JP5817321B2 - 光半導体素子 - Google Patents
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Description
第1実施形態による光半導体素子について図1乃至図16を用いて説明する。
ここで、抵抗24の抵抗値RmをVdd/Ip,maxに設定すると、CW光の波長とリング変調器16の共振波長とが一致するとき、電圧Vmはゼロになる。また、CW光の波長がリング変調器16の共振波長からずれるほど、電圧Vmは電圧Vddに漸近する。
第2実施形態による光半導体素子について図17及び図18を用いて説明する。図1乃至図16に示す第1実施形態による光半導体素子と同一の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し又は簡潔にする。
第3実施形態による光半導体素子について図19乃至図23を用いて説明する。図1乃至図18に示す第1及び第2実施形態による光半導体素子と同一の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し又は簡潔にする。
第4実施形態による光半導体素子について図24及び図27を用いて説明する。図1乃至図23に示す第1乃至第3実施形態による光半導体素子と同一の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し又は簡潔にする。
第5実施形態による光半導体素子について図28及び図30を用いて説明する。図1乃至図27に示す第1乃至第4実施形態による光半導体素子と同一の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し又は簡潔にする。
第6実施形態による光半導体素子について図31を用いて説明する。図1乃至図30に示す第1乃至第5実施形態による光半導体素子と同一の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し又は簡潔にする。
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
前記導波路に光学的に結合するように設けられた周回光路長の異なる複数のリング変調器と、
複数の前記リング変調器のうち、前記入力光の波長に共振波長が一致する前記リング変調器に選択的に変調信号を印加する制御部と
を有することを特徴とする光半導体素子。
前記導波路と光学的に結合するように配されたリング変調器と、前記リング変調器内の光パワーをモニタする光検出器と、前記リング変調器と前記光検出器との間に接続され、前記光検出器により検出された信号に基づいて変調信号を前記リング変調器に印加する制御部とをそれぞれ有する複数の変調部とを有し、
前記複数の変調部は、前記リング変調器の周回光路長が互いに異なっている
ことを特徴とする光半導体素子。
前記制御部は、前記光検出器により検出された前記信号の大きさに基づいて、前記リング変調器に印加する前記変調信号を重み付けする
ことを特徴とする光半導体素子。
前記制御部は、前記光検出器により検出された前記信号の大きさに基づいて、前記変調信号の入力端子と前記リング変調器との間のインピーダンスを変化する
ことを特徴とする光半導体素子。
前記制御部は、前記入力光の波長と前記リング変調器の共振波長とが一致しているときに、前記変調信号を前記リング変調器に印加する
ことを特徴とする光半導体素子。
前記制御部は、前記光検出器により検出された前記信号が最大値を示すとき、前記入力光の波長と前記共振波長とが一致したと判断する
ことを特徴とする光半導体素子。
前記光検出器は、前記リング変調器の一部に形成されている
ことを特徴とする光半導体素子。
前記光検出器の電極と、前記リング変調器の電極とは、別々に形成されている
ことを特徴とする光半導体素子。
前記光検出器は、前記リング変調器の外側に形成されている
ことを特徴とする光半導体素子。
複数の前記リング変調器の共振波長が分布する波長範囲内に、前記入力光の想定波長域が位置している
ことを特徴とする光半導体素子。
前記リング変調器は、光吸収量を変化させることにより前記入力光を変調する
ことを特徴とする光半導体素子。
前記リング変調器は、共振波長を変化させることにより前記入力光を変調する
ことを特徴とする光半導体素子。
12…入力端
14…出力端
16…リング変調器
20…p型デプレッショントランジスタ
22…n型エンハンスメントトランジスタ
24…抵抗
26…バイパスコンデンサ
28…制御部
30…変調信号線
32…Vdd線
33…変調部
34…リング型導波路
36a〜36f…電極
37…光変調部
38…光検出器
52…SOI基板
54…SOI層
56…p+型導電層
58,58a…光吸収層
60…n+型導電層
62…シリコン酸化膜
64a〜64n…VIA配線
80…光半導体素子
82…直線導波路
84…直線導波路
86…リング型導波路
88…ドライバ回路
94a,94b,94c…電極
96…光検出器
98…制御部
100…ヒータ
101…アモルファスシリコン層
102,102a…n型領域
103,103a…p型領域
105…n型層
106…p型層
110,110a…n型InP層
112,112a…量子井戸層
114,114a…p型InP層
116,116a…金属層
118,118a…金属層
120…オペアンプ
S1〜S4…損失曲線
Claims (8)
- 入力光が入力される導波路と、
前記導波路と光学的に結合するように配されたリング変調器と、前記リング変調器内の光パワーをモニタする光検出器と、前記リング変調器と前記光検出器との間に接続され、前記光検出器により検出された信号に基づいて変調信号を前記リング変調器に印加する制御部とをそれぞれ有する複数の変調部とを有し、
前記複数の変調部は、前記リング変調器の周回光路長が互いに異なっており、
前記制御部は、前記光検出器により検出された前記信号の大きさに基づいて、前記リング変調器に印加する前記変調信号を重み付けする
ことを特徴とする光半導体素子。 - 請求項1記載の光半導体素子において、
前記制御部は、前記光検出器により検出された前記信号の大きさに基づいて、前記変調信号の入力端子と前記リング変調器との間のインピーダンスを変化する
ことを特徴とする光半導体素子。 - 請求項1又は2記載の光半導体素子において、
前記制御部は、前記入力光の波長と前記リング変調器の共振波長とが一致しているときに、前記変調信号を前記リング変調器に印加する
ことを特徴とする光半導体素子。 - 請求項3記載の光半導体素子において、
前記制御部は、前記光検出器により検出された前記信号が最大値を示すとき、前記入力光の波長と前記共振波長とが一致したと判断する
ことを特徴とする光半導体素子。 - 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光半導体素子において、
前記光検出器は、前記リング変調器の一部に形成されている
ことを特徴とする光半導体素子。 - 請求項5記載の光半導体素子において、
前記光検出器の電極と、前記リング変調器の電極とは、別々に形成されている
ことを特徴とする光半導体素子。 - 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の光半導体素子において、
前記光検出器は、前記リング変調器の外側に形成されている
ことを特徴とする光半導体素子。 - 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の光半導体素子において、
複数の前記リング変調器の共振波長が分布する波長範囲内に、前記入力光の想定波長域が位置している
ことを特徴とする光半導体素子。
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