JPWO2014034287A1 - fuse - Google Patents
fuse Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2014034287A1 JPWO2014034287A1 JP2014532868A JP2014532868A JPWO2014034287A1 JP WO2014034287 A1 JPWO2014034287 A1 JP WO2014034287A1 JP 2014532868 A JP2014532868 A JP 2014532868A JP 2014532868 A JP2014532868 A JP 2014532868A JP WO2014034287 A1 JPWO2014034287 A1 JP WO2014034287A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- melting point
- fuse
- wiring
- low melting
- point metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H85/00—Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
- H01H85/02—Details
- H01H85/04—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges
- H01H85/041—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges characterised by the type
- H01H85/044—General constructions or structure of low voltage fuses, i.e. below 1000 V, or of fuses where the applicable voltage is not specified
- H01H85/045—General constructions or structure of low voltage fuses, i.e. below 1000 V, or of fuses where the applicable voltage is not specified cartridge type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H85/00—Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
- H01H85/02—Details
- H01H85/04—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges
- H01H85/05—Component parts thereof
- H01H85/055—Fusible members
- H01H85/08—Fusible members characterised by the shape or form of the fusible member
- H01H85/11—Fusible members characterised by the shape or form of the fusible member with applied local area of a metal which, on melting, forms a eutectic with the main material of the fusible member, i.e. M-effect devices
Landscapes
- Fuses (AREA)
Abstract
過電流を確実に遮断できるヒューズを提供する。ヒューズ1は、絶縁性基板20と、配線13と、低融点金属部41,42と、絶縁層51,52とを備える。配線13は、絶縁性基板20の一主面20a上に配されている。低融点金属部41,42は、配線13の上に設けられている。低融点金属部41,42は、配線13よりも低い融点を有する。低融点金属部41,42は、融液となった際に配線13を溶解させる。絶縁層51,52は、配線13と低融点金属部41,42との間に配されている。Provided is a fuse capable of reliably interrupting overcurrent. The fuse 1 includes an insulating substrate 20, wiring 13, low melting point metal parts 41 and 42, and insulating layers 51 and 52. The wiring 13 is disposed on one main surface 20 a of the insulating substrate 20. The low melting point metal parts 41 and 42 are provided on the wiring 13. The low melting point metal parts 41 and 42 have a melting point lower than that of the wiring 13. The low melting point metal parts 41 and 42 dissolve the wiring 13 when it becomes a melt. The insulating layers 51 and 52 are arranged between the wiring 13 and the low melting point metal parts 41 and 42.
Description
本発明は、ヒューズに関する。 The present invention relates to a fuse.
従来、電子部品に対してヒューズを接続し、過電流から電子部品を保護する試みがなされている。例えば、特許文献1には、ヒューズの一例として、絶縁基板上に配された第1及び第2の電極部と、第1の電極部と第2の電極部とを接続する金属配線部と、金属配線部の一部の上に配された低融点金属部とを備えるヒューズが記載されている。
Conventionally, an attempt has been made to connect a fuse to an electronic component to protect the electronic component from an overcurrent. For example, in
しかしながら、特許文献1に記載のヒューズでは、金属配線部の上に、導電性を有する低融点金属部が設けられているため、金属配線部の比抵抗が低く、過電流が流れても発熱しにくい。このため、特許文献1に記載のヒューズには、断線しにくい、すなわち、過電流を確実に遮断できない場合があるという問題がある。
However, in the fuse described in
本発明の目的は、過電流を確実に遮断できるヒューズを提供することにある。 The objective of this invention is providing the fuse which can interrupt | block an overcurrent reliably.
本発明に係るヒューズは、絶縁性基板と、配線と、低融点金属部と、絶縁層とを備える。配線は、絶縁性基板の一主面上に配されている。低融点金属部は、配線の上に設けられている。低融点金属部は、配線よりも低い融点を有する。低融点金属部は、融液となった際に配線を溶解させる。絶縁層は、配線と低融点金属部との間に配されている。 The fuse according to the present invention includes an insulating substrate, a wiring, a low melting point metal part, and an insulating layer. The wiring is arranged on one main surface of the insulating substrate. The low melting point metal part is provided on the wiring. The low melting point metal part has a lower melting point than the wiring. The low melting point metal part dissolves the wiring when it becomes a melt. The insulating layer is disposed between the wiring and the low melting point metal part.
本発明に係るヒューズのある特定の局面では、絶縁層の融点は、低融点金属部の融点よりも高い。 On the specific situation with the fuse which concerns on this invention, melting | fusing point of an insulating layer is higher than melting | fusing point of a low melting metal part.
本発明に係るヒューズの他の特定の局面では、絶縁層の融点は、180℃〜350℃である。 In another specific aspect of the fuse according to the present invention, the melting point of the insulating layer is 180 ° C. to 350 ° C.
本発明に係るヒューズのさらに他の特定の局面では、絶縁層は、熱可塑性樹脂により構成されている。 In still another specific aspect of the fuse according to the present invention, the insulating layer is made of a thermoplastic resin.
本発明に係るヒューズのさらに別の特定の局面では、ヒューズは、低融点金属部を覆っており、低融点金属部の融点よりも高い融点を有する第2の絶縁層をさらに備える。 In still another specific aspect of the fuse according to the present invention, the fuse further includes a second insulating layer that covers the low melting point metal part and has a melting point higher than that of the low melting point metal part.
本発明に係るヒューズのまた別の特定の局面では、ヒューズは、低融点金属部を加熱する発熱体をさらに備える。 In another specific aspect of the fuse according to the present invention, the fuse further includes a heating element for heating the low melting point metal part.
本発明に係るヒューズのさらにまた他の特定の局面では、低融点金属部は、Snを主成分とする。 In still another specific aspect of the fuse according to the present invention, the low-melting point metal portion contains Sn as a main component.
本発明に係るヒューズのさらにまた別の特定の局面では、絶縁層は、配線と低融点金属部とが重なっている部分の全体に設けられている。 In still another specific aspect of the fuse according to the present invention, the insulating layer is provided over the entire portion where the wiring and the low melting point metal portion overlap each other.
本発明によれば、過電流を確実に遮断できるヒューズを提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the fuse which can interrupt | block an overcurrent reliably can be provided.
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。 Hereinafter, an example of the preferable form which implemented this invention is demonstrated. However, the following embodiment is merely an example. The present invention is not limited to the following embodiments.
また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。 Moreover, in each drawing referred in embodiment etc., the member which has a substantially the same function shall be referred with the same code | symbol. The drawings referred to in the embodiments and the like are schematically described. A ratio of dimensions of an object drawn in a drawing may be different from a ratio of dimensions of an actual object. The dimensional ratio of the object may be different between the drawings. The specific dimensional ratio of the object should be determined in consideration of the following description.
図1は、本実施形態におけるヒューズの略図的平面図である。図2は、本実施形態におけるヒューズの略図的裏面図である。図3は、図1の線III−IIIにおける略図的断面図である。図4は、図1の線IV−IVにおける略図的断面図である。図5は、図1の線V−Vにおける略図的断面図である。図6は、本実施形態における第2の電極層の形状を説明するための略図的平面図である。図7は、本実施形態における第1の電極層及び発熱体の形状を説明するための略図的平面図である。図8は、本実施形態におけるヒューズの略図的回路図である。なお、図6及び図7においては、説明対象となる部材の上に位置している部材の描画を省略している。 FIG. 1 is a schematic plan view of a fuse in the present embodiment. FIG. 2 is a schematic rear view of the fuse in the present embodiment. 3 is a schematic cross-sectional view taken along line III-III in FIG. 4 is a schematic cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view taken along line VV in FIG. FIG. 6 is a schematic plan view for explaining the shape of the second electrode layer in the present embodiment. FIG. 7 is a schematic plan view for explaining the shapes of the first electrode layer and the heating element in the present embodiment. FIG. 8 is a schematic circuit diagram of the fuse in the present embodiment. In FIG. 6 and FIG. 7, drawing of members located on the members to be explained is omitted.
図8に示されるように、ヒューズ1は、第1の端子11と、第2の端子12との間に接続された配線13を有する。配線13において、ヒューズ電極部13a、13bが直列に接続されている。ここで、ヒューズ電極部13a、13bは、ヒューズ1に過電流が流れた際や、ヒューズ1にヒューズ機能を発現させる信号が入力された際に溶断し、第1の端子11と第2の端子12との間を絶縁する部分である。例えば、第1の端子11と第2の端子12との間に過電流が流れると、ヒューズ電極部13a、13bの少なくとも一方が溶断する。これにより、第1の端子11と第2の端子12とが絶縁される。このため、ヒューズ1は、過電流を検知し、配線13が自動的に切断される受動素子として機能する。なお、配線13の厚みは、例えば、5μm〜20μm程度とすることができる。
As shown in FIG. 8, the
ヒューズ電極部13aとヒューズ電極部13bとの間の接続点13cは、第4の端子16に接続されている。第3の端子14と接続点13cとの間には、抵抗により構成された発熱体15が設けられている。第3の端子14と、第1及び第2の端子11,12の少なくとも一方との間に電力が付与された際に発熱体15が発熱する。これにより、ヒューズ電極部13aとヒューズ電極部13bとのうちの少なくとも一方が溶断し、第1の端子11と第2の端子12とが絶縁される。このため、ヒューズ1は、過電流を検知し、能動的に配線13を切断する能動素子としても機能する。なお、本発明に係るヒューズは、受動素子としてのみ機能するものであってもよいし、能動素子としてのみ機能するものであってもよい。
A
次に、ヒューズ1の具体的構成について、図1〜図7を参照しながら詳細に説明する。
Next, a specific configuration of the
図1〜図5に示されるように、ヒューズ1は、絶縁性基板20を備えている。絶縁性基板20は、例えば、アルミナ基板などのセラミック基板や樹脂基板等により構成することができる。絶縁性基板20は、内部に配線を有する多層基板であってもよい。
As shown in FIGS. 1 to 5, the
絶縁性基板20は、第1の主面20aと、第2の主面20bとを有する。図2に示されるように、第2の主面20bの上には、第1〜第4の端子11,12,14,16が配されている。第4の端子16は、図8に示す発熱体15と接続点13cとの間の接続点に接続されている。なお、第1〜第4の端子11,12,14,16は、それぞれ、Ag,AgPt,AgPd,Cu等の適宜の導電材料により構成することができる。第1〜第4の端子11,12,14,16の厚みは、例えば、10μm〜20μm程度とすることができる。
The
図1及び図6に示されるように、第1の主面20aの上には、電極21〜24が設けられている。電極21は、側面電極25及びビアホール電極26(図2を参照)によって第1の端子11と接続されている。電極22は、側面電極27及びビアホール電極28によって第2の端子12と接続されている。電極23は、側面電極29によって第3の端子14に接続されている。電極24は、側面電極30によって第4の端子16に接続されている。なお、電極21〜24は、それぞれ、Ag,AgPt,AgPd,Cu等の適宜の導電材料により構成することができる。
As shown in FIGS. 1 and 6,
図7に示されるように、主面20aの上には、電極23と電極24との間に接続された発熱体15が設けられている。電極23と発熱体15とは、配線31により接続されている。電極24と発熱体15とは、配線32により接続されている。発熱体15は、絶縁性基板20によって支持されている。なお、発熱体15は、例えば、RuO2,AgPd等からなる抵抗発熱体により構成することができる。As shown in FIG. 7, the
電極23,24、発熱体15及び配線31,32の上には、電極層35(図3〜図6を参照)が設けられている。電極層35と、電極23,24及び配線31,32との間には、絶縁層36が配されている。本実施形態では、絶縁層36は、配線31,32と低融点金属部41,42とが重なっている部分の全体に設けられている。もっとも、本発明においては、例えば、絶縁層に開口等が形成されており、配線の電気抵抗が全体として低下しすぎない程度に配線と低融点金属部とが接続されていてもよい。図3及び図5に示されるように、絶縁層36には、貫通孔36aが設けられている。この貫通孔36aは、発熱体15と、配線13(詳細には、接続点13c)とのそれぞれに接続されている。貫通孔36aは、中心軸の延びる方向において、直径が略一定に設けられていてもよいし、テーパ状に設けられていてもよい。貫通孔36aは、例えば、絶縁性基板20側に向かって先細るテーパ状に設けられていてもよい。なお、絶縁層36の厚みは、例えば、15μm〜30μm程度とすることができる。
An electrode layer 35 (see FIGS. 3 to 6) is provided on the
図5及び図6に示されるように、電極層35は、電極21と電極22とを接続している配線13を含む。配線13は、ヒューズ電極部13aとヒューズ電極部13bとを含む。ヒューズ電極部13aとヒューズ電極部13bとの接続点13cと、電極24とは、図3及び図6に示される電極37によって接続されている。また、接続点13cは、貫通孔36a内に配された高熱伝導体38を介して発熱体15と接続されている。高熱伝導体38の熱伝導率は、絶縁層36の熱伝導率よりも高い。高熱伝導体38は、例えば、金属により構成することができる。本実施形態では、高熱伝導体38と、配線13とが一体に設けられている。この場合、高熱伝導体38を容易に設けることができる。
As shown in FIGS. 5 and 6, the
なお、電極層35の厚みは、例えば、5μm〜20μm程度とすることができる。
In addition, the thickness of the
図1,図4及び図5に示されるように、配線13の各ヒューズ電極部13a、13bの上には、低融点金属部41,42が設けられている。低融点金属部41,42は、配線13よりも低い融点を有すると共に、融液となった際に配線13を融解させる低融点金属からなる。低融点金属は、例えば、Snを主成分とするものであってもよい。このような低融点金属の具体例としては、例えば,SnSb、SnCu、SnAg,SnAgCu,SnCuNi等のSn合金や、BiAg,BiSb,BiZn等のBi合金が挙げられる。低融点金属部41,42の厚みは、例えば、0.1mm〜0.5mm程度とすることができる。
As shown in FIGS. 1, 4, and 5, low melting
なお、低融点金属部41,42の上に、フラックス層等の保護膜や酸化防止膜等が低融点金属部41,42の少なくとも一部を覆うように設けられていてもよい。
Note that a protective film such as a flux layer or an antioxidant film may be provided on the low melting
図4及び図5に示されるように、ヒューズ1では、配線13と、低融点金属部41,42との間に絶縁層51,52が配されている。絶縁層51,52の融点は、低融点金属部41,42の融点よりも高い。絶縁層51,52の融点は、180℃〜350℃であることが好ましく、220℃〜320℃であることがより好ましい。絶縁層51,52は、適宜の絶縁材料により構成することができるが、例えば、熱可塑性樹脂により構成されていることが好ましい。絶縁層51,52を構成するために好ましく用いられる熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET、融点264℃)、ポリブチレンテレフタレート(PBT,融点232℃)などのポリエステル系樹脂、ポリ塩化ビニル(融点180℃)などのビニル系樹脂、ポリスチレン(融点230℃)などのポリスチレン系樹脂、ナイロン6(登録商標、融点225℃)やナイロン66(登録商標、融点267℃)などのポリアミド系樹脂、ポリカーボネート(融点250℃)などのポリカーボネート系樹脂、ポリフッ化ビニリデン(融点210℃)、三フッ化塩化エチレン(融点220℃)などのフッ素系樹脂等が挙げられる。絶縁層51,52の厚みは、例えば、10μm〜200μm、好ましくは20〜150μm程度とすることができる。
As shown in FIGS. 4 and 5, in the
図6に示されるように、絶縁性基板20上において、絶縁層51,52の外側には、金属膜61〜64が配されている。この金属膜61〜64は、例えば、Ag,AgPt,AgPd,Cu等の低融点金属部41,42の融液に対する濡れ性が高い金属や合金により構成されていることが好ましい。さらに、金属膜61〜64は低融点金属部41,42の融液に溶解しにくいことが好ましく、特に、AgPt,AgPd等により構成されていることが好ましい。
As shown in FIG. 6, on the insulating
金属膜61〜64は、配線13の幅方向において、絶縁層51,52の両側に設けられている。本実施形態では、具体的には、配線13の幅方向において、金属膜61,62が絶縁層51の両側に設けられている。配線13の幅方向において、金属膜61,62は、ヒューズ電極部13aを挟むように設けられている。低融点金属部41は、金属膜61,62に接触するように設けられている。具体的には、低融点金属部41は、金属膜61の上から、絶縁層51及び金属膜62の上に跨がって設けられている。
The
配線13の幅方向において、金属膜63,64が絶縁層52の両側に設けられている。配線13の幅方向において、金属膜63,64は、ヒューズ電極部13bを挟むように設けられている。低融点金属部42は、金属膜63,64に接触するように設けられている。具体的には、低融点金属部42は、金属膜63の上から、絶縁層52及び金属膜64の上に跨がって設けられている。
なお、金属膜61〜64は、複数の金属膜の積層体により構成されていてもよい。金属膜61〜64を構成している複数の金属膜は、融点が異なる複数種類の金属膜を含んでいてもよい。金属膜61〜64は、第1の金属膜と、第1の金属膜の上に設けられており、第1の金属膜よりも融点が低い第2の金属膜を有していてもよい。その場合、第2の金属膜は、絶縁層51,52の上にまで至っていてもよい。
In addition, the
金属膜61〜64の厚みは、例えば、20μm〜40μm程度とすることができる。
The thickness of the
図1に示されるように、低融点金属部41が設けられた領域と、低融点金属部42が設けられた領域とのそれぞれを包囲する保護層70が設けられている。この保護層70を設けることにより、低融点金属の融液が意図しない方向へ濡れ広がることを効果的に抑制することができる。保護層70の厚みは、例えば、10μm〜20μm程度とすることができる。
As shown in FIG. 1, a
次に、ヒューズ1におけるヒューズ機能の発動について説明する。
Next, the activation of the fuse function in the
例えば、第1の端子11と第2の端子12との間に過電流が流れると、幅細に設けられたヒューズ電極部13a、13bが発熱する。この発熱により、低融点金属部41,42が加熱され、融解する。また、絶縁層51,52も融解し、低融点金属の融液がヒューズ電極部13a、13bと接触する。その結果、ヒューズ電極部13a、13bが低融点金属の融液に溶解し、配線13が溶断する。これにより、ヒューズ機能が発現する。
For example, when an overcurrent flows between the
ヒューズ1では、配線13と低融点金属部41,42との間に絶縁層51,52が設けられている。この絶縁層51,52によって配線13が低融点金属部41,42から電気的に絶縁されている。このため、低融点金属部と配線とが電気的に接続されている場合とは異なり、配線13の比抵抗が大きい。よって、第1の端子11と第2の端子12との間に過電流が流れた際に配線13が発熱しやすい。従って、ヒューズ1では、第1の端子11と第2の端子12との間に過電流が流れた際に、ヒューズ機能が高い確実性で発現する。
In the
また、ヒューズ1では、絶縁層51,52の融点が低融点金属部41,42の融点よりも高い。このため、絶縁層51,52が融解するまで低融点金属部41,42と配線13とが接触することにより、配線13の比抵抗が低下することが効果的に抑制されている。従って、ヒューズ機能がより高い確実性で発現する。
In the
ヒューズ機能をさらに高い確実性で発現させる観点から、絶縁層51,52の融点が低融点金属部41,42の融点よりも10℃以上高いことが好ましく、20℃以上高いことがさらに好ましい。但し、絶縁層51,52の融点が低融点金属部41,42の融点に対して高すぎると、絶縁層51,52が融解しにくく、低融点金属の融液と配線13とが接触しにくくなり、かえってヒューズ機能が発現しにくくなる場合がある。従って、絶縁層51,52の融点は、低融点金属部41,42の融点+50℃以下であることが好ましく、低融点金属部41,42の融点+30℃以下であることがより好ましい。具体的には、絶縁層51,52の融点は、180℃〜350℃の範囲内であることが好ましく、220℃〜320℃の範囲内であることがより好ましく、260℃〜280℃の範囲内であることがさらに好ましい。
From the viewpoint of expressing the fuse function with higher certainty, the melting points of the insulating
ところで、低融点金属の融液により配線13を確実に溶断するためには、低融点金属の融液を配線13と接触し得る領域に確実にとどめておくことが重要である。しかしながら、低融点金属部41,42の下方に、低融点金属の融液の濡れ性が低い絶縁層51,52が設けられているため、低融点金属の融液が変位しやすい。そこで、ヒューズ1では、絶縁性基板20上において、絶縁層51,52の外側に金属膜61〜64が配されている。低融点金属の融液が金属膜61〜64に接触することにより、低融点金属の融液が、金属膜61〜64により捕捉される。従って、ヒューズ1では、低融点金属の融液を配線13と接触し得る領域に確実にとどめておくことができる。従って、ヒューズ1では、ヒューズ機能を高い確実性で発現させることができる。
By the way, in order to surely melt the
低融点金属の融液が金属膜61〜64により確実に捕捉されるようにする観点からは、低融点金属部41,42が金属膜61〜64に接触するように設けられていることが好ましい。配線13の幅方向において、金属膜61〜64が絶縁層51,52の両側に設けられていることが好ましい。配線13の幅方向において、金属膜61〜64がヒューズ電極部13a、13bの両側に設けられていることが好ましい。低融点金属部41,42が、配線13の両側に設けられた金属膜61と金属膜62、金属膜63と金属膜64とに跨がって設けられていることが好ましい。
From the viewpoint of ensuring that the low-melting-point metal melt is captured by the
また、ヒューズ1では、第1の端子11と第2の端子12に過電流が流れない場合であっても、発熱体15を発熱させることによりヒューズ機能を発現させることができる。具体的には、第3の端子14と、端子11,12または端子16との間に電力を付与することにより、発熱体15を発熱させる。この発熱体15からの熱により、低融点金属部41,42が融解し、配線13のヒューズ電極部13a、13bが溶断される。
In the
ヒューズ1では、貫通孔36a内に設けられており、絶縁層36よりも熱伝導率が高い高熱伝導体38により発熱体15と配線13とが接続されている。このため、発熱体15の熱が配線13を介して低融点金属部41,42に伝わりやすい。従って、ヒューズ1では、発熱体15を発熱させて能動的にヒューズ機能を発現させる際においても、ヒューズ機能が高い確実性で発現する。
In the
ヒューズ機能をより高い確実性で発現させる観点からは、平面視において、貫通孔36aが低融点金属部41,42と重ならないように設けられていることが好ましい。低融点金属部41,42が貫通孔36a上に位置している場合、配線13を溶断して第1の端子11と第2の端子12とを絶縁するためには、高熱伝導体38が導電性を有する場合、配線13と共に、高熱伝導体38まで溶断する必要がある。一方、平面視において、貫通孔36aが低融点金属部41,42と重ならないように設けられている場合は、配線13のみを溶断すれば第1の端子11と第2の端子12とが絶縁される。従って、ヒューズ機能がより発現しやすくなる。
From the viewpoint of expressing the fuse function with higher certainty, it is preferable that the through
以下、上記実施形態の変形例について説明する。以下の説明において、上記実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。 Hereinafter, modifications of the embodiment will be described. In the following description, members having substantially the same functions as those of the above embodiment are referred to by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
(第1の変形例)
図9は、第1の変形例におけるヒューズの略図的断面図である。(First modification)
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of a fuse in the first modification.
図9に示されるように、ヒューズ1aは、低融点金属部41,42を覆っており、低融点金属部41,42の融点よりも高い融点を有する絶縁層80をさらに備えていてもよい。この絶縁層80を設けることにより、低融点金属部41,42が融解してなる低融点金属の融液の意図しない方向へ濡れ広がることを抑制することができる。
As shown in FIG. 9, the fuse 1 a may further include an insulating
絶縁層80の融点は、低融点金属部41,42の融点よりも10℃以上高いことが好ましく、20℃以上高いことがより好ましい。絶縁層80は、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート等、絶縁層51,52に用いることのできる絶縁材料により構成することができる。
The melting point of the insulating
(第2の変形例)
図10は、第2の変形例におけるヒューズの略図的断面図である。(Second modification)
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of a fuse in the second modification.
上記実施形態に係るヒューズ1では、発熱体15が絶縁性基板20上に設けられている例について説明した。但し、本発明はこの構成に限定されない。図10に示されるように、本変形例に係るヒューズ1bでは、発熱体15は、絶縁性基板20の内部に設けられている。絶縁性基板20の発熱体15と配線13との間に位置する部分が絶縁層36を構成している。このような場合であっても、上記実施形態と実質的に同様の効果が得られる。
In the
1,1a,1b…ヒューズ
11…第1の端子
12…第2の端子
13…配線
13a、13b…ヒューズ電極部
13c…接続点
14…第3の端子
15…発熱体
16…第4の端子
20…絶縁性基板
20a…第1の主面
20b…第2の主面
21〜24…電極
25,27,29,30…側面電極
26,28…ビアホール電極
31,32…配線
35…電極層
36…絶縁層
36a…貫通孔
37…電極
38…高熱伝導体
41,42…低融点金属部
51,52…絶縁層
61〜64…金属膜
70…保護層
80…絶縁層DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記絶縁性基板の一主面上に配された配線と、
前記配線の上に設けられており、前記配線よりも低い融点を有するとともに、融液となった際に前記配線を溶解させる低融点金属部と、
前記配線と前記低融点金属部との間に配された絶縁層と、
を備える、ヒューズ。An insulating substrate;
Wiring disposed on one main surface of the insulating substrate;
A low melting point metal part which is provided on the wiring and has a melting point lower than that of the wiring and which dissolves the wiring when it becomes a melt;
An insulating layer disposed between the wiring and the low melting point metal part;
A fuse.
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012188351 | 2012-08-29 | ||
JP2012188265 | 2012-08-29 | ||
JP2012188265 | 2012-08-29 | ||
JP2012188351 | 2012-08-29 | ||
JP2013003129 | 2013-01-11 | ||
JP2013003129 | 2013-01-11 | ||
PCT/JP2013/068820 WO2014034287A1 (en) | 2012-08-29 | 2013-07-10 | Fuse |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2014034287A1 true JPWO2014034287A1 (en) | 2016-08-08 |
Family
ID=50183108
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014532868A Pending JPWO2014034287A1 (en) | 2012-08-29 | 2013-07-10 | fuse |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2014034287A1 (en) |
KR (1) | KR20150029023A (en) |
TW (1) | TWI493588B (en) |
WO (1) | WO2014034287A1 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6172287B2 (en) * | 2013-10-24 | 2017-08-02 | 株式会社村田製作所 | Fuse element and manufacturing method thereof |
JP6622960B2 (en) * | 2014-12-18 | 2019-12-18 | デクセリアルズ株式会社 | Switch element |
WO2018159283A1 (en) * | 2017-02-28 | 2018-09-07 | デクセリアルズ株式会社 | Fuse element |
JP7002955B2 (en) * | 2017-02-28 | 2022-01-20 | デクセリアルズ株式会社 | Fuse element |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5522731Y2 (en) * | 1975-02-07 | 1980-05-30 | ||
JP2004342544A (en) * | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Circuit protection element |
JP2006164639A (en) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Mitsubishi Materials Corp | Chip type fuse and its manufacturing method |
JP2006286224A (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Mitsubishi Materials Corp | Chip-type fuse |
JP2009016338A (en) * | 2007-07-06 | 2009-01-22 | Qiankun Kagi Kofun Yugenkoshi | Chip fuse and its manufacturing method |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004265617A (en) * | 2003-02-05 | 2004-09-24 | Sony Chem Corp | Protective element |
JP5415318B2 (en) * | 2010-02-19 | 2014-02-12 | デクセリアルズ株式会社 | Protection circuit, battery control device, and battery pack |
-
2013
- 2013-07-10 WO PCT/JP2013/068820 patent/WO2014034287A1/en active Application Filing
- 2013-07-10 KR KR1020157003361A patent/KR20150029023A/en not_active Application Discontinuation
- 2013-07-10 JP JP2014532868A patent/JPWO2014034287A1/en active Pending
- 2013-08-12 TW TW102128822A patent/TWI493588B/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5522731Y2 (en) * | 1975-02-07 | 1980-05-30 | ||
JP2004342544A (en) * | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Circuit protection element |
JP2006164639A (en) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Mitsubishi Materials Corp | Chip type fuse and its manufacturing method |
JP2006286224A (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Mitsubishi Materials Corp | Chip-type fuse |
JP2009016338A (en) * | 2007-07-06 | 2009-01-22 | Qiankun Kagi Kofun Yugenkoshi | Chip fuse and its manufacturing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150029023A (en) | 2015-03-17 |
WO2014034287A1 (en) | 2014-03-06 |
TW201409520A (en) | 2014-03-01 |
TWI493588B (en) | 2015-07-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5939311B2 (en) | fuse | |
TWI390568B (en) | Protection element | |
KR102232981B1 (en) | Production method for mounting body, mounting method for temperature fuse elements, and temperature fuse element | |
JP5992576B2 (en) | Composite protective element | |
WO2014034287A1 (en) | Fuse | |
JP2010165685A (en) | Protection element, and battery pack | |
KR102275927B1 (en) | Shutoff element and shutoff element circuit | |
JP6171500B2 (en) | fuse | |
JP6102266B2 (en) | fuse | |
JP6097178B2 (en) | Switch circuit and switch control method using the same | |
JP6381980B2 (en) | Switch element and switch circuit | |
WO2014034261A1 (en) | Fuse | |
KR101529829B1 (en) | The complex protection device of blocking the abnormal state of current and voltage | |
JP2014044955A (en) | Protection element, and battery pack | |
JP6711704B2 (en) | Protective device with bypass electrode | |
JP2016170892A (en) | Fuse element and fuse device | |
JP2012059719A (en) | Protection element, and battery pack | |
JP6437221B2 (en) | Switch element, switch circuit and alarm circuit | |
JP7040886B2 (en) | Protective element | |
KR102418683B1 (en) | Short circuit element and compensation circuit using same | |
WO2014034262A1 (en) | Fuse | |
KR101508098B1 (en) | The complex protection device of blocking the abnormal state of current and voltage |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160202 |