JPWO2013145231A1 - 光半導体素子及び光半導体素子の制御方法 - Google Patents

Abstract

光半導体素子は、リング導波路と、前記リング導波路に光学的に接続され蛇行して前記リング導波路の少なくとも一部を取り囲む蛇行導波路と、を有し、前記蛇行導波路は、前記リング導波路から前記蛇行導波路に導波する入射光を吸収して前記リング導波路を加熱する。

Description

本発明は、光半導体素子と光半導体素子の制御方法に関する。

大容量の光送受信器を小型化、低電力化する上で、シリコン上の光デバイスの実現が重要な役割を持つ。シリコン上の光デバイスは、屈折率差の大きい光導波路が使えることから、他の材料と比較して小型化に有利である。また、電子回路との集積が容易なことから１チップで多数の光送受信器を集積することが可能になる。

光デバイスの中でも特に変調器は、その特性が光送受信器の消費電力やサイズに大きな影響を与える。特にリング型変調器は、素子自体が小型なことや、変調電圧が小さく、光損失も小さいことから、小型化・低消費電力化に有利であるが、波長帯域が小さいという問題がある。

リング共振器への入射光波長と共振波長とを合わせる技術として、モニタ光の出力を検出し、モニタ電流に基づいてヒータを制御する技術が知られている（たとえば、特許文献１参照）。モニタ電流をヒータにフィードバックしてリング共振器の温度を調節し、共振波長をシフトさせて入射光の波長に一致させる。

図１は、モニタ電流フィードバック方式のリング変調器の概略図である。変調信号がドライバ回路を介して変調電極１００４、１００５に印加されると、リング共振器１００３の共振波長が変化する。導波路１００１に入射される入射光は、リング共振器１００３と共振する場合に導波路１００２に出力される。共振しない場合はモニタ光として光検出器（ＰＤ）に供給される。光検出器から出力されるモニタ電流は帰還回路を介してヒータ１００７に印加される。ヒータ１００７は、モニタ電流が最小となるように制御される。

米国特許公開公報ＵＳ２００９／０１６９１４９号明細書）

リング変調器で変調効率を高めようとすると、共振波長付近の透過率が波長に対して急激に変化するようになり、波長が共振波長から少し離れただけで透過率の変化のない領域に入ってしまう。モニタ電流に関しても同様である。入射光波長が共振波長から少し離れただけで、波長変化によるモニタ電流変化が認識できなくなってしまい、ヒータによる波長制御が困難になる。すなわち、共振を強めることによる変調の高効率化と、広範囲の波長制御とは両立しにくい関係にある。

そこで、本発明は、モニタ光のフィードバック機構がなくても、リング変調器の共振波長を自律的に入射光波長あるいは光源波長に合わせることのできる光半導体素子の提供を目的とする。

一つの観点では、光半導体素子は、
リング導波路と、
前記リング導波路に光学的に接続され、蛇行して前記リング導波路の少なくとも一部を取り囲む蛇行導波路と、
を有し、
前記蛇行導波路は、前記リング導波路から前記蛇行導波路に導波する入射光を吸収して前記リング導波路を加熱する。

リング変調器の共振波長を、光源波長あるいは入射光波長に自律的に合わせることが可能になる。

リング変調器の共振波長を制御する従来の構成を示す図である。 リング変調器の基本構成を示す図である。 リング変調器の特性を示す図である。 リング変調器の導波路−リング間の透過率の定義を示す図である。 帯域の広さと変調効率の関係を示す図である。 ヒータによる共振波長の調整を説明するための図である。 実施例１のリング変調器の構成図である。 図５のリング変調器の断面拡大図である。 図５のリング変調器の入射光波長とリング共振波長の一致を示す図である。 リング共振波長と発熱量の関係と安定点を示す図である。 ヒータＯＦＦ後のリング共振波長の安定点を示す図である。 変調時のリング変調器の透過スペクトルである。 変調時の共振波長のシフト及びロック動作を示す図である。 バースト信号変調時の共振波長のシフト及びロック動作を示す図である。 実施例１のリング変調器の変形例を示す図である。 実施例２のリング変調器の構成を示す図である。 実施例３のリング変調器の構成を示す図である。 実施例４のリング変調器の構成を示す図である。 実施例４のリング変調器の変形例を示す図である。 実施例４のリング変調器の変形例を示す図である。 実施例５の制御フローである。 実施例５の制御フローである。 実施例６のリング変調器アレイの構成図である。 リング変調器アレイの波長調整動作を示す図である。

まず、図２Ａ〜図４を参照してリング変調器の一般的な特性を説明する。図２Ａにおいて、入力ポートに入射される入射光は、リング共振器３の周回光路長で決まるリング共振波長（周回光路長の整数分の１）と波長が一致する場合に、出力ポート１に導かれる。入射光の波長が共振波長からずれた場合に、出力ポート２に導かれる。電極４、５を介してリング共振器３に電圧をかけて屈折率を変化させ、リング共振器３の周回光路長を変化させるとリング共振波長が変化する。従って、特定の波長で見た場合、透過率が変化する。これを光強度変調に利用する。

図２Ｂの矢印で示すように、所定の波長を持つ入射光を入射すると、ポート１への出力光のパワーは印加電圧がV= V_lowのときに小さくなり、V_high= V_highの時に大きくなる。ポート２への出力光はこの逆である。従って、電圧をV_high, V_lowの間で変化させることにより光強度変調された信号をポート１、ポート２から得ることができる。

このような変調器において、波長帯域と変調効率はトレードオフの関係にある。図３Ａに示すように、導波路１とリング共振器３の間の光のパワー透過率をＴ₁ 、導波路２とリング共振器３の間の光のパワー透過率をＴ₂ と定義した場合、図３ＢのようにＴ₁、Ｔ₂が小さければ小さいほどリングに入った光が外に出にくくなり共振が強くなる。そのため、共振波長付近の透過率変化が急峻になり、電圧により共振波長を変化させた際の透過率変化、すなわち変調効率が大きくなる（図３Ｂの上図）。しかし一方で、入射光波長と共振波長をより高い精度で合わせる必要がある。

図４の理想状態（Ｂ）に示すように、共振波長がV_low とV_highの電圧変化により変化するとき、いずれかの電圧値（たとえばV_high）における共振波長と入射光波長が一致する場合に、最も変調効率が高くなる。他方、作製ばらつきや温度変化の影響のため、何もしない状態（初期状態（Ａ））では共振波長と入射光波長は必ずしも一致しない。

リング共振器は多くの場合屈折率の温度係数が正の材料によって構成されるため、リング共振器３の温度を上げることにより共振波長が長波長にシフトする。そこで、初期状態でV_highのときの共振波長が入射光波長より短くなるようにリング共振器３を作製し、動作時にリング共振器を温めてV_highのときの共振波長を長波長にシフトさせる。これにより共振波長を入射光波長に一致させることができる（理想状態（Ｂ））。

実施形態では、変調動作中にヒータを用いなくてもリング共振波長を入射光波長に合わせることのできる構成を提供する。具体的には、リング導波路に光学的に接続され蛇行してリング導波路の少なくとも一部を取り囲む蛇行導波路を配置し、この蛇行導波路に導波光に対する吸収能を持たせる。リング共振器の共振波長付近の光が入射された場合、光の一部が蛇行導波路に導かれ、吸収されて発熱する。蛇行導波路をリング導波路の周囲に設けることによって、蛇行導波路での発熱を利用してリング導波路自体の温度を上昇させることが可能になる。

これを実現するための具体的な構成を以下で説明する。

図５は、実施例１の光半導体素子の一例としてのリング変調器１０の概略構成図、図６は図５のＡ−Ａ'断面図である。リング変調器１０は、シリコン基板１１上のＳｉＯ2膜１２上に形成されている。リング変調器１０は、リング導波路１３と、リング導波路１３に光学的に接続され蛇行しながらリング導波路１３の少なくとも一部を取り囲む蛇行導波路１５を有する。蛇行導波路１５は、導波光に対する吸収能を有する材料で形成されている。図５の例では、蛇行導波路１５には、導波光に対して大きな光吸収係数を有するｎ型の不純物イオンが高濃度にドープされている。

リング変調器１０には、リング導波路１３と光結合する直線導波路２７が設けられている。リング導波路１３と直線導波路２７のコア領域は真性半導体（ｉ−Ｓｉ）である。下層のＳｉＯ2膜１２と上層のＳｉＯ2 膜２１はクラッドとして機能する。リング導波路１３の外側にｎ型半導体（ｎ−Ｓｉ）層１４が位置し、リング導波路１３の内側にｐ型半導体（ｐ−Ｓｉ）層１６が位置する。ｎ型半導体層１４と直線導波路２７の周囲にはトレンチ２２が形成されている。

ｎ型半導体層１４は、コンタクトビア１９を介して電極１７に接続されている。ｐ型半導体層１６は、コンタクトビア２０を介して電極１８に接続されている。電極１７と電極１８の間に電圧を印加することにより、屈折率変調が行なわれる。

リング導波路１３はリング共振器として機能する。リング変調器１０にリング共振波長付近の光が入射されると、入射光はリング導波路１３を周回する。このとき、入射光の一部はリング導波路１３から蛇行導波路１５に導かれる（図５の矢印参照）。蛇行導波路１５にはｎ型の不純物が高濃度にドープされており、光の伝搬につれて光が吸収され発熱が生じる。蛇行導波路１５は、光を吸収するために十分な長さをもって蛇行している。

図６に示すように、蛇行導波路１５で発生した熱は、隣接するリング導波路１３に伝わり、リング導波路１３の温度を上昇させる。図７に示すように吸光・発熱量は入射光波長がリング共振波長一致した場合に最大値をとる。

図５及び図６の構成では、リング変調器１０のＰＮ接合の不純物ドープ領域を利用して蛇行導波路１５を形成しているので、作製が容易である。もっとも、蛇行導波路１５にドープされる不純物とｎ型半導体層１４にドープされる不純物は必ずしも同じである必要はなく、蛇行導波路１５に異なる種類の不純物を注入してもよい。また図5においてリング導波路13のコア領域はi-Siとしたが、電圧により変調がかかるのであればコア領域をp-Si, n-Siとしても良いし、コア領域にp-Si,n-Siの接合部分が有っても良い。

次に、図８〜図１２を参照して、蛇行導波路１５を用いたリング変調器１０の共振波長制御方法を説明する。外部発熱の伝導によりリング導波路１３の温度が上昇すると、リング導波路１３の屈折率が増大し、リング共振波長は長波長側にシフトする。発熱量とリング共振波長の間には、図８の直線で示す関係がある。他方、リング導波路１３から蛇行導波路１５に導かれた光の吸収による発熱がある。蛇行導波路１５の発熱量とリング共振波長の間には、図８の曲線で示す関係がある。

したがって、リング変調器１０のリング発熱量とリング共振波長は、外部熱による直線関係と、蛇行導波路１５の発熱による曲線関係の双方を満たす交点１、２、３のいずれかで安定化する。

３つの交点のうち交点２は不安定点である。例えばリング共振波長が交点２より長波長側にずれると、共振光吸収による発熱量が増えさらに長波長化するという正帰還がかかり最終的に交点３に安定化する。リング共振波長が交点２より短波長側にずれると、共振光吸収による発熱量が減少しさらに短波長化するという正帰還がかかり、最終的に交点１に安定化する。交点２の周辺のみならず、広い波長範囲で見ても、交点２を境にして、これより長波長にリング共振波長がある場合は交点３に安定し、交点２より短波長にある場合は交点１に安定化する（図８の直線上の矢印の方向を参照）。

そこで、動作開始時にリング変調器１０の温度を交点２よりも長波長側にシフトさせておくことが有用である。これについて、図９を参照して説明する。

図９の初期状態（Ａ）では、リング変調器１０への入射光がなく蛇行導波路１５での発熱もない。そのため、リング共振波長は黒丸で示す初期状態にある。図９でヒータオンの状態（Ｂ）にすることで、強制的にリング共振波長を交点２よりも長波長の黒丸のポイントにシフトさせる。その後、ヒータオフ状態（Ｃ）でヒータを切ることにより、リング共振波長を交点３に安定化させることができる。安定化した状態（Ｃ）では、ヒータを動作させる必要がなく、ヒータの消費電力はゼロである。また一度ロックすれば自動的にロックし続け、モニタやヒータへのフィードバック制御が不要である。

上述した安定点は、被変調入射光に対してオンオフの変調をかけるのに適した波長である。これについて、図１０を参照して説明する。リング変調器１０は、図１０に示すように電圧をV_lowとV_highの間で変化させ、リング共振波長をシフトさせることにより変調をかける。変調をかけた際のリング共振波長は一意に決まらないが、以下では便宜上変調電圧がV_lowの時のリング共振波長を指すことにする。

図１１は、リング変調器１０に変調にかけたときの共振光の吸収による発熱量を示す。図１１の点線の曲線で示すように、V_lowの時とV_highの時で発熱量を示す曲線が変化する。温度変化はV_low、V_highの切り替えに比べて低速であるため、２つの点線の曲線を時間平均した実線の曲線が、リング変調器１０の共振光吸収に伴う発熱量を示すと考えてよい。

変調をかける時も図８と同様に、交点２より長波長にリング共振波長をヒータでシフトさせた後にヒータを切ることにより、交点３に安定させることができる。この時、入射光波長は、透過スペクトルに対して図１０の「ＣＷ光波長」で示す位置にある。図１０の黒丸で示す２点間で変調をかけることができる波長に、共振波長がロックされることがわかる。

図１２は、バーストオフ状態とバーストオン状態が混在するバースト信号に対する動作を示す。常にV_lowである状態（バーストオフ状態）とV_low、V_highがランダムに切り替わる状態（バーストオン状態）が混在するバースト信号に対しても、リング共振波長を入射光（変調を受ける光）にロックさせ続けることが可能である。図１２では、一例としてバーストオン状態のマーク率が５０％の場合を示す。

バーストオフ状態の発熱量曲線と直線の交点は、バーストオン状態の発熱量曲線と直線の交点と異なるため、バーストオン状態の交点２、３に相当するバーストオフ状態の交点を２'、３'と記述する。バーストオン状態で交点３にリング共振波長がロックされた状態（図１１と同じ状態）のときに、バーストオフ状態に切り替わると、交点３は安定状態でなくなる。しかし、交点３は交点２'より長波長側に位置するため、最終的に交点３'に安定化する。交点３'に安定した状態でバーストオン状態に切り替わると、交点３'は安定状態でなくなる。しかし交点３'は交点２よりも長波長側に位置するため、交点３に安定化する。このように、バーストオン、オフ状態が切り替わった時、リング共振波長は交点３と３'の間を遷移する。この遷移によってロック状態が外れることはなく、バーストオン状態になれば交点３に戻ることが可能である。

図１３は、図５の変形例としてのリング変調器（光半導体素子）１０Ａを示す。図１３では、ｐ型半導体領域とｎ型半導体領域が図５の構成と反対になっている。リング導波路１３の外側がｐ型半導体層１４である。ｐ型半導体層１４に、ｐ型不純物がドープされた蛇行導波路２５がリング導波路１３を取り囲んで形成されている。リング導波路１３の内側はｎ型半導体領域２６である。電極１７はｐ型半導体層２４に電気的に接続され、電極１８はｎ型半導体層２６に電気的に接続されている。

この構成によっても、リング導波路１３に共振波長付近の光が入射したときに、共振光の一部は蛇行導波路２５へ導かれ、不純物に吸収され発熱が生じる。蛇行導波路２５での発熱によりリング導波路１３が加熱され、リング共振波長を入射光（変調を受ける光）の波長に合わせることができる。

図１４は、実施例２のリング変調器１０Ｂを示す。リング変調器１０Ｂは、蛇行導波路３５を有する。蛇行導波路３５は、真正半導体（ｉ−Ｓｉ）のコア領域を金属膜３７で覆ったものである。金属膜３７は、光吸収を行う蛇行導波路３５の上部被覆膜であると同時に、変調用の電極３７として機能する。そのため、金属膜３７は、リング導波路１３の内側のｐ型半導体層１６と隣接するｎ型半導体層１４も覆っている。リング導波路１３の内側のｐ型半導体層１６は、金属膜３８に覆われている。

この構成では、蛇行導波路３５の金属膜３７を変調電極としても利用できるため、電極パターンを大きくすることができ、電極の加工が容易になる。ｎ型半導体層とｐ型半導体層の配置を入れ替えても同様の効果が得られる。

図１５は、実施例３のリング変調器１０Ｃを示す。リング変調器１０Ｃは、リング共振器（リング導波路）１３を加熱するヒータ４１を備える。ヒータ４１は、リング導波路１３の上方にたとえばＴｉ薄膜を形成し、所定の形状に加工することによって形成される。ヒータ４１に図示しない電極を介して電流を流すことにより、ジュール熱を発生させてヒータとして機能させる。ヒータ４１として、Ｔｉの他、Ｗ、Ｐｔ、ドープしたＳｉなどを用いることができる。安定した高抵抗膜を形成できる材料であればこれらの材料に限定されない。

図１６−１８は、実施例４のリング変調器１０Ｄの構成例を示す。図１６では、リング変調器１０Ｄでは、蛇行導波路１５はリング変調器１０Ｄの中心から放射状に広がる形状を有する。蛇行導波路１５を十分に長くとって発熱によるリング導波路１３の温度上昇を効率的に行えるのであれば、蛇行導波路１５の配置形状は任意である。

図１７の変形例では、蛇行導波路１５の途中に分岐５５が設けられている。分岐５５を設けることによって、蛇行導波路１５の発熱の強い領域（伝搬による光強度の低下の少ない領域）をリング導波路１３に近づける配置の自由度が増す。

図１８の変形例では、複数の蛇行導波路１５ａ、１５ｂを配置する。蛇行導波路１５の光伝搬方向に沿って光が進むにつれて発熱量が低減する可能性がある。複数の蛇行導波路１５ａ、１５ｂを配置することで、高発熱部をリング導波路１３の近傍に配置することが容易になる。これにより導波路13の温度上昇効率を高めることができる。

図１９Ａ及び図１９Ｂは、リング変調器１０のリング共振波長を変調される光（入射光）の波長にロックさせるまでの制御フローである。図１９ＡのステップＳ１０１の初期状態で、ヒータへの電圧印加（Ｖheater）と入射光パワー（Ｐlight）の双方はゼロである。ステップ１０３でヒータの動作を開始し、ステップＳ１０５で光源の動作を開始する。ステップＳ１０７でヒータの動作を終了し、ステップＳ１０９で変調動作を開始する。

図１９Ｂでは、ステップＳ２０１の初期状態の後、ステップ２０３で光源の動作を開始し、ステップＳ２０５でヒータの動作を開始する。ステップＳ２０７でヒータの動作を終了し、ステップＳ２０９で変調動作を開始する。

図１９Ａと図１９Ｂのいずれの制御フローにおいても、光源とヒータの両方を動作させた後にヒータを切ることによって、波長のロックを実現している。初期状態でのリング共振波長は、光源から出射される被変調光の波長より短波長になるように設定されている。初期状態でのリング共振波長は、作製精度や温度によりばらつくため、これを考慮して最も長波長にばらついた場合であっても被変調光波長より短波長になるように設定されている。動作時のヒータ電圧V_heater,onは、初期状態でのリング共振波長が最も短波長にばらついた場合であっても、ヒータ動作時に被変調光波長よりも長波長になるように設定されている。

このような制御により、変調動作に先立ってリング変調器の温度をいったん図８の交点３よりも高い温度に引き上げ、その後ヒータを切って自律的な共振波長制御に移行することが可能になる。

図２０は、実施例１のリング変調器１０をＮ個、縦続接続したものである。リング変調器１０₁〜１０_Nは、それぞれリング共振器と、リング共振器に隣接して配置される光吸収能を有する蛇行導波路を有する。リング変調器１０₁〜１０_Nのリング周回光路長は互いに異なっており、λ₁ ^'、λ₂ ^'、…、λ_N ^'の異なる波長を共振波長として持つ。直線導波路入力部に、λ₁、λ₂、…、λ_Nの発振波長を持つ多波長光源７１が接続されている。

図２１の初期状態（１）において、多波長光源７１の各波長λ₁、λ₂、…、λ_Nは、初期状態における対応するリング変調器１０₁〜１０_Nの共振波長λ₁ ^'、λ₂ ^'、…、λ_N ^'より長波長に設定してある。

図２１の状態（２）に示すように、リング変調器１０₁〜１０_Nの図示しないヒータを動作させたときにλ₁ ^'、λ₂ ^'、…、λ_N ^'がλ₁、λ₂、…、λ_Nよりも長波長になるように設計する。この構造で、図１９Ａ及び図１９Ｂに示したフローにしたがって制御する。これにより、図２１の状態（３）に示すように、リング変調器１０₁〜１０_Nの共振波長λ₁ ^'、λ₂ ^'、…、λ_N ^'を、それぞれ光源波長λ₁、λ₂、…、λ_Nの変調に適した波長にロックさせ、変調をかけることが可能になる。図２０の構成では、リング変調器１０₁〜１０_Nの共振波長が入力側（光源側）から出力側に向かって長波長になる構成としたが、共振波長の並びの順序はこれに限定されるものではなく、特に順序を規定しなくてもよい。また、実施例１のリング変調器１０を縦続接続する代わりに、実施例２〜４のリング変調器を縦続接続してもよい。

図２１では、ヒータを動作させたときにリング共振波長が光源波長の1つのみを横切るようなヒータ電圧を想定しているが、2つ以上の光源波長を横切るものであってもよい。

実施形態の構成により、強い共振を持つ高変調効率のリング変調器においても、入射光とリング共振器の間の波長ずれを広い波長範囲で許容することが可能になる。また、変調動作時に変調器消費電力の大半を占めるヒータ消費電力を必要とせず、トランシーバの消費電力低減に大きな寄与をもたらす。また波長制御にモニタＰＤやフィードバック制御回路を省略することができ、低コスト化・小型化が可能になる。

産業上の利用分野

リング共振器を用いた光変調を含む光通信の分野に適用することができる。

１０，１０Ａ〜１０Ｆ リング変調器（光半導体素子）
１３ リング導波路
１４ ｎ型半導体層
１５、２５、３５ 蛇行導波路
１６ ｐ型半導体層
１７、１８ 電圧印加電極
２７ 直線導波路（入出力導波路）
３７、３８ 金属膜
４１ ヒータ

Claims (10)

1. リング導波路と、
   前記リング導波路に光学的に接続され、蛇行して前記リング導波路の少なくとも一部を取り囲む蛇行導波路と、
   を有し、
   前記蛇行導波路は、前記リング導波路から前記蛇行導波路に導波する入射光を吸収して前記リング導波路を加熱することを特徴とする光半導体素子。
2. 前記蛇行導波路は、不純物がドープされた導波路であることを特徴とする請求項１に記載の光半導体素子。
3. 前記リング導波路の外側に位置する第１導電型の半導体層と、
   前記リング導波路の内側に位置する第２導電型の半導体層と、
   をさらに有し、
   前記蛇行導波路は、前記第１導電型の半導体層に形成されることを特徴とする請求項２に記載の光半導体素子。
4. 前記第１導電型の半導体層と前記第２導電型の半導体層のそれぞれに電気的に接続される一対の電極、
   をさらに有することを特徴とする請求項３に記載の光半導体素子。
5. 前記蛇行導波路は、不純物がドープされていないシリコン導波路であり、前記シリコン導波路は第１金属膜で覆われていることを特徴とする請求項１に記載の光半導体素子。
6. 前記第１金属膜は、前記シリコン導波路とともに、前記蛇行導波路と前記リング導波路の間に位置する第１導電型の半導体層を被覆することを特徴とする請求項５に記載の光半導体素子。
7. 前記リング導波路の内側に位置する第２導電型の半導体層と、
   前記第２導電型の半導体層を覆う第２金属膜と、
   をさらに有することを特徴とする請求項６に記載の光半導体素子。
8. 前記リング導波路を加熱するヒータ、
   をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の光半導体素子。
9. 互いに周回光路長が異なる複数のリング共振器と、
   前記複数のリング共振器ごとに設けられる蛇行導波路であって、対応する前記リング共振器に光学的に接続されて前記対応するリング共振器の少なくとも一部を取り囲む蛇行導波路と、
   を有し、前記リング共振器の各々に異なる波長の入射光が導波したときに、前記蛇行導波路は対応するリング共振器から導波する前記入射光を吸収して前記対応するリング共振器を加熱することを特徴とする光半導体素子。
10. リング共振器と、前記リング共振器に光学的に接続され蛇行して前記リング共振器の少なくとも一部を取り囲む蛇行導波路とを有する光半導体素子に入射光を供給し、
    前記光半導体素子を加熱して第１温度まで上昇させ、
    前記加熱を停止した後に、前記光半導体素子に電圧を印加して前記入射光に対する変調を開始し、
    前記変調中に、前記入射光の一部が前記蛇行導波路に導波して吸収され、前記蛇行導波路からの発熱で前記リング共振器を加熱することによって、前記第１温度より低い第２温度で、前記リング共振器の共振波長を前記入射光の波長に固定する、
    ことを特徴とする光変調器の制御方法。

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