JPWO2013124956A1 - 固体撮像装置 - Google Patents

Abstract

複数の画素が画素領域に２次元状に配列されている固体撮像装置である。当該画素が島状半導体に形成されている。この島状半導体の中に、下方より、信号線Ｎ＋領域（２）、Ｐ領域（３）、このＰ領域（３）の上部の側面に、島状半導体の内方からＮ領域（４）、Ｐ＋領域（５）が形成されている。Ｐ領域（３）上に、Ｐ＋領域（６）が形成されている。Ｐ＋領域（５）とＰ＋領域（６）を低レベル電圧、信号線Ｎ＋領域（２）を低レベル電圧よりも大きな高レベル電圧にすることで、Ｎ領域（４）に蓄積された信号電荷が、Ｐ領域（３）を介して、信号線Ｎ＋領域（２）に除去される。

Description

本発明は、固体撮像装置に関し、特に、高画素密度化、低消費電力化、低光漏洩化を図った固体撮像装置に関する。

現在、固体撮像装置は、ビデオカメラ、スチールカメラなどに広く用いられている。固体撮像装置に対し、高画素密度化、高解像度化、カラー撮像における低混色化、高感度化などの性能向上が常に求められている。これに対し、固体撮像装置の高解像度化を実現するために画素高密度化などによる技術革新が行われてきた。

図９Ａ、図９Ｂに従来例の固体撮像装置を示す。
図９Ａに、１個の島状半導体に１個の画素が構成されている従来例の固体撮像装置の断面構造図を示す（例えば、特許文献１を参照）。図９Ａに示すように、この画素を構成する島状半導体１００においては、基板１０１上に、信号線Ｎ^＋領域１０２（以下、「Ｎ^＋領域」をドナー不純物が多く含まれる半導体領域とする。）が形成されている。この信号線Ｎ^＋領域１０２上にＰ領域１０３（以下、アクセプタ不純物が含まれる半導体領域を「Ｐ領域」とする。）が形成され、このＰ領域１０３の外周部に絶縁層１０４が形成され、この絶縁層１０４を介在させてゲート導体層１０５が形成されている。このゲート導体層１０５の上方部におけるＰ領域１０３の外周部に、Ｎ領域（以下、ドナー不純物が含まれた半導体領域を「Ｎ領域」とする。）１０６が形成されている。このＮ領域１０６及びＰ領域１０３上に、Ｐ^＋領域（以下、アクセプタ不純物が多く含まれる半導体領域を「Ｐ^＋領域」とする。）１０７が形成されている。このＰ^＋領域１０７は、画素選択線導体層１０８に接続されている。上述した絶縁層１０４は、島状半導体１００の外周部を囲む状態で互いに繋がっている。この絶縁層１０４と同様に、ゲート導体層１０５も、島状半導体１００の外周部を囲む状態で互いに繋がっている。

この固体撮像装置では、島状半導体１００内において、Ｐ領域１０３とＮ領域１０６とからフォトダイオード領域が形成されている。ここで、光が、島状半導体１００上のＰ^＋領域１０７側から入射すると、当該フォトダイオード領域における光電変換領域にて信号電荷（ここでは、自由電子）が発生する。そして、この信号電荷は、主としてフォトダイオード領域のＮ領域１０６に蓄積される。

また、島状半導体１００内において、このＮ領域１０６をゲート、Ｐ^＋領域１０７をソースとし、信号線Ｎ^＋領域１０２近傍のＰ領域１０３をドレインとした接合電界効果トランジスタが構成されている。そして、この固体撮像装置では、接合電界効果トランジスタのドレイン・ソース間電流（出力信号）が、Ｎ領域１０６に蓄積された信号電荷量に対応して変化し、信号線Ｎ^＋領域１０２から信号出力として取り出される。

さらに、島状半導体１００内には、フォトダイオード領域のＮ領域１０６をソース、ゲート導体層１０５をリセットゲート、信号線Ｎ^＋領域１０２をドレイン、Ｎ領域１０６と信号線Ｎ^＋領域１０２間のＰ領域１０３をチャネルとしたリセットＭＯＳトランジスタが形成されている（以下、このゲート導体層を「リセットゲート導体層」と呼ぶ。）。そして、この固体撮像装置では、このＮ領域１０６に蓄積された信号電荷は、リセットＭＯＳトランジスタのリセットゲート導体層１０５にオン電圧（高レベル電圧）が印加されることによって、信号線Ｎ^＋領域１０２に除去される。

なお、ここで「高レベル電圧」とは、信号電荷が自由電子の場合は、より高いレベルの正電圧を示し、本明細書で以下に使用する「低レベル電圧」とは、この「高レベル電圧」と比較して低い電圧をいうものとする。一方、信号電荷が正孔の場合は、「高レベル電圧」は、より低いレベルの負電圧を意味し、「低レベル電圧」とは、「高レベル電圧」によりも０Ｖに近い電圧をいうものとする。

この固体撮像装置の撮像動作は、信号線Ｎ^＋領域１０２、リセットゲート導体層１０５、Ｐ^＋領域１０７にグランド電圧（＝０Ｖ）が印加された状態で、島状半導体１００の上面からの入射光によって光電変換領域（フォトダイオード領域）に発生した信号電荷をＮ領域１０６に蓄積する信号電荷蓄積動作と、信号線Ｎ^＋領域１０２及びリセットゲート導体層１０５にグランド電圧が印加されるとともに、Ｐ^＋領域１０７にプラス電圧が印加された状態で、蓄積信号電荷量に応じて変化したＮ領域１０６の電位により変調された接合電界効果トランジスタのソース・ドレイン電流を信号電流として読み出す信号電荷読み出し動作と、この信号電荷読み出し動作の後に、Ｐ^＋領域１０７にグランド電圧が印加されるとともに、リセットゲート導体層１０５及び信号線Ｎ^＋領域１０２にプラス電圧が印加された状態で、Ｎ領域１０６に蓄積されている信号電荷を信号線Ｎ^＋領域１０２に除去するリセット動作と、からなる。

図９Ｂに、画素を構成する島状半導体Ｐ１１〜Ｐ３３（図９Ａにおける島状半導体１００に対応する。）が２次元状に配列された画素領域と、この画素領域の周辺に駆動・出力回路を有する従来例の固体撮像装置の模式平面図を示す。ここで、図９Ｂ中のＦ−Ｆ’線に沿った断面構造は図９Ａに示される。信号線Ｎ^＋領域１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃ（図９Ａにおける信号線Ｎ^＋領域１０２に対応する。）上に画素を構成する島状半導体Ｐ１１〜Ｐ３３が形成されている。これら島状半導体Ｐ１１〜Ｐ３３の水平方向に延びる行毎に画素選択線導体層１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃ（図９Ａにおける画素選択線導体層１０８に対応する。）が互いに繋がるように形成され、画素領域の周辺に設けられた画素選択線垂直走査回路１１０に接続されている。これと同様に、画素を構成する島状半導体Ｐ１１〜Ｐ３３の水平方向に延びる行毎にリセットゲート導体層１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃ（図９Ａにおけるゲート導体層１０５に対応する。）が互いに繋がるように形成され、画素領域の周辺に設けられたリセット線垂直走査回路１１２に接続されている。各信号線Ｎ^＋領域１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃの下部は、スイッチＭＯＳトランジスタ１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃに接続されており、各スイッチＭＯＳトランジスタ１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃのゲートは信号線水平走査回路１１６に接続されている。そして、各スイッチＭＯＳトランジスタ１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃのドレインは出力回路１１７に接続されている。そして、スイッチ回路１１８ａ，１１８ｂ，１１８ｃが、各信号線Ｎ^＋領域１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃの上部に接続され、信号電荷蓄積動作時にはグランド電圧（＝０Ｖ）、信号電荷読出し動作時にはフローティング電圧、信号電荷除去動作時にはリセットオンのための高レベル電圧Ｖｒが印加されるように構成されている。

信号電荷蓄積動作は、信号線Ｎ^＋領域１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃにグランド電圧、リセットゲート導体層１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃにリセットオフのための低レベル電圧、画素選択線導体層１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃにグランド電圧が印加されている状態で実行される。

また、信号電荷読出し動作は、リセットゲート導体層１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃにリセットオフのための低レベル電圧、信号電荷を読み出す画素の画素選択線導体層１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃに高レベル電圧、信号電荷を読み出す画素の信号線Ｎ^＋領域１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃに繋がるスイッチＭＯＳトランジスタ１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃのゲートにオン電圧（高レベル電圧）がそれぞれ印加され、スイッチ回路１１８ａ，１１８ｂ，１１８ｃ出力端子がフローティング電圧、出力回路１１７の入力端子が低レベル電圧の状態で、読み出す画素の接合電界効果トランジスタのソース・ドレイン電流が出力回路１１７に取り込まれることにより実行される。

また、信号電荷除去動作は、全画素選択線導体層１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃがグランド電圧、全スイッチＭＯＳトランジスタ１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃがオフになっている状態で、島状半導体Ｐ１１〜Ｐ３３の内で、蓄積信号電荷を除去する画素に繋がるリセットゲート導体層１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃにリセットオンのための高レベル電圧が印加され、スイッチ回路１１８ａ，１１８ｂ，１１８ｃの出力端子がリセットオンのための高レベル電圧Ｖｒになることにより実行される。

図９Ａに示すように、島状半導体１００の高さは、主にフォトダイオードのＮ層１０６の高さＬｄにより決定される。ここで、光は、島状半導体１００上のＰ^＋層１０７の上面から入射する。この入射光による信号電荷発生率は、Ｐ^＋層１２１の上面からＳｉ深さに対して指数関数曲線で減少する特性を持つ。可視光を感知する固体撮像装置においては、感度に寄与する信号電荷を効率よく取り出すには、光電変換領域の深さは２．５〜３μｍが必要である（例えば、非特許文献１を参照）。このため、光電変換フォトダイオードのＮ層１０６の高さＬｄには、少なくとも２．５〜３μｍが必要となる。このＮ層１０６の下にリセットゲート導体層１０５が形成される。リセットゲート導体層１０５は、例えば０．１μｍでも固体撮像装置の正常な動作が行えるので、リセットゲート導体層１０５は、島状半導体１００の底部に近い領域に形成されている。

図９Ｂに示されるように、リセットゲート導体層１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃは行毎に独立して形成されるため、２．５〜３μｍと高さが確保された島状半導体Ｐ１１〜Ｐ３３の底部にリセットゲート導体層１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃを形成することが必要となる。このリセットゲート導体層１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃの形成は、画素集積度が高まるほど、微細加工が必要となり、本固体撮像装置の製造が困難となる。

図１０Ａ、図１０Ｂに、それぞれ、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide semiconductor）固体撮像装置の画素模式図と動作電位変化図を示す。図１０Ａは非特許文献２のＦｉｇ．１に示されるような画素模式図である。図１０Ａ中の点線で囲まれた領域Ａにおいて、１つの画素が構成されている。ここでは、Ｐ領域１２０内にフォトダイオードを形成するＮ領域１２１と、このＮ領域１２１上にＰ^＋領域１２２が形成されている。そして、Ｐ領域１２０上にゲート絶縁層１２４が形成され、このゲート絶縁層１２４上には、Ｎ領域１２１に隣接するようにトランスファ電極ΦＴが形成されている。このトランスファ電極ΦＴに隣接した状態で、Ｐ領域１２０の表面にＮ^＋領域１２３が形成されている。Ｐ^＋領域１２２はグランド電位に固定されている。フォトダイオードはＰ領域１２０とＮ領域１２１とにより形成されている。このようにして、Ｎ領域１２１をソース、Ｎ^＋領域１２３をドレイン、トランスファ電極ΦＴをゲートとしたトランスファＭＯＳトランジスタＭ１が形成されている。そして、Ｎ^＋領域１２３に、リセットＭＯＳトランジスタＭ２のソースと増幅ＭＯＳトランジスタＭ３のゲートが接続され、電源電圧線ＶＤＤにリセットＭＯＳトランジスタＭ１のドレインと増幅ＭＯＳトランジスタＭ３のソースが接続されている。また、列選択ＭＯＳトランジスタＭ４のソースが増幅ＭＯＳトランジスタＭ３のドレインに接続され、ドレインが信号線１２５に接続されている。

この画素において、Ｐ^＋領域１２２側から入射した光はフォトダイオード領域で光電変換されて信号電荷（ここでは自由電子）が発生する。この信号電荷はＮ領域１２１に蓄積される。その後、トランスファ電極ΦＴにオン電圧（高レベル電圧）を印加して、Ｎ領域１２１に蓄積されている信号電荷をＮ^＋領域１２３に転送する。このような動作によって、増幅ＭＯＳトランジスタＭ３のゲート電極電位が、信号電荷量に応じて変化する。次に、列選択ＭＯＳトランジスタＭ４のゲート電極ΦＳにオン電圧（高レベル電圧）を印加すると、増幅ＭＯＳトランジスタＭ３と列選択ＭＯＳトランジスタＭ４を介して、増幅ＭＯＳトランジスタＭ３のゲート電極電位で変調された信号電流が電源電圧線ＶＤＤから信号線１２５に流れ、この信号電流が画素信号として読み出される。そして、リセットＭＯＳトランジスタＭ２のゲート電極ΦＲにオン電圧（高レベル電圧）を印加すると、Ｎ^＋領域１２３に存在する信号電荷が電源電圧線ＶＤＤに除去される。

図１０Ｂに、フォトダイオードＮ領域１２１、トランスファＭＯＳトランジスタＭ１、リセットＭＯＳトランジスタＭ２の電位分布変化図を示す（例えば、非特許文献３のＦｉｇ．２を参照）。図１０Ｂの（ａ）に、Ｐ領域１２０とＮ領域１２１とにより形成されたフォトダイオードと、トランスファＭＯＳトランジスタＭ１領域と、リセットＭＯＳトランジスタＭ２領域の断面図を示す。トランスファＭＯＳトランジスタＭ１のゲート電極Ｔｘ（図１０Ａにおけるトランスファ電極ΦＴに相当する）に隣接して浮遊ダイオードＦＤを形成するＮ^＋領域１２３と、このＮ^＋領域１２３に隣接するリセットＭＯＳトランジスタＭ２のリセット電極ＲＳＴ（図１０ＡのリセットＭＯＳトランジスタのゲート電極ΦＲに相当する）があり、このリセット電極に隣接するＰ領域１２０の表面に電源電圧線ＶＤＤに繋がるリセットＭＯＳトランジスタＭ２ドレインのＮ^＋領域１２６が形成されている。

図１０Ｂの（ｂ）に、信号電荷蓄積動作時における、図１０Ｂの（ａ）のＧ−Ｇ’線に沿った電位分布を示す。実線が各領域の電位の底を示し、斜線部が電荷（この場合は自由電子）を示す。Ｎ領域１２１に蓄積信号電荷１２８があり、Ｎ^＋領域１２３，１２６に、多数の電荷１２９ａ，１２９ｂ（この場合は自由電子）がある。トランスファ電極Ｔｘ、リセット電極ＲＳＴにはオフ電圧（低レベル電圧）が印加されており、蓄積信号電荷１２８がフォトダイオードＮ領域１２１から、Ｎ^＋領域１２３とリセットＭＯＳトランジスタのドレインＮ^＋領域１２６とに転送されないようになっている。

図１０Ｂの（ｃ）に、フォトダイオードのＮ領域１２１に蓄積された信号電荷１２８をＮ^＋領域１２３に転送するときの電位分布を示す。この転送はトランスファ電極Ｔｘにオン電圧（高レベル電圧）が印加されることにより行われる。蓄積信号電荷１２８は、Ｎ領域１２１からトランスファ電極Ｔｘの下方のＰ領域１２３の表層を通り、Ｎ^＋領域１２３に転送される。この転送時において、図１０Ｂの（ｃ）に示すように、Ｎ領域１２１の信号電荷１３０ａが減少し、Ｎ^＋領域１２３の信号電荷１３０ｃが増加する。そして、信号電荷１３０ａ，１３０ｂが尽きた時点で、この信号電荷転送動作が終了する。Ｎ^＋領域１２３に信号電荷１２８が転送されることによって、Ｎ^＋領域１２３に接続された増幅ＭＯＳトランジスタＭ３のゲート電極の電位が変化し、この電位変化量に応じて、信号電荷読出し動作時に信号線１２５に流れる信号電流が変化し、信号出力として読み出される。

この信号電荷読出し動作後、図１０Ｂの（ｄ）に示すように、リセットＭＯＳトランジスタＭ２のゲート電極ＲＳＴにオン電圧（高レベル電圧）を印加して、浮遊ダイオードＮ^＋領域１２３の信号電荷１３０ｃをリセットＭＯＳトランジスタＭ２のドレインであるＮ^＋領域１２６に除去する。この信号電荷除去動作の際に、Ｎ^＋領域１２３の電位は、リセットされ、リセット電極ＲＳＴの下方のＰ領域１２０の表層の電位１３１と同じ電位となる。

上述したように、図１０Ａに示す画素を持つ固体撮像装置においては、画素内にトランスファＭＯＳトランジスタＭ１、リセットＭＯＳトランジスタＭ２が必要となる。このようなトランスファＭＯＳトランジスタＭ１、リセットＭＯＳトランジスタＭ２の存在により、画素集積度の低下を招くことになる。

以下、図１１Ａ、図１１Ｂを参照して、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）固体撮像装置における信号電荷除去動作を説明する。図１１Ａは、ＣＣＤ固体撮像装置における１つの画素の断面構造を示す（例えば非特許文献４のＦｉｇ．１を参照）。Ｎ領域基板１４０上にＰ領域ウエル１４１が形成され、このＰ領域ウエル１４１上にＮ領域１４２が形成されている。Ｐ領域ウエル１４１とＮ領域１４２とによりフォトダイオード部が形成されている。そして、Ｎ領域１４２上にＰ^＋領域１４３が形成され、このＰ^＋領域１４３はグランド電位（＝０Ｖ）になっている。フォトダイオード部に隣接してＣＣＤ部が形成されている。ＣＣＤ部のＰ領域ウエル１４１の表面に、このＣＣＤ部のチャネルとなるＰ領域１４４とＮ領域１４５とが形成されている。このＣＣＤ部のチャネルとフォトダイオードＮ領域１４２との間のＰ領域ウエル１４１の表層にフォトダイオード部に蓄積された信号電荷をＣＣＤ部チャネルのＮ領域１４５に転送するための転送チャネル１４６が形成されている。Ｐ^＋領域１４３、転送チャネル１４６、ＣＣＤ部チャネルのＮ領域１４５上に絶縁膜１４７が形成されている。そして、ＣＣＤ部の絶縁膜１４７内にＣＣＤ転送電極１４８が形成され、その上部にＣＣＤ部を覆うように光遮蔽用金属層１４９が形成されている。そして、フォトダイオード部及びＣＣＤ部の上部に透明樹脂マイクロレンズ１５０が形成されている。１つの画素は、図１１Ａで示すフォトダイオード部とＣＣＤ部により構成されている。ＣＣＤ固体撮像装置の画素領域の全面に亘って、この画素が２次元状に配列されている。そして、Ｎ領域基板１４０とＰ領域ウエル１４１が、画素領域全域に亘って連続して形成されている。

前述したフォトダイオード部に蓄積された信号電荷をＣＣＤに転送する動作は、ＣＣＤ転送電極１４８に所定の電圧を印加して行なわれる。信号電荷除去動作は、信号電荷蓄積動作後に、Ｎ領域基板１４０に高レベル電圧を印加することにより、Ｎ領域１４２に蓄積されている信号電荷をＮ領域基板１４０に除去することにより行われる。また、この信号電荷蓄積動作と信号電荷除去動作とを画素領域全域の画素において同期して行い、信号電荷蓄積時間を変化することによりシャッタ動作のタイミングを変化させることができる。このシャッタ動作は電子シャッタと呼ばれている。

図１１Ｂは、図１１ＡのＨ−Ｈ’線に沿った、信号電荷除去時における電位分布を示す（非特許文献４のＦｉｇ．１４を参照）。Ｐ^＋領域１４３はグランド電位Ｖｓ（＝０Ｖ）に固定されている。信号電荷蓄積動作時においては、Ｎ領域基板１４０に低レベル電圧ＶＲＬが印加された電位分布１５１ａとなっている。この動作時では、マイクロレンズ１５０側から照射された光により発生した信号電荷１５２ａ（本図では、信号電荷を非特許文献３に記載された「ｅ−」で表記しており、図１０Ｂにおける斜線部で示す信号電荷１２８，１３０ａ，１３０ｂ，１３０ｃと同じである）は、Ｎ領域１４２とＰ領域ウエル１４１にある電位井戸（Potential well）に蓄積される。そして、信号電荷除去動作時には、Ｎ領域基板１４０に高レベル電圧ＶＲＨが印加された電位分布１５２ｂとなり、グランド電位のＰ^＋領域１４３からＮ領域基板１４０に向けて電位が深くなる。これによって蓄積信号電荷１５２ｂはＮ領域基板１４０へ除去される。

上述した信号電荷蓄積動作においては、電位井戸内に発生する信号電荷が信号として有効となり、電位井戸よりも下方にあるＰ領域ウエル１４１、Ｎ領域基板１４０で発生する信号電荷はＮ領域基板１４０に除去されるため、信号として無効になる。この電位井戸の深さＬｐｈは、要求される分光感度特性から、非特許文献１に記載されているように２．５〜３μｍとなる。さらに、信号電荷除去動作時の電位分布において、Ｐ^＋領域１４３からＮ領域基板１４０まで、信号電荷１５１の転送時に電位障壁（Potential barrier）が発生することは望ましくない。このため、Ｎ領域基板１４０への印加電圧ＶＲＨは１８〜３０Ｖとする。これはＮ領域１４２とＰ領域ウエル１４１とからなる光電変換領域と、Ｐ領域ウエル１４１とＮ領域基板１４０とからなる信号電荷除去領域とが重なっていることによる。これは、図９Ａ、図１０Ａに示す固体撮像装置における信号電荷除去時にリセットゲート導体層１０５、リセットＭＯＳトランジスタＭ２のゲート電極ΦＲへの印加電圧が２〜３Ｖで動作可能であることに比較して、非常に大きな値である。これにより、ＣＣＤ固体撮像装置の消費電力が増加するようになる。

Ｘ−Ｙアドレス（点順次）方式、行アドレス（線順次）方式で画素信号を読み出す、図９Ａ、図１０Ａに示す固体撮像装置では、画素信号電荷の読出し動作と、画素信号電荷の除去動作を画素領域全域の画素で同時に実行することができない。このため、上記したＣＣＤ固体撮像装置における信号電荷除去動作（電子シャッタ動作）を実行することができない。上述したように、図１０ＡのＣＭＯＳ固体撮像装置において、この信号電荷除去動作（電子シャッタ動作）を行うためには、特別なトランジスタを付加することが必要になる（例えば、非特許文献５を参照）。このようなトランジスタの付加は、画素集積度を低下させるようになる。

国際公開第２００９／０３４６２３号

G.Agranov,R.Mauritzson;J.Ladd,A.Dokoutchaev,X.fan,X.Li,Z.Yin,R.Johnson,V.lenchenkov,S.Nagaraja,W.Gazeley,J.Bai,H.Lee,瀧澤義順；"ＣＭＯＳイメージセンサの画素サイズ縮小と特性比較"、映像情報メディア学会技術報告、ITE Technical Report Vol.33,No.38,pp.9-12(Sept.2009) H.Takahashi, M.Kinoshita, K.Morita, T.Shirai, T.Sato, T.Kimura, H.Yuzurihara, S.Inoue, S.Matsumoto: "A 3.9-μm Pixel Pitch VGA Format 10-b Digital Output CMOS Image Sensor With 1.5 Transistor/Pixel", IEEE Journal of Solid-State Circuit, Vo.39, No.12, pp.2417-2425 (2004) P.P.K.Lee, R.C.Gee, R.M.Guidash, T-H.Lee, E.R.Fossum : "An Active Pixel Sensor Fabricated Using CMOS/CCD Process Technology" in Program IEEE Workshop on Charge-Coupled Devices and Advanced Image Sensors, (1995) I.Murakami, T.Nakano, K.Hatano, Y.Nakashiba, M.Furumiya, T.Nagata, T.Kawasaki, H.Utsumi, S.Uchiya, K.Arai, N.Mutoh, A.Kohno, N.teranishi, Y.Hokari : "Technologies to Improve Photo-Sensitivity and Reduce VOD Shutter Voltage for CCD Image Sensors", IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.47, No.8, pp.1566-1572 (2000) K.Yasutomi, T.Tamura, M.Furuta, S.Itoh, S.Kawahito : "A High-Speed CMOS Image Sensor with Global Electronic Shutter Pixel Using Pinned Diodes", IEEJ Trans. SM, Vol.129, No.10, pp.321-327 (2009)

図９Ａに示す１つの島状半導体に１つの画素が構成されている固体撮像装置においては、島状半導体１００の高さは、主にフォトダイオードのＮ層１０６の高さＬｄで決定される。光照射による信号電荷発生率は、Ｐ^＋層１２１の上面からＳｉ深さに対して指数関数曲線に沿って減少する特性を持つため、可視光を感知する固体撮像装置においては、感度に寄与する信号電荷を効率よく取り出すには、光電変換領域の深さは２．５〜３μｍが必要である（例えば、非特許文献１を参照）。このため、光電変換フォトダイオードのＮ層１０６の高さＬｄは、少なくとも２．５〜３μｍが必要となる。このＮ層１０６の下にリセットゲート導体層１０５が形成される。リセットゲート導体層１０５は、例えば０．１μｍでも正常動作がなされるので、リセットゲート導体層１０５は、島状半導体１００において、ほとんど底部に形成されている。そして、図９Ｂに示されるように、リセットゲート導体層１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃは行毎に独立しているため、２．５〜３μｍの高さを有する島状半導体Ｐ１１〜Ｐ３３の底部にリセットゲート導体層１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃを形成することが必要になる。このようなリセットゲート導体層１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃの存在によって、画素集積度が高まるほど、本固体撮像装置の製造が困難となる。

また、図１０Ａに示す画素を有するＣＭＯＳ固体撮像装置においては、画素内にリセットＭＯＳトランジスタＭ２が必要となる。このリセットＭＯＳトランジスタＭ２の存在によって、画素集積度が低下する。

図１１Ａに示すＣＣＤ固体撮像装置においては、図１１Ｂに示すように信号電荷を蓄積する電位井戸の深さＬｐｈは、要求される分光感度特性から、非特許文献１に開示のように２．５〜３μｍとなる。さらに、信号電荷除去動作時の電位分布は、Ｐ^＋領域１４３からＮ領域基板１４０まで、信号電荷１５１の転送において電位障壁（Potential barrier）が発生することが必要になる。このため、Ｎ領域基板１４０への印加電圧ＶＲＨは１８〜３０Ｖといった高い印加電圧が必要になる。これにより、ＣＣＤ固体撮像装置の消費電力が増加する。

本発明の固体撮像装置は、
複数の画素が画素領域に２次元状に配列されている固体撮像装置において、
基板上に形成された第１の半導体領域と、
前記第１の半導体領域上に形成された第２の半導体領域と、
前記第２の半導体領域の上部側面に形成された第３の半導体領域と、
前記第２の半導体領域の側面に対向しない前記第３の半導体領域の側面に形成され、前記第３の半導体領域と反対導電性の第４の半導体領域と、
前記第２の半導体領域上に、前記３の半導体領域と反対導電性の第５の半導体領域を、有し、
前記第２の半導体領域は、前記第３の半導体領域と反対導電性の半導体または真性型半導体からなり、
少なくとも、前記第２の半導体領域の上部、前記第３の半導体領域、前記第４の半導体領域及び前記第５の半導体領域が島状半導体に形成され、
前記第２の半導体領域と前記第３の半導体領域とによりフォトダイオードが形成され、
前記フォトダイオード領域に入射した電磁エネルギー波により発生した信号電荷を、前記第３の半導体領域に蓄積する信号電荷蓄積動作が実行され、
前記第１の半導体領域及び前記第５の半導体領域の内の一方をドレインとするとともに他方をソースとし、前記信号電荷を蓄積する前記第３の半導体領域をゲートとした接合電界効果トランジスタが形成され、
前記第３の半導体領域に蓄積された信号電荷量に応じて、前記接合電界効果トランジスタの前記ソース及びドレイン間に流れる電流を信号出力として読み出す画素信号読出し動作が実行され、
前記第４の半導体領域及び前記第５の半導体領域を低レベル電圧とし、前記第１の半導体領域を前記低レベル電圧よりも高い高レベル電圧とすることで、前記第１の半導体領域及び前記第３の半導体領域の間に存在する前記第２の半導体領域において電位障壁をなくし、当該電位障壁のない第２の半導体領域を介して、前記第３の半導体領域に蓄積された信号電荷を、前記第３の半導体領域から前記第１の半導体領域に除去する信号電荷除去動作が実行される、
ことを特徴とする。

前記第４の半導体領域が前記第５の半導体領域に接続されている、
ことが好ましい。

前記第３の半導体領域と前記第４の半導体領域とは前記第５の半導体領域から離間しており、前記第４の半導体領域の外周部に、絶縁層を介して第１の導体層が形成され、前記第３の半導体領域に蓄積された信号電荷を前記第１の半導体領域へ除去する期間において、前記第４の半導体領域が前記高レベル電圧よりも低い低レベル電圧となるとともに、前記第１の半導体領域には高レベル電圧が印加され、かつ、前記第１の導体層には、前記信号電荷が蓄積される所定の電圧が印加されるように構成されている、
ことが好ましい。

前記第１の半導体領域が、
前記接合電界効果トランジスタのソースまたはドレインとなる第６の半導体領域と、前記第３の半導体領域に蓄積された信号電荷を除去する第７の半導体領域と、を備え、
前記第６の半導体領域と前記第７の半導体領域との間には、前記第２の半導体領域が延在している、
ことが好ましい。

前記信号電荷蓄積動作と前記画素信号読出し動作とが実行される期間に前記第７の半導体領域に印加される電圧が、前記信号電荷除去動作が実行される期間に前記第７の半導体領域に印加される電圧よりも低く設定されている、
ことが好ましい。

前記画素は２次元状に配列され、当該２次元配列の画素の内の少なくとも１つの行に並ぶ画素の信号電流を、垂直方向に並ぶ画素からなる列に沿って配列され前記第１の半導体領域を互いに接続する信号線を介して、前記画素領域の外部に設けた行画素信号取り込み回路に同時に読み込むとともに、前記少なくとも１つの行に並ぶ画素の信号出力を、前記行画素信号取り込み回路に設けた出力回路から読み出す動作が実行され、前記信号電荷除去動作が実行される期間に、前記少なくとも１つの行に並ぶ画素の前記第５の半導体領域に接続された画素選択線に前記低レベル電圧が印加されるとともに、その他の行に並ぶ画素に接続された画素選択線に前記高レベル電圧が印加され、当該高レベル電圧が印加される高レベル電圧印加期間において、前記画素からなる列に接続される前記信号線に高レベル電圧が印加される、
ことが好ましい。

前記第２の半導体領域、前記第３の半導体領域及び前記第４の半導体領域を囲むように絶縁層が形成されるとともに、前記絶縁層を囲むように光遮蔽導体層が形成される、
ことが好ましい。

前記光遮蔽導体層が、前記画素領域の画素の前記島状半導体側面に形成されるとともに、前記画素領域の全体に亘って連続して形成されている、
ことが好ましい。

前記光遮蔽導体層が、前記画素領域の画素に形成されるとともに、前記画素領域に亘って連続して形成され、かつ、前記光遮蔽導体層には、グランド電圧または前記低レベル電圧が印加されるように構成されている、
ことが好ましい。

前記光遮蔽導体層が、前記画素領域の画素に接続されるとともに、前記画素領域の全体に亘って形成され、前記光遮蔽導体層には、前記信号電荷除去動作が実行される期間において、前記信号線に前記高レベル電圧が印加されている期間の一部の期間、または、全部の期間に重なるように、前記高レベル電圧が印加され、前記信号電荷除去動作が実行される期間を除いた期間には、前記信号線に、グランド電圧または低レベル電圧が印加されるように構成されている、
ことが好ましい。

前記光遮蔽導体層が、前記第２の半導体領域、前記第３の半導体領域及び前記第４の半導体領域の外周の絶縁層を囲むように形成されるとともに、少なくとも２つの独立した部位に分離されている、
ことが好ましい。

前記光遮蔽導体層は前記第５の半導体層に接続されている、
ことが好ましい。

本発明によれば、固体撮像装置において、リセット導体層が不要となるとともに、画素集積度が向上し、固体撮像装置の製造が容易となる。
また、ＣＭＯＳ固体撮像装置が画素内に必要とするリセットＭＯＳトランジスタが不要となるとともに、画素集積度が向上し、信号電荷除去動作における印加電圧が低減される。

本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の画素断面構造図である。 第１の実施形態に係る固体撮像装置の、図１ＡのＡ−Ａ’線に沿った信号電荷蓄積動作時と信号電荷除去動作時における電位分布を示す。 本発明の第２の実施形態に係る固体撮像装置の模式平面図である。 第２の実施形態に係る固体撮像装置の模式回路平面図である。 第２の実施形態に係る固体撮像装置の、画素選択線Φｐ１〜Φｐ３と、信号線Φｓ１〜Φｓ３に印加される駆動電圧波形と信号出力端子Ｖｏｕｔにおける電圧波形の関係を示す電圧波形図である。 本発明の第３の実施形態に係る固体撮像装置の画素断面構造図である。 第３の実施形態に係る固体撮像装置の模式平面図である。 本発明の第４の実施形態に係る固体撮像装置の模式平面図である。 第４の実施形態に係る固体撮像装置の、パルス電圧源Φｎ電圧波形と、画素選択線Φｐ１〜Φｐ３と、信号線Φｓ１〜Φｓ３に印加される駆動電圧波形と信号出力端子Ｖｏｕｔにおける電圧波形との関係を示す電圧波形図である。 本発明の第４の実施形態に係る固体撮像装置における、図３Ａの画素断面構造図のＣ−Ｃ’線に沿った領域での信号電荷信号電荷除去動作時における電位分布変化図である。 本発明の第５の実施形態に係る固体撮像装置の画素断面構造図である。 第５の実施形態に係る固体撮像装置の模式平面図である。 本発明の第６の実施形態に係る固体撮像装置の画素断面構造図である。 第６の実施形態に係る固体撮像装置の模式平面図である。 本発明の第７の実施形態に係る固体撮像装置の画素断面構造図である。 第７の実施形態に係る固体撮像装置の画素断面構造図である。 本発明の第８の実施形態に係る固体撮像装置の画素断面構造図である。 従来例の固体撮像装置の画素断面構造図である。 従来例の固体撮像装置の模式平面図である。 従来例のＣＭＯＳ固体撮像装置の画素模式図である。 従来例のＣＭＯＳ固体撮像装置における信号電荷蓄積動作時と信号電荷除去動作時の電位分布変化図である。 従来例の固体撮像装置の画素断面構造図である。 従来例のＣＭＯＳ固体撮像装置における信号電荷蓄積動作時と信号電荷除去動作時の電位分布変化図である。

以下、本発明の実施形態に係る固体撮像装置について、図面を参照しながら説明する。

（第１の実施形態）
図１Ａ、図１Ｂに、第１の実施形態の固体撮像装置を示す。図１Ａに、固体撮像装置の１画素の断面構造図を示す。基板１上に、信号線Ｎ^＋領域２が形成され、この信号線Ｎ^＋領域２上に島状半導体ＳＰが形成されている。島状半導体ＳＰの信号線Ｎ^＋領域２上にＰ領域３が形成され、このＰ領域３上部の外周部に、Ｎ領域４が形成されている。そして、このＮ領域４を囲む島状半導体ＳＰの側面にＰ^＋領域５が形成されている。このＰ^＋領域５に接続されたＰ^＋領域７が島状半導体ＳＰの上表面に形成されている。そして、Ｐ^＋領域６に画素選択線導体層７が接続されている。そして、絶縁層８が、信号線Ｎ^＋領域２、島状半導体ＳＰの外周部を囲むように形成されている。本発明の固体撮像装置においては、図９Ａに示す従来例の固体撮像装置で必要となったリセット導体層１０５が存在しない。また、Ｎ領域４の外周部に形成されたＰ^＋領域５が、島状半導体ＳＰのＰ^＋領域６に接続されている。

本固体撮像装置では、Ｐ領域３とＮ領域４とからフォトダイオード領域が形成されており、入射光が、島状半導体ＳＰのＰ^＋領域６側から照射されると、フォトダイオード領域で信号電荷（ここでは、自由電子）が発生する。そして、この信号電荷は、主として、上記フォトダイオード領域のＮ領域４に蓄積される。また、島状半導体ＳＰ内において、このＮ領域４をゲート、Ｐ^＋領域６をソース、信号線Ｎ^＋領域２近傍のＰ領域３をドレインにした接合電界効果トランジスタが形成されている。そして、接合電界効果トランジスタのドレイン・ソース間電流（出力信号）が、Ｎ領域４に蓄積された信号電荷量に対応して変化し、信号線Ｎ^＋領域２から信号出力として読み出される。さらに、このＮ領域４に蓄積された信号電荷は、Ｐ^＋領域６をグランド電位（＝０Ｖ）にして、信号線Ｎ^＋領域２に高レベル電圧が印加されることで信号線Ｎ^＋領域１０２に除去される。

図１Ｂに、図１ＡのＡ−Ａ’線に沿った、信号電荷蓄積動作時と信号電荷除去動作時における電位分布を示す。図１Ｂの（ａ）に、図１ＡのＡ−Ａ’線に沿う拡大断面図を示す。Ｐ領域３の一方側にフォトダイオードのＮ領域４と、Ｐ^＋領域６に接続されたＰ^＋領域５とが形成され、他方側に信号線Ｎ^＋領域２が形成されている。そして、Ｐ^＋領域５、信号線Ｎ^＋領域２、及び、それらの間に存在するＰ領域３上に絶縁層８が形成されている。

図１Ｂの（ｂ）に、信号電荷蓄積動作時における電位分布９ａを示す。この電位分布９ａは、信号電荷である自由電子が存在するか、或いは移動する伝導帯の底部の電位で表している。この信号電荷蓄積動作時においては、Ｐ^＋領域５及び信号線Ｎ^＋領域２の電位はグランド電位（＝０Ｖ）になっている。また、信号線Ｎ^＋領域２には、多数の自由電子１１ａが存在している。そして、フォトダイオードのＮ領域４に、電位井戸を有する電位分布９ａが生じている。ここでは、光照射により発生した信号電荷１０ａは、電位井戸に蓄積され、信号線Ｎ^＋領域２には移動しない。

図１Ｂの（ｃ）に、信号電荷除去動作時における電位分布９ｂを示す。この信号電荷除去動作時においては、Ｐ^＋領域５はグランド電位になっており、信号線Ｎ^＋領域２に高レベル電圧Ｖｒｈが印加されている。ここでは、Ｎ領域４から信号線Ｎ^＋領域２に向けて電位が高くなる電位分布９ｂが形成されている。これによって、Ｎ領域４の信号電荷１０ｂは信号線Ｎ^＋領域２に除去される。また、Ｎ領域４と信号線Ｎ^＋領域２との間のＰ領域３の電位分布９ｂは、信号電荷（自由電子）の移動に対して電位障壁が生じないようにされている。図１１Ａに示す従来例では、Ｎ領域１４２とＰ領域ウエル１４１とからなる光電変換領域と、Ｐ領域ウエル１４１とＮ領域基板１４０とからなる信号電荷除去領域が重なっている。これに対して、本実施形態では、図１Ａに示すように光電変換領域はフォトダイオードのＮ領域４から形成され、信号電荷除去領域はＮ領域４と信号線Ｎ^＋領域２との間のＰ領域３から形成されているので、光電変換領域、信号電荷除去領域がそれぞれ形成される領域は互いに重ならない。このため、信号電荷除去領域は、Ｎ領域４と信号線Ｎ^＋領域２との間のＰ領域３によって、信号電荷蓄積動作時において、図１Ｂの（ｂ）で示す電位分布９ａ（電位井戸）が形成される。また、図１Ｂの（ｃ）に示すように、Ｎ領域４と信号線Ｎ^＋領域２との間のＰ領域３の電位が、信号電荷（自由電子）の移動に対する電位障壁を生じないという条件を満足しさえすれば、このＮ領域４と信号線Ｎ^＋領域２との間のＰ領域３の長さを可能な限り短くすることができる。このため、Ｎ^＋領域２への印加電圧Ｖｒｈは、図１１Ａに示すＣＣＤ固体撮像装置より小さくすること、即ち、例えば３〜５Ｖと低電圧化することが可能となる。これにより、本実施形態の固体撮像装置による消費電力の増大が抑制され、信号電荷除去動作が可能となる。

さらに、本実施形態の固体撮像装置では、図９Ａ、図９Ｂに示す固体撮像装置のように、島状半導体１００，Ｐ１１〜Ｐ３３の底部に、画素集積度が上がるほど微細加工が必要となるリセット導体層１０５，１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃが不要である。これによって、画素集積度が向上するとともに、固体撮像装置の製造が容易化される。そして、図９Ａに示す従来例の固体撮像装置における１つの画素では、信号線Ｎ^＋層１０２と、画素選択線導体層１０８に繋がるＰ^＋層１０７と、リセットゲート導体層１０５との３端子駆動により、信号電荷蓄積動作、信号電荷読出し動作、信号電荷除去動作を実行したが、本実施形態の固体撮像装置では、信号線Ｎ^＋層２と画素選択線導体層７とに繋がるＰ^＋層６の２端子駆動で、同じ一連の動作が可能となる。これによって、図９Ｂにおける画素領域の周辺に設けられたリセット線垂直走査回路１１２が不要となる。これにより、固体撮像装置を形成している半導体基板の面積の縮小化、及び、固体撮像装置の低価格化が実現される。さらに、本実施形態での画素では、図１０Ａに示す従来例のＣＭＯＳ固体撮像装置のように画素集積度を低下させるリセットＭＯＳトランジスタが不要となる。

（第２の実施形態）
図２Ａ〜図２Ｃに、第２の実施形態に係る固体撮像装置の駆動方法を示す。

図２Ａに、本実施形態の固体撮像装置の模式平面図を示す。図中のＢ−Ｂ’線に沿った断面構造は図１Ａに対応している。信号線Ｎ^＋層２ａ，２ｂ，２ｃ（図１Ａの信号線Ｎ^＋層２に対応している。）上に３×３画素の島状半導体Ｐ１１〜Ｐ３３（図１Ａの島状半導体ＳＰに対応している。）が形成されている。島状半導体Ｐ１１〜Ｐ３３の水平方向に延びる行毎に画素選択線導体層７ａ，７ｂ，７ｃ（図１Ａの７に対応する）が互いに繋がり、画素領域の周辺の画素選択線垂直走査回路１３に接続されている。信号線Ｎ^＋層２ａ，２ｂ，２ｃの下部は、行画素信号取り込み・出力回路１４に接続されている。この行画素信号取り込み・出力回路１４は、島状半導体Ｐ１１〜Ｐ３３の１つの垂直方向の列の信号を同時に取り込む。そして、行画素信号取り込み・出力回路１４は、これに接続された水平走査回路１５により駆動され、水平有効期間において島状半導体Ｐ１１〜Ｐ３３の１つの画素列の出力信号が順次に信号出力端１７から読み出される。また、各信号線Ｎ^＋領域２ａ，２ｂ，２ｃの上部に繋がるように、信号電荷蓄積動作時にはグランド電圧（＝０Ｖ）、信号電荷読出し動作時にはフローティング電圧、信号電荷除去動作時にはリセットオンのための高レベル電圧Ｖｒｈがそれぞれ印加されるスイッチ回路１６ａ，１６ｂ，１６ｃが形成されている。

図２Ｂに、本実施形態の固体撮像装置の模式回路平面図を示す。信号線Φｓ１，Φｓ２，Φｓ３は、各島状半導体Ｐ１１〜Ｐ３３のＮ^＋層Ｄ１１〜Ｄ３３（図１Ａの信号線Ｎ^＋層２に対応する）と、行画素信号取り込み・出力回路１４と、スイッチ回路１６ａ，１６ｂ，１６ｃに接続されている。そして、画素選択線Φｐ１，Φｐ２，Φｐ３（図２Ａの画素選択線導体層７ａ，７ｂ，７ｃに対応する。）は、各島状半導体Ｐ１１〜Ｐ３３のＰ^＋層Ｓ１１〜Ｓ３３（図１ＡのＰ^＋層６に対応する。）と、画素選択線垂直走査回路１３に接続されている。そして、行画素信号取り込み・出力回路１４から出力される信号は、信号出力端子Ｖｏｕｔ（図２Ａの１７に対応する。）から読み出される。島状半導体Ｐ１１〜Ｐ３３は、画素選択線Φｐ１，Φｐ２，Φｐ３と、信号線Φｓ１，Φｓ２，Φｓ３とに印加される駆動電圧により駆動される。

図２Ｃに、画素選択線Φｐ１，Φｐ２，Φｐ３と、信号線Φｓ１，Φｓ２，Φｓ３とに印加される駆動電圧の波形と信号出力端子Ｖｏｕｔにおける電圧の波形との関係を示す。第１の水平走査期間Ｔｈ１に続いて第２の水平走査期間Ｔｈ２が設定されている。第１の水平走査期間Ｔｈ１は、第１の無効ブランキング期間Ｔｈｂ１と第１の有効期間Ｔｈｅ１とから構成されている。第１の無効ブランキング期間Ｔｈｂ１において、画素選択線Φｐ１に繋がる島状半導体Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３からの画素信号が行画素信号取り込み・出力回路１４に取り込まれる。第１の無効ブランキング期間Ｔｈｂ１は、画素Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３の画素信号を読み出す第１の画素信号読出し期間Ｔｒ１１（この期間では島状半導体Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３の蓄積信号電荷は、島状半導体Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３に蓄積されている。）と、島状半導体Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３の蓄積信号電荷を信号線Φｓ１，Φｓ２，Φｓ３に除去する信号電荷除去期間Ｔｒｅ１と、島状半導体Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３の信号電荷除去後の画素信号を読み出す第２の画素信号読出し期間Ｔｒ１２とから構成されている。そして、第１の画素信号読出し期間Ｔｒ１１の画素信号と、第２の画素信号読出し期間Ｔｒ１２の画素信号との差信号を、例えば相関２重サンプリングＣＤＳ（Correlated double sampling）回路により生成し、第１の水平有効期間Ｔｈｅ１に、島状半導体Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３の画素信号ｓ１，ｓ２，ｓ３を出力端子Ｖｏｕｔから読み出す。以上の動作を、第１の水平走査期間Ｔｈ１に続く第２の水平走査期間Ｔｈ２において行い、島状半導体Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３の画素信号を読み出す。この動作を連続して行うことで、３×３画素を構成する島状半導体Ｐ１１〜Ｐ３３の画素信号が得られる。

第１の信号電荷除去期間Ｔｒｅ１において、島状半導体Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３の蓄積信号電荷は、画素選択線Φｐ１がグランド電位（＝０Ｖ）、信号線Φｓ１，Φｓ２，Φｓ３にリセット高レベル電圧Ｖｒｈを印加することにより除去される。この場合、島状半導体Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３以外の、島状半導体Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３、Ｐ３１，Ｐ３２，Ｐ３３の蓄積信号電荷は除去されないことが必要である。こうした状態は、第１の信号電荷除去期間Ｔｒｅ１における信号線Φｓ１に高レベル電圧Ｖｒｈが印加されている期間ｔｓｈの前後を含む期間ｔｐｈに、画素選択線Φｐ２，Φｐ３に高レベル電圧Ｖｒｈを印加するとともに、信号線Φｓ２，Φｓ３に、信号線Φｓ１と同じ期間ｔｓｈに、それと同じ高レベル電圧Ｖｒｈを印加することにより実現される。信号電荷除去期間ｔｓｈの前後期間ｔｓｌ１，ｔｓｌ２では画素選択線Φｐ２，Φｐ３が高レベル電圧Ｖｒｈ、信号線Φｓ１，Φｓ２，Φｓ３がグランド電位になっている。この場合、島状半導体Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３以外の島状半導体Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３，Ｐ３１，Ｐ３２，Ｐ３３の蓄積信号電荷は、当該島状半導体Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３，Ｐ３１，Ｐ３２，Ｐ３３内に保持された状態で、接合電界効果トランジスタ電流が信号線Φｓ１，Φｓ２，Φｓ３を介して、グランド電位になっているスイッチ回路１６ａ，１６ｂ，１６ｃに流れる。そして、期間ｔｐｈでは、画素選択線Φｐ２，Φｐ３と信号線Φｓ２，Φｓ３とに高レベル電圧Ｖｒｈが印加されるために、島状半導体Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３，Ｐ３１，Ｐ３２，Ｐ３３の蓄積信号電荷が保持された状態で、接合電界効果トランジスタ電流は流れない。このようにして、第１の信号電荷除去期間Ｔｒｅ１においては、画素選択線Φｐ１に接続された島状半導体Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３の蓄積信号電荷のみが除去される。

（第３の実施形態）
以下、図３Ａ，図３Ｂを参照しながら、第３の実施形態に係る固体撮像装置を説明する。本実施形態の固体撮像装置は、第１の実施形態の固体撮像装置と比較して、画素を構成する島状半導体ＳＰ，Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３に入射した光の隣接画素への漏洩を低減することができるという特徴がある。

図３Ａに、本実施形態の固体撮像装置の画素断面構造図を示す。基板１上に形成された島状半導体ＳＰの底部に、信号線Ｎ^＋領域２が形成されている。この信号線Ｎ^＋領域２上にＰ領域３が形成され、このＰ領域３上部の外周部に、Ｎ領域４が形成されている。そして、このＮ領域４を囲み、島状半導体ＳＰの側面にＰ^＋領域５が形成されている。このＰ^＋領域５に接続してＰ^＋領域６が島状半導体ＳＰの上面に形成されている。そして、Ｐ^＋領域６に画素選択線導体層７が接続されている。そして、絶縁層８が、信号線Ｎ^＋領域２、島状半導体ＳＰの外周部を囲むように形成されている。この絶縁層８の外周部であって、Ｐ領域３、Ｎ領域４、Ｐ^＋領域５を囲むように光遮蔽導体層１８が形成されている。この光遮蔽導体層１８は画素領域全域で島状半導体Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３，Ｐ３１，Ｐ３２，Ｐ３３を囲むとともに、互いに繋がるように形成されている。

図３Ｂに、本実施形態の固体撮像装置の模式平面図を示す。画素領域全域の島状半導体Ｐ１１〜Ｐ３３を囲むとともに、画素領域の全域に亘って互いに繋がる光遮蔽導体層１８ａ（図３Ａの光遮蔽導体層１８に対応する）を形成する。この光遮蔽導体層１８ａはグランド電位（＝０Ｖ）となっている。この光遮蔽導体層１８ａを除き、本固体撮像装置の模式平面図は、図２Ａに示すものと同じである。

図１Ａに示す画素断面構造図では、光遮蔽導体層１８が存在しない。この場合、島状半導体ＳＰのＰ^＋領域６側より入射する光が、隣接する島状半導体へ漏洩することを防止することが必要になる。図１Ａに示す実施形態において、このような光漏洩の防止を実現するには、島状半導体ＳＰ上部に、Ｐ^＋領域６上に空隙を有する光遮蔽層を設け、その上に形成したマイクロレンズの形状を入射光が隣接島状半導体へ漏洩しないように光学設計することが必要になる。しかし、このような光遮蔽層、マイクロレンズの設計・形成による対応では、島状半導体ＳＰへの集光率の低下を招く。これに対して、光遮蔽導電層１８を有する本実施形態においては、島状半導体ＳＰに入射した光が隣接する島状半導体に漏洩することを容易に防止することができる。これにより、第３の実施形態の固体撮像装置は、図１Ａに示す第１の実施形態の固体撮像装置よりも隣接する島状半導体への光漏洩が大幅に低減されるようになる。

また、図３Ｂに示すように、本実施形態の固体撮像装置では、光遮蔽導体層１８ａが画素領域全域に亘って互いに繋がるように形成されていればよいので、図９Ａ、図１０Ｂに示す従来例の固体撮像装置におけるゲート導体層１０５，１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃを形成するにときに必要となる、画素領域における微細加工が不要となる。

（第４の実施形態）
以下、図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃを参照しながら、第４の実施形態に係る固体撮像装置を説明する。本実施形態の固体撮像装置は、第３の実施形態の固体撮像装置に対し、さらに固体撮像装置駆動の低消費電力化を実現できるという特徴がある。

図４Ａに、本実施形態の固体撮像装置の模式平面図を示す。図３Ｂに示す第３の実施形態において、光遮蔽導体層１８ａの電位はグランド電位とされていたが、本実施形態の固体撮像装置では、光遮蔽導体層１８ａにパルス電圧が印加されるようにパルス電圧源Φｎが接続されている。

図４Ｂに、パルス電圧源Φｎの電圧波形と、画素選択線Φｐ１，Φｐ２，Φｐ３と、信号線Φｓ１，Φｓ２，Φｓ３とに印加される駆動電圧波形と、信号出力端子Ｖｏｕｔにおける電圧波形との関係を示す。第１の信号電荷除去期間Ｔｒｅ１において、信号線Φｓ１，Φｐ２，Φｐ３に高レベル電圧Ｖｂと、この高レベル電圧Ｖｂよりも更に高レベルである高レベル電圧Ｖｒｈ１（印加期間はｔｓｈ）とが印加された期間ｔｐｈに、画素選択線Φｐ２，Φｐ３に高レベル電圧Ｖｒｈ１を印加し、信号線Φｓ２，Φｓ３に、信号線Φｓ１と同じ期間ｔｓｈにそれと同じ高レベル電圧Ｖｒｈ１を印加する。そして、パルス電圧源Φｎ電圧は、第１の無効ブランキング期間Ｔｈｂ１では、画素選択線Φｐ２，Φｐ３に印加されている期間ｔｐｈには高レベル電圧Ｖａとなっている。そして、第２の無効ブランキング期間Ｔｈｂ２においても、これと同様な動作が繰り返される。

図４Ｃにおける（ａ）〜（ｄ）に、図３Ａに示す画素断面構造のＣ−Ｃ’線に沿う領域における、信号電荷信号電荷除去動作時における電位分布変化を示す。図４Ｃの（ａ）は、図３ＡのＣ−Ｃ’線に沿う領域の拡大図である。Ｐ領域３の片側にフォトダイオードのＮ領域４と、Ｐ^＋領域６に接続されたＰ^＋領域５とが存在し、もう一方の片側に信号線Ｎ^＋領域２が存在する。そして、Ｐ^＋領域５、Ｐ領域３、信号線Ｎ^＋領域２の表面に絶縁層８が形成されている。さらに、この絶縁層８上に光遮蔽導体層１８ａが形成されている。

図４Ｃの（ｂ）に、信号電荷蓄積動作時における電位分布２０を示す。この動作時においては、Ｐ^＋領域５、信号線Ｎ^＋領域２、光遮蔽導体層１８ａの電位はグランド電位になっている。ここでは、信号線Ｎ^＋領域２には、多数の自由電子が存在する状態になっている。そして、フォトダイオードのＮ領域４に電位井戸を有する電位分布２０が生じている。ここでは、光照射により発生した信号電荷２１ａは、電位井戸に蓄積され、信号線Ｎ^＋領域２には移動しない。

図４Ｃの（ｃ）に第１の無効ブランキング期間Ｔｈｂ１における電位分布２２ａ，２２ｂを示す。パルス電圧源Φｎ電圧が高レベル電圧Ｖａ、信号線Φｓ１，Φｓ２，Φｓ３が低レベル電圧Ｖｂになっている第１の信号電荷除去期間Ｔｒｅ１での電位分布２２ａを実線で示す。そして、パルス電圧源Φｎの電圧、画素選択線Φｐ１，Φｐ２，Φｐ３、信号線Φｓ１，Φｓ２，Φｓ３のいずれもがグランド電位になっているときの電位分布２２ｂを点線で示す（第３の実施形態に対応する。）。本実施形態では、光遮蔽導体層１８ａに高レベル電圧Ｖａが印加されることにより、フォトダイオードＮ領域４と信号線Ｎ^＋領域２間の電位が、電位分布２２ａに示すように、光遮蔽導体層１８ａがグランド電位になっている場合の電位分布２２ｂと比較して高くなる。

次に、図４Ｃの（ｄ）に、信号線Φｓ１，Φｓ２，Φｓ３に高レベル電圧Ｖｒｈ１が印加された信号電荷除去期間ｔｓｈにおける電位分布２３ａを実線で示す。そして、パルス電圧源Φｎ電圧がグランド電位とされ、信号線Φｓ１，Φｓ２，Φｓ３に高レベル電圧Ｖｒｈが印加されているときの電位分布２３ｂを点線で示す（第３の実施形態に対応する。）。このように、点線で示す電位分布２３ｂから実線で示す電位分布２３ａに変化し、蓄積信号電荷２１ｂが信号線Ｎ^＋領域２に除去される。この場合、蓄積信号電荷２１ｂが信号線Ｎ^＋領域２に移動するときに、Ｎ領域４と信号線Ｎ^＋領域２との間のＰ領域３の電位分布において電位障壁が形成されないように、十分な高レベル電圧Ｖｒｈ１を信号線Ｎ^＋領域２に印加することが必要である。この高レベル電圧Ｖｒｈ１は、図４Ｃの（ｃ）に示す光遮蔽導体層１８ａに対する高レベル電圧Ｖａの印加によるＰ領域３の電位上昇により、光遮蔽導体層１８ａがグランド電位である場合に必要な信号線Ｎ^＋領域２に印加される高レベル電圧Ｖｒｈよりも低電圧となる。この信号線Ｎ^＋領域への印加電圧は、最大１Ｖ程度に低電圧化される。このような１Ｖの低電圧化は、信号線Ｎ^＋領域２の駆動電圧３〜５Ｖにおいて、固体撮像装置の駆動消費電力の低減に大きく寄与するようになる。そして、固体撮像装置の低駆動電圧化が促されると共に、本実施形態の固体撮像装置の低消費電力化がより一層促進されるようになる。

なお、図４Ｂにおいては、信号線Φｓ１，Φｓ２，Φｓ３に高レベル電圧Ｖｒｈ１が印加されている期間ｔｓｈの前後を含み、画素選択線Φｐ２，Φｐ３に高レベル電圧Ｖｒｈ１が印加されている同じ期間ｔｐｈに、パルス電源Φｎに高レベル電圧Ｖａを印加した場合について説明した。図４Ｃの（ｄ）に示す電位分布２３ａは、光遮蔽導体層１８ａにＶａが印加され、信号線Ｎ^＋領域２に高レベル電圧Ｖｒｈ１が印加されていれば実現される。このため、信号線Φｓ１，Φｓ２，Φｓ３に高レベル電圧Ｖｒｈ１が印加される期間とパルス電源Φｎに高レベル電圧Ｖａが印加される期間が、任意の期間において重なっていれば、本実施形態による効果が得られる。

図４Ｂにおいて、第１の信号電荷除去期間Ｔｒｅ１における期間ｔｓｈの前後の期間では、信号線Φｓ１，Φｐ２，Φｐ３に低レベル電圧Ｖｂが印加されていたが、この代わりにグランド電圧（＝０Ｖ）が印加されていてもよい。この場合、信号線Ｎ^＋領域２からＮ領域４に自由電子が移動しない程度の電圧を光遮蔽導体層１８ａに印加する。

また、図４Ｂにおいては、信号線Φｓ１，Φｓ２，Φｓ３には、期間ｔｐｈ以外の期間は、グランド電位になっていたが、低レベル電圧Ｖｂが印加されていてもよい。この低レベル電圧Ｖｂが印加されている期間において、図４Ｃの（ｂ）に示す信号電荷２１ａが電位井戸に蓄積される電位分布が得られる。このため、第１の信号電荷除去期間Ｔｒｅ１における、信号線Φｓ１，Φｓ２，Φｓ３への印加電圧Ｖｒｈ１が低減されることになる。

（第５の実施形態）
以下、図５Ａ、図５Ｂを参照しながら、第５の実施形態に係る固体撮像装置を説明する。本実施形態の固体撮像装置は、第４の実施形態の固体撮像装置と比較して、より確実な信号電荷除去動作と高速駆動化とが実現されるという特徴がある。

図５Ａに、本実施形態の固体撮像装置の画素断面構造図を示す。基板１上に、信号線Ｎ^＋領域２が形成され、この信号線Ｎ^＋領域２上に島状半導体ＳＰが形成されている。島状半導体ＳＰの信号線Ｎ^＋領域２上にＰ領域３が形成され、このＰ領域３上部の外周部に、Ｎ領域４が形成されている。そして、このＮ領域４を囲み、島状半導体ＳＰの側面にＰ^＋領域５が形成されている。島状半導体ＳＰの外周部に、Ｐ^＋領域５、Ｐ領域３、信号線Ｎ^＋領域２を囲み、絶縁層８が形成されている。このＰ^＋領域５に接続してＰ^＋領域６が島状半導体ＳＰの上面に形成されている。そして、Ｐ^＋領域６に画素選択線導体層７が接続されている。Ｎ領域４と信号線Ｎ^＋領域２との間のＰ領域３に形成された絶縁層８を囲み、第１層目光遮蔽導体層２５ａが形成されている。そして、Ｎ領域４、Ｐ^＋領域５の外周部に形成された絶縁層８を囲み、第２層目光遮蔽導体層２５ｂが形成されている。第２層目光遮蔽導体層２５ｂは画素選択線導体層７と分離されている。第１層目光遮蔽導体層２５ａと第２層目光遮蔽導体層２５ｂのそれぞれは、画素領域の全域に亘って互いに繋がっている。

図５Ｂに、本実施形態の固体撮像装置の模式平面図を示す。図５Ｂ中のＥ−Ｅ’線に沿う断面構造が図５Ａに対応する。第１層目の光遮蔽導体層２５ａが画素領域の島状半導体Ｐ１１〜Ｐ３３を囲むとともに、画素領域の全域に亘って互いに繋るように形成されている。この第１層目の光遮蔽導体層２５ａには、第４の実施形態と同様に、パルス電圧源Φｎが接続されている。そして、第２層目の光遮蔽導体層２５ｂが画素領域の島状半導体Ｐ１１〜Ｐ３３を囲むとともに、画素領域の全域に亘って互いに繋るように形成されている。ここで、この第２層目の光遮蔽導体層２５ａには、グランド電位が印加されている。第１層目の光遮蔽導体層２５ａには、図４Ｂで示すパルス電源Φｎに印加された電圧と同じ波形の電圧が印加される。そして、上述したように、本実施形態の固体撮像装置では、第１層目の光遮蔽導体層２５ａ、第２層目の光遮光導体層２５ｂと共に画素領域全域に繋って形成されていればよいので、第３、第４の実施形態と同様に、図９Ａ、図９Ｂに示す従来固体撮像装置におけるゲート導体層１０５，１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃの形成に必要となる画素領域における微細加工が不要となる。

本実施形態の固体撮像装置では、第１層目の光遮蔽導体層２５ａ、第２層目の光遮光導体層２５ｂが分離されており、信号電荷除去動作時におけるパルス電圧電源Φｎの負荷容量は、第１層目の光遮蔽導体層２５ａに接続された容量となる。この負荷容量は、主として、第１層目の光遮蔽導体層２５ａとＰ領域３との間の絶縁層８による容量である。画素を構成する島状半導体ＳＰ，Ｐ１１〜Ｐ３３の高さは、主として要求分光感度特性からのフォトダイオードのＮ領域４の高さＬｄで決定される。このＮ領域４を囲むように第２の光遮蔽導体層２５ｂが形成されている。このため、信号電荷除去動作時にパルス電圧電源Φｎの負荷容量は、図４Ａに示す第４の実施形態の固体撮像装置と比較して、大幅に低減する。これは、信号電荷除去動作時における、パルス電圧電源Φｎのグランド電位と高レベル電圧Ｖａとの間の立ち上がり・立下り時間を低減させることになるる。これにより、確実な信号電荷除去動作が実現される。また、固体撮像装置の高速撮像動作においては、各動作時間の短縮が求められるので、本実施形態は、このような固体撮像装置の高速化にも寄与する。

（第６の実施形態）
以下、図６Ａ、図６Ｂを参照しながら、第６の実施形態に係る固体撮像装置を説明する。本実施形態では、図１Ａに示す第１の実施形態における画素選択線導体層７を光遮蔽導体層と兼用させることにより、画素を構成する島状半導体Ｐ１１〜Ｐ３３に入射した光の隣接画素への漏洩を低減できるという特徴がある。

図６Ａに、本実施形態の固体撮像装置の画素断面構造図を示す。基板１上に形成された島状半導体ＳＰの底部に、信号線Ｎ^＋領域２が形成されている。この信号線Ｎ^＋領域２上にＰ領域３が形成され、このＰ領域３の上部の外周部に、Ｎ領域４が形成されている。そして、このＮ領域４を囲み、島状半導体ＳＰの側面にＰ^＋領域５が形成されている。このＰ^＋領域５に接続してＰ^＋領域６が島状半導体ＳＰの上面に形成されている。そして、絶縁層８が、信号線Ｎ^＋領域２、島状半導体ＳＰの外周部を囲むように形成されている。この絶縁層８の外周部であって、Ｐ領域３、Ｎ領域４、Ｐ^＋領域５を囲み、Ｐ^＋領域６に接続された光遮蔽画素選択線導体層２６が形成されている。このように、本実施形態において、画素選択線導体層２６は、画素選択線としての機能と、隣接する島状半導体への光漏洩を防止する機能とを兼ね備えている。

図６Ｂに、本実施形態の固体撮像装置の模式平面図を示す。図６ＢにおけるＦ−Ｆ’線に沿う画素断面構造が図６Ａに対応する。図２Ａに示す第２の実施形態の固体撮像装置の模式平面図における画素選択線導体層７ａ，７ｂ，７ｃが、図６Ｂの模式平面図では光遮蔽画素選択線導体層２６ａ，２６ｂ，２６ｃに変更されている。これ以外の図６Ｂで示す構成は図２Ａと同じである。このように、本実施形態では、図３Ａ、図３Ｂに示すような画素選択線導体層７，７ａ，７ｂ，７ｃと光遮蔽導体層１８，１８ａとを別々に形成する必要がなく、光遮蔽画素選択線導体層２６ａ，２６ｂ，２６ｃが両者の機能を兼ね備えるようになる。これにより、固体撮像装置の製造が容易化される。

なお、本実施形態は、図５Ａに示す第５の実施形態における第２の光遮蔽導体層２５ｂと画素選択線導体層７とを一体化する場合にも適用できる。また、図６Ａでは、光遮蔽画素選択線導体層２６の底部が、画素を構成する島状半導体ＳＰの信号線Ｎ^＋領域２の上端に位置するように形成されているが、この信号線Ｎ^＋領域２の上端の上部又は下部に位置していてもよい。
（第７の実施形態）

以下、図７Ａ、図７Ｂを参照しながら、第７の実施形態に係る固体撮像装置を説明する。
図７Ａに、第７の実施形態の第１の固体撮像装置の断面構造を示す。基板１上に、信号線Ｐ^＋領域２８とＰ領域３と信号電荷除去Ｎ^＋領域２９とからなる帯状半導体２７が形成されている。この帯状半導体２７上に島状半導体ＳＰが形成されている。Ｐ領域３は、帯状半導体２７上の島状半導体ＳＰに繋がるように形成されている。このＰ領域３上部の外周部に、Ｎ領域４が形成されている。そして、このＮ領域４を囲み、島状半導体ＳＰの側面にＰ^＋領域５が形成されている。このＰ^＋領域５に接続されてＰ^＋領域７が島状半導体ＳＰの上面に形成されている。そして、Ｐ^＋領域６に画素選択線導体層７が接続されている。そして、絶縁層８が、信号線Ｎ^＋領域２、島状半導体ＳＰの外周部を囲むように形成されている。

本実施形態の固体撮像装置では、Ｐ領域３とＮ領域４とからなるフォトダイオード領域が形成されている。ここで、光が、島状半導体ＳＰのＰ^＋領域６側から入照射すると、当該フォトダイオード領域における光電変換領域にて信号電荷（ここでは、自由電子）が発生する。そして、この信号電荷は、主として、フォトダイオード領域のＮ領域４に蓄積される。また、島状半導体ＳＰ内において、このＮ領域４をゲート、Ｐ^＋領域６をソースとし、信号線Ｐ^＋領域２８をドレインにした接合電界効果トランジスタが形成されている。そして、接合電界効果トランジスタのドレイン・ソース間電流（出力信号）が、Ｎ領域４に蓄積された信号電荷量に応じて変化し、信号線Ｐ^＋領域２８から信号出力として読み出される。さらに、このＮ領域４に蓄積された信号電荷は、Ｐ^＋領域６をグランド電位（＝０Ｖ）にして、信号電荷除去Ｎ^＋領域２９に正のオン電圧が印加されることによって、信号電荷除去Ｎ^＋領域２９に除去される。

図１Ａにおいては、信号線Ｎ^＋領域２が、接合電界効果トランジスタのドレイン・ソース間電流（出力信号）を取り出す機能と、信号電荷を除去する機能を備えていた。これに対して、本実施形態では、信号線Ｎ^＋領域２の領域の代わりに、信号線Ｐ^＋領域２８、Ｐ領域３、信号電荷除去Ｎ^＋領域２９が形成されている。そして、接合電界効果トランジスタのドレイン・ソース間電流（出力信号）の取り出しを信号線Ｐ^＋領域２８が実行し、信号電荷除去を信号電荷除去Ｎ^＋領域２９が実行する。これにより、図１Ａに示す固体撮像装置では、接合電界効果トランジスタのドレイン・ソース間電流を流し始めるための接合電界効果トランジスタのドレイン・ソース間電圧が、信号線Ｎ^＋領域とＰ領域３によるダイオードを順方向バイアスさせるに必要な電圧（シリコン半導体の場合は約０．７Ｖ）以上であるのに対して、本実施形態では、信号線をＰ^＋領域２８とすることによって、０Ｖ近くまで低減することができる。この駆動電圧の低減により、固体撮像素子の駆動消費電力が低減する。また、信号電荷除去を信号線Ｐ^＋領域２８と独立した信号電荷除去Ｎ^＋領域２９で行えるため、信号電荷蓄積期間において、この信号電荷除去Ｎ^＋領域２９に信号電荷除去期間ｔｓｈで印加する高レベル電圧Ｖｐｈよりも低いレベルの低レベル電圧を印加することで、島状半導体ＳＰに過大な照度で入射した光によって発生した過剰の信号電荷を、この信号電荷除去Ｎ^＋領域２９によって除去することができる。

図７Ｂに、本実施形態の第２の固体撮像装置の断面構造を示す。この第２の固体撮像装置では、図７Ａにおける信号線Ｐ^＋領域２８が信号線Ｎ^＋領域３０とされている。それ以外の構成は、図７Ａと同じである。本実施形態では、信号線Ｎ^＋領域２の代わりに、信号線Ｎ^＋領域３０、Ｐ領域３、信号電荷除去Ｎ^＋領域２９を形成し、接合電界効果トランジスタのドレイン・ソース間電流（出力信号）の取り出し動作を信号線Ｎ^＋領域３０が実行し、信号電荷除去動作を信号電荷除去Ｎ^＋領域２９が実行する。図１Ａに示す固体撮像装置では、接合電界効果トランジスタのドレイン・ソース間電流（出力信号）を取り出す機能と、信号電荷を除去する機能を兼ね備えていたのに対して、本実施形態では、図７Ａと同様に出力信号を取り出す機能と信号電荷を除去する機能とを分離している。本実施形態の固体撮像装置は、図７Ａに示す固体撮像装置のように、低消費電力で駆動できるという利点はないが、図１Ａに示す固体撮像装置と比較して、信号線Ｎ^＋領域３０から信号電流を読み出している期間においても、信号電荷除去Ｎ^＋領域２９が所定の電圧に保持され、過大な光照射により発生した過剰の信号電荷を、この信号電荷除去Ｎ^＋領域２９から除去できるという利点がある。
（第８の実施形態）

以下、図８を参照しながら、第８の実施形態に係る固体撮像装置を説明する。

図８に、本実施形態の固体撮像装置の断面構造を示す。図８に示すように、信号線Ｎ^＋領域２が形成されている。この信号線Ｎ^＋領域２上に画素を構成する島状半導体ＳＰが形成されている。島状半導体ＳＰの信号線Ｎ^＋領域２上にＰ領域３が形成され、このＰ領域３上部の外周部に、Ｎ領域４ａが形成されている。そして、このＮ領域４ａを囲み、島状半導体ＳＰの側面にＰ^＋領域５ａが形成されている。そして、絶縁層８が、信号線Ｎ^＋領域２、島状半導体ＳＰの外周部を囲むように形成されている。Ｎ領域４ａ、Ｐ^＋領域５ａの外周部に絶縁層８を介して導体層３１が形成されている。Ｎ領域４ａ、Ｐ^＋領域５ａと離間してＰ^＋領域７が島状半導体ＳＰの上面に形成されている。Ｐ^＋領域６に画素選択線導体層７が接続されている。そして、導体層３１は画素選択線導体層７と離間して形成されている。

本実施形態の固体撮像装置においては、図８を参照して、島状半導体ＳＰの外周部のＰ^＋領域５ａが低レベル電圧になった後、正孔が蓄積される電圧を導体層３１に印加する。そして、Ｐ^＋領域６にグランド電圧、信号線Ｎ^＋領域２に高レベル電圧をそれぞれ印加し、Ｎ領域４ａに蓄積された信号電荷を信号線Ｎ^＋領域２に除去する。このように、導体層３１にの電圧を印加することでも、図１Ａに示す固体撮像装置と同様に、Ｎ領域４ａに蓄積された信号電荷が信号線Ｎ^＋領域２に除去される。この導体層３１は、島状半導体ＳＰに入射する光が、隣接する島状半導体に漏洩することを防止する光遮蔽導体層の機能を備えている。

なお、第１の実施形態では、図１Ａに示すように信号線Ｎ^＋領域２を設けたが、図１ＡにおいてＮ^＋領域をＰ^＋領域、Ｐ領域３をＮ領域、Ｎ領域４をＰ領域、Ｐ領域５，６をＮ^＋領域とすることで、全ての半導体領域の半導体を反対導電型とした固体撮像装置であっても、本実施形態と同様な効果が得られる。このことは、上記各実施形態において共通に適用できる。

図１Ａに示すように、第１の実施形態では、基板１上に信号線Ｎ^＋領域２を形成した。しかしこれに限られず、この基板１は、絶縁層または半導体層であって、上記各実施形態における固体撮像装置の動作が実行されうる材料層であればよい。この態様は、上記各実施形態において共通に適用できる。

図１Ａを用いた第１の実施形態の説明においては、画素選択線導体層７が島状半導体ＳＰの側面からＰ^＋領域７に接続した場合について説明したが、この画素選択導体層が例えば酸化インジウム・スズ（ＩｎＳｎＯ）などの透明導体材料を用いて、島状半導体ＳＰの上面よりＰ^＋領域７と接続してもよい。この態様は、上記各実施形態において共通に適用できる。

第２の実施形態を説明する図２Ｃに示した駆動方法は、第２の実施形態以後の本発明に係わる実施形態においても共通に適用することができることは言うまでもない。なお、図７Ａ、図７Ｂに示す第７の実施形態でのように信号線半導体領域２８、３０と信号電荷除去Ｎ^＋領域２９が分かれている場合には、図２Ｃにおける信号線Φｓ１，Φｓ２，Φｓ３に印加される電圧波形は信号電荷除去Ｎ^＋領域２９に印加される。

第１の実施形態では、図１Ｂに示すように、信号電荷蓄積動作が実行される期間、信号線Ｎ^＋領域２はグランド電圧（＝０Ｖ）を印加したが、これに代えて低レベル電圧を印加してもよい。この状態でも、Ｎ領域４に蓄積された信号電荷１０ａは信号線Ｎ^＋領域２に除去されない。また、図２Ｃにおける第１の信号電荷除去期間Ｔｒｅ１において、信号線Φｓ１，Φｓ２，Φｓ３にグランド電圧が印加されている期間において、低レベル電圧が印加されていてもよい。この態様は、上記各実施形態において共通に適用できる。

また、ここでは、基板１と信号線Ｎ^＋層領域２との間に金属層、またはシリサイド層を設けて信号線Ｎ^＋領域の抵抗値を下げる構造を採用することもできる。この態様は、上記各実施形態においても同様に適用できる。

図１Ａに示す第１の実施形態において、Ｐ領域２は真性型の半導体層から構成されていてもよい。この真正型半導体とは、実質的に一種の元素からなる半導体である。真正型半導体は、不純物が混入しないように製造されるが、実際には不可避的に極微量の不純物を含むものである。この真正型半導体からなるＰ領域２は、固体撮像装置としての機能を阻害しない程度であれば、微量のアクセプタ又はドナー不純物を含んでいても構わない。この態様は、上記各実施形態において共通に適用できる。

第１の実施形態における図１Ａでは、Ｎ^＋領域２を信号線、Ｐ^＋領域６に画素選択線が接続された固体撮像装置を示したが、Ｎ^＋領域が画素選択線、Ｐ^＋領域６が信号線に接続されてもよい。この態様は、上記各実施形態において共通に適用できる。

第１の実施形態における図１Ａでは、Ｎ領域４とＰ^＋領域６とが接していた。しかしこれに限られず、Ｎ領域４とＰ^＋領域６とが離れていても、同様な効果が得られる。

上記各実施形態では、１個の画素、または３×３画素構成の固体撮像装置を用いたが、画素が一次元、または２次元状に配置された固体撮像装置にも本発明の技術思想が適用できることは言うまでもない。

本発明の技術思想を適用した固体撮像装置において、画素の配置は、１次元画素配置であれば、例えば、直線状、ジグザグなどが好ましく、２次元画素配置であれば直線格子状、ハニカム状などが好ましいが、それぞれに限定されない。

また、上記各実施形態に係る島状半導体ＳＰ，Ｐ１１〜Ｐ３３の形状は、円柱、６角形、または、その他の形状とすることができる。

図２Ｃに示す電圧波形で示す動作は、図１Ａに示す断面構造の固体撮像装置のものとしたが、図２に示すような信号線Ｎ^＋領域２、Ｐ^＋領域５及びＰ^＋領域６の電位関係が信号電荷除去期間において得られる固体撮像装置であれば、上記各実施形態に適用することができる。

図３Ｂでは、光遮蔽導体層１８ａにはグランド電圧（＝０Ｖ）を印加した。しかしこれに限られず、グランド電圧に近い低レベル電圧が印加されていても、上記各実施形態と同様な効果が得られる。

また、上記した各実施形態では、光照射により画素内で信号電荷を発生する固体撮像装置としたが、可視光、紫外線、赤外線、Ｘ線、他の電磁線、放射線、電子線などの電磁エネルギー波の照射により画素に信号電荷が発生するその他の半導体装置にも本発明の技術思想が適用できることは言うまでもない。

以上、実施の形態を複数挙げて本発明について詳細に説明したが、本発明の範囲は上記各実施形態に限定されるものではない。当業者によりなされる改良、置換、組み合わせ等は、本発明の技術思想を超えない限り、本発明の範囲に含まれる。

ＳＰ，Ｐ１１〜Ｐ３３，１００ （画素を構成する）島状半導体
１ 基板
２，２ａ，２ｂ，２ｃ，Ｄ１１〜Ｄ３３ 信号線Ｎ^＋領域
３ Ｐ領域
４，４ａ Ｎ領域
５，５ａ，６，Ｓ１１〜Ｓ３３ Ｐ^＋領域
７，７ａ，７ｂ，７ｃ 画素選択線導体層
８ 絶縁層
１０，１２，２１ａ，２１ｂ 信号電荷
１３ 画素選択線垂直走査回路
１４ 行画素信号取り込み・出力回路
１５ 水平走査回路
１６ａ，１６ｂ，１６ｃ スイッチ回路
Φｐ１，Φｐ２，Φｐ３ 画素選択線
Φｓ１，Φｓ２，Φｓ３ 信号線
Ｖｏｕｔ 信号出力端子
Ｔｈ１ 第１の水平走査期間
Ｔｈ２ 第２の水平走査期間
Ｔｈｂ１ 第１の無効ブランキング期間
Ｔｈｅ１ 第１の有効期間
Ｔｒ１１ 第１の画素信号読出し期間
Ｔｒ１２ 第２の画素信号読出し期間
Ｔｒｅ１ 第１の信号電荷除去期間
１８，１８ａ，２６ 光遮蔽導体層
Φｎ パルス電圧源
２０，２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂ 電位分布
２５ａ 第１層目光遮蔽導体層
２５ｂ 第２層目光遮蔽導体層
２６，２６ａ，２６ｂ，２６ｃ 光遮蔽画素選択線導体層
２８ 信号線Ｐ^＋領域
３０ 信号線Ｎ^＋領域
２９ 信号電荷除去Ｎ^＋領域

さらに、島状半導体１００内には、フォトダイオード領域のＮ領域１０６をソース、ゲート導体層１０５をリセットゲート、信号線Ｎ^＋領域１０２をドレイン、Ｎ領域１０６と信号線Ｎ^＋領域１０２間のＰ領域１０３をチャネルとしたリセットＭＯＳトランジスタが形成されている（以下、このゲート導体層１０５を「リセットゲート導体層」と呼ぶ。）。そして、この固体撮像装置では、このＮ領域１０６に蓄積された信号電荷は、リセットＭＯＳトランジスタのリセットゲート導体層１０５にオン電圧（高レベル電圧）が印加されることによって、信号線Ｎ^＋領域１０２に除去される。

なお、ここで「高レベル電圧」とは、信号電荷が自由電子の場合は、より高いレベルの正電圧を示し、本明細書で以下に使用する「低レベル電圧」とは、この「高レベル電圧」と比較して低い電圧をいうものとする。一方、信号電荷が正孔の場合は、「高レベル電圧」は、より低いレベルの負電圧を意味し、「低レベル電圧」とは、「高レベル電圧」よりも０Ｖに近い電圧をいうものとする。

この固体撮像装置の撮像動作は、信号線Ｎ^＋領域１０２、リセットゲート導体層１０５、Ｐ^＋領域１０７にグランド電圧（＝０Ｖ）が印加された状態で、島状半導体１００の上面からの入射光によって光電変換領域（フォトダイオード領域）に発生した信号電荷をＮ領域１０６に蓄積する信号電荷蓄積動作と、信号線Ｎ^＋領域１０２及びリセットゲート導体層１０５にグランド電圧が印加されるとともに、Ｐ^＋領域１０７にプラス電圧が印加された状態で、蓄積信号電荷量に応じて変化したＮ領域１０６の電位により変調された接合電界効果トランジスタのソース・ドレイン電流を信号電流として読み出す信号電荷読み出し動作と、この信号電荷読み出し動作の後に、Ｐ^＋領域１０７にグランド電圧が印加されるとともに、リセットゲート導体層１０５及び信号線Ｎ^＋領域１０２にプラス電圧が印加された状態で、Ｎ領域１０６に蓄積されている信号電荷を信号線Ｎ^＋領域１０２に除去する信号電荷除去動作と、からなる。

図９Ｂに、画素を構成する島状半導体Ｐ１１〜Ｐ３３（図９Ａにおける島状半導体１００に対応する。）が２次元状に配列された画素領域と、この画素領域の周辺にある駆動・出力回路を有する従来例の固体撮像装置の模式平面図を示す。ここで、図９Ｂ中のＦ−Ｆ’線に沿った断面構造は図９Ａに示される。信号線Ｎ^＋領域１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃ（図９Ａにおける信号線Ｎ^＋領域１０２に対応する。）上に画素を構成する島状半導体Ｐ１１〜Ｐ３３が形成されている。これら島状半導体Ｐ１１〜Ｐ３３の水平方向に延びる行毎に画素選択線導体層１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃ（図９Ａにおける画素選択線導体層１０８に対応する。）が互いに繋がるように形成され、画素領域の周辺に設けられた画素選択線垂直走査回路１１０に接続されている。これと同様に、画素を構成する島状半導体Ｐ１１〜Ｐ３３の水平方向に延びる行毎にリセットゲート導体層１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃ（図９Ａにおけるゲート導体層１０５に対応する。）が互いに繋がるように形成され、画素領域の周辺に設けられたリセット線垂直走査回路１１２に接続されている。各信号線Ｎ^＋領域１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃの下部は、スイッチＭＯＳトランジスタ１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃに接続されており、各スイッチＭＯＳトランジスタ１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃのゲートは信号線水平走査回路１１６に接続されている。そして、各スイッチＭＯＳトランジスタ１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃのドレインは出力回路１１７に接続されている。そして、スイッチ回路１１８ａ，１１８ｂ，１１８ｃが、各信号線Ｎ^＋領域１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃの上部に接続され、信号電荷蓄積動作時にはグランド電圧（＝０Ｖ）、信号電荷読出し動作時にはフローティング電圧、信号電荷除去動作時にはリセットオンのための高レベル電圧Ｖｒが印加されるように構成されている。

図９Ａに示すように、島状半導体１００の高さは、主にフォトダイオードのＮ層１０６の高さＬｄにより決定される。ここで、光は、島状半導体１００上のＰ^＋層１０７の上面から入射する。この入射光による信号電荷発生率は、Ｐ^＋層１０７の上面からＳｉ深さに対して指数関数曲線で減少する特性を持つ。可視光を感知する固体撮像装置においては、感度に寄与する信号電荷を効率よく取り出すには、光電変換領域の深さは２．５〜３μｍが必要である（例えば、非特許文献１を参照）。このため、光電変換フォトダイオードのＮ層１０６の高さＬｄには、少なくとも２．５〜３μｍが必要となる。このＮ層１０６の下にリセットゲート導体層１０５が形成される。リセットゲート導体層１０５は、例えば０．１μｍでも固体撮像装置の正常な動作が行えるので、リセットゲート導体層１０５は、島状半導体１００の底部に近い領域に形成されている。

図１０Ａ、図１０Ｂに、それぞれ、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide semiconductor）固体撮像装置の画素模式図と動作電位変化図を示す。図１０Ａは非特許文献２のＦｉｇ．１に示されるような画素模式図である。図１０Ａ中の点線で囲まれた領域Ａにおいて、１つの画素が構成されている。ここでは、Ｐ領域１２０内にフォトダイオードを形成するＮ領域１２１と、このＮ領域１２１上にＰ^＋領域１２２が形成されている。そして、Ｐ領域１２０上にゲート絶縁層１２４が形成され、このゲート絶縁層１２４上には、Ｎ領域１２１に隣接するようにトランスファ電極ΦＴが形成されている。このトランスファ電極ΦＴに隣接した状態で、Ｐ領域１２０の表面にＮ^＋領域１２３が形成されている。Ｐ^＋領域１２２はグランド電位に固定されている。フォトダイオードはＰ領域１２０とＮ領域１２１とにより形成されている。このようにして、Ｎ領域１２１をソース、Ｎ^＋領域１２３をドレイン、トランスファ電極ΦＴをゲートとしたトランスファＭＯＳトランジスタＭ１が形成されている。そして、Ｎ^＋領域１２３に、リセットＭＯＳトランジスタＭ２のソースと増幅ＭＯＳトランジスタＭ３のゲートが接続され、電源電圧線ＶＤＤにリセットＭＯＳトランジスタＭ２のドレインと増幅ＭＯＳトランジスタＭ３のソースが接続されている。また、列選択ＭＯＳトランジスタＭ４のソースが増幅ＭＯＳトランジスタＭ３のドレインに接続され、ドレインが信号線１２５に接続されている。

図１０Ｂに、フォトダイオードＮ領域１２１、トランスファＭＯＳトランジスタＭ１、リセットＭＯＳトランジスタＭ２の電位分布変化図を示す（例えば、非特許文献３のＦｉｇ．２を参照）。図１０Ｂの（ａ）に、Ｐ領域１２０とＮ領域１２１とにより形成されたフォトダイオードと、トランスファＭＯＳトランジスタＭ１領域と、リセットＭＯＳトランジスタＭ２領域の断面図を示す。トランスファＭＯＳトランジスタＭ１のゲート電極Ｔｘ（図１０Ａにおけるトランスファ電極ΦＴに相当する）に隣接して浮遊ダイオードＦＤを形成するＮ^＋領域１２３と、このＮ^＋領域１２３に隣接するリセットＭＯＳトランジスタＭ２のリセット電極ＲＳＴ（図１０ＡのリセットＭＯＳトランジスタＭ２のゲート電極ΦＲに相当する）があり、このリセット電極ＲＳＴに隣接するＰ領域１２０の表面に電源電圧線ＶＤＤに繋がるリセットＭＯＳトランジスタＭ２ドレインのＮ^＋領域１２６が形成されている。

図１０Ｂの（ｂ）に、信号電荷蓄積動作時における、図１０Ｂの（ａ）のＧ−Ｇ’線に沿った電位分布を示す。実線が各領域の電位の底を示し、斜線部が電荷（この場合は自由電子）を示す。Ｎ領域１２１に蓄積信号電荷１２８があり、Ｎ^＋領域１２３，１２６に、多数の電荷１２９ａ，１２９ｂ（この場合は自由電子）がある。トランスファ電極Ｔｘ、リセット電極ＲＳＴにはオフ電圧（低レベル電圧）が印加されており、蓄積信号電荷１２８がフォトダイオードＮ領域１２１から、Ｎ^＋領域１２３とリセットＭＯＳトランジスタＭ２のドレインＮ^＋領域１２６とに転送されないようになっている。

図９Ａに示す１つの島状半導体に１つの画素が構成されている固体撮像装置においては、島状半導体１００の高さは、主にフォトダイオードのＮ層１０６の高さＬｄで決定される。光照射による信号電荷発生率は、Ｐ^＋層１０７の上面からＳｉ深さに対して指数関数曲線に沿って減少する特性を持つため、可視光を感知する固体撮像装置においては、感度に寄与する信号電荷を効率よく取り出すには、光電変換領域の深さは２．５〜３μｍが必要である（例えば、非特許文献１を参照）。このため、光電変換フォトダイオードのＮ層１０６の高さＬｄは、少なくとも２．５〜３μｍが必要となる。このＮ層１０６の下にリセットゲート導体層１０５が形成される。リセットゲート導体層１０５は、例えば０．１μｍでも正常動作がなされるので、リセットゲート導体層１０５は、島状半導体１００において、ほとんど底部に形成されている。そして、図９Ｂに示されるように、リセットゲート導体層１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃは行毎に独立しているため、２．５〜３μｍの高さを有する島状半導体Ｐ１１〜Ｐ３３の底部にリセットゲート導体層１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃを形成することが必要になる。このようなリセットゲート導体層１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃの存在によって、画素集積度が高まるほど、本固体撮像装置の製造が困難となる。

図１１Ａに示すＣＣＤ固体撮像装置においては、図１１Ｂに示すように信号電荷を蓄積する電位井戸の深さＬｐｈは、要求される分光感度特性から、非特許文献１に開示のように２．５〜３μｍとなる。さらに、信号電荷除去動作時の電位分布は、Ｐ^＋領域１４３からＮ領域基板１４０まで、信号電荷１５１の転送において電位障壁（Potential barrier）が発生しないことが必要になる。このため、Ｎ領域基板１４０への印加電圧ＶＲＨは１８〜３０Ｖといった高い印加電圧が必要になる。これにより、ＣＣＤ固体撮像装置の消費電力が増加する。

本発明の固体撮像装置は、
複数の画素が画素領域に２次元状に配列されている固体撮像装置において、
基板上に形成された第１の半導体領域と、
前記第１の半導体領域上に形成された第２の半導体領域と、
前記第２の半導体領域の上部側面に形成された第３の半導体領域と、
前記第２の半導体領域の側面に対向しない前記第３の半導体領域の側面に形成され、前記第３の半導体領域と反対導電性の第４の半導体領域と、
前記第２の半導体領域上に、前記第３の半導体領域と反対導電性の第５の半導体領域を、有し、
前記第２の半導体領域は、前記第３の半導体領域と反対導電性の半導体または真性型半導体からなり、
少なくとも、前記第２の半導体領域の上部、前記第３の半導体領域、前記第４の半導体領域及び前記第５の半導体領域が島状半導体に形成され、
前記第２の半導体領域と前記第３の半導体領域とによりフォトダイオードが形成され、
前記フォトダイオード領域に入射した電磁エネルギー波により発生した信号電荷を、前記第３の半導体領域に蓄積する信号電荷蓄積動作が実行され、
前記第１の半導体領域及び前記第５の半導体領域の内の一方をドレインとするとともに他方をソースとし、前記信号電荷を蓄積する前記第３の半導体領域をゲートとした接合電界効果トランジスタが形成され、
前記第３の半導体領域に蓄積された信号電荷量に応じて、前記接合電界効果トランジスタの前記ソース及びドレイン間に流れる電流を信号出力として読み出す画素信号読出し動作が実行され、
前記第４の半導体領域及び前記第５の半導体領域を低レベル電圧とし、前記第１の半導体領域を前記低レベル電圧よりも高い高レベル電圧とすることで、前記第１の半導体領域及び前記第３の半導体領域の間に存在する前記第２の半導体領域において電位障壁をなくし、当該電位障壁のない第２の半導体領域を介して、前記第３の半導体領域に蓄積された信号電荷を、前記第３の半導体領域から前記第１の半導体領域に除去する信号電荷除去動作が実行される、
ことを特徴とする。

本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の画素断面構造図である。 第１の実施形態に係る固体撮像装置の、図１ＡのＡ−Ａ’線に沿った信号電荷蓄積動作時と信号電荷除去動作時における電位分布を示す。 本発明の第２の実施形態に係る固体撮像装置の模式平面図である。 第２の実施形態に係る固体撮像装置の模式回路平面図である。 第２の実施形態に係る固体撮像装置の、画素選択線Φｐ１〜Φｐ３と、信号線Φｓ１〜Φｓ３に印加される駆動電圧波形と信号出力端子Ｖｏｕｔにおける電圧波形の関係を示す電圧波形図である。 本発明の第３の実施形態に係る固体撮像装置の画素断面構造図である。 第３の実施形態に係る固体撮像装置の模式平面図である。 本発明の第４の実施形態に係る固体撮像装置の模式平面図である。 第４の実施形態に係る固体撮像装置の、パルス電圧源Φｎ電圧波形と、画素選択線Φｐ１〜Φｐ３と、信号線Φｓ１〜Φｓ３に印加される駆動電圧波形と信号出力端子Ｖｏｕｔにおける電圧波形との関係を示す電圧波形図である。 本発明の第４の実施形態に係る固体撮像装置における、図３Ａの画素断面構造図のＣ−Ｃ’線に沿った領域での信号電荷除去動作時における電位分布変化図である。 本発明の第５の実施形態に係る固体撮像装置の画素断面構造図である。 第５の実施形態に係る固体撮像装置の模式平面図である。 本発明の第６の実施形態に係る固体撮像装置の画素断面構造図である。 第６の実施形態に係る固体撮像装置の模式平面図である。 本発明の第７の実施形態に係る固体撮像装置の画素断面構造図である。 第７の実施形態に係る固体撮像装置の画素断面構造図である。 本発明の第８の実施形態に係る固体撮像装置の画素断面構造図である。 従来例の固体撮像装置の画素断面構造図である。 従来例の固体撮像装置の模式平面図である。 従来例のＣＭＯＳ固体撮像装置の画素模式図である。 従来例のＣＭＯＳ固体撮像装置における信号電荷蓄積動作時と信号電荷除去動作時の電位分布変化図である。 従来例の固体撮像装置の画素断面構造図である。 従来例のＣＣＤ固体撮像装置における信号電荷蓄積動作時と信号電荷除去動作時の電位分布変化図である。

（第１の実施形態）
図１Ａ、図１Ｂに、第１の実施形態の固体撮像装置を示す。図１Ａに、固体撮像装置の１画素の断面構造図を示す。基板１上に、信号線Ｎ^＋領域２が形成され、この信号線Ｎ^＋領域２上に島状半導体ＳＰが形成されている。島状半導体ＳＰの信号線Ｎ^＋領域２上にＰ領域３が形成され、このＰ領域３上部の外周部に、Ｎ領域４が形成されている。そして、このＮ領域４を囲む島状半導体ＳＰの側面にＰ^＋領域５が形成されている。このＰ^＋領域５に接続されたＰ^＋領域６が島状半導体ＳＰの上面に形成されている。そして、Ｐ^＋領域６に画素選択線導体層７が接続されている。そして、絶縁層８が、信号線Ｎ^＋領域２、島状半導体ＳＰの外周部を囲むように形成されている。本発明の固体撮像装置においては、図９Ａに示す従来例の固体撮像装置で必要となったリセット導体層１０５が存在しない。また、Ｎ領域４の外周部に形成されたＰ^＋領域５が、島状半導体ＳＰのＰ^＋領域６に接続されている。

本固体撮像装置では、Ｐ領域３とＮ領域４とからフォトダイオード領域が形成されており、入射光が、島状半導体ＳＰのＰ^＋領域６側から照射されると、フォトダイオード領域で信号電荷（ここでは、自由電子）が発生する。そして、この信号電荷は、主として、上記フォトダイオード領域のＮ領域４に蓄積される。また、島状半導体ＳＰ内において、このＮ領域４をゲート、Ｐ^＋領域６をソース、信号線Ｎ^＋領域２近傍のＰ領域３をドレインにした接合電界効果トランジスタが形成されている。そして、接合電界効果トランジスタのドレイン・ソース間電流（出力信号）が、Ｎ領域４に蓄積された信号電荷量に対応して変化し、信号線Ｎ^＋領域２から信号出力として読み出される。さらに、このＮ領域４に蓄積された信号電荷は、Ｐ^＋領域６をグランド電位（＝０Ｖ）にして、信号線Ｎ^＋領域２に高レベル電圧が印加されることで信号線Ｎ^＋領域２に除去される。

図１Ｂの（ｃ）に、信号電荷除去動作時における電位分布９ｂを示す。この信号電荷除去動作時においては、Ｐ^＋領域５はグランド電位になっており、信号線Ｎ^＋領域２に高レベル電圧Ｖｒｈが印加されている。ここでは、Ｎ領域４から信号線Ｎ^＋領域２に向けて電位が高くなる電位分布９ｂが形成されている。これによって、Ｎ領域４の信号電荷１０ｂは信号線Ｎ^＋領域２に除去される。また、Ｎ領域４と信号線Ｎ^＋領域２との間のＰ領域３の電位分布９ｂは、信号電荷（自由電子）の移動に対して電位障壁が生じないようにされている。図１１Ａに示す従来例では、Ｎ領域１４２とＰ領域ウエル１４１とからなる光電変換領域と、Ｐ領域ウエル１４１とＮ領域基板１４０とからなる信号電荷除去領域が重なっている。これに対して、本実施形態では、図１Ａに示すように光電変換領域はフォトダイオードのＮ領域４から形成され、信号電荷除去領域はＮ領域４と信号線Ｎ^＋領域２との間のＰ領域３から形成されているので、光電変換領域、信号電荷除去領域がそれぞれ形成される領域は互いに重ならない。このため、信号電荷除去領域は、Ｎ領域４と信号線Ｎ^＋領域２との間のＰ領域３によって、信号電荷蓄積動作時において、図１Ｂの（ｂ）で示す電位分布９ａ（電位井戸）が形成される。また、図１Ｂの（ｃ）に示すように、Ｎ領域４と信号線Ｎ^＋領域２との間のＰ領域３の電位が、信号電荷（自由電子）の移動に対する電位障壁を生じないという条件を満足しさえすれば、このＮ領域４と信号線Ｎ^＋領域２との間のＰ領域３の長さを可能な限り短くすることができる。このため、信号線Ｎ^＋領域２への印加電圧Ｖｒｈは、図１１Ａに示すＣＣＤ固体撮像装置より小さくすること、即ち、例えば３〜５Ｖと低電圧化することが可能となる。これにより、本実施形態の固体撮像装置による消費電力の増大が抑制され、信号電荷除去動作が可能となる。

図２Ｃに、画素選択線Φｐ１，Φｐ２，Φｐ３と、信号線Φｓ１，Φｓ２，Φｓ３とに印加される駆動電圧の波形と信号出力端子Ｖｏｕｔにおける電圧の波形との関係を示す。第１の水平走査期間Ｔｈ１に続いて第２の水平走査期間Ｔｈ２が設定されている。第１の水平走査期間Ｔｈ１は、第１の無効ブランキング期間Ｔｈｂ１と第１の有効期間Ｔｈｅ１とから構成されている。第１の無効ブランキング期間Ｔｈｂ１において、画素選択線Φｐ１に繋がる島状半導体Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３からの画素信号が行画素信号取り込み・出力回路１４に取り込まれる。第１の無効ブランキング期間Ｔｈｂ１は、画素Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３の画素信号を読み出す第１の画素信号読出し期間Ｔｒ１１（この期間では島状半導体Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３の蓄積信号電荷は、島状半導体Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３に蓄積されている。）と、島状半導体Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３の蓄積信号電荷を信号線Φｓ１，Φｓ２，Φｓ３に除去する信号電荷除去期間Ｔｒｅ１と、島状半導体Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３の信号電荷除去後の画素信号を読み出す第２の画素信号読出し期間Ｔｒ１２とから構成されている。そして、第１の画素信号読出し期間Ｔｒ１１の画素信号と、第２の画素信号読出し期間Ｔｒ１２の画素信号との差信号を、例えば相関２重サンプリングＣＤＳ（Correlated double sampling）回路により生成し、第１の有効期間Ｔｈｅ１に、島状半導体Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３の画素信号ｓ１，ｓ２，ｓ３を出力端子Ｖｏｕｔから読み出す。以上の動作を、第１の水平走査期間Ｔｈ１に続く第２の水平走査期間Ｔｈ２において行い、島状半導体Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３の画素信号を読み出す。この動作を連続して行うことで、３×３画素を構成する島状半導体Ｐ１１〜Ｐ３３の画素信号が得られる。

（第３の実施形態）
以下、図３Ａ，図３Ｂを参照しながら、第３の実施形態に係る固体撮像装置を説明する。本実施形態の固体撮像装置は、第１の実施形態の固体撮像装置と比較して、画素を構成する島状半導体ＳＰ，Ｐ１１〜Ｐ３３に入射した光の隣接画素への漏洩を低減することができるという特徴がある。

また、図３Ｂに示すように、本実施形態の固体撮像装置では、光遮蔽導体層１８ａが画素領域全域に亘って互いに繋がるように形成されていればよいので、図９Ａ、図９Ｂに示す従来例の固体撮像装置におけるゲート導体層１０５，１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃを形成するにときに必要となる、画素領域における微細加工が不要となる。

図４Ｂに、パルス電圧源Φｎの電圧波形と、画素選択線Φｐ１，Φｐ２，Φｐ３と、信号線Φｓ１，Φｓ２，Φｓ３とに印加される駆動電圧波形と、信号出力端子Ｖｏｕｔにおける電圧波形との関係を示す。第１の信号電荷除去期間Ｔｒｅ１において、信号線Φｓ１，Φｓ２，Φｓ３に低レベル電圧Ｖｂと、この低レベル電圧Ｖｂよりも更に高レベルである高レベル電圧Ｖｒｈ１（印加期間はｔｓｈ）とが印加された期間ｔｐｈに、画素選択線Φｐ２，Φｐ３に高レベル電圧Ｖｒｈ１を印加し、信号線Φｓ２，Φｓ３に、信号線Φｓ１と同じ期間ｔｓｈにそれと同じ高レベル電圧Ｖｒｈ１を印加する。そして、パルス電圧源Φｎ電圧は、第１の無効ブランキング期間Ｔｈｂ１では、画素選択線Φｐ２，Φｐ３に印加されている期間ｔｐｈには高レベル電圧Ｖａとなっている。そして、第２の無効ブランキング期間Ｔｈｂ２においても、これと同様な動作が繰り返される。

図４Ｃにおける（ａ）〜（ｄ）に、図３Ａに示す画素断面構造のＣ−Ｃ’線に沿う領域における、信号電荷除去動作時における電位分布変化を示す。図４Ｃの（ａ）は、図３ＡのＣ−Ｃ’線に沿う領域の拡大図である。Ｐ領域３の片側にフォトダイオードのＮ領域４と、Ｐ^＋領域６に接続されたＰ^＋領域５とが存在し、もう一方の片側に信号線Ｎ^＋領域２が存在する。そして、Ｐ^＋領域５、Ｐ領域３、信号線Ｎ^＋領域２の表面に絶縁層８が形成されている。さらに、この絶縁層８上に光遮蔽導体層１８ａが形成されている。

次に、図４Ｃの（ｄ）に、信号線Φｓ１，Φｓ２，Φｓ３に高レベル電圧Ｖｒｈ１が印加された信号電荷除去期間ｔｓｈにおける電位分布２３ａを実線で示す。そして、パルス電圧源Φｎ電圧がグランド電位とされ、信号線Φｓ１，Φｓ２，Φｓ３に高レベル電圧Ｖｒｈが印加されているときの電位分布２３ｂを点線で示す（第３の実施形態に対応する。）。このように、点線で示す電位分布２３ｂから実線で示す電位分布２３ａに変化し、蓄積信号電荷２１ｂが信号線Ｎ^＋領域２に除去される。この場合、蓄積信号電荷２１ｂが信号線Ｎ^＋領域２に移動するときに、Ｎ領域４と信号線Ｎ^＋領域２との間のＰ領域３の電位分布において電位障壁が形成されないように、十分な高レベル電圧Ｖｒｈ１を信号線Ｎ^＋領域２に印加することが必要である。この高レベル電圧Ｖｒｈ１は、図４Ｃの（ｃ）に示す光遮蔽導体層１８ａに対する高レベル電圧Ｖａの印加によるＰ領域３の電位上昇により、光遮蔽導体層１８ａがグランド電位である場合に必要な信号線Ｎ^＋領域２に印加される高レベル電圧Ｖｒｈよりも低電圧となる。この信号線Ｎ^＋領域２への印加電圧は、最大１Ｖ程度に低電圧化される。このような１Ｖの低電圧化は、信号線Ｎ^＋領域２の駆動電圧３〜５Ｖにおいて、固体撮像装置の駆動消費電力の低減に大きく寄与するようになる。そして、固体撮像装置の低駆動電圧化が促されると共に、本実施形態の固体撮像装置の低消費電力化がより一層促進されるようになる。

なお、図４Ｂにおいては、信号線Φｓ１，Φｓ２，Φｓ３に高レベル電圧Ｖｒｈ１が印加されている期間ｔｓｈの前後を含み、画素選択線Φｐ２，Φｐ３に高レベル電圧Ｖｒｈ１が印加されている同じ期間ｔｐｈに、パルス電圧源Φｎに高レベル電圧Ｖａを印加した場合について説明した。図４Ｃの（ｄ）に示す電位分布２３ａは、光遮蔽導体層１８ａに高レベル電圧Ｖａが印加され、信号線Ｎ^＋領域２に高レベル電圧Ｖｒｈ１が印加されていれば実現される。このため、信号線Φｓ１，Φｓ２，Φｓ３に高レベル電圧Ｖｒｈ１が印加される期間とパルス電圧源Φｎに高レベル電圧Ｖａが印加される期間が、任意の期間において重なっていれば、本実施形態による効果が得られる。

図４Ｂにおいて、第１の信号電荷除去期間Ｔｒｅ１における期間ｔｓｈの前後の期間では、信号線Φｓ１，Φｓ２，Φｓ３に低レベル電圧Ｖｂが印加されていたが、この代わりにグランド電圧（＝０Ｖ）が印加されていてもよい。この場合、信号線Ｎ^＋領域２からＮ領域４に自由電子が移動しない程度の電圧を光遮蔽導体層１８ａに印加する。

図５Ｂに、本実施形態の固体撮像装置の模式平面図を示す。図５Ｂ中のＥ−Ｅ’線に沿う断面構造が図５Ａに対応する。第１層目の光遮蔽導体層２５ａが画素領域の島状半導体Ｐ１１〜Ｐ３３を囲むとともに、画素領域の全域に亘って互いに繋るように形成されている。この第１層目の光遮蔽導体層２５ａには、第４の実施形態と同様に、パルス電圧源Φｎが接続されている。そして、第２層目の光遮蔽導体層２５ｂが画素領域の島状半導体Ｐ１１〜Ｐ３３を囲むとともに、画素領域の全域に亘って互いに繋るように形成されている。ここで、この第２層目の光遮蔽導体層２５ｂには、グランド電位が印加されている。第１層目の光遮蔽導体層２５ａには、図４Ｂで示すパルス電圧源Φｎに印加された電圧と同じ波形の電圧が印加される。そして、上述したように、本実施形態の固体撮像装置では、第１層目の光遮蔽導体層２５ａ、第２層目の光遮蔽導体層２５ｂと共に画素領域全域に繋って形成されていればよいので、第３、第４の実施形態と同様に、図９Ａ、図９Ｂに示す従来固体撮像装置におけるゲート導体層１０５，１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃの形成に必要となる画素領域における微細加工が不要となる。

本実施形態の固体撮像装置では、第１層目の光遮蔽導体層２５ａ、第２層目の光遮光導体層２５ｂが分離されており、信号電荷除去動作時におけるパルス電圧電源Φｎの負荷容量は、第１層目の光遮蔽導体層２５ａに接続された容量となる。この負荷容量は、主として、第１層目の光遮蔽導体層２５ａとＰ領域３との間の絶縁層８による容量である。画素を構成する島状半導体ＳＰ，Ｐ１１〜Ｐ３３の高さは、主として要求分光感度特性からのフォトダイオードのＮ領域４の高さＬｄで決定される。このＮ領域４を囲むように第２の光遮蔽導体層２５ｂが形成されている。このため、信号電荷除去動作時にパルス電圧源Φｎの負荷容量は、図４Ａに示す第４の実施形態の固体撮像装置と比較して、大幅に低減する。これは、信号電荷除去動作時における、パルス電圧源Φｎのグランド電位と高レベル電圧Ｖａとの間の立ち上がり・立下り時間を低減させることになる。これにより、確実な信号電荷除去動作が実現される。また、固体撮像装置の高速撮像動作においては、各動作時間の短縮が求められるので、本実施形態は、このような固体撮像装置の高速化にも寄与する。

以下、図７Ａ、図７Ｂを参照しながら、第７の実施形態に係る固体撮像装置を説明する。
図７Ａに、第７の実施形態の第１の固体撮像装置の断面構造を示す。基板１上に、信号線Ｐ^＋領域２８とＰ領域３と信号電荷除去Ｎ^＋領域２９とからなる帯状半導体２７が形成されている。この帯状半導体２７上に島状半導体ＳＰが形成されている。Ｐ領域３は、帯状半導体２７上の島状半導体ＳＰに繋がるように形成されている。このＰ領域３上部の外周部に、Ｎ領域４が形成されている。そして、このＮ領域４を囲み、島状半導体ＳＰの側面にＰ^＋領域５が形成されている。このＰ^＋領域５に接続されてＰ^＋領域６が島状半導体ＳＰの上面に形成されている。そして、Ｐ^＋領域６に画素選択線導体層７が接続されている。そして、絶縁層８が、帯状半導体２７、島状半導体ＳＰの外周部を囲むように形成されている。

本実施形態の固体撮像装置では、Ｐ領域３とＮ領域４とからなるフォトダイオード領域が形成されている。ここで、光が、島状半導体ＳＰのＰ^＋領域６側から入射すると、当該フォトダイオード領域における光電変換領域にて信号電荷（ここでは、自由電子）が発生する。そして、この信号電荷は、主として、フォトダイオード領域のＮ領域４に蓄積される。また、島状半導体ＳＰ内において、このＮ領域４をゲート、Ｐ^＋領域６をソースとし、信号線Ｐ^＋領域２８をドレインにした接合電界効果トランジスタが形成されている。そして、接合電界効果トランジスタのドレイン・ソース間電流（出力信号）が、Ｎ領域４に蓄積された信号電荷量に応じて変化し、信号線Ｐ^＋領域２８から信号出力として読み出される。さらに、このＮ領域４に蓄積された信号電荷は、Ｐ^＋領域６をグランド電位（＝０Ｖ）にして、信号電荷除去Ｎ^＋領域２９に正のオン電圧が印加されることによって、信号電荷除去Ｎ^＋領域２９に除去される。

図１Ａにおいては、信号線Ｎ^＋領域２が、接合電界効果トランジスタのドレイン・ソース間電流（出力信号）を取り出す機能と、信号電荷を除去する機能を備えていた。これに対して、本実施形態では、信号線Ｎ^＋領域２の領域の代わりに、信号線Ｐ^＋領域２８、Ｐ領域３、信号電荷除去Ｎ^＋領域２９が形成されている。そして、接合電界効果トランジスタのドレイン・ソース間電流（出力信号）の取り出しを信号線Ｐ^＋領域２８が実行し、信号電荷除去を信号電荷除去Ｎ^＋領域２９が実行する。これにより、図１Ａに示す固体撮像装置では、接合電界効果トランジスタのドレイン・ソース間電流を流し始めるための接合電界効果トランジスタのドレイン・ソース間電圧が、信号線Ｎ^＋領域２とＰ領域３によるダイオードを順方向バイアスさせるに必要な電圧（シリコン半導体の場合は約０．７Ｖ）以上であるのに対して、本実施形態では、信号線をＰ^＋領域２８とすることによって、０Ｖ近くまで低減することができる。この駆動電圧の低減により、固体撮像素子の駆動消費電力が低減する。また、信号電荷除去を信号線Ｐ^＋領域２８と独立した信号電荷除去Ｎ^＋領域２９で行えるため、信号電荷蓄積期間において、この信号電荷除去Ｎ^＋領域２９に信号電荷除去期間ｔｓｈで印加する高レベル電圧Ｖｐｈよりも低いレベルの低レベル電圧を印加することで、島状半導体ＳＰに過大な照度で入射した光によって発生した過剰の信号電荷を、この信号電荷除去Ｎ^＋領域２９によって除去することができる。

図８に、本実施形態の固体撮像装置の断面構造を示す。図８に示すように、信号線Ｎ^＋領域２が形成されている。この信号線Ｎ^＋領域２上に画素を構成する島状半導体ＳＰが形成されている。島状半導体ＳＰの信号線Ｎ^＋領域２上にＰ領域３が形成され、このＰ領域３上部の外周部に、Ｎ領域４ａが形成されている。そして、このＮ領域４ａを囲み、島状半導体ＳＰの側面にＰ^＋領域５ａが形成されている。そして、絶縁層８が、信号線Ｎ^＋領域２、島状半導体ＳＰの外周部を囲むように形成されている。Ｎ領域４ａ、Ｐ^＋領域５ａの外周部に絶縁層８を介して導体層３１が形成されている。Ｎ領域４ａ、Ｐ^＋領域５ａと離間してＰ^＋領域６が島状半導体ＳＰの上面に形成されている。Ｐ^＋領域６に画素選択線導体層７が接続されている。そして、導体層３１は画素選択線導体層７と離間して形成されている。

本実施形態の固体撮像装置においては、図８を参照して、島状半導体ＳＰの外周部のＰ^＋領域５ａが低レベル電圧になった後、正孔が蓄積される電圧を導体層３１に印加する。そして、Ｐ^＋領域６にグランド電圧、信号線Ｎ^＋領域２に高レベル電圧をそれぞれ印加し、Ｎ領域４ａに蓄積された信号電荷を信号線Ｎ^＋領域２に除去する。このように、導体層３１に電圧を印加することでも、図１Ａに示す固体撮像装置と同様に、Ｎ領域４ａに蓄積された信号電荷が信号線Ｎ^＋領域２に除去される。この導体層３１は、島状半導体ＳＰに入射する光が、隣接する島状半導体に漏洩することを防止する光遮蔽導体層の機能を備えている。

なお、第１の実施形態では、図１Ａに示すように信号線Ｎ^＋領域２を設けたが、図１ＡにおいてＮ^＋領域をＰ^＋領域、Ｐ領域３をＮ領域、Ｎ領域４をＰ領域、Ｐ ^＋ 領域５，６をＮ^＋領域とすることで、全ての半導体領域の半導体を反対導電型とした固体撮像装置であっても、本実施形態と同様な効果が得られる。このことは、上記各実施形態において共通に適用できる。

図１Ａを用いた第１の実施形態の説明においては、画素選択線導体層７が島状半導体ＳＰの側面からＰ^＋領域６に接続した場合について説明したが、この画素選択導体層が例えば酸化インジウム・スズ（ＩｎＳｎＯ）などの透明導体材料を用いて、島状半導体ＳＰの上面よりＰ^＋領域７と接続してもよい。この態様は、上記各実施形態において共通に適用できる。

また、ここでは、基板１と信号線Ｎ^＋層領域２との間に金属層、またはシリサイド層を設けて信号線Ｎ^＋領域２の抵抗値を下げる構造を採用することもできる。この態様は、上記各実施形態においても同様に適用できる。

図１Ａに示す第１の実施形態において、Ｐ領域３は真性型の半導体層から構成されていてもよい。この真性型半導体とは、実質的に一種の元素からなる半導体である。真性型半導体は、不純物が混入しないように製造されるが、実際には不可避的に極微量の不純物を含むものである。この真性型半導体からなるＰ領域２は、固体撮像装置としての機能を阻害しない程度であれば、微量のアクセプタ又はドナー不純物を含んでいても構わない。この態様は、上記各実施形態において共通に適用できる。

第１の実施形態における図１Ａでは、Ｎ^＋領域２に信号線、Ｐ^＋領域６に画素選択線が接続された固体撮像装置を示したが、Ｎ^＋領域２が画素選択線、Ｐ^＋領域６が信号線に接続されてもよい。この態様は、上記各実施形態において共通に適用できる。

Claims (12)

1. 複数の画素が画素領域に２次元状に配列されている固体撮像装置において、
   基板上に形成された第１の半導体領域と、
   前記第１の半導体領域上に形成された第２の半導体領域と、
   前記第２の半導体領域の上部側面に形成された第３の半導体領域と、
   前記第２の半導体領域の側面に対向しない前記第３の半導体領域の側面に形成され、前記第３の半導体領域と反対導電性の第４の半導体領域と、
   前記第２の半導体領域上に、前記３の半導体領域と反対導電性の第５の半導体領域を、有し、
   前記第２の半導体領域は、前記第３の半導体領域と反対導電性の半導体または真性型半導体からなり、
   少なくとも、前記第２の半導体領域の上部、前記第３の半導体領域、前記第４の半導体領域及び前記第５の半導体領域が島状半導体に形成され、
   前記第２の半導体領域と前記第３の半導体領域とによりフォトダイオードが形成され、
   前記フォトダイオード領域に入射した電磁エネルギー波により発生した信号電荷を、前記第３の半導体領域に蓄積する信号電荷蓄積動作が実行され、
   前記第１の半導体領域及び前記第５の半導体領域の内の一方をドレインとするとともに他方をソースとし、前記信号電荷を蓄積する前記第３の半導体領域をゲートとした接合電界効果トランジスタが形成され、
   前記第３の半導体領域に蓄積された信号電荷量に応じて、前記接合電界効果トランジスタの前記ソース及びドレイン間に流れる電流を信号出力として読み出す画素信号読出し動作が実行され、
   前記第４の半導体領域及び前記第５の半導体領域を低レベル電圧とし、前記第１の半導体領域を前記低レベル電圧よりも高い高レベル電圧とすることで、前記第１の半導体領域及び前記第３の半導体領域の間に存在する前記第２の半導体領域において電位障壁をなくし、当該電位障壁のない第２の半導体領域を介して、前記第３の半導体領域に蓄積された信号電荷を、前記第３の半導体領域から前記第１の半導体領域に除去する信号電荷除去動作が実行される、
   ことを特徴とする固体撮像装置。
2. 前記第４の半導体領域が前記第５の半導体領域に接続されている、
   ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
3. 前記第３の半導体領域と前記第４の半導体領域とは前記第５の半導体領域から離間しており、前記第４の半導体領域の外周部に、絶縁層を介して第１の導体層が形成され、前記第３の半導体領域に蓄積された信号電荷を前記第１の半導体領域へ除去する期間において、前記第４の半導体領域が前記高レベル電圧よりも低い低レベル電圧となるとともに、前記第１の半導体領域には高レベル電圧が印加され、かつ、前記第１の導体層には、前記信号電荷が蓄積される所定の電圧が印加されるように構成されている、
   ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
4. 前記第１の半導体領域が、
   前記接合電界効果トランジスタのソースまたはドレインとなる第６の半導体領域と、前記第３の半導体領域に蓄積された信号電荷を除去する第７の半導体領域と、を備え、
   前記第６の半導体領域と前記第７の半導体領域との間には、前記第２の半導体領域が延在している、
   ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
5. 前記信号電荷蓄積動作と前記画素信号読出し動作とが実行される期間に前記第７の半導体領域に印加される電圧が、前記信号電荷除去動作が実行される期間に前記第７の半導体領域に印加される電圧よりも低く設定されている、
   ことを特徴とする請求項４に記載の固体撮像装置。
6. 前記画素は２次元状に配列され、当該２次元配列の画素の内の少なくとも１つの行に並ぶ画素の信号電流を、垂直方向に並ぶ画素からなる列に沿って配列され前記第１の半導体領域を互いに接続する信号線を介して、前記画素領域の外部に設けた行画素信号取り込み回路に同時に読み込むとともに、前記少なくとも１つの行に並ぶ画素の信号出力を、前記行画素信号取り込み回路に設けた出力回路から読み出す動作が実行され、前記信号電荷除去動作が実行される期間に、前記少なくとも１つの行に並ぶ画素の前記第５の半導体領域に接続された画素選択線に前記低レベル電圧が印加されるとともに、その他の行に並ぶ画素に接続された画素選択線に前記高レベル電圧が印加され、当該高レベル電圧が印加される高レベル電圧印加期間において、前記画素からなる列に接続される前記信号線に高レベル電圧が印加される、
   ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
7. 前記第２の半導体領域、前記第３の半導体領域及び前記第４の半導体領域を囲むように絶縁層が形成されるとともに、前記絶縁層を囲むように光遮蔽導体層が形成される、
   ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
8. 前記光遮蔽導体層が、前記画素領域の画素の前記島状半導体側面に形成されるとともに、前記画素領域の全体に亘って連続して形成されている、
   ことを特徴とする請求項７に記載の固体撮像装置。
9. 前記光遮蔽導体層が、前記画素領域の画素に形成されるとともに、前記画素領域に亘って連続して形成され、かつ、前記光遮蔽導体層には、グランド電圧または前記低レベル電圧が印加されるように構成されている、
   ことを特徴とする請求項７に記載の固体撮像装置。
10. 前記光遮蔽導体層が、前記画素領域の画素に接続されるとともに、前記画素領域の全体に亘って形成され、前記光遮蔽導体層には、前記信号電荷除去動作が実行される期間において、前記信号線に前記高レベル電圧が印加されている期間の一部の期間、または、全部の期間に重なるように、前記高レベル電圧が印加され、前記信号電荷除去動作が実行される期間を除いた期間には、前記信号線に、グランド電圧または低レベル電圧が印加されるように構成されている、
    ことを特徴とする請求項７に記載の固体撮像装置。
11. 前記光遮蔽導体層が、前記第２の半導体領域、前記第３の半導体領域及び前記第４の半導体領域の外周の絶縁層を囲むように形成されるとともに、少なくとも２つの独立した部位に分離されている、
    ことを特徴とする請求項７に記載の固体撮像装置。
12. 前記光遮蔽導体層は前記第５の半導体層に接続されている、
    ことを特徴とする請求項７に記載の固体撮像装置。

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