に加熱され、ガラスブランクＧの熱膨張の差異により、外側同心円の外側部分および内側同心円の内側部分が除去される。これにより、円環状のガラス基板が得られる。
なお、ガラスブランクＧに対してコアドリル等を用いて円孔を形成することにより円環状のガラス基板を得ることもできる。

（ｃ）形状加工工程（ステップＳ３０）
次に、形状加工工程について説明する。形状加工工程では、スクライブ工程後のガラス基板の端部に対するチャンファリング加工（外周端部および内周端部の面取り加工）を含む。チャンファリング加工は、スクライブ工程後のガラス基板の外周端部および内周端部において、ダイヤモンド砥石により面取りを施す形状加工である。面取り角度は、主表面に対して例えば４０〜５０度である。

（ｄ）固定砥粒による研削工程（ステップＳ４０）
固定砥粒による研削工程では、遊星歯車機構を備えた両面研削装置を用いて、形状加工工程後のガラス基板の主表面に対して研削加工（機械加工）を行う。研削による取り代は、例えば数μｍ〜１００μｍ程度である。固定砥粒の粒子サイズは、例えば１０μｍ程度である。両面研削装置は、上下一対の定盤（上定盤および下定盤）を有しており、上定盤および下定盤の間にガラス基板が狭持される。そして、上定盤または下定盤のいずれか一方、または、双方を移動操作させることで、ガラス基板と各定盤とを相対的に移動させることにより、このガラス基板の両主表面を研削することができる。

（ｅ）端面研磨工程（ステップＳ５０）
次に、端面研磨工程について説明する。固定砥粒による研削工程後、端面研磨工程では、ガラス基板の端面研磨が行われる。
端面研磨では、ガラス基板の内周端面及び外周端面に対して、ブラシ研磨により鏡面仕上げを行う。このとき、酸化セリウム等の微粒子を遊離砥粒として含むスラリーが用いられる。端面研磨を行うことにより、ガラス基板の端面での塵等が付着した汚染、ダメージあるいはキズ等の損傷の除去を行うことにより、サーマルアスペリティの発生の防止や、ナトリウムやカリウム等のコロージョンの原因となるイオン析出の発生を防止することができる。

（ｆ）第１研磨（主表面研磨）工程（ステップＳ６０）
次に、端面研磨工程後のガラス基板の主表面に第１研磨が施される。第１研磨による取り代は、例えば数μｍ〜５０μｍ程度である。第１研磨は、例えば固定砥粒による研削を行った場合に主表面に残留したキズや歪みの除去、あるいは微小な表面凹凸（マイクロウェービネス、粗さ）の調整を目的とする。第１研磨による取り代は、例えば数μｍ〜５０μｍ程度である。
第１研磨工程では、例えば、遊星歯車機構を備えた両面研磨装置を用いて、研磨液を与えながら研磨する。第１研磨工程では、固定砥粒による研削と異なり、固定砥粒の代わりにスラリーに混濁した遊離砥粒を用いる。第１研磨に用いる遊離砥粒として、例えば、スラリーに混濁させた酸化セリウム砥粒、あるいはジルコニア砥粒など（粒子サイズ：直径１〜２μｍ程度）が用いられる。両面研磨装置は、上下一対の定盤（上定盤および下定盤）を有しており、上定盤および下定盤の間にガラス基板が狭持される。なお、下定盤の上面及び上定盤の底面には、全体として円環形状の平板の研磨パッド（例えば、樹脂ポリッシャ）が取り付けられている。そして、上定盤または下定盤のいずれか一方、または、双方を移動操作させることで、ガラス基板と各定盤とを相対的に移動させることにより、このガラス基板の両主表面を研磨することができる。

（ｇ）化学強化工程（ステップＳ７０）
次に、第１研磨工程後のガラス基板は化学強化される。
化学強化液として、例えば硝酸カリウム（６０重量％）と硫酸ナトリウム（４０重量％）の混合液等を用いることができる。化学強化工程では、化学強化液を例えば３００℃〜４００℃に加熱し、洗浄したガラス基板を例えば２００℃〜３００℃に予熱した後、ガラス基板を化学強化液中に、例えば３時間〜４時間浸漬する。この浸漬は、ガラス基板の両主表面全体が化学強化されるように、複数のガラス基板が端面で保持されつつ、ホルダに収納された状態で行われることが好ましい。

ガラス基板を化学強化液に浸漬することによって、ガラス基板の表層のリチウムイオン及びナトリウムイオンが、化学強化液中のイオン半径が相対的に大きいナトリウムイオン及びカリウムイオンにそれぞれ置換されることで表層部分に圧縮応力層が形成され、ガラス基板が強化される。
なお、化学強化処理されたガラス基板は洗浄される。例えば、硫酸で洗浄された後に、純水等で洗浄される。

（ｈ）第２研磨（最終研磨）工程（ステップＳ８０）
次に、化学強化工程後のガラス基板に第２研磨が施される。第２研磨工程は、主表面の鏡面研磨を目的とする。第２研磨による取り代は、例えば１μｍ程度である。第２研磨工程では、例えば、第１研磨工程で用いた両面研磨装置を用いる。このとき、第１研磨工程と異なる点は、遊離砥粒の種類及び粒子サイズが異なることと、樹脂ポリッシャの硬度が異なることである。

第２研磨工程に用いる遊離砥粒として、例えば、スラリーに混濁させたコロイダルシリカ等の微粒子（粒子サイズ：直径１０〜５０ｎｍ程度）が用いられる。研磨されたガラス基板を中性洗剤、純水、ＩＰＡ等を用いて洗浄することで、磁気ディスク用ガラス基板が得られる。
第２研磨工程を実施することは必ずしも必須ではないが、ガラス基板の主表面の表面凹凸のレベルをさらに良好なものとすることができる点で実施することが好ましい。第２研磨工程を実施することで、主表面の粗さ(Ｒａ)を０．１ｎｍ以下かつ上記主表面のマイクロウェービネス（ＭＷ−Ｒｑ）を０．１ｎｍ以下とすることができる。

以上が、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の各工程についての説明である。

（プレス成形）
図５は、落下中のガラスゴブＧ_Ｇを用いたプレス成形を説明する図である。
ガラスゴブＧ_Ｇは、図４（ｂ），（ｃ）に示されるように、切断刃１６１，１６２で溶融ガラス流Ｌ_Ｇを切断することによって得られるが、上述したように、ガラスゴブＧ_Ｇが落下を開始するタイミングや落下軌道が変動する。この変動は、ガラスブランクＧの平面度を悪化させ（大きくし）、１つのガラスブランクＧの中で平面度のばらつきを大きくし、さらに、複数のガラスブランクＧ間で平面度のばらつきを大きくする。これに加えて、ガラスゴブＧ_Ｇと最初に接触するプレス面の部分がガラスゴブＧ_Ｇのプレス成形のたびに異なり、特にプレス面の外周の一部の領域に偏っている場合には、プレス圧力がプレス面におけるガラスゴブＧ_Ｇとの接触領域に集中しやすくなる。この結果、プレス面に微小な傾きが生じるため、ガラスゴブＧ_Ｇの板厚の面内のばらつき（ガラスブランクＧの板厚の最大値と最小値の差）が大きくなるという問題もある。

このため、本実施形態では、ガラスゴブＧ_Ｇの落下の開始のタイミングや落下軌道が変動しても、ガラスブランクＧの平面度を小さくし、平面度や板厚のばらつき（１つのガラスブランクＧ内での平面度や板厚のばらつき及び複数のガラスブランク間における平面度や板厚のばらつき）を小さくするように、調整システム２００が用いられている。
調整システム２００は、図示されない複数のレーザ光源と、受光センサ２０２ａ，２０２ｂと、位置特定ユニット２０４と、制御ユニット２０６と、駆動ユニット２０８を有する。

複数のレーザ光源は、切断ユニット１６０とプレスユニット１２０との間の高さ方向（溶融ガラス流の流れる方向）のある位置における水平面に沿って格子状にレーザ光Ｌａ，Ｌｂを照射する。また、ガラスゴブＧ_Ｇの想定される落下軌道を挟んで、レーザ光源と対向する位置には受光センサ２０２ａ，２０２ｂが設けられている。受光センサ２０２ａ，２０２ｂは、格子状に照射したレーザ光Ｌａ，Ｌｂの照射領域をガラスゴブＧ_Ｇが通るとき、レーザ光Ｌａ，Ｌｂの遮断の有無によりレーザ光の非受光あるいは受光を検出する。受光センサ２０２ａ，２０２ｂは、レーザ光Ｌａ，Ｌｂを受光して得られる受光信号を位置特定ユニット２０４に送る。

位置特定ユニット２０４は、受光センサ２０２ａ，２０２ｂから送られた受光信号を用いて、ガラスゴブＧ_Ｇが格子状のレーザ光Ｌａ，Ｌｂの領域を通ることによって特定のレーザ光の受光が遮断されることを利用して、ガラスゴブＧ_Ｇがこの領域を通過した通過タイミング情報と、ガラスゴブＧ_Ｇの通過位置の情報を作成し、制御ユニット２０６に出力する。

制御ユニット２０６は、位置特定ユニット２０４から送られる通過タイミング情報を用いて、プレス面１２１，１２２を落下方向（図５中のＺ方向）にどの程度移動すべきか落下方向移動量を算出し、算出した落下方向移動量を駆動ユニット２０８に送る。さらに、制御ユニット２０６は、位置特定ユニット２０４から送られる通過位置情報を用いて、プレス面１２１，１２２の水平方向（図５中のＸ方向、Ｙ方向）に移動すべき水平方向移動量を算出し、算出した水平方向移動量を駆動ユニット２０８に送る。
駆動ユニット２０８は、制御ユニット２０６から送られる落下方向移動量及び水平方向移動量に応じて、プレス面１２１，１２２をＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動するように、移動機構１２７を駆動させる。
移動機構１２７は、駆動ユニット２０８の指示に応じて図５中のＸ方向、Ｙ方向、及びＺ方向に自在に動くように構成されている。移動機構１２７は、例えばリニアガイド等を用いて構成される。

第１駆動部１２５及び第２駆動部１２６は、予め定められた時間間隔でプレス面１２１，１２２同士を接近させてプレス成形を行うように設定されているので、ガラスゴブＧ_Ｇが落下を開始してプレス面１２１，１２２を通るタイミングが変動しても、さらに、プレス面１２１，１２２をガラスゴブＧ_Ｇが通るとき、プレス面１２１，１２２における一定の位置でガラスゴブＧ_Ｇと接触開始をするように、プレス面１２１，１２２をＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動することができる。
以上を纏めると、プレス面１２１，１２２によるプレス成形は、ガラスゴブＧ_Ｇが落下するたびに断続的に行われ、プレス成形を行うたびにプレス面１２１，１２２のＺ方向の位置の調整が行われる。この調整は、定められた領域であるレーザビームＬａ，Ｌｂの照射領域をガラスゴブＧ_Ｇが通る通過タイミング情報に応じて行われる。このとき、プレス面１２１，１２２の位置の調整では、さらに、プレス面１２１，１２２における水平方向（Ｘ方向及びＹ方向）のプレス開始位置を一定にするために、水平方向におけるプレス面１２１，１２２の位置が調整される。この水平方向におけるプレス面１２１，１２２の調整は、ガラスゴブＧ_Ｇが落下するたびに、レーザビームＬａ，Ｌｂの照射領域をガラスゴブＧ_Ｇが通るときのガラスゴブＧ_Ｇの位置を特定することにより行われる。ガラスゴブＧ_Ｇの上記位置の情報は、レーザビームＬａ，Ｌｂの照射領域をガラスゴブＧ_Ｇが通るときのガラスゴブＧ_Ｇの位置を特定する受光センサ２０２ａ，２０２ｂの検出情報である。プレス面１２１，１２２におけるプレス開始位置は、プレス面１２１，１２２の中心位置であることが、プレス開始位置からガラスゴブＧ_Ｇの熱をプレス面１２１，１２２に等方的に伝導させる点で好ましい。

本実施形態では、プレス面１２１，１２２のＺ方向の位置の調整の他に、プレス面１２１，１２２のＸ方向及びＹ方向の位置の調整を行っているが、プレス面１２１，１２２のＺ方向の位置の調整を少なくとも行えばよい。特に、ガラスゴブＧ_Ｇが落下を開始するタイミングの変動は制御しにくいので、プレス面１２１，１２２のＺ方向の位置の調整は、Ｘ方向及びＹ方向の位置の調整に比べて重要である。
なお、本実施形態では、ガラスゴブＧ_Ｇの落下軌道及び落下を開始するタイミングが、その直前のプレス成形や直後のプレス成形との間で大きく変わる場合に、ガラスブランクＧの平面度の向上や板厚のばらつきの低減の点で大きな効果を発揮するが、ガラスゴブＧ_Ｇの落下軌道及び落下を開始するタイミングが経時的に徐々に変化する場合においても、好適に用いることができ、ガラスブランクＧの平面度を向上させることができるとともに、ガラスブランクＧの板厚のばらつきを低減させることができる。

以上のように、本実施形態のプレス成形では、落下中のガラスゴブＧ_Ｇに対するプレス成形を開始するプレス面１２１，１２２における落下方向（Ｚ方向）のプレス開始位置を一定にするために、落下方向においてプレス面１２１，１２２の位置の調整が行われる。このため、ガラスゴブＧ_Ｇが落下を開始するタイミングが変動しても、プレス面１２１，１２２において、ガラスゴブＧ_Ｇがプレス面１２１，１２２と接触を開始するＺ方向のプレス開始位置を一定にすることができる。したがって、従来に比べてガラスブランクＧの平面度を向上させる（平面度を小さくし、平面度のばらつきを小さくする）ことができるとともに、ガラスブランクＧの板厚のばらつきを低減させることができる。

プレス成形は、ガラスゴブＧ_Ｇが落下するたびに断続的に行われるが、ガラスゴブＧ_Ｇが落下を開始するタイミングが切断刃１６１，１６２による切断のたびに変動する場合、プレス面１２１，１２２の位置の調整はプレス成形が行われるたびに行われることが、ガラスブランクＧの平面度や板厚のばらつき（複数のガラスブランクＧ間における平面度や板厚のばらつき）を抑制する点で好ましい。この場合、ガラスゴブＧ_Ｇが定められた領域を通過する通過タイミングに応じて行われる。

ガラスゴブＧ_Ｇの上記通過タイミングの情報は、ガラスゴブＧ_Ｇが上記領域を通過することを検出する受光センサ２０２ａ，２０２ｂ等を含む検出手段による検出情報であることが、正確に調整を行い、ガラスブランクＧの平面度を向上させる点で好ましい。

また、落下方向におけるプレス面１２１，１２２の位置の調整に加えて、さらに、プレス面１２１及び１２２における水平方向（Ｘ方向及びＹ方向）のプレス開始位置を一定にするために、水平方向におけるプレス面の位置が調整されることが、ガラスブランクＧの平面度をより向上させたり、板厚のばらつきを低減させたりする点で好ましい。

プレス成形は、ガラスゴブＧ_Ｇが落下するたびに断続的に行われるが、ガラスゴブＧ_Ｇの落下のタイミングが切断刃１６１，１６２による切断のたびに変動する場合、水平方向におけるプレス面の位置は、プレス成形が行われるたびに調整されることが、ガラスブランクＧの平面度や板厚のばらつき（複数のガラスブランクＧ間における平面度や板厚のばらつき）を抑制する点で好ましい。この場合、ガラスゴブＧ_Ｇが定められた領域を通過するときのガラスゴブＧ_Ｇの位置を特定することにより行われる。

さらに、上記ガラスゴブＧ_Ｇの通過位置の情報は、定められた領域内におけるガラスゴブのＧ_Ｇの通過位置を特定する受光センサ２０２ａ，２０２ｂ等の検出手段による検出情報であることが、正確に上記調整を行い、ガラスブランクＧの平面度を向上させたり、板厚のばらつきを低減させたりする点で好ましい。

（変形例１）
本実施形態では、プレス面１２１，１２２のＺ方向の位置の調整により、ガラスゴブＧ_Ｇの落下のタイミングの変動に起因するガラスブランクＧの平面度の悪化を抑制する。しかし、本変形例１は、プレス面１２１，１２２のＺ方向の位置の調整の代わりに、プレス面１２１，１２２のプレス成形の開始のタイミングの調整を、定められた領域（レーザビームＬａ，Ｌｂの照射領域）をガラスゴブＧ_Ｇが通過する通過タイミングに応じて行う。
すなわち、本変形例１では、制御ユニット２０６は、位置特定ユニット２０４から送られる通過タイミングの情報を用いて、プレス面１２１，１２２のプレス成形の開始のタイミングを遅らせたり、早めたりするプレス成形の開始のタイミング情報を算出し、算出したタイミング情報を駆動ユニット２０８に送る。駆動ユニット２０８は、移動機構１２７を介して、第１駆動部１２５及び第２駆動部１２６に、タイミング情報に基くプレス成形の開始のタイミングの信号を送る。上述した実施形態では、第１駆動部１２５及び第２駆動部１２６は、予め定められた間隔でプレス面１２１，１２２同士を接近させてプレス成形を行うように設定されている。しかし、本変形例１では、この設定が取り除かれて、駆動ユニット２０８から送られてくるタイミングの信号に基いてプレス成形の開始のタイミングが調整される。
このように、本変形例１では、ガラスゴブＧ_Ｇが落下し、プレス面１２１，１２２を通るタイミングが変動しても、プレス面１２１，１２２におけるＺ方向の同じ位置でガラスゴブＧ_Ｇと接触を開始することができる。また、本変形例１では、プレス面１２１，１２２のＸ方向及びＹ方向の位置の調整を、プレス成形の開始のタイミングの調整とともに同時に行うこともできる。したがって、ガラスゴブＧ_Ｇの落下軌道が変動しても、プレス面１２１，１２２におけるＸ方向及びＹ方向の同じ位置でガラスゴブＧ_Ｇと接触を開始するように、プレス面１２１，１２２をＸ方向及びＹ方向に移動することができる。

（変形例２）
図６（ａ）は、本変形例２の調整システム２００を説明する図である。調整システム２００は、撮像装置２１０ａ，２１０ｂと、位置検出ユニット２０４と、制御ユニット２０６と、駆動ユニット２０８を有する。本変形例２は、本実施形態の受光センサ２０２ａ，２０２ｂに代えて、定められた領域をガラスゴブＧ_Ｇが通るときのガラスゴブＧ_Ｇの位置を特定する検出手段として、撮像装置２１０ａ，２０１ｂを用いる。制御ユニット２０６及び駆動ユニット２０８の構成及び作用は、本実施形態における制御ユニット２０６及び駆動ユニット２０８と同様なので、その説明は省略する。

撮像装置２１０ａ，２１０ｂは、切断ユニット１６０とプレスユニット１２０との間のある高さ方向の位置を通過する水平面の領域を撮像するカメラである。撮像装置２１０ａ，２１０ｂは、ガラスゴブＧ_Ｇが、定められた水平面の領域を通過する像を撮像するように常時、水平面を２方向から撮像する。撮像装置２１０ａ，２１０ｂの撮像した像は位置特定ユニット２０４に送られる。位置特定ユニット２０４は、撮像した像からガラスゴブＧ_Ｇの通過を監視する。撮像装置２１０ａ，２１０ｂは、ガラスゴブＧ_Ｇの通過する像を確認した場合、この像から、ガラスゴブＧ_Ｇの水平面上の通過位置を特定する。像は、異なる２方向から撮像された撮像装置２１０ａ，２１０ｂの画像データであるので、この画像データを用いて、ガラスゴブＧ_Ｇの水平面上の領域における通過位置を特定することができる。位置特定ユニット２０４は、ガラスゴブＧ_Ｇの通過位置の情報を制御ユニット２０６に送る。
このように、本変形例２では、撮像装置２１０ａ，２１０ｂを用いて、定められた領域内におけるガラスゴブＧ_Ｇの通過位置を特定することにより、あるいは、ガラスゴブＧ_Ｇの通過のタイミングを知ることにより、プレス面１２１，１２２の位置の調整（本実施形態における調整）、あるいはプレス成形開始のタイミングの調整（変形例１における調整）を行い、ガラスブランクＧの平面度を向上させることができるとともに、板厚のばらつきを低減させることができる。本変形例２においても、プレス面１２１，１２２のＺ方向の位置の調整あるいはプレス成形の開始のタイミングの調整が少なくとも行われる。プレス面１２１，１２２の水平方向の位置の調整は、プレス面１２１，１２２のＺ方向の位置の調整あるいはプレス成形の開始のタイミングの調整に付随的に行われるとよい。

（変形例３）
図６（ｂ）は、本変形例３の調整システム２００を説明する図である。調整システム２００は、温度センサ２１２ａ〜２１２ｅと、位置検出ユニット２０４と、制御ユニット２０６と、駆動ユニット２０８を有する。本変形例３は、本実施形態の受光センサ２０２ａ，２０２ｂに代えて、ガラスゴブＧ_Ｇの通る位置を特定する検出手段として、温度センサ２１２ａ〜２１２ｅを用いる。制御ユニット２０６及び駆動ユニット２０６の構成及び作用は、本実施形態における制御ユニット２０６及び駆動ユニット２０６と同様なので、その説明は省略する。

温度センサ２１２ａ〜２１２ｅは、プレス面１２１，１２２の双方の内部に埋め込まれている。温度センサ２１２ａ〜２１２ｅとして例えば熱電対が用いられる。温度センサ２１２ａ〜２１２ｅは、プレス面１２１，１２２によるプレス成形時の温度情報を検出する。これにより、位置特定ユニット２０４は、温度センサ２１２ａ〜２１２ｅの温度情報に基いてガラスゴブＧ_Ｇのプレス成形時の位置を特定することができる。本変形例３では、プレス面１２１，１２２に、５つの温度センサ２１２ａ〜２１２ｅが設けられているが、温度センサの数は５つに限定されない。少なくとも３つ以上の温度センサが設けられることにより、ガラスゴブＧ_Ｇの通過位置を特定することができる。
本変形例３では、前回のプレス成形時のプレス面１２１，１２２における温度情報に基いて、プレス面１２１，１２２のどの位置でプレス成形をしたかを特定することにより、ガラスゴブＧ_Ｇの前回のプレス成形時の位置を特定する。したがって、実施形態及び変形例２の調整は、今からプレス面１２１，１２２を通るであろうガラスゴブＧ_Ｇの予測位置に応じて、プレス面１２１，１２２の位置を調整し、あるいは、プレス成形の開始のタイミングを調整するフィードフォワード制御であるが、本変形例３の調整は、前回プレス成形したときの温度情報に基いて、今回落下するであろうガラスゴブＧ_Ｇの予測位置に応じてプレス面１２１，１２２の位置を調整し、あるいは、プレス成形の開始のタイミングを調整するフィードバック制御である。本変形例３は、ガラスゴブＧ_Ｇの落下軌道及び落下の開始のタイミングが、前回のプレス成形に用いたガラスゴブＧ_Ｇとの間で大きく変わらず、プレス成形を開始するときのプレス面１２１，１２２におけるガラスゴブＧ_Ｇの位置及びガラスゴブＧ_Ｇの落下の開始のタイミングが経時的に徐々に変化する場合に好適に用いることができる。本変形例３においても、プレス面１２１，１２２のＺ方向の位置の調整あるいはプレス成形の開始のタイミングの調整が少なくとも行われる。プレス面１２１，１２２の水平方向の位置の調整は、プレス面１２１，１２２のＺ方向の位置の調整あるいはプレス成形の開始のタイミングの調整に付随的に行われるとよい。
なお、変形例１，２においても、ガラスゴブＧ_Ｇの落下軌道及び落下の開始のタイミングが、プレス成形するたびに変動する場合の他に、ガラスゴブＧ_Ｇの落下軌道及び落下の開始のタイミングが経時的に徐々に変化する場合においても、好適に用いることができる。

以上、本発明の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態及び実施例に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。

１ 磁気ディスク
２ ガラス基板
３Ａ，３Ｂ 磁性層
４Ａ，４Ｂ 磁気ヘッド
５ 外周エッジ部
１０１ 装置
１１１ 溶融ガラス流出口
１２０、１３０、１４０，１５０ プレスユニット
１２１，２２１ 第１の型
１２１ａ プレス面
１２１ｂ，１２２ｂ スペーサ
１２２，２２２ 第２の型
１２２ａ プレス面
１２５第１駆動部
１２６ 第２駆動部
１２７ 移動機構
１７１，１７２，１７３，１７４ コンベア
２００ 調整システム
２０２ａ，２０２ｂ 受光センサ
２１０ａ，２１０ｂ 撮像装置
２１２ａ，２１２ｂ，２１２ｃ，２１２ｄ，２１２ｅ 温度センサ
２０４ 位置特定ユニット
２０６ 制御ユニット
２０８ 駆動ユニット

Claims (10)

1. 磁気ディスク用ガラス基板に用いられる一対の主表面を有する磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法であって、
   溶融ガラス流を切断し、該切断によって得られるガラスゴブを落下させる切断工程と、
   落下中の前記ガラスゴブを一対のプレス面で挟んでプレス成形をすることによりガラスブランクを成形するプレス工程と、を含み、
   前記プレス工程では、落下中の前記ガラスゴブに対するプレス成形を開始する前記プレス面におけるプレス開始位置を、前記落下方向において一定にするために、前記落下方向における前記プレス面の位置の調整が行われる、あるいは前記プレス成形の開始のタイミングの調整が行われる、ことを特徴とする磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
2. 前記プレス工程は、ガラスゴブが落下するたびに断続的に行われ、
   前記調整は前記プレス工程が行われるたびに、定められた領域を前記ガラスゴブが通るタイミングに応じて行われる、請求項１に記載の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
3. 前記タイミングの情報は、前記ガラスゴブが前記領域を通ることを検出する検出手段の検出情報である、請求項２に記載の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
4. 前記調整では、さらに、前記プレス面におけるプレス開始位置を水平方向において一定にするために、前記水平方向における前記プレス面の位置が調整される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
5. 前記プレス工程は、ガラスゴブが落下するたびに断続的に行われ、
   前記調整は前記プレス工程が行われるたびに行われ、前記調整は、予め定められた領域内を前記ガラスゴブが通るときの前記ガラスゴブの位置を特定することにより行われる、請求項４に記載の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
6. 前記ガラスゴブの位置の情報は、前記領域内における前記ガラスゴブの位置を特定する検出手段の検出情報である、請求項５に記載の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
7. 前記領域は、格子状にレーザ光を照射した領域であり、
   前記検出手段は、前記領域を前記ガラスゴブが通るとき、前記レーザ光の遮断の有無によりレーザ光の受光あるいは非受光を検出する受光センサを含む、請求項３または６に記載の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
8. 前記検出手段は、前記領域内を前記ガラスゴブが通る像を撮像する撮像装置を含む、請求項３または６に記載の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
9. 前記検出手段は、前記ガラスゴブが前記プレス面のどの位置を通るかを検出するために前記プレス面に埋め込まれた複数の温度センサを含み、前記温度センサは、前記プレス面によるプレス成形時の温度情報を検出する、請求項３または６に記載の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
10. 請求項１〜９のいずれか１項に記載の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法で作製された前記ガラスブランクを機械加工する工程を含み、
    前記機械加工をする工程は、前記ガラスブランクの主表面の研削工程と、研削後の前記ガラスブランクの主表面を、遊離砥粒を用いて研磨する研磨工程を含む、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。

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